JP2008070874A - 可撓性表示装置の製造装置及び製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】
本発明は、可撓性表示装置の製造装置及び製造方法に関する。
【解決手段】
本発明の一実施例による可撓性表示装置の製造装置は、支持体本体、前記支持体本体の表面に位置し、複数の溝が形成されていて、可撓性母基板を据置く据置台、前記支持体本体を貫通して前記溝と連通していて、一側端が外部と連通している真空路、そして前記真空路及び外部を連通させるニップル部を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、可撓性表示装置の製造装置及び製造方法に関する。

現在広く使用されている平板表示装置の代表格が、液晶表示装置及び有機発光表示装置である。
液晶表示装置は、現在最も広く使用されている平板表示装置のうちの１つであって、画素電極及び共通電極などの電場生成電極が形成されている２枚の表示板、及びこれらの間に形成されている液晶層からなって、電場生成電極に電圧を印加して液晶層に電場を生成し、これによって液晶層の液晶分子の配向を決定して入射光の偏光を制御することによって画像を表示する、表示装置である。

有機発光表示装置は、正孔注入電極（アノード）及び電子注入電極（カソード）、及びこれらの間に形成されている有機発光層からなって、アノードから注入される正孔及びカソードから注入される電子が有機発光層で再結合して消滅して光を放出する、自己発光型表示装置である。
しかし、これらの表示装置は、重量が重くて破損しやすいガラス基板を使用するため、携帯性及び大画面の表示に限界がある。したがって、最近では、重量が軽くて衝撃に強く、可撓性（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）のプラスチック基板を使用する表示装置が開発されている。

ところが、 可撓性のプラスチック基板は、熱を加えると曲がったり膨張する性質があるため、その上に電極や信号線などの薄膜パターンを正確に形成するのが難しい。これを解決するために、可撓性のプラスチック基板をガラス支持体に接着させた状態で薄膜パターンを形成した後、プラスチック基板をガラス支持体から分離する方法が提示された。このような方法は、プラスチック基板を接着剤を利用してガラス支持体に接着する。
特開2005-109358号公報 特開平07-263529号公報

しかし、接着剤を利用してプラスチック基板を接着して固定する場合、接着剤による不良が発生する恐れがある。そのため、安定的に工程を進めることができない。
本発明が目的とする技術的課題は、可撓性表示装置を製造する際に、可撓性基板のベンド現象を防止して、安定的に工程を進めることにある。

本発明１による可撓性表示装置の製造装置は、支持体本体、前記支持体本体の表面に位置し、複数の溝が形成されていて、可撓性母基板を据置く据置台、前記支持体本体を貫通して前記溝と連通していて、一側端が外部と連通している真空路、そして前記真空路及び外部を連通させるニップル部を含む。
ニップル部に例えば真空吸着装置を連結して、真空路の内部及び真空路と連結されている溝を真空状態にして、可撓性母基板を支持体本体の据置台に付着させる。この状態で可撓性母基板上に薄膜パターンを形成する。この時、可撓性母基板は、支持体本体に堅固に固定されているので、曲がったり膨張しない。また、支持体及び可撓性母基板の間に接着剤が使用されていないので、接着剤による不良を防止することができる。

発明２は、発明１において、前記ニップル部の入口に回動可能に付着されて、選択的に開閉動作する栓をさらに含む。
例えば、ニップル部に真空吸着装置に連結されたコネクタの連結管を接続する際に、ニップル部の入口をふさいでいた栓が上に回動する。したがって、コネクタを通じて真空吸着装置及び真空路が連通する。そして、真空路を真空状態にした後、ニップル部から連結管を外すと、ニップル部の栓は再び下に回動して、ニップル部の入口がふさがれる。したがって、真空路及び溝の内部の真空状態が安定的に維持される。

発明３は、発明１において、前記支持体本体を固定するガイド部をさらに含む。
発明４は、発明３において、外部の真空吸着装置と連結されていて、前記ニップル部と脱着可能なコネクタをさらに含む。
発明５は、発明４において、前記コネクタは、前記ガイド部上にスライド移動するように付着されている。

発明６は、発明３において、前記ガイド部に前記支持体本体を固定する複数の固定ピンをさらに含む。
発明７は、発明１において、前記溝は断面がＶ字型である。
発明８は、発明１において、前記溝は平面が格子形状である。
発明９は、発明１において、前記支持体本体はアルミニウムを含む。

