KR102455039B1 - 신축성 디스플레이 장치 - Google Patents

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Abstract

복수의 발광 다이오드; 상기 복수의 발광 다이오드의 구동을 제어하는 복수의 박막 트랜지스터; 및 신축성이 있는 재질로 형성되고, 평탄부와, 상기 평탄부로부터 돌출되고 굴곡진 면을 가지는 복수의 돌출부를 구비하며, 상기 복수의 돌출부 상에 상기 복수의 발광 다이오드 중 적어도 일부가 배치되는, 신축성 기판;을 포함하는 디스플레이 장치가 제공된다.

Description

신축성 디스플레이 장치{Stretchable display device}
본 발명은 신축성 디스플레이 장치에 대한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 PN 접합 다이오드에 순방향으로 전압을 인가하면 정공과 전자가 주입되고, 그 정공과 전자의 재결합으로 생기는 에너지를 빛 에너지로 변환시키는 반도체 소자이다.
무기 화합물을 이용하여 발광하는 무기 LED는 LCD TV의 백라이트, 조명, 전광판 등에 널리 사용되고 있고, 유기 화합물을 이용하여 발광하는 유기 LED는 최근 핸드폰과 같은 소형 전자기기로부터 대형 TV에 까지 사용되고 있다.
최근에는, LED를 사용하며, 유연하고 신축성이 있는 디스플레이 장치가 소개되고 있다.
본 발명은 신축 변화시, 휘도 변화가 적은 신축성 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명의 일 유형에 따르면, 복수의 발광 다이오드; 신축성이 있는 재질로 형성되고, 평탄부와, 상기 평탄부로부터 돌출되고 굴곡진 면을 가지는 복수의 돌출부를 구비하며, 상기 복수의 돌출부 상에 상기 복수의 발광 다이오드 중 적어도 일부가 배치되는, 신축성 기판; 및 상기 신축성 기판 내에 위치하여, 상기 복수의 발광 다이오드의 구동을 제어하는 복수의 박막 트랜지스터;를 포함하는, 디스플레이 장치가 제공된다.
상기 복수의 돌출부는 경사면을 포함하며, 상기 경사면 상에 상기 복수의 발광 다이오드 중 적어도 일부가 배치될 수 있다.
상기 복수의 발광 다이오드 사이에는 격벽부가 더 배치될 수 있다.
상기 격벽부는 상기 복수의 돌출부 사이의 영역에 배치될 수 있다.
상기 격벽부는 상기 복수의 돌출부 각각의 중심 위치에 배치될 수 있다.
상기 격벽부는 반사판 또는 흡수판일 수 있다.
상기 디스플레이 장치는 상기 신축성 기판 상에, 상기 복수의 돌출부의 표면에 접촉 배치된, 신축성 필름을 더 포함하며, 상기 복수의 발광 다이오드는 신축성 필름 상에 배치될 수 있다.
상기 복수의 돌출부는 상기 평탄부에 대해 소정 경사각을 가지며 서로 이격된 두 측면과, 상기 두 측면을 연결하는 상부 평탄면을 구비할 수 있다.
상기 복수의 발광 다이오드는 상기 상부 평탄면 상에 배치되는 제1 발광 다이오드; 및 상기 두 측면에 배치되는 제2 발광 다이오드;를 포함할 수 있다.
상기 제1 발광 다이오드는, 상기 신축성 기판의 신축 상태와 무관하게, 영상 정보에 따라 온, 오프되는 디스플레이 화소로 동작할 수 있다.
상기 제2 발광 다이오드는 상기 신축성 기판이 신장되지 않은 상태나 소정 신장률 미만으로 신장된 상태에서는 디스플레이 화소로 동작하지 않고, 상기 신축성 기판이 소정의 신장률 이상으로 신장된 상태에서는 영상 정보에 따라 온, 오프되는 디스플레이 화소로 동작할 수 있다.
상기 디스플레이 장치는 상기 신축성 기판이 신장된 상태에 따라, 하나의 화소로 동작하는 상기 제2 발광 다이오드의 개수가 달라질 수 있다.
상기 디스플레이 장치는 상기 복수의 돌출부 사이의, 상기 평탄부 상의 영역에 배치된 제3 발광 다이오드를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 발광 다이오드와 상기 제3 발광 다이오드는, 상기 신축성 기판의 신축 상태와 무관하게 영상 정보에 따라 온, 오프되는 디스플레이 화소로 동작할 수 있다.
상기 제2 발광 다이오드는 상기 신축성 기판이 신장되지 않은 상태나 소정 신장률 미만으로 신장된 상태에서는 디스플레이 화소로 동작하지 않고, 상기 신축성 기판이 소정의 신장률 이상으로 신장된 상태에서는 영상 정보에 따라 온, 오프되는 디스플레이 화소로 동작할 수 있다.
상기 복수의 돌출부의 단면 형상은 상면이 하면보다 넓은 역사다리꼴 형상일 수 있다.
상기 복수의 발광 다이오드는 상기 상부 평탄면 상에 배치되는 제1 발광 다이오드; 및 상기 평탄부 상의, 상기 복수의 돌출부 사이의 영역에 배치되는, 제2 발광 다이오드;를 포함할 수 있다.
상기 제1 발광 다이오드는 상기 신축성 기판의 신축 상태와 무관하게 영상 정보에 따라 온, 오프되는 디스플레이 화소로 동작할 수 있다.
상기 제2 발광 다이오드는 상기 신축성 기판이 신장되지 않은 상태나 소정 신장률 미만으로 신장된 상태에서는 오프되어 디스플레이 화소로 동작하지 않고, 상기 신축성 기판이 소정의 신장률 이상으로 신장된 상태에서는 영상 정보에 따라 온, 오프되는 디스플레이 화소로 동작할 수 있다.
상기 디스플레이 장치는 상기 신축성 기판 상에, 상기 두 측면과, 상기 상부 평탄면을 따라 접촉 배치된, 신축성 필름을 더 포함할 수 있고, 상기 복수의 발광 다이오드가 상기 신축성 필름 상에 배치될 수 있다.
상술한 디스플레이 장치는 신축성 기판 상에 입체적인 배열 형태로 발광 다이오드를 배치하여, 신축 변화가 용이하다.
상술한 디스플레이 장치는 신축 변화시에도 휘도 변화가 거의 없는 디스플레이를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
도 2는 도 1의 일부 영역을 확대하여 상세히 보인 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 도 1의 디스플레이 장치의 신축 변화시에 휘도 변화가 적음을 개념적으로 셜명하는 도면들이다.
도 4a 내지 도 4f는 도 1의 디스플레이 장치를 제조하는 과정을 예시적으로 보인 도면들이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
도 6은 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
도 7a 내지 도 7e는 도 6의 디스플레이 장치를 제조하는 과정을 예시적으로 보인 도면들이다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
도 9는 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
도 10a 및 도 10b는 도 9의 디스플레이 장치의 신축 여하에 따라 디스플레이 장치에 구비된 발광 다이오드의 화소로서의 구동 여부가 변하는 것을 예시적으로 보인다.
도 11은 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
도 12는 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
도 13a 내지 도 13c는 도 12의 디스플레이 장치의 신축 상태에 따라 디스플레이 장치에 구비된 발광 다이오드의 화소로의 동작 여부 및 각 화소에 포함되는 발광 다이오드의 개수가 변하는 것을 예시적으로 보인다.
도 14는 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
도 15는 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
도 16은 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치(1001)의 개략적인 구조를 보이는 단면도이고, 도 2는 도 1의 일부 영역을 확대하여 상세히 보인 도면이다.
디스플레이 장치(1001)는 신축성 기판(100)과 신축성 기판(100) 상에 배치된 복수의 발광 다이오드(150)를 포함한다. 신축성 기판(100)은 평탄부(110)와, 평탄부(110)로부터 돌출되고 굴곡진 면을 가지는 복수의 돌출부(120)를 포함하는 형태이다. 평탄부(110)와 돌출부(120)는 신축성 기판(100)의 영역을 형상에 따라 구분한 것으로, 돌출부(120)는 신축성 기판(100)이 늘어나거나 줄어듦에 따라 돌출된 정도가 변하는 영역, 즉, 경사각이 변하는 경사면(120a)(120b)을 포함하는 영역이고, 나머지 영역을 평탄부(110)로 지칭하고 있다.
디스플레이 장치(1001)는 또한, 발광 다이오드(150)의 구동을 제어하기 위한 박막 트랜지스터(TFT)를 포함한다. 박막 트랜지스터(TFT)는 도 2에 도시된 바와 같이, 신축성 기판(100) 내에 형성될 수 있다. 예를 들어, 신축성 재질로 형성된 기판(111) 상에 박막 트랜지스터(TFT)가 형성되고, 박막 트랜지스터(TFT) 상에 신축성 재질로 된 신축성 절연층(125)이 형성될 수 있다. 도 2에서는 박막 트랜지스터(TFT)가 평탄부(110) 내에 임베드된 형태로 도시되어 있으나, 이는 예시적인 것이고, 박막 트랜지스터(TFT)의 위치는 신축성 기판(100)내의 어느 위치에 형성되어도 무방하다.
먼저, 도 2를 참조하여, 디스플레이 장치(1001)의 구성요소를 상세히 살펴보기로 한다.
기판(111)으로는 신축성 재질의 기판이 채용될 수 있다. 예를 들어, 엘라스토머성 실리콘(Elastomeric silicone), 엘라스토머성 폴리우레탄(Elastomeric polyurethane), 엘라스토머성 폴리이소프렌(Elastomeric polyisoprene), 엘라스토머성 우레탄아크릴레이트(Elastomeric urethane acrylate) 등 중 어느 하나의 재질로 형성될 수 있다. 기판(111)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질로 형성될 수 있다. 디스플레이 장치(1001)가 투명 디스플레이 장치인 경우 기판(111)은 투명 또는 반투명한 재질로 형성되며, 전면 발광형인 경우, 불투명한 재질로 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT)의 형성을 위해, 기판(111)에 버퍼층(112)이 형성될 수 있다. 버퍼층(112)은 기판(110)의 상부에 평탄면을 제공할 수 있고, 이물 또는 습기가 기판(110)을 통하여 침투하는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(112)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT)는 채널층(CH), 게이트 전극(GE), 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)을 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터(TFT)가 게이트 전극(GE)이 채널층(CH) 위에 형성된 탑 게이트 타입(top gate type)으로 예시되고 있으나, 이에 한정되지 않으며, 바텀 게이트 타입(bottom gate type)으로 변형될 수도 있다.
채널층(CH)은 반도체 물질, 예컨대 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)을 포함할 수 있으며, 다만, 이에 한정되지 않는다. 채널층(CH)은 예를 들어, 유기 반도체 물질 등을 포함할 수 있다. 또는, 채널층(CH)은 산화물 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 채널층(CH)은 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge) 등과 같은 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다.
게이트 절연막(113)은 채널층(CH) 상에 형성된다. 게이트 절연막(113)은 채널층(CH)과 게이트 전극(GE)을 절연하는 역할을 한다. 게이트 절연막(113)으로 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 질화물 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
게이트 전극(GE)은 게이트 절연막(113)의 상부에 형성된다. 게이트 전극(GE)은 박막 트랜지스터(TFT)에 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결될 수 있다.
게이트 전극(GE)은 저저항 금속 물질로 이루어질 수 있다. 게이트 전극(GE)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
게이트 전극(GE)상에는 층간 절연막(114)이 형성된다. 층간 절연막(114)은 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)과 게이트 전극(GE)을 절연한다. 층간 절연막(114)은 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 예컨대 무기 물질은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 무기 물질은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있다.
층간 절연막(114) 상에 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)이 형성된다. 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)은 채널층(CH)의 영역과 접촉하도록 형성된다.
