KR20200124371A - 표시장치 - Google Patents
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- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 137
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 124
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 112
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 74
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 16
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 379
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- -1 region Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 5
- 101150104968 NDA2 gene Proteins 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150049521 NDA1 gene Proteins 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 101100290413 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) mcm2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001056 green pigment Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000001054 red pigment Substances 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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Abstract
본 발명은 표시장치를 개시한다. 본 발명은 베이스층과 기판을 절단 시 박막봉지층과 기판 또는 박막봉지층과 버퍼층이 서로 분리되는 것을 방지할 수 있다.
Description
본 발명의 실시예들은 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 표시장치에 관한 것이다.
근래에 표시장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 표시장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다. 표시장치 중 표시영역이 차지하는 면적을 확대하면서, 표시장치에 접목 또는 연계하는 다양한 기능들이 추가되고 있다.
표시영역이 차지하는 면적을 확대하면서 다양한 기능을 추가하기 위한 방안으로서, 표시 영역 이외에 불필요한 부분을 제거하거나 줄이는 형태의 표시장치가 개발되고 있다. 본 발명은 불필요한 부분을 제거할 때 파손되지 않는 표시장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 기판, 상기 기판 상의 표시층, 상기 표시층을 커버하는 박막봉지층을 포함하는 표시패널과, 상기 표시패널의 상기 기판과 마주보도록 배치되는 베이스층 및 상기 베이스층 상의 감지전극들을 포함하는 입력감지부재와, 상기 박막봉지층과 상기 베이스층 사이에 개재되는 수지층을 포함하고, 상기 박막봉지층의 단부는 상기 수지층으로부터 상기 기판의 끝단으로 돌출되는 표시장치를 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 박막봉지층은 적어도 하나의 무기봉지층 및 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 무기봉지층의 단부는 상기 수지층으로부터 상기 기판의 끝단 측으로 돌출될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 박막봉지층의 단부는 상기 기판과 직접 접촉할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 표시층은 상기 기판과 상기 박막봉지층 사이에 배치되는 버퍼층을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 버퍼층은 산화규소 및 질화규소 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 박막봉지층의 단부는 상기 산화규소 및 상기 질화규소 중 적어도 하나와 직접 접촉할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 박막봉지층의 단부는 상기 기판의 끝단보다 상기 수지층에 더 가깝게 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 기판과 상기 베이스층은 유리를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 수지층의 측면은 만곡질 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 기판, 상기 기판 상의 표시층, 상기 표시층을 커버하는 박막봉지층을 포함하는 표시패널과, 상기 표시패널의 상기 기판과 마주보도록 배치되는 베이스층 및 상기 베이스층 상의 감지전극들을 포함하는 입력감지부재와, 상기 박막봉지층과 상기 베이스층 사이에 개재되는 수지층을 포함하고, 상기 수지층은 상기 베이스층을 마주보는 상기 박막봉지층의 면 중 일부를 외부로 노출시키도록 상기 박막봉지층과 상기 베이스층 사이에 개제된 배치된 표시장치를 개시한다.
본 실시예에 있어서, 평면 상에서 상기 수지층의 면적은 상기 박막봉지층의 면적보다 작을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 평면 상에서 상기 수지층은 상기 박막봉지층의 테두리 내부에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 박막봉지층의 단부는 상기 기판에 직접 접촉할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 표시층은 상기 기판과 상기 박막봉지층 사이에 배치되는 버퍼층을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 버퍼층은 산화규소 및 질화규소 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 박막봉지층의 단부는 상기 산화규소 및 상기 질화규소 중 적어도 하나와 직접 접촉할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 기판과 상기 베이스층은 유리를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 기판과 상기 베이스층 사이에 배치되는 상기 수지층의 측면 중 일부는 상기 표시층으로부터 멀어지도록 돌출될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 평면 상에서 상기 베이스층의 면적은 상기 박막봉지층의 면적보다 클 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 박막 봉지층은 적어도 하나 이상의 무기봉지층 및 적어도 하나 이상의 유기봉지층을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예는, 개구 영역을 감싸는 표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상의 표시층, 상기 표시층을 커버하는 박막봉지층을 포함하는 표시패널과, 상기 표시패널의 상기 기판과 마주보도록 배치되는 베이스층 및 상기 베이스층 상의 감지전극들을 포함하는 입력감지부재와, 상기 박막봉지층과 상기 베이스층 사이에 개재되는 수지층을 포함하고, 상기 박막봉지층의 단부는 상기 수지층으로부터 상기 기판의 끝단으로 돌출되는 표시장치를 개시한다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예들에 관한 표시장치는 베이스층의 절단 시 박막봉지층이 기판으로부터 분리되는 것을 방지함으로써 유기 발광 소자의 수명이 줄어드는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 관한 표시장치는 박막봉지층과 기판이 분리됨으로써 발생하는 불량율을 저감시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널 중 어느 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널 중 어느 하나의 화소의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지부재를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지부재의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지부재의 제1전극층을 나타낸 평면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지부재의 제2전극층을 나타낸 평면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 12는 도 11의 E부분을 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 것으로 표시장치의 제조 공정에 따른 단면도이다.
도 14는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 제조 공정에 따른 단면도이다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 17은 도 16의 G부분을 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널 중 어느 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널 중 어느 하나의 화소의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지부재를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지부재의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지부재의 제1전극층을 나타낸 평면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지부재의 제2전극층을 나타낸 평면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 12는 도 11의 E부분을 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 것으로 표시장치의 제조 공정에 따른 단면도이다.
도 14는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 제조 공정에 따른 단면도이다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 17은 도 16의 G부분을 확대하여 나타낸 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시장치(1)는 표시영역(DA)과 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시장치(1)는 표시영역(DA)에 배치된 화소들에서 방출되는 빛을 이용하여 소정의 이미지를 제공할 수 있다. 비표시영역(NDA)은 화소들이 배치되지 않은 영역으로서, 표시영역(DA)을 둘러쌀 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(1)로서, 유기 발광 표시장치를 예로 하여 설명하지만, 본 발명의 표시장치는 이에 제한되지 않는다. 다른 실시예로서, 무기 EL 표시장치(Inorganic Light Emitting Display), 퀀텀닷 발광 표시장치 (Quantum dot Light Emitting Display)와 같은 다양한 종류의 표시장치가 사용될 수 있다. 일부 실시예에서, 표시장치(1)의 각 화소는 발광층을 포함할 수 있으며, 발광층은 유기물을 포함하거나, 무기물을 포함하거나, 양자점을 포함하거나, 유기물과 양자점을 포함하거나, 무기물과 양자점을 포함할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도로서, 도 의 II- II'선에 따른 단면도에 해당할 수 있다.
도 2를 참조하면, 표시장치(1)는 표시패널(10) 및 입력감지부재(40)를 포함할 수 있다. 표시패널(10)은 표시영역(DA)에 배치된 화소들을 이용하여 이미지를 디스플레이할 수 있다.