本発明１０による可撓性表示装置の製造方法は、可撓性母基板の一面に静電力を印加する段階、前記可撓性母基板を支持体に据置く段階、前記可撓性母基板を真空で吸着して前記支持体に付着する段階、そして前記可撓性母基板上に薄膜パターンを形成する段階を含む。可撓性母基板上に静電力を印加した後に、支持体本体上に真空吸着するので、可撓性母基板及び支持体本体の間の付着力がより向上する。

発明１１は、発明１０において、前記真空吸着段階は、外部の真空吸着装置及び前記支持体を貫通する真空路を連結する段階、前記真空吸着装置を利用して前記真空路を真空状態にする段階、そして前記真空吸着装置及び前記支持体を分離する段階を含む。
発明１２は、発明１０において、前記可撓性母基板はプラスチックを含む。
発明１３は、発明１０において、前記可撓性母基板は、有機膜、前記有機膜の両面に形成されている下部塗布膜、前記下部塗布膜上に形成されている障壁層、そして前記障壁層上に形成されている硬性塗布膜を含む。このような層及び膜は、プラスチック基板の物理的、化学的損傷を防止する。

発明１４は、発明１３において、前記有機膜は、ポリエチレンエーテルフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｅｔｈｅｒ ｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｒｙｌａｔｅ）、ポリエーテルイミド（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ ｉｍｉｄｅ）、ポリエーテルスルホン酸（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ ｓｕｌｆｏｎａｔｅ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、及びポリアクリレート（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）からなる群より選択されるいずれか１つ以上の物質である。

発明１５は、発明１４において、前記下部塗布膜及び前記硬性塗布膜はアクリル樹脂を含む。
発明１６は、発明１４において、前記障壁層はＳｉＯ_２またはＡｌ_２Ｏ_３を含む。
発明１７は、発明１０において、前記支持体はアルミニウムを含む。
発明１８は、発明１０において、前記薄膜パターンは非晶質シリコン薄膜トランジスタを含む。

発明１９は、発明１０において、前記薄膜パターンは有機薄膜トランジスタを含む。

本発明によれば、可撓性表示装置の製造工程を安定的に進めることができる。

それでは、添付した図面を参照して、本発明の実施例について、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な相異した形態で実現され、ここで説明する実施例に限定されない。
図面では、各層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示した。明細書全体を通して類似した部分には、同一な図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるとする時、これは他の部分の「真上」にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も意味する。反対に、ある部分が他の部分の「真上」にあるとする時、これはその中間に他の部分がない場合を意味する。

まず、本発明による可撓性表示装置の製造装置について詳細に説明する。
図１は本発明の一実施例による可撓性表示装置の製造装置を示した斜視図であり、図２は図１の可撓性表示装置の製造装置のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
図１に示したように、本発明の一実施例による可撓性表示装置の製造装置は、支持体本体５０、支持体本体５０を固定するガイド部６０、及び外部の真空吸着装置８０及び支持体本体５０を連結するコネクタ（ｃｏｎｎｅｃｔｏｒ）７０を含む。

支持体本体５０は、可撓性母基板１０を固定して、表示装置の後続工程中に発生する可能性のある基板１０のベンド（ｂｅｎｄ）現象、つまり折れ曲がりを防止する。したがって、支持体本体５０は、可撓性母基板１０を十分に固定することができるように、可撓性母基板１０より大きさが大きい。支持体本体５０はアルミニウムからなるのが好ましい。
支持体本体５０の上部表面には、据置台５１が設置される。据置台５１は、可撓性母基板１０が直接据置かれる部分で、支持体本体５０の上部表面で可撓性母基板１０の大きさに相応する。

据置台５１には、複数の溝５２が形成されている。溝５２全体の平面形状は格子形状であり、断面形状はＶ字型である。
可撓性母基板１０は、ポリエチレンエーテルフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｅｔｈｅｒ ｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｒｙｌａｔｅ）、ポリエーテルイミド（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ ｉｍｉｄｅ）、ポリエーテルスルホン酸（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ ｓｕｌｆｏｎａｔｅ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、またはポリアクリレート（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）から選択される少なくとも１つの物質からなる有機膜を含む。プラスチック基板１１０は、このような有機膜の両面に順次に形成されているアクリル系樹脂などの下部塗布膜（ｕｎｄｅｒ−ｃｏａｔｉｎｇ）（図示せず）、ＳｉＯ_２またはＡｌ_２Ｏ_３などの障壁層（ｂａｒｒｉｅｒ）（図示せず）、及びアクリル系樹脂などの硬性塗布膜（ｈａｒｄ−ｃｏａｔｉｎｇ）（図示せず）などをさらに含むことができる。このような層及び膜は、プラスチック基板１１０の物理的、化学的損傷を防止する。

