CN114464648A - 显示装置 - Google Patents

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CN114464648A CN202111053455.6A CN202111053455A CN114464648A CN 114464648 A CN114464648 A CN 114464648A CN 202111053455 A CN202111053455 A CN 202111053455A CN 114464648 A CN114464648 A CN 114464648A
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田宇植
金相烈
成泰铉
洪昇秀
吴彦锡
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Abstract

提供了一种显示装置，并且显示装置包括：基底，包括显示区域、位于显示区域中的开口区域以及位于开口区域与显示区域之间的外围区域；晶体管，位于基底的显示区域中；第一电极，连接到晶体管；第二电极，位于第一电极上；无机图案部分，位于基底的外围区域中；以及中间层，位于第一电极与第二电极之间，并且包括位于无机图案部分上的至少一个有机层。无机图案部分包括彼此间隔开的多个无机图案。

Description

显示装置
本申请要求于2020年11月9日提交的第10-2020-0148598号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有目的通过引用包含于此，如同在此完全阐述一样。
技术领域
发明的实施例总体上涉及一种显示装置和其制造方法。
背景技术
显示装置是用于在屏幕上显示图像的装置，并且包括液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)。显示装置用于各种电子装置(诸如便携式电话、GPS、数码相机、电子书、便携式游戏装置或各种终端)中。最近，电子装置的使用已经被集成，例如，相机可以安装在蜂窝电话中。
在这种情况下，可以在蜂窝电话的显示装置的预定区域中形成开口，以将相机安装在蜂窝电话中。此时，通过形成开口而暴露的层可能被外部污染。此外，当层被进一步污染时，位于开口周围的元件可能无法正常操作。
本背景技术部分中公开的上面的信息仅用于增强对所描述的技术的背景技术的理解，因此它可以包含不形成本领域普通技术人员在该国已知的现有技术的信息。
在该背景技术部分中公开的上面的信息仅用于对发明构思的背景技术的理解，因此，它可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本发明的实施例提供了一种用于提高围绕开口的外围区域中的器件的可靠性的显示装置和其制造方法。
发明构思的附加特征将在以下的描述中阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过发明构思的实践来获知。
实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括：基底，包括显示区域、位于显示区域中的开口区域以及位于开口区域与显示区域之间的外围区域；晶体管，位于基底的显示区域中；第一电极，连接到晶体管；第二电极，位于第一电极上；无机图案部分，位于基底的外围区域中；以及中间层，位于第一电极与第二电极之间，并且包括位于无机图案部分上的至少一个有机层。无机图案部分包括彼此间隔开的多个无机图案。
中间层可以位于无机图案部分的上表面上，并且不位于无机图案部分的侧表面上。
中间层可以不位于相邻的无机图案之间。
位于显示区域中的中间层可以与位于无机图案部分上的中间层分离。
第二电极可以不与无机图案部分叠置。
显示装置还可以包括位于构造晶体管的多个层之间的无机绝缘层。无机图案部分可以包括与无机绝缘层的材料相同的材料。
无机绝缘层可以包括第一无机绝缘层和第二无机绝缘层，并且多个无机图案中的每个可以包括：第一无机图案层，包括与第一无机绝缘层的材料相同的材料；以及第二无机图案层，包括与第二无机绝缘层的材料相同的材料。
无机绝缘层可以包括至少三个无机绝缘层，并且多个无机图案中的每个可以包括至少三个无机图案层，至少三个无机图案层包括分别与至少三个无机绝缘层的材料相同的材料。
无机绝缘层的端部可以位于显示区域与外围区域之间的边界部分上，并且中间层可以在无机绝缘层的端部处分离。
中间层可以位于无机绝缘层的端部的上表面上，并且不位于无机绝缘层的侧表面上。
多个无机图案中的每个的侧表面与基底的上表面之间的角度可以等于或大于75度且等于或小于120度。
多个无机图案中的每个的侧表面可以垂直于基底的上表面。
多个无机图案中的每个可以具有倒锥形形状。
开口区域可以与电子模块叠置。
中间层可以包括有机功能层，并且有机功能层可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
另一实施例提供了一种用于制造显示装置的方法，该方法包括以下步骤：在基底的显示区域中形成无机绝缘层和晶体管；在位于基底的显示区域中的开口区域中和位于开口区域与显示区域之间的外围区域中形成无机图案部分和牺牲层；形成连接到晶体管的第一电极；在基底上整体地形成中间材料层；在中间材料层上形成第二电极材料层；以及通过将激光束照射到无机图案部分，将牺牲层、位于牺牲层上的中间材料层的一部分和第二电极材料层的一部分与基底分离。
无机图案部分可以包括彼此间隔开的多个无机图案，并且牺牲层可以形成在无机图案部分的侧表面上。
无机图案部分可以包括与无机绝缘层的至少一部分的材料相同的材料，牺牲层可以包括与构造晶体管的多个层中的至少一些的材料相同的材料，并且多个无机图案中的每个的侧表面与基底的上表面之间的角度可以等于或大于75度且等于或小于120度。
通过照射激光束，可以去除位于多个无机图案中的每个的侧表面上的中间材料层，并且位于多个无机图案中的每个的上表面上的中间材料层可以保留。
可以通过照射激光束来去除位于多个无机图案中的每个上和多个无机图案之间的第二电极材料层。
将理解的是，前面的一般性描述和以下的详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对如所要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
附图示出了发明的示例性实施例，并且与描述一起用于解释发明构思，附图被包括以提供对发明的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。
图1示出了根据实施例的显示装置的分解透视图。
图2示出了根据实施例的显示装置的剖视图。
图3示出了根据实施例的显示面板的构成元件的俯视平面图。
图4示出了图1和图3的放大区域A的俯视平面图。
图5A示出了显示面板的对应于显示区域的剖视图。
图5B示出了根据实施例的显示装置的电路图。
图6A示出了其上定位有外围区域和开口区域的显示面板的剖视图。
图6B示出了外围区域的放大部分的剖视图。
图6C示出了根据实施例的显示装置的变型的放大剖视图。
图7、图8、图9、图10、图11和图12示出了根据实施例的用于制造显示装置的工艺的处理剖视图。
图13示出了根据实施例的显示装置的无机图案部分的俯视平面图。
图14示出了根据实施例的显示装置的无机图案部分的剖视图。
图15示出了图14的放大部分的剖视图。
图16示出了根据实施例的显示装置的剖视图。
图17示出了根据实施例的用于制造显示装置的工艺中的一些阶段的剖视图。
图18示出了根据实施例的显示装置的剖视图。
图19示出了根据实施例的用于制造显示装置的工艺中的一些阶段的剖视图。
图20A示出了根据实施例的显示装置的剖视图。
图20B示出了图20A的放大部分的剖视图。
图21示出了根据实施例的用于制造显示装置的工艺中的一些阶段的剖视图。
具体实施方式
在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多特定细节以提供对发明的各种示例性实施例的透彻理解。如在此所使用的，“实施例”是采用在此公开的一个或更多个发明构思的装置或方法的非限制性示例。然而，明显的是，可以在没有这些特定细节或具有一个或更多个等效布置的情况下实践各种示例性实施例。在其它情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免使各种示例性实施例不必要地模糊。此外，各种示例性实施例可以是不同的，但不必是排它性的。例如，在不脱离发明构思的情况下，可以在另一示例性实施例中使用或实现示例性实施例的特定形状、构造和特性。
除非另外说明，否则所示出的示例性实施例将被理解为提供其中可以在实践中实现发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另外说明，否则在不脱离发明构思的情况下，各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中，单独或统称为“元件”)可以另外组合、分离、互换和/或重新布置。
