KR101980760B1

KR101980760B1 - 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법

Info

Publication number: KR101980760B1
Application number: KR1020120149804A
Authority: KR
Inventors: 임유석; 김동준
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2012-12-20
Filing date: 2012-12-20
Publication date: 2019-05-21
Also published as: KR20140080229A

Abstract

본 발명은 유기발광 표시장치를 공개한다. 보다 상세하게는, 본 발명은 플라스틱 기판을 이용함에 따라 플렉서블 특성을 가지는 유기발광 표시패널에서 마스크 공정의 저감에 따라 발생할 수 있는 투습에 의한 불량을 최소화한 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 애노드 전극과 동일물질로 표시영역 상에 형성되는 제1 보조전극 패턴 및 비표시영역상에 형성되는 제2 보조전극 패턴을 포함하되, 애노드 금속패턴이 표시장치의 내부까지 연결되지 않도록 구성함으로서 투습에 의한 유기발광 표시장치의 신뢰성 저하 문제를 해결할 수 있는 효과가 있다.

Description

유기발광 표시장치 및 이의 제조방법{ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE AND FABRICATION METHOD OF THE SAME}

본 발명은 유기발광 표시장치에 관한 것으로, 특히 플라스틱 기판을 이용함에 따라 플렉서블 특성을 가지는 유기발광 표시패널에서 마스크 공정의 저감에 따라 발생할 수 있는 투습에 의한 불량을 최소화한 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

기존의 음극선관(Cathode Ray Tube) 표시장치를 대체하기 위해 제안된 평판표시장치(Flat Panel Display Device)로는, 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel) 및 유기발광 표시장치(Organic Light-Emitting Diode Display, OLED Display) 등이 있다.

이중, 유기발광 표시장치는, 표시패널에 구비되는 유기전계 발광다이오드가 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 가지며, 또한 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적인 특성이 있다.

도 1은 종래의 유기발광 표시패널의 일 화소에 대한 등가 회로도를 나타낸 도면이다.

도시된 바와 같이, 유기발광 표시패널은 스캔배선(SL) 및 데이터배선(DL)이 교차 형성되고, 이와 소정간격 이격되어 형성되는 전원전압 공급배선(VDDL)를 포함하여 하나의 화소(PX)을 정의한다.

또한, 스캔신호에 대응하여 데이터 신호를 제1 노드(N1)에 인가하는 스위칭 박막 트랜지스터(SWT)와, 소스전극에 전원전압(ELVDD)을 인가받으며 제1 노드(N1)에 인가된 전압에 따라 게이트-소스간 전압에 따라 드레인 전류를 유기전계 발광다이오드(Organic Light-Emitting Diode)(OLED)에 인가하는 구동 박막트랜지스터(DT)와, 구동 박막트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 인가되는 전압을 1 프레임동안 유지시키는 캐패시터(C1)를 포함한다.

그리고, 유기전계 발광다이오드(OLED)는 구동 박막트랜지스터(DT)의 드레인전극에 애노드전극이 접속되며, 캐소드전극이 접지(ELVSS)되며, 캐소드전극과 애노드전극사이에 형성되는 유기발광층을 포함한다. 전술한 유기발광층은 정공수송층, 발광층 및 전자수송층으로 구성될 수 있다.

이러한 화소 구조의 유기발광 표시장치는 일반적으로 9개의 마스크를 이용한 적층구조로 제작된다. 도 2a는 일반적인 유기발광 표시장치의 적층구조를 나타내는 도면이다.

도면을 참조하면, 종래의 유기발광 표시장치는, 기판상에 버퍼층(1), 반도체층(2), 게이트절연막(3), 게이트금속층(4), 층간절연막(5), 소스/드레인 금속층(6), 보호층(7), 평탄화막(8), 애노드금속층(9), 뱅크(10), 캐소트금속층(11), 제1 패시베이션막(12), 유기막(13) 및 제2 패시베이션막(14)의 적층구조를 갖는다.

여기서, 버퍼층(1), 게이트 절연막(3), 제1 패시베이션막(12), 유기막(13) 및 제2 패시베이션(14)은 패터닝공정이 필요하지 않아 마스크 공정이 생략되며, 따라서, 총 9번의 마스크 공정을 진행하여야 한다.

최근에는 유기발광 표시장치의 제조공정을 단순화하고, 제조단가를 낮추기 위해 보호층(7)을 생략하여 마스크를 줄이는 8 마스크 공정이 제안되었다. 도 2b는 보호층(7)이 생략된 유기발광 표시장치의 외곽부의 단면을 나타내는 도면이다.

도 2b에 도시된 바와 같이, 보호층이 생략된 유기발광 표시장치는 박막트랜지스터의 일부구조(미도시)를 포함하는 기판(5)상에 소스/드레인 금속층(6)과, 평탄화막(8)과, 평탄화막(8)의 상부에 형성되어 외곽부까지 노출되는 애노드 금속층(9)과, 애노드 금속층(9)의 상부에 형성되는 뱅크(10)와, 뱅크(10)상부로 형성되며, 일부가 애노드 금속층(9)과 접촉되는 캐소드 금속층(11)과, 기판(5)전면을 덮는 제1 패시베이션막(12)과, 유기막(13)과, 유기막(13)을 포함하여 기판(5)전면을 덮도록 형성되는 제2 패시베이션막(14)를 포함한다.

이러한 종래의 보호층이 생략된 유기발광 표시장치는, 애노드 금속층(9)의 하부에 형성되는 평탄화막(8)이 생략됨에 따라, 애노드 금속층(9)과 하부의 소스/드레인금속층(6)사이에서 투습이 발생하여, 두 금속층(6,9)이 계면을 따라 수분(w)이 내부로 유입되어 산화되어 유기발광 표시장치의 신뢰성을 떨어뜨리는 문제점이 발생하였다.

전술한 문제를 해결하기 위해, 외곽부의 애노드 금속층(9)을 제거하고 소스/드레인 금속층(6)이 노출되도록 구성하는 경우, 뱅크(10)를 이루는 폴리 이미드 물질과 소스/드레인 금속층(6)간의 표면특성이 폴리이미드 물질과 애노드 금속층(9)의 표면특성과 상이함에 따라, 원래보다 높이가 달라져 얼룩불량이 발생하는 새로운 문제점이 발생하게 된다.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 보호층을 생략함에 따라, 유기발광 표시장치의 외곽부에 노출되는 애노드 금속층에 의한 투습불량을 개선하여 신뢰성 있는 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법을 제공하는 데 있다.

전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는, 다수의 화소를 포함하는 표시영역 및 상기 표시영역을 외측으로 둘러싸는 비표시영역이 정의된 기판; 상기 기판상의 상기 화소에 형성된 하나이상의 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터를 포함한 상기 표시영역상에 형성되는 평탄화막; 상기 비표시영역상에 형성되는 제1 및 제2 소스-드레인 보조전극 패턴; 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결된 애노드 전극; 상기 애노드 전극과 동일물질로 상기 표시영역 상에 형성되는 제1 보조전극 패턴 및 상기 비표시영역상에 형성되는 제2 보조전극 패턴; 상기 애노드 전극, 제1 및 제2 보조전극 패턴을 포함한 기판의 각 화소영역 주위 및 비표시영역에 형성된 뱅크; 상기 애노드 전극 위로 각 화소영역 별로 분리 형성된 유기 발광층; 상기 유기 발광층을 포함한 상기 기판 전면에 형성된 캐소드 전극; 상기 캐소드 전극을 포함한 기판 전면에 형성된 제1 패시베이션막; 상기 제1 패시베이션막 상에 형성된 유기막; 상기 유기막 및 제1 패시베이션막 상에 형성된 제2 패시베이션막; 상기 기판과 마주하며 위치한 보호필름; 및 상기 기판과 보호필름 사이에 개재되는 점착제를 포함한다.

또한, 전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법은, 다수의 화소를 포함하는 표시영역 및 상기 표시영역을 외측으로 둘러싸는 비표시영역이 정의된 기판을 준비하는 단계; 상기 기판상의 상기 화소에 하나이상의 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 비표시영역상에 상기 박막트랜지스터의 소스 및 드레인전극과, 제1 및 제2 소스-드레인 보조전극 패턴을 형성하는 단계; 상기 드레인 전극과 연결되는 애노드 전극을 형성하는 단계; 상기 애노드 전극과 동일물질로 상기 표시영역 상에 제1 보조전극 패턴을 형성하고, 상기 비표시영역상에 제2 보조전극 패턴을 형성하는 단계; 상기 박막트랜지스터를 포함한 상기 표시영역상에 평탄화막을 형성하는 단계; 상기 애노드 전극, 제1 및 제2 보조전극 패턴을 포함한 기판의 각 화소영역 주위 및 비표시영역에 뱅크를 형성하는 단계; 상기 애노드 전극 위로 각 화소영역 별로 유기 발광층을 분리 형성하는 단계; 상기 유기 발광층을 포함한 상기 기판 전면에 캐소드 전극을 형성하는 단계; 상기 캐소드 전극을 포함한 기판 전면에 제1 패시베이션막을 형성하는 단계; 상기 제1 패시베이션막 상에 유기막을 형성하는 단계; 상기 유기막 및 제1 패시베이션막 상에 제2 패시베이션막을 형성하는 단계; 및 상기 기판과 마주하도록 점착제를 이용하여 보호필름을 부착하는 단계를 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 유기발광 표시장치의 외곽부에 형성되는 애노드 금속층을 패터닝하여 애노드 금속패턴이 표시장치의 내부까지 연결되지 않도록 구성함으로서 투습에 의한 유기발광 표시장치의 신뢰성 저하 문제를 해결할 수 있는 효과가 있다.

도 1은 종래의 유기발광 표시패널의 일 화소에 대한 등가 회로도를 나타낸 도면이다.
도 2a는 일반적인 유기발광 표시장치의 적층구조를 나타내는 도면이다.
도 2b는 보호층(7)이 생략된 유기발광 표시장치의 외곽부의 단면을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 개략적인 평면을 나타낸 도면이다.
도 4a는 도 3의 유기발광 표시장치의 A부분에 형성된 애노드 금속층의 구조를 나타낸 도면이고, 도 4b는 도 4a의 Ⅲ-Ⅲ'선에 따른 단면을 나타낸 도면이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 일부분에 대한 평면 및 단면을 나타내는 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 일부분에 대한 평면 및 단면을 나타내는 도면이다.
도 7a 내지 7g는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법을 설명한다.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 개략적인 평면을 나타낸 도면이다.

또한, 도 4a는 도 3의 유기발광 표시장치의 A부분에 형성된 애노드 금속층의 구조를 나타낸 도면이고, 도 4b는 도 4a의 Ⅲ-Ⅲ'선에 따른 단면을 나타낸 도면이다.

도 3, 도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치(100)는 박막트랜지스터(T)와 유기전계 발광다이오드가 형성된 기판(101)이 보호필름(137)에 의해 인캡슐레이션(encapsulation)되어 있는 구조이다.

유기전계 발광소자(100)는 다수의 화소(PX)를 포함하는 표시영역(A/A)과, 이를 외측으로 둘러싸는 비표시영역(N/A)이 정의된 기판(101)과, 기판(101)상의 각 화소(PX)에 형성된 박막트랜지스터(T)와, 박막트랜지스터(T)를 포함한 기판(101) 상에 형성되는 평탄화막(113)과, 평탄화막(113)상에 형성되고, 박막트랜지스터(T)의 드레인 전극(111b)과 연결된 애노드 전극(117)과, 애노드 전극(117)의 일부가 연장된 제1 보조전극패턴(119a)과, 제2 소스-드레인 보조전극패턴(111d)이 노출되지 않도록 덮는 제2 보조전극 패턴(119b)과, 패터닝되어 외부로부터 유입되는 수분을 차단시키는 제3 보조전극 패턴(119c)과, 애노드 전극(117)을 포함한 기판(101)의 각 화소(PX) 주위 및 비표시영역(N/A)에 형성된 뱅크(123)와, 애노드 전극(117)의 상부로 각 화소(PX) 별로 분리 형성된 유기 발광층(125)과, 유기 발광층(125)을 포함한 기판(101) 전면에 형성된 캐소드 전극(127)과, 캐소드 전극(127)을 포함한 기판(101) 전면에 형성된 제1 패시베이션막(129)과, 제1 패시베이션막(129) 상에 형성된 유기막(131)과, 유기막(131) 및 제1 패시베이션막(129) 상에 형성된 제2 패시베이션막(133)과, 기판(101)과 마주하며 위치한 보호필름(137)과, 기판(101)과 보호필름(137) 사이에 개재되어 기판(101)과 보호필름(137)을 접착하여 패널 상태를 이루도록 하는 점착제(135)를 포함한다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기발광 표시장치(100)를 구체적으로 설명하면, 기판(101)은 다수의 화소(PX)가 형성되는 표시영역(A/A)과, 표시영역(A/A)의 외곽부에 표시영역(A/A)을 둘러싸는 비표시영역(N/A)이 정의되어 있다. 도시되어 있지는 않지만, 표시영역(A/A)에는 다수의 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)이 교차하는 형태로 형성되며, 그 교차지점에 화소(PX)가 정의된다. 또한, 전원배선(미도시)이 데이터 배선과 평행하게 형성되어 있다.

여기서, 기판(101)으로는 단단한 재질의 유리기판 또는 표시장치가 종이처럼 휘어져도 표시 성능을 그대로 유지할 수 있도록 플렉서블(flexible)특성을 갖는 플라스틱 기판이 이용될 수 있다.

또한, 기판(101) 상에는 절연물질 예를 들면 무기절연물질인 산화실리콘(SiO₂) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있다. 이러한 버퍼층(미도시)은 후속 공정에서 형성되는 반도체층(103)의 결정화 공정에서 기판(101)의 내부로부터 나오는 알칼리 이온의 방출에 반도체층(103)의 특성 저하를 방지하기 위함이다.

버퍼층(미도시)의 상부로 표시영역(A/A)내 각 화소(PX)에는 순수 폴리실리콘으로 이루어지며, 그 중앙부는 채널을 이루는 제1 영역(103a), 제1 영역 (103a) 양 측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 제2 영역(103b, 103c)으로 구성된 반도체층(103)이 형성되어 있다.

반도체층(103)을 포함한 버퍼층 상에는 게이트 절연막(105)이 형성되어 있고, 게이트 절연막(105) 상부로는 반도체층(103)의 제1 영역(103a)에 대응하여 게이트 전극(107)이 형성되어 있다. 그리고, 게이트 절연막(105)의 상부로는 게이트 전극(107)과 연결되며 일 방향으로 연장된 게이트 배선(미도시)이 형성되어 있다.

또한, 게이트 전극(107) 형성시에, 기판(101)상에는 게이트 구동회로배선 및 접지배선(109a)등이 형성되며, 또한, 비표시영역(N/A)에는 게이트 보조전극 패턴(109b)이 형성된다.

여기서, 게이트 전극(107), 게이트 배선 및 게이트 보조전극 패턴(109b)은 저저항 특성을 갖는 제1 금속물질, 예를 들어 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi) 중 어느 하나로 이루어져 단일층 구조를 가질 수도 있으며, 또는 둘 이상의 상기 제1 금속물질로 이루어짐으로써 이중 층 또는 삼중 층 구조를 가질 수도 있다.

게이트 전극(107) 및 게이트 보조전극 패턴(109b)을 포함한 기판(101)의 전면에는 절연물질, 예를 들어 무기절연물질인 산화실리콘(SiO₂) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 층간 절연막(109)이 형성되어 있다. 이때, 층간 절연막(109)과 그 하부의 게이트 절연막(105)에는 반도체층(103)의 제1 영역 (103a) 양 측면에 위치한 제2 영역(103b, 103c) 각각을 노출시키는 반도체층 콘택홀이 형성된다. 또한, 반도체층 콘택홀과 동시에, 게이트 보조전극 패턴(109b)의 상부에는 게이트층 콘택홀이 형성된다.

반도체층 및 게이트층 콘택홀을 포함하는 층간 절연막(109) 상부에는 게이트 배선과 교차하여 화소(PX)를 정의하며 제2 금속 물질, 예를 들어 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질로서 이루어진 데이터배선(미도시) 및 전원배선(미도시)이 형성되어 있다.

층간 절연막(109)의 상부로는 상기 반도체층 콘택홀을 통해 노출된 제2 영역(103b, 103c)과 각각 접촉하며 상기 데이터 배선과 동일한 제2 금속물질로 이루어진 소스전극(111a) 및 드레인 전극(111b)이 형성되어 있다. 이때, 상기 구동영역(미도시)에 순차적으로 적층된 반도체층 (103)과 게이트 절연막(105) 및 게이트 전극(107)과 층간 절연막(109)과 서로 이격하며 형성된 소스전극(111a) 및 드레인 전극(111b)은 박막트랜지스터(T)를 이룬다.

또한, 비표시영역(N/A)상에는 소스전극(111a) 및 드레인 전극(111b)과 동일 금속으로 이루어지며, 게이트 보조전극 패턴(109b)과 접촉되는 제1 소스-드레인 보조전극 패턴(111c) 및 제2 소스-드레인 보조전극 패턴(111d)이 형성되어 있다. 이에 따라, 게이트 보조전극 패턴(109b)에 인가되는 접지전압 등의 신호가 제2 소스-드레인 보조전극 패턴(111d)및 제2 보조전극패턴(119b)에 인가되고, 제1 소스-드레인 보조전극 패턴(111c)를 통해 표시영역(N/A)내의 배선 등에 공급되게 된다.

한편, 도면에는 소스전극(111a) 및 드레인전극(111b)은 모두 단일 층 구조를 갖는 것을 일례로 나타내고 있지만, 이들 구성 요소는 이중 층 또는 삼중 층 구조로 형성될 수 있다.

전술한 박막트랜지스터(T)는 저온폴리실리콘의 반도체층(103)을 가지며, 탑 게이트 타입(Top gate type)으로 구성된 것을 일례로 나타내고 있지만, 비정질 실리콘의 반도체층을 갖는 바텀 게이트 타입(Bottom gate type)으로도 구성될 수 있다.

박막트랜지스터(T)의 상부로는 드레인 전극(111b)을 노출시키는 드레인 콘택홀(미도시)을 갖는 평탄화막(113)이 형성되어 있다. 이러한 평탄화막(113)으로는 절연물질, 예를 들어 산화실리콘(SiO₂)과 질화 실리콘(SiNx)을 포함하는 무기절연물질 중에서 어느 하나, 또는 포토 아크릴(Photo-Acyl)을 포함하는 유기절연물질 중에서 어느 하나를 선택하여 제조할 수 있다.

또한, 기판(101)의 표시영역에 대응하는 평탄화막(113)에는 후속 공정에서 형성되는 애노드 전극(117)을 드레인 전극(111b)과 전기적으로 접촉시키기 위한 드레인 콘택홀(미도시)이 형성되어 있다.

평탄화 막(113) 위로는 상기 드레인 콘택홀을 통해 박막트랜지스터(T)의 드레인 전극(111b)과 접촉되며, 각 화소(PX) 별로 분리된 형태를 가지는 애노드 전극(117)이 형성되어 있다. 또한, 평탄화막(113) 위로는 후속 공정에서 형성되는 캐소드 전극(127)의 저항값을 낮추기 위해 제 1 보조 전극패턴(119a)이 형성되어 있다. 이는 캐소드 전극(127)이 투명 도전물질로 형성되어 있어 저항값이 크기 때문에 일정한 전류를 균일하게 인가함에 있어 효율적이지 못하며, 이러한 캐소드 전극(127)의 저항값을 낮추기 위해 제1 보조전극 패턴(119a)을 형성하여 캐소드 전극(127)과 전기적으로 연결시켜 줌으로써 저항값을 낮출 수 있게 된다. 이때, 제1 보조전극 패턴(119a)은 캐소드 전극(127)과 전기적으로 연결되어 있다. 도시되어 있지는 않지만, 제1 보조전극패턴(119a)은 접지배선 콘택홀(미도시)을 통해 상기 접지배선과 전기적으로 연결된다.

뿐만 아니라, 비표시영역(N/A)상에는 애노드 전극(117)과 동일 금속으로 제2 보조전극 패턴(119b) 및 제3 보조전극 패턴(119c)이 형성되어 있다. 제2 보조전극 패턴(119b)은 하부의 제2 소스-드레인 보조전극 패턴(111d)과 요철(凹凸)형상으로 접촉되어 제2 소스-드레인 보조전극 패턴(111d)이 노출되지 않도록 함으로서 제2 소스-드레인 보조전극 패턴(111d)과 폴리 이미드간의 물질특성에 따라 뱅크(123)층의 높이가 달라지는 문제를 방지하게 된다.

특히, 제2 보조전극 패턴(119b)과 제2 소스-드레인 보조전극 패턴(111d)은 그 사이에 개재된 패터닝된 층간 절연막(109)에 의해 요철형상으로 맞물리도록 형성되어 그들의 계면으로 유입되는 수분을 일차적으로 차단하게 된다.

또한, 제3 보조전극 패턴(119c)은 비표시영역(N/A)상에서 제2 보조전극패턴(119b)과 표시영역(A/A)사이에 격벽형태로 형성되어 유입되는 수분을 이차적으로 차단하게 된다. 도 4a에 도시된 바와 같이, 이러한 제3 보조전극 패턴(119c)은 평면상에서 보았을 때 평행한 방향으로 복수의 패턴이 나란히 배치된 슬릿(slit)형상구조를 갖는다(B 부분).

애노드 전극(117)의 상부로는 화소(PX)의 경계 및 비표시영역(N/A)상에 절연물질, 특히 폴리 이미드(Poly -Imide)로 이루어진 뱅크(123)가 형성되어 있다. 이때, 뱅크(123)는 화소(PX)을 둘러싸는 형태로 애노드 전극(117)의 테두리와 중첩되도록 형성되어 있으며, 표시영역(A/A) 전체적으로는 다수의 개구부를 갖는 격자 형태를 이루고 있다. 또한, 뱅크(123)는 비표시영역(N/A)에도 형성되어 있다.

뱅크(123)로 둘러싸인 화소(PX)내의 애노드 전극(117)의 상부에는 각각 적, 녹 및 청색을 발광하는 유기발광 패턴(미도시)으로 구성된 유기 발광층(125)이 형성되어 있다. 유기 발광층(125)은 유기 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 또는 도면에 나타나지 않았지만 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광 물질층(emitting material layer), 전자 수송층 (electron transporting layer) 및 전자 주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.

또한, 유기 발광층(125)과 뱅크(123)를 포함한 기판(101)의 표시영역(A/A)에는 캐소드 전극(127)이 형성되어 있다. 이때, 애노드 전극(117)과 캐소드 전극 (127) 및 이들 두 전극(117, 127) 사이에 개재된 유기 발광층(125)은 유기전계 발광다이오드(미도시)를 이룬다. 캐소드 전극(127)은 제1 보조 전극패턴(119a)과 전기적으로 연결된다.

따라서, 상기 유기전계 발광 다이오드는 선택된 색 신호에 따라 애노드 전극 (117)과 캐소드 전극(127)으로 소정의 전압이 인가되면, 애노드 전극(117)으로부터 주입된 정공과 캐소드 전극(127)으로부터 제공된 전자가 유기발광층(125)으로 수송되어 엑시톤(exciton)을 이루고, 이러한 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 천이 될 때 빛이 발생되어 가시광선 형태로 방출된다. 이때, 발광된 빛은 투명한 캐소드 전극 (127)을 통과하여 외부로 나가게 되므로, 유기발광 표시장치(100)는 임의의 화상을 구현하게 된다.

한편, 캐소드 전극(127)을 포함한 기판 전면에는 절연물질, 특히 무기절연물질인 산화실리콘(SiO₂) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제1 패시베이션막 (129)이 형성되어 있다.

또한, 제1 패시베이션막(129) 상에는 폴리머(polymer)와 같은 고분자 유기 물질로 이루어진 유기막(131)이 형성되어 있다. 이때, 유기막(131)을 구성하는 고분자 박막으로는 올레핀계 고분자(polyethylene, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 에폭시 수지(epoxy resin), 플루오르 수지(fluoro resin), 폴리실록산(polysiloxane) 등이 사용될 수 있다.

그리고, 유기막(131) 및 제1 패시베이션막(129)을 포함한 기판 전면에는 유기막(131)을 통해 수분이 침투되는 것을 차단하기 위해 절연물질, 예를 들어 무기절연물질인 산화실리콘(SiO₂) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제2 패시베이션막(133)이 추가로 형성되어 있다.