支持体本体５０の内部には、本体５０を貫通する真空路５３が形成されている。真空路５３は、各溝５２と物理的に連通している。真空路５３の一側端は、外部と連通するニップル部５４を構成する。
ニップル部５４は、回動可能に付着されて、選択的に開閉動作する栓５５を含む。
ガイド部６０は、支持体本体５０及びコネクタ７０を固定する。より詳細に説明すれば、ガイド部６０は、第１領域（Ａ）及び第１領域（Ａ）より高さが低い第２領域（Ｂ）からなる。第１領域（Ａ）の上部には支持体本体５０が配置され、第２領域（Ｂ）の上部にはコネクタ７０が配置される。

ガイド部６０の第１領域（Ａ）の上部には、複数の固定ピン６２が設置されて、支持体本体５０が動くのを防止する。
コネクタ７０は、ガイド部６０の第２領域（Ｂ）の上部に固定されている複数の架橋７１、架橋７１上に位置する本体７２、及び本体７２から支持体本体５０に向かってのびて形成された複数の連結管７３を含む。

本体７２は、架橋７１上をスライド移動するように付着されている。各連結管７３の個数はニップル部５４の個数と同一で、連結管７３の各々は、支持体本体５０のニップル部５４に相応する形状からなる。したがって、本体７２が架橋７１上をスライド移動することによって、連結管７３がニップル部５４に脱着される。
前記で説明したように、ガイド部６０は、高さが互いに異なる第１及び第２領域（Ａ、Ｂ）からなるので、支持体本体５０のニップル部５４の位置及びコネクタ７０の連結管７３の位置を合わせることができる。

一方、コネクタ７０の一側には、圧縮器などの真空吸着装置８０が連結されている。
それでは、図３乃至図６を参照して、本発明の一実施例による可撓性表示装置の製造装置の動作について詳細に説明する。
図３、図４、図５、及び図６は本発明の一実施例によって可撓性表示装置を製造する工程の一部を順次に示した断面図である。

まず、図３に示したように、プラスチックなどの可撓性母基板１０の一面に静電発生装置９０を利用して静電力を印加する。
その後、図４に示したように、可撓性母基板１０をガイド部６０上に配置された支持体本体５０の据置台５１に据置く。この時、可撓性母基板１０のうちの静電力が印加された面が支持体本体５０の据置台５１に接触するようにする。

その後、真空吸着装置８０に連結されたコネクタ７０の本体７２を支持体本体５０の方向に向かってスライド移動させる。そうすると、連結管７３及びニップル部５４が連結されて、ニップル部５４の入口をふさいでいた栓５５が上に回動する。したがって、コネクタ７０を通じて真空吸着装置８０及び真空路５３が連通する。
次に、真空吸着装置８０を作動させて、真空路５３の内部及び真空路５３と連結されている溝５２を真空状態にして、可撓性母基板１０を支持体本体５０の据置台に付着させる。

その後、図５に示したように、コネクタ７０の本体７２を支持体本体５０の反対方向に向かってスライド移動させれば、ニップル部５４の栓５５は再び下に回動して、ニップル部５４の入口がふさがれる。したがって、真空路５３及び溝５２の内部の真空状態が安定的に維持される。
最後に、図６に示したように、ガイド部６０から支持体本体５０を分離して、可撓性母基板１０上に薄膜パターン１５を形成する。この時、可撓性母基板１０は、支持体本体５０に堅固に固定されているので、曲がったり膨張しない。また、支持体５０及び可撓性母基板１０の間に接着剤が使用されていないので、接着剤による不良を防止することができる。

支持体本体５０の真空路５３及び溝５２の内部を一度真空状態にした後には、真空吸着装置８０と再び連結する必要がないので、可撓性母基板１０上に薄膜パターン１５を形成する間に、真空吸着装置８０とは独立的に可撓性表示装置の後続工程を進めることができる。また、可撓性母基板１０上に静電力を印加した後に、支持体本体５０上に真空吸着するので、静電力により互いに引き付け合い、可撓性母基板１０及び支持体本体５０の間の付着力がより向上する。

薄膜パターン１５を形成した後には、可撓性母基板１０を支持体本体５０から分離して、薄膜パターンが形成された他の可撓性基板（図示せず）と結合させて、可撓性表示装置を製造する。例えば、ニップル部５４の栓５５を回動して、ニップル部５４の入口を開いて真空状態を開放することにより可撓性母基板１０を支持体本体５０から分離する。
一方、可撓性母基板１０は、液晶表示装置、有機発光表示装置などの基板として使用されるが、ここでは、液晶表示装置に使用される場合について詳細に説明する。

