JP2023501024A - アレイ基板およびその製造方法、表示装置 - Google Patents

アレイ基板およびその製造方法、表示装置 Download PDF

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Abstract

アレイ基板およびその製造方法、表示装置を開示する。当該アレイ基板では、有機材料層(02)は、順次に接続された第1平面部(021)、折り曲げ部(022)および第2平面部(023)を含み、第1平面部(021)と第2平面部(023)は、ベース基板(01)の両側に配置され、リード構造(03)は、順次に接続された第1リード部(031)、折り曲げリード部(032)および第2リード部(033)を含み、第1リード部(031)は、第1平面部(021)の外側に配置され、折り曲げリード部(032)は、折り曲げ部(022)の外側に配置され、第2リード部(033)は、第2平面部(023)の外側に配置され、LED層(04)と制御回路(05)は、それぞれ、ベース基板(01)の上記両側に配置される。

Description

本出願は、2019年11月08日に提出された出願番号PCT/CN2019/116824、発明の名称「アレイ基板およびその製造方法、表示パネル、表示装置」の中国特許出願の優先権を主張し、その全ての内容は、参照により本明細書に援用する。
本出願は、アレイ基板およびその製造方法、表示装置に関するものである。
表示技術の発展に伴い、接合方式の発光ダイオード(Light Emitting Diode、LED)表示装置が、広く使用されるようになり、当該表示装置は、複数の接合されたLEDアレイ基板を含み、より大きな表示領域を有する。
しかしながら、複数の接合されたLEDアレイ基板の各々の間には、広いスリットが存在し、LED表示装置の表示効果に影響を与える。
本出願の実施例は、アレイ基板およびその製造方法、表示装置を提供する。前記技術案は、以下の通りである。
第1態様によると、ベース基板と、有機材料層と、リード構造と、LED層と、制御回路と、を含み、
前記ベース基板は、対向する第1側と第2側と、前記第1側と前記第2側にそれぞれ隣接する第3側とを含み、
前記有機材料層は、順次に接続された第1平面部、折り曲げ部、及び第2平面部を含み、前記第1平面部は、前記第1側に配置され、前記第2平面部は、前記第2側に配置され、前記折り曲げ部は、前記第3側に配置され、
前記リード構造は、順次に接続された第1リード部、折り曲げリード部、及び第2リード部を含み、前記第1リード部は、前記第1平面部の前記ベース基板から離れた側に配置され、前記折り曲げリード部は、前記折り曲げ部の前記ベース基板から離れた側に配置され、前記第2リード部は、前記第2平面部の前記ベース基板から離れた側に配置され、
前記LED層は、前記第1リード部の前記ベース基板から離れた側に配置され、且つ前記第1リード部に接続され、
前記制御回路は、前記ベース基板の第2側に配置され、且つ前記第2リード部に接続され、前記制御回路は、発光するように前記LED層を制御するために使用される、
アレイ基板に関する。
いくつかの実施例において、前記第2側と前記第3側との接続部は、面取り構造を含む。
いくつかの実施例において、前記アレイ基板は、以下の少なくとも1つの条件を満たし、即ち、
b≧0.6a、
b<p/2、
2aは、前記ベース基板の延在方向における前記複数のLEDのいずれかの長さを表し、bは、前記複数のLEDのうち前記折り曲げ部に近いLEDと前記折り曲げ部との間隔を表し、前記複数のLEDのうちの任意の2つのLEDの中心間の距離は、Pである。
いくつかの実施例において、前記折り曲げリード部の表面は、窪み領域を有している。
いくつかの実施例において、前記アレイ基板は、前記ベース基板と前記折り曲げ部との間に配置された第1スペーサー構造をさらに含む。
いくつかの実施例において、前記第1スペーサー構造は、粘着性を有する。
いくつかの実施例において、前記第1スペーサー構造の前記ベース基板から離れた表面は、弧面を含む。
いくつかの実施例において、前記弧面は、半円弧面であり、前記ベース基板と前記第1スペーサー構造の配置方向において、前記第1スペーサー構造の最大長さは、前記半円弧面の半径より大きい。
いくつかの実施例において、前記第1スペーサー構造の前記ベース基板から離れた表面は、順次に接続されたn個の第1弧面、平面、およびn個の第2弧面を含み、n≧1である。
いくつかの実施例において、n=1であり、前記第1弧面の半径は、前記第2弧面の半径に等しい。
いくつかの実施例において、n>1であり、n個の第1弧面の半径は、互いに異なり、i番目の第1弧面の半径は、n-i+1番目の第2弧面の半径に等しく、1≦i≦nである。
いくつかの実施例において、前記アレイ基板は、前記ベース基板と前記第2平面部との間に配置された第2スペーサー構造をさらに含み、前記第2スペーサー構造は、前記第1スペーサー構造に接続される。
いくつかの実施例において、前記第1スペーサー構造の前記第2スペーサー構造に近い側は、前記第3側の延在平面上に位置し、前記第2スペーサー構造の前記第1スペーサー構造に近い側は、前記第3側の延在平面上に位置する。
いくつかの実施例において、前記アレイ基板は、前記ベース基板と前記第2平面部との間に配置されたバインディング基板をさらに含む。
いくつかの実施例において、前記ベース基板の材質は、前記バインディング基板の材質と同じであり、前記ベース基板の厚さは、前記バインディング基板の厚さと同じである。
いくつかの実施例において、前記アレイ基板は、前記ベース基板と前記第1平面部との間に配置された光反射層をさらに含む。
いくつかの実施例において、前記光反射層と前記折り曲げ部との間隔は、0より大きい。
第2態様によると、第1態様による前記アレイ基板のいずれかを製造するためのアレイ基板の製造方法であって、
初期構造を形成することと、
前記有機材料層と前記リード構造を折り曲げることにより、前記制御回路を前記ベース基板の第1側から前記ベース基板の第2側に移動させることと、
を含み、
前記初期構造は、ベース基板と、有機材料層と、リード構造と、LED層と、制御回路と、を含み、前記ベース基板は、対向する第1側と第2側と、前記第1側と前記第2側にそれぞれ隣接する第3側とを含み、前記有機材料層、前記リード構造および前記LED層は、いずれも前記ベース基板の第1側に配置され、且つ前記ベース基板から離れた方向に沿って順次に配置され、前記制御回路と前記LED層は、同一層に配置され、前記有機材料層の前記ベース基板が配置された表面上への正射影は、前記ベース基板の前記ベース基板が配置された表面上への正射影と部分的に重なり、前記リード構造は、前記有機材料層の前記ベース基板から離れた側を覆い、且つ前記LED層および前記制御回路の両方に接続され、
折り曲げられた前記有機材料層は、順次に接続された第1平面部、折り曲げ部、及び第2平面部を含み、前記第1平面部は、前記ベース基板の第1側に配置され、前記第2平面部は、前記ベース基板の第2側に配置され、前記折り曲げ部は、前記第3側に配置され、折り曲げられた前記リード構造は、順次に接続された第1リード部、折り曲げリード部、及び第2リード部を含み、前記第1リード部は、前記第1平面部の前記ベース基板から離れた側に配置され、且つ前記LED層に接続され、前記折り曲げリード部は、前記折り曲げ部の前記ベース基板から離れた側に配置され、前記第2リード部は、前記第2平面部の前記ベース基板から離れた側に配置され、且つ前記制御回路に接続される、
アレイ基板の製造方法に関する。
いくつかの実施例において、前記初期構造を形成することは、
順次に重畳された初期基板、前記有機材料層、前記リード構造および前記LED層を形成することと、
前記リード構造の前記初期基板から離れた側で、制御回路を前記リード構造に接続することと、
前記初期基板の一部領域を除去することにより、前記初期構造を得ることと、
を含み、
前記有機材料層の前記初期基板が配置された面上への正射影は、前記初期基板の前記初期基板が配置された面上への正射影内にあり、前記有機材料層の前記初期基板から離れた側を覆い、且つ前記LED層に接続され、
前記一部領域の前記初期基板が配置された面上への正射影は、前記LED層の前記初期基板が配置された面上への正射影外にある。
いくつかの実施例において、前記初期構造は、前記ベース基板と間隔を空けて設けられたバインディング基板をさらに含み、
前記有機材料層の両端は、前記ベース基板および前記バインディング基板にそれぞれ結合され、前記有機材料層と前記リード構造を折り曲げた後、前記バインディング基板は、前記ベース基板と前記第2平面部との間にある。
いくつかの実施例において、前記初期構造は、前記ベース基板と前記有機材料層との間に配置された光反射層をさらに含み、
前記初期構造を形成することは、前記初期基板上に有機材料層を形成する前に、前記初期基板上に前記光反射層を形成することをさらに含み、前記光反射層の前記初期基板が配置された面上への正射影は、前記一部領域の前記初期基板が配置された面上への正射影外にあり、
前記初期基板の一部領域を除去することは、
前記初期基板の前記光反射層から離れた側からレーザを前記初期基板に照射することにより、前記一部領域を前記有機材料層から分離させることと、
前記初期基板上の前記一部領域のエッジをカットすることと、
前記一部領域を剥離することと、
を含む。
いくつかの実施例において、前記初期構造を形成することは、前記初期基板上に前記有機材料層を形成する前に、前記初期基板上に解離層を形成することをさらに含み、前記一部領域の前記初期基板が配置された面上への正射影は、前記解離層の前記初期基板が配置された面上への正射影内にあり、前記解離層と前記有機材料層との間の粘度は、前記初期基板と前記有機材料層との間の粘度より小さく、
前記初期基板の一部領域を除去することは、
前記初期基板上の前記一部領域のエッジをカットすることと、
前記一部領域、および前記解離層における前記一部領域を覆う部分を剥離することと、
を含む。
第3態様によると、第1態様のいずれかに記載されたアレイ基板を含む表示装置に関する。
いくつかの実施例において、前記表示装置は、互いに接合された複数の前記アレイ基板を含む。
いくつかの実施例において、前記アレイ基板におけるLED層は、前記第1平面部に配置された複数のLEDを含み、前記複数のLEDのうちの任意の2つのLEDの中心間の距離は、Pであり、
前記表示装置における任意の2つの隣接する前記アレイ基板において、最も近い2つのLEDの中心間の距離は、Qであり、P=Qである。
