CN113614816B - 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置，属于显示技术领域。阵列基板(0)包括：衬底基板(01)、像素电路(02)、柔性基板(051)、引线结构(03)、控制电路(04)和平坦层(301)。柔性基板(051)包括：第一基板部分(0511)和第二基板部分(0513)，引线结构(03)包括：第一引线部分(031)和第二引线部分(033)。像素电路(02)、第一引线部分(031)和第一基板部分(0511)均位于衬底基板(01)的第一侧(21)，控制电路(04)、第二引线部分(033)和第二基板部分(0513)均位于衬底基板(01)的第二侧(22)，且第二侧(22)与第一侧(21)相对。

Description

阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置。
背景技术
显示面板包括显示区域和非显示区域，显示区域与显示面板出光面的面积比值称为屏占比。当显示面板的屏占比越大时，该显示面板的显示效果越好。
相关技术中，通过减小非显示区域的宽度来增大显示面板的屏占比。
发明内容
本公开提供了一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置。所述技术方案如下：
第一方面，本公开实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板、像素电路、引线结构、控制电路、柔性基板和平坦层；
所述柔性基板包括依次连接的第一基板部分、弯曲基板部分和第二基板部分，所述像素电路和所述第一基板部分均位于所述衬底基板的第一侧，所述弯曲基板部分从所述衬底基板的第一侧弯曲至第二侧，且所述第二基板部分位于所述衬底基板的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对；
所述引线结构包括依次连接的第一引线部分、弯曲引线部分和第二引线部分，所述第一引线部分位于所述第一基板部分远离所述衬底基板的一侧，并与所述像素电路电连接，所述弯曲引线部分位于所述弯曲基板部分远离所述衬底基板的一侧，所述第二引线部分位于所述第二基板部分远离所述衬底基板的一侧，并与位于所述衬底基板的所述第二侧的所述控制电路电连接；
所述平坦层位于所述像素电路远离所述衬底基板的一侧，并覆盖所述像素电路、所述第一引线部分以及所述弯曲引线部分。
可选地，所述衬底基板为刚性基板。
可选地，所述阵列基板还包括：位于所述柔性基板和所述引线结构之间的辅助膜层。
可选地，所述阵列基板还包括：目标垫层；
所述目标垫层包括：第一垫层部分和第二垫层部分，且所述第二垫层部分的粘性大于所述第一垫层部分的粘性；
所述像素电路位于所述第一垫层部分远离所述衬底基板的一侧，所述第一基板部分位于所述第二垫层部分远离所述衬底基板的一侧。
可选地，所述第一基板部分远离所述衬底基板的表面具有第一凸起；
所述第一凸起在所述衬底基板上的正投影与密封胶在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域，所述密封胶用于密封所述阵列基板与所述像素电路远离所述衬底基板的一侧的盖板。
可选地，所述第一凸起的高度与所述密封胶在垂直于所述衬底基板的方向上的厚度相同。
可选地，所述阵列基板还包括：辅助基板；
所述辅助基板与所述柔性基板位于同层，且围成环状并包围所述衬底基板的显示区域；
所述辅助基板远离所述衬底基板的表面具有第二凸起，所述第二凸起在所述衬底基板上的正投影与所述密封胶在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域。
可选地，所述阵列基板中的所述第一凸起的顶面和所述第二凸起的顶面在所述衬底基板上的正投影的面积之和，与所述密封胶在所述衬底基板上的正投影的面积之比大于三分之二。
可选地，所述阵列基板还包括：粘接胶；所述粘接胶包括：依次连接的第一胶部、第二胶部和第三胶部，其中，所述第一胶部位于所述衬底基板和所述第一基板部分之间，所述第二胶部位于所述衬底基板和所述弯曲基板部分之间，所述第三胶部位于所述衬底基板和所述第二基板部分之间。
可选地，所述阵列基板还包括：第一缓冲结构，所述第一缓冲结构位于所述第二胶部和所述弯曲基板部分之间。
可选地，所述阵列基板还包括：第二缓冲结构；
所述第二缓冲结构位于所述衬底基板和所述控制电路之间，且所述第二缓冲结构在所述衬底基板上的正投影与所述控制电路在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域。
可选地，所述弯曲引线部分位于所述引线结构中的扇出区域，所述第二引线部分具有与所述控制电路电连接的引脚。
可选地，所述第二垫层部分靠近所述第一垫层部分的一端与所述第一基板部分靠近所述第一垫层部分的一端平齐，所述第二垫层部分远离所述第一垫层部分的一端与所述衬底基板远离所述第一垫层部分的一端平齐。
可选地，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板和所述第二基板部分之间的绑定基板。
可选地，所述衬底基板与所述绑定基板的材质相同，且所述衬底基板的厚度与所述绑定基板的厚度相同。
可选地，所述衬底基板的厚度小于或等于所述阵列基板所在的显示面板中盖板的厚度，所述盖板位于所述像素电路远离所述衬底基板的一侧。
第二方面，本公开实施例提供一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：
