CN114497124A - 显示装置 - Google Patents

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CN114497124A CN202111105799.7A CN202111105799A CN114497124A CN 114497124 A CN114497124 A CN 114497124A CN 202111105799 A CN202111105799 A CN 202111105799A CN 114497124 A CN114497124 A CN 114497124A
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吴彦锡
田宇植
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Abstract

公开了一种显示装置。所述显示装置包括：基底，包括开口区域、围绕开口区域的外围区域以及围绕外围区域的显示区域；晶体管，设置在基底的显示区域上；第一电极，电连接到晶体管；中间层，与第一电极叠置；第二电极，设置在中间层上；第一坝，设置在基底的外围区域上；以及第一封装无机层，设置在第二电极上，其中，第一封装无机层在外围区域中与第一坝的侧面接触。

Description

显示装置
本申请要求于2020年11月12日提交的第10-2020-0150858号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有目的通过引用包含于此，如同在此充分地阐述一样。
技术领域
发明的实施例总体上涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括在显示区域中具有开口区域的显示面板的显示装置。
背景技术
近来，随着各种便携式电子装置提供相机功能，与单独携带相机的情况相比，具有内置相机功能的便携式电子装置的使用已经迅速增加。
通常，当相机、闪光灯、扬声器、光电传感器等设置在电子装置的图像显示区域的外部时，已经使电子装置的图像显示区域减小。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解发明构思的背景，因此，它可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
申请人认识到当包括显示面板和电子模块的显示装置被制造为在显示面板的显示区域中具有用于电子模块的开口区域时，显示面板会由于渗透穿过开口区域的潮气和/或外来颗粒而容易损坏。
根据发明的原理构造的包括具有用于电子模块的开口区域的显示面板的显示装置能够防止潮气和/或外来颗粒通过显示面板的显示区域中的开口区域渗透到显示面板中。
此外，根据发明的原理构造的显示装置能够减小或最小化在显示面板的显示区域中的开口区域周围的无效空间。
另外，根据发明的原理构造的显示装置已经通过阻挡潮气和/或外来颗粒通过开口区域和围绕开口区域的外围区域渗透到显示面板中的路径而改善了可靠性。
发明构思的附加特征将在以下描述中被阐述，并且部分地将通过该描述而明显，或者可以通过发明构思的实践而获知。
根据发明构思的方面，显示装置包括：基底，包括开口区域、围绕开口区域的外围区域以及围绕外围区域的显示区域；晶体管，设置在基底的显示区域上；第一电极，电连接到晶体管；中间层，与第一电极叠置；第二电极，设置在中间层上；第一坝，设置在基底的外围区域上；以及第一封装无机层，设置在第二电极上，其中，第一封装无机层在外围区域中与第一坝的侧面接触。
第一封装无机层可以与第一坝的上表面接触，并且显示装置还可以包括设置在基底的外围区域上的第二坝。
显示装置还可以包括：第一层，设置在第二坝上，并且其中，第一层可以包括与中间层的至少一部分的材料相同的材料。
中间层和第一层可以包括空穴传输层、空穴注入层、电子注入层和电子传输层中的至少一种。
第一封装无机层可以与第二坝的侧面接触，并且第一封装无机层可以与第二坝的上表面接触。
第一层可以与第一封装无机层接触。
显示装置还可以包括设置在第一坝与开口区域之间的一个或更多个第二层，并且所述一个或更多个第二层可以包括与中间层的至少一部分的材料相同的材料。
显示装置还可以包括设置在晶体管与基底之间的无机绝缘层，并且所述一个或更多个第二层暴露无机绝缘层。
基底的端部、无机绝缘层的端部和第一封装无机层的端部可以限定开口区域的内表面。
中间层以及所述一个或更多个第二层可以包括空穴传输层、空穴注入层、电子注入层和电子传输层中的至少一种。
显示装置还可以包括与第一坝的上表面的至少一部分叠置的第三层，并且第三层可以包括与中间层的至少一部分的材料相同的材料。
第三层的边缘与第一坝的上表面的边缘可以对齐。
显示装置还可以包括：封装有机层，设置在第一封装无机层上；以及第二封装无机层，设置在封装有机层上，并且其中，第一封装无机层和第二封装无机层可以在第一坝与开口区域之间彼此接触。
根据发明的另一方面，显示装置包括：基底，包括开口区域、围绕开口区域的外围区域以及围绕外围区域的显示区域；晶体管，设置在基底上；第一电极，电连接到晶体管；中间层，与第一电极叠置；第二电极，设置在中间层上；坝，设置在基底的外围区域上；以及第一封装无机层，设置在第二电极上并且与坝叠置，其中：中间层的一端和第二电极的一端与外围区域叠置，并且第一封装无机层覆盖中间层的一端和第二电极的一端并且与坝的侧面的至少一部分接触。
第一封装无机层可以完全覆盖坝的侧面。
第一封装无机层可以覆盖坝的上表面。
显示装置还可以包括设置在基底与晶体管之间的无机绝缘层，并且第一封装无机层可以在基底的外围区域上与无机绝缘层的至少一部分接触。
坝可以包括第一坝和第二坝，并且第一封装无机层可以与第一坝和第二坝中的至少任何一个的侧面接触。
中间层可以包括空穴传输层、空穴注入层、电子注入层和电子传输层中的至少一种。
显示装置还可以包括设置在第一封装无机层上的封装有机层和第二封装无机层，并且其中，在外围区域的至少一部分中，第一封装无机层和第二封装无机层可以彼此接触。
将理解是，前面的总体描述和下面的详细描述都是说明性和解释性的，并且意图提供对所要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
附图被包括以提供对发明的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了发明的说明性实施例，并且与说明书一起来解释发明构思。
图1是根据发明的原理构造的显示装置的实施例的分解透视图。
图2是图1的显示装置的示意性剖视图。
图3是示出图1的显示面板的一些构成元件的俯视平面图。
图4是图1和图3的区域A的放大俯视平面图。
图5A是图1的显示面板的示出显示面板的显示区域的剖视图，并且图5B是图1的显示面板的代表性像素的电路图。
图6、图7、图8、图9和图10分别是图1的显示面板的其它实施例的剖视图。
图11、图12、图13、图14和图15分别是示出制造工艺的图1的显示面板的剖视图。
具体实施方式
在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体的细节以提供对发明的各种实施例或实施方式的透彻理解。如在此所使用的“实施例”和“实施方式”是作为采用在此公开的一个或更多个发明构思的装置或方法的非限制性示例的可互换的词语。然而，明显的是，可以在没有这些具体细节或者具有一个或更多个等效布置的情况下实践各种实施例。在其它情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免不必要地模糊各种实施例。此外，各种实施例可以是不同的，但不必是排它性的。例如，在不脱离发明构思的情况下，可以在另一实施例中使用或实现实施例的特定形状、构造和特性。
