KR20210024292A - 표시 장치 - Google Patents

표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20210024292A
KR20210024292A KR1020190102458A KR20190102458A KR20210024292A KR 20210024292 A KR20210024292 A KR 20210024292A KR 1020190102458 A KR1020190102458 A KR 1020190102458A KR 20190102458 A KR20190102458 A KR 20190102458A KR 20210024292 A KR20210024292 A KR 20210024292A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
metal layer
line
disposed
display device
Prior art date
Application number
KR1020190102458A
Other languages
English (en)
Inventor
최원준
김일주
김덕중
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020190102458A priority Critical patent/KR20210024292A/ko
Priority to US16/853,853 priority patent/US11114511B2/en
Priority to CN202010797089.4A priority patent/CN112419907A/zh
Publication of KR20210024292A publication Critical patent/KR20210024292A/ko
Priority to US17/466,233 priority patent/US20210399059A1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • H01L27/3225—
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G06F3/04164—Connections between sensors and controllers, e.g. routing lines between electrodes and connection pads
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0448—Details of the electrode shape, e.g. for enhancing the detection of touches, for generating specific electric field shapes, for enhancing display quality
    • H01L27/3244—
    • H01L51/5262—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/868—Arrangements for polarized light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04111—Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예는, 투과영역을 사이에 두고 상호 이격된 두 개의 화소들을 포함하는 표시 패널과, 표시 패널 상에 배치되며 감지전극들 및 감지전극들에 전기적으로 연결된 트레이스 라인들을 포함하는 입력감지부와, 표시 패널 상에서 투과영역을 둘러싸며 투과영역에 위치하는 제1홀을 포함하는 금속층, 및 금속층 상에 배치되며 제1홀에 중첩하되 제1홀의 제1폭 보다 큰 제2홀을 포함하는, 광학 기능부을 구비하는, 표시 장치를 개시한다.

Description

표시 장치{Display device}
본 발명의 실시예들은 표시 장치에 관한 것으로, 투과영역을 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 표시 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다.
표시 장치 중 표시영역이 차지하는 면적을 확대하면서, 표시 장치에 접목 또는 연계하는 다양한 기능들이 추가되고 있다. 면적을 확대하면서 다양한 기능을 추가하기 위한 방안으로서 표시영역 내측에 이미지 디스플레이가 아닌 다양한 기능을 부가하기 위한 영역을 갖는 표시 장치의 연구가 계속되고 있다.
표시영역의 내측에 다양한 기능을 부가하기 위한 영역으로 빛을 투과할 수 있는 투과영역을 구비할 수 있는데, 해당 부분을 통해 외부광이 입사하는 경우 발광 다이오드가 손상되는 등의 문제가 발생할 수 있으며, 외부의 정전기에도 상대적으로 취약한 구조를 가질 수 있다. 본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로, 고품질의 표시 장치를 제공한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예는 투과영역을 사이에 두고 상호 이격된 두 개의 화소들을 포함하는 표시 패널; 상기 표시 패널 상에 배치되며, 감지전극들 및 상기 감지전극들에 전기적으로 연결된 트레이스 라인들을 포함하는 입력감지부; 상기 표시 패널 상에서 상기 투과영역을 둘러싸며, 상기 투과영역에 위치하는 제1홀을 포함하는 금속층을 포함하는 표시 장치를 개시한다.
표시 장치는, 상기 금속층 상에 배치되며, 상기 제1홀에 중첩하되 상기 제1홀의 제1폭 보다 큰 제2홀을 포함하는, 광학 기능부;를 더 포함할 수 있다.
상기 광학 기능부은 상기 금속층의 일부만 커버할 수 있다.
상기 광학 기능부은, 편광자, 지연자, 상쇄간섭 구조물, 또는 컬러필터와 블랙매트릭스의 구조물을 포함할 수 있다.
상기 금속층은 상기 트레이스 라인들과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 금속층은, 몰리브덴(Mo), 멘델레븀(Mb), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
상기 금속층의 외측에 배치되는 적어도 하나의 라인들 더 포함할 수 있다.
개구부분을 중심으로 상호 이격되고 상기 금속층의 외측 가장자리를 따라 배치된 복수의 물질 부분들을 포함할 수 있다.
상기 적어도 하나의 라인은, 제1개구 부분을 중심으로 상호 이격되고 상기 금속층의 외측 가장자리를 따라 배치된 복수의 제1물질 부분들을 포함하는, 제1라인; 및 상기 제1라인과 이격된 채 상기 금속층의 외측 가장자리를 따라 배치되고, 제2개구 부분을 중심으로 상호 이격된 복수의 제2물질 부분들을 포함하는, 제2라인;을 포함할 수 있다.
상기 제1개구 부분은, 상기 개구영역의 중심에서 멀어지는 방사 방향을 따라 상기 복수의 제2물질 부분들 중 하나와 중첩하고, 상기 제2개구 부분은, 상기 개구영역의 중심에서 멀어지는 방사 방향을 따라 상기 복수의 제1물질 부분들 중 하나와 중첩할 수 있다.
상기 이웃하는 감지전극들 사이에 위치하는 더미 전극을 더 포함하고, 상기 제1개구 부분 또는 상기 제2개구 부분은, 상기 더미 전극과 인접하게 배치될 수 있다.
상기 표시 패널은,기판; 상기 기판 상에 배치되며, 상기 두 개의 화소들을 포함하는 표시층; 및상기 표시 층 상의 봉지기판;을 포함할 수 있다.
상기 표시층은 상기 투과영역과 대응하는 홀을 포함하며, 상기 기판의 상면과 상기 봉지기판의 하면은 상기 표시층의 상기 홀을 통해 서로 마주볼 수 있다.
상기 금속층은 상호 이격된 복수의 물질 부분을 포함할 수 있다.
상기 광학 기능부 상에 배치되는 윈도우, 및 상기 광학 기능부과 상기 윈도우 사이의 투명 점착층을 더 포함할 수 있다.
상기 윈도우는, 상기 금속층의 일부와 중첩하는 차광부를 포함할 수 있다.
상기 기판 또는 상기 봉지기판 중 적어도 하나는, 글래스재를 포함할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예들에 관한 표시 장치는 외부광으로부터 발광 소자를 보호할 수 있으며, 정전기에 의한 손상을 방지할 수 있다. 이러한 효과는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2a 및 도 2b는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도이다.
도 3a 내지 도 3c는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4a 내지 도 4c는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 6은 표시 패널의 어느 한 화소를 개략적으로 나타낸 등가 회로도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 어느 하나의 화소의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널 상의 입력감지부를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지부의 적층 구조를 보여주는 단면도이다.
도 11a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지부 중 제1도전층을 나타낸 평면도이다.
도 11b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지부 중 제2도전층을 나타낸 평면도이다.
도 12a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지부 중 제1도전층을 나타낸 평면도이다.
도 12b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지부 중 제2도전층을 나타낸 평면도이다.
도 13a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 감지층의 일부를 나타낸 사시도이다.
도 13b는 도 13a의 XIII- XIII' 선에 따른 단면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 발췌하여 나타낸 평면도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 16a 내지 도 16d는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 조립 공정에 따른 단면도들이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도로서, 금속층과 광학 기능부의 관계를 나타낸다.
도 19 및 도 20은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 21은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 22는 도 21의 XXII 부분을 확대한 평면도이다.
도 23은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 24a 내지 도 24f는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도들이다.
도 25는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 입력감지부를 나타낸 평면도이다..
도 26은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 입력감지부를 나타낸 단면도이다..
도 27은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 제1영역(A1) 및 제1영역(A1)을 둘러싸는 제2영역(A2)을 포함할 수 있다. 제2영역(A2)는 복수의 화소들, 예컨대 화소들의 어레이가 배치될 수 있으며, 제2영역(A2)은 화소들의 어레이를 통해 이미지를 표시할 수 있다. 제2영역(A2)은 이미지를 표시할 수 있는 액티브 영역에 해당한다. 제1영역(A2)은 제2영역(A2)에 의해 전체적으로 둘러싸일 수 있다. 제1영역(A1)은 표시 장치(1)에 다양한 기능을 부여할 수 있는 컴포넌트가 배치되는 영역일 수 있다. 예컨대, 컴포넌트가 빛을 이용하는 센서, 카메라 등을 포함하는 경우, 제1영역(A1)은 센서의 빛 또는 카메라로 진행하는 빛이 투과할 수 있는 투과영역에 해당한다.
제1영역(A1)과 제2영역(A2) 사이에는 제3영역(A3)이 구비될 수 있다. 제3영역(A3)은 화소들이 배치되지 않는 일종의 비표시영역일 수 있다. 제2영역(A2)을 둘러싸는 제4영역(A4)도 제3영역(A3)과 마찬가지로 화소들이 배치되지 않는 일종의 비표시영역일 수 있으며, 제4영역(A4)에는 다양한 종류의 배선들 및 배선, 회로 등이 배치될 수 있다.
표시 장치(1)에 구비된 각 화소는 소정의 색상의 빛을 방출할 수 있는 표시 요소로서 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 발광 다이오드는 발광층으로 유기물을 포함하는 유기발광 다이오드를 포함할 수 있다. 또는, 발광 다이오드는 무기발광 다이오드를 포함할 수 있다. 또는, 발광 다이오드는 발광층으로 양자점을 포함할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의상, 발광 다이오드가 유기발광 다이오드를 포함하는 경우로 설명한다.
도 1에는 제1영역(A1)이 표시 장치(1)의 폭 방향(예, ±x방향)을 따라 제2영역(A2)의 중심 부분에 배치된 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로서, 제1영역(A1)은 표시 장치(1)의 폭 방향을 따라 좌측 또는 우측에 오프셋되어 배치될 수 있다. 또는/및 제1영역(A1)은 표시 장치(1)의 길이 방향(예, ±y 방향)을 따라 상측에 배치되거나, 가운데 배치되거나, 하측에 배치되는 것과 같이 다양한 위치에 배치될 수 있다.
도 1은 표시 장치(1)가 하나의 제1영역(A1)을 포함하는 것을 도시하고 있으나, 다른 실시예로서 표시 장치(1)는 복수의 제1영역(A1)들을 포함할 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도로서, 도 1의 II-II'선에 따른 단면에 대응할 수 있다.
도 2a를 참조하면, 표시 장치(1)는 표시 패널(10), 표시 패널(10) 상에 배치되는 입력감지부(input sensing section, 40), 및 광학 기능부(optical functional section, 50)을 포함할 수 있으며, 이들은 윈도우(60)로 커버될 수 있다. 윈도우(60)은 광학 투명 점착제(OCA, optical clear adhesive)와 같은 점착층을 통해 그 아래의 구성요소, 예컨대 광학 기능부(50)과 결합될 수 있다. 표시 장치(1)는 휴대폰(mobile phone), 태블릿 PC, 노트북, 스마트 워치와 같은 다양한 전자 기기에 구비될 수 있다.
표시 패널(10)은 제2영역(A2)에 배치되는 복수의 다이오드들을 포함할 수 있다. 입력감지부(40)는 외부의 입력, 예컨대 터치 이벤트에 따른 좌표정보를 획득할 수 있다. 입력감지부(40)는 감지전극(sensing electrode 또는 touch electrode) 및 감지전극과 연결된 트레이스 라인(trace line)들을 포함할 수 있다. 입력감지부(40)는 표시 패널(10) 위에 배치될 수 있다. 입력감지부(40)는 뮤추얼 캡 방식 또는 셀프 캡 방식으로 외부 입력을 감지할 수 있다.
입력감지부(40)는 표시 패널(10) 상에 직접 형성될 수 있다. 또는, 입력감지부(40)는 별도로 형성된 후 광학 투명 점착제(OCA, 와 같은 점착층을 통해 결합될 수 있다. 일 실시예로서, 도 2a에 도시된 바와 같이 입력감지부(40)는 표시 패널(10) 바로 위에 형성될 수 있으며, 이 경우 점착층은 입력감지부(40)와 표시 패널(10) 사이에 개재되지 않을 수 있다.
광학 기능부(50)는 반사 방지층을 포함할 수 있다. 반사 방지층은 윈도우(60)를 통해 외부에서 표시 패널(10)을 향해 입사하는 빛(외부광)의 반사율을 감소시킬 수 있다. 반사 방지층은 위상지연자(retarder) 및 편광자(polarizer)와 같은 포함할 수 있다. 위상지연자는 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있고, λ/2 위상지연자 및/또는 λ/4 위상지연자를 포함할 수 있다. 편광자 역시 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있다. 필름타입은 연신형 합성수지 필름을 포함하고, 액정 코팅타입은 소정의 배열로 배열된 액정들을 포함할 수 있다. 위상지연자 및 편광자는 보호필름을 더 포함할 수 있다.
다른 실시예로, 반사 방지층은 블랙매트릭스와 컬러필터들의 구조물을 포함할 수 있다. 컬러필터들은 표시 패널(10)의 화소들 각각에서 방출되는 빛의 색상을 고려하여 배열될 수 있다. 또 다른 실시예로, 반사 방지층은 상쇄간섭 구조물을 포함할 수 있다. 상쇄간섭 구조물은 서로 다른 층 상에 배치된 제1 반사층과 제2 반사층을 포함할 수 있다. 제1 반사층 및 제2 반사층에서 각각 반사된 제1 반사광과 제2 반사광은 상쇄 간섭될 수 있고, 그에 따라 외부광 반사율이 감소될 수 있다.
광학 기능부(50)는 렌즈층을 포함할 수 있다. 렌즈층은 표시 패널(10)에서 방출되는 빛의 출광 효율을 향상시키거나, 색편차를 줄일 수 있다. 렌즈층은 오목하거나 볼록한 렌즈 형상을 가지는 층을 포함하거나, 또는/및 굴절률이 서로 다른 복수의 층을 포함할 수 있다. 광학 기능부(50)는 전술한 반사 방지층 및 렌즈층을 모두 포함하거나, 이들 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
입력감지부(40) 및 광학 기능부(50)는 각각 홀을 포함할 수 있다. 예컨대, 입력 감지층(40)은 입력감지부(40)의 상면과 바닥면을 관통하는 제1홀(40H)을 포함하고, 광학 기능부(50)는 광학 기능부(50)의 상면과 바닥면을 관통하는 제2홀(50H)을 포함할 수 있다. 제1홀(40H)과 제2홀(50H)은 제1영역(A1)에 배치되며, 서로 중첩할 수 있다. 다른 실시예로, 도 2b에 도시된 바와 같이, 표시 패널(10), 입력감지부(40), 및 광학 기능부(50)이 각각 홀을 포함할 수 있다. 표시 패널(10)은 제1영역(A1)에 배치되며, 제1홀(40H)과 제2홀(50H) 중첩하는 제3홀(10H)을 포함할 수 있다. 윈도우(60)와 광학 기능부(50) 사이의 점착층이 광학 투명 점착제(OCA, optical clear adhesive)를 포함하는 경우, 점착층은 제1영역(A1)에 대응하는 홀을 구비하지 않을 수 있다.
컴포넌트(20)는 제1영역(A1)에 배치될 수 있다. 컴포넌트(20)는 전자요소를 포함할 수 있다. 예컨대, 컴포넌트(20)는 빛이나 음향을 이용하는 전자요소일 수 있다. 예컨대, 전자요소는 적외선 센서와 같이 빛을 수광하여 이용하는 센서, 빛을 수광하여 이미지를 촬상하는 카메라, 빛이나 음향을 출력하고 감지하여 거리를 측정하거나 지문 등을 인식하는 센서, 빛을 출력하는 소형 램프이거나, 소리를 출력하는 스피커 등을 포함할 수 있다. 빛을 이용하는 전자요소의 경우, 가시광, 적외선광, 자외선광 등과 같이 다양한 파장 대역의 빛을 이용할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1영역(A1)은 컴포넌트(20)로부터 외부로 출력되거나 외부로부터 전자요소를 향해 진행하는 빛이 투과할 수 있는 투과영역(transmission area)일 수 있다.
다른 실시예로, 표시 장치(1)가 스마트 워치나 차량용 계기판으로 이용되는 경우, 컴포넌트(20)는 시계 바늘이나 소정의 정보(예, 차량 속도 등)를 지시하는 바늘과 같은 부재일 수 있다. 표시 장치(1)가 시계 바늘이나 차량용 계기판을 포함하는 경우, 컴포넌트(20)가 윈도우(60)를 관통하여 외부로 노출될 수 있으며, 윈도우(60)는 제1영역(A1)에 대응하는 개구를 포함할 수 있다.
컴포넌트(20)는 전술한 바와 같이 표시 장치(1)에 소정의 기능을 부가할 수 있는 구성요소(들)를 포함하거나, 표시 패널(10)의 심미감을 증가시키는 액세서리와 같은 구성요소 등을 포함할 수 있다.
도 3a 내지 도 3c는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 표시 패널(10)은 기판(100) 상에 배치된 표시층(200)을 포함한다. 기판(100)은 글래스재를 포함하거나 고분자 수지를 포함할 수 있다. 예컨대, 기판(100)은 SiO2를 주성분으로 하는 글래스재를 포함하거나, 강화 플라스틱과 같은 수지를 포함할 수 있다.
표시층(200)은 제2영역(A2)과 대응하도록 위치할 수 있으며, 복수의 화소를 포함할 수 있다. 표시층(200)에 포함된 각 화소는 화소회로 및 화소회로에 전기적으로 연결된 표시요소를 포함할 수 있다. 화소회로는 트랜지스터 및 스토리지 커패시터를 포함할 수 있으며, 표시요소는 발광 다이오드, 예컨대 유기발광다이오드(organic light-emitting diode, OLED)를 포함할 수 있다.
표시층(200)은 봉지기판(300A)으로 커버될 수 있다. 봉지기판(300A)은 글래스재를 포함하거나 고분자 수지를 포함할 수 있다. 예컨대, 봉지기판(300A)은 SiO2를 주성분으로 하는 글래스재를 포함하거나, 강화 플라스틱과 같은 수지를 포함할 수 있다. 봉지기판(300A)은 기판(100)과 마주보도록 배치되며, 기판(100)과 봉지기판(300A) 사이에는 실링재(ST, sealant)가 배치될 수 있다. 실링재(ST)는 제4영역(A4)에 위치하며, 기판(100)과 봉지기판(300A) 사이에서 표시층(200)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다. 기판(100)의 상면에 수직한 방향에서 보았을 때(또는 평면도 상에서), 제2영역(A2)은 실링재(ST)에 의해 전체적으로 둘러싸일 수 있다.
표시층(200)의 일 부분, 예컨대 제1영역(A1)과 대응되는 부분은 제거될 수 있다. 이와 관련하여, 도 3a는 표시층(200)이 제4홀(200H)을 포함하는 것을 도시한다. 표시층(200)은 전술한 화소회로들 및 표시요소들뿐만 아니라, 각 화소회로에 연결된 배선들 사이, 전극들 사이, 및/또는 표시요소의 전극들 사이에 배치된 절연층들을 더 포함할 수 있다. 예컨대, 제4홀(200H)은 표시층(200)에 구비된 전술한 절연층들 각각의 홀들이 중첩하여 형성될 수 있다. 표시층(200)의 제4홀(200H)은 표시층(200)의 상면과 바닥면을 관통하도록 형성될 수 있다.
도 3b를 참조하면, 표시 패널(10)의 봉지기판(300A)은 제1영역(A1)에 위치하는 제5홀(300AH)을 포함할 수 있다. 제5홀(300AH)은 봉지기판(300A)의 상면으로부터 바닥면을 관통할 수 있다. 봉지기판(300A)의 제5홀(300AH)은 표시층(200)의 제3홀(200H)과 중첩할 수 있다. 기판(100)과 봉지기판(300A) 사이에는 실링재(ST)가 배치되되, 제5홀(300AH)을 통해 외부의 이물질이 표시층(200)에 침투하는 것을 방지하고자, 실링재(ST)는 제4영역(A4) 뿐만 아니라 제3영역(A3)에도 위치할 수 있다. 표시층(200)은, 기판(100), 봉지기판(300A), 및 제3영역(A3)의 실링재(ST)와 제4영역(A4)의 실링재(ST)에 의해 형성된 공간에 배치될 수 있다.
도 3c를 참조하면, 표시 패널(10)의 기판(100)도 제1영역(A1)에 위치하는 제6홀(100H)을 포함할 수 있다. 기판(100)의 제6홀(100H), 표시층(400)의 제4홀(200H), 및 봉지기판(300A)의 제5홀(300AH)은 서로 중첩하도록 배치될 수 있다. 제1영역(A1)에서 서로 중첩한 제4홀(200H), 제5홀(300AH), 및 제6홀(100H)은 표시 패널(10)에 형성된 제3홀(10H)을 이룰 수 있다.
도 4a 내지 도 4c는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4a를 참조하면, 기판(100) 상에 표시층(200)이 배치되며, 표시층(200)은 봉지부재인 박막봉지층(300B)로 커버될 수 있다. 박막봉지층(300B)은 적어도 하나의 무기봉지층과 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있으며, 이와 관련하여, 도 4a는 제1 및 제2무기봉지층(310, 330) 및 이들 사이의 유기봉지층(320)을 도시한다. 제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 각각 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 무기 절연물은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 징크옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 또는/및 실리콘옥시나이트라이드를 포함할 수 있다. 유기봉지층(320)은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 예컨대, 유기봉지층(320)은 아크릴계 수지, 예컨대 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴산 등을 포함할 수 있다.
기판(100)은 고분지 수지를 포함할 수 있으며, 다층으로 형성될 수 있다. 예컨대, 기판(100)은 순차적으로 적층된, 제1베이스층(101), 제1배리어층(102), 제2베이스층(103), 및 제2배리어층(104)을 포함할 수 있다.
제1 및 제2베이스층(101, 103)은 각각 고분자 수지를 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2베이스층(101, 103)은 폴리에테르술폰, 폴리아릴레이트, 폴리아크릴레이트, 폴리에테르 이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이드, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 셀룰로오스 트리 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트와 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다.
제1 및 제2배리어층(102, 104)은 각각, 외부 이물질의 침투를 방지하는 배리어층으로서, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이트, 실리콘옥사이드와 같은 무기물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
표시 패널(10')이 다층인 기판(100) 및 박막봉지층(300B)을 포함하는 경우, 표시 패널(10')의 유연성(flexibility)을 향상시킬 수 있다.
도 4a를 참조하면, 박막봉지층(300B)은 제1영역(A1)에 위치하는 제7홀(300BH)을 포함할 수 있다. 제7홀(300AH)은 기판(100)의 제6홀(100H) 및 표시층(200)의 제4홀(200H)과 중첩할 수 있다. 중첩하는 제4홀(200H), 제6홀(100H), 및 제7홀(300BH)은 표시 패널(10')을 관통하는 제3홀(10H)을 이룰 수 있다.
다른 실시예로, 도 4b에 도시된 바와 같이, 박막봉지층(300B) 및 표시층(200)은 각각 제1영역(A1)에 위치하는 제7홀(300BH) 및 제4홀(200H)을 포함할 수 있으나, 기판(100)은 홀을 포함하지 않을 수 있다. 또는, 도 4c에 도시된 바와 같이, 박막봉지층(300B) 및 기판(100)은 각각 홀을 포함하지 않을 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 6은 표시 패널의 어느 한 화소를 개략적으로 나타낸 등가 회로도이다.
표시 패널(10)의 모습은 앞서 도 1을 참조하여 설명한 표시 장치(1)의 모습과 사실상 동일할 수 있다. 예컨대, 표시 패널(10)은 도 5에 도시된 바와 같이, 제1영역(A1), 제1영역(A1)을 둘러싸는 제2영역(A2), 제1영역(A1)과 제2영역(A2) 사이의 제3영역(A3), 그리고 제2영역(A2)을 둘러싸는 제4영역(A4)을 포함할 수 있다.
표시 패널(10)은 제2영역(A2)에 배치된 복수의 화소(P)들을 포함할 수 있다. 각 화소(P)는 도 6에 도시된 바와 같이 화소회로(PC), 및 화소회로(PC)에 연결된 표시요소, 예컨대 유기발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다. 화소회로(PC)는 제1트랜지스터(T1), 제2트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 각 화소(P)는 유기발광다이오드(OLED)를 통해 예컨대, 적색, 녹색, 또는 청색의 빛을 방출하거나, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다. 제1트랜지스터(T1) 및 제2트랜지스터(T2)는 박막 트랜지스터로 구현될 수 있다.
제2트랜지스터(T2)는 스위칭 트랜지스터로서, 스캔라인(SL) 및 데이터라인(DL)에 연결되며, 스캔라인(SL)으로부터 입력되는 스위칭 전압에 따라 데이터라인(DL)으로부터 입력된 데이터 전압을 제1트랜지스터(T1)로 전달할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2트랜지스터(T2)와 구동전압선(PL)에 연결되며, 제2트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 제1전원전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장할 수 있다.
제1트랜지스터(T1)는 구동 트랜지스터로서, 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 대향전극(예, 캐소드)는 제2전원전압(ELVSS)을 공급받을 수 있다.
도 6은 화소회로(PC)가 2개의 트랜지스터와 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 것을 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 트랜지스터의 개수 및 스토리지 커패시터의 개수는 화소회로(PC)의 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
다시 도 5를 참조하면, 제3영역(A3)은 제1영역(A1)을 둘러쌀 수 있다. 제3영역(A3)은 빛을 방출하는 유기발광다이오드와 같은 표시요소가 배치되지 않은 영역으로, 제3영역(A3)에는 제1영역(A1) 주변에 구비된 화소(P)들에 신호를 제공하는 신호라인들이 지나갈 수 있다. 제4영역(A4)에는 각 화소(P)에 스캔신호를 제공하는 제1스캔 드라이버(1100), 제2스캔 드라이버(1200), 각 화소(P)에 데이터신호를 제공하는 데이터 드라이버(1300), 및 제1 및 제2전원전압을 제공하기 위한 메인 전원배선(미도시) 등이 배치될 수 있다. 제1스캔 드라이버(1100) 및 제2스캔 드라이버(1200)는 각각 제4영역(A4)에 배치되되, 제2영역(A2)을 사이에 둔채 제2영역(A2)의 양측에 각각 배치될 수 있다.
