WO2015098192A1

WO2015098192A1 - 半導体装置及び表示装置

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Publication number: WO2015098192A1
Application number: PCT/JP2014/073642
Authority: WO
Inventors: 福島　康守
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2013-12-27
Filing date: 2014-09-08
Publication date: 2015-07-02
Also published as: US9864248B2; US20160341997A1

Abstract

本発明は、有機半導体膜に対する複合金属電極の接触抵抗を低下させつつも、複合金属電極自身の電気抵抗を低下させるとともに製造コストを低下させることを目的とする。本発明のＴＦＴ１７は、有機半導体材料からなる有機半導体膜２５と、有機半導体膜２５に接触する複合金属電極をなすソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃであって、金属材料からなるベース金属材２８に、有機半導体膜２５に対してオーミック接触してその接触抵抗がベース金属材２８よりも低い低抵抗金属材２９を混在させるとともに、低抵抗金属材２９が少なくとも有機半導体膜２５に対する接触面ＣＳに露出する形で配されてなるソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃと、を備える。

Description

半導体装置及び表示装置

　本発明は、半導体装置及び表示装置に関する。

　近年、テレビ受信装置をはじめとする画像表示装置の表示素子は、従来のブラウン管から液晶パネルやプラズマディスプレイパネルなどの薄型の表示パネルに移行しつつあり、画像表示装置の薄型化を可能としている。このような画像表示装置に用いられる表示パネルには、各画素の動作を制御するためのスイッチング素子としてＴＦＴを行列状に多数個設けられている。従来では、ＴＦＴに用いられる半導体膜としては、アモルファスシリコンや多結晶シリコンなどのシリコン半導体が用いられるのが一般的であったが、近年では、半導体膜として有機材料からなる有機半導体膜を用いることが提案されている。有機半導体膜は、低温での成膜が可能であることから、スピンコーティング法などの低コストな塗布系のプロセスによって形成することができる他、例えばプラスティック基板のような可撓性を有する基板を用いることが可能となるので、フレキシブルな画像表示装置に適している。このような有機半導体膜を用いた半導体装置の一例が下記特許文献１，２に記載されている。

特開２００６－１４７６１３号公報

特開２００６－３０２９２５号公報

（発明が解決しようとする課題）
　上記した特許文献１には、ソース電極及びドレイン電極を、それぞれゲート絶縁膜との密着性のよい金属からなる密着層と、電流通路との接触域において密着層を被覆し、半導体層とオーミック接触を形成するオーミック接触層とで形成した有機ＴＦＴが記載されている。一方、上記した特許文献２には、有機半導体材料層を介して電荷が移動されるソース電極及びドレイン電極が、導電性高分子材料と電荷移動錯体との混合物からなる有機電界効果型トランジスタが記載されている。また、特許文献２には、ソース電極及びドレイン電極が、導電層と導電性被覆層とからなり、そのうちの導電性被覆層が導電性高分子材料と電荷移動錯体との混合物からなる有機電界効果型トランジスタも記載されている。

　しかしながら、上記した特許文献１では、オーミック接触層により有機半導体膜との良好なオーミック接触が得られるものの、このオーミック接触層は、金、白金及びパラジウムなどの中から選択された材料からなるので、製造コストが高くつくという問題があった。

　一方、上記した特許文献２では、ソース電極及びドレイン電極が導電性高分子材料と電荷移動錯体との混合物からなることで、有機半導体膜との良好なオーミック接触が得られるものの、金属材料を用いた場合に比べると、ソース電極及びドレイン電極自身の電気抵抗が高くなっていた。また、上記した特許文献２では、ソース電極及びドレイン電極が導電層と導電性被覆層とからなることで、有機半導体膜との良好なオーミック接触を得るとともに、ソース電極及びドレイン電極自身の電気抵抗を低下させているものの、導電層が金、白金及びパラジウムなどの中から選択された材料からなるので、やはり製造コストが高くつくという問題があった。

　本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、有機半導体膜に対する複合金属電極の接触抵抗を低下させつつも、複合金属電極自身の電気抵抗を低下させるとともに製造コストを低下させることを目的とする。

（課題を解決するための手段）
　本発明の半導体装置は、有機半導体材料からなる有機半導体膜と、前記有機半導体膜に接触する複合金属電極であって、金属材料からなるベース金属材に、前記有機半導体膜に対してオーミック接触してその接触抵抗が前記ベース金属材よりも低い低抵抗金属材を混在させるとともに、前記低抵抗金属材が少なくとも前記有機半導体膜に対する接触面に露出する形で配されてなる複合金属電極と、を備える。

　このように、有機半導体膜に接触する複合金属電極は、金属材料からなるベース金属材に、有機半導体膜に対してオーミック接触してその接触抵抗がベース金属材よりも低い低抵抗金属材を混在させるとともに、低抵抗金属材が少なくとも有機半導体膜に対する接触面に露出する形で配されてなるから、複合金属電極を有機半導体膜に対して十分に低い接触抵抗でもって良好にオーミック接触させることができるとともに、複合金属電極自身の電気抵抗を低く抑えることができる。そして、低抵抗金属材は、一般的にベース金属材に比べて材料費が高いものとされているから、仮に複合金属電極を低抵抗金属材のみからなる構成とした場合に比べると、低抵抗金属材の使用量が少なく済むので、製造コストを低下させることができる。

　本発明の半導体装置の実施態様として、次の構成が好ましい。
（１）前記ベース金属材は、膜状をなしていて少なくともその厚さ方向に沿う端面が前記接触面とされているのに対し、前記低抵抗金属材は、前記ベース金属材中に多数含有される扁平な金属片からなり且つその金属片が扁平な面を前記端面に対して交差させた姿勢とされる。このようにすれば、低抵抗金属材は、ベース金属材中に多数含有される扁平な金属片からなり、その扁平な面を、膜状をなすベース金属材における厚さ方向に沿う端面に対して交差させた姿勢とされているので、ベース金属材の端面に金属片が露出し易くなる。これにより、金属片が有機半導体膜に対して効率的に接触されるから、例えば金属片の含有量を少なくして製造コストのさらなる低下を図っても、有機半導体膜に対する複合金属電極の接触抵抗を十分に低下させることが可能となる。

（２）前記複合金属電極は、前記低抵抗金属材が、前記接触面に加えて前記有機半導体膜とは非接触とされる非接触面にも露出する形で配されてなる。このようにすれば、仮に低抵抗金属材が有機半導体膜に対する接触面のみに選択的に露出する形で配されたものに比べると、低抵抗金属材の配置に選択性を持たせる必要がなくなる。これにより、製造に際して複合金属電極を容易に設けることができるので、製造コストのさらなる低下を図ることができる。

（３）前記複合金属電極は、相対的に前記低抵抗金属材が多く配される低抵抗金属主体層と、相対的に前記ベース金属材が多く配されるベース金属主体層と、を積層してなる。このようにすれば、仮にベース金属材中に低抵抗金属材を均等に分散配合した場合に比べると、複合金属電極の低抵抗金属主体層においては、複合金属電極における有機半導体膜に対する接触面に低抵抗金属材がより確実に露出することになる。これにより、低抵抗金属材が有機半導体膜に対して効率的に接触されるから、例えば低抵抗金属材の含有量を少なくして製造コストのさらなる低下を図っても、有機半導体膜に対する複合金属電極の接触抵抗を十分に低下させることが可能となる。

（４）前記有機半導体膜は、少なくとも一部が、前記複合金属電極が積層された下地表面に積層されるとともに、その膜厚が前記複合金属電極の厚さよりも薄くなっており、前記複合金属電極は、前記低抵抗金属主体層が前記有機半導体膜の膜厚方向について前記下地表面側に偏在する形で配されてなる。このようにすれば、複合金属電極のうちの下地表面側の部分と有機半導体膜との間で主に電荷のやりとりが行われることになる。従って、複合金属電極において、低抵抗金属主体層が有機半導体膜の膜厚方向について下地表面側に偏在する形で配されることで、有機半導体膜と複合金属電極との間で電荷がより円滑にやりとりされる。これにより、有機半導体膜に対する複合金属電極の接触抵抗を十分に低下させることができる。

（５）前記複合金属電極は、前記低抵抗金属材の含有比率が１％～３０％の範囲となる構成とされる。まず、低抵抗金属材は、一般的にベース金属材に比べて材料費が高いものとされる。仮に低抵抗金属材の含有比率が１％を下回ると、有機半導体膜に対する複合金属電極の接触抵抗が大きくなり過ぎる傾向があり、逆に低抵抗金属材の含有比率が３０％を上回ると、低抵抗金属材の使用量が多くなるために製造コストが高くなり過ぎる傾向にある。その点、低抵抗金属材の含有比率を１％～３０％の範囲とすることで、有機半導体膜に対する複合金属電極の接触抵抗を十分に低下させることができるとともに、低抵抗金属材の使用量が少なく抑制されるので製造コストを十分に低下させることができる。

（６）基板と、前記基板に対して積層されるゲート電極と、前記ゲート電極に対して前記基板側とは反対側に積層されるゲート絶縁膜と、を備えており、前記有機半導体膜は、前記ゲート絶縁膜に対して前記基板側とは反対側に積層されるとともに前記ゲート電極と重畳する形で配されるのに対し、前記複合金属電極は、前記ゲート絶縁膜に対して前記基板側とは反対側に積層されるとともに間隔を空けて配され、それぞれが前記有機半導体膜に接触されるソース電極及びドレイン電極からなるものとされる。このようにすれば、基板に対して積層されたゲート電極に電圧が印加されると、ゲート電極に対してゲート絶縁膜を介して重畳する有機半導体膜に電界を付与されるので、それにより有機半導体膜を介して複合金属電極をなすソース電極とドレイン電極との間で電荷が移動される。その上で、有機半導体膜に対して基板側とは反対側に各電極およびゲート絶縁膜が配されない構成となっているので、製造に際して各電極の形成時に生じる熱の影響を有機半導体膜が受けることが避けられている。

（７）前記有機半導体膜及び前記複合金属電極が積層される基板と、前記有機半導体膜及び前記複合金属電極に対して前記基板側とは反対側に積層されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に対して前記基板側とは反対側に積層されるゲート電極と、を備えており、前記有機半導体膜は、前記ゲート電極と重畳する形で配されるのに対し、前記複合金属電極は、間隔を空けて配され、それぞれが前記有機半導体膜に接触されるソース電極及びドレイン電極からなるものとされる。このようにすれば、ゲート絶縁膜に対して基板側とは反対側に積層されたゲート電極に電圧が印加されると、ゲート電極に対してゲート絶縁膜を介して重畳する有機半導体膜に電界を付与されるので、それにより有機半導体膜を介して複合金属電極をなすソース電極とドレイン電極との間で電荷が移動される。有機半導体膜をなす有機半導体材料の種類によっては、有機半導体膜のうちその膜厚方向について基板側とは反対側の部分に電気伝導性が良好な層が生じる場合があり、その場合は有機半導体膜において電気伝導性が良好な層が他の部分に比べてゲート電極の近くに配されることになるので、当該半導体装置の電気的な特性が良好なものとなる。

