KR102419499B1 - 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

표시 장치는, 기판의 표시 영역에 배치되는 표시 구조물들, 상기 기판의 주변 영역에 배치되고 서로 다른 높이들을 갖는 복수의 차단 구조물들, 상기 표시 구조물들과 상기 차단 구조물들 상에 배치되는 적어도 하나의 유기층, 그리고 상기 유기층 상에 배치되는 적어도 하나의 무기층을 포함할 수 있다. 유기층이 주변 영역으로 누출되는 현상을 방지할 수 있고, 무기층에 발생될 수 있는 균열과 같은 손상의 전파를 차단할 수 있다. 또한, 발광층들을 형성하기 위한 마스킹 공정 동안에 표시 구조물들을 효과적으로 보호할 수 있으므로, 표시 장치의 내구성, 신뢰성 등을 향상시킬 수 있다.

Description

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법{DISPLAY DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICES}

본 발명은 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명은 복수의 차단 구조물들을 포함하는 표시 장치 및 이러한 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

통상적으로 플렉서블 디스플레이 장치에 채용되는 유기 발광 소자는 수분, 산소 등에 취약하기 때문에 유기층들과 무기층들을 교대로 적층하여 봉지막을 형성하게 된다. 그러나, 종래의 유기 발광 소자를 구비하는 디스플레이 장치에 있어서, 모노머(monomer)로부터 제조되는 상기 유기층들이 픽셀의 주변 영역까지 누출되기 쉬우며, 이 경우에는 외부로부터의 수분의 침투로 인하여 유기 발광 소자가 열화되고 디스플레이 장치의 수명과 신뢰성이 저하되는 문제들이 발생한다. 또한, 상기 무기층들에 균열과 같은 손상이 발생하기 쉬우며, 이러한 균열이 상기 유기층들 및 다른 무기층을 통해 상기 디스플레이 장치의 내부로 전파되어 상기 디스플레이 장치의 수명, 신뢰성 등을 더욱 저하시키게 된다. 더욱이, 유기층들을 형성하는 과정에서 마스크와의 접촉으로 인하여 하부 구조물들이 손상을 입기 쉬운 문제점도 있다.

본 발명의 일 목적은 서로 다른 높이를 갖는 복수의 차단 구조물들을 구비하는 표시 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 서로 다른 높이를 갖는 복수의 차단 구조물들을 구비하는 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.

그러나, 본 발명의 목적들이 전술한 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.

상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는, 표시 영역과 주변 영역을 포함하는 기판, 표시 구조물들, 복수의 차단 구조물들, 적어도 하나의 유기층, 적어도 하나의 무기층 등을 포함할 수 있다. 상기 표시 구조물들은 상기 기판의 표시 영역에 배치될 수 있다. 상기 복수의 차단 구조물들은 실질적으로 서로 다른 높이들을 가질 수 있으며, 상기 기판의 주변 영역에 배치될 수 있다. 상기 적어도 하나의 유기층은 상기 표시 구조물들 및 상기 차단 구조물들 상에 배치될 수 있고, 상기 적어도 하나의 무기층은 상기 적어도 하나의 유기층 상에 위치할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 복수의 차단 구조물들은 각기 복수의 차단 패턴들을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 복수의 차단 구조물들은 각기 금속층 패턴 및 적어도 하나의 절연층 패턴을 포함할 수 있다.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 표시 장치는 데이터 라인들, 절연층 및 보호 부재를 더 포함할 수 있다. 상기 데이터 라인들은 상기 기판의 표시 영역 및 주변 영역에 배치될 수 있고, 상기 절연층은 상기 데이터 라인들을 커버할 수 있다. 상기 보호 부재는 상기 데이터 라인들 중에서 상기 절연층에 의해 노출되는 최외곽의 데이터 라인 및 상기 절연층 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 표시 구조물들은 각기 제1 전극, 화소 정의막, 스페이서, 발광층 및 제2 전극을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극은 상기 절연층 상에 배치될 수 있고, 상기 화소 정의막은 상기 절연층 상에 배치되어 상기 제1 전극을 부분적으로 노출시킬 수 있다. 상기 스페이서는 상기 화소 정의막 상에 배치될 수 있으며, 상기 발광층은 상기 노출된 제1 전극 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극은 상기 화소 정의막, 상기 스페이서 및 상기 발광층 상에 배치될 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 복수의 차단 구조물들은 각기 제1 차단 구조물, 제2 차단 구조물 및 제3 차단 구조물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 차단 구조물은 제1 높이를 가질 수 있고, 상기 제2 차단 구조물은 상기 제1 높이 보다 실질적으로 큰 제2 높이를 가질 수 있으며, 상기 제3 차단 구조물은 상기 제3 높이 보다 실질적으로 큰 제3 높이를 가질 수 있다. 이 경우, 상기 제1 차단 구조물은 제1 금속층 패턴 및 제1 절연층 패턴을 포함할 수 있고, 상기 제2 차단 구조물은 제2 금속층 패턴, 제2 절연층 패턴 및 제3 절연층 패턴을 포함할 수 있다. 상기 제3 차단 구조물은 제3 금속층 패턴, 제4 절연층 패턴, 제5 절연층 패턴 및 제6 절연층 패턴을 포함할 수 있다.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 제1 금속층 패턴은 상기 보호 부재의 일부에 해당될 수 있고, 상기 제2 금속층 패턴은 상기 최외곽의 데이터 라인의 일부에 해당될 수 있다. 상기 제3 금속층 패턴은 상기 데이터 라인들과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 절연층 패턴, 상기 제2 절연층 패턴 및 상기 제4 절연층 패턴은 각기 상기 표시 영역의 절연층과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 절연층 패턴 및 상기 제5 절연층 패턴은 각기 상기 화소 정의막과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제6 절연층 패턴은 상기 스페이서와 실질적으로 동일하거나 유사한 물질을 포함할 수 있다.

다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 장치는 주변 영역에서 상기 제3 차단 구조물에 인접하는 제4 차단 구조물을 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제4 차단 구조물은 상기 제3 차단 구조물과 실질적으로 동일하거나 유사한 높이를 가질 수 있다. 상기 제4 차단 구조물은 제4 금속층 패턴, 제7 절연층 패턴, 제8 절연층 패턴 및 제9 절연층 패턴을 포함할 수 있다. 상기 제4 금속층 패턴은 상기 데이터 라인들과 동일하거나 유사한 물질을 포함할 수 있고, 상기 제7 절연층 패턴은 상기 절연층과 동일하거나 유사한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제8 절연층 패턴은 상기 화소 정의막과 동일하거나 유사한 물질을 포함할 수 있으며, 상기 제9 절연층 패턴은 상기 스페이서와 동일하거나 유사한 물질을 포함할 수 있다.

또 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 장치는 인접하는 픽셀들 사이에 배치되는 적어도 하나의 추가적인 차단 구조물을 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 적어도 하나의 추가적인 차단 구조물은 상기 제3 차단 구조물과 실질적으로 동일하거나 유사한 높이를 가질 수 있다. 상기 적어도 하나의 추가적인 차단 구조물은 금속층 패턴 및 6개의 절연층 패턴들을 포함할 수 있다.

또 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 복수의 차단 구조물들은 상기 최외곽의 데이터 라인 상에 배치되는 제1 차단 구조물 및 상기 제1 차단 구조물에 인접하는 제2 차단 구조물을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 차단 구조물은 상기 최외곽의 데이터 라인의 일부인 금속층 패턴 및 2개의 절연층 패턴들을 포함할 수 있고, 상기 제2 차단 구조물은 금속층 패턴 및 3개의 절연층 패턴들을 포함할 수 있다.

또 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 복수의 차단 구조물들은 상기 보호 부재 상에 배치되는 제1 차단 구조물 및 상기 최외곽의 데이터 라인 상에 배치되는 제2 차단 구조물을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제1 차단 구조물은 상기 보호 부재의 일부인 금속층 패턴 및 1개의 절연층 패턴을 포함할 수 있으며, 상기 제2 차단 구조물은 상기 최외곽의 데이터 라인의 일부인 금속층 패턴 및 2개의 절연층 패턴들을 포함할 수 있다.

또 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 표시 장치는, 인접하는 픽셀들 사이에 배치되는 적어도 하나의 추가적인 차단 구조물을 포함할 수 있다.

전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 표시 영역과 주변 영역을 갖는 기판을 제공한 후, 상기 표시 영역에 복수의 표시 구조물들을 형성할 수 있다. 상기 주변 영역에 서로 다른 높이들을 갖는 복수의 차단 구조물들을 형성할 수 있다. 상기 표시 구조물들 및 상기 차단 구조물들 상에 적어도 하나의 유기층과 적어도 하나의 무기층을 실질적으로 교대로 형성할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판 상에 트랜지스터들, 층간 절연층 및 데이터 라인들을 형성할 수 있다. 상기 층간 절연층 상에 상기 트랜지스터들 및 상기 데이터 라인들을 덮는 절연층을 형성할 수 있다. 상기 주변 영역에 상기 절연층 및 상기 데이터 라인들 중에서 최외곽의 데이터 라인 상에 보호 부재를 형성할 수 있다.

예시적인 실시예들에 따른 상기 차단 구조물들을 형성하는 과정에 있어서, 상기 최외곽의 데이터 라인에 인접하는 금속층 패턴을 형성할 수 있다. 상기 최외곽의 데이터 라인의 일부 상에 제1 절연층 패턴을 형성할 수 있다. 상기 금속층 패턴 상에 제2 절연층 패턴을 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 데이터 라인과 상기 금속층 패턴은 동시에 형성될 수 있다. 또한, 상기 절연층과 상기 제1 및 제2 절연층 패턴들은 동시에 형성될 수 있다.

예시적인 실시예들에 따른 상기 표시 구조물들을 형성하는 과정에 있어서, 상기 절연층 상에 제1 전극들을 형성한 후, 상기 절연층 상에 상기 제1 전극들을 부분적으로 노출시키는 화소 정의막 및 스페이서를 형성할 수 있다. 상기 노출된 제1 전극들 상에 발광층들을 형성한 다음, 상기 발광층들, 상기 화소 정의막 및 상기 스페이서 상에 제2 전극들 형성할 수 있다.

예시적인 실시예들에 따른 상기 차단 구조물들을 형성하는 과정에 있어서, 상기 보호 부재 상에 제3 절연층 패턴을 형성할 수 있으며, 상기 제1 절연층 패턴 상에 제4 절연층 패턴을 형성할 수 있다. 상기 제2 절연층 패턴 상에 제5 절연층 패턴을 형성할 수 있고, 상기 제5 절연층 패턴 상에 제6 절연층 패턴을 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 제3 절연층 패턴, 상기 제4 절연층 패턴 및 상기 제5 절연층 패턴은 상기 화소 정의막과 동시에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제6 절연층 패턴은 상기 스페이서와 동시에 형성될 수 있다.

본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 서로 다른 높이들을 가질 수 있는 복수의 차단 구조물들을 포함할 수 있으므로, 모노머들을 처리하여 수득되는 유기층들이 표시 영역으로부터 주변 영역으로 누출되는 현상을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 무기층들에 발생될 수 있는 균열과 같은 손상의 전파를 차단하여 상기 표시 장치의 내구성, 신뢰성 등을 향상시킬 수 있다. 더욱이, 발광층들을 형성하기 위한 마스킹 공정 동안에 표시 영역에 위치하는 하부 구조물들을 효과적으로 보호할 수 있으므로, 상기 표시 장치의 내구성, 신뢰성 등을 더욱 향상시킬 수 있다.

그러나, 본 발명의 효과가 상술한 효과들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.

본 명세서에 기재되는 본 발명의 예시적인 실시예들에 있어서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 예시적인 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것이며, 본 발명은 다양한 형태들로 실시될 수 있고 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되는 것은 아니다.

본 발명은 다양한 변형이나 변경들을 포함할 수 있으며 여러 가지 형태들을 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면들에 예시하고 본 명세서에 상세하게 설명한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변형들, 변경들, 균등물들, 대체물들 등을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

제1, 제2, 제3, 제4, 제5, 제6 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들이 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 이러한 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고 제1 구성 요소가 제2 내지 제6 구성 요소들 중에서 임의의 하나로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 내지 제6 구성 요소들도 각기 다른 구성 요소들 중에서 임의의 하나로 명명될 수 있다.

어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결", "접촉" 또는 "접속"되어 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결, 접촉 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "~에 인접하는" 등도 마찬가지로 해석된다.

본 출원에서 사용한 용어들은 단지 예시적인 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다", "구비하다", "함유하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 개시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치들을 보다 상세하게 설명한다. 도면들에서 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다. 도 1은, 예를 들면, 상기 표시 장치의 외곽부에 위치하는 픽셀의 단면을 예시한 도면이다.

도 1을 참조하면, 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치(10)는, 기판(20), 주변 회로, 표시 구조물들(display structures) 그리고 복수의 차단 구조물들(blocking structures)을 구비할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 구조물들은 각기 제1 전극(65), 발광층(85), 제2 전극(90) 등을 포함할 수 있다. 상기 복수의 차단 구조물들은 실질적으로 서로 다른 높이들을 가질 수 있다. 제1 내지 제3 차단 구조물들(89, 100, 115)은 각기 복수의 차단 패턴들을 포함할 수 있다. 이러한 제1 내지 제3 차단 구조물들(89, 100, 115)의 구조들에 대해서는 후술한다. 도 1에 예시한 표시 장치(10)는 제1 높이를 갖는 제1 차단 구조물(98), 상기 제1 높이 보다 실질적으로 큰 제2 높이를 갖는 제2 차단 구조물(100), 그리고 상기 제3 높이 보다 실질적으로 큰 제3 높이를 갖는 제3 차단 구조물(115)을 포함할 수 있다. 즉, 표시 장치(10)는 픽셀의 외곽부를 향하여 실질적으로 증가되는 높이들을 갖는 복수의 차단 구조물들을 구비할 수 있다.

표시 장치(10)는 표시 영역(I)(또는 액티브 영역)과 주변 영역(II)을 포함할 수 있다. 표시 영역(I)에는 상기 표시 구조물들이 위치할 수 있으며, 주변 영역(II)에는 주변 회로와 제1 내지 제3 차단 구조물들(98, 100, 115)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 표시 장치(10)의 주변 영역(I)은 상기 주변 회로가 위치하는 주변 회로 영역과 표시 장치(10)의 픽셀의 최외곽부에 해당되는 데드 스페이스(dead space) 영역으로 구분될 수 있다. 이 경우, 상기 복수의 차단 구조물들은 이러한 주변 회로 영역 및 데드 스페이스 영역에 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1 차단 구조물(98)과 제2 차단 구조물(100)은 상기 주변 회로 영역에 배치될 수 있고, 제3 차단 구조물(115)은 상기 데드 스페이스 영역에 위치할 수 있다.

도 1에 예시한 표시 장치(10)에 있어서, 기판(20)은 연성을 갖는 투명 수지로 구성될 수 있다. 예를 들면, 기판(20)은 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate)계 수지, 폴리이미드(polyimide)계 수지, 아크릴(acryl)계 수지, 폴리아크릴레이트(polyacrylate)계 수지, 폴리카보네이트(polycarbonate)계 수지, 폴리에테르(polyether)계 수지, 술폰산(sulfonic acid)계 수지, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate)계 수지 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 기판(20)은 유리 기판, 석영 기판, 투광성 알루미나 기판 등과 같은 투명 세라믹 기판으로 이루어질 수도 있다.

기판(20) 상에는 버퍼층(25)이 배치될 수 있다. 버퍼층(25)은 기판(20) 상에 상기 표시 구조물들과 상기 복수의 차단 구조물들을 포함하는 상부 구조물들이 용이하게 형성될 수 있게 할 수 있다. 또한, 버퍼층(25)은 금속을 함유하는 배선들, 패턴들 및/또는 전극들로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 것을 방지할 수 있다. 더욱이, 버퍼층(25)은 제1 트랜지스터들(35)과 제2 트랜지스터들(40)의 액티브 패턴들을 형성하기 위한 열처리 공정 동안, 열의 전달 속도를 조절하여 제1 및 제2 트랜지스터들(35, 40)이 실질적으로 균일한 액티브 패턴들을 구비하게 할 수 있다. 여기서, 제1 트랜지스터들(35)은 표시 장치(10)의 스위칭 트랜지스터들에 해당될 수 있고, 제2 트랜지스터들(40)은 표시 장치(10)의 구동 트랜지스터들에 해당될 수 있다. 한편, 버퍼층(25)은 기판(20)의 표면 평탄도를 실질적으로 향상시키는 역할을 수행할 수도 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 버퍼층(25)은 기판(20) 보다 실질적으로 작은 면적을 가질 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(20)은 기판(20)의 에지(edge)에 인접하는 부분을 노출시킬 수 있다. 즉, 기판(20)과 버퍼층(25) 사이에 단차가 생성될 수 있다. 버퍼층(25)은 실리콘 화합물, 투명 수지 등으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(25)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 폴리아크릴레이트계 수지, 폴리메타크릴레이트계 수지, 올레핀(olefin)계 수지 및/또는 폴리비닐계 수지를 함유하는 적어도 하나의 버퍼 필름을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 버퍼층(25)은 서로 다른 실리콘 화합물로 이루어진 2개의 버퍼 필름들을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 버퍼층(25)은 실리콘 화합물을 포함하는 적어도 하나의 버퍼 필름과 투명 수지를 포함하는 적어도 하나의 버퍼 필름이 실질적으로 교대로 적층되는 구조를 가질 수도 있다. 그러나, 버퍼층(25)의 구조는 표시 장치(10)의 구성, 치수, 용도 등에 따라 달라질 수 있다.

버퍼층(25) 상에는 게이트 절연층(30)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(30)은 버퍼층(25)과 실질적으로 동일하거나 유사한 면적을 가질 수 있다. 게이트 절연층(30)은 버퍼층(25) 상에 위치하는 제1 및 제2 트랜지스터들(35, 40)의 액티브 패턴들을 커버할 수 있다. 이 경우, 상기 액티브 패턴들은 각기 폴리실리콘, 산화물 반도체 등으로 이루어질 수 있다. 게이트 절연층(30)은 실리콘 산화물, 실리콘 탄산화물 등과 같은 실리콘 화합물로 구성될 수 있다. 선택적으로는, 게이트 절연층(30)은 하프늄 산화물, 알루미늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물 등과 같은 금속 산화물로 이루어질 수 있다.

상기 액티브 패턴들을 커버하는 게이트 절연층(30)의 부분들 상에는 제1 및 제2 트랜지스터들(35, 40)의 게이트 전극들이 위치할 수 있다. 각각의 게이트 전극들은 금속, 합금, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 이루어질 수 있다. 도시하지는 않았으나, 게이트 절연층(30) 상에는 상기 게이트 전극들과 전기적으로 연결되는 게이트 라인들과 같은 배선들이 배치될 수 있다.

게이트 절연층(30) 상에는 제1 및 제2 트랜지스터들(35, 40)의 게이트 전극들을 덮는 층간 절연층(45)이 배치될 수 있다. 층간 절연층(45)은 제1 및 제2 트랜지스터들(35, 40)의 게이트 전극들을 상부의 배선들 및/또는 전극들로부터 분리하는 역할을 수행할 수 있다. 층간 절연층(45)은 실리콘 화합물, 투명 수지 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(45)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물, 폴리아크릴레이트계 수지, 폴리메타크릴레이트계 수지, 올레핀계 수지, 폴리비닐계 수지 등을 포함할 수 있다.

층간 절연층(45) 상에는 제1 및 제2 트랜지스터들(35, 40)의 소스 전극들과 드레인 전극들이 배치될 수 있다. 또한, 층간 절연층(45) 상에는 제1 및 제2 트랜지스터들(35, 40)의 드레인 전극들에 전기적으로 연결되는 데이터 라인들(50, 55)이 위치할 수 있다. 제1 및 제2 트랜지스터들(35, 40)의 소스 전극들 및 드레인 전극들은 각기 금속, 합금, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극들 및 드레인 전극들은 각기 층간 절연층(45)을 관통하여 상기 액티브 패턴들에 접속될 수 있다.

도 1에 예시한 바와 같이, 표시 영역(I)의 제1 트랜지스터들(35)과 데이터 라인들(50)을 덮는 절연층(60)이 배치될 수 있다. 또한, 절연층(60)은 제2 트랜지스터들(40)을 커버하면서, 최외곽의 데이터 라인(55)을 부분적으로 덮도록 주변 영역(II)까지 연장될 수 있다. 절연층(60)은 표시 영역(I)에서 제1 트랜지스터들(35)을 상기 표시 구조물들의 제1 전극들(35)로부터 절연시키는 기능을 수행할 수 있다.

절연층(60)은 유기 물질로 구성될 수 있다. 예를 들면, 절연층(60)은 예를 들면, 절연층(60)은 폴리이미드(poliminde)계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드(poliamide)계 수지, 실록산(siloxane)계 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 절연층(60)은 전술한 수지들을 함유하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 절연층(60)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등의 무기 물질로 이루어질 수도 있다. 예를 들면, 절연층(50)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 마그네슘 산화물, 아연 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다.

도 1에 예시하지는 않았지만, 절연층(60)에 의해 커버되는 상기 주변 회로는 제2 트랜지스터들(40) 및 최외곽의 데이터 라인(55)을 포함하는 데이터 라인들 이외에도 게이트 드라이버, 데이터 드라이버, 타이밍 컨트롤러 등을 포함할 수 있다.

제1 전극들(65)은 표시 영역(I)에서 절연층(60) 상에 배치될 수 있다. 제2 전극들(65)은 각기 절연층(60)을 관통하여 형성되는 콘택들(75)을 통해 제1 트랜지스터들(35)의 드레인 전극들에 각기 전기적으로 접속될 수 있다. 표시 영역(I)에서, 인접하는 제1 전극들(65)은 서로 소정의 간격으로 이격될 수 있다. 제1 전극들(65)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 각각의 제1 전극들(65)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브덴, 몰리브덴을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 주석 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.

도 1에 예시한 표시 장치(10)의 표시 영역(I)에 있어서, 절연층(60) 상에는 화소 정의막(80)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(80)은 제1 전극들(65)을 각기 노출시키는 개구들을 포함할 수 있다. 이와 같은 화소 정의막(80)의 개구들에 의해 표시 장치(10)의 발광 영역들이 한정될 수 있다. 화소 정의막(80)은 표시 영역(I)에 위치하는 데이터 라인(50)을 덮는 절연층(60)의 일부 상으로 연장될 수 있다. 화소 정의막(80)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(80)은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 아크릴계 수지 등을 함유할 수 있다. 도시하지는 않았지만, 표시 영역(I)에서 화소 정의막(80) 상에는 상기 픽셀의 셀 갭(cell gap) 유지를 위한 스페이서가 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 스페이서는 화소 정의막(80)과 실질적으로 동일한 물질을 함유할 수 있다. 이 경우, 화소 정의막(80)과 상기 스페이서는 하프톤 마스크, 하프톤 슬릿 마스크 등을 이용하는 식각 공정을 통하여 얻어질 수 있다.

표시 장치(10)의 주변 영역(II)에 있어서, 절연층(60)의 상부 및 측부 상에는 보호 부재(70)가 배치될 수 있다. 보호 부재(70)는 주변 영역(II)에 위치하는 상기 주변 회로를 정전기, 충격 등으로부터 보호하는 역할을 수행할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 보호 부재(70)는 화소 정의막(80)의 측부로부터 주변 영역(II)에 위치하는 최외곽의 데이터 라인(55) 상으로 연장될 수 있다. 예를 들면, 보호 부재(70)는 화소 정의막(80)의 측면에 접촉될 수 있고, 절연층(60)의 측부를 실질적으로 감싸면서 최외곽의 데이터 라인(55) 상으로 연장될 수 있다.

보호 부재(70)는 제1 전극들(65)과 실질적으로 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 보호 부재(70)는 제1 전극들(65)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 또한, 보호 부재(70)는 전술한 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 및/또는 투명 도전성 물질을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 후술하는 바와 같이, 보호 부재(70)의 일부는 제1 차단 구조물(98)의 제1 금속층 패턴으로 기능할 수 있다. 예를 들면, 제1 차단 구조물(98)은 보호 부재(70)의 일부인 제1 금속층 패턴과 제1 절연층 패턴(95)을 포함할 수 있다.

화소 정의막(80)의 개구들에 의해 노출되는 제1 전극들(65) 상에는 각기 발광층들(85)이 배치될 수 있다. 발광층들(85)은 각기 유기 발광층(EL), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 발광층들(85)의 유기 발광층들은 표시 장치(10)의 픽셀들의 종류에 따라 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 서로 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 각 발광층(85)의 유기 발광층은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들이 적층되어 전체적으로 백색광을 방출할 수도 있다.

발광층들(85)과 화소 정의막(85) 및 상기 스페이서 상에는 제2 전극(90)이 배치될 수 있다. 제2 전극(90)은 주변 영역(II)의 보호 부재(70) 상으로 연장될 수 있다. 즉, 표시 장치(10)의 주변 영역(II)에서 제2 전극(90)이 보호 부재(70) 상에 부분적으로 중첩될 수 있다. 제2 전극(90)은 인접하는 픽셀들이 공유하는 공통 전극에 해당될 수 있다. 제2 전극(90)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다.

도 1에 예시한 바와 같이, 표시 장치(10)의 주변 영역(II)에는 각기 복수의 차단 패턴들을 구비하는 제1 내지 제3 차단 구조물들(98, 100, 115)이 배치될 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 높이를 갖는 제1 차단 구조물(98)은 최외곽의 데이터 라인(55) 상에 위치할 수 있다. 제1 차단 구조물(98)은 상기 제1 금속층 패턴과 제1 절연층 패턴(95)을 포함할 수 있다. 상기 제1 금속층 패턴 및 제1 절연층 패턴(95)을 구비하는 제1 차단 구조물(98)은 표시 장치(10)의 제1 유기층(140) 및/또는 제2 유기층(150)이 주변 영역(II)으로 누출되는 현상을 일차적으로 방지할 수 있다. 여기서, 상기 제1 금속층 패턴은 보호 부재(70)의 일부에 해당될 수 있으며, 제1 절연층 패턴(95)은 상기 제1 금속층 패턴 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 금속층 패턴은 제1 절연층 패턴(95)이 용이하게 형성되게 수 있다. 도 1에 도시한 표시 장치에 있어서, 제1 유기층(140)이 제1 차단 구조물(98)과 이격되는 것으로 예시하였지만, 제1 유기층(140)이 제1 차단 구조물(98)에 접촉되어 주변 영역(II)으로 누출이 방지될 수 있다. 즉, 제1 차단 구조물(98)은 제1 유기층(140)의 두께가 증가하더라도 제1 유기층(140)의 누출을 충분히 차단할 수 있다.

제1 차단 구조물(98)은 표시 영역(I)의 절연층(60)의 높이 보다 최외곽의 데이터 라인(55) 두께 및 보호 부재(70)의 두께만큼 실질적으로 높은 제1 높이를 가질 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 표시 장치(10)가 보호 부재(70)를 구비하지 않을 경우, 제1 차단 구조물(98)의 제1 금속층 패턴은 최외곽의 데이터 라인(55)의 일부에 해당될 수도 있다. 이 경우, 제1 차단 구조물(98)의 제1 높이는 절연층(60)에 비해 최외곽의 데이터 라인(55)의 두께만큼 실질적으로 클 수 있다. 제1 절연층 패턴(95)은 표시 영역(I)의 화소 정의막(140)과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 절연층 패턴(95)은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.

제2 차단 구조물(100)은 제1 차단 구조물(98)에 인접하여 배치될 수 있다. 제2 차단 구조물(100)은 제2 금속층 패턴(58), 제2 절연층 패턴(105) 및 제3 절연층 패턴(110)을 포함할 수 있다. 제2 차단 구조물(100)은 제1 유기층(140) 및/또는 제2 유기층(150)의 주변 영역(II)으로의 누출을 이차적으로 방지할 수 있다. 예를 들면, 제2 유기층(150)이 제1 차단 구조물(98)을 넘을 경우, 제2 차단 구조물(100)이 제2 유기층(150)의 누출을 차단할 수 있다. 제2 차단 구조물(100)의 제2 두께는 제1 차단 구조물(98)의 제1 두께 보다 제3 절연층 패턴(110)의 두께만큼 실질적으로 높을 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 제2 금속층 패턴(58)은 최외곽의 데이터 라인(55)의 측부에 해당될 수 있다. 제2 절연층 패턴(105)은 제2 금속층 패턴(58)을 덮으면서 층간 절연층(45) 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 최외곽의 데이터 라인(55)의 일측은 제2 절연층 패턴(105)에 의해 커버되고, 최외곽의 데이터 라인(55)의 중앙부는 보호 부재(70)에 의해 덮이며, 최외곽의 데이터 라인(55)의 타측은 절연층(60)에 의해 커버될 수 있다. 여기서, 보호 부재(70)는 제2 절연층 패턴(105)의 측부와 상면의 일부까지 연장될 수 있다. 이에 따라, 보호 부재(70)의 일측은 제2 절연층 패턴(105)과 제3 절연층 패턴(110) 사이에 개재될 수 있다. 제2 금속층 패턴(58)은 제2 절연층 패턴(105)의 형성을 용이하게 할 수 있다. 제2 절연층 패턴(105)은 표시 영역(I)의 절연층(60)과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 제2 절연층 패턴(105)은 절연층(60)과 동일한 형성 공정을 통해 수득될 수 있다. 예를 들면, 제2 절연층 패턴(105)은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 이와는 달리, 제2 절연층 패턴(105)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등의 무기 물질로 이루어질 수 있다. 제3 절연층 패턴(110)은 표시 영역(I)의 화소 정의막(80)과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제3 절연층 패턴(110)은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 여기서, 제3 절연층 패턴(110)과 화소 정의막(80)은 동일한 공정을 통해 얻어질 수 있다.

도 1에 예시한 표시 장치(10)에 있어서, 제3 차단 구조물은(115)은 제2 차단 구조물에 인접하여 위치할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 및 제2 차단 구조물들(98, 100)은 주변 영역(I)의 주변 회로 영역에 배치될 수 있고, 제3 차단 구조물(115)은 데드 스페이스 영역에 위치할 수 있다. 제3 차단 구조물(115)은 표시 영역(I)의 발광층들(85)을 형성하기 위해 화소 정의막(80) 및/또는 상기 스페이서 상에 마스크의 배치로 인하여 제2 차단 구조물(100), 화소 정의막(80) 등을 포함하는 화소 하부 구조물들의 손상을 방지할 수 있다. 또한, 제3 차단 구조물(115)은 제1 무기층(140) 및/또는 제2 무기층(150)에서 발생될 수 있는 균열(crack)과 같은 손상이 주변 영역(II)으로부터 표시 영역(I)으로 전파되는 현상을 차단할 수 있다. 더욱이, 제3 차단 구조물(115)은 제2 유기층(150)이 주변 영역(II)으로 누출되는 것을 최종적으로 차단하면서, 표시 장치(10)가 추가적인 유기층들 및 무기층들(도시되지 않음)을 포함할 경우, 이러한 추가적인 유기층들이 주변 영역(II)으로 누출되는 현상을 방지할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 제3 차단 구조물(115)은 제3 금속층 패턴(120), 제4 절연층 패턴(125), 제5 절연층 패턴(130) 및 제6 절연층 패턴(135)을 포함할 수 있다. 제3 차단 구조물(115)의 제3 높이는 제2 차단 구조물(100)의 제2 높이 보다 제6 절연층 패턴(120)의 높이만큼 실질적으로 클 수 있다. 이에 따라, 표시 장치(10)는 외측을 향해 증가하는 제1 내지 제3 높이를 갖는 제1 내지 제3 차단 구조물들(98, 110, 115)을 구비할 수 있다.

제3 금속층 패턴(120)은 데이터 라인들(50, 55)과 실질적으로 동일하거나 유시한 물질로 구성될 수 있다. 제3 금속층 패턴(120)은 제4 절연층 패턴(125)의 형성을 용이하게 할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제3 금속층 패턴(120)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제3 금속층 패턴(120)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등으로 이루어질 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 제3 금속층 패턴(120)은 데이터 라인들(50, 55)과 동일한 공정을 통하여 수득될 수 있다. 즉, 상기 제1 금속층 패턴, 제2 금속층 패턴(58) 및 제3 금속층 패턴(120)은 실질적으로 동시에 형성될 수 있다.

제3 차단 구조물(115)의 제4 절연층 패턴(125)은 표시 영역(I)의 절연층(60)과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질로 이루어질 수 있다. 즉, 제4 절연층 패턴(125)은 제1 절연층 패턴(95) 및 제2 절연층 패턴(105)와 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 절연층(60), 제1 절연층 패턴(95), 제2 절연층 패턴(105) 및 제4 절연층 패턴(125)은 동일한 공정을 통해 수득될 수 있다. 제5 절연층 패턴(130)은 표시 영역(I)의 화소 정의막(80)과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제3 절연층 패턴(110), 제5 절연층 패턴(130) 및 화소 정의막(80)은 동일한 공정으로 얻어질 수 있다. 제6 절연층 패턴(135)은 표시 영역(I)의 상기 스페이서와 실질적으로 동일하거나 유사한 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제3 절연층 패턴(120), 제5 절연층 패턴(120) 및 제6 절연층 패턴(135)은 표시 영역(I)에 화소 정의막(80)과 상기 트랜지스터를 형성하는 공정에서 수득될 수 있다.

상술한 바와 같이, 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치(10)는 2개의 차단 패턴들을 포함하는 제1 차단 구조물(98), 3개의 차단 패턴들을 포함하는 제3 차단 구조물(100) 및 4개의 차단 패턴들을 포함하는 제3 차단 구조물(115)을 구비할 수 있다. 즉, 제1 내지 제3 차단 구조물들(98, 100, 110)의 차단 패턴들의 숫자와 종류가 상이할 수 있으므로, 제1 내지 제3 차단 구조물들(98, 100, 110)이 각기 서로 다른 제1 내지 제3 높이들을 가질 수 있다.

도 1을 다시 참조하면, 표시 영역(I)의 상기 표시 구조물들과 주변 영역(II)의 제1 내지 제3 차단 구조물들(98, 100, 110)을 커버하는 제1 유기층(140)이 배치될 수 있다. 제1 유기층(140)은 표시 장치(10)의 평탄도를 향상시킬 수 있으며, 표시 영역(I)이 상기 표시 구조물들을 보호하는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 제1 유기층(140)은 하부 구조물들로부터 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수도 있다. 예를 들면, 제1 유기층(140)은 폴리이미드계 수지, 폴리아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지 등을 포함할 수 있다.

제1 유기층(140) 상에는 제1 무기층(145)이 배치될 수 있다. 제1 무기층(140)은 제1 유기층(140)과 상기 표시 구조물들이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 무기층(145)은 외부의 충격으로부터 제1 유기층(140)과 상기 표시 구조물들을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제1 무기층(145)은 금속 화합물로 구성될 수 있다. 예를 들면, 제1 무기층(145)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물, 실리콘 산화질화물, 알루미늄 등으로 이루어질 수 있다.

제1 무기층(145) 상에는 제2 유기층(150)이 배치될 수 있다. 제2 유기층(150)은 제1 유기층(140)과 실질적으로 동일하거나 유사한 기능을 수행할 수 있으며, 제1 유기층(140)과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질로 구성될 수 있다. 제2 유기층(150) 상에는 제2 무기층(155)이 위치할 수 있다. 제2 무기층(155)은 제1 무기층(145)과 실질적으로 동일하거나 유사한 역할을 수행할 수 있으며, 제1 무기층(145)과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질로 이루어질 수 있다.

예시적인 실시예들에 따르면, 표시 장치(10)가 상술한 구성들을 갖는 제1 내지 제3 차단 구조물들(98, 100, 115)을 구비할 수 있기 때문에, 모노머들을 처리하여 수득되는 제1 유기층(140) 및/또는 제2 유기층(150)이 표시 영역(I)으로부터 주변 영역(II)으로 누출되는 현상을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 제1 무기층(145) 및/또는 제2 무기층(155)에 발생될 수 있는 균열과 같은 손상의 전파를 차단하여 표시 장치(10)의 내구성, 신뢰성 등을 향상시킬 수 있다. 더욱이, 발광층들(85)을 형성하기 위한 마스킹 공정 시에, 표시 영역(I)에 위치하는 하부 구조물들을 효과적으로 보호할 수 있으므로, 표시 장치(10)의 내구성, 신뢰성 등을 보다 향상시킬 수 있다.

다른 예시적인 실시예들에 있어서, 표시 장치(10)는 그 용도, 치수, 구성 요소들에 따라 적어도 하나의 추가적인 유기층과 적어도 하나의 추가적인 무기층을 포함할 수 있다. 제2 차단 구조물(100) 및/또는 제3 차단 구조물(155)에 의해 복수의 추가적인 유기층들이 배치되는 경우에도, 주변 영역을 향하는 상기 추가적인 유기층들의 누출을 효과적으로 방지할 수 있다.

도 2는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 2에 있어서, 도 1을 참조하여 설명한 구성 요소들에 대해서는 동일한 참조 부호들을 사용하며, 이러한 구성 요소들에 대한 상세한 설명은 생략한다. 도 2에 예시한 표시 장치는 제3 차단 구조물(115)에 인접하여 배치될 수 있는 제4 차단 구조물(160)을 제외하면, 도 1을 참조하여 설명한 표시 장치(10)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다.

도 2를 참조하면, 제4 차단 구조물(160)은 제3 차단 구조물(115)와 실질적으로 동일하거나 유사한 제4 높이를 가질 수 있으며, 제3 차단 구조물(115)과 실질적으로 동일하거나 유사한 차단 패턴들을 포함할 수 있다. 즉, 상기 표시 장치는 주변 영역(II)에 배치될 수 있는 제1 및 제2 차단 구조물들(98, 100) 이외에도 외곽부에 인접하여 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가지는 2개의 차단 구조물들(115, 160)을 구비할 수 있다.

제4 차단 구조물(160)은 제4 금속층 패턴(165), 제7 절연층 패턴(170), 제8 절연층 패턴(175) 및 제9 절연층 패턴(190)을 포함할 수 있다. 제4 금속층 패턴(165)은 제3 금속층 패턴(120)과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질로 구성될 수 있다. 또한, 제7 내지 제9 절연층 패턴들(170, 175, 180)은 각기 제4 내지 제6 절연층 패턴들(120, 125, 130)과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질들로 이루어질 수 있다.

상기 표시 장치가 제4 차단 구조물(160)을 추가적으로 포함할 수 있으므로, 제1 유기층(140), 제2 유기층(150) 및/또는 추가적인 유기층들이 주변 영역(II)으로 누출되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 제1 무기층(145), 제2 무기층(155) 및/또는 추가적인 무기층들에 발생될 수 있는 균열과 같은 손상의 전파를 차단할 수 있으며, 발광층들(85)을 형성하기 위한 공정 동안 표시 영역(I)에 위치하는 하부 구조물들을 효율적으로 보호할 수 있으므로, 상기 표시 장치의 내구성, 신뢰성 등을 보다 향상시킬 수 있다.

도 3은 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다. 도 3에 예시한 표시 장치에 있어서, 제1 차단 구조물(100')과 제2 차단 구조물(115')은 각기 도 1을 참조하여 설명한 제2 차단 구조물(100)과 제3 차단 구조물(115)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 즉, 도 1의 제2 차단 구조물(100)과 제3 차단 구조물(115)이 도 3의 제1 차단 구조물(100') 및 제2 차단 구조물(115')에 실질적으로 대응될 수 있다. 도 3에 예시한 표시 장치는, 도 1을 참조하여 설명한 표시 장치(10)에서 제1 차단 구조물(98)을 제외하면, 도 1을 참조하여 설명한 표시 장치(10)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 즉, 도 3에 있어서, 보호 부재(75) 상에는 차단 구조물이 배치되지 않을 수 있다.

또 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 차단 구조물(100')은 제1 금속층 패턴(58'), 제1 절연층 패턴(105') 및 제2 절연층 패턴(110')을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 금속층 패턴(58'), 제1 절연층 패턴(105') 및 제2 절연층 패턴(110')은 각기 도 1을 참조하여 설명한 제2 금속층 패턴(58), 제2 절연층 패턴(105) 및 제3 절연층 패턴(110)과 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 제2 차단 구조물(115')은 제2 금속층 패턴(120'), 제3 절연층 패턴(125'), 제4 절연층 패턴(130') 및 제5 절연층 패턴(135')을 구비할 수 있다. 여기서, 제2 금속층 패턴(120'), 제3 절연층 패턴(125'), 제4 절연층 패턴(130') 및 제5 절연층 패턴(135')은 각기 도 1을 참조하여 설명한 제3 금속층 패턴(120), 제4 절연층 패턴(125), 제5 절연층 패턴(130) 및 제6 절연층 패턴(135)과 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다.

또 다른 실시예에 따르면, 상기 표시 장치는 서로 다른 높이들을 갖는 2개의 차단 구조물들(100', 115')을 구비할 수 있으므로, 추가적인 유기층들이 지나치게 배치되지 않는 경우에는 주변 영역(II)으로의 제1 유기층(140) 및/또는 제2 유기층(150)의 누출을 차단할 수 있다. 또한, 제2 차단 구조물(115')이 발광층들(85)을 형성하는 공정 동안 하부 구조물들이 손상을 입는 것을 방지할 수 있다. 더욱이, 제1 무기층(145) 및/또는 제2 무기층(155)의 균열과 같은 손상이 표시 영역(I)으로 전파되는 현상을 방지할 수 있다. 한편, 도 3에 예시한 표시 장치는 2개의 차단 구조물들(100', 115')을 포함할 수 있으므로, 상기 표시 장치가 상대적으로 작은 치수를 가질 수 있다.

도 4는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 4에 있어서, 도 1을 참조하여 설명한 구성 요소들에 대해서는 동일한 참조 부호들을 사용하며, 이러한 구성 요소들에 대한 상세한 설명은 생략한다. 도 4에 예시한 표시 장치는 도 1을 참조하여 설명한 표시 장치(10)에서 제3 차단 구조물(115)을 제외하면, 도 1을 참조하여 설명한 표시 장치(10)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다.

도 4에 예시한 표시 장치는 제1 차단 구조물(98)과 제2 차단 구조물(100)을 포함할 수 있다. 제1 차단 구조물(98)은 보호 부재(70) 상에 배치될 수 있고, 제2 차단 구조물(100)은 절연층(60)에 의해 일부가 노출되는 최외곽의 데이터 라인(55) 상에 위치할 수 있다.

또 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 장치의 차단 구조물들(98, 100)이 표시 영역(I)에 인접하여 위치할 수 있으므로, 상기 표시 장치의 치수를 상대적으로 감소시킬 수 있다. 상기 표시 장치가 많은 추가적인 유기층들을 구비하지 않는 한, 제1 및 제2 차단 구조물들(98, 100)이 주변 영역(II)을 향하는 제1 유기층(140) 및/또는 제2 유기층(150)의 누출을 충분히 방지할 수 있다. 또한, 제1 무기층(145) 및/또는 제2 무기층(155)의 균열과 같은 손상이 표시 영역(I)으로 전파되는 현상을 방지할 수 있다.

도 5 내지 도 7은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 5 내지 도 7에 있어서, 도 1을 참조하여 설명한 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가지는 표시 장치의 제조 방법을 설명하지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 패터닝 공정과 같은 공정의 자명한 변경들을 통해 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명한 표시 장치들 중에서 임의의 하나를 제조할 수 있음을 이해할 수 것이다.

도 5를 참조하면, 표시 영역(III)과 주변 영역(IV)을 포함하는 기판(220)을 제공할 수 있다. 이 경우, 기판(220)의 주변 영역은 주변 회로가 형성될 수 있는 주변 회로 영역과 표시 장치의 픽셀의 최외곽부에 해당되는 데드 스페이스 영역을 포함할 수 있다. 기판(220)은 투명 수지를 사용하여 형성될 수 있다. 선택적으로는, 기판(220)은 투명 세라믹 기판으로 구성될 수 있다.

기판(220) 상에는 버퍼층(225)이 형성될 수 있다. 버퍼층(225)은 기(220)의 표시 영역(I)으로부터 주변 영역(II)까지 연장될 수 있다. 버퍼층(225)은 실리콘 화합물, 투명 수지 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(225)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 폴리아크릴레이트계 수지, 폴리메타크릴레이트계 수지, 올레핀계 수지 및/또는 폴리비닐계 수지를 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 버퍼층(225)은 스핀 코팅 공정, 프린팅 공정, 열 처리 공정, 화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 버퍼층(225)은 상이한 실리콘 화합물들을 기판(220) 상에 증착하여 복수의 버퍼 필름들을 형성하여 버퍼층(225)을 수득하거나, 실리콘 화합물을 포함하는 적어도 하나의 버퍼 필름 및 투명 수지를 포함하는 적어도 하나의 버퍼 필름을 교대로 적층하여 버퍼층(225)을 얻을 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 기판(220)의 구성 물질, 표면 상태 등에 따라 기판(220) 상에 버퍼층(225)이 형성되지 않을 수도 있다.

버퍼층(225) 상에는 제1 액티브 패턴들(230) 및 제2 액티브 패턴들(235)이 형성될 수 있다. 제1 액티브 패턴들(230)은 표시 영역(III)에 형성될 수 있고, 제2 액티브 패턴들(235)은 주변 영역(IV)에 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 버퍼층(225) 상에 반도체층(도시되지 않음)을 형성한 후, 이와 같은 반도체층을 패터닝하여 표시 영역(III)에 예비 제1 액티브 패턴들(도시되지 않음)을 형성하고, 주변 영역(IV)에 예비 제2 액티브 패턴들(도시되지 않음)을 형성할 수 있다. 이러한 예비 제1 및 제3 액티브 패턴들에 대해 열처리 공정, 레이저 조사 공정, 촉매를 이용하는 열처리 공정 등을 수행하여 제1 및 제2 액티브 패턴들(230, 235)을 수득할 수 있다. 이 경우, 상기 반도체층은 아몰퍼스 실리콘, 불순물을 포함하는 아몰퍼스 실리콘 등을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 반도체층은 화학 기상 증착 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 저압 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 제1 및 제2 액티브 패턴들(230, 235)은 각기 폴리실리콘, 불순물을 포함하는 폴리실리콘, 부분 결정화 실리콘, 미세 결정들을 포함하는 실리콘, 산화물 반도체 등으로 구성될 수 있다.

다시 도 5를 참조하면, 버퍼층(225) 상에 제1 및 제2 액티브 패턴들(230, 235)을 덮는 게이트 절연층(240)을 형성한다. 게이트 절연층(240)은 버퍼층(225) 상에 실질적으로 균일하게 형성될 수 있으며, 버퍼층(225)과 실질적으로 동일하거나 유사한 면적을 가질 수 있다. 게이트 절연층(240)은 실리콘 산화물, 실리콘 탄산화물 등과 같은 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 게이트 절연층(240)은 화학 기상 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 공정, 프린팅 공정을 이용하여 수득될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(240)은 하프늄 산화물, 알루미늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물 등과 같은 금속 산화물을 버퍼층(225) 상에 화학 기상 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 공정 등으로 증착하여 얻어질 수 있다.

도 6을 참조하면, 게이트 절연층(240)과 버퍼층(225)을 부분적으로 제거하여 기판(220)의 일부를 노출시킬 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(240)과 버퍼층(225)의 부분적인 제거에 따라 기판(220)의 에지부에 인접하는 부분이 노출될 수 있다. 이에 따라, 기판(220)과 게이트 절연층(240)과 버퍼층(225) 사이에는 단차가 생성될 수 있다.

게이트 절연층(240) 상에는 제1 게이트 전극들(245)의 및 제2 게이트 전극들(250)이 형성될 수 있다. 제1 및 제2 게이트 전극들(245, 250)은 금속, 합금, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 제1 및 제2 게이트 전극들(245, 250)은 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착 공정, 진공 증착 공정, 원자층 적층 공정 등을 이용하여 얻어질 수 있다. 제1 게이트 전극들(245)은 표시 영역(III)의 게이트 절연층(240) 중에서 아래에 제1 액티브 패턴들(230)(도 5 참조)이 위치하는 부분들 상에 형성될 수 있다. 또한, 제2 게이트 전극들(250)은 주변 영역(IV)의 게이트 절연층(240) 중에서 아래에 제2 액티브 패턴들(235)(도 5 참조)이 배치되는 부분들 상에 형성될 수 있다.

도시하지는 않았으나, 표시 영역(III) 및 주변 영역(IV)의 게이트 절연층(240) 상에는 제1 및 제2 게이트 전극들(245, 250)에 전기적으로 연결되는 게이트 라인들이 형성될 수 있다. 또한, 제1 및 제2 게이트 전극들(245, 250)을 마스크들로 이용하여 제1 및 제2 액티브 패턴들(230, 235)에 불순물들을 주입함으로써, 제1 및 제2 액티브 패턴들(230, 235)에 각기 소스 영역들 및 드레인 영역들을 형성할 수 있다.

층간 절연층(290)은 제1 및 제2 게이트 전극들(245, 250)을 덮으며 게이트 절연층(240) 상에 형성될 수 있다. 층간 절연층(290)은 실리콘 화합물, 투명 수지 등을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 층간 절연층(290)은 프린팅 공정, 스핀 코팅 공정, 화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.

층간 절연층(290)을 부분적으로 식각하여 제1 및 제2 액티브 패턴들(230, 235)의 드레인 영역들 및 소스 영역들을 노출시키는 콘택홀들을 형성할 수 있다. 이러한 콘택홀들을 채우면서 층간 절연층(290) 상에 제1 드레인 전극들(255), 제1 소스 전극들(260), 제2 드레인 전극들(265) 및 제2 소스 전극들(270)을 형성할 수 있다. 이와 동시에 표시 및 주변 영역들(III, IV)의 층간 절연층(290) 상에 데이터 라인들(295, 300)을 형성할 수 있다. 이러한 데이터 라인들(295, 300)은 제1 및 제2 소스 전극들(260, 270)에 전기적으로 접속될 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 층간 절연층(290) 상에 상기 콘택홀들을 채우면서 도전층(도시되지 않음)을 형성한 후, 상기 도전층을 패터닝하여 제1 및 제2 드레인 전극들(255, 265), 제1 및 제2 소스 전극들(260, 270), 그리고 데이터 라인들(295, 300)을 수득할 수 있다. 상기 도전층은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 도전층은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등으로 이루어질 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 상기 도전층은 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.

제1 및 제2 드레인 전극들(255, 265)은 각기 제1 및 제2 액티브 패턴들(230, 235)의 드레인 영역들에 접속될 수 있고, 제1 및 제2 소스 전극들(260, 270)은 각기 제1 및 제2 액티브 패턴들(230, 235)의 소스 영역들에 접속될 수 있다. 제1 및 제2 드레인 전극들(255, 265)과 제1 및 제2 소스 전극들(260, 270)의 형성에 따라, 기판(220) 상부에는 제1 트랜지스터들(275)과 제2 트랜지스터들(280)이 형성될 수 있다. 제1 트랜지스터들(275) 및 제2 트랜지스터들(280)은 각기 표시 영역(III) 및 주변 영역(IV)에 형성될 수 있다.

도 6에 예시한 바와 같이, 데이터 라인들(295, 300)을 형성하는 동안, 주변 영역(IV)에는 최외곽의 데이터 라인(303)에 인접하는 금속층 패턴(305)이 동시에 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 차단 구조물의 절연층 패턴은 층간 절연층(290) 상에 직접 형성되기 어려울 수 있다. 층간 절연층(290)과 상기 차단 구조물의 절연층 패턴 사이에 금속층 패턴(305)을 개재시킬 경우에는 상기 차단 구조물의 절연층 패턴이 상대적으로 용이하게 형성될 수 있다. 예를 들면, 금속층 패턴(305)은 상기 차단 구조물의 구조적인 안정성을 향상시킬 수 있다. 후술하는 바와 같이, 상기 표시 장치가 제1 내지 제3 차단 구조물들(370, 380, 390)(도 7 참조)을 구비할 경우, 금속층 패턴(305)은 제3 차단 구조물(390)의 제3 금속층 패턴에 해당될 수 있다. 여기서, 최외곽의 데이터 라인(303)의 일부(303)는 제2 차단 구조물(380)의 제2 금속층 패턴이 될 수 있으며, 후속하여 형성되는 보호 부재(340)의 일부가 제1 차단 구조물(370)의 제1 금속층 패턴에 해당될 수 있다.

표시 영역(III)의 제1 트랜지스터들(275) 및 데이터 라인(295)과 주변 영역(IV)의 제2 트랜지스터들(280) 및 주변 회로들을 덮는 절연층(310)이 층간 절연층(290) 상에 형성될 수 있다. 절연층(310)은 최외곽의 데이터 라인(300)의 일측을 커버하도록 연장될 수 있다. 절연층(310)은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산(siloxane)계 수지 등과 같은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 절연층(310)은 프린팅 공정, 잉크젯 공정, 스핀 코팅 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 선택적으로는, 실리콘 화합물, 금속 산화물 등의 무기 물질로 사용하여 절연층(310)을 형성할 수도 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 절연층(310)을 형성하는 동안 주변 영역(IV)에는 절연층 패턴들(325, 330)이 형성될 수 있다. 즉, 절연층(310)과 절연층 패턴들(325, 330)은 동시에 형성될 수 있다. 여기서, 하나의 절연층 패턴(325)은 최외곽의 데이터 라인(300)의 일부 상에 형성될 수 있고, 다른 하나의 절연층 패턴(330)은 금속층 패턴(305) 상에 형성될 수 있다. 최외곽의 데이터 라인(300)의 일측은 절연층(310)에 의해 덮일 수 있고, 최외곽의 데이터 라인(300)의 타측은 절연층 패턴(325)에 의해 커버될 수 있다. 상술한 바와 같이, 최외곽의 데이터 라인(300) 및 금속층 패턴(305) 상에 유기 물질로 이루어진 절연층 패턴들(325, 330)이 상대적으로 용이하게 형성될 수 있다.

다시 6을 참조하면, 표시 영역(III)의 절연층(335)을 부분적으로 식각하여 제1 트랜지스터들(275)의 제1 드레인 전극들(255)을 노출시키는 콘택홀들을 형성할 수 있다. 상기 콘택 홀들을 채우면서 표시 영역(III)의 절연층(335) 상에 콘택들(315)과 제1 전극들(335)을 형성할 수 있다. 이 때, 주변 영역(IV)의 절연층(310) 및 최외곽의 데이터 라인(300) 상에는 보호 부재(340)가 형성될 수 있다. 제1 전극들(255)과 보호 부재(340)는 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 제1 전극들(255)과 보호 부재(340)는 스퍼터링 공정, 프린팅 공정, 화학 기상 증착 공정, 진공 증착 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다.

제1 전극들(335)은 각기 절연층(330)에 형성된 콘택들(315)을 통해 제1 드레인 전극들(255)에 각기 전기적으로 연결될 수 있다. 보호 부재(340)는 주변 영역(IV)에서 절연층(310)의 상면으로부터 최외곽의 데이터 라인(300)의 노출된 부분을 커버하면서 절연층 패턴(325)의 상면까지 연장될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 최외곽의 데이터 라인(300) 상에 형성되는 보호 부재(340)의 일부가 제1 차단 구조물(370)의 제1 금속층 패턴으로 기능할 수 있다. 보호 부재(340)는 제2 트랜지스터들(280) 및 최외곽의 데이터 라인(300) 외에도 게이트 드라이버, 데이터 드라이버, 타이밍 컨트롤러 등을 포함하는 상기 주변 회로를 정전기, 충격 등으로부터 보호하는 기능할 수행할 수 있다.

도 7을 참조하면, 표시 영역(III)의 제1 전극들(335)과 절연층(310) 상에 제1 전극들(335)을 부분적으로 노출시키는 개구들을 갖는 화소 정의막(345)을 형성할 수 있다. 이 경우, 주변 영역(IV)의 보호 부재(340) 상에는 제1 절연층 패턴(320), 제2 절연층 패턴(350), 제5 절연층 패턴(355) 및 제6 절연층 패턴(360)이 형성될 수 있다. 제1 절연층 패턴(320)은 보호 부재(340) 상에 형성될 수 있으며, 제3 절연층 패턴은 보호 부재(340)와 이미 형성된 하나의 절연층 패턴(325) 상에 형성될 수 있다. 제5 및 제6 절연층 패턴들(355, 360)은 미리 형성된 다른 하나의 절연층 패턴(330) 상에 순차적으로 형성될 수 있다. 도시하지는 않았지만, 제6 절연층 패턴(360)은 화소 정의막(345) 상에 스페이서를 형성하는 과정 동안 수득될 수 있다. 예를 들면, 하프톤 마스크, 하프톤 슬릿 마스크 등을 이용하여 화소 정의막(345)과 상기 스페이서를 표시 영역(III)에 형성하는 동안, 주변 영역(III)에는 제1 절연층 패턴(320), 제3 절연층 패턴(350), 제5 절연층 패턴(355) 및 제6 절연층 패턴(360)이 형성될 수 있다.

이러한 제1 절연층 패턴(320)의 형성에 따라, 보호 부재(340)의 일부에 해당되는 제1 금속층 패턴과 제1 절연층 패턴(320)을 포함하는 제1 차단 구조물(370)이 수득될 수 있다. 또한, 제1 절연층 패턴(320)에 따라 이전에 형성된 절연층 패턴들(325)은 각기 제2 절연층 패턴 및 제4 절연층 패턴으로 호칭될 수 있다. 따라서, 제2 금속층 패턴(303), 제2 절연층 패턴(325) 및 제3 절연층 패턴(350)을 포함하는 제2 차단 구조물(380)이 최외곽의 데이터 라인(300) 상에 형성될 수 있다. 또한, 제3 금속층 패턴(305), 제4 절연층 패턴(330), 제5 절연층 패턴(355) 및 제6 절연층 패턴(360)을 포함하는 제3 차단 구조물(390)이 제2 차단 구조물(380)에 인접하여 형성될 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(345)과 제1 절연층 패턴(320), 제3 절연층 패턴(350), 제5 절연층 패턴(355) 및 제6 절연층 패턴(360)은 각기 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(345), 제1 절연층 패턴(320), 제3 절연층 패턴(350), 제5 절연층 패턴(355) 및 제6 절연층 패턴(360)은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 아크릴계 수지 등을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 화소 정의막(345), 제1 절연층 패턴(320), 제3 절연층 패턴(350), 제5 절연층 패턴(355) 및 제6 절연층 패턴(360)은 프린팅 공정, 잉크젯 공정, 스핀 코팅 공정 등을 통해 형성될 수 있다.

화소 정의막(345)의 개구들에 의해 노출되는 제1 전극들(335) 상에는 발광층들(365)이 형성될 수 있다. 발광층들(365)을 형성하는 공정에 있어서, 각각의 제1 전극들(335) 상에 유기 발광층(EL), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 순차적으로 형성할 수 있다. 여기서, 유기 발광층은 상기 표시 장치의 픽셀들의 종류에 따라 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 서로 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 선택적으로는, 상기 유기 발광층은 백색광을 발생시킬 수 있도록 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 형성될 수도 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 표시 영역(III)에 발광층들(365)을 형성하기 위하여 마스크(도시되지 않음)를 화소 정의막(345) 및 상기 스페이서 상에 배치하는 동안, 주변 영역(IV)에 형성된 제2 차단 구조물(380) 및/또는 제3 차단 구조물(390)이 상기 마스크로 인한 하부 구조물들의 손상을 방지할 수 있다. 예를 들면, 제2 차단 구조물(380) 및/또는 제3 차단 구조물(390)이 상기 마스크에 접촉됨으로써, 상기 하부 구조물과 상기 마스크의 접촉으로 인한 상기 하부 구조물의 손상을 방지할 수 있다.

발광층들(365), 화소 정의막(345) 및 상기 스페이서 상에는 제2 전극(370)이 형성될 수 있다. 제2 전극(370)은 화소 정의막(345)에 접촉되는 보호 부재(340)의 일부 상으로 연장될 수 있다. 제2 전극(370)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.

도 7에 예시한 바와 같이, 표시 영역(III)의 표시 구조물들과 주변 영역(IV)의 제1 내지 제3 차단 구조물들(370, 380, 390)을 덮는 제1 유기층(395)이 형성될 수 있다. 제1 유기층(395)은 폴리이미드계 수지, 폴리아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지 등을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 제1 유기층(395)은 프린팅 공정, 잉크젯 공정, 스핀 코팅 공정, 진공 증착 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 전술한 수지를 형성할 수 있는 모노머를 상기 표시 구조물들과 제1 내지 제3 차단 구조물들(370, 380, 390) 상에 도포한 후에, 이러한 모노머에 열 처리 또는 자외선 처리를 수행하여 제1 유기층(395)을 수득할 수 있다. 이와 같은 제1 유기층(395)을 형성하는 동안, 제1 차단 구조물(370)이 제1 유기층(395)의 주변 영역(IV)으로의 누출을 일차적으로 차단할 수 있다.

제1 유기층(395) 상에는 제1 무기층(400)이 형성될 수 있다. 제1 무기층(400)은 금속 화합물을 진공 증착 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정 등으로 증착하여 수득될 수 있다.

도시하지는 않았지만, 제1 무기층(400) 상에 추가적인 유기층과 추가적인 무기층을 교대로 적층하여 도 1을 참조하여 설명한 표시 장치(10)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가지는 표시 장치를 수득할 수 있다. 선택적으로는, 제1 무기층(400) 상에 2 이상의 유기층들과 2 이상의 무기층들을 교대로 적층할 수 있다.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 8에 예시한 표시 장치에 있어서, 도 1을 참조하여 설명한 구성 요소들에 대해서는 동일한 참조 부호들을 사용하며, 이러한 구성 요소들에 대한 상세한 설명은 생략한다.

도 8을 참조하면, 상기 표시 장치는 픽셀들 사이의 영역에 배치되는 하나 이상의 추가적인 차단 구조물(185)을 포함할 수 있다. 야기서, 픽셀들은 각기 제1 내지 제3 차단 구조물들(98, 100. 115)을 포함할 수 있다.

또 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 장치는 3개의 추가적인 차단 구조물들(185)을 포함할 수 있다. 이들 추가적인 차단 구조물들(185)은 동일한 숫자의 차단 패턴들을 포함할 수 있으며, 이에 따라 추가적인 차단 구조물들(185)은 실질적으로 동일한 높이들을 가질 수 있다. 이 경우, 추가적인 차단 구조물들(185)은 각기 제3 차단 구조물(115)의 제3 높이와 실질적으로 동일하거나 유사한 높이를 가질 수 있다. 선택적으로는, 추가적인 차단 구조물들(185)은 서로 다른 높이들을 가질 수도 있다.

도 8에 예시한 바와 같이, 각각의 추가적인 차단 구조물(185)은 제1 절연층 패턴(190), 제2 절연층 패턴(193), 제3 절연층 패턴(194), 금속층 패턴(195), 제4 절연층 패턴(198), 제5 절연층 패턴(200) 및 제6 절연층 패턴(203)을 포함할 수 있다. 제1 절연층 패턴(185), 제2 절연층 패턴(193) 및 제3 절연층 패턴(194)은 각기 버퍼층(25), 게이트 절연층(30) 및 층간 절연층(45)과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질들을 포함할 수 있다. 추가적인 차단 구조물(185)의 금속층 패턴(195)은 데이터 라인들(50, 55)과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질들을 포함할 수 있다. 또한, 제4 절연층 패턴(198), 제5 절연층 패턴(200) 및 제6 절연층 패턴(203)은 각기 절연층(60), 화소 정의막(80) 및 스페이서와 실질적으로 동일하거나 유사한 물질들을 포함할 수 있다.

또 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 표시 장치가 인접하는 픽셀들 사이에 배치되는 추가적인 차단 구조물들(185)을 포함할 수 있으므로, 발광층들(85)을 형성하는 마스킹 공정 동안에 표시 구조물들을 포함하는 하부 구조물들이 손상을 입는 현상을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.

상술한 바에 있어서는, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 대해 도면들을 참조하여 설명하였지만, 상술한 실시예들은 예시적인 것으로서, 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정, 변형 및 변경될 수 있을 것이다.

본 발명은 표시 장치를 포함하는 다양한 전기 및 전자 기기들에 적용되어, 상기 전기 및 전자 기기들의 내구성, 신뢰성 등을 향상시킬 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 컴퓨터, 노트북, 디지털 카메라, 비디오 캠코더, 휴대폰, 스마트폰, 스마트 패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어, 네비게이션, 비디오 폰, 감시 시스템, 추적 시스템, 동작 감지 시스템, 이미지 안정화 시스템 등에 적용될 수 있다.

10: 표시 장치 20, 220: 기판
25, 225: 버퍼층 30, 240: 게이트 절연층
35, 275: 제1 트랜지스터들 40, 280: 제2 트랜지스터들
45, 290: 층간 절연층 50, 55, 295, 300: 데이터 라인
60, 310: 절연층 65, 335: 제1 전극
70, 340: 보호 부재 75, 315: 콘택
80, 345: 화소 정의막 85, 365: 발광층
90, 370: 제2 전극 98, 100', 370: 제1 차단 구조물
100. 115', 380: 제2 차단 구조물 115, 390: 제3 차단 구조물
160: 제4 차단 구조물 140, 395: 제1 유기층
145, 400: 제1 무기층 150: 제2 유기층
155: 제2 무기층 185: 추가 차단 구조물

Claims (16)

1. 표시 영역과 주변 영역을 포함하는 기판:
   상기 기판의 상기 표시 영역에 배치되고, 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층, 및 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하는 표시 구조물:
   상기 제2 전극상에 배치되는 유기층;
   상기 기판의 상기 주변 영역에 배치되는 금속층; 및
   상기 금속층 상에 배치되는 복수의 차단 구조물들을 포함하고,
   상기 제1 전극과 접촉하며, 상기 제1 전극의 하부에 배치되는 절연층을 더 포함하며,
   상기 차단 구조물들은 상기 주변 영역에 배치되고, 상기 절연층과 분리되며,
   상기 유기층은 상기 차단 구조물들과 수평 방향으로 이격하고,
   상기 절연층은 상기 차단 구조물들과 상기 수평 방향으로 이격하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 기판의 주변 영역에 배치되며, 상기 금속층과 적어도 부분적으로 중첩되는 보호 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
3. 제2항에 있어서, 상기 표시 구조물은 제1 전극, 발광층 및 제2 전극을 포함하며, 상기 보호 부재는 상기 제2 전극에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
4. 제1항에 있어서, 상기 차단 구조물들은 상기 금속층에 직접 접촉되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
5. 제1항에 있어서, 상기 금속층은 최외곽의 배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
6. 제1항에 있어서, 상기 기판의 표시 영역에 배치되는 트랜지스터를 더 포함하며, 상기 금속층은 상기 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
7. 제1항에 있어서, 상기 기판의 표시 영역에 배치되는 트랜지스터를 더 포함하며, 상기 금속층은 상기 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
8. 삭제
9. 제1항에 있어서, 상기 유기층 상에 배치되는 복수의 무기층들을 더 포함하며, 상기 유기층은 상기 무기층들 사이에 개재되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
10. 제9항에 있어서, 상기 무기층들은 상기 기판의 주변 영역에서 서로 접촉되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
11. 제1항에 있어서, 상기 기판의 주변 영역에 배치되는 추가적인 금속층을 더 포함하며, 상기 추가적인 금속층은 상기 금속층과 이격되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
12. 제11항에 있어서, 상기 추가적인 금속층 및 상기 금속층 중의 적어도 하나는 최외곽의 배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
13. 삭제
14. 제1항에 있어서, 상기 차단 구조물들은 서로 다른 높이들을 가지는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
15. 제12항에 있어서, 상기 차단 구조물들은 동일한 높이들을 가지는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
16. 표시 영역과 주변 영역을 가지는 기판;
    상기 기판의 상기 표시 영역에 배치되고, 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층, 및 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하는 표시 구조물;
    상기 제2 전극 상에 배치되는 유기층;
    상기 기판의 상기 주변 영역에 배치되는 금속층; 및
    상기 금속층 상에 배치되는 복수의 돌출부들을 포함하고,
    상기 제1 전극과 접촉하며, 상기 제1 전극의 하부에 배치되는 절연층을 더 포함하며,
    상기 돌출부들은 상기 주변 영역에 배치되고, 상기 절연층과 분리되며,
    상기 유기층은 상기 돌출부들과 수평 방향으로 이격하고,
    상기 절연층은 상기 돌출부들과 상기 수평 방향으로 이격하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.

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