CN108288632B - 有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：显示面板，包括设置有多个像素的显示区域以及包括弯曲区域和设置有焊盘电极的焊盘电极区域的焊盘区域；偏振层，设置在显示区域中；以及下保护膜，设置在显示面板的下表面上。下保护膜包括第一下保护膜图案和第二下保护膜图案。第一下保护膜图案设置在显示区域中，第二下保护膜图案设置在焊盘电极区域中，使得暴露显示面板的位于弯曲区域中的下表面。弯曲保护层具有上表面，并且在显示面板上设置在弯曲区域中，所述上表面具有比偏振层的高度小的高度。

Description

有机发光显示装置
技术领域
示例性实施例涉及一种有机发光显示装置。更具体地，示例性实施例涉及一种柔性有机发光显示装置。
背景技术
平板显示(FPD)装置被广泛用作用于电子装置的显示装置，这是因为与阴极射线管(CRT)显示装置相比，这样的FPD装置重量轻且薄。FPD装置的典型示例是液晶显示(LCD)装置和有机发光显示(OLED)装置。
近来，已经开发了能够弯曲或折叠柔性OLED装置的一部分的柔性OLED装置。柔性OLED装置包括显示面板的具有柔性材料的下基底和上基底。例如，包括在显示面板中的下基底可以由柔性基底形成，包括在显示面板中的上基底可以具有薄膜包封结构。此外，柔性OLED装置还可以包括位于显示面板的上表面上的偏振层和触摸屏电极层以及位于显示面板的下表面上的下保护膜。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对发明构思的背景的理解，因此，它可以包含不形成对本领域普通技术人员而言在本国已经知晓的现有技术的信息。
发明内容
示例性实施例提供了一种有机发光显示装置。
另外的方面将在下面的详细描述中阐述，并且部分地通过本公开将是明显的，或者可以通过发明构思的实践来了解。
根据示例性实施例，有机发光显示(OLED)装置包括显示面板、偏振层、下保护膜和弯曲保护层。显示面板具有设置有多个像素的显示区域和位于显示区域的第一侧的焊盘区域，焊盘区域具有位于焊盘区域的与显示区域相邻的部分中的弯曲区域以及位于焊盘区域的剩余部分中的焊盘电极区域。焊盘电极设置在焊盘电极区域中。偏振层在显示面板上设置在显示区域中。下保护膜设置在显示面板的下表面上，并包括第一下保护膜图案和第二下保护膜图案。第一下保护膜图案设置在显示区域中，第二下保护膜图案设置在焊盘区域的焊盘电极区域中，使得暴露显示面板的位于弯曲区域中的下表面。弯曲保护层具有上表面，所述上表面具有比偏振层的高度小的高度，并且弯曲保护层在显示面板上设置在弯曲区域中。
在示例性实施例中，偏振层可以在显示区域和弯曲区域彼此相邻的部分中与弯曲保护层接触。
在示例性实施例中，偏振层和弯曲保护层可以与显示面板接触。
在示例性实施例中，显示区域可以包括发光区域、外围区域。光可以在发光区域中发射。外围区域可以围绕发光区域，多条布线可以设置在外围区域中。外围区域的一部分可以置于发光区域与弯曲区域之间。
在示例性实施例中，偏振层可以在显示面板上设置在发光区域和外围区域的邻近弯曲区域设置的一部分中。弯曲保护层可以设置在外围区域的邻近弯曲区域设置的另一部分、弯曲区域和焊盘电极区域的一部分中。
在示例性实施例中，保护层可以在邻近弯曲区域设置的外围区域中与偏振层接触。
在示例性实施例中，弯曲保护层还可以包括邻近弯曲区域设置的外围区域中的突出部。
在示例性实施例中，从弯曲保护层的下表面到突出部的高度可以比偏振层的高度大。
在示例性实施例中，偏振层的高度可以在大约60微米与大约120微米之间的范围。
在示例性实施例中，偏振层的第一高度可以小于从弯曲保护层的下表面到突出部的第二高度，第一高度与第二高度之间的高度差可以在大约10微米与大约30微米之间的范围。
在示例性实施例中，第一下保护膜图案可以在显示面板的下表面上设置在发光区域和外围区域中，第一下保护膜图案与弯曲保护层可以在外围区域中叠置。
在示例性实施例中，第一下保护膜图案和弯曲保护层叠置的距离可以小于或等于大约350微米。
在示例性实施例中，弯曲保护层可以具有在0.1GPa与0.7GPa之间的范围的杨氏模量。
在示例性实施例中，OLED装置还可以包括设置在弯曲保护层与显示面板之间的连接电极，并且连接电极可以电连接到像素和焊盘电极。
在示例性实施例中，弯曲区域可以围绕相对于第一方向的轴弯曲，第一方向与OLED装置的平面图中的行方向对应，第二下保护膜图案可以设置在第一下保护膜图案的下表面上。
在示例性实施例中，OLED装置还可以包括置于下保护膜与显示面板之间的第一下粘合层，第一下粘合层可以包括第一粘合层图案和第二粘合层图案。第一粘合层图案可以设置在显示区域中，第二粘合层图案可以设置在焊盘区域的焊盘电极区域中，使得暴露显示面板的位于弯曲区域中的下表面。
在示例性实施例中，包括在显示面板中的多个像素中的每个可以包括设置在下保护膜上的基底、设置在基底上的半导体元件、设置在半导体元件上的下电极、设置在下电极上的发光层、设置在发光层上的上电极和设置在上电极上的薄膜包封结构。
在示例性实施例中，偏振层可以与薄膜包封结构直接接触。
在示例性实施例中，半导体元件可以包括有源层、栅极绝缘层、栅电极、绝缘中间层以及源电极和漏电极。有源层可以设置在基底上。栅极绝缘层可以设置在有源层上，并可以暴露基底的位于弯曲区域中的上表面。栅电极可以设置在栅极绝缘层上。绝缘中间层可以设置在栅电极上，并可以暴露基底的位于弯曲区域中的上表面。源电极和漏电极可以设置在绝缘中间层上。
在示例性实施例中，OLED装置还可以包括设置在偏振层上的触摸屏电极层以及置于偏振层与触摸屏电极层之间的上粘合层。
在示例性实施例中，OLED装置还可以包括设置在下保护膜的下表面上的散热板以及置于下保护膜与散热板之间的第二下粘合层。
在示例性实施例中，OLED装置还可以包括当OLED装置弯曲时置于散热板与第二下保护膜图案之间的第三下粘合层。
由于根据示例性实施例的OLED装置包括具有相对薄的厚度的弯曲保护层，因此OLED装置可以防止触摸屏电极层和触摸屏电极层的柔性印刷电路板被弯曲保护层损坏。此外，由于弯曲保护层包括突出部，因此当OLED装置弯曲时，因为相对增大了偏振层和弯曲保护层的接触面积，所以弯曲保护层不会与偏振层分离。
上面的一般描述和下面的详细描述是示例性和说明性的，并且意图提供对所要求保护的主题的进一步说明。
附图说明
被包括以提供对发明构思的进一步理解的附图被包括在本说明书中并构成本说明书的一部分，示出了发明构思的示例性实施例，并与描述一起用于解释发明构思的原理。
图1是示出了根据示例性实施例的有机发光显示(OLED)装置的平面图。
图2是用于描述电连接到图1的OLED装置的外部装置的框图。
图3是沿图1的线I-I'截取的剖视图。
图4是描述图3的OLED装置的弯曲形状的剖视图。
图5是与图3的区域“A”对应的放大剖视图。
图6是与图3的区域“B”对应的放大剖视图。
图7是与图6的区域“C”对应的放大剖视图。
图8和图9是示出了包括在图7中的弯曲保护层的突出部的示例性实施例的剖视图。
图10、图11、图12、图13、图14、图15、图16、图17、图18、图19和图20是示出了根据示例性实施例的制造OLED装置的方法的剖视图。
图21是示出了根据示例性实施例的OLED装置的剖视图。
具体实施方式
在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节，以提供对各种示例性实施例的彻底理解。然而，明显的是，可以不用这些具体细节或者用一个或更多个等同布置来实施各种示例性实施例。在其它情况下，以框图的形式示出公知的结构和装置以避免使各种示例性实施例不必要地模糊。
在附图中，为了清楚和描述的目的，可以夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。另外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”以及“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种/者)”可被解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个(种/者)或更多个(种/者)的任意组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。同样的附图标记始终表示同样的元件。如这里所用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和全部组合。