附图中的交叉影线和/或阴影的使用通常被提供以阐明相邻的元件之间的边界。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或指示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、所示出的元件之间的共性和/或任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或需求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述性的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实现示例性实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。另外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、连接到或结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有中间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，DR1轴、DR2轴和DR3轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如x轴、y轴和z轴)，并且可以在更广泛的含义上进行解释。例如，DR1轴、DR2轴和DR3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同的方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“选自于由X、Y和Z组成的组中的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个(种/者)或更多个(种/者)的任何组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。
诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下面”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“较高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语可以在此用于描述性目的，并且从而描述如附图中所示出的一个元件与另一(另一些)元件的关系。除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语旨在涵盖设备在使用、操作和/或制造中的不同的方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被定向为“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以涵盖上方和下方两种方位。此外，设备可以另外定向(例如，旋转90度或处于其它方位)，并且如此，在此所使用的空间相对描述语被相应地解释。
在此所使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不旨在成为限制。如在此所使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”和/或其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还注意的是，如在此所使用的，术语“基本上”、“约(大约)”和其它类似术语用作近似术语而不是程度术语，并且如此用于解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
在此参照作为理想化示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖面图和/或分解图描述了各种示例性实施例。如此，将预期由例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，在此公开的示例性实施例应该不必解释为限于区域的具体示出的形状，而是包括由例如制造引起的形状的偏差。以这种方式，附图中所示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可能不反映装置的区域的实际形状，并且如此不必旨在成为限制。
除非另外定义，否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。术语(诸如在常用词典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应该以理想化或过于形式化的含义来解释，除非在此明确地如此定义。
现在将参照图1至图3描述根据实施例的显示装置。图1示出了根据实施例的显示装置的分解透视图，图2示出了根据实施例的显示装置的剖视图，并且图3示出了根据实施例的显示面板的构成元件的俯视平面图。
参照图1和图2，显示装置1000在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面上在第三方向DR3上显示图像。各个构件的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)由第三方向DR3区分。由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向是相对概念，并且可以改变为其它方向。
显示装置1000包括覆盖窗WU、显示面板DP和壳体构件HM。在本实施例中，可以通过使覆盖窗WU、显示面板DP和壳体构件HM结合来构造显示装置1000。
覆盖窗WU设置在显示面板DP上以保护显示面板DP。覆盖窗WU可以包括透射区域TA和阻挡区域BA。透射区域TA是光学透明区域，并且透射区域TA可以是用于透射光的区域。与透射区域TA相比，阻挡区域BA可以具有相对低的透光率。阻挡区域BA限定透射区域TA的形状。阻挡区域BA可以围绕透射区域TA。阻挡区域BA可以表现预定颜色。阻挡区域BA可以与显示面板DP的非显示区域PA叠置，以防止非显示区域PA从外部可见。
覆盖窗WU可以包括第一孔区域HA1和第二孔区域HA2。第一孔区域HA1和第二孔区域HA2可以分别与稍后将描述的电子模块EM叠置。电子模块EM可以接收通过第一孔区域HA1和第二孔区域HA2提供的外部信号，然后可以被操作。
根据实施例，第一孔区域HA1可以位于透射区域TA中，并且第二孔区域HA2可以位于阻挡区域BA中。然而，这仅是示例，并且第一孔区域HA1和第二孔区域HA2可以位于彼此相对的区域中，它们可以位于透射区域TA中，或者它们可以位于阻挡区域BA中。此外，孔区域的数量不限于2个，并且可以形成三个或更多个孔区域。
在覆盖窗WU的后表面中凹陷的预定的凹陷部分可以被限定成第一孔区域HA1和第二孔区域HA2。凹陷部分可以包括具有比覆盖窗WU或开口的厚度小的深度的凹槽。
第一孔区域HA1和第二孔区域HA2可以具有不同的形状。第一孔区域HA1可以在平面图中具有圆形形状，并且第二孔区域HA2可以在平面图中具有带有在第一方向DR1上延伸的长轴的椭圆形形状。然而，第一孔区域HA1和第二孔区域HA2的形状不限于此，并且尺寸或形状可以以许多方式而是可修改的。
显示面板DP可以是平坦的刚性显示面板，并且不限于此，显示面板DP可以是柔性显示面板。根据实施例的显示面板可以是发射显示面板，但不特别限于此。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发射层可以是有机发光材料。量子点发光显示面板的发射层可以包括量子点和量子棒。在下文中，显示面板将被描述为有机发光显示面板。
显示面板DP在前表面上显示图像。显示面板DP的前表面包括显示区域DA和非显示区域PA。图像显示在显示区域DA中。非显示区域PA可以围绕显示区域DA。
显示面板DP可以包括位于显示区域DA中的多个像素PX。像素PX可以响应于电信号而显示光。由像素PX显示的光可以实现图像。由一个像素PX所包括的晶体管和电容器的数量以及其连接关系以许多方式而是可改变的。
显示面板DP可以包括穿透显示面板DP的开口区域DTA。开口区域DTA可以位于显示区域DA中。其中定位有开口区域DTA的区域A将在本说明书的稍后部分中描述。开口区域DTA可以与覆盖窗WU的第一孔区域HA1叠置。多个像素PX中的一些可以设置为围绕开口区域DTA。因此，图像也可以被显示到位于开口区域DTA附近的区域。
显示面板DP包括从显示区域DA延伸并且其中定位有多条信号线和垫(“pad”，又被称为“焊盘”或“焊垫”)单元的非显示区域PA。数据驱动器50可以位于非显示区域PA中。根据实施例，非显示区域PA的垫单元可以电连接到包括驱动芯片80的印刷电路板PCB，这将参照图3进行描述。