本開示の実施例によるアレイ基板の概略構造図である。 本開示の実施例によるベース基板の概略構造図である。 本開示の実施例による有機材料層の局所構造の異なる実施例の概略図である。 本開示の実施例による有機材料層の局所構造の異なる実施例の概略図である。 本開示の実施例による有機材料層の局所構造の異なる実施例の概略図である。 本開示の実施例による有機材料層の局所構造の異なる実施例の概略図である。 本開示の実施例による折り曲げリード部と折り曲げ部の異なる実施例の概略展開図である。 本開示の実施例による折り曲げリード部と折り曲げ部の異なる実施例の概略展開図である。 本開示の実施例によるLED層における複数のLEDの概略図である。 本開示の実施例によるアレイ基板の部分構造の異なる実施例の概略展開図である。 本開示の実施例によるアレイ基板の部分構造の異なる実施例の概略展開図である。 本開示の実施例によるアレイ基板の部分構造の異なる実施例の概略展開図である。 本開示の実施例によるアレイ基板の部分構造の異なる実施例の概略展開図である。 本開示の実施例によるアレイ基板の部分構造の異なる実施例の概略展開図である。 本開示の実施例によるアレイ基板の部分構造の異なる実施例の概略展開図である。 本開示の実施例によるアレイ基板の部分構造の異なる実施例の概略展開図である。 本開示の実施例によるアレイ基板の部分構造の異なる実施例の概略展開図である。 本開示の実施例による第1スペーサー構造の異なる実施例の概略図である。 本開示の実施例による第1スペーサー構造の異なる実施例の概略図である。 本開示の実施例による第1スペーサー構造の異なる実施例の概略図である。 本開示の実施例による第1スペーサー構造の異なる実施例の概略図である。 本開示の実施例による第1スペーサー構造の異なる実施例の概略図である。 本開示の実施例による第1スペーサー構造の異なる実施例の概略図である。 本開示の実施例による第1スペーサー構造の異なる実施例の概略図である。 本開示の実施例による第1スペーサー構造の異なる実施例の概略図である。 本開示の実施例によるアレイ基板の異なる実施例の概略構造図である。 本開示の実施例によるアレイ基板の異なる実施例の概略構造図である。 本開示の実施例によるアレイ基板の異なる実施例の概略構造図である。 本開示の実施例による表示装置の概略構造図である。 本開示の実施例による表示装置における任意の2つのアレイ基板の異なる実施例における接合部の概略図である。 本開示の実施例による表示装置における任意の2つのアレイ基板の異なる実施例における接合部の概略図である。 本開示の実施例による表示装置における任意の2つのアレイ基板の異なる実施例における接合部の概略図である。 本開示の実施例による表示装置における任意の2つのアレイ基板の異なる実施例における接合部の概略図である。 本開示の実施例による表示装置における任意の2つのアレイ基板の異なる実施例における接合部の概略図である。 本開示の実施例によるアレイ基板の製造方法のフローチャートである。 本開示の実施例による別のアレイ基板の製造方法のフローチャートである。 本開示の実施例によるアレイ基板の製造プロセスの概略図である。 本開示の実施例によるアレイ基板の製造プロセスの概略図である。 本開示の実施例によるアレイ基板の製造プロセスの概略図である。 本開示の実施例によるアレイ基板の製造プロセスの概略図である。 本開示の実施例によるアレイ基板の製造プロセスの概略図である。 本開示の実施例によるアレイ基板の製造プロセスの概略図である。 本開示の実施例によるアレイ基板の製造プロセスの概略図である。 本開示の実施例によるアレイ基板の製造プロセスの概略図である。 本開示の実施例によるアレイ基板の製造プロセスの概略図である。 本開示の実施例によるアレイ基板の製造プロセスの概略図である。 本開示の実施例によるアレイ基板の製造プロセスの概略図である。 本開示の実施例によるアレイ基板の製造プロセスの概略図である。 本開示の実施例によるアレイ基板の製造プロセスの概略図である。 本開示の実施例による異なる実施例における初期構造の概略図である。 本開示の実施例による異なる実施例における初期構造の概略図である。 本開示の実施例による異なる実施例における初期構造の概略図である。 本開示の実施例による異なる実施例における初期構造の概略図である。 本開示の実施例による異なる実施例における初期構造の概略図である。 本開示の実施例による異なる実施例における初期構造の概略図である。 本開示の実施例による異なる実施例における初期構造の概略図である。 本開示の実施例による異なる実施例における初期構造の概略図である。
本出願の原理、技術案および利点をより明確にするために、以下、図面を参照して本出願示の実施形態をより詳細に説明する。
関連技術では、複数のLEDアレイ基板を接合して構成されたLED表示装置では、各LEDアレイ基板の枠が広く、この結果、LED表示装置では人間の目に見えるスリットが形成され、LED表示装置の表示効果に影響を与える。本開示の実施例は、少なくとも各LEDアレイ基板の枠を小さくすることにより、LED表示装置の接合のためのスリットが広いという問題を解決するアレイ基板を提供する。
図1は、本開示の実施例によるアレイ基板の概略構造図であり、図1に示されたように、当該アレイ基板0は、ベース基板01と、有機材料層02と、リード構造03と、LED層04と、制御回路05と、を含む。
ベース基板01は、対向する第1側X1と第2側X2と、第1側X1と第2側X2にそれぞれ隣接する第3側X3を含む。
有機材料層02は、順次に接続された第1平面部021、折り曲げ部022、及び第2平面部023を含む。ここで、第1平面部021は、ベース基板01の第1側X1に配置され、第2平面部023は、ベース基板01の第2側X2に配置され、折り曲げ部022は、第3側X3に配置される。
リード構造03は、順次に接続された第1リード部031、折り曲げリード部032、及び第2リード部033を含む。ここで、第1リード部031は、第1平面部021のベース基板01から離れた側に配置され、折り曲げリード部032は、折り曲げ部022のベース基板01から離れた側に配置され、第2リード部033は、第2平面部023のベース基板01から離れた側に配置される。
LED層04は、第1リード部031のベース基板01から離れた側に配置され、且つ第1リード部031に接続される。
制御回路05は、ベース基板01の第2側X2に配置され、且つ第2リード部033に接続され、制御回路05は、発光するようにLED層04を制御するために使用される。
以上から、本開示の実施例によるアレイ基板において、有機材料層とリード構造をベース基板の第2側に折り曲げることにより、リード構造をLED層が配置された側(第1側)の反対側(第2側)で制御回路にバインディングする。この結果、LED層が配置された側(第1側)でリード構造と制御回路をバインディングすることにより、アレイ基板の枠が広くなるという問題が回避される。複数の表示基板を接合する場合、表示基板間のスリットを効果的に小さくすることができる。
いくつかの実施例において、上記ベース基板01の材質は、例えばガラスなどの剛性材質を含んでもよく、例えばポリエチレンテレフタレート(Polyethylene terephthalate、PET)や金属などの一定の強度を有するフレキシブルな材質を含んでもよい。本開示の実施例では、ベース基板01の材質が剛性材質であることを例に挙げて、この場合、当該ベース基板01は、剛性基板である。
図2は、本開示の実施例によるベース基板の概略構造図であり、図2に示されたように、図1を基本として、ベース基板01は、第1側X1と第2側X2にそれぞれ隣接する第3側X3を含み、ここで、第2側X2の表面と第3側X3の表面との接続部は、面取り構造011を含み得る。当該面取り構造011の作用下で、有機材料層02が第1側X1から第2側X2に折り曲げられた際に、有機材料層02がベース基板01の直角によって損傷を受ける可能性を低減することができ、有機材料層02は、材料層02に対する保護を実現することができる。
上記有機材料層02の材質は、例えばポリイミド(Polyimide、PI)などのいずれかのフレキシブルな材質であってもよい。有機材料層02の厚さは、「5マイクロメートル、10マイクロメートル」の範囲の値であってもよいし、または「2マイクロメートル、11マイクロメートル」)のような他の範囲の値であってもよい。リード構造03の材質は、例えば銅や鉄などの任意の導電性材質であってもよい。
なお、本開示の実施例によるいずれかのアレイ基板において、有機材料層02は、1つの第1平面部021、m個の折り曲げ部022、およびm個の第2平面部023を含み得る。ベース基板01が多角形である場合、m≧1である。図1において、m=2の実施例を示す。m>2である場合、m個の折り曲げ部022は、それぞれ、ベース基板01の異なる第3側X3に配置され、m個の第2平面部023は、いずれもベース基板01の第2側X2に配置される。第1平面部021の表面全体は、ベース基板01の第1側X1に置かれ、第1平面部021は、それぞれi番目の折り曲げ部022を介してi番目の第2平面部023と順次に一体構造に接続され、1≦i≦mである。
リード構造03は、n個の第1リード部031、n個の折り曲げリード部032、およびn個の第2リード部033を含み、j番目の第1リード部031は、j番目の第2リード部033を介してj番目の第2リード部031に接続され、1≦j≦nである。n個の第1リード部031は、全て前記第1平面部021に配置され、n個の折り曲げリード部032は、全て同一折り曲げ部022に配置されてもよいし、グループ化され且つグループ毎に同じ数または異なる数の複数の折り曲げリード部032は、それぞれ複数の折り曲げ部022に配置されてもよい。n個の第2リード部031は、全て同一第2平面部023に配置されてもよいし、グループ化され且つグループ毎に同じ数または異なる数の複数の第2リード部031は、それぞれ複数の第2平面部023に配置されてもよい。
ここで、n個の第1リード部031は、電源線、駆動線、データ線、およびファンアウト配線などの信号線からなるセットの全部または一部を含む。リード構造03は、LED層における各LEDと制御回路とを接続するために使用され、制御回路内の電気信号を高品質で各LEDに伝送して、LEDを発光させる。いくつかの実施例において、第1リード部は、各LEDに直接接触し且つ電気的に接続された接続電極をさらに含む。
また、1つの折り曲げ部022のベース基板01から離れた表面とその上に配置された1つ以上の折り曲げリード部032のベース基板01から離れた表面は、共形である。少なくとも2つの表面が共形であるということは、これらの少なくとも2つの表面の延在方向および起伏形態が同じまたは類似していることを意味する。
例示的に、図3、図4、図5、および図6は、有機材料層02の異なる局所構造の概略図であり、図3、図4、図5、および図6では、有機材料層02における第1平面部021および折り曲げ部022のみが示され、第2平面部023が示されていない。そして、図3、図4、図5、および図6では、第1平面部021に対する折り曲げ部022の位置は、ベース基板の形状に合わせるようにしてもよい。ここで、図3では、m=1であることを例にとって、図4では、m=2であることを例にとって、図5では、m=3であることを例にとって、図6では、m=4であることを例にとる。いくつかの実施例において、ベース基板が配置された平面が五角形である場合、第1平面部021も五角形であり、このとき、m=5であり。または、ベース基板が配置された平面が六角形である場合、第1平面部021も六角形であり、このとき、m=6である。そして、m=1である場合、折り曲げ部022は、図3に示すように第1平面部021の右側に配置されなくてもよく、例えば折り曲げ部022は、第1平面部021の右側を除く任意の側に配置されてもよい。m=2である場合、2つの折り曲げ部022は、図4に示すように第1平面部021の左側および右側に配置されなくてもよく、例えば2つの折り曲げ部022のうちの一方は、第1平面部021の上側に配置され、他方は、第1平面部021の右側に配置される。m=3である場合、3つの折り曲げ部022は、図5に示すように第1平面部021の左側、右側、および上側に配置されなくてもよく、例えば3つの折り曲げ部022は、それぞれ、第1平面部021の左側、右側、および下側に配置される。本開示の実施例において、有機材料層の第1平面部021が矩形であることを例にとって、もちろん、当該第1平面部021は、矩形でなく、例えば円形、楕円形、三角形などであってもよい。図1の有機材料層02の概略展開図について、図4を参照する。
いくつかの実施例において、折り曲げリード部の表面張力を向上させ、折り曲げる過程で折り曲げリード部が破断するリスクを低減するために、本開示の実施例において折り曲げリード部032の表面に窪み領域を設けてもよい。例示的に、本開示の実施例において、折り曲げリード部032のベース基板01から離れた表面が窪み領域を有することを例にとる。もちろん、折り曲げリード部032のベース基板01に近い表面が窪み領域を有し、または、折り曲げリード部032のベース基板01に近い表面およびベース基板01から離れた表面がいずれも窪み領域を有することを例にとって、本開示の実施例は、これを限定しない。