신축성 절연층(125)은 박막 트랜지스터(TFT1) 상에 형성된다. 신축성 절연층(125)은 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 형성되어, 박막 트랜지스터(TFT)로부터 비롯된 단차를 해소하고 또한, 신축성 기판(100)이 늘어나가나 줄어듦에 따라 경사각이 변하는 경사면(120a)을 가지는 형태로 형성된다. 신축성 절연층(125)은 신축성 재질로 형성되며, 기판(111)과 동일한 신축성 재질로 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 다른 신축성 재질로 형성될 수도 있다. 신축성 절연층(125)은 예를 들어, 엘라스토머성 실리콘(Elastomeric silicone), 엘라스토머성 폴리우레탄(Elastomeric polyurethane), 엘라스토머성 폴리이소프렌(Elastomeric polyisoprene), 엘라스토머성 우레탄아크릴레이트(Elastomeric urethane acrylate) 등 중 어느 하나의 재질로 형성될 수 있다. 신축성 절연층(125)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질로 형성될 수 있다.
경사면(120a) 상에 제1 전극(127), 제2 전극(128)이 형성된다. 제1 전극(127)은 신축성 절연층(125)을 관통하여 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(D)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전극(128)은 발광 다이오드(150)에 전기장 형성을 위한 전압을 제1 전극(127)과의 사이에 인가함에 있어, 기준 전압을 제공하는 공통 전극이 된다. 예를 들어, 복수의 발광 다이오드(150) 각각에 전기적으로 연결되는 제2전극(128)들은 모두, 동일한 기준 공통전압이 인가되도록 전기적으로 서로 연결될 수 있고, 제1전극(127)들은 개별적으로 마련된 박막 트랜지스터(TFT)와 각각 연결될 수 있다. 경사면(120a) 상에 발광 다이오드(150)가 배치되며, 발광 다이오드(150)의 제1 전극패드(156), 제2 전극패드(157)가 각각 제1 전극(127), 제2 전극(128)에 전기적으로 접촉되게 배치될 수 있다.
발광 다이오드(150)는 적색, 녹색 또는 청색의 빛을 방출할 수 있고, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 백색광의 구현도 가능하다. 발광 다이오드(150)는 제1 반도체층(153), 제2 반도체층(151) 및, 제1 반도체층(153)과 제2 반도체층(151) 사이의 활성층(152)을 포함할 수 있다.
제1 반도체층(153)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 제1 반도체층(153)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
제2 반도체층(151)은 예를 들어, n형 반도체층일 수 있다. 제2 반도체층(153)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
제1 반도체층(153), 제2 반도체층(151)의 도핑 타입은 예시적인 것으로 이에 한하지 않으며, 제1 반도체층(153)이 n형 반도체층이고, 제2 반도체층(151)이 p형 반도체층이 될 수도 있다.
활성층(152)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다. 활성층(152)은 예를 들어, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다.
도시된 발광 다이오드(150)는 플립형(flip type)으로, 즉, 제1 전극 패드(156)는 제2 전극 패드(157)가 수평적으로 배치되는 형태로 예시되었으나, 이에 한정되지 않으며, 수직형(vertical type)일 수도 있다.
제1 전극(127), 제2 전극(128)은 투명 전극이거나 반사 전극일 수 있다. 반사 전극은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 중 하나 또는 하나 이상의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 전도성 산화물 중 어느 하나 이상을 구비할 수 있다.
상기 설명에서 발광 다이오드(150)은 무기 발광 다이오드(inorganic light emitting diode; ILED)를 예시하여 설명하였으나, 이에 한정되지 않으며, 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode; OLED)가 채용될 수도 있다.
도 3a 및 도 3b는 도 1의 디스플레이 장치(1001)의 신축 변화시에 휘도 변화가 적음을 개념적으로 셜명하는 도면들이다.
도 3a는 신축성 기판(100)이 늘어나거나 줄어들지 않은 초기 상태에 있는 디스플레이 장치(1001)을 보인다. 두 경사면(120a)(120b)이 이루는 각은 θ1이며, 두 경사면(120a)(120b) 상에 각각 놓인 발광 다이오드(150)는 표시면(DS) 상에 폭 PW1인 화소를 형성한다. 여기서, 표시면(DS)는 복수의 발광 다이오드(150)가 영상 정보에 따라 온/오프 구동됨에 의해 표시되는 영상이 위치하는 곳으로 보이는 가상면이다. 표시면(DS) 상의 위치에는 신축성 재질로 되고 투명한 커버 부재가 배치될 수도 있다.
도 3b는 신축성 기판(100)이 늘어난 상태의 디스플레이 장치(1001)를 보인다. 신축성 기판(100)이 양쪽으로 신장됨에 따라 화소 폭이 PW2로 커지고 있으며, PPI(pixel per inch), 즉, 단위 길이당 화소수는 감소하게 된다. 한편, 신축성 기판(100)이 신장됨에 따라 두 경사면(120a)(120b)이 이루는 각도 θ1에서 θ2로 증가하며, 두 경사면 각각의 경사각이 완만해진다. 따라서, 발광 다이오드(150)에서 출사되어 표시면(DS)을 향하는 광량이 증가하게 된다.
발광 다이오드(150)에서 출사되어 표시면(DS)을 향하는 광량이 신축성 기판(100)의 신축시에도 일정하다면, PPI의 감소에 의해 휘도도 감소하게 된다. 그러나, 실시예의 디스플레이 장치(1001)는 신축성 기판(100)의 신축 여하에 따라 발광 다이오드(150)가 놓인 경사면(120a)(120b)의 경사각이 달라지는 구조를 채용하고 있으므로, 신축성 기판(100)이 늘어날 때는 발광 다이오드(150)에서 출사된 광이 표시면(DS)을 향하는 광량은 증가하게 된다. 따라서, PPI의 감소가 휘도 감소를 유발하지 않거나, PPI 감소에 따른 휘도 변화가 적은, 효과를 구현하고 있다.
도 4a 내지 도 4f는 도 1의 디스플레이 장치(1001)를 제조하는 과정을 예시적으로 보인 도면들이다.
디스플레이 장치(1001)는 다음과 같은 과정으로 제조될 수 있다.
먼저, 도 4a와 같이, 신축성 기판(100)을 준비한다. 신축성 기판(100)은 평탄부(110)와 평탄부(110)로부터 돌출되고 경사면(120a)(120b)을 가지는 돌출부(120)를 포함하는 형태이며, 신축성 기판(100)에는 또한, 도 2에 예시한 바와 같이, 박막 트랜지스터(TFT)가 구비될 수 있고, 경사면(120a)(120b) 상에는 발광 다이오드(150)와 접합될 제1 전극(127) 및 제2 전극(128)이 구비된 형태일 수 있다.
다음, 도 4b와 같이, 신축성 기판(100)을 양쪽으로 신장시킨다. 도면에서는 신장에 따라 돌출부가 완전히 없어져 평탄해진 것으로 도시되었으나 이는 과장된 것이며, 신축성 기판(100)의 상면은 어느 정도의 굴곡진 형태를 가질 수 있다.
다음, 도 4c, 4d와 같이, 전사 기판(TS)을 이용하여 복수의 발광 다이오드(150)를 신축성 기판(100) 상으로 이송한다. 전사 기판(TS)은 예를 들어, 탄성 중합체 재질로 형성되어 표면력에 의해 복수의 발광 다이오드(150)를 탈, 부착할 수 있다.
도 4e와 같이, 신축성 기판(100) 상에 복수의 발광 다이오드(150)가 전사된다. 복수의 발광 다이오드(150)는 신장된 신축성 기판(100) 상에 미리 마련된 전극 패턴들에 본딩 접착될 수 있다.
복수의 발광 다이오드(150)가 전사되고, 신장된 상태의 신축성 기판(100)을 원래 상태로 복원시키면, 도 4f와 같은 형상의 디스플레이 장치(1001)가 제조된다.
도 5는 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(1002)의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
본 실시예에 따른 디스플레이 장치(1002)는 인접하는 발광 다이오드(150) 사이에 격벽부(181)(182)가 더 구비된 점에서 도 1의 디스플레이 장치(1001)와 차이가 있다.
격벽부(181)(182)는 인접하는 발광 다이오드(150)에 의한 혼색을 방지하기 위해 마련될 수 있다. 격벽부(181)(182)는 광을 반사하는 반사판일 수 있고, 또는 광을 흡수하는 흡수판일 수도 있다. 격벽부(181)(182)는 인접하는 발광 다이오드(150) 사이마다 배치되는 것으로 도시되었으나, 이는 예시적인 것이고, 인접하는 돌출부(120) 사이의 영역에만 격벽부(181)가 배치되거나, 또는 돌출부(120)의 중심부에만 격벽부(182)가 배치되는 것으로 변형될 수도 있다.
도 6은 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(1003)의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
본 실시예의 디스플레이 장치(1003)는 돌출부(120)의 경사면(120a)(120b)을 따라 신축성 필름(170)이 더 배치되고, 신축성 필름(170) 상에 발광 다이오드(150)가 배치된 점에서 도 1의 디스플레이 장치(1001)와 차이가 있다.
디스플레이 장치(1003)에서 신축성 필름(170)을 추가적으로 구비하는 것은 제조 과정상의 편의에 의한 것이며, 디스플레이 장치(1003)의 신축에 따라 휘도 변화가 적은 디스플레이를 구현하는 효과는 실질적으로 동일하다.
도 7a 내지 도 7e는 도 6의 디스플레이 장치(1003)를 제조하는 과정을 예시적으로 보인 도면들이다.
먼저, 도 7a와 같이, 디스플레이 장치에 구비하고자 하는 형태의 경사면을 가지는 형태의 신축성 필름(170)을 준비한다. 신축성 필름(170)은 도 1에서 예시한 신축성 기판(100)과 달리, 두께가 일정하기 때문에, 신장에 의해 도 7b와 같이, 완전히 펴지는 것이 보다 용이하다. 신축성 필름(170) 상에는 발광 다이오드와의 통전을 위한 전극 패턴이 미리 구비될 수 있다.
다음, 도 7c와 같이, 신축성 필름(170) 상에 발광 다이오드(150)가 전사된다.
다음, 도 7d와 같이, 신축성 필름(170)을 원래 상태로 복원시킨 후, 도 7e와 같이, 경사면(120a)(120b)을 구비하는 돌출부(120)를 가지는 형상의 신축성 기판(100) 상에 접착한다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(1004)의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
디스플레이 장치(1004)는 혼색 방지를 위한 격벽부(181)(182)가 추가적으로 더 구비된 점에서, 도 6의 디스플레이 장치(1003)와 차이가 있고, 나머지 구성은 실질적으로 동일하다.
도 9는 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(1005)의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
디스플레이 장치(1005)는 돌출부(130)의 형상에서 도 1의 디스플레이 장치(1001)와 차이가 있다. 디스플레이 장치(1005)는 평탄부(110)와 평탄부(110)로부터 돌출되고 굴곡진 면을 가지는 돌출부(130)를 포함한다. 돌출부(130)는 평탄부(110)에 대해 소정 경사각을 가지며 서로 이격된 두 측면(130a)(130b)과, 두 측면(130a)(130b)을 연결하는 상부 평탄면(130c)을 포함한다. 상부 평탄면(130c)에는 제1 발광 다이오드(161)가 배치되고, 두 측면(130a)(130b)에는 각각 제2 발광 다이오드(162)가 배치된다.
도면에서는 두 측면(130a)(130b)이 상부 평탄면(130c)과 이루는 각도가 거의 직각으로 도시되었으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 각도는 초기 상태에서 두 측면(130a)(130b)에 배치된 제2 발광 다이오드(162)가 숨겨진 상태가 되는 각도로 제시된 것이며, 이를 만족하는 다른 각도로 변형될 수도 있다. 예를 들어, 상기 각도는 직각보다 조금 작은 각으로, 즉, 돌출부(130) 단면 형상이 역사다리꼴 형상이 되는 형태로 변경될 수도 있다.
제1 발광 다이오드(161)는 신축성 기판(101)의 신축 상태와 무관하게 노출되는 형태로 배치된다. 반면, 제2 발광 다이오드(162)는 초기 상태에는 노출되지 않고 숨겨진 상태이고, 신축성 기판(101)이 신장된 경우 노출될 수 있는 형태로 배치되어 있다.
본 실시예의 디스플레이 장치(1005)는 따라서, 제1 발광 다이오드(161)는 신축성 기판(101)의 신축 여하에 무관하게, 영상 정보에 따라 온, 오프되는 디스플레이 화소로 동작하며, 제2 발광 다이오드(162)는 신축성 기판(101)의 신장 정도에 따라 디스플레이 화소로 동작 여부가 정해진다.
도 10a 및 도 10b는 도 9의 신축성 기판(101)의 신축 여하에 따라 디스플레이 장치(1005)에 구비된 제1 및 제2 발광 다이오드(161)(162)의 디스플레이 화소로서의 구동 여부가 변하는 것을 예시적으로 보인다.
도 10a를 참조하면, 신축성 기판(101)은 신장되지 않은 초기 상태로서, 이 경우, 제1 발광 다이오드(161)만이 화소로서 구동된다. 즉, 제1 발광 다이오드(161)는 영상 정보에 따라 온/오프 구동되며, 이 상태를 active로 표시하고 있다. 제2 발광 다이오드(162)는 숨겨진 위치이므로, 구동되지 않으며, 이 상태를 inactive로 표시하고 있다.
도 10a는 신축성 기판(101)이 신장되지 않은 초기 상태에서는 제2 발광 다이오드(162)가 화소로서 동작하지 않음을 설명하고 있으나, 신축성 기판(101)이 늘어남과 동시에 제2 발광 다이오드(162)가 화소로 동작하는 것은 아니며, 소정 신장률 미만으로 신장된 경우에도 화소로 동작하지 않는다.
도 10b를 참조하면, 신축성 기판(101)이 신장되어 제2 발광 다이오드(162)들이 모두 노출된 상태이다. 이 때는, 제1 발광 다이오드(161)들과 제2 발광 다이오드(162)들이 모두 화소로서 구동된다. 즉, 제1 발광 다이오드(161)들, 제2 발광 다이오드(162)들은 각각이 영상 정보에 따라 온/오프 구동되는 active 상태가 된다.
도 10b에서는 신축성 기판(101)이 완전히 신장된 상태, 즉, 도 9에 표시한 측면(130a)(130b)과 상부 평탄면(130c)이 나란해진 상태로 도시되었으나, 이는 예시적인 것이다. 신축성 기판(101)이 소정 신장률 이상으로 신장되어, 제2 발광 다이오드(162)들이 화소로 기능할 수 있을 정도로 노출되는 경우, 제2 발광 다이오드(162)들은 active 상태로 전환될 수 있다.
본 실시예의 디스플레이 장치(1005)는 신축성 기판(101)이 늘어나고 줄어듦에 따라, 숨겨진 화소가 드러나고, 다시 숨겨지는 형태이므로, 신축 변화에 따른 PPI 변화가 거의 없다. 따라서, 신축 변화에 따른 휘도 변화도 거의 발생하지 않는다.
이하, 숨겨진 화소를 구비하는 형태의 다양한 실시예들을 살펴보기로 한다.
도 11은 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(1006)의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
디스플레이 장치(1006)은 복수의 돌출부(130) 사이의, 평탄부(110a) 상에 위치한 하부 평탄면(110a)에 제3 발광 다이오드(163)가 더 배치된 점에서, 도 9의 디스플레이 장치(1005)와 차이가 있다.
제3 발광 다이오드(163)도 신축성 기판(101)의 신장 여하에 무관하게 노출된 상태이므로, 제1 발광 다이오드(161)와 마찬가지로, 신축성 기판(101)의 신장 여하에 상관없이 영상 정보에 따라 온, 오프되는 디스플레이 화소로 구동한다. 제2 발광 다이오드(162)는 신축성 기판(101)이 소정 신장률 이상으로 신장된 경우에 디스플레이 화소로 구동한다.
도 12는 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(1007)의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
본 실시예의 디스플레이 장치(1007)는 도 9의 디스플레이 장치(1005)와 비교할 때, 측면(140a)(140b)의 경사각, 즉, 돌출부(140)의 단면 형상에서 차이가 있다. 돌출부(140) 단면 형상이 도 9와 같이 직사각형이거나, 또는 역사다리꼴 형상인 경우보다, 도 12에 도시된 바와 같이, 사다리꼴 형상인 경우, 제조 과정, 예를 들어, 발광 다이오드의 전사 과정이 더 용이할 수 있다. 또한, 신축성 기판(102)을 늘여서 숨겨진 발광 다이오드를 노출시키는 것이 더 원활할 수 있다.
돌출부(140)의 상부 평탄면(140c)에 배치된 제1 발광 다이오드(161)는 도 9의 디스플레이 장치(1005)에서와 마찬가지로, 신축성 기판(102)의 신축 여하와 무관하게 영상 정보에 따라 온, 오프되는 디스플레이 화소로 동작한다.
돌출부(140)의 측면(140a)(140b)에 배치된 제2 발광 다이오드(162)는 신축성 기판(102)이 신장되지 않은 상태나 소정 신장률 미만으로 신장된 상태에서는 오프되어 디스플레이 화소로 동작하지 않고, 신축성 기판(102)이 소정의 신장률 이상으로 신장된 상태에서는 영상 정보에 따라 온, 오프되는 디스플레이 화소로 동작한다.
본 실시예의 디스플레이 장치(1007)는 또한, 신축성 기판(102)이 신장된 상태에 따라, 하나의 화소로 동작하는 제2 발광 다이오드(162)의 개수가 달라지도록 구동될 수 있다.
도 13a 내지 도 13c는 도 12의 신축성 기판(102)의 신축 상태에 따라 디스플레이 장치(1007)에 구비된 발광 다이오드들의 화소로의 동작 여부 및 각 화소에 포함되는 발광 다이오드의 개수가 변하는 것을 예시적으로 보인다.
도 13a를 참조하면, 신축성 기판(102)가 신장되지 않은 초기 상태로서, 이 경우, 제1 발광 다이오드(161)만이 화소로서 구동된다. 즉, 제1 발광 다이오드(161)는 영상 정보에 따라 온/오프 구동되는 active 상태이고, 제2 발광 다이오드(162)는 숨겨진 위치이므로, 구동되지 않으며, inactive 상태이다.
도 13b를 참조하면, 신축성 기판(102)이 소정 신장률 이상으로 신장되어 제2 발광 다이오드(162)들도 화소로 동작할 수 있는 상태이다. 다만, 제2 발광 다이오드들(162)의 배치 각도에 의해, 제2 발광 다이오드(162)들로부터의 출사광이 표시면(DS)을 향하는 양은 제1 발광 다이오드(161)들에 비해 상대적으로 적은 상태이다. 따라서, 제2 발광 다이오드(162)들은 화소로 구동하되, 인접하는 2개가 하나의 화소로 동작하도록 구동될 수 있다.
도 13c를 참조하면, 신축성 기판(102)이 신장되어 제2 발광 다이오드(162)들이 모두 노출된 상태이다. 이 때는, 제1 발광 다이오드(161)들과 제2 발광 다이오드(162)들이 모두 화소로서 구동된다. 즉, 제1 발광 다이오드(161)들, 제2 발광 다이오드(162)들 각각이 영상 정보에 따라 온/오프 구동되는 active 상태가 된다. 또한, 표시면(DS)에 도달하는 광량도 제1 발광 다이오드(161), 제2 발광 다이오드(162)가 거의 동일해지며, 각각이 하나의 화소로 구동될 수 있다.
도 13c에서는 신축성 기판(101)이 완전히 신장된 상태, 즉, 도 12에 표시한 측면(140a)(140b)과 상부 평탄면(140c)이 나란해진 상태로 도시되었으나, 이는 예시적인 것이다. 신축성 기판(102)이 소정 신장률 이상으로 신장되어, 제2 발광 다이오드(162)들 각각이 하나의 화소로 기능할 수 있을 정도로 노출되는 경우, 도 13c와 같은 형태로 제2 발광 다이오드(162)들이 active 구동될 수 있다.
도 14는 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(1008)의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
디스플레이 장치(1009)은 복수의 돌출부(140) 사이의, 평탄부(110) 상에 위치한 하부 평탄면(110a)에 제3 발광 다이오드(163)가 더 배치된 점에서, 도 12의 디스플레이 장치(1007)와 차이가 있다.
제3 발광 다이오드(163)도 신축성 기판(102)의 신장 여하에 무관하게 노출된 상태이므로, 제1 발광 다이오드(161)와 마찬가지로, 신축성 기판(102)의 신장 여하에 상관없이 영상 정보에 따라 온, 오프되는 디스플레이 화소로 구동한다. 제2 발광 다이오드(162)는 신축성 기판(102)이 소정 신장률 이상으로 신장된 경우에 디스플레이 화소로 구동한다.
도 15는 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(1009)의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
디스플레이 장치(1009)는 신축성 기판(103)의 돌출부(150) 형상 및 발광 다이오드들(161, 164)의 배치 위치에서 다른 실시예들과 차이가 있다.
돌출부(150)는 단면 형상이 상면이 하면보다 넓은 역사다리꼴 형상이며, 제1 발광 다이오드(161)는 상부 평탄면(150a)에 배치되고, 제2 발광 다이오드(164)들은 돌출부(150) 사이의 평탄부(110) 상의 위치인 하부 평탄면(110a)에 배치된다.
제2 발광 다이오드(164)들은 경사면이 아닌 평탄한 면에 배치되고 있으면서도, 돌출부(150)의 이와 같은 형상에 따라, 숨겨진 상태가 된다. 따라서, 제1 발광 다이오드(161)들은 신축성 기판(103)의 신축 상태와 무관하게 디스플레이 화소로 동작하고, 제2 발광 다이오드(164)들은 신축성 기판(103)이 신장되지 않은 상태나 소정 신장률 미만으로 신장된 상태에서는 디스플레이 화소로 동작하지 않고, 신축성 기판(103)이 소정의 신장률 이상으로 신장된 상태에서는 영상 정보에 따라 온, 오프되며, 디스플레이 화소로 동작한다.
도 16은 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(1010)의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
디스플레이 장치(1010)는 신축성 기판(100)의 돌출부(120), 평탄부(110)의 표면을 따라 신축성 필름(170)이 더 배치된 점에서, 도 12의 디스플레이 장치(1007)와 차이가 있다. 신축성 필름(170)은 도 7a 내지 도 7e에서 설명한 바와 같이, 제조방법 상의 편의에 의해 구비되는 것이며, 도 12의 디스플레이 장치(1007)뿐 아니라, 도 9, 도 11, 도 14, 도 15의 디스플레이 장치 (1005)(1006)(1008)(1009)에도 적용될 수 있음은 물론이다.
