TWI824277B - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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TWI824277B TW110129180A TW110129180A TWI824277B TW I824277 B TWI824277 B TW I824277B TW 110129180 A TW110129180 A TW 110129180A TW 110129180 A TW110129180 A TW 110129180A TW I824277 B TWI824277 B TW I824277B
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劉昱廷
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Abstract

一種顯示裝置，包括畫素陣列基板以及電路板。畫素陣列基板具有第一面、相對於第一面的第二面以及連接第一面與第二面的第一側面。多個接合墊位於第一面上。電路板從畫素陣列基板的第一面上方彎折至第二面下方。電路板電性連接接合墊，且包括熱塑性基底。熱塑性基底包括朝向畫素陣列基板的第三面以及相對於第三面的第四面。熱塑性基底包括熱塑成形的第一彎折部。

Description

顯示裝置及其製造方法
本發明是有關於一種顯示裝置及其製造方法。
薄膜覆晶(Chip on Film,COF)封裝是一種積體晶片的封裝技術。具體來說，將積體晶片及其他電子零件封裝於可撓的印刷電路薄膜(flexible printed circuit film)上，藉此形成薄膜覆晶封裝結構。薄膜覆晶封裝結構具有生產快、可撓、配線密度高、重量輕等優點，因此，常被運用於拼接的顯示裝置中。一般而言，拼接的顯示裝置是由許多畫素陣列基板互相拼接而成，這些畫素陣列基板的晶片通常會設置於薄膜覆晶封裝結構中，並從畫素陣列基板的正面彎折至背面。
本發明提供一種顯示裝置，能改善電路板凸出畫素陣列基板側邊的問題。
本發明提供一種顯示裝置的製造方法，能改善電路板凸 出畫素陣列基板側邊的問題。
本發明的至少一實施例提供一種顯示裝置。顯示裝置包括畫素陣列基板以及電路板。畫素陣列基板具有第一面、相對於第一面的第二面以及連接第一面與第二面的第一側面。多個接合墊位於第一面上。電路板電性連接接合墊，且從畫素陣列基板的第一面上方彎折至第二面下方。電路板包括熱塑性基底。熱塑性基底包括朝向畫素陣列基板的第三面以及相對於第三面的第四面。熱塑性基底包括熱塑成形的第一彎折部。
本發明的至少一實施例提供一種顯示裝置的製造方法。顯示裝置的製造方法包括下列步驟：提供畫素陣列基板，畫素陣列基板具有第一面、相對於第一面的第二面以及連接第一面與第二面的第一側面，其中多個接合墊位於第一面上。提供電路板，其中電路板包括熱塑性基底。加熱熱塑性基底，以於熱塑性基底中形成熱塑成形的第一彎折部。電性連接電路板至接合墊。
1,2,3:顯示裝置
10,10a,10b,10c:電路板
20,20a,20b:晶片封裝結構
30,30’,30a,30b:畫素陣列基板
40:系統板
31,103:第一面
32,104:第二面
33:第一側面
100:熱塑性基底
105:第一側面
110:第一導電圖案
112:第一抗氧化層
120:第二導電圖案
122:第二抗氧化層
130:導電孔
140:第一保護層
142,144,152,154:側面
150:第二保護層
200:基底
210:電路
212導電保護層
220:絕緣層
230:導通孔
240:晶片
400:基底
410:第一電路
412:抗氧化層
420:第二電路
430:導通孔
440:第一保護層
450:第二保護層
460:塑膠蓋板
510:液晶層
520:封裝膠
530:濾光元件基板
540:背光模組
542,TSS:第二側面
a-a’:線
BT1:第一彎折部
BT2:第二彎折部
CS1:第一導電接合結構
CS2:第二導電接合結構
D1,D2:水平間距
ED:發光元件
L:長軸方向
H:熱壓頭
P:接合墊
S:短軸方向
T1,T2:厚度
TS,TS’:拼接載板
V:通孔
VD1,VD2:垂直距離
X1,X2:彎折角度
圖1A至圖5A是依照本發明的一實施例的一種電路板的製造方法的上視示意圖。
圖1B至圖5B分別是圖1A至圖5A的線a-a’的剖面示意圖。
圖6至圖8A是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。
圖8B是圖8A的顯示裝置的上視示意圖。
圖9是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。
圖10是依照本發明的一實施例的一種電路板的剖面示意圖。
圖11至圖13是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。
圖14是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。
圖15是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。
圖1A至圖5A是依照本發明的一實施例的一種電路板的製造方法的上視示意圖。圖1B至圖5B分別是圖1A至圖5A的線a-a’的剖面示意圖。
請參考圖1A與圖1B，形成熱塑性基底100。熱塑性基底100的厚度T1例如為25微米至50微米。在本實施例中，熱塑性基底100包括液晶聚合物基底。一般而言，液晶聚合物(Liquid Crystal Polymer,LCP)依照耐熱性可以分為第一類型(TYPE I)、第二類型(TYPE II)以及第三類型(TYPE III)。在一些較佳的實施例中，熱塑性基底100選用第三類型之液晶聚合物，且玻璃轉移溫度為145℃至165℃。
在一些實施例中，熱塑性基底100包含化學式1的液晶聚合物。
Figure 110129180-A0305-02-0007-1
在化學式1中，X、Y、Z為正整數。化學式1的液晶聚合物之熱變形溫度(Heat Deflection Temperature,HDT)小於230℃，且熔點約為240℃。
在一些實施例中，熱塑性基底100中的液晶分子具有長軸方向L以及短軸方向S。在一些實施例中，熱塑性基底100中的液晶分子長軸方向L彼此平行(或偏差角度小於90度)。
請繼續參考圖1A與圖1B，熱塑性基底100包括第一面103以及相對於第一面103的第二面104。
形成第一導電圖案110於熱塑性基底100的第一面103上。舉例來說，將導電薄膜(例如銅箔)壓合於熱塑性基底100的第一面103上。接著蝕刻前述導電薄膜，以形成第一導電圖案110。然而，本發明不以此為限。第一導電圖案110亦可以電鍍、化學鍍、濺鍍或其他方式沉積於熱塑性基底100上。在一些實施例中，第一導電圖案110與熱塑性基底100之間還包括其他黏著材料，但本發明不以此為限。
形成第二導電圖案120於熱塑性基底100的第二面104上。舉例來說，將導電薄膜(例如銅箔)壓合於熱塑性基底100 的第二面104上。接著蝕刻前述導電薄膜，以形成第二導電圖案120。然而，本發明不以此為限。第二導電圖案120亦可以電鍍、化學鍍、濺鍍或其他方式沉積於熱塑性基底100上。在一些實施例中，第二導電圖案120與熱塑性基底100之間還包括其他黏著材料，但本發明不以此為限。
在一些實施例中，第一導電圖案110與第二導電圖案120為壓延銅箔，且厚度為12微米至18微米，但本發明不以此為限。
請參考圖2A與圖2B，於熱塑性基底100中形成多個通孔V。通孔V貫穿熱塑性基底100。在一些實施例中，形成通孔V的方式包括雷射、鑽孔或其他合適的方式。
請參考圖3A與圖3B，於通孔V中形成導電材料，以形成多個導電孔130。導電孔130電性連接第一導電圖案110至第二導電圖案120。在一些實施例中，於通孔V中形成導電材料的方法包括電鍍、化學鍍或其他合適的方法。
請參考圖4A與圖4B，形成第一保護層140於第一導電圖案110上。第一保護層140不完全覆蓋熱塑性基底100的第一面103以及第一導電圖案110。於第一保護層140所暴露之第一導電圖案110上形成第一抗氧化層112。舉例來說，第一保護層140暴露第一導電圖案110之接墊，且第一抗氧化層112形成於第一導電圖案110之接墊上。
形成第二保護層150於第二導電圖案120上。第二保護層150不完全覆蓋熱塑性基底100的第二面104以及第二導電圖 案120。於第二保護層150所暴露之第二導電圖案120上形成第二抗氧化層122。舉例來說，第二保護層150暴露第二導電圖案120之接墊，且第二抗氧化層122形成於第二導電圖案120之接墊上。
在一些實施例中，第一保護層140與第二保護層150可以提升電路板的挺性(Stiffness)，並減少電路板的皺褶。第一保護層140與第二保護層150例如為防焊油墨(Solder Resist Ink,SR)。在一些實施例中，第一保護層140與第二保護層150的厚度為15微米至20微米。