상기 제2 패시베이션막(133)을 포함한 기판 전면에는 상기 유기전계 발광다이오드의 인캡슐레이션을 위해 보호 필름(137)이 대향하여 위치하게 되는데, 상기 기판(101)과 보호 필름(137) 사이에는 투명하며 접착 특성을 갖는 프릿(frit), 유기절연물질, 고분자 물질 중 어느 하나로 이루어진 점착제(135)가 공기층 없이 상기 기판(101) 및 보호 필름(Barrier film) (137)과 완전 밀착되어 개재되어 있다. 이러한 점착제(135)로는 PSA (Press Sensitive Adhesive)가 이용될 수 있다.

이렇게 점착제(135)에 의해 기판(101)과 보호필름 (137)이 고정되어 패널 상태를 이룸으로써 본 발명에 따른 유기발광 표시장치(100)가 구성된다.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 일부분에 대한 평면 및 단면을 나타내는 도면이다. 이하의 설명에서는 설명의 편의상 전술한 제1 실시예와 동일한 구조에 대한 설명을 생략한다.

도 3, 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 표시장치(200)는 다수의 화소(PX)를 포함하는 표시영역(A/A)과, 이를 외측으로 둘러싸는 비표시영역(N/A)이 정의된 기판(201)과, 기판(201)상의 각 화소(PX)에 형성된 박막트랜지스터(T)와, 박막트랜지스터(T)를 포함한 기판(201) 상에 형성되는 평탄화막(213)과, 평탄화막(213)상에 형성되고, 박막트랜지스터(T)의 드레인 전극(211b)과 연결된 애노드 전극(217)과, 애노드 전극(217)의 일부가 연장된 제1 보조전극패턴(219a)과, 제2 소스-드레인 보조전극패턴(211d)이 노출되지 않도록 덮는 제2 보조전극 패턴(219b)와, 애노드 전극(217)을 포함한 기판(201)의 각 화소(PX) 주위 및 비표시영역(N/A)에 형성된 뱅크(223)와, 애노드 전극(217)의 상부로 각 화소(PX) 별로 분리 형성된 유기 발광층(225)과, 유기 발광층(225)을 포함한 기판(201) 전면에 형성된 캐소드 전극(227)과, 캐소드 전극(227)을 포함한 기판(201) 전면에 형성된 제1 패시베이션막(229)과, 제1 패시베이션막(229) 상에 형성된 유기막(231)과, 유기막(231) 및 제1 패시베이션막(229) 상에 형성된 제2 패시베이션막(233)과, 기판(201)과 마주하며 위치한 보호필름(237)과, 기판(201)과 보호필름(237) 사이에 개재되어 기판(201)과 보호필름(237)을 접착하여 패널 상태를 이루도록 하는 점착제(235)를 포함한다.

특히, 제2 보조전극 패턴(219b)와 제2 소스-드레인 보조전극 패턴(211d)은 요철로 맞물리는 형상으로 형성되어 그들의 계면으로 유입되는 수분을 일차적으로 차단하게 된다. 또한, 전술한 제1 실시예와의 차이점으로서, 제3 보조전극 패턴(도 4b의 119c)은 생략되어 있다. 따라서, 도 5a에 도시된 바와 같이, 비표시영역(N/A)과 표시영역(A/A)의 경계부를 평면상에서 보았을 때 하부의 게이트 절연막(205)이 노출되어 있다(B부분).

도 6a 및 도 6b는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 일부분에 대한 평면 및 단면을 나타내는 도면이다. 이하의 설명에서는 설명의 편의상 전술한 제1 및 제2 실시예와 동일한 구조에 대한 설명을 생략한다.

도 3, 도 6a 및 도 6b를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광 표시장치(300)는 다수의 화소(PX)를 포함하는 표시영역(A/A)과, 이를 외측으로 둘러싸는 비표시영역(N/A)이 정의된 기판(301)과, 기판(301)상의 각 화소(PX)에 형성된 박막트랜지스터(T)와, 박막트랜지스터(T)를 포함한 기판(301) 상에 형성되는 평탄화막(313)과, 평탄화막(313)상에 형성되고, 박막트랜지스터(T)의 드레인 전극(311b)과 연결된 애노드 전극(317)과, 애노드 전극(317)의 일부가 연장된 제1 보조전극패턴(319a)과, 제2 소스-드레인 보조전극패턴(311d)이 노출되지 않도록 덮는 제2 보조전극 패턴(319b)과, 패터닝되어 외부로부터 유입되는 수분을 차단시키는 제3 보조전극 패턴(319c)과, 제3 보조전극 패턴(319c)의 하부로 중첩되도록 형성되되, 격자형태를 갖도록 형성되는 제3 소스-드레인 보조전극패턴(311e)와, 애노드 전극(317)을 포함한 기판(301)의 각 화소(PX) 주위 및 비표시영역(N/A)에 형성된 뱅크(323)와, 애노드 전극(317)의 상부로 각 화소(PX) 별로 분리 형성된 유기 발광층(325)과, 유기 발광층(325)을 포함한 기판(301) 전면에 형성된 캐소드 전극(327)과, 캐소드 전극(327)을 포함한 기판(301) 전면에 형성된 제1 패시베이션막(329)과, 제1 패시베이션막(329) 상에 형성된 유기막(331)과, 유기막(331) 및 제1 패시베이션막(329) 상에 형성된 제2 패시베이션막(333)과, 기판(301)과 마주하며 위치한 보호필름(337)과, 기판(301)과 보호필름(337) 사이에 개재되어 기판(301)과 보호필름(337)을 접착하여 패널 상태를 이루도록 하는 점착제(335)를 포함한다.

특히, 제2 보조전극 패턴(319b)와 제2 소스-드레인 보조전극 패턴(311d)은 요철로 맞물리는 형상으로 형성되어 그들의 계면으로 유입되는 수분을 일차적으로 차단하게 된다. 또한, 전술한 제1 및 제2 실시예와의 차이점으로서, 슬릿형태를 갖는 제3 보조전극 패턴(319c)의 하부로 형성되는 제3 소스-드레인 보조전극 패턴(311e)은 하부의 게이트 보조전극 패턴(309b)와 콘택홀(미도시)를 통해 연결되되, 평면에서 보았을 때 격자형태를 갖도록 형성되며, 제3 보조전극 패턴(319c)의 슬릿 사이로 교차지점이 노출되는 형태로 형성된다(B 부분).

따라서, 본 발명의 제1 내지 제3 실시예 따른 유기전계 발광소자에 따르면, 비표시영역(N/A)에 종래의 보호층을 생략하여 발생하는 애노드 전극 및 소스/드레인 전극의 연장선에 의한 수분유입을 효율적으로 차단할 수 있으며, 종래대비 뱅크의 높이차가 발생하지 않는 특징이 있다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 설명한다. 이하의 설명에서는 제1 실시예에 나타낸 단면구조로 유기발광 표시장치의 제조방법을 설명하며, 이는 제2 및 제3 실시예에서도 동일하게 적용된다.

도 7a 내지 7g는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.

도 7a에 도시된 바와 같이, 표시영역(A/A)과, 그 외측을 둘러싸는 비표시영역(N/A)이 정의된 기판(101)을 준비한다. 여기서, 기판(101)으로는 단단한 재질의 유리기판 또는 표시장치가 종이처럼 휘어져도 표시 성능을 그대로 유지할 수 있도록 플렉서블(flexible)특성을 갖는 플라스틱 기판이 이용될 수 있다.

다음으로, 표시영역(A/A) 내의 각 화소에 순수 폴리실리콘으로 이루어지며, 그 중앙부는 채널을 이루는 제1 영역(103a) 그리고 제1 영역(103a) 양 측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 제2 영역(103b, 103c)으로 구성된 반도체층(103)을 형성한다.

한편, 도시되어 있지는 않지만 전술한 반도체층(103)의 형성 이전에, 기판(101)상에 절연물질 예를 들면 무기절연물질인 산화실리콘(SiO₂) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 버퍼층(미도시)을 형성할 수 있다. 이러한 버퍼층은 반도체층(103)의 결정화시에 기판(101)의 내부로부터 나오는 알칼리 이온의 방출에 의한 반도체층(103)의 특성 저하를 방지하는 역할을 한다.

다음으로, 반도체층(103)을 포함한 버퍼층 상에 게이트 절연막(105)을 형성하고, 게이트 절연막(105)상에 반도체층(103)의 제1 영역(103a)에 대응하여 게이트 전극(107)을 형성한다.

또한, 게이트 절연막(105) 위로는 게이트 전극(107)과 연결되며 일 방향으로 연장된 게이트 배선(미도시)을 동시에 형성하며, 특히 비표시영역(N/A)상에는 게이트 구동회로를 위한 배선 또는 접지배선(109a)를 동시에 형성한다. 뿐만 아니라, 비표시영역(N/A)에는 게이트 보조전극패턴(109b)을 형성한다.

이어서, 도 7b에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(107)과 게이트 보조전극 패턴(109b)을 포함한 기판 전면에 절연물질, 예를 들어 무기절연물질인 산화실리콘 (SiO₂) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 층간 절연막(109)을 형성한다.

다음으로, 층간 절연막(109)과 그 하부의 게이트 절연막(105)을 선택적으로 패터닝하여, 반도체층의 제1 영역(103a) 양 측면에 위치한 제2 영역(103b, 103c) 각각을 노출시키는 반도체층 콘택홀(미도시)을 형성한다.

그리고, 도면에는 도시되어 있지 않지만, 반도체층 콘택홀(미도시)을 포함하는 층간 절연막(109) 상부에 금속물질층(미도시)을 형성한다. 이때, 상기 금속물질층(미도시)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질로서 이루어진다.

이어서, 상기 금속물질층을 선택적으로 패터닝하여, 상기 게이트 배선과 교차하며, 화소를 정의하는 데이터배선(미도시), 데이터 구동회로배선(미도시) 및 전원배선(미도시) 등을 형성한다.

또한, 상기 데이터 배선 형성시에, 층간 절연막(109)의 상부로 상기 반도체층 콘택홀을 통해 노출된 제2 영역(103b, 103c)과 각각 접촉하며 상기 데이터 배선과 동일한 금속물질로 이루어진 소스전극(111a) 및 드레인전극(111b)을 동시에 형성한다. 이에 따라, 반도체층(103)과, 게이트 절연막(105) 및 게이트 전극(107)과, 층간 절연막(109)과, 서로 이격하며 형성된 소스전극(111a) 및 드레인전극(111b)은 하나의 박막트랜지스터를 이루게 된다.

이와 동시에, 표시영역(A/A) 및 비표시영역(N/A)에 걸쳐 제1 및 제2 소스-드레인 보조전극 패턴(111c, 111d)을 형성한다. 특히, 제2 소스-드레인 보조전극 패턴(111d)는 하부의 층간 절연막(109)상의 콘택홀을 통해 하부의 게이트 보조전극(107b)과 접촉되도록 한다.

한편, 박막트랜지스터는 폴리실리콘의 반도체층(103)을 가지며, 탑 게이트 타입(Top gate type)으로 구성된 것을 일례로 나타내고 있지만, 비정질 실리콘의 반도체층을 갖는 바텀 게이트 타입 (Bottom gate type)으로 구성할 수도 있다.

다음으로, 박막트랜지스터의 드레인 전극(111b)을 노출시키는 드레인 콘택홀(미도시)을 갖는 평탄화막(113)을 형성한다. 이때, 평탄화막(113)으로는 절연물질, 예를 들어 산화실리콘(SiO₂)과 질화 실리콘(SiNx)을 포함하는 무기절연물질 중에서 어느 하나 또는 포토 아크릴(Photo-Acyl)을 포함하는 유기절연물질 중에서 어느 하나를 선택하여 사용한다.

이어서, 도 7c에 도시된 바와 같이, 평탄화막(113)을 노광 및 현상 공정을 거친 후 선택적으로 패터닝하여, 기판(101)의 표시영역에 대응하는 평탄화막(113)에 후속 공정에서 형성되는 애노드 전극(117)이 드레인 전극(111b)과 전기적으로 접촉시키기 위한 드레인 콘택홀을 형성한다.

다음으로, 평탄화막(113)을 포함한 기판(101) 전면에 금속 물질층(미도시)을 증착한 후 이 금속 물질층을 선택적으로 패터닝하여, 평탄화막(113)의 상부로 드레인 콘택홀을 통해 박막트랜지스터의 드레인 전극(111b)과 접촉되며, 화소별로 분리된 형태를 가지는 애노드 전극(117)을 형성한다.

이와 동시에, 상기 금속 물질층을 이용하여 표시영역(A/A) 및 비표시영역(N/A)에 걸쳐 제1 내지 제3 보조전극 패턴(119a, 119b, 119c)를 형성한다. 여기서, 제1 보조전극 패턴(119a)은 평탄화막(113)의 상부로 후속 공정에서 형성되는 캐소드 전극(127)의 저항값을 낮추기 위한 것으로, 제1 보조 전극패턴 (119a)은 캐소드 전극(127)과 접촉되도록 한다. 이때, 상기 금속물질층(미도시)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질로서 형성할 수 있다.

또한, 제2 보조전극 패턴(119b)는 제2 소스-드레인 보조전극 패턴(111d)을 완전히 덮어 제2 소스-드레인 보조전극 패턴(111d)이 상부로 노출되지 않도록 형성하고, 제3 보조전극 패턴(119c)는 평면상에서 슬릿 형태로 형성하여 외부로부터 유입되는 수분이 표시영역(N/A)으로 침투하지 못하도록 격벽을 이루게 된다.

이어서, 도 7d에 도시된 바와 같이, 애노드 전극(117) 상부로는 화소의 경계 및 비표시영역(NA)상에 절연물질, 특히 폴리 이미드 (Poly -Imide)로 이루어진 뱅크(123)를 형성한다. 이때, 뱅크(123)는 화소를 둘러싸는 형태로 애노드 전극(117)의 테두리와 중첩되도록 형성하되, 표시영역(A/A) 전체적으로는 다수의 개구부를 갖는 격자 형태를 이루도록 한다. 또한, 뱅크(123)는 패널 외곽부인 비표시영역 (N/A)에도 형성한다.

다음으로, 도 7e에 도시된 바와 같이 뱅크(123)로 둘러싸인 화소내의 애노드 전극(117)의 상부로는 각각 적, 녹 및 청색을 발광하는 유기발광 패턴(미도시)으로 구성된 유기 발광층(125)을 형성한다. 유기 발광층(125)은 유기 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 또는 도시되어 있지는 않지만 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광 물질층(emitting material layer), 전자 수송층 (electron transporting layer) 및 전자 주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성할 수 도 있다.

이어서, 유기 발광층(125)과 뱅크 (123)를 포함한 기판 전면에, 예를 들어 ITO, IZO를 포함한 투명 도전 물질 중에서 어느 하나로 이루어진 투명 도전물질층(미도시)을 증착한 후, 이를 선택적으로 패터닝하여 유기 발광층(125)과 뱅크 (123)를 포함한 기판의 표시영역(A/A)에 캐소드 전극(127)을 형성한다. 이에 따라, 애노드 전극(117)과 캐소드 전극(127) 및 그 두 전극 (117, 127) 사이에 개재된 유기 발광층(125)은 유기전계 발광다이오드를 이루게 된다. 여기서 캐소드 전극(127)은 제1 보조 전극패턴(119a)과 전기적으로 연결된다.

다음으로, 도 7f에 도시된 바와 같이, 캐소드 전극(127)을 포함한 기판 전면에는 절연물질, 특히 무기절연물질인 산화실리콘(SiO₂) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제1 패시베이션막(129)을 형성한다.

이어서, 도 7g에 도시된 바와 같이, 제1 패시베이션막(129)상에 폴리머(polymer)와 같은 고분자 유기 물질로 이루어진 유기막(131)을 형성한다. 이때, 유기막(131)을 구성하는 고분자 박막으로는 올레핀계 고분자 (polyethylene, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 에폭시 수지 (epoxy resin), 플루오르 수지(fluoro resin), 폴리실록산(polysiloxane) 등이 사용될 수 있다.

다음으로, 유기막(131) 및 제1 패시베이션막(129)을 포함한 기판(101) 전면에 유기막(131)을 통해 수분이 침투되는 것을 차단하기 위해 절연물질, 예를 들어 무기절연물질인 산화실리콘(SiO₂) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제2 패시베이션막(133)을 추가로 형성한다.

이어서, 제2 패시베이션막(133)을 포함한 기판 전면에 상기 유기발광 다이오드의 인캡슐레이션을 위해 보호 필름(137)을 대향하여 위치시키며, 기판(101)과 보호 필름(137) 사이에 투명하며 접착 특성을 갖는 프릿 (frit), 유기절연물질, 고분자 물질 중 어느 하나로 이루어진 점착제(135)를 개재한다. 여기서 점착제(135)는 공기층 없이 기판(101) 및 보호 필름(137)이 완전 밀착되도록 구성한다. 이러한 점착제(135)로는 PSA(Press Sensitive Adhesive)가 이용될 수 있다.

이렇게 점착제(135)에 의해 기판(101)과 보호필름(137)이 고정되어 패널 상태를 이루도록 함으로써 본 발명에 따른 유기발광 표시장치(100)의 제조공정을 완료한다.

따라서, 전술한 공정에 따른 본 발명의 유기발광 표시장치는, 비표시영역(N/A)상에 제2 소스-드레인 보조전극 패턴(111d)상의 제2 보조전극 패턴(119b)를 생략하지 않고도 제2 보조전극 패턴(119b)와 애노드 전극(117)이 연결되지 않아, 외부로부터 유입되는 수분을 효율적으로 차단할 수 있으면서도, 뱅크(123)층의 높이차를 발생시키지 않아, 표시장치의 신뢰성을 개선할 수 있다.

전술한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서, 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.

101: 기판 103: 반도체층
105: 게이트 절연막 107: 게이트 전극
109b : 게이트 보조전극 패턴 109: 층간 절연막
111a: 소스 전극 111b: 드레인 전극
111c, 111d : 제1 및 제2 소스-드레인 보조전극 패턴
113: 평탄화 막 117: 애노드 전극
119a ~ 119c: 제1 내지 제3 보조 전극패턴
123: 뱅크 125: 유기 발광층
127: 캐소드 전극 129: 제1 패시베이션막
131: 유기막 133: 제2 패시베이션막
135: 점착제 137: 보호필름

Claims

다수의 화소를 포함하는 표시영역 및 상기 표시영역을 외측으로 둘러싸는 비표시영역이 정의된 기판;
상기 기판 상의 상기 화소에 형성된 하나 이상의 박막트랜지스터;
상기 박막트랜지스터를 포함한 상기 표시영역상에 형성되는 평탄화막;
상기 비표시영역 상에 서로 이격하여 형성되는 제 1 및 제 2 소스-드레인 보조전극 패턴;
상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결된 애노드 전극;
상기 애노드 전극과 동일물질로 상기 표시영역과 상기 비표시 영역의 경계부에 형성되는 제1 보조전극 패턴;
상기 애노드 전극과 동일물질로 상기 비표시영역 상에 상기 제 1 보조전극 패턴과 이격하여, 상기 제 2 소스-드레인 보조전극 패턴을 덮는 제 2 보조전극 패턴;
상기 박막트랜지스터의 게이트 전극과 동일물질로 이루어지며, 상기 제 1, 제 2 소스-드레인 보조전극 패턴의 하부에 위치하며 상기 제 1 및 제 2 소스-전기적으로 연결하는 게이트 보조전극;
상기 애노드 전극 주위 및 상기 제 1 보조전극 패턴 상부에 형성된 뱅크;
상기 애노드 전극 위로 각 화소별로 분리 형성된 유기 발광층;
상기 표시영역을 덮고 상기 유기 발광층 상에 형성되며, 상기 제 1 보조전극 패턴과 접속된 캐소드 전극;
상기 캐소드 전극을 포함한 기판 전면에 형성된 제 1 패시베이션막;
상기 제 1 패시베이션막 상에 형성된 유기막;
상기 유기막 및 제 1 패시베이션막 상에 형성된 제 2 패시베이션막;
상기 기판과 마주하며 위치한 보호필름; 및
상기 기판과 보호필름 사이에 개재되는 점착제를 포함하는 유기발광 표시장치.
삭제
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 보조전극 패턴은,
상기 제 2 소스-드레인 보조전극 패턴의 상부로 요철(凹凸)형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
제 3 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 소스-드레인 보조전극 패턴 사이에, 상기 제 2 보조전극 패턴과 동일물질로 형성되는 제3 보조전극 패턴이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
제 4 항에 있어서,
상기 제 3 보조전극 패턴은,
일방향으로 다수개가 격벽을 이루는 슬릿형태인 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
제 4 항에 있어서,
상기 제3 보조전극 패턴과 엇갈리도록 상기 제1 내지 제2 소스-드레인 보조전극 패턴사이에 배치되는 제3 소스-드레인 보조전극 패턴이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
제 6 항에 있어서,
상기 제3 소스-드레인 보조전극 패턴은,
평면에서 보았을 때 격자형태를 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
다수의 화소를 포함하는 표시영역 및 상기 표시영역을 외측으로 둘러싸는 비표시영역이 정의된 기판을 준비하는 단계;
상기 기판 상의 상기 화소에 하나 이상의 박막 트랜지스터에 상당하여 반도체층을 형성하는 단계;
게이트 전극 물질로, 상기 기판상의 상기 화소에 하나 이상의 박막 트랜지스터의 게이트 전극과, 비표시 영역에 게이트 보조전극을 형성하는 단계;
상기 박막트랜지스터의 소스 및 드레인전극과, 상기 게이트 보조 전극에 의해 전기적으로 연결되는 제 1 및 제 2 소스-드레인 보조전극 패턴을 형성하는 단계;
상기 드레인 전극과 연결되는 애노드 전극을 형성하는 단계;
상기 애노드 전극과 동일물질로 상기 표시영역과 상기 비표시 영역의 경계부에 제 1 보조전극 패턴을 형성하고, 상기 비표시영역상에 상기 제 2 소스-드레인 보조 전극 패턴을 덮는 제 2 보조전극 패턴을 형성하는 단계;
상기 박막트랜지스터를 포함한 상기 표시영역상에 평탄화막을 형성하는 단계;
상기 애노드 전극 주위 및 상기 제 1 보조전극 패턴 상부에 뱅크를 형성하는 단계;
상기 애노드 전극 위로 각 화소 별로 유기 발광층을 분리 형성하는 단계;
상기 표시 영역을 덮고 상기 유기 발광층 상에, 상기 제 1 보조전극 패턴과 접속된 캐소드 전극을 형성하는 단계;
상기 캐소드 전극을 포함한 기판 전면에 제 1 패시베이션막을 형성하는 단계;
상기 제 1 패시베이션막 상에 유기막을 형성하는 단계;
상기 유기막 및 제 1 패시베이션막 상에 제 2 패시베이션막을 형성하는 단계; 및
상기 기판과 마주하도록 점착제를 이용하여 보호필름을 부착하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
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제 8 항에 있어서,
상기 제 2 보조전극 패턴을 형성하는 단계는,
상기 제 2 소스-드레인 보조전극 패턴의 상부로 접촉되도록 요철(凹凸)형태로 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
제 10 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 보조전극 패턴을 형성하는 단계는,
상기 제 1 및 제 2 소스-드레인 보조전극 패턴 사이에, 상기 제 2 보조전극 패턴과 동일물질로 형성되는 제 3 보조전극 패턴을 더 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
제 11 항에 있어서,
상기 제 3 보조전극 패턴은,
일방향으로 다수개가 격벽을 이루는 슬릿형태인 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
제 12 항에 있어서,
상기 제 1 내지 제 2 소스-드레인 보조전극 패턴을 형성하는 단계는,
상기 제 3 보조전극 패턴과 엇갈리도록 상기 제 1 내지 제 2 소스-드레인 보조전극 패턴사이에 배치되는 제 3 소스-드레인 보조전극 패턴을 더 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
제 13 항에 있어서,
상기 제 3 소스-드레인 보조전극 패턴은,
평면에서 보았을 때 격자형태를 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
제 1항에 있어서,
상기 뱅크는 상기 비표시 영역의 상기 제 2 보조전극 패턴 및 상기 제 1 보조전극 패턴의 일부를 노출하는 형상인 유기발광 표시 장치.