본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010: 디스플레이 장치
100, 101, 102, 103, 104: 신축성 기판 110: 평탄부
120, 130, 140: 돌출부 150: 발광 다이오드
161: 제1 발광 다이오드 162, 164: 제2 발광 다이오드
163: 제3 발광 다이오드 170: 신축성 필름
181, 182: 격벽부

Claims (21)

  1. 복수의 발광 다이오드;
    신축성이 있는 재질을 포함하며 늘어나거나 줄어드는 신축성 기판; 및
    상기 신축성 기판 내에 위치하여, 상기 복수의 발광 다이오드의 구동을 제어하는 복수의 박막 트랜지스터;를 포함하고,
    상기 신축성 기판은 복수의 돌출부를 포함하되, 상기 복수의 돌출부 각각은 상기 신축성 기판이 늘어나거나 줄어듦에 따라 사잇각이 변하는 면들을 포함하고,
    상기 복수의 발광 다이오드 중 적어도 어느 하나의 발광다이오드는 상기 복수의 돌출부 중 어느 하나의 돌출부 상에 배치되는, 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 돌출부는 경사면을 포함하며,
    상기 적어도 어느 하나의 발광다이오드는 상기 어느 하나의 돌출부의 경사면들 중 어느 하나의 경사면 상에 배치되는, 디스플레이 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 다이오드 사이에는 격벽부가 더 배치된, 디스플레이 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 격벽부는 상기 복수의 돌출부 사이의 영역에 배치되는, 디스플레이 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 격벽부는 상기 복수의 돌출부 각각의 중심 위치에 배치되는, 디스플레이 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 격벽부는 반사판 또는 흡수판인, 디스플레이 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 신축성 기판 상에, 상기 복수의 돌출부의 표면에 접촉 배치된, 신축성 필름을 더 포함하며,
    상기 복수의 발광 다이오드는 상기 신축성 필름 상에 배치되는, 디스플레이 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 돌출부는 각각
    서로 이격된 두 측면과, 상기 두 측면을 연결하는 상부 평탄면을 구비하는, 디스플레이 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 다이오드는
    상기 상부 평탄면 상에 배치되는 제1 발광 다이오드;
    상기 두 측면 각각에 배치되는 제2 발광 다이오드;를 포함하는, 디스플레이 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제1 발광 다이오드는, 상기 신축성 기판의 신축 상태와 무관하게, 영상 정보에 따라 온, 오프되는 디스플레이 화소로 동작하는, 디스플레이 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제2 발광 다이오드는
    상기 신축성 기판이 신장되지 않은 상태나 소정 신장률 미만으로 신장된 상태에서는 디스플레이 화소로 동작하지 않고,
    상기 신축성 기판이 소정의 신장률 이상으로 신장된 상태에서는 영상 정보에 따라 온, 오프되는 디스플레이 화소로 동작하는, 디스플레이 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 신축성 기판이 신장된 상태에 따라, 하나의 화소로 동작하는 상기 제2 발광 다이오드의 개수가 달라지는, 디스플레이 장치.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 신축성 기판은 두 개의 돌출부 사이에 위치하는 하부 평탄면을 더 포함하고,
    상기 하부 평탄면 상에 제3 발광 다이오드가 더 배치된, 디스플레이 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제1 발광 다이오드와 상기 제3 발광 다이오드는, 상기 신축성 기판의 신축 상태와 무관하게 영상 정보에 따라 온, 오프되는 디스플레이 화소로 동작하는, 디스플레이 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제2 발광 다이오드는
    상기 신축성 기판이 신장되지 않은 상태나 소정 신장률 미만으로 신장된 상태에서는 디스플레이 화소로 동작하지 않고,
    상기 신축성 기판이 소정의 신장률 이상으로 신장된 상태에서는 영상 정보에 따라 온, 오프되는 디스플레이 화소로 동작하는, 디스플레이 장치.
  16. 제 8 항에 있어서,
    상기 복수의 돌출부 각각의 단면 형상은 상면이 하면보다 넓은 역사다리꼴 형상인, 디스플레이 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 신축성 기판은 두 개의 돌출부 사이에 위치하는 하부 평탄면을 더 포함하고,
    상기 복수의 발광 다이오드는
    상기 상부 평탄면 상에 배치되는 제1 발광 다이오드; 및
    상기 하부 평탄면 상의 제2 발광 다이오드;를 포함하는, 디스플레이 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제1 발광 다이오드는 상기 신축성 기판의 신축 상태와 무관하게, 영상 정보에 따라 온, 오프되는 디스플레이 화소로 동작하는, 디스플레이 장치.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 제2 발광 다이오드는
    상기 신축성 기판이 신장되지 않은 상태나 소정 신장률 미만으로 신장된 상태에서는 오프되어 디스플레이 화소로 동작하지 않고,
    상기 신축성 기판이 소정의 신장률 이상으로 신장된 상태에서는 영상 정보에 따라 온, 오프되는 디스플레이 화소로 동작하는, 디스플레이 장치.
  20. 제 8 항에 있어서,
    상기 신축성 기판 상에, 상기 두 측면과, 상기 상부 평탄면을 따라 접촉 배치된, 신축성 필름을 더 포함하며,
    상기 복수의 발광 다이오드는 상기 신축성 필름 상에 배치되는, 디스플레이 장치.
  21. 제 1 항에 있어서,
    상기 신축성 기판은,
    신축성 재질로 된 기판; 및
    신축성 재질로 된 상기 기판 상의 신축성 절연층을 포함하고,
    상기 복수의 박막 트랜지스터는 상기 기판과 상기 신축성 절연층 사이에 개재되는, 디스플레이 장치.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018116112A1 (en) * 2016-12-22 2018-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US11355548B2 (en) 2017-12-20 2022-06-07 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture
CN109036145B (zh) * 2018-08-31 2020-12-29 上海天马微电子有限公司 一种可拉伸显示面板和柔性显示装置
DE102018221015B4 (de) * 2018-12-05 2022-01-05 Audi Ag Anzeigeeinrichtung und Kraftfahrzeug zum Bereitstellen einer Anzeige
US11004363B2 (en) * 2019-03-05 2021-05-11 Innolux Corporation Stretchable display device and method of controlling stretchable display device
KR102612034B1 (ko) * 2019-05-02 2023-12-12 한국전자통신연구원 유연 전자 소자
KR20200140980A (ko) 2019-06-07 2020-12-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110824777B (zh) * 2019-11-27 2022-08-05 维沃移动通信有限公司 背光模组、显示屏及电子设备
CN110911437A (zh) * 2019-12-06 2020-03-24 业成科技（成都）有限公司 微发光二极管驱动背板和显示面板
CN110992832B (zh) * 2019-12-18 2021-10-08 厦门天马微电子有限公司 一种可拉伸显示面板和可拉伸显示装置
CN111047991B (zh) * 2019-12-23 2021-12-07 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板、显示装置及其制作方法
KR20210085194A (ko) * 2019-12-30 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 커버 윈도우 및 이를 포함하는 폴더블 표시 장치
JP7502616B2 (ja) 2020-07-01 2024-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
JP7464838B2 (ja) * 2020-07-01 2024-04-10 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光モジュールの製造方法
KR20220004849A (ko) * 2020-07-02 2022-01-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102454533B1 (ko) * 2021-01-12 2022-10-14 연세대학교 산학협력단 스트레처블 디스플레이 구동 장치
CN113450653B (zh) * 2021-06-30 2023-03-24 武汉天马微电子有限公司 可拉伸显示面板及其控制方法、显示装置
CN113707022A (zh) * 2021-09-01 2021-11-26 维沃移动通信有限公司 屏幕组件及电子设备
TWI800059B (zh) * 2021-10-28 2023-04-21 友達光電股份有限公司 可拉伸顯示面板
CN114364075B (zh) * 2021-12-29 2023-10-20 合肥维信诺科技有限公司 一种可拉伸显示面板、装置及制备方法
CN117374192B (zh) * 2023-10-14 2024-03-26 东莞市触美电子科技有限公司 一种视角可调的背光模组和显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100213819A1 (en) 2009-02-25 2010-08-26 Cok Ronald S Flexible oled display with chiplets
US20160049602A1 (en) 2014-08-12 2016-02-18 Samsung Display Co., Ltd. Stretchable substrate and organic light emitting display apparatus comprising the same

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0853254A3 (en) * 1992-09-11 1998-10-14 Kopin Corporation Liquid crystal display
US6468638B2 (en) * 1999-03-16 2002-10-22 Alien Technology Corporation Web process interconnect in electronic assemblies
JP3906653B2 (ja) * 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
US7242398B2 (en) * 2002-02-18 2007-07-10 Ignis Innovation Inc. Flexible display device
US7128438B2 (en) * 2004-02-05 2006-10-31 Agilight, Inc. Light display structures
US8217381B2 (en) * 2004-06-04 2012-07-10 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Controlled buckling structures in semiconductor interconnects and nanomembranes for stretchable electronics
JP4777338B2 (ja) * 2005-02-22 2011-09-21 富士フイルム株式会社 塑性変形を抑制する可撓性基材及び可撓性画像表示装置
JP2008058433A (ja) * 2006-08-30 2008-03-13 Funai Electric Co Ltd 立体表示媒体及び立体表示デバイス
CN101681695B (zh) * 2006-09-06 2013-04-10 伊利诺伊大学评议会 在用于可拉伸电子元件的半导体互连和纳米膜中的受控弯曲结构
KR20080023853A (ko) * 2006-09-12 2008-03-17 삼성전자주식회사 가요성 표시 장치의 제조 장치 및 이의 제조 방법
JP2010512029A (ja) * 2006-12-05 2010-04-15 ナノ テラ インコーポレイテッド 端面放射型発光ダイオードアレイならびに端面放射型発光ダイオードアレイの作製および使用方法
US9823737B2 (en) * 2008-04-07 2017-11-21 Mohammad A Mazed Augmented reality personal assistant apparatus
WO2010132552A1 (en) * 2009-05-12 2010-11-18 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Printed assemblies of ultrathin, microscale inorganic light emitting diodes for deformable and semitransparent displays
JP5463771B2 (ja) * 2009-07-15 2014-04-09 大日本印刷株式会社 ガスバリア性シート、ガスバリア性シートの製造方法、封止体、及び装置
US8564192B2 (en) * 2011-05-11 2013-10-22 Universal Display Corporation Process for fabricating OLED lighting panels
JP2014523633A (ja) * 2011-05-27 2014-09-11 エムシー１０ インコーポレイテッド 電子的、光学的、且つ／又は機械的装置及びシステム並びにこれらの装置及びシステムを製造する方法
US9555644B2 (en) * 2011-07-14 2017-01-31 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Non-contact transfer printing
US20130038820A1 (en) * 2011-10-28 2013-02-14 Shi-Chiung Chen Micro structure substrates for flexible display device and methods of manufacturing the same
US9956752B2 (en) * 2012-10-04 2018-05-01 Guardian Glass, LLC Methods of making laminated LED array and/or products including the same
KR102028505B1 (ko) * 2012-11-19 2019-10-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 및 이의 제조방법
KR101404472B1 (ko) * 2012-11-29 2014-06-11 광주과학기술원 스트레처블 기판, 스트레처블 광기전장치, 및 스트레처블 기기
JP2014138179A (ja) * 2013-01-18 2014-07-28 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 薄膜トランジスタアレイ基板及び表示装置
KR101436906B1 (ko) 2013-03-12 2014-09-11 한국광기술원 Ｌｅｄ 광원 모듈 및 이를 이용한 다기능 조명장치
WO2014175296A1 (en) * 2013-04-24 2014-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR20150034829A (ko) * 2013-08-30 2015-04-06 주식회사 엔씰텍 플렉시블 정보 표시 소자 제조용 지지 기판, 이의 제조 방법, 이를 이용하여 제조된 플렉시블 정보 표시 소자 및 이의 제조방법
KR102104311B1 (ko) * 2013-11-26 2020-04-27 한국전자통신연구원 전자회로의 제조 방법
JP6220300B2 (ja) * 2014-03-20 2017-10-25 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス表示装置
JP2017522914A (ja) * 2014-04-28 2017-08-17 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 服薬コンプライアンスを監視及び補助するための目立たない無線電子システム
US9379281B2 (en) * 2014-04-29 2016-06-28 Raymond SARKISSIAN Fabrication of thin, flexible, and efficient light emitting diodes
KR101596580B1 (ko) * 2014-06-09 2016-02-23 삼성디스플레이 주식회사 스트레처블 디스플레이 및 그의 제조방법
KR102327582B1 (ko) * 2015-01-06 2021-11-17 삼성디스플레이 주식회사 신축성 표시 장치 및 그 제조 방법
US10026721B2 (en) * 2015-06-30 2018-07-17 Apple Inc. Electronic devices with soft input-output components
CN105405983B (zh) * 2015-12-14 2017-05-10 吉林大学 具有周期性规则褶皱结构的可拉伸有机电致发光器件

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100213819A1 (en) 2009-02-25 2010-08-26 Cok Ronald S Flexible oled display with chiplets
US20160049602A1 (en) 2014-08-12 2016-02-18 Samsung Display Co., Ltd. Stretchable substrate and organic light emitting display apparatus comprising the same

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