例示的に、本開示の実施例によるいずれかのアレイ基板について、図7は、折り曲げリード部と折り曲げ部の概略展開図を示す。図7に示されたように、折り曲げリード部032のベース基板から離れた表面に対して、溝を掘り、および/または、突起を設けることにより、折り曲げリード部032のベース基板から離れた表面に第1窪み領域0321を設けることができ、当該折り曲げリード部032のベース基板から離れた表面における当該第1窪み領域0321以外の領域は、第1突起領域0322である。ここで、折り曲げリード部032における第1窪み領域0321が配置された位置について、折り曲げリード部032のベース基板から離れた表面とベース基板に近い表面との最小距離は、Y1であり、折り曲げリード部032における第1突起領域0322が配置された位置について、折り曲げリード部032のベース基板から離れた表面とベース基板に近い表面との距離は、Y2であり、Y1は、Y2より小さい。本開示の実施例において、折り曲げリード部032における窪み領域(例えば上記第1窪み領域)は、折り曲げリード部に溝を形成することにより形成される。溝を形成する際に、露光及びドライエッチングプロセスを採用することができる。
また例示的に、本開示の実施例によるいずれかのアレイ基板について、図8は、折り曲げリード部と折り曲げ部の別の概略展開図を示す。図8に示されたように、折り曲げ部022のベース基板から離れた表面に対して、溝を掘り、および/または、突起を設けることにより、折り曲げ部022のベース基板から離れた表面に第2窪み領域0221を設けることができ、当該折り曲げ部022のベース基板から離れた表面における第2窪み領域0221以外の領域は、第2突起領域0222である。折り曲げ部022における第2窪み領域0221の作用下で、折り曲げリード部032のベース基板から離れた表面は、第1窪み領域0321を有し、当該折り曲げリード部032のベース基板から離れた表面における第1窪み領域0321以外の領域は、第1突起領域0322である。
ここで、折り曲げリード部032における第1窪み領域0321が配置された位置について、折り曲げリード部032のベース基板から離れた表面とベース基板に近い表面との最小距離は、Y1であり、折り曲げリード部032における第1突起領域0322が配置された位置について、折り曲げリード部032のベース基板から離れた表面とベース基板に近い表面との距離は、Y2であり、Y1は、Y2に等しい。折り曲げ部022における第2窪み領域0221が配置された位置について、折り曲げ部022のベース基板から離れた表面とベース基板に近い表面との最小距離は、Y3であり、折り曲げ部022における第2突起領域0222が配置された位置について、折り曲げ部022のベース基板から離れた表面とベース基板に近い表面との距離は、Y4であり、Y3は、Y4より小さい。
本開示の実施例における第2窪み領域は、折り曲げ部に溝を形成することにより形成される。溝を形成する際に、露光及びドライエッチングプロセスを採用することができる。
いくつかの実施例において、上記のいずれかの窪み領域の形状は、例えばV字型、U字型、または台形などの任意の形状であってもよく、本開示の実施例は、これを限定しない。
いくつかの実施例において、本開示の実施例によるいずれかのアレイ基板において、LED層は、複数のLEDを含み得る。当該LEDは、普通のLEDまたはマイクロLEDであってもよい。ここで、上記マイクロLEDのサイズは、普通のLEDのサイズより小さく、例示的に、マイクロLEDの最小サイズは、マイクロメートルレベルに達することができる。本発明の実施例におけるマイクロLEDは、マイクロ発光ダイオード(Micro Light Emitting Diode、Micro LED)またはミニ発光ダイオード(mini Light Emitting Diode、mini-LED)を含み得る。LED層におけるLEDは、例えばリフロー方式や共晶溶接方式などのいずれかの方式で接続電極が設けられたフレキシブルな基材に固定されることができる。
例示的に、本開示の実施例によるいずれかのアレイ基板について、図9は、LED層04における複数のLED041の概略図である。図9に示されたように、これらのLED041は、いずれも第1リード部031のベース基板01から離れた側に配置され、いずれかのLED041の延在方向Dにおける長さは、2aとして表され、複数のLED041のうちの任意の2つのLED041の中心間の距離は、Pとして表され、複数のLED041のうち折り曲げ部に近いLED041と折り曲げ部022(図9では図示せず、図1を参照)との間隔は、bとして表される。当該アレイ基板は、b≧0.6aおよびb<p/2の少なくとも1つの条件を満たす。例えば、当該アレイ基板は、b≧0.6a、または、b<p/2、または、b≧0.6aおよびb<p/2を満たす。テストによって、b≧0.6aである場合、LED041の発光効果がよく、LED層04の表示効果がよいことが実証された。b<p/2である場合、アレイ基板間の接合効果がよく、複数のアレイ基板を接合することにより構成された表示装置の表示効果がよい。
いくつかの実施例において、本開示の実施例によるアレイ基板は、黒ゴム(例えば図1の06)をさらに含み得る。当該黒ゴムは、上記複数のLEDの間に充填され、各LEDのコントラストを高めるために用いられる。黒ゴムは、LEDのベース基板から離れた側をわずかに覆うことができ、LEDから発せられる光の少なくとも一部は、黒ゴムを透過し、本開示の実施例は、これを限定しない。
いくつかの実施例において、本開示の実施例による制御回路は、任意の制御回路であってもよく、以下、そのうちの8種類を例に説明する。
(1)図10は、本開示の実施例による図1における部分構造の概略展開図であり、図1および図2を参照すると、制御回路05は、FPC051とプリント基板(Printed Circuit Board、PCB)052とを含む。ここで、FPC051は、リード構造(例えばリード構造における第2リード部033)のベース基板01から離れた側に配置され、且つ第2リード部033およびPCB052の両方に接続される。PCB052は、FPC051のいずれかの側に配置されてもよく、本開示の実施例において、PCB052と第2リード部033がFPC051の同一側に配置されることを例にとる。
(2)図11は、本開示の実施例によるアレイ基板における部分構造の概略展開図であり、図11に示されたように、図10を基本として、制御回路05は、FPC051を含むが、PCB052を含まない。ここで、FPC051は、第2リード部033のベース基板01から離れた側に配置され、且つ第2リード部033に接続される。
(3)図12は、本開示の実施例による別のアレイ基板における部分構造の概略展開図であり、図12に示されたように、図10を基本として、制御回路05は、FPC051およびPCB052だけでなく、チップ053も含む。ここで、FPC051は、第2リード部033のベース基板01から離れた側に配置され、且つ第2リード部033およびPCB052の両方に接続され、PCB052は、FPC051のいずれかの側に配置されてもよく、本開示の実施例において、PCB052と第2リード部033がFPC051の同一側に配置されることを例にとる。チップ053は、第2リード部033のベース基板01から離れた側に配置され、且つ第2リード部033に接続される。チップ053とFPC051は、同一層に配置される。
(4)図13は、本開示の実施例による別のアレイ基板における部分構造の概略展開図であり、図13に示されたように、図12を基本として、制御回路05は、上記PCB052を含まなくてもよい。
(5)図14は、本開示の実施例による別のアレイ基板における部分構造の概略展開図であり、図14に示されたように、図10を基本として、制御回路05は、FPC051およびPCB052だけでなく、チップ053も含む。ここで、FPC051は、第2リード部033のベース基板01から離れた側に配置される。PCB052は、FPC051のいずれかの側に配置されてもよく、本開示の実施例において、PCB052と第2リード部033がFPC051の同一側に配置されることを例にとる。チップ053は、FPC051のベース基板01から離れた側に配置され、FPC051は、第2リード部033、PCB052およびチップ053に接続される。チップ053がFPC051上に配置される場合、チップ053およびFPC051は、まとめてチップオンフィルム(Chip On Film、COF)と呼ばれることができる。
(6)図15は、本開示の実施例による別のアレイ基板における部分構造の概略展開図であり、図15に示されたように、図14を基本として、制御回路05は、上記PCB052を含まなくてもよい。
(7)図16は、本開示の実施例による別のアレイ基板における部分構造の概略展開図であり、図16に示されたように、図10を基本として、制御回路05は、コネクタ054を含む。ここで、コネクタ054は、第2リード部033のベース基板01から離れた側に配置され、且つ第2リード部033およびPCB052の両方に接続される。PCB052は、コネクタ054のいずれかの側に配置されてもよく、本開示の実施例において、PCB052と第2リード部033がコネクタ054の同一側に配置されることを例にとる。
(8)図17は、本開示の実施例による別のアレイ基板における部分構造の概略展開図であり、図17に示されたように、図10を基本として、制御回路05は、端子(LEAD)055を含む。ここで、端子055は、第2リード部033のベース基板01から離れた側に配置され、且つ第2リード部033およびPCB052の両方に接続される。PCB052は、端子055のいずれかの側に配置されてもよく、本開示の実施例において、PCB052と第2リード部033が端子055の同一側に配置されることを例にとる。
いくつかの実施例において、制御回路05がどのように実現されても、本開示の実施例によるアレイ基板は、ベース基板01と制御回路05との間に配置された接着剤(例えば図1の接着剤07)をさらに含み得る。当該接着剤の作用下で、制御回路05がベース基板01に効果的に固定されることができ、これにより、アレイ基板の安定性が保証される。当該接着剤は、ラバー接着剤であってもよい。例示的に、制御回路05がPCBを含む場合、上記接着剤は、PCBとベース基板との接着に用いられる。制御回路がPCBを含まない場合、上記接着剤は、FPCとベース基板との接着に用いられる。
さらに、図1に示されたように、本開示の実施例によるアレイ基板は、ベース基板01と折り曲げ部022との間に配置された第1スペーサー構造08をさらに含み得る。当該第1スペーサー構造08は、折り曲げ部022の破断を防止するために、折り曲げ部022を支持することができる。
いくつかの実施例において、当該第1スペーサー構造08の材質は、例えば粘着性を有する材質や粘着性を有しない材質などの任意の材質であってもよい。第1スペーサー構造08が粘着性を有する場合、第1スペーサー構造08は、アレイ基板の安定性を向上させるために、折り曲げ部022を支持するだけでなく、折り曲げ部022をベース基板01に固定することもできる。
いくつかの実施例において、本開示の実施例によるアレイ基板において、第1スペーサー構造のベース基板から離れた表面は、弧面を含み得る。弧面は、当該第1スペーサー構造の折り曲げ部に対する支持効果を高めることができる。例示的に、当該第1スペーサー構造の形状は様々であり、以下、第1スペーサー構造の4種類の形状を例に説明する。
(1)図18は、本開示の実施例による第1スペーサー構造の概略図であり(図18ではワイヤー構造を図示せず)、図18に示されたように、第1スペーサー構造08のベース基板01から離れた表面は、半円弧面である。そして、ベース基板01と第1スペーサー構造08の配置方向Z1において、第1スペーサー構造08の最大長さZ2は、当該半円弧面の半径Rより大きい。