虽然在这里可使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语限制。这些术语用来将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一个元件、组件、区域、层和/或部分区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层和/或第一部分可被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层和/或第二部分。
为了描述的目的，在这里可使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语，从而描述如图中所示的一个元件或特征与另一(其它)元件或特征的关系。除了附图中描绘出的方位之外，空间相对术语意图包括设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可包含上方和下方两种方位。此外，设备可被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位)，这样，相应地解释这里使用的空间相对描述语。
这里使用的术语是出于描述具体实施例的目的，并非意图限制。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一个(种/者)”和“该/所述”也意图包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”和/或它们的变型时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
这里参照作为理想化示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图来描述各种示例性实施例。如此，将预计由例如制造技术和/或公差导致的示出的形状的变化。因此，这里公开的示例性实施例不应被解释为局限于区域的具体示出的形状，而是将包括因例如制造导致的形状的偏差。例如，示出为矩形的注入区域在其边缘处将通常具有倒圆或弯曲特征和/或注入浓度的梯度，而不是从注入区域到非注入区域的二元变化。同样，通过注入形成的埋区可以在埋区与发生注入所通过的表面之间的区域中导致一些注入。因此，附图中示出的区域本质上是示意性的，它们的形状不意图示出装置的区域的实际形状，并且不意图是限制性的。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为其一部分的领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。除非这里明确地如此定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的意思一致的意思，并且将不以理想化或者过于形式化的含义来解释它们。
图1是示出了根据示例性实施例的有机发光显示(OLED)装置的平面图，图2是用于描述电连接到图1的OLED装置的外部装置的框图。
参照图1和图2，OLED装置100可以包括显示面板、偏振层、触摸屏电极层、下保护膜、弯曲保护层等。
示例性显示面板可以具有显示区域10和焊盘(pad，或称为“垫”)区域20。多个像素P可以设置在显示区域10中，焊盘区域20可以邻近显示区域10的第一侧设置。电连接到外部装置的焊盘电极470可以设置在焊盘区域20中。
显示区域10可以包括发射光的发光区域30和围绕发光区域30的外围区域40。在示例性实施例中，发射光的像素P可以设置在发光区域30中，多条布线可以设置在外围区域40中。布线可以电连接到焊盘电极470和像素P。例如，布线可以包括数据信号布线、扫描信号布线、发光信号布线、电源电压布线等。此外，扫描驱动器、数据驱动器等可以设置在外围区域40中。
在示例性实施例中，围绕图1的发光区域30的外围区域40的宽度可以是恒定的，但是示例性实施例不限于此。例如，外围区域40可以包括沿着与OLED装置100的平面图中的行方向对应的第一方向D1延伸的第一区域和沿着与OLED装置100的平面图中的列方向对应的第二方向D2延伸的第二区域。例如，外围区域40的第一区域可以邻近显示面板的顶部和弯曲区域50设置，外围区域40的第二区域可以位于显示面板的两个侧部中。这里，第二区域的在第一方向D1上延伸的宽度可以比第一区域的在第二方向D2上延伸的宽度相对窄。
焊盘区域20可以包括位于焊盘区域20的与显示区域10相邻的部分中的弯曲区域50和位于焊盘区域20的剩余部分中的焊盘电极区域60。这里，外围区域40的一部分可以置于发光区域30与弯曲区域50之间。此外，弯曲区域50可以置于显示区域10与焊盘电极区域60之间，焊盘电极470可以设置在焊盘电极区域60中。当弯曲区域50弯曲时，焊盘电极区域60可以位于OLED装置100的下表面上。在示例性实施例中，OLED装置100还可以包括连接电极。弯曲保护层可以在显示面板上设置在显示区域10的一部分、弯曲区域50以及焊盘电极区域60的一部分中。连接电极可以设置在弯曲保护层与显示面板之间，并可以电连接到布线和焊盘电极470。如图2中所示，设置在发光区域30中的像素P与电连接到焊盘电极470的外部装置101可以通过设置在弯曲区域50中的连接电极和设置在外围区域40中的布线电连接。例如，外部装置101和OLED装置100可以通过柔性印刷电路板(FPCB)电连接。外部装置101可以向OLED装置100提供数据信号、扫描信号、发光信号、电源电压等。此外，驱动集成电路可以装载(例如，安装)在FPCB中。在示例性实施例中，驱动集成电路可以装载在显示面板中靠近焊盘电极470。
偏振层和触摸屏电极层可以在显示面板上设置在显示区域10中。在示例性实施例中，偏振层可以设置在显示面板上，触摸屏电极层可以设置在偏振层上。
下保护膜可以设置在显示面板的下表面上，并可以保护显示面板。
图3是沿图1的线I-I'截取的剖视图，图4是描述图3的OLED装置的弯曲形状的剖视图。
参照图1、图3和图4，OLED装置100可以包括显示面板200、第一下粘合层301、下保护膜300、第二下粘合层425、散热板480、第三下粘合层490、偏振层430、上粘合层415、触摸屏电极层410、弯曲保护层460、焊盘电极470等。这里，下保护膜300可以包括第一下保护膜图案351和第二下保护膜图案352，第一下粘合层301可以包括第一下粘合层图案302和第二下粘合层图案304。在示例性实施例中，偏振层430可以具有第一高度H1，弯曲保护层460可以具有比第一高度H1小的第二高度H2。
如上所述，显示面板200可以具有显示区域10和焊盘区域20。显示区域10可以包括发光区域30和外围区域40，焊盘区域20可以包括弯曲区域50和焊盘电极区域60。此外，图3中示出的外围区域40可以包括图1中示出的置于发光区域30与弯曲区域50之间的外围区域40。
在示例性实施例中，发射光的像素P可以设置在发光区域30中，多条布线可以设置在外围区域40中。布线可以电连接到焊盘电极470和像素P。
焊盘区域20的弯曲区域50可以置于焊盘电极区域60与显示区域10的外围区域40之间，焊盘电极470可以设置在焊盘电极区域60中。
再次参照图4，当弯曲区域50弯曲时，焊盘电极区域60可以位于OLED装置100的下表面上。在示例性实施例中，弯曲区域50可以围绕相对于第一方向D1的轴弯曲，第二下保护膜图案352可以设置在散热板480的下表面上。在弯曲区域50弯曲之后，第三下粘合层490可以置于第二下保护膜图案352与散热板480之间。例如，第二下保护膜图案352和散热板480可以被第三下粘合层490固定。
再次参照图1和图3，下保护膜300可以设置在显示面板200的下表面上。在示例性实施例中，下保护膜300可以包括设置在显示区域10的下表面上的第一下保护膜图案351和设置在焊盘电极区域60的下表面上的第二下保护膜图案352，使得暴露显示面板200的位于弯曲区域50中的下表面。例如，下保护膜300可以暴露显示面板200的位于弯曲区域50中的下表面。此外，第一下粘合层301可以置于下保护膜300与显示面板200之间，以将下保护膜300和显示面板200结合(或附接)。第一下粘合层301可以包括与第一下保护膜图案351叠置的第一下粘合层图案302和与第二下保护膜图案352叠置的第二下粘合层图案304。第一下粘合层301可以与显示面板200的下表面接触。