形成衬底基板、像素电路、引线结构、柔性基板、控制电路和平坦层，其中，所述像素电路、所述柔性基板、所述控制电路和所述平坦层均位于所述衬底基板的第一侧；所述柔性基板在平行于所述衬底基板的参考平面上的正投影与所述衬底基板在所述参考平面上的正投影部分重叠；所述引线结构覆盖所述柔性基板远离所述衬底基板的一侧，且与所述像素电路和所述控制电路均电连接；所述平坦层位于所述像素电路远离所述衬底基板的一侧，并覆盖所述像素电路以及所述引线结构中远离所述控制电路的部分；
弯曲所述柔性基板和所述引线结构，以使所述控制电路从所述衬底基板的第一侧移动至所述衬底基板的第二侧；其中，所述第二侧与所述第一侧相对，弯曲后的所述柔性基板包括依次连接的第一基板部分、弯曲基板部分和第二基板部分，所述第一基板部分位于所述衬底基板的第一侧，所述弯曲基板部分从所述衬底基板的第一侧弯曲至第二侧，所述第二基板部分位于所述衬底基板的第二侧；弯曲后的所述引线结构包括：依次连接的第一引线部分、弯曲引线部分和第二引线部分，所述第一引线部分位于所述第一基板部分远离所述衬底基板的一侧，并与所述像素电路电连接，所述弯曲引线部分位于所述弯曲基板部分远离所述衬底基板的一侧，所述第二引线部分位于所述第二基板部分远离所述衬底基板的一侧，弯曲后的所述平坦层覆盖所述像素电路、所述第一引线部分以及所述弯曲引线部分。
可选地，所述形成衬底基板、像素电路、引线结构、柔性基板、控制电路和平坦层，包括：
提供初始基板；
在所述初始基板上形成所述像素电路、所述引线结构和所述柔性基板；其中，所述柔性基板在平行于所述初始基板的参考平面上的正投影位于所述初始基板在所述参考平面上的正投影内；所述引线结构覆盖所述柔性基板远离所述初始基板的一侧，且与所述像素电路电连接；
提供所述控制电路；
将所述控制电路与所述引线结构电连接；
将所述初始基板中靠近所述柔性基板的部分去除，以得到以得到间隔的所述衬底基板和绑定基板，所述柔性基板的两端分别搭接在所述衬底基板和所述绑定基板上。
第三方面，本公开实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括上述阵列基板。
第四方面，本公开实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括上述显示面板。
附图说明
图1是本公开实施例提供的一种阵列基板的局部结构示意图；
图2是本公开实施例提供的另一种阵列基板的局部结构示意图；
图3是图2中的引线结构展开示意图；
图4A是图2中部分结构的展开示意图；
图4B是本公开实施例提供的另一种阵列基板的局部结构示意图；
图5是本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图6是相关技术提供的一种显示面板的结构示意图；
图7是本公开提供的一种第一凸起的结构示意图；
图8是本公开实施例提供的一种显示面板的俯视图；
图9是本公开实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程示意图；
图10是本公开实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程示意图；
图11是本公开实施例提供的一种阵列基板的制造过程示意图；
图12是本公开实施例提供的一种阵列基板的制造过程示意图；
图13是本公开实施例提供的一种阵列基板的制造过程示意图；
图14是本公开实施例提供的一种阵列基板的制造过程示意图；
图15是本公开实施例提供的一种阵列基板的制造过程示意图；
图16是本公开实施例提供的一种阵列基板的制造过程示意图；
图17是本公开实施例提供的一种阵列基板的制造过程示意图；
图18是本公开实施例提供的一种阵列基板的制造过程示意图；
图19是本公开实施例提供的一种阵列基板的制造过程示意图。
具体实施方式
为使本公开的原理、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
相关技术中，显示面板中非显示区域较宽，使得显示面板的屏占比较小。本公开实施例提供了一种阵列基板，可以解决显示面板屏占比较小的问题。
图1为本公开实施例提供的一种阵列基板的局部结构示意图，如图1所示，阵列基板0包括：衬底基板01、像素电路02、引线结构03、控制电路04、柔性基板051和平坦层301。
柔性基板051包括依次连接的第一基板部分0511、弯曲基板部分0512和第二基板部分0513，像素电路02和第一基板部分0511均位于衬底基板01的第一侧21，弯曲基板部分0512从衬底基板的第一侧21弯曲至第二侧22，且第二基板部分0513位于衬底基板01的第二侧22，第二侧22与第一侧21相对。
引线结构03包括依次连接的第一引线部分031、弯曲引线部分032和第二引线部分033，第一引线部分031位于第一基板部分0511远离衬底基板01的一侧，并与像素电路02电连接，弯曲引线部分032位于弯曲基板部分0512远离衬底基板01的一侧，第二引线部分033位于第二基板部分0513远离衬底基板01的一侧，并与位于衬底基板01的第二侧22的控制电路04电连接。
平坦层301位于像素电路02远离衬底基板01的一侧，并覆盖像素电路02、第一引线部分031以及弯曲引线部分032。平坦层301远离衬底基板的一侧较为平坦，这样就使得在平坦层301上形成的其他结构的段差较小。
综上所述，本公开实施例提供的阵列基板中，柔性基板的一部分固定在衬底基板的第一侧，而其另一部分弯曲至衬底基板中与第一侧相对的第二侧。这样一来，位于柔性基板上的引线结构也能够随柔性基板弯曲至衬底基板的第二侧，从而可以减小引线结构在衬底基板第一侧处所占用的宽度，达到减小衬底基板的非显示区域的宽度，以增大屏占比的目的。
需要说明的是，两个结构电连接是指，这两个结构中的导电部分相互连接，且这两个结构之间能够传输电流，但并不限定这两个结构之间是否有电流流过。比如，上述第二引线部分033与控制电路04电连接的意思是：第二引线部分033与控制电路04之间能够传输电流。上述像素电路可以是主动式的像素电路(如包括薄膜晶体管的像素电路)，或者上述像素电路也可以是被动式的像素电路(如仅包括走线的像素电路)，本公开实施例对此不作限定。