（８）前記複合金属電極が積層された下地表面と前記複合金属電極との間に介在する形で配されるとともに、前記複合金属電極を前記下地表面に密着させる密着膜を備える。このようにすれば、複合金属電極をなすベース金属材及び低抵抗金属材が、下地表面に対して密着性の低い材料であった場合でも、密着膜によって下地表面に対する複合金属電極の密着性が担保される。

（９）前記有機半導体膜は、前記複合金属電極が積層された下地表面に積層される部分と、前記複合金属電極に対して前記下地表面側とは反対側に積層される部分とを有してなり、前記有機半導体膜に対して前記下地表面側とは反対側に積層される保護膜を備える。このようにすれば、有機半導体膜は、複合金属電極に対して下地表面側とは反対側に積層される部分を有しているので、製造に際して複合金属電極の形成時に生じる熱の影響を受けることが避けられている。その上で、有機半導体膜に対して下地表面側とは反対側に保護膜が積層されているので、例えば、保護膜に対して有機半導体膜側とは反対側に別の膜が配され、その膜が有機半導体膜を劣化させ得る性質を持ったものであった場合でも、保護膜によって有機半導体膜が保護されるので、有機半導体膜に劣化が生じ難くなる。

（１０）前記低抵抗金属材は、銀、金、白金、及びパラジウムのいずれかからなる。このようにすれば、有機半導体膜に対して低抵抗金属材が良好にオーミック接触されるので、有機半導体膜に対する複合金属電極の接触抵抗をより好適に低くすることができる。

（１１）前記ベース金属材をなす金属材料は、銅、アルミニウム、タングステン、モリブデン、コバルト、及びニッケルのいずれかからなる。このようにすれば、複合金属電極自身の電気抵抗を十分に低く抑えつつ、複合金属電極に係る材料費を低く抑制することができる。

　次に、上記課題を解決するために、本発明の表示装置は、上記した半導体装置をスイッチング素子として有する素子基板を備える。

　このような構成の表示装置によれば、スイッチング素子の電気的特性が優れたものとなることで優れた表示性能が得られるとともに、製造コストが低いものとなる。

　本発明の表示装置の実施態様としては、前記素子基板と対向状をなす対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に挟持される液晶層と、を備える構成が好ましい。このような表示装置は液晶表示装置として、種々の用途、例えばスマートフォンやタブレット型パソコンのディスプレイ等に適用できる。

（発明の効果）
　本発明によれば、有機半導体膜に対する複合金属電極の接触抵抗を低下させつつも、複合金属電極自身の電気抵抗を低下させるとともに製造コストを低下させることができる。

本発明の実施形態１に係るドライバを実装した液晶パネルとフレキシブル基板と制御回路基板との接続構成を示す概略平面図液晶表示装置の長辺方向に沿った断面構成を示す概略断面図液晶パネルの断面構成を示す概略断面図ＴＦＴの断面構成を示す断面図ＴＦＴを構成するソース電極の斜視図図４の拡大図であって、ＴＦＴを構成するソース電極と有機半導体膜との接触部分を示す断面図ＴＦＴの製造方法を示す図面であって、ゲート電極をなすゲート金属膜の上に塗布したレジストをパターニングし、そのレジストをマスクとしてゲート金属膜をエッチングする工程を示す断面図ＴＦＴの製造方法を示す図面であって、樹脂基板及びゲート電極上にゲート絶縁膜を成膜する工程を示す断面図ＴＦＴの製造方法を示す図面であって、ソース電極及びドレイン電極をなすベース金属膜の上に塗布したレジストをパターニングし、そのレジストをマスクとしてベース金属膜をエッチングする工程を示す断面図ＴＦＴの製造方法を示す図面であって、ゲート絶縁膜、ソース電極、及びドレイン電極上に成膜された有機半導体膜の上に塗布したレジストをパターニングし、そのレジストをマスクとして有機半導体膜をエッチングする工程を示す断面図ＴＦＴの製造方法を示す図面であって、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、及び有機半導体膜上に成膜された平坦化膜の上に塗布したレジストをパターニングし、そのレジストをマスクとして平坦化膜をエッチングする工程を示す断面図ＴＦＴの製造方法を示す図面であって、ドレイン電極及び平坦化膜上に成膜された透明電極膜の上に塗布したレジストをパターニングし、そのレジストをマスクとして透明電極膜をエッチングする工程を示す断面図本発明の実施形態２に係るＴＦＴの断面構成を示す断面図本発明の実施形態３に係るＴＦＴを構成するソース電極と有機半導体膜との接触部分を示す断面図本発明の実施形態４に係るＴＦＴを構成するソース電極と有機半導体膜との接触部分を示す断面図本発明の実施形態５に係るＴＦＴの断面構成を示す断面図本発明の実施形態６に係るＴＦＴの断面構成を示す断面図本発明の実施形態７に係るＴＦＴを構成するソース電極と有機半導体膜との接触部分を示す断面図本発明の実施形態８に係るＴＦＴを構成するソース電極と有機半導体膜との接触部分を示す断面図本発明の実施形態９に係るＴＦＴを構成するソース電極と有機半導体膜との接触部分を示す断面図本発明の実施形態１０に係るＴＦＴを構成するソース電極と有機半導体膜との接触部分を示す断面図本発明の実施形態１１に係るＴＦＴを構成するソース電極と有機半導体膜との接触部分を示す断面図本発明の他の実施形態（１）に係るＴＦＴを構成するソース電極の斜視図

　＜実施形態１＞
　本発明の実施形態１を図１から図１２によって説明する。本実施形態では、液晶表示装置１０について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、上下方向については、図２から図４などを基準とし、且つ同図上側を表側とするとともに同図下側を裏側とする。

　液晶表示装置１０は、図１及び図２に示すように、液晶パネル（表示装置、表示パネル）１１と、液晶パネル１１を駆動するドライバ（パネル駆動部）２１と、ドライバ２１に対して各種入力信号を外部から供給する制御回路基板（外部の信号供給源）１２と、液晶パネル１１と外部の制御回路基板１２とを電気的に接続するフレキシブル基板（外部接続部品）１３と、液晶パネル１１に光を供給する外部光源であるバックライト装置（照明装置）１４とを備える。また、液晶表示装置１０は、相互に組み付けた液晶パネル１１及びバックライト装置１４を収容・保持するための表裏一対の外装部材１５，１６をも備えており、このうち表側の外装部材１５には、液晶パネル１１に表示された画像を外部から視認させるための開口部１５ａが形成されている。本実施形態に係る液晶表示装置１０は、携帯型情報端末（電子ブックやＰＤＡなどを含む）、携帯電話（スマートフォンなどを含む）、ノートパソコン（タブレット型ノートパソコンなどを含む）、デジタルフォトフレーム、携帯型ゲーム機、電子インクペーパなどの各種電子機器（図示せず）に用いられるものである。このため、液晶表示装置１０を構成する液晶パネル１１の画面サイズは、数インチ～１０数インチ程度とされ、一般的には小型または中小型に分類される大きさとされている。

　先にバックライト装置１４について簡単に説明する。バックライト装置１４は、図２に示すように、表側（液晶パネル１１側）に向けて開口した略箱形をなすシャーシ１４ａと、シャーシ１４ａ内に配された図示しない光源（例えば冷陰極管、ＬＥＤ、有機ＥＬなど）と、シャーシ１４ａの開口部を覆う形で配される図示しない光学部材とを備える。光学部材は、光源から発せられる光を面状に変換するなどの機能を有するものである。

　続いて、液晶パネル１１について簡単に説明する。液晶パネル１１は、図１に示すように、全体として縦長な方形状（矩形状）をなしており、その長辺方向における一方の端部側（図１に示す上側）に片寄った位置に画像を表示可能な表示領域（アクティブエリア）ＡＡが配されるとともに、長辺方向における他方の端部側（図１に示す下側）に片寄った位置にドライバ２１及びフレキシブル基板１３がそれぞれ取り付けられている。この液晶パネル１１において表示領域ＡＡ外の領域が、画像が表示されない非表示領域（ノンアクティブエリア）ＮＡＡとされ、この非表示領域ＮＡＡの一部がドライバ２１及びフレキシブル基板１３の実装領域となっている。液晶パネル１１における短辺方向が各図面のＸ軸方向と一致し、長辺方向が各図面のＹ軸方向と一致している。なお、図１では、ＣＦ基板１１ａよりも一回り小さな枠状の一点鎖線が表示領域ＡＡの外形を表しており、当該一点鎖線よりも外側の領域が非表示領域ＮＡＡとなっている。

　次に、液晶パネル１１に接続される部材について説明する。制御回路基板１２は、図１及び図２に示すように、バックライト装置１４におけるシャーシ１４ａの裏面（液晶パネル１１側とは反対側の外面）にネジなどにより取り付けられている。この制御回路基板１２は、紙フェノールないしはガラスエポキシ樹脂製の基板上に、ドライバ２１に各種入力信号を供給するための電子部品が実装されるとともに、図示しない所定のパターンの配線（導電路）が配索形成されている。この制御回路基板１２には、フレキシブル基板１３の一方の端部（一端側）が図示しないＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）を介して電気的に且つ機械的に接続されている。

　フレキシブル基板（ＦＰＣ基板）１３は、図２に示すように、絶縁性及び可撓性を有する合成樹脂材料（例えばポリイミド系樹脂等）からなる基材を備え、その基材上に多数本の配線パターン（図示せず）を有しており、長さ方向についての一方の端部が既述した通りシャーシ１４ａの裏面側に配された制御回路基板１２に接続されるのに対し、他方の端部（他端側）が液晶パネル１１におけるアレイ基板１１ｂに接続されているため、液晶表示装置１０内では断面形状が略Ｕ型となるよう折り返し状に屈曲されている。フレキシブル基板１３における長さ方向についての両端部においては、配線パターンが外部に露出して端子部（図示せず）を構成しており、これらの端子部がそれぞれ制御回路基板１２及び液晶パネル１１に対して電気的に接続されている。これにより、制御回路基板１２側から供給される入力信号を液晶パネル１１側に伝送することが可能とされている。