(2)図19は、本開示の実施例による別の第1スペーサー構造の概略図であり(図19ではワイヤー構造を図示せず)、図19に示されたように、図18を基本として、アレイ基板は、ベース基板01と第2平面部022との間に配置された第2スペーサー構造09をさらに含み、第2スペーサー構造09は、第1スペーサー構造08に接続される。このとき、第1スペーサー構造08及び第2スペーサー構造09からなる全体とベース基板01との接触面積が大きいので、アレイ基板の安定性がよく、且つ容易に組み立てられる。いくつかの実施例において、第1スペーサー構造08の前記第2スペーサー構造09に近い側は、第3側X3の延在平面上に位置し、第2スペーサー構造09の第1スペーサー構造08に近い側は、第3側X3の延在平面上に位置する。第2側X2と第3側X3との接続部が面取り構造を含む場合、第1スペーサー構造08の第2スペーサー構造09に近い側と第2スペーサー構造09の第1スペーサー構造08に近い側がいずれも第3側X3の面取り構造を除く主体領域が配置された平面の延在平面上に配置されることが理解できる。当該第1スペーサー構造08と第2スペーサー構造09は、一体構造であってもよい。
なお、本開示の実施例は、第2スペーサー構造09の延在長さを限定しない。例示的に、ベース基板の第2側にある構造(例えば図1の接着剤07)を設ける必要がある場合、当該第2スペーサー構造09は、当該構造の位置まで延長し、且つベース基板と当該構造との間に配置されてもよく、または、第2スペーサー構造09は、当該構造の位置を超えて延長し、且つベース基板と当該構造との間に配置されてもよく、または、第2スペーサー構造09は、当該構造の位置まで延長しなくてもよく、このとき、当該第2スペーサー構造09と当該構造は、ベース基板の第2側に並んで配置される。
(3)図20は、本開示の実施例による別の第1スペーサー構造の概略図であり(図20ではワイヤー構造を図示せず)、図20に示されたように、第1スペーサー構造08のベース基板01から離れた表面は、順次に接続された第1弧面、平面、および第2弧面を含み、第1弧面の半径R1は、第2弧面の半径R2に等しい。
(4)図21は、本開示の実施例による別の第1スペーサー構造の概略図であり(図21ではワイヤー構造を図示せず)、図21に示されたように、図20を基本として、アレイ基板は、第2スペーサー構造09をさらに含み、図21の第2スペーサー構造09について、図19の第2スペーサー構造09を参照し、本開示の実施例では、説明を省略する。
(5)図22は、本開示の実施例による別の第1スペーサー構造の概略図であり(図22ではワイヤー構造を図示せず)、図22に示されたように、第1スペーサー構造08のベース基板01から離れた表面は、順次に接続されたn個の第1弧面、平面、およびn個の第2弧面を含み、n>1であり、n個の第1弧面の半径は、互いに異なり、i番目の第1弧面の半径は、(n-i+1)番目の第2弧面の半径に等しく、1≦i≦nである。図22では、n=2であることを例にとって、このとき、第1スペーサー構造08は、2つの第1弧面および2つの第2弧面を有し、1番目の第1弧面の半径R11は、2番目の第2弧面の半径R22に等しく、2番目の第1弧面の半径R12は、1番目の第2弧面の半径R21に等しい。
(6)図23は、本開示の実施例によるまた別の第1スペーサー構造の概略図であり(図23ではワイヤー構造を図示せず)、図23に示されたように、n=3であり、第1スペーサー構造08は、3つの第1弧面および2つの第2弧面を有し、1番目の第1弧面の半径R11は、3番目の第2弧面の半径R23に等しく、2番目の第1弧面の半径R12は、2番目の第2弧面の半径R22に等しく、3番目の第1弧面の半径R13は、1番目の第2弧面の半径R21に等しい。
(7)図24は、本開示の実施例によるさらに別の第1スペーサー構造の概略図であり(図24ではワイヤー構造を図示せず)、図24に示されたように、図22を基本として、アレイ基板は、第2スペーサー構造09をさらに含み、図24の第2スペーサー構造09について、図19の第2スペーサー構造09を参照し、本開示の実施例では、説明を省略する。
(8)図25は、本開示の実施例による別の第1スペーサー構造の概略図であり(図25ではワイヤー構造を図示せず)、図25に示されたように、図23を基本として、アレイ基板は、第2スペーサー構造09をさらに含み、図25の第2スペーサー構造09について、図19の第2スペーサー構造09を参照し、本開示の実施例では、説明を省略する。
さらに、図26は、本開示の実施例による別のアレイ基板の概略構造図であり、図26に示されたように、図1を基本として、当該アレイ基板は、ベース基板01と第2平面部023との間に配置されたバインディング基板10をさらに含む。いくつかの実施例において、ベース基板01の材質は、バインディング基板10の材質と同じであってもよく、ベース基板01の厚さは、バインディング基板10の厚さと同じである。当該ベース基板01は、第2平面部を支持するために使用されてもよく。なお、図26に示されたアレイ基板は、上記スペーサー構造(例えば第1スペーサー構造および第2スペーサー構造)を含んでもよく、スペーサー構造を含まなくてもよく、図26ではスペーサー構造を図示しない。
いくつかの実施例において、アレイ基板は、ベース基板と第1平面部との間に配置された光反射層をさらに含む。例示的に、図27は、本開示の実施例による別のアレイ基板の概略構造図であり、図27に示されたように、図1を基本として、アレイ基板は、光反射層11をさらに含む。いくつかの実施例において、当該光反射層11と折り曲げ部022との間隔は、0より大きい。
またいくつかの実施例において、図28は、本開示の実施例による別のアレイ基板の概略構造図であり、図28に示されたように、図26を基本として、アレイ基板は、光反射層11をさらに含む。当該光反射層11は、ベース基板01と第1平面部021との間に配置された第1光反射部分111と、バインディング基板10と第2平面部023との間に配置された第2光反射部分112と、を含む。いくつかの実施例において、当該第1光反射部分111と折り曲げ部022との間隔は、0より大きく、当該第2光反射部分112と折り曲げ部022との間隔も、0より大きい。
以上から、本開示の実施例によるアレイ基板において、有機材料層とリード構造をベース基板の第2側に折り曲げることにより、リード構造をLED層が配置された側(第1側)の反対側(第2側)で制御回路にバインディングする。この結果、LED層が配置された側(第1側)でリード構造と制御回路をバインディングすることにより、アレイ基板の枠が広くなるという問題が回避される。複数の表示基板を接合する場合、表示基板間のスリットを効果的に小さくすることができる。
本開示の実施例は、表示装置を提供する。当該表示装置は、本開示の実施例によるいずれかのアレイ基板を含み得る。いくつかの実施例において、当該表示装置は、本開示の実施例によるアレイ基板に1対1で対応するカバーを含んでもよく、各カバーは、対応するアレイ基板におけるLED層のベース基板から離れた側に配置される。
例示的に、当該表示装置は、電子ペーパー、携帯電話、タブレットコンピュータ、テレビ、ディスプレイ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲーションなど、表示機能を備えたあらゆる製品または部品であってもよい。
いくつかの実施例において、図29は、本開示の実施例による表示装置の概略構造図であり、図29に示されたように、当該表示装置20は、互いに接合された複数のアレイ基板0を含み得る。本開示の実施例によるアレイ基板の枠が狭いので、本開示の実施例によるアレイ基板0の枠が狭く、接合された複数のアレイ基板0を含む表示装置20において、各アレイ基板間のスリットが狭い。第1方向(例えば図29の鉛直方向)に沿って配置された複数のアレイ基板0のうちの任意の隣接する2つのアレイ基板0において、第1方向に最も近い2つのLEDの距離は、Q1であり、各アレイ基板0における第1方向に沿って配置された2つのLEDの間隔は、いずれもP1であり、P1=Q1である。第2方向(例えば図29の水平方向)に沿って配置された複数のアレイ基板0のうちの任意の隣接する2つのアレイ基板0において、第2方向に最も近い2つのLEDの距離は、Q2であり、各アレイ基板0における第2方向に沿って配置された2つのLEDの間隔は、いずれもP2であり、P2=Q2であることが理解できる。このようにすると、表示装置20が画面を表示しているとき、視聴者が、隣接するアレイ基板の枠の存在に気付くことは困難であり、すなわち、各アレイ基板の接合によって生じたスリットを見ることは困難または不可能である。
いくつかの実施例において、表示装置20は、複数のアレイ基板0の非表示側に配置されたフレームブラケット(図29では図示せず)を含んでもよく、当該表示装置における複数のアレイ基板0は、機械的な力、接着力、磁力などによって当該フレームブラケットに固定される(例えばアレイ基板におけるベース基板の第2側がブラケットに接続される)ことにより、複数のアレイ基板0が接合されて表示装置を形成することができる。
いくつかの実施例において、各アレイ基板におけるLED層は、第1平面部に配置された複数のLEDを含み、複数のLEDのうちの任意の2つのLEDの中心間の距離は、Pであり、表示装置における任意の2つの隣接するアレイ基板において、最も近い2つのLEDの中心間の距離は、Qであり、P=Qである。いくつかの実施例において、当該表示装置における任意の2つの隣接するアレイ基板の間隔は、0以上である。
例示的に、図30、図31、図32、図33および図34は、本開示の実施例による5種類の表示装置における任意の2つのアレイ基板の接合部の概略図である。ここで、図30、図31、図32、図33では、隣接するアレイ基板の間隔が0より大きいことを例にとって、図34では、隣接するアレイ基板の間隔が0に等しいことを例にとる。図30のスペーサー構造について、図18を参照し、図31のスペーサー構造について、図21を参照し、図32のスペーサー構造について、図24を参照し、図33のスペーサー構造について、図25を参照し、図34のスペーサー構造について、図19を参照する。
なお、表示装置において隣接するアレイ基板の間隔が0より大きい場合、複数のアレイ基板を接合する場合の難易度は低い。アレイ基板において第1スペーサー構造のベース基板および第1スペーサー構造の配置方向における長さが小さいほど、表示装置において隣接するアレイ基板の間隔が大きく、複数のアレイ基板を接合する難易度が低い。したがって、本開示の実施例において、アレイ基板を接合する難易度に応じて、隣接するアレイ基板の間隔と第1スペーサー構造の上記長さを合理的に設定することができる。
本開示の実施例は、本開示の実施例によるいずれかのアレイ基板を製造するためのアレイ基板の製造方法を提供し、図35に示されたように、当該方法は、以下のステップを含み得る。
ステップ3501において、初期構造を形成し、ここで、初期構造は、ベース基板と、有機材料層と、リード構造と、LED層と、制御回路と、を含み、ベース基板は、対向する第1側と第2側と、第1側と第2側にそれぞれ隣接する第3側とを含み、有機材料層、リード構造およびLED層は、いずれもベース基板の第1側に配置され、且つベース基板から離れた方向に沿って順次に配置され、制御回路とLED層は、同一層に配置され、有機材料層のベース基板が配置された表面上への正射影は、ベース基板のベース基板が配置された表面上への正射影と部分的に重なり、リード構造は、有機材料層のベース基板から離れた側を覆い、且つLED層および制御回路の両方に接続される。
ステップ3502において、有機材料層とリード構造を折り曲げることにより、制御回路をベース基板の第1側からベース基板の第2側に移動させ、ここで、折り曲げられた有機材料層は、順次に接続された第1平面部、折り曲げ部、及び第2平面部を含み、第1平面部は、ベース基板の第1側に配置され、第2平面部は、ベース基板の第2側に配置され、折り曲げ部は、第3側に配置され、折り曲げられたリード構造は、順次に接続された第1リード部、折り曲げリード部、及び第2リード部を含み、第1リード部は、第1平面部のベース基板から離れた側に配置され、且つLED層に接続され、折り曲げリード部は、折り曲げ部のベース基板から離れた側に配置され、第2リード部は、第2平面部のベース基板から離れた側に配置され、且つ制御回路に接続される。
本開示の実施例によるアレイ基板の製造方法が容易に実施され、したがって、大量生産を容易にすることができる。
図36は、本開示の実施例による別のアレイ基板の製造方法のフローチャートであり、図1に示されたアレイ基板を製造するために使用され、図36に示されたように、当該方法は、以下のステップを含み得る。
ステップ3601において、順次に重畳された初期基板、有機材料層、リード構造およびLED層を形成する。
図37に示されたように、有機材料層02の初期基板U1に平行な初期基板が配置された表面U2への正射影は、初期基板U1の初期基板が配置された表面U2上への正射影内にある。リード構造03は、有機材料層02の初期基板U1から離れた側を覆い、且つLED層04に接続される。
一方、ステップ3601において、初期基板に、有機材料層、リード構造およびLED層を順次に形成することができる。
一方、ステップ3601において、まず、1つの基礎基板にフレキシブル膜層(当該フレキシブル膜層が当該基礎基板を部分的に覆うことができる)とリード層を順次に形成してもよい。この後、フレキシブル膜層とリード層が形成された基礎基板を複数の基板ユニットにカットし、各基板ユニットは、基礎基板をカットすることにより得られた初期基板、フレキシブル膜層をカットすることにより得られた有機材料層、およびリード層をカットすることにより得られたリード構造を含む。最後に、物質移動技術により、各基板ユニットのリード構造に複数のLEDを形成することで、各基板ユニットにLED層を形成する。
いくつかの実施例において、ステップ3601の後で、LED層の初期基板から離れた側に黒ゴムをコーティングすることも可能である。黒ゴムは、LED層の表示効果を向上させ、LED層を保護し、LED層の溶接強度を高めることができる。
ステップ3602において、リード構造の初期基板から離れた側で、制御回路をリード構造に接続する。
制御回路05をリード構造03に接続して得られた構造は、図38に示されたようになり、本開示の実施例において、制御回路05がFPC051およびPCB052を含み、リード構造03がFPC051に接続され、FPC051がPCB052に接続されることを例にとる。
ステップ3603において、初期基板の一部領域を除去することにより、ベース基板、有機材料層、リード構造、LED層および制御回路を含む初期構造を得る。
ここで、当該一部領域の初期基板が配置された表面上への正射影は、LED層の初期基板が配置された表面上への正射影外にある。例示的に、初期基板の一部領域を除去した後、初期基板を図39に示されたベース基板01にすることができる。ここで、有機材料層02、リード構造03およびLED層04は、いずれもベース基板01の第1側X1に配置され、ベース基板01から離れた方向に沿って順次に配置され、制御回路05とLED層04は、同一層に配置され、有機材料層02のベース基板01に平行なベース基板が配置された表面U3上への正射影は、ベース基板01のベース基板が配置された表面U3上への正射影と部分的に重なり、リード構造03は、有機材料層02のベース基板01から離れた側を覆い、且つLED層04および制御回路05の両方に接続される。
ステップ3604において、有機材料層とリード構造を折り曲げることにより、制御回路をベース基板の第1側からベース基板の第2側に移動させる。
ここで、図1に示されたように、第2側X2は、第1側X1に対向し、折り曲げられた有機材料層02は、順次に接続された第1平面部021、折り曲げ部022、及び第2平面部023を含み、第1平面部021は、ベース基板01の第1側X1に配置され、折り曲げ部022は、ベース基板022の第1側X1から第2側X2に折り曲げられ、第2平面部023は、ベース基板01の第2側X2に配置され、折り曲げられたリード構造03は、順次に接続された第1リード部031、折り曲げリード部032、及び第2リード部033を含み、第1リード部031は、第1平面部021のベース基板01から離れた側に配置され、且つLED層04に接続され、折り曲げリード部032は、折り曲げ部022のベース基板01から離れた側に配置され、第2リード部033は、第2平面部023のベース基板01から離れた側に配置され、且つ制御回路05に接続される。
いくつかの実施例において、上記ステップ3603は、様々な実施形態で実現され、本開示の実施例では、そのうちの2つの実施形態を例に説明する。
(1)ステップ3603の一実施形態では、図40に示されたように、まず、初期基板U1の有機材料層02から離れた側から初期基板U1の分離待ち領域U4にレーザを照射することにより、当該分離待ち領域U4を有機材料層02から分離させることができる。ここで、上記除去すべき一部領域U5は、当該分離待ち領域U4内に位置し、且つ当該分離待ち領域U4より小さいものであってもよい。この後、図41に示されたように、初期基板U1における当該一部領域U5のエッジをカットすることができる。最後に、図42に示されたように、当該一部領域U5を剥離すればよい。
いくつかの実施例において、作製されたベース基板が折り曲げ部に近い面取り構造を有する場合、初期基板U1における当該一部領域U5のエッジをカットする過程で当該面取り構造を形成することができる。
(2)ステップ3603の別の実施形態では、初期基板上に有機材料層を形成する前に、図43に示されたように、初期基板U1上に光反射層11を形成することができる。当該光反射層11の初期基板が配置された表面U2上への正射影は、初期基板における除去すべき上記一部領域U5の初期基板が配置された表面U2上への正射影外にある。いくつかの実施例において、当該光反射層11の初期基板が配置された表面U2上への正射影と一部領域U5の初期基板が配置された表面U2上への正射影との間に、間隔があってもよい。
ステップ3603において、図44に示されたように、まず、初期基板U1の光反射層11から離れた側から初期基板U1にレーザを照射することにより、初期基板U1におけるレーザが照射された領域(上記一部領域U5を含み)を有機材料層02から分離させることができる。反射層11がレーザを反射し(例えばレーザに対する反射率が80%または90%などより大きくてもよい)、レーザの通過を防ぐことができるので、初期基板U1における光反射層11で覆われた領域が有機材料層02から分離することはない。この後、図45に示されたように、初期基板U1における当該一部領域U5のエッジをカットすることができる。最後に、図46に示されたように、当該一部領域U5を剥離すればよい。
上記実施形態において、ステップ3603で形成された初期構造は、ベース基板と有機材料層との間に配置された光反射層をさらに含む。
このように、第2実現形態では、レーザを照射する際に、光反射層が有機材料層におけるレーザが照射された領域を効果的に定義できるので、レーザを照射する機器からのレーザを設定する必要がなく、レーザの照射精度を1マイクロメートル未満にすることができる。
いくつかの実施例において、作製されたベース基板が折り曲げ部に近い面取り構造を有する場合、初期基板U1における当該一部領域U5のエッジをカットする過程で当該面取り構造を形成することができる。
(3)ステップ3603のさらに別の実施形態では、初期基板上に有機材料層を形成する前に、図47に示されたように、初期基板U1上に解離層12を形成することができる。初期基板U1における除去すべき一部領域U5の初期基板が配置された表面U2上への正射影は、解離層12の初期基板が配置された表面U2上への正射影内にあり、解離層12と有機材料層02との間の粘度は、初期基板U1と有機材料層02との間の粘度より小さい。例示的に、当該解離層12の材質は、ポリイミド系材料又は変性紫外(UV)低粘度接着剤などの材料を含み得る。いくつかの実施例において、当該一部領域U5の初期基板が配置された表面U2上への正射影の面積は、解離層12の初期基板が配置された表面U2上への正射影の面積より小さい。
ステップ3603において、図48に示されたように、まず、初期基板U1における当該一部領域U5のエッジをカットすることができる。この後、図49に示されたように、当該一部領域U5、および解離層11における当該一部領域U5を覆う部分を剥離すればよい。初期基板U1において除去された上記一部領域U5が、初期基板U1において有機材料層02から分離した領域と同じであるので、上記一部領域U5をカットする場合、カット位置を外側に移動させる必要がなく、作製されたアレイ基板の枠をさらに縮小することができる(例えば、約30マイクロメートル縮小する)。このような場合では、作製されたアレイ基板は、当該解離層11における当該一部領域U5を覆わない部分を含み得る。
いくつかの実施例において、作製されたベース基板が折り曲げ部に近い面取り構造を有する場合、初期基板U1における当該一部領域U5のエッジをカットする過程で当該面取り構造を形成することができる。
いくつかの実施例において、作製されたアレイ基板が図26に示されたバインディング基板10を含む必要がある場合、ステップ3603において初期基板における一部領域を除去した後、ベース基板だけでなく、当該バインディング基板も得ることができる。このように、初期基板において、ベース基板とバインディング基板は、それぞれ、当該一部領域の両側に配置される。ステップ3603で得られた初期構造は、ベース基板と間隔を空けて設けられたバインディング基板をさらに含んでもよい。当該有機材料層の両端は、ベース基板およびバインディング基板にそれぞれ結合される。
例示的に、図10に示された制御回路を含むアレイ基板が補助基板10を含む場合、ステップ3603で得られた初期構造は、図50に示されたようになる。図11に示された制御回路を含むアレイ基板が補助基板10を含む場合、ステップ3603で得られた初期構造は、図51に示されたようになる。図12に示された制御回路を含むアレイ基板が補助基板10を含む場合、ステップ3603で得られた初期構造は、図52に示されたようになる。図13に示された制御回路を含むアレイ基板が補助基板10を含む場合、ステップ3603で得られた初期構造は、図53に示されたようになる。図14に示された制御回路を含むアレイ基板が補助基板10を含む場合、ステップ3603で得られた初期構造は、図54に示されたようになる。図15に示された制御回路を含むアレイ基板が補助基板10を含む場合、ステップ3603で得られた初期構造は、図55に示されたようになる。図16に示された制御回路を含むアレイ基板が補助基板10を含む場合、ステップ3603で得られた初期構造は、図56に示されたようになる。図17に示された制御回路を含むアレイ基板が補助基板10を含む場合、ステップ3603で得られた初期構造は、図57に示されたようになる。
いくつかの実施例において、作製されたアレイ基板がスペーサー構造(例えば第1スペーサー構造、または第1スペーサー構造および第2スペーサー構造)を含む必要がある場合、ステップ3604の前に、ベース基板の側面で当該スペーサー構造を組み立てることができる。ステップ3604において、有機材料層を当該スペーサー構造を迂回するようにベース基板の第2側に折り曲げる必要がある。
なお、図面においては、明瞭化のために、層及び領域のサイズが過大化されている可能性がある。そして、要素または層が別の要素または層の「上」にあると呼ばれる場合、それが直接に他の要素の上にあってもよく、または中間の層が存在してもよいことが理解できる。また、要素または層が別の要素または層の「下」にあると呼ばれる場合、それが直接に他の要素の下にあってもよく、または1つ以上の中間の層または要素が存在してもよいことが理解できる。また、層または要素が2つの層または2つの要素の「間」にあると呼ばれる場合、それが2つの層または2つの要素の間の唯一の層であってもよく、または1つ以上の中間層または要素がさらに存在してもよいことが理解できる。本明細書では類似した同様の参照番号は、同様の要素を示す。
本開示では、「第1」および「第2」という用語は、目的を説明するためだけに用いられ、相対的な重要性を示したり暗示したりするものとして理解できない。「複数の」という用語は、特に明記しない限り、2つ以上を指す。
なお、本開示の実施例による方法実施例は、相互に参照可能であり、本開示の実施例は、これを限定しない。本開示の実施例による方法実施例におけるステップの優先順位は、適宜に調整されることができ、ステップは、状況に応じて増減されることもでき、本技術分野に精通している技術者が本開示で開示された技術の範囲内で容易に想到した変化の方法は、本開示の保護範囲内に包含すべきであるので、説明を省略する。
上記は、本出願の選択可能な実施例にすぎず、本出願を限定するものではなく、本出願の精神および原則内でなされた任意の変更、等効な置換、改善などは、本出願の範囲に含まれるものとする。
01 ベース基板
02 有機材料層
03 リード構造
04 LED層
05 制御回路
021 第1平面部
022 折り曲げ部
023 第2平面部
031 第1リード部
032 折り曲げリード部
033 第2リード部

Claims (25)

  1. ベース基板(01)と、有機材料層(02)と、リード構造(03)と、LED層(04)と、制御回路(05)と、を含み、
    前記ベース基板(01)は、対向する第1側と第2側と、前記第1側と前記第2側にそれぞれ隣接する第3側とを含み、
    前記有機材料層(02)は、順次に接続された第1平面部(021)、折り曲げ部(022)、及び第2平面部(023)を含み、前記第1平面部(021)は、前記第1側に配置され、前記第2平面部(023)は、前記第2側に配置され、前記折り曲げ部(022)は、前記第3側に配置され、
    前記リード構造(03)は、順次に接続された第1リード部(031)、折り曲げリード部(032)、及び第2リード部(033)を含み、前記第1リード部(031)は、前記第1平面部(021)の前記ベース基板(01)から離れた側に配置され、前記折り曲げリード部(032)は、前記折り曲げ部(022)の前記ベース基板(01)から離れた側に配置され、前記第2リード部(033)は、前記第2平面部(023)の前記ベース基板(01)から離れた側に配置され、
    前記LED層(04)は、前記第1リード部(031)の前記ベース基板(01)から離れた側に配置され、且つ前記第1リード部(031)に接続され、
    前記制御回路(05)は、前記ベース基板(01)の第2側に配置され、且つ前記第2リード部(033)に接続され、前記制御回路(05)は、発光するように前記LED層(04)を制御するために使用される、
    アレイ基板。
  2. 前記第2側と前記第3側との接続部は、面取り構造(011)を含む、請求項1に記載のアレイ基板。
  3. 前記アレイ基板は、以下の少なくとも1つの条件を満たし、即ち、
    b≧0.6a、
    b<p/2、
    前記LED層(04)は、複数のLED(041)を含み、2aは、前記ベース基板(01)の延在方向における前記複数のLED(041)のいずれかの長さを表し、bは、前記複数のLED(041)のうち前記折り曲げ部(022)に近いLED(041)と前記折り曲げ部(022)との間隔を表し、前記複数のLED(041)のうちの任意の2つのLED(041)の中心間の距離は、Pである、
    請求項1または2に記載のアレイ基板。
  4. 前記折り曲げリード部(032)の表面は、窪み領域を有している、請求項1から3のいずれか1項に記載のアレイ基板。
  5. 前記ベース基板(01)と前記折り曲げ部(022)との間に配置された第1スペーサー構造(08)をさらに含む、請求項1から4のいずれか1項に記載のアレイ基板。
  6. 前記第1スペーサー構造(08)は、粘着性を有する、請求項5に記載のアレイ基板。
  7. 前記第1スペーサー構造(08)の前記ベース基板(01)から離れた表面は、弧面を含む、請求項5または6に記載のアレイ基板。
  8. 前記弧面は、半円弧面であり、前記ベース基板(01)と前記第1スペーサー構造(08)の配置方向において、前記第1スペーサー構造(08)の最大長さは、前記半円弧面の半径より大きい、請求項7に記載のアレイ基板。
  9. 前記第1スペーサー構造(08)の前記ベース基板(01)から離れた表面は、順次に接続されたn個の第1弧面、平面、およびn個の第2弧面を含み、n≧1である、請求項7に記載のアレイ基板。
  10. n=1であり、前記第1弧面の半径は、前記第2弧面の半径に等しい、請求項9に記載のアレイ基板。
  11. n>1であり、n個の第1弧面の半径は、互いに異なり、i番目の第1弧面の半径は、n-i+1番目の第2弧面の半径に等しく、1≦i≦nである、請求項9に記載のアレイ基板。
  12. 前記ベース基板(01)と前記第2平面部(023)との間に配置された第2スペーサー構造(09)をさらに含み、前記第2スペーサー構造(09)は、前記第1スペーサー構造(08)に接続される、請求項5から11のいずれか1項に記載のアレイ基板。
  13. 前記第1スペーサー構造(08)の前記第2スペーサー構造(09)に近い側は、前記第3側の延在平面上に位置し、前記第2スペーサー構造(09)の前記第1スペーサー構造(08)に近い側は、前記第3側の延在平面上に位置する、請求項12に記載のアレイ基板。
  14. 前記ベース基板(01)と前記第2平面部(023)との間に配置されたバインディング基板(10)をさらに含む、請求項1から13のいずれか1項に記載のアレイ基板。
  15. 前記ベース基板(01)の材質は、前記バインディング基板(10)の材質と同じであり、前記ベース基板(01)の厚さは、前記バインディング基板(10)の厚さと同じである、請求項14に記載のアレイ基板。
  16. 前記ベース基板(01)と前記第1平面部(021)との間に配置された光反射層(11)をさらに含む、請求項1から15のいずれか1項に記載のアレイ基板。
  17. 前記光反射層(11)と前記折り曲げ部(022)との間隔は、0より大きい、請求項16に記載のアレイ基板。
  18. 請求項1から17のいずれか1項に記載のアレイ基板を製造するためのアレイ基板の製造方法であって、
    初期構造を形成することと、
    前記有機材料層と前記リード構造を折り曲げることにより、前記制御回路を前記ベース基板の第1側から前記ベース基板の第2側に移動させることと、
    を含み、
    前記初期構造は、ベース基板と、有機材料層と、リード構造と、LED層と、制御回路と、を含み、前記ベース基板は、対向する第1側と第2側と、前記第1側と前記第2側にそれぞれ隣接する第3側とを含み、前記有機材料層、前記リード構造および前記LED層は、いずれも前記ベース基板の第1側に配置され、且つ前記ベース基板から離れた方向に沿って順次に配置され、前記制御回路と前記LED層は、同一層に配置され、前記有機材料層の前記ベース基板が配置された表面上への正射影は、前記ベース基板の前記ベース基板が配置された表面上への正射影と部分的に重なり、前記リード構造は、前記有機材料層の前記ベース基板から離れた側を覆い、且つ前記LED層および前記制御回路の両方に接続され、
    折り曲げられた前記有機材料層は、順次に接続された第1平面部、折り曲げ部、及び第2平面部を含み、前記第1平面部は、前記ベース基板の第1側に配置され、前記第2平面部は、前記ベース基板の第2側に配置され、前記折り曲げ部は、前記第3側に配置され、折り曲げられた前記リード構造は、順次に接続された第1リード部、折り曲げリード部、及び第2リード部を含み、前記第1リード部は、前記第1平面部の前記ベース基板から離れた側に配置され、且つ前記LED層に接続され、前記折り曲げリード部は、前記折り曲げ部の前記ベース基板から離れた側に配置され、前記第2リード部は、前記第2平面部の前記ベース基板から離れた側に配置され、且つ前記制御回路に接続される、
    アレイ基板の製造方法。
  19. 前記初期構造を形成することは、
    順次に重畳された初期基板、前記有機材料層、前記リード構造および前記LED層を形成することと、
    前記リード構造の前記初期基板から離れた側で、制御回路を前記リード構造に接続することと、
    前記初期基板の一部領域を除去することにより、前記初期構造を得ることと、
    を含み、
    前記有機材料層の前記初期基板が配置された面上への正射影は、前記初期基板の前記初期基板が配置された面上への正射影内にあり、前記リード構造は、前記有機材料層の前記初期基板から離れた側を覆い、且つ前記LED層に接続され、
    前記一部領域の前記初期基板が配置された面上への正射影は、前記LED層の前記初期基板が配置された面上への正射影外にある、
    請求項18に記載の方法。
  20. 前記初期構造は、前記ベース基板と間隔を空けて設けられたバインディング基板をさらに含み、
    前記有機材料層の両端は、前記ベース基板および前記バインディング基板にそれぞれ結合され、前記有機材料層と前記リード構造を折り曲げた後、前記バインディング基板は、前記ベース基板と前記第2平面部との間にある、
    請求項19に記載の方法。
  21. 前記初期構造は、前記ベース基板と前記有機材料層との間に配置された光反射層をさらに含み、
    前記初期構造を形成することは、前記初期基板上に前記有機材料層を形成する前に、前記初期基板上に前記光反射層を形成することをさらに含み、前記光反射層の前記初期基板が配置された面上への正射影は、前記一部領域の前記初期基板が配置された面上への正射影外にあり、
    前記初期基板の一部領域を除去することは、
    前記初期基板の前記光反射層から離れた側からレーザを前記初期基板に照射することにより、前記一部領域を前記有機材料層から分離させることと、
    前記初期基板上の前記一部領域のエッジをカットすることと、
    前記一部領域を剥離することと、
    を含む、
    請求項19または20に記載の方法。
  22. 前記初期構造を形成することは、前記初期基板上に前記有機材料層を形成する前に、前記初期基板上に解離層を形成することをさらに含み、前記一部領域の前記初期基板が配置された面上への正射影は、前記解離層の前記初期基板が配置された面上への正射影内にあり、前記解離層と前記有機材料層との間の粘度は、前記初期基板と前記有機材料層との間の粘度より小さく、
    前記初期基板の一部領域を除去することは、
    前記初期基板上の前記一部領域のエッジをカットすることと、
    前記一部領域、および前記解離層における前記一部領域を覆う部分を剥離することと、
    を含む、
    請求項19または20に記載の方法。
  23. 請求項1から22のいずれか1項に記載のアレイ基板を含む表示装置。
  24. 互いに接合された複数の前記アレイ基板を含む、請求項23に記載の表示装置。
  25. 前記アレイ基板におけるLED層は、前記第1平面部に配置された複数のLEDを含み、前記複数のLEDのうちの任意の2つのLEDの中心間の距離は、Pであり、
    前記表示装置における任意の2つの隣接する前記アレイ基板において、最も近い2つのLEDの中心間の距離は、Qであり、P=Qである、
    請求項24に記載の表示装置。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113614816B (zh) * 2019-11-08 2023-12-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置
KR20210113480A (ko) * 2020-03-05 2021-09-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111900176A (zh) * 2020-09-08 2020-11-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法以及显示面板
CN113471240A (zh) * 2021-06-30 2021-10-01 上海天马微电子有限公司 发光模组及其制备方法、显示装置
TWI824277B (zh) * 2021-08-06 2023-12-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
CN117501334A (zh) * 2022-05-31 2024-02-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示模组和显示装置

Family Cites Families (107)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4074099B2 (ja) 2002-02-04 2008-04-09 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 平面表示装置およびその製造方法
JP2005062400A (ja) 2003-08-11 2005-03-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 平面表示装置およびその製造方法
KR100530749B1 (ko) 2003-12-09 2005-11-23 삼성테크윈 주식회사 연성회로기판
US9071809B2 (en) * 2008-01-04 2015-06-30 Nanolumens Acquisition, Inc. Mobile, personsize display system and method of use
US8576209B2 (en) * 2009-07-07 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP5841638B2 (ja) * 2012-09-28 2016-01-13 シャープ株式会社 液晶表示装置及び表示装置
CN103022079B (zh) 2012-12-12 2015-05-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、有机发光二极管显示装置
US8921839B2 (en) 2013-03-12 2014-12-30 Sharp Laboratories Of America, Inc. Light emitting device with spherical back mirror
KR102077525B1 (ko) * 2013-07-30 2020-02-14 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조 방법
KR102144378B1 (ko) 2013-08-27 2020-08-13 삼성전자주식회사 칩 온 필름 패키지 및 이를 포함하는 표시 장치
US9349758B2 (en) * 2014-09-30 2016-05-24 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with divided power lines and manufacturing method for the same
US9425418B2 (en) * 2014-09-30 2016-08-23 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with bend stress reduction member and manufacturing method for the same
US20160105950A1 (en) * 2014-10-10 2016-04-14 Apple Inc. Electronic Device Having Structured Flexible Substrates With Bends
CN104317080A (zh) 2014-10-31 2015-01-28 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其制作方法
US9627463B2 (en) 2014-11-28 2017-04-18 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with space reducing wire configuration
US9356087B1 (en) * 2014-12-10 2016-05-31 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with bridged wire traces
US20160172428A1 (en) 2014-12-11 2016-06-16 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with corrosion resistant printed circuit film
US9780157B2 (en) * 2014-12-23 2017-10-03 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with gate-in-panel circuit
US9287329B1 (en) * 2014-12-30 2016-03-15 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with chamfered polarization layer
KR102274142B1 (ko) * 2015-03-10 2021-07-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 휴대용 단말기
JP6404158B2 (ja) 2015-03-30 2018-10-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
WO2016167354A1 (ja) 2015-04-16 2016-10-20 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置
KR102463838B1 (ko) 2015-08-24 2022-11-04 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치와 이의 제조 방법
CN105304679B (zh) 2015-09-29 2018-03-16 京东方科技集团股份有限公司 一种底发光型oled显示面板
JP6918452B2 (ja) 2015-09-30 2021-08-11 大日本印刷株式会社 発光素子用基板及びモジュール
KR102394723B1 (ko) * 2015-09-30 2022-05-09 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102454152B1 (ko) 2015-10-23 2022-10-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6423781B2 (ja) * 2015-11-20 2018-11-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6396879B2 (ja) 2015-11-20 2018-09-26 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102611499B1 (ko) * 2015-12-15 2023-12-06 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
JP6727843B2 (ja) * 2016-02-25 2020-07-22 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102652604B1 (ko) * 2016-06-08 2024-04-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102555407B1 (ko) 2016-06-30 2023-07-14 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치
KR102563284B1 (ko) * 2016-07-13 2023-08-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US10430000B2 (en) * 2016-08-05 2019-10-01 Innolux Corporation Touch display device
KR102611214B1 (ko) * 2016-08-30 2023-12-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20180032719A (ko) * 2016-09-22 2018-04-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2018049193A (ja) * 2016-09-23 2018-03-29 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102628024B1 (ko) 2016-10-07 2024-01-22 삼성디스플레이 주식회사 폴더블 표시 장치
KR102631989B1 (ko) * 2016-10-31 2024-01-31 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102593828B1 (ko) * 2016-11-02 2023-10-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102655241B1 (ko) * 2016-11-02 2024-04-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2018081258A (ja) * 2016-11-18 2018-05-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示パネル及び表示装置
CN106782091B (zh) 2016-12-19 2019-06-04 上海天马微电子有限公司 柔性显示面板及其制造方法、显示设备和便携式终端
KR20180073352A (ko) * 2016-12-22 2018-07-02 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102582059B1 (ko) * 2016-12-30 2023-09-21 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치
KR102329830B1 (ko) * 2017-01-10 2021-11-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN106653777B (zh) * 2017-03-22 2020-05-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法
KR102432386B1 (ko) * 2017-07-12 2022-08-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10649267B2 (en) 2017-07-19 2020-05-12 Innolux Corporation Display device and manufacturing method thereof
KR102336569B1 (ko) * 2017-07-31 2021-12-06 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치와 이를 포함하는 멀티 스크린 디스플레이 장치
KR20190014273A (ko) * 2017-07-31 2019-02-12 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
US20190051858A1 (en) 2017-08-10 2019-02-14 Japan Display Inc. Display device
CN107491221B (zh) * 2017-08-31 2023-08-22 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制备方法、显示装置
CN107403590B (zh) 2017-08-31 2021-04-13 上海天马微电子有限公司 可折叠显示装置
WO2019058501A1 (ja) * 2017-09-22 2019-03-28 シャープ株式会社 表示デバイス、及び、表示デバイスの製造方法
KR102400712B1 (ko) * 2017-10-12 2022-05-23 삼성전자주식회사 벤딩 영역을 포함하는 디스플레이 및 이를 포함하는 전자 장치
CN109755256B (zh) * 2017-11-01 2022-01-11 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板及制备方法、柔性显示装置
CN108039420B (zh) 2017-12-06 2020-11-24 合肥鑫晟光电科技有限公司 衬底及其制备方法、有机发光二极管显示器件
KR102510459B1 (ko) * 2017-12-12 2023-03-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN108054142B (zh) * 2017-12-14 2021-01-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板的制作方法及显示基板
US10910592B2 (en) * 2017-12-22 2021-02-02 Lg Display Co., Ltd. Flexible electroluminescent display device
KR102457907B1 (ko) * 2017-12-29 2022-10-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN108198842B (zh) * 2017-12-29 2020-10-16 上海天马微电子有限公司 柔性显示装置
US11342521B2 (en) * 2018-01-29 2022-05-24 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for manufacturing display device
CN108231800B (zh) * 2018-02-02 2019-10-29 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及其制备方法、显示装置
KR102511543B1 (ko) * 2018-03-09 2023-03-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110308579B (zh) 2018-03-22 2022-04-12 上海和辉光电股份有限公司 一种刚性显示面板及其制作方法
JP2019168642A (ja) * 2018-03-26 2019-10-03 株式会社ジャパンディスプレイ 電気光学装置
US10950685B2 (en) 2018-03-29 2021-03-16 Innolux Corporation Tiled electronic device
CN108492771B (zh) * 2018-04-03 2020-07-07 京东方科技集团股份有限公司 双面显示装置及其控制方法
KR102575557B1 (ko) 2018-04-05 2023-09-06 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 연성회로기판
KR102547854B1 (ko) * 2018-05-04 2023-06-26 삼성디스플레이 주식회사 폴더블 표시 장치 및 폴더블 표시 장치의 제조 방법
CN108681123A (zh) 2018-05-21 2018-10-19 京东方科技集团股份有限公司 液晶显示基板及显示装置
CN208422960U (zh) * 2018-05-31 2019-01-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置
KR102654593B1 (ko) * 2018-06-01 2024-04-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 포함한 전자 장치
CN108877514A (zh) * 2018-06-07 2018-11-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示模组以及电子装置
CN108878483A (zh) 2018-06-22 2018-11-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及电子设备
KR102497285B1 (ko) * 2018-07-03 2023-02-08 삼성디스플레이 주식회사 만입된 형상의 표시부를 포함하는 표시 장치
CN108957878B (zh) * 2018-07-19 2022-03-11 武汉天马微电子有限公司 显示模组及其制备方法和显示装置
KR102568908B1 (ko) * 2018-08-13 2023-08-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 제조하는 방법
CN109148727B (zh) 2018-08-31 2021-01-29 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及制备方法、显示装置
KR102649145B1 (ko) * 2018-09-18 2024-03-21 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN109360828B (zh) * 2018-09-27 2021-01-12 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
KR102598831B1 (ko) * 2018-10-04 2023-11-03 엘지디스플레이 주식회사 스트레처블 표시장치
KR102615116B1 (ko) * 2018-10-10 2023-12-19 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN109494314B (zh) * 2018-10-16 2020-12-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性oled显示面板及其制备方法
KR102558846B1 (ko) * 2018-10-31 2023-07-21 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR102562604B1 (ko) * 2018-11-08 2023-08-01 엘지디스플레이 주식회사 플렉시블 전계발광 표시장치
KR102563783B1 (ko) * 2018-11-13 2023-08-04 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN109559639B (zh) * 2018-11-29 2022-04-05 广州国显科技有限公司 一种显示面板和显示装置
CN109559646A (zh) 2018-11-30 2019-04-02 云谷(固安)科技有限公司 一种显示面板及其弯折方法
CN109585514A (zh) * 2018-12-12 2019-04-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及具有该显示面板的显示装置
CN109671753B (zh) * 2018-12-14 2021-06-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制造方法
CN109658831B (zh) * 2018-12-20 2021-05-04 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110534017B (zh) * 2018-12-26 2021-03-26 友达光电股份有限公司 显示面板
US10892257B2 (en) * 2019-01-21 2021-01-12 Innolux Corporation Foldable display device
CN109917953B (zh) 2019-01-29 2022-04-19 广州国显科技有限公司 一种显示装置及其制备方法
CN210072572U (zh) 2019-05-29 2020-02-14 华为机器有限公司 触控模组、显示装置及终端设备
US11538784B2 (en) * 2019-05-29 2022-12-27 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having cantilever electrode, LED display panel and LED display apparatus having the same
CN110085655B (zh) 2019-05-30 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN110246882B (zh) * 2019-06-24 2021-04-20 昆山国显光电有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法
CN110164901B (zh) * 2019-06-25 2021-10-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
CN110297346B (zh) 2019-06-28 2022-07-12 广州国显科技有限公司 一种显示面板及其制作方法
US11049914B2 (en) * 2019-07-05 2021-06-29 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and manufacturing method thereof
CN110503898A (zh) 2019-08-28 2019-11-26 京东方科技集团股份有限公司 微发光二极管显示面板及制备方法、拼接显示面板、装置
CN113614816B (zh) * 2019-11-08 2023-12-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置

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