在一些實施例中，第一抗氧化層112與第二抗氧化層122例如各自包括金、鈀、鎳/金的堆疊層或其他可以避免第一導電圖案110與第二導電圖案120氧化的材料。在一些實施例中，第一抗氧化層112與第二抗氧化層122各自為電鍍金層與電鍍鎳層的堆疊層，其中電鍍金層的厚度為0.03微米至0.19微米，且電鍍鎳層的厚度為2微米至6微米。
在一些實施例中，在其中一側之第一保護層140的側面142與第二保護層150的側面152之間的水平間距D1大於或等於500微米。在另一側之第一保護層140的側面144與第二保護層150的側面154之間的水平間距D2大於或等於500微米。藉由使水平間距D1以及水平間距D2大於或等於500微米，能避免第一導電圖案110與第二導電圖案120在彎曲時因為應力集中而斷線。
在本實施例中，電路板10包括熱塑性基底100、第一導電圖案110、第二導電圖案120、導電孔130、第一保護層140、 第二保護層150、第一抗氧化層112以及第二抗氧化層122。
請參考圖5A與圖5B，提供晶片封裝結構20於電路板10上。在本實施例中，由於電路板10為雙面電路板，因此不需要額外的翻轉步驟就可以將晶片封裝結構20接合至電路板10。
晶片封裝結構20例如為薄膜覆晶(Chip on Film,COF)封裝結構、玻璃覆晶(Chip On Glass,COG)封裝結構、膠帶載具封裝結構(Tape Carrier Package,TCP)或其他形式的晶片封裝結構。在本實施例中，晶片封裝結構20包括基底200、電路210、絕緣層220以及至少一個晶片240。
基底200例如為聚亞醯胺(Polyamide,PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate,PET)、液晶聚合物、玻璃、或其他合適的基板。基底200可以為單層或多層結構。
電路210形成於基底200上。舉例來說，將導電薄膜(例如銅箔)壓合於基底200。接著蝕刻前述導電薄膜，以形成電路210。然而，本發明不以此為限。電路210亦可以電鍍、化學鍍、濺鍍或其他方式沉積於基底200上。在一些實施例中，電路210與基底200之間還包括其他黏著材料，但本發明不以此為限。在一些實施例中，形成其他電路(未繪出)於基底200相對於電路210的另一側，以獲得雙面電路板。
絕緣層220形成於電路210上。絕緣層220例如為防焊油墨或其他合適的絕緣層。於絕緣層220所暴露之電路210上形導電保護層212。舉例來說，絕緣層220暴露電路210之接墊，且 導電保護層212形成於電路210之接墊上。在一些實施例中，導電保護層212為錫層或其他適用於保護電路210之接墊的材料。
晶片240位於絕緣層220上，且透過貫穿絕緣層220的導通孔230而電性連接至電路210。在一些實施例中，晶片封裝結構20包括一個以上的晶片。
將晶片封裝結構20電性連接至第二導電圖案120。在本實施例中，晶片封裝結構20透過第一導電接合結構CS1而電性連接至第二導電圖案120。第一導電接合結構CS1例如為異方性導電膠(Anisotropic Conductive Film,ACF)、焊料或其他合適的材料。
圖6至圖8A是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。圖8B是圖8A的顯示裝置的上視示意圖。
請參考圖6，提供畫素陣列基板30。畫素陣列基板30例如包括主動元件陣列(未繪出)。畫素陣列基板30具有第一面31、相對於第一面31的第二面32以及連接第一面31與第二面32的第一側面33。在一些實施例中，畫素陣列基板30的基底厚度T2(例如玻璃基底的厚度)例如為0.1微米至0.7微米。
在本實施例中，畫素陣列基板30包括陣列的發光元件ED。發光元件ED位於畫素陣列基板30的第一面31或第二面32。發光元件ED例如包括不同顏色的發光元件。發光元件ED例如為微型發光二極體，且畫素陣列基板30適用於微型發光二極體顯示裝置，但本發明不以此為限。在其他實施例中，畫素陣列基板適 用於液晶顯示裝置、有機發光二極體顯示裝置或其他類型的顯示裝置。
多個接合墊P位於畫素陣列基板30的第一面31上。將電路板10電性連接至接合墊P。在本實施例中，電路板10透過第二導電接合結構CS2而電性連接至接合墊P。第二導電接合結構CS2例如為異方性導電膠、焊料或其他合適的材料。