　ドライバ２１は、図１に示すように、内部に駆動回路を有するＬＳＩチップからなるものとされ、信号供給源である制御回路基板１２から供給される信号に基づいて作動することで、信号供給源である制御回路基板１２から供給される入力信号を処理して出力信号を生成し、その出力信号を液晶パネル１１の表示領域ＡＡへ向けて出力するものとされる。このドライバ２１は、平面に視て横長の方形状をなす（液晶パネル１１の短辺に沿って長手状をなす）とともに、液晶パネル１１（後述するアレイ基板１１ｂ）の非表示領域ＮＡＡに対して直接実装され、つまりＣＯＧ（Chip On Glass）実装されている。なお、ドライバ２１の長辺方向がＸ軸方向（液晶パネル１１の短辺方向）と一致し、同短辺方向がＹ軸方向（液晶パネル１１の長辺方向）と一致している。

　改めて、液晶パネル１１について説明する。液晶パネル１１は、図３に示すように、一対の透明な（透光性に優れた）基板１１ａ，１１ｂと、両基板１１ａ，１１ｂ間に介在し、電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層１１ｃとを備え、両基板１１ａ，１１ｂが液晶層１１ｃの厚さ分のセルギャップを維持した状態で図示しないシール剤によって貼り合わせられている。両基板１１ａ，１１ｂは、共に例えば合成樹脂材料（例えばポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレン樹脂、ナフタレート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂など）からなるとともに、ガラス製のものに比べて板厚が薄くなっているので、適度な可撓性を有している。従って、この液晶パネル１１は、一定の可撓性を備えたフレキシブルな表示パネルとなっており、例えば表面を反らせるよう撓まされた状態であっても、その表示領域ＡＡに画像を表示することが可能とされている。両基板１１ａ，１１ｂのうち表側（正面側）がＣＦ基板（対向基板）１１ａとされ、裏側（背面側）がアレイ基板（素子基板、ＴＦＴ基板、アクティブマトリクス基板）１１ｂとされる。このうち、ＣＦ基板１１ａは、図１及び図２に示すように、短辺寸法がアレイ基板１１ｂと概ね同等であるものの、長辺寸法がアレイ基板１１ｂよりも小さなものとされるとともに、アレイ基板１１ｂに対して長辺方向についての一方（図１に示す上側）の端部を揃えた状態で貼り合わせられている。従って、アレイ基板１１ｂのうち長辺方向についての他方（図１に示す下側）の端部は、所定範囲にわたってＣＦ基板１１ａが重なり合うことがなく、表裏両板面が外部に露出した状態とされており、ここにドライバ２１及びフレキシブル基板１３の実装領域が確保されている。なお、両基板１１ａ，１１ｂの内面側には、液晶層１１ｃに含まれる液晶分子を配向させるための配向膜１１ｄ，１１ｅがそれぞれ形成されている。また、両基板１１ａ，１１ｂの外面側には、それぞれ偏光板１１ｆ，１１ｇが貼り付けられている。

　続いて、アレイ基板１１ｂ及びＣＦ基板１１ａにおける表示領域ＡＡ内に存在する構成について順次に詳しく説明する。アレイ基板１１ｂの内面側（液晶層１１ｃ側、ＣＦ基板１１ａとの対向面側）には、図３に示すように、半導体装置であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）１７及び画素電極１８が多数個ずつマトリクス状に並んで設けられるとともに、これらＴＦＴ１７及び画素電極１８の周りには、格子状をなす図示しないゲート配線（行制御線、走査線）及びソース配線（列制御線、データ線）が取り囲むようにして配設されている。言い換えると、格子状をなすゲート配線及びソース配線の交差部に、ＴＦＴ１７及び画素電極１８が行列状に並列配置されている。ゲート配線及びソース配線は、それぞれ金属材料からなり、相互の交差部位間には後述するゲート絶縁膜２３が介在する形で配されている。ゲート配線とソース配線とがそれぞれ後述するＴＦＴ１７のゲート電極１７ａとソース電極１７ｂとに接続され、画素電極１８がＴＦＴ１７のドレイン電極１７ｃに接続されている。また、画素電極１８は、平面に視て縦長の方形状（矩形状）をなすとともに、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）或いはＺｎＯ（Zinc Oxide）といった透明電極材料からなる。なお、アレイ基板１１ｂには、ゲート配線に並行するとともに画素電極１８を横切りつつゲート絶縁膜２３を介して重畳する容量配線（図示せず）を設けることも可能である。

　一方、ＣＦ基板１１ａには、図３に示すように、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）等の各着色部が、アレイ基板１１ｂ側の各画素電極１８と平面に視て重畳するよう多数個マトリクス状に並列して配置されたカラーフィルタ１１ｈが設けられている。カラーフィルタ１１ｈをなす各着色部間には、混色を防ぐための略格子状の遮光層（ブラックマトリクス）１１ｉが形成されている。遮光層１１ｉは、上記したゲート配線及びソース配線と平面に視て重畳する配置とされる。カラーフィルタ１１ｈ及び遮光層１１ｉの表面には、アレイ基板１１ｂ側の画素電極１８と対向するベタ状の対向電極１１ｊが設けられている。なお、当該液晶パネル１１においては、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）の３色の着色部及びそれらと対向する３つの画素電極１８の組によって表示単位である１つの表示画素が構成されている。表示画素は、Ｒの着色部を有する赤色画素と、Ｇの着色部を有する緑色画素と、Ｂの着色部を有する青色画素とからなる。これら各色の画素は、液晶パネル１１の板面において行方向（Ｘ軸方向）に沿って繰り返し並べて配されることで、画素群を構成しており、この画素群が列方向（Ｙ軸方向）に沿って多数並んで配されている。

　続いて、アレイ基板１１ｂの内面側（液晶層１１ｃ側、ＣＦ基板１１ａとの対向面側）には、既知のフォトリソグラフィ法などによって複数の膜が積層されており、これらの膜について説明する。アレイ基板１１ｂには、図４に示すように、下層側（アレイ基板１１ｂに近い側、ＣＦ基板１１ａから遠い側、裏側）から順に、第１金属膜２２、ゲート絶縁膜（絶縁膜）２３、第２金属膜２４、有機半導体膜２５、平坦化膜２６、透明電極膜２７、が積層形成されている。また、図４では図示を省略しているが、平坦化膜２６及び透明電極膜２７の上層側には、液晶層１１ｃに臨んで配される配向膜１１ｅが配されている（図３を参照）。

　第１金属膜２２は、図４に示すように、アレイ基板１１ｂの上層側に積層されるとともに、例えば下層側から順にチタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタンの順で積層された積層膜により形成されている（各積層膜の図示は省略する）。この第１金属膜２２は、ゲート配線と、ＴＦＴ１７のゲート電極１７ａと、をそれぞれ構成している。第１金属膜２２のうち、最下層のチタン層は、その膜厚が例えば５ｎｍ～３０ｎｍの範囲とされ、中間層のアルミニウム層は、その膜厚が例えば１００ｎｍ～４００ｎｍの範囲とされ、最上層のチタン層は、その膜厚が例えば３０ｎｍ～１００ｎｍの範囲とされる。ゲート絶縁膜２３は、アレイ基板１１ｂ及び第１金属膜２２の上層側に積層されるとともにベタ状のパターンとされており、例えばポリイミドやポリスチレン、ポリビニルフェノール、フルオロポリマーなどの有機樹脂材料からなるものとされる。このゲート絶縁膜２３に用いられる有機樹脂材料は、感光性を有している。ゲート絶縁膜２３は、その膜厚が例えば１００ｎｍ～１０００ｎｍの範囲とされる。第２金属膜２４は、ゲート絶縁膜２３の上層側に積層されており、ソース配線と、ＴＦＴ１７のソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃと、を構成している。従って、ゲート絶縁膜２３の表面が、ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃが積層された下地表面とされている。第２金属膜２４は、その膜厚が例えば１００ｎｍ～４００ｎｍの範囲とされる。なお、第２金属膜２４からなるソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃの詳しい構成については後に改めて詳しく説明する。

　有機半導体膜２５は、図４に示すように、ゲート絶縁膜２３及び第２金属膜２４（ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃ）の一部の上層側に積層されるとともに、アレイ基板１１ｂの面内におけるＴＦＴ１７の平面配置に応じて島状にパターニングされている。有機半導体膜２５は、有機半導体材料からなるものとされており、具体的にはＴＩＰＳペンタセン、ＴＥＳペンタセン、ＴＥＳ－ＡＤＴ、ｄｉｆ－ＴＥＳ－ＡＤＴなどの低分子量有機半導体材料、またはポリチオフェン、ポリフルオレンなどの高分子有機半導体材料などからなる。この有機半導体膜２５をなす有機半導体材料は、例えばシリコン系の半導体材料に比べると、低温のプロセスでアレイ基板１１ｂ上に成膜することが可能であるため、本実施形態のように、アレイ基板１１ｂがガラスに比べて耐熱温度（ガラス転移点）の低い合成樹脂材料からなる構成、つまりフレキシブルな液晶パネル１１に好適とされる。有機半導体膜２５をなす有機半導体材料は、溶媒に分散させることができるので、低コストな塗布系のプロセス（例えばスピンコーティング法）によってアレイ基板１１ｂ上に成膜することが可能とされるが、それ以外にも例えば真空蒸着法によってアレイ基板１１ｂ上に成膜することも可能である。有機半導体膜２５は、その膜厚が例えば３０ｎｍ～１００ｎｍの範囲とされており、上記した第２金属膜２４の膜厚よりも薄くされるのが好ましい。

　平坦化膜２６は、図４に示すように、ゲート絶縁膜２３、第２金属膜２４、及び有機半導体膜２５の上層側に積層されるとともにベタ状のパターンとされており、例えばポリイミドやポリスチレン、ポリビニルフェノール、フルオロポリマーなどの有機樹脂材料からなるものとされる。この平坦化膜２６に用いられる有機樹脂材料は、感光性を有している。この平坦化膜２６には、アレイ基板１１ｂの面内におけるＴＦＴ１７の平面配置に応じてコンタクトホールＣＨが多数開口形成されている。平坦化膜２６は、その膜厚が例えば１μｍ～３μｍの範囲とされる。透明電極膜２７は、平坦化膜２６及び第２金属膜２４の一部（ドレイン電極１７ｃ）の上層側に積層されるとともに、アレイ基板１１ｂの面内におけるＴＦＴ１７の平面配置に応じて島状にパターニングされており、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）或いはＺｎＯ（Zinc Oxide）といった透明電極材料からなる。この透明電極膜２７が、画素電極１８を構成している。