如图2中所示的，用于使显示面板DP和覆盖窗WU结合的粘合层AD可以位于显示面板DP与覆盖窗WU之间。尽管未在本说明书中示出，但是还可以包括位于显示面板DP与覆盖窗WU之间的触摸单元。触摸单元可以设置在显示面板DP上而用于显示装置1000的触摸屏功能。触摸单元可以包括具有各种图案的触摸电极，并且触摸单元可以是电阻型或电容型。
电子模块EM包括用于操作显示装置1000的各种功能模块。电子模块EM可以通过连接器(未示出)电连接到显示面板DP。例如，电子模块EM可以是相机、扬声器或者光传感器或热传感器。
电子模块EM可以包括第一电子模块EM1和第二电子模块EM2。第一电子模块EM1可以通过开口区域DTA和第一孔区域HA1感测外部对象。第一电子模块EM1可以接收通过开口区域DTA和第一孔区域HA1传输的外部输入，或者可以通过开口区域DTA和第一孔区域HA1提供输出。
例如，第一电子模块EM1可以是发光模块、光感测模块和拍摄模块中的至少一个。例如，第一电子模块EM1可以包括用于输出红外线的发光模块、用于感测红外线的CMOS传感器和用于拍摄外部对象的相机模块中的至少一个。
第二电子模块EM2可以通过第二孔区域HA2收集声音信号(诸如语音)，或者可以将处理的声音信号(诸如语音)提供到外部。例如，第二电子模块EM2可以包括声音输入模块和声音输出模块中的至少一个。声音输入模块可以包括用于接收声音信号的麦克风。声音输出模块可以包括用于输出声音数据作为声音信号的扬声器。
然而，这是示例，并且电子模块EM可以被构造有单个模块，还可以包括更多数量的电子模块，或者可以根据各种设置关系来布置，并且其不限于实施例中的一个。
壳体构件HM设置在显示面板DP的下表面上。壳体构件HM结合到覆盖窗WU以构造显示装置1000的外观。壳体构件HM可以包括具有相对高的刚性的材料。例如，壳体构件HM可以包括由玻璃、塑料或金属制成的多个框架和/或板。
壳体构件HM提供预定的容置空间。显示面板DP可以被容置在容置空间中，并且可以被保护免受外部冲击。
参照图3，显示面板DP包括包含显示区域DA和非显示区域PA的基底SUB。可以沿着显示区域DA的边缘限定非显示区域PA。
显示面板DP包括多个像素PX。多个像素PX可以设置在基底SUB的显示区域DA中。各个像素PX包括发光器件和连接到发光器件的驱动电路单元。各个像素PX可以例如发射红光、绿光、蓝光或白光，并且可以例如包括有机发光二极管。
显示面板DP可以包括多条信号线和垫单元。多条信号线可以包括在第一方向DR1上延伸的扫描线SL、在第二方向DR2上延伸的数据线DL以及驱动电压线PL。
扫描驱动器20产生扫描信号并通过扫描线SL将扫描信号传输到各个像素PX。根据实施例，扫描驱动器20可以设置在显示区域DA的左侧和右侧上。本说明书描述了其中扫描驱动器20设置在基底SUB的相应侧上的构造，但是根据另一实施例，扫描驱动器可以设置在基底SUB的一侧上。
垫单元PAD设置在显示面板DP的一端处，并且包括多个端子P1、P2、P3和P4。垫单元PAD可以不被绝缘层覆盖，而是可以被暴露，从而电连接到印刷电路板PCB。垫单元PAD可以电连接到印刷电路板PCB的垫单元PCB_P。印刷电路板PCB可以将驱动芯片80的信号或者电力电压传输到垫单元PAD。
控制器将从外部传输的多个图像信号转换为多个图像数据信号，并通过端子P1将转换的信号传输到数据驱动器50。此外，控制器可以接收垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号，可以产生用于控制扫描驱动器20和数据驱动器50的控制信号，并且可以通过端子P3和P1将控制信号传输到元件。控制器通过端子P2将驱动电压ELVDD(见图5B)传输到驱动电压供应布线60。控制器还通过端子P4将共电压ELVSS(见图5B)传输到各个共电压供应布线70。
数据驱动器50设置在非显示区域PA中，并且数据驱动器50产生数据信号并将数据信号传输到各个像素PX。数据驱动器50可以设置在显示面板DP的一侧上，并且例如，数据驱动器50可以设置在垫单元PAD与显示区域DA之间。
驱动电压供应布线60设置在非显示区域PA中。例如，驱动电压供应布线60可以设置在数据驱动器50与显示区域DA之间。驱动电压供应布线60向像素PX提供驱动电压ELVDD。驱动电压供应布线60在第一方向DR1上设置，并且驱动电压供应布线60可以连接到设置在第二方向DR2上的多条驱动电压线PL。
共电压供应布线70设置在非显示区域PA中。共电压供应布线70可以围绕基底SUB。共电压供应布线70将共电压ELVSS传输到由像素PX所包括的发光器件的一个电极(例如，第二电极)。
现在将参照图4描述图3中所示的包括开口区域DTA的区域A。图4示出了放大图1和图3的区域A的俯视平面图。
一起参照图4和上面所描述的附图，显示面板DP包括位于基底上的多条信号线SL和DL以及多个像素PX。多个像素PX可以分别连接到多条信号线SL和DL。图4示出了多条信号线之中的扫描线SL和数据线DL。然而，这是示例，并且根据实施例的各个像素PX可以另外连接到各种信号线，并且不限于一个实施例。
由显示面板DP所包括的孔区域HA包括开口区域DTA和围绕开口区域DTA的外围区域LA。
外围区域LA围绕开口区域DTA的外部部分。外围区域LA可以位于开口区域DTA与显示区域DA之间。当照射激光束以形成开口区域DTA时，外围区域LA可以防止布线被损坏。需要保持外围区域LA的最小宽度。
无机图案部分IOP以及坝D1和D2可以位于外围区域LA中。在这种情况下，无机图案部分IOP可以位于开口区域DTA与坝D1和D2之间。也就是说，无机图案部分IOP可以定位得比坝D1和D2靠近开口区域DTA。
扫描线SL和数据线DL可以具有半圆形结构，可以与外围区域LA叠置，并且可以绕开开口区域DTA。多条扫描线SL沿着开口区域DTA的外围侧在水平方向上延伸。在此，多条扫描线SL可以根据信号被构造有扫描线、发射控制线和初始化电压线。多条数据线DL沿着开口区域DTA的外围侧在竖直方向上延伸。多条数据线DL可以根据信号被构造有驱动电压线和低驱动电压线。根据实施例，可以改变多条扫描线SL和多条数据线DL。
现在将参照图5A、图5B、图6A、图6B和图6C描述围绕开口区域DTA的部分。
图5A示出了显示面板的对应于显示区域的剖视图，并且图5B示出了根据实施例的显示装置的电路图。图6A示出了其上定位有外围区域和开口区域的显示面板的剖视图，图6B示出了外围区域的放大部分的剖视图，并且图6C示出了根据实施例的显示装置的变型的放大剖视图。
现在将参照图5A描述显示区域DA的堆叠结构。
根据实施例的基底SUB可以包括无机绝缘材料(诸如玻璃)或有机绝缘材料(诸如塑料(诸如聚酰亚胺(PI))。基底SUB可以是单层的或多层的。基底SUB可以具有其中包括顺序堆叠的聚合物树脂的至少一个基体层和至少一个无机层交替地堆叠的结构。
基底SUB可以具有各种程度的柔性。基底SUB可以是刚性基底或柔性基底，柔性基底可以是弯曲的、折叠的或卷曲的。
缓冲层BF可以位于基底SUB上。缓冲层BF可以阻止半导体层SC的特性的劣化，并且可以通过防止杂质从基底SUB传递到缓冲层BF的上层(具体地，半导体层SC)来减轻应力。缓冲层BF可以包括无机绝缘材料(诸如氮化硅或氧化硅)或有机绝缘材料。可以省略缓冲层BF的全部或部分。
半导体层SC位于缓冲层BF上。半导体层SC可以包括多晶硅和氧化物半导体中的至少一种。半导体层SC包括沟道区域C、第一区域S和第二区域D。第一区域S和第二区域D设置在沟道区域C的相应侧上。沟道区域C可以包括与第一区域S和第二区域D相比少量杂质掺杂到其或没有杂质掺杂到其的半导体，并且第一区域S和第二区域D可以包括与沟道区域C相比大量杂质掺杂到其的半导体。半导体层SC可以由氧化物半导体制成，并且在这种情况下，可以增加保护层(未示出)以保护对诸如高温的外部条件的抵抗弱的氧化物半导体材料。
第一无机绝缘层IL1位于半导体层SC上。第一无机绝缘层IL1可以是包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层。
栅电极GE和第一电容器电极CE1位于第一无机绝缘层IL1上。栅电极GE和第一电容器电极CE1可以是其中堆叠有包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)和钼合金中的一种的金属层的单层或多层。栅电极GE可以与半导体层SC的沟道区域C叠置。
第二无机绝缘层IL2位于栅电极GE和第一无机绝缘层IL1上。第二无机绝缘层IL2可以是包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层。
上电极AE和第二电容器电极CE2位于第二无机绝缘层IL2上。第二电容器电极CE2和上电极AE可以是一个导电图案的不同部分。第二电容器电极CE2可以电连接到上电极AE。
第二电容器电极CE2和上电极AE可以是其中堆叠有包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)和钼合金中的一种的金属层的单层或多层。
第三无机绝缘层IL3位于上电极AE和第二电容器电极CE2上。第三无机绝缘层IL3可以是包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层。
源电极SE和漏电极DE位于第三无机绝缘层IL3上。源电极SE和漏电极DE通过形成在第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2和第三无机绝缘层IL3中的接触孔分别连接到半导体层SC的第一区域S和第二区域D。
源电极SE和漏电极DE可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、镍(Ni)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且源电极SE和漏电极DE可以是包括它们的单层结构或多层结构。
第一有机绝缘层IL4和第二有机绝缘层IL5顺序地位于第三无机绝缘层IL3、源电极SE和漏电极DE上。第一有机绝缘层IL4和第二有机绝缘层IL5可以包括有机绝缘材料，该有机绝缘材料包括诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)或聚苯乙烯的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酰基类聚合物、诸如聚酰亚胺的酰亚胺类聚合物、丙烯酸类聚合物和硅氧烷类聚合物。
连接构件CE可以位于第一有机绝缘层IL4与第二有机绝缘层IL5之间。连接构件CE可以将漏电极DE和第一电极E1连接。然而，不限于此，根据实施例，漏电极DE可以在没有连接构件的情况下直接连接到第一电极E1。
第一电极E1位于第二有机绝缘层IL5上。第一电极E1通过第二有机绝缘层IL5的接触孔连接到连接构件CE。第一电极E1电连接到漏电极DE。
第一电极E1可以包括金属，诸如银(Ag)、锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)或金(Au)，并且可以包括透明导电氧化物(TCO)，诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。第一电极E1可以由包括金属材料或透明导电氧化物的单层或者包括金属材料或透明导电氧化物的多层制成。例如，第一电极E1可以具有氧化铟锡(ITO)/银(Ag)/氧化铟锡(ITO)的三层结构。
由栅电极GE、半导体层SC、源电极SE和漏电极DE形成的晶体管连接到第一电极E1，并向发光器件LD供应电流。
分隔壁IL6和间隔件IL7位于第二有机绝缘层IL5和第一电极E1上。
分隔壁IL6包括与第一电极E1的至少一部分叠置并限定发光区域的开口。开口可以具有与第一电极E1的平面形状基本上类似的平面形状。开口可以在平面图中具有菱形形状或类似于菱形的八边形形状，但不限于此，开口可以具有各种形状，诸如四边形、其他多边形、圆形或椭圆形。
分隔壁IL6和间隔件IL7可以包括有机绝缘材料，该有机绝缘材料包括诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)或聚苯乙烯的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酰基类聚合物、诸如聚酰亚胺的酰亚胺类聚合物、丙烯酸类聚合物和硅氧烷类聚合物。
中间层EL位于与开口叠置的第一电极E1上。中间层EL可以包括至少一个有机层，并且可以制成多层。中间层EL可以包括发射层和有机功能层。发射层可以包括有机材料和/或无机材料。此外，有机功能层可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。中间层EL可以产生预定颜色光。中间层EL被示出为位于显示区域DA和外围区域LA中，并且中间层EL的至少一部分可以位于显示区域DA中并且可以不位于外围区域LA中。例如，发射层可以通过使用掩模位于分隔壁IL6的开口中。在这种情况下，发射层位于显示区域DA中，并且不位于外围区域LA中。有机功能层可以位于显示区域DA和外围区域LA中。
第二电极E2位于中间层EL上。第二电极E2可以包括反射金属或透明导电氧化物(TCO)(诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO))，反射金属包括钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)和钙(Ca)。
第一电极E1、中间层EL和第二电极E2可以构造发光器件LD。在此，第一电极E1可以是作为空穴注入电极的阳极，并且第二电极E2可以是作为电子注入电极的阴极。然而，发明构思不限于此，并且根据用于驱动有机发光显示装置的方法，第一电极E1可以是阴极，并且第二电极E2可以是阳极。
空穴和电子从第一电极E1和第二电极E2注入到中间层EL中，并且当作为注入的空穴和电子的结合的激子从激发态下降到基态时光发射。
封装层ENC位于第二电极E2上。封装层ENC可以覆盖发光器件LD的上表面及其侧表面以密封发光器件LD的上表面及其侧表面。发光器件LD对湿气和氧的抵抗非常弱，因此封装层ENC密封发光器件LD以阻挡外部湿气和氧的流入。
封装层ENC可以包括多个层，并且可以由包括无机层和有机层的复合层制成，并且例如，封装层ENC可以形成为通过顺序地堆叠第一封装无机层EIL1、封装有机层EOL和第二封装无机层EIL2而构造的三层。
第一封装无机层EIL1可以覆盖第二电极E2。第一封装无机层EIL1可以防止外部湿气或氧渗透到发光器件LD中。例如，第一封装无机层EIL1可以包括氮化硅、氧化硅或其组合的混合物。第一封装无机层EIL1可以通过沉积工艺制成。
封装有机层EOL可以设置在第一封装无机层EIL1上以接触第一封装无机层EIL1。形成在第一封装无机层EIL1的顶表面上的曲面或位于第一封装无机层EIL1上的颗粒被封装有机层EOL覆盖，因此第一封装无机层EIL1的顶表面的表面状态可以阻挡施加到封装有机层EOL上的构成元件的影响。封装有机层EOL还可以减轻接触层之中的应力。封装有机层EOL可以包括有机材料，并且可以通过溶液工艺(诸如旋涂、狭缝涂覆或喷墨工艺)形成。
第二封装无机层EIL2设置在封装有机层EOL上以覆盖封装有机层EOL。第二封装无机层EIL2可以比设置在第一封装无机层EIL1上更稳定地位于相对平面侧上。第二封装无机层EIL2封装由封装有机层EOL排出的湿气以防止其流入到外部。第二封装无机层EIL2可以包括氮化硅、氧化硅或其组合的混合物。第二封装无机层EIL2可以通过沉积工艺形成。
尽管未示出，但是可以进一步包括位于第二电极E2与封装层ENC之间的盖层。盖层可以包括有机材料。盖层保护第二电极E2免受后续工艺(例如溅射工艺)的影响，并且提高发光器件LD的光输出效率。盖层可以具有比第一封装无机层EIL1的折射率大的折射率。
已经描述了包括在一个像素中的晶体管中的一个，并且每个像素可以包括多个晶体管。现在将参照图5B例示包括在每个像素中的多个晶体管。
如图5B中所示的，根据实施例的显示装置的一个像素PX包括连接到布线127、128、151、152、153、154、155、171、172和741的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst、升压电容器Cbt和发光二极管LED。
一个像素PX连接到多条布线127、128、151、152、153、154、155、171、172和741。多条布线包括第一初始化电压线127、第二初始化电压线128、第一扫描信号线151、第二扫描信号线152、初始化控制线153、旁路控制线154、发光控制线155、数据线171、驱动电压线172和共电压线741。
第一扫描信号线151连接到栅极驱动器(未示出)，并且将第一扫描信号GW传输到第二晶体管T2。第二扫描信号线152可以在施加第一扫描信号线151的信号的同时施加具有与施加到第一扫描信号线151的电压的极性相反的极性的电压。例如，当将具有负极性的电压施加到第一扫描信号线151时，可以将具有正极性的电压施加到第二扫描信号线152。第二扫描信号线152将第二扫描信号GC传输到第三晶体管T3。
初始化控制线153将初始化控制信号GI传输到第四晶体管T4。旁路控制线154将旁路信号GB传输到第七晶体管T7。旁路控制线154可以由前一级的第一扫描信号线151制成。发光控制线155将发光控制信号EM传输到第五晶体管T5和第六晶体管T6。
数据线171传输由数据驱动器50产生的数据电压DATA，并且由发光二极管LED发射的光的亮度根据施加到像素PX的数据电压DATA而变化。
驱动电压线172施加驱动电压ELVDD。第一初始化电压线127传输第一初始化电压VINT，并且第二初始化电压线128传输第二初始化电压AINT。共电压线741将共电压ELVSS施加到发光二极管LED的阴极。在本实施例中，可以将恒定电压分别施加到驱动电压线172、第一初始化电压线127和第二初始化电压线128以及共电压线741。
多个晶体管可以包括驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。多个晶体管可以包括包含氧化物半导体的氧化物晶体管和包含多晶硅半导体的硅晶体管。例如，第三晶体管T3和第四晶体管T4可以由氧化物晶体管制成，并且驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可以是硅晶体管。然而，它们不限于此，并且多个晶体管可以是硅晶体管。
在上面中已经描述了一个像素PX包括七个晶体管T1至T7、一个存储电容器Cst和一个升压电容器Cbt，并且不限于此，晶体管和电容器的数量及其关系可以以许多方式而是可修改的。
现在将参照图6A和图6B描述包括开口区域DTA和在开口区域DTA周围的外围区域LA的孔区域HA。将省略与先前描述中的构成元件相同的构成元件。
缓冲层BF可以位于基底SUB上、在外围区域LA中。缓冲层BF可以制成为从显示区域DA延伸的形式。缓冲层BF可以整体地形成在基底SUB上、在外围区域LA中。
第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2、第三无机绝缘层IL3、第一有机绝缘层IL4、第二有机绝缘层IL5、分隔壁IL6和间隔件IL7可以位于显示区域DA与外围区域LA之间的边界上。也就是说，位于显示区域DA中的第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2、第三无机绝缘层IL3、第一有机绝缘层IL4、第二有机绝缘层IL5、分隔壁IL6和间隔件IL7可以延伸到外围区域LA的一部分。在这种情况下，第一有机绝缘层IL4可以形成为覆盖第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2和第三无机绝缘层IL3的端部的侧表面。此外，第二有机绝缘层IL5可以形成为覆盖第一有机绝缘层IL4的端部的侧表面。
无机图案部分IOP可以位于基底SUB上、在外围区域LA中。缓冲层BF可以在外围区域LA中位于基底SUB与无机图案部分IOP之间。无机图案部分IOP可以包括无机绝缘材料。无机图案部分IOP可以包括多个无机图案500。多个无机图案500彼此间隔开且预定间隔在其之间。多个无机图案500可以彼此间隔开且恒定的间隔在其之间。每个无机图案500的宽度WT可以等于或大于约2μm。相邻的无机图案500之间的间隔SP可以等于或大于约1.8μm且等于或小于约10μm。每个无机图案500的厚度TH可以等于或大于约0.5μm。每个无机图案500可以制成为单层或多层。例如，无机图案500可以包括第一无机图案层510和第二无机图案层520。第二无机图案层520可以位于第一无机图案层510上。尽管图6A示出了无机图案500被制成为二层，但是发明构思不限于此，并且无机图案500也可以被制成为多于两层，例如，三层。
第一无机图案层510可以由与第一无机绝缘层IL1的材料相同的材料制成。第一无机图案层510可以在与第一无机绝缘层IL1的工艺相同的工艺中同时形成。第一无机图案层510不连接到第一无机绝缘层IL1并且与第一无机绝缘层IL1分离。第二无机图案层520可以由与第二无机绝缘层IL2的材料相同的材料制成。第二无机图案层520可以在与第二无机绝缘层IL2的工艺相同的工艺中同时形成。第二无机图案层520不连接到第二无机绝缘层IL2并且与第二无机绝缘层IL2分离。构造第一无机图案层510和第二无机图案层520的材料不限于此，并且可以以各种方式改变。第一无机图案层510可以由与第二无机绝缘层IL2的材料相同的材料制成，并且第二无机图案层520可以由与第三无机绝缘层IL3的材料相同的材料制成。第一无机图案层510可以由与第一无机绝缘层IL1的材料相同的材料制成，并且第二无机图案层520可以由与第三无机绝缘层IL3的材料相同的材料制成。
无机图案500的侧表面可以形成为垂直于缓冲层BF的上表面。然而，这不限于此，并且无机图案500的侧表面与缓冲层BF的上表面之间的角度θ可以是约75度至约120度。缓冲层BF的上表面和基底SUB的上表面可以基本上彼此平行。因此，无机图案500的侧表面可以垂直于基底SUB的上表面。此外，无机图案500的侧表面与基底SUB的上表面之间的角度可以是约75度至约120度。
如图4中所示的，无机图案部分IOP可以在平面图中具有围绕开口区域DTA的环形形状。然而，这仅是示例，并且无机图案部分IOP可以具有与开口区域DTA的形状不同的形状。例如，无机图案部分IOP可以具有包括多边形、椭圆形或至少部分曲线的闭合线形状，或者可以以包括部分断开的多个图案的形状设置，并且其不限于一个实施例。
中间层EL可以位于无机图案部分IOP上。位于无机图案部分IOP上的中间层EL不连接到位于显示区域DA中的中间层EL，并且与其分离。中间层EL可以位于无机图案500的上表面上。位于各个无机图案500上的中间层EL彼此不连接，而是彼此分离。中间层EL可以不位于各个无机图案500的侧表面上。中间层EL可以不位于相邻的无机图案500之间。然而，中间层EL不限于此，并且如图6C中所示的，中间层EL可以位于无机图案500之间。在这种情况下，位于无机图案500上的中间层EL不连接到位于无机图案500之间的中间层EL，并且它们彼此分离。
第二电极E2不位于无机图案部分IOP上。也就是说，第二电极E2不位于与无机图案部分IOP叠置的中间层EL上。因此，第二电极E2不与无机图案部分IOP叠置。
至少两个坝D1和D2可以位于外围区域LA中。例如，第一坝D1和第二坝D2可以定位为使它们设置在显示区域DA附近。第一坝D1和第二坝D2可以位于外围区域LA中，并且可以位于缓冲层BF上。
第一坝D1可以包括第一-1子坝D1-a、第一-2子坝D1-b和第一-3子坝D1-c。第一-1子坝D1-a可以与位于显示区域DA中的第二有机绝缘层IL5位于同一层上，并且可以包括相同的材料。第一-1子坝D1-a可以在与位于显示区域DA中的第二有机绝缘层IL5的工艺相同的工艺中形成。第一-2子坝D1-b可以与位于显示区域DA中的分隔壁IL6位于同一层上，并且可以包括相同的材料。第一-2子坝D1-b可以在与位于显示区域DA中的分隔壁IL6的工艺相同的工艺中形成。第一-3子坝D1-c可以与位于显示区域DA中的间隔件IL7位于同一层上，并且可以包括相同的材料。第一-3子坝D1-c可以在与位于显示区域DA中的间隔件IL7的工艺相同的工艺中形成。
第二坝D2可以包括第二-1子坝D2-a、第二-2子坝D2-b、第二-3子坝D2-c和第二-4子坝D2-d。第二-1子坝D2-a可以与位于显示区域DA中的第一有机绝缘层IL4位于同一层上，并且可以包括相同的材料。第二-1子坝D2-a可以在与位于显示区域DA中的第一有机绝缘层IL4的工艺相同的工艺中形成。第二-2子坝D2-b可以与位于显示区域DA中的第二有机绝缘层IL5位于同一层上，并且可以包括相同的材料。第二-2子坝D2-b可以在与位于显示区域DA中的第二有机绝缘层IL5的工艺相同的工艺中形成。第二-3子坝D2-c可以与位于显示区域DA中的分隔壁IL6位于同一层上，并且可以包括相同的材料。第二-3子坝D2-c可以在与位于显示区域DA中的分隔壁IL6的工艺相同的工艺中形成。第二-4子坝D2-d可以与位于显示区域DA中的间隔件IL7位于同一层上，并且可以包括相同的材料。第二-4子坝D2-d可以在与位于显示区域DA中的间隔件IL7的工艺相同的工艺中形成。
本实施例示出了第一坝D1具有三层结构，第二坝D2具有四层结构。然而，它们不限于此，并且第一坝D1可以具有四层结构，第二坝D2可以具有三层结构(即，它们的位置可以改变)，第一坝D1和第二坝D2可以具有三层结构，或者第一坝D1和第二坝D2可以具有四层结构。还可以设置包括上述子坝的一部分的双层坝。本说明书示出了其中两个坝D1和D2位于外围区域LA中的实施例，并且不限于数量，两个或更多个坝可以位于外围区域LA中。
如图4中所示的，在平面图中，坝D1和D2可以具有围绕开口区域DTA的环形形状。然而，这仅是示例，并且第一坝D1和第二坝D2可以具有与开口区域DTA的形状不同的形状。例如，第一坝D1和第二坝D2可以具有包括多边形、椭圆形或至少部分曲线的闭合线形状，或者可以以包括部分断开的多个图案的形状设置，并且其不限于一个实施例。
中间层EL和第二电极E2可以位于坝D1和D2上。中间层EL和第二电极E2可以从显示区域DA延伸到外围区域LA的一部分。也就是说，位于显示区域DA中的中间层EL和第二电极E2可以延伸到坝D1和D2。
位于坝D1和D2上的中间层EL和第二电极E2不延伸到无机图案部分IOP上。位于坝D1和D2上的中间层EL和位于无机图案部分IOP上的中间层EL彼此不连接，而是彼此分离。第二电极E2可以位于坝D1和D2上，而不位于无机图案部分IOP上。因此，当外来颗粒通过开口区域DTA被输入时，防止外来颗粒通过中间层EL或第二电极E2渗透到显示区域DA中，因此可以提高显示装置的可靠性。