除非另有说明，否则示出的实施例将被理解为提供可以在实践中实现发明构思的一些方式的变化的细节的说明性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离发明构思的情况下，可以另外组合、分离、互换和/或重新布置各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独或统称为“元件”)。
附图中的交叉影线和/或阴影的使用通常被提供为使相邻元件之间的边界清晰。如此，除非详细说明，否则交叉影线和/或阴影的存在或不存在都不传达或指示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述的目的，可能夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实现实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。此外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、连接到或结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有中间元件的物理连接、电气连接和/或流体连接。此外，DR1轴、DR2轴和DR3轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如x轴、y轴和z轴)，并且可以从更宽泛的意义上进行解释。例如，DR1轴、DR2轴和DR3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“选自于由X、Y和Z组成的组中的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个(种/者)或更多个(种/者)的任何组合(诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例)。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。
为了描述的目的，在此可以使用空间相对术语(诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下面”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“更高”、“侧面”(例如，如在“侧壁”中)等)由此来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。空间相对术语意图包含设备在使用、操作和/或制造中的除了附图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，术语“在……下方”可以包含上方和下方两种方位。此外，设备可以另外定位(例如，旋转90度或在其它方位)，如此，相应地解释在此使用的空间相对描述语。
在此使用的术语是为了描述特定实施例的目的，而不意图进行限制。如在此所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。此外，术语“包含”及其变型以及/或者“包括”及其变型用在本说明书中时说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还注意的是，如在此所使用的，术语“基本”、“约”和其它类似术语用作近似的术语而不是用作程度的术语，如此，它们被用于解释由本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
在此参照作为理想化实施例和/或中间结构的示意图的剖视图和/或分解图来描述各种实施例。如此，将预期由例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，在此公开的实施例不应一定被解释为限于具体示出的区域的形状，而是将包括由例如制造引起的形状的偏差。以这种方式，附图中示出的区域可以在本质上是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，如此，不一定意图进行限制。
除非另有定义，否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为一部分的领域中的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。术语(诸如在常用字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，而不应该以理想化或过于形式化的含义来进行解释，除非在此明确地如此定义。
此外，在整个说明书中，短语“在平面图中”表示从顶部观看目标部分，并且短语“在剖面上”表示从侧面观看通过竖直切割目标部分而形成的剖面。
在下文中，参照图1、图2和图3示意性地描述根据实施例的显示装置。图1是根据实施例的显示装置1000的分解透视图，图2是根据实施例的显示装置1000的示意性剖视图，图3是示出根据实施例的显示面板DP的一些构成元件的俯视平面图。
首先，参照图1和图2，显示装置1000在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面上朝向第三方向DR3显示图像。每个构件的正面(例如，顶部)和背面(例如，底部)由第三方向DR3区分。由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向是相对概念，并且可以转换成其它方向。
显示装置1000包括盖窗WU、显示面板DP和壳体构件HM。在实施例中，盖窗WU、显示面板DP和壳体构件HM被组合以构成显示装置1000。
盖窗WU设置在显示面板DP上以保护显示面板DP。盖窗WU可以包括透射区域TA和阻挡区域BA。透射区域TA是光学透明区域，并且可以是透射入射光的区域。阻挡区域BA可以是与透射区域TA相比具有相对低的透光率的区域。阻挡区域BA限定透射区域TA的形状。阻挡区域BA可以围绕透射区域TA。阻挡区域BA可以具有预定颜色。阻挡区域BA与显示面板DP的非显示区域PA叠置，以阻挡非显示区域PA从外部被视觉识别。
盖窗WU可以包括第一孔区域HA1和第二孔区域HA2。第一孔区域HA1和第二孔区域HA2中的每个可以与稍后描述的电子模块EM叠置。电子模块EM可以通过接收通过第一孔区域HA1和第二孔区域HA2提供的外部信号来操作。
根据实施例，第一孔区域HA1可以定位在透射区域TA中，第二孔区域HA2可以定位在阻挡区域BA中。然而，实施例不限于此。例如，第一孔区域HA1和第二孔区域HA2可以定位在同一区域中。例如，第一孔区域HA1和第二孔区域HA2都可以定位在透射区域TA中或在阻挡区域BA中。
在第一孔区域HA1和第二孔区域HA2中的每个中，可以限定从盖窗WU的后表面凹进的预定的凹进部分。凹进部分可以包括具有比盖窗WU的厚度大的深度的凹槽部分或开口区域。
第一孔区域HA1和第二孔区域HA2可以具有彼此不同的形状。第一孔区域HA1在平面图中可以具有圆形形状，第二孔区域HA2在平面图中可以具有具备沿着第一方向DR1延伸的长轴的椭圆形形状。然而，实施例不限于此。例如，可以对第一孔区域HA1和第二孔区域HA2的形状进行各种修改。
显示面板DP可以是平坦的刚性显示面板，但是实施例不限于此。例如，显示面板DP可以是柔性显示面板。根据实施例的显示面板DP可以是发光显示面板，并且不特别限于此。例如，显示面板DP可以是有机发光面板或量子点发光显示面板。有机发光面板的中间层可以包括有机发光材料。量子点发光显示面板的中间层可以包括量子点和/或量子棒。在下文中，显示面板DP被描述为有机发光面板。
显示面板DP在正面显示图像。显示面板DP的正面包括显示区域DA和非显示区域PA。图像显示在显示区域DA中。非显示区域PA可以围绕显示区域DA。
显示面板DP可以包括定位在显示区域DA中的多个像素PX。像素PX可以响应于电信号而显示光。由像素PX发射的光可以生成图像。一个像素PX中包括的晶体管和电容器的数量以及连接关系可以以不同的方式变化。
根据实施例的显示面板DP可以包括穿透显示面板DP的开口区域DTA。开口区域DTA可以定位在显示区域DA中。稍后描述其中定位有开口区域DTA的区域A。开口区域DTA可以与盖窗WU的第一孔区域HA1叠置。多个像素PX中的一些可以设置成围绕开口区域DTA。因此，也可以在与开口区域DTA相邻的区域中显示图像。
显示面板DP包括从显示区域DA延伸并包括多条信号线和垫部PAD(参照图3)的非显示区域PA。数据驱动器50可以定位在非显示区域PA中。根据实施例，非显示区域PA的垫部PAD可以电连接到包括驱动芯片80的印刷电路板PCB。稍后在图3中更详细地描述垫部PAD。
如图2中所示，附着显示面板DP和盖窗WU的粘合层AD可以定位在显示面板DP与盖窗WU之间。例如，还可以包括定位在显示面板DP与盖窗WU之间的触摸单元。触摸单元可以设置在显示面板DP上以提供显示装置1000的触摸屏功能。触摸单元可以一体地形成在显示面板DP上。触摸单元可以包括各种图案的触摸电极，并且可以是电阻膜型或电容型触摸单元。
电子模块EM包括用于操作显示装置1000的各种功能模块。电子模块EM可以通过连接器电连接到显示面板DP。例如，电子模块EM可以是相机、扬声器或者用于检测光或热的传感器。
电子模块EM可以包括第一电子模块EM1和第二电子模块EM2。第一电子模块EM1可以通过开口区域DTA和第一孔区域HA1检测外部物体。第一电子模块EM1可以接收通过开口区域DTA和第一孔区域HA1传送的外部输入，或者通过开口区域DTA和第一孔区域HA1提供输出。
例如，第一电子模块EM1可以是发光模块、光感测模块和拍摄模块中的至少任何一个。例如，第一电子模块EM1可以包括输出红外光的发光模块、用于红外检测的CMOS传感器和拍摄外部对象的相机模块中的至少一个。
第二电子模块EM2可以通过第二孔区域HA2收集诸如语音的声音信号，或者向外部提供诸如经处理的语音的声音信号。例如，第二电子模块EM2可以包括声学输入模块和声学输出模块中的至少一个。声学输入模块可以包括能够接收声学信号的麦克风。声学输出模块可以包括输出声音数据作为声音信号的扬声器。
然而，这通过示例的方式示出，并且电子模块EM可以由单个模块组成，还可以包括更多数量的电子模块，可以以各种布置关系布置，并且实施例不限于此。
壳体构件HM设置在显示面板DP下面。壳体构件HM与盖窗WU结合以形成显示装置1000的外部。壳体构件HM可以包含具有相对高刚度的材料。例如，壳体构件HM可以包括由玻璃、塑料和金属制成的多个框架和/或板。
壳体构件HM提供预定的容纳空间。显示面板DP可以容纳在容纳空间中以被保护免受外部冲击。
接下来，参照图3，显示面板DP包括基底SUB，基底SUB包括显示区域DA和非显示区域PA。可以沿着显示区域DA的边界限定非显示区域PA。
显示面板DP包括多个像素PX。多个像素PX可以在基底SUB上设置在显示区域DA中。每个像素PX包括发光元件和与发光元件连接的驱动电路部。每个像素PX发射例如红色、绿色和蓝色或白色的光，并且可以包括有机发光元件(例如，有机发光二极管)作为示例。
显示面板DP可以包括多条信号线和垫部PAD。多条信号线可以包括在第一方向DR1上延伸的扫描线SL以及在第二方向DR2上延伸的数据线DL和驱动电压线PL。
扫描驱动器20生成扫描信号并通过扫描线SL将扫描信号传送到每个像素PX。根据实施例，扫描驱动器20可以设置在显示区域DA的左侧和右侧上。本说明书描述了其中扫描驱动器20设置在基底SUB的两侧上的结构。然而，实施例不限于此。例如，在另一实施例中，扫描驱动器可以仅设置在基底SUB的一侧上。
垫部PAD设置在显示面板DP的一端上，并且包括多个端子P1、P2、P3和P4。垫部PAD被暴露而没有被绝缘层覆盖，并且可以电连接到印刷电路板PCB。垫部PAD可以电连接到印刷电路板PCB的垫部PCB_P。印刷电路板PCB可以将驱动芯片80的信号或电力传送到垫部PAD。
控制器将从外部传送的多个图像信号转换为多个图像数据信号，并通过端子P1将转换后的信号传送到数据驱动器50。另外，控制器可以接收垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号，产生用于控制扫描驱动器20和数据驱动器50的驱动功能的控制信号，并且通过端子P1和P3将控制信号发送到扫描驱动器20和数据驱动器50中的每个。控制器通过端子P2将驱动电压ELVDD(见图5B)传送到驱动电压供应布线60。另外，控制器通过端子P4将共电压ELVSS传送到每条共电压供应布线70。
数据驱动器50设置在非显示区域PA中，并且生成数据信号并将该数据信号传送到每个像素PX。例如，数据驱动器50可以设置在显示面板DP的一侧，并且可以设置在垫部PAD与显示区域DA之间。
驱动电压供应布线60设置在非显示区域PA中。例如，驱动电压供应布线60可以设置在数据驱动器50与显示区域DA之间。驱动电压供应布线60向像素PX提供驱动电压ELVDD。驱动电压供应布线60可以在第一方向DR1上延伸，并且可以连接到在第二方向DR2上延伸的多条驱动电压线PL。
共电压供应布线70设置在非显示区域PA中。共电压供应布线70可以具有围绕基底SUB的形状。共电压供应布线70将共电压ELVSS传送到包括在像素PX中的发光元件的一个电极(例如，第二电极)。
接着，参照图4描述包括图3中所示的开口区域DTA的区域A。图4是图1和图3的区域A的放大俯视平面图。
和上述附图一起参照图4，显示面板DP包括设置在基底SUB上的多条信号线SL和DL以及多个像素PX。多个像素PX中的每个可以连接到多条信号线SL和DL。图4以多条信号线之中的扫描线SL和数据线DL为例进行描述。然而，这是作为示例示出的，并且根据实施例的每个像素PX可以另外连接到各种信号线，并且实施例不限于此。
包括在显示面板DP中的孔区域HA包括开口区域DTA和围绕开口区域DTA的外围区域LA。
外围区域LA是围绕开口区域DTA的外围的区域。可以设置外围区域LA以防止在照射激光以形成开口区域DTA时损坏布线。外围区域LA可以具有最小的恒定宽度以保护布线免受激光的影响。例如，外围区域LA包括坝D1和D2。
扫描线SL和数据线DL可以具有半圆形结构，与外围区域LA叠置，并且绕过开口区域DTA。多条扫描线SL在水平方向上(例如，在第一方向DR1上)延伸并沿着开口区域DTA的外围弯曲。这里，多条扫描线SL可以包括用于扫描信号的扫描线、用于光发射控制信号的光发射控制线、用于初始化电压的初始化电压线等。多条数据线DL在竖直方向上(例如，在第二方向DR2上)延伸，并且沿着开口区域DTA的外围弯曲。多条数据线DL可以由用于驱动电压的驱动电压线和用于驱动低电压的驱动低电压线组成。根据实施例，可以改变多条扫描线SL和多条数据线DL。
在下文中，参照图5A和图5B描述包括在显示面板DP中的显示区域DA。图5A是与显示区域DA对应的显示面板DP的剖视图，图5B是根据实施例的一个像素PX的电路图。
首先，参照图5A基于显示区域DA来描述堆叠结构。
