KR102028505B1 - 유기발광 표시패널 및 이의 제조방법 - Google Patents

유기발광 표시패널 및 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102028505B1
KR102028505B1 KR1020120131157A KR20120131157A KR102028505B1 KR 102028505 B1 KR102028505 B1 KR 102028505B1 KR 1020120131157 A KR1020120131157 A KR 1020120131157A KR 20120131157 A KR20120131157 A KR 20120131157A KR 102028505 B1 KR102028505 B1 KR 102028505B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
display area
electrode
film
interlayer insulating
bank
Prior art date
Application number
KR1020120131157A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140064154A (ko
Inventor
오충완
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020120131157A priority Critical patent/KR102028505B1/ko
Priority to US14/061,958 priority patent/US9064828B2/en
Priority to CN201310548127.2A priority patent/CN103824965B/zh
Priority to TW102141745A priority patent/TWI581423B/zh
Publication of KR20140064154A publication Critical patent/KR20140064154A/ko
Priority to US14/697,103 priority patent/US9437660B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102028505B1 publication Critical patent/KR102028505B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/127—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/851—Division of substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 유기발광 표시장치를 공개한다. 보다 상세하게는, 플라스틱 기판을 이용하여 플렉서블 특성을 가지는 유기발광 표시패널에서 뱅크 및 평탄화층의 높은 단차로 인해 발생하는 투습에 의한 불량을 최소화한 유기발광 표시패널에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시패널은, 기판상에 형성되는 복수의 신호배선 및 박막트랜지스터, 층간 절연막, 제1 전극, 뱅크, 유기 발광층, 제2 전극, 제1 패시베이션막, 유기막, 제2 패시베이션막 및 보호필름을 포함하고, 특히 뱅크가 층간절연막을 완전히 덮도록 형성되어 끝단의 경사각이 완만한 형태인 것을 특징으로 한다.
이에 따라, 본 발명은 층간절연층과 뱅크가 이루는 측면의 경사각이 완만하게 형성되어 이물 및 기타 잔막의 제거가 용이함에 따라, 투습에 의한 불량문제가 개선되는 효과가 있다.

Description

유기발광 표시패널 및 이의 제조방법{ORGANIC LIGHT-EMTTING DIODE DISPLAY PANEL AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
본 발명은 유기발광 표시장치에 관한 것으로, 특히 플라스틱 기판을 이용하여 플렉서블 특성을 가지는 유기발광 표시패널에서 뱅크 및 평탄화층의 높은 단차로 인해 발생하는 투습에 의한 불량을 최소화한 유기발광 표시패널에 관한 것이다.
기존의 음극선관(Cathode Ray Tube) 표시장치를 대체하기 위해 제안된 평판표시장치(Flat Panel Display Device)로는, 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel) 및 유기발광 표시장치(Organic Light-Emitting Diode Display, OLED Display) 등이 있다.
이중, 유기발광 표시장치는, 표시패널에 구비되는 유기전계 발광다이오드가 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 가지며, 또한 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적인 특성이 있다.
도 1은 종래의 유기발광 표시패널의 일 화소에 대한 등가 회로도를 나타낸 도면이다.
도시된 바와 같이, 유기발광 표시패널은 스캔배선(SL) 및 데이터배선(DL)이 교차 형성되고, 이와 소정간격 이격되어 형성되는 전원전압 공급배선(VDDL)를 포함하여 하나의 화소(PX)을 정의한다.
또한, 스캔신호(Scan)에 대응하여 데이터 신호(Vdata)를 제1 노드(N1)에 인가하는 스위칭 트랜지스터(SWT)와, 소스전극에 구동전압(VDD)을 인가받으며 제1 노드(N1)에 인가된 전압에 따라 게이트-소스간 전압에 따라 드레인 전류를 유기전계 발광다이오드(Organic Light-Emitting Diode)(EL)에 인가하는 구동트랜지스터(DT)와, 구동트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 인가되는 전압을 1 프레임동안 유지시키는 캐패시터(C1)를 포함한다.
그리고, 유기전계 발광다이오드(EL)는 구동 트랜지스터(DT)의 드레인전극에 애노드전극이 접속되며, 캐소드전극이 접지(VSS)되며, 캐소드전극과 애노드전극사이에 형성되는 유기발광층을 포함한다. 전술한 유기발광층은 정공수송층, 발광층 및 전자수송층으로 구성될 수 있다.
도 2a는 종래기술에 따른 유기발광 표시패널의 대략적인 구조를 나타내는 도면이고, 도 2b은 도 2a의 Ⅱ-Ⅱ'선에 따른 단면을 나타내는 도면이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 종래의 유기발광 표시패널은 기판(10)상에 정의되는 표시영역(A/A) 및 그 외측의 비표시영역(N/A)으로 구분된다. 표시영역(A/A)에는 스캔배선(SL)과 데이터 배선(DL)에 의해 정의되는 복수의 화소영역(PX)이 구비되어 있으며, 데이터 배선(DL)과 나란하게 전원전압 공급배선(VDDL)이 구비된다.
특히, 유기발광 표시패널의 비표시영역(N/A)은 표시영역(A/A)에서 연장된 다수의 적층구조를 갖으며, 적어도 비표시영역(N/A)에는 기판(10)상에 순차적으로 형성되는 게이트 절연막(15), 절연막(19), 층간절연막(25), 뱅크(33), 제1 패시베이션막(39), 접착제(41) 및 보호필름(50)이 형성되게 된다.
이러한 구조를 페이스 씰(face seal) 구조라 하며, 여기서 패시베이션막(39), 접착제(41) 및 보호필름(50)의 적층 구조에서 패시베이션막(39)과 보호필름(50)은 투습을 방지하는 장벽(brrier) 역할을 하지만, 점착제(41)는 상대적으로 장벽(barrier) 역할이 떨어진다. 이는 표시패널의 측면으로부터 투습의 원인이 된다.
특히, 페이스 씰 구조에서는 층간절연막(25)과 뱅크(33)가 이루는 측면은 그경사각이 급하게 형성되며, 높은 경사각에 의해 그 사이에 제조공정 중 이물(DP) 또는 기타 잔막이 제거되지 않고 잔존하는 경우가 종종 발생하게 된다. 이는 외부로부터 수분이 침투되는 경로로 작용하게 된다.
따라서, 낮은 장벽 능력을 가진 점착제(41)를 통해 투입된 수분(W)은 이물의 경계부를 통해서 1차 투습이 되며, 뱅크 및 평탄화막 등을 통해서 2차 투습이 확산되어 유기전계 발광다이오드의 캐소드 전극을 산화시킴에 따라 유기발광 표시장치의 신뢰성을 떨어뜨리게 된다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 플렉서블 특성을 갖는 기판을 이용하는 유기발광 표시패널에서 급한 경사면에 의해 제조공정시 이물 및 기타 잔막이 존재함에 따라, 이를 통한 수분 침투에 의한 불량이 발생하는 문제를 해결한 유기발광 표시패널 및 이의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 표시장치는, 다수의 화소가 정의되는 표시영역과, 상기 표시영역을 둘러싸는 비표시영역으로 구분되는 기판; 상기 기판상에 형성되는 복수의 신호배선 및 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터를 포함한 기판상에 형성되고, 상기 박막트랜지스터의 일 전극을 노출시키는 층간 절연막; 상기 층간 절연막 상에 형성되고, 상기 일 전극과 연결된 제1 전극; 상기 제1 전극을 포함한 기판상에 상기 비표시영역까지 연장되어 상기 층간절연막을 완전히 덮도록 형성되는 뱅크; 상기 제1 전극 상에 각 화소영역 별로 분리되도록 형성된 유기 발광층; 상기 유기 발광층 상부로 상기 표시영역 전면에 형성된 제2 전극; 상기 제2 전극을 포함한 기판 전면에 형성된 제1 패시베이션막; 상기 제1 패시베이션막 상에 형성된 유기막; 상기 유기막을 포함한 제1 패시베이션막 상에 형성된 제2 패시베이션막; 상기 기판과 마주하며 위치한 보호필름; 및 상기 기판과 보호필름 사이에 개재되어 상기 기판과 보호필름을 접착하는 점착제를 포함한다.
또한, 전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광표시장치는, 다수의 화소가 정의되는 표시영역과, 상기 표시영역을 둘러싸는 비표시영역으로 구분되는 기판; 상기 기판상에 형성되는 복수의 신호배선 및 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터를 포함한 기판상에 형성되고, 상기 박막트랜지스터의 일 전극을 노출시키며, 상기 비표시영역까지 연장되어 형성되는 층간 절연막; 상기 층간 절연막 상에 형성되고, 상기 일 전극과 연결된 제1 전극; 상기 제1 전극을 포함한 기판상에 상기 층간절연막의 측단이 노출되도록 형성되는 뱅크; 상기 제1 전극 상에 각 화소영역 별로 분리되도록 형성된 유기 발광층; 상기 유기 발광층 상부로 상기 표시영역 전면에 형성된 제2 전극; 상기 제2 전극을 포함한 기판 전면에 형성된 제1 패시베이션막; 상기 제1 패시베이션막 상에 형성된 유기막; 상기 유기막을 포함한 제1 패시베이션막 상에 형성된 제2 패시베이션막; 상기 기판과 마주하며 위치한 보호필름; 및 상기 기판과 보호필름 사이에 개재되어 상기 기판과 보호필름을 접착하는 점착제를 포함한다.
상기 층간절연막 및 뱅크는, 측단면이 계단형상을 이루는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 페시베이션 막은, 상기 층간절연막 및 뱅크를 완전히 덮도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 기판은 플렉서블(flexible)특성을 갖는 플라스틱 재질로 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 제조하는 방법은, 다수의 화소가 정의되는 표시영역과, 상기 표시영역을 둘러싸는 비표시영역으로 구분되는 기판을 제공하는 단계; 상기 기판상에 복수의 신호배선 및 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막트랜지스터를 포함한 기판상에, 상기 박막트랜지스터의 일 전극을 노출시키는 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막 상에 상기 일 전극과 연결된 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극을 포함한 기판상에 상기 비표시영역까지 연장되어 상기 층간절연막을 완전히 덮는 뱅크를 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 각 화소영역 별로 분리되도록 유기 발광층을 형성하는 단계; 상기 유기 발광층 상부로 상기 표시영역 전면에 제2 전극을 형성하는 단계; 상기 제2 전극을 포함한 기판 전면에 제1 패시베이션막을 형성하는 단계; 상기 제1 패시베이션막 상에 유기막을 형성하는 단계; 상기 유기막을 포함한 제1 패시베이션막 상에 제2 패시베이션막을 형성하는 단계; 및 점착체를 이용하여 상기 기판과 마주하도록 보호필름을 점착하는 단계를 포함한다.
그리고, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 표시패널을 제조하는 방법은, 다수의 화소가 정의되는 표시영역과, 상기 표시영역을 둘러싸는 비표시영역으로 구분되는 기판을 제공하는 단계; 상기 기판상에 복수의 신호배선 및 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막트랜지스터를 포함한 기판상에, 상기 박막트랜지스터의 일 전극을 노출시키며, 상기 비표시영역까지 연장되도록 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막 상에 상기 일 전극과 연결된 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극을 포함한 기판상에 상기 층간절연막의 측단이 노출되도록 뱅크를 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 각 화소영역 별로 분리되도록 유기 발광층을 형성하는 단계; 상기 유기 발광층 상부로 상기 표시영역 전면에 제2 전극을 형성하는 단계; 상기 제2 전극을 포함한 기판 전면에 제1 패시베이션막을 형성하는 단계; 상기 제1 패시베이션막 상에 유기막을 형성하는 단계; 상기 유기막을 포함한 제1 패시베이션막 상에 제2 패시베이션막을 형성하는 단계; 및 점착체를 이용하여 상기 기판과 마주하도록 보호필름을 점착하는 단계를 포함한다.
상기 층간절연막 및 뱅크는, 측단면이 계단형상을 이루는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 페시베이션 막을 형성하는 단계는, 상기 층간절연막 및 뱅크를 완전히 덮도록 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 기판은 플렉서블(flexible)특성을 갖는 플라스틱 재질로 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 기판상에 형성되는 층간절연층과 뱅크의 끝단을 서로 일치하지 않도록 둘 중 어느 하나의 폭을 크게 함으로서, 두 층이 이루는 측면의 경사각을 완만하게 형성하여 이물 및 기타 잔막의 제거가 용이함으로서, 투습에 의한 불량문제를 개선한 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법을 제공할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 유기발광 표시패널의 일 화소에 대한 등가 회로도를 나타낸 도면이다.
도 2a는 종래기술에 따른 유기발광 표시패널의 대략적인 구조를 나타내는 도면이고, 도 2b은 도 2a의 Ⅱ-Ⅱ'선에 따른 단면을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 표시패널을 개략적으로 나타내는 평면도이고, 도 4는 도 3의 Ⅲ-Ⅲ' 선에 따른 단면도를 나타내는 도면이다.
도 5a 내지 5g는 본 발명에 따른 유기발광 표시패널의 제조방법을 개략적으로 도시한 공정 단면도들이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 표시패널의 단면 일부를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광 표시패널에 대해 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 일반적으로 유기발광 표시장치는 발광된 빛의 투과 방향에 따라 크게 상부 발광방식(top emission type) 및 하부 발광방식(bottom emission type)의 두 구조로 구분되는데, 이하의 설명에서는 상부 발광방식 구조 유기발광 표시패널의 일 예로서 본 발명의 기술적 구성을 설명한다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 표시패널을 개략적으로 나타내는 평면도이고, 도 4는 도 3의 Ⅲ-Ⅲ' 선에 따른 단면도를 나타내는 도면이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 유기발광 표시패널은 플렉서블(flexible) 특성을 갖는 기판(100)에 화상을 표시하는 표시영역(A/A)과, 표시영역(A/A)을 외측을 둘러싸는 비표시영역(N/A)이 정의된다. 표시영역(A/A)에는 복수의 스캔배선(SL)과 데이터 배선(DL)에 의해 정의되는 다수의 화소(PX)가 구비되어 있으며, 데이터 배선(DL)과 나란하게 전원배선(VDDL)이 구비되어 있다. 또한, 도시되어 있지는 않지만 비표시영역(N/A)의 일 측에는 화소(PX)와 전기적으로 연결되어 각종 신호를 제공하는 구동 드라이버(미도시)가 실장될 수 있다.
여기서, 플렉서블(Flexible)한 기판(100)은 유기발광 표시패널이 종이처럼 휘어져도 표시 성능을 그대로 유지할 수 있도록 유연한 특성을 갖는 플렉서블(flexible) 플라스틱 재질로 이루어질 수 있다.
또한, 기판(100)상에는 절연물질, 예를 들면 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있다. 이러한 버퍼층(미도시)은 후속 공정에서 그 상부에 형성되는 반도체층(103)의 결정화시에 기판(100)의 내부로부터 나오는 알칼리 이온의 방출에 의한 반도체층(103)의 특성 저하를 최소화하는 역할을 하게 된다.
또한, 버퍼층(미도시) 상부의 표시영역(A/A) 내의 각 화소(PX)에는 유기전계 발광다이오드를 제어하기 위한 적어도 하나의 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터(TR)가 포함된다. 그리고, 각 박막트랜지스터(TR)에 대응하여 순수 폴리실리콘으로 이루어지며 그 중앙부는 채널을 이루는 제1 영역(103a) 그리고, 제1 영역(103a) 양 측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 제2 영역(103b, 103c)으로 구성된 반도체층(103)이 형성된다.
반도체층(103)을 포함한 버퍼층 상에는 게이트 절연막(105)이 형성되어 있으며, 게이트 절연막(105)의 상부로는 각 박막 트랜지스터(TR)에 있어 반도체층(103)의 제1 영역(103a)에 대응하여 게이트 전극(107)이 형성된다.
또한, 게이트 절연막(105) 위로는 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 게이트 전극(107)과 연결되며 일 방향으로 연장된 스캔배선(SL)이 형성되어 있다. 여기서, 게이트 전극(107)과 스캔배선(SL)은 저저항 특성을 갖는 제1 금속물질, 예를 들어 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리 합금, 몰리브덴(Mo) 및 몰리티타늄(MoTi) 중 어느 하나로 이루어지는 단일층 구조이거나 또는 둘 이상의 제1 금속물질들로 이루어짐으로써 이중층 또는 삼중층 구조로 형성될 수도 있다. 도면에 서는 게이트 전극(107)과 스캔배선(SL)이 단일층 구조를 갖는 것을 일례를 나타내고 있다.
그리고, 게이트 전극(107)과 스캔배선(SL)을 포함한 기판의 표시영역 전면에 절연물질, 예를 들어 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 절연막(109)이 형성된다. 여기서, 절연막(109)과 그 하부의 게이트 절연막(105)에는 각 반도체층(103)의 제1 영역(103a) 양 측으로 위치한 제2 영역(103b, 103c) 각각을 노출시키는 반도체층 콘택홀(미도시)이 구비되어 있다.
반도체층 콘택홀(미도시)을 포함하는 절연막(109) 상부에는 스캔배선(SL)과 교차하며 화소(PX)을 정의하는 데이터배선(DL) 및 이와 이격되는 전원배선(DL)이 형성되어 있다. 여기서, 데이터배선(DL) 및 전원배선(VDDL)은 제2 금속물질, 예를 들어 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리 티타늄(MoTi), 크롬(Cr) 및 티타늄(Ti) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질조합으로 이루어질 수 있다.
특히, 전원배선(VDDL)은 스캔배선(SL)이 형성된 층, 즉 게이트 절연막(105) 상에 스캔배선(SL)과 이격하며 나란히 형성될 수도 있다.
그리고, 절연막(109) 상의 각 스위칭 및 구동 트랜지스터에는 서로 이격하며 반도체층 콘택홀(미도시)을 통해 노출된 제2 영역(103b, 103c)과 각각 접촉하며 데이터 배선(SL)과 동일한 제2 금속물질로 이루어진 소스전극(113a) 및 드레인 전극(113b)이 형성되어 있다. 이때, 순차적으로 적층된 상기 반도체층(103)과 게이트 절연막(105) 및 게이트 전극(107)과 절연막(109)과 서로 이격하며 형성된 상기 소스전극(113a) 및 드레인 전극(113b)은 구동 박막트랜지스터(TR)를 이룬다.
한편, 도면에 있어서는 데이터배선(DL)과 소스전극(113a) 및 드레인전극(113b)은 모두 단일 층 구조를 갖는 것을 일례로 나타내고 있지만, 이는 두 금속물질의 조합에 의한 이중층 또는 삼중층 구조를 이룰 수도 있다.
이때, 도면에는 도시하지 않았지만, 각 화소에는 구동 박막트랜지스터 이외에도 동일한 적층 구조를 갖는 스위칭 박막트랜지스터(미도시)가 포함된다. 여기서, 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 구동 박막트랜지스터(TR)와 스캔 배선(SL) 및 데이터 배선(DL)과 전기적으로 연결되어 있다. 즉, 스캔 배선(SL) 및 데이터 배선(DL)은 각각 스위칭 박막트랜지스터의 게이트 전극 및 소스 전극과 연결되어 있으며, 스위칭 박막트랜지스터의 드레인 전극은 구동 박막트랜지스터(TR)의 게이트 전극(107)과 전기적으로 연결되어 있다.
한편, 도면에서는 구동 박막트랜지스터(TR)이 폴리실리콘의 반도체층(103)을 가지며, 탑 게이트 타입(Top gate type)으로 구성된 것을 일례로서 나타내고 있지만, 구동 박막트랜지스터(TR)는 비정질 실리콘의 반도체층을 갖는 바텀 게이트 타입(Bottom gate type)으로 대체될 수 있다. 이 경우 전술한 스위칭 박막트랜지스터도 동일한 액티브층을 갖게 된다.
구동 박막트랜지스터(TR)가 바텀 게이트 타입으로 구성되는 경우, 그 적층 구조는 게이트 전극/ 게이트절연막/ 순수 비정질 실리콘의 액티브층과 서로 이격하며 불순물 비정질 실리콘의 오믹 콘택층으로 이루어진 반도체층과/ 서로 이격하는 소스전극 및 드레인 전극으로 이루어지게 된다.
또한, 구동 박막트랜지스터(TR) 및 스위칭 박막트랜지스터의 상부로는 구동 박막트랜지스터(TR)의 드레인 전극(113b)을 노출시키는 드레인 콘택홀(미도시)을 갖는 층간 절연막(115)이 적층되어 있다. 이때, 층간 절연막(115)으로는 절연물질, 예를 들어 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)이 사용된다.
특히, 본 발명의 실시예에서는 층간 절연막(115)이 화소(PX) 및 표시영역(A/A)에서 비표시영역(N/A)까지 연장되어 형성되되, 적어도 후술하는 뱅크(123)보다 비표시영역(N/A)으로의 연장 폭이 좁은 것을 특징으로 한다.
또한, 층간 절연막(115) 상부로는 구동 박막트랜지스터(TR)의 드레인 전극(113c)과 드레인 콘택홀(미도시)을 통해 접촉되며, 각 화소(PX)별로 분리된 형태를 가지는 제1 전극(121)이 형성되어 있다.
그리고, 제1 전극(121)의 상부로는 각 화소(PX)의 경계 및 비표시영역(N/A) 까지 절연물질, 특히 벤소사이클로부텐(BCB), 폴리 이미드(Poly-Imide) 또는 포토아크릴(photo acryl)로 이루어진 뱅크(123, 123a)가 연장되어 형성된다. 이때, 중심부의 뱅크(123)는 각 화소(PX)를 둘러싸는 형태로 제1 전극(121)의 테두리와 중첩되도록 형성되어 있으며, 표시영역(A/A) 전체적으로는 다수의 개구부를 갖는 격자 형태를 이루고 있다. 또한, 외곽부의 뱅크(123a)는 비표시영역(N/A)의 층간절연막(115)을 완전히 덮는 형태로 패널 외곽부인 비표시영역(N/A)의 전면에 형성되어 있다.
이러한 구조에 따라, 층간절연막(115) 및 뱅크(123a)의 끝단이 일치하도록 형성되는 것이 아닌 뱅크(123a)가 층간절연막(115)을 덮으며 연장됨에 따라, 끝단이 계단형상을 갖게 되고 급격한 경사각이 완만하게 변경되어 외부로부터 유입되는 이물 및 잔막이 남아있기 어려운 구조가 된다.
한편, 뱅크(123, 123a)로 둘러싸인 각 화소(PX)내의 제1 전극(121)의 상부로는 각각 적, 녹 및 청색을 발광하는 유기발광 패턴(미도시)으로 구성된 유기발광층(125)이 형성되어 있다. 유기 발광층(125)은 유기 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 또는 도면에 나타나지 않았지만 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광 물질층(emitting material layer), 전자 수송층 (electron transporting layer) 및 전자 주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.
또한, 유기발광층(125)과 뱅크(123, 123a)의 상부에는 표시영역(A/A) 전면에 제2 전극(127)이 형성되어 있다. 이때, 제1 전극(121)과 제2 전극(127) 및 이들 두 전극(121, 127) 사이에 개재된 유기발광층(125)은 유기전계 발광 다이오드(EL)를 이룬다.
따라서, 유기전계 발광다이오드(EL)는 선택된 색 신호에 따라 제1 전극(121)과 제2 전극(127)으로 소정의 전압이 인가되면, 제1 전극(121)으로부터 주입된 정공과 제2 전극(127)으로부터 제공된 전자가 유기발광층(125)으로 수송되어 엑시톤(exciton)을 이루고, 이러한 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 천이 될 때 빛이 발생되어 가시광선 형태로 방출된다. 이때, 발광된 빛은 투명한 제2 전극(127)을 통과하여 외부로 나가게 되므로, 플렉서블 유기발광 표시패널은 임의의 화상을 구현하게 된다.
한편, 제2 전극(127)을 포함한 기판 전면에는 절연물질, 특히 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제1 패시베이션막(129)이 형성되어 있다. 이때, 제2 전극(127)만으로 유기발광층(125)으로의 수분 침투를 억제하는 데는 한계가 있으며, 이에 따라 제2 전극(127)의 상부로 제1 보호층(129)을 형성함으로써 유기발광층(125)으로의 수분 침투를 보다 용이하게 억제할 수 있게 된다.
또한, 제1 패시베이션막(129) 상의 표시영역(A/A)에는 폴리머(polymer)와 같은 고분자 유기 물질로 이루어진 유기막(131)이 형성되어 있다. 이때, 유기막(131)을 구성하는 고분자 박막으로는 올레핀계 고분자(polyethylene, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 에폭시 수지(epoxy resin), 플루오르 수지(fluoro resin), 폴리실록산(polysiloxane) 등이 사용될 수 있다. 여기서, 제1 패시베이션막(129)은 끝단이 완만한 경사각을 가지며 비표시영역(N/A)까지 연장되어 있다.
또한, 유기막(131)을 포함한 기판 전면에는 유기막(131)을 통해 수분이 침투되는 것을 차단하기 위해 절연물질, 예를 들어 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제2 패시베이션막(133)이 형성되며, 이러한 제2 패시베이션막(133)은 유기막(131)의 끝단 뿐만 아니라, 그 하부의 제1 보호층(129)과 외곽의 뱅크(123a)까지 전 부분을 덮는 형태로서, 비표시영역(N/A)에서의 수분침투를 효율적으로 차단할 수 있도록 구성된다.
그리고, 제2 패시베이션막(133)을 포함한 기판 전면에는 유기전계 발광다이오드의 인캡슐레이션을 위해 보호 필름(137)이 대향하여 위치하게 되며, 상기 기판(100)과 보호 필름(137) 사이에는 투명하며 접착 특성을 갖는 프릿(frit), 유기절연물질, 고분자 물질 중 어느 하나로 이루어진 점착제(135)가 공기층 없이 상기 기판(100) 및 보호 필름(Barrier film)(137)과 완전 밀착되어 개재되어 있다. 본 발명은 점착제(135)의 일 예로서 PSA(Press Sensitive Adhesive)을 이용하고 있다.
이렇게 점착제(135)에 의해 기판(100)과 보호필름(Barrier film) (137)이 고정되어 패널 상태를 이룸으로써 본 발명에 따른 유기발광 표시패널이 구성된다.
따라서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 표시패널에 따르면, 표시영역에 형성되는 뱅크의 폭을 적어도 하부의 층간절연막을 완전히 덮으며 보다 넓게 형성하여 표시패널의 끝단에서 그 두 층이 이루는 경사각을 완만하게 형성함으로서, 이물 또는 기타 잔막의 제거가 용이하고, 잔존이 어렵도록 구성하여 이물로 인한 수분 경로를 차단시켜 유기발광 표시장치의 신뢰성을 개선할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 표시패널의 제조방법에 대해 도 5a 내지 5g를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 5a 내지 5g는 본 발명에 따른 유기발광 표시패널의 제조방법을 개략적으로 도시한 공정 단면도들이다.
도 5a에 도시된 바와 같이, 표시영역(A/A)과, 표시영역(A/A) 외측으로 비표시영역(N/A)이 정의된 플렉서블(flexible) 특성을 갖는 기판(100)을 준비한다. 여기서, 플렉서블(Flexible) 기판(100)은 유기발광 표시장치가 휘어져도 표시 성능을 그대로 유지할 수 있도록 유연한 플렉서블(flexible)특성을 갖는 플라스틱 재질로 이루어진다.
다음으로, 기판(100) 상에 절연물질 예를 들면 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 버퍼층(미도시)을 형성한다. 이러한 버퍼층(미도시)은 기판 및 상부로 형성되는 반도체층(미도시)의 특성에 따라 생략될 수 있다.
이어서, 버퍼층(미도시) 상부의 표시영역(A/A) 내의 각 화소(PX)영역에 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터(미도시)영역에 대응하여 각각 순수 폴리실리콘으로 이루어지며, 그 중앙부는 채널을 이루는 제1 영역(103a) 그리고 제1 영역(103a) 양 측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 제2 영역(103b, 103c)으로 구성된 반도체층(103)을 형성한다.
이어서, 반도체층(103)을 포함한 버퍼층 상에 게이트 절연막(105)을 형성하고, 게이트 절연막(105)의 상부로 각 반도체층(103)의 제1 영역(103a)에 대응하여 게이트 전극(107)을 형성한다.
이때, 게이트 절연막(105)의 상부로는 스위칭 영역(미도시)에 형성된 게이트 전극(107)과 연결되며 일 방향으로 연장된 게이트 배선(미도시)이 형성된다. 이때, 게이트 전극(107)과 게이트 배선(미도시)은 저저항 특성을 갖는 제1 금속물질, 예를 들어 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi) 중 어느 하나로 이루어진 단일층 구조 또는 둘 이상의 제1 금속물질을 조합한 이중층 또는 삼중층 구조를 가질 수 있다. 도면에서는 게이트전극(107)과 게이트 배선(미도시)이 단일층 구조를 갖는 예를 나타내고 있다.
다음으로, 도 5b에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(107)과 게이트 배선(미도시)위로 표시영역 전면에 절연물질, 예를 들어 무기절연물질인 산화실리콘 (SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 층간절연막(109)을 형성한다.
이어서, 절연막(109)과 하부의 게이트 절연막(105)을 선택적으로 패터닝하여, 각 반도체층의 제1 영역(103a) 양 측면에 위치한 제2 영역 (103b, 103c) 각각을 노출시키는 콘택홀(미도시)을 형성한다.
다음으로, 도 5c에 도시된 바와 같이, 콘택홀(미도시)을 포함하는 절연막(109) 상부에 제2 금속물질층(미도시)을 형성한다. 이때, 제2 금속물질층은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질로서 이루어 질 수 있다.
이어서, 제2 금속물질층을 선택적으로 패터닝하여 게이트 배선과 교차하며 화소(PX)를 정의하는 데이터배선(미도시)과, 이와 소정거리 이격하여 전원전압 공급배선(미도시)을 형성한다. 이때, 전원전압 공급배선(미도시)은 절연막(109)이 아닌 게이트 절연막(105)상에 게이트 배선과 이격하며 나란히 형성될 수도 있다.
그리고, 데이터 배선(미도시)과 동시에 절연막(109)의 상부로 각 구동 트랜지스터(미도시)영역 및 스위칭 트랜지스터 영역(미도시)에 서로 이격하며 콘택홀을 통해 노출된 제2 영역(103b, 103c)과 각각 접촉하며 데이터 배선과 동일한 제2 금속물질로 이루어진 소스전극(113a) 및 드레인전극 (113b)을 동시에 형성한다. 이에 따라, 구동 트랜지스터 영역에 순차적으로 적층된 반도체층과 게이트 절연막 및 게이트 전극(107)과 절연막(109)과 서로 이격하며 형성된 소스전극(113a) 및 드레인 전극(113b)은 구동 박막트랜지스터를 이루게 된다.
또한, 도면에 있어서 데이터배선과 소스전극(113a) 및 드레인전극(113b)은 모두 단일층 구조를 갖는 것을 일례로 나타내고 있지만, 이들 구성 요소는 서로 다른 두 금속물질이 조합된 이중층 또는 삼중층 구조를 이룰 수도 있다.
그리고, 도면에는 도시되지 않았으나, 구동 박막트랜지스터와 동일한 적층 구조를 갖는 스위칭 박막트랜지스터는 구동 박막트랜지스터와 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(113)과 전기적으로 연결되어 있다. 즉, 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(미도시)은 각각 스위칭 박막트랜지스터의 게이트 전극 및 소스 전극과 연결되어 있으며, 스위칭 박막트랜지스터의 드레인 전극(미도시)은 구동 박막트랜지스터의 게이트 전극(107)과 전기적으로 연결되어 있다.
본 발명의 실시예에서는 구동 박막트랜지스터 및 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 폴리실리콘의 반도체층 (103)을 가지며, 탑 게이트 타입(Top gate type)으로 구성된 것을 일례로 나타내고 있으며, 바텀 게이트 타입이 적용되는 경우에는 구동 박막트랜지스터 및 스위칭 박막트랜지스터 도면과는 달리 그 적층 구조가 게이트 전극/ 게이트절연막/ 순수 비정질 실리콘의 액티브층과 서로 이격하며 불순물 비정질 실리콘의 오믹 콘택층으로 이루어진 반도체층과 서로 이격하는 소스전극 및 드레인 전극으로 이루어질 수 있다.
다음으로, 구동 박막트랜지스터 및 스위칭 박막트랜지스터 상에 층간 절연막(115)을 형성한다. 이때, 상기 층간 절연막(115)으로는 절연물질, 예를 들어 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)이 사용될 수 있다.
이어서, 층간 절연막(115)을 선택적으로 패터닝하여, 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극(113c)을 노출시키는 콘택홀을 형성한다.
또한, 층간 절연막(115) 상에 제3 금속물질층(미도시)을 증착한 후, 이 제3 금속물질층을 선택적으로 패터닝하여 상기 콘택홀을 통해 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극(113c)과 접촉되며, 각 화소(PX)별로 분리된 형태를 가지는 제1 전극(121)을 형성한다. 이때, 제3 금속물질층(미도시)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금 (AlNd), 구리(Cu), 구리 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 등 중, 어느 하나 또는 둘 이상의 조합된 물질이 이용될 수 있다.
이어서, 도시되지는 않았지만, 제1 전극(121)상에 각 화소(PX)의 경계 및 비표시영역(N/A)에 예를 들어 벤소사이클로부텐(BCB), 폴리이미드 (Poly-Imide) 또는 포토아크릴(photo acryl)로 이루어진 절연물질층(미도시)을 형성한다.
다음으로, 도 5d에 도시된 바와 같이 절연물질층(미도시)을 선택적으로 패터닝하여 뱅크(123, 123a)를 형성한다. 이때, 뱅크(123)는 각 화소(PX)을 둘러싸는 형태로 제1 전극(121)의 테두리와 중첩되도록 형성되어 있으며, 표시영역(A/A) 전체적으로는 다수의 개구부를 갖는 격자 형태를 이루고 있다. 또한, 외측부의 뱅크(123a)는 패널 외곽부인 비표시영역(N/A)까지 연장하여 형성하되, 하부의 층간절연막(115)보다 그 폭을 넓게 형성하여 층간절연막(115)을 완전히 덮으며 측면이 완만한 형태를 가지도록 형성한다.
이어서, 도 5e에 도시된 바와 같이, 뱅크(123, 123a)로 둘러싸인 각 화소(PX) 내의 제1 전극(121) 위에 각각 적, 녹 및 청색을 발광하는 유기발광 패턴(미도시)으로 구성된 유기 발광층(125)을 형성한다. 이때, 상기 유기 발광층(125)은 유기 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 또는 도면에 나타나지 않았지만 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광 물질층(emitting material layer), 전자 수송층 (electron transporting layer) 및 전자 주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.
다음으로, 유기 발광층(125)과 뱅크(123, 123a)의 상부를 포함한 표시영역(A/A) 전면에 제2 전극(127)을 형성한다. 이때, 제2 전극(127)은 광을 투과시키는 투명한 도전물질, 예를 들어 ITO, IZO를 포함하는 도전 물질 중에서 적어도 어느 하나를 선택하여 사용할 수 있다. 이렇게 하여, 제1 전극 (121)과 제2 전극(127) 및 이들 두 전극(121, 127) 사이에 개재된 유기 발광층 (125)은 유기전계 발광 다이오드를 이루게 된다.
이러한 유기전계 발광다이오드는 선택된 색 신호에 따라 제1 전극(121)과 제2 전극(127)으로 소정의 전압이 인가되면, 제1 전극(121)으로부터 주입된 정공과 제2 전극(127)으로부터 제공된 전자가 유기발광층(125)으로 수송되어 엑시톤 (exciton)을 이루게 되고, 이러한 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 천이 될 때 빛이 발생되어 가시광선 형태로 방출된다. 이때, 발광된 빛은 투명한 제2 전극 (127)을 통과하여 외부로 나가게 되므로, 유기발광 표시패널의 각 화소(PX)는 해당하는 화상의 계조를 표시하게 된다.
이어서, 도 5f에 도시된 바와 같이, 제2 전극(127)을 포함한 기판 전면에는 절연물질, 특히 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제1 패시베이션막(129)을 형성한다. 이때, 제2 전극(127) 만으로는 유기발광층(125)으로의 수분 침투를 완전히 억제할 수 없기 때문에, 제2 전극(127) 위로 제1 패시베이션막(129)을 형성함으로써 유기발광층(125)으로의 수분 침투를 완전히 억제할 수 있게 된다.
다음으로, 제1 패시베이션막(129) 상의 표시영역(A/A) 및 비표시영역(N/A)에 스크린 인쇄(screen printing) 방법과 같은 도포 방법을 통해 폴리머(polymer)와 같은 고분자 유기 물질로 이루어진 유기막(131)을 형성한다. 이때, 유기막(131)을 구성하는 고분자 박막으로는 올레핀계 고분자(polyethylene, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 에폭시 수지(epoxy resin), 플루오르 수지(fluoro resin), 폴리실록산 (polysiloxane) 등이 사용될 수 있다. 전술한 유기막(131)은 표시영역(A/A) 상에서 비표시영역(NA)까지 연장된 형태로 형성 될 수 있다.
이어서, 도 5g에 도시된 바와 같이, 유기막(131)을 포함한 기판 전면에 수분이 침투되는 것을 차단하기 위해 절연물질, 예를 들어 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제2 패시베이션막(133)을 추가로 형성한다.
다음으로, 제2 패시베이션막(133)을 포함한 기판(100) 전면에 유기전계 발광다이오드 인캡슐레이션을 위해 보호필름(137)을 대향하여 위치시키고, 접착 특성을 갖는 프릿(frit), 유기절연물질, 고분자 물질 중 어느 하나로 이루어진 점착제(135)를 개재하여, 공기층 없이 기판(100) 및 보호 필름(137)이 완전 밀착되도록 하며, 점착제(135)에 의해 기판(100)과 보호필름(barrier film) (137)이 고정되어 패널 상태를 이루도록 함으로써 본 발명에 따른 유기발광 표시패널의 제조공정이 완료된다.
따라서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 표시패널에 따르면, 표시영역에 형성되는 뱅크의 폭을 적어도 하부의 층간절연막을 완전히 덮으며 보다 넓게 형성하여 표시패널의 끝단에서 그 두 층이 이루는 경사각을 완만하게 형성함으로서, 제조공정이 이물 또는 기타 잔막의 제거가 용이하고, 잔존이 어렵도록 구성하여 이물로 인한 수분 경로를 차단시켜 유기발광 표시장치의 신뢰성을 개선할 수 있다. 이하, 도면을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 표시패널을 설명한다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 표시패널의 단면 일부를 나타내는 도면이다. 본 발명의 제2 실시예에서는 전술한 제1 실시예와 같이 층간절연막과 뱅크의 급한 경사각을 갖는 단면을 완만하게 형성하는 것으로, 층간절연막이 뱅크보다 그 폭이 넓게 형성된다는 차이점이 있다.
도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 유기발광 표시패널은 플렉서블(flexible) 특성을 갖는 기판(200)에 화상을 표시하는 표시영역(A/A)과, 표시영역(A/A)을 외측을 둘러싸는 비표시영역(N/A)이 정의된다.
그리고, 기판(200)상에는 절연물질, 예를 들면 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있다. 버퍼층(미도시) 상부의 표시영역(A/A) 내의 각 화소(PX)에는 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터(TR)가 형성된다. 그리고, 각 박막트랜지스터(TR)에 대응하여 그 중앙부는 채널을 이루는 제1 영역(203a) 그리고, 제1 영역(203a) 양 측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 제2 영역(203b, 203c)으로 구성된 반도체층(203)이 형성된다.
반도체층(203)을 포함한 버퍼층 상에는 게이트 절연막(205)이 형성되어 있으며, 게이트 절연막(205)의 상부로는 각 박막 트랜지스터(TR)에 있어 반도체층(203)의 제1 영역(203a)에 대응하여 게이트 전극(207)이 형성된다.
또한, 게이트 절연막(205) 위로는 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 게이트 전극(207)과 연결되며 일 방향으로 연장된 스캔배선(SL)이 형성된다. 그리고, 게이트 전극(207)과 스캔배선(SL)을 포함한 기판의 표시영역 전면에 절연물질, 예를 들어 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 절연막(209)이 형성된다.
절연막(209) 상부에는 스캔배선(SL)과 교차하며 화소(PX)을 정의하는 데이터배선(DL) 및 이와 이격되는 전원배선(DL)이 형성된다.
그리고, 절연막(209)상의 각 스위칭 및 구동 트랜지스터에는 서로 이격하며 반도체층 콘택홀(미도시)을 통해 노출된 제2 영역(203b, 203c)과 각각 접촉하며 데이터 배선(SL)과 동일한 제2 금속물질로 이루어진 소스전극(213a) 및 드레인 전극(213b)이 형성되며, 이는 구동 박막트랜지스터(TR)를 이룬다.
구동 박막트랜지스터(TR) 상부로는 드레인 전극(213b)을 노출시키는 드레인 콘택홀(미도시)을 갖는 층간 절연막(215, 215a)이 적층되어 있다. 이때, 층간 절연막(215, 251a)으로는 절연물질, 예를 들어 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)이 사용된다.
특히, 본 발명의 제2 실시예에서는 외측의 층간 절연막(215a)이 화소(PX) 및 표시영역(A/A)에서 비표시영역(N/A)까지 연장되어 형성되되, 적어도 후술하는 뱅크(223)보다 비표시영역(N/A)으로의 연장 폭이 넓은 것을 특징으로 한다.
또한, 층간 절연막(215) 상부로는 구동 박막트랜지스터(TR)의 드레인 전극(213c)과 드레인 콘택홀(미도시)을 통해 접촉되며, 각 화소(PX)별로 분리된 형태를 가지는 제1 전극(221)이 형성되어 있다.
그리고, 제1 전극(221)의 상부로는 각 화소(PX)의 경계 및 비표시영역(N/A) 까지 절연물질, 특히 벤소사이클로부텐(BCB), 폴리 이미드(Poly-Imide) 또는 포토아크릴(photo acryl)로 이루어진 뱅크(223)가 형성된다. 이때, 중심부의 뱅크(223)는 각 화소(PX)를 둘러싸는 형태로 제1 전극(221)의 테두리와 중첩되도록 형성되어 있으며, 표시영역(A/A) 전체적으로는 다수의 개구부를 갖는 격자 형태를 이루고 있다. 여기서, 뱅크(223)는 비표시영역(N/A)까지 연장될 수 있지만, 적어도 층간절연(215)의 끝단까지는 형성되지 않아, 표시패널의 끝단에서 층간절연막의 측단(215a)이 노출되도록 형성된다.
이러한 구조에 따라, 외측의 층간절연막(215a) 및 뱅크(223)의 끝단이 일치하도록 형성되는 것이 아닌 뱅크(223)가 비표시영역(N/A)에서 외측의 층간절연막(215a)을 노출시킴에 따라, 끝단이 계단형상을 갖게 되고 급격한 경사각이 완만하게 변경되어 외부로부터 유입되는 이물 및 잔막이 남아있기 어려운 구조가 된다.
그리고, 뱅크(223)로 둘러싸인 각 화소(PX)내의 제1 전극(221)의 상부로는 각각 적, 녹 및 청색을 발광하는 유기발광 패턴(미도시)으로 구성된 유기발광층(225)이 형성되고, 유기발광층(225)과 뱅크(223, 223a)의 상부에는 표시영역(A/A) 전면에 제2 전극(227)이 형성된다. 여기서, 제1 전극(221)과 제2 전극(227) 및 이들 두 전극(221, 227) 사이에 개재된 유기발광층(225)은 유기전계 발광 다이오드(EL)를 이루게 된다.
또한, 제2 전극(127)을 포함한 기판 전면에는 절연물질, 특히 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제1 패시베이션막(129)이 형성되어 있다. 이때, 제2 전극(227)만으로 유기발광층(225)으로의 수분 침투를 억제하는 데는 한계가 있으며, 이에 따라 제2 전극(227)의 상부로 제1 보호층(229)을 형성함으로써 유기발광층(225)으로의 수분 침투를 보다 용이하게 억제할 수 있게 된다.
또한, 제1 패시베이션막(229) 상의 표시영역(A/A)에는 폴리머(polymer)와 같은 고분자 유기 물질로 이루어진 유기막(231)이 형성되어 있다. 이러한 제1 패시베이션막(129)은 끝단이 완만한 경사각을 가지며 비표시영역(N/A)까지 연장되어 있다.
또한, 유기막(231)을 포함한 기판 전면에는 유기막(231)을 통해 수분이 침투되는 것을 차단하는 제2 패시베이션막(233)이 형성되며, 이러한 제2 패시베이션막(233)은 유기막(231) 및 그 하부의 제1 페시베이션막(229)까지 전 부분을 덮는 형태를 갖게 된다. 그리고, 제2 패시베이션막(233)을 포함한 기판 전면에는 점착제(235)를 통해 부착되는 보호 필름(237)이 위치한다.
따라서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 표시패널에 따르면, 비표시영역에 형성되는 층간절연막의 폭을 적어도 뱅크의 폭보다 넓게 형성하여 상부에서 보았을 때 외측이 노출되도록 형성하여 표시패널의 끝단에서 그 두 층이 이루는 경사각을 완만하게 형성함으로서, 이물 또는 기타 잔막의 제거가 용이하고, 잔존이 어렵도록 구성하여 이물로 인한 수분 경로를 차단시켜 유기발광 표시장치의 신뢰성을 개선할 수 있다.
100 : 기판 103 : 반도체층
130a : 제1영역 103b, 103c : 제2 영역
105 : 게이트 절연막 107 : 게이트 전극
109 : 절연막 113a : 소스 전극
113b : 드레인 전극 115 : 층간 절연막
121: 제1 전극 123, 123a : 뱅크
125 : 유기발광층 127 : 제2 전극
129 : 제1 패시베이션막 131 : 유기막
133 : 제2 패시베이션막 A/A : 표시영역
N/A : 비표시영역 PX : 화소

Claims (13)

  1. 다수의 화소가 정의되는 표시영역과, 상기 표시영역을 둘러싸는 비표시영역으로 구분되는 기판;
    상기 기판상에 형성되는 복수의 신호배선 및 박막트랜지스터;
    상기 박막트랜지스터를 포함한 기판상에서 비표시영역까지 연장되며, 상기 박막트랜지스터의 일 전극을 노출시키는 층간 절연막;
    상기 층간 절연막 상에 형성되고, 상기 일 전극과 연결된 제1 전극;
    상기 제1 전극을 포함한 기판상에서 상기 비표시영역까지 연장되고, 상기 비표시영역 상에 위치하는 상기 층간절연막의 끝단을 덮도록 형성되며, 끝단이 완만한 경사각을 갖는 뱅크;
    상기 제1 전극 상에 각 화소영역 별로 분리되도록 형성된 유기 발광층;
    상기 유기 발광층 상부로 상기 표시영역 전면에 형성된 제2 전극;
    상기 제2 전극을 포함한 기판 전면에 형성된 제1 패시베이션막;
    상기 제1 패시베이션막 상에 형성된 유기막;
    상기 유기막을 포함한 제1 패시베이션막 상에 형성된 제2 패시베이션막;
    상기 기판과 마주하며 위치한 보호필름; 및
    상기 기판과 보호필름 사이에 개재되어 상기 기판과 보호필름을 접착하는 점착제를 포함하는 유기발광 표시장치.
  2. 다수의 화다수의 화소가 정의되는 표시영역과, 상기 표시영역을 둘러싸는 비표시영역으로 구분되는 기판;
    상기 표시영역 상에 형성되는 복수의 신호배선 및 박막트랜지스터;
    상기 박막트랜지스터를 포함한 기판상에 형성되고, 상기 박막트랜지스터의 일 전극을 노출시키며, 상기 비표시영역까지 연장되고 끝단이 완만한 경사각을 갖는 층간 절연막;
    상기 층간 절연막 상에 형성되고, 상기 일 전극과 연결된 제1 전극;
    상기 제1 전극을 포함한 기판상에 상기 비표시영역까지 연장되되, 상기 층간절연막의 끝단 및 상면 일부가 노출되도록 형성되며, 끝단이 완만한 경사각을 갖는 뱅크;
    상기 제1 전극 상에 각 화소영역 별로 분리되도록 형성된 유기 발광층;
    상기 유기 발광층 상부로 상기 표시영역 전면에 형성된 제2 전극;
    상기 제2 전극을 포함한 기판 전면에 형성된 제1 패시베이션막;
    상기 제1 패시베이션막 상에 형성된 유기막;
    상기 유기막을 포함한 제1 패시베이션막 상에 형성된 제2 패시베이션막;
    상기 기판과 마주하며 위치한 보호필름; 및
    상기 기판과 보호필름 사이에 개재되어 상기 기판과 보호필름을 접착하는 점착제를 포함하는 유기발광 표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 뱅크의 끝단이 계단형상인 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
  4. 제 1 항 및 제2 항 중, 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 제1 패시베이션 막은, 상기 층간절연막 및 뱅크의 끝단을 완전히 덮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 뱅크가, 상기 비표시영역에서, 상기 층간절연막의 끝단 및 상면 일부를노출시킴에 따라, 상기 뱅크의 끝단과 상기 층간절연막의 끝단이 계단형상을 이루는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
  6. 다수의 화소가 정의되는 표시영역과, 상기 표시영역을 둘러싸는 비표시영역으로 구분되는 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판상에 복수의 신호배선 및 박막트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 박막트랜지스터를 포함한 기판상의 표시영역 및 비표시영역에, 상기 박막트랜지스터의 일 전극을 노출시키는 층간 절연막을 형성하는 단계;
    상기 층간 절연막 상에 상기 일 전극과 연결된 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극을 포함한 기판상에 상기 비표시영역까지 연장되고 상기 비표시영역 상에 위치하는 상기 층간절연막의 끝단을 덮도록 형성되며, 끝단이 완만한 경사각을 갖는 뱅크를 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 각 화소영역 별로 분리되도록 유기 발광층을 형성하는 단계;
    상기 유기 발광층 상부로 상기 표시영역 전면에 제2 전극을 형성하는 단계;
    상기 제2 전극을 포함한 기판 전면에 제1 패시베이션막을 형성하는 단계;
    상기 제1 패시베이션막 상에 유기막을 형성하는 단계;
    상기 유기막을 포함한 제1 패시베이션막 상에 제2 패시베이션막을 형성하는 단계; 및
    점착체를 이용하여 상기 기판과 마주하도록 보호필름을 점착하는 단계를 포함하는 유기발광 표시패널의 제조방법.
  7. 다수의 화소가 정의되는 표시영역과, 상기 표시영역을 둘러싸는 비표시영역으로 구분되는 기판을 제공하는 단계;
    상기 표시영역 상에 복수의 신호배선 및 박막트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 박막트랜지스터를 포함한 기판상에, 상기 박막트랜지스터의 일 전극을 노출시키며, 상기 비표시영역까지 연장되고 끝단이 완만한 경사각을 갖는 층간 절연막을 형성하는 단계;
    상기 층간 절연막 상에 상기 일 전극과 연결된 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극을 포함한 기판상에 상기 비표시영역까지 연장되되, 상기 층간절연막의 끝단 및 상면 일부가 노출되도록 형성되며, 끝단이 완만한 경사각을 갖는 뱅크를 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 각 화소영역 별로 분리되도록 유기 발광층을 형성하는 단계;
    상기 유기 발광층 상부로 상기 표시영역 전면에 제2 전극을 형성하는 단계;
    상기 제2 전극을 포함한 기판 전면에 제1 패시베이션막을 형성하는 단계;
    상기 제1 패시베이션막 상에 유기막을 형성하는 단계;
    상기 유기막을 포함한 제1 패시베이션막 상에 제2 패시베이션막을 형성하는 단계; 및
    점착체를 이용하여 상기 기판과 마주하도록 보호필름을 점착하는 단계를 포함하는 유기발광 표시패널의 제조방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 뱅크의 끝단은 측단면인 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
  9. 제 6 항 및 제 7 항 중, 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 제1 패시베이션 막을 형성하는 단계는,
    상기 층간절연막 및 뱅크의 끝단을 완전히 덮도록 제1 패시베이션 막을형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
  10. 삭제
  11. 다수의 화소가 정의되는 표시영역과, 상기 표시영역을 둘러싸는 비표시영역으로 구분되는 기판;
    상기 표시영역 상에 형성되는 복수의 신호배선 및 박막트랜지스터;
    상기 표시영역 및 상기 비표시영역에 형성되어 상기 박막트랜지스터를 덮고, 상기 박막트랜지스터의 일 전극을 노출시키는 층간 절연막;
    상기 층간 절연막 상에 형성되고, 상기 일 전극과 연결된 제1 전극;
    상기 표시영역 및 상기 비표시영역의 상기 층간절연막 상에 형성되는 뱅크;
    상기 제1 전극 상에 각 화소영역 별로 분리되도록 형성된 유기 발광층;
    상기 유기 발광층 상부로 상기 표시영역 전면에 형성된 제2 전극;
    상기 제2 전극을 포함한 기판 전면에 형성된 제1 패시베이션막;
    상기 제1 패시베이션막 상에 형성된 유기막; 및
    상기 유기막을 포함한 제1 패시베이션막 상에 형성된 제2 패시베이션막으로 구성되며,
    상기 층간절연막 및 상기 뱅크는 비표시영역까지 연장되고, 상기 비표시영역에서 상기 층간절연막 및 상기 뱅크가 계단형상으로 형성되어, 상기 제1 패시베이션막, 상기 유기막 및 상기 제2 패시베이션막이 계단을 따라 완만한 경사로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 비표시영역에서, 상기 뱅크는 층간절연막의 끝단을 덮도록 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 비표시영역에서, 상기 뱅크는 상기 층간절연막의 끝단 및 상면 일부를 노출시키도록 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
KR1020120131157A 2012-11-19 2012-11-19 유기발광 표시패널 및 이의 제조방법 KR102028505B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120131157A KR102028505B1 (ko) 2012-11-19 2012-11-19 유기발광 표시패널 및 이의 제조방법
US14/061,958 US9064828B2 (en) 2012-11-19 2013-10-24 Organic light-emitting diode display panel
CN201310548127.2A CN103824965B (zh) 2012-11-19 2013-11-07 有机发光二极管显示面板及其制造方法
TW102141745A TWI581423B (zh) 2012-11-19 2013-11-15 有機發光二極體顯示面板及其製造方法
US14/697,103 US9437660B2 (en) 2012-11-19 2015-04-27 Organic light-emitting diode display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120131157A KR102028505B1 (ko) 2012-11-19 2012-11-19 유기발광 표시패널 및 이의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140064154A KR20140064154A (ko) 2014-05-28
KR102028505B1 true KR102028505B1 (ko) 2019-10-04

Family

ID=50727102

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120131157A KR102028505B1 (ko) 2012-11-19 2012-11-19 유기발광 표시패널 및 이의 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9064828B2 (ko)
KR (1) KR102028505B1 (ko)
CN (1) CN103824965B (ko)
TW (1) TWI581423B (ko)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102381391B1 (ko) * 2015-04-16 2022-03-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR101966238B1 (ko) 2012-12-14 2019-04-05 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
KR20150011231A (ko) * 2013-07-22 2015-01-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20150017193A (ko) * 2013-08-06 2015-02-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102093393B1 (ko) * 2013-08-14 2020-03-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US9818765B2 (en) 2013-08-26 2017-11-14 Apple Inc. Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors
US9564478B2 (en) 2013-08-26 2017-02-07 Apple Inc. Liquid crystal displays with oxide-based thin-film transistors
KR102419499B1 (ko) * 2013-09-30 2022-07-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102218573B1 (ko) * 2013-09-30 2021-02-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
JP6282832B2 (ja) 2013-10-01 2018-02-21 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
KR102266448B1 (ko) * 2014-07-29 2021-06-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101640192B1 (ko) * 2014-08-05 2016-07-18 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US9543370B2 (en) * 2014-09-24 2017-01-10 Apple Inc. Silicon and semiconducting oxide thin-film transistor displays
KR102288350B1 (ko) 2014-10-21 2021-08-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR102332594B1 (ko) 2015-01-28 2021-11-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102421582B1 (ko) * 2015-02-24 2022-07-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160122895A (ko) * 2015-04-14 2016-10-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102555403B1 (ko) * 2015-06-18 2023-07-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 패널 및 이를 이용한 플렉서블 표시 장치
KR102486876B1 (ko) 2015-07-07 2023-01-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102465384B1 (ko) 2015-07-23 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN105097881A (zh) * 2015-07-28 2015-11-25 合肥京东方光电科技有限公司 显示面板及其封装方法、显示装置
US9818344B2 (en) 2015-12-04 2017-11-14 Apple Inc. Display with light-emitting diodes
KR20170080459A (ko) * 2015-12-30 2017-07-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드표시장치
GB2546002B (en) 2015-12-30 2019-10-30 Lg Display Co Ltd Organic light emitting diode display device
CN105576148B (zh) * 2016-01-04 2018-03-09 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板的封装方法
JP2017152256A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102455039B1 (ko) * 2016-03-18 2022-10-17 삼성디스플레이 주식회사 신축성 디스플레이 장치
WO2017203885A1 (ja) 2016-05-24 2017-11-30 ソニー株式会社 表示装置、表示モジュール、表示装置の製造方法、及び表示モジュールの製造方法
KR102404573B1 (ko) * 2016-05-27 2022-06-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20170135585A (ko) * 2016-05-31 2017-12-08 엘지디스플레이 주식회사 뱅크 절연막을 포함하는 유기 발광 표시 장치
JP6807178B2 (ja) * 2016-07-07 2021-01-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、表示装置の製造方法
KR102328679B1 (ko) * 2016-11-23 2021-11-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN106601776A (zh) * 2016-12-26 2017-04-26 武汉华星光电技术有限公司 柔性amoled显示面板
KR102460541B1 (ko) * 2017-09-29 2022-10-27 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102454390B1 (ko) * 2017-12-05 2022-10-14 엘지디스플레이 주식회사 전계발광표시장치
WO2019202739A1 (ja) * 2018-04-20 2019-10-24 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法
US11653547B2 (en) * 2018-07-12 2023-05-16 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
KR20210000383A (ko) 2019-06-25 2021-01-05 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
CN110379823B (zh) * 2019-07-24 2021-01-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及oled显示面板
CN110429118A (zh) * 2019-07-31 2019-11-08 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其制备方法和显示装置
KR20210124555A (ko) * 2020-04-03 2021-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4408118B2 (ja) 1999-06-04 2010-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2011159419A (ja) 2010-01-29 2011-08-18 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置の製造方法および有機ｅｌ表示装置

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW531901B (en) * 2000-04-27 2003-05-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
TW466888B (en) * 2000-09-29 2001-12-01 Ind Tech Res Inst Pixel device structure and process of organic light emitting diode display
US6515428B1 (en) * 2000-11-24 2003-02-04 Industrial Technology Research Institute Pixel structure an organic light-emitting diode display device and its manufacturing method
US7211828B2 (en) * 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
US8415208B2 (en) * 2001-07-16 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
JP2003109773A (ja) * 2001-07-27 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、半導体装置およびそれらの作製方法
US7071613B2 (en) * 2001-10-10 2006-07-04 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Organic electroluminescent device
US7098069B2 (en) * 2002-01-24 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same
US20040123804A1 (en) * 2002-09-20 2004-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication system and manufacturing method of light emitting device
JP4062171B2 (ja) * 2003-05-28 2008-03-19 ソニー株式会社 積層構造の製造方法
JP4016144B2 (ja) * 2003-09-19 2007-12-05 ソニー株式会社 有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置
TWI362231B (en) * 2003-11-21 2012-04-11 Semiconductor Energy Lab Display device
JP4589035B2 (ja) * 2004-06-02 2010-12-01 株式会社 日立ディスプレイズ 有機ｅｌ表示装置
US7642109B2 (en) * 2005-08-29 2010-01-05 Eastman Kodak Company Electrical connection in OLED devices
CN103641726B (zh) * 2005-09-30 2015-10-28 株式会社半导体能源研究所 螺芴衍生物,发光元件用材料,发光元件,发光设备和电子设备
JP4479642B2 (ja) * 2005-10-27 2010-06-09 セイコーエプソン株式会社 発光素子の製造方法
JP4702009B2 (ja) * 2005-11-22 2011-06-15 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP2007188653A (ja) * 2006-01-11 2007-07-26 Seiko Epson Corp 発光装置および電子機器
JP4770519B2 (ja) * 2006-03-01 2011-09-14 セイコーエプソン株式会社 有機発光装置、有機発光装置の製造方法および電子機器
JP4533392B2 (ja) * 2006-03-22 2010-09-01 キヤノン株式会社 有機発光装置
KR20080008562A (ko) * 2006-07-20 2008-01-24 삼성전자주식회사 어레이 기판의 제조방법, 어레이 기판 및 이를 갖는표시장치
KR100810505B1 (ko) * 2006-11-08 2008-03-07 삼성전자주식회사 디스플레이장치 및 그 구동방법
KR101458899B1 (ko) * 2007-03-28 2014-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101308200B1 (ko) * 2008-05-06 2013-09-13 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법
US8736587B2 (en) * 2008-07-10 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101570471B1 (ko) * 2008-09-18 2015-11-23 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법
KR101634791B1 (ko) * 2008-11-28 2016-06-30 삼성디스플레이 주식회사 접촉 감지 기능이 있는 유기 발광 표시 장치
KR20110019498A (ko) * 2009-08-20 2011-02-28 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
JP5209123B2 (ja) * 2009-11-04 2013-06-12 パナソニック株式会社 表示パネル装置及びその製造方法
KR101430173B1 (ko) * 2010-10-19 2014-08-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US8469551B2 (en) * 2010-10-20 2013-06-25 3M Innovative Properties Company Light extraction films for increasing pixelated OLED output with reduced blur
US8547015B2 (en) * 2010-10-20 2013-10-01 3M Innovative Properties Company Light extraction films for organic light emitting devices (OLEDs)
KR101780814B1 (ko) * 2010-10-21 2017-09-21 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법
KR101818451B1 (ko) * 2010-12-24 2018-01-16 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시소자 및 그 제조방법
KR101519916B1 (ko) 2011-04-07 2015-05-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR101885821B1 (ko) * 2011-06-21 2018-09-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101560430B1 (ko) * 2011-08-12 2015-10-14 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN103035663B (zh) * 2011-10-04 2016-08-10 乐金显示有限公司 显示器件

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4408118B2 (ja) 1999-06-04 2010-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2011159419A (ja) 2010-01-29 2011-08-18 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置の製造方法および有機ｅｌ表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI581423B (zh) 2017-05-01
US9437660B2 (en) 2016-09-06
US20140138651A1 (en) 2014-05-22
KR20140064154A (ko) 2014-05-28
TW201421674A (zh) 2014-06-01
CN103824965B (zh) 2016-08-24
US20150228701A1 (en) 2015-08-13
US9064828B2 (en) 2015-06-23
CN103824965A (zh) 2014-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102028505B1 (ko) 유기발광 표시패널 및 이의 제조방법
US11164928B2 (en) Flexible organic electroluminescent device and method for fabricating the same
US9525015B2 (en) Organic light emitting diode device and method for fabricating the same
US10411080B2 (en) Flexible organic electroluminescent device and method for fabricating the same
KR102009802B1 (ko) 플렉서블 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
KR101967600B1 (ko) 플렉서블 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR101980760B1 (ko) 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
US20140131683A1 (en) Flexible organic electroluminescent device and method for fabricating the same
KR102016070B1 (ko) 플렉서블 유기전계 발광소자 및 그의 제조방법
KR102320187B1 (ko) 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR101949675B1 (ko) 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
KR102141558B1 (ko) 플렉서블 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR20160060835A (ko) 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
KR102034050B1 (ko) 플렉서블 유기발광 표시장치
KR102423680B1 (ko) 표시 장치
KR102132225B1 (ko) 유기막 형성용 마스크, 그 제조방법 및 이를 이용한 플렉서블 유기전계 발광소자 제조방법
KR20090042406A (ko) 유기전계발광표시장치 및 이의 구동방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right