可选地，衬底基板011可以为刚性基板，示例地，该衬底基板可以为玻璃基板或者透明树脂基板等。
可选地，请继续参考图1，阵列基板还包括：位于柔性基板051和引线结构03之间的辅助膜层302。辅助膜层302能够对引线结构03起到保护作用，隔绝引线结构03和柔性基板051，进而阻隔水氧与引线结构03接触，避免引线结构03在水氧的作用下失效。示例地，该辅助膜层302可以为绝缘材质、导电材质或者半导体材质，本公开实施例对此不作限定。其中，该绝缘材质可以为氧化硅、氮化硅等。
图2为本公开实施例提供的另一种阵列基板的局部结构示意图，图2中引线结构的展开示意图可以如图3所示。从图3中可以看出引线结构03包括呈扇形排布的多条引线，且引线结构03包括依次连接的第一引线部分031、弯曲引线部分032和第二引线部分033。其中弯曲引线部分032位于引线结构03中的扇出区域，弯曲引线部分032中收拢的一端连接至第一引线部分031，弯曲引线结构032中分散的一端连接至第二引线部分033。需要说明的是，第二引线部分033具有与控制电路电连接的引脚。
可选地，请继续参考图2，衬底基板01还可以包括：目标垫层012。目标垫层012位于衬底基板01的第一侧21，且像素电路02位于目标垫层012远离衬底基板01的一侧。其中，目标垫层012包括：第一垫层部分0121和第二垫层部分0122，且第二垫层部分0122的粘性大于第一垫层部分0121的粘性。可选地，阵列基板也可以不包括目标垫层012，本公开实施例对此不作限定。
需要说明的是，像素电路02位于目标垫层012的第一垫层部分0121远离所述衬底基板01的一侧，柔性基板051中的第一基板部分0511可以部分或者全部位于目标垫层的第二垫层部分0122远离衬底基板01的一侧，本公开实施例对此不做限定。本公开实施例以柔性基板051中的第一基板部分0511全部位于目标垫层012的第二垫层部分0122远离衬底基板01的一侧为例。其中，柔性基板051可以通过第二垫层部分0122紧固在衬底基板01上，以实现衬底基板第一侧21处电连接的稳定性。
可选地，目标垫层012中的第二垫层部分0122靠近第一垫层部分0121的一端可以与柔性基板051中的第一基板部分0511靠近第一垫层部分0121的一端平齐或者不平齐，目标垫层012中的第二垫层部分0121远离第一垫层部分0122的一端可以与衬底基板01远离第一垫层部分0121的一端平齐或者不平齐，本公开实施例对此不作限定。本公开实施例以第二垫层部分0122靠近第一垫层部分0121的一端与柔性基板051中第一基板部分0511靠近第一垫层部分0121的一端平齐，且第二垫层部分0121远离第一垫层部分0122的一端与衬底基板01远离第一垫层部分0121的一端平齐为例。
可选地，图4A为图2中部分结构的示意图，请结合图2和图4A，第二垫层部分0122在其朝向第一垫层部分0121的方向X1上的长度范围可以为0.1毫米至0.5毫米。此时，柔性基板051中的第一基板部分0511在该方向X1上的长度范围可以为0.1毫米至0.5毫米，进一步地，引线结构03中位于柔性基板051上的第一引线部分031的长度范围(也即第一引线部分在该方向X1上的长度的范围)可以为0.1毫米至0.5毫米。这样一来，当将柔性基板051弯曲后，柔性基板051及其上的引线结构03位于衬底基板01第一侧21的长度可以等于0.1毫米，大大提高了显示面板的屏占比。需要说明的是，当柔性基板中的弯曲基板部分0512与衬底基板01接触时，柔性基板及其上的引线结构位于衬底基板第一侧21的长度甚至可以小于0.1毫米。
请继续参考图2，该阵列基板还包括：粘接胶303；粘接胶303包括：依次连接的第一胶部3031、第二胶部3032和第三胶部3033，其中，第一胶部3031位于衬底基板01和第一基板部分0511之间，第二胶部3032位于衬底基板01和弯曲基板部分0512之间，第三胶部3033位于衬底基板01和第二基板部分0513之间。该粘接胶303能够将柔性基板051与衬底基板01粘接在一起，以防止柔性基板051脱离该衬底基板01。另外，该粘接胶303具有一定的厚度，能够起到对柔性基板051的保护作用，以防止柔性基板051在衬底基板01的作用下断裂。可选地，该粘接胶303的厚度的范围可以为5微米～30微米，如粘接胶303的厚度为20微米。可选地，阵列基板也可以不包括粘接胶303，本公开实施例对此不作限定。
可选地，请继续参考图2，从图2中可以看出阵列基板0还包括：第一缓冲结构061，第一缓冲结构061位于上述粘接胶303中的第二胶部3032和柔性基板051中的弯曲基板部分0512之间。需要说明的是，第一缓冲结构061可以避免柔性基板051弯曲时由于应力不均造成的开裂甚至断裂的情况。并且在柔性基板051弯曲后，由于第一缓冲结构061的存在，柔性基板051中的弯曲基板部分0512在受到外力时不至于变形断裂，可以稳定柔性基板051中的弯曲基板部分0512。当然，阵列基板0也可以不包括第一缓冲结构061，此时该阵列基板0的结构可以如图4B所示。
可选地，第一缓冲结构061远离衬底基板01一侧的表面为弧面，且与柔性基板051中弯曲的部分相配合。示例地，第一缓冲结构061可以为半圆柱体、圆柱体或者第一缓冲结构061可以呈球状。可选地，当第一缓冲结构061呈球状时，第一缓冲结构061的直径可以小于或者等于衬底基板01中位于第一侧21的表面与位于第二侧22的表面之间的最小距离，此时，第一缓冲结构起到的缓冲效果更好。需要说明的是，第一缓冲结构061的材质可以为泡沫、塑料或柔性材质等。
可选地，阵列基板0还包括：第二缓冲结构062，第二缓冲结构062位于衬底基板01的第二侧22，控制电路04位于第二缓冲结构062远离衬底基板01的一侧。其中，第二缓冲结构062在衬底基板01上的正投影与控制电路04在衬底基板01上的正投影具有重叠区域。可选地，第二缓冲结构062远离衬底基板01的表面可以与衬底基板中靠近第二缓冲结构062的表面平行或者不平行，本公开实施例对此不作限定，本公开实施例以第二缓冲结构062远离衬底基板01的表面与衬底基板中靠近第二缓冲结构062的表面平行为例。需要说明的是，第二缓冲结构062可以在控制电路04弯曲至衬底基板01的第二侧22时，对控制电路进行缓冲，防止控制电路变形程度过大导致控制电路04与引线结构03电连接的效果差的问题。可选地，阵列基板也可以不包括第二缓冲结构062，本公开实施例对此不作限定。
可选地，请继续参考图4B，本公开实施例中可以通过保证辅助膜层302的厚度d1、平坦层301的厚度d2、引线结构03的厚度d3、柔性基板051的厚度d4以及粘接胶303的厚度d5中至少一个厚度较小，从而使得阵列基板的边较窄。当该阵列基板所在的显示面板需要与其他显示面板拼接时，能够使得显示面板间的拼缝(可以看做是两个显示面板的显示区域之间的缝)较窄，从而提高了显示面板的拼接效果。
示例地，辅助膜层302的厚度d1的范围可以为1000埃～3000埃，如辅助膜层302的厚度d1可以为2000埃。平坦层301的厚度d2的范围可以为1微米～3微米，如平坦层301的厚度d2可以为2微米。上述引线结构03的厚度d3的范围可以为7000埃～8000埃，如上述引线结构03的厚度d3可以为7500埃。柔性基板051的厚度d4可以大于2微米(如等于3微米)。粘接胶303的厚度d5的范围可以为5微米～30微米，如粘接胶303的厚度d5为20微米。并且，当辅助膜层302的厚度d1可以为2000埃，平坦层301的厚度d2可以为2微米，引线结构03的厚度d3可以为7500埃，柔性基板051的厚度d4等于3微米时，柔性基板051、辅助膜层302、引线结构03以及平坦层301的厚度之和D为5.95微米。此时阵列基板所在的显示面板的边确实较窄。
进一步地，在设置上述柔性基板051、辅助膜层302、引线结构03以及平坦层301的厚度时，还可以通过调整这几个膜层的厚度，使得引线结构03位于这四层结构中的中性层，从而使引线结构03上的应力较少，避免引线结构03的断裂。
可选地，上述引线结构03的材质可以为任一种导电材质，如钛铝钛(TiALTi)、铜(Cu)或钼(Mo)等。
可选地，图5为本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图。需要说明的是，图5中仅示出了显示面板中的部分结构，并且并未示出另一部分结构，比如，并未示出辅助膜层302、粘贴胶303以及平坦层301等。从图5可以看出柔性基板051中的第一基板部分0511远离衬底基板01的表面具有第一凸起05111，可选地，柔性基板051中的第一基板部分0511远离衬底基板01的表面也可以为平面，本公开实施例对此不做限定。第一凸起05111位于衬底基板01的第一侧21，且第一凸起05111在衬底基板01上的正投影与密封胶07在衬底基板01上的正投影具有重叠区域。其中，密封胶07用于密封阵列基板01与像素电路02远离衬底基板01的一侧的盖板08。
当柔性基板051中的第一基板部分0511远离衬底基板01的表面具有第一凸起05111时，在该第一凸起05111的作用下，位于柔性基板051及密封胶07之间的结构(如钝化层(英文：Passivation；简称：PVX)、平坦层(也称：PLN)、缓冲层(英文：Buffer layer)和层间介质层(英文：inter-level dielectric；简称：ILD)等)也具有凸起。其中，与密封胶07接触的凸起(也即这些凸起中最远离衬底基板的凸起)能够插入密封胶07中，并与密封胶07相互配合，此时，该凸起能够起到支撑阵列基板01和盖板08的作用。与相关技术中密封胶中包括如图6所示的用于支撑阵列基板0和盖板08的硅球相比，本公开实施例无需另外设置硅球，且可以避免由于硅球与盖板之间的接触是单个点接触，从而造成盖板表面不平整，且盖板容易破碎的问题。
可选地，请继续参考图5，第一凸起05111的高度H1与密封胶08在垂直于衬底基板01的方向上的厚度H2可以相同或者不同，本公开实施例对此不作限定。本公开实施例以第一凸起05111的高度H1与密封胶08在垂直于衬底基板01的方向上的厚度H2相同为例。此时，在第一凸起05111作用下形成的与密封胶08接触的凸起中的远离衬底基板的表面可以与盖板08直接接触，从而达到有效支撑盖板08的作用。
可选地，柔性基板051中第一凸起05111的高度范围可以为3微米至5微米。示例地，第一凸起05111的高度为3微米，此时，柔性基板051中第一凸起05111所在位置的厚度可以为5微米。
可选地，如图7所示，第一凸起05111远离衬底基板01的一侧M1在衬底基板上的正投影，可以位于第一凸起05111靠近衬底基板的一侧M2在衬底基板上的正投影内。示例地，第一凸起05111可以呈棱台状、半球状或者圆台状，本公开实施例以第一凸起05111呈圆台状为例。此时，第一凸起05111的边缘呈弧线状，而不具有棱角，这样一来，在该第一凸起05111上形成的其他结构(如钝化层、平坦层、缓冲层和层间介质层等)中与第一凸起05111边缘接触的部分不易在受到外力时产生应力集中而开裂。
可选地，请继续参考图7，第一凸起05111的坡度角α可以大于0度小于90度，进一步地，第一凸起05111的坡度角α可以小于30度。需要说明的是，当第一凸起05111的坡度角α小于30度时，由于柔性基板051中不具有第一凸起05111的部分可以通过该坡度角α平缓过渡至具有第一凸起05111的部分，这样一来，可以在具有该坡度角α的柔性基板051上连续不断地形成其他结构，且形成的结构不易因高度变化而导致断裂。
可选地，柔性基板051远离衬底基板01的表面可以具有一个或多个第一凸起05111，当柔性基板051远离衬底基板01的表面具有多个第一凸起05111时，如图7所示，任意两个相邻的第一凸起05111的间距J范围可以为10微米～40微米。此时，一方面，在该多个第一凸起05111作用下形成的多个凸起能够共同支撑盖板，提高了凸起支撑盖板和阵列基板的稳定性。另一方面，凸起数量的增多可以增大凸起与密封胶的接触面积，从而能够有效提高密封效果。
可选地，当柔性基板051远离衬底基板01的表面具有多个第一凸起05111时，该多个第一凸起05111可以呈阵列排布，或者该多个第一凸起05111可以不呈阵列排布，本公开实施例对此不作限定，本公开实施例以该多个第一凸起05111呈阵列排布为例。
可选地，图8为图5中阵列基板的俯视图，结合图5和图8中可以看出阵列基板0还可以包括：辅助基板052，辅助基板052与所述柔性基板051位于同层，且围成环状并包围所述衬底基板01的显示区域AA，显示区域AA包括像素电极11。其中，辅助基板052半包围衬底基板01的显示区域AA，且辅助基板052远离衬底基板01的表面具有第二凸起0521，第二凸起0521在衬底基板01上的正投影与密封胶07在衬底基板01上的正投影具有重叠区域。柔性基板051中的第一凸起05111和辅助基板052中的第二凸起0521的高度可以相同。此时，在第一凸起05111和第二凸起0521的支撑下，可以保证阵列基板01到盖板08间的距离处处相等，达到实现盒厚均一及四边框对称化设计的目的。
可选地，阵列基板0中的第一凸起05111的顶面和第二凸起0521的顶面在衬底基板01上的正投影的面积之和，与密封胶07在衬底基板01上的正投影的面积之比大于三分之二。这样一来，可以进一步提高在第一凸起作用下形成的与密封胶接触的凸起支撑盖板和阵列基板的稳定性，同时增强密封效果。
可选地，请继续参考图5，盖板08朝向阵列基板的一侧还可以形成有彩膜层12，且彩膜层12可以位于盖板08和密封胶07之间。进一步地，彩膜层12和阵列基板之间还可以填充有液晶(图5中未示出)。
可选地，阵列基板还可以包括如图2所示的遮光层09、像素电极11和透明导电层13等。可选地，说明书附图中未标注的膜层均可以是绝缘层。
可选地，请继续参考图2，阵列基板还包括：位于衬底基板01和第二基板部分0512之间的绑定基板304，上述柔性基板051的两端可以分别搭接在衬底基板01和绑定基板304上。可选地，衬底基板01与绑定基板304的材质相同，且衬底基板01的厚度与绑定基板304的厚度相同。并且，衬底基板01和绑定基板304的厚度均可以小于阵列基板所在的显示装置中盖板(如图5中的盖板08)的厚度。衬底基板01和绑定基板304的厚度之和可以小于或等于该盖板(如图5中的盖板08)的厚度。在衬底基板01和绑定基板304的厚度之和小于该盖板的厚度时，阵列基板的厚度较小，阵列基板所在的显示装置的厚度也较小，实现了显示装置的轻薄化。示例地，衬底基板01和绑定基板304的厚度均可以为0.15毫米或0.16毫米等。
可选地，上述绑定基板304上还可以叠加有绑定垫层部分0123，此时目标垫层012也可以包括该绑定垫层部分0123。
综上所述，本公开实施例提供的阵列基板中，柔性基板的一部分固定在衬底基板的第一侧，而其另一部分弯曲至衬底基板中与第一侧相对的第二侧。这样一来，位于柔性基板上的引线结构也能够随柔性基板弯曲至衬底基板的第二侧，从而可以减小引线结构在衬底基板第一侧处所占用的宽度，达到减小衬底基板的非显示区域的宽度，以增大屏占比的目的。
图9为本公开实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程示意图，该方法可以用于制备本公开实施例提供的阵列基板(如图1或图2所示的阵列基板)，如图9所示，该制造方法包括：
步骤901、形成衬底基板、像素电路、引线结构、柔性基板、控制电路和平坦层，其中，像素电路、柔性基板、控制电路和平坦层均位于衬底基板的第一侧；柔性基板在平行于衬底基板的参考平面上的正投影与衬底基板在参考平面上的正投影部分重叠；引线结构覆盖柔性基板远离衬底基板的一侧，且与像素电路和控制电路均电连接；平坦层位于像素电路远离衬底基板的一侧，并覆盖像素电路以及引线结构中远离控制电路的部分。
步骤902、弯曲柔性基板和引线结构，以使控制电路从衬底基板的第一侧移动至衬底基板的第二侧；其中，第二侧与第一侧相对，弯曲后的柔性基板包括依次连接的第一基板部分、弯曲基板部分和第二基板部分，第一基板部分位于衬底基板的第一侧，弯曲基板部分从衬底基板的第一侧弯曲至第二侧，第二基板部分位于衬底基板的第二侧；弯曲后的引线结构包括：依次连接的第一引线部分、弯曲引线部分和第二引线部分，第一引线部分位于第一基板部分远离衬底基板的一侧，并与像素电路电连接，弯曲引线部分位于弯曲基板部分远离衬底基板的一侧，第二引线部分位于第二基板部分远离衬底基板的一侧，弯曲后的平坦层覆盖像素电路、第一引线部分以及弯曲引线部分。
综上所述，本公开实施例提供的方法所制备的阵列基板中，柔性基板的一部分固定在衬底基板的第一侧，而其另一部分弯曲至衬底基板中与第一侧相对的第二侧。这样一来，位于柔性基板上的引线结构也能够随柔性基板弯曲至衬底基板的第二侧，从而可以减小引线结构在衬底基板第一侧处所占用的宽度，达到减小衬底基板的非显示区域的宽度，以增大屏占比的目的。
图10为本公开实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程示意图，如图10所示，该制造方法包括：
步骤1001、提供初始基板。
在制造阵列基板之前，需要提供如图11所示的初始基板110，本公开实施例以初始基板110为玻璃基板为例。
可选地，该初始基板可以是对其他基板进行减薄处理后得到的基板，当然也可以不是对其他基板进行减薄处理后得到的基板，本公开实施例对此不作限定。
步骤1002、在初始基板上形成初始膜层。
在初始基板上形成如图12所示的初始膜层111，该初始膜层111覆盖初始基板110。其中，初始膜层可以称为剥离层(De-bonding Layer，DBL)。
示例地，在形成上述初始膜层111时，可以采用涂覆、物理气相沉积(英文：Physical Vapor Deposition；简称：PVD)或化学气相沉积(英文：Chemical VaporDeposition；简称：CVD)等方法。其中，PVD包括：磁控溅射或热蒸发等物理沉积方法，CVD包括离子体增强化学气相沉积法(英文：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；简称：PECVD)等化学沉积方法的方法。
步骤1003、采用一次构图工艺对初始膜层进行处理，以得到初始图案，初始图案包括第一垫层部分和第三垫层部分，且第一垫层部分和第三垫层部分之间具有镂空。
形成初始膜层后，可以采用一次构图工艺对初始膜层进行处理，得到如图13所示的初始图案112。初始图案112包括：第一垫层部分0121和第三垫层部分1123，第一垫层部分0121和第三垫层部分1123之间具有镂空1122。
其中，采用一次构图工艺对初始膜层进行处理包括：在初始膜层上涂覆一层光刻胶。然后采用掩膜版对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成曝光区和非曝光区。之后采用显影工艺进行处理，使曝光区和非曝光区中一种区域的光刻胶被去除，而另一种区域的光刻胶保留。之后对初始膜层上未覆盖有光刻胶的区域进行刻蚀，刻蚀完毕后剥离初始膜层上的光刻胶即可得到初始图案112。需要说明的是，光刻胶可以为正性光刻胶或负性光刻胶。若光刻胶为正性光刻胶，则在上述显影工艺之后，曝光区的光刻胶被去除，而非曝光区的光刻胶保留。若光刻胶为负性光刻胶，则在上述显影工艺之后，非曝光区的光刻胶被去除，而曝光区的光刻胶保留。
步骤1004、在初始图案中的镂空中形成第二垫层部分，以得到初始垫层。
形成初始图案后，可以在初始图案中的镂空中形成如图14所示的第二垫层部分0122，以得到初始垫层122。初始垫层122包括：依次排列的第一垫层部分0121、第二垫层部分0122和第三垫层部分1123。并且，初始垫层122中的第二垫层部分0122的粘性大于第一垫层部分0121的粘性。可选地，初始垫层122中的第二垫层部分0122的粘性大于第一垫层部分0121和第三垫层部分1123的粘性。
需要说明的是，在形成第二垫层部分时也可以不采用步骤1003至步骤1004中的方法，而可以采用紫外线(英文：Ultraviolet；简称：UV)照射初始膜层中的待该性部分，以使待改性部分的粘性增强，形成上述第二垫层部分的方法。
步骤1005、在初始基板上形成柔性基板、辅助膜层、像素电路、引线结构、平坦层和控制电路。
在得到初始基板后，可以在初始基板上形成如图15所示的柔性基板051、辅助膜层302、像素电路02、引线结构03、平坦层301和控制电路04。控制电路04可以包括位于聚酰亚胺(简称：PI)膜层上的芯片(PI和位于其上的芯片所组成的结构可以称为COP)。
步骤1006、将初始基板中靠近柔性基板的部分去除，以得到间隔的衬底基板和绑定基板，以及将初始垫层中的第三垫层部分中的部分区域去除，以得到包括第一垫层部分、第二垫层部分和绑定垫层部分的目标垫层。
柔性基板的两端分别搭接在衬底基板和绑定基板上。在将控制电路与引线结构远离像素电路的一端电连接后，可以将初始基板中靠近柔性基板的部分去除得到如图19所示的衬底基板01和辅助基板304，以及将初始垫层中的第三垫层部分中的部分区域去除以得到如图19所示的目标垫层012。此时，柔性基板051靠近目标垫层012中第一垫层部分0121的一端位于衬底基板01上，而柔性基板051远离第一垫层部分0121的一端位于辅助基板304上。
步骤1007、在衬底基板靠近绑定基板的一侧形成位于衬底基板靠近绑定基板的一侧的粘接胶。
示例地，如图17所示，粘接胶303包括：依次连接的第一胶部3031、第二胶部3032和第三胶部3033。其中，第一胶部3031位于衬底基板01的第一侧(也即形成像素电路的一侧)，第二胶部3032位于衬底基板01朝向绑定基板304的一侧，第三胶部3033位于衬底基板01的第二侧(也即形成像素电路的一侧的对侧)。
其中，在形成上述粘接胶时，可以首先在衬底基板靠近绑定基板的一侧涂覆胶体，之后，胶体能够分辨扩散至衬底基板的第一侧和第二侧，从而形成上述粘接胶。
步骤1008、在粘接胶靠近绑定基板的一侧设置第一缓冲结构。
示例地，可以在粘接胶靠近绑定基板的一侧设置如图18所示的第一缓冲结构061。本公开实施例中以第一缓冲结构061呈球状为例。示例地，第一缓冲结构的材质可以为泡棉、泡沫、塑料或者柔性材质等。
步骤1009、在衬底基板的第二侧设置第二缓冲结构。
在设置第一缓冲结构后，可以在衬底基板的第二侧设置如图19所示的第二缓冲结构062，本公开实施例以第二缓冲结构为长方体，且第二缓冲结构与第一缓冲结构的材质相同为例。
步骤1010、将柔性基板和引线结构绕过第一缓冲结构，并弯曲至第二缓冲结构远离衬底基板的一侧，以使第一缓冲结构位于粘接胶的第二胶部和弯曲基板部分之间。
在衬底基板的第二侧设置第二缓冲结构后，可以将柔性基板和引线结构绕过第一缓冲结构，并弯曲至第二缓冲结构远离衬底基板的一侧，以使第一缓冲结构位于粘接胶的第二胶部和弯曲基板部分之间，得到如图2中所示的阵列基板的结构示意图。
需要说明的是，当阵列基板中不包括第一缓冲结构时，可以不执行图10中的步骤1008。当阵列基板中不包括第二缓冲结构时，可以不执行图10中的步骤1009。当阵列基板不包括粘接胶时，可以不执行步骤1007；当阵列基板不包括辅助膜层时，在步骤1005中也可以不形成辅助膜层。