根据实施例的基底SUB可以包括无机绝缘材料(例如，玻璃)或有机绝缘材料(例如，诸如聚酰亚胺(PI)的塑料)。基底SUB可以是单层结构或多层结构。基底SUB可以具有通过交替地堆叠至少一个基体层和至少一个无机层而形成的结构。例如，所述至少一个基体层可以包括顺序地堆叠的聚合物树脂。
基底SUB可以具有各种程度的柔性。基底SUB可以是刚性基底或者能够弯折、折叠或卷曲的柔性基底。
缓冲膜(或称为缓冲层)BF可以定位在基底SUB上。缓冲膜BF阻挡杂质从基底SUB转移或渗透到缓冲膜BF的上层(例如，半导体层ACT)，从而防止半导体层ACT的特性劣化并减小应力。缓冲膜BF可以包括无机绝缘材料(诸如氮化硅或氧化硅)或者有机绝缘材料。可以省略缓冲膜BF中的一些或全部。
半导体层ACT定位在缓冲层BF上。半导体层ACT可以包括多晶硅和氧化物半导体之中的至少一种。半导体层ACT包括沟道区C、第一区域P和第二区域Q。第一区域P和第二区域Q分别设置在沟道区C的两侧上。沟道区C可以包括具有与第一区域P和第二区域Q相比以较低掺杂浓度掺杂的少量杂质的半导体。第一区域P和第二区域Q可以包括具有与沟道区C相比以较高掺杂浓度掺杂的大量杂质的半导体。半导体层ACT可以由氧化物半导体制成，并且在这种情况下，可以添加单独的保护层以保护易受外部环境(诸如，高温)影响的氧化物半导体材料。
第一无机绝缘层IL1设置在半导体层ACT上。第一无机绝缘层IL1可以具有包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的单层结构或多层结构。
本说明书描述了其中第一无机绝缘层IL1与基底SUB的整个表面叠置的实施例，但是实施例不限于此，并且可以与稍后将描述的栅电极GE和第一电容器电极CE1具有相同的边缘。
栅电极GE和第一电容器电极CE1定位在第一无机绝缘层IL1上。栅电极GE和第一电容器电极CE1可以具有其中堆叠有包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)和钼合金中的任何一种的金属膜的单层结构或多层结构。栅电极GE可以与半导体层ACT的沟道区C叠置。
第二无机绝缘层IL2定位在栅电极GE和第一无机绝缘层IL1上。第二无机绝缘层IL2可以具有包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的单层结构或多层结构。
上电极UE和第二电容器电极CE2定位在第二无机绝缘层IL2上。第二电容器电极CE2和上电极UE可以是由一个导电图案形成的不同部分。可选地，第二电容器电极CE2与上电极UE可以电连接。
第二电容器电极CE2和上电极UE可以是其中堆叠有包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)和钼合金中的任何一种的金属膜的单层或多层。
第三无机绝缘层IL3定位在上电极UE和第二电容器电极CE2上。第三无机绝缘层IL3可以是包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层。
源电极SE和漏电极DE定位在第三无机绝缘层IL3上。源电极SE和漏电极DE通过形成在第三无机绝缘层IL3以及第一无机绝缘层IL1和第二无机绝缘层IL2中的接触孔分别连接到半导体层ACT的第一区域P和第二区域Q。
源电极SE和漏电极DE可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)等，并且可以是单层结构或多层结构。
第一有机绝缘层IL4和第二有机绝缘层IL5顺序地定位在第三无机绝缘层IL3、源电极SE和漏电极DE上。第一有机绝缘层IL4和第二有机绝缘层IL5可以包括有机绝缘材料，诸如通用的聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、诸如聚酰亚胺的酰亚胺类聚合物和硅氧烷类聚合物。
连接构件CE可以定位在第一有机绝缘层IL4与第二有机绝缘层IL5之间。连接构件CE可以将漏电极DE和第一电极E1连接。然而，实施例不限于此，并且根据实施例，漏电极DE和第一电极E1可以在没有连接构件CE的情况下直接连接。
第一电极E1定位在第二有机绝缘层IL5上。第一电极E1通过第二有机绝缘层IL5中的接触孔连接到连接构件CE。第一电极E1电连接到漏电极DE。
第一电极E1可以包括诸如银(Ag)、锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)和金(Au)的金属，并且第一电极E1还可以包括诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物(TCO)。第一电极E1可以由包含金属材料或透明导电氧化物的单层或者包含金属材料和透明导电氧化物的多层组成。例如，第一电极E1可以具有氧化铟锡(ITO)/银(Ag)/氧化铟锡(ITO)的三层结构。
由栅电极GE、半导体层ACT、源电极SE和漏电极DE组成的晶体管连接到第一电极E1，以向发光元件ED供应电流。
像素限定层IL6和间隔件IL7定位在第二有机绝缘层IL5和第一电极E1上。
像素限定层IL6与第一电极E1的至少一部分叠置，并且具有限定发光区域的开口。开口可以具有与第一电极E1的平面形状类似的平面形状。开口可以在平面图中具有菱形或类似于的菱形的八边形形状，但不限于此，并且可以具有诸如四边形、其它多边形、圆形或椭圆形的任何形状。
像素限定层IL6和间隔件IL7可以包括有机绝缘材料，诸如通用的聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、诸如聚酰亚胺的酰亚胺类聚合物和硅氧烷类聚合物。
中间层EL定位在与开口叠置的第一电极E1上。根据实施例的中间层EL可以包括发射层和功能层。
中间层EL可以产生预定颜色的光。在描述中，中间层EL被示出为定位在显示区域DA和外围区域LA中，但是中间层EL中的至少一些可以仅定位在显示区域DA中而不定位在外围区域LA中。例如，可以通过使用掩模将发射层形成为仅定位在像素限定层IL6的开口内。例如，发射层定位在显示区域DA中而不定位在外围区域LA中。功能层可以定位在显示区域DA和外围区域LA中。
发射层可以包括有机材料和/或无机材料。此外，功能层可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)之中的至少一种。功能层可以定位在第一电极E1与发射层之间，或者可以定位在发射层与第二电极E2之间。功能层可以具有与基底SUB的整个表面叠置的形状。功能层可以设置为遍及多个像素PX。
本说明书描述了其中中间层EL与基底SUB的整个表面叠置的形式，这示出了其中功能层与基底SUB的整个表面叠置的实施例。例如，如上所述，发射层可以仅形成在像素限定层IL6的开口内。
第二电极E2定位在中间层EL上。第二电极E2可以包括反射金属(包括钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)等)或者透明导电氧化物(TCO)(诸如，氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO))。
第一电极E1、中间层EL和第二电极E2可以构成发光元件ED。这里，第一电极E1可以是作为空穴注入电极的阳极，第二电极E2可以是作为电子注入电极的阴极。然而，在实施例中，根据显示装置1000的驱动方法，第一电极E1可以是阴极，第二电极E2可以是阳极。
空穴和电子分别从第一电极E1和第二电极E2注入到中间层EL中，并且当注入的空穴和电子结合的激子从激发态下降到基态时发生光发射。
封装层ENC定位在第二电极E2上。封装层ENC可以覆盖发光元件ED的侧面以及上表面，从而密封发光元件ED。封装层ENC对发光元件ED进行密封以阻挡潮气和/或氧气从外部流入或渗透。
封装层ENC可以包括多个层，并且可以由包括无机层和有机层两者的复合膜形成。例如，封装层ENC可以由其中顺序地形成有第一封装无机层EIL1、封装有机层EOL和第二封装无机层EIL2的三层形成。
第一封装无机层EIL1可以覆盖第二电极E2。第一封装无机层EIL1可以防止外部潮气和/或氧气渗透到发光元件ED中。例如，第一封装无机层EIL1可以包括氮化硅、氧化硅或它们的组合化合物。第一封装无机层EIL1可以通过沉积工艺形成。
封装有机层EOL设置在第一封装无机层EIL1上，并且可以与第一封装无机层EIL1接触。形成在第一封装无机层EIL1的上表面上的弯曲表面或不平坦表面或者在第一封装无机层EIL1上的颗粒被封装有机层EOL覆盖，使得封装有机层EOL的上表面是基本平坦的。因此，能够防止形成在封装有机层EOL上的组件受到第一封装无机层EIL1的不平坦的上表面或第一封装无机层EIL1上的颗粒的影响。另外，封装有机层EOL可以减小接触层之间的应力。封装有机层EOL可以包括有机材料，并且可以通过诸如旋涂工艺、狭缝涂覆工艺或喷墨工艺的溶液工艺形成。
第二封装无机层EIL2设置在封装有机层EOL上以覆盖封装有机层EOL。第二封装无机层EIL2可以稳定地形成在相对平坦的表面上，而不是设置在第一封装无机层EIL1上。第二封装无机层EIL2可以对封装有机层EOL进行封装，以防止潮气从外部流入或渗透到封装有机层EOL中。第二封装无机层EIL2可以包括氮化硅、氧化硅或它们的组合化合物。第二封装无机层EIL2可以通过沉积工艺形成。
例如，可以进一步包括定位在第二电极E2与封装层ENC之间的盖层。盖层可以包括有机材料。盖层保护第二电极E2免受后续工艺(例如，溅射工艺)的影响，并且改善发光元件ED的光发射效率。盖层可以具有比第一封装无机层EIL1的折射率大的折射率。
尽管上面已经描述了包括在一个像素PX中的晶体管中的一个，但是每个像素PX可以包括多个晶体管。接下来，参照图5B描述每个像素PX中包括的多个晶体管的示例。
如图5B中所示，根据实施例的显示装置的一个像素PX包括连接到若干布线127、128、151、152、153、154、155、171、172和741的多个晶体管、存储电容器Cst以及发光二极管LED。例如，多个晶体管可以包括以驱动晶体管T1的形式的第一晶体管、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7和第八晶体管T8。
多条布线127、128、151、152、153、154、155、171、172和741连接到一个像素PX。多条布线包括第一初始化电压线127、第二初始化电压线128、第一扫描信号线151、第二扫描信号线152、初始化控制线153、旁路控制线154、光发射控制线155、数据线171、驱动电压线172和共电压线741。
第一扫描信号线151连接到栅极驱动器，并且将第一扫描信号GW传送到第二晶体管T2。与施加到第一扫描信号线151的电压极性相反的电压可以与第一扫描信号线151的信号在同一时刻施加到第二扫描信号线152。例如，当将负电压施加到第一扫描信号线151时，正电压可以施加到第二扫描信号线152。第二扫描信号线152将第二扫描信号GC传送到第三晶体管T3。
初始化控制线153将初始化控制信号GI传送到第四晶体管T4。旁路控制线154将旁路信号GB传送到第七晶体管T7和第八晶体管T8。旁路控制线154可以由前一级的第一扫描信号线151形成。光发射控制线155将光发射控制信号EM传送到第五晶体管T5和第六晶体管T6。
数据线171是传送从数据驱动器50产生的数据电压DATA的布线，并且由发光二极管LED产生的亮度根据施加到像素PX的数据电压DATA而改变。
驱动电压线172施加驱动电压ELVDD。第一初始化电压线127传送第一初始化电压VINT1，并且第二初始化电压线128传送第二初始化电压VINT2。共电压线741将共电压ELVSS施加到发光二极管LED的阴极。在实施例中，施加到驱动电压线172、第一初始化电压线127和第二初始化电压线128以及共电压线741的电压可以分别是基本恒定的电压。
多个晶体管可以包括包含氧化物半导体的氧化物晶体管和包含多晶硅半导体的硅晶体管。例如，第三晶体管T3和第四晶体管T4可以由氧化物晶体管制成，并且驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7和第八晶体管T8可以由硅晶体管制成。然而，实施例不限于此，并且多个晶体管可以全部由硅晶体管形成。
在上文中，已经描述了一个像素PX包括八个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7和T8、一个存储电容器Cst以及发光二极管LED，但是实施例不限于此，并且晶体管和电容器的数量以及它们的连接关系可以以许多方式改变。
接下来，参照图6描述根据实施例的设置在外围区域LA中的显示面板DP的剖视图。图6是根据实施例的外围区域LA的剖视图。省略了与上面描述中相同的构成元件的描述。
首先，在外围区域LA中，缓冲层BF、第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2和第三无机绝缘层IL3可以设置在基底SUB上。缓冲层BF、第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2和第三无机绝缘层IL3可以从显示区域DA延伸。说明书描述了其中缓冲层BF、第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2和第三无机绝缘层IL3延伸到外围区域LA的实施例，然而，实施例不限于此，并且可以修改为其中缓冲层BF、第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2和第三无机绝缘层IL3中的至少一个延伸到外围区域LA的各种形状。
至少两个坝D1和D2可以定位在外围区域LA中。例如，第一坝D1和第二坝D2可以按顺序定位为与显示区域DA相邻。第一坝D1和第二坝D2可以定位在外围区域LA中，并且可以定位在第三无机绝缘层IL3上。
第一坝D1可以包括第一-第一子坝D1-a、第一-第二子坝D1-b和第一-第三子坝D1-c。设置在外围区域LA中的第一-第一子坝D1-a和设置在显示区域DA中的第二有机绝缘层IL5可以定位在同一层上，并且可以包括相同的材料。例如，外围区域La中的第一-第一子坝D1-a和第二有机绝缘层IL5可以由相同的材料形成。第一-第一子坝D1-a可以以与形成定位在显示区域DA中的第二有机绝缘层IL5的工艺相同的工艺形成。第一-第二子坝D1-b可以包括与定位在显示区域DA中的像素限定层IL6的材料相同的材料。第一-第二子坝D1-b可以以与形成定位在显示区域DA中的像素限定层IL6的工艺相同的工艺形成。例如，第一-第二子坝D1-b和像素限定层IL6可以由相同的材料形成。第一-第三子坝D1-c可以包括与设置在显示区域DA中的间隔件IL7的材料相同的材料。例如，第一-第三子坝D1-c和间隔件IL7可以由相同的材料形成。第一-第三子坝D1-c可以以与形成定位在显示区域DA中的间隔件IL7的工艺相同的工艺形成。然而，第一坝D1可以不限于这些材料和位置。
第二坝D2可以包括第二-第一子坝D2-a、第二-第二子坝D2-b和第二-第三子坝D2-c。设置在外围区域LA中的第二-第一子坝D2-a可以包括与设置在显示区域DA中的第二有机绝缘层IL5的材料相同的材料。例如，第二-第一子坝D2-a和第二有机绝缘层IL5可以由相同的材料形成。第二-第一子坝D2-a可以以与形成设置在显示区域DA中的第二有机绝缘层IL5的工艺相同的工艺形成。第二-第二子坝D2-b可以包括与设置在显示区域DA中的像素限定层IL6的材料相同的材料。例如，第二-第二子坝D2-b和像素限定层IL6可以由相同的材料形成。第二-第二子坝D2-b可以以与形成设置在显示区域DA中的像素限定层IL6的工艺相同的工艺形成。第二-第三子坝D2-c可以以与形成设置在显示区域DA中的间隔件IL7的工艺相同的工艺形成。例如，第二-第三子坝D2-c和间隔件IL7可以由相同的材料形成。第二-第三子坝D2-c可以以与形成设置在显示区域DA中的间隔件IL7的工艺相同的工艺形成。然而，第二坝D2可以不限于这些材料和层。
说明书描述了其中第一坝D1和第二坝D2以三层结构形成的实施例。然而，实施例不限于此，并且作为示例，其中堆叠形状变形的各种形状变化可以是可能的，如第一坝D1形成为三层结构并且第二坝D2形成为四层结构。另外，尽管本说明书描述了其中两个坝D1和D2定位在外围区域LA中的实施例，但是坝的数量不限于此。例如，两个或更多个坝可以定位在外围区域LA中。或者，可以省略第二坝D2，使得仅第一坝D1定位在外围区域LA中。
例如，如图4中所示，第一坝D1和第二坝D2在平面图中具有围绕开口区域DTA的环形形状。例如，参照图4和图6，第一坝D1的尺寸(例如，直径)大于第二坝D2的尺寸(例如，直径)。然而，这是形状的示例，并且第一坝D1和第二坝D2可以具有与开口区域DTA的形状不同的形状。例如，第一坝D1和第二坝D2可以具有包括多边形、椭圆形或者包括至少一些曲线的闭合线形状的形状，或者可以设置为包括部分地断开的多个图案的形状，并且实施例不限于此。
中间层EL可以从显示区域DA延伸到外围区域LA的一部分。定位在中间层EL上的第二电极E2可以从显示区域DA延伸到外围区域LA的一部分。第二电极E2的一端可以形成为包括毛刺的形状。具有相当薄的厚度的第二电极E2可以具有其中第二电极E2的一端由于从激光传递的热量而卷起的形状。
除了第二电极E2的从显示区域DA延伸到外围区域LA的部分之外，由与第二电极E2的材料相同的材料形成的任何层可以不设置在外围区域LA中。
在外围区域LA中，可以设置第一层L1(即，L1-a、L1-b和L1-c)以及第二层L2-a、L2-b和L2-c。第一层L1以及第二层L2-a、L2-b和L2-c可以包括与中间层EL的至少一部分的材料相同的材料。例如，第一层L1以及第二层L2-a、L2-b和L2-c可以由相同的材料形成。第一层L1以及第二层L2-a、L2-b和L2-c可以包括包含在中间层EL中的多个功能层和发射层中的至少一种。第一层L1以及第二层L2-a、L2-b和L2-c可以包括包含在功能层中的空穴传输层、空穴注入层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。第一层L1以及第二层L2-a、L2-b和L2-c可以以与形成中间层EL的工艺相同的工艺形成。
第一层L1可以与第二坝D2叠置。第一层L1可以覆盖第二坝D2的侧表面和上表面。第一层L1可以与第二坝D2的侧表面和上表面接触。
第一层L1可以包括第一部分L1-a、第二部分L1-b和第三部分L1-c。例如，第一部分L1-a可以设置在第一坝D1与第二坝D2之间和第二坝D2与开口区域DTA之间。第二部分L1-b可以与第二坝D2的侧表面叠置。第三部分L1-c可以与第二坝D2的上表面叠置。第一部分L1-a可以具有从第二部分L1-b延伸的形状。根据实施例，第一部分L1-a可以定位在第三无机绝缘层IL3上。根据实施例，第一部分L1-a的长度可以增大或减小。第二部分L1-b可以与第二坝D2的侧表面接触。第三部分L1-c可以与第二坝D2的上表面接触。
多个第二层L2-a、L2-b和L2-c可以设置在第二坝D2与开口区域DTA之间。第二层L2-a、L2-b和L2-c可以设置在第三无机绝缘层IL3上，但是实施例不限于此，并且可以根据外围区域LA的堆叠结构定位在一个无机绝缘层上。多个第二层L2-a、L2-b和L2-c可以彼此间隔开。本说明书描述了其中三个第二层L2-a、L2-b和L2-c设置在外围区域LA中的构造，但是实施例不限于此，并且至少一个或更多个第二层可以设置在外围区域LA中。此外，根据实施例，可以省略第二层L2-a、L2-b和L2-c。
在根据实施例的外围区域LA中，可以设置从显示区域DA延伸并以相同工艺形成的中间层EL的一端、第一层L1以及多个第二层L2-a、L2-b和L2-c。中间层EL的所述一端、第一层L1以及多个第二层L2-a、L2-b和L2-c可以例如在平面图中彼此间隔开。
根据实施例，中间层EL可以经由置于中间层EL与第一层L1之间的第一坝D1而与第一层L1断开。第一层L1可以与多个第二层L2-a、L2-b和L2-c在第二坝D2与开口区域DTA之间断开。潮气和/或外来颗粒可以沿着包括有机材料的中间层EL、第一层L1以及第二层L2-a、L2-b和L2-c移动。然而，根据实施例的中间层EL、第一层L1以及第二层L2-a、L2-b和L2-c具有断开的形状。因此，可以通过阻挡其中潮气和/或外来颗粒移动的路径来防止潮气和/或外来颗粒流入显示区域DA中。
例如，覆盖第二电极E2的一端的第一封装无机层EIL1、封装有机层EOL以及定位在封装有机层EOL上的第二封装无机层EIL2可以堆叠在显示区域DA的一端与定位在外围区域LA中的第一坝D1之间。例如，第一封装无机层EIL1和第二封装无机层EIL2可以堆叠在第一坝D1与开口区域DTA之间。
第一封装无机层EIL1可以与第一坝D1的侧表面和上表面接触。第一封装无机层EIL1可以与定位在第二坝D2上的第一层L1接触。第一封装无机层EIL1可以与多个第二层L2-a、L2-b和L2-c接触。第二封装无机层EIL2可以在第一坝D1与开口区域DTA之间直接设置在第一封装无机层EIL1上。第一封装无机层EIL1和第二封装无机层EIL2可以在第一坝D1与开口区域DTA之间彼此接触。
由于根据实施例的第一坝D1的侧面被第一封装无机层EIL1覆盖，所以能够防止潮气和/或外来物质通过第一坝D1的侧面流入显示区域DA中。
开口区域DTA可以配备有上面描述的第一电子模块EM1。开口区域DTA的内表面可以由基底SUB的端部、缓冲层BF的端部、第一无机绝缘层IL1的端部、第二无机绝缘层IL2的端部、第三无机绝缘层IL3的端部、第一封装无机层EIL1的端部和第二封装无机层EIL2的端部限定。基底SUB的端部、缓冲层BF的端部、第一无机绝缘层IL1的端部、第二无机绝缘层IL2的端部、第三无机绝缘层IL3的端部、第一封装无机层EIL1的端部和第二封装无机层EIL2的端部彼此对齐以形成开口区域DTA。根据实施例，可以省略缓冲层BF、第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2和第三无机绝缘层IL3中的至少一个。
根据实施例，其中包括与中间层EL的材料相同的材料的层被断开的区域可以定位在第一坝D1的侧表面和上表面上以及第三无机绝缘层IL3上。当其中包括与中间层EL的材料相同的材料的层被断开的区域仅定位在第三无机绝缘层IL3上时，该区域定位在第一坝D1与第二坝D2之间，或者定位在第二坝D2与开口区域DTA之间以阻挡渗透路径。根据实施例，第一坝D1与第二坝D2之间的距离增大，或者第二坝D2与开口区域DTA之间的距离增大，从而增大由外围区域LA占据的面积。然而，根据实施例，由于用于阻挡渗透路径的区域也定位在第一坝D1的侧表面和上表面上，所以可以减小外围区域LA(例如，无效空间)的面积。另外，由于封装无机层EIL1和EIL2直接设置在第一坝D1或第二坝D2的侧表面或上表面上，所以可以防止外来颗粒的再吸附或再流入，并且可以阻挡潮气和/或外来物质的渗透路径。
接下来，参照图7、图8、图9和图10描述根据实施例的显示面板DP的剖面。图7、图8、图9和图10分别是根据实施例的显示面板DP的剖视图。
参照图7，根据实施例的显示装置可以包括设置在外围区域LA中的多个第二层L2-a、L2-b和L2-c。多个第二层L2-a、L2-b和L2-c可以包括与中间层EL的至少一部分的材料相同的材料。例如，多个第二层L2-a、L2-b和L2-c以及中间层EL可以由相同的材料形成。在形成中间层EL的工艺中，可以同时形成多个第二层L2-a、L2-b和L2-c。在第一坝D1和第二坝D2上没有形成包括与中间层EL的材料相同的材料的层。包括与中间层EL的材料相同的材料的层可以具有从第一坝D1到第二坝D2的断开的形状。例如，多个第二层L2-a、L2-b和L2-c可以在平面图中沿着开口区域DTA的内表面延伸。多个第二层L2-a、L2-b和L2-c可以在平面图中具有拥有彼此不同的尺寸(例如，直径)的闭合线形状(例如，环形、多边形和/或椭圆形)。可选地，多个第二层L2-a、L2-b和L2-c可以在平面图中具有包括彼此部分地断开的多个图案的形状。根据实施例，还可以省略多个第二层L2-a、L2-b和L2-c。
第一封装无机层EIL1可以与第一坝D1的侧表面和上表面以及第二坝D2的侧表面和上表面接触。此外，第一封装无机层EIL1可以与暴露在第一坝D1与第二坝D2之间的第三无机绝缘层IL3接触。
根据实施例，坝D1和D2的上表面和侧表面都被第一封装无机层EIL1覆盖，因此能够阻挡潮气和/或外来颗粒渗透穿过的路径。
参照图8，根据实施例的显示装置可以包括延伸为与第一坝D1的在第一坝D1与显示区域DA之间的一侧相邻的中间层EL的端部和延伸为与第一坝D1的另一侧相邻的第一层L1的端部。第一层L1可以包括设置在第三无机绝缘层IL3上的第一部分L1-a、设置在第二坝D2的侧面上的第二部分L1-b以及设置在第二坝D2的上表面上的第三部分L1-c。例如，第一部分L1-a可以延伸为与第一坝D1相邻。例如，第一层L1以及多个第二层L2-a、L2-b和L2-c可以在平面图中沿着开口区域DTA的内表面延伸。第一层L1以及多个第二层L2-a、L2-b和L2-c可以在平面图中具有拥有彼此不同的尺寸(例如，直径)的闭合线形状(例如，环形、多边形和/或椭圆形)。可选地，第一层L1以及多个第二层L2-a、L2-b和L2-c可以在平面图中具有包括彼此部分地断开的多个图案的形状。包含与中间层EL的材料相同的材料的层可以在第一坝D1的侧表面和上表面上具有断开的形状。第一坝D1的侧表面和上表面可以被第一封装无机层EIL1覆盖。潮气和/或外来物质渗透通过的路径可以在第一坝D1的侧表面和上表面上被阻挡。
参照图9，根据实施例的显示装置还可以包括设置在第一坝D1的上表面上的第三层L3。第三层L3可以与第一坝D1的上表面具有基本相同的边缘。第三层L3可以包括与中间层EL的至少一部分的材料相同的材料。例如，第三层L3和中间层EL可以由相同的材料形成。例如，第三层L3可以包括包含在中间层EL中的空穴传输层、空穴注入层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。第三层L3可以以与形成中间层EL的工艺相同的工艺形成。例如，第一层L1、多个第二层L2-a、L2-b和L2-c以及第三层L3可以在平面图中沿着开口区域DTA的内表面延伸。第一层L1、多个第二层L2-a、L2-b和L2-c以及第三层L3可以在平面图中具有拥有彼此不同的尺寸(例如，直径)的闭合线形状(例如，环形、多边形和/或椭圆形)。可选地，第一层L1、多个第二层L2-a、L2-b和L2-c以及第三层L3可以在平面图中具有包括彼此部分地断开的多个图案的形状。
根据实施例，包括与中间层EL的材料相同的材料的层可以在第一坝D1的侧面、与第一坝D1相邻的第三无机绝缘层IL3的上表面以及在第二坝D2与开口区域DTA之间的第三无机绝缘层IL3的上表面上具有断开形状。潮气和/或外来物质渗透穿过的路径可以在多个区域中被阻挡。
参照图10，根据实施例的显示装置还可以包括设置在第一坝D1的上表面上的第三层L3。第三层L3可以包括与中间层EL的至少一部分的材料相同的材料。例如，第三层L3和中间层EL可以由相同的材料形成。第三层L3可以以与形成中间层EL的工艺相同的工艺形成。
第三层L3的尺寸(例如，面积)可以小于第一坝D1的上表面的尺寸(例如，面积)。第一坝D1的上表面的一部分可以与第三层L3叠置，并且第一坝D1的上表面的其余部分可以不与第三层L3叠置以被暴露。
根据实施例，包括与中间层EL的材料相同的材料的层可以在第一坝D1侧面、第一坝D1的上表面的一部分、与第一坝D1相邻的第三无机绝缘层IL3的上表面以及在第二坝D2与开口区域DTA之间的第三无机绝缘层IL3的上表面上具有断开的形状。潮气和/或外来物质渗透通过的路径可以在多个区域中被阻挡。
在下文中，参照图11、图12、图13、图14和图15描述根据实施例的显示面板DP的制造方法。图11、图12、图13、图14和图15分别是根据制造工艺的显示面板DP的剖视图。
首先，如图11中所示，在根据实施例的显示装置中，形成与显示区域DA叠置并设置在基底SUB上的晶体管以及电连接到该晶体管的第一电极E1。可以通过使导电材料图案化来形成晶体管和第一电极E1。
可以在第二有机绝缘层IL5和第一电极E1上形成像素限定层IL6和间隔件IL7。可以将像素限定层IL6形成为包括暴露第一电极E1的至少一部分的开口。同时，可以在外围区域LA中形成第一坝D1和第二坝D2。第一坝D1和第二坝D2可以形成为包括有机材料的多层结构。
接下来，形成覆盖第一坝D1的上表面和侧面以及第三无机绝缘层IL3的一部分的第一牺牲层S1。形成设置在第三无机绝缘层IL3上的多个第二牺牲层S2-a、S2-b、S2-c和S2-d。
根据实施例的第一牺牲层S1可以延伸到第三无机绝缘层IL3的上表面以及第一坝D1的上表面和侧表面。然而，第一牺牲层S1的形状不限于此，并且第一牺牲层S1的形状可以以各种形式修改，以提供根据图6、图7、图8、图9和图10的实施例的显示面板DP。为了制造根据图7的显示面板DP，可以设置第一牺牲层S1以覆盖第一坝D1和第二坝D2以及在第一坝D1与第二坝D2之间的第三无机绝缘层IL3的上表面。为了制造根据图8的显示面板DP，可以将第一牺牲层S1形成为与第一坝D1的上表面和侧表面叠置。为了制造根据图9的显示面板DP，第一牺牲层S1可以具有与第一坝D1的侧面和第三无机绝缘层IL3的上表面的一部分叠置的形状。为了制造根据图10的显示面板DP，第一牺牲层S1可以具有与第一坝D1的上表面的一部分和侧面以及第三无机绝缘层IL3的上表面的一部分叠置的形状。
第一牺牲层S1可以与第一坝D1的侧面叠置。在将激光照射到牺牲层的工艺中，会产生预定的外来物质。当第一坝D1的侧面被暴露时，外来物质会粘附到第一坝D1的侧面。当第一封装无机层EIL1和第二封装无机层EIL2沉积在粘附的外来物质上时，在第一封装无机层EIL1和第二封装无机层EIL2上产生裂纹，这会成为潮气和/或外来颗粒渗透的路径。然而，根据实施例，当第一牺牲层S1与第一坝D1的侧面叠置时，可以防止在将激光照射到牺牲层的工艺中产生的外来物质粘附到第一坝D1的侧面。因此，可以防止第一封装无机层EIL1和/或第二封装无机层EIL2的裂纹。由此可以防止潮气和/或外来颗粒的渗透路径。
第一牺牲层S1以及多个第二牺牲层S2-a、S2-b、S2-c和S2-d中的每个可以包括金属材料，并且例如，可以包括银(Ag)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任何一种。
接下来，如图12中所示，通过沉积工艺在基底SUB上形成中间材料层EL-a和第二电极材料层E2-a。
中间材料层EL-a可以包括通过使用掩模形成为仅定位在像素限定层IL6的开口中的发射层和形成为与基底SUB的整个表面叠置的功能材料层。功能材料层可以包括形成上面描述的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)之中的至少一种的材料层。
例如，在说明书中，未单独示出仅定位在像素限定层IL6的开口中的发射层，并且中间材料层EL-a被示出为与基底SUB的整个表面叠置。这意味着功能材料层与基底SUB的整个表面叠置，并且省略了仅定位在像素限定层IL6的开口中的发射层。
接下来，如图13中所示，将激光LASER照射到外围区域LA的一部分。根据实施例，由激光照射的区域IRA可以用具有不同能量密度的激光照射。例如，可以对定位有牺牲层S1、S2-a、S2-b、S2-c和S2-d的区域照射具有高能量密度的激光(a)。可以对其它区域照射具有低能量密度的激光(b)。
照射的激光的能量密度可以小于约1500mJ/cm2。小于约1500mJ/cm2的照射的激光的能量密度可以防止绝缘层和像素限定层的碳化。此外，照射的激光的光束的尺寸和相邻的激光的光束之间的间隔可以根据设计而改变。
例如，激光可以当在从显示区域DA到其中将形成有开口区域DTA的区域的方向上或者在从其中将形成有开口区域DTA的区域到显示区域DA的方向上移动时，在第三方向DR3上照射。由于根据实施例的第一牺牲层S1覆盖第一坝D1的侧面，所以能够防止由激光照射产生的外来物质粘附在第一坝D1或第二坝D2的侧面上。
根据激光照射，牺牲层S1、S2-a、S2-b、S2-c和S2-d可以与第一坝D1和第三无机绝缘层IL3分离。可以去除沉积在牺牲层S1、S2-a、S2-b、S2-c和S2-d上的中间材料层EL-a和第二电极材料层E2-a。此外，可以从未定位有牺牲层S1、S2-a、S2-b、S2-c和S2-d但照射激光的区域去除第二电极材料层E2-a。
通过激光照射和去除牺牲层的工艺，如图14中所示，在外围区域LA中形成第一层L1以及多个第二层L2-a、L2-b和L2-c。可以以与形成中间层EL的工艺相同的工艺形成第一层L1以及多个第二层L2-a、L2-b和L2-c。在显示区域DA中，形成包括第一电极E1、中间层EL和第二电极E2的发光元件ED。除了从显示区域DA延伸并与外围区域LA的一部分叠置的第二电极E2之外，可以去除包括与第二电极E2的材料相同的材料的第二电极材料层E2-a。
第一层L1可以与第二坝D2的侧表面和上表面叠置。第一坝D1不与包括与中间层EL的材料相同的材料的层叠置，并且第一坝D1的侧表面和上表面可以被暴露。第一层L1以及第二层L2-a、L2-b和L2-c之间的间隔开的空间可以暴露第三无机绝缘层IL3。
接下来，如图15中所示，可以在基底SUB的整个表面上形成第一封装无机层EIL1。第一封装无机层EIL1可以与第一坝D1的侧表面和上表面接触。第一封装无机层EIL1可以与第一层L1以及第二层L2-a、L2-b和L2-c接触。此外，第一封装无机层EIL1可以与暴露的第三无机绝缘层IL3接触。
可以将封装有机层EOL形成为定位在外围区域LA的一部分中，同时与显示区域DA叠置。在形成封装有机层EOL的工艺中，可以通过第一坝D1防止液体有机材料扩散或溢出。可以通过其中将液体有机材料涂覆在第一封装无机层EIL1上的喷墨方法形成封装有机层EOL。例如，第一坝D1设定涂覆有液体的有机材料的区域的边界，并且防止液体的有机材料溢出到第一坝D1的外部。之后，可以在封装有机层EOL上形成第二封装无机层EIL2，以使第二封装无机层EIL2与基底SUB的整个表面叠置。第一封装无机层EIL1和第二封装无机层EIL2可以在外围区域LA中(具体地，在第一坝D1与开口区域DTA之间)彼此接触。
然后，可以形成开口区域DTA，以提供如图6中所示的显示面板DP。可以将开口区域DTA形成为穿透基底SUB。可以通过激光或钻孔工艺形成开口区域DTA。接下来，可以将第一电子模块EM1安装在开口区域DTA中。
根据实施例在激光照射工艺或钻孔工艺中，一些颗粒可能流入显示面板DP中。例如，即使颗粒流入外围区域LA中，作为潮气渗透路径的中间层EL在第二坝D2与开口区域DTA之间以及在第一坝D1的上表面和/或侧表面上断开，使得潮气渗透路径可以被阻挡。
尽管在此已经描述了某些实施例和实施方式，但是根据该描述，其它实施例和修改将是明显的。因此，发明构思不限于这些实施例，而是限于所附权利要求的更宽范围以及对于本领域普通技术人员显而易见的各种明显的修改和等同布置。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括开口区域、围绕所述开口区域的外围区域以及围绕所述外围区域的显示区域；
晶体管，设置在所述基底的所述显示区域上；
第一电极，电连接到所述晶体管；
中间层，与所述第一电极叠置；
第二电极，设置在所述中间层上；
第一坝，设置在所述基底的所述外围区域上；以及
第一封装无机层，设置在所述第二电极上，
其中，所述第一封装无机层在所述外围区域中与所述第一坝的侧面接触。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一封装无机层与所述第一坝的上表面接触。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
第二坝，设置在所述基底的所述外围区域上；以及第一层，设置在所述第二坝上，并且
其中，所述第一层包括与所述中间层的至少一部分的材料相同的材料。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述显示装置还包括设置在所述基底的所述外围区域上的第二坝，所述第一封装无机层与所述第二坝的侧面接触，并且
所述第一封装无机层与所述第二坝的上表面接触。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述显示装置还包括设置在所述第一坝与所述开口区域之间的一个或更多个第二层，并且
所述一个或更多个第二层包括与所述中间层的至少一部分的材料相同的材料。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中：
所述显示装置还包括设置在所述晶体管与所述基底之间的无机绝缘层，并且
所述一个或更多个第二层暴露所述无机绝缘层。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述中间层以及所述一个或更多个第二层包括空穴传输层、空穴注入层、电子注入层和电子传输层中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述显示装置还包括与所述第一坝的上表面的至少一部分叠置的第三层，并且
所述第三层包括与所述中间层的至少一部分的材料相同的材料。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第三层的边缘与所述第一坝的所述上表面的边缘对齐。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
封装有机层，设置在所述第一封装无机层上；以及
第二封装无机层，设置在所述封装有机层上，并且
其中，所述第一封装无机层和所述第二封装无机层在所述第一坝与所述开口区域之间彼此接触。
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