JP4706236B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4706236B2 JP4706236B2 JP2004331475A JP2004331475A JP4706236B2 JP 4706236 B2 JP4706236 B2 JP 4706236B2 JP 2004331475 A JP2004331475 A JP 2004331475A JP 2004331475 A JP2004331475 A JP 2004331475A JP 4706236 B2 JP4706236 B2 JP 4706236B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ohmic contact
- adhesion
- semiconductor device
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 128
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 396
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 92
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 87
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 43
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 22
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 11
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 39
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 23
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 19
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 description 7
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- -1 gold Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical group 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000009740 moulding (composite fabrication) Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
- H10K10/84—Ohmic electrodes, e.g. source or drain electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
前記ソース電極及び前記ドレイン電極が、
前記下地との密着性のよい単体金属又は合金からなり、主面全体が前記下地表面に接 して形成されている密着層と、
少なくとも前記電流通路との接触域において前記密着層を被覆し、前記半導体層とオ ーミック接触を形成するオーミック接触層と
からなることを特徴とする、半導体装置に係わり、この半導体装置の製造方法であって、
前記下地の表面に前記密着層を所定のパターンに形成する工程と、
少なくとも前記電流通路との接触域において前記密着層を被覆する前記オーミック接 触層を、前記半導体層とオーミック接触を形成する材料の物理的成膜法によって形成す る工程と、
前記密着層と前記オーミック接触層とからなる前記ソース電極及び前記ドレイン電極 とに連接して、少なくともこれらの電極間の前記下地表面に前記半導体層を形成する工 程と
を有する、半導体装置の製造方法に係わるものである。
前記下地との密着性のよい単体金属又は合金からなり、主面全体が前記下地表面に接 して形成されている密着層と、
少なくとも前記電流通路との接触域において前記密着層を被覆し、前記半導体層とオ ーミック接触を形成するオーミック接触層と
からなる。
前記下地の表面に前記密着層を所定のパターンに形成する工程と、
少なくとも前記電流通路との接触域において前記密着層を被覆する前記オーミック接 触層を、前記半導体層とオーミック接触を形成する材料の物理的成膜法によって形成す る工程と、
前記密着層と前記オーミック接触層とからなる前記ソース電極及び前記ドレイン電極 とに連接して、少なくともこれらの電極間の前記下地表面に前記半導体層を形成する工 程と
を有するので、前記半導体装置を簡易な工程で生産性よく製造することができる。特に、真空蒸着法などの物理的成膜法によって前記オーミック接触層を形成するので、めっき法などの化学的方法に比べて、純度が高く、表面の平坦性が良好な金属膜からなる前記オーミック接触層を形成することができる。
前記下地の表面に、前記密着層を形成する領域以外を被覆するフォトレジスト層を形成 する工程と、
前記密着層を形成する材料を真空蒸着法又はスパッタリング法によって被着させ、前記密着 層を形成する工程と、
前記フォトレジスト層を除去し、前記密着層以外の前記密着層形成材料の堆積物を除 去する工程と、
前記オーミック接触層の形成領域を除いて、少なくとも、前記密着層を形成する領域 以外を被覆する第2のフォトレジスト層を、前記下地表面に形成する工程と、
前記オーミック接触層を形成する材料を真空蒸着法又はスパッタリング法によって被着させ 、前記オーミック接触層を形成する工程と、
前記第2のフォトレジスト層を除去し、前記オーミック接触層以外の前記オーミック 接触層形成材料の堆積物を除去する工程と
を有し、リフトオフ法を2回行うのがよい。リフトオフ法は、エッチング法によるパターニングが難しい、金などの材料からなる薄膜のパターニングに好適に用いられ、めっき法などでは形成が困難な幅0.1〜5μmの微細なパターンを形成することができる。
実施の形態1は、主として請求項1及び2に記載した半導体装置、及び請求項10〜14に記載した半導体装置の製造方法に関わる例として、有機FET及びその製造方法について説明する。
実施の形態2は、主として請求項1及び3に記載した半導体装置、及びその製造方法に関わる例である。本実施の形態は、オーミック接触層の形状のみが実施の形態1と異なっているので、以下、実施の形態1との相違点に重点を置いて説明する。
実施の形態3は、主として請求項1及び4に記載した半導体装置、及びその製造方法に関わる例である。本実施の形態は、オーミック接触層の形状のみが実施の形態1と異なっているので、以下、実施の形態1との相違点に重点を置いて説明する。
3…ソース電極、3a…密着層、3b…オーミック接触層、4…ドレイン電極、
4a…密着層、4b…オーミック接触層、5…有機半導体層、6…電流通路、
7、8…接触域、10、20、30…有機FET、11、12…接続部、
23、33…ソース電極、23a、33a…密着層、