从显示区域DA延伸的第一封装无机层EIL1可以位于外围区域LA中。第一封装无机层EIL1可以位于第二电极E2上。与坝D1和D2叠置的第一封装无机层EIL1可以接触第二电极E2。第一封装无机层EIL1可以位于无机图案部分IOP上。中间层EL位于无机图案部分IOP上，并且第二电极E2不位于无机图案部分IOP上。因此，与无机图案部分IOP叠置的第一封装无机层EIL1可以接触中间层EL。
位于显示区域DA中的封装有机层EOL可以延伸到外围区域LA的一部分。封装有机层EOL的端部可以到达第一坝D1。封装有机层EOL可以与第一坝D1部分地叠置。第一坝D1可以在用于形成封装有机层EOL的工艺中控制材料的蔓延。封装有机层EOL可以具有用于填充显示区域DA的端部与第一坝D1之间的空间的形状。
与基底SUB的前表面叠置的第二封装无机层EIL2可以位于封装有机层EOL上。也就是说，第二封装无机层EIL2可以从显示区域DA延伸到外围区域LA。第二封装无机层EIL2可以在一个区域中接触封装有机层EOL，并且它可以在另一区域中接触第一封装无机层EIL1。与坝D1和D2以及无机图案部分IOP叠置的第二封装无机层EIL2可以接触第一封装无机层EIL1。
上述第一电子模块EM1可以插入与开口区域DTA叠置的区域中。开口区域DTA的内部可以由基底SUB、缓冲层BF、第一封装无机层EIL1和第二封装无机层EIL2的端部限定。基底SUB、缓冲层BF、第一封装无机层EIL1和第二封装无机层EIL2的端部的侧表面相对于彼此布置以构造开口区域DTA。它们不限于此，并且明显的是，可以省略或添加一些构成元件以形成开口区域DTA的边界。
现在将参照图7至图12描述根据实施例的用于制造显示装置的方法。
图7至图12示出了根据实施例的用于制造显示装置的工艺的处理剖视图。将省略上面所描述的构成元件的描述。
如图7中所示的，形成与显示区域DA叠置并位于基底SUB上的晶体管Tr和连接到晶体管Tr的第一电极E1。在构造晶体管Tr的各个层之间以及晶体管Tr与第一电极E1之间形成绝缘层。绝缘层可以包括第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2、第三无机绝缘层IL3、第一有机绝缘层IL4和第二有机绝缘层IL5。
在形成第一无机绝缘层IL1和第二无机绝缘层IL2的同时，可以在基底SUB上、在外围区域LA和开口区域DTA中形成无机图案部分IOP。可以将位于开口区域DTA中的无机图案部分IOP与基底SUB一起去除，这将在本说明书的稍后部分中描述。因此，无机图案部分IOP可以形成在外围区域LA中而不形成在开口区域DTA中。然而，当考虑激光束照射位置和开口区域DTA形成位置的误差时，如图7中所示的，可以在开口区域DTA中形成无机图案部分IOP。如上面所描述的，无机图案部分IOP可以包括多个无机图案500，并且每个无机图案500可以包括第一无机图案层510和第二无机图案层520。可以在形成第一无机绝缘层IL1时形成第一无机图案层510，并且可以在形成第二无机绝缘层IL2时形成第二无机图案层520。
可以通过沉积诸如金属或金属氧化物的导电材料并通过光蚀刻工艺使导电材料图案化来形成构造晶体管Tr的各个层和第一电极E1。在用于沉积和使导电材料图案化的工艺中，可以在设置于无机图案部分IOP的侧表面附近的基底SUB和无机图案部分IOP的侧表面上形成牺牲层550。无机图案部分IOP可以具有基本上垂直于基底SUB的侧表面，并且接触无机图案部分IOP的侧表面的导电材料可以不被完全地去除，而是在图案化工艺中保留，这可以成为牺牲层550。因此，牺牲层550的至少一部分可以由与晶体管Tr的电极或第一电极E1的材料相同的材料制成。例如，牺牲层550可以由与栅电极GE、源电极SE、漏电极DE、连接构件CE和第一电极E1中的至少一个的材料相同的材料制成。牺牲层550可以由多种材料制成。例如，牺牲层550可以由与栅电极GE和源电极SE的材料相同的材料制成。
牺牲层550可以具有相对于基底SUB具有预定锥角的剖面形状。牺牲层550可以具有宽度随着其变得远离基底SUB而逐渐减小的剖面形状。牺牲层550的剖面形状可以是基本上三角形，并且其可以形成直角三角形。
可以在第一电极E1上形成分隔壁IL6和间隔件IL7。分隔壁IL6可以包括用于暴露第一电极E1的至少一部分的开口。可以在外围区域LA中形成第一坝D1和第二坝D2。第一坝D1和第二坝D2可以具有包括有机材料的多层结构。
如图8中所示的，通过使用沉积工艺形成与基底SUB的前表面叠置的中间材料层E1-a和第二电极材料层E2-a。中间材料层E1-a和第二电极材料层E2-a可以延伸到外围区域LA，并且可以形成在基底SUB的前表面上。
如图9中所示的，将激光束照射到外围区域LA的一部分。在这种情况下，可以对应于其中定位有无机图案部分IOP的部分照射激光束。根据实施例，可以将具有不同的能量密度(ED)的激光束照射到区域(或称为“激光束照射区域”)IRA。例如，可以将具有相对高能量密度的激光束照射到其中定位有牺牲层550的区域，并且可以将具有相对低能量密度的激光束照射到另一区域。
牺牲层550在其中定位有无机图案部分IOP的部分上定位在各个无机图案500的侧表面附近，并且如图10中所示的，可以通过激光束照射工艺将牺牲层550与基底SUB和缓冲层BF分离。通过激光剥蚀将牺牲层550与基底SUB分离，并且位于牺牲层550上的中间材料层EL-a和第二电极材料层E2-a也可以与基底SUB分离。此外，其上未定位牺牲层550并且位于激光束照射到其的区域中的第二电极材料层E2-a也可以与基底SUB分离。
由金属材料制成的层可以通过激光束的照射与基底SUB分离。牺牲层550包括金属材料，因此可以通过激光束的照射将牺牲层550与基底SUB分离。中间材料层EL-a不包括金属材料，但当牺牲层550与基底SUB分离时，位于牺牲层550上的中间材料层EL-a可以一起分离。第二电极材料层E2-a包括金属材料，因此第二电极材料层E2-a可以通过激光束的照射与基底SUB分离。
当通过使用激光束照射工艺去除牺牲层550和位于其上的中间材料层EL-a和第二电极材料层E2-a时，如图11中所示的，剩余的中间材料层EL-a成为中间层EL，并且剩余的第二电极材料层E2-a成为第二电极E2。在显示区域DA中，第一电极E1、中间层EL和第二电极E2可以构造发光器件LD。中间层EL和第二电极E2可以延伸到外围区域LA的一部分，并且可以位于第一坝D1和第二坝D2上。
中间层EL可以位于无机图案部分IOP的每个无机图案500的上表面上。位于无机图案部分IOP上的中间层EL不连接到位于显示区域DA中的中间层EL，并且与其分离。位于各个无机图案500上的中间层EL彼此不连接，而是彼此分离。中间层EL可以不位于每个无机图案500的侧表面上。中间层EL可以不位于相邻的无机图案500之间。不限于此，如图6C中所示的，中间层EL可以保留在相邻的无机图案500之间的区域中。在这种情况下，中间层EL可以保留在一些无机图案500之间的区域中，并且中间层EL可以不保留在其它无机图案500之间的区域中。位于无机图案500上的中间层EL不连接到位于无机图案500之间的中间层EL，并且它们彼此分离。
第二电极E2不位于无机图案部分IOP上。也就是说，第二电极E2不位于与无机图案部分IOP叠置的中间层EL上。因此，第二电极E2不与无机图案部分IOP叠置。
如图12中所示的，可以在基底SUB的前表面上定位第一封装无机层EIL1。可以在外围区域LA的一部分中定位同时与显示区域DA叠置的封装有机层EOL。在用于形成封装有机层EOL的工艺中，可以通过坝D1和D2防止液化的有机材料蔓延。可以通过用于在第一封装无机层EIL1上涂覆液化的有机材料的喷墨方法来形成封装有机层EOL。在这种情况下，坝D1和D2设定其中涂覆有液化的有机材料的区域的边界，并防止液化的有机材料溢出到坝D1和D2的外部。可以在封装有机层EOL上定位第二封装无机层EIL2以与基底SUB的前表面叠置。第一封装无机层EIL1和第二封装无机层EIL2可以在外围区域LA中彼此接触。
将开口区域DTA形成为具有图6A中所示的结构。可以通过穿透显示面板DP来形成开口区域DTA。可以通过激光或钻孔工艺来形成开口区域DTA。可以将上面所描述的第一电子模块EM1安装在开口区域DTA中。可以在其上布置有基底SUB、缓冲层BF、第一封装无机层EIL1和第二封装无机层EIL2的各个端部的侧表面的内部上形成开口区域DTA。
现在将参照图13至图15描述根据实施例的显示装置的实现情况。
图13示出了根据实施例的显示装置的无机图案部分的俯视平面图；图14示出了根据实施例的显示装置的无机图案部分的剖视图；并且图15示出了图14的放大部分的剖视图。图15示出了位于图14中的激光束照射区域IRA与激光束未照射区域NRA之间的边界上的放大部分BD。
如图13至图15中所示的，无机图案部分可以包括以预定间隔彼此间隔开的多个无机图案500。无机图案部分可以参照激光束的照射被划分为激光束照射区域IRA和激光束未照射区域NRA。中间层EL和第二电极E2可以整体地位于激光束未照射区域NRA中。参照图14和图15中所示的部分PO2，发现的是，位于无机图案500上的中间层EL和位于无机图案500之间的中间层EL在激光束未照射区域NRA中彼此连接。中间层EL可以位于预定区域中，并且第二电极E2可以不位于激光束照射区域IRA中。参照图14和图15中所示的部分PO1，发现的是，位于无机图案500上的中间层EL和位于无机图案500之间的中间层EL在激光束照射区域IRA中彼此分离。
也就是说，当通过激光束的照射去除位于无机图案500的侧表面的下部上的中间层EL时，位于无机图案500上的中间层EL与位于无机图案500之间的中间层EL之间的连接不再保持。位于无机图案500之间的中间层EL被示出为大部分保留，并且不限于此，可以完全去除位于无机图案500之间的中间层EL。例如，在其中无机图案500之间的间隙相对窄的情况下，当间隙为约2μm时，可以去除位于无机图案500之间的中间层EL。例如，在其中无机图案500之间的间隙相对宽的情况下，当间隙为约10μm时，位于无机图案500之间的中间层EL可以保留。
现在将参照图16和图17描述根据实施例的显示装置。
图16和图17中所示的根据实施例的显示装置主要对应于图1至图6中所示的根据实施例的显示装置，因此将不重复相同部分的描述。根据本实施例，无机图案部分被构造有三层，其不同于前一实施例并且现在将进一步对其描述。
图16示出了根据实施例的显示装置的剖视图，并且图17示出了根据实施例的用于制造显示装置的工艺中的一些阶段的剖视图。
如图16中所示的，根据实施例的显示装置包括基底SUB、位于基底SUB的显示区域DA中的晶体管Tr、连接到晶体管Tr的第一电极E1、位于第一电极E1上的第二电极E2以及位于第一电极E1与第二电极E2之间的中间层EL。
显示装置还包括位于外围区域LA中的无机图案部分IOP，并且无机图案部分IOP包括多个无机图案500。中间层EL也可以位于无机图案部分IOP上。中间层EL可以位于每个无机图案500的上表面上，而不位于无机图案500的侧表面上。因此，位于各个无机图案500上的中间层EL彼此分离。此外，中间层EL可以不位于无机图案500之间。第二电极E2不位于无机图案部分IOP上。
在前一实施例中，每个无机图案500可以被构造为双层，并且在本实施例中，每个无机图案500可以被构造为三层。无机图案500可以包括第一无机图案层510、第二无机图案层520和第三无机图案层530。第二无机图案层520可以位于第一无机图案层510上，并且第三无机图案层530可以位于第二无机图案层520上。
第一无机图案层510可以由与第一无机绝缘层IL1的材料相同的材料制成。第一无机图案层510可以在与第一无机绝缘层IL1的工艺相同的工艺中同时形成。第一无机图案层510不连接到第一无机绝缘层IL1。第二无机图案层520可以由与第二无机绝缘层IL2的材料相同的材料制成。第二无机图案层520可以在与第二无机绝缘层IL2的工艺相同的工艺中同时形成。第二无机图案层520不连接到第二无机绝缘层IL2并且与其分离。第三无机图案层530可以由与第三无机绝缘层IL3的材料相同的材料制成。第三无机图案层530可以在与第三无机绝缘层IL3的工艺相同的工艺中同时形成。第三无机图案层530不连接到第三无机绝缘层IL3并且与其分离。第一无机图案层510、第二无机图案层520和第三无机图案层530的材料不限于此，并且可以以许多方式改变。
关于根据实施例的用于制造显示装置的工艺，如图17中所示的，可以在形成第一无机绝缘层IL1时形成第一无机图案层510。可以在形成第二无机绝缘层IL2时形成第二无机图案层520，并且可以在形成第三无机绝缘层IL3时形成第三无机图案层530。
另外，当对导电材料图案化以形成构造晶体管Tr的各个层和第一电极E1时，可以在设置于无机图案部分IOP的侧表面附近的基底SUB和无机图案部分IOP的侧表面上形成牺牲层550。牺牲层550可以至少部分地包括与晶体管Tr的栅电极GE和源电极SE/漏电极DE或第一电极E1的材料相同的材料。牺牲层550可以具有相对于基底SUB具有预定锥角的剖面形状。
在基底SUB上整体地形成中间材料层和第二电极材料层，并且可以通过将激光束照射到其上定位有无机图案部分IOP的部分来将牺牲层550与基底SUB分离。因此，可以去除位于牺牲层550上的中间材料层。中间层EL保留在无机图案部分IOP的每个无机图案500的上表面上。可以去除位于激光束照射到其的部分上的第二电极材料层。
关于根据实施例的显示装置，位于显示区域DA中的中间层EL和位于无机图案部分IOP上的中间层EL彼此不连接，并且它们彼此分离。位于显示区域DA中的第二电极E2不位于无机图案部分IOP上。因此，当外来颗粒通过开口区域DTA被输入时，防止外来颗粒通过中间层EL或第二电极E2渗透到显示区域DA中，因此可以提高显示装置的可靠性。
现在将参照图18和图19描述根据实施例的显示装置。
图18和图19中所示的根据实施例的显示装置主要对应于图16和图17中所示的根据实施例的显示装置，因此将不重复相同部分的描述。根据本实施例，无机图案部分具有倒锥形形状，其不同于前一实施例，并且现在将对其进行描述。
图18示出了根据实施例的显示装置的剖视图，并且图19示出了根据实施例的用于制造显示装置的工艺中的一些阶段的剖视图。
如图18中所示的，显示装置包括基底SUB、位于基底SUB的显示区域DA中的晶体管Tr、连接到晶体管Tr的第一电极E1、位于第一电极E1上的第二电极E2以及位于第一电极E1与第二电极E2之间的中间层EL。
显示装置还包括位于外围区域LA中的无机图案部分IOP，并且无机图案部分IOP包括多个无机图案500。中间层EL也可以位于无机图案部分IOP上。中间层EL可以位于每个无机图案500的上表面上，而不位于无机图案500的侧表面上。因此，位于每个无机图案500上的中间层EL彼此分离。中间层EL可以不位于无机图案500之间。第二电极E2不位于无机图案部分IOP上。
在前一实施例中，无机图案500的侧表面可以形成为基本上垂直于基底SUB的上表面，并且在本实施例中，无机图案500的侧表面可以具有倒锥形形状。也就是说，无机图案500的宽度可以随着其变得远离基底SUB而增加。第二无机图案层520的宽度可以大于第一无机图案层510的宽度，并且第三无机图案层530的宽度可以大于第二无机图案层520的宽度。第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2和第三无机绝缘层IL3的侧表面也可以具有倒锥形形状。
关于根据实施例的用于制造显示装置的工艺，如图19中所示的，可以在形成第一无机绝缘层IL1时形成第一无机图案层510。可以在形成第二无机绝缘层IL2时形成第二无机图案层520，并且可以在形成第三无机绝缘层IL3时形成第三无机图案层530。通过使用用于增加用于执行第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2和第三无机绝缘层IL3的蚀刻工艺的时间的方法，第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2和第三无机绝缘层IL3的侧表面可以具有倒锥形形状。因此，无机图案500的侧表面也可以具有倒锥形形状。
此外，在用于对导电材料图案化以形成晶体管Tr的各个层和第一电极E1的工艺中，可以在设置于无机图案部分IOP的侧表面附近的基底SUB和无机图案部分IOP的侧表面上形成牺牲层550。牺牲层550可以至少部分地包括与晶体管Tr的栅电极GE和源电极SE/漏电极DE或第一电极E1的材料相同的材料。牺牲层550可以具有相对于基底SUB具有预定锥角的剖面形状。无机图案500具有倒锥形形状，并且牺牲层550接触无机图案500的侧表面，因此无机图案500可以覆盖牺牲层550的至少一部分。
在基底SUB上整体地形成中间材料层和第二电极材料层，并且可以通过将激光束照射到其上定位有无机图案部分IOP的部分来将牺牲层550与基底SUB分离。因此，可以去除位于牺牲层550上的中间材料层。中间层EL保留在无机图案部分IOP的每个无机图案500的上表面上。可以去除位于激光束照射到其的部分上的第二电极材料层。
关于根据实施例的显示装置，位于显示区域DA中的中间层EL和位于无机图案部分IOP上的中间层EL彼此不连接，并且它们彼此分离。位于显示区域DA中的第二电极E2不位于无机图案部分IOP上。因此，当外来颗粒通过开口区域DTA被输入时，防止外来颗粒通过中间层EL或第二电极E2渗透到显示区域DA中，因此可以提高显示装置的可靠性。
现在将参照图20A、图20B和图21描述根据实施例的显示装置。
图20A、图20B和图21中所示的根据实施例的显示装置主要对应于图16和图17中所示的根据实施例的显示装置，因此将不重复相同的描述。本实施例与前一实施例的不同之处在于：中间层在另一区域以及无机图案部分中分离，现在将对其进行描述。
图20A示出了根据实施例的显示装置的剖视图；图20B示出了图20A的放大部分的剖视图；并且图21示出了根据实施例的用于制造显示装置的工艺中的一些阶段的剖视图。
如图20A中所示的，根据实施例的显示装置包括基底SUB、位于基底SUB的显示区域DA中的晶体管Tr、连接到晶体管Tr的第一电极E1、位于第一电极E1上的第二电极E2以及位于第一电极E1与第二电极E2之间的中间层EL。