可选地，上述实施例中以阵列基板不包括如图5和图8所示的辅助基板052为例。当阵列基板包括辅助基板时，辅助基板可以在形成上述柔性基板的时候同时形成。此时，形成上述辅助基板和柔性基板的过程可以包括：首先，可以参考步骤1002中形成初始膜层的方法在初始基板上形成柔性材质层，该柔性材质层的材质可以为聚酰亚胺(英文：Polyimide；简称：PI)。之后，可以对柔性材质层进行图案化处理，以得到柔性基板和辅助基板，柔性基板远离初始基板的表面具有第一凸起，辅助基板远离初始基板的表面具有第二凸起，且第一凸起中的部分或全部以及第二凸起中的部分或全部位于初始基板上待形成密封胶的区域内。
综上所述，本公开实施例提供的方法所制备的阵列基板中，柔性基板的一部分固定在衬底基板的第一侧，而其另一部分弯曲至衬底基板中与第一侧相对的第二侧。这样一来，位于柔性基板上的引线结构也能够随柔性基板弯曲至衬底基板的第二侧，从而可以减小引线结构在衬底基板第一侧处所占用的宽度，达到减小衬底基板的非显示区域的宽度，以增大屏占比的目的。
本公开实施例提供了一种显示面板，该显示面板可以包括本公开实施例提供的阵列基板(如图1或者图2所示的阵列基板)。
可选地，如图5所示，该显示面板还可以包括：盖板08和密封胶07。盖板08位于像素电路远离衬底基板的一侧，密封胶07密封阵列基板0与盖板08。其中，阵列基板0可以包括：衬底基板01、像素电路02、引线结构03、控制电路04和柔性基板051。柔性基板051远离衬底基板01的表面具有第一凸起05111，第一凸起05111位于衬底基板01的第一侧21，且第一凸起05111在衬底基板01上的正投影与密封胶07在衬底基板上的正投影具有重叠区域。
可选地，该显示面板中的阵列基板0还可以包括：辅助基板052，且辅助基板052与柔性基板051位于同层。辅助基板052远离衬底基板01的表面具有第二凸起0521，第二凸起0521在衬底基板01上的正投影与密封胶07在衬底基板01上的正投影具有重叠区域。
本公开实施例提供了一种显示装置，该显示装置可以包括本公开实施例提供的显示面板(如图5所示的显示面板)。该显示装置可以为：液晶面板、有机发光二极管(英文：Organic Light-Emitting Diode；简称：OLED)面板、发光二极管(英文：Light-EmittingDiode；简称：LED)面板、量子点面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。上述LED面板可以为微发光二极管(英文：MicroLight-Emitting Diode；简称：Micro-LED)面板或迷你发光二极管(英文：MiniLight-Emitting Diode；简称：Mini-LED)面板等。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
在本公开中，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
需要说明的是，本公开实施例提供的方法实施例之间能够相互参考，本公开实施例对此不做限定。本公开实施例提供的方法实施例步骤的先后顺序能够进行适当调整，步骤也能够根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本公开的保护范围之内，因此不再赘述。
以上所述仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (19)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板、像素电路、引线结构、控制电路、柔性基板和平坦层；
所述柔性基板包括依次连接的第一基板部分、弯曲基板部分和第二基板部分，所述像素电路和所述第一基板部分均位于所述衬底基板的第一侧，所述弯曲基板部分从所述衬底基板的第一侧弯曲至第二侧，且所述第二基板部分位于所述衬底基板的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对；
所述引线结构包括依次连接的第一引线部分、弯曲引线部分和第二引线部分，所述第一引线部分位于所述第一基板部分远离所述衬底基板的一侧，并与所述像素电路电连接，所述弯曲引线部分位于所述弯曲基板部分远离所述衬底基板的一侧，所述第二引线部分位于所述第二基板部分远离所述衬底基板的一侧，并与位于所述衬底基板的所述第二侧的所述控制电路电连接；
所述平坦层位于所述像素电路远离所述衬底基板的一侧，并覆盖所述像素电路、所述第一引线部分以及所述弯曲引线部分；
所述第一基板部分远离所述衬底基板的表面具有第一凸起；
所述第一凸起在所述衬底基板上的正投影与密封胶在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域，所述密封胶用于密封所述阵列基板与所述像素电路远离所述衬底基板的一侧的盖板。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板为刚性基板。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述柔性基板和所述引线结构之间的辅助膜层。
4.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：目标垫层；
所述目标垫层包括：第一垫层部分和第二垫层部分，且所述第二垫层部分的粘性大于所述第一垫层部分的粘性；
所述像素电路位于所述第一垫层部分远离所述衬底基板的一侧，所述第一基板部分位于所述第二垫层部分远离所述衬底基板的一侧。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凸起的高度与所述密封胶在垂直于所述衬底基板的方向上的厚度相同。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：辅助基板；
所述辅助基板与所述柔性基板位于同层，且围成环状并包围所述衬底基板的显示区域；
所述辅助基板远离所述衬底基板的表面具有第二凸起，所述第二凸起在所述衬底基板上的正投影与所述密封胶在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板中的所述第一凸起的顶面和所述第二凸起的顶面在所述衬底基板上的正投影的面积之和，与所述密封胶在所述衬底基板上的正投影的面积之比大于三分之二。
8.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：粘接胶；
所述粘接胶包括：依次连接的第一胶部、第二胶部和第三胶部，其中，所述第一胶部位于所述衬底基板和所述第一基板部分之间，所述第二胶部位于所述衬底基板和所述弯曲基板部分之间，所述第三胶部位于所述衬底基板和所述第二基板部分之间。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：第一缓冲结构，所述第一缓冲结构位于所述第二胶部和所述弯曲基板部分之间。
10.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：第二缓冲结构；
所述第二缓冲结构位于所述衬底基板和所述控制电路之间，且所述第二缓冲结构在所述衬底基板上的正投影与所述控制电路在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域。
11.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述弯曲引线部分位于所述引线结构中的扇出区域，所述第二引线部分具有与所述控制电路电连接的引脚。
12.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二垫层部分靠近所述第一垫层部分的一端与所述第一基板部分靠近所述第一垫层部分的一端平齐，所述第二垫层部分远离所述第一垫层部分的一端与所述衬底基板远离所述第一垫层部分的一端平齐。
13.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板和所述第二基板部分之间的绑定基板。
14.根据权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板与所述绑定基板的材质相同，且所述衬底基板的厚度与所述绑定基板的厚度相同。
15.根据权利要求14所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板的厚度小于或等于所述阵列基板所在的显示面板中盖板的厚度，所述盖板位于所述像素电路远离所述衬底基板的一侧。
16.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，用于制造权利要求1至15任一所述的阵列基板，所述方法包括：
形成衬底基板、像素电路、引线结构、柔性基板、控制电路和平坦层，其中，所述像素电路、所述柔性基板、所述控制电路和所述平坦层均位于所述衬底基板的第一侧；所述柔性基板在平行于所述衬底基板的参考平面上的正投影与所述衬底基板在所述参考平面上的正投影部分重叠；所述引线结构覆盖所述柔性基板远离所述衬底基板的一侧，且与所述像素电路和所述控制电路均电连接；所述平坦层位于所述像素电路远离所述衬底基板的一侧，并覆盖所述像素电路以及所述引线结构中远离所述控制电路的部分；
弯曲所述柔性基板和所述引线结构，以使所述控制电路从所述衬底基板的第一侧移动至所述衬底基板的第二侧；其中，所述第二侧与所述第一侧相对，弯曲后的所述柔性基板包括依次连接的第一基板部分、弯曲基板部分和第二基板部分，所述第一基板部分位于所述衬底基板的第一侧，所述弯曲基板部分从所述衬底基板的第一侧弯曲至第二侧，所述第二基板部分位于所述衬底基板的第二侧；弯曲后的所述引线结构包括：依次连接的第一引线部分、弯曲引线部分和第二引线部分，所述第一引线部分位于所述第一基板部分远离所述衬底基板的一侧，并与所述像素电路电连接，所述弯曲引线部分位于所述弯曲基板部分远离所述衬底基板的一侧，所述第二引线部分位于所述第二基板部分远离所述衬底基板的一侧，弯曲后的所述平坦层覆盖所述像素电路、所述第一引线部分以及所述弯曲引线部分。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述形成衬底基板、像素电路、引线结构、柔性基板、控制电路和平坦层，包括：
提供初始基板；
在所述初始基板上形成所述像素电路、所述引线结构和所述柔性基板；其中，所述柔性基板在平行于所述初始基板的参考平面上的正投影位于所述初始基板在所述参考平面上的正投影内；所述引线结构覆盖所述柔性基板远离所述初始基板的一侧，且与所述像素电路电连接；
提供所述控制电路；
将所述控制电路与所述引线结构电连接；
将所述初始基板中靠近所述柔性基板的部分去除，以得到间隔的所述衬底基板和绑定基板，所述柔性基板的两端分别搭接在所述衬底基板和所述绑定基板上。
18.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1至15任一所述的阵列基板。
19.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求18所述的显示面板。
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