JP7075039B2 - Oled表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態に係る、OLED表示装置10の構成例を模式的に示す。OLED表示装置10は、発光素子が形成されるTFT(Thin Film Transistor)基板100と、OLED素子を封止する封止基板200と、TFT基板100と封止基板200とを接合する接合部(ガラスフリットシール部)300を含んで構成されている。TFT基板100と封止基板200との間には、例えば、乾燥空気が封入されており、接合部300により封止されている。
OLED表示装置10の製造方法の一例を説明する。後述するように、本開示は、画素定義層及び凸状構造部の形成に特徴を有する。以下の説明において、同一工程で(同時に)形成される要素は、同一層の要素である。
以下において、表示領域125の異なる構成例を説明する。図4Aは、表示領域125の一部の平面図を示す。図4Bは、図4AにおけるIVB-IVB切断線での断面図を示す。以下において、図2Aから2Dを参照して説明した構成例との相違点を主に説明する。
次に、図7~図9を参照して、凸状構造部のテーパ角度が、60度以上、80度未満の場合に、リークパスが低減する理由について説明する。図7Aは、基板面上に形成された、ポストベーク後の、画素定義層の一部、凸状構造部の平面図を示す。図7Bは、図7AにおけるVIIB-VIIB切断線での断面図を示す。
Claims (11)
- OLED表示装置であって、
基板と、
前記基板上に配列された、複数の副画素と、
前記複数の副画素それぞれの周囲を囲むように形成され、隣接する異なる色の第1副画素及び第2副画素間に形成された溝を含む、画素定義層と、
前記溝内における前記画素定義層の前記第1副画素側の第1側面と、前記溝内における前記画素定義層の前記第2副画素側の第2側面と、から離間して、前記溝内に形成されている、凸状構造部と、を含み、
前記複数の副画素は、それぞれ、上部電極層と、前記上部電極層と前記基板との間の下部電極層と、前記下部電極層と前記上部電極層との間の有機発光層と、前記有機発光層と前記下部電極層との間の中間層と、を含み、
前記画素定義層は、前記下部電極層と前記中間層との間に存在し、
前記凸状構造部は、前記基板と前記中間層との間に存在し、
前記凸状構造部は、前記第1副画素側の第3側面と、前記第2副画素側の第4側面と、を含み、
前記第1側面、前記第2側面、前記第3側面、及び前記第4側面は、順テーパ面であり、
前記第1副画素の有機発光層及び前記第2副画素の有機発光層は、前記第1副画素と前記第2副画素との間において、前記溝及び前記凸状構造部を覆うように形成されている、OLED表示装置。 - 請求項1に記載のOLED表示装置であって、
前記凸状構造部の前記第3側面及び前記第4側面のそれぞれのテーパ角度は、前記第1側面及び前記第2側面それぞれのテーパ角度よりも大きい、OLED表示装置。 - 請求項1に記載のOLED表示装置であって、
前記凸状構造部の前記第3側面及び前記第4側面のそれぞれのテーパ角度は、60度以上である、OLED表示装置。 - 請求項1に記載のOLED表示装置であって、
前記画素定義層と前記凸状構造部とは、同一層の部分であり、OLED表示装置。 - 請求項4に記載のOLED表示装置であって、
前記画素定義層は、前記第1側面の反対面であって、前記第1副画素を画定する開口の内面である第5側面と、前記第2側面の反対面であって、前記第2副画素を画定する開口の内面である第6側面と、を含み、
前記第3側面と前記第4側面との間の寸法は、前記第1側面と前記第5側面との間の寸法及び前記第2側面と前記第6側面との間の寸法よりも、小さい、OLED表示装置。 - 請求項1に記載のOLED表示装置であって、
前記複数の副画素の上部電極それぞれは、連続した一つの電極層の一部であり、
前記複数の副画素の中間層はそれぞれ同一層の部分であり、
前記第3側面及び前記第4側面の少なくとも一方において、前記第1副画素と前記第2
副画素との間において中間層が切断されている、OLED表示装置。 - 請求項1に記載のOLED表示装置であって、
前記複数の副画素はマトリックス状に配列され、
前記凸状構造部は、斜め隣接の副画素間の領域の外側の領域に形成されている、OLED表示装置。 - 請求項1に記載のOLED表示装置であって、
前記上部電極層はカソード電極層であり、前記下部電極層はアノード電極層であり、
前記カソード電極層上に、前記カソード電極層と接触して形成されおり、少なくとも前記凸状構造部を覆う補助電極をさらに含む、OLED表示装置。 - OLED表示装置を製造する方法であって、
基板上に複数の分離した下部電極を含む、下部電極層を形成し、前記下部電極はそれぞれ副画素に対応する、第1ステップと、
前記下部電極がそれぞれ露出する開口と前記開口間の溝とを含む画素定義層を形成し、前記開口及び前記溝の内面は順テーパ面である、第2ステップと、
前記溝内に凸状構造部を形成し、前記凸状構造部の側面は順テーパ面である、第3ステップと、
前記画素定義層及び前記凸状構造部の上に、中間層を形成する、第4ステップと、
隣接する異なる色の副画素の有機発光層が隣接する異なる色の副画素間において前記溝及び凸状構造部を覆うように、前記中間層の上に異なる色の有機発光層を形成する、第5ステップと、
前記有機発光層の上に上部電極層を形成する、第6ステップと、を含む方法。 - 請求項9に記載の方法であって、
前記第2ステップ及び前記第3ステップは同一のステップであり、
前記同一のステップは、
前記下部電極層が形成された前記基板上にフォトレジストを付着し
前記フォトレジストを露光及び現像して、前記画素定義層と、前記画素定義層よりも線幅が狭い前記凸状構造部とを形成し、
前記露光及び現像の後に、ポストベークを行う、ことを含む、方法。 - 請求項9に記載の方法であって、
前記上部電極層の上に、補助電極層を形成するステップをさらに含む、方法。
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