도 5는 데이터 드라이버(1200)가 기판(100)의 일 측변에 인접하게 배치된 것을 도시하나, 다른 실시예에 따르면, 데이터 드라이버(1200)는 표시 패널(10)의 일 측에 배치된 패드와 전기적으로 접속된 FPCB(flexible Printed circuit board) 상에 배치될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 7을 참조하면, 제2영역(A2)에 형성된 화소(P)들 중 일부 화소(P)들은 제1영역(A1)을 중심으로 상호 이격될 수 있다. 예컨대, 도 7의 ±x방향을 따라 배치된 2개의 화소(P)들 사이에 제1영역(A1)이 위치할 수 있다. 유사하게, 도 7의 ±y방향을 따라 배치된 2개의 화소(P)들 사이에 제1영역(A1)이 위치할 수 있다.
제1영역(A1)을 사이에 둔 채 ±y방향으로 배치된 2개의 화소(P)들은 동일한 데이터선(DL)에 전기적으로 연결되되, 데이터선(DL)은 제3영역(A3)에서 절곡될 수 있다. 예컨대, 데이터선(DL)의 일부는 제3영역(A3)의 제1영역(A1)의 에지, 예컨대 제1영역(A1)의 원호 방향을 따라 절곡되어 연장될 수 있다. 데이터선(DL)은 ±y방향을 따라 연장되며 제2영역(A2)을 지나는 제1 및 제2부분(DL-L1, DL-D2), 및 제1 및 제2부분(DL-L1, DL-D2)에 연결되며 제3영역(A3)에서 제1영역(A1)의 원호 방향을 따라 연장된 제3부분(DL-D)을 포함할 수 있다.
제1영역(A1)을 사이에 둔 채 ±x방향으로 배치된 2개의 화소(P)들은 각각 서로 다른 스캔라인(SL)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1영역(A1)의 좌측에 배치된 스캔라인(SL)들은 앞서 도 5를 참조하여 설명한 제1스캔 구동회로(1100)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 제1영역(A1)의 우측에 배치된 스캔라인(SL)들은 앞서 도 5를 참조하여 설명한 제2스캔 구동회로(1200)에 전기적으로 연결될 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이 표시 패널(10)이 두 개의 스캔 구동회로를 포함하는 경우, 제1영역(A1)의 양측에 배치된 화소(P)들은 각각 상호 이격된 스캔라인(SL)에 전기적으로 연결될 수 있다.
다른 실시예로, 제2스캔 구동회로(1200)가 생략된다면, 제1영역(A1)을 사이에 둔 채 ±x방향으로 배치된 2개의 화소(P)들은 동일한 스캔라인에 연결될 수 있으며, 전술한 스캔라인은 데이터선(DL)과 마찬가지로 제3영역(A3)에서 제1영역(A1)의 원호 방향을 따라 연장된 부분을 포함할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 어느 하나의 화소의 단면도로서, 도 7의 VIII- VIII'선에 따른 단면에 대응할 수 있다.
도 8을 참조하면, 기판(100) 상에는 화소회로(PC)가 배치되고, 화소회로(PC) 상에는 화소회로(PC)에 전기적으로 연결된 유기발광다이오드(OLED)가 배치될 수 있다. 기판(100)은 앞서 도 3a 내지 도 3c, 또는 도 4a 내지 도 4c를 참조하여 설명한 바와 같이, 글래스를 포함하거나 고분자 수지를 포함할 수 있다. 기판(100)은 단일 층 또는 다층일 수 있다.
기판(100) 상에는 불순물이 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층(Act)으로 침투하는 것을 방지하기 위해 형성된 버퍼층(201)이 형성될 수 있다. 버퍼층(201)은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 실리콘옥사이드와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기 절연물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
버퍼층(201) 상에는 화소회로(PC)가 배치될 수 있다. 화소회로(PC)는 박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(Act), 게이트전극(GE), 소스전극(SE), 드레인전극(DE)을 포함할 수 있다. 도 8에 도시된 박막트랜지스터(TFT)는 도 6을 참조하여 설명한 트랜지스터들 중 하나, 예컨대 구동 트랜지스터일 수 있다. 본 실시예에서는 게이트전극(GE)이 게이트절연층(203)을 가운데 두고 반도체층(Act) 상에 배치된 탑 게이트 타입을 도시하였으나, 또 다른 실시예에 따르면 박막트랜지스터(TFT)는 바텀 게이트 타입일 수 있다.
반도체층(Act)은 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 또는, 반도체층(Act)은 비정질(amorphous) 실리콘을 포함하거나, 산화물 반도체를 포함하거나, 유기 반도체 등을 포함할 수 있다. 게이트전극(GE)은 저저항 금속 물질을 포함할 수 있다. 게이트전극(GE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
반도체층(Act)과 게이트전극(GE) 사이의 게이트절연층(203)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 게이트절연층(203)은 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 전도성이 좋은 재료를 포함할 수 있다. 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 Ti/Al/Ti의 다층으로 형성될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1층간절연층(205)을 사이에 두고 중첩하는 하부 전극(CE1)과 상부 전극(CE2)을 포함할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩될 수 있다. 이와 관련하여, 도 8은 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(GE)이 스토리지 커패시터(Cst)의 하부 전극(CE1)인 것을 도시하고 있다. 다른 실시예로서, 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩하지 않을 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2층간절연층(207)으로 커버될 수 있다.
제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207)은 각각 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207)은 각각 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함하는 화소회로(PC)는 제1유기절연층(209)으로 커버될 수 있다. 제1유기절연층(209)은 평탄화 절연층으로서, 상면이 대략 편평한 면을 포함할 수 있다. 제1유기절연층(209)은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등과 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제1유기절연층(209)은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
제1유기절연층(209) 상에는 콘택메탈(CM)이 형성될 수 있다. 콘택메탈(CM)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 콘택메탈(CM)은 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(SE) 또는 드레인전극(DE)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 콘택메탈(CM)은 Ti/Al/Ti의 다층으로 형성될 수 있다.
제2유기절연층(211)은 콘택메탈(CM) 상에 형성될 수 있다. 제2유기절연층(211)은 상면이 대략 편평한 면을 포함할 수 있다. 제2유기절연층(211)은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등과 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제2유기절연층(211)은 폴리이미드를 포함할 수 있다. 도시되지 않았으나, 제1유기절연층(209)과 제2유기절연층(211) 사이에는 무기절연층이 더 배치될 수 있다.
화소전극(221)은 제2유기절연층(211) 상에 형성될 수 있다. 화소전극(221)은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 화소전극(221)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로, 화소전극(221)은 전술한 반사막의 위/아래에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 더 포함할 수 있다.
화소전극(221) 상에는 화소정의막(215)이 형성될 수 있다. 화소정의막(215)은 화소전극(221)의 상면을 노출하는 개구를 포함하되, 화소전극(221)의 가장자리를 커버할 수 있다. 화소정의막(215)은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 또는, 화소정의막(215)은 실리콘나이트라이드나 실리콘옥시나이트라이드, 또는 실리콘옥사이드와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 또는, 화소정의막(215)은 유기절연물 및 무기절연물을 포함할 수 있다.
중간층(222)은 발광층(222b)을 포함할 수 있다. 발광층(222b)은 예컨대 유기물을 포함할 수 있다. 발광층(222b)은 소정의 색상의 빛을 방출하는 고분자 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다. 중간층(222)은 발광층(222b)의 아래에 배치된 제1기능층(222a) 및/또는 발광층(222b)의 위에 배치된 제2기능층(222c)을 포함할 수 있다.
제1기능층(222a)은 단층 또는 다층일 수 있다. 예컨대 제1기능층(222a)이 고분자 물질로 형성되는 경우, 제1기능층(222a)은 단층구조인 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)으로서, 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT: poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나 폴리아닐린(PANI: polyaniline)으로 형성할 수 있다. 제1기능층(222a)이 저분자 물질로 형성되는 경우, 제1기능층(222a)은 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)과 홀 수송층(HTL)을 포함할 수 있다.
제2기능층(222c)은 선택적일 수 있다. 예컨대, 제1기능층(222a)과 발광층(222b)을 고분자 물질로 형성하는 경우, 제2기능층(222c)을 형성하는 것이 바람직하다. 제2기능층(222c)은 단층 또는 다층일 수 있다. 제2기능층(222c)은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다.
중간층(222) 중 발광층(222b)은 제2영역(A2)에서 각 화소마다 배치될 수 있다. 발광층(222b)은 화소정의막(215)의 개구, 또는/및 화소전극(221)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 중간층(222) 중 제1 및 제2기능층(222a, 222c) 각각 일체(single body)로서, 제2영역(A2)뿐만 아니라 앞서 도 5를 참조하여 설명한 제3영역(A3) 상에도 형성될 수 있다.
대향전극(223)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 대향전극(223)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(223)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다. 대향전극(223)은 일체(single body)로서, 제2영역(A2)에서 복수의 화소전극(211)들을 커버하도록 형성될 수 있다. 중간층(222) 및 대향전극(223)은 열 증착법에 의해 형성될 수 있다.
화소정의막(215) 상에는 스페이서(217)가 형성될 수 있다. 스페이서(217)는 폴리이미드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 또는, 스페이서(213)는 실리콘나이트라이드나 실리콘옥사이드와 같은 무기 절연물을 포함하거나, 유기절연물 및 무기절연물을 포함할 수 있다.
스페이서(217)는 화소정의막(215)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 또는, 스페이서(217)는 화소정의막(215)과 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 이 경우 화소정의막(215)과 스페이서(217)는 하프톤 마스크 등을 이용한 마스크 공정에서 함께 형성될 수 있다. 일 실시예로서, 화소정의막(215) 및 스페이서(217)는 폴리이미드를 포함할 수 있다.
캡핑층(230)은 대향전극(223) 상에 배치될 수 있다. 캡핑층(230)은 LiF, 무기물, 또는/및 유기물을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 캡핑층(230)은 생략될 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널 상의 입력감지부를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 9를 참조하면, 입력감지부(40)는 제1감지전극(410)들, 제1감지전극(410)들에 연결된 제1트레이스 라인(first trace line, 415-1 내지 415-4)들, 제2감지전극(420)들, 및 제2감지전극(420)들에 연결된 제2트레이스 라인(second trace line, 425-1 내지 425-5)들을 포함할 수 있다. 제1감지전극(410)들 및 제2감지전극(420)들은 제2영역(A2)에 배치되고, 제1트레이스 라인(415-1 내지 415-4)들 및 제2트레이스 라인(425-1 내지 425-5)들은 제4영역(A3)에 배치될 수 있다.
제1감지전극(410)들은 ±y방향을 따라 배열될 수 있고, 제2감지전극(420)들은 ±y방향과 교차하는 ±x방향을 따라 배열될 수 있다. ±y방향을 따라 배열된 제1감지전극(410)들은 이웃하는 제1감지전극(410)들 사이의 제1연결전극(411)에 의해 서로 연결될 수 있으며, 각각의 제1감지라인(410C1 내지 410C4)을 형성할 수 있다. ±x방향을 따라 배열된 제2감지전극(420)들은 이웃하는 제2감지전극(420)들 사이의 제2연결전극(421)에 의해 서로 연결될 수 있으며, 각각의 제2감지라인(420R1 내지 420R5)을 형성할 수 있다. 제1감지라인(410C1 내지 410C4)들 및 제2감지라인(420R1 내지 420R5)들은 교차할 수 있다. 예컨대, 제1감지라인(410C1 내지 410C4)들 및 제2감지라인(420R1 내지 420R5)들은 서로 수직으로 교차할 수 있다.
제1감지라인(410C1 내지 410C4)들은 제4영역(A4)에 형성된 제1트레이스 라인(415-1 내지 415-4)들을 통해 감지 신호 패드부(440)의 패드에 연결될 수 있다. 예컨대, 제1트레이스 라인(415-1 내지 415-4)들은 각각 제1감지라인(410C1 내지 410C4)의 상측 및 하측에 각각 연결된 더블 라우팅(double routing) 구조일 수 있다. 제1감지라인(410C1 내지 410C4)들의 상측 및 하측에 각각 연결된 제1트레이스 라인(415-1 내지 415-4)들은 각각 대응하는 패드에 연결될 수 있다.
제2감지라인(420R1 내지 420R5)들은 제4영역(A4)에 형성된 제2트레이스 라인(425-1 내지 425-5)을 통해 감지 신호 패드부(440)의 패드에 연결될 수 있다. 예컨대, 제2트레이스 라인(425-1 내지 425-5)들은 각각 대응하는 패드에 연결될 수 있다.
제1영역(A1)은 앞서 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명한 바와 같이 컴포넌트가 배치될 수 있는 영역으로서, 제1영역(A1)에는 감지전극들이 배치되지 않는다. 제1영역(A1) 주변, 예컨대 제3영역(A3)에는 금속층(450)이 배치될 수 있으며, 금속층(450)에 대해서는 후술한다.