입력감지부재(40)는 외부의 입력, 예컨대 터치 이벤트에 따른 좌표정보를 획득한다. 입력감지부재(40)는 감지전극(sensing electrode 또는 touch electrode) 및 감지전극과 연결된 트레이스 라인(trace line, 또는 신호배선)들을 포함할 수 있다. 입력감지부재(40)는 표시패널(10) 위에 배치될 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하면, 표시장치(1')는 입력감지부재(40) 상에 배치된 광학적 기능부재(50)를 더 포함할 수 있다. 광학적 기능부재(50)는 외부로부터 표시패널(10)을 향해 입사하는 빛(외부광)의 반사율을 감소시킬 수 있고, 및/또는 표시패널(10)에서 방출되는 빛의 색 순도를 향상시킬 수 있다.
일 실시예로, 광학적 기능부재(50)는 위상지연자(retarder) 및 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다. 위상지연자는 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있고, λ/2 위상지연자 및/또는 λ/4 위상지연자를 포함할 수 있다. 편광자 역시 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있다. 필름타입은 연신형 합성수지 필름을 포함하고, 액정 코팅타입은 소정의 배열로 배열된 액정들을 포함할 수 있다. 위상지연자 및 편광자는 보호필름을 더 포함할 수 있다. 위상지연자 및 편광자 자체 또는 보호필름이 광학적 기능부재(50)의 베이스층으로 정의될 수 있다.
다른 실시예로, 광학적 기능부재(50)는 블랙매트릭스와 컬러필터들을 포함할 수 있다. 컬러필터들은 표시패널(10)의 화소들 각각에서 방출되는 빛의 색상을 고려하여 배열될 수 있다. 컬러필터들 각각은 적색, 녹색, 또는 청색의 안료나 염료를 포함할 수 있다. 또는, 컬러필터들 각각은 전술한 안료나 염료 외에 양자점을 더 포함할 수 있다. 또는, 컬러필터들 중 일부는 전술한 안료나 염료를 포함하지 않을 수 있으며, 산화티타늄과 같은 산란입자들을 포함할 수 있다.
다른 실시예로, 광학적 기능부재(50)는 상쇄간섭 구조물을 포함할 수 있다. 상쇄간섭 구조물은 서로 다른 층 상에 배치된 제1반사층과 제2반사층을 포함할 있다. 제1반사층 및 제2반사층에서 각각 반사된 제1반사광과 제2반사광은 상쇄 간섭될 수 있고, 그에 따라 외부광 반사율이 감소될 수 있다.
광학적 기능부재(50)를 형성하는 공정은 입력감지부재(40)를 형성하는 공정과 별도로 진행될 수 있으며, 이 경우 도 3에 도시된 바와 같이 광학적 기능부재(50)와 입력감지부재(40) 사이에는 광학 투명 접착부재(OCA)와 같은 접착 필름이 개재될 수 있다. 다른 실시예로, 광학적 기능부재(50)를 형성하는 공정은 입력감지부재(40)를 형성하는 공정 이후에 연속적으로 이루어질 수 있으며, 이 경우 광학적 기능부재(50)와 입력감지부재(40) 사이에 접착필름이 개재되지 않을 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4를 참조하면, 표시패널(10)은 표시영역(DA) 및 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 이때, 표시영역(DA)에는 복수개의 화소(P)가 배치될 수 있다. 또한, 각 화소(P)가 작동함으로써 표시영역(DA)에는 이미지를 구현할 수 있다. 비표시영역(NDA)에는 화소(P)에 연결되는 각 배선, 패드 등이 배치될 수 있다.
비표시영역(NDA)과 표시영역(DA) 사이에는 후술할 수지층(미도시)이 배치되는 제1영역(AR1)과 박막봉지층(미도시)이 배치되는 제2영역(AR2)이 배치될 수 있다. 이때, 제1영역(AR1)은 표시영역(DA)과 동일하거나 표시영역(DA)보다 클 수 있다. 예를 들면, 평면 상에서 볼 때 표시영역(DA)은 제1영역(AR1)의 내부에 배치될 수 있다. 이러한 경우 평면상의 제1영역(AR1)의 면적은 표시영역(DA)의 면적 이상일 수 있다. 또한, 제2영역(AR2)은 제1영역(AR1)보다 크게 형성될 수 있으며, 제1영역(AR1)은 제2영역(AR2) 내부에 배치될 수 있다. 이때, 평면상의 제2영역(AR2)의 면적은 제1영역(AR1)의 면적보다 클 수 있다.
상기와 같은 경우 기판(미도시)의 테두리, 제1영역(AR1) 및 제2영역(AR2)은 표시영역(DA)을 완전히 감쌀 수 있으며, 제2영역(AR2)은 제1영역(AR1)을 완전히 감쌀 수 있다. 또한, 제1영역(AR1)은 표시영역(DA)을 완전히 감쌀 수 있다.
또한, 상기와 같은 제1영역(AR1) 및 제2영역(AR2)는 후술할 베이스층(미도시)보다 작게 형성될 수 있다. 이때, 상기 베이스층의 평면 상의 면적은 상기 기판의 평면상의 면적과 동일하거나 거의 유사할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널 중 어느 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 5를 참고하면, 각 화소(P)는 화소회로(PC), 및 화소회로(PC)에 연결된 표시요소, 예컨대 유기발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다. 화소회로(PC)는 제1박막트랜지스터(T1), 제2박막트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 각 화소(P)는 유기발광다이오드(OLED)를 통해 예컨대, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다.
제2박막트랜지스터(T2)는 스위칭 박막트랜지스터로서, 스캔라인(SL) 및 데이터라인(DL)에 연결되며, 스캔라인(SL)으로부터 입력되는 스위칭 전압에 기초하여 데이터라인(DL)으로부터 입력된 데이터 전압을 제1박막트랜지스터(T1)로 전달할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2박막트랜지스터(T2)와 구동전압선(PL)에 연결되며, 제2박막트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 제1전원전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장할 수 있다.
제1박막트랜지스터(T1)는 구동 박막트랜지스터로서, 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 대향전극(예, 캐소드)은 제2전원전압(ELVSS)을 공급받을 수 있다.
도 5는 화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터와 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 것을 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 박막트랜지스터의 개수 및 스토리지 커패시터의 개수는 화소회로(PC)의 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 예컨대, 화소회로(PC)는 전술한 2개의 박막트랜지스터 외에 4개 또는 5개 또는 그 이상의 박막트랜지스터들을 더 포함할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널 중 어느 하나의 화소의 단면도로서, 도 4의 VI- VI'선에 따른 단면에 해당한다.
도 6을 참조하면, 기판(100) 상에 화소회로(PC) 및 화소회로(PC)와 연결된 표시요소로서 유기발광다이오드(OLED)가 배치된다.
기판(100)은 글래스재 또는 수지재를 포함할 수 있다. 예컨대, 기판(100)은 SiO2를 주성분으로 하는 글래스 기판일 수 있다.