図７は本発明の一実施例による液晶表示装置の配置図であり、図８Ａ及び図８Ｂは各々図７の液晶表示装置のＶＩＩＩａ−ＶＩＩＩａ及びＶＩＩＩｂ−ＶＩＩＩｂ線による断面図である。
図７乃至図８Ｂに示したように、本実施例による液晶表示装置は、互いに対向する薄膜トランジスタ表示板１００及び共通電極表示板２００、及びこれらの間に形成されている液晶層３を含む。

まず、薄膜トランジスタ表示板１００について説明する。
可撓性基板１１０上に、複数のゲート線（ｇａｔｅ ｌｉｎｅ）１２１及び複数の維持電極線（ｓｔｏｒａｇｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ｌｉｎｅ）１３１が形成されている。
ゲート線１２１は、ゲート信号を伝達し、主に横方向にのびている。各ゲート線１２１は、上方向に突出した複数のゲート電極（ｇａｔｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１２４、及び他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１２９を含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｆｉｌｍ）（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０上に集積される。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積されている場合、ゲート線１２１がのびて、これと直接連結される。

維持電極線１３１は、所定の電圧の印加を受けて、ゲート線１２１とほぼ平行にのびた幹線、及びこれから分かれた複数対の維持電極１３３ａ、１３３ｂを含む。維持電極線１３１の各々は、隣接する２つのゲート線１２１の間に位置し、幹線は２つのゲート線のうちの下側に近く形成されている。維持電極１３３ａ、１３３ｂの各々は、幹線と連結された固定端、及びその反対側の自由端を含む。維持電極１３３ｂの固定端は面積が広く、自由端は直線部分及び曲線部分の二股に分かれている。しかし、維持電極線１３１の形状及び配置は、多様に変更することができる。

ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金などの銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、及びチタニウム（Ｔｉ）などからなることができる。しかし、これらは、物理的性質が異なる２つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造からなることもできる。このうちの１つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減少させることができるように、比抵抗（ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などからなる。これとは異なって、もう１つの導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的接触特性が優れている物質、例えば、モリブデン系金属、クロム、チタニウム、タンタルなどからなる。これらの組合わせの好ましい例としては、クロムの下部膜及びアルミニウム（合金）の上部膜や、アルミニウム（合金）の下部膜及びモリブデン（合金）の上部膜がある。しかし、ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、その他にも多様な金属または導電体からなることができる。

ゲート線１２１及び維持電極線１３１の側面は基板１１０の面に対して傾いていて、その傾斜角は約３０゜乃至約８０゜であるのが好ましい。
ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜（ｇａｔｅ ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）１４０が形成されている。

ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ）（非晶質シリコンは、略してａ−Ｓｉとする）、多結晶シリコン（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）、または有機半導体などからなる複数の線状半導体１５１が形成されている。線状半導体１５１は、主に縦方向にのびていて、ゲート電極１２４に向かってのびた複数の突出部（ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ）１５４を含む。線状半導体１５１は、ゲート線１２１及び維持電極線１３１付近で幅が広くなって、これらを幅広く覆っている。

半導体１５１上には、複数の線状及び島型抵抗性接触部材（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）１６１、１６５が形成されている。抵抗性接触部材１６１、１６５は、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンや、シリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）からなることができる。線状抵抗性接触部材１６１は、複数の突出部１６３を含み、突出部１６３及び島型抵抗性接触部材１６５は、対をなして半導体１５１の突出部１５４に配置されている。

半導体１５１、１５４及び抵抗性接触部材１６１、１６３、１６５の側面も基板１１０の面に対して傾いていて、その傾斜角は約３０゜乃至約８０゜であるのが好ましい。
抵抗性接触部材１６１、１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線（ｄａｔａ ｌｉｎｅ）１７１及び複数のドレイン電極（ｄｒａｉｎ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７５が形成されている。

データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に縦方向にのびてゲート線１２１と交差している。各データ線１７１は、また、維持電極線１３１と交差して、隣接する維持電極１３３ａ、１３３ｂの集合の間を通過する。各データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かってのびた複数のソース電極（ｓｏｕｒｃｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７３、及び他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１７９を含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０上に集積される。データ駆動回路が基板１１０上に集積されている場合、データ線１７１がのびて、これと直接連結される。

