CN113871436A - 阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示装置 - Google Patents
阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113871436A CN113871436A CN202111098876.0A CN202111098876A CN113871436A CN 113871436 A CN113871436 A CN 113871436A CN 202111098876 A CN202111098876 A CN 202111098876A CN 113871436 A CN113871436 A CN 113871436A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- array substrate
- anode
- switching device
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 35
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 181
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920000747 poly(lactic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004626 polylactic acid Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示装置，阵列基板包括衬底；开关器件层，设置于衬底上，开关器件层包括阵列设置的多个开关器件；钝化层，设置于开关器件层上；阳极，设置于钝化层上，阳极的边沿形成有坡度角，坡度角为钝角；有机发光层，设置于阳极上。本申请通过将设置于钝化层上的阳极的边沿形成坡度角，坡度角为钝角，从而可以使得有机发光层覆盖于阳极上的坡度角时，可以增大有机发光层和阳极边沿的接触面积，减小有机发光层所受的压强，从而即使取消像素定义层或像素堤坝的设置，有机发光层也不会由于坡度角为锐角或者直角而发生断裂，可以在保证正常的发光功能的同时简化结构，节省制作工序，有利于降低制作成本。
Description
技术领域
本申请涉及显示器件技术领域，尤其涉及一种阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管显示(Active Matrix Organic Light EmittingDisplay，AMOLED)具备自发光、无需背光模组、高色域、高清晰度、可柔性、低功耗以及响应速度快等优点，已经成为新一代平面显示装置的重点发展方向之一，因此受到越来越多的关注。
根据OLED制备工艺，AMOLED的制备可分为蒸镀型及喷墨打印(Ink jet Print，IJP)型。对于大尺寸显示背板的制作，采用蒸镀技术需要依靠白光OLED(WOLED)结合彩色滤光片(Color Filter，CF)来实现彩色显示，目前采用WOLED结合彩膜实现全彩显示的方法已成为制备电视(TV)以及微显示等方向的主流方法。
然而，WOLED搭配彩膜的制备过程中存在结构复杂，工艺步骤较大等问题，导致制备成本高。
发明内容
本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示装置，以解决阵列基板的结构复杂的问题。
一方面，本申请提供一种阵列基板，包括：
衬底；
开关器件层，设置于所述衬底上，所述开关器件层包括阵列设置的多个开关器件；
钝化层，设置于所述开关器件层上；
阳极，设置于所述钝化层上，所述阳极的边沿形成有坡度角，所述坡度角为钝角；
机发光层，设置于所述阳极上。
在本申请一种可能的实现方式中，所述阳极采用透明氧化材料制成，所述透明氧化材料包括铟锌氧化物、铟稼氧化物和氧化锌中的至少一种。
在本申请一种可能的实现方式中，所述阵列基板还包括：
光补偿层，设置于所述钝化层和所述阳极之间。
在本申请一种可能的实现方式中，所述光补偿层采用氮化硅或氮氧化硅中的至少一种制成。
在本申请一种可能的实现方式中，所述阵列基板还包括：
彩膜滤光层，设置于所述钝化层和所述光补偿层之间；
所述有机发光层整面覆盖于所述阳极上，所述有机发光层为白光发光层。
在本申请一种可能的实现方式中，所述开关器件为薄膜晶体管，所述开关器件层包括：
第一金属层，设置于所述衬底上，所述第一金属层包括间隔的遮光金属以及薄膜晶体管的源极和漏极。
在本申请一种可能的实现方式中，所述开关器件层还包括：
缓冲层，设置于所述第一金属层上；
薄膜晶体管的有源层，设置于所述缓冲层上，所述有源层与所述源极和所述漏极连接；
栅绝缘层，设置于所述有源层上；
第二金属层，设置于所述有源层上，所述第二金属层包括薄膜晶体管的栅极，所述钝化层设置于所述第二金属层上。
在本申请一种可能的实现方式中，所述光补偿层上设有开孔，所述开孔贯穿所述钝化层、栅绝缘层以及缓冲层；
所述源极显露于所述开孔，所述阳极通过所述开孔与所述源极接触。
另一方面，本申请还提供一种阵列基板的制作方法，包括：
提供一衬底，
在所述衬底上制作多个开关器件，形成开关器件层；
在所述开关器件层上制作钝化层；
在所述钝化层上制作光补偿层；
在所述钝化层上制作阳极，所述阳极的边沿形成的坡度角为钝角；
在所述阳极上制作有机发光层。
另一方面，本申请还提供一种显示装置，包括所述的阵列基板。
本申请提供的一种阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示装置，通过在开关器件层上制作钝化层，并将设置于钝化层上的阳极的边沿形成坡度角，所述坡度角为钝角，从而可以使得有机发光层覆盖于所述阳极上的坡度角时，可以增大有机发光层和阳极边沿的接触面积，减小有机发光层所受的压强，即使取消像素定义层或像素堤坝的设置，有机发光层覆盖在坡度角上时也不会由于坡度角为锐角或者直角而发生断裂，即可以避免有机发光层发生劣化，从而可以在保证正常的发光功能的同时简化阵列基板的结构，节省制作工序，进而有利于降低制作成本。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图。
图2为本申请实施例提供的阵列基板的光补偿层结构示意图。
图3为本申请实施例提供的阵列基板的开光器件层结构示意图。
图4为本申请又一实施例提供的阵列基板的开光器件层结构示意图。
图5为本申请实施例提供的阵列基板制作方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示装置，以下分别进行详细介绍。
请参考图1-图4，本申请实施例提供一种阵列基板，包括衬底10、开关器件层20、钝化层30、阳极40以及有机发光层50。
衬底10可以是玻璃基板或者柔性衬底10。衬底10的材质可以包括玻璃、二氧化硅、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乳酸、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚氨酯中的一种或多种。
开关器件层20设置于衬底10上，开关器件层20包括阵列设置的多个开关器件210，所述开关器件210为薄膜晶体管，阵列设置于所述衬底10上。
钝化层30(PV)设置于开关器件层20上。
阳极40设置于钝化层30上，阳极40的边沿形成有坡度(Taper)角α，坡度角α为钝角。其中阳极40的厚度可以是400-500埃米。
有机发光层50覆盖阳极40上。
本申请实施例提供的阵列基板通过在开关器件层20上制作钝化层30，并将设置于钝化层30上的阳极40的边沿形成坡度角α，坡度角α为钝角，从而可以使得有机发光层50覆盖于阳极40上的坡度角α时，可以增大有机发光层50和阳极40边沿的接触面积，减小有机发光层50所受的压强，即使取消像素定义层或像素堤坝的设置，有机发光层50覆盖在坡度角上时也不会由于坡度角α为锐角或者直角而发生断裂，即可以避免有机发光层50发生劣化，从而可以在保证正常的发光功能的同时简化阵列基板的结构，节省制作工序，进而有利于降低制作成本。
在一些实施例中，阳极40采用透明氧化材料制成，透明氧化材料包括铟锌氧化物(IZO)、铟稼氧化物(IGO)和氧化锌(ZnO)中的至少一种。相比于阳极40的制备材料选用铟锡氧化物(ITO)，由于ITO的材料特性，通过制备工艺形成阳极40后，其阳极40边沿形成的坡度角α一般是直角或锐角，采用铟锌氧化物(IZO)、铟稼氧化物(IGO)或氧化锌(ZnO)等可以使得阳极40边沿形成的坡度角α呈钝角，从而可以减少像素定义层的制作，有利于简化结构和工艺步骤，降低制作成本。
在一些实施例中，如图1所示，阵列基板还包括光补偿层60，光补偿层60设置于钝化层30和阳极40之间。当所述有机发光层50发出的光线经过光补偿层60时，可以提高光线出射均匀度，从而能够增加出光视角，以此提高显示性能。其中，光补偿层60的厚度范围可以是1500-2000埃米，可以根据出光角度的需要进行光补偿层60厚度的选择。
在一些实施例中，光补偿层60采用氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiNO)中的至少一种制成。例如，光补偿层60可以采用氮化硅，也可以采用氮氧化硅，均可以实现出光视角改善的作用。
在一些实施例中，如图2所示，阵列基板还包括彩膜滤光层70和有机发光层50。其中，彩膜滤光层70和有机发光层50用于形成多种颜色的子像素。
彩膜滤光层70(CF)设置于钝化层30和光补偿层60之间。子像素可以包括红色子像素(R)、绿色子像素(G)和蓝色子像素(B)，对应地，彩膜滤光层70可以包括红色滤光层、绿色滤光层和蓝色滤光层，其中彩膜滤光层70的各个滤光层的厚度可以相同，也可以不同，在此不做具体限制。
有机发光层50(EL)整面覆盖于阳极40上，有机发光层50为白光发光层。其中，白光发光层采用有机材料制成，可以采用蒸镀方式形成。通过有机发光层50整面设置，相比红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素分别制作，更能节约制作工艺，从而有利于减低制作成本。
WOLED通过白光发光层透过彩色滤光膜层(CF)来实现全彩色，具有易于实现顶发射方式，开口率高等优点。
在一些实施例中，开关器件210为薄膜晶体管，开关器件层20包括第一金属层21。
如图3或图4所示，第一金属层21设置于衬底10上，第一金属层21包括间隔的遮光金属(LS)213以及薄膜晶体管的漏极212和漏极212。通过将遮光金属213以及薄膜晶体管的漏极212和漏极212同层设置，从而可以不需要制作将源极211、漏极212和栅极隔开的层间绝缘层(IDL)，从而可以节省一道制作光罩，从而可以节省制作工序，有利于降低制作成本。
其中，第一金属层21可以是钼(Mo)，铝(Al)Al，钛(Ti)、铜(Cu)等金属或者合金中，第一金属层21可以采用单层金属结构，也可以采用两种及两种以上的金属叠层结构。
在一些实施例中，开关器件层20还包括缓冲层22、有源层23、栅绝缘层24和第二金属层25。
缓冲层22设置于第一金属层21上。缓冲层22可以采用SiNx或SiOx，也可以采用或SiNx和SiOx叠层设置，缓冲层22的厚度可以是1000-5000埃米。
薄膜晶体管的有源层23设置于缓冲层22上，有源层23可以采用金属氧化物半导体材料制成，例如为IGZO，IZTO，IGZTO等等，厚度可以是100-1000埃米。其中，有源层23可以采用重离子掺杂(Ion Mass doping)的方式进行导体化制作，则不需要进行栅绝缘层24刻蚀及等离子(Plasma)轰击处理，栅极刻蚀完成后，栅绝缘层24正面覆盖在有源层23上，有源层23与源极211和漏极212接触的部分为N+离子掺杂。
当然，如图4所示，有源层23的制作也可以采用将栅绝缘层24刻蚀后，将有源层23与源极211和漏极212接触的部分进行正面等离子(Plasma)轰击处理，使得有源层23中没有栅绝缘层24和第二金属层25保护的部分的电阻降低，形成N+导体，与源极211和漏极212接触。
其中，栅绝缘层24可以采用SiOx薄膜，厚度可以是1000-3000埃米。第二金属层25设置于有源层23上，第二金属层25包括薄膜晶体管的栅极，栅极可以采用金属叠层设置，例如为钼/铜，钛/铜，或者是合金/铜等，其中钝化层30设置于第二金属层25上。
需要说明的是，制作开关器件层20时，源极211、漏极212和遮光金属213也可以不采用同层设置的方式，采用将源极211和漏极212制作于第二金属层25之上，再制作层间绝缘层的方式也同样可以实现薄膜晶体管的制作。
在一些实施例中，光补偿层60上设有开孔601，开孔601贯穿钝化层30、栅绝缘层24以及缓冲层22。源极211显露于开孔601，阳极40通过开孔与源极211接触。通过开孔601的设置从而可以保证有机发光层50的正常发光。
为了更好地实施本申请的阵列基板，请参考图5，本申请实施例还提供一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤S100-S500：
S100、提供一衬底10。
S200、在衬底10上制作多个开关器件210，形成开关器件层20。
S300、在开关器件层20上制作钝化层30。
S400、在钝化层30上制作阳极40，阳极40形成的坡度角α为钝角。
S500、在阳极40上制作有机发光层50，有机发光层50覆盖坡度角α。
其中，步骤S200、在衬底10上制作多个开关器件210，形成开关器件层20，还包括以下步骤S201-步骤S206。
S201、在衬底10上制作第一金属层21，对第一金属层21进行图案化形成间隔的源极211、遮光金属213和漏极212。
S202、在第一金属层21上制作缓冲层22，在缓冲层22上制作接触过孔。
S203、在缓冲层22上沉积有源层23，源极211和漏极212分别通过接触过孔与有源层23连接。
S204、在有源层23上沉积栅绝缘层24。
其中，有源层23可以采用重离子掺杂(Ion Mass doping)的方式进行导体化制作，也可以对栅绝缘层24刻蚀后，将有源层23与源极211和漏极212接触的部分进行正面等离子(Plasma)轰击处理，使得有源层23中没有栅绝缘层24和第二金属层25保护的部分的电阻降低，形成N+导体，并通过接触过孔与源极211和漏极212接触。
S205、在栅绝缘层24上制作第二金属层25，采用黄工工艺对第二金属层25进行图案化处理，刻蚀形成栅极。
S206、利用栅极的图形自对准，蚀刻栅绝缘层24。
本申请实施例提供的阵列基板的制作方法通过在开关器件层20上制作钝化层30，并将设置于钝化层30上的阳极40的边沿形成坡度角α，坡度角α为钝角，从而可以使得有机发光层50覆盖于阳极40上的坡度角α时，可以增大有机发光层50和阳极40边沿的接触面积，减小有机发光层50所受的压强，即使取消像素定义层或像素堤坝的设置，有机发光层50覆盖在坡度角α上时也不会由于坡度角α为锐角或者直角而发生断裂，即可以避免有机发光层50发生劣化，从而可以在保证正常的发光功能的同时简化阵列基板的结构，减少一道光罩，可以节省制作工序，进而有利于降低制作成本。
为了更好地实施本申请的阵列基板，本申请还提供一种显示装置，显示装置包括的阵列基板。由于该显示装置具有上述阵列基板，因此具有全部相同的有益效果，本实施例在此不再赘述。本申请实施例对于显示装置的适用不做具体限制，其可以是电视机、笔记本电脑、平板电脑、可穿戴显示设备(如智能手环、智能手表等)、手机、虚拟现实设备、增强现实设备、车载显示、广告灯箱等任何具有显示功能的产品或部件。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。具体实施时，以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现，也可以进行任意组合，作为同一或若干个实体来实现，以上各个单元或结构的具体实施可参见前面的方法实施例，在此不再赘述。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请实施例的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请实施例的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底；
开关器件层，设置于所述衬底上，所述开关器件层包括阵列设置的多个开关器件；
钝化层，设置于所述开关器件层上；
阳极，设置于所述钝化层上，所述阳极的边沿形成有坡度角，所述坡度角为钝角；
有机发光层，设置于所述阳极上。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阳极采用透明氧化材料制成，所述透明氧化材料包括铟锌氧化物、铟稼氧化物和氧化锌中的至少一种。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
光补偿层，设置于所述钝化层和所述阳极之间。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述光补偿层采用氮化硅或氮氧化硅中的至少一种制成。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
彩膜滤光层，设置于所述钝化层和所述光补偿层之间；
所述有机发光层整面覆盖于所述阳极上，所述有机发光层为白光发光层。
6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述开关器件为薄膜晶体管，所述开关器件层包括：
第一金属层，设置于所述衬底上，所述第一金属层包括间隔的遮光金属以及薄膜晶体管的源极和漏极。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述开关器件层还包括：
缓冲层，设置于所述第一金属层上；
所述薄膜晶体管的有源层，设置于所述缓冲层上，所述有源层与所述源极和所述漏极连接；
栅绝缘层，设置于所述有源层上；
第二金属层，设置于所述有源层上，所述第二金属层包括薄膜晶体管的栅极，所述钝化层设置于所述第二金属层上。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述光补偿层上设有开孔，所述开孔贯穿所述钝化层、栅绝缘层以及缓冲层；
所述源极显露于所述开孔，所述阳极通过所述开孔与所述源极接触。
9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上制作多个薄膜晶体管，形成开关器件层；
在所述开关器件层上制作钝化层；
在所述钝化层上制作阳极，所述阳极的边沿形成的坡度角为钝角；
在所述阳极上制作有机发光层，所述有机发光层覆盖所述坡度角。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111098876.0A CN113871436A (zh) | 2021-09-18 | 2021-09-18 | 阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111098876.0A CN113871436A (zh) | 2021-09-18 | 2021-09-18 | 阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113871436A true CN113871436A (zh) | 2021-12-31 |
Family
ID=78992808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111098876.0A Pending CN113871436A (zh) | 2021-09-18 | 2021-09-18 | 阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113871436A (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107086274A (zh) * | 2017-05-15 | 2017-08-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管及其制备方法 |
| CN111180466A (zh) * | 2020-01-06 | 2020-05-19 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| CN112420739A (zh) * | 2020-11-02 | 2021-02-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
-
2021
- 2021-09-18 CN CN202111098876.0A patent/CN113871436A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107086274A (zh) * | 2017-05-15 | 2017-08-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管及其制备方法 |
| CN111180466A (zh) * | 2020-01-06 | 2020-05-19 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| CN112420739A (zh) * | 2020-11-02 | 2021-02-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11152443B2 (en) | Display panel having a storage capacitor and method of fabricating same | |
| US11296151B2 (en) | Display panel | |
| EP3163624B1 (en) | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same | |
| WO2020206721A1 (zh) | 显示面板及制作方法、显示模组 | |
| WO2020124940A1 (en) | Oled substrate and oled display apparatus | |
| CN112490272B (zh) | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| US9373649B2 (en) | Array substrate and method for manufacturing the same, and display device | |
| US11610922B2 (en) | Array substrate and display panel design improving aperture ratio | |
| WO2020133714A1 (zh) | 显示面板及显示模组、电子装置 | |
| US9881942B2 (en) | Array substrate, manufacturing method thereof and display device | |
| KR20130094161A (ko) | 박막트랜지스터, 박막트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조방법 | |
| KR20100094817A (ko) | 어레이 기판의 제조방법 | |
| CN108831914B (zh) | 一种有机发光显示面板、其制作方法及显示装置 | |
| CN104953044A (zh) | 柔性oled及其制作方法 | |
| WO2020056803A1 (zh) | 显示面板及其制作方法、显示模组 | |
| US20210210571A1 (en) | Oled display panel and manufacturing method thereof | |
| KR20080085583A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 | |
| WO2020206901A1 (en) | Transparent display substrate, transparent display apparatus and method of fabricating transparent display substrate | |
| US20200185477A1 (en) | Display panel, method manufacturing same and display module | |
| US10573205B2 (en) | Flexible display device and method for manufacturing flexible display device | |
| US11494019B2 (en) | Touch display device, touch display panel and manufacturing method thereof | |
| US20230422561A1 (en) | Flexible Display Device and Method of Manufacturing the Same | |
| CN101388404B (zh) | 有机电致发光器件及其制造方法 | |
| CN113871436A (zh) | 阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示装置 | |
| WO2021203320A1 (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20211231 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |