CN217158194U - 显示装置 - Google Patents

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李宗珉
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Abstract

本公开提供一种显示装置。所述显示装置包括：基底，包括：开口区域；周边区域，邻近于所述开口区域；和显示区域，邻近于所述周边区域；半导体层，与所述显示区域重叠，设置在所述基底上，并且包括沟道；栅极电极，与所述半导体层的所述沟道重叠；绝缘层，设置在所述栅极电极上，并且包括：第一无机绝缘层；和第二无机绝缘层，设置在所述第一无机绝缘层上；第一电极，设置在所述绝缘层上；发射层，设置在所述第一电极上；以及第二电极，设置在所述发射层上，其中，所述第二无机绝缘层在开口区中断开，在所述周边区域中所述发射层和所述第二电极在所述开口区中断开。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年4月2日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2021-0043284号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示装置，并且特别地，本公开涉及一种具有开口区域的显示装置，所述开口区域的至少一个区形成有开口。
背景技术
最近，各种类型的便携式电子装置包括相机功能，因此用户仅携带具有内置相机功能的电子装置而不是携带相机的情况正在迅速地增加。
传统地，相机、闪光灯、扬声器、光电传感器等被提供在电子装置的显示区域外部，因此用于电子装置以显示图像的空间正在减少。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对所描述的技术的背景的理解，并且因此，以上信息可以包含不构成在本国对于本领域普通技术人员而言已经知晓的现有技术的信息。
实用新型内容
所描述的技术已经致力于提供一种包括包含开口的开口区域的显示装置。
所描述的技术已经另外致力于提供一种其中定位相机以用于通过开口区域拍摄图片或视频的显示装置和显示装置的制造方法。所描述的技术已经另外致力于提供一种用于通过将开口区域和相机定位在显示区域中来在相对宽的区中显示图像的显示装置和显示装置的制造方法。
实施例提供了一种显示装置，包括：基底，包括：开口区域；周边区域，邻近于所述开口区域；和显示区域，邻近于所述周边区域；半导体层，与所述显示区域重叠，设置在所述基底上，并且包括沟道；栅极电极，与所述半导体层的所述沟道重叠；绝缘层，设置在所述栅极电极上，并且包括：第一无机绝缘层；和第二无机绝缘层，设置在所述第一无机绝缘层上；第一电极，设置在所述绝缘层上；发射层，设置在所述第一电极上；以及第二电极，设置在所述发射层上。所述第二无机绝缘层可以在开口区中断开，在所述周边区域中所述发射层和所述第二电极在所述开口区中断开。
所述第二无机绝缘层的端部可以对应于所述发射层的端部或所述第二电极的端部，并且所述第一无机绝缘层可以包括氧化硅，而所述第二无机绝缘层可以包括氮化硅。
所述第一无机绝缘层可以连续地设置在所述开口区中。
所述周边区域可以包括：第一周边区域，包括所述开口区；以及第二周边区域，包括环岛部分，并且数据线可以设置在所述绝缘层上并且在所述环岛部分周围迂回。
穿透所述显示面板的所述开口区域可以设置在所述第一周边区域中，并且所述显示装置还可以包括设置在所述开口区域中的相机。
所述第一周边区域可以包括至少一个坝，并且所述坝可以具有环形形状。
所述开口区可以设置在所述坝的各个侧。
另一实施例提供了一种显示装置，包括：基底，包括：开口区域；周边区域，邻近于所述开口区域；以及显示区域，邻近于所述周边区域；半导体层，与所述显示区域重叠，设置在所述基底上，并且包括沟道；栅极电极，与所述半导体层的所述沟道重叠；绝缘层，设置在所述栅极电极上，并且包括：第一无机绝缘层；以及第二无机绝缘层，设置在所述第一无机绝缘层上；第一电极，设置在所述绝缘层上；发射层，设置在所述第一电极上；以及第二电极，设置在所述发射层上。所述第二无机绝缘层在开口区中断开，在所述周边区域中所述发射层和所述第二电极在所述开口区中断开，并且所述开口区与邻近于所述显示区域的所述周边区域之间的厚度差为大约300nm至大约500nm。
所述第一无机绝缘层可以包括氧化硅，并且所述第二无机绝缘层可以包括氮化硅。
所述第一无机绝缘层可以连续地设置在所述开口区中。
所述第二无机绝缘层的厚度可以为大约20nm至大约100nm。
穿透所述显示面板的所述开口区域可以设置在所述周边区域中，并且所述显示装置还可以包括设置在所述开口区域中的相机。
所述周边区域可以包括：第一周边区域，包括所述开口区；以及第二周边区域，包括环岛部分，并且数据线可以设置在所述绝缘层上并且在所述环岛部分周围迂回。
所述第一周边区域可以包括至少一个坝，所述坝可以具有环形形状，并且所述开口区可以设置在所述坝的各个侧。
又一实施例提供了一种显示装置的制造方法，包括：形成开口区域、邻近于所述开口区域的周边区域以及邻近于所述周边区域的显示区域。所述形成所述周边区域可以包括：在基底上形成绝缘层；形成第一数据导电层，所述第一数据导电层包括：在所述绝缘层上的第一层；设置在所述第一层上的第二层；以及设置在所述第二层上的第三层；在所述第一数据导电层上堆叠用于第二数据导电层的材料；去除所述用于第二数据导电层的材料，并且去除所述第一数据导电层的所述第三层的全部、所述第一数据导电层的所述第二层的一部分以及所述绝缘层的一部分；堆叠用于第一电极的材料；去除所述用于第一电极的材料，并且去除剩余的第二层的全部以形成牺牲层；在所述牺牲层上堆叠功能层和第二电极；通过将激光束照射到所述牺牲层来去除所述牺牲层以及被提供为邻近于所述牺牲层的所述功能层和所述第二电极；以及形成穿透显示面板的所述开口区域，其中，所述第一电极、所述功能层和所述第二电极形成发光器件。
所述去除所述用于第二数据导电层的材料可以使用湿蚀刻法。
所述第一数据导电层的所述第一层和所述第三层可以包括钛，并且所述第一数据导电层的所述第二层可以包括铝。
所述牺牲层可以包括铝。
所述用于第二数据导电层的材料可以具有包括第一层、设置在所述第一层上的第二层和设置在所述第二层上的第三层的三层结构，并且所述用于第二数据导电层的材料的所述第一层和所述第三层可以包括钛，而所述第二层包括铝。
所述用于第一电极的材料可以具有包括第一层、设置在所述第一层上的第二层和设置在所述第二层上的第三层的三层结构，并且所述用于第一电极的材料的所述第一层和所述第三层可以包括氧化铟锡，而所述第二层可以包括银。
根据实施例，通过将与相机相对应的开口区域定位在显示区域中，可以减小其中不显示图像的周边区域并且可以获得用于显示图像的宽的显示区域。
附图说明
通过参照附图详细描述本公开的实施例，根据本公开的实施例的额外的领会将变得更明显，在附图中：
图1示出根据实施例的显示装置的示意性分解透视图；
图2示出根据实施例的显示装置的示意性截面图；
图3示出根据实施例的显示面板的构成元件的示意性平面图；
图4示出图1和图3的放大的区A的示意性平面图；
图5示出根据实施例的像素的示意性电路图；
图6示出根据实施例的包括在显示面板的显示区域中的像素的示意性截面图；
图7示出根据实施例的在其中定位周边区域和开口区域的显示面板的示意性截面图；
图8示出从根据实施例的显示面板去除功能层和第二电极的部分的示意性放大截面图；
图9示出根据实施例的用于制造显示面板的工艺的示意性流程图；
图10A至图10D顺序地示出在根据实施例的用于制造显示面板的工艺中的牺牲层的形成；
图11A和图11B示出在根据实施例的用于制造显示面板的工艺中的通过照射激光束的牺牲层和周边层的去除；
图12示出根据实施例的在激光束照射在显示面板上之前的牺牲层和周边区的照片；
图13示出根据实施例的在通过将激光束照射在显示面板上去除牺牲层和周边层之后拍摄的照片；
图14示出根据实施例的在完成显示面板时被去除的牺牲层及其周边区的被拍摄的截面；
图15示出在制造根据实施例的显示面板期间在完成牺牲层之前的周边区的被拍摄的截面；
图16A至图16E顺序地示出根据比较示例的显示面板的牺牲层的形成；
图17示出根据图16A至图16E的比较示例的在完成显示面板时被去除的牺牲层及其周边区的截面的照片；
图18示出根据另一实施例的像素的示意性电路图；
图19示出根据另一实施例的用于制造显示面板的工艺的流程图；
图20示出根据另一实施例的显示面板上的从其去除了牺牲层的部分的示意性放大截面图；
图21示出根据图18的实施例的包括在显示面板上的显示区域中的像素的示意性截面图；以及
图22示出根据另一实施例的在其中定位周边区域和开口区域的显示面板的示意性截面图。
具体实施方式
在下文中将参照附图更充分地描述本公开，在附图中示出本公开的实施例。如本领域技术人员将认识到的，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例，所有都不背离本公开的精神或范围。
与描述无关的部分将被省略以清楚地描述本公开，并且在整个说明书中相同的元件将由相同的附图标记表示。
为了更好的理解和易于描述，任意示出附图中所示的每个配置的尺寸和厚度，但是本公开不限于此。在附图中，为了清楚起见，可能夸大了层、膜、面板、区等的厚度。为了易于描述，可能夸大了一些层和区域的厚度。
将理解的是，当诸如层、膜、区或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，所述元件可以直接在另一元件上，或者也可以存在居间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在居间元件。此外，在说明书中，词语“在……上”或“在……上方”是指设置在对象部分上或下方，并且不一定指基于重力方向设置在对象部分的上侧。
除非明确地描述为相反，否则词语“包括”和诸如“包含”或“含有”的变体将被理解为暗示包括所陈述的元件但不排除任何其它元件。
此外，在整个说明书中，短语“在平面图中”是指从顶部观察目标部分，并且短语“在截面图中”是指从侧面观察通过竖直地切割目标部分而形成的截面。
考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如本文中所使用的术语“大约”或“近似”包括所陈述的值，并且意指在如由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以指在一个或多个标准偏差内，或在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％以内。
将理解的是，术语“接触”、“连接到”和“耦接到”可以包括物理和/或电接触、连接或耦接。
出于其含义和解释的目的，短语“……中的至少一个”旨在包括“选自……的组中的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以理解为指“A、B或者A和B”。
除非在本文中另有定义或暗示，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员所通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，除非在本文中明确地如此定义，否则诸如在通用词典中定义的那些术语的术语应当被解释为具有与它们在相关领域的背景和本公开中的含义相一致的含义，并且不应以理想的或过于形式的含义解释。
现在将参照图1和图2描述根据实施例的显示装置。
图1示出根据实施例的显示装置的示意性分解透视图，并且图2示出根据实施例的显示装置的示意性截面图。
参考图1和图2，显示装置1000在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面中在第三方向DR3上显示图像。各个构件的前侧(或上侧)和后侧(或下侧)在第三方向DR3上区分。由第一方向DR1至第三方向DR3指示的方向是相对的概念，并且它们可以改变为其它方向。
显示装置1000包括覆盖窗WU、显示面板DP和外壳构件HM。在实施例中，显示装置1000可以通过将覆盖窗WU、显示面板DP和外壳构件HM组合来构成。显示装置1000可以包括诸如相机或传感器的电子模块ES。
覆盖窗WU设置在显示面板DP上以保护显示面板DP的前侧。覆盖窗WU可以包括透射区域TA和阻挡区域BA。透射区域TA可以是光学透明的并且可以透射入射光。阻挡区域BA可以具有比透射区域TA相对低的透光率。阻挡区域BA可以限定透射区域TA的形状，并且阻挡区域BA可以围绕透射区域TA。阻挡区域BA可以显示预定颜色。阻挡区域BA可以与显示面板DP的非显示区域PA重叠以阻止非显示区域PA从外部可见。
覆盖窗WU可以包括第一孔区域HA1和第二孔区域HA2。第一孔区域HA1和第二孔区域HA2可以分别与下面将描述的电子模块ES重叠。通过第一孔区域HA1和第二孔区域HA2，电子模块ES可以拍摄外部物体或者可以感测或接收外部光。
根据实施例，第一孔区域HA1可以定位在透射区域TA中，并且第二孔区域HA2可以定位在阻挡区域BA中。然而，这仅仅是实例，并且第一孔区域HA1和第二孔区域HA2可以定位在彼此相反的区中，第一孔区域HA1和第二孔区域HA2可以定位在透射区域TA中或在阻挡区域BA中。第一孔区域HA1和第二孔区域HA2可以具有不同的形式。在平面图中，第一孔区域HA1可以具有圆形形状，并且第二孔区域HA2可以具有长轴在第一方向DR1上延伸的椭圆形状。第一孔区域HA1和第二孔区域HA2的形状不限于此，并且第一孔区域HA1和第二孔区域HA2的尺寸或形状是能以多种方式修改的。
显示面板DP可以是平坦的刚性显示面板或柔性显示面板。根据实施例的显示面板是发射显示面板。例如，显示面板可以是有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的中间层可以包括功能层和发射层，并且发射层可以包括有机发光材料。量子点发光显示面板的中间层可以包括量子点和量子棒。根据实施例，显示面板的中间层可以是包括无机发光二极管(LED)的无机发光显示图案。在下文中将通过用有机发光显示面板作为示例来描述显示面板DP。
显示面板DP在前侧上显示图像。显示面板DP的前侧包括显示区域DA和非显示区域PA。图像显示在显示区域DA中。非显示区域PA可以围绕显示区域DA。
显示面板DP可以包括定位在显示区域DA中的像素PX。像素PX可以响应于电信号发射光。由像素PX发射的光可以一起实现图像。每个像素PX包括包含晶体管的像素电路和用于从像素电路接收电流并发射光的发光二极管LED。像素电路还可以包括电容器。包括在像素PX中的晶体管的数量、电容器的数量及其连接关系是能以各种方式修改的。
根据实施例的显示面板DP可以包括穿透显示面板DP的开口区域(或开放区域)DTA。显示面板DP不形成在开口区域DTA中。参考图2，作为电子模块ES中的一个的第一电子模块ES1可以定位在开口区域DTA中。第一电子模块ES1可以是用于拍摄或捕获图片或视频的相机。开口区域DTA可以与覆盖窗WU的第一孔区域HA1重叠。在平面图中，开口区域DTA定位在显示区域DA中并且被显示区域DA围绕。像素PX中的一些可以设置为围绕开口区域DTA。因此，图像可以显示在被提供在开口区域DTA附近的区中。参考图1的实施例，当从前侧看到显示区域DA时，开口区域DTA定位在显示区域DA的左上侧。然而，开口区域DTA可以定位在显示区域DA的右上侧，或者开口区域DTA可以设置在显示区域DA的中央，例如，在从开口区域DTA到显示区域DA的左端和右端具有相同的距离的位置上。根据实施例，开口区域DTA的位置在显示区域DA中是可变的。下面将参照图4详细描述在其中定位开口区域DTA的区A。
显示面板DP包括非显示区域PA，所述非显示区域PA从显示区域DA延伸并且信号线和垫(或“焊盘”或“焊垫”)PAD(参考图3)定位在所述非显示区域PA中。数据驱动器50可以定位在非显示区域PA中。根据实施例，非显示区域PA的垫PAD可以电连接到包括驱动芯片80的印刷电路板PCB，这将在下文中参照图3进行详细描述。
如图2中所示，在显示面板DP与覆盖窗WU之间可以定位用于将显示面板DP结合到覆盖窗WU的粘合层AD。粘合层AD可以不定位在在其中不形成显示面板DP的开口区域DTA中。在光输入到诸如相机的第一电子模块ES1的情况下，粘合层AD可能造成光学损失，因此可以从与开口区域DTA相对应的部分省略粘合层AD。
显示面板DP还可以包括用于感测用户的触摸的触摸传感器。触摸传感器可以定位在像素PX的前侧并且可以包括至少一个触摸电极。各种方法可应用于可以被包括在实施例中的触摸传感器，例如，电阻式或电容式。电容式触摸传感器可以通过使用触摸电极(例如，通过自电容法)感测触摸，或者可以通过使用一对触摸电极(例如，通过互电容法)感测触摸。
电子模块ES包括用于操作显示装置1000的各种功能模块。电子模块ES可以通过连接器(未示出)电连接到显示面板DP。例如，电子模块ES可以是相机、扬声器或者光或热传感器。
电子模块ES可以包括第一电子模块ES1和第二电子模块ES2。
第一电子模块ES1可以是用于拍摄通过开口区域DTA和/或第一孔区域HA1被接收的外部物体的相机。由第一电子模块ES1捕获的信息可以存储在存储单元(未示出)中。根据实施例，第一电子模块ES1可以通过开口区域DTA和第一孔区域HA1接收外部输入，或者可以通过开口区域DTA和第一孔区域HA1提供输出。参考图2，第一电子模块ES1可以定位在穿透显示面板DP的开口区域DTA中，并且可以设置为通过覆盖窗WU拍摄显示装置1000的前侧。
第二电子模块ES2可以包括例如发光模块、光感测模块和声音输出模块中的一个或多个。第二电子模块ES2可以包括用于输出红外线的发光模块和用于感测红外线的CMOS传感器，或者第二电子模块ES2可以是用于提供被叫方的语音的接收器。根据实施例，第二电子模块ES2可以包括诸如麦克风的声学输入模块。然而，这仅是示例性的，并且电子模块ES可以配置有单个模块，可以包括更大数量的电子模块，可以以各种布置关系布置，并且不限于实施例。
外壳构件HM设置在显示面板DP的下侧。外壳构件HM结合到覆盖窗WU以配置显示装置1000的外观。外壳构件HM可以包括具有相对高的刚性的材料。例如，外壳构件HM可以包括由玻璃、塑料和金属制成的框架和/或板。外壳构件HM提供预定的接收空间。显示面板DP可以被接收在接收空间中并且可以被保护免受外部冲击。
现在将参照图3描述包括开口区域DTA的显示面板DP的结构。
图3示出根据实施例的显示面板的构成元件的示意性平面图。
参考图3，显示面板DP可以被划分为显示区域DA和非显示区域PA，并且可以沿着显示区域DA的边缘限定非显示区域PA。开口区域DTA定位在显示区域DA中。
显示面板DP包括像素PX。像素PX可以设置在显示区域DA中。像素PX各自包括发光器件和电连接到发光器件的像素电路。例如，每个像素PX发射红光、绿光、蓝光或白光，并且每个像素PX可以包括有机发光二极管。
显示面板DP可以包括信号线和垫PAD。信号线可以包括在第一方向DR1上延伸的扫描线SL以及在第二方向DR2上延伸的数据线DL和驱动电压线PL。
扫描驱动器20定位在显示区域DA的各个侧，并且产生扫描信号且通过扫描线SL将扫描信号传输到各个像素PX。参考图4，除在第一方向DR1上定位在开口区域DTA的右侧和左侧的像素PX之外的像素PX可以从定位在显示区域DA的右侧和左侧的两个扫描驱动器20接收扫描信号。定位在开口区域DTA的右侧和左侧的像素PX可以从定位在两侧中的一侧的扫描驱动器20接收扫描信号。现在将详细描述像素PX与扫描线SL之间的连接关系。电连接到不包括定位在开口区域DTA的右侧和左侧的像素PX的剩余像素PX的扫描线SL可以电连接到定位在相应侧的两个扫描驱动器20。相反，电连接到定位在开口区域DTA的右侧和左侧的像素PX的扫描线SL电连接到在一侧的扫描驱动器20。电连接到定位在开口区域DTA的右侧和左侧的像素PX的扫描线SL的右侧和左侧相对于开口区域DTA短路。例如，电连接到定位在开口区域DTA的左侧的像素PX的扫描线SL和电连接到定位在开口区域DTA的右侧的像素PX的扫描线SL在开口区域DTA中彼此电断开。结果，电连接到定位在开口区域DTA的左侧的像素PX的扫描线SL电连接到定位在显示区域DA的左侧的扫描驱动器20，并且电连接到定位在开口区域DTA的右侧的像素PX的扫描线SL电连接到定位在显示区域DA的右侧的扫描驱动器20。
垫PAD设置在显示面板DP的端部并且包括端子P1、P2、P3和P4。垫PAD可以不被绝缘层覆盖(或重叠)而是可以被暴露并且可以电连接到印刷电路板PCB。垫PAD可以电连接到印刷电路板PCB的垫PCB_P。印刷电路板PCB可以将驱动芯片80的信号或电源电压传输到垫PAD。
控制器将从外部传输的图像信号改变为图像数据信号，并且通过端子P1将被改变的信号传输到数据驱动器50。控制器可以接收垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号，可以产生用于控制扫描驱动器20和数据驱动器50的驱动的控制信号，并且可以通过端子P3和P1将所述控制信号传输到扫描驱动器20和数据驱动器50。控制器通过端子P2将驱动电压ELVDD(参考图5)传输到驱动电压供应布线60。控制器通过端子P4将公共电压ELVSS(参考图5)传输到各条公共电压供应布线70。
数据驱动器50设置在非显示区域PA中，并且数据驱动器50产生待施加到像素PX的数据电压DATA(参考图5)，并且将数据电压DATA传输到各条数据线DL。数据驱动器50可以设置在显示面板DP的一侧，例如，数据驱动器50可以设置在垫PAD与显示区域DA之间。参考图4，电连接到不包括在第二方向DR2上定位在开口区域DTA的上侧和下侧的像素PX的剩余像素PX的数据线DL可以在第二方向DR2上延伸并且可以具有直线结构。相反，电连接到定位在开口区域DTA的顶侧和底侧的像素PX的数据线DL在第二方向DR2上延伸并且可以包括沿开口区域DTA的周边部分延伸的部分(参考图4的RDL)。
驱动电压供应布线60设置在非显示区域PA中。例如，驱动电压供应布线60可以设置在数据驱动器50与显示区域DA之间。驱动电压供应布线60将驱动电压ELVDD提供给像素PX。驱动电压供应布线60设置在第一方向DR1上并且可以电连接到设置在第二方向DR2上的驱动电压线PL。
公共电压供应布线70设置在非显示区域PA中。公共电压供应布线70可以围绕基底SUB(例如参照图6)。公共电压供应布线70将公共电压ELVSS传输到电极，例如，包括在像素PX中的发光二极管(发光器件)LED(例如参照图5)的第二电极。
现在将参照图4描述包括图3中所示的开口区域DTA的区A。
图4示出图1和图3的放大的区A的示意性平面图。
参考图4，显示面板DP包括定位在基底SUB(例如参照图6)上的信号线SL和DL以及像素PX。各个像素PX可以电连接到信号线SL和DL。图4示出像素PX电连接到一条扫描线SL，但是实际的像素PX可以电连接到多条扫描线SL。
包括在显示面板DP中的孔区域HA包括开口区域DTA和围绕开口区域DTA的周边区域LA。像素PX定位在孔区域HA外部并且对应于显示区域DA。
周边区域LA围绕开口区域DTA的外侧并且是显示区域DA与开口区域DTA之间的中间区。周边区域LA包括第一周边区域LA1和第二周边区域LA2。在图4中以虚线指示的圆表示用于划分孔区域HA及第一周边区域LA1和第二周边区域LA2的边界。
第一周边区域LA1包括向其照射激光束以去除预定层的区，并且包括坝D1和D2，例如，第一坝D1和第二坝D2。向其照射激光束的部分包括坝D1和D2及其周边区域。第一周边区域LA1表示用于在照射激光束并且执行用于切刻或切割开口区域DTA的工艺时防止损坏定位在显示区域DA中的元件和布线的部分。
第二周边区域LA2是部分RDL(也称为环岛部分)设置在其中的区，在部分RDL中数据线DL沿开口区域DTA的周边部分延伸。结果，在数据线DL因为开口区域DTA无法具有直线结构的情况下，定位在开口区域DTA的顶侧和底侧的像素PX通过借助沿开口区域DTA的周边部分弯曲的部分RDL的数据线DL电连接到彼此。
第一周边区域LA1定位为比第二周边区域LA2靠近开口区域DTA，并且第二周边区域LA2定位为比第一周边区域LA1靠近显示区域DA。
在实施例中，扫描线SL不形成在第二周边区域LA2中，并且不包括迂回结构。例如，电连接到定位在开口区域DTA的右侧和左侧的像素PX的扫描线SL的右部和左部相对于开口区域DTA短路。然而，根据实施例，在环岛部分形成在第二周边区域LA2中的情况下，右侧和左侧的扫描线SL可以电连接到彼此。
现在将参照图5描述根据实施例的像素的电路配置。
图5示出根据实施例的像素的示意性电路图。
像素PX包括包含晶体管和电容器的像素电路以及用于从像素电路接收电流并发射光的发光二极管LED。
如图5中所示，根据实施例的显示装置的像素PX包括电连接到布线127、151、152、153、154、155、171、172和741的晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst、升压电容器Cbt和发光二极管LED。
像素PX电连接到布线127、151、152、153、154、155、171、172和741。布线127、151、152、153、154、155、171、172和741包括第一初始化电压线127、第一扫描信号线151、第二扫描信号线152、初始化控制线153、旁路控制线154、发射控制线155、数据线171、驱动电压线172和公共电压线741。
在图5中，在图3和图4中简化为扫描线SL的布线被分类并详细示出为第一初始化电压线127、第一扫描信号线151、第二扫描信号线152、初始化控制线153、旁路控制线154和发射控制线155。
第一扫描信号线151电连接到扫描驱动器20(参照图3)并将第一扫描信号GW传输到第二晶体管T2。第二扫描信号线152可以与第一扫描信号线151相同并且可以将与第一扫描信号GW相同的第二扫描信号GC传输到第三晶体管T3。
初始化控制线153将初始化控制信号GI传输到第四晶体管T4。旁路控制线154将旁路信号GB传输到第七晶体管T7。旁路控制线154可以由前一级的第一扫描信号线151形成。发射控制线155将发射控制信号EM传输到第五晶体管T5和第六晶体管T6。
数据线171对应于图3和图4的数据线DL并且是用于传输由数据驱动器50(参照图3)产生的数据电压DATA的布线，并且由发光二极管LED发射的光的亮度根据施加到像素PX的数据电压DATA改变。
驱动电压线172对应于图3的驱动电压线PL并且施加驱动电压ELVDD。第一初始化电压线127传输第一初始化电压VINT。公共电压线741将公共电压ELVSS施加到发光二极管LED的阴极。在实施例中，可以向驱动电压线172、第一初始化电压线127和公共电压线741施加电压。
包括在像素电路中的晶体管可以包括驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。晶体管可以包括多晶硅半导体。
第二晶体管T2将数据电压DATA传输到像素PX，第四晶体管T4将驱动晶体管T1的栅极电极处的电压初始化为第一初始化电压VINT，并且第七晶体管T7将发光二极管LED的阳极电压初始化为第一初始化电压VINT。
第五晶体管T5将驱动电压ELVDD传输到驱动晶体管T1，第六晶体管T6将驱动晶体管T1的输出电流传输到发光二极管LED，并且其中第五晶体管T5和第六晶体管T6导通的部分可以是发光部分。
第三晶体管T3将驱动晶体管T1的栅极电极和输出侧的输出电极电连接，使得数据电压DATA可以通过驱动晶体管T1并且可以存储在电连接到驱动晶体管T1的栅极电极的存储电容器Cst中。在这种情况下，最终存储在存储电容器Cst中的电压可以是通过补偿驱动晶体管T1的阈值电压产生的电压。
驱动晶体管T1基于存储在存储电容器Cst中的电压产生输出电流并且输出该输出电流。
在施加到第一扫描信号线151的第一扫描信号GW改变为低电压信号以导通第二晶体管T2的情况下，升压电容器Cbt降低驱动晶体管T1的栅极电极处的电压。结果，驱动晶体管T1可以保持导通状态。
在上文中已经将像素PX描述为包括七个晶体管T1至T7、存储电容器Cst和升压电容器Cbt，并且不限于此，晶体管的数量、电容器的数量及它们的连接关系是能以多种方式修改的。具体地，根据实施例，诸如第三晶体管T3、第四晶体管T4和/或第七晶体管T7的晶体管可以包括具有N-MOS特性的氧化物半导体作为半导体层，并且该晶体管可以在高电平电压被传输到栅极电极的情况下导通。
现在将参照图6至图8描述显示面板的截面构造。
图6示出根据实施例的包括在显示面板的显示区域中的像素的示意性截面图，图7示出根据实施例的在其中定位周边区域和开口区域的显示面板的示意性截面图，并且图8示出从根据实施例的显示面板去除了功能层和第二电极的部分的示意性放大截面图。
现在将参照图6描述显示区域DA的截面配置。
根据实施例的基底SUB可以包括诸如玻璃的无机绝缘材料，或者诸如例如聚酰亚胺(PI)的塑料的有机绝缘材料。基底SUB可以是单层或多层。基底SUB可以具有包括顺序地堆叠的聚合物树脂的至少一个基体层和至少一个无机层交替地堆叠的结构。
基底SUB可以具有不同程度的柔性。基底SUB可以是刚性基底或可以弯曲、折叠或卷曲的柔性基底。
在基底SUB上可以定位缓冲层BF。缓冲层BF可以防止半导体层SC的特性劣化并且可以通过阻挡杂质从基底SUB传输到缓冲层BF的上层(特别是传输到半导体层SC)来减轻应力。缓冲层BF可以包括诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料或者有机绝缘材料。可以省略缓冲层BF的一部分或整体。根据实施例，在基底SUB与缓冲层BF之间可以形成金属层(未示出)。可以形成金属层以保持半导体层SC的特性。
半导体层SC定位在缓冲层BF上。半导体层SC可以包括多晶硅。半导体层SC包括沟道区C、第一区S和第二区D。第一区S与第二区D设置在沟道区C的各个侧。沟道区C是与第一区S和第二区D相比掺杂有少量杂质或不掺杂杂质的半导体区，并且第一区S和第二区D是与沟道区C相比掺杂有大量杂质的半导体区。
第一绝缘层IL1定位在半导体层SC上。第一绝缘层IL1可以具有包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层结构。
包括栅极电极GE和第一电容器电极CE1的第一栅极导电层GAT1定位在第一绝缘层IL1上。第一栅极导电层GAT1可以是堆叠包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)、钼合金、钛(Ti)和钛合金中的一种的金属层的单层或多层。在平面图中，栅极电极GE可以与半导体层SC的沟道区C重叠。
第二绝缘层IL2定位在第一栅极导电层GAT1和第一绝缘层IL1上。第二绝缘层IL2可以是包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层。
包括上部电极AE和第二电容器电极CE2的第二栅极导电层GAT2定位在第二绝缘层IL2上。第二电容器电极CE2和上部电极AE可以是导电图案的不同的区。第二电容器电极CE2可以电连接到上部电极AE。第二栅极导电层GAT2可以是堆叠包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)、钼合金、钛(Ti)和钛合金中的一种的金属层的单层或多层。
第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2彼此重叠以构成存储电容器Cst。
第三绝缘层IL3定位在第二栅极导电层GAT2和第二绝缘层IL2上。第三绝缘层IL3可以是包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层。
包括源极电极SE和漏极电极DE的第一数据导电层SD1定位在第三绝缘层IL3上。源极电极SE和漏极电极DE可以通过形成在第三绝缘层IL3以及第一无机绝缘层IL1和第二无机绝缘层IL2中的接触孔电连接到半导体层SC的第一区S和第二区D。根据实施例，在没有源极电极SE和漏极电极DE的情况下，半导体层SC可以直接延伸以电连接到邻近的像素。第一数据导电层SD1可以包括铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且第一数据导电层SD1可以具有包括与上述相同的材料的单层或多层结构。第一数据导电层SD1具有铝(Al)设置在两层钛(Ti)之间的三层结构，并且将主要集中于Ti/Al/Ti的三层结构进行描述。
第一有机绝缘层IL4和第二有机绝缘层IL5顺序地定位在第三绝缘层IL3和第一数据导电层SD1上。第一有机绝缘层IL4和第二有机绝缘层IL5可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基基团的聚合物衍生物以及诸如丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、聚酰亚胺和硅氧烷基聚合物的有机绝缘材料。
连接构件CE可以定位在第一有机绝缘层IL4与第二有机绝缘层IL5之间。连接构件CE构成第二数据导电层SD2并且可以电连接漏极电极DE和第一电极E1。第二数据导电层SD2可以包括铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且第二数据导电层SD2可以具有包括与上述相同的材料的单层或多层结构。第二数据导电层SD2具有铝(Al)以与第一数据导电层SD1类似的方式设置在两层钛(Ti)之间的三层结构，并且将主要集中于Ti/Al/Ti的三层结构进行描述。
第一电极E1(也称为像素电极或阳极)定位在第二有机绝缘层IL5上。第一电极E1形成像素电极层PXL并且通过第二有机绝缘层IL5的接触孔电连接到连接构件CE。第一电极E1电连接到漏极电极DE。第一电极E1可以包括诸如银(Ag)、锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)和金(Au)的金属并且可以包括诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物(TCO)。第一电极E1可以由包括金属材料或透明导电氧化物的单层或包括它们的多层制成(或者可以包含包括金属材料或透明导电氧化物的单层或包括它们的多层)。第一电极E1可以具有氧化铟锡(ITO)/银(Ag)/氧化铟锡(ITO)的三层结构，并且将集中于ITO/Ag/ITO的结构进行描述。
栅极电极GE和半导体层SC构成晶体管并且根据晶体管可以包括电连接到半导体层SC的第一区S和第二区D的源极电极SE和漏极电极DE。根据晶体管，晶体管可以配置有栅极电极GE和半导体层SC而不使用源极电极SE和漏极电极DE。晶体管(例如，图5的第六晶体管T6)电连接到第一电极E1并且向发光二极管LED供应电流。
像素限定层IL6和间隔件IL7定位在第二有机绝缘层IL5和第一电极E1上。
像素限定层IL6与第一电极E1的至少一部分重叠并且具有用于限定发光区的开口。开口可以具有基本上类似于第一电极E1的平面形状的平面形状。在平面图中，开口可以具有菱形形状或类似于菱形形状的八边形形状，但是本公开不限于此。开口可以具有各种形状，诸如四边形的多边形、圆形和椭圆形。
像素限定层IL6和间隔件IL7可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基基团的聚合物衍生物和诸如丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、聚酰亚胺和硅氧烷基聚合物的有机绝缘材料。
中间层EL定位在像素限定层IL6、间隔件IL7和第一电极E1上。中间层EL可以包括发射层EML和功能层FL。中间层EL的发射层EML可以产生预定颜色的光。发射层EML可以包括有机材料和/或无机材料。发射层EML形成在像素限定层IL6的开口中。
在中间层EL中，功能层FL可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一种。功能层FL可以被划分为定位在第一电极E1与发射层EML之间的第一功能层FL1和定位在发射层EML与第二电极E2之间的第二功能层FL2。每个功能层FL可以与基底SUB的前侧重叠。功能层FL可以设置在像素上并跨越像素。
第二电极E2定位在中间层EL上。第二电极E2可以包括包含钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)和锂(Li)的反射金属或诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物(TCO)。
第一电极E1、中间层EL和第二电极E2可以构成发光二极管LED。这里，第一电极E1可以是作为空穴注入电极的阳极，并且第二电极E2可以是作为电子注入电极的阴极。然而，实施例不限于此，并且根据用于驱动发射显示装置的方法，第一电极E1可以是阴极，并且第二电极E2可以是阳极。
空穴和电子从第一电极E1和第二电极E2注入到发射层EML中，并且在作为注入的空穴和电子的结合的激子从激发态下降到基态的情况下光发射。
封装层ENC定位在第二电极E2上。封装层ENC可以覆盖(或重叠)发光二极管LED的上侧和发光二极管LED的横向侧以密封发光二极管LED。发光二极管LED可能容易受到湿气和氧气的影响，因此封装层ENC密封发光二极管LED以阻挡外部湿气和氧气的流入。
封装层ENC可以包括层，封装层ENC可以制成为包括无机层和有机层的复合层，并且例如，封装层ENC可以形成为通过顺序地堆叠第一封装无机层EIL1、封装有机层EOL和第二封装无机层EIL2构成的三层。
第一封装无机层EIL1可以覆盖第二电极E2。第一封装无机层EIL1可以防止外部湿气和氧气渗透到发光二极管LED中。例如，第一封装无机层EIL1可以包括氮化硅、氧化硅或它们的组合化合物。第一封装无机层EIL1可以通过沉积工艺制成。
封装有机层EOL可以设置在第一封装无机层EIL1上以接触第一封装无机层EIL1。形成在第一封装无机层EIL1的顶侧上的曲线或存在于第一封装无机层EIL1上的颗粒被封装有机层EOL覆盖(或重叠)，所以第一封装无机层EIL1的顶侧的表面状态可以阻挡施加到封装有机层EOL上的构成元件的影响。封装有机层EOL还可以减轻接触层之中的应力。封装有机层EOL可以包括有机材料并且可以通过诸如旋涂、狭缝涂覆或喷墨工艺的溶液工艺形成。
第二封装无机层EIL2设置在封装有机层EOL上以覆盖封装有机层EOL。与设置在第一封装无机层EIL1上相比，第二封装无机层EIL2可以更稳定地定位在相对平面的一侧上。第二封装无机层EIL2封装由封装有机层EOL排出的湿气以防止湿气流入到外部。第二封装无机层EIL2可以包括氮化硅、氧化硅或它们的组合化合物。第二封装无机层EIL2可以通过沉积工艺形成。
尽管在附图中未示出，但是可以进一步包括定位在第二电极E2与封装层ENC之间的覆盖层。覆盖层可以包括有机材料。覆盖层保护第二电极E2免受后续工艺例如溅射工艺的影响，并改善发光二极管LED的光输出效率。覆盖层可以具有比第一封装无机层EIL1大的折射率。
图6示出晶体管，并且实际的像素可以分别包括如图5中所示的晶体管。
当显示区域DA延伸到周边区域LA和开口区域DTA时，显示区域DA的截面结构可以具有图7中所示的截面结构。
图7示出什么都没有形成在开口区域DTA中，并且进一步示出用于覆盖周边区域LA和显示区域DA的附加绝缘层(附加外涂层YOC、附加无机绝缘层YILD和附加平坦化层YPVX)。根据实施例，可以省略附加绝缘层中的至少一些，并且参考图22，可以提供附加平坦化层YPVX形成为附加绝缘层而没有附加外涂层YOC和附加无机绝缘层YILD的结构。根据实施例，显示区域DA中可以在封装层ENC与附加平坦化层YPVX之间附加地形成触摸电极以感测触摸。
周边区域LA被划分为第一周边区域LA1和第二周边区域LA2。图7示出第二周边区域LA2的宽度小于第一周边区域LA1的宽度，但是根据实施例，第一周边区域LA1和第二周边区域LA2可以具有各种宽度，并且本公开不限于此。
第一周边区域LA1包括坝D1和D2，并且包括从其去除功能层FL和第二电极E2的区(例如，第一开口区R1、第二开口区R2和第三开口区R3)。第一周边区域LA1包括其中激光束照射到牺牲层SFL(参考图10A至图10D以及图11A和图11B)以形成从其去除功能层FL和第二电极E2的区(第一开口区R1、第二开口区R2和第三开口区R3)的区。激光束可以照射到坝D1和D2以及从其去除功能层FL和第二电极E2的区(第一开口区R1、第二开口区R2和第三开口区R3)。在照射激光束并且执行用于切刻开口区域DTA的工艺的情况下，第一周边区域LA1防止对定位在显示区域DA中的元件和布线的损坏。
第二周边区域LA2表示在其中设置环岛部分RDL的区，在环岛部分RDL上，数据线DL沿开口区域DTA的周边部分延伸。结果，在数据线DL因为开口区域DTA而无法具有直线结构的情况下，定位在开口区域DTA的顶侧和底侧的像素PX因为沿开口区域DTA的周边部分迂回的环岛部分RDL通过数据线DL电连接到彼此。在参照图7描述的实施例中，环岛部分定位在第一数据导电层SD1上并且定位在第三绝缘层IL3上。
在周边区域LA中，缓冲层BF、第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2在基底SUB上从显示区域DA顺序地延伸。第三绝缘层IL3从显示区域DA顺序地延伸，并且在第一周边区域LA1中，第三绝缘层IL3的厚度在从其去除功能层FL和第二电极E2的区(第一开口区R1、第二开口区R2和第三开口区R3)中减小。这是因为，在形成第一开口区R1、第二开口区R2和第三开口区R3的情况下，功能层FL和第二电极E2与由金属制成的牺牲层SFL一起被去除，并且第三绝缘层IL3的定位在功能层FL和第二电极E2的底侧的部分被一起去除。根据实施例，第三绝缘层IL3可以具有包括由氧化硅(SiOx)制成(或包括氧化硅(SiOx))的第3-1无机绝缘层IL3-1(该层也可以称为第一无机绝缘层)和定位在第3-1无机绝缘层IL3-1上的由氮化硅(SiNx)制成的第3-2无机绝缘层IL3-2(该层也可以称为第二无机绝缘层)的双层结构。参考图8，关于具有双层结构的第三绝缘层IL3，在第一周边区域LA1的第一开口区R1、第二开口区R2和第三开口区R3中，第3-2无机绝缘层IL3-2可以被去除并且第3-1无机绝缘层IL3-1可以保留。
在第二周边区域LA2中，环岛部分RDL定位在第三绝缘层IL3上，并且在环岛部分RDL上顺序地形成第一有机绝缘层IL4、第二有机绝缘层IL5、像素限定层IL6、间隔件IL7、功能层FL、第二电极E2和封装层ENC。可以在封装层ENC上进一步形成作为附加绝缘层的附加外涂层YOC、附加无机绝缘层YILD和附加平坦化层YPVX。
在第一周边区域LA1中，在定位有坝D1和D2的部分以及从其去除功能层FL和第二电极E2的区(第一开口区R1、第二开口区R2和第三开口区R3)中提供有不同的分层结构。
现在将描述从其去除功能层FL和第二电极E2的区(第一开口区R1、第二开口区R2和第三开口区R3)的分层结构。
在第一开口区R1、第二开口区R2和第三开口区R3中，基底SUB、缓冲层BF、第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2、第三绝缘层IL3、第一封装无机层EIL1和第二封装无机层EIL2顺序地堆叠。在定位在显示区域DA附近的第一开口区R1中，在第一封装无机层EIL1与第二封装无机层EIL2之间进一步形成封装有机层EOL。根据实施例，封装有机层EOL可以进一步形成为直到第二开口区R2或第三开口区R3。在这种情况下，封装层ENC的未暴露于外部的封装有机层EOL可以能够阻挡湿气和氧气，因此封装有机层EOL的端部可以形成为被第一封装无机层EIL1和第二封装无机层EIL2覆盖(或重叠)并且不暴露于外部。在参照图7描述的实施例中，第一封装无机层EIL1接触第一坝D1上的第二封装无机层EIL2。然而，第一封装无机层EIL1接触第二封装无机层EIL2的位置可以在第二坝D2附近。
根据第一开口区R1、第二开口区R2和第二开口区R3的分层结构，功能层FL和第二电极E2在第一开口区R1、第二开口区R2和第三开口区R3中形成开口并断开。
第三绝缘层IL3的厚度在第一开口区R1、第二开口区R2和第三开口区R3中减小。当形成第一开口区R1、第二开口区R2和第三开口区R3时，在功能层FL和第二电极E2与由金属制成的牺牲层SFL(例如参考图10D)一起被去除并且定位在功能层FL和第二电极E2下方的第三绝缘层IL3的一部分也被去除时，可以形成上述结构。此外，如图8中所示，在根据实施例第三绝缘层IL3具有包括由氧化硅(SiOx)制成的第3-1无机绝缘层IL3-1和形成在第3-1无机绝缘层IL3-1上的由氮化硅(SiNx)制成的第3-2无机绝缘层IL3-2的双层结构的情况下，由氮化硅(SiNx)制成的第3-2无机绝缘层IL3-2可以被去除并且第3-1无机绝缘层IL3-1可以保留。
现在将描述定位有第一周边区域LA1的坝D1和D2的区的分层结构。
至少两个坝D1和D2可以定位在第一周边区域LA1中。例如，第一坝D1和第二坝D2可以从显示区域DA开始以所陈述的顺序定位。第一坝D1和第二坝D2设置在基底SUB、缓冲层BF、第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3上。现在将详细描述定位在第三绝缘层IL3上的各个坝D1和D2的配置。
第一坝D1可以包括第1-1子坝D1-a、第1-2子坝D1-b和第1-3子坝D1-c。第1-1子坝D1-a和定位在显示区域DA中的第二有机绝缘层IL5可以定位在同一层上并且可以包括相同的材料。第1-1子坝D1-a和定位在显示区域DA中的第二有机绝缘层IL5可以通过相同的工艺形成。第1-2子坝D1-b和定位在显示区域DA中的像素限定层IL6可以定位在同一层上并且可以包括相同的材料。第1-2子坝D1-b和定位在显示区域DA中的像素限定层IL6可以通过相同的工艺形成。第1-3子坝D1-c和定位在显示区域DA中的间隔件IL7可以定位在同一层上并且可以包括相同的材料。第1-3子坝D1-c和定位在显示区域DA中的间隔件IL7可以通过相同的工艺形成。
第二坝D2可以包括第2-1子坝D2-a、第2-2子坝D2-b、第2-3子坝D2-c和第2-4子坝D2-d。第2-1子坝D2-a和定位在显示区域DA中的第一有机绝缘层IL4可以定位在同一层上并且可以包括相同的材料。第2-1子坝D2-a和定位在显示区域DA中的第一有机绝缘层IL4可以通过相同的工艺形成。第2-2子坝D2-b和定位在显示区域DA中的第二有机绝缘层IL5可以定位在同一层上并且可以包括相同的材料。第2-2子坝D2-b和定位在显示区域DA中的第二有机绝缘层IL5可以通过相同的工艺形成。第2-3子坝D2-c和定位在显示区域DA中的像素限定层IL6可以定位在同一层上并且可以包括相同的材料。第2-3子坝D2-c和定位在显示区域DA中的像素限定层IL6可以通过相同的工艺形成。第2-4子坝D2-d和定位在显示区域DA中的间隔件IL7可以定位在同一层上并且可以包括相同的材料。第2-4子坝D2-d和定位在显示区域DA中的间隔件IL7可以通过相同的工艺形成。
图7示出第一坝D1具有三层结构并且第二坝D2具有四层结构的实施例。然而，本公开不限于此，并且第一坝D1可以具有四层结构，并且第二坝D2可以具有三层结构以由此改变定位，第一坝D1和第二坝D2可以具有三层结构，或者第一坝D1和第二坝D2可以具有四层结构。还可以提供具有包括上述子坝的一部分的双层结构的坝。图7示出两个坝D1和D2定位在周边区域LA中的实施例。然而，本公开不限于此，并且至少两个坝可以定位在周边区域LA中。参考图7，从其去除功能层FL和第二电极E2的区可以定位在坝的各个侧，从其去除功能层FL和第二电极E2的区可以定位在坝的一侧。随着坝的数量改变，从其去除功能层FL和第二电极E2的区的数量也可以改变。
如图4中所示，在平面图中，说明书中所示的坝D1和D2可以具有围绕开口区域DTA的环形形状。在平面图中，从其去除功能层FL和第二电极E2的区(第一开口区R1、第二开口区R2和第三开口区R3)可以具有定位在坝D1和D2上的环形形状。然而，这是形状的示例，并且它们可以具有多边形、椭圆形或包括至少部分曲线的闭合线形状而不是环形形状，或者它们可以被提供为包括被部分地切割的图案的形状，并且它们不限于实施例。
第1-1层FL-1可以定位在第一坝D1上。第1-2层FL-2可以定位在第二坝D2上。第1-3层FL-3可以定位在第二坝D2与开口区域DTA之间。第1-1层FL-1、第1-2层FL-2和第1-3层FL-3以及功能层FL可以包括相同的材料并且可以通过相同的工艺形成。
第2-1层E2-1、第2-2层E2-2和第2-3层E2-3可以定位在第1-1层FL-1、第1-2层FL-2和第1-3层FL-3上。第2-1层E2-1、第2-2层E2-2和第2-3层E2-3以及第二电极E2可以具有相同的材料并且可以通过相同的工艺形成。
第二开口区R2定位在顺序地堆叠的第1-1层FL-1和第2-1层E2-1与顺序地堆叠的第1-2层FL-2和第2-2层E2-2之间，并且第三开口区R3定位在顺序地堆叠的第1-2层FL-2和第2-2层E2-2与顺序地堆叠的第1-3层FL-3和第2-3层E2-3之间。顺序地堆叠的第1-1层FL-1和第2-1层E2-1通过第一开口区R1与功能层FL和第二电极E2分离开。
从显示区域DA延伸的第一封装无机层EIL1可以定位在周边区域LA中。从显示区域DA延伸的封装有机层EOL的端部可以定位在周边区域LA中。第一坝D1可以在用于形成封装有机层EOL的工艺中控制材料的扩散。封装有机层EOL可以填充显示区域DA的端部与第一坝D1之间的空间。与基底SUB的前侧重叠的第二封装无机层EIL2可以定位在封装有机层EOL上。
在第一开口区R1中，第一封装无机层EIL1、封装有机层EOL和第二封装无机层EIL2可以定位在第一绝缘层IL1上。在第二开口区R2中，第一封装无机层EIL1和第二封装无机层EIL2可以定位在第一绝缘层IL1上。在第三开口区R3中，第一封装无机层EIL1和第二封装无机层EIL2可以定位在第一绝缘层IL1上。
如图2中所示，上述第一电子模块ES1可以插入到开口区域DTA中。开口区域DTA的内侧可以由基底SUB、缓冲层BF、第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2、第三绝缘层IL3、第1-3层FL-3、第2-3层E2-3、第一封装无机层EIL1、第二封装无机层EIL2、附加外涂层YOC、附加无机绝缘层YILD和附加平坦化层YPVX的端部限定。基底SUB、缓冲层BF、第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2、第三绝缘层IL3、第1-3层FL-3、第2-3层E2-3、第一封装无机层EIL1、第二封装无机层EIL2、附加外涂层YOC、附加无机绝缘层YILD和附加平坦化层YPVX一起切割，并且各个层的端部彼此对准。然而，本公开不限于此，并且明显的是可以省略或增加上述构成元件中的一些以构造开口区域DTA的内侧。
将参照图8放大并描述作为从其去除功能层FL和第二电极E2的区中的一个的第一开口区R1和第一开口区R1的周边部分。
如图8中所示，在第一开口区R1中，基底SUB、缓冲层BF、第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2、第三绝缘层IL3、第一封装无机层EIL1和封装有机层EOL顺序地堆叠，并且参考图7，第二封装无机层EIL2堆叠在封装有机层EOL上。
绝缘层堆叠在第一开口区R1中，并且在显示区域DA中，定位在第三绝缘层IL3上的各个绝缘层中的一些(第一有机绝缘层IL4、第二有机绝缘层IL5、像素限定层IL6和间隔件IL7)被去除。例如，形成各个绝缘层IL4、IL5、IL6和IL7，使得在开口区R1、R2和R3中可以去除相对应的绝缘层IL4、IL5、IL6和IL7。
也参考图7，定位在间隔件IL7上的功能层FL和第二电极E2以及第1-1层FL-1和第2-1层E2-1由相同的材料制成(或包括相同的材料)，并且在形成第一开口区R1的情况下，它们相对于第一开口区R1彼此分离开。第1-2层FL-2、第1-3层FL-3、第2-2层E2-2和第2-3层E2-3以及功能层FL和第二电极E2可以由相同的材料制成，并且第1-2层FL-2和第2-2层E2-2以及第1-3层FL-3和第2-3层E2-3相对于第三开口区R3分离开。
定位在第二电极E2上的第一封装无机层EIL1连续地形成在第一开口区R1的各个侧。
现在将参照图9至图11B描述用于制造显示面板的顺序。
图9示出根据实施例的用于制造显示面板的工艺的示意性流程图，图10A至图10D顺序地示出在根据实施例的用于制造显示面板的工艺中的牺牲层的形成，并且图11A和图11B示出在根据实施例的用于制造显示面板的工艺中的通过在其处照射激光束的牺牲层SFL和周边层的去除。
现在将参照图9集中于显示面板的显示区域DA的各个层的堆叠对周边区域LA的堆叠结构进行描述。图9中所示的各个阶段S10至S100对应于将参照图6进行描述的通过使用掩模执行蚀刻的工艺。
在基底SUB上形成缓冲层BF，堆叠用于半导体层的材料，并且通过使用掩模执行蚀刻以完成(或形成)半导体层SC(S10)。在实施例中，半导体层SC可以由包括多晶硅的多晶半导体制成，并且最终的半导体层SC可以通过形成非晶硅、经由结晶工艺将所述非晶硅改变为多晶硅以及用掩模图案化所述多晶硅来形成。
在缓冲层BF和半导体层SC上形成第一绝缘层IL1，堆叠用于第一栅极导电层的材料，通过使用掩模蚀刻所述材料，并且完成包括栅极电极GE和第一电容器电极CE1的第一栅极导电层GAT1(S20)。
在第一绝缘层IL1和第一栅极导电层GAT1上形成第二绝缘层IL2，堆叠用于第二栅极导电层的材料，并且通过使用掩模蚀刻所述材料，以完成包括上部电极AE和第二电容器电极CE2的第二栅极导电层GAT2(S30)。
在第二绝缘层IL2和第二栅极导电层GAT2上形成第三绝缘层IL3，并且通过使用掩模在第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3中形成用于暴露半导体层SC的开口CNT(S40)。
在第三绝缘层IL3上堆叠用于第一数据导电层的材料，并且通过使用掩模蚀刻所述材料，以由此完成包括源极电极SE和漏极电极DE的第一数据导电层SD1(S50)。在这种情况下，在第一周边区域LA1中形成第一数据导电层SD1的图案，并且通过后续工艺完成牺牲层SFL。将参照图10A至图10D描述用于制造牺牲层SFL的阶段。
在第三绝缘层IL3和第一数据导电层SD1上形成第一有机绝缘层IL4，并且通过使用掩模形成显示区域DA的开口和周边区域LA的第一有机绝缘层IL4的图案(S60)。周边区域LA的第一有机绝缘层IL4的图案包括第2-1子坝D2-a，并且第一有机绝缘层IL4的图案可以不形成在另一周边区域LA中。
在第一有机绝缘层IL4上堆叠用于第二数据导电层的材料，并且通过使用掩模蚀刻所述材料，以由此完成包括连接构件CE的第二数据导电层SD2(S70)。
在第一有机绝缘层IL4和第二数据导电层SD2上形成第二有机绝缘层IL5，并且通过使用掩模形成显示区域DA的开口和周边区域LA的第二有机绝缘层IL5的图案(S80)。周边区域LA的第二有机绝缘层IL5的图案包括第1-1子坝D1-a和第2-2子坝D2-b，并且第二有机绝缘层IL5的图案包括可以不形成在另一周边区域LA中。
在第二有机绝缘层IL5上堆叠用于像素电极层的材料，并且通过使用掩模蚀刻所述材料，以完成包括第一电极E1的像素电极层PXL(S90)。
顺序地堆叠用于在第二有机绝缘层IL5和像素电极层PXL上形成像素限定层IL6和间隔件IL7的材料，并且通过使用半色调掩模，周边区域LA的像素限定层IL6和间隔件IL7的图案以及与第一电极E1的至少一部分重叠并限定发光区的开口一起形成在显示区域DA中(S100)。在图9中，词语“HPDL”是“半色调像素限定层(Half-tone Pixel Defining Layer)”的缩短表达，其表示像素限定层(PDL)IL6用半色调掩模形成，并且因此间隔件IL7也在与像素限定层IL6相同的工艺中形成。像素限定层IL6和间隔件IL7的图案包括第1-2子坝D1-b、第1-3子坝D1-c、第2-3子坝D2-c和第2-4子坝D2-d，并且像素限定层IL6和间隔件IL7的图案可以不形成在另一周边区域LA中。
在像素限定层IL6和间隔件IL7上顺序地堆叠中间层EL和第二电极E2。在像素限定层IL6的开口中形成中间层EL的发射层EML，并且在基底上形成功能层FL。结果，功能层FL和第二电极E2形成在周边区域LA中，并且如图11A和图11B中所示，通过激光束的照射，功能层FL和第二电极E2在第一开口区R1、第二开口区R2和第三开口区R3中断开(S120)。
在描述激光束的照射之前，现在将参照图10A至图10D通过S50至S90对第一周边区域LA1中的牺牲层SFL的完成进行描述。图10A至10D中所示的部分对应于第一开口区R1、第二开口区R2和第三开口区R3中的一个。
图10A示出具有包括由氧化硅(SiOx)制成的第3-1无机绝缘层IL3-1和定位在第3-1无机绝缘层IL3-1上的由氮化硅(SiNx)制成的第3-2无机绝缘层IL3-2的双层结构的第三绝缘层IL3。
如图10A中所示，在S50中，在第一周边区域LA1的第三绝缘层IL3上形成具有与第一数据导电层SD1相同的材料的第一数据导电层SD1的图案。第一数据导电层SD1的图案具有三层结构，并且包括第1-1数据导电层SD1-1、第1-2数据导电层SD1-2和第1-3数据导电层SD1-3。在实施例中，第1-1数据导电层SD1-1和第1-3数据导电层SD1-3包括钛(Ti)，并且第1-2数据导电层SD1-2具有包括铝(Al)的三层结构。
参考图10A，在执行干蚀刻以形成第一数据导电层SD1的图案的同时，定位在第一数据导电层SD1的图案下方的第三绝缘层IL3被部分地蚀刻，并且第三绝缘层IL3的厚度减小gd1。这里，gd1的值可以是大约50nm至大约90nm。经蚀刻的第三绝缘层IL3是由氮化硅(SiNx)制成的第3-2无机绝缘层IL3-2，并且由氧化硅(SiOx)制成的第3-1无机绝缘层IL3-1未被蚀刻。
第一有机绝缘层IL4通过S60形成在显示区域DA中，并且第一有机绝缘层IL4被堆叠、被去除且不形成在周边区域LA中的开口区R1、R2和R3中。
为了较清楚的描述，在图10B和图10C中，第二数据导电层SD2的完成(S70)将被划分为两个阶段(S70-1和S70-2)。如图10B和图10C中所示，第二数据导电层SD2的完成(S70)包括堆叠用于第二数据导电层SD2的材料(S70-1)和蚀刻用于第二数据导电层SD2的材料(S70-2)。
如图10B中所示，在定位在开口区R1、R2和R3中的三层的第一数据导电层SD1的图案上堆叠用于第二数据导电层SD2的材料(S70-1)。用于第二数据导电层SD2的材料具有包括第2-1数据导电层SD2-1、第2-2数据导电层SD2-2和第2-3数据导电层SD2-3的三层。在实施例中，第2-1数据导电层SD2-1和第2-3数据导电层SD2-3包括钛(Ti)，并且第2-2数据导电层SD2-2具有包括铝(Al)的三层结构，从而具有与第一数据导电层SD1相同的三层结构。
如图10C中所示，执行用于蚀刻显示区域DA中的用于第二数据导电层SD2的材料的工艺(S70-2)。在这种情况下，用于定位在开口区R1、R2和R3中的第二数据导电层SD2的材料被干蚀刻。在开口区R1、R2和R3中，用于第二数据导电层SD2的堆叠的材料被干蚀刻，定位在三层的第一数据导电层SD1(其定位在第二数据导电层SD2下方)的图案的顶部部分的第1-3数据导电层SD1-3被去除，并且第1-2数据导电层SD1-2的厚度减小。通过干蚀刻被暴露的第三绝缘层IL3被附加地部分地刻蚀，并且第三绝缘层IL3的厚度减小gd2。这里，gd2的值可以是大约100nm至大约180nm。经蚀刻的第三绝缘层IL3是由氮化硅(SiNx)制成的第3-2无机绝缘层IL3-2，并且由氧化硅(SiOx)制成的第3-1无机绝缘层IL3-1未被蚀刻。
第二有机绝缘层IL5通过S80形成在显示区域DA中，并且第二有机绝缘层IL5被堆叠、被去除且不形成在周边区域LA中的开口区R1、R2和R3中。
如图10D中所示，在用于像素电极层PXL的材料堆叠在显示区域DA中，并且所述材料被湿蚀刻以完成包括第一电极E1的像素电极层PXL(S90)的情况下，并且在用于像素电极层PXL的材料在周边区域LA中的开口区R1、R2和R3中被堆叠、被湿蚀刻且被去除的情况下，蚀刻第一数据导电层SD1的图案的其厚度减小并保留的第1-2数据导电层SD1-2，并且完成最终的牺牲层SFL。牺牲层SFL和第一数据导电层SD1的图案的第1-1数据导电层SD1-1设置在同一层中并且牺牲层包括钛(Ti)。牺牲层SFL也被称为虚设金属图案，牺牲层SFL不电连接到其它构成元件，因此牺牲层SFL浮置，并且在平面图中，牺牲层SFL可以具有与坝形状相对应的形状(例如，环形形状)。
在图10D中完成牺牲层SFL的情况下被暴露的第三绝缘层IL3的厚度可以等同于图10C的情况，并且第三绝缘层IL3的最终厚度可以具有通过从最初形成的第三绝缘层IL3的厚度减去等于或小于大约180nm的厚度产生的值。保留在第一周边区域LA1中的第3-2无机绝缘层IL3-2的大约100nm至180nm的厚度被减小，并且它可以具有大约20nm至大约100nm的厚度。在第三绝缘层IL3的底部的第3-1无机绝缘层IL3-1未被蚀刻，因此其厚度在显示区域DA和周边区域LA中是恒定的。
现在将参照图11A和图11B对通过使用在周边区域LA的开口区R1、R2和R3中完成的牺牲层SFL来去除功能层FL和第二电极E2的一部分进行详细描述。
对如图10D中所示地完成的牺牲层SFL执行图9的阶段S100。例如，用于形成像素限定层IL6和间隔件IL7的材料顺序地堆叠在牺牲层SFL上，被蚀刻，并且被随后去除。
功能层FL和第二电极E2顺序地堆叠，使得功能层FL和第二电极E2形成在牺牲层SFL上。
当以这种方式形成时，如图11A中所示，在基底SUB下方照射激光束(S110)。激光束被施加到周边区域LA中的预定区(第一周边区域LA1)。如图11B中所示地照射的激光束与由金属制成的牺牲层SFL反应，并且牺牲层SFL和周边层剥离。在这种情况下，功能层FL和第二电极E2与牺牲层SFL一起剥离并且相对于开口区R1、R2和R3具有分离的结构。随着牺牲层SFL剥离，定位在牺牲层SFL下方的第三绝缘层IL3的一部分也剥离。在第三绝缘层IL3具有双层结构的情况下，在牺牲层SFL剥离的情况下，在第三绝缘层IL3的顶部的第3-2无机绝缘层IL3-2可以剥离。这可以表示第3-2无机绝缘层IL3-2从氮化硅(SiNx)与氧化硅(SiOx)之间的界面剥离。结果，如图11B中所示，由氧化硅(SiOx)制成的第3-1无机绝缘层IL3-1可以保留在开口区R1、R2和R3中，并且由氮化硅(SiNx)制成的第3-2无机绝缘层IL3-2可以被去除。
参考图11A和图11B，与邻近的第一周边区域LA1相比，开口区R1、R2和R3形成为与第3-2无机绝缘层IL3-2、功能层FL和第二电极E2的厚度一样低。开口区R1、R2和R3与邻近的第一周边区域LA1之间的厚度差gd3可以是大约300nm至大约500nm。
当照射的激光束与金属反应时，激光束一定不照射到显示区域DA，并且因为环岛部分RDL，激光束可以不照射到第二周边区域LA2。与第一周边区域LA1中的牺牲层SFL相对应地照射激光束，并且激光束也可以照射到坝D1和D2。
牺牲层SFL需要具有等于或大于预定厚度的厚度以对激光束起反应，并且在牺牲层SFL由钛(Ti)制成的情况下，牺牲层SFL可以具有等于或大于大约20nm的厚度。
根据实施例，具有不同的能量密度(ED)的激光束可以照射到向其照射有激光束的区。例如，具有高能量密度的激光束可以照射到在其中定位牺牲层SFL的区，并且具有低能量密度的激光束可以照射到其它区。可以从显示区域DA在面向在其中将形成开口区域DTA的区的方向上照射激光束。在激光束的能量密度高的情况下，周边绝缘层可以被碳化，因此可以以等于或小于大约1,000mJ/cm2的能量密度照射激光束。
图10A至图10D及图11A和图11B主要示出并描述了牺牲层SFL，并且牺牲层SFL形成在第一周边区域LA1中的开口区域，因此发现根据参照图7描述的实施例，形成和去除总共三个牺牲层SFL，并且形成总共三个开口区R1、R2和R3。牺牲层SFL以及开口区R1、R2和R3不与坝D1和D2重叠，并且可以定位在坝D1和D2之间。
在执行图11A和图11B中所示的工艺之后，参考图7，可以在基底SUB的前侧形成第一封装无机层EIL1。封装有机层EOL可以与显示区域DA重叠并且可以定位在周边区域LA的一部分上。在用于形成封装有机层EOL的工艺中，可以通过坝D1和D2防止液化有机材料被扩散。封装有机层EOL可以通过用于将液化有机材料施加到第一封装无机层EIL1的喷墨方法形成。在这种情况下，坝D1和D2限定向其施加有液化有机材料的区的边界，并且防止液化有机材料溢出到坝D1和D2的外部。
第二封装无机层EIL2可以形成在封装有机层EOL上以与基底SUB的前侧重叠。第一封装无机层EIL1和第二封装无机层EIL2可以在周边区域LA中彼此接触。
附加外涂层YOC和附加无机绝缘层YILD可以顺序地堆叠在第二封装无机层EIL2上以及显示区域DA的一部分中和周边区域LA中。附加平坦化层YPVX可以进一步堆叠在整个显示面板上。根据实施例，用于感测触摸的触摸电极在显示区域DA中可以附加地形成在封装层ENC(参考图6)和附加平坦化层YPVX之间。
在如上面所描述地完成显示面板的情况下，执行用于形成用于设置诸如相机的第一电子模块ES1的开口区域DTA的工艺。开口区域DTA可以形成为穿透显示面板。开口区域DTA可以通过激光束或钻孔工艺形成。
将参照图12至图15描述周边区域LA的平面结构和截面结构。
现在将参照图12和图13描述周边区域LA的平面结构。
图12示出根据实施例的在激光束照射在显示面板上之前的牺牲层和周边区的照片，并且图13示出根据实施例的在通过将激光束照射在显示面板上去除牺牲层和周边层之后拍摄的照片。
图12中的用孔层1、孔层2和孔层3标记的区为牺牲层SFL(例如参考图10D)，并且发现它们由金属材料制成并且因此显示明亮的颜色。
图13示出通过照射激光束去除牺牲层SFL及其周边层之后的状态。
参考图13，发现暗线(参考图13的箭头)在从其去除了牺牲层SFL的部分处是可见的。在图13中发现，明显的暗线定位在孔层2和孔层3上，而在图12的孔层1上，暗线不清晰。暗线可以因为开口区R1、R2和R3与邻近的第一周边区域LA1之间的高度差或台阶(或厚度差)是可见的，并且也可以在周边部分通过激光束的照射经受反应的情况下是可见的。
现在将参照图14和图15描述开口区R1、R2和R3与邻近的第一周边区域LA1之间的台阶。
图14示出根据实施例的在完成显示面板时被去除的牺牲层及其周边区的被拍摄的截面，并且图15示出在制造根据实施例的显示面板期间在完成牺牲层之前的周边区的被拍摄的截面。
现在将参照图14描述在通过照射激光束去除牺牲层之后的层的厚度关系。
图14示出在其上定位功能层FL和第二电极E2的部分以及在其上不定位功能层FL和第二电极E2的部分，并且在其上不定位功能层FL和第二电极E2的部分对应于开口区R1、R2和R3。
参考图14，开口区R1、R2和R3的各个层SUB、BF、IL1、IL2和IL3-1的测量厚度的总和为大约1,454nm(即，534.3+71.6+225.8+159.7+154.2+308.4＝1,454)。
到定位在功能层FL下方的第3-2无机绝缘层IL3-2的总厚度被测量为大约1,542nm。
基于此，第3-2无机绝缘层IL3-2的厚度为大约88nm，并且图11B中所示的gd3的厚度为大约363.4nm。因此，在根据实施例的最终完成的显示面板DP上的第一周边区域LA1中的开口区R1、R2和R3与它们的周边部分之间的高度差为大约363.4nm，并且根据实施例，可能出现大约300nm至大约500nm的厚度差(或高度差)。例如，开口区R1与邻近于显示区域DA的第二周边区域LA2之间的厚度差为大约300nm至大约500nm。保留在第一周边区域LA1中的第3-2无机绝缘层IL3-2的厚度可以为大约20nm至大约100nm。
现在将参照图15描述在完成相对应的牺牲层之前的周边部分的截面。图15示出图10D中的截面结构的照片，图10D示出包括铝(Al)的第1-2数据导电层SD1-2的一部分通过湿蚀刻保留的状态。然而，第1-2数据导电层SD1-2的该部分将通过后续的激光工艺与牺牲层一起被去除，因此第1-2数据导电层SD1-2的一部分保留不是问题。
参考图15，构成牺牲层SFL的第1-1数据导电层SD1-1具有大约65.41nm的厚度，定位在第1-1数据导电层SD1-1下方的第3-2无机绝缘层IL3-2具有大约189.3nm的厚度，并且暴露的第3-2无机绝缘层IL3-2被测量为具有大约48.19nm的厚度。在这种情况下，图10C中的gd2具有大约141.11nm的值。
在功能层FL和第二电极E2堆叠在暴露的第3-2无机绝缘层IL3-2上的情况下，功能层FL、第二电极E2以及第3-2无机绝缘层IL3-2具有如图11A中所示的分层结构。
已经描述了根据实施例的在其中牺牲层SFL被形成并且通过照射激光束被去除的显示面板DP。
为了根据结构和方法的比较，图16A至图16E和图17示出根据比较示例的制造方法和分层结构。
现在将参照图16A至图16E描述根据比较示例的牺牲层的形成。
图16A至图16E顺序地示出根据比较示例的显示面板的牺牲层的形成。
图16A至图16E未示出第三绝缘层IL3下方的结构。
图16A至图16E中的第三绝缘层IL3示出为具有包括由氧化硅(SiOx)制成的第3-1无机绝缘层IL3-1和定位在第3-1无机绝缘层IL3-1上的由氮化硅(SiNx)制成的第3-2无机绝缘层IL3-2的双层结构。
如图16A中所示，在显示区域DA中的第三绝缘层IL3上堆叠用于第一数据导电层SD1(例如参考图6)的材料并通过使用掩模蚀刻，以通过对应于图9的S50的S50p完成包括源极电极SE和漏极电极DE的第一数据导电层SD1。在比较示例中，第一数据导电层SD1的图案不形成在周边区域LA中。结果，用于第一数据导电层SD1的材料被蚀刻，定位在其下方的第3-2无机绝缘层IL3-2被干蚀刻，并且高度减小了等于或小于大约90nm。
在周边区域LA中在其上形成牺牲层SFL的部分，第一有机绝缘层IL4堆叠在第3-2无机绝缘层IL3-2上，并且被蚀刻和被去除。
如图16B中所示，用于第二数据导电层SD2的材料通过对应于图9的S70的S70p堆叠在显示区域DA中，并且被蚀刻以完成第二数据导电层SD2。根据比较示例，第二数据导电层SD2的图案不形成在周边区域LA中。结果，用于第二数据导电层SD2的材料被蚀刻，定位在其下方的第3-2无机绝缘层IL3-2被附加地干蚀刻，并且高度进一步减小了等于或小于大约90nm。
在比较示例中执行图9的从S80到S100的工艺。如图16C中所示，通过使用附加掩模形成牺牲层SFL(S105p)。例如，用于牺牲层SFL的金属材料堆叠在周边区域LA中，并通过使用掩模蚀刻以完成牺牲层SFL。如图16C中所示，第3-2无机绝缘层IL3-2被完全地蚀刻，并且第3-1无机绝缘层IL3-1被暴露。
功能层FL和第二电极E2顺序地堆叠，并且如图16D中所示，激光束照射在基底SUB下面(S110p)。照射的激光束与由金属制成的牺牲层SFL反应，使得牺牲层SFL和周边层可以剥离。
结果，比较示例具有图16E中所示的S120p中的最终的截面结构。
当根据比较示例的图16E的截面结构与根据实施例的图11B的截面结构比较时，牺牲层SFL从其剥离的开口区R1、R2和R3的截面结构相同，但是不同之处在于第3-2无机绝缘层IL3-2可以定位在或者可以不定位在开口区R1、R2和R3周围。
现在将参照图17描述通过图16A至图16E的制造方法实际制造的比较示例的截面。
图17示出根据图16A至图16E的比较示例的在完成显示面板时被去除的牺牲层及其周边区的截面的照片。
图17示出在其上定位有功能层FL和第二电极E2的部分以及在其上不定位有功能层FL和第二电极E2的部分，并且在其上不定位有功能层FL和第二电极E2的部分对应于开口区域。
参考图17，功能层FL下方的总厚度为大约1,520nm，并且在其中不定位功能层FL的开口区域的总厚度为大约1,514.9nm(例如，589.3+490.5+132.2+302.9＝1,514.9)。在比较两个厚度的情况下，存在大约5nm的差，然而当考虑测量误差和加工误差时，这基本上是相同的高度。
参考图17，第3-2无机绝缘层IL3-2在功能层FL的底部处是不可见的，但是第3-1无机绝缘层IL3-1恒定地定位，使得在与根据实施例的结构相比的情况下，发现功能层FL和第二电极E2的高度方面存在差异。例如，在比较示例中，第3-2无机绝缘层IL3-2不形成在开口区域周围，并且在图11B的实施例中，其厚度减小的第3-2无机绝缘层IL3-2定位在开口区R1、R2和R3周围。具有减小的高度的第3-2无机绝缘层IL3-2的厚度可以为大约20nm至大约100nm。结果，在实施例中，与比较示例相比，功能层FL和第二电极E2短路的部分的深度大了第3-2无机绝缘层IL3-2的厚度(大约20nm至大约100nm)，并且功能层FL和第二电极E2定位为与基底SUB相距第3-2无机绝缘层IL3-2的厚度(大约20nm至大约100nm)。
现在将参照图18至图21描述实施例。
另一实施例表示包括在像素PX中的半导体层，所述半导体层除了多晶半导体层之外包括氧化物半导体层。
现在将参照图18描述根据另一实施例的像素PX的电路配置。
图18示出根据另一实施例的像素的示意性电路图。
关于图18中所示的像素PX，与图5中所示的像素PX不同，第三晶体管T3、第四晶体管T4和第七晶体管T7包括氧化物半导体。结果，第二晶体管T2和第三晶体管T3接收不同的扫描信号GW和GC。在参照图18描述的实施例中，第四晶体管T4和第七晶体管T7接收不同的初始化电压VINT和AINT。
如图18中所示，根据实施例的显示装置的像素PX包括电连接到布线127、128、151、152、153、154、155、171、172和741的晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst、升压电容器Cbt和发光二极管LED。
布线127、128、151、152、153、154、155、171、172和741电连接到像素PX。布线包括第一初始化电压线127、第二初始化电压线128、第一扫描信号线151、第二扫描信号线152、初始化控制线153、旁路控制线154、发射控制线155、数据线171、驱动电压线172和公共电压线741。
第一扫描信号线151电连接到扫描驱动器20(参考图3)并将第一扫描信号GW传输到第二晶体管T2。第二扫描信号线152可以在与第一扫描信号线151的信号相同的时序施加具有与施加到第一扫描信号线151的电压的极性相反的极性的电压。例如，在具有负极性的电压施加到第一扫描信号线151的情况下，具有正极性的电压可以施加到第二扫描信号线152。第二扫描信号线152将第二扫描信号GC传输到第三晶体管T3。
初始化控制线153将初始化控制信号GI传输到第四晶体管T4。旁路控制线154将旁路信号GB传输到第七晶体管T7。旁路控制线154可以配置有前级第一扫描信号线151。发射控制线155将发射控制信号EM传输到第五晶体管T5和第六晶体管T6。
数据线171传输由数据驱动器(未示出)产生的数据电压DATA，并且由发光二极管LED发射的光的亮度根据施加到像素PX的数据电压DATA改变。
驱动电压线172施加驱动电压ELVDD。第一初始化电压线127传输第一初始化电压VINT，并且第二初始化电压线128传输第二初始化电压AINT。公共电压线741将公共电压ELVSS施加到发光二极管LED的阴极。在实施例中，相应的恒定电压可以施加到驱动电压线172、第一初始化电压线127和第二初始化电压线128以及公共电压线741。
晶体管可以包括驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。晶体管可以包括包含氧化物半导体的氧化物晶体管和包含多晶硅半导体的硅晶体管。在参照图18描述的实施例中，第三晶体管T3、第四晶体管T4和第七晶体管T7可以由氧化物晶体管制成(或可以形成为氧化物晶体管)，并且驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5和第六晶体管T6可以由硅晶体管制成。然而，本公开不限于此，并且晶体管可以全部由硅晶体管和/或氧化物晶体管制成。
第二晶体管T2将数据电压DATA传输到像素PX，第四晶体管T4将驱动晶体管T1的栅极电极处的电压初始化为第一初始化电压VINT，并且第七晶体管T7将发光二极管LED的阳极处的电压初始化为第二初始化电压AINT。
第五晶体管T5将驱动电压ELVDD传输到驱动晶体管T1，第六晶体管T6将驱动晶体管T1的输出电流传输到发光二极管LED，并且其中第五晶体管T5和第六晶体管T6导通的部分可以是发射部分。
第三晶体管T3将驱动晶体管T1的栅极电极和输出侧电极电连接，使得数据电压DATA可以通过驱动晶体管T1并且可以存储在电连接到驱动晶体管T1的栅极电极的存储电容器Cst中。在这种情况下，最终存储在存储电容器Cst中的电压可以是通过补偿驱动晶体管T1的阈值电压产生的电压值。
驱动晶体管T1基于存储在存储电容器Cst中的电压产生输出电流并且输出所述输出电流。
在施加到第一扫描信号线151的第一扫描信号GW改变为较低电压并且第二晶体管T2导通的情况下，升压电容器Cbt降低驱动晶体管T1的栅极电极处的电压。结果，驱动晶体管T1可以保持导通状态。
像素PX已经被描述为包括七个晶体管T1至T7、一个存储电容器Cst和一个升压电容器Cbt。然而，本公开不限于此，并且晶体管的数量、电容器的数量及它们的连接关系是能以多种方式修改的。
现在将参照图19至图22描述根据另一实施例的用于制造显示面板的工艺。
图19示出根据另一实施例的用于制造显示面板的工艺的流程图。
与图9的情况相比，参照图19描述的实施例还包括形成氧化物半导体层OSC(S31)以及形成第三栅极导电层GAT3(S32)。参照图19描述的实施例包括形成开口的两个阶段(S40-1、S40-2)。
现在将描述各个阶段。
在缓冲层BF形成在基底SUB上之后，用于半导体层的材料被堆叠并通过使用掩模蚀刻，以完成半导体层SC(S10)。在实施例中，半导体层SC可以由包括多晶硅的多晶半导体制成，并且最终的半导体层SC可以通过形成非晶硅、经由结晶工艺将所述非晶硅改变为多晶硅以及用掩模图案化所述多晶硅来形成。
在缓冲层BF和半导体层SC上形成第一绝缘层IL1，堆叠用于第一栅极导电层GAT1的材料，通过使用掩模蚀刻所述材料，并且完成包括栅极电极GE和第一电容器电极CE1的第一栅极导电层GAT1(S20)。
在第一绝缘层IL1和第一栅极导电层GAT1上形成第二绝缘层IL2，堆叠用于第二栅极导电层GAT2的材料，并且通过使用掩模蚀刻所述材料，以完成包括第二电容器电极CE2和重叠电极OBML的第二栅极导电层GAT2(S30)。
在第二绝缘层IL2和第二栅极导电层GAT2上形成第2-1无机绝缘层IL2-1，并通过使用掩模完成氧化物半导体层OSC(S31)。
堆叠用于覆盖第2-1无机绝缘层IL2-1和氧化物半导体层OSC的第2-2无机绝缘层IL2-2。用于第三栅极导电层的材料堆叠在第2-2无机绝缘层IL2-2上，并通过使用掩模蚀刻，以完成包括与氧化物半导体层OSC重叠的氧化物栅极电极OGE的第三栅极导电层GAT3(S32)。根据实施例，可以在第三栅极导电层GAT3上附加地形成电连接到重叠电极OBML的连接构件。
在第2-2无机绝缘层IL2-2和第三栅极导电层GAT3上形成第三绝缘层IL3，并且通过使用掩模形成用于将半导体层SC暴露于第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2、第2-1无机绝缘层IL2-1、第2-2无机绝缘层IL2-2和第三绝缘层IL3的第一开口P-CNT(S40-1)。这里，第一开口P-CNT可以暴露由多晶半导体制成的半导体层SC。
通过使用附加掩模在第2-2无机绝缘层IL2-2和第三绝缘层IL3上形成用于暴露氧化物半导体层OSC的第二开口O-CNT(S40-2)。这里，第二开口O-CNT可以暴露由氧化物半导体制成的氧化物半导体层OSC。根据实施例，可以用掩模执行用于形成开口的工艺，或者可以通过一个工艺形成开口，但是本公开不限于此。
在第三绝缘层IL3上堆叠用于第一数据导电层SD1的材料，并且通过使用掩模蚀刻所述材料，以由此完成包括源极电极SE和漏极电极DE的第一数据导电层SD1(S50)。在这种情况下，在第一周边区域LA1中形成第一数据导电层SD1的图案，并且通过后续工艺完成牺牲层SFL(参见图10A至图10D)。
在第三绝缘层IL3和第一数据导电层SD1上形成第一有机绝缘层IL4，并且通过使用掩模形成显示区域DA的开口和周边区域LA的第一有机绝缘层IL4的图案(S60)。周边区域LA的第一有机绝缘层IL4的图案包括第2-1子坝D2-a，并且第一有机绝缘层IL4的图案可以不形成在另一周边区域LA中。
用于第二数据导电层SD2的材料形成在第一有机绝缘层IL4上并通过使用掩模蚀刻，以完成包括连接构件CE的第二数据导电层SD2(S70)。
在第一有机绝缘层IL4和第二数据导电层SD2上形成第二有机绝缘层IL5，并且通过使用掩模形成显示区域DA的开口和周边区域LA的第二有机绝缘层IL5的图案(S80)。周边区域LA的第二有机绝缘层IL5的图案包括第1-1子坝D1-a和第2-2子坝D2-b，并且第二有机绝缘层IL5的图案可以不形成在另一周边区域LA中。
用于像素电极层的材料堆叠在第二有机绝缘层IL5上，并通过使用掩模蚀刻，以完成包括第一电极E1的像素电极层PXL(S90)。
在第二有机绝缘层IL5和像素电极层PXL上顺序地堆叠用于形成像素限定层IL6和间隔件IL7的材料，并且周边区域LA的像素限定层IL6和间隔件IL7的图案通过使用半色调掩模(HPDL)和与第一电极E1的至少一部分重叠并限定发光区的开口一起形成在显示区域DA中(S100)。像素限定层IL6和间隔件IL7的图案包括第1-2子坝D1-b、第1-3子坝D1-c、第2-3子坝D2-c和第2-4子坝D2-d，并且像素限定层IL6和间隔件IL7的图案可以不形成在另一周边区域LA中。
在像素限定层IL6和间隔件IL7上顺序地堆叠中间层EL(包括功能层FL和发射层EML)和第二电极E2。结果，功能层FL和第二电极E2在周边区域LA中电连接到彼此，并且如图11A和图11B中所示，通过激光束的照射，功能层FL和第二电极E2在第一开口区R1、第二开口区R2和第三开口区R3中彼此断开(S120)。
在参照图19至图22描述的实施例中，显示区域DA的分层结构具有不同之处，并且在第三绝缘层IL3的底部的结构具有不同之处，因此第三绝缘层IL3的顶部的结构可以基本上等同于在图10A至图10D以及图11A和图11B中所示的第三绝缘层IL3的顶部的结构。
例如，在如图10A中所示地形成第一数据导电层SD1的图案的情况下，第三绝缘层IL3被部分地蚀刻，并且第三绝缘层IL3的厚度减小了gd1的值。在这种情况下的gd1的值可以是大约50nm至大约90nm。在用于蚀刻用于第二数据导电层的材料的后续工艺(S70-2)中暴露的第三绝缘层IL3被附加地进一步部分地蚀刻，并且第三绝缘层IL3的厚度减小了gd2的值。gd2的值可以是大约100nm至大约180nm。
参考图10D，在完成牺牲层SFL的情况下暴露的第三绝缘层IL3的厚度可以等同于图10C的情况，并且第三绝缘层IL3的最终厚度可以具有第三绝缘层IL3的厚度减去大约180nm的厚度的值。保留在第一周边区域LA1中的第3-2无机绝缘层IL3-2的厚度减小了大约100nm至大约180nm，并且它可以具有大约20nm至大约100nm的厚度。
如图11A和图11B中所示，在通过照射激光束形成开口区R1、R2和R3的情况下，开口区R1、R2和R3形成为比邻近的第一周边区域LA1低了第3-2无机绝缘层IL3-2、功能层FL和第二电极E2的厚度。开口区R1、R2和R3与邻近的第一周边区域LA1之间的厚度差gd3可以是大约300nm至大约500nm。
可以进一步执行激光或钻孔工艺以形成穿透显示面板的开口区域DTA。
现在将参照图20描述在去除牺牲层的情况下形成的开口区R1、R2和R3的截面结构。
图20示出根据另一实施例的显示面板上的从其去除了牺牲层的部分的示意性放大截面图。
图20类似于图8，并且不同之处在于两个附加绝缘层(第2-1无机绝缘层IL2-1和第2-2无机绝缘层IL2-2)定位在第二绝缘层IL2与第三绝缘层IL3之间。
参考图20，功能层FL和第二电极E2相对于开口区R1、R2和R3与第1-1层FL-1和第2-1层E2-1分离开。定位在第二电极E2上的第一封装无机层EIL1连续地形成在第一开口区R1的各个侧。
现在将参照图21描述显示区域中的具有图18中所示的结构的像素PX的截面结构。
图21示出根据图18的实施例的包括在显示面板上的显示区域中的像素的示意性截面图。
基底SUB可以具有各种程度的柔性。基底SUB由绝缘层制成，并且基底SUB可以是被弯曲、折叠或卷曲的柔性基底。
缓冲层BF可以定位在基底SUB上，并且以如同参照图21描述的实施例的方式缓冲层BF可以被排除。
半导体层SC定位在基底SUB上。半导体层SC可以包括多晶硅。半导体层SC包括与定位在其顶侧的栅极电极GE重叠的沟道区以及定位在所述沟道区的各个侧的第一区和第二区。沟道区表示与第一区和第二区相比掺杂有少量杂质或未掺杂有杂质的半导体区，并且第一区和第二区表示与沟道区相比掺杂有大量杂质的半导体区。
第一绝缘层IL1定位在半导体层SC上。第一绝缘层IL1可以具有包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层结构。
包括栅极电极GE和第一电容器电极CE1的第一栅极导电层GAT1定位在第一绝缘层IL1上。第一栅极导电层GAT1可以是堆叠包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)、钼合金、钛(Ti)和钛合金中的一种的金属层的单层或多层。在平面图中，栅极电极GE可以与半导体层SC的沟道区重叠。
第二绝缘层IL2定位在第一栅极导电层GAT1和第一绝缘层IL1上。第二绝缘层IL2可以是包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层。
包括第二电容器电极CE2和重叠电极OBML的第二栅极导电层GAT2定位在第二绝缘层IL2上。第二电容器电极CE2和重叠电极OBML可以是导电图案的不同部分。第二电容器电极CE2与第一电容器电极CE1重叠以形成存储电容器Cst。重叠电极OBML与将在下面描述的氧化物半导体层OSC的沟道重叠。第二栅极导电层GAT2可以是堆叠包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)、钼合金、钛(Ti)和钛合金中的一种的金属层的单层或多层。
第2-1无机绝缘层IL2-1定位在第二栅极导电层GAT2和第二绝缘层IL2上。第2-1无机绝缘层IL2-1可以是包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层。
氧化物半导体层OSC定位在第2-1无机绝缘层IL2-1上。氧化物半导体层OSC包括与定位在其顶侧的栅极电极GE重叠的沟道区以及定位在沟道区的各个侧的第一区和第二区。沟道区表示与第一区和第二区相比掺杂有少量杂质或未掺杂有杂质的半导体区，并且第一区和第二区表示与沟道区相比掺杂有大量杂质的半导体区。
在第2-1无机绝缘层IL2-1和氧化物半导体层OSC上形成第2-2无机绝缘层IL2-2。第2-2无机绝缘层IL2-2可以是包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层。
包括氧化物栅极电极OGE的第三栅极导电层GAT3定位在第2-2无机绝缘层IL2-2上。氧化物栅极电极OGE与氧化物半导体层OSC的沟道重叠。第三栅极导电层GAT3可以是堆叠包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)、钼合金、钛(Ti)和钛合金中的一种的金属层的单层或多层。
第三绝缘层IL3定位在第2-2无机绝缘层IL2-2和第三栅极导电层GAT3上。第三绝缘层IL3可以是包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层。
包括源极电极SE和漏极电极DE的第一数据导电层SD1定位在第三绝缘层IL3上。源极电极SE和漏极电极DE可以通过形成在第三绝缘层IL3以及第一无机绝缘层IL1和第二无机绝缘层IL2中的接触孔电连接到半导体层SC的第一区S和第二区D。根据实施例，半导体层SC可以在没有源极电极SE和漏极电极DE的情况下直接延伸为电连接到邻近的像素PX。第一数据导电层SD1可以包括铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、铬(Cr)、镍(Ni)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且第一数据导电层SD1可以具有包括与上述相同的材料的单层或多层结构。第一数据导电层SD1具有铝(Al)设置在两层钛(Ti)之间的三层结构，并且将主要集中于Ti/Al/Ti的三层结构进行描述。
第一有机绝缘层IL4和第二有机绝缘层IL5顺序地定位在第三绝缘层IL3和第一数据导电层SD1上。第一有机绝缘层IL4和第二有机绝缘层IL5可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基基团的聚合物衍生物和诸如丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、聚酰亚胺和硅氧烷基聚合物的有机绝缘材料。
连接构件CE可以定位在第一有机绝缘层IL4与第二有机绝缘层IL5之间。连接构件CE构成第二数据导电层SD2，并且连接构件CE可以将漏极电极DE电连接到第一电极E1或者可以将第一电容器电极CE1或驱动晶体管T1的栅极电极电连接到另一构成元件。第二数据导电层SD2可以包括铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且第二数据导电层SD2可以具有包括与上述相同的材料的单层或多层结构。第二数据导电层SD2具有以如同第一数据导电层SD1的方式将铝(Al)设置在两层钛(Ti)之间的三层结构，并且将主要集中于Ti/Al/Ti的三层结构进行描述。
第一电极E1定位在第二有机绝缘层IL5上。第一电极E1构成像素电极层PXL并且通过第二有机绝缘层IL5的接触孔电连接到连接构件CE。第一电极E1电连接到漏极电极DE。第一电极E1可以包括诸如银(Ag)、锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)和金(Au)的金属并且可以包括诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物(TCO)。第一电极E1可以由包括金属材料或透明导电氧化物的单层或包括它们的多层制成。第一电极E1可以具有包括氧化铟锡(ITO)/银(Ag)/氧化铟锡(ITO)的三层结构，并且将集中于ITO/Ag/ITO的结构进行描述。
栅极电极GE和半导体层SC构成多晶晶体管，并且氧化物栅极电极OGE和氧化物半导体层OSC构成氧化物晶体管。根据晶体管，它们可以包括电连接到半导体层(SC和OSC)的第一区和第二区的源极电极SE和漏极电极DE。根据晶体管，晶体管可以配置有栅极电极GE和半导体层(SC和OSC)而不使用源极电极SE和漏极电极DE。晶体管(第六晶体管T6)电连接到第一电极E1并向发光二极管LED供应电流。
像素限定层IL6和间隔件IL7定位在第二有机绝缘层IL5和第一电极E1上。
像素限定层IL6与第一电极E1的至少一部分重叠并且具有用于限定发光区的开口。开口可以具有基本上类似于第一电极E1的平面形状的平面形状。在平面图中，开口可以具有菱形形状或类似于菱形形状的八边形形状，但是本公开不限于此，开口可以具有各种形状，诸如四边形的多边形、圆形和椭圆形。
像素限定层IL6和间隔件IL7可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基基团的聚合物衍生物和诸如丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、聚酰亚胺和硅氧烷基聚合物的有机绝缘材料。
中间层EL定位在像素限定层IL6、间隔件IL7和第一电极E1上。参考图6，中间层EL可以包括发射层EML和功能层FL。中间层EL的发射层EML可以产生预定颜色的光。发射层EML可以包括有机材料和/或无机材料。发射层EML形成在像素限定层IL6的开口中。功能层FL可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一种。功能层FL可以被分为定位在第一电极E1与发射层EML之间的第一功能层FL1和定位在发射层EML与第二电极E2之间的第二功能层FL2。功能层FL可以与基底SUB的前侧重叠。功能层FL可以设置在像素上并跨越像素。
第二电极E2定位在中间层EL上。第二电极E2可以包括包含钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)和锂(Li)的反射金属或诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物(TCO)。
第一电极E1、中间层EL和第二电极E2可以构成发光二极管LED。这里，第一电极E1可以是作为空穴注入电极的阳极，并且第二电极E2可以是作为电子注入电极的阴极。然而，实施例不限于此，并且根据用于驱动发射显示装置的方法，第一电极E1可以是阴极，并且第二电极E2可以是阳极。
空穴和电子从第一电极E1和第二电极E2注入到发射层EML中，并且在作为注入的空穴和电子的结合的激子从激发态下降到基态的情况下光发射。
尽管在图21中未示出，但是封装层ENC以如同图6和图7的方式定位在第二电极E2上。封装层ENC可以覆盖(或重叠)发光二极管LED的上侧和发光二极管LED的横向侧以密封发光二极管LED。发光二极管LED可能容易受到湿气和氧气的影响，因此封装层ENC密封发光二极管LED以阻挡外部湿气和氧气的流入。封装层ENC可以包括多个层，封装层ENC可以由包含无机层和有机层的复合层制成(或可以包括包含无机层和有机层的复合层)，并且例如，封装层ENC可以形成为通过顺序地堆叠第一封装无机层EIL1、封装有机层EOL和第二封装无机层EIL2来配置的三层。
上面已经描述了具有图5和图6中所示的像素结构的实施例和具有图18和图21中所示的像素结构的实施例。本公开适用于各种其它实施例。
现在将参照图7描述图22的修改实施例。
图22示出根据另一实施例的在其中定位周边区域和开口区域的显示面板的示意性截面图。
参考图22，与图7不同，附加平坦化层YPVX形成为附加绝缘层。
例如，用于覆盖(或重叠)周边区域LA和显示区域DA的附加绝缘层形成有附加平坦化层YPVX，使得所述附加绝缘层可以具有平面特性。根据实施例，用于感测触摸的触摸电极可以附加地形成`的封装层ENC和附加平坦化层YPVX之间。
在参照图22描述的实施例中，开口区域DTA的内侧可以由基底SUB、缓冲层BF、第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2、第三绝缘层IL3、第1-3层FL-3、第2-1层E2-1、第一封装无机层EIL1、第二封装无机层EIL2和附加平坦化层YPVX的端部限定。基底SUB、缓冲层BF、第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2、第三绝缘层IL3、第1-3层FL-3、第2-1层E2-1、第一封装无机层EIL1、第二封装无机层EIL2和附加平坦化层YPVX可以一起切刻，并且各个层的端部彼此对准。
然而，本公开不限于此，并且可以省略上述构成元件中的一些或者可以添加一些以构成开口区域DTA的内侧。
虽然已经结合目前被认为是实际实施例的内容描述了本公开，但是应当理解的是，本公开不限于所公开的实施例，而是相反地，旨在覆盖包括在所附权利要求书的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
基底，包括：
开口区域；
周边区域，邻近于所述开口区域；和
显示区域，邻近于所述周边区域；
半导体层，与所述显示区域重叠，设置在所述基底上，并且包括沟道；
栅极电极，与所述半导体层的所述沟道重叠；
绝缘层，设置在所述栅极电极上；
第一电极，设置在所述绝缘层上；
发射层，设置在所述第一电极上；以及
第二电极，设置在所述发射层上，
其中，所述绝缘层在开口区中部分断开，在所述周边区域中所述发射层和所述第二电极在所述开口区中断开。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述绝缘层包括双层结构，并且
所述绝缘层的上层在所述开口区中被去除。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述绝缘层的所述上层的端部对应于所述发射层的端部或所述第二电极的端部，
所述绝缘层的下层包括氧化硅，并且
所述绝缘层的所述上层包括氮化硅。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述绝缘层的所述下层连续地设置在所述开口区中。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述周边区域包括：
第一周边区域，包括所述开口区；以及
第二周边区域，包括环岛部分，并且
数据线设置在所述绝缘层上并且在所述环岛部分周围迂回。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
穿透所述显示面板的所述开口区域设置在所述第一周边区域中，并且
所述显示装置还包括设置在所述开口区域中的相机。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
所述第一周边区域包括至少一个坝，并且
所述坝具有环形形状。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
所述开口区设置在所述坝的两侧。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述开口区与邻近于所述显示区域的所述周边区域之间的厚度差为300nm至500nm。
10.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述绝缘层的所述上层的厚度为20nm至100nm。
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