ドレイン電極１７５は、データ線１７１と分離されていて、ゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向する。各ドレイン電極１７５は、面積が広い一側端部１７７及び棒状の他側端部を有する。面積が広い端部１７７は維持電極線１３１の拡張部１３７と重畳し、棒状の端部はＪ字型に曲がったソース電極１７３で一部が囲まれている。
一つのゲート電極１２４、一つのソース電極１７３、及び一つのドレイン電極１７５は、半導体１５１の突出部１５４と共に一つの薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）を構成し、薄膜トランジスタのチャンネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５の間の突出部１５４に形成される。半導体１５１が有機半導体である場合、薄膜トランジスタは有機薄膜トランジスタになる。

データ線１７１及びドレイン電極１７５は、モリブデン、クロム、タンタル、及びチタニウムなどの耐火性金属（ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ ｍｅｔａｌ）、またはこれらの合金からなるのが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）及び低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造からなることができる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）の下部膜及びアルミニウム（合金）上部膜の二重膜や、モリブデン（合金）の下部膜、アルミニウム（合金）の中間膜、及びモリブデン（合金）の上部膜の三重膜がある。しかし、データ線１７１及びドレイン電極１７５は、その他にも多様な金属または導電体からなることができる。

データ線１７１及びドレイン電極１７５の側面も基板１１０の面に対して傾いていて、その傾斜角は約３０゜乃至約８０゜であるのが好ましい。
抵抗性接触部材１６１、１６３、１６５は、その下の半導体１５１、１５４及びその上のデータ線１７１及びドレイン電極１７５の間にだけ位置して、これらの間の接触抵抗を減少させる。大部分の箇所では線状半導体１５１の幅がデータ線１７１の幅より小さいが、前記で説明したように、ゲート線１２１と交差する部分で幅が広くなり、表面を平坦にすることによって、データ線１７１が断線するのを防止する。半導体１５１、１５４には、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５の間をはじめとして、データ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われずに露出された部分がある。

データ線１７１、ドレイン電極１７５、及び露出された半導体１５１、１５４部分上には、保護膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）１８０が形成されている。保護膜１８０は、無機絶縁物または有機絶縁物などからなり、表面が平坦である。無機絶縁物の例としては、窒化ケイ素及び酸化ケイ素がある。有機絶縁物は、感光性（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）を有することができ、その誘電定数（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｃｏｎｃｔａｎｔ）が約４．０以下であるのが好ましい。しかし、保護膜１８０は、有機膜の優れた絶縁特性を生かしつつ、露出された半導体１５１部分に害を及ぼさないように、下部無機膜及び上部有機膜の二重膜構造からなることができる。

保護膜１８０には、データ線１７１の端部１７９及びドレイン電極１７５を各々露出する複数の接触孔（ｃｏｎｔａｃｔ ｈｏｌｅ）１８２、１８５が形成されており、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には、ゲート線１２１の端部１２９を露出する複数の接触孔１８１、維持電極１３３ｂの固定端付近の維持電極線１３１の一部を露出する複数の接触孔１８３ａ、そして維持電極１３３ａの自由端の直線部分を露出する複数の接触孔１８３ｂが形成されている。

保護膜１８０上には、複数の画素電極（ｐｉｘｅｌ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１９１、複数の連結架橋（ｏｖｅｒｐａｓｓ）８３、及び複数の接触補助部材（ｃｏｎｔａｃｔ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）８１、８２が形成されている。画素電極１９１は、接触孔１８５を通じてドレイン電極１７５と物理的、電気的に連結されていて、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。データ電圧の印加を受けた画素電極１９１は、共通電圧（ｃｏｍｍｏｎ ｖｏｌｔａｇｅ）の印加を受ける共通電極表示板２００の共通電極（ｃｏｍｍｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）（図示せず）と共に電場を生成することによって、２つの電極の間の液晶層（図示せず）の液晶分子の配向を決定する。このように決定された液晶分子の配向によって、液晶層を通過する光の偏光が変化する。画素電極１９１及び共通電極は、キャパシタ（以下、液晶キャパシタ（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）とする）を構成して、薄膜トランジスタがターンオフされた後にも印加された電圧を維持する。

画素電極１９１は、維持電極１３３ａ、１３３ｂをはじめとする維持電極線１３１と重畳する。画素電極１９１及びこれと電気的に連結されたドレイン電極１７５が維持電極線１３１と重畳することによって構成されるキャパシタを「ストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）」といい、ストレージキャパシタは、液晶キャパシタの電圧維持能力を強化する。