기판(100) 상에는 불순물이 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층(Act)으로 침투하는 것을 방지하기 위해 형성된 버퍼층(201)이 형성될 수 있다. 버퍼층(201)은 실리콘나이트라이드(SiNx) 또는 실리콘옥사이드(SiOx)와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기 절연물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
버퍼층(201) 상에는 화소회로(PC)가 배치될 수 있다. 화소회로(PC)는 박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다. 박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(Act), 게이트전극(GE), 소스전극(SE), 드레인전극(DE)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서는 게이트전극(GE)이 게이트절연층(203)을 가운데 두고 반도체층(Act) 상에 배치된 탑 게이트 타입을 도시하였으나, 또 다른 실시예에 따르면 박막트랜지스터(TFT)는 바텀 게이트 타입일 수 있다.
반도체층(Act)은 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 또는, 반도체층(Act)은 비정질(amorphous) 실리콘을 포함하거나, 산화물 반도체를 포함하거나, 유기 반도체 등을 포함할 수 있다. 게이트전극(GE)은 저저항 금속 물질을 포함할 수 있다. 게이트전극(GE)은 몰리브데넘(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
반도체층(Act)과 게이트전극(GE) 사이의 게이트절연층(203)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 게이트절연층(203)은 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 전도성이 좋은 재료를 포함할 수 있다. 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 몰리브데넘(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 Ti/Al/Ti의 다층으로 형성될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1층간절연층(205)을 사이에 두고 중첩하는 하부 전극(CE1)과 상부 전극(CE2)을 포함한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩될 수 있다. 이와 관련하여, 도 6은 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(GE)이 스토리지 커패시터(Cst)의 하부 전극(CE1)인 것을 도시하고 있다. 다른 실시예로서, 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩하지 않을 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2층간절연층(207)으로 커버될 수 있다.
제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207)은 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함하는 화소회로(PC)는 평탄화 절연층(209)으로 커버될 수 있다. 평탄화 절연층(209)은 상면이 대략 편평한 면을 포함할 수 있다. 평탄화 절연층(209)은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등과 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 평탄화 절연층(209)은 폴리이미드를 포함할 수 있다. 또는, 평탄화 절연층(209)은 무기 절연물을 포함하거나, 무기 및 유기절연물을 포함할 수 있다.
화소전극(221)은 평탄화 절연층(209) 상에 형성될 수 있다. 화소전극(221)은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 화소전극(221)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로, 화소전극(221)은 전술한 반사막의 위/아래에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 더 포함할 수 있다.
화소전극(221) 상에는 화소정의막(211)이 형성될 수 있다. 화소정의막(211)은 화소전극(221)의 상면을 노출하는 개구를 포함하되, 화소전극(221)의 가장자리를 커버할 수 있다. 화소정의막(211)은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 또는, 화소정의막(211)은 실리콘나이트라이드나 실리콘옥시나이트라이드, 또는 실리콘옥사이드와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 또는, 화소정의막(211)은 유기절연물 및 무기절연물을 포함할 수 있다.
중간층(222)은 발광층(222b)을 포함한다. 중간층(222)은 발광층(222b)의 아래에 배치된 제1기능층(222a) 및/또는 발광층(222b)의 위에 배치된 제2기능층(222c)을 포함할 수 있다. 발광층(222b)은 소정의 색상의 빛을 방출하는 고분자 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다.
제1기능층(222a)은 단층 또는 다층일 수 있다. 예컨대 제1기능층(222a)이 고분자 물질로 형성되는 경우, 제1기능층(222a)은 단층구조인 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)으로서, 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT: poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나 폴리아닐린(PANI: polyaniline)으로 형성할 수 있다. 제1기능층(222a)이 저분자 물질로 형성되는 경우, 제1기능층(222a)은 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)과 홀 수송층(HTL)을 포함할 수 있다.
제2기능층(222c)은 선택적(optional)으로 구비될 수 있다. 예컨대, 제1기능층(222a)과 발광층(222b)을 고분자 물질로 형성하는 경우, 제2기능층(222c)을 형성하는 것이 바람직하다. 제2기능층(222c)은 단층 또는 다층일 수 있다. 제2기능층(222c)은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다.
중간층(222) 중 발광층(222b)은 표시영역(DA)에서 각 화소마다 배치될 수 있다. 중간층(222) 중 제1기능층(222a) 및 제2기능층(222c) 각각은 복수의 화소들을 커버하도록 일체(single body)로 형성될 수 있다.
대향전극(223)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 대향전극(223)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(223)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다. 대향전극(223)은 일체(single body)로서, 표시영역(DA)뿐만 아니라 비표시영역(NDA) 상에도 형성될 수 있다. 중간층(222) 및 대향전극(223)은 열 증착법에 의해 형성될 수 있다.
화소정의막(211) 상에는 스페이서(213)가 형성될 수 있다. 스페이서(213)는 폴리이미드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 또는, 스페이서(213)는 실리콘나이트라이드나 실리콘옥사이드와 같은 무기 절연물을 포함하거나, 유기절연물 및 무기절연물을 포함할 수 있다.
스페이서(213)는 화소정의막(211)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 또는, 스페이서(213)는 화소정의막(211)과 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 이 경우 화소정의막(211)과 스페이서(213)는 하프톤 마스크 등을 이용한 마스크 공정에서 함께 형성될 수 있다. 일 실시예로서, 화소정의막(211) 및 스페이서(213)는 폴리이미드를 포함할 수 있다.
캐핑층(230)은 대향전극(223) 상에 배치될 수 있다. 캐핑층(230)은 LiF를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 캐핑층(230)은 생략될 수 있다.
박막봉지층(300)은 봉지 부재로서, 유기발광다이오드(OLED)를 커버할 수 있다. 박막봉지층(300)은 적어도 하나의 무기봉지층과 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 도 6에 도시된 바와 같이, 박막봉지층(300)은 순차적으로 적층된 제1무기봉지층(310), 유기봉지층(320) 및 제2무기봉지층(330)을 포함할 수 있다.
제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 각각 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 무기 절연물은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 징크옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 또는/및 실리콘옥시나이트라이드를 포함할 수 있다. 유기봉지층(320)은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 아크릴계 수지는 예컨대 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴산 등을 포함할 수 있다.
이때, 상기와 같은 제1 및 제2무기봉지층(310, 330) 중 적어도 하나의 끝단의 하면은 기판(100)에 직접 접촉하거나 버퍼층(201)에 직접 접촉할 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2무기봉지층(310, 330) 중 적어도 하나는 후술할 표시층(미도시) 상에 배치되는 부분을 제외한 다른 부분은 기판(100) 또는 버퍼층(201)에 직접 접촉할 수 있다. 특히 제1 및 제2무기봉지층(310, 330) 중 적어도 하나는 비표시영역(NDA) 상에 기판(100) 또는 버퍼층(201)과 직접 접촉할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지부재를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 7을 참조하면, 입력감지부재(40)는 제1감지전극(SP1)들, 제1감지전극(SP1)들에 연결된 제1트레이스라인(415-1, 415-2, 415-3, 415-4, 415-5)들, 제2감지전극(420)들, 및 제2감지전극(420)들에 연결된 제2트레이스라인(425-1, 425-2, 425-3, 425-4)들을 포함할 수 있다.
제1감지전극(SP1)들 및 제2감지전극(SP2)들은 표시영역(DA)에 배치되고, 제1트레이스라인(415-1, 415-2, 415-3, 415-4, 415-5)들 및 제2트레이스라인(425-1, 425-2, 425-3, 425-4)들은 비표시영역(NDA)에 배치될 수 있다.
제1감지전극(SP1)들은 x방향을 따라 배열될 수 있다. 이웃한 제1감지전극(SP1)들은 제1연결전극(CP1)에 의해 서로 연결될 수 있으며, 제1연결전극(CP1)에 의해 연결된 제1감지전극(SP1)들은 행(row)을 이룰 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이 제1감지전극(SP1)들들은 복수의 행을 이룰 수 있으며, 각각의 행은 해당하는 제1트레이스라인(415-1, 415-2, 415-3, 415-4, 415-5)에 연결될 수 있다.
제2감지전극(SP2)들은 x방향과 교차하는 y방향을 따라 배열될 수 있다. 이웃한 제2감지전극(SP2)들은 제2연결전극(CP2)에 의해 서로 연결될 수 있으며, 제2연결전극(CP2)에 의해 연결된 제2감지전극(SP2)들은 열(column)을 이룰 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이 제2감지전극(SP2)들들은 복수의 열을 이룰 수 있으며, 각각의 열은 해당하는 제2트레이스라인(425-1, 425-2, 425-3, 425-4)에 연결될 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지부재의 단면도로서, 도 7의 VIII- VIII'선에 따른 단면도에 해당하며, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지부재의 제1전극층을 나타낸 평면도이고, 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지부재의 제2전극층을 나타낸 평면도이다.
도 8 내지 도 10을 참조하면, 베이스층(400) 상에 제1도전층(ML1) 및 제2도전층(ML2)이 배치된다. 베이스층(400)은 글래스재 또는 수지재를 포함할 수 있다. 예컨대, 베이스층(400)은 SiO2를 주성분으로 하는 글래스 기판일 수 있다.
제1도전층(ML1)은 베이스층(400) 상에 위치할 수 있으며, 베이스층(400)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 제1도전층(ML1)은 도 9a에 도시된 바와 같이 제1연결전극(CP1)들을 포함할 수 있다.
제2도전층(ML2)은 제1절연층(403)을 사이에 두고 제1도전층(ML1) 상에 위치할 수 있다. 제2도전층(ML2)은 제2절연층(405)로 커버될 수 있다. 제1절연층(403) 및 제2절연층(405)은 무기물 또는 유기물 또는 복합재료를 포함할 수 있다.
제2도전층(ML2)은 도 9에 도시된 바와 같이 제1감지전극(SP1)들, 제2감지전극(SP2)들, 및 제2연결전극(CP2)들을 포함할 수 있다. 제1감지전극(SP1)들 및 제2감지전극(SP2)들은 상호 이격되도록 배치될 수 있고, 이웃한 제2감지전극(SP2)들은 이들과 일체로 형성된 제2연결전극(CP2)에 연결될 수 있다. 이웃한 제1감지전극(SP1)들은 제1절연층(403)에 형성된 콘택홀(CNT)을 통해 제1연결전극(CP1)에 각각 접속됨으로써 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
도 9 및 도 10은 제1감지전극(SP1)들 및 제2감지전극(SP2)들이 동일한 전극층, 예컨대 제2도전층(ML2)에 구비된 것을 도시하나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로, 제1감지전극(SP1)들은 제1도전층(ML1)에 포함되고, 제2감지전극(SP2)들은 제2도전층(ML2)에 포함될 수 있다. 또는, 제1도전층(ML1) 및/또는 제2도전층(ML2)은 전술한 제1감지전극(SP1)들이나 제2감지전극(SP2)들과 대응하도록 배치되며 제1절연층(403)의 콘택홀을 통해 전기적으로 연결된 보조 감지전극을 더 포함할 수 있다. 또는 제1도전층(ML1) 및/또는 제2도전층(ML2)은 제1감지전극(SP1)들이나 제2감지전극(SP2)들과 전기적으로 절연된 더미 감지전극을 더 포함할 수 있다.
제1도전층(ML1) 및 제2도전층(ML2)은 금속층 또는/및 투명 도전층을 포함할 수 있으며 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층 구조일 수 있다. 금속층은 몰리브데넘, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 및 이들의 합금을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등과 같은 투명한 전도성 산화물을 포함할 수 있다. 그밖에 투명 도전층은 PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그라핀 등을 포함할 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도를 나타내고, 도 12는 도 11의 E부분을 확대하여 나타낸 단면도이다. 도 11의 단면은 도 4 및 도 7 각각에 도시된 C-C'선에 따른 단면에 해당한다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 표시장치(1)는 표시패널(10) 및 입력감지부재(40)를 포함하며, 표시패널(10)의 기판(100) 상에는 복수의 화소들을 포함하는 표시층(200) 및 표시층(200)을 커버하는 박막봉지층(300)이 배치된다. 기판(100)은 표시층(200)이 배치된 제1내측면(first inner surface, 101), 및 제1내측면(101)의 반대편인 제1외측면(first outer surface, 102)을 포함할 수 있다.
입력감지부재(40)는 표시패널(10) 상에 배치된다. 입력감지부재(40)의 베이스층(400)은 표시패널(10)의 기판(100)과 마주보며 중첩할 수 있다. 베이스층(400)은 제1내측면(101)과 마주보는 제2내측면(401), 및 제2내측면(401)의 반대편인 제2외측면(402)을 포함한다. 베이스층(400)의 제2외측면(402) 상에는 감지전극들을 포함하는 센서층(410)이 배치되되, 센서층(410)은 앞서 도 9 및 도 10을 참조하여 설명한 제1도전층(ML1) 및 제2도전층(ML2)을 포함할 수 있다. 센서층(410)은 앞서 도 8을 참조하여 설명한 제1도전층(ML1) 및 제2도전층(ML2)의 위와 아래에 배치된 제1절연층(403) 및 제2절연층(405)도 포함할 수 있다.
표시패널(10)과 입력감지부재(40) 사이에는 수지층(350), 예컨대 투명 광학 수지(optically clean resin, OCR)층이 개재될 수 있다. 수지층(350)은 두께가 일정한 필름 타입의 점착제와 구별된다. 수지층(350)은 광경화성 수지, 예컨대 UV 경화형 수지를 포함할 수 있다. 수지층(350)은 아크릴계 수지, 예컨대 아크릴에스테르계 물질을 포함할 수 있다.
수지층(350)은 영역별로 두께가 서로 다를 수 있으며, 예컨대 표시영역(DA)에 대응하는 수지층(350)의 일 부분의 두께는 비표시영역(NDA)에 대응하는 수지층(350)의 다른 부분의 두께 보다 작을 수 있다. 이와 관련하여, 도 11은 표시영역(DA)에 해당하는 수지층(350)의 제1부분의 제1두께(t)는 비표시영역(NDA), 예컨대 비표시영역(NDA)에 해당하는 수지층(350)의 제2부분의 제2두께(T) 보다 작은 것을 도시한다.
수지층(350)의 단부는 박막봉지층(300)의 단부보다 더 내측에 배치될 수 있다. 예컨대, 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 수지층(350)은 박막봉지층(300)의 끝단(300E)보다 내측에 배치될 수 있다. 예컨대 박막봉지층(300)의 끝단(300E)은 수지층(350)의 끝단(350E)보다 표시영역(DA)으로부터 멀어지는 방향으로 수지층(350)의 끝단(350E)보다 더 돌출될 수 있다. 이때, 수지층(350)의 적어도 일부분은 기판(100)의 끝단 측으로 돌출될 수 있다. 예를 들면, 높이 방향(또는 두께 방향)에서 수지층(350)의 중앙부분은 수지층(350)의 다른 부분에 비하여 기판(100)의 끝단 측으로 더 도출될 수 있다. 이러한 경우 수지층(350)의 측면은 라운드지게 형성될 수 있다.
박막봉지층(300)은 상기에서 설명한 바와 같이 적어도 하나 이상의 무기봉지층과 적어도 하나 이상의 유기봉지층을 포함할 수 있다. 이때, 박막봉지층(300)의 무기봉지층 중 적어도 하나는 기판(100)과 직접 접촉하여 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 특히 박막봉지층(300)의 끝단 부분에서는 기판(100)과 박막봉지층(300)의 무기봉지층 사이에 별도의 다른 층이 배치되지 않은 상태일 수 있다. 이러한 경우 상기 도 6에서 설명한 박막봉지층(300)의 제1무기봉지층(미도시)이 기판(100) 상에 적층되고, 제2무기봉지층(미도시)이 상기 제1무기봉지층 상에 적층된 상태일 수 있다. 다른 실시예로써 상기 제1무기봉지층 중 일부가 기판(100) 상에 적층되고, 상기 제2무기봉지층은 상기 제1무기봉지층의 상면에 배치되고, 상기 제2무기봉지층의 일부는 상기 제1무기봉지층의 끝단을 감싸면서 기판(100) 상에 적층되는 것도 가능하다.
상기와 같이 기판(100)과 무기봉지층이 직접 접촉되는 경우 기판(100)과 무기봉지층의 결합은 견고해질 수 있다. 특히 후술하는 것과 같이 베이스층(400)의 끝단 부분을 절단하는 경우 및 기판(100)의 끝단 부분을 절단하는 경우 등과 같이 베이스층(400) 및 기판(100) 중 적어도 하나에 충격이 가해질 때 박막봉지층(300)과 기판(100)이 분리되는 경우가 발생할 수 있다. 특히 박막봉지층(300) 하부에 금속 배선 등이 배치되는 경우 금속 배선과 박막봉지층(300) 사이의 결합력이 약하므로 상기와 같은 충격에 의하여 서로 분리되는 경우가 발생할 수 있다. 그러나 상기와 같이 박막봉지층(300)의 무기봉지층과 기판(100)이 박막봉지층(300)의 끝단 부분에서 서로 접촉하는 경우 외부의 충격 등에 의하여 박막봉지층(300)과 기판(100)이 서로 분리되는 것을 방지할 수 있다.
상기와 같은 경우 수지층(350)의 측면 끝단과 박막봉지층(300)의 끝단은 각각 베이스층(400)의 끝단 및 기판(100)의 끝단보다 표시영역(DA)에 더 가깝게 배치될 수 있다.
입력감지부재(40)는 표시패널(10)을 형성하는 공정 및 표시패널(10) 상에 수지층(350)을 형성하는 공정 이후에 형성될 수 있다. 예컨대, 입력감지부재(40)는 수지층(350) 상에 베이스층(400)을 배치하고 베이스층(400) 상에 센서층(410)을 형성함으로써 제조할 수 있다. 입력감지부재(40)를 형성하는 공정 중, 예컨대 센서층(410)을 형성하는 공정 이전에 수지층(350)을 경화하는 공정이 포함될 수 있다.
모기판에서 표시패널(10) 및 입력감지부재(40)를 포함하는 유닛을 복수 개 형성한 후, 각각의 유닛을 절단하여 표시장치를 제조할 수 있다. 이 때 절단된 면, 예컨대 기판(100)의 측면들 중 일부 및 베이스층(400)의 측면들 중 일부는 각각 직선 부분과 곡선 부분을 포함할 수 있다.
기판(100)은 다양한 형태로 형성될 수 있다. 예를 들면, 기판(100)의 끝단은 제1외측면(102)으로부터 제1내측면(101)을 향하는 방향(Z방향)으로 직선 형태로 형성될 수 있다. 다른 실시예로써 도 12에 도시된 바와 같이, 기판(100)은 제1외측면(102)으로부터 제1내측면(101)을 향하는 방향(Z방향)을 따라 폭이 일정한 제1일정부분(CR1) 및 폭이 증가하는 제1증가부분(IR1)을 포함할 수 있다. 여기서, 폭은 X방향으로의 길이를 나타낸다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 기판(100)의 폭이 기판(100)의 두께방향(Z방향)을 따라 서로 상이한 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
제1내측면(101)과 제1외측면(102)을 연결하는 제1측면(first side surface, 103a)은 복수의 서브측면들을 포함하는데, 제1내측면(101)에 인접한 제1증가측면(100a) 및 제1외측면(102)에 인접한 제1일정측면(100b)을 포함할 수 있다. 제1증가측면(100a)은 기판(100)의 제1증가부분(IR1)의 측면으로서 곡면을 포함하고, 제1일정측면(100b)은 기판(100)의 제1일정부분(CR1)의 측면으로서 제1외측면(102)과 실질적으로 수직인 면을 포함할 수 있다.
마찬가지로, 베이스층(400)의 끝단은 다양한 형태로 형성될 수 있다. 일 실시예로써 베이스층(400)의 끝단은 두께 방향(-Z방향)으로 직선 형태일 수 있다. 다른 실시예로써 베이스층(400)의 끝단은 상기에서 설명한 기판(100)의 끝단과 유사하게 형성될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 베이스층(400)의 끝단은 기판(100)의 끝단과 유사하게 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
베이스층(400)은 제2외측면(402)로부터 제2내측면(401)을 향하는 방향(-z방향)을 따라 폭이 일정한 제2일정부분(CR2) 및 폭이 증가하는 제2증가부분(IR2)을 포함할 수 있다. 제2내측면(401)과 제2외측면(402)을 연결하는 제2측면(403a)은 복수의 서브측면들을 포함하는데, 제2내측면(401)에 인접한 제2증가측면(400a) 및 제2외측면(402)에 인접한 제2일정측면(400b)을 포함할 수 있다. 제2증가측면(400a)은 베이스층(400)의 제2증가부분(IR2)의 측면으로서 곡면을 포함하고, 제2일정측면(400b)은 베이스층(400)의 제2일정부분(CR2)의 측면으로서 제2외측면(402)과 실질적으로 수직인 면을 포함할 수 있다.
기판(100)의 (+Z 방향으로의) 두께에 있어서, 제1일정부분(CR1)이 차지하는 부분보다 제1증가부분(IR1)이 차지하는 부분이 상대적으로 많게 할 수 있다. 예컨대, 기판(100)의 (+Z 방향으로의) 두께에 있어서 제1일정부분(CR1)이 차지하는 부분은 제1증가부분(IR1)이 차지하는 부분의 1/2 이하가 되도록 할 수 있다. 마찬가지로, 베이스층(400)의(-Z 방향으로의) 두께에 있어서, 제2일정부분(CR2)이 차지하는 부분보다 제2증가부분(IR2)이 차지하는 부분이 상대적으로 많게 할 수 있다. 예컨대, 베이스층(400) (-Z 방향으로의) 두께에 있어서 제2일정부분(CR2)이 차지하는 부분은 제2증가부분(IR2)이 차지하는 부분의 1/2 이하가 되도록 할 수 있다.
표시장치(1)는 도 11에 도시된 바와 같이 비표시영역(NDA)에 해당하는 부분의 측면이 전체적으로 볼록한 형상을 가질 수 있다. 표시장치(1)의 측면이 볼록한 형상을 갖는 경우, 측면이 기판(100)의 제1외측면(102)이나 베이스층(400)의 제2외측면(402)에 수직인 평평한 형상을 갖는 경우에 비해, 외부로부터의 충격에 의해 손상될 확률을 크게 감소시킬 수 있다. 이는 측면이 대략 볼록한 형상을 포함하므로, 마치 아치 구조물과 같은 효과가 발휘되어 내충격성, 특히 측면 충격에 대한 강도가 향상되는 것이기 때문인 것으로 이해될 수 있다. 따라서 내충격성이 우수한 표시장치를 구현할 수 있다.
도 11 및 도 12를 참조하여 설명한 표시장치(1)의 측면의 형상은 앞서 도 4를 참조하여 설명한 표시패널(10)의 테두리(예를 들면, 표시패널(10)의 장변 및 단변)에 해당하는 부분의 측면으로 이해할 수 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 것으로 표시장치의 제조 공정에 따른 단면도이다.
도 13을 참조하면, 표시장치(미표기)의 제조 시 다양한 방법을 사용할 수 있다. 일 실시예로써 기판(100) 상에 순차적으로 표시층(200) 및 박막봉지층(300)을 형성한 후 수지층(350)을 이루는 물질을 박막봉지층(300)에 도포할 수 있다. 이후 베이스층(400)을 수지층(350) 상에 형성하거나 배치한 후 수지층(350)을 경화(예, UV경화)할 수 있으며, 베이스층(400) 상에 센서층(410)을 형성할 수 있다.
다음으로 도구(MT)를 이용하여 베이스층(400)과 기판(100)을 동시에 절단할 수 있다. 이때, 도구(MT)를 이용한 절단은 수지층(350)을 지나지 않는 라인을 따라 이루어질 수 있다. 예컨대, 도 13에 도시된 바와 같이, 라인(LI)은 수지층(350)의 측면으로부터 외측을 향해 제1거리(d) 만큼 이격될 수 있다. 또한, 이러한 도구(MT)는 레이저, 커팅휠 등을 포함할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 도구(MT)가 커팅휠인 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
도구(MT)를 이용하여 라인(LI) 상에 위치하는 기판(100) 및 베이스층(400)에 소정의 라인을 형성한 후, 전술한 소정의 라인 외측의 부분을 타격하여 분리할 수 있다. 이때, 제1거리(d)가 확보되지 않는 경우, 표시장치의 제조 시 가해지는 힘에 의해 크랙이 발생되거나 표시층(200)이 들뜨는 것과 같은 문제가 야기될 수 있으며, 연마 공정에서 발생되는 이물질(예 슬러지)이 기판(100)과 베이스층(400) 사이에 끼는 등의 문제가 야기될 수 있다. 이 후, 도면에 도시되어 있지는 않지만 별도의 도구를 이용하여 1차적으로 절단된 표시장치의 측면, 예컨대 기판(100) 및 베이스층(400)의 측면들을 연마할 수 있다. 이때, 상기 도구는 상기 도구의 측면이 표시장치의 측면과 접촉한 상태에서 제자리 회전할 수 있다. 이러한 경우 기판(100)의 모서리 및 베이스층(400)의 모서리는 모따기된 형태일 수 있다. 다른 실시예로써 기판(100)의 모서리 및 베이스층(400)의 모서리의 일부는 라운드지게 형성될 수 있다.
도 14는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 제조 공정에 따른 단면도이다.
도 14를 참조하면, 도 13의 방법 이외에도 제조 공정 중 수지층(350)의 외측에는 더미 수지층(360)이 위치할 수 있다. 더미 수지층(360)은 수지층(350)과 소정의 간격으로 이격될 수 있으며, 절단 공정은 수지층(350)과 더미 수지층(360) 사이에서 이뤄질 수 있다. 더미 수지층(360)의 존재에 의해, 표시장치의 제조 시 가해지는 힘에 의해 표시층(200)이 들뜨거나 크랙이 야기되는 등의 문제가 방지될 수 있다.
상기와 같이 도구(MT)를 사용하여 베이스층(400)과 기판(100)을 절단하는 경우 베이스층(400)과 기판(100)이 변형됨으로써 박막봉지층(300)이 기판(100)과 분리될 수 있다. 특히 상기와 같은 경우 라인(LI) 상에 수지층(350)이 배치되지 않고, 수지층(350)의 끝단이 라인(LI)보다 내측에 배치되어 라인(LT) 상에 베이스층(400)과 기판(100) 만이 배치됨으로써 기판(100)에 많은 외력에 의하여 베이스층(400)과 기판(100)이 많이 휘어질 수 있다. 이러한 베이스층(400)과 기판(100)의 변형에 의하여 비표시영역(NDA)에서 박막봉지층(300)과 기판(100)은 서로 분리될 수 있다. 그러나 상기에서 설명한 바와 같이 비표시영역(NDA)에서 박막봉지층(300)의 무기봉지층이 기판(100)과 직접 접촉하여 결합할 수 있고, 기판(100)과 박막봉지층(300)의 무기봉지층이 서로 유사한 성질을 가짐으로써 상기와 같은 기판(100)의 변형으로 인한 기판(100)과 박막봉지층(300)이 서로 분리되는 것을 방지할 수 있다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다. 도 17은 도 16의 G부분을 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 15 내지 도 17을 참고하면, 표시장치(1")의 개구영역(OA)은 표시영역(DA)의 내측에 위치할 수 있다. 이 경우, 제1비표시영역(NDA1)과 제2비표시영역(NDA2)은 서로 분리될 있으며, 개구영역(OA)은 표시영역(DA)에 의해 전체적으로 둘러싸일 수 있다.
표시장치(1")는 앞서 설명한 표시장치(1)와 마찬가지로, 표시패널과 입력감지부재를 포함할 수 있다.
상기와 같은 표시패널(10) 및 입력감지부재(40)는 각각 개구영역(OA)에 대응하는 개구를 포함할 수 있다. 표시패널(10)의 개구 및 입력감지부재(40)의 개구는 각각 개구영역(OA)에 위치하며, 서로 중첩할 수 있다. 이때, 표시패널(10)의 개구는 홀 또는 홈 형태일 수 있으며, 입력감지부재(40)의 개구는 홀 형태일 수 있다.
개구영역(OA)은 표시장치(1")에 다양한 기능을 부가하기 위한 컴포넌트(CMP)가 위치하는 일종의 컴포넌트 영역일 수 있다. 컴포넌트(CMP)는 전자요소를 포함할 수 있다. 컴포넌트(CMP)는 빛이나 음향을 이용하는 전자요소일 수 있다. 예컨대, 전자요소는 적외선 센서와 같이 빛을 출력하거나 또는/및 수신하는 센서, 빛을 수광하여 이미지를 촬상하는 카메라, 빛이나 음향을 출력하고 감지하여 거리를 측정하거나 지문을 인식하는 센서, 빛을 출력하는 소형 램프이거나, 소리를 출력하는 스피커 등을 포함할 수 있다. 빛을 이용하는 전자요소는, 가시광, 적외선광, 자외선광과 같이 특정한 파장 대역의 빛을 이용할 수 있다. 일부 실시예에서, 개구영역(OA)은 컴포넌트(CMP)로부터 외부로 출력되거나 외부로부터 전자요소를 향해 진행하는 빛 또는/및 음향이 투과할 수 있는 투과영역(transmission area)으로 이해될 수 있다.
표시장치(1")가 스마트 워치나 차량용 계기판과 같이 특정 정보를 제공하는 경우, 컴포넌트(CMP)는 소정의 정보(예, 차량 속도, 주유량, 시간 등)를 지시하는 바늘과 같은 부재일 수 있다. 또는, 컴포넌트(CMP)는 표시장치(1")의 심미감을 증가시키는 램프나 악세서리와 같은 구성요소를 포함할 수 있다.
상기와 같은 표시장치(1")는 상기의 경우 이외에도 도 3에 도시된 바와 같이 표시장치(1")는 표시패널(10), 입력감지부재(40) 및 광학적 기능부재(50)를 포함하는 것도 가능하다. 이때, 광학적 기능부재(미도시)도 개구영역(OA)에 대응하는 개구를 포함할 수 있다. 이러한 경우 표시패널(10)의 개구, 입력감지부재(40)의 개구, 및 광학적 기능부재(50)의 개구는 각각 개구영역(OA)에 위치하며, 서로 중첩할 수 있다. 이때, 표시패널(10)의 개구 및 입력감지부재(40)의 개구는 상기에서 설명한 것과 동일하거나 유사할 수 있으며, 광학적 기능부재(50)의 개구는 홀 형태일 수 있다.
이하에서는 설명의 편의를 위하여 표시장치(1")가 표시패널(10) 및 입력감지부재(40)를 포함하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
상기와 같은 표시패널(10) 및 입력감지부재(40) 사이에는 수지층(350)이 배치될 수 있다. 이때, 수지층(350)은 표시패널(10)의 박막봉지층(300) 상에 배치될 수 있다. 특히 수지층(350)은 상기에서 설명한 것과 동일하게 배치될 수 있다.
기판(100) 상에는 버퍼층(201)이 배치될 수 있다. 이때, 버퍼층(201)은 다양한 형태로 배치될 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(201)은 표시층(200)이 배치된 기판(100) 부분에만 배치될 수 있다. 다른 실시예로써 버퍼층(201)은 표시층(200)이 배치된 부분 이외에도 박막봉지층(300)이 배치된 기판(100) 영역의 전체에 배치될 수 있다. 또 다른 실시예로써 버퍼층(201)은 기판(100)의 전면에 배치될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 버퍼층(201)이 기판(100) 전 영역에 배치되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
상기와 같은 경우 제2비표시영역(NDA2)에서 박막봉지층(300)의 무기봉지층은 버퍼층(201) 상에 배치될 수 있다. 특히 제2비표시영역(NDA2)에서 박막봉지층(300)의 무기봉지층은 버퍼층(201)과 직접 접촉할 수 있다. 이때, 박막봉지층(300)의 무기봉지층은 버퍼층(201) 중 실리콘나이트라이드(SiNx) 또는 실리콘옥사이드(SiOx)와 직접 접촉할 수 있다.
상기와 같은 표시장치(1")는 도 13에 도시된 도구(미도시)를 통하여 베이스층(400)의 일부와 기판(100)의 일부를 제거할 수 있다. 구체적으로 일 실시예로써 상기 도 13에서와 같이 기판(100) 상에 표시층(200) 및 박막봉지층(300)을 형성한 후 박막봉지층(300) 상에 수지층(350)을 배치하고 베이스층(400)을 수지층(350) 상에 배치할 수 있다. 이후 수지층(350)을 경화할 수 있으며, 베이스층(400) 상에 센서층(450)을 형성할 수 있다.
이후 상기 도구로 베이스층(400)과 기판(100)을 도 13에 도시된 바와 같이 절단할 수 있다. 다른 실시예로써 상기 도 14에 도시된 바와 같이 더미 수지층(350)을 형성한 후 상기 도구를 사용하여 베이스층(400)의 일부와 기판(100)의 일부를 제거하는 것도 가능하다.
상기와 같은 경우 제2비표시영역(NDA2)에서 버퍼층(201)과 박막봉지층(300)의 무기봉지층이 결합함으로써 기판(100)이 변형되는 경우에도 박막봉지층(300)이 버퍼층(201)으로부터 분리되지 않을 수 있다. 특히 버퍼층(201)이 상기와 같이 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥사이드과 같은 무기층을 포함하고, 박막봉지층(300)의 무기봉지층이 이러한 버퍼층(201)의 무기층 상에 적층되어 직접 결합할 수 있다. 이때, 박막봉지층(300)의 무기봉지층과 버퍼층(201)의 무기층이 서로 유사한 성질을 가짐으로써 결합력이 증대될 수 있다.
따라서 표시장치(1")는 상기 도구로 베이스층(400)의 절단 시 박막봉지층(300)이 기판(100)으로부터 분리되는 것을 방지함으로써 유기 발광 소자의 수명이 줄어드는 것을 방지할 수 있다.
표시장치(1")는 박막봉지층(300)과 기판(100)이 분리됨으로써 발생하는 불량율을 저감시킬 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1, 1',1″: 표시장치
10, 10: 표시패널
40; 입력감지부재
100: 기판
200: 표시층
300: 박막봉지층
350: 수지층
400: 베이스층
10, 10: 표시패널
40; 입력감지부재
100: 기판
200: 표시층
300: 박막봉지층
350: 수지층
400: 베이스층
Claims (20)
- 기판, 상기 기판 상의 표시층, 상기 표시층을 커버하는 박막봉지층을 포함하는 표시패널;
상기 표시패널의 상기 기판과 마주보도록 배치되는 베이스층 및 상기 베이스층 상의 감지전극들을 포함하는 입력감지부재; 및
상기 박막봉지층과 상기 베이스층 사이에 개재되는 수지층;을 포함하고,
상기 박막봉지층의 단부는 상기 수지층으로부터 상기 기판의 끝단으로 돌출되는, 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 박막봉지층은 적어도 하나의 무기봉지층 및 적어도 하나의 유기봉지층을 포함하는, 표시장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 무기봉지층의 단부는 상기 수지층으로부터 상기 기판의 끝단 측으로 돌출된, 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 박막봉지층의 단부는 상기 기판과 직접 접촉하는, 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 표시층은 상기 기판과 상기 박막봉지층 사이에 배치되는 버퍼층을 포함하는, 표시장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 버퍼층은 산화규소 및 질화규소 중 적어도 하나를 포함하고,
상기 박막봉지층의 단부는 상기 산화규소 및 상기 질화규소 중 적어도 하나와 직접 접촉하는, 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 박막봉지층의 단부는 상기 기판의 끝단보다 상기 수지층에 더 가깝게 배치된, 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판과 상기 베이스층은 유리를 포함하는, 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 수지층의 측면은 만곡진, 표시장치. - 기판, 상기 기판 상의 표시층, 상기 표시층을 커버하는 박막봉지층을 포함하는 표시패널;
상기 표시패널의 상기 기판과 마주보도록 배치되는 베이스층 및 상기 베이스층 상의 감지전극들을 포함하는 입력감지부재; 및
상기 박막봉지층과 상기 베이스층 사이에 개재되는 수지층;을 포함하고,
상기 수지층은 상기 베이스층을 마주보는 상기 박막봉지층의 면 중 일부를 외부로 노출시키도록 상기 박막봉지층과 상기 베이스층 사이에 배치된, 표시장치. - 제 10 항에 있어서,
평면 상에서 상기 수지층의 면적은 상기 박막봉지층의 면적보다 작은, 표시장치. - 제 10 항에 있어서,
평면 상에서 상기 수지층은 상기 박막봉지층의 테두리 내부에 배치되는, 표시장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 박막봉지층의 단부는 상기 기판에 직접 접촉하는, 표시장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 표시층은 상기 기판과 상기 박막봉지층 사이에 배치되는 버퍼층을 포함하는, 표시장치. - 제 14항에 있어서,
상기 버퍼층은 산화규소 및 질화규소 중 적어도 하나를 포함하고,
상기 박막봉지층의 단부는 상기 산화규소 및 상기 질화규소 중 적어도 하나와 직접 접촉하는, 표시장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 기판과 상기 베이스층은 유리를 포함하는, 표시장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 기판과 상기 베이스층 사이에 배치되는 상기 수지층의 측면 중 일부는 상기 표시층으로부터 멀어지도록 돌출된, 표시장치. - 제 10 항에 있어서,
평면 상에서 상기 베이스층의 면적은 상기 박막봉지층의 면적보다 큰, 표시장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 박막 봉지층은 적어도 하나 이상의 무기봉지층 및 적어도 하나 이상의 유기봉지층을 포함하는, 표시장치. - 개구 영역을 감싸는 표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상의 표시층, 상기 표시층을 커버하는 박막봉지층을 포함하는 표시패널;
상기 표시패널의 상기 기판과 마주보도록 배치되는 베이스층 및 상기 베이스층 상의 감지전극들을 포함하는 입력감지부재; 및
상기 박막봉지층과 상기 베이스층 사이에 개재되는 수지층;을 포함하고,
상기 박막봉지층의 단부는 상기 수지층으로부터 상기 기판의 끝단으로 돌출되는, 표시장치.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190047519A KR20200124371A (ko) | 2019-04-23 | 2019-04-23 | 표시장치 |
US16/735,217 US11594705B2 (en) | 2019-04-23 | 2020-01-06 | Display apparatus |
CN202010277063.7A CN111834407A (zh) | 2019-04-23 | 2020-04-10 | 显示装置 |
US18/174,480 US20240023364A1 (en) | 2019-04-23 | 2023-02-24 | Display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190047519A KR20200124371A (ko) | 2019-04-23 | 2019-04-23 | 표시장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200124371A true KR20200124371A (ko) | 2020-11-03 |
Family
ID=72913975
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190047519A KR20200124371A (ko) | 2019-04-23 | 2019-04-23 | 표시장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11594705B2 (ko) |
KR (1) | KR20200124371A (ko) |
CN (1) | CN111834407A (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200109416A (ko) * | 2019-03-12 | 2020-09-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20200124371A (ko) | 2019-04-23 | 2020-11-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR20210024292A (ko) * | 2019-08-21 | 2021-03-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4798322B2 (ja) | 2001-01-26 | 2011-10-19 | ソニー株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
TWI396003B (zh) | 2009-07-30 | 2013-05-11 | Au Optronics Corp | 顯示面板及其邊框窄化、邊緣強度提昇方法 |
KR20110066326A (ko) | 2009-12-11 | 2011-06-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전기영동 표시 장치 및 그 제조방법 |
KR101633118B1 (ko) | 2009-12-20 | 2016-06-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자의 실링방법 |
KR101155902B1 (ko) | 2010-03-11 | 2012-06-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 그라인더, 상기 그라인더를 사용한 연마 방법, 상기 연마 방법을 사용한 표시 장치의 제조 방법 및 이를 사용하여 제조한 표시 장치 |
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KR20200124371A (ko) | 2019-04-23 | 2020-11-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
-
2019
- 2019-04-23 KR KR1020190047519A patent/KR20200124371A/ko not_active Application Discontinuation
-
2020
- 2020-01-06 US US16/735,217 patent/US11594705B2/en active Active
- 2020-04-10 CN CN202010277063.7A patent/CN111834407A/zh active Pending
-
2023
- 2023-02-24 US US18/174,480 patent/US20240023364A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11594705B2 (en) | 2023-02-28 |
US20240023364A1 (en) | 2024-01-18 |
CN111834407A (zh) | 2020-10-27 |
US20200343478A1 (en) | 2020-10-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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