도 9는 각각의 제1신호라인(415-1 내지 415-4)들이 제1감지라인(410C1 내지 410C4)의 상측 및 하측에 각각 연결된 더블 라우팅(double routing) 구조를 도시하고 있으며, 이와 같은 구조는 센싱 감도를 향상시킬 수 있다. 그러나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 실시예로, 제1신호라인(415-1 내지 415-4)들은 제1감지라인(410C1 내지 410C4)들의 상측 또는 하측에 연결된 싱글 라우팅 구조를 가질 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지부의 적층 구조를 보여주는 단면도이다.
도 10을 참조하면, 입력감지부(40)는 제1도전층(CML1) 및 제2도전층(CML2)을 포함할 수 있다. 제1도전층(CML1)과 제2도전층(CML2) 사이에는 제1절연층(43)이 개재되며, 제2도전층(CML2) 상에는 제2절연층(45)이 위치할 수 있다. 도 9를 참조하여 설명한 제1감지전극(410)들, 제1연결전극(411)들, 제2감지전극(420)들, 제2연결전극(421)들 각각은 제1도전층(CML1) 또는 제2도전층(CML2) 중 하나에 포함될 수 있다.
제1 및 제2도전층(CML1, CML2)은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있다. 금속층은 몰리브덴(Mo), 멘델레븀(Mb), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 및 이들의 합금을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등과 같은 투명한 전도성 산화물을 포함할 수 있다. 그 밖에 투명 도전층은 PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그래핀(graphene) 등을 포함할 수 있다.
제1 및 제2도전층(CML1, CML2)은 단층 또는 다층일 수 있다. 단층의 제1 및 제2도전층(CML1, CML2)은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있으며, 금속층 및 투명도전층의 물질은 앞서 설명한 바와 같다. 제1 또는 제2도전층(CML1, CML2) 중 하나는 단일의 금속층을 포함할 수 있다. 단일의 금속층은 몰리브덴층, 또는 MoMb의 합금층을 포함할 수 있다. 제1 또는 제2도전층(CML1, CML2) 중 하나는 다층의 금속층을 포함할 수 있다. 다층의 금속층은 예컨대, 티타늄층/알루미늄층/티타늄층의 3층을 포함하거나, 몰리브덴층/멘델레븀층의 2층을 포함할 수 있다. 또는, 다층의 금속층은 금속층 및 투명 도전층을 포함할 수 있다. 제1 및 제2도전층(CML1, CML2)은 서로 다른 적층 구조를 가지거나 동일한 적층 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 제1도전층(CML1)은 금속층을 포함하고 제2도전층(CML2)은 투명 도전층을 포함할 수 있다. 또는, 제1 및 제2도전층(CML1, CML2)은 동일한 금속층을 포함할 수 있다.
제1 및 제2도전층(CML1, CML2)의 물질, 및 제1 및 제2도전층(CML1, CML2)에 구비되는 감지전극들의 배치는 센싱 감도를 고려하여 결정될 수 있다. RC 딜레이가 센싱 감도에 영향을 미칠 수 있는데, 금속층을 포함하는 감지전극들은 투명 도전층 대비 저항이 작기 때문에 RC 값이 감소될 수 있고, 따라서 감지전극들 사이에 정의된 커패시터의 충전시간이 감소될 수 있다. 투명 도전층을 포함하는 감지전극들은 금속층 대비 사용자에게 시인되지 않고, 입력 면적이 증가하여 커패시턴스를 증가시킬 수 있다.
제1 및 제2절연층(43, 45)은 각각 무기절연물 또는/및 유기절연물을 포함할 수 있다. 무기절연물은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 또는 실리콘옥시나이트라이드등을 포함할 수 있고, 유기절연물은 고분자 유기물을 포함할 수 있다.
앞서 도 9를 참조하여 설명한 제1 및 제2감지전극(410, 420)들과 제1 및 제2연결전극(411, 421)들 중 일부는 제1도전층(CML1)에 위치하고, 나머지는 제2도전층(CML2)에 위치할 수 있다.
일 실시예로, 제1도전층(CML1)은 제1연결전극(411, 도 9)들을 포함하고, 제2도전층(CML2)은 제1 및 제2감지전극(410, 420, 도 9)들, 그리고 제2연결전극(421, 도 9)들을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 제1도전층(CML1)은 제1 및 제2감지전극(410, 420, 도 9)들, 그리고 제2연결전극(421, 도 9)들을 포함하고, 제2도전층(CML2)이 제1연결전극(411, 도 9)들을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 제1도전층(CML1)이 제1감지전극(410, 도 9)들 및 제1연결전극(411, 도 9)들을 포함하고, 제2도전층(CML2)이 제2감지전극(420, 도 9)들 및 제2연결전극(421, 도 9)들을 포함할 수 있으며, 이 경우, 제1감지전극들(410)과 제1연결전극(411)들은 동일한 층에 구비되어 일체로 연결되고, 제2감지전극(420)들과 제2연결전극(421)들도 동일한 층에 구비되므로, 제1도전층(CML1)과 제2도전층(CML2) 사이의 절연층에는 콘택홀이 구비되지 않을 수 있다. 다른 실시예로, 제1도전층(CML1)이 제1감지전극(410, 도 9)들, 제1연결전극(411, 도 9)들, 및 제2보조전극을 포함하고, 제2도전층(CML2)이 제2감지전극(420, 도 9)들, 제2연결전극(421, 도 9)들, 및 제1보조전극을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1감지전극들(410)과 제1연결전극(411)들은 동일한 층에 구비되어 일체로 연결되고, 제2감지전극(420)들과 제2연결전극(421)들도 동일한 층에 구비되므로 일체로 연결될 수 있다. 그리고, 제1보조전극은 제1감지전극(410)과 동일한 형상을 가질 수 있으며 제1보조전극과 제1감지전극(410)은 이들 사이의 절연층의 콘택홀을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 유사하게, 제2보조전극은 제2감지전극(420)과 동일한 형상을 가질 수 있으며, 제2보조전극과 제2감지전극(420)은 이들 사이의 절연층의 콘택홀을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
도 10은 입력감지부(40)가 제1도전층(CML1), 제1절연층(43), 제2도전층(CML2) 및 제2절연층(45)을 포함하는 것을 도시하고 있으나, 다른 실시예로서 제1도전층(CML1) 아래에 무기절연물 또는 유기절연물을 포함하는 층이 더 배치될 수 있다.
도 11a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지부 중 제1도전층을 나타낸 평면도이고, 도 11b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지부 중 제2도전층을 나타낸 평면도이다.
도 10, 도 11a, 및 도 11b를 참조하면, 제1도전층(CML1)은 제1연결전극(411)들을 포함할 수 있고, 제2도전층(CML2)은 제1감지전극(410)들, 제2감지전극(420)들, 및 제2연결전극(421)들을 포함할 수 있다.
제2감지전극(420)들은 제2감지전극(420)들과 동일한 층 상에 형성된 제2연결전극(421)들에 의해 서로 연결될 수 있다. 예컨대, 제2감지전극(420)들은 제2연결전극(421)들과 동일한 물질을 포함하며 일체로 형성될 수 있다. 제1감지전극(410)들은 제1감지전극(410)들과 다른 층 상에 형성된 제1연결전극(411)들에 의해 서로 연결될 수 있다. 이웃하는 제1감지전극(410)들을 전기적으로 연결하는 제1연결전극(411)은 제1절연층(43, 도 10)에 형성된 콘택홀(CNT)을 통해 이웃하는 제1감지전극(410)들과 접속할 수 있다.
제1 및 제2감지전극(410, 420)이 투명 도전층을 포함하는 경우, 제1 및 제2감지전극(410, 420)은 도 11b에 도시된 바와 같이 사각형 또는 다이아몬드 형상을 가질 수 있으며, 전술한 형상에 해당하는 면적을 가질 수 있으므로 후술할 메쉬 타입의 감지전극에 비하여 상대적으로 입력 면적이 크며 커패시턴스를 증가시킬 수 있다. 제1 및 제2감지전극(410, 420)이 투명 도전층을 포함하는 경우 제2도전층(CML2)은 투명 도전성 물질로 형성될 수 있고, 제1도전층(CML1)은 금속으로 형성될 수 있다.
도 11a 및 도 11b는 제1도전층(CML1)이 제1연결전극(411)들을 포함하고, 제2도전층(CML2)이 제1감지전극(410)들, 제2감지전극(420)들, 및 제2연결전극(421)들을 포함하는 것을 도시하나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로, 제2도전층(CML2)이 제1연결전극(411)들을 포함하고, 제1도전층(CML1)이 제1감지전극(410)들, 제2감지전극(420)들, 및 제2연결전극(421)들을 포함할 수 있다.
도 12a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지부 중 제1도전층을 나타낸 평면도이고, 도 12b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지부 중 제2도전층을 나타낸 평면도이다.
도 10, 도 12a 및 도 12b를 참조하면, 제1 및 제2감지전극(410, 420), 그리고 제1 및 제2연결전극(411, 421)은 메쉬(또는 그리드, 격자) 형상을 가질 수 있다. 제1 및 제2감지전극(410, 420)이 금속층을 포함하는 경우, 사용자에게 시인되는 것을 방지하기 위하여 또는/및 각 화소의 발광 다이오드에서 방출되는 빛의 투과를 위하여 도 12a 및 도 12b에 도시된 바와 같이 메쉬 형상을 가질 수 있다.
도 12a 및 도 12b의 확대도에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2감지전극(410, 420)은 각각 홀(410H, 420H)을 포함하는 메쉬 형상의 금속층을 할 수 있다. 홀(410H, 420H)은 화소의 발광영역(P-E)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 제1 및 제2연결전극(411, 421)도 메쉬 형상의 금속층을 포함할 수 있다.
도 12a에 도시된 바와 같이 제1감지전극(410)들은 제1감지전극(410)들과 동일한 층 상에 형성된 제1연결전극(421)들에 의해 서로 연결될 수 있다. 유사하게, 도 12b에 도시된 바와 같이 제2감지전극(420)들은 제2감지전극(420)들과 동일한 층 상에 형성된 제2연결전극(421)들에 의해 서로 연결될 수 있다.
제1금속층(CML1)은 도 12a에 도시된 바와 같이 제2보조전극(422)들을 포함할 수 있는데, 제2보조전극(422)들 각각은 제2감지전극(420)들과 중첩하도록 배치될 수 있다. 제1금속층(CML1)의 제2보조전극(422)은 제2금속층(CML2)의 제2감지전극(420)과 제1절연층에 형성된 콘택홀(CNT)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
제2금속층(CML2)은 도 12b에 도시된 바와 같이 제1보조전극(412)들을 포함할 수 있는데, 제1보조전극(412)들 각각은 제1감지전극(410)들과 중첩하도록 배치될 수 있다. 제2금속층(CML2)의 제1보조전극(412)은 제1금속층(CML1)의 제1감지전극(410)과 제1절연층에 형성된 콘택홀(CNT)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
도 13a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 감지층의 일부를 나타낸 사시도이고, 도 13b는 도 13a의 XIII- XIII' 선에 따른 단면도이다.
도 10, 도 13a 및 도 13b를 참조하면, 제1감지전극(410)들은 제1연결전극(411)에 의해 연결되고, 제2감지전극(420)들은 제2연결전극(421)에 의해 연결될 수 있다. 제1감지전극(410)들, 제2감지전극(420)들 및 제2연결전극(421)들은 동일한 층, 예컨대 제1도전층(CML1)에 형성될 수 있다.
제1연결전극(411)은 제2연결전극(421)과 교차하되, 이들 사이에 배치된 아일랜드 타입의 제1절연층(43', 이하 제1절연 패턴이라 함) 상에 위치할 수 있다. 제1절연 패턴(43')은 제1연결전극(411)과 제2연결전극(421)의 교차 영역 마다 배치될 수 있다.
각 제1절연 패턴(43')은 유기물질 또는 무기물질을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 각 제1절연 패턴(43')은 감광물질, 실리콘옥사이드, 티타늄옥사이드, 징크옥사이드, 실리콘나이트라이드, 알루미늄나이트라이드, 및 탄탈륨 옥사이드로부터 선택되는 물질을 포함할 수 있다.
도 13a 및 도 13b에는 도시되지 않았으나, 제1연결전극(411) 상에는 절연층, 예컨대 앞서 도 10을 참조하여 설명한 제2절연층(45)이 위치할 수 있다. 제2절연층(45)은 제1 및 제2감지전극(410, 420)들, 그리고 제1 및 제2연결전극(411, 421)들을 커버할 수 있다.
도 13a 및 도 13b에는 표시 패널(10)의 바로 위에 제1도전층(CML1)이 위치하는 것을 도시하고 있으나, 다른 실시예로서 표시 패널(10)과 제1도전층(CML1) 사이에는 무기 또는 유기물을 포함하는 절연층이 배치될 수 있다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 발췌하여 나타낸 평면도이다.
도 14를 참고하면, ±y방향을 따라 제1감지전극(410)들이 배치되고, ±x방향을 따라 제2감지전극(420)들이 배치되되, 이웃하는 제1감지전극(420)들은 이들 사이에 위치하는 제2연결전극(421)을 통해 연결될 수 있다. 제1감지전극(410)들은 제1연결전극(411)을 통해 연결되되, 제1연결전극(411)은 제1감지전극(410)과 이격되어 배치된 아일랜드부(411b)를 포함할 수 있다. 제2연결전극(421)에 형성된 홀 내에 배치될 수 있으며, 제2연결전극(421)과는 이격되어 제2연결전극(421)과 전기적으로 절연되어 있다.