在一些實施例中，將電路板10電性連接至接合墊P之後，再將晶片封裝結構20電性連接至電路板10。具體地說，將電路板10電性連接至接合墊P之後，在彎折電路板10之前，電路板10的第二導電圖案120朝向上方，此時不需要翻轉電路板10就可以將晶片封裝結構20電性連接至電路板10。
請參考圖7，加熱電路板10的熱塑性基底100，以於熱塑性基底100中形成熱塑成形的第一彎折部BT1。在一些實施例中，第一彎折部BT1使電路板10從畫素陣列基板30的第一面31上方彎折至第一側面33。第一彎折部BT1使熱塑性基底100朝向畫素陣列基板30的第一面103出現彎折角度X1。彎折角度X1例如為90度至135度。在一些實施例中，熱塑性基底100的第一彎折部BT1的楊氏模量為3GPa至5GPa。
舉例來說，電路板10電性連接至接合墊P之後，將電路板10自畫素陣列基板30的第一面31上方彎折至第一側面33。接著，以熱壓頭H加熱熱塑性基底100。在一些實施例中，熱塑性基底100選用第三類型之液晶聚合物，且熱壓頭H的溫度為100 ℃至400℃。接著，冷卻熱塑性基底100。在本實施例中，由於第一彎折部BT1是熱塑成形的，因此，可以避免電路板10往遠離畫素陣列基板30的方向凸出(回彈)的問題。藉此減少電路板10的外表面與畫素陣列基板30的第一側面33之間的垂直距離VD2(繪示於圖8A)。在一些實施例中，在將熱壓頭H移開之後，電路板10仍然直接接觸畫素陣列基板30的第一側面33。在一些實施例中，電路板10的外表面與畫素陣列基板30的第一側面33之間的垂直距離VD2小於或等於100微米。
在一些實施例中，由於改善了電路板10回彈的問題。因此，即使縮小了電路板10與接墊P之間的重疊面積，電路板10與接墊P之間的電連接不會因為回彈的問題而斷開。在一些實施例中，電路板10之側面105(即熱塑性基底連接第一面103與第二面104之側面105)位於畫素陣列基板30的第一面31上方，且電路板10之側面105與畫素陣列基板30的第一側面33之間的垂直距離VD1小於或等於100微米。
另外，由於改善了電路板10回彈的問題，即使縮減了畫素陣列基板30的基底厚度T2(例如玻璃基底的厚度)，畫素陣列基板30也不會因為電路板10回彈而破裂。
在一些實施例中，熱塑性基底100包括液晶聚合物基底，且液晶聚合物基底包括多個液晶分子。所述液晶分子的長軸方向L(請參考圖1A)平行於第一彎折部BT1的彎折方向。因此，能進一步避免電路板10往遠離畫素陣列基板30的方向凸出(回彈) 的問題。
在本實施例中，電路板10的第一保護層140以及第二保護層150分離於熱塑性基底100的第一彎折部BT1，因此，能避免第一保護層140以及第二保護層150因為彎折而出現破損的問題。
在本實施例中，在形成第一彎折部BT1的同時，第一導電圖案110以及第一抗氧化層112亦會產生彎折。在本實施例中，電路板10的第一抗氧化層112接觸畫素陣列基板30的第一側面33，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第一導電圖案110表面未形成第一抗氧化層112，且第一導電圖案110接觸畫素陣列基板30的第一側面33。
接著請參考圖8A與圖8B，彎折電路板10以於熱塑性基底100中形成第二彎折部BT2。第二彎折部BT2使熱塑性基底100自畫素陣列基板30的第一側面33彎折至第二面32下方。
在本實施例中，第二彎折部BT2並未藉由加熱塑形，且第一彎折部BT1的彎折角度X1小於第二彎折部BT2的彎折角度X2或第二彎折部BT2包括弧面。
在一些實施例中，將畫素陣列基板30固定於拼接載板TS上，並將畫素陣列基板30以及拼接載板TS與其他的畫素陣列基板30’以及拼接載板TS’拼接在一起。在本實施例中，由於熱塑性基底100具有熱塑成形的第一彎折部BT1，電路板10與畫素陣列基板30的第一側面33之間的間隙可以減少，藉此縮減畫素陣列 基板30與其他的畫素陣列基板30’之間的間距。基於上述，可以提升拼接顯示裝置所顯示之畫面的連續性，甚至可以獲得無縫拼接的優點。在一些實施例中，電路板10直接接觸畫素陣列基板30的第一側面33以及拼接載板TS的第二側面TSS，但本發明不以此為限。在一些實施例中，電路板10與拼接載板TS的第二側面TSS隔開。
在一些實施例中，將晶片封裝結構20連接至系統板40。至此，顯示裝置1大致完成。系統板40包括基底400、第一電路410、第二電路420、導通孔430、第一保護層440、第二保護層450、抗氧化層412以及塑膠蓋板460。
基底400例如為玻璃纖維板。第一電路410以及第二電路420分別位於基底400的相對兩側。在一些實施例中，藉由電鍍形成第一電路410以及第二電路420。導通孔430位於基底400中，並電性連接第一電路410與第二電路420。
第一保護層440以及第二保護層450分別覆蓋第一電路410與第二電路420。第一保護層440暴露出部分的第一電路410，且抗氧化層412形成於第一電路410被第一保護層440所暴露的部分。抗氧化層412例如包括金、鈀、鎳/金的堆疊層或其他可以避免第一電路410氧化的材料。
塑膠蓋板460將晶片封裝結構20固定於抗氧化層412上。舉例來說，塑膠蓋板460將晶片封裝結構20壓合於抗氧化層412上，並使晶片封裝結構20電性連接至抗氧化層412。
基於上述，電路板10包括熱塑成形的第一彎折部BT1，因此能減少畫素陣列基板30與畫素陣列基板30’之間的間隙。
圖9是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖9的實施例沿用圖6至圖8A的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖9，在本實施例中，顯示裝置2為液晶顯示裝置，且包括電路板10、晶片封裝結構20、畫素陣列基板30a、系統板40、液晶層510、封裝膠520、濾光元件基板530以及背光模組540。
封裝膠520位於畫素陣列基板30a上，且環繞液晶層510。畫素陣列基板30a與濾光元件基板530相對設置，且液晶層510位於畫素陣列基板30a與濾光元件基板530之間。
畫素陣列基板30a具有第一面31、相對於第一面31的第二面32以及連接第一面31與第二面32的第一側面33。多個接合墊P位於第一面31上。電路板10電性連接接合墊P，且從畫素陣列基板30a的第一面31上方彎折至第二面32下方。電路板10包括熱塑性基底100。熱塑性基底100包括朝向畫素陣列基板30a的第一面103以及相對於第一面103的第二面104。熱塑性基底100包括熱塑成形的第一彎折部BT1。在一些實施例中，電路板10直接接觸畫素陣列基板30的第一側面33以及背光模組540的 第二側面542，但本發明不以此為限。在一些實施例中，電路板10與背光模組540的第二側面542隔開。
基於上述，電路板10包括熱塑成形的第一彎折部BT1，因此能減少顯示裝置2的邊框大小。
圖10是依照本發明的一實施例的一種電路板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖9的實施例沿用圖4A和圖4B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖10，在本實施例中，電路板10a的第一保護層140為雙層結構，且包括第一絕緣層140a以及第一黏著層140a。電路板10a的第二保護層150為雙層結構，且包括第二絕緣層150a以及第二黏著層150b。在本實施例中，第一絕緣層140a以及第二絕緣層150a的材料例如包括聚亞醯胺。在一些實施例中，聚亞醯胺具有比防焊油墨更好的挺性與作業性，因此，以聚亞醯胺取代防焊油墨可以提升電路板10a的挺性與作業性。
在一些實施例中，在其中一側之第一保護層140的側面142與第二保護層150的側面152之間的水平間距D1大於或等於500微米。在另一側之第一保護層140的側面144與第二保護層150的側面154之間的水平間距D2大於或等於500微米。藉由使水平間距D1以及水平間距D2大於或等於500微米，能避免第一導電圖案110與第二導電圖案120在彎曲時因為應力集中而斷線。
在本實施例中，電路板10a的第一保護層140以及第二保護層150避開熱塑性基底100預期要彎折的部分(如圖7之第一彎折部BT1)，因此，能避免第一保護層140以及第二保護層150因為彎折而出現破損的問題。
圖11至圖13是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖11至圖13的實施例沿用圖6至圖8A的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖11，將電路板10置於模具M中，並以模具M加熱電路板10的熱塑性基底100，以於熱塑性基底100中形成熱塑成形的第一彎折部BT1。在一些實施例中，以模具M加熱電路板10的熱塑性基底100，並於熱塑性基底100中同時形成第一彎折部BT1以及第二彎折部BT2。第一彎折部BT1的彎折角度X1例如為90度至135度。第二彎折部BT2的彎折角度X2可以相同或不同於第一彎折部BT1的彎折角度X1。在本實施例中，在將電路板10置於模具M中之前，先將晶片封裝結構20連接至電路板10。
在本實施例中，模具M包含第一部分M1以及第二部分M2。第一部分M1具有凹槽，且第二部分M2為對應前述凹槽的凸塊。在一些實施例中，熱塑性基底100選用第三類型之液晶聚 合物，且模具M的溫度為100℃至350℃。
在本實施例中，先將電路板10置於第一部分M1中，接著再將第二部分M2壓入第一部分M1中，以使電路板10彎折成預期的形狀。在一些實施例中，模具M接觸電路板10的其中一個側面105(即熱塑性基底之側面105)。舉例來說，第二部分M2接觸電路板10的側面105，藉此，使電路板10的側面105得以熱塑成形。在一些實施例中，在將電路板10置於模具M之前，側面105為平面。在以模具M加熱電路板10後，電路板10的側面105變成非平面(例如弧面、斜面或其他形式的面)。在一些實施例中，第一部分M1之凹槽的底面為非平面，藉此使電路板10的第一彎折部BT1及第二彎折部BT2的外側表面(例如朝向第一部分M1之凹槽的第二面104)為非平面，例如弧面、斜面或其他形式的面。
在一些實施例中，熱塑性基底100包括液晶聚合物基底，且液晶聚合物基底包括多個液晶分子。所述液晶分子的長軸方向L(請參考圖1A)平行於第一彎折部BT1以及第二彎折部BT2的彎折方向。因此，能進一步避免電路板10在離開模具M後出現回彈的問題。
在本實施例中，電路板10的第一保護層140以及第二保護層150分離於熱塑性基底100的第一彎折部BT1以及第二彎折部BT2，因此，能避免第一保護層140以及第二保護層150因為彎折而出現破損的問題。
在本實施例中，在形成第一彎折部BT1的同時，第一導 電圖案110以及第一抗氧化層112亦會產生彎折。
在以模具M加熱熱塑性基底100之後，冷卻熱塑性基底100。
請參考圖12，將電路板10電性連接至接合墊P。在本實施例中，電路板10透過第二導電接合結構CS2而電性連接至接合墊P。第二導電接合結構CS2例如為異方性導電膠、焊料或其他合適的材料。
在本實施例中，由於第一彎折部BT1是熱塑成形的，因此，可以避免電路板10往遠離畫素陣列基板30的方向凸出(回彈)的問題。藉此減少電路板10的外表面與畫素陣列基板30的第一側面33之間的垂直距離VD2。在一些實施例中，電路板10的外表面與畫素陣列基板30的第一側面33之間的垂直距離VD2小於或等於100微米。在一些實施例中，電路板10直接接觸畫素陣列基板30的第一側面33。在本實施例中，電路板10的第一抗氧化層112接觸畫素陣列基板30的第一側面33，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第一導電圖案110表面未形成第一抗氧化層112，且第一導電圖案110接觸畫素陣列基板30的第一側面33。
在一些實施例中，由於改善了電路板10回彈的問題。因此，即使縮小了電路板10與接墊P之間的重疊面積，電路板10與接墊P之間的電連接不會因為回彈的問題而斷開。在一些實施例中，電路板10之側面105(即熱塑性基底之側面105)位於畫 素陣列基板30的第一面31上方，且電路板10之側面105與畫素陣列基板30的第一側面33之間的垂直距離VD1小於或等於100微米。
另外，由於改善了電路板10回彈的問題，即使縮減了畫素陣列基板30的基底厚度T2(例如玻璃基底的厚度)，畫素陣列基板30也不會因為電路板10回彈而破裂。
請參考圖13，將畫素陣列基板30固定於拼接載板TS上，並將畫素陣列基板30以及拼接載板TS與其他的畫素陣列基板30’以及拼接載板TS’拼接在一起。在本實施例中，由於熱塑性基底100具有熱塑成形的第一彎折部BT1，電路板10與畫素陣列基板30的第一側面33之間的間隙可以減少，藉此縮減畫素陣列基板30與其他的畫素陣列基板30’之間的間距。基於上述，可以提升拼接顯示裝置所顯示之畫面的連續性。
在一些實施例中，將晶片封裝結構20連接至系統板40。至此，顯示裝置3大致完成。
圖14是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。在此必須說明的是，圖14的實施例沿用圖11至圖13的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
在圖14中，電路板10a往畫素陣列基板30b的側面及背面彎折，因此，部分電路板10a、晶片封裝結構20以及系統板40 皆被畫素陣列基板30b遮掩，前述被遮掩的部分於圖14中以虛線繪示。
請參考圖14，畫素陣列基板30b的基底為非矩形，例如圓形、橢圓形、三角形、梯形、稜形或其他幾何形狀。在本實施例中，畫素陣列基板30b的基底為圓形。
電路板10a藉由模具M(如圖11所示)熱塑成形，並使電路板10a的側面105變為非平面。在本實施例中，使電路板10a的側面105變為對應畫素陣列基板30b的邊緣的弧面，藉此減少電路板10a覆蓋畫素陣列基板30b的正面的面積。因此，畫素陣列基板30b可以有較大的顯示面積。
電路板10a包括熱塑成形的第一彎折部BT1。在本實施例中，第一彎折部BT1的外側表面(例如遠離畫素陣列基板30b的第二面104)為弧面。藉此使電路板10a符合於畫素陣列基板30b的邊緣形狀。
電路板10a電性連接至晶片封裝結構20。晶片封裝結構20電性連接至系統板40。
圖15是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。在此必須說明的是，圖15的實施例沿用圖14的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
在圖15中，電路板10b、10c往畫素陣列基板30b的側 面及背面彎折，因此，部分電路板10b、10c、晶片封裝結構20a、20b以及系統板40皆被畫素陣列基板30b遮掩，前述被遮掩的部分於圖15中以虛線繪示。
請參考圖15，在本實施例中，畫素陣列基板30b電性連接至多個電路板10b、10c。
電路板10b、10c藉由模具M(如圖11所示)熱塑成形，並使電路板10b、10c的側面105變為非平面。在本實施例中，使電路板10b、10c的側面105變為對應畫素陣列基板30b的邊緣的弧面，藉此減少電路板10b、10c覆蓋畫素陣列基板30b的正面的面積。因此，畫素陣列基板30b可以有較大的顯示面積。
電路板10b、10c各自包括熱塑成形的第一彎折部BT1。在本實施例中，第一彎折部BT1的外側表面(例如遠離畫素陣列基板30b的第二面104)為弧面。藉此使電路板10b、10c符合於畫素陣列基板30b的邊緣形狀。
電路板10b、10c分別電性連接至晶片封裝結構20a、20b。晶片封裝結構20a、20b電性連接至系統板40。
綜上所述，由於電路板的第一彎折部是熱塑成形的，因此，可以避免電路板往遠離畫素陣列基板的方向回彈的問題。
1:顯示裝置
10:電路板
20:晶片封裝結構
30,30’:畫素陣列基板
40:系統板
31:第一面
32:第二面
33:第一側面
100:熱塑性基底
105:第一側面
400:基底
410:第一電路
412:抗氧化層
420:第二電路
430:導通孔
440:第一保護層
450:第二保護層
460:塑膠蓋板
TSS:第二側面
BT1:第一彎折部
BT2:第二彎折部
CS2:第二導電接合結構
ED:發光元件
TS,TS’:拼接載板
VD1,VD2:垂直距離
X1,X2:彎折角度

Claims (17)

  1. 一種顯示裝置，包括：一畫素陣列基板，具有一第一面、相對於該第一面的一第二面以及連接該第一面與該第二面的一第一側面，其中多個接合墊位於該第一面上；以及一電路板，電性連接該些接合墊，且從該畫素陣列基板的該第一面上方彎折至該第二面下方，其中該電路板包括：一熱塑性基底，其中該熱塑性基底包括朝向該畫素陣列基板的一第三面以及相對於該第三面的一第四面，且該熱塑性基底包括熱塑成形的一第一彎折部，且該熱塑性基底還包括一第二彎折部；一第一導電圖案，位於該第三面上，且電性連接該些接合墊；一第二導電圖案，位於該第四面上；多個導電孔，貫穿該熱塑性基底，且電性連接該第一導電圖案至該第二導電圖案，其中該第一導電圖案依序往該第一彎折部、該第二彎折部以及該些導電孔延伸；一第一保護層，位於該第一導電圖案上；以及一第二保護層，位於該第二導電圖案上，其中該第一保護層以及該第二保護層分離於該熱塑性基底的該第一彎折部，其中在其中一側之該第一保護層的側面與該第二保護層的側面之間的水平間距大於或等於500微米。
  2. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該熱塑性基底的該第一彎折部的楊氏模量為3GPa至5GPa。
  3. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該熱塑性基底的玻璃轉移溫度為145℃至165℃。
  4. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該熱塑性基底的厚度為25微米至50微米。
  5. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該電路板直接接觸該畫素陣列基板的該第一側面。
  6. 如請求項1所述的顯示裝置，更包括：一背光模組，位於該畫素陣列基板的該第二面，其中該電路板直接接觸該背光模組的一第二側面。
  7. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該熱塑性基底包括液晶聚合物基底。
  8. 如請求項7所述的顯示裝置，其中該液晶聚合物基底包括多個液晶分子，且該些液晶分子的長軸方向平行於該第一彎折部的彎折方向。
  9. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該第一彎折部使該熱塑性基底自該畫素陣列基板的該第一面上方彎折至該畫素陣列基板的該第一側面，且該第二彎折部使該熱塑性基底自該畫素陣列基板的該第一側面彎折至該畫素陣列基板的該第二面下方，該第一彎折部的彎折角度小於該第二彎折部的彎折角度或該第二彎折部包括弧面。
  10. 如請求項9所述的顯示裝置，更包括：一晶片封裝結構，電性連接至該電路板，其中該晶片封裝結構包括：一基底；一電路，位於該基底上；以及至少一晶片，電性連接至該電路。
  11. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該熱塑性基底包括連接該第三面以及該第四面的一側面，其中該側面位於該畫素陣列基板的該第一面上方，且該側面不為平面。
  12. 一種顯示裝置的製造方法，包括：提供一畫素陣列基板，該畫素陣列基板具有一第一面、相對於該第一面的一第二面以及連接該第一面與該第二面的一第一側面，其中多個接合墊位於該第一面上；提供一電路板，其中該電路板包括：一熱塑性基底，包括一第三面以及相對於該第三面的一第四面；一第一導電圖案，位於該第三面上；一第二導電圖案，位於該第四面上；多個導電孔，貫穿該熱塑性基底，且電性連接該第一導電圖案至該第二導電圖案；一第一保護層，位於該第一導電圖案上；以及一第二保護層，位於該第二導電圖案上； 加熱該熱塑性基底，以於該熱塑性基底中形成熱塑成形的一第一彎折部；透過加熱該熱塑性基底或彎折該電路板以於該熱塑性基底中形成一第二彎折部，其中該第一導電圖案依序往該第一彎折部、該第二彎折部以及該些導電孔延伸，其中該第一保護層以及該第二保護層分離於該熱塑性基底的該第一彎折部，其中在其中一側之該第一保護層的側面與該第二保護層的側面之間的水平間距大於或等於500微米；以及電性連接該電路板的該第一導電圖案至該些接合墊。
  13. 如請求項12所述的顯示裝置的製造方法，其中提供該電路板的方法包括：形成該熱塑性基底；形成該第一導電圖案於該熱塑性基底的該第三面上；形成該第二導電圖案於該熱塑性基底的該第四面上；於該熱塑性基底中形成多個通孔；於該些通孔中形成導電材料，以形成該些導電孔，其中該些導電孔電性連接該第一導電圖案至該第二導電圖案；形成該第一保護層於該第一導電圖案上；以及形成該第二保護層於該第二導電圖案上。
  14. 如請求項12所述的顯示裝置的製造方法，其中電性連接該電路板至該些接合墊之後，將該電路板自該畫素陣列 基板的該第一面彎折至該畫素陣列基板的該第一側面，接著以一熱壓頭執行加熱該熱塑性基底以形成該第一彎折部的步驟。
  15. 如請求項14所述的顯示裝置的製造方法，更包括：彎折該電路板以於該熱塑性基底中形成該第二彎折部，其中該第一彎折部使該熱塑性基底自該畫素陣列基板的該第一面上方彎折至該畫素陣列基板的該第一側面，且該第二彎折部使該熱塑性基底自該畫素陣列基板的該第一側面彎折至該畫素陣列基板的該第二面下方，其中該第一彎折部的彎折角度小於該第二彎折部的彎折角度或該第二彎折部包括弧面。
  16. 如請求項12所述的顯示裝置的製造方法，其中電性連接該電路板至該些接合墊之前，將該電路板置於一模具中，並以該模具執行加熱該熱塑性基底以形成該第一彎折部的步驟以及加熱該熱塑性基底以形成該第二彎折部的步驟。
  17. 如請求項16所述的顯示裝置的製造方法，其中該模具加熱該熱塑性基底的一側面，並使該側面熱塑成形。
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