23b、33b…オーミック接触層、24、34…ドレイン電極、
24a、34a…密着層、24b、34b…オーミック接触層、
25、35…有機半導体層、36a…密着層、36b…オーミック接触層、
51…フォトレジスト層、52…パターニングされたフォトレジスト層、
53…密着材料層、54…フォトレジスト層、
55、57、59…パターニングされたフォトレジスト層、
56、58、60…オーミック接触材料層、61…基板ホルダ、62、63…蒸着源、
71…基板ホルダ、72…蒸着源、81…基板ホルダ、82…蒸着源、83…シャッタ、84…公転機構、85…自転機構、86…真空チャンバ、
101…高濃度にドープされたシリコン基板(ゲート電極)、
102…ゲート絶縁膜、103…ソース電極、103a…密着層(クロム層)、
103b…オーミック接触層(金層)、104…ドレイン電極、
104a…密着層(クロム層)、104b…オーミック接触層(金層)、
105…有機半導体層、106…電流通路(チャネル)、
107、108…密着層の側面、110…有機FET、120…シリコン基板、
121…ゲート電極、122…ゲート絶縁膜、123…ソース電極、
123a…密着層(クロム層)、123b…オーミック接触層(金層)、
124…ドレイン電極、124a…密着層(クロム層)、
124b…オーミック接触層(金層)、125…有機半導体層、
126…電流通路(チャネル)、130…有機FET
Claims (10)
- ゲート電極とゲート絶縁膜とが設けられた下地の表面にソース電極及びドレイン電極が形成され、これらのソース電極とドレイン電極とに連接して少なくともこれらの電極間の前記下地表面に有機半導体層が形成され、前記下地との界面近傍にて前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にこれらの電極よりも薄く前記有機半導体層の電流通路が形成され、この電流通路の導電性が前記ゲート電極の電位によって制御されるように構成され、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極が、
前記下地との密着性のよい単体金属又は合金からなり、主面全体が前記下地表面に接 して形成されている密着層と、
前記電流通路と前記密着層の側面の一部分との間において、前記密着層の側面の一部 分を前記下地の表面からその上部にかけて局部的に被覆し、前記有機半導体層とオーミ ック接触を形成するオーミック接触層と
からなっている、半導体装置。 - 前記密着層が前記ゲート絶縁膜に接して形成されている、請求項1に記載した半導体装置。
- 電界効果トランジスタとして構成されている、請求項1に記載した半導体装置。
- 前記密着層がチタン、クロム及びニッケルからなる群の中から選ばれた少なくとも1種の金属からなる、請求項1に記載した半導体装置。
- 前記オーミック接触層が金、白金及びパラジウムからなる群の中から選ばれた少なくとも1種の金属からなる、請求項1に記載した半導体装置。
- 請求項1に記載した半導体装置の製造方法であって、
前記下地の表面に、前記密着層を形成する領域以外を被覆するフォトレジスト層を形 成する工程と、
前記密着層を形成する材料を真空蒸着法又はスパッタリング法によって被着させ、前 記密着層を形成する工程と、
前記フォトレジスト層を除去し、前記密着層以外の前記密着層形成材料の堆積物をリ フトオフ法によって除去する工程と、
前記オーミック接触層の形成領域を除いて、少なくとも、前記密着層を形成する領域 以外を被覆する第2のフォトレジスト層を、前記下地表面に形成する工程と、
前記オーミック接触層を形成する材料を真空蒸着法又はスパッタリング法によって被 着させ、前記オーミック接触層を形成する工程と、
前記第2のフォトレジスト層を除去し、前記オーミック接触層以外の前記オーミック 接触層形成材料の堆積物をリフトオフ法によって除去する工程と、
前記密着層と前記オーミック接触層とからなる前記ソース電極及び前記ドレイン電極 に連接して、少なくともこれらの電極間の前記下地表面に前記有機半導体層を形成する 工程と
を有する、半導体装置の製造方法。 - 前記密着層を前記ゲート絶縁膜に接して形成する、請求項6に記載した半導体装置の製造方法。
- 電界効果トランジスタを製造する、請求項6に記載した半導体装置の製造方法。
- 前記密着層を、チタン、クロム及びニッケルからなる群の中から選ばれた少なくとも1種の金属を用いて形成する、請求項6に記載した半導体装置の製造方法。
- 前記オーミック接触層を、金、白金及びパラジウムからなる群の中から選ばれた少なくとも1種の金属を用いて形成する、請求項6に記載した半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004331475A JP4706236B2 (ja) | 2004-11-16 | 2004-11-16 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004331475A JP4706236B2 (ja) | 2004-11-16 | 2004-11-16 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006147613A JP2006147613A (ja) | 2006-06-08 |
JP4706236B2 true JP4706236B2 (ja) | 2011-06-22 |
Family
ID=36626982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004331475A Expired - Fee Related JP4706236B2 (ja) | 2004-11-16 | 2004-11-16 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4706236B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7768000B2 (en) | 2006-09-29 | 2010-08-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof |
JP4836769B2 (ja) * | 2006-12-18 | 2011-12-14 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
WO2009147746A1 (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | パイオニア株式会社 | 有機トランジスタ及びその製造方法 |
WO2010146645A1 (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-23 | パイオニア株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2010146692A1 (ja) * | 2009-06-18 | 2010-12-23 | パイオニア株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2012066087A1 (en) * | 2010-11-17 | 2012-05-24 | Imec | Method for fabricating thin-film bottom-contact transistors and bottom-contact transistors thus obtained |
