CN109461371B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示装置。显示装置包括一第一基板、一感测元件、一显示开关元件以及一阻挡结构。第一基板具有一第一上表面，一第一方向垂直第一表面，感测元件设置于第一基板上，其中感测元件包括一有源层，有源层具有一沟道区，沟道区的一沟道上表面与第一基板的第一上表面之间沿第一方向具有一第一距离。显示开关元件设置于第一基板上，邻近于感测元件设置。阻挡结构设置于感测元件上，阻挡结构具有一阻挡结构下表面及一第一开口，第一开口对应于感测元件的沟道区。阻挡结构下表面和第一上表面之间沿第一方向具有一第二距离，且第一距离小于第二距离。

Description

显示装置
技术领域
本公开是有关于一种显示装置，且特别是有关于一种于显示区内具有生物表征功能的显示装置。
背景技术
近年来，手机面板、车用面板及穿戴型装置面板的设计发展具有追求窄边框、进而发展成全屏幕显示的趋势，后续也逐渐发展将生物表征技术应用于显示面内区。生物表征辨识技术应用在中小型面板的研究上大多聚焦在如何提高信号的准确性或是提升检测器的灵敏度，因此目前研究多半于探讨如何提高所投射到生物表征的光源强度或是增加所投射的光源数量，但也因此相对较为耗电。另外在检测器灵敏度的提升情况下，也相对拉高检测器容易被噪声干扰的程度，非准直的噪声光源会影响、或干扰检测器辨识，严重甚至可能照成误判。
发明内容
本公开是有关一种于显示区内具有生物表征辨识功能的显示装置。根据本公开的实施例，显示装置的阻挡结构位于感测元件的上方，且阻挡结构的第一开口对应感测元件设置，借由阻挡结构可以阻挡或反射大部分未准直的入射光被感测元件所检测。举例来说，当所要辨识的生物表征的部位接触显示装置时，未准直的入射光会被阻挡结构所阻挡或反射，可减少非准直的噪声光被感测元件所检测，进而提高感测元件的准确性。
根据本公开的一实施例，提出一种显示装置。显示装置包括一第一基板、一感测元件、一显示开关元件以及一阻挡结构。第一基板具有一第一上表面，一第一方向垂直第一表面，感测元件设置于第一基板上，其中感测元件包括一有源层，有源层具有一沟道区，沟道区的一沟道上表面与第一上表面之间沿第一方向具有一第一距离。显示开关元件设置于第一基板上，邻近于感测元件设置。阻挡结构设置于感测元件上，阻挡结构具有一阻挡结构下表面及一第一开口，第一开口对应于感测元件的沟道区。阻挡结构下表面与第一上表面之间沿第一方向具有一第二距离，且第一距离小于第二距离。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
图1绘示根据本公开一实施例的显示装置的示意图。
图1A绘示根据本公开一实施例的显示装置的操作示意图。
图2绘示根据本公开另一实施例的显示装置的示意图。
图3绘示根据本公开又一实施例的显示装置的示意图。
图4绘示根据本公开再一实施例的显示装置的示意图。
图5绘示根据本公开更一实施例的显示装置的示意图。
图6～8绘示根据本公开一些其他显示实施方式的有显示装置的示意图。
图中元件标号说明：
10、20、30、40、50、60、70、80：显示装置
100：第一基板
100a：第一上表面
200：感测元件
210：有源层
220：沟道区
220a：沟道上表面
500a：第二上表面
220S1：第一侧边缘
220S2：第二侧边缘
230、310：栅极层
240：漏极/源极
300：显示开关元件
320：沟道层
330：光遮蔽层
400：阻挡结构
400a：阻挡结构上表面
400b：阻挡结构下表面
400T、710T：厚度
410：第一开口
410S1：第一边缘
410S2：第二边缘
500：第二基板
600：显示层
700：第二开口
710：绝缘结构
710a：绝缘上表面
710T、710T1、710T2：厚度
720、760、780：钝化层
730：介电层
740：绝缘层
750：缓冲层
770、790：透明电极层
810：透明电极层
820、840：保护层
830：彩色滤光层
D1：第一距离
D2：第二距离
D3、D4、D5、D6、D8：距离
D7：高度
DR1：方向
L、L’：入射光
L1、L2：光线
N：法线
R：反射区
T：穿透区
W1：宽度
ΔD：差值
θ、θ1、θ2：入射角度
具体实施方式
根据本公开的实施例，显示装置的阻挡结构位于感测元件的上方，且阻挡结构的第一开口对应感测元件设置，借由此阻挡结构可以阻挡或反射大部分未准直的入射光被感测元件检测。举例来说，当所要辨识的生物表征的部位(可例如为指纹、人脸、手掌纹、脚掌纹等)接触显示装置时，光源可以投射至所要辨识的生物表征的部位，借由生物表征的不同凹凸纹路特性(因光源经过凹纹或凸纹上，其光源所经过的介质路径不同)，产生或反射出不同的光源信号，此些光源信号会被感测元件所检测，并进行辩识。本公开的阻挡结构，可以减少未准直的噪声光被感测元件检测到，进而提高感测元件的准确性。
以下参照附图详细叙述本公开的实施例。附图中相同的标号是用以标示相同或类似的部分。需注意的是，附图是已简化以利清楚说明实施例的内容，实施例所提出的细部结构仅为举例说明之用，并非对本公开欲保护的范围做限缩。本领域技术人员当可依据实际实施态样的需要对这些结构加以修饰或变化。此外，当某层在其它层或基板“上”时，有可能是指某层“直接”在其它层或基板上，或指某层“间接”在其它层或基板上，也就是某层和其它层或基板之间夹设其它层。当某层与其它层或基板“接触”时，有可能是指某层“直接接触”其它层或基板，或指某层“间接接触”其它层或基板，即某层与其它层或基板之间夹设其它层。再者，说明书与权利要求中所使用的序数例如”第一”、”第二”、”第三”等的用词，以修饰权利要求的元件，其本身并不意含及代表该请求元件有任何之前的序数，也不代表某一请求元件与另一请求元件的顺序、或是制造方法上的顺序，这些序数的使用仅用来使具有某命名的一请求元件得以和另一具有相同命名的请求元件能作出清楚区分。
图1绘示根据本公开一实施例的显示装置的示意图。如图1所示，显示装置10包括一第一基板100、一感测元件200、一显示开关元件300以及一阻挡结构400。感测元件200设置于第一基板100上，感测元件200包括一有源层210，有源层210具有一沟道区220，沟道区220的一沟道上表面220a和第一基板的一第一上表面100a之间具有一第一距离D1，此第一距离D1可定义为沟道上表面220a和第一上表面100a之间沿第一上表面100a的法线方向的最短距离。显示开关元件300设置于第一基板100上，邻近于感测元件200设置。阻挡结构400设置于感测元件200上，且阻挡结构400具有一第一开口410，第一开口410对应于感测元件200的沟道区220。阻挡结构400具有一阻挡结构下表面400b，阻挡结构下表面400b和第一基板100的第一上表面100a之间具有一第二距离D2，此第二距离D2可定义为阻挡结构下表面400b和第一上表面100a之间沿第一上表面100a的法线方向的最短距离，且第一距离D1小于第二距离D2。
实施例中，第一距离D1相对于第二距离D2的差值ΔD的绝对值可以是大于0微米且小于或等于10微米(0微米<ΔD≦10微米)，或是ΔD范围可介于0微米至10微米。或者于其他实施例中，D1与D2的比例可例如是小于1且大于或等于1/10(1<D1/D2≦1/10)，或是D1/D2范围可介于1至1/10。
如图1所示，显示装置10更包括一第二基板500及一显示层600，第二基板500对应第一基板100设置，显示层600设置于阻挡结构400和第二基板500之间，显示层600可以包含液晶、有机发光材料、LED、micro LED(Micro Light Emitting Diode)、QD(Quantum Dot)、上述材料的组合、或其它适合的材料，在此并不做限制。
根据本公开的实施例，由于第一距离D1小于第二距离D2，因此阻挡结构400的第一开口410对应设置于感测元件200上且相隔一个距离，此距离可以定义为第一距离D1和第二距离D2的差值ΔD(ΔD＝D2-D1)，使得阻挡结构400可阻挡、反射大部分未准直的入射光被感测元件200所检测，进而提高感测元件200的准确性。
并且，阻挡结构400或是感测元件200的制程可以整合至既有的制程中，例如薄膜晶体管(Array)制程，将阻挡结构400设置于显示装置10的显示区域内的感测元件200上。
实施例中，阻挡结构400可为具有反射特性的材料，例如是银、铝、钼金属、其合金、上述材料的组合、或其它适合的材料。在其他实施例中，阻挡结构400可为具有遮光特性或是具光源吸收特性的材料，但本公开不限于此。在其他实施例中，阻挡结构400可为阻挡感测元件200所检测的光源而让其它光源通过的材料，但本公开不限于此。
一些实施例中，阻挡结构400可具有连续性或不连续性的结构，其它实施例中，显示装置10更可包括一绝缘结构710，绝缘结构710可具有连续性或不连续性的结构。举例而言，如图1所示，阻挡结构400具有第一开口410，对应设置于沟道区220上方，而阻挡结构400的其余部分为连续性的膜层；如图1所示，绝缘结构710具有连续性结构且全面性的设置于下方的膜层上。然而一些其他实施例中，阻挡结构400或绝缘结构710也可具有不连续性的结构(未绘示于附图中)，以图案化的多个区块形式形成于显示装置10的结构中，在此不做限制。
实施例中，如图1所示，感测元件200更包括一栅极层230和漏极/源极240，其中漏极/源极240可以是相对于有源层210两侧设置。
实施例中，如图1所示，方向DR1可定义为大致上平行第一上表面100a的方向，或是方向DR1可定义为大致上垂直于第一上表面100a的法线方向的方向，另外方向DR1可为通过漏极/源极240与沟道区220的方向。沟道区220沿方向DR1具有一宽度W1，宽度W1可为漏极/源极240之间沟道区220沿DR1方向的最大距离。在一些实施例中，沟道区220的宽度W1范围可介于1微米至6微米之间(1μm≦W1≦6μm)，换句话说，沟道区220的宽度W1例如是大于或等于1微米且小于或等于6微米(1μm≦W1≦6μm)。
在一些实施例中，沟道区220和阻挡结构400沿方向DR1可以相隔一距离。举例来说，阻挡结构400于投影于第一上表面100a上对应出一阻挡结构投影面积，而沟道区220于投影于第一上表面100a上对应出一沟道区投影面积，阻挡结构投影面积与沟道区投影面积之间在方向DR1上可定义出一距离(如图1所示的距离D3或距离D4)。另外参考图1，距离D3可以为沿方向DR1沟道区220的第一侧边缘220S1和阻挡结构400的第一边缘410S1(相邻第一开口410的阻挡结构400的边缘)之间的距离，而距离D4可以为沿方向DR1沟道区220的第二侧边缘220S2和阻挡结构400的第二边缘410S2(相邻第一开口410的阻挡结构400的另一边缘)之间的距离。于一些实施例中，距离D3可相同于距离D4，于其他实施例，距离D3可不同于距离D4。举例来说，距离D3或距离D4可为大于或等于0微米且小于或等于1微米(0微米≦D3(D4)≦1微米)，在一些其他实施例中，距离D3或距离D4可例如是大于或等于0微米且小于或等于0.8微米(0微米≦D3(D4)≦0.8微米)。在一些其他实施例中，距离D3或距离D4可例如是大于或等于0微米且小于或等于0.5微米(0微米≦D3(D4)≦0.5微米)。在一些其他实施例中，距离D3或距离D4可例如是大于或等于0微米且小于或等于0.2微米(0微米≦D3(D4)≦0.2微米)。当距离D3或距离D4等于0微米时，可代表沟道区投影面积与阻挡结构投影面积可以有部分重叠。
一些实施例中，如图1所示，绝缘结构710可以设置于感测元件200和阻挡结构400之间。一些实施例中，绝缘结构710具有一厚度710T，厚度710T例如是大于0微米且小于或等于10微米(0微米<厚度710T≦10微米)，厚度710T范围也可例如介于0微米至10微米间。实施例中，绝缘结构710的材料可以是透光材料，例如是氧化硅或氮化硅、上述材料的组合、或其它适合的材料，但本公开不限于此。
一些实施例中，阻挡结构400具有一厚度400T，厚度400T例如是大于或等于250埃且小于或等于5000埃(250埃≦400T≦5000埃)，厚度400T也可例如为介于250埃至5000埃间(250埃≦400T≦5000埃)。一些实施例中，阻挡结构400的厚度400T例如是大于或等于250埃且小于或等于3000埃(250埃≦400T≦3000埃)，厚度400T也可例如为介于250埃至3000埃间(250埃≦400T≦3000埃)，但本公开不限于此。
根据本公开的一些实施例，透过设置绝缘结构710于感测元件200与阻挡结构400间，并进一步在绝缘结构710上形成具有第一开口410的图案化的阻挡结构400，可以减少未准直的噪声光被误判的机会，提高感测元件200的准确度。
实施例中，可以经由第一距离D1和第二距离D2的差值ΔD、距离D3、距离D4、或宽度W1的相互搭配设计，提高感测元件200的准确度。
举例而言，实施例中，如图1所示，从邻近第一开口410的阻挡结构400的第一边缘410S1处入射至感测元件200的沟道区220的光线L1，此光线L1可具有一最大入射角度θ1，另从邻近第一开口410的阻挡结构400的第二边缘410S2处入射至感测元件200的沟道区220的光线L2，此光线L2可具有最大入射角度θ2，入射角度θ1定义为沟道上表面220a的法线N和入射光L1的夹角，同样的入射角度θ2定义为沟道上表面220a的法线N和入射光L2的夹角。实施例中，经由距离的差值ΔD、距离D3、距离D4，或宽度W1的搭配设计，可以改变被感测元件200检测的最大入射角度θ1或最大入射角度θ2的范围，若大于入射角度θ1或入射角度θ2的入射光可以有机会被阻挡结构400所阻挡或反射。举例可将最大入射角度θ1和最大入射角度θ2设计为均小于或等于26.5°；一些实施例中，最大可将入射角度θ1和最大入射角度θ2设计为均小于或等于21°；一些实施例中，最大可将入射角度θ1和最大入射角度θ2设计为均小于或等于17°。如此一来，经由阻挡结构400的设计可以反射、阻挡大角度的入射光(噪声光)，提高准直光射入感测元件200的相对比例，使感测元件200的检测、辨识能力提高。
实施例中，如图1所示，显示装置10更可包括透明电极层810，设置于感测元件200上，显示装置10更可包括保护层820和彩色滤光层830，透明电极层810、保护层820和彩色滤光层830皆设置于第二基板500与第一基板100间，透明电极层810设置于彩色滤光层830与显示层600间，保护层820设置于彩色滤光层830与彩色滤光层830之间。另外，显示装置10更可包括缓冲层750、绝缘层740、介电层730和钝化层720，绝缘层740、介电层730和钝化层720设置于于第一基板100上，绝缘结构710设置于钝化层720上，此图1仅以顶栅极(TOP Gate)的TFT结构举例为例，但TFT结构亦可包括其他态样，例如底栅极(BOTTOM gate)的TFT结构。且TFT结构的有源层，可包含为低温多晶硅晶体管(LTPS)、氧化铟镓锌晶体管(IGZO)或非晶硅晶体管(a-Si)，或其组合，于此并不做限制。如图1举例为低温多晶硅晶体管(LTPS)，即感测元件200的各层叠结构可为与显示开关元件300(LTPS晶体管)以同样的层别制程一起制作(例如相同的黄光蚀刻制程)，也可以分开制程制作，本公开不限制开关元件或感测元件的种类或流程方法。
实施例中，如图1所示，显示开关元件300可更包括栅极层310、沟道层320和光遮蔽层330，栅极层310位于沟道层320上方。如图1所示的显示开关元件300例如是顶栅极(topgate)型薄膜晶体管元件，光遮蔽层330可以阻挡光源射入沟道层320而造成漏电流产生。
如图1所示的显示装置10举例为例如是具有生物表征的反射式显示装置。
图1A绘示根据本公开一实施例的显示装置的操作示意图。本实施例中与前述实施例相同或相似的元件是沿用同样或相似的元件标号，且相同或相似元件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。需注意的是图1A的各个元件尺寸并非按照实际比例绘制。
如图1A所示，实施例中，由于阻挡结构400的第一开口410对应位于感测元件200的沟道区220的上方且相隔一个距离(也就是第一距离D1和第二距离D2的差值ΔD)，使得阻挡结构400可以阻挡或反射未准直的入射光进入感测元件200。如图1A所示，此图1A所举例的生物表征以手指指纹为例，当手指接触显示装置10时，未准直的入射光L’可以被阻挡结构400所阻挡或反射，而较为准直的入射光L不会被阻挡结构400所阻挡或反射，可以被感测元件200所侦射到，可以有效增加指纹的光信号被感测元件200准确接收到的几率。
实施例中，如图1A所示，手指接触处(例如第二基板500的第二上表面500a)和阻挡结构400的阻挡结构上表面400a之间相隔一距离D5，距离D5可以定义为第二上表面500a和阻挡结构上表面400a之间沿第一上表面100a的法线方向的最短距离。以距离D5以为500微米为举例，当入射光L的最大入射角度θ等于26.5°时，则对应的收光距离(即手指接触处的入射光可感测范围)例如是距离D6，则如公式tan(90°-26.5°)＝(D5+400T+ΔD)/D6，计算而得的距离D6约为250微米；假若当入射光L的最大入射角度θ等于21°时，则tan(90°-21°)＝(D5+400T+ΔD)/D6，计算而得的对应的手指接触处的入射光可感测范围的距离D6约为200微米；当入射光L的最大入射角度θ等于17°时，则tan(90°-17°)＝(D5+400T+ΔD)/D6，计算而得的对应的手指距离D6约为153微米。也就是说，以手指的两个相邻凸纹之间的距离D8大约为200～500微米而言，当距离D6为小于或等于250微米(D6≦250微米)，甚至小于或等于200微米(D6≦200微米)，甚至更小于或等于153微米(D6≦153微米)时，则可以有效阻挡噪声光(例如是未准直、较大入射角度的指纹光信号)进入感测元件的沟道区220，进而可以提高感测元件的灵敏度。
图2绘示根据本公开另一实施例的显示装置的示意图。本实施例中与前述实施例相同或相似的元件是沿用同样或相似的元件标号，且相同或相似元件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。
实施例中，如图2所示，显示装置20的阻挡结构400的阻挡结构上表面400a可以具有不规则形状。举例而言，阻挡结构400可具有多个突起结构和平坦结构，突起结构和平坦结构彼此相连构成具有不规则形状的阻挡结构上表面400a。
实施例中，如图2所示，显示装置20的绝缘结构710具有一绝缘上表面710a，绝缘上表面710a具有不规则形状。举例而言，绝缘结构710可具有多个突起结构，突起结构和平坦结构彼此相连构成具有不规则形状的绝缘上表面710a的，因此绝缘结构710在不同区域上可以具有不同的厚度，例如绝缘结构710的平坦结构具有厚度710T1，绝缘结构710的突起结构具有厚度710T2，厚度710T2大于厚度710T1。
根据本公开的实施例，阻挡结构400可例如是反射金属层，因绝缘结构710可形成具有不规则形状的绝缘上表面710a上，而由于反射金属层可以直接形于绝缘结构710的绝缘上表面710a上，使得阻挡结构400也可以形成如绝缘上表面710a具有不规则形状的阻挡结构上表面400a。
如图2所示的显示装置20例如是具有生物表征的反射式显示装置。
图3绘示根据本公开又一实施例的显示装置的示意图。本实施例中与前述实施例相同或相似的元件是沿用同样或相似的元件标号，且相同或相似元件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。
实施例中，如图3所示，显示装置30的绝缘结构710可更具有一第二开口700，第二开口700对应阻挡结构400的第一开口410设置，且第二开口700对应于感测元件200沟道区220。实施例中，第二开口700的尺寸与形状例如可以和第一开口410的尺寸与形状相同或不同，举例来说，第一开口410投影于第一上表面100a上对应出一第一开口投影面积，而第二开口700投影于第一上表面100a上对应出一第二开口投影面积，第一开口投影面积与第二开口投影面积可以为相同或不同，或者第一开口投影面积与第二开口投影面积可以完全重叠或部分重叠，在此案并不局限。
如图3的另一实施例中，第二开口700的高度D7可以小于或等于绝缘结构710的厚度710T1。更详细说，于一些实施例，高度D7小于厚度710T1，使第二开口700的底部并未暴露绝缘结构710下方的材料。但于一些其他实施例中，第二开口700的高度D7亦可以等于绝缘结构710的厚度710T1，使钝化层720可以暴露出第二开口700中。
如图3所示的显示装置30例如是具有生物表征的反射式显示装置。
图4绘示根据本公开再一实施例的显示装置的示意图。本实施例中与前述实施例相同或相似的元件是沿用同样或相似的元件标号，且相同或相似元件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。
实施例中，如图4所示，显示装置40的绝缘结构710可具有多个突起结构，此些突起结构可以具有多种不同的形状，例如可以具有矩形、三角形、圆柱形、圆弧形…等多种突起结构，或是由上述结构的组合所形成，但本公开不限于此，透过将绝缘结构710设计成具有突起结构和平坦结构，使绝缘结构710具有不规则形状的绝缘上表面710a。而后续将阻挡结构400设置于不规则形状的绝缘上表面710a上，此时阻挡结构上表面400a也可以随绝缘上表面710a的型态改变而有所不同。
实施例中，如图4所示，显示装置40的阻挡结构400的阻挡结构上表面400a具有不规则形状，例如可具有多个不同形状的隆起形状。
上述不同形状的绝缘上表面710a或阻挡结构上表面400a的实施方式可以适当任意搭配上述所说的连续或不连续的阻挡结构400或绝缘结构710的实施方式，在此并不做限制。
如图4所示的显示装置40例如是具有生物表征的反射式显示装置。
图5绘示根据本公开更一实施例的显示装置的示意图。本实施例中与前述实施例相同或相似的元件是沿用同样或相似的元件标号，且相同或相似元件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。
实施例中，如图5所示，显示装置50和前述实施例的显示装置20主要的差异在于显示开关元件300的结构。如图5所示，显示装置50的显示开关元件300包括栅极层310、沟道层320和光遮蔽层330，栅极层310设置于沟道层320下方，光遮蔽层330设置于沟道层320上方。如图5所示的显示开关元件300例如是底栅极(bottom gate)型薄膜晶体管元件，光遮蔽层330可以遮蔽通过第一上表面100a并被阻挡结构400所反射的光射入沟道层320，使沟道层320产生漏电。
图6～8绘示根据本公开一些其他实施例的有显示装置的示意图。本实施例中与前述实施例相同或相似的元件是沿用同样或相似的元件标号，且相同或相似元件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。
一些实施例中，如图6所示，显示装置60可以更包括一图样化的透明电极层770，图样化的透明电极层770位于感测元件200上，保护层820与彩色滤光层830设置于第二基板500与第一基板100间。
实施例中，如图6所示，显示装置60可以更包括一钝化层760，钝化层760设置于阻挡结构400上，且覆盖阻挡结构400，图样化的透明电极层770设置于钝化层760上。如图6所示的显示装置60举例如是反射式FFS(Fringe Field Switching)型液晶显示装置。
一些实施例中，如图7所示，显示装置70可以具有穿透区T和反射区R，感测元件200、显示开关元件300和阻挡结构400可例如均位于反射区R。于其他实施例，显示开关元件300也可以位于穿透区T，在此不做限制。如图7所示，显示装置70可以更包括一透明电极层790，透明电极层790设置于绝缘结构710上，且覆盖穿透区T和反射区R，阻挡结构400在此可以例如夹设置于透明电极层790中。显示装置70更可包括另一个保护层840，保护层840设置于保护层820与显示层600间，且保护层840仅位于反射区R内，而透明电极层810设置于显示层600上，且借于保护层840与显示层600间。保护层840设置于保护层820上且可例如仅位于反射区R内，是可以减少反射区R上的显示层600厚度，借由将穿透区T、反射区R，两区相对设计成具有不同显示层600厚度。举例来说，因为反射区R的光源比如从第二基板500方向射入，经由通过第一次显示层600后，其光源可能被阻挡结构400反射，此被阻挡结构400反射的光源再通过一次(第二次通过)显示层600后，朝第二基板500方向上射出，故于反射区R上的光源光程包含两次通过显示层600的光程总和(图未示)，而穿透区T的光程由来自背光光源(图未示)穿透，通过一次显示层600后而朝第二基板500方向上射出。故可以仅于反射区R设置保护层840来减少反射区R与穿透区T的光程差，近而可以减少因光程差造成穿透区T和反射区R亮度不均匀的问题。
如图7所示的显示装置70例如是半穿透半反射式垂直配向(VA)型液晶显示装置，于此图7实施方式，其ΔD则定义为第一距离D1和第二距离D2的差值(即为阻挡结构下表面400b与沟道上表面220a的间距)。
一些实施例中，如图8所示，显示装置80可具有穿透区T和反射区R，感测元件200、显示开关元件300和阻挡结构400均位于反射区R内。
如图8所示，显示装置80更可包括一钝化层780和一透明电极层790，透明电极层790位于绝缘结构710上且覆盖穿透区T和反射区R，阻挡结构400夹设置于透明电极层790中。钝化层780位于透明电极层790上，于此图8实施方式，其ΔD则定义为第一距离D1和第二距离D2的差值ΔD(即为阻挡结构下表面400b与沟道上表面220a的间距)。显示装置80也包括另一个保护层840，保护层840设置于保护层820与显示层600间，且保护层840仅位于反射区R内，此保护层840如上述为用以减少反射区R与穿透区T的光程差。如图8所示的显示装置80例如是半穿透半反射式FFS型(Fringe Field Switching)液晶显示装置。
以上的如图1～图8为举例几种反射式、或半穿透半穿反的显示装置的例子，而可以任意适当搭配所需的LC mode(比如FFS型、TN型、VA型、IPS型等)，且也不局限其显示层为液晶或是有机发光材料等，且本公开的层叠结构只为举例说明并非用以限定本公开。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。

Claims (9)

1.一种显示装置，其特征在于，该显示装置包括：
一第一基板，具有一第一上表面，一第一方向垂直该第一上表面；
一感测元件，设置于该第一基板上，其中该感测元件包括一有源层，该有源层具有一沟道区，该沟道区的一沟道上表面与该第一上表面之间沿该第一方向具有一第一距离；
一显示开关元件，设置于该第一基板上且邻近于该感测元件设置；
一透明电极层，设置于该感测元件上；以及
一阻挡结构，位于该感测元件和该显示开关元件上，且包括一突起结构和一平坦结构，该突起结构重叠该感测元件，该平坦结构重叠该显示开关元件，且该阻挡结构具有一阻挡结构下表面及一第一开口，该第一开口对应于该感测元件的该沟道区，该阻挡结构下表面与该第一上表面之间沿该第一方向具有一第二距离，且该第一距离小于该第二距离；
其中沿平行于该第一上表面的一方向上，该第一开口的宽度大于该沟道区的宽度。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该感测元件的该沟道区的一宽度为大于或等于1微米且小于或等于6微米。
3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，沿该第一方向观察，该沟道区与该阻挡结构之间具有一第三距离，该第三距离大于0微米及小于或等于1微米。
4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该第一距离和该第二距离的差值的绝对值为大于0微米且小于或等于10微米。
5.如权利要求1所述的显示装置，更包括：
一绝缘结构，设置于该感测元件和该阻挡结构之间，其中该绝缘结构具有一第二开口，该第二开口对应该第一开口及该沟道区。
6.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，该绝缘结构的厚度大于0微米且小于或等于10微米。
7.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，该绝缘结构具有一绝缘上表面，该绝缘上表面具有不规则形状。
8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该阻挡结构的一厚度为大于或等于250埃且小于或等于5000埃。
9.如权利要求1所述的显示装置，更包括：
一第二基板，对应该第一基板设置；以及
一显示层，设置于该阻挡结构及该第二基板之间。
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