이웃하는 제1감지전극(410)들 중 하나는 제1브릿지부(411a)를 통해 아일랜드부(411b)에 연결되고, 제1감지전극(410)들 중 다른 하나는 제2브릿지부(411c)를 통해 아일랜드부(411b)에 연결될 수 있다. 제1연결전극(411)은 제1브릿지부(411a), 아일랜드부(411b), 및 제2브릿지부(411c)의 접속 구조를 포함할 수 있다. 일 실시예로, 아일랜드부(411b)들은 제1감지전극(410)들, 제2감지전극(420)들, 및 제2연결전극(421)들과 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 앞서 도 10을 참조하여 설명한 제2도전층(CML2, 도 10)은 아일랜드부(411b)들, 제1감지전극(410)들, 제2감지전극(420)들, 및 제2연결전극(421)들 포함할 수 있다. 반면, 제1브릿지부(411a)들 및 제2브릿지부(411c)들은 아일랜드부(411b)들과 다른 층 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 앞서 도 10을 참조하여 설명한 제1도전층(CML1, 도 10)은 제1브릿지부(411a)들 및 제2브릿지부(411c)들을 포함할 수 있다.
이웃하는 제1감지전극(410)과 제2감지전극(420) 사이에는 더미전극(430)이 배치될 수 있다. 예컨대, 도 14에 도시된 바와 같이 더미전극(430)은 제1감지전극(410) 또는 제2감지전극(420)의 에지를 따라 연장된 제1더미전극(431) 및 제2더미전극(432)을 포함할 수 있다. 예컨대, 연장된 제1더미전극(431) 및 제2더미전극(432)은 지그재그 형상을 가질 수 있다. 더미전극(430)은 센싱 감도를 향상시키기 위하여 배치될 수 있다. 더미전극(430)은 플로팅 전극일 수 있다.
제1영역(A1)의 주변에 배치된 제1감지전극(410)들 및 제2감지전극(420)들의 형상은 다른 감지전극들의 형상과 다를 수 있다. 제1영역(A1)의 주변에 배치된 제1감지전극(410)들 및 제2감지전극(420)들의 면적은 다른 감지전극들의 면적 보다 작을 수 있다.
제1영역(A1)에 인접한 제1감지전극(410)들 및 제2감지전극(420)들 각각은 라운드진 에지를 포함할 수 있으며, 제1감지전극(410) 및 제2감지전극(420) 각각의 라운드진 에지들의 배열은 제1영역(A1)을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다.
제1영역(A1)과 제1 및 제2감지전극(410, 420)들 사이에는 금속층(450)이 배치될 수 있다. 제1감지전극(410) 및 제2감지전극(420)은 액티브 영역인 제2영역(A2)에 배치되므로, 제1감지전극(410) 및 제2감지전극(420) 아래에는 발광 다이오드들, 예컨대 유기발광 다이오드들이 배치될 수 있다. 제1영역(A1)은 빛이 투과할 수 있는 영역이므로, 외부로부터 비스듬한 방향을 따라 입사하는 빛은 제1영역(A1)을 지나 발광 다이오드에 도달할 수 있다. 발광 다이오드들이 외부의 빛(예컨대 태양광)에 노출되는 경우, 발광 다이오드에 포함된 층 또는 주변에 배치된 층의 수축(shrinkage)이 발생하는 문제가 발생할 수 있으나, 본 발명의 실시예에 따르면 제1영역(A1) 주변에 배치된 금속층(450)이 비스듬하게 진행하는 외부광을 차단할 수 있다.
금속층(450)은 소정의 폭을 가진 채 제1영역(A1)를 둘러쌀 수 있다. 금속층(450)은 평면도 상에서 제1영역(A1)을 둘러싸는 고리 형상을 가질 수 있다. 금속층(450)은 몰리브덴(Mo), 멘델레븀(Mb), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 및 이들의 합금을 포함할 수 있다. 예컨대, 금속층(450)은 Mo를 포함하거나, MoMb를 포함할 수 있다. 금속층(450)은 주변의 요소들, 예컨대 제1 및 제2감지전극(410, 420)들, 및 더미전극(430)과 전기적으로 연결되지 않은 플로팅 상태일 수 있다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도로서, 도 14의 XV- XV' 선에 따른 단면도에 해당할 수 있다.
도 15를 참조하면, 기판(100) 상에 배치된 표시층(200)은 제2영역(A2)에 배치되는 복수의 화소들, 예컨대 유기 발광 다이오드들을 포함한다. 제1영역(A1)은 빛이 투과할 수 있는 영역이기에, 제1영역(A1)에 배치되는 센서 또는 카메라(CMR)와 같은 컴포넌트는 외부를 향해 빛을 방출하거나 또는/및 외부의 빛을 수광할 수 있다. 빛은 다양한 방향으로 진행하므로, 기판(100)을 향해 비스듬한 방향을 따라 진행하는 외부광(OL)은, 금속층(450)이 없는 경우에 점선으로 표시된 바와 같이 표시층(200)을 향해 그대로 진행할 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예들에 따르면 금속층(450)이 제1영역(A1)을 둘러싸도록 배치되므로, 비스듬하게 진행하는 외부광(OL)을 반사시켜 표시층(200)으로 진행하는 것을 방지할 수 있다. 금속층(450)은 제1영역(A1)에 위치하는 제8홀(450H)을 포함할 수 있다.
금속층(450)은 봉지부재(300) 상에 위치할 수 있다. 도 15의 봉지부재(300)는 표시층(200)을 밀봉(encapsulation)하기 위한 구성요소로서, 앞서 도 3a 내지 도 3c를 참조하여 설명한 바와 같이 리지드한 봉지기판이거나, 앞서 도 4a 내지 도 4c를 참조하여 설명한 바와 같이 플렉서블한 박막봉지층일 수 있다.
금속층(450)은 입력감지부(40)의 제1절연층(43)을 사이에 두고 제1감지전극(410)의 아래에 배치될 수 있으며, 제1감지전극(410)은 제2절연층(45)으로 커버될 수 있다.
광학 기능부(50)는 입력감지부(40) 상에 배치될 수 있다. 광학 기능부(50)는 제1영역(A1)에 위치하는 제2홀(50H)을 포함할 수 있다. 광학 기능부(50)는 외부광(OL)의 반사를 방지하도록 위상지연자 및/또는 편광자와 같은 외광 반사 요소를 포함할 수 있다. 또는, 광학 기능부(50)는 외부광(OL)의 반사를 방지하도록 컬러필터와 블랙매트릭스, 또는 상쇄 간섭 구조물과 같은 외광 반사 요소를 포함할 수 있다.
광학 기능부(50)의 제2홀(50H)의 직경은 금속층(450)의 제8홀(450H)의 직경 보다 클 수 있다. 광학 기능부(50)가 외부광(OL)의 반사를 방지할 수 있으므로, 전술한 외부광(OL)에 의한 수축의 문제를 방지하기 위하여 광학 기능부(50)의 제2홀(50H)의 직경을 금속층(450)의 제8홀(450H)의 직경과 실질적으로 동일하게 형성하는 방법을 생각해볼 수 있으나, 컴포넌트로서 카메라(CMR)가 사용되는 경우 광학 기능부(50)가 카메라(CMR, 예컨대, 광각 카메라)의 화각을 제한하는 문제가 있을 수 있다. 전술한 화각 제한의 문제는, 광학 기능부(50)가 상대적으로 두께가 두꺼운 편광자와 같은 외광 반사 요소를 포함하는 경우에 더욱 두드러지게 야기될 수 있다. 또한, 전술한 화각 제한의 문제는, 표시 장치의 제작 과정에서 광학 기능부(50)의 제2홀(50H)의 위치를 제1영역(A1)에 얼라인하는 공정 중 발생할 수 있는 공정상 오차에 따라 더욱 두드러지게 야기될 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예에 따르면 광학 기능부(50)의 제2홀(50H)의 직경을 금속층(450)의 제8홀(450H)의 직경 보다 크게 형성함으로써, 전술한 화각 제한의 문제를 방지할 수 있으며, 카메라(CMR)의 촬상 아미지를 훼손하지 않을 수 있다. 광학 기능부(50) 상에는 투명 점착제(OCA)를 통해 윈도우(60)가 배치될 수 있다.
도 16a 내지 도 16d는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 조립 공정에 따른 단면도들이다.
도 16a를 참조하면, 기판(100) 상에 표시층(200)을 형성한다. 표시층(200)은 순차적으로 절연층들, 및 절연층들 사이에 위치하는 전극들을 각각 구비하는 트랜지스터와 커패시터와 같은 전자요소를 갖는 화소회로를 포함하며, 화소회로와 전기적으로 연결된 표시요소로서 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 표시층(200)은 제4홀(200H)을 포함하도록 형성될 수 있다. 예컨대, 표시층(200)을 형성하는 복수의 층들의 형성하는 각각의 공정에서, 제1영역(A1)과 대응되는 부분이 제거될 수 있으며, 각 층들의 제거 부분들이 중첩함으로써 제4홀(200H)을 이룰 수 있다.
전술한 표시층(200)의 형성 공정과 별도로, 봉지기판(300A) 상에 금속층(450) 및 입력감지부(40)가 형성될 수 있다. 입력감지부(40)는 제1도전층(CML1), 제1절연층(43), 제2도전층(CML2) 및 제2도전층(43)의 적층 구조를 가질 수 있다. 입력감지부(40)의 감지전극들, 연결전극들, 및 트레이스 라인들은 제1도전층(CML1) 또는 제2도전층(CML2)에 포함될 수 있으며, 일 실시예로서 도 16a는 제1도전층(CML1)이 제4영역(A4)상의 제1트레이스 라인(415)과 제2트레이스 라인(425)를 포함하고, 제2도전층(CML2)이 제1감지전극(410)들을 포함하는 것을 도시한다.
금속층(450)은 제1도전층(CML1)의 형성 공정에서 형성될 수 있다. 금속층(450)은 제1도전층(CML1)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 금속층(450)은 제1트레이스 라인(415) 또는/및 제2트레이스 라인(425)과 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 동일한 층 상에 위치할 수 있다.
도 16b를 참조하면, 표시층(200)이 형성된 기판(100), 그리고 금속층(450) 및 입력감지부(40)가 형성된 봉지기판(300A)은 마주보도록 배치될 수 있다. 이 후, 기판(100)과 봉지기판(300A)은 이들 사이에 개재되는 실링재(ST)를 통해 결합될 수 있다. 실링재(ST)는 기판(100)의 상면과 봉지기판(300A)의 하면 사이에 개재되며, 표시층(200)을 전체적으로 둘러싸도록 연장될 수 있다. 실링재(ST)는 프릿을 포함할 수 있다. 프릿은 유리원료가 되는 글라스 재질의 부재로서, 레이저빔의 노광 이후 경화되는 특성을 가질 수 있다. 또는 실링재(ST)는 에폭시와 같은 재료를 포함할 수 있다.
도 16c를 참조하면, 입력감지부(40) 상에 광학 기능부(50)을 형성한다. 광학 기능부(50)의 제2홀(50H)이 제1영역(A1)에 위치하도록 광학 기능부(50)을 입력 감지부(40) 상에 형성될 수 있다. 얼라인 마진 및/또는 컴포넌트로 활용되는 카메라의 화각 등을 고려하여 광학 기능부(50)의 제2홀(50H)은 금속층(450)의 제8홀(450H)의 크기 보다 클 수 있으며, 따라서 광학 기능부(50)은 금속층(450)의 일부만 커버할 수 있다. 입력감지부(40)와 광학 기능부(50) 사이에는 무기물 또는 유기물을 포함하는 층이 더 개재될 수 있다.
도 16d를 참조하면, 배면이 투명 점착제(OCA)가 배치된 윈도우(60)가 광학 기능부(50) 상에 배치된 채 광학 기능부(50) 상에 부착될 수 있다. 투명 점착제(OCA)는 비교적 투과도가 우수한 물질을 포함하기에, 제1영역(A1)과 대응되는 홀을 구비하지 않을 수 있다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 17을 참조하면, 기판(100) 상에 버퍼층(201), 게이트절연층(203), 제1층간절연층(205), 제2층간절연층(207), 제1유기절연층(209) 및 제2유기절연층(211)이 배치된다. 화소회로(PC)는 박막트랜지스터 및 스토리지 커패시터를 포함하되, 박막트랜지스터의 반도체층 및전극들 및 스토리지 커패시터의 전극들은 각각 전술한 절연층들 상에 배치될 수 있다.
화소전극(221)은 제2유기절연층(211)의 콘택홀을 통해 콘택메탈(CM)에 연결되고, 콘택메탈(CM)은 제1유기절연층(209)의 콘택홀을 통해 화소회로(PC)의 박막트랜지스터에 연결될 수 있다. 다른 실시예로서, 콘택메탈(CM)은 생략될 수 있다.
화소전극(221) 상에 배치된 화소정의막(215)은 화소전극(221)과 중첩하는 개구를 포함하며, 화소정의막(215)의 개구는 발광영역(EA)을 정의할 수 있다. 화소정의막(215) 상에는 순차적으로 적층된 제1기능층(222a), 발광층(222b), 제2기능층(223), 및 캐핑층(230)이 배치될 수 있다. 기판(100) 상에 배치된 표시층(200)의 물질 밀 특징들 앞서 도 8을 참조하여 설명한 바와 같다.
화소들, 예컨대 화소전극(221), 발광층(222b) 및 대향전극(223)의 적층체를 포함하는 발광 다이오드들 사이에는 제1영역(A1)이 위치할 수 있다. 표시층(200)은 제1영역(A1)에 위치하는 제4홀(200H)을 포함할 수 있다.
제4홀(200H)은 표시층(200)의 절연층들 각각에 형성된 관통홀들이 중첩하면서 형성될 수 있다. 표시층(200)의 절연층들, 예컨대 버퍼층(201), 게이트절연층(203), 제1층간절연층(205), 제2층간절연층(207), 제1유기절연층(209), 제2유기절연층(211), 및 화소정읨가(215)는 각각 제1영역(A1)에 위치하는 관통홀들을 구비할 수 있으며, 제4홀(200H)은 전술한 표시층(200)의 절연층들 중 그 크기가 작은 홀을 정의하는 절연층에 의해 정의될 수 있다. 일 실시예로서 도 17은 제4홀(200H)이 제1유기절연층(209)의 측면으로 정의되는 것을 도시한다.
표시층(200)의 절연층들과 마찬가지로, 제1기능층(222a), 제2기능층(222c), 대향전극(223), 및 캐핑층(230)도 각각 제1영역(A1)에 대응하는 부분이 제거되면서 형성된 홀을 포함할 수 있다.
봉지기판(300A)은 기판(100)과 마주보도록 배치된다. 제1영역(A1)에서, 봉지기판(300A)의 바닥면과 기판(100)의 상면 사이에는 표시층(200)에 포함된 물질들이 배치되지 않는다. 바꾸어 말하면, 제1영역(A1)에서 기판(10)의 상면은 봉지기판(300A)의 바닥면과 직접 마주볼 수 있다.
봉지기판(300A)은 기판(100)과 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 동일한 굴절률을 가질 수 있다. 예컨대, 기판(100)과 봉지기판(300A)은 약 1.3 내지 약1.7의 굴절률, 예컨대 약1.5의 굴절률을 가질 수 있다.
금속층(450)은 제3영역(A3)에 배치될 수 있다. 금속층(450)은 제3영역(A3)에 배치된 복수의 데이터라인들 각각의 제3부분(DL-D)과 중첩할 수 있다.
금속층(450)은 봉지기판(300A)의 상면에 직접 접촉할 수 있다. 금속층(450)은 입력감지부(40)의 형성 공정, 예컨대 트레이스 라인 및 제1연결전극을 형성하는 공정과 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 이와 관련하여 도 17은 제4영역(A4)에 위치하는 제1트레이스 라인(415)들과 금속층(450)이 각각 봉지기판(300A)의 상면에 직접 배치되는 것을 도시한다. 제4영역(A4)에 위치하는 트레이스 라인들, 예컨대 제1트레이스 라인(415)들 중 적어도 어느 하나는 실링재(ST)와 중첩할 수 있다.
금속층(450) 상에는 실리콘나이트라이드, 실리콘옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드와 같은 제1절연층(43)이 배치된다. 제1절연층(43) 상에는 감지전극들 및 제2절연층(45)이 순차적으로 배치될 수 있다. 제1절연층(43) 및 제2절연층(45)은 각각 제1영역(A1)에 위치하는 제9홀(43H) 및 제10홀45H)을 포함할 수 있다. 제9홀(43H)을 정의하는 제1절연층(43)의 단부는 금속층(450)의 내측에지(inner edge)를 커버할 수 있으며, 제10홀(45)을 정의하는 제2절연층(45)의 단부는 전술한 제1절연층(43)의 단부를 커버할 수 있다. 제1절연층(43) 및 제2절연층(45)은 동일한 물질을 포함하거나, 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 제1절연층(43) 및 제2절연층(45)은 각각 무기절연물 또는 유기절연물을 포함할 수 있다.
광학 기능부(50)는 금속층(450)의 일부를 커버하도록 배치되며, 그 위에는 투명 점착제(OCA) 및 윈도우(60)가 배치될 수 있다. 윈도우(60)의 배면에는 제4영역(A4)에 배치된 구성요소들, 예컨대 제1트레스라인(415)등의 구성요소를 커버하는 차광부(61)가 배치될 수 있다. 데드영역을 커버하는 차광부(61)는 유색의 층을 포함할 수 있다. 예컨대, 차광부(61)는 흰색, 검은색, 은색, 금색, 핑크 계열과 같이 다양한 색상의 층을 포함할 수 있다. 차광부(61)는 제2영역(A2)을 둘러싸는 다각형의 고리 또는 프레임 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 차광부(61)는 대략 사각형의 고리 또는 프레임 형상을 가질 수 있다.
광학 기능부(50)의 제2홀(H2)은 금속층(450)의 제8홀(450H)과 중첩할 수 있다. 표시 장치의 조립 공정시 얼라인 오차 및/또는 컴포넌트(20)가 카메라인 경우 카메라의 화각에 의한 카메라가 촬상한 이미지의 품질의 문제와 관련하여, 금속층(450)의 제8홀(450H)의 제1폭(W1)은 광학 기능부(50)의 제2홀(50H)의 제2폭(W2) 보다 작을 수 있으며, 표시층(200)의 제4홀(200H)의 제3폭(W3)의 보다 클 수 있다(W3<W1<W2). 제1 내지 제3폭(W1, W2, W3)은 제1영역(A1)을 사이에 두고 이웃하는 화소들 사이의 거리, 예컨대 이웃하는 두 화소의 발광영역(EA)들 사이의 거리(W4) 보다 작을 수 있다.
도 17은 금속층(450)이 제1절연층(43)의 아래에 배치된 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않을 수 있다. 다른 실시예로서, 제1감지전극(410)을 포함한 감지전극들 및 제2연결전극은 제1절연층(43)의 아래에 배치되고, 트레이스 라인은 제1절연층(43)의 위에 배치될 수 있으며, 금속층(450)은 트레이스 라인들이 형성되는 공정에서 함께 형성되어 제1절연층(43)의 위에 배치될 수 있다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도로서, 금속층과 광학 기능부의 관계를 나타낸다.
도 18을 참조하면, 광학 기능부(50)의 제2홀(50H)의 제2폭(W2)이 금속층(450)의 제8홀(450H)의 제1폭(W1) 보다 크게 형성되기에, 도 18에 도시된 바와 같이 광학 기능부(50)는 금속층(450)의 일부분, 예컨대 금속층(450)의 외측에지(450oe)를 커버할 수 있다.
평면상에서, 광학 기능부(50)는 제2영역(A2)을 전체적으로 커버하도록 배치될 수 있다. 예컨대, 광학 기능부(50)은 제1 및 제2감지전극(410, 420)들, 및 더미전극(430)들을 커버할 수 있다.
도 19 및 도 20은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 19 및 도 20를 참조하면, 앞서 도 17을 참조하여 설명한 바와 같이 기판(100) 상에 표시층(200)이 배치되고, 표시층(200)이 봉지기판(300A)으로 커버될 수 있다. 봉지기판(300A) 상에는 금속층(450) 및 입력감지부(40)가 배치되며, 광학 기능부(50)이 입력감지부(40) 상에 위치할 수 있다. 기판(100)으로부터 광학기능층(50)까지의 적층 구조 및 그에 따른 특징들은 앞서 도 17을 참조하여 설명한 바와 동일하므로 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.
윈도우(60)의 배면 상에는 차광부가 배치될 수 있다. 차광부는 제3영역(A3)에 배치된 제1차광부(61a) 및 제4영역(A4)에 배치된 제2차광부(61b)를 포함할 수 있다. 평면도상에서, 즉 기판(100)에 수직한 방향에서 보았을 때, 제1차광부(61a)는 제1영역(A1)을 둘러싸는 고리 형상일 수 있고, 제2차광부(61b)는 제2영역(A2)을 둘러싸는 고리 형상일 수 있다. 예컨대, 제1차광부(61a)는 제1영역(A1)을 둘러싸는 환형의 고리, 또는 환형의 프레임 형상일 수 있고, 제2차광부(61b)는 제2영역(A2)을 둘러싸는 다각형의 고리 또는 프레임 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 제2차광부(61b)는 대략 사각형의 고리 또는 프레임 형상을 가질 수 있다. 제2차광부(61b)는 앞서 도 17에 도시된 제4영역(A4)의 차광부(61)에 대응할 수 있다.
제1차광부(61a) 및 제2차광부(61b)는 유색의 막일 수 있다. 제2차광부(61b)와 제1차광부(61a)는 서로 다른 색상을 가질 수 있다. 예컨대, 제1차광부(61a)는 블랙의 색을 가지고, 제2차광부(61b)는 흰색, 은색, 금색, 핑크 계열 등의 다양한 색상을 가질 수 있다.
컴포넌트(20)가 비교적 화각이 작은 카메라를 포함하거나, 또한 화각의 문제에서 비교적 자유로운 센서를 포함하는 경우, 윈도우(60)의 배면에는 전술한 바와 같은 제1차광부(61a)이 배치될 수 있다. 제1영역(A1)을 둘러싸도록 형성된 제1차광부(61a)는 제1영역(A1)에 위치하는 제11홀(61ah)을 포함할 수 있는데, 제11홀(61ah)의 제5폭(W5)은 도 19에 도시된 바와 같이 광학 기능부(50)의 제2폭(W2)과 실질적으로 동일하거나 그보다 클 수 있다. 또는, 제11홀(61ah')의 제5폭(W5')은 도 20에 도시된 바와 같이 금속층(450)의 제8홀(450H)의 제1폭(W1)과 실질적으로 동일하거나 그보다 클 수 있다.
도 21은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이고, 도 22는 도 21의 XXII 부분을 확대한 평면도이다.
도 21을 참조하면, 표시 장치는 제1영역(A1)을 따라 연장되는 하나 또는 그 이상의 라인들을 포함할 수 있다. 하나 또는 그 이상의 라인들은 금속층(450)을 통해 유입될 수 있는 정전기(ESD)에 의한 감지전극부(40)의 손상을 방지하기 위한 구성으로, 금속층(450)의 외측에 배치될 수 있다. 이와 관련하여, 도 21은 금속층(45)과 제1 및 제2감지전극(410, 420)들 사이에 위치하는 제1라인(461), 제2라인(462), 및 제3라인(463)을 도시한다.
제1라인(461), 제2라인(462), 및 제3라인(463)은 각각 금속층(450)의 폭(W0) 보다 작은 폭을 갖는 고리 형상을 가질 수 있다. 제1라인(461), 제2라인(462), 및 제3라인(463)은 상호 이격되어 배치될 수 있다. 제1라인(461), 제2라인(462), 및 제3라인(463)은 각각 도전성 물질을 포함할 수 있다.
제1라인(461), 제2라인(462), 및 제3라인(463)은 각각 개구 부분을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 도 21의 상측 확대도를 참조하면, 제3라인(463)은 제3개구 부분(463O)을 중심으로 상호 이격된 제3물질 부분(463P)을 포함할 수 있다. 제3물질 부분(463P)은 도전성 물질, 예컨대 금속을 포함할 수 있다. 유사하게, 제2라인(462)은 제2개구 부분(462O)을 중심으로 상호 이격된 제2물질 부분(462P)을 포함할 수 있다. 제3물질 부분(463P)은 도전성 물질, 예컨대 금속을 포함할 수 있다.
제3라인(463)은 제3개구 부분(463O)을 복수 개 구비할 수 있다. 일 실시예로서, 제3개구 부분(463O)들은 제1영역(A1)의 중심(C)을 기준으로 0°, 90°, 180°, 270°의 위치에 배치될 수 있으며, 따라서 제3라인(463)은 4개의 제3물질 부분(463P)들을 포함할 수 있다.
제2라인(463)은 제2개구 부분(462O)을 복수 개 구비할 수 있다. 일 실시예로서, 제2개구 부분(462O)들은 제1영역(A1)의 중심(C)을 기준으로 0°, 45°, 90°, 135°, 180°, 225°, 270°, 315°의 위치에 배치될 수 있으며, 따라서 제2라인(462)은 8개의 제2물질 부분(462P)들을 포함할 수 있다.
상대적으로 금속층(450)에 인접한 제3라인(463)은 상대적으로 금속층(450)에 먼 제2라인(462)보다 적은 수의 물질 부분들을 포함할 수 있으며, 각각의 제2물질 부분(462P)의 면적은 각각의 제3물질 부분(463P)의 면적 보다 작을 수 있다. 금속층(450)으로부터 멀어지는 방향으로 포함된 물질 부분의 면적을 작게 함으로써 금속층(450)에서 멀어지는 방향을 따라 작은 전하량을 갖도록 할 수 있다.
제1라인(461)도 개구 부분을 포함할 수 있는데, 제1라인(461)의 개구 부분은 제2개구 부분(462O) 및 제3개구 부분(463O)과 다른 위치에 형성될 수 있다.
도 22를 참조하면, 제1라인(461)의 제1개구 부분(461O)은 더미 전극(430)에 인접하게 배치될 수 있다. 예컨대, 제1개구 부분(461O)들은 각각 제1더미전극(431) 및 제2더미전극(432)에 인접하게 배치될 수 있다. 하나의 제1개구 부분(461O)은 제1더미전극(431)의 제1폭(L1)의 중앙 부분에 인접하게 배치되고, 다른 하나의 제1개구 부분(461O)은 제2더미전극(432)의 제2폭(L2)의 중앙 부분에 인접하게 배치될 수 있다.
표시 장치는 도 21 및 도 22를 참조하여 설명한 제1라인(461), 제2라인(462), 및 제3라인(463)을 포함하므로, 금속층(450)을 통해 정전기가 유입된다 하더라도 정전기가 제3라인(463)에서 제2라인(462)으로 진행할 수 있다. 정전기가 제3물질부분(463P)에서 상대적으로 작은 면적의 제2물질부분(462P)으로 진행함에 따라 작은 전하량을 갖게 될 수 있다. 또한, 정전기가 제2라인(462)을 지나 제1라인(461)으로 진행한다 하더라도 제1개구 부분(461O)이 더미전극(430)에 인접하게 배치되므로 정전기에 손상이 더미전극(430)으로 유도될 수 있으며, 따라서 제1 및 제2감지전극(410, 420)들의 손상을 방지할 수 있다.
도 23은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 23을 참조하면, 제3영역(A3)에 제1라인(461), 제2라인(462), 및 제3라인(463)이 더 배치될 수 있다. 제1라인(461), 제2라인(462), 및 제3라인(463)은 금속층(450) 및/또는 트레이스 라인(415)과 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 제1라인(461), 제2라인(462), 제3라인(463), 금속층(450) 및 트레이스 라인(415)은 봉지기판(300A) 상에 위치할 수 있으며, 동일한 물질을 포함할 수 있다.
도 23은 제1라인(461), 제2라인(462), 및 제3라인(463), 그리고 금속층(450)이 제1절연층(43)의 아래에 배치된 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않을 수 있다. 다른 실시예로서, 제1감지전극(410)을 포함한 감지전극들 및 제2연결전극은 제1절연층(43)의 아래에 배치되고, 제1라인(461), 제2라인(462), 제3라인(463), 금속층(450) 및 트레이스 라인(415)은 제1절연층(43)의 위에 배치될 수 있다.
제1라인(461), 제2라인(462), 및 제3라인(463)을 제외한 다른 구조 및 특징들은 앞서 도 17을 참조하여 설명한 구조와 동일하므로 전술한 내용으로 갈음한다.
도 24a 내지 도 24f는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도들이다.
도 24a를 참조하면, 제1영역(A1) 주변에는 금속층(450), 제3라인(463), 제2라인(462) 및 제1라인(461)이 배치될 수 있다. 금속층(450), 제3라인(463), 제2라인(462) 및 제1라인(461)은 앞서 도 21 및 도 22를 참조하여 설명한 바와 같은 특징을 포함할 수 있다. 또는, 제3라인(463), 제2라인(462) 및 제1라인(461) 각각은 개구 부분을 포함하지 않을 수 있다. 도 24a에 도시된 바와 같이, 제1영역(A1) 주변에는 주변 금속층(470)이 더 배치될 수 있다. 주변 금속층(470)은 금속층(450), 제3라인(463), 제2라인(462) 및 제1라인(461)과 동일한 층 상에 배치되며, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 주변 금속층(470)은 금속층(450)과 마찬가지로 플로팅 상태일 수 있다. 또는 주변 금속층(470)은 주변의 감지전극들과 전기적으로 연결될 수 있으며, 이 경우 주변 금속층(470)은 일종의 보조 감지전극 또는 감지전극들을 연결해주는 연결전극으로의 기능을 수행할 수 있다.
다른 실시예로, 도 24b 및 도 24c를 참조하면, 제1영역(A1) 주변에는 금속층(450), 제3라인(463), 제2라인(462) 및 제1라인(461)이 배치될 수 있다. 제3라인(463), 제2라인(462) 및 제1라인(461)의 구체적 구조는 앞서 도 21 및 도 22를 참조하여 설명한 바와 같을 수 있다.
금속층(450)은 복수의 슬릿라인에 의해 상호 이격된 복수의 물질 부분(450P)들을 포함할 수 있다. 예컨대, 도 24b에 도시된 바와 같이 금속층(450)은 서로 교차하는 제1슬릿라인(450S1)들 및 제2슬릿라인(450S2)들에 의해 패터닝된 복수의 물질 부분(450P)들을 포함할 수 있다. 제1슬릿라인(450S1)들은 ±x방향을 따라 연장되고, 제2슬릿라인(450S2)들은 ±y방향을 따라 연장될 수 있다. 복수의 물질 부분(450P)들은 행과 열 방향을 따라 상호 이격되도록 배치될 수 있다.
또는, 도 24b에 도시된 바와 같이 금속층(450)은 제1영역(A1)의 원주방향을 따라 연장되는 제3슬릿라인(450S3)들, 및 제3슬릿라인(450S3)들과 교차하는 제4슬릿라인(450S4)들을 포함할 수 있다. 제3슬릿라인(450S3)들, 및 제4슬릿라인(450S4)들에 의하여 금속층(450)은 복수의 물질 부분(450P)들을 포함할 수 있다.
다른 실시예로, 도 24d를 참조하면, 제1영역(A1) 주변에는 금속층(450), 제3라인(463), 제2라인(462) 및 제1라인(461)이 배치될 수 있다. 금속층(450), 제3라인(463), 제2라인(462) 및 제1라인(461)은 앞서 도 21 및 도 22를 참조하여 설명한 바와 같은 특징을 포함할 수 있다. 또는, 제3라인(463), 제2라인(462) 및 제1라인(461) 각각은 개구 부분을 포함하지 않을 수 있다. 제1영역(A1) 주변에는 주변 금속층(470)이 더 배치될 수 있으며, 주변 금속층(470)은 제5슬릿라인(470S5)에 의해 분리된 복수의 부분(470a,…, 470n)들을 포함할 수 있다. 복수의 부분(470a,…, 470n)들은 제1영역(A1)을 둘러싸는 원주 방향을 따라 연장될 수 있다.
다른 실시예로, 도 24e를 참조하면, 제1영역(A1) 주변에는 금속층(450)이 배치되되, 금속층(450)은 제6슬릿라인(450S6)에 의해 분리된 복수의 부분(450a, …, 450m)들을 포함할 수 있다. 복수의 부분(450a, …, 450m)들은 제1영역(A1)을 둘러싸는 원주 방향을 따라 연장될 수 있다.
다른 실시예로, 도 24f를 참조하면, 제1영역(A1) 주변에는 금속층(450)이 배치되되, 금속층(450)은 제7슬릿라인(450S7)들 및 제8슬릿라인(450S8)들에 의해 분리된 복수의 부분(450a, …, 450m)들을 포함할 수 있다. 제7슬릿라인(450S7)들은 제1영역(A1)을 둘러싸는 원주 방향을 따라 연장될 수 있다. 제8슬릿라인(450S8)들 각각은 제7슬릿라인(450S7)과 교차하도록 연장될 수 있다. 제8슬릿라인(450S8)은 일 방향을 따라 연장되는 것이 아니라 교번적으로 배치될 수 있다. 따라서, 금속층(450) 중 제1물질 부분(450a)은 제1물질 부분(450a)의 외측에 배치된 제2물질 부분(450b)들과 중첩하되, 이웃한 제2물질 부분(450b)들 사이의 제8슬릿라인(450S8)은 제1물질 부분(450a)과 중첩할 수 있다.
도 25는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 입력감지부를 나타낸 평면도이다.
도 25를 참조하면, 입력감지부(40')는 복수의 감지전극(400)들 및 복수의 트레이스 라인(435)들을 포함할 수 있다. 감지전극(400)들은 제2영역(A2)에 배치될 수 있으며, 고유의 좌표 정보를 가질 수 있다.
감지전극(400)들은 예컨대 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 감지전극(400)들은 제1영역(A1)의 주변에 배치될 수 있으며, 감지전극(400)들 각각은 트레이스 라인(435)에 연결될 수 있다. 트레이스 라인(435)의 일부는 제2영역(A2)에 배치되고 일부는 제4영역(A4)에 배치될 수 있다. 감지전극(400)들은 셀프 캡 방식으로 좌표 정보를 획득할 수 있다. 감지전극(400)들 각각은 메쉬 구조를 가질 수 있다.
도 26은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지부의 단면도로서, 도 25의 XXVIa- XXVIa'선 및 XXVIb- XXVIb'선에 따른 단면도이다.
도 26을 참조하면, 입력감지부(40')는 표시 패널(10) 상에 배치되되, 감지전극(400)을 포함하는 도전층(CML) 및 이를 커버하는 제1절연층(43)을 포함할 수 있다. 도전층(CML)은 감지전극(400)들 및 트레이스 라인(435)들을 포함할 수 있다. 즉, 감지전극(400)들 및 트레이스 라인(435)들은 동일한 공정에서 함께 형성될 수 있으며, 동일한 물질을 포함할 수 있다.
도전층(CML), 예컨대 감지전극(400)들 및 트레이스 라인(435)들은 몰리브덴(Mo), 멘델레븀(Mb), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 및 이들의 합금을 포함할 수 있다. 제1절연층(43)은 무기절연물 또는/및 유기절연물을 포함할 수 있다.
도 27은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 27을 참조하면, 봉지기판(300A) 상에 배치된 입력감지부(40')는 감지전극(400)들 및 트레이스 라인(435)들을 포함할 수 있다. 감지전극(400)들 및 트레이스 라인(435)은 동일한 층 상에 배치되며, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 감지전극(400)들 및 트레이스 라인(435)들은 봉지기판(300A) 상에 배치될 수 있다.
입력감지부(40')는 앞서 도 10을 참조하여 설명한 입력감지부(40)가 두개의 도전층을 포함하는 것과 달리 하나의 도전층을 포함하기에, 그 두께를 줄일 수 있으며, 감지전극(400)의 센싱 방식도 뮤추얼 캡 방식이 아닌 셀프 캡 방식으로 차이를 가질 수 있다.
광학 기능부(50)는 입력감지부(40') 상에 배치될 수 있으며, 제2홀(50H)을 포함하는 광학 기능부(50)의 조립시 발생할 수 있는 얼라인 오차 및/또는 컴포넌트(20)가 카메라를 포함하는 경우 발생할 수 있는 화각 제한의 문제 등을 고려하여, 제3영역(A3)에는 금속층(450)이 배치될 수 있으며, 광학 기능부(50)가 금속층(450)의 일부를 커버할 수 있도록, 광학 기능부(50)의 제2홀(50H)의 크기는금속층(450)의 제8홀(450H)의 크기 보다 클 수 있다.
금속층(450)은 입력감지부(40')의 형성 공정, 예컨대 감지전극(400) 및 트레이스 라인(435)의 형성 공정에서 함께 형성될 수 있다. 금속층(450)은 감지전극(400) 및 트레이스 라인(435)과 동일한 층 상에 배치될 수 있으며, 동일한 물질을 포함할 수 있다.
기타 다른 구조적인 특징은 앞서 도 17을 참조하여 설명한 바와 같으므로, 전술한 내용으로 갈음한다.
도 27에서는 봉지부재로서 봉지기판(300A)을 설명하고 있으나, 다른 실시예로 봉지부재는 앞서 도 4a등을 참조하여 설명한 바와 같이 적어도 하나의 무기봉지층과 적어도 하나의 유기봉지층을 포함하는 박막봉지층을 포함할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10, 10': 표시 패널
40: 입력 감지부
50: 광학 기능부
60: 윈도우
450: 금속층
461: 제1라인
462: 제2라인
463: 제3라인

Claims (33)

  1. 투과영역을 사이에 두고 상호 이격된 두 개의 화소들을 포함하는 표시 패널;
    상기 표시 패널 상에 배치되며, 감지전극들 및 상기 감지전극들에 전기적으로 연결된 트레이스 라인들을 포함하는 입력감지부;
    상기 표시 패널 상에서 상기 투과영역을 둘러싸며, 상기 투과영역에 위치하는 제1홀을 포함하는 금속층; 및
    상기 금속층 상에 배치되며, 상기 제1홀에 중첩하되 상기 제1홀의 제1폭 보다 큰 제2홀을 포함하는, 광학 기능부;
    을 구비하는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광학 기능부은 상기 금속층의 일부만 커버하는, 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 광학 기능부은,
    편광자, 지연자, 상쇄간섭 구조물, 또는 컬러필터와 블랙매트릭스의 구조물을 포함하는, 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 금속층은 상기 트레이스 라인들과 동일한 물질을 포함하는, 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 금속층은, 몰리브덴(Mo), 멘델레븀(Mb), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 또는 이들의 합금을 포함하는, 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 금속층의 외측에 배치되는 적어도 하나의 라인들 더 포함하는, 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 라인은,
    개구부분을 중심으로 상호 이격되고 상기 금속층의 외측 가장자리를 따라 배치된 복수의 물질 부분들을 포함하는, 표시 장치.
  8. 상기 적어도 하나의 라인은,
    제1개구 부분을 중심으로 상호 이격되고 상기 금속층의 외측 가장자리를 따라 배치된 복수의 제1물질 부분들을 포함하는, 제1라인; 및
    상기 제1라인과 이격된 채 상기 금속층의 외측 가장자리를 따라 배치되고, 제2개구 부분을 중심으로 상호 이격된 복수의 제2물질 부분들을 포함하는, 제2라인;을 포함하는, 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1개구 부분은, 상기 개구영역의 중심에서 멀어지는 방사 방향을 따라 상기 복수의 제2물질 부분들 중 하나와 중첩하고,
    상기 제2개구 부분은, 상기 개구영역의 중심에서 멀어지는 방사 방향을 따라 상기 복수의 제1물질 부분들 중 하나와 중첩하는, 표시 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 이웃하는 감지전극들 사이에 위치하는 더미 전극을 더 포함하고,
    상기 제1개구 부분 또는 상기 제2개구 부분은, 상기 더미 전극과 인접하게 배치되는, 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 표시 패널은,
    기판;
    상기 기판 상에 배치되며, 상기 두 개의 화소들을 포함하는 표시층; 및
    상기 표시 층 상의 봉지기판;을 포함하는, 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 표시층은 상기 투과영역과 대응하는 홀을 포함하며,
    상기 기판의 상면과 상기 봉지기판의 하면은 상기 표시층의 상기 홀을 통해 서로 마주보는, 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 금속층은 상호 이격된 복수의 물질 부분을 포함하는, 표시 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 광학 기능부 상에 배치되는 윈도우, 및 상기 광학 기능부과 상기 윈도우 사이의 투명 점착층을 더 포함하는, 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 윈도우는, 상기 금속층의 일부와 중첩하는 차광부를 포함하는, 표시 장치.
  16. 제1영역을 사이에 두고 상호 이격된 두 개의 화소들을 포함하는 표시 패널;
    상기 표시 패널 상에 배치되며, 감지전극들 및 상기 감지전극들에 전기적으로 연결된 트레이스 라인들을 포함하는 입력감지부; 및
    상기 표시 패널 상에서 상기 투과영역을 둘러싸며, 상기 제1영역에 위치하는 제1홀을 포함하는 금속층;
    을 구비하는, 표시 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 금속층은 상기 트레이스 라인과 동일한 물질을 포함하는, 표시 장치.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 입력감지부는,
    상기 감지전극들 또는 상기 트레이스 라인들을 포함하는 적어도 하나의 도전층; 및
    상기 도전층 상의 절연층을 포함하며,
    상기 금속층은 상기 적어도 하나의 도전층과 동일한 물질을 포함하는, 표시 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 절연층은, 상기 제1영역과 대응하는 홀을 포함하는, 표시 장치.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 제1홀을 정의하는 상기 금속층의 에지를 커버하는, 표시 장치.
  21. 제16항에 있어서,
    상기 금속층은, 몰리브덴(Mo), 멘델레븀(Mb), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 또는 이들의 합금을 포함하는, 표시 장치.
  22. 제16항에 있어서,
    상기 감지전극들은,
    상기 금속층을 사이에 두고 상호 이격된 두 개의 감지전극들을 포함하는, 표시 장치.
  23. 제22항에 있어서
    상기 금속층의 외측 에지와 상기 두 개의 감지전극들 사이에 배치되는 적어도 하나의 라인을 더 포함하는, 표시 장치.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 라인은 제1라인을 포함하되, 상기 제1라인은 제1개구 부분을 중심으로 상호 이격된 복수의 제1물질 부분들을 포함하는, 표시 장치.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 라인은 제1라인 보다 상기 금속층에 인접한 상기 제2라인을 더 포함하며,
    상기 제2라인은 제2개구 부분을 중심으로 상호 이격된 복수의 제2물질 부분들을 포함하는, 표시 장치.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 복수의 제2물질 부분들 각각의 면적은, 상기 복수의 제1물질 부분들 각각의 면적 보다 큰, 표시 장치.
  27. 제24항에 있어서,
    상기 감지전극들 중 상기 금속층에 인접한 감지전극들 사이에 위치하는 더미 전극을 더 포함하며,
    상기 제1개구 부분은 상기 더미 전극에 인접한, 표시 장치.
  28. 제16항에 있어서,
    상기 금속층 상의 광학 기능부을 더 포함하는, 표시 장치.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 광학 기능부은 상기 제1홀과 중첩하는 제2홀을 포함하며, 상기 제2홀은 상기 제1홀 보다 큰, 표시 장치.
  30. 제28항에 있어서,
    편광자, 지연자, 상쇄간섭 구조물, 또는 컬러필터와 블랙매트릭스의 구조물을 포함하는, 표시 장치.
  31. 제16항에 있어서,
    상기 표시 패널은,
    기판;
    상기 기판 상에 배치되며, 상기 두 개의 화소들을 포함하는 표시층; 및
    상기 표시 층 상의 봉지부재;를 포함하는, 표시 장치.
  32. 제31항에 있어서,
    상기 표시층은 상기 제1영역과 대응하는 홀을 포함하며,
    상기 기판의 상면과 상기 봉지부재의 하면은 상기 표시층의 상기 홀을 통해 서로 마주보는, 표시 장치.
  33. 제32항에 있어서,
    상기 기판 또는 상기 봉지부재 중 적어도 하나는, 글래스재를 포함하는, 표시 장치.
KR1020190102458A 2019-08-21 2019-08-21 표시 장치 KR20210024292A (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190102458A KR20210024292A (ko) 2019-08-21 2019-08-21 표시 장치
US16/853,853 US11114511B2 (en) 2019-08-21 2020-04-21 Display device
CN202010797089.4A CN112419907A (zh) 2019-08-21 2020-08-10 显示装置
US17/466,233 US20210399059A1 (en) 2019-08-21 2021-09-03 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190102458A KR20210024292A (ko) 2019-08-21 2019-08-21 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210024292A true KR20210024292A (ko) 2021-03-05

Family

ID=74646434

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190102458A KR20210024292A (ko) 2019-08-21 2019-08-21 표시 장치

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11114511B2 (ko)
KR (1) KR20210024292A (ko)
CN (1) CN112419907A (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7116538B2 (ja) * 2017-11-20 2022-08-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
KR20210137856A (ko) 2020-05-11 2021-11-18 삼성전자주식회사 디스플레이 및 카메라를 포함하는 전자 장치
US11531228B2 (en) * 2020-05-15 2022-12-20 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
KR20220120035A (ko) * 2021-02-22 2022-08-30 동우 화인켐 주식회사 터치센서 및 이를 포함하는 화상 표시 장치
WO2023168580A1 (zh) * 2022-03-07 2023-09-14 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示母板及显示装置
KR20230149893A (ko) * 2022-04-20 2023-10-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN115241265A (zh) * 2022-08-11 2022-10-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010026682A1 (ja) * 2008-09-08 2010-03-11 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR101701368B1 (ko) 2010-06-25 2017-02-01 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈이 내장된 액정 패널 및 그의 제조 방법
WO2015022887A1 (ja) * 2013-08-12 2015-02-19 シャープ株式会社 表示装置
CN108464051B (zh) 2015-11-17 2021-10-22 诺基亚通信公司 上行链路调度分配的两步信令
KR102482988B1 (ko) 2015-12-31 2022-12-29 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN105607332A (zh) 2016-01-04 2016-05-25 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板、显示面板和显示装置
KR20170111827A (ko) * 2016-03-29 2017-10-12 삼성전자주식회사 디스플레이 및 카메라를 포함하는 전자 장치
EP3330841B1 (en) 2016-12-02 2021-05-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device including display and method for manufacturing display
CN106584996B (zh) * 2016-12-06 2019-02-12 Oppo广东移动通信有限公司 盖板以及移动终端
JP6937591B2 (ja) 2017-03-07 2021-09-22 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 表示装置及びその製造方法
WO2019011353A1 (zh) * 2017-07-14 2019-01-17 北京康斯特仪表科技股份有限公司 压力校准装置及压力仪表校准信息的处理方法
CN109426386B (zh) * 2017-08-31 2021-11-30 宸鸿光电科技股份有限公司 触控面板及其制作方法
CN109461371B (zh) * 2017-09-06 2021-12-21 群创光电股份有限公司 显示装置
GB2566936A (en) * 2017-09-20 2019-04-03 Flexenable Ltd Display device
CN110021640A (zh) * 2018-01-08 2019-07-16 三星显示有限公司 电致发光装置
CN108649133A (zh) * 2018-03-30 2018-10-12 上海天马微电子有限公司 有机发光显示面板、其制备方法和有机发光显示装置
KR102580450B1 (ko) * 2018-06-22 2023-09-20 삼성디스플레이 주식회사 표시모듈, 표시패널 및 그 제조방법
CN108845455B (zh) * 2018-06-26 2021-05-04 Oppo广东移动通信有限公司 显示组件和电子设备
CN108549503B (zh) * 2018-06-30 2020-11-20 云谷（固安）科技有限公司 触控面板及其制作方法、显示装置
CN108897449A (zh) * 2018-06-30 2018-11-27 昆山国显光电有限公司 导电层叠结构及其制备方法、显示装置
CN108983468A (zh) * 2018-07-27 2018-12-11 厦门天马微电子有限公司 一种显示装置
KR102663899B1 (ko) * 2018-09-28 2024-05-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR102643092B1 (ko) * 2018-10-02 2024-03-06 삼성디스플레이 주식회사 지문 센서 및 이를 구비한 표시 장치
KR102626939B1 (ko) * 2018-10-05 2024-01-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200046222A (ko) * 2018-10-23 2020-05-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102593535B1 (ko) * 2018-10-26 2023-10-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200060594A (ko) * 2018-11-21 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR102570864B1 (ko) * 2018-11-29 2023-08-28 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
KR20200066471A (ko) * 2018-11-30 2020-06-10 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이를 포함하는 전자장치
KR102667402B1 (ko) * 2018-11-30 2024-05-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN209267626U (zh) * 2018-12-26 2019-08-16 维沃移动通信有限公司 终端设备
KR20200080484A (ko) * 2018-12-26 2020-07-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200080754A (ko) * 2018-12-27 2020-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
US20200235180A1 (en) * 2019-01-18 2020-07-23 Samsung Display Co., Ltd. Display panel
KR20200094877A (ko) * 2019-01-30 2020-08-10 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20200102025A (ko) * 2019-02-20 2020-08-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200107026A (ko) * 2019-03-05 2020-09-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR20200110575A (ko) * 2019-03-15 2020-09-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
KR20200111889A (ko) * 2019-03-19 2020-10-05 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20200113092A (ko) * 2019-03-21 2020-10-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR20200115887A (ko) * 2019-03-28 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함한 표시 장치
KR20200115943A (ko) * 2019-03-29 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
KR20200120845A (ko) * 2019-04-12 2020-10-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200124371A (ko) * 2019-04-23 2020-11-03 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20200124800A (ko) * 2019-04-24 2020-11-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US20200357869A1 (en) * 2019-05-10 2020-11-12 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
KR20200136550A (ko) * 2019-05-27 2020-12-08 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법
JP7298299B2 (ja) * 2019-05-27 2023-06-27 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 表示入力装置および画像形成装置
KR20200137081A (ko) * 2019-05-28 2020-12-09 삼성디스플레이 주식회사 지문 센서 및 이를 포함하는 표시 장치
US11210491B2 (en) * 2019-05-30 2021-12-28 Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. Fingerprint sensor under a display module with tilted receiving optics
KR20200138566A (ko) * 2019-05-31 2020-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시패널
KR20200138569A (ko) * 2019-05-31 2020-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200142162A (ko) * 2019-06-11 2020-12-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200142641A (ko) * 2019-06-12 2020-12-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200144628A (ko) * 2019-06-18 2020-12-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN112419907A (zh) 2021-02-26
US20210057490A1 (en) 2021-02-25
US11114511B2 (en) 2021-09-07
US20210399059A1 (en) 2021-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102626939B1 (ko) 표시 장치
US11723230B2 (en) Display panel
EP3660906B1 (en) Display panel including a non-display area within a display area
KR102593535B1 (ko) 표시 장치
KR20210024292A (ko) 표시 장치
KR20200066497A (ko) 표시 장치
US11825705B2 (en) Display panel including area for component inside display area and display apparatus including the same
EP3690950B1 (en) Display device
KR20200115834A (ko) 표시 패널
TW202040817A (zh) 顯示面板
KR20200115943A (ko) 표시 장치 및 그 제조방법
KR20210028319A (ko) 표시장치
KR20200145902A (ko) 표시 패널
KR20210049253A (ko) 표시 장치
KR20200107026A (ko) 표시 패널
KR20210040224A (ko) 표시 장치
KR20210087609A (ko) 표시 장치
CN112736114A (zh) 显示设备及其制造方法
KR20200110575A (ko) 표시 패널 및 이의 제조 방법
CN112582450A (zh) 显示装置及其制造方法
KR20220033611A (ko) 표시 장치
CN220711946U (zh) 显示装置
US20240237429A1 (en) Display panel
KR102203105B1 (ko) 디스플레이 장치
KR20240043894A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination