KR102424952B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따르면, 표시 영역과, 상기 표시 영역의 적어도 일측에 제공되는 비표시 영역을 포함하는 제1 기판; 상기 제1 기판 상의 표시 영역에 제공되는 복수의 화소들; 및 상기 제1 기판 상의 비표시 영역에 제공되는 금속 패턴; 및 상기 제1 기판에 마주하고, 상기 제1 기판과 합착되어 상기 표시 영역을 봉지하는 제2 기판을 포함하고, 상기 금속 패턴은 유기 물질에 비하여 산소와의 반응성이 높은 물질을 포함하는 표시 장치가 제공된다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
표시장치는 경량화 및 박형화가 가능하여 각광을 받고 있다. 표시장치 중 유기전계발광 표시장치(Organic Light Emitting Display Device)는 빛을 방출하는 유기발광다이오드(organic light emitting diode)를 이용하여 화상을 표시하는 자발광형 표시장치로서, 별도의 광원을 필요로 하지 않는다. 또한 유기전계발광 표시장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도를 가지므로 차세대 표시장치로 주목받고 있다.
상술한 유기전계발광 표시장치는 유기발광다이오드, 유기발광다이오드를 구동하기 위한 복수의 트랜지스터 및 적어도 하나의 캐패시터를 포함하는 다수의 화소를 포함한다.
본 발명은 신뢰도가 향상된 표시 장치 제공을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 표시 영역과, 상기 표시 영역의 적어도 일측에 제공되는 비표시 영역을 포함하는 제1 기판; 상기 제1 기판 상의 표시 영역에 제공되는 복수의 화소들; 및 상기 제1 기판 상의 비표시 영역에 제공되는 금속 패턴; 및 상기 제1 기판에 마주하고, 상기 제1 기판과 합착되어 상기 표시 영역을 봉지하는 제2 기판을 포함하고, 상기 금속 패턴은 유기 물질에 비하여 산소와의 반응성이 높은 물질을 포함하는 표시 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 신뢰도가 향상된 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선에 따른 단면도이다.
도 3은 도 2의 A1 영역을 확대 도시한 단면도이다.
도 4a 및 도 4c는 도 2의 A1 영역에 대한 다른 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 2의 A2 영역을 확대 도시한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 어느 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 상(on)에 형성되었다고 할 경우, 상기 형성된 방향은 상부 방향만 한정되지 않으며 측면이나 하부 방향으로 형성된 것을 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 표시 장치는 표시 영역(DA)과, 표시 영역(DA)의 적어도 일측에 제공되는 비표시 영역(NDA)을 포함한다.
표시 장치는 대략적으로 사각형 형상, 그 중에서도 직사각을 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 표시 장치는 제1 방향(DR1)으로 서로 평행한 한 쌍의 단변들과 제2 방향(DR2)으로 서로 평행한 한 쌍의 장변들을 포함할 수 있다.
그러나, 표시 장치의 형상은 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어 표시 장치는 직선의 변을 포함하는 닫힌 형태의 다각형, 곡선으로 이루어진 변을 포함하는 원, 타원, 등, 직선과 곡선으로 이루어진 변을 포함하는 반원, 반타원, 등 다양한 형상으로 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 표시 장치가 직선으로 이루어진 변을 갖는 경우, 각 형상의 모서리 중 적어도 일부는 곡선으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 표시 장치가 직사각 형상을 가질 때, 서로 인접한 직선 변들이 만나는 부분이 소정 곡률을 가지는 곡선으로 대체될 수 있다. 즉, 직사각 형상의 꼭지점 부분은 서로 인접한 그 양단이 서로 인접한 두 직선 변들에 연결되고 소정의 곡률을 갖는 곡선 변으로 이루어질 수 있다. 곡률은 위치에 따라 달리 설정될 수 있다. 예를 들어, 곡률은 곡선이 시작되는 위치 및 곡선의 길이 등에 따라 변경될 수 있다.
표시 영역(DA)은 복수의 화소부들(PXL)이 제공되어 영상이 표시되는 영역이다. 표시 영역(DA)은 표시 장치의 형상에 대응하는 형상으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 표시 영역(DA)은 표시 장치의 형상과 마찬가지로 직선의 변을 포함하는 닫힌 형태의 다각형, 곡선으로 이루어진 변을 포함하는 원, 타원, 등, 직선과 곡선으로 이루어진 변을 포함하는 반원, 반타원, 등 다양한 형상으로 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 표시 영역(DA)이 직선으로 이루어진 변을 갖는 경우, 각 형상의 모서리 중 적어도 일부는 곡선으로 이루어질 수 있다.
화소부들(PXL)은 표시 영역(DA)에 제공된다. 각 화소(PXL)는 영상을 표시하는 최소 단위로서 복수 개로 제공될 수 있다. 화소부들(PXL)은 백색광 및/또는 컬러광을 출사할 수 있다. 각 화소(PXL)는 적색, 녹색, 청색, 및 백색 중 어느 하나의 색을 출사할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 시안, 마젠타, 옐로우 등의 색을 출사할 수 있다.
화소부들(PXL)은 유기 발광층을 포함하는 발광 소자일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 발명의 개념이 유지되는 한도 내에서 액정 소자, 전기 영동 소자, 전기 습윤 소자 등 다양한 형태로 구현될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 비표시 영역(NDA)은 그 일부로부터 돌출된 부가 영역을 더 포함할 수 있다. 부가 영역은 비표시 영역(NDA)을 이루는 변들로부터 돌출될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 부가 영역에는 제1 기판(SUB)의 단변들 중 하나에 대응하는 변으로부터 돌출된 것을 개시하였다. 그러나, 부가 영역은 장변들 중 하나의 변으로부터 돌출될 수 있으며, 또는 네 변들 중 두 변 이상으로부터 돌출된 형태로 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 부가 영역에는 데이터 구동부가 제공되거나 연결될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 구성 요소가 배치될 수 있다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선에 따른 단면도이다.
도 2에 따르면, 표시 장치는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)으로 구분되는 제1 기판(SUB), 제1 기판(SUB) 상에 제공되는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결되는 발광 소자, 제1 기판(SUB) 상의 비표시 영역(NDA)에 제공되는 금속 패턴(LP) 및 제1 기판(SUB)에 마주하는 제2 기판(ECG)을 포함할 수 있다.
제1 기판(SUB)은 투명 절연 물질을 포함하여 광의 투과가 가능하다. 제1 기판(SUB)은 경성(rigid) 기판일 수 있다. 예를 들면, 제1 기판(SUB)은 유리 기판, 석영 기판, 유리 세라믹 기판 및 결정질 유리 기판 중 하나일 수 있다.
또한, 제1 기판(SUB)은 가요성(flexible) 기판일 수도 있다. 여기서, 제1 기판(SUB)은 고분자 유기물을 포함하는 필름 기판 및 플라스틱 기판 중 하나일 수 있다. 예를 들면, 제1 기판(SUB)은 폴리스티렌(polystyrene), 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 트리아세테이트 셀룰로오스(triacetate cellulose), 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 다만, 제1 기판(SUB)을 구성하는 재료는 다양하게 변화될 수 있으며, 섬유 강화플라스틱(FRP, Fiber reinforced plastic) 등을 포함할 수도 있다.
제1 기판(SUB) 상에는 버퍼층(미도시)이 제공될 수 있다. 버퍼층은 스위칭 및 구동 트랜지스터들에 불순물이 확산되는 것을 막는다. 버퍼층은 무기 재료로 이루어진 무기 절연막일 수 있다. 예를 들어, 버퍼층은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물 등으로 형성될 수 있으며, 제1 기판(SUB)의 재료 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
박막 트랜지스터는 표시 영역(DA)의 화소부에 제공될 수 있다. 박막 트랜지스터는 반도체층(ACT), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다.
반도체층(ACT)은 제1 기판(SUB) 상에 제공된다. 반도체층(ACT)은 비정질 실리콘, 결정성 실리콘, 유기 반도체 또는 산화물 반도체를 포함한다.
게이트 전극(GE)은 반도체층(ACT) 상에 제공될 수 있다. 게이트 전극(GE)은 반도체층(ACT) 상으로 전계를 인가할 수 있다. 반도체층(ACT)에 인가된 전계에 따라 반도체층(ACT)의 채널 영역에서 전류가 흐르거나 흐르지 않을 수 있다.
게이트 전극(GE)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(GE)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
게이트 전극(GE)과 반도체층(ACT) 사이에는 게이트 절연층(GI)이 제공될 수 있다. 게이트 절연층(GI)은 게이트 전극(GE)과 반도체층(ACT)을 절연시킨다.
게이트 절연층(GI)은 폴리실록산, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘산질화물 및 이의 등가물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
게이트 전극(GE) 상에는 층간 절연층(IL)이 제공될 수 있다.
층간 절연층(IL)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 또한, 층간 절연층(IL)은 무기 절연 물질 및 유기 절연 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(IL)이 무기 절연 물질의 단층 구조인 경우, 층간 절연층(IL)은 폴리실록산, 실리콘 산화물막, 실리콘 질화물막, 및 실리콘 질산화물막 중 하나를 포함할 수 있다. 층간 절연층(IL)이 다층 구조인 경우, 층간 절연층(IL)은 실리콘 산화물막 및 실리콘 질화물막이 교번 적층된 구조를 가질 수 있다. 층간 절연층(IL)이 유기 절연 물질 단층 구조 인 경우, 절연층(IL)은 아크릴(Acryl), 폴리이미드(Polyimide), 폴리아미드(Polyamide), 및 벤조시클로부텐(Benzocyclobutene) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 층간 절연층(IL)이 유기 절연 물질 다층 구조인 경우 상술한 물질들이 여러 층으로 적층된 구조일 수 있다. 아울러, 층간 절연층(IL)은 무기 절연막 및 유기 절연막이 교번 적층된 구조를 가질 수도 있다.
층간 절연층(IL) 상에는 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 제공될 수 있다.
소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE) 각각은 게이트 절연층(GI) 및 층간 절연층(IL)을 관통하는 컨택 홀을 통해 반도체층(ACT)의 소스 영역 및 드레인 영역과 접촉할 수 있다. 소스 영역 및 드레인 영역은 반도체층(ACT)에 도핑을 수행한 영역일 수 있다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 상에는 보호층(VIA)이 제공된다. 보호층(VIA)은 무기 재료로 이루어진 무기 절연막 및 유기 재료로 이루어진 유기 절연막 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 보호층(VIA)은 무기 절연막 및 무기 절연막 상의 유기 절연막을 포함할 수 있다. 무기 절연막은 폴리실록산, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘산질화물 및 이의 등가물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 유기 절연막은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시계 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌 에테르계 수지(poly-phenylene ethers resin), 폴리페닐렌 설파이드계 수지(poly-phenylene sulfides resin), 및 벤조사이클로부텐 수지(Benzocyclobutenes resin) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
보호층(VIA) 상에는 제1 전극(EL1), 발광층(EML), 및 제2 전극(EL2)이 제공된다. 제1 전극(EL1), 발광층(EML), 및 제2 전극(EL2)은 인가되는 신호를 받아 빛을 출사하는 기능을 수행하는 발광 소자를 구성할 수 있다.
제1 전극(EL1) 및 제2 전극(EL2) 중 어느 하나는 애노드(anode) 전극일 수 있으며, 다른 하나는 캐소드(cathode) 전극일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)이 애노드 전극일 수 있으며 제2 전극(EL2)이 캐소드 전극일 수 있다. 발광 소자가 전면 발광형 유기 발광 소자인 경우, 제1 전극(EL1)이 반사형 전극이고, 제2 전극(EL2)이 투과형 전극일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는, 발광 소자가 전면 발광형 유기 발광 소자이며, 제1 전극(EL1)이 애노드 전극인 경우를 예로서 설명한다.
제1 전극(EL1)은 보호층(VIA)을 관통하는 컨택 홀을 통해 드레인 전극(DE)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(EL1)은 광을 반사시킬 수 있는 반사막(미도시) 및 상기 반사막의 상부 또는 하부에 배치되는 투명 도전막(미도시)을 포함할 수 있다. 투명 도전막 및 반사막 중 적어도 하나는 드레인 전극(DE)에 전기적으로 연결될 수 있다.
보호층(VIA) 상에는 제1 전극(EL1)의 일부, 예를 들면, 제1 전극(EL1)의 상면을 노출시키는 개구부를 구비한 화소 정의막(PDL)을 더 포함할 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(PDL)은 폴리스티렌(polystyrene), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA, polymethylmethacrylate), 폴리아크릴로니트릴(PAN, polyacrylonitrile), 폴리아미드(PA, polyamide), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리아릴에테르(PAE, polyarylether), 헤테로사이클릭 폴리머(heterocyclic polymer), 파릴렌(parylene), 에폭시(epoxy), 벤조시클로부텐(BCB, benzocyclobutene), 실록산계 수지(siloxane based resin) 및 실란계 수지(silane based resin) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 전극(EL1)의 노출된 표면 상에 발광층(EML)이 제공될 수 있다.
발광층(EML)은 저분자 물질 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 저분자 물질로는 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB), 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 포함할 수 있다. 고분자 물질로는 PEDOT, PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등을 포함할 수 있다.
발광층(EML)은 단일층으로 제공될 수 있으나, 다양한 기능층을 포함하는 다중층으로 제공될 수 있다. 발광층(EML)이 다중층으로 제공되는 경우, 홀 주입층(Hole Injection Layer), 홀 수송층(Hole Transport Layer), 발광층(Emission Layer), 전자 수송층(Electron Transport Layer), 전자 주입층(Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층된 구조를 가질 수 있다. 물론 발광층(EML)의 형태가 이에 한정되는 것은 아니다. 발광층(EML)은 상술한 구조 외에도 다양한 구조를 가질 수 있다. 그리고 발광층(EML)의 적어도 일부는 복수 개의 제1 전극(EL1)들에 걸쳐서 일체로 형성될 수 있으며, 복수 개의 제1 전극(EL1)들 각각에 대응하도록 개별적으로 제공될 수도 있다. 발광층(EML)에서 생성되는 광의 색상은 적색(red), 녹색(green), 청색(blue) 및 백색(white) 중 하나일 수 있으나, 본 실시예에서 이를 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 발광층(EML)의 광 생성층에서 생성되는 광의 색상은 마젠타(magenta), 시안(cyan), 옐로(yellow) 중 하나일 수도 있다.
발광층(EML) 상에 제2 전극(EL2)이 제공될 수 있다. 제2 전극(EL2)은 반투과 반사막일 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(EL2)은 발광층(EML)에서 출사된 광을 투과시킬 수 있을 정도의 두께를 가지는 박형 금속층일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 발광층(EML)에서 출사된 광의 일부는 투과시키고, 발광층(EML)에서 출사된 광의 나머지는 반사시킬 수 있다.
제2 전극(EL2) 상에는 스페이서(SP)가 제공된다. 스페이서(SP)는 제2 전극(EL2)이 제공된 화소부와 제2 기판(ECG)을 이격할 수 있다.
제2 기판(ECG)은 제1 기판(SUB)에 마주하고, 상기 제1 기판(SUB)과 합착되어 상기 표시 영역(DA)을 봉지한다.