接触補助部材８１、８２は、各々接触孔１８１、１８２を通じてゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と連結される。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接続を補完して、これらを保護する。
連結架橋８３は、ゲート線１２１を横切って、ゲート線１２１を間において反対側に位置する接触孔１８３ａ、１８３ｂを通じて維持電極線１３１の露出された部分及び維持電極１３３ｂの自由端の露出された端部と連結されている。維持電極１３３ａ、１３３ｂをはじめとする維持電極線１３１は、連結架橋８３と共に、ゲート線１２１やデータ線１７１、または薄膜トランジスタの欠陥を修理するのに使用される。

次に、共通電極表示板２００について説明する。
可撓性基板２１０上に、遮光部材（ｌｉｇｈｔ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ）２２０が形成されている。遮光部材２２０は、ブラックマトリックス（ｂｌａｃｋ ｍａｔｒｉｘ）ともいって、画素電極１９１と対向する複数の開口領域を定義する一方で、画素電極１９１の間の光漏れを防止する。

基板２１０上には、また、複数のカラーフィルター（ｃｏｌｏｒ ｆｉｌｔｅｒ）２３０が形成されていて、遮光部材２２０で囲まれた開口領域内に大部分が位置するように形成されている。カラーフィルター２３０は、画素電極１９０に沿って縦方向に長くのびて、ストライプ（ｓｔｒｉｐｅ）状に構成することができる。各カラーフィルター２３０は、赤色、緑色、及び青色の三原色など基本色（ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）のうちの１つを表示することができる。

カラーフィルター２３０及び遮光部材２２０上には、オーバーコート（ｏｖｅｒｃｏａｔ）２５０が形成されている。オーバーコート２５０は、絶縁物からなって、カラーフィルター２３０を保護し、カラーフィルター２３０が露出されるのを防止して、平坦な表面を提供する。
オーバーコート２５０上には、共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０は、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電体からなるのが好ましい。

表示板１００、２００の内側面上には、液晶層３を配向するための配向膜（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｌａｙｅｒ）（図示せず）が塗布されていて、表示板１００、２００の外側面には、１つ以上の偏光子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）（図示せず）が形成されている。
それでは、図７乃至図８Ｂに示した液晶表示装置のうちの薄膜トランジスタ表示板１００を本発明の一実施例によって製造する方法について、図９乃至図１６Ｂ及び図７乃至図８Ｂを参照して詳細に説明する。

図９、図１１、図１３、及び図１５は図７乃至図８Ｂに示した液晶表示装置のうちの薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施例によって製造する方法の中間段階での配置図をその順序によって羅列したものであって、図１０Ａ、図１０Ｂ、図１２Ａ、図１２Ｂ、図１４Ａ、図１４Ｂ、図１６Ａ、及び図１６Ｂは図９、図１１、図１３、及び図１５に示した薄膜トランジスタ表示板のＸａ−Ｘａ、Ｘｂ−Ｘｂ、ＸＩＩａ−ＸＩＩａ、ＸＩＩｂ−ＸＩＩｂ、ＸＩＶａ−ＸＩＶａ、ＸＩＶｂ−ＸＩＶｂ、ＸＶＩａ−ＸＶＩａ、及びＸＶＩｂ−ＸＶＩｂ線による断面図である。

まず、図９乃至図１０Ｂに示したように、前記で説明した図３乃至図６と同様に、支持体本体５０の据置台５１上に可撓性基板１１０を付着した後、基板１１０上の金属膜をスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）などによって順次に積層して写真エッチングして、ゲート電極１２４及び端部１２９を含む複数のゲート線１２１、及び維持電極１３３ａ、１３３ｂを含む複数の維持電極線１３１を形成する。

図１１乃至図１２Ｂに示したように、ゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ）１５０、不純物非晶質シリコン層（ｅｘｔｒｉｎｓｉｃ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ）１６０の３層膜を連続して積層した後、上の２層をパターニングして、複数の線状不純物半導体１６４及び突出部１５４を含む複数の線状真性半導体１５１を形成する。

次に、図１３乃至図１４Ｂに示したように、金属膜をスパッタリングなどによって積層して写真エッチングして、ソース電極１７３及び端部１７９を含む複数のデータ線１７１、複数のドレイン電極１７５を形成する。
次に、データ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われずに露出された不純物半導体１６４部分を除去することによって、突出部１６３を含む複数の線状抵抗性接触部材１６１及び複数の島型抵抗性接触部材１６５を完成する一方で、その下の真性半導体１５１部分を露出する。露出された真性半導体１５１部分の表面を安定化するために、後続工程として酸素プラズマを行うのが好ましい。

次に、図１５乃至図１６Ｂに示したように、化学気相蒸着などによって無機絶縁物を積層したり、感光性有機絶縁物を塗布して、保護膜１８０を形成する。その後、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０をエッチングして、接触孔１８１、１８２、１８３ａ、１８３ｂ、１８５を形成する。
最後に、図７乃至図８Ｂに示したように、ＩＴＯまたはＩＺＯ膜をスパッタリングによって積層して写真エッチングして、複数の画素電極１９１及び複数の接触補助部材８１、８２を形成する。その他にも、配向膜（図示せず）を形成する工程を追加することができる。

次に、図７乃至図８Ｂに示した液晶表示装置のうちの共通電極表示板２００を本発明の一実施例によって製造する方法について、図１７Ａ乃至図１７Ｄを参照して詳細に説明する。
図１７Ａに示したように、支持体本体５０の据置台５３上に、真空吸着によって可撓性基板２１０を付着する。その後、可撓性基板２１０上に、遮光特性が優れている物質を積層し、マスクを利用して写真エッチングしてパターニングして、遮光部材２２０を形成する。

次に、図１７Ｂに示したように、可撓性基板２１０上に感光性組成物を塗布して、互いに異なる３つの色相を表示する複数のカラーフィルター２３０を形成する。
その後、図１７Ｃに示したように、カラーフィルター２３０上にオーバーコート２５０を形成し、図１７Ｄに示したように、オーバーコート２５０上に共通電極２７０を積層する。

その次に、前記のように製造された薄膜トランジスタ表示板１００及び共通電極表示板２００を結合する。その後、薄膜トランジスタ表示板１００及び共通電極表示板２００の間に液晶を注入する。この時、薄膜トランジスタ表示板１００及び共通電極表示板２００の結合前に液晶を滴下させて液晶を注入することもできる。
最後に、製造しようとする表示装置の大きさに応じて薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２００、及びこれに付着されている支持体本体５０を除去する。その後、結合されている薄膜トランジスタ表示板１００及び共通電極表示板２００を製造しようとする表示装置の大きさに応じて切断して、分離することもできる。

図３乃至図６に示した方法で、薄膜パターン１５は、有機半導体を含む有機薄膜トランジスタ（ｏｒｇａｎｉｃ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を含むこともできる。
また、図３乃至図６に示した方法は、液晶表示装置だけでなく、有機発光表示装置にも適用することができる。

本発明の一実施例による可撓性表示装置の製造装置を示した斜視図である。 図１の可撓性表示装置のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。 本発明の一実施例によって可撓性表示装置を製造する工程を順次に示した断面図である。 本発明の一実施例によって可撓性表示装置を製造する工程を順次に示した断面図である。 本発明の一実施例によって可撓性表示装置を製造する工程を順次に示した断面図である。 本発明の一実施例によって可撓性表示装置を製造する工程を順次に示した断面図である。 本発明の一実施例による可撓性表示装置を示した配置図である。 図７に示した可撓性液晶表示装置のＶＩＩＩａ−ＶＩＩＩａ線による断面図である。 図７に示した可撓性液晶表示装置のＶＩＩＩｂ−ＶＩＩＩｂ線による断面図である。 図７、図８Ａ、及び図８Ｂに示した薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施例によって製造する方法の中間段階での配置図である。 図９に示した薄膜トランジスタ表示板のＸａ−Ｘａ線による断面図である。 図９に示した薄膜トランジスタ表示板のＸｂ−Ｘｂ線による断面図である。 図７、図８Ａ、及び図８Ｂに示した薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施例によって製造する方法の中間段階での配置図である。 図１１に示した薄膜トランジスタ表示板のＸＩＩｂ−ＸＩＩｂ線による断面図である。 図１１に示した薄膜トランジスタ表示板のＸＩＩｂ−ＸＩＩｂ線による断面図である。 図７、図８Ａ、及び図８Ｂに示した薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施例によって製造する方法の中間段階での配置図である。 図１３に示した薄膜トランジスタ表示板のＸＩＶａ−ＸＩＶａ線による断面図である。 図１３に示した薄膜トランジスタ表示板のＸＩＶａ−ＸＩＶａによる断面図である。 図７、図８Ａ、及び図８Ｂに示した薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施例によって製造する方法の中間段階での配置図である。 図１５に示した薄膜トランジスタ表示板のＸＶａ−ＸＶａ線による断面図である。 図１５に示した薄膜トランジスタ表示板のＸＶｂ−ＸＶｂ線による断面図である。 共通電極表示板を本発明の一実施例によって製造する方法を説明する断面図である。 共通電極表示板を本発明の一実施例によって製造する方法を説明する断面図である。 共通電極表示板を本発明の一実施例によって製造する方法を説明する断面図である。 共通電極表示板を本発明の一実施例によって製造する方法を説明する断面図である。

符号の説明

１０ 可撓性母基板
１５ 薄膜パターン
３ 液晶層
５０ 支持体
５１ 据置台
５２ 溝
５３ 真空路
５４ ニップル部
５５ 栓
６０ ガイド部
６２ 固定ピン
７０ コネクタ
７１ 架橋
７２ 本体
７３ 連結管
８０ 真空吸着装置
８１、８２ 接触補助部材
８３ 連結架橋
９０ 静電発生装置
１００ 薄膜トランジスタ表示板
１１０、２１０ 可撓性基板
１２１ ゲート線
１２４ ゲート電極
１３１ 維持電極線
１３３ａ、１３３ｂ 維持電極
１４０ ゲート絶縁膜
１５１、１５４ 半導体
１６１、１６３、１６５ 抵抗性接触部材
１７１ データ線
１７３ ソース電極
１７５ ドレイン電極
１８０ 保護膜
１８１、１８２、１８３ａ、１８３ｂ、１８５ 接触孔
１９１ 画素電極
２００ 共通電極表示板
２２０ 遮光部材
２３０ カラーフィルター
２５０ オーバーコート
２７０ 共通電極

Claims (19)

1. 支持体本体、
   前記支持体本体の表面に位置し、複数の溝が形成されていて、可撓性母基板を据置く据置台、
   前記支持体本体を貫通して前記溝と連通していて、一側端が外部と連通している真空路、そして
   前記真空路及び外部を連通させるニップル部を含む可撓性表示装置の製造装置。
2. 前記ニップル部の入口に回動可能に付着されて、選択的に開閉動作する栓をさらに含む請求項１に記載の可撓性表示装置の製造装置。
3. 前記支持体本体を固定するガイド部をさらに含む請求項１に記載の可撓性表示装置の製造装置。
4. 外部の真空吸着装置と連結されていて、前記ニップル部と脱着可能なコネクタをさらに含む請求項３に記載の可撓性表示装置の製造装置。
5. 前記コネクタは、前記ガイド部上にスライド移動するように付着されている請求項４に記載の可撓性表示装置の製造装置。
6. 前記ガイド部に前記支持体本体を固定する複数の固定ピンをさらに含む請求項３に記載の可撓性表示装置の製造装置。
7. 前記溝は断面がＶ字型である請求項１に記載の可撓性表示装置の製造装置。
8. 前記溝は平面が格子形状である請求項１に記載の可撓性表示装置の製造装置。
9. 前記支持体本体はアルミニウムを含む請求項１に記載の可撓性表示装置の製造装置。
10. 可撓性母基板の一面に静電力を印加する段階、
    前記可撓性母基板を支持体に据置く段階、
    前記可撓性母基板を真空で吸着して前記支持体に付着する段階、そして
    前記可撓性母基板上に薄膜パターンを形成する段階を含む可撓性表示装置の製造方法。
11. 前記真空吸着段階は、
    外部の真空吸着装置及び前記支持体を貫通する真空路を連結する段階、
    前記真空吸着装置を利用して前記真空路を真空状態にする段階、そして
    前記真空吸着装置及び前記支持体を分離する段階を含む請求項１０に記載の可撓性表示装置の製造方法。
12. 前記可撓性母基板はプラスチックを含む請求項１０に記載の可撓性表示装置の製造方法。
13. 前記可撓性母基板は、
    有機膜、
    前記有機膜の両面に形成されている下部塗布膜、
    前記下部塗布膜上に形成されている障壁層、そして
    前記障壁層上に形成されている硬性塗布膜を含む請求項１０に記載の可撓性表示装置の製造方法。
14. 前記有機膜は、ポリエチレンエーテルフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン酸、ポリイミド、及びポリアクリレートからなる群より選択されるいずれか１つ以上の物質である請求項１３に記載の可撓性表示装置の製造方法。
15. 前記下部塗布膜及び前記硬性塗布膜はアクリル樹脂を含む請求項１４に記載の可撓性表示装置の製造方法。
16. 前記障壁層はＳｉＯ_２またはＡｌ_２Ｏ_３を含む請求項１４に記載の可撓性表示装置の製造方法。
17. 前記支持体はアルミニウムを含む請求項１０に記載の可撓性表示装置の製造方法。
18. 前記薄膜パターンは非晶質シリコン薄膜トランジスタを含む請求項１０に記載の可撓性表示装置の製造方法。
19. 前記薄膜パターンは有機薄膜トランジスタを含む請求項１０に記載の可撓性表示装置の製造方法。
    

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