　ここで、アレイ基板１１ｂに備えられるＴＦＴ１７に関して詳しく説明する。ＴＦＴ１７は、図４に示すように、アレイ基板１１ｂに積層された第１金属膜２２からなるゲート電極１７ａと、ゲート絶縁膜２３に積層された第２金属膜２４からなるソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃと、ゲート絶縁膜２３、並びにソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃの一部に積層された有機半導体膜２５と、を備えており、いわゆるボトムゲート型（逆スタガ型）とされている。有機半導体膜２５は、ゲート絶縁膜２３のうちソース電極１７ｂとドレイン電極１７ｃとの間に挟み込まれた部分と、ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃのうち互いに対向する側の部分とに跨る形で積層されている。ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃは、それぞれの一部が直接有機半導体膜２５に接触しているので、この有機半導体膜２５を介してソース電極１７ｂとドレイン電極１７ｃとの間での電荷の移動が可能とされている。つまり、有機半導体膜２５がＴＦＴ１７のチャネル部を構成している。そして、この有機半導体膜２５は、ゲート絶縁膜２３を介してゲート電極１７ａと重畳する配置とされているので、ゲート電極１７ａに電圧を印加すると、有機半導体膜２５に電界が付与され、もって有機半導体膜２５を介してソース電極１７ｂとドレイン電極１７ｃとの間を移動する電荷を制御することが可能とされている。また、ＴＦＴ１７をなすドレイン電極１７ｃには、平坦化膜２６に開口形成されたコンタクトホールＣＨを通して画素電極１８がコンタクトされている。従って、ＴＦＴ１７のゲート電極１７ａに電圧が印加されると、有機半導体膜２５を介してソース電極１７ｂとドレイン電極１７ｃとの間を電荷が移動するとともに画素電極１８に所定の画素電位が付与される。

　ここで、有機半導体膜２５に用いられる有機半導体材料は、シリコン系の半導体材料に比べると、金属材料からなるソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃに対する接触抵抗が高くなりがちであるという問題があった。有機半導体膜２５に対するソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃの接触抵抗を低減させるには、ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃの金属材料として金や白金などを用いるのが好ましいものの、このような金属材料は概して材料費が高価であるため、製造コストが高くなってしまう。一方、ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃの材料として、導電性高分子材料と電荷移動錯体との混合物を用いることが試みられているものの、それではソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃ自身の電気抵抗が高くなるため、ＴＦＴ１７の電気的特性が悪化してしまう。

　そこで、本実施形態では、ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃ（第２金属膜２４）が、図４から図６に示すように、それぞれ金属材料からなるベース金属材２８と、有機半導体膜２５に対する接触抵抗がベース金属材２８よりも低い金属材料からなる低抵抗金属材２９と、を混合した構成、つまり「複合金属電極」とされている。そして、ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃにおける有機半導体膜２５に対する接触面ＣＳには、低抵抗金属材２９が露出する形で配されているので、その露出した低抵抗金属材２９が有機半導体膜２５に対して十分に低い接触抵抗でもってオーミック接触することになる。しかも、ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃは、共に金属材料からなるベース金属材２８及び低抵抗金属材２９を混合させてなるものとされているから、仮に導電性高分子などを用いた場合に比べると、ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃ自身の電気抵抗が低く抑えられている。さらには、低抵抗金属材２９は、一般的にベース金属材２８に比べて材料費が高いものとされているから、仮にソース電極及びドレイン電極を低抵抗金属材２９のみからなる構成とした場合に比べると、低抵抗金属材２９の使用量が少なく済むので、製造コストを低下させることができる。なお、図５及び図６では、ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃのうちのソース電極１７ｂを代表して図示しているが、ドレイン電極１７ｃは、図５及び図６を左右反転させた構成（対向端面２８ａの配置を左右反転させた構成）となっている。

　詳しくは、ベース金属材２８は、図４及び図５に示すように、一定の膜厚の膜状をなしており、その外形がソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃの外形とほぼ一致している。ベース金属材２８は、下側の主面が下地であるゲート絶縁膜２３の表面に対する固着面とされるのに対し、厚さ方向（Ｚ軸方向）に沿う外周端面のうち、両電極１７ｂ，１７ｃが互いに対向する対向端面２８ａが有機半導体膜２５に対する接触面ＣＳの主要部（主接触部）を構成している。ベース金属材２８の対向端面２８ａは、その全域が上記接触面ＣＳの主要部を構成している。ベース金属材２８のうち、上側の主面２８ｂの一部（対向端面２８ａに隣接する部分）についても、有機半導体膜２５に対する接触面ＣＳの一部（副接触部）を構成している。また、ベース金属材２８の外周端面のうち、対向端面２８ａにそれぞれ隣り合う２つの端面（図５に示す左側の端面、及び同図右側の端面）２８ｃ，２８ｄの一部（対向端面２８ａに隣接する部分）についても、有機半導体膜２５に対する接触面ＣＳの一部（副接触部）を構成している（図５を参照）。本実施形態に係るベース金属材２８は、その金属材料が例えば銅（Ｃｕ）とされている。なお、ベース金属材２８の金属材料としては、銅以外にも、例えばアルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、コバルト（Ｃｏ）、及びニッケル（Ｎｉ）などを用いることが可能とされる。

　一方、低抵抗金属材２９は、図５及び図６に示すように、ベース金属材２８中に多数含有される扁平な（平べったい）金属片ＭＰからなるものとされる。低抵抗金属材２９をなす多数の金属片ＭＰは、個々が平面に視て長方形状をなしており、その各辺の寸法及び厚さ寸法が、ベース金属材２８における平面に視た各辺の寸法及び厚さ寸法に比べていずれも十分に小さくなるよう設定されている。具体的には、低抵抗金属材２９をなす多数の金属片ＭＰは、その平面に視た各辺の寸法が例えば１０ｎｍ～１μｍ程度とされるのが好ましい。低抵抗金属材２９をなす多数の金属片ＭＰは、その扁平な面ＦＳを、ベース金属材２８の主面２８ｂにほぼ並行させるとともに、接触面ＣＳの主要部である対向端面２８ａに対してほぼ直交（交差）させた姿勢となるよう規則的に揃えられている。低抵抗金属材２９をなす多数の金属片ＭＰは、その扁平な面ＦＳを、対向端面２８ａに隣り合う２つの端面２８ｃ，２８ｄ（接触面ＣＳの一部）に対してもほぼ直交させた姿勢とされる。ベース金属材２８の接触面ＣＳのうち、各端面２８ａ，２８ｃ，２８ｄに露出する金属片ＭＰの数は、主面２８ｂに露出する金属片ＭＰの数よりも多いものとされる。以上のような構成により、金属片ＭＰが接触面ＣＳである各端面２８ａ，２８ｃ，２８ｄに露出し易くなっているので、低抵抗金属材２９の含有比率を小さくして材料費並びに製造コストを低下させることが可能とされる。

　そして、低抵抗金属材２９をなす多数の金属片ＭＰは、図５及び図６に示すように、ベース金属材２８における有機半導体膜２５に対する接触面ＣＳ（対向端面２８ａの全域、上側の主面２８ｂの一部、及び端面２８ｃ，２８ｄの一部）に露出する形で配されている。これにより、低抵抗金属材２９のうち接触面ＣＳに露出する部分が有機半導体膜２５に対して良好にオーミック接触されるようになっている。それに加えて、低抵抗金属材２９をなす多数の金属片ＭＰは、ベース金属材２８のうち有機半導体膜２５とは非接触とされる非接触面ＮＣＳにも露出する形で配されている。つまり、低抵抗金属材２９をなす多数の金属片ＭＰは、ベース金属材２８における外面のいずれにも露出する形で配されている。このようにすれば、例えば低抵抗金属材を有機半導体膜２５に対する接触面ＣＳのみに選択的に露出する形で配した場合に比べると、低抵抗金属材２９の配置に選択性を持たせる必要がなくなる。これにより、製造に際してソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃ（第２金属膜２４）を容易に設けることができるので、製造コストのさらなる低下を図ることができる。なお、非接触面ＮＣＳには、ベース金属材２８の外面のうち、下側の主面と、対向端面２８ａとは反対側の端面と、対向端面２８ａに隣り合う端面２８ｃ，２８ｄの大部分（対向端面２８ａとは反対側の端面に隣接する部分）と、が含まれる。

　本実施形態に係る低抵抗金属材２９は、その金属材料が例えば銀（Ａｇ）とされている。なお、低抵抗金属材２９の金属材料としては、銀以外にも、例えば金、白金、及びパラジウムなどを用いることが可能とされる。つまり、低抵抗金属材２９の金属材料には、貴金属を用いるのが好ましい。特に、低抵抗金属材２９の金属材料として金、白金、及びパラジウムを用いた場合には、ベース金属材２８をなす金属材料に比べて、仕事関数が高い値となるのに加えて、その高い仕事関数の値と、有機半導体膜２５をなす有機半導体材料の仕事関数の値との差が小さなものとなるので、有機半導体膜２５に対して低抵抗金属材２９をより良好にオーミック接触させることができる。このように、低抵抗金属材２９に係る単位質量当たりの材料費は、ベース金属材２８に係る同材料費に比べると、高いものとなっている。

　そして、ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃにおける低抵抗金属材２９の含有比率は、ベース金属材２８の含有比率に比べて小さなものとなっている。これにより、仮にソース電極及びドレイン電極を低抵抗金属材２９のみにより構成した場合などに比べて、ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃに係る材料費を低下させることができる。その上で、ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃにおける低抵抗金属材２９の含有比率は、具体的には１％～３０％の範囲とされている。仮に低抵抗金属材の含有比率が１％を下回ると、有機半導体膜２５に対するソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃの接触抵抗が大きくなり過ぎる傾向があり、逆に低抵抗金属材の含有比率が３０％を上回ると、低抵抗金属材の使用量が多くなるために製造コストが高くなり過ぎる傾向にある。その点、低抵抗金属材２９の含有比率を１％～３０％の範囲とすることで、有機半導体膜２５に対するソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃの接触抵抗を十分に低下させることができるとともに、低抵抗金属材２９の使用量が少なく抑制されるので製造コストを十分に低下させることができる。

　本実施形態は以上のような構造であり、続いて液晶表示装置１０を構成する液晶パネル１１の製造方法について説明する。液晶パネル１１は、ＣＦ基板１１ａを製造するＣＦ基板製造工程と、アレイ基板１１ｂを製造するアレイ基板製造工程と、アレイ基板１１ｂまたはＣＦ基板１１ａに液晶材料を滴下する液晶滴下工程と、両基板１１ａ，１１ｂを貼り合わせる貼り合わせ工程と、を経ることで製造される。以下では、このうちのアレイ基板製造工程について詳しく説明する。なお、本実施形態に係るＣＦ基板１１ａ及びアレイ基板１１ｂは、合成樹脂製とされるとともに、ガラス製のものに比べて板厚が薄くなっていて平坦性が担保されないことが懸念されるので、それぞれの製造工程では、高い剛性を有するガラス製の支持基板ＳＢによって各基板１１ａ，１１ｂを裏側から支持することで平坦性を担保するようにしている。この支持基板ＳＢは、各製造工程を終えた後に各基板１１ａ，１１ｂから取り外されるものとされる。

　アレイ基板製造工程では、第１金属膜２２を形成する第１金属膜形成工程と、ゲート絶縁膜２３を形成するゲート絶縁膜形成工程と、第２金属膜２４を形成する第２金属膜形成工程と、有機半導体膜２５を形成する有機半導体膜形成工程と、平坦化膜２６を形成する平坦化膜形成工程と、透明電極膜２７を形成する透明電極膜形成工程と、を順次に行っている。第１金属膜形成工程では、図７に示すように、第１金属膜２２をなす３層の積層膜を、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法などの成膜方法によって順次にベタ状に成膜した後、ゲート電極１７ａ及びゲート配線（図示せず）と同じ平面形状のレジストＲＳ１をパターニングし、そのレジストＲＳ１をマスクとして例えばウェットエッチングによりゲート電極１７ａ及びゲート配線をパターニングする。このとき、積層膜のうちのチタン層に関しては、フッ化水素系または酸化剤系のエッチャントを用い、アルミニウム層に関しては、リン酸、硝酸、酢酸の混合液エッチャントを用いて、それぞれをエッチングする。エッチングを行った後に剥離液によってレジストＲＳ１を除去する。なお、第１金属膜２２の成膜方法としては、導電性ペーストを用いた印刷法、電界メッキ法、無電界メッキ法などを用いることも可能である。また、図７では、第１金属膜２２のうちレジストＲＳ１にてマスクされない部分がエッチングされる様子を矢線によって表現している。

　ゲート絶縁膜形成工程では、図８に示すように、アレイ基板１１ｂ及びパターニングされた第１金属膜２２の表面に対して有機樹脂材料をベタ状に塗布してから、焼成するようにしている。この焼成に関しては、１００℃～１５０℃程度で数分から数十分程度行う。なお、ゲート絶縁膜２３にコンタクトホールなどの開口を形成する必要があれば、フォトリソグラフィ法によってその開口をパターニングすればよい。

　第２金属膜形成工程では、図９に示すように、まず、ゲート絶縁膜２３の表面に対して第２金属膜２４をベタ状に成膜する。この成膜方法としては、スパッタ法や真空蒸着法を用いるのが好ましい。スパッタ法を用いる場合には、例えば、銅からなるベース金属材２８に、銀からなる低抵抗金属材２９である金属片ＭＰを、１％～３０％の含有比率でもって分散配合したターゲットを用意し、そのターゲットをアルゴンガスなどによってスパッタリングすることで、ゲート絶縁膜２３上にターゲットを転写すればよい。また、真空蒸着法を用いる場合には、例えば、銅からなるベース金属材２８と、銀からなる低抵抗金属材２９とを同時に蒸着する。第２金属膜２４を成膜したら、ソース電極１７ｂ、ドレイン電極１７ｃ、及びソース配線（図示せず）と同じ平面形状のレジストＲＳ２をパターニングし、そのレジストＲＳ２をマスクとして例えばウェットエッチングによりソース電極１７ｂ、ドレイン電極１７ｃ、及びソース配線をパターニングする。このとき、銅からなるベース金属材２８を過酸化水素及び有機酸系のエッチャントを用いてエッチングする。このエッチングを行うと、ベース金属材２８のうちエッチングされる部分に含有された低抵抗金属材２９がリフトオフされて除去されることになる。従って、ベース金属材２８のうちエッチングされる部分と、エッチングされない部分とに跨る形で配されていた低抵抗金属材２９は、エッチングによりパターニングされたソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃにおける外面に露出して配されることになる。この低抵抗金属材２９をなす金属片ＭＰは、その扁平な面ＦＳがベース金属材２８における端面２８ａ，２８ｃ，２８ｄとほぼ直交する姿勢で配されているので、同端面２８ａ，２８ｃ，２８ｄにおいて多数が露出している。エッチングを行った後に剥離液によってレジストＲＳ２を除去する。また、図９では、第２金属膜２４のうちレジストＲＳ２にてマスクされない部分がエッチングされる様子を矢線によって表現している。

　有機半導体膜形成工程では、図１０に示すように、ゲート絶縁膜２３及び第２金属膜２４（ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃ）の表面に対して有機半導体膜２５をなす有機半導体材料をベタ状に塗布してから、焼成することで有機半導体膜２５を成膜している。この焼成に関しては、１００℃～１５０℃程度で数分から数十分程度行う。有機半導体膜２５を成膜したら、有機半導体膜２５上に島状のレジストＲＳ３をパターニングし、そのレジストＲＳ３をマスクとして例えばウェットエッチングにより有機半導体膜２５をパターニングする。つまり、有機半導体膜２５は、フォトリソグラフィ法によりパターニングされている。有機半導体膜２５の成膜方法及びパターニング方法としては、上記以外にも、例えば印刷法（スクリーン印刷法、インクジェット印刷法など）を用いることも可能である。また、図１０では、有機半導体膜２５のうちレジストＲＳ３にてマスクされない部分がエッチングされる様子を矢線によって表現している。

　平坦化膜形成工程では、図１１に示すように、ゲート絶縁膜２３、第２金属膜２４（ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃ）、及び有機半導体膜２５の表面に対して有機樹脂材料をベタ状に塗布してから、焼成するようにしている。この焼成に関しては、１００℃～１５０℃程度で数分から数十分程度行う。平坦化膜２６を成膜したら、コンタクトホールＣＨ（ドレイン電極１７ｃの一部）を除いた部分と同じ平面形状のレジストＲＳ４をパターニングし、そのレジストＲＳ４をマスクとして例えばドライエッチングによりコンタクトホールＣＨをパターニングする。また、図１１では、平坦化膜２６のうちレジストＲＳ４にてマスクされない部分がエッチングされる様子を矢線によって表現している。

　透明電極膜形成工程では、図１２に示すように、平坦化膜２６及び第２金属膜２４（ドレイン電極１７ｃ）の表面に対して透明電極材料をベタ状に塗布し、透明電極膜２７を成膜する。このとき、透明電極膜２７のうちのドレイン電極１７ｃと平面に視て重畳する部分がコンタクトホールＣＨを通してドレイン電極１７ｃに対してコンタクトされる。透明電極膜２７を成膜した後、画素電極１８と同じ平面形状のレジストＲＳ５をパターニングし、そのレジストＲＳ５をマスクとして例えばウェットエッチングにより画素電極１８をパターニングする。以上により、図４に示される構成のＴＦＴ１７がアレイ基板１１ｂ上に形成される。また、図１２では、透明電極膜２７のうちレジストＲＳ５にてマスクされない部分がエッチングされる様子を矢線によって表現している。

　以上説明したように本実施形態のＴＦＴ（半導体装置）１７は、有機半導体材料からなる有機半導体膜２５と、有機半導体膜２５に接触するソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃ（複合金属電極）であって、金属材料からなるベース金属材２８に、有機半導体膜２５に対してオーミック接触してその接触抵抗がベース金属材２８よりも低い低抵抗金属材２９を混在させるとともに、低抵抗金属材２９が少なくとも有機半導体膜２５に対する接触面ＣＳに露出する形で配されてなるソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃと、を備える。

　このように、有機半導体膜２５に接触するソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃは、金属材料からなるベース金属材２８に、有機半導体膜２５に対してオーミック接触してその接触抵抗がベース金属材２８よりも低い低抵抗金属材２９を混在させるとともに、低抵抗金属材２９が少なくとも有機半導体膜２５に対する接触面ＣＳに露出する形で配されてなるから、ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃを有機半導体膜２５に対して十分に低い接触抵抗でもって良好にオーミック接触させることができるとともに、ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃ自身の電気抵抗を低く抑えることができる。そして、低抵抗金属材２９は、一般的にベース金属材２８に比べて材料費が高いものとされているから、仮にソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃを低抵抗金属材２９のみからなる構成とした場合に比べると、低抵抗金属材２９の使用量が少なく済むので、製造コストを低下させることができる。以上により、有機半導体膜２５に対するソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃの接触抵抗を低下させつつも、ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃ自身の電気抵抗を低下させるとともに製造コストを低下させることができる。

　また、ベース金属材２８は、膜状をなしていて少なくともその厚さ方向に沿う端面が接触面ＣＳとされているのに対し、低抵抗金属材２９は、ベース金属材２８中に多数含有される扁平な金属片ＭＰからなり且つその金属片ＭＰが扁平な面ＦＳを端面に対して交差させた姿勢とされる。このようにすれば、低抵抗金属材２９は、ベース金属材２８中に多数含有される扁平な金属片ＭＰからなり、その扁平な面ＦＳを、膜状をなすベース金属材２８における厚さ方向に沿う端面に対して交差させた姿勢とされているので、ベース金属材２８の端面に金属片ＭＰが露出し易くなる。これにより、金属片ＭＰが有機半導体膜２５に対して効率的に接触されるから、例えば金属片ＭＰの含有量を少なくして製造コストのさらなる低下を図っても、有機半導体膜２５に対するソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃの接触抵抗を十分に低下させることが可能となる。

　また、ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃは、低抵抗金属材２９が、接触面ＣＳに加えて有機半導体膜２５とは非接触とされる非接触面ＮＣＳにも露出する形で配されてなる。このようにすれば、仮に低抵抗金属材が有機半導体膜２５に対する接触面ＣＳのみに選択的に露出する形で配されたものに比べると、低抵抗金属材２９の配置に選択性を持たせる必要がなくなる。これにより、製造に際してソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃを容易に設けることができるので、製造コストのさらなる低下を図ることができる。

　また、ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃは、低抵抗金属材２９の含有比率が１％～３０％の範囲となる構成とされる。まず、低抵抗金属材２９は、一般的にベース金属材２８に比べて材料費が高いものとされる。仮に低抵抗金属材の含有比率が１％を下回ると、有機半導体膜２５に対するソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃの接触抵抗が大きくなり過ぎる傾向があり、逆に低抵抗金属材の含有比率が３０％を上回ると、低抵抗金属材２９の使用量が多くなるために製造コストが高くなり過ぎる傾向にある。その点、低抵抗金属材２９の含有比率を１％～３０％の範囲とすることで、有機半導体膜２５に対するソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃの接触抵抗を十分に低下させることができるとともに、低抵抗金属材２９の使用量が少なく抑制されるので製造コストを十分に低下させることができる。

　また、アレイ基板（基板）１１ｂと、アレイ基板１１ｂに対して積層されるゲート電極１７ａと、ゲート電極１７ａに対してアレイ基板１１ｂ側とは反対側に積層されるゲート絶縁膜（絶縁膜）２３と、を備えており、有機半導体膜２５は、ゲート絶縁膜２３に対してアレイ基板１１ｂ側とは反対側に積層されるとともにゲート電極１７ａと重畳する形で配されるのに対し、複合金属電極は、ゲート絶縁膜２３に対してアレイ基板１１ｂ側とは反対側に積層されるとともに間隔を空けて配され、それぞれが有機半導体膜２５に接触されるソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃからなるものとされる。このようにすれば、アレイ基板１１ｂに対して積層されたゲート電極１７ａに電圧が印加されると、ゲート電極１７ａに対してゲート絶縁膜２３を介して重畳する有機半導体膜２５に電界を付与されるので、それにより有機半導体膜２５を介して複合金属電極をなすソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃとの間で電荷が移動される。その上で、有機半導体膜２５に対してアレイ基板１１ｂ側とは反対側に各電極１７ａ～１７ｃおよびゲート絶縁膜２３が配されない構成となっているので、製造に際して各電極１７ａ～１７ｃの形成時に生じる熱の影響を有機半導体膜２５が受けることが避けられている。

　また、低抵抗金属材２９は、銀、金、白金、及びパラジウムのいずれかからなる。このようにすれば、有機半導体膜２５に対して低抵抗金属材２９が良好にオーミック接触されるので、有機半導体膜２５に対するソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃの接触抵抗をより好適に低くすることができる。

　また、ベース金属材２８をなす金属材料は、銅、アルミニウム、タングステン、モリブデン、コバルト、及びニッケルのいずれかからなる。このようにすれば、ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃ自身の電気抵抗を十分に低く抑えつつ、ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃに係る材料費を低く抑制することができる。

　また、本実施形態に係る液晶パネル（表示装置）１１は、上記したＴＦＴ１７をスイッチング素子として有するアレイ基板（素子基板）１１ｂを備える。このような構成の表示装置によれば、スイッチング素子の電気的特性が優れたものとなることで優れた表示性能が得られるとともに、製造コストが低いものとなる。

　また、アレイ基板１１ｂと対向状をなすＣＦ基板（対向基板）１１ａと、アレイ基板１１ｂとＣＦ基板１１ａとの間に挟持される液晶層１１ｃと、を備える。このようにすれば、このような液晶パネル１１は液晶表示装置１０として、種々の用途、例えばスマートフォンやタブレット型パソコンのディスプレイ等に適用できる。

　＜実施形態２＞
　本発明の実施形態２を図１３によって説明する。この実施形態２では、有機半導体膜１２５を保護するための保護膜３０を設けるようにしたものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係る保護膜３０は、図１３に示すように、有機半導体膜１２５の上層側（ソース電極１１７ｂ及びドレイン電極１１７ｃの下地表面であるゲート絶縁膜１２３側とは反対側）に積層されている。保護膜３０は、有機樹脂材料からなるものとされており、平面に視たパターンが有機半導体膜１２５と一致するとともに有機半導体膜１２５と重畳する配置とされる。つまり、有機半導体膜１２５は、保護膜３０によって全域にわたって上層側から覆われているから、例えば有機半導体膜１２５及び保護膜３０の上層側に平坦化膜１２６を成膜する際に、その有機樹脂材料に含有される溶媒によって有機半導体膜１２５が劣化させられるのが防がれるようになっている。それ以外にも、例えば有機半導体膜１２５及び保護膜３０の上層側に配される平坦化膜１２６が水分を含有していても、その水分によって有機半導体膜１２５が劣化させられるのが防がれるようになっている。なお、保護膜３０は、その厚さが有機半導体膜１２５の厚さよりも大きなものとされる。

　以上説明したように本実施形態によれば、有機半導体膜１２５は、ソース電極１１７ｂ及びドレイン電極１１７ｃが積層された下地表面に積層される部分と、ソース電極１１７ｂ及びドレイン電極１１７ｃに対して下地表面側とは反対側に積層される部分とを有してなり、有機半導体膜１２５に対して下地表面側とは反対側に積層される保護膜３０を備える。このようにすれば、有機半導体膜１２５は、ソース電極１１７ｂ及びドレイン電極１１７ｃに対して下地表面側とは反対側に積層される部分を有しているので、製造に際してソース電極１１７ｂ及びドレイン電極１１７ｃの形成時に生じる熱の影響を受けることが避けられている。その上で、有機半導体膜１２５に対して下地表面側とは反対側に保護膜３０が積層されているので、例えば、保護膜３０に対して有機半導体膜１２５側とは反対側に別の膜が配され、その膜が有機半導体膜１２５を劣化させ得る性質を持ったものであった場合でも、保護膜３０によって有機半導体膜１２５が保護されるので、有機半導体膜１２５に劣化が生じ難くなる。

　＜実施形態３＞
　本発明の実施形態３を図１４によって説明する。この実施形態３では、上記した実施形態１から低抵抗金属材２２９の配置を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係る低抵抗金属材２２９をなす金属片ＭＰは、図１４に示すように、ソース電極２１７ｂ（第２金属膜２２４）において層状をなす形で配されている。つまり、このソース電極２１７ｂは、相対的に低抵抗金属材２２９が多く配される低抵抗金属主体層３１と、相対的にベース金属材２２８が多く配されるベース金属主体層３２と、を積層してなるものとされる。低抵抗金属主体層３１には、低抵抗金属材２２９をなす多数の金属片ＭＰが高い分布密度でもって集約配置されているものの、隣り合う金属片ＭＰ間にはベース金属材２２８が介在している。ベース金属主体層３２は、殆どがベース金属材２２８からなるものとされ、低抵抗金属材２２９をなす金属片ＭＰが殆ど含有されていない。このような構成とすることで、ソース電極２１７ｂのうちの低抵抗金属主体層３１では、有機半導体膜２２５に対する接触面ＣＳにより多くの金属片ＭＰが露出するとともに、その露出確実性が高いものとなっている。従って、有機半導体膜２２５に対して低抵抗金属材２２９をより良好にオーミック接触させることができる。

　低抵抗金属主体層３１及びベース金属主体層３２は、ソース電極２１７ｂにおいてその厚さ方向（Ｚ軸方向）について交互に並んで配されており、具体的には下層側（下地であるゲート絶縁膜２２３側）から順に第１のベース金属主体層３２Ａ、第１の低抵抗金属主体層３１Ａ、第２のベース金属主体層３２Ｂ、第２の低抵抗金属主体層３１Ｂ、第３のベース金属主体層３２Ｃとされる。低抵抗金属主体層３１は、その厚さ寸法がベース金属主体層３２の厚さ寸法よりも小さなものとされている。具体的には、低抵抗金属主体層３１は、その厚さ寸法が例えば１０ｎｍ程度とされるのに対し、ベース金属主体層３２は、その厚さ寸法が例えば６０ｎｍ程度とされる。なお、図１４では、ソース電極２１７ｂを代表して図示しているが、図示しないドレイン電極についても同様の構成とされる。

　以上説明したように本実施形態によれば、ソース電極２１７ｂ（ドレイン電極）は、相対的に低抵抗金属材２２９が多く配される低抵抗金属主体層３１と、相対的にベース金属材２２８が多く配されるベース金属主体層３２と、を積層してなる。このようにすれば、仮にベース金属材中に低抵抗金属材を均等に分散配合した場合に比べると、ソース電極２１７ｂ（ドレイン電極）の低抵抗金属主体層３１においては、ソース電極２１７ｂ（ドレイン電極）における有機半導体膜２２５に対する接触面ＣＳに低抵抗金属材２２９がより確実に露出することになる。これにより、低抵抗金属材２２９が有機半導体膜２２５に対して効率的に接触されるから、例えば低抵抗金属材２２９の含有量を少なくして製造コストのさらなる低下を図っても、有機半導体膜２２５に対するソース電極２１７ｂ（ドレイン電極）の接触抵抗を十分に低下させることが可能となる。

　＜実施形態４＞
　本発明の実施形態４を図１５によって説明する。この実施形態４では、上記した実施形態３から低抵抗金属材３２９の配置をさらに変更したものを示す。なお、上記した実施形態３と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係るソース電極３１７ｂ（第２金属膜３２４）は、図１５に示すように、低抵抗金属主体層３３１が有機半導体膜３２５の膜厚方向（Ｚ軸方向）について下層側（下地であるゲート絶縁膜３２３側）に偏在する形で配されてなる。有機半導体膜３２５は、実施形態１にて説明した通り、その主要部分（ソース電極３１７ｂとドレイン電極との間に挟み込まれた部分）が、ソース電極３１７ｂ及びドレイン電極と同様にゲート絶縁膜３２３の表面に積層されるとともに、ソース電極３１７ｂ及びドレイン電極の厚さに比べて、膜厚が薄くなっている。このため、有機半導体膜３２５において電荷が移動する通路は、ソース電極３１７ｂ及びドレイン電極では膜厚方向について下層側に位置することになる。従って、ソース電極３１７ｂ及びドレイン電極のうちの下層側の部分と有機半導体膜３２５との間で主に電荷のやりとりが行われることになる。これに対し、本実施形態では、低抵抗金属主体層３３１が有機半導体膜３２５の膜厚方向について下層側に偏在する形で配されているから、有機半導体膜３２５とソース電極３１７ｂ（ドレイン電極）との間で電荷がより円滑にやりとりされる。これにより、有機半導体膜３２５に対するソース電極３１７ｂ（ドレイン電極）の接触抵抗を十分に低下させることができる。なお、図１５では、ソース電極３１７ｂを代表して図示しているが、図示しないドレイン電極についても同様の構成とされる。

　以上説明したように本実施形態によれば、有機半導体膜３２５は、少なくとも一部が、ソース電極３１７ｂ（ドレイン電極）が積層された下地表面に積層されるとともに、その膜厚がソース電極３１７ｂ（ドレイン電極）の厚さよりも薄くなっており、ソース電極３１７ｂ（ドレイン電極）は、低抵抗金属主体層３３１が有機半導体膜３２５の膜厚方向について下地表面側に偏在する形で配されてなる。このようにすれば、ソース電極３１７ｂ（ドレイン電極）のうちの下地表面側の部分と有機半導体膜３２５との間で主に電荷のやりとりが行われることになる。従って、ソース電極３１７ｂ（ドレイン電極）において、低抵抗金属主体層３３１が有機半導体膜３２５の膜厚方向について下地表面側に偏在する形で配されることで、有機半導体膜３２５とソース電極３１７ｂ（ドレイン電極）との間で電荷がより円滑にやりとりされる。これにより、有機半導体膜３２５に対するソース電極３１７ｂ（ドレイン電極）の接触抵抗を十分に低下させることができる。

　＜実施形態５＞
　本発明の実施形態５を図１６によって説明する。この実施形態５では、上記した実施形態１からＴＦＴ４１７の構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係るＴＦＴ４１７は、図１６に示すように、アレイ基板４１１ｂに積層された第２金属膜４２４からなるソース電極４１７ｂ及びドレイン電極４１７ｃと、アレイ基板４１１ｂ、ソース電極４１７ｂ及びドレイン電極４１７ｃに積層された有機半導体膜４２５と、アレイ基板４１１ｂ、ソース電極４１７ｂ、ドレイン電極４１７ｃ、及び有機半導体膜４２５に積層されたゲート絶縁膜４２３と、ゲート絶縁膜４２３に積層された第１金属膜４２２からなるゲート電極４１７ａと、を備えており、いわゆるトップゲート型（スタガ型）とされている。有機半導体膜４２５は、ゲート電極４１７ａに対して下層側（アレイ基板４１１ｂに近い側）に配されるとともに、ゲート絶縁膜４２３を介して平面に視て重畳する配置とされる。このＴＦＴ４１７では、ソース電極４１７ｂ及びドレイン電極４１７ｃが最下層（最もアレイ基板４１１ｂに近い層）に配されているので、平坦化膜４２６に加えてゲート絶縁膜４２３にもコンタクトホールＣＨが連通する形で形成されている。

　ところで、有機半導体膜４２５をなす有機半導体材料は、その種類によっては、有機半導体膜４２５のうちその膜厚方向について上側（アレイ基板４１１ｂ側とは反対側）に電気伝導性が良好な層が生じる場合がある。そのような場合には、有機半導体膜４２５において電気伝導性が良好な層が他の部分に比べてゲート電極４１７ａの近くに配されることになるので、ＴＦＴ４１７の電気的な特性が良好なものとなる。

　以上説明したように本実施形態によれば、有機半導体膜４２５及び複合金属電極であるソース電極４１７ｂ及びドレイン電極４１７ｃが積層されるアレイ基板４１１ｂと、有機半導体膜４２５、並びに複合金属電極であるソース電極４１７ｂ及びドレイン電極４１７ｃに対してアレイ基板４１１ｂ側とは反対側に積層されるゲート絶縁膜（絶縁膜）４２３と、ゲート絶縁膜４２３に対してアレイ基板４１１ｂ側とは反対側に積層されるゲート電極４１７ａと、を備えており、有機半導体膜４２５は、ゲート電極４１７ａと重畳する形で配されるのに対し、複合金属電極は、間隔を空けて配され、それぞれが有機半導体膜４２５に接触されるソース電極４１７ｂ及びドレイン電極４１７ｃからなるものとされる。このようにすれば、ゲート絶縁膜４２３に対してアレイ基板４１１ｂ側とは反対側に積層されたゲート電極４１７ａに電圧が印加されると、ゲート電極４１７ａに対してゲート絶縁膜４２３を介して重畳する有機半導体膜４２５に電界を付与されるので、それにより有機半導体膜４２５を介して複合金属電極をなすソース電極４１７ｂとドレイン電極４１７ｃとの間で電荷が移動される。有機半導体膜４２５をなす有機半導体材料の種類によっては、有機半導体膜４２５のうちその膜厚方向についてアレイ基板４１１ｂ側とは反対側の部分に電気伝導性が良好な層が生じる場合があり、その場合は有機半導体膜４２５において電気伝導性が良好な層が他の部分に比べてゲート電極４１７ａの近くに配されることになるので、当該ＴＦＴ４１７の電気的な特性が良好なものとなる。

　＜実施形態６＞
　本発明の実施形態６を図１７によって説明する。この実施形態６では、上記した実施形態１において、ソース電極５１７ｂ及びドレイン電極５１７ｃを、下地であるゲート絶縁膜５２３に対して密着させる密着膜３３を設けたものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係るソース電極５１７ｂ及びドレイン電極５１７ｃ（第２金属膜５２４）と、ゲート絶縁膜５２３との間には、図１７に示すように、密着膜３３が介在する形で設けられている。密着膜３３は、ソース電極５１７ｂ及びドレイン電極５１７ｃと、その下地であるゲート絶縁膜５２３との双方に対して密着性が良好な金属材料からなるものとされ、具体的にはチタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）などからなる。密着膜３３は、その膜厚が例えば５ｎｍ程度とされる。密着膜３３は、アレイ基板５１１ｂの製造に際しては、第２金属膜形成工程において第２金属膜５２４に先立ってゲート絶縁膜５２３上に成膜された後、第２金属膜５２４をエッチングするのと同時にエッチングされることでパターニングされている。

　以上説明したように本実施形態によれば、ソース電極５１７ｂ及びドレイン電極５１７ｃが積層された下地表面とソース電極５１７ｂ及びドレイン電極５１７ｃとの間に介在する形で配されるとともに、ソース電極５１７ｂ及びドレイン電極５１７ｃを下地表面に密着させる密着膜を備える。このようにすれば、ソース電極５１７ｂ及びドレイン電極５１７ｃをなすベース金属材５２８及び低抵抗金属材５２９が、下地表面に対して密着性の低い材料であった場合でも、密着膜によって下地表面に対するソース電極５１７ｂ及びドレイン電極５１７ｃの密着性が担保される。

　＜実施形態７＞
　本発明の実施形態７を図１８によって説明する。この実施形態７では、上記した実施形態１から低抵抗金属材６２９をなす金属片ＭＰの配置を変更したしたものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係る低抵抗金属材６２９をなす金属片ＭＰは、図１８に示すように、ベース金属材６２８中においてランダム（不規則）に多数が分散配置されている。詳しくは、低抵抗金属材６２９をなす多数の金属片ＭＰは、その扁平な面ＦＳが互いに並行することがなく、その姿勢が規則的に揃えられていない。このような構成であっても、低抵抗金属材６２９をなす金属片ＭＰを、ソース電極６１７ｂ（ドレイン電極）における有機半導体膜６２５に対する接触面ＣＳに好適に露出させることができる。なお、図１８では、ソース電極６１７ｂを代表して図示しているが、図示しないドレイン電極についても同様の構成とされる。

　＜実施形態８＞
　本発明の実施形態８を図１９によって説明する。この実施形態８では、上記した実施形態１から低抵抗金属材７２９の形態を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係る低抵抗金属材７２９は、図１９に示すように、球状をなしている。この球状をなす低抵抗金属材７２９は、ベース金属材７２８中においてランダム（不規則）に多数が分散配置されている。このような構成であっても、低抵抗金属材７２９を、ソース電極７１７ｂ（ドレイン電極）における有機半導体膜７２５に対する接触面ＣＳに好適に露出させることができる。なお、図１９では、ソース電極７１７ｂを代表して図示しているが、図示しないドレイン電極についても同様の構成とされる。

　＜実施形態９＞
　本発明の実施形態９を図２０によって説明する。この実施形態９では、上記した実施形態１から低抵抗金属材８２９の形態を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係る低抵抗金属材８２９は、図２０に示すように、楕円球状をなしている。この楕円球状をなす低抵抗金属材８２９は、ベース金属材８２８中においてランダム（不規則）に多数が分散配置されている。このような構成であっても、低抵抗金属材８２９を、ソース電極８１７ｂ（ドレイン電極）における有機半導体膜８２５に対する接触面ＣＳに好適に露出させることができる。なお、図２０では、ソース電極８１７ｂを代表して図示しているが、図示しないドレイン電極についても同様の構成とされる。

　＜実施形態１０＞
　本発明の実施形態１０を図２１によって説明する。この実施形態１０では、上記した実施形態１から低抵抗金属材９２９の形態を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係る低抵抗金属材９２９は、図２１に示すように、粒子状をなしている。この粒子状をなす低抵抗金属材９２９は、ベース金属材９２８中においてランダム（不規則）に多数が分散配置されている。このような構成であっても、低抵抗金属材９２９を、ソース電極９１７ｂ（ドレイン電極）における有機半導体膜９２５に対する接触面ＣＳに好適に露出させることができる。なお、図２１では、ソース電極９１７ｂを代表して図示しているが、図示しないドレイン電極についても同様の構成とされる。

　＜実施形態１１＞
　本発明の実施形態１１を図２２によって説明する。この実施形態１１では、上記した実施形態１から低抵抗金属材１０２９の形態を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係る低抵抗金属材１０２９は、図２２に示すように、層状をなしている。つまり、このソース電極１０１７ｂは、専ら低抵抗金属材１０２９が配される低抵抗金属層３４と、専らベース金属材１０２８が配されるベース金属層３５と、を積層してなるものとされる。低抵抗金属層３４は、低抵抗金属材１０２９からなるものとされ、ベース金属材１０２８が殆ど含有されない層となっている。同様に、ベース金属層３５は、ベース金属材１０２８からなるものとされ、低抵抗金属材１０２９が殆ど含有されない層となっている。このような構成とすることで、ソース電極１０１７ｂのうちの低抵抗金属層３４では、実施形態３，４に比べて、有機半導体膜１０２５に対する接触面ＣＳにさらに多くの金属片ＭＰが露出するとともに、その露出確実性がさらに高いものとなっている。従って、有機半導体膜１０２５に対して低抵抗金属材１０２９をより良好にオーミック接触させることができる。なお、図２２では、ソース電極１０１７ｂを代表して図示しているが、図示しないドレイン電極についても同様の構成とされる。

　＜他の実施形態＞
　本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
　（１）上記した実施形態１以外にも、低抵抗金属材をなす扁平な金属片の平面形状を変更である。具体的には、図２３に示すように、低抵抗金属材２９－１をなす扁平な金属片ＭＰ－１が、平面に視て横長な楕円形状をなす構成とすることも可能である。なお、図２３では、ソース電極１７ｂ－１を代表して図示しているが、図示しないドレイン電極についても同様の構成とされる。

　（２）上記した（１）以外にも、低抵抗金属材をなす金属片の平面形状は適宜に変更可能であり、例えば正方形、三角形、台形、菱形、五角形以上の多角形などとすることが可能である。

　（３）上記した各実施形態では、低抵抗金属材がベース金属膜の外面のいずれにも露出する形で配されるものを示したが、低抵抗金属材がベース金属膜の外面のうち、特定の外面のみに露出する構成とすることが可能である。その場合、低抵抗金属材がベース金属膜の外面のうち、有機半導体膜に対する接触面となる部分のみに選択的に露出する構成（低抵抗金属材が非接触面には露出することがない構成）とすることができる。さらには、低抵抗金属材がベース金属膜の接触面のうちの一部、例えば対向端面のみに選択的に露出する構成とすることも可能である。

　（４）上記した各実施形態以外にも、低抵抗金属材の具体的な含有比率は適宜に変更可能である。つまり、低抵抗金属材の含有比率は、１％以下でもよく、また３０％以上とすることも可能である。

　（５）上記した各実施形態以外にも、低抵抗金属材の具体的な金属材料は適宜に変更可能である。例えば、低抵抗金属材の金属材料としては、貴金属であるルテニウム、ロジウム、オスミウム、イリジウムなどを用いることができる。また、低抵抗金属材の金属材料を貴金属以外にすることも可能である。

　（６）上記した各実施形態以外にも、ベース金属材の具体的な金属材料は適宜に変更可能である。例えば、ベース金属材の金属材料としては、例えば非貴金属であり且つ周期表の第５族から第１３族に含まれる遷移金属を用いることが可能である。ベース金属材に用いる金属材料としては、低抵抗金属材に用いられる金属材料に比べて、材料費が安価なものが好ましく、そうであればベース金属材に用いる金属材料を貴金属とすることも可能である。また、ベース金属材に用いる金属材料は、有機半導体膜に対してオーミック接触するものであっても、オーミック接触しないものであっても構わない。

　（７）上記した各実施形態以外にも、基板、第１金属膜、有機半導体膜、ゲート絶縁膜、平坦化膜各膜、及び透明電極膜に用いる具体的な材料は、適宜に変更可能である。例えば、基板に用いる材料はガラスやシリコンなどの無機材料とすることも可能である。また、第１金属膜に用いる金属材料は、窒化チタンや窒化タンタルなどとすることも可能である。また、ゲート絶縁膜に用いる樹脂材料は、感光性を有さない樹脂材料でもよい。また、ゲート絶縁膜の樹脂材料として無機樹脂材料を用いることも可能である。

　（８）上記した各実施形態以外にも、各金属膜、有機半導体膜、ゲート絶縁膜、平坦化膜各膜、及び透明電極膜の具体的な成膜方法は、適宜に変更可能である。

　（９）上記した実施形態２では、保護膜の樹脂材料として有機樹脂材料を用いた場合を示したが、保護膜の材料として無機樹料を用いることも可能である。

　（１０）上記した実施形態３では、複数のベース金属主体層の厚さが同一で、低抵抗金属主体層が厚さ方向について等間隔に並ぶものを例示したが、複数のベース金属主体層の厚さが互いに異なっていて低抵抗金属主体層が不規則に並ぶ配置とすることも可能である。なお、実施形態１１の構成に関しても同様に変更することが可能である。

　（１１）上記した実施形態３，４以外にも、ベース金属主体層及び低抵抗金属主体層の数については適宜に変更可能である。なお、実施形態１１の構成に関しても同様に変更することが可能である。

　（１２）上記した実施形態２から実施形態４及び実施形態６に記載した各構成に、実施形態７から実施形態１０を適宜に組み合わせることも可能である。

　（１３）上記した実施形態５に記載した構成（トップゲート型のＴＦＴ）に、実施形態２から実施形態４を適宜に組み合わせることも可能である。また、実施形態５に実施形態７から実施形態１０を適宜に組み合わせることも可能である。

　（１４）上記した実施形態７から実施形態１０以外にも、低抵抗金属材の具体的な形態は適宜に変更可能である。例えば、低抵抗金属材を円柱状、角柱状、円錐状、角錐状などとすることが可能である。

　（１５）上記した各実施形態では、縦長な方形状をなす液晶パネルを例示したが、横長な方形状をなす液晶パネルや正方形状をなす液晶パネルにも本発明は適用可能である。

　（１６）上記した各実施形態に記載した液晶パネルに対して、タッチパネルや視差バリアパネル（スイッチ液晶パネル）などの機能性パネルを積層する形で取り付けるようにしたものも本発明に含まれる。

　（１７）上記した各実施形態では、液晶表示装置が備えるバックライト装置としてエッジライト型のものを例示したが、直下型のバックライト装置を用いるようにしたものも本発明に含まれる。

　（１８）上記した各実施形態では、外部光源であるバックライト装置を備えた透過型の液晶表示装置を例示したが、本発明は、外光を利用して表示を行う反射型液晶表示装置にも適用可能であり、その場合はバックライト装置を省略することができる。

　（１９）上記した各実施形態では、液晶表示装置のスイッチング素子としてＴＦＴを用いたが、ＴＦＴ以外のスイッチング素子（例えば薄膜ダイオード（ＴＦＤ））を用いた液晶表示装置にも適用可能であり、またカラー表示する液晶表示装置以外にも、白黒表示する液晶表示装置にも適用可能である。

　（２０）上記した各実施形態では、表示パネルとして液晶パネルを用いた液晶表示装置を例示したが、他の種類の表示パネル（ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）、有機ＥＬパネル、ＥＰＤ（電気泳動ディスプレイパネル）など）を用いた表示装置にも本発明は適用可能である。その場合、バックライト装置を省略することが可能である。

　（２１）上記した各実施形態では、小型または中小型に分類され、携帯型情報端末、携帯電話、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、携帯型ゲーム機、電子インクペーパなどの各種電子機器などに用いされる液晶パネルを例示したが、画面サイズが例えば２０インチ～９０インチで、中型または大型（超大型）に分類される液晶パネルにも本発明は適用可能である。その場合、液晶パネルをテレビ受信装置、電子看板（デジタルサイネージ）、電子黒板などの電子機器に用いることが可能とされる。

　１１…液晶パネル（表示装置）、１１ａ…ＣＦ基板（対向基板）、１１ｂ，４１１ｂ，５１１ｂ…アレイ基板（基板、素子基板）、１１ｃ…液晶層、１７，４１７…ＴＦＴ（半導体装置、スイッチング素子）、１７ａ，４１７ａ…ゲート電極、１７ｂ，１１７ｂ，２１７ｂ，３１７ｂ，４１７ｂ，５１７ｂ，６１７ｂ，７１７ｂ，８１７ｂ，９１７ｂ，１０１７ｂ，１７ｂ－１…ソース電極（複合金属電極）、１７ｃ，１１７ｃ，４１７ｃ，５１７ｃ…ドレイン電極（複合金属電極）、２３，１２３，２２３，４２３，５２３…ゲート絶縁膜（絶縁膜）、２５，１２５，２２５，３２５，４２５，６２５，７２５，８２５，９２５，１０２５…有機半導体膜、２８，２２８，５２８，６２８，７２８，８２８，９２８，１０２８…ベース金属材、２８ａ…対向端面（端面）、２９，２２９，５２９，６２９，７２９，８２９，９２９，１０２９，２９－１…低抵抗金属材、３０…保護膜、３１，３３１…低抵抗金属主体層、３２，３３２…ベース金属主体層、３３…密着膜、ＣＳ…接触面、ＦＳ…扁平な面、ＭＰ…金属片、ＮＣＳ…非接触面

Claims

　有機半導体材料からなる有機半導体膜と、
　前記有機半導体膜に接触する複合金属電極であって、金属材料からなるベース金属材に、前記有機半導体膜に対してオーミック接触してその接触抵抗が前記ベース金属材よりも低い低抵抗金属材を混在させるとともに、前記低抵抗金属材が少なくとも前記有機半導体膜に対する接触面に露出する形で配されてなる複合金属電極と、を備える半導体装置。
　前記ベース金属材は、膜状をなしていて少なくともその厚さ方向に沿う端面が前記接触面とされているのに対し、
　前記低抵抗金属材は、前記ベース金属材中に多数含有される扁平な金属片からなり且つその金属片が扁平な面を前記端面に対して交差させた姿勢とされる請求項１記載の半導体装置。
　前記複合金属電極は、前記低抵抗金属材が、前記接触面に加えて前記有機半導体膜とは非接触とされる非接触面にも露出する形で配されてなる請求項１または請求項２記載の半導体装置。
　前記複合金属電極は、相対的に前記低抵抗金属材が多く配される低抵抗金属主体層と、相対的に前記ベース金属材が多く配されるベース金属主体層と、を積層してなる請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
　前記有機半導体膜は、少なくとも一部が、前記複合金属電極が積層された下地表面に積層されるとともに、その膜厚が前記複合金属電極の厚さよりも薄くなっており、
　前記複合金属電極は、前記低抵抗金属主体層が前記有機半導体膜の膜厚方向について前記下地表面側に偏在する形で配されてなる請求項４記載の半導体装置。
　前記複合金属電極は、前記低抵抗金属材の含有比率が１％～３０％の範囲となる構成とされる請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。
　基板と、
　前記基板に対して積層されるゲート電極と、
　前記ゲート電極に対して前記基板側とは反対側に積層される絶縁膜と、を備えており、
　前記有機半導体膜は、前記絶縁膜に対して前記基板側とは反対側に積層されるとともに前記ゲート電極と重畳する形で配されるのに対し、
　前記複合金属電極は、前記絶縁膜に対して前記基板側とは反対側に積層されるとともに間隔を空けて配され、それぞれが前記有機半導体膜に接触されるソース電極及びドレイン電極からなるものとされる請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置。
　前記有機半導体膜及び前記複合金属電極が積層される基板と、
　前記有機半導体膜及び前記複合金属電極に対して前記基板側とは反対側に積層される絶縁膜と、
　前記絶縁膜に対して前記基板側とは反対側に積層されるゲート電極と、を備えており、
　前記有機半導体膜は、前記ゲート電極と重畳する形で配されるのに対し、
　前記複合金属電極は、間隔を空けて配され、それぞれが前記有機半導体膜に接触されるソース電極及びドレイン電極からなるものとされる請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置。
　前記複合金属電極が積層された下地表面と前記複合金属電極との間に介在する形で配されるとともに、前記複合金属電極を前記下地表面に密着させる密着膜を備える請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置。
　前記有機半導体膜は、前記複合金属電極が積層された下地表面に積層される部分と、前記複合金属電極に対して前記下地表面側とは反対側に積層される部分とを有してなり、
　前記有機半導体膜に対して前記下地表面側とは反対側に積層される保護膜を備える請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の半導体装置。
　前記低抵抗金属材は、銀、金、白金、及びパラジウムのいずれかからなる請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
　前記ベース金属材をなす金属材料は、銅、アルミニウム、タングステン、モリブデン、コバルト、及びニッケルのいずれかからなる請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の半導体装置。
　請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の半導体装置をスイッチング素子として有する素子基板を備える表示装置。
　前記素子基板と対向状をなす対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に挟持される液晶層と、を備える請求項１３記載の表示装置。