제2 기판(ECG)은 제1 기판(SUB)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 기판(SUB)이 경성 기판인 경우, 제2 기판(ECG)도 경성 기판일 수 있다. 또한, 제1 기판(SUB)이 가요성 기판인 경우, 제2 기판(ECG)도 가요성 기판일 수 있다.
비표시 영역(NDA)에서, 제1 기판(SUB) 상에는 금속 패턴(LP)이 제공된다. 금속 패턴(LP)은 유기 물질에 비하여 산소와의 반응성이 높은 물질을 포함한다. 유기 물질에 비하여 산소와의 반응성이 높은 물질은 유기 물질보다 전자 친화도가 클 수 있다. 이에 따라, 외부에서 표시 장치 내부로 유입되는 산소 또는 표시 장치 구동에 따라 내부에서 발생하는 산소는 유기 물질과 반응하지 않고 금속 패턴(LP)과 반응할 수 있다. 이때 유기 물질은 발광층(EML) 등일 수 있다.
발광층(EML) 등에 포함된 유기 물질이 산소와 반응할 경우, 분자 구조의 변형으로 인하여 표시 장치의 기능이 열화될 수 있다. 그러나, 산소와의 반응성이 상대적으로 높은 금속 패턴(LP)이 존재함으로써, 산소와 유기 물질간 반응이 억제될 수 있다. 이에 따라, 표시 장치의 수명이 향상될 수 있다.
이때 산소와의 반응성이 높다는 것은 전자 친화도의 차이로 설명할 수 있다. 구체적으로, 유기 물질의 전자 친화도보다 금속 패턴의 전자 친화도가 더 클 수 있다.
금속 패턴(LP)은 알루미늄을 포함할 수 있다. 이때 알루미늄은 알루미늄 산화물(AlOx)이 아니고, 순수한 알루미늄(Al)일 수 있다.
알루미늄(Al)은 전자 친화도가 높기 때문에 산소와 쉽게 반응할 수 있다. 아울러, 알루미늄(Al)은 1몰당 부피가 상대적으로 작기 때문에 동일 부피에서 많은 양이 제공될 수 있으며, 이에 따라 동일 부피에서 많은 양의 산소와 반응할 수 있다.
금속 패턴(LP)은 금속 패턴(LP)의 단면을 노출하는 개구(HL)를 포함할 수 있다.
금속 패턴(LP)은 화소부들에 연결되는 신호 라인일 수 있다. 금속 패턴(LP)은 화소부에 전원을 인가하기 위한 전원 배선일 수 있다.
비표시 영역(NDA) 일측에는 밀봉 부재(SL)가 더 제공될 수 있다. 밀봉 부재(SL)는 제1 기판(SUB) 및 제2 기판(ECG)을 합착하며, 제1 기판(SUB) 및 제2 기판(ECG) 사이의 공간을 외부 환경과 격리시킬 수 있다. 밀봉 부재(SL)는 도 2에 도시된 것과 같이 금속 패턴(LP)의 일부와 중첩하여 제공될 수 있다. 또한, 금속 패턴(LP)의 일부는 제1 기판(SUB), 제2 기판(ECG) 및 밀봉 부재(SL)에 의해 밀봉되는 공간 내부에 제공될 수 있다. 한편, 본 실시예에서는 밀봉 부재(SL)의 일부가 금속 패턴(LP)과 중첩함을 예로서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 밀봉 부재(SL)는 금속 패턴(LP)과 평면 상에서 중첩하지 않는 형태로 제공될 수도 있다.
밀봉 부재(SL)는 표시 장치 내부로 산소를 포함한 기체, 또는 물과 같은 액체가 유입되지 않도록 표시 장치를 밀봉한다. 밀봉 부재(SL)에는 유기 물질에 비하여 산소와의 반응성이 높은 물질이 포함될 수 있다. 상기 유기 물질에 비하여 산소와의 반응성이 높은 물질은 알루미늄(Al)일 수 있다.
알루미늄(Al)은 입자 형태로 밀봉 부재(SL)에 포함될 수 있다. 구체적으로, 알루미늄 산화물을 포함하는 페이스트(paste)를 비표시 영역에 제공한 후, 알루미늄 산화물을 국부적으로 가열, 환원함으로써 알루미늄 입자를 포함하는 밀봉 부재(SL)를 만들 수 있다. 본 발명에 따르면, 밀봉 부재(SL) 영역만 국부적으로 가열함으로써, 알루미늄(Al) 환원을 위한 가열 과정에서 유기 물질을 포함하는 발광층(EML) 등이 열화되는 문제가 없다.
금속 패턴(LP)은 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 아울러, 금속 패턴(LP), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)은 동일 공정 상에서 형성될 수 있다.
도 3은 도 2의 A1 영역을 확대 도시한 단면도이다.
도 3을 참고하면, 금속 패턴(LP)은 복층으로 제공된다. 예를 들면, 금속 패턴(LP)은 순차적으로 제공되는 제1 도전막(LP1) 내지 제3 도전막(LP3)을 포함할 수있다.
제2 도전막(LP2)은 유기 물질에 비하여 산소와의 반응성이 높은 물질을 포함할 수 있다. 이때 유기 물질에 비하여 산소와의 반응성이 높은 물질은 알루미늄(Al)일 수 있다. 제2 도전막(LP2) 상부와 하부에 형성된 제1 도전막(LP1) 및 제3 도전막(LP3)은 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다.
개구(HL)는 금속 패턴(LP)에 제공되어, 금속 패턴(LP)을 이격된 두 부분으로 나눌 수 있다. 이때 개구(HL)에 의해 나뉜 금속 패턴(LP)의 양 측은 전기적으로 절연될 수 있다. 이에 따라, 금속 패턴(LP)의 양측 중 일측만이 화소부와 전기적으로 연결되고, 타측은 전기적으로 절연될 수 있다.
금속 패턴(LP)에 포함된 개구(HL)에 의하여, 금속 패턴(LP)의 단면이 노출될 수 있다. 특히, 유기 물질에 비하여 산소와의 반응성이 높은 물질을 포함하는 제2 도전막(LP2)의 단면이 노출될 수 있다. 노출된 단면에서 제2 도전막(LP2)과 산소가 반응할 수 있으며, 이에 따라 산소가 발광층(EML)과 같은 유기 물질과 반응하지 않도록 할 수 있다.
개구(HL)를 형성하기 위하여, 금속 패턴(LP)의 일부에 레이저를 조사하여, 금속 패턴(LP)을 제거할 수 있다.
도 4a 내지 도 4c는 도 2의 A1 영역에 대한 다른 실시예들을 나타낸 단면도이다.
도 4a와 도 4b는 개구(HL)의 깊이를 달리한 것이다. 도 4a의 경우, 개구(HL)는 제3 도전막(LP3)의 측면만을 노출하는 깊이를 갖는다. 도 4b의 경우, 개구(HL)는 제2 도전막(LP2)을 완전히 나누지 않는 형태로 제공될 수 있다. 두 경우 모두 제2 도전막(LP2)이 노출됨에 따라, 제2 도전막(LP2)과 산소가 반응할 수 있다.
도 4c를 참고하면, 금속 패턴(LP)은 개구(HL)에 의해 서로 이격된 두 부분으로 나누어진다. 다만, 도 3에 도시된 실시예와 달리, 개구(HL)에 의해 이격된 두 부분의 금속 패턴(LP)은 전기적으로 연결된다. 구체적으로, 제1 기판(SUB)과 금속 패턴(LP) 사이에 제공되는 브릿지(BR)에 의하여 두 부분의 금속 패턴(LP)이 연결된다.
서로 이격된 두 부분의 금속 패턴(LP)을 브릿지(BR)로 연결함으로써, 금속 패턴(LP)이 전원 배선으로 사용될 때 전원 배선의 면적을 충분하게 확보할 수 있다.
브릿지(BR)는 제1 기판(SUB)과 게이트 절연막(GI) 사이에 제공될 수 있다. 브릿지(BR)는 반도체층(ACT)과 동일한 물질로 형성되며, 동일 공정 상에서 형성될 수 있다.
도 5는 도 2의 A2 영역을 확대 도시한 단면도이다.
도 5를 참고하면, 밀봉 부재(SL) 내부에 유기 물질에 비하여 산소와의 반응성이 높은 물질을 포함하는 입자(PC)들이 임베디드(embedded)되어 있는 것을 확인할 수 있다. 이들 입자(PC)들은 외부에서 유입되는 산소와 반응할 수 있다. 즉, 외부에서 유입되는 산소는 밀봉 부재(SL)를 투과하기 보다는 입자들(PC)과 반응할 수 있다. 따라서, 밀봉 부재(SL)에 의해 밀폐된 제1 기판(SUB) 및 제2 기판(ECG) 사이로 유입되는 산소의 양을 감소시킬 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
SUB: 제1 기판 PXL: 화소
DA: 표시 영역 NDA: 비표시 영역
ECG: 제2 기판 LP: 금속 패턴
HL: 개구

Claims (13)

  1. 표시 영역과, 상기 표시 영역의 적어도 일측에 제공되는 비표시 영역을 포함하는 제1 기판;
    상기 제1 기판 상의 표시 영역에 제공되는 복수의 화소들;
    상기 제1 기판 상의 비표시 영역에 제공되는 금속 패턴;
    상기 제1 기판에 마주하고, 상기 제1 기판과 합착되어 상기 표시 영역을 봉지하는 제2 기판; 및
    상기 비표시 영역 일측에 제공되며, 입자 형태로 이루어진 알루미늄을 포함하는 밀봉 부재를 포함하고,
    상기 금속 패턴은 순차적으로 적층된 제1 도전막, 제2 도전막, 및 제3 도전막을 포함하고,
    상기 제2 도전막은 상기 제1 및 제3 도전막들과 상이한 금속 물질을 포함하며,
    상기 제2 도전막은 유기 물질에 비하여 산소와의 반응성이 높은 물질을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 화소들의 각 화소는
    게이트 전극;
    상기 게이트 전극 상에 제공되는 반도체층; 및
    상기 반도체층 상에 제공되는 소스 전극 및 드레인 전극을 구비한 적어도 하나 이상의 트랜지스터를 포함하고,
    상기 금속 패턴은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일한 물질을 포함하는 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 도전막은 상기 제1 도전막 상에 제공되고, 상기 제3 도전막은 상기 제2 도전막 상에 제공되고 상기 제2 도전막을 노출시키는 개구를 포함하는 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 도전막은 알루미늄을 포함하는 표시 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 개구는 상기 제2 도전막의 적어도 일부 두께를 침투한 홀 형상을 가지는 표시 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 개구는 복수 개 제공되는 표시 장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 금속 패턴은 상기 화소들에 전기적으로 연결되는 신호 라인인 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 금속 패턴을 상기 화소들에 연결하는 브릿지를 더 포함하고,
    상기 브릿지는 상기 기판과 상기 기판 상에 위치한 게이트 절연막 사이에 제공되는 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 브릿지는 상기 반도체층과 동일한 물질을 포함하는 표시 장치.
  10. 삭제
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 밀봉 부재는 적어도 일부의 금속 패턴과 중첩하는 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 밀봉 부재 내 유기 물질에 비하여 산소와의 반응성이 높은 물질은 알루미늄을 포함하는 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    유기물에 비하여 산소와의 반응성이 높은 물질은 상기 유기 물질보다 전자 친화도가 큰 표시 장치.

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