CN109192762B - 显示基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该显示基板可以包括：设置在衬底基板上的多个像素单元；设置在该多个像素单元远离衬底基板一侧的封装层；设置在该封装层远离衬底基板一侧的导电膜层；以及设置在该导电膜层远离衬底基板一侧的保护膜层。由于该显示基板还包括设置在封装层和保护膜层之间的导电膜层。当保护膜层被撕裂时，由于摩擦作用产生的静电释放现象带来的电子可以释放至该导电膜层。避免了在撕裂保护膜层时，电子跃迁至显示基板中晶体管的有源层，导致晶体管的阈值电压发生偏移的问题。本发明提供的显示基板显示亮度均一性较好。

Description

显示基板及其制造方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
低温多晶硅氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide，LTPO)显示基板，是一种同时采用低温多晶硅(Low Temperature Polycrystalline，LTPS)薄膜晶体管(ThinFilm Transistor，TFT)和氧化物(Oxide)TFT制造的显示基板。
相关技术中，LTPO显示基板包括：在LTPO背板上形成的TFT和有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Oxide Light Emitting Diode，AMOLED)，在形成有TFT和AMOLED的LTPO背板上依次层叠形成的封装层，在远离该封装层的一侧形成的保护膜层。
但是，在将显示基板中的信号线与驱动该显示基板工作的驱动芯片进行绑定之前，需要将该保护膜层撕裂，使得信号线裸露出来。而在撕裂该保护膜层时，由于摩擦作用会出现静电释放(Electro Static Discharge，ESD)现象，电子可能会跃迁至LTPO背板中TFT的有源层，改变有源层的电阻值，从而导致LTPO背板中的TFT的阈值电压发生偏移，影响该显示基板的显示亮度均一性。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置，可以解决相关技术中显示基板的显示亮度均一性较差的问题。所述技术方案如下：
第一方面，提供了一种显示基板，所述显示基板包括：
设置在衬底基板上的多个像素单元；
设置在所述多个像素单元远离所述衬底基板一侧的封装层；
设置在所述封装层远离所述衬底基板一侧的导电膜层；
以及设置在所述导电膜层远离所述衬底基板一侧的保护膜层。
可选的，所述导电膜层为透明导电膜层。
可选的，所述透明导电膜层整层覆盖在所述封装层的表面。
可选的，所述导电膜层在所述衬底基板上的正投影与每个所述像素单元的发光区域均不重叠。
可选的，所述封装层，包括：
依次层叠设置的多个封装层，任意两个封装层的材料不同。
可选的，所述封装层，包括：
依次层叠设置的第一封装层和第二封装层，所述第一封装层由氮氧化硅材料制成，所述第二封装层由氮化硅材料制成。
可选的，所述封装层，包括：
依次层叠设置的第一封装层、第三封装层和第二封装层，所述第一封装层由氮氧化硅材料制成，所述第二封装层由氮化硅材料制成，所述第三封装层由有机材料制成。
可选的，所述透明导电膜层由氧化铟锡材料制成。
可选的，所述导电膜层的厚度为700埃。
第二方面，提供了一种显示基板的制造方法，所述方法包括：
在衬底基板上形成多个像素单元；
在所述多个像素单元远离所述衬底基板的一侧形成封装层；
在所述封装层远离所述衬底基板的一侧形成导电膜层；
在所述导电膜层远离所述衬底基板的一侧形成保护膜层。
可选的，所述在所述封装层远离所述衬底基板的一侧形成导电膜层，包括：
在所述封装层远离所述衬底基板的一侧，采用透明导电材料形成所述导电膜层。
可选的，所述在所述封装层远离所述衬底基板的一侧形成导电膜层，包括：
采用所述透明导电材料在所述封装层远离所述衬底基板的一侧，形成整层覆盖在所述封装层的表面的导电膜层。
可选的，所述在所述封装层远离所述衬底基板的一侧形成导电膜层，包括：
在所述封装层远离所述衬底基板的一侧，形成整层覆盖在所述封装层的表面的导电薄膜；
对所述导电薄膜进行图形化处理得到所述导电膜层，所述导电膜层在所述衬底基板上的正投影与每个所述像素单元的发光区域均不重叠。
可选的，所述透明导电材料为氧化铟锡材料。
第三方面，提供了一种显示装置，所述显示装置，包括如第一方面所述的显示基板。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
本发明提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置，由于该显示基板可以包括设置在封装层和保护膜层之间的导电膜层。因此当该保护膜层被撕裂时，由于摩擦作用产生的静电释放现象带来的电子可以释放至该导电膜层。避免了在撕裂保护膜层时，电子跃迁至显示基板中晶体管的有源层，导致晶体管的阈值电压发生偏移的问题。本发明提供的显示基板的显示亮度均一性较好。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种LTPO显示基板的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种导电膜层在衬底基板上的正投影示意图；
图5是本发明实施例提供的又一种显示基板的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的一种显示基板的制造方法流程图；
图8是本发明实施例提供的一种形成有多个像素单元的衬底基板的示意图；
图9是本发明实施例提供的一种形成有封装层的衬底基板的示意图；
图10是本发明实施例提供的一种形成有整层覆盖的透明导电膜层的衬底基板的示意图；
图11是本发明实施例提供的一种形成导电膜层的方法流程图；
图12是本发明实施例提供的一种形成有整层覆盖的导电薄膜的衬底基板的示意图；
图13是本发明实施例提供的另一种形成有导电膜层的衬底基板的示意图；
图14是本发明实施例提供的一种形成有保护膜层的衬底基板的示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明实施例提供的显示基板可以为LTPO显示基板。图1是本发明实施例提供的一种LTPO显示基板的结构示意图，如图1所示，该LTPO显示基板可以包括像素区域X1和周边电路区域X2。
其中，该周边电路区域X2中设置的驱动晶体管可以为LTPS TFT，该LTPS TFT的有源层可以由P型硅(P-si)材料制成。参考图1可以看出，该LTPS TFT的有源层设置在衬底基板01上，该有源层远离衬底基板01的一侧设置有栅绝缘层10。该栅绝缘层10远离衬底基板01的一侧设置有LTPS TFT的栅极g1，该栅极g1远离衬底基板01的一侧设置有层间介质层20。该层间介质层20远离衬底基板01的一侧设置有LTPS TFT的源极s1和漏极d1。该源极s1和漏极d1远离该衬底基板01的一侧设置有平坦层30。形成该平坦层30的材料可以为树脂材料。另外，可以在该平坦层30上形成发光单元。
该像素区域X1中设置的驱动晶体管可以为Oxide TFT，该Oxide TFT的有源层可以由铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)材料制成。参考图1可以看出，该Oxide TFT的栅极g2设置在栅绝缘层10远离衬底基板01的一侧。该Oxide TFT的有源层、源极s2和漏极d2均设置在层间介质层20远离衬底基板01的一侧。可选的，本发明实施例提供的显示基板也可以为其他类型的显示基板，如LTPS显示基板，或者Oxide显示基板，本发明实施例对该显示基板的类型不做限定。
可选的，在显示基板制造完成后，需要采用分层技术对将显示基板中的衬底基板剥离。该分层技术可以为激光剥离(Laser Lift Off，LLO)技术。为了避免在采用LLO技术剥离衬底基板时，灰尘颗粒落入显示基板，对显示基板的显示效果造成影响，在制造该显示基板时，还可以在该显示基板上形成一层保护膜层。若该显示基板为柔性显示基板，该分层技术还可以包括：在剥离衬底基板后的显示基板上形成一层保护该显示基板的背膜，以实现对该柔性显示基板的保护。
进一步的，在分层之后，为了实现显示器件的绑定操作，需要将该保护膜层撕裂使得显示基板中的信号线暴露出来。相关技术中，在撕裂该保护膜层时，由于摩擦作用产生ESD现象带来的电子会跃迁至显示基板中TFT的有源层，改变有源层的电阻值，从而导致显示基板中的TFT的阈值电压发生偏移。本发明实施例提供了一种显示基板，可以解决由于电子跃迁影响显示基板中TFT的阈值电压发生偏移的问题。
图2是本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图，如图2所示，该显示基板可以包括：设置在衬底基板01上的多个像素单元L，设置在多个像素单元L远离衬底基板01一侧的封装层02，设置在该封装层02远离衬底基板01一侧的导电膜层03，以及设置在该导电膜层03远离衬底基板01一侧的保护膜层(Temporary Protect Film，TPF)04。
在本发明实施例中，该每个像素单元L可以包括驱动晶体管和发光单元，该发光单元可以为有机发光二极管(Oxide Light Emitting Diode，OLED)或A MOLED，本发明实施例对此不做限定。由于显示基板包括的多个像素单元L均是由有机材料制成，有机材料必须和水或氧气进行隔离。因此通过设置封装层02保护显示基板，可以避免水或氧气进入显示基板内部，对像素单元L造成影响。
进一步的，在本发明实施例中，通过设置导电膜层03，在撕裂TPF 04使得显示基板中的信号线暴露出来时，由于摩擦作用产生的ESD现象带来的电子均可以释放至导电膜层03。避免了在撕裂TPF 04时，电子跃迁至显示基板中晶体管的有源层，导致晶体管的阈值电压发生偏移的问题。
综上所述，本发明实施例提供了一种显示基板，该显示基板可以包括设置在封装层和保护膜层之间的导电膜层。当该保护膜层被撕裂时，由于摩擦作用产生的静电释放现象带来的电子可以释放至该导电膜层。避免了在撕裂保护膜层时，电子跃迁至显示基板中晶体管的有源层，导致晶体管的阈值电压发生偏移的问题。本发明实施例提供的显示基板的显示亮度均一性较好。
可选的，在本发明实施例中，该导电膜层03可以为透明导电膜层。也即是形成该导电膜层03的材料可以为透明导电材料。例如，形成该透明导电膜层03的材料可以为氧化铟锡材料(Indium tin oxide，ITO)。
通过将该导电膜层03设置为透明导电膜层，不仅可以使得在TPF 04被撕裂时，由于摩擦作用产生的ESD现象带来的电子均可以释放至导电膜层03，避免电子跃迁至显示基板中晶体管的有源层，导致晶体管的阈值电压发生偏移的问题。还可以避免设置在衬底基板01上的多个像素单元的发光区域被导电膜层03遮挡，有效避免了导电膜层03对显示基板的显示亮度造成影响的问题。
作为一种可选的实现方式，当该导电膜层03为透明导电膜层时，如图2所示，该透明导电膜层03可以整层覆盖在封装层02的表面。也即是，可以直接在封装层02远离衬底基板01一侧形成整层覆盖在衬底基板01表面的透明导电膜层03。通过设置整层覆盖在衬底基板01表面的透明导电膜层03，可以简化显示基板的制造工艺。
作为另一种可选的实现方式，当该导电膜层03为不透明导电膜层时，如图3和图4所示，该导电膜层03可以是经过图形化处理后的导电膜层。并且，该导电膜层03在衬底基板01上的正投影可以与每个像素单元L的发光区域均不重叠。通过使得导电膜层03在衬底基板01上的正投影与每个像素单元L的发光区域均不重叠，可以进一步有效避免像素单元L的发光区域被导电膜层03遮挡的问题，进一步保证了显示基板的显示效果。
示例的，参考图4可以看出，该多个像素单元可以包括红色像素单元R、绿色像素单元G和蓝色像素单元B三种颜色的像素单元。该导电膜层03在该衬底基板01上的正投影，与红色像素单元R、绿色像素单元G和蓝色像素单元B的发光区域均不重叠。
需要说明的是，当该导电膜层03在衬底基板01上的正投影与每个像素单元的发光区域均不重叠时，该导电膜层03也可以为透明导电膜层。通过既设置该导电膜层03为透明导电膜层，又使得该透明导电膜层03在衬底基板01上的正投影与每个像素单元的发光区域均不重叠，可以在避免像素单元的发光区域被导电膜层03遮挡的前提下，进一步有效保证显示基板的显示效果。
可选的，在本发明实施例中，该导电膜层03的厚度可以为700埃(A)。
在本发明实施例中，该封装层02可以包括依次层叠设置的多个封装层，并且该任意两个封装层的材料可以不同。通过设置多个封装层02可以进一步有效提高对显示基板的保护效果。
其中，形成该封装层02的材料可以为无机材料。例如，该无机材料可以为：氮氧化硅(SiNO)、氧化硅(SiOx)或者氮化硅(SiNx)。
可选的，图5是本发明实施例提供的又一种显示基板的结构示意图，如图5所示，该封装层02可以包括依次层叠设置的第一封装层021和第二封装层022。
其中，该第一封装层021可以由SiON材料制成，该第二封装层022可以由SiNx材料制成。
可选的，图6是本发明实施例提供的再一种显示基板的结构示意图，如图6所示，该封装层02可以包括依次层叠设置的第一封装层021、第三封装层023和第二封装层022。其中，该第三封装层023可以由有机材料制成。设置该第三封装层023是为了在显示基板为柔性显示基板时，增加显示基板的柔性，对该柔性显示基板进行有效保护。
综上所述，本发明实施例提供了一种显示基板，该显示基板可以包括设置在封装层和保护膜层之间的导电膜层。当该保护膜层被撕裂时，由于摩擦作用产生的静电释放现象带来的电子可以释放至该导电膜层。避免了在撕裂保护膜层时，电子跃迁至显示基板中晶体管的有源层，导致晶体管的阈值电压发生偏移的问题。本发明实施例提供的显示基板的显示亮度均一性较好。
图7是本发明实施例提供的一种显示基板的制造方法流程图，如图7所示，该方法可以包括：
步骤701、在衬底基板上形成多个像素单元。
其中，该多个像素单元可以包括驱动晶体管和发光单元，该发光单元可以为OLED或AMOLED，本发明实施例对此不做限定。
可选的，可以采用多次构图工艺形成每个像素单元中的驱动晶体管，并可以采用蒸镀的方法在衬底基板上形成阵列排布的多个发光单元。另外，参考图1,可以看出，本发明实施例提供的显示基板不仅包括形成有像素单元的像素区域X1，还包括驱动像素单元工作的周边电路区域X2。相应的，可以在形成多个像素单元的同时，采用多次构图工艺在显示基板的周边电路区域形成驱动晶体管。
其中，一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。该形成有多个像素单元L的衬底基板01的示意图可以参考图8。
步骤702、在多个像素单元远离衬底基板的一侧形成封装层。
由于该多个像素单元均是由有机材料制成，而有机材料必须和水和氧气等进行隔离。因此为了避免水或氧气等进入显示基板内部，对像素单元造成影响，可以通过在多个像素单元远离衬底基板的一侧形成对显示基板进行有效保护的封装层。也即是可以对设置有多个像素单元的衬底基板进行薄膜封装(Thin Film Encapsulation，TFE)。
可选的，可以采用低温化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)的方法在多个像素单元远离衬底基板的一侧形成封装层。并且为了实现对显示基板的有效保护，可以在多个像素单元远离衬底基板的一侧形成多层封装层。
示例的，可以先采用CVD的方法在多个像素单元远离衬底基板的一侧形成第一封装层；然后采用注射图案化成膜(Injet Patterning，IJP)的方法在该第一封装层远离衬底基板的一侧形成第三封装层；最后再采用CVD的方法在该第三封装层远离衬底基板的一侧形成第二封装层。
可选的，形成该第一封装层的材料可以为SiON，形成该第二封装层的材料可以为SiNx，形成该第三封装层的材料可以为有机材料。通过形成该第三封装层可以在显示基板为柔性显示基板时，增加显示基板的柔性，对柔性显示基板进行有效保护。该形成有第一封装层021、第二封装层022和第三封装层023的衬底基板01的示意图可以参考图9。
步骤703、在封装层远离衬底基板的一侧形成导电膜层。
可选的，可以采用低温物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)的方法，或者采用低温溅射的方法在封装层远离衬底基板的一侧形成导电膜层。
可选的，可以采用透明导电材料形成导电膜层，该透明导电材料可以为ITO。
通过采用透明导电材料形成导电膜层，可以避免设置在衬底基板上的多个像素单元的发光区域被导电膜层遮挡，有效避免了导电膜层对显示基板的显示亮度造成影响的问题。
相应的，作为一种可选的实现方式，当形成导电膜层的材料为透明导电材料时，可以直接采用透明导电材料在封装层远离衬底基板的一侧，形成整层覆盖在封装层的表面的透明导电膜层。也即是，可以直接在封装层远离衬底基板的一侧形成整层透明导电膜层。通过形成整层覆盖在衬底基板表面的透明导电膜层，可以简化显示基板的制造工艺。可选的，该形成有整层覆盖的透明导电膜层03的衬底基板01的示意图可以参考图10。
作为另一种可选的实现方式，图11是本发明实施例提供的一种在封装层远离衬底基板的一侧形成导电膜层的方法流程图，当形成导电膜层的材料为不透明导电材料时，如图11所示，该方法可以包括：
步骤7031、在封装层远离衬底基板的一侧形成整层覆盖在封装层的表面的导电薄膜。
在本发明实施例中，当形成导电膜层的材料为不透明导电材料时。为了避免导电膜层对多个像素单元的发光区域造成遮挡，可以先在封装层远离衬底基板的一侧形成整层覆盖在封装层的表面的导电薄膜。
可选的，可以采用PVD的方法在形成整层覆盖在封装层的表面的导电薄膜。该形成有整层覆盖在封装层的表面的导电薄膜05的衬底基板01的示意图可以参考图12。
步骤7032、对导电薄膜进行图形化处理得到导电膜层，该导电膜层在衬底基板上的正投影与每个像素单元的发光区域均不重叠。
进一步的，可以采用图形化处理工艺，对导电薄膜进行图形化处理，使得导电膜层在衬底基板上的正投影与每个像素单元的发光区域均不重叠。通过使得导电膜层在衬底基板上的正投影与每个像素单元的发光区域均不重叠，可以有效避免像素单元的发光区域被导电膜层遮挡的问题，保证显示基板的显示效果。
可选的，该图形化处理工艺可以包括：低温光刻刻蚀工艺。对导电薄膜05进行图形化处理后，得到的导电膜层03的衬底基板01的示意图可以参考图13。
需要说明的是，当该导电膜层在衬底基板上的正投影与每个像素单元的发光区域均不重叠时，形成该导电膜层的材料也可以为透明导电材料。通过既使用透明导电材料形成该导电膜层，又使得该导电膜层在衬底基板上的正投影与每个像素单元的发光区域均不重叠，可以在避免像素单元的发光区域被导电膜层遮挡的前提下，进一步有效保证显示基板的显示效果。
步骤704、在导电膜层远离衬底基板的一侧形成保护膜层。
在本发明实施例中，为了避免显示屏出现Particle现象，可以采用覆膜(Lamination)的方法在导电膜层远离衬底基板的一侧形成TPF。可选的，该形成有TPF 04的衬底基板01的示意图可以参考图14。
并且在本发明实施例中，当完成分层后，需要撕裂TPF使得显示基板中的信号线暴露出来时，由于摩擦作用产生的ESD现象带来的电子均可以释放至导电膜层，避免了在撕裂TPF时，电子跃迁至显示基板中晶体管的有源层，导致晶体管的阈值电压发生偏移的问题，改善了显示基板的显示效果。
需要说明的是，在本发明实施例中，在完成分层处理和绑定处理后，可以采用激光切割(Laser)的方法对显示基板进行切割处理，以形成多个显示基板。
需要说明的是，本发明实施例提供的显示基板的制造方法的步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减。任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本发明的保护范围之内，因此不再赘述。
综上所述，本发明实施例提供了一种显示基板的制造方法。通过在封装层和保护膜层之间形成导电膜层，可以使得当该保护膜层被撕裂时，由于摩擦作用产生的静电释放现象带来的电子可以释放至该导电膜层。避免了在撕裂保护膜层时，电子跃迁至显示基板中晶体管的有源层，导致晶体管的阈值电压发生偏移的问题。本发明实施例提供的显示基板的显示亮度均一性较好。
本发明实施例提供了一种显示装置，该显示装置可以包括如图1至图6，以及图14任一所示的显示基板。该显示装置可以为：电子纸、OLED面板、AMOLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：
设置在衬底基板上的多个像素单元；
设置在所述多个像素单元远离所述衬底基板一侧的封装层；
设置在所述封装层远离所述衬底基板一侧，且接触所述封装层的导电膜层，所述导电膜层为透明导电膜层；
以及设置在所述导电膜层远离所述衬底基板一侧，且接触所述封装层与所述导电膜层的保护膜层；
其中，所述导电膜层用于释放撕裂所述保护膜层时带来的电子，且所述导电膜层在所述衬底基板上的正投影与每个所述像素单元的发光区域均不重叠。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述封装层包括：
依次层叠设置的多个封装层，任意两个封装层的材料不同。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述封装层包括：
依次层叠设置的第一封装层和第二封装层，所述第一封装层由氮氧化硅材料制成，所述第二封装层由氮化硅材料制成。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述封装层包括：
依次层叠设置的第一封装层、第三封装层和第二封装层，所述第一封装层由氮氧化硅材料制成，所述第二封装层由氮化硅材料制成，所述第三封装层由有机材料制成。
5.根据权利要求1至4任一所述的显示基板，其特征在于，
所述透明导电膜层由氧化铟锡材料制成。
6.根据权利要求1至4任一所述的显示基板，其特征在于，
所述导电膜层的厚度为700埃。
7.根据权利要求1至4任一所述的显示基板，其特征在于，
所述显示基板为LTPO显示基板。
8.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上形成多个像素单元；
在所述多个像素单元远离所述衬底基板的一侧形成封装层；
在所述封装层远离所述衬底基板的一侧形成接触所述封装层的导电膜层；
在所述导电膜层远离所述衬底基板的一侧形成接触所述封装层，且接触所述导电膜层的保护膜层；
其中，所述导电膜层用于释放撕裂所述保护膜层时带来的电子；所述在所述封装层远离所述衬底基板的一侧形成接触所述封装层的导电膜层，包括：
在所述封装层远离所述衬底基板的一侧，采用透明导电材料形成整层覆盖在所述封装层的表面的导电薄膜；
对所述导电薄膜进行图形化处理得到所述导电膜层，所述导电膜层在所述衬底基板上的正投影与每个所述像素单元的发光区域均不重叠。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，
所述透明导电材料为氧化铟锡材料。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置，包括如权利要求1至7任一所述的显示基板。
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