散热板480可以设置在下保护膜300的下表面上，第二下粘合层425可以置于下保护膜300与散热板480之间，以将下保护膜300与散热板480结合。
偏振层430可以在显示面板200上设置在显示区域10中。例如，偏振层430可以在显示面板200上设置在发光区域30和外围区域40的一部分中，并可以与显示面板200接触。在示例性实施例中，偏振层430可以具有第一高度H1。第一高度H1可以在大约60微米与大约120微米之间的范围。在示例性实施例中，例如，偏振层430的第一高度H1可以是大约100微米。
触摸屏电极层410可以设置在偏振层430上，上粘合层415可以置于偏振层430与触摸屏电极层410之间以将偏振层430和触摸屏电极层410结合。
触摸屏电极层410可以连接到位于外围区域40中的FPCB，例如，当OLED装置100弯曲时，FPCB可以以弯曲的形式设置在弯曲保护层460和焊盘电极470上。在示例性实施例中，触摸屏电极层410可以设置在显示面板200上，偏振层430可以设置在触摸屏电极层410上。
弯曲保护层460可以在显示面板200上设置在显示区域10的一部分或外围区域40的一部分、弯曲区域50以及焊盘电极区域60的一部分中。此外，弯曲保护层460可以与显示面板200接触。在示例性实施例中，偏振层430可以在显示区域10与弯曲区域50彼此相邻的部分(例如，外围区域40)中与弯曲保护层460接触。下面将描述的连接电极可以设置在弯曲保护层460与显示面板200之间。连接电极可以电连接到设置在外围区域40中的布线和焊盘电极470。设置在发光区域30中的像素P和电连接到焊盘电极470的外部装置101可以通过设置在弯曲区域50中的连接电极和设置在外围区域40中的布线电连接。在示例性实施例中，弯曲保护层460的厚度可以被确定为使得弯曲区域50中的中性平面位于设置有连接电极的部分内。例如，当弯曲区域50弯曲时，因为弯曲区域50的中性平面位于设置有连接电极的部分内，所以连接电极不会被损坏或切断。
为了制造具有相对薄的厚度的OLED装置100，偏振层430的厚度可以以薄的方式制造。随着偏振层430的厚度(第一高度H1)变得更薄，显示面板200与触摸屏电极层410之间的距离可以减小。例如，当具有相对厚的厚度的传统弯曲保护层设置在显示面板200上时，传统弯曲保护层会与触摸屏电极层410和触摸屏电极层410的FPCB直接接触，触摸屏电极层410和FPCB会被传统弯曲保护层损坏。因此，根据示例性实施例，可以提供具有相对薄的厚度和高的杨氏模量的弯曲保护层460。
在示例性实施例中，弯曲保护层460可以具有上表面，所述上表面具有比偏振层430的上表面的高度(例如，第一高度H1)小的高度。例如，弯曲保护层460可以具有第二高度H2，第二高度H2可以比第一高度H1小。第二高度H2可以在大约50微米与大约110微米之间的范围。此外，弯曲保护层460可以具有在0.1GPa与0.7GPa之间的范围的杨氏模量。另外，弯曲保护层460可以在外围区域40中与第一下保护膜图案351叠置。弯曲保护层460与第一下保护膜图案351叠置的部分可以被定义为叠置距离70。叠置距离70可以小于或等于大约350微米。具有相对高的杨氏模量的弯曲保护层460可以具有相对减小的叠置距离70。例如，当包括具有相对短的叠置距离70的传统弯曲保护层的OLED装置弯曲时，传统弯曲保护层会与显示面板200和偏振层430分开或分离。相反，尽管根据示例性实施例的弯曲保护层460具有相对减小的叠置距离70，但是因为弯曲保护层460具有相对高的杨氏模量，所以弯曲保护层460不会与显示面板200和偏振层430分开。因此，由于弯曲保护层460具有相对短的叠置距离70，所以可以减小外围区域40的宽度，或者可以相对增大发光区域30的面积。此外，由于OLED装置100包括弯曲保护层460，所以可以减小或防止对触摸屏电极层410和FPCB的损坏。
在示例性实施例中，弯曲保护层460还可以包括外围区域40(例如，邻近弯曲区域50设置的外围区域40)中的突出部，所述突出部将在下面描述。从弯曲保护层460的下表面到突出部的高度可以比偏振层430的高度(第一高度H1)大。例如，从弯曲保护层460的下表面到突出部的高度与第一高度H1之间的高度差可以在大约10微米与大约30微米之间的范围。在示例性实施例中，高度差可以大于大约30微米。当弯曲保护层460包括突出部时，可以增大偏振层430与弯曲保护层460的接触面积。因此，当OLED装置100弯曲时，可以减弱弯曲保护层460与偏振层430的分离。在示例性实施例中，突出部可以支撑触摸屏电极层410，使得触摸屏电极层410不弯曲。此外，当上粘合层415以液体状态铺开以将偏振层430与触摸屏电极层410结合时，突出部可以防止上粘合层415流出到弯曲保护层460中。
焊盘电极470可以在显示面板200上设置在焊盘电极区域60中。焊盘电极470可以电连接到外部装置，并可以向像素P提供从外部装置施加的数据信号、扫描信号、发光信号、电源电压等。
图5是与图3的区域“A”对应的放大剖视图，图6是与图3的区域“B”对应的放大剖视图。图7是与图6的区域“C”对应的放大剖视图，图8和图9是示出了包括在图7的弯曲保护层中的突出部的示例性实施例的剖视图。
参照图5、图6和图7，OLED装置100可以包括显示面板200、第一下粘合层301、下保护膜300、第二下粘合层425、散热板480、第三下粘合层490、偏振层430、上粘合层415、触摸屏电极层410、弯曲保护层460、焊盘电极470等。这里，显示面板200可以包括基底110、半导体元件250、连接电极212、第一导电图案172、第二导电图案174、平坦化层270、像素限定层310、下电极290、发光层330、上电极340和薄膜包封(TFE)结构450。此外，半导体元件250可以包括有源层130、栅极绝缘层150、第一栅电极170、第一绝缘中间层190、源电极210和漏电极230，TFE结构450可以包括第一TFE层451、第二TFE层452和第三TFE层453。另外，第一下粘合层301可以包括第一下粘合层图案302和第二下粘合层图案304，下保护膜300可以包括第一下保护膜图案351和第二下保护膜图案352。
当OLED装置100包括柔性基底110和TFE结构450时，OLED装置100可以用作柔性OLED装置。
在示例性OLED装置中，可以设置基底110。基底110可以包括透明材料或不透明材料。例如，基底110可以包括诸如柔性透明树脂基底(例如，聚酰亚胺基底)的柔性透明材料。例如，聚酰亚胺基底可以包括第一聚酰亚胺层、第一阻挡膜层、第二聚酰亚胺层、第二阻挡膜层等。由于聚酰亚胺基底相对薄且是柔性的，因此聚酰亚胺基底可以设置在刚性玻璃基底上，以帮助支撑半导体元件250和发光结构(例如，下电极290、发光层330、上电极340等)的形成。例如，基底110可以具有在刚性玻璃基底上堆叠第一聚酰亚胺层、第一阻挡膜层、第二聚酰亚胺层和第二阻挡膜层的结构。当制造OLED装置100时，在聚酰亚胺基底的第二阻挡层上设置绝缘层(例如，缓冲层)之后，可以在绝缘层上设置半导体元件250和发光结构。在绝缘层上形成半导体元件250和发光结构之后，可以去除其上设置有聚酰亚胺基底的刚性玻璃基底。因为聚酰亚胺基底相对薄且是柔性的，所以在聚酰亚胺基底上直接形成半导体元件250和发光结构会相对困难。因此，可以在聚酰亚胺基底和刚性玻璃基底上形成半导体元件250和发光结构，然后在去除刚性玻璃基底之后，聚酰亚胺基底可以用作OLED装置100的基底110。在示例性实施例中，基底110可以包括例如石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、氟化物掺杂石英基底、钠钙玻璃基底、无碱玻璃基底等。
缓冲层(未示出)可以设置在基底110上。缓冲层可以设置在整个基底110上。缓冲层可以防止或减少金属原子和/或杂质从基底110扩散到半导体元件250中。另外，缓冲层可以控制用于形成有源层130的结晶工艺中的热传递速率，以获得基本均匀的有源层130。此外，当基底110的表面相对不规则时，缓冲层可以改善基底110的表面平整度。例如，根据基底110的类型，可以在基底110上设置至少两个缓冲层，或者可以不设置缓冲层。但是发明构思的方面不限于此。缓冲层可以包括例如硅化合物、金属氧化物等。
半导体元件250可以设置在基底110上。有源层130可以设置在基底110上。有源层130可以包括例如氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅等)、有机半导体等。
栅极绝缘层150可以设置在有源层130上。栅极绝缘层150可以覆盖有源层130，并且可以设置在基底110上。例如，栅极绝缘层150可以在基底110上充分覆盖有源层130，并且可以具有基本上平的表面，而没有围绕有源层130的台阶。在示例性实施例中，栅极绝缘层150可以在基底110上覆盖有源层130，并可以沿着有源层130的轮廓以基本上均匀的厚度设置。在示例性实施例中，栅极绝缘层150可以暴露基底110的位于外围区域40的一部分、弯曲区域50和焊盘电极区域60的一部分中的上表面。栅极绝缘层150可以包括例如硅化合物、金属氧化物等。例如，栅极绝缘层150可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氧化硅(SiOxCy)、氮碳化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化钛(TiOx)等。
栅电极170可以设置在栅极绝缘层150的有源层130位于其下的部分上。栅电极170可以包括例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。例如，栅电极170可以包括金(Au)、金的合金、银(Ag)、银的合金、铝(Al)、铝的合金、氮化铝(AlNx)、钨(W)、氮化钨(WNx)、铜(Cu)、铜的合金、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrNx)、钼(Mo)、钼的合金、钛(Ti)、氮化钛(TiNx)、铂(Pt)、钽(Ta)、氮化钽(TaNx)、钕(Nd)、钪(Sc)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。可以单独使用这些示例，或者以它们的组合使用这些示例。在示例性实施例中，栅电极170可以具有多层结构。
绝缘中间层190可以设置在栅电极170上。绝缘中间层190可以覆盖栅电极170，并可以设置在栅极绝缘层150上。例如，绝缘中间层190可以在栅极绝缘层150上充分覆盖栅电极170，并可以具有基本上平的表面，而没有围绕栅电极170的台阶。在示例性实施例中，绝缘中间层190可以在栅极
绝缘层150上覆盖栅电极170，并可以沿着栅电极170的轮廓以基本上均匀的厚度设置。在示例性实施例中，绝缘中间层190可以暴露基底110的位于外围区域40的一部分、弯曲区域50和焊盘电极区域60的一部分中的上表面。绝缘中间层190可以包括例如硅化合物、金属氧化物等。
源电极210和漏电极230可以设置在绝缘中间层190上。源电极210可以经由接触孔与有源层130的第一侧直接接触，所述接触孔通过去除栅极绝缘层150的一部分和绝缘中间层190的一部分来形成。漏电极230可以经由接触孔与有源层130的第二侧直接接触，所述接触孔通过去除栅极绝缘层150的另一部分和绝缘中间层190的另一部分来形成。源电极210和漏电极230中的每个可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。可以单独使用这些示例，或者以它们的组合使用这些示例。在示例性实施例中，源电极210和漏电极230中的每个可以具有多层结构。因此，可以设置包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、绝缘中间层190、源电极210和漏电极230的半导体元件250。
在示例性实施例中，半导体元件250可以具有顶栅结构，但是不限于此。例如，在示例性实施例中，半导体元件250可以具有底栅结构。
如图6中所示，第一导电图案172可以在栅绝缘层150上设置在外围区域40中。如上所述，第一导电图案172可以是多条布线中的一条。例如，第一导电图案172可以包括数据信号布线、扫描信号布线、发光信号布线、电源布线等。
第二导电图案174可以在栅极绝缘层150上设置在焊盘电极区域60中。第二导电图案174可以电连接到焊盘电极470。
连接电极212可以在绝缘中间层190和基底110上设置在外围区域40的一部分、弯曲区域50和焊盘电极区域60的一部分中，以与第一导电图案172和第二导电图案174叠置。连接电极212可以经由接触孔与第一导电图案172接触，所述接触孔通过去除绝缘中间层190的位于外围区域40中的一部分来形成，并可以经由接触孔与第二导电图案174接触，所述接触孔通过去除绝缘中间层190的位于焊盘电极区域60中的一部分来形成。在示例性实施例中，第一导电图案172、第二导电图案174和栅电极170可以使用相同的材料同时地(同步地)形成。此外，连接电极212、源电极210和漏电极230可以使用相同的材料同时地形成。但是发明构思的方面不限于此。
在示例性实施例中，外部装置可以电连接到焊盘电极470，并且外部装置可以通过第二导电图案174、连接电极212和第一导电图案172向像素提供数据信号、扫描信号、发光信号、电源电压等。
再次参照图5和图6，平坦化层270可以设置在连接电极212、源电极210和漏电极230上。平坦化层270可以覆盖连接电极212、源电极210和漏电极230，并且可以设置在整个绝缘中间层190上。在示例性实施例中，平坦化层270可以被设置有充分覆盖连接电极212以及源电极210和漏电极230的厚度。例如，平坦化层270可以具有基本平坦的上表面，并且还可以对平坦化层270执行平坦化工艺以实现平坦化层270的平坦的上表面。在示例性实施例中，平坦化层270可以覆盖连接电极212以及源电极210和漏电极230，并且平坦化层270可以设置为沿着连接电极212以及源电极210和漏电极230的轮廓的基本上均匀的厚度。平坦化层270可以包括有机材料或无机材料。
如图5中所示，下电极290可以设置在平坦化层270上。下电极290可以经由接触孔与漏电极230接触，所述接触孔通过去除平坦化层270的一部分而形成。此外，下电极290可以电连接到半导体元件250。下电极290可以包括例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。可以单独使用这些示例，或者以它们的组合使用这些示例。在示例性实施例中，下电极290可以具有多层结构。
像素限定层310可以设置在平坦化层270上，并可以暴露下电极290的一部分。例如，发光层330可以设置在下电极290的被像素限定层310暴露的部分上。在示例性实施例中，像素限定层310可以暴露弯曲区域50和焊盘电极区域60。像素限定层310可以包括有机材料或无机材料。
发光层330可以设置在暴露下电极290的部分中。发光层330可以使用能够根据子像素产生不同颜色的光(例如，红色的光、蓝色的光和绿色的光等)的发光材料中的至少一种来形成。在示例性实施例中，发光层330可以通常通过堆叠能够产生不同颜色的光(诸如红色的光、绿色的光、蓝色的光等)的多种发光材料而产生白色的光。例如，滤色器可以设置在发光层330上。滤色器可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的至少一种。在示例性实施例中，滤色器可以包括黄色滤色器、蓝绿色滤色器和品红色滤色器，但是不限于此。滤色器可以包括光敏树脂、彩色光致抗蚀剂等。
上电极340可以设置在像素限定层310和发光层330上。上电极340可以包括例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。可以单独使用这些示例，或者以它们的组合使用这些示例。在示例性实施例中，上电极340可以具有多层结构。
TFE结构450可以设置在上电极340上。TFE结构450可以包括第一TFE层451、第二TFE层452和第三TFE层453。例如，第二TFE层452可以设置在第一TFE层451上，第三TFE层453可以设置在第二TFE层452上。第一TFE层451可以设置在上电极340上。第一TFE层451可以覆盖上电极340，并可以沿着上电极340的轮廓以基本上均匀的厚度设置。第一TFE层451可以减少或防止发光结构由于湿气、水、氧等的渗透而劣化。此外，第一TFE层451可以保护发光结构免受外部冲击。第一TFE层451可以包括无机材料。
第二TFE层452可以设置在第一TFE层451上。第二TFE层452可以改善OLED装置100的平整度，并可以保护发光结构。第二TFE层452可以包括有机材料。
第三TFE层453可以设置在第二TFE层452上。第三TFE层453可以覆盖第二TFE层452，并可以沿着第二TFE层452的轮廓以基本上均匀的厚度设置。第三TFE层453与第一TFE层451和第二TFE层452一起可以减少或防止发光结构由于湿气、水、氧等的渗透而劣化。此外，第三TFE层453与第一TFE层451和第二TFE层452一起可以保护发光结构免受外部冲击。第三TFE层453可以包括无机材料。因此，可以设置包括第一TFE层451、第二TFE层452和第三TFE层453的TFE结构450。此外，可以设置包括基底110、半导体元件250、平坦化层270、下电极290、像素限定层310、发光层330、上电极340和TFE结构450的显示面板200。
在示例性实施例中，TFE结构450可以具有堆叠有第一TFE层至第五TFE层的五层结构或堆叠有第一TFE层至第七TFE层的七层结构，但是不限于此。
第一下粘合层301可以设置在基底110的下表面上。第一下粘合层301可以与显示面板200的下表面接触。第一下粘合层301可以将下保护膜300与显示面板200结合。第一下粘合层301可以包括第一下粘合层图案302和第二下粘合层图案304。第一下粘合层图案302可以设置在整个显示区域10中，第二下粘合层图案304可以仅设置在焊盘电极区域60中，使得暴露显示面板200的位于弯曲区域50中的下表面。第一下粘合层301可以在弯曲区域50中暴露显示面板200的下表面，第一下粘合层图案302和第二下粘合层图案304可以彼此间隔开。第一下粘合层301可以包括光学透明粘合剂(OCA)、压敏粘合剂(PSA)等，诸如丙烯酸类粘合剂、硅类粘合剂、氨基甲酸乙酯类粘合剂、橡胶类粘合剂、乙烯基醚类粘合剂等。
下保护膜300可以设置在第一下粘合层301的下表面上。下保护膜300可以保护显示面板200免受外部冲击。下保护膜300可以包括第一下保护膜图案351和第二下保护膜图案352。第一下保护膜图案351可以设置在整个显示区域10中，第二下保护膜图案352可以仅设置在焊盘电极区域60中，使得暴露显示面板200的位于弯曲区域50中的下表面。下保护膜300可以在弯曲区域50中暴露显示面板200的下表面，第一下保护膜图案351和第二下保护膜图案352可以彼此间隔开。此外，第一下保护膜图案351可以与第一下粘合层图案302叠置，第二下保护膜图案352可以与第二下粘合层图案304叠置。下保护膜300可以包括例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚丙烯(PP)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)、聚砜(PSul)、聚乙烯(PE)、聚邻苯二甲酰胺(PPA)、聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚碳酸酯氧化物(PCO)、改性聚苯撑氧化物(MPPO)等。下保护膜300的厚度可以为大约150微米，但是不限于此。
第二下粘合层425可以设置在第一下保护膜图案351的下表面上。第二下粘合层425可以与第一下保护膜图案351的下表面接触。第二下粘合层425可以结合第一下保护膜图案351与散热板480。第二下粘合层425可以包括OCA、PSA等
散热板480可以设置在第二下粘合层425的下表面上。散热板480可以与第二下粘合层425的下表面接触。由于散热板480设置在显示面板200的下表面上，所以可以冷却显示面板200中产生的热量。当显示面板200中产生的热量不被冷却时，会降低包括在显示面板200中的像素的性能，并且会减少像素的寿命。散热板480可以包括具有相对高的导热性的材料。例如，散热板480可以包括例如Al、Al的合金、Ag、Ag的合金、W、Cu、Cu的合金、Ni、Cr、Mo、Mo的合金、Ti、Pt、Ta、Nd、Sc等。可以单独使用这些示例，或者以它们的组合使用这些示例。散热板480的厚度可以为大约100微米，但是不限于此。
第三下粘合层490可以设置在散热板480的下表面上。当弯曲区域50弯曲时，焊盘电极区域60可以位于OLED装置100的下表面上。在示例性实施例中，弯曲区域50可以围绕相对于第一方向D1的轴弯曲，第二下保护膜图案352可以设置在散热板480的下表面上。当弯曲区域50弯曲时，第三下粘合层490可以置于第二下保护膜图案352与散热板480之间。例如，第二下保护膜图案352和散热板480可以被第三下粘合层490固定。此外，第三下粘合层490可以吸收外部冲击。例如，第三下粘合层490可以包括例如氨基甲酸乙酯、橡胶等。第三下粘合层490的厚度可以等于或大于下保护膜300的厚度，但是不限于此。例如，第三下粘合层490的厚度可以为大约200微米。
偏振层430可以设置在TFE结构450(或显示面板200)上。偏振层430可以与TFE结构450接触。在示例性实施例中，偏振层430可以具有第一高度H1。第一高度H1可以在大约60微米至大约120微米的范围之间。例如，偏振层430的第一高度H1可以是大约100微米。偏振层430可以包括线偏振膜和λ/4相位延迟膜。这里，λ/4相位延迟膜可以设置在TFE结构450上。λ/4相位延迟膜可以转换光的相位。例如，λ/4相位延迟膜可以分别将上下振动的光或左右振动的光转换为右圆偏振光或左圆偏振光。此外，λ/4相位延迟膜可以分别将右圆偏振光或左圆偏振光转换为上下振动的光或左右振动的光。λ/4相位延迟膜可以包括例如包含聚合物的双折射膜、液晶聚合物的定向膜、液晶聚合物的取向层等。
线偏振膜可以设置在λ/4相位延迟膜上。线偏振膜可以选择性地透射入射光。例如，线偏振膜可以透射上下振动的光或左右振动的光。例如，线偏振膜可以包括水平条纹或垂直条纹的图案。当线偏振膜包括水平条纹的图案时，线偏振膜可以阻挡上下振动的光，并可以透射左右振动的光。当线偏振膜包括竖直条纹的图案时，线偏振膜可以阻挡左右振动的光，并可以透射上下振动的光。
穿过线偏振膜的光可以穿过λ/4相位延迟膜。如上所述，λ/4相位延迟膜可以转换光的相位。例如，当上下振动、左右振动的入射光穿过线偏振膜时，包括水平条纹的图案的线偏振膜可以透射左右振动的光。当左右振动的入射光穿过λ/4相位延迟膜时，左右振动的入射光可以转换为左圆偏振光。包括左圆偏振光的入射光可以从上电极340反射，然后入射光可以被转换为右圆偏振光。当包括右圆偏振光的入射光穿过λ/4相位延迟膜时，入射光可以转换为上下振动的光。这里，上下振动的光可以被包括水平条纹的图案的线偏振膜阻挡。因此，可以通过线偏振膜和λ/4相位延迟膜(即，偏振层430)去除入射光。例如，线偏振膜可以包括碘基材料、包含染料的材料、多烯类材料等。
上粘合层415可以设置在偏振层430上。上粘合层415可以与偏振层430接触。上粘合层415可以结合偏振层430和触摸屏电极层410。上粘合层415可以包括OCA、PSA等。
触摸屏电极层410可以设置在上粘合层415上。例如，触摸屏电极层410可以包括底部聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、触摸屏电极和顶部PET膜等。底部PET膜和顶部PET膜可以保护触摸屏电极。例如，顶部PET膜和底部PET膜中的每个可以包括例如PET、PEN、PP、PC、PS、PSul、PE、PPA、PES、PAR、PCO、MPPO等。触摸屏电极可以基本上具有金属网格结构。例如，触摸屏电极可以包括碳纳米管(CNT)、透明导电氧化物(TCO)、ITO、氧化铟镓锌(IGZO)、ZnO、石墨烯、银纳米线(AgNW)、Cu、Cr等。在示例性实施例中，触摸屏电极可以直接设置在TFE结构450上。例如，可以不在TFE结构450上设置底部PET膜。
如图6中所示，弯曲保护层460可以在显示面板200上设置在外围区域40的一部分、弯曲区域50和焊盘电极区域60的一部分中。弯曲保护层460可以与显示面板200(例如，平坦化层270)接触。在示例性实施例中，偏振层430可以在显示区域10与弯曲区域50彼此相邻的部分(例如，外围区域40)中与弯曲保护层460接触。弯曲保护层460可以具有上表面，所述上表面具有比偏振层430的上表面的高度(例如，第一高度H1)小的高度。例如，弯曲保护层460可以具有第二高度H2，并且第二高度H2可以小于第一高度H1。第二高度H2可以在大约50微米与大约110微米之间的范围。此外，弯曲保护层460可以具有0.1GPa与0.7GPa之间范围的杨氏模量。另外，弯曲保护层460可以在外围区域40中与第一下保护膜图案351叠置。弯曲保护层460和第一下保护膜图案351叠置的部分的距离可以具有叠置距离70。叠置距离70可以小于或等于大约350微米，但是不限于此。具有相对高的杨氏模量的弯曲保护层460可以具有相对减小的叠置距离70。例如，当包括具有相对减小的叠置距离70的传统弯曲保护层的OLED装置弯曲时，传统弯曲保护层会与显示面板200和偏振层430分开。在示例性实施例中，因为弯曲保护层460具有相对高的杨氏模量，所以弯曲保护层460可以具有相对减小的叠置距离70，弯曲保护层460不会与显示面板200和偏振层430分开。因此，由于弯曲保护层460具有相对减小的叠置距离70，所以可以减小外围区域40的宽度，或者可以相对增大发光区域30的面积。此外，由于OLED装置100具有弯曲保护层460，所以可以减小或防止对触摸屏电极层410和FPCB的损坏。
如图7中所示，弯曲保护层460还可以包括外围区域40(例如，邻近弯曲区域50设置的外围区域40)中的突出部466。从弯曲保护层460的下表面到突出部466的高度可以大于偏振层430的第一高度H1。例如，从弯曲保护层460的下表面到突出部466的高度与第一高度H1之间的高度差可以在大约10微米与大约30微米之间的范围。在示例性实施例中，高度差可以大于大约30微米。当弯曲保护层460包括突出部466时，可以增大偏振层430和弯曲保护层460的接触面积。因此，当OLED装置100弯曲时，可以减弱弯曲保护层460与偏振层430之间的分离。在示例性实施例中，突出部466可以支撑触摸屏电极层410，使得触摸屏电极层410不会被弯曲。此外，当上粘合层415以液态铺开以将偏振层430和触摸屏电极层410结合时，突出部466可以防止上粘合层415流出到弯曲保护层460中。
弯曲保护层460可以保护连接电极212，并可以在与第一方向D1和第二方向D2垂直的第三方向D3上升高弯曲区域50的中性平面。例如，当弯曲区域50弯曲时，由于弯曲区域50的中性平面位于设置有连接电极的部分内，所以连接电极不会断裂。弯曲保护层460可以包括诸如以聚酰亚胺、环氧类树脂、压克力类树脂、聚酯、光致抗蚀剂、聚丙烯酸酯类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等为例的有机材料，并且可以包括诸如以硅、氨基甲酸乙酯、热塑性聚氨酯(TPU)等为例的弹性材料。
参照图8和图9，在示例性实施例中，从弯曲保护层460的下表面到突出部465的高度可以等于偏振层430的第一高度H1，从弯曲保护层460的下表面的高度到突出部467的高度可以小于偏振层430的第一高度H1。
由于根据示例性实施例的OLED装置100包括具有相对薄的厚度的弯曲保护层460，因此OLED装置100可以防止触摸屏电极层410和触摸屏电极层410的FPCB被弯曲保护层460损坏。此外，当弯曲保护层460包括突出部466时，因为相对增大了偏振层430和弯曲保护层460的接触面积，所以当OLED装置100弯曲时，弯曲保护层460不会与偏振层430分开。
图10、图11、图12、图13、图14、图15、图16、图17、图18、图19和图20是示出了根据示例性实施例的制造OLED装置的方法的剖视图。例如，图11是与图10的区域“D”对应的放大剖视图，图12是与图10的区域“E”对应的放大剖视图。此外，图15是与图14的区域“F”对应的放大剖视图，图17是与图16的区域“G”对应的放大剖视图。
参照图10、图11和图12，可以设置显示面板200、形成在显示面板200的下表面上的第一下粘合层301、下保护膜300、第二下粘合层425和散热板480以及在显示面板200上形成在焊盘电极区域60中的焊盘电极470。
例如，如图11和图12中所示，可以在刚性玻璃基底上形成基底110。可以使用诸如柔性透明树脂基底的柔性透明材料来形成基底110。
可以在基底110上形成缓冲层(未示出)。可以在整个基底110上形成缓冲层。缓冲层可以减少或防止金属原子和/或杂质从基底110扩散到半导体元件中。此外，缓冲层可以控制用于形成有源层的结晶工艺中的热传递速率，从而获得基本上均匀的有源层。此外，当基底110的表面相对不规则时，缓冲层可以改善基底110的表面平整度。可以使用例如硅化合物、金属氧化物等形成缓冲层。
可以在基底110上形成有源层130，可以使用例如氧化物半导体、无机半导体、有机半导体等形成有源层130。
可以在有源层130上形成栅极绝缘层150。栅极绝缘层150可以覆盖有源层130，并且可以形成在基底110上。此外，栅极绝缘层150可以暴露基底110的位于弯曲区域50中的上表面。可以使用例如硅化合物、金属氧化物等形成栅极绝缘层150。
可以在栅极绝缘层150的有源层130位于其下的部分上形成栅电极170。可以使用例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成栅电极170。
可以在栅极绝缘层150上在外围区域40中形成第一导电图案172。例如，第一导电图案172可以包括数据信号布线、扫描信号布线、发光信号布线、电源布线等。可以在栅极绝缘层150上在焊盘电极区域60中形成第二导电图案174。第二导电图案174可以电连接到焊盘电极470。可以使用相同的材料同时形成第一导电图案172、第二导电图案174和栅电极170。
可以在栅电极170、第一导电图案172和第二导电图案174上形成绝缘中间层190。绝缘中间层190可以覆盖栅电极170、第一导电图案172和第二导电图案174，并可以形成在栅极绝缘层150上。此外，绝缘中间层190可以暴露基底110的位于弯曲区域50中的上表面。可以使用例如硅化合物、金属氧化物等来形成绝缘中间层190。
可以在绝缘中间层190上形成源电极210和漏电极230。源电极210可以经由接触孔与有源层130的第一侧直接接触，所述接触孔通过去除栅极绝缘层150的一部分和绝缘中间层190的一部分来形成。漏电极230可以经由接触孔与有源层130的第二侧直接接触，所述接触孔通过去除栅绝缘层150的另一部分和绝缘中间层190的另一部分来形成。可以使用例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成源电极210和漏极230。可以单独使用这些示例或者以它们的组合使用这些示例。在示例性实施例中，源电极210和漏电极230中的每个可以具有多层结构。因此，可以形成包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、绝缘中间层190、源电极210和漏电极230的半导体元件250。
可以在绝缘中间层190和基底110上在外围区域40的一部分、弯曲区域50和焊盘电极区域60的一部分中形成连接电极212，连接电极212形成为与第一导电图案172和第二导电图案174叠置。连接电极212可以经由接触孔与第一导电图案172接触，所述接触孔通过去除绝缘中间层190的位于外围区域40中的一部分而形成，并且可以经由接触孔与第二导电图案174接触，所述接触孔通过去除绝缘中间层190的位于焊盘电极区域60中的一部分而形成。可以使用相同的材料同时形成连接电极212、源电极210和漏电极230。
可以在连接电极212、源电极210和漏电极230上形成平坦化层270。平坦化层270可以覆盖连接电极212、源电极210和漏电极230，并可以形成在整个绝缘中间层190上。在示例性实施例中，平坦化层270可以形成为具有充分覆盖连接电极212以及源电极210和漏电极230的厚度。例如，平坦化层270可以具有基本上平坦的上表面，并且还可以对平坦化层270执行平坦化工艺，以实现平坦化层270的平坦上表面。可以使用有机材料形成平坦化层270。
可以在平坦化层270上形成下电极290。下电极290可以经由接触孔与漏电极230接触，所述接触孔通过去除平坦化层270的一部分而形成。可以使用例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成下电极290。可以单独使用这些示例，或者以它们的组合使用这些示例。在示例性实施例中，下电极290可以具有多层结构。
可以在平坦化层270上形成像素限定层310，像素限定层310可以暴露下电极290的一部分。像素限定层310可以暴露弯曲区域50和焊盘电极区域60。可以使用有机材料形成像素限定层310。
可以在暴露下电极290的部分中形成发光层330。可以使用能够根据子像素产生不同颜色的光(例如，红色的光、蓝色的光和绿色的光等)的发光材料中的至少一种来形成发光层330。在示例性实施例中，发光层330可以通常通过堆叠能够产生不同颜色的光(诸如红色的光、绿色的光、蓝色的光等)的多种发光材料而产生白色的光。例如，可以在发光层330上形成滤色器。滤色器可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的至少一种。在示例性实施例中，滤色器可以包括黄色滤色器、蓝绿色滤色器和品红色滤色器，但是不限于此。可以使用光敏树脂、彩色光致抗蚀剂等形成滤色器。
可以在像素限定层310和发光层330上形成上电极340。可以使用例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成上电极340。可以单独使用这些示例，或者以它们的组合使用这些示例。在示例性实施例中，上电极340可以具有多层结构。
可以在上电极340上形成第一TFE层451。第一TFE层451可以覆盖上电极340，并且可以沿着上电极340的轮廓以基本上均匀的厚度来形成。第一TFE层451可以减少或防止发光结构(例如，半导体元件250、下电极290、发光层330、上电极340等)由于湿气、水、氧等的渗透而劣化。此外，第一TFE层451可以保护发光结构免受外部冲击。可以使用无机材料形成第一TFE层451。
可以在第一TFE层451上形成第二TFE层452。第二TFE层452可以改善OLED装置的平坦度，并可以保护发光结构。可以使用有机材料形成第二TFE层452。
可以在第二TFE层452上形成第三TFE层453。第三TFE层453可以覆盖第二TFE层452，并且可以沿着第二TFE层452的轮廓以基本上均匀的厚度来形成。第三TFE层453与第一TFE层451和第二TFE层452一起可以减少或防止发光结构由于湿气、水、氧等的渗透而劣化。此外，第三TFE层453与第一TFE层451和第二TFE层452一起可以保护发光结构免受外部冲击。可以使用无机材料形成第三TFE层453。因此，可以形成包括第一TFE层451、第二TFE层452和第三TFE层453的TFE结构450。此外，可以形成包括基底110、半导体元件250、平坦化层270、下电极290、像素限定层310、发光层330、上电极340和TFE结构450的显示面板200。
在基底110上形成半导体元件250、平坦化层270、发光结构、TFE结构450等之后，可以将刚性玻璃基底从基底110分离。
可以在基底110的下表面上形成第一下粘合层301。第一下粘合层301可以包括第一下粘合层图案302和第二下粘合层图案304。可以在整个显示区域10中形成第一下粘合层图案302，并且可以仅在焊盘电极区域60中形成第二下粘合层图案304，使得暴露显示面板200的位于弯曲区域50中的下表面。可以使用OCA、PSA等形成第一下粘合层301。
可以在第一下粘合层301的下表面上形成下保护膜300。可以通过第一下粘合层301结合下保护膜300和显示面板200。下保护膜300可以保护显示面板200免受外部冲击。下保护膜300可以包括第一下保护膜图案351和第二下保护膜图案352。可以在整个显示区域10中形成第一下保护膜图案351，并且可以仅在焊盘电极区域60中形成第二下保护膜图案352，使得暴露显示面板200的位于弯曲区域50中的下表面。此外，第一下保护膜图案351可以与第一下粘合层图案302叠置，第二下保护膜图案352可以与第二下粘合层图案304叠置。可以使用例如PET、PEN、PP、PC、PS、PSul、PE、PPA、PES、PAR、PCO、MPPO等来形成下保护膜300。下保护膜300的厚度可以形成为大约150微米，但是不限于此。
可以在第一下保护膜图案351的下表面上形成第二下粘合层425。可以使用OCA、PSA等形成第二下粘合层425。
可以在第二下粘合层425的下表面上形成散热板480。可以通过第二下粘合层425结合第一下粘合膜图案351和散热板480。由于在显示面板200的下表面上形成散热板480，因此可以冷却显示面板200中产生的热。散热板480可以包括具有相对高的导热性的材料。例如，可以使用Al、Al的合金、Ag、Ag的合金、W、Cu、Cu的合金、Ni、Cr、Mo、Mo的合金、Ti、Pt、Ta、Nd、Sc等来形成散热板480。可以单独使用这些示例，或者以它们的组合使用这些示例。散热板480的厚度可以形成为大约100微米，但是不限于此。
参照图13，可以在TFE结构450上形成偏振层430和保护膜432。在示例性实施例中，偏振层430可以具有第一高度H1。第一高度H1可在大约60微米至大约120微米之间的范围。例如，偏振层430的第一高度H1可以是大约100微米。偏振层430可以包括线偏振膜和λ/4相位延迟膜。可以在TFE结构450上形成λ/4相位延迟膜。λ/4相位延迟膜可以转换光的相位。可以使用包含聚合物的双折射膜、液晶聚合物的定向膜、液晶聚合物的取向膜等来形成λ/4相位延迟膜。可以在λ/4相位延迟膜上形成线偏振膜。线偏振膜可以选择性地透射入射光。例如，可以使用碘基材料、包含染料的材料、多烯类材料等形成线偏振膜。
可以在偏振层430上形成保护膜432。保护膜432可以保护偏振层430。保护膜432的厚度可以形成为大约50微米，但是不限于此。
如图14和图15中所示，可以在显示面板200上在外围区域40的一部分、弯曲区域50和焊盘电极区域60的一部分中形成弯曲保护层460。在示例性实施例中，偏振层430可以在显示区域10和弯曲区域50彼此相邻的部分(例如，外围区域40)中与弯曲保护层460接触。弯曲保护层460可以具有比偏振层430的上表面的高度(例如，第一高度H1)小的上表面。例如，弯曲保护层460可以具有第二高度H2，第二高度H2可以小于第一高度H1。第二高度H2可以在大约50微米与大约110微米之间的范围。此外，弯曲保护层460可以具有在0.1GPa与0.7GPa之间范围的杨氏模量。另外，弯曲保护层460可以在外围区域40中与第一下保护膜图案351叠置。弯曲保护层460和第一下保护膜图案351叠置的部分的距离可以是叠置距离70(参照图4)。叠置距离70可以小于或等于大约350微米。具有相对高的杨氏模量的弯曲保护层460可以具有相对减小的叠置距离70。
如图15中所示，弯曲保护层460可以具有外围区域40(例如，位于与弯曲区域50相邻的外围区域40)中的突出部466。从弯曲保护层460的下表面到突出部466的高度可以大于偏振层430的第一高度H1，从弯曲保护层460的下表面到突出部466的高度可以小于保护膜432的上表面的高度。例如，从弯曲保护层460的下表面到突出部466的高度与第一高度H1之间的高度差可以在大约10微米与大约30微米之间的范围。在示例性实施例中，高度差可以大于大约30微米。可以使用诸如聚酰亚胺、环氧类树脂、压克力类树脂、聚酯、光致抗蚀剂、聚丙烯酸酯类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等的有机材料来形成弯曲保护层460，可以使用诸如硅、氨基甲酸乙酯、热塑性聚氨酯(TPU)等的弹性材料形成弯曲保护层460。
参照图16和图17，可以将保护膜432与偏振层430分离。例如，如图17中所示，可以在弯曲保护层460中形成突出部466。
参照图18，可以设置触摸屏电极层410。触摸屏电极层410可以包括底部PET膜、触摸屏电极和顶部PET膜等。底部PET膜和顶部PET膜可以保护触摸屏电极。例如，可以使用PET、PEN、PP、PC、PS、PSul、PE、PPA、PES、PAR、PCO、MPPO等形成顶部PET膜和底部PET膜中的每个。触摸屏电极可以基本上具有金属网格结构。例如，可以使用CNT、TCO、ITO、IGZO、ZnO、AgNW、Cu、Cr等形成触摸屏电极。
可以在触摸屏电极层410的下表面上形成上粘合层415。可以使用OCA、PSA等形成上粘合层415。
参照图19，可以通过上粘合层415结合偏振层430和触摸屏电极层410。
可以在散热板480的下表面上形成第三下粘合层490。例如，可以使用氨基甲酸乙酯、橡胶等形成第三下粘合层490。例如，第三下粘合层490的厚度可以形成为大约200微米，但是不限于此。
参照图20，当弯曲区域50弯曲时，焊盘电极区域60可以位于OLED装置的下表面上。在示例性实施例中，弯曲区域50可以围绕相对于第一方向D1的轴弯曲，第二下保护膜图案352可以位于散热板480的下表面上。第二下保护膜图案352和散热板480可以由第三下粘合层490固定。因此，可以制造图4中示出的OLED装置100。
图21是示出了根据示例性实施例的OLED装置的剖视图。除了弯曲保护层461和FPCB 710之外，图21中示出的OLED装置700可以具有与参照图3描述的OLED装置100的构造基本相同或相似的构造。在图21中，可以不重复对于与参照图3描述的元件基本相同或相似的元件的详细描述。
参照图21，OLED装置700可以包括显示面板200、第一下粘合层301、下保护膜300、第二下粘合层425、散热板480、第三下粘合层490、偏振层430、上粘合层415、触摸屏电极层410、弯曲保护层461、FPCB 710、焊盘电极470等。这里，下保护膜300可以包括第一下保护膜图案351和第二下保护膜图案352，第一下粘合层301可以包括第一下粘合层图案302和第二下粘合层图案304。在示例性实施例中，偏振层430可以具有第一高度H1，弯曲保护层461可以具有比第一高度H1小的第二高度H2。
可以在焊盘电极470上设置FPCB 710。FPCB 710可以电连接到外部装置101(参照图2)。
可以在显示面板200上在显示区域10的一部分或外围区域40的一部分、弯曲区域50和焊盘电极区域60的一部分中设置弯曲保护层461。在示例性实施例中，偏振层430可以在显示区域10和弯曲区域50彼此相邻的部分(例如，外围区域40)中与弯曲保护层461接触，并且弯曲保护层461可以在焊盘电极区域60中与焊盘电极470的一部分和FPCB 710的一部分接触。弯曲保护层461可以覆盖FPCB 710的一部分。因此，由于弯曲保护层461覆盖FPCB710的一部分，所以可以减弱FPCB 710与焊盘电极470的分离。
本发明可以应用于包括有机发光显示装置的各种显示装置。例如，本发明可以应用于车辆显示装置、船舶显示装置、飞行器显示装置、便携式通信装置、用于显示或用于信息传送的显示装置、医疗显示装置等，但是不限于此。
尽管这里已经描述了某些示例性实施例和实施方式，但是其它实施例和修改通过该描述将是明显的。因此，发明构思不限于这样的实施例，而是由给出的权利要求、各种明显的修改和等同布置的更宽的范围限定。

Claims (20)

1.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：
显示面板，包括设置有多个像素的显示区域和邻近所述显示区域的第一侧设置的焊盘区域，所述焊盘区域包括位于所述焊盘区域的与所述显示区域相邻的部分中的弯曲区域以及位于所述焊盘区域的剩余部分中的焊盘电极区域，焊盘电极设置在所述焊盘电极区域中，其中，所述显示面板包括上表面和与所述上表面相对的下表面；
偏振层，在所述显示区域中设置在所述显示面板的所述上表面上；
下保护膜，设置在所述显示面板的所述下表面上，所述下保护膜包括：第一下保护膜图案，设置在所述显示区域中；以及第二下保护膜图案，设置在所述焊盘区域的所述焊盘电极区域中，使得暴露所述显示面板的位于所述弯曲区域中的下表面；以及
弯曲保护层，包括上表面，所述弯曲保护层的所述上表面距所述显示面板的所述上表面的高度比所述偏振层的上表面距所述显示面板的所述上表面的第一高度小，所述弯曲保护层在所述显示面板上设置在所述弯曲区域中，
其中，所述弯曲保护层还包括邻近所述弯曲区域设置的外围区域中的突出部，并且
其中，所述突出部距所述显示面板的所述上表面的第二高度比所述第一高度大。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述偏振层在所述显示区域和所述弯曲区域彼此相邻的部分中与所述弯曲保护层接触。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述偏振层和所述弯曲保护层与所述显示面板接触。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述显示区域包括：
发光区域，被构造为用于发射光；
所述外围区域，围绕所述发光区域；以及
多条布线，设置在所述外围区域上，并且
其中，所述外围区域的一部分置于所述发光区域与所述弯曲区域之间。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，所述偏振层在所述显示面板上设置在所述发光区域和所述外围区域的邻近所述弯曲区域设置的一部分中，并且
其中，所述弯曲保护层设置在所述外围区域的邻近所述弯曲区域设置的另一部分、所述弯曲区域和所述焊盘电极区域的一部分中。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，所述弯曲保护层在邻近所述弯曲区域设置的所述外围区域中与所述偏振层接触。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一高度在60微米与120微米之间的范围。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，所述第一高度与所述第二高度之间的高度差在10微米与30微米之间的范围。
9.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，所述第一下保护膜图案在所述显示面板的所述下表面上设置在所述发光区域和所述外围区域中，所述第一下保护膜图案与所述弯曲保护层在所述外围区域中叠置。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，所述第一下保护膜图案与所述弯曲保护层叠置的距离小于或等于350微米。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述弯曲保护层具有在0.1GPa与0.7GPa之间的范围的杨氏模量。
12.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
连接电极，设置在所述弯曲保护层与所述显示面板之间，所述连接电极电连接到所述多个像素和所述焊盘电极。
13.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述弯曲区域围绕相对于第一方向的轴弯曲，所述第一方向与所述有机发光显示装置的平面图中的行方向对应，所述第二下保护膜图案设置在所述第一下保护膜图案的下表面上。
14.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
第一下粘合层，置于所述下保护膜与所述显示面板之间，所述第一下粘合层包括：第一粘合层图案，设置在所述显示区域中；以及第二粘合层图案，设置在所述焊盘区域的所述焊盘电极区域中，使得暴露所述显示面板的位于所述弯曲区域中的所述下表面。
15.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括设置在所述下保护膜上的基底，其中，设置在所述显示面板中的所述多个像素中的每个像素包括：
半导体元件，设置在所述基底上；
下电极，设置在所述半导体元件上；
发光层，设置在所述下电极上；以及
上电极，设置在所述发光层上，并且
其中，薄膜包封结构设置在所述上电极上。
16.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中，所述偏振层与所述薄膜包封结构直接接触。
17.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中，所述半导体元件包括：
有源层，设置在所述基底上；
栅极绝缘层，设置在所述有源层上，所述栅极绝缘层暴露所述基底的位于所述弯曲区域中的上表面；
栅电极，设置在所述栅极绝缘层上；
绝缘中间层，设置在所述栅电极上，所述绝缘中间层暴露所述基底的位于所述弯曲区域中的上表面；以及
源电极和漏电极，设置在所述绝缘中间层上。
18.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
触摸屏电极层，设置在所述偏振层上；以及
上粘合层，置于所述偏振层与所述触摸屏电极层之间。
19.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
散热板，设置在所述下保护膜的下表面上；以及
第二下粘合层，置于所述下保护膜与所述散热板之间。
20.根据权利要求19所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
第三下粘合层，当所述有机发光显示装置弯曲时，置于所述散热板与所述第二下保护膜图案之间。
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