参照图20A和图20B，显示装置还包括位于外围区域LA中的无机图案部分IOP，并且无机图案部分IOP包括多个无机图案500。中间层EL也可以位于无机图案部分IOP上。中间层EL可以位于每个无机图案500的上表面上，而不位于无机图案500的侧表面上。因此，位于各个无机图案500上的中间层EL彼此分离。此外，中间层EL可以不位于无机图案500之间。第二电极E2不位于无机图案部分IOP上。
在前一实施例中，中间层EL在无机图案部分IOP上分离，并且中间层EL可以在其它区域中整体地连接。在本实施例中，中间层EL可以在显示区域DA与外围区域LA之间的边界以及无机图案部分IOP上分离。第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2和第三无机绝缘层IL3的端部不被第一有机绝缘层IL4和第二有机绝缘层IL5覆盖并且被第一有机绝缘层IL4和第二有机绝缘层IL5暴露。第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2和第三无机绝缘层IL3的端部的侧表面可以彼此对准，并且可以相对于基底SUB的上表面垂直。
中间层EL可以位于第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2和第三无机绝缘层IL3的端部的上表面上。中间层EL可以不位于第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2和第三无机绝缘层IL3的端部的侧表面上。中间层EL可以不位于第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2和第三无机绝缘层IL3的端部附近的区域中。因此，位于显示区域DA中的中间层EL和位于坝D1和D2上的中间层EL可以彼此不连接并且可以彼此分离。
以类似的方式，第二电极E2可以位于第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2和第三无机绝缘层IL3的端部的上表面上。第二电极E2可以不位于第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2和第三无机绝缘层IL3的端部的侧表面上。第二电极E2可以不位于定位在第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2和第三无机绝缘层IL3的端部附近的区域中。因此，位于显示区域DA中的第二电极E2和位于坝D1和D2上的第二电极E2可以彼此不连接并且可以彼此分离。
在这种情况下，中间层EL的端部可以不对应于第二电极E2的端部。中间层EL的端部的至少一部分可以不被第二电极E2覆盖。
关于根据实施例的用于制造显示装置的工艺，如图21中所示的，可以在形成第一无机绝缘层IL1时形成第一无机图案层510。可以在形成第二无机绝缘层IL2时形成第二无机图案层520，并且可以在形成第三无机绝缘层IL3时形成第三无机图案层530。
另外，当对导电材料图案化以形成构造晶体管Tr的各个层和第一电极E1时，可以在设置于无机图案部分IOP的侧表面附近的基底SUB和无机图案部分IOP的侧表面上形成牺牲层550。也可以在第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2和第三无机绝缘层IL3的端部的侧表面以及设置在第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2和第三无机绝缘层IL3的端部的侧表面附近的基底SUB上形成牺牲层550。牺牲层550可以至少部分地包括与晶体管Tr的栅电极GE和源电极SE/漏电极DE或第一电极E1的材料相同的材料。
第一有机绝缘层IL4和第二有机绝缘层IL5可以被图案化以不覆盖第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2和第三无机绝缘层IL3的端部。
在基底SUB上整体地形成中间材料层和第二电极材料层。在这种情况下，中间材料层和第二电极材料层可以形成为覆盖位于第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2和第三无机绝缘层IL3的端部上的牺牲层550。可以通过将激光束照射到其上定位有无机图案部分IOP的部分以及第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2和第三无机绝缘层IL3的端部来将牺牲层550与基底SUB分离。因此，可以去除位于牺牲层550上的中间材料层。中间层EL保留在无机图案部分IOP的每个无机图案500的上表面上。可以去除位于激光束照射到其的部分上的第二电极材料层。
关于根据实施例的显示装置，位于显示区域DA中的中间层EL和位于坝D1和D2上的中间层EL彼此不连接，而是彼此分离。位于坝D1和D2上的中间层EL和位于无机图案部分IOP上的中间层EL彼此不连接，而是彼此分离。位于显示区域DA中的第二电极E2不位于无机图案部分IOP上。位于显示区域DA中的第二电极E2和位于坝D1和D2上的第二电极E2彼此不连接，而是彼此分离。
因此，当外来颗粒通过开口区域DTA被输入时，防止外来颗粒通过中间层EL或第二电极E2渗透到显示区域DA中，因此可以提高显示装置的可靠性。
根据发明构思，没有发射层和没有共电极位于其中的部分设置在位于开口附近的外围区域中，从而防止外来颗粒通过开口渗透到显示装置中，并且结果，提高了显示装置的可靠性。
尽管在此已经描述了某些实施例和实施方式，但是根据该描述，其它实施例和修改将是明显的。因此，发明构思不限于这样的实施例，而是限于所附权利要求的更广泛的范围以及如对于本领域普通技术人员将是明显的各种明显的修改和等同布置。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域、位于所述显示区域中的开口区域以及位于所述开口区域与所述显示区域之间的外围区域；
晶体管，位于所述基底的所述显示区域中；
第一电极，连接到所述晶体管；
第二电极，位于所述第一电极上；
无机图案部分，位于所述基底的所述外围区域中；以及
中间层，位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且包括位于所述无机图案部分上的至少一个有机层，
其中，所述无机图案部分包括彼此间隔开的多个无机图案。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述中间层位于所述无机图案部分的上表面上，并且不延伸超过所述无机图案部分的侧表面。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述中间层不位于相邻的无机图案之间。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，位于所述显示区域中的所述中间层与位于所述无机图案部分上的所述中间层分离。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二电极不与所述无机图案部分叠置。
6.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括无机绝缘层，所述无机绝缘层位于构造所述晶体管的多个层之间，
其中，所述无机图案部分包括与所述无机绝缘层的材料相同的材料。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中：
所述无机绝缘层包括第一无机绝缘层和第二无机绝缘层；并且
所述多个无机图案中的每个包括：第一无机图案层，包括与所述第一无机绝缘层的材料相同的材料；以及第二无机图案层，包括与所述第二无机绝缘层的材料相同的材料。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中：
所述无机绝缘层包括至少三个无机绝缘层；并且
所述多个无机图案中的每个包括至少三个无机图案层，所述至少三个无机图案层包括分别与所述至少三个无机绝缘层的材料相同的材料。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其中：
所述无机绝缘层的端部位于所述显示区域与所述外围区域之间的边界部分上；
所述中间层在所述无机绝缘层的所述端部处分离；并且
所述中间层位于所述无机绝缘层的所述端部的上表面上，并且不位于所述无机绝缘层的侧表面上。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个无机图案中的每个的侧表面与所述基底的上表面之间的角度等于或大于75度且等于或小于120度。
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