WO2014068916A1 (ja) * | 2012-10-29 | 2014-05-08 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ |
WO2014208442A1 (ja) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ |
WO2015098192A1 (ja) | 2013-12-27 | 2015-07-02 | シャープ株式会社 | 半導体装置及び表示装置 |
JP6505857B2 (ja) * | 2015-09-24 | 2019-04-24 | 富士フイルム株式会社 | 有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004055652A (ja) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Pioneer Electronic Corp | 有機半導体素子 |
-
2004
- 2004-11-16 JP JP2004331475A patent/JP4706236B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004055652A (ja) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Pioneer Electronic Corp | 有機半導体素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006147613A (ja) | 2006-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10109647B2 (en) | MOTFT with un-patterned etch-stop | |
JP5420820B2 (ja) | 薄膜トランジスタバックプレーン回路 | |
TWI416734B (zh) | 用於製造薄膜裝置的系統及方法 | |
US7619245B2 (en) | Flat panel display and manufacturing method of flat panel display | |
US8088655B2 (en) | Thin film transistor and manufacturing method thereof | |
TW201014005A (en) | Organic thin film transistor, production method thereof, and electronic device | |
JP2006049836A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
TWI297548B (en) | Pixel structure for flat panel display and method for fabricating the same | |
JP4706236B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4951878B2 (ja) | 電界効果型トランジスタの製造方法 | |
JP2008277375A (ja) | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2005019446A (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
TWI258048B (en) | Structure of TFT electrode for preventing metal layer diffusion and manufacturing method thereof | |
JP2004349292A (ja) | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2008147662A (ja) | トランジスタデバイス | |
JP3349356B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
TWI392095B (zh) | 有機薄膜電晶體陣列面板及其製造方法 | |
EP1863095A2 (en) | Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same | |
US20080032440A1 (en) | Organic semiconductor device and method of fabricating the same | |
JP2005093633A (ja) | 電界効果型トランジスタ | |
JP4224203B2 (ja) | 薄膜二端子素子及び液晶表示装置 | |
JP2006253682A (ja) | 有機薄膜トランジスタ表示パネル及びその製造方法 | |
JP2004200304A (ja) | 有機半導体装置およびその製造方法 | |
WO2019078267A1 (ja) | 有機薄膜トランジスタ、その製造方法、アクティブマトリクスアレイおよび画像表示装置 | |
CN107958956B (zh) | 有机薄膜晶体管元件及其制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20070125 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070613 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090527 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100810 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100812 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100902 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101221 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110125 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110215 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110228 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |