KR20200003336A - 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예는 개구영역 및 개구영역을 적어도 부분적으로 둘러싸는 표시영역을 구비한 기판과, 표시영역에 배치되되, 화소전극, 상대전극 및 이들 사이에 개재되는 중간층을 각각 포함하는 복수의 표시요소들과, 기판과 화소전극 사이에 배치되는 제1절연층 및 제1절연층 상에 배치되며 제1절연층과 다른 물질을 구비하는 제2절연층을 포함하는 다층 막, 및 복수의 표시요소들을 커버하며, 적어도 하나의 유기봉지층과 적어도 하나의 무기봉지층을 포함하는 박막봉지층을 포함하며, 다층 막은 개구영역과 표시영역 사이에 위치하는 제1그루브를 포함하며, 제1그루브는 제1그루브의 하부의 폭이 상부의 폭 보다 큰 언더컷 구조를 갖는 표시 패널을 개시한다.
Description
본 발명의 실시예들은 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 표시 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다.
표시 장치 중 표시영역이 차지하는 면적을 확대하면서, 표시 장치에 접목 또는 연계하는 다양한 기능들이 추가되고 있다. 면적을 확대하면서 다양한 기능을 추가하기 위한 방안으로서 표시영역에 개구가 형성된 표시 장치가 있다.
개구를 구비하는 표시 장치에 있어서, 개구의 측면으로 노출된 표시 장치에 포함된 유기물질을 포함하는 층(들)은 투습 경로를 제공하므로, 개구를 적어도 부분적으로 둘러싸는 표시소자들을 손상시킬 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 개구를 통한 투습을 방지할 수 있는 표시 패널 및 이를 구비한 표시 장치를 제공한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예는, 개구영역, 및 상기 개구영역을 적어도 부분적으로 둘러싸는 표시영역을 구비한 기판; 상기 표시영역에 배치되되, 화소전극, 상대전극 및 이들 사이에 개재되는 중간층을 각각 포함하는 복수의 표시요소들; 상기 기판과 상기 화소전극 사이에 배치되는 제1절연층, 및 상기 제1절연층 상에 배치되며 상기 제1절연층과 다른 물질을 구비하는 제2절연층을 포함하는 다층 막; 및 상기 복수의 표시요소들을 커버하며, 적어도 하나의 유기봉지층과 적어도 하나의 무기봉지층을 포함하는 박막봉지층;을 포함하며, 상기 다층 막은 상기 개구영역과 상기 표시영역 사이에 위치하는 제1그루브를 포함하며, 상기 제1그루브는 상기 제1그루브의 하부의 폭이 상부의 폭 보다 큰 언더컷 구조를 갖는, 표시 패널을 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1절연층은 유기절연층이고 상기 제2절연층은 무기절연층일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 화소전극은 상기 제1절연층의 상면과 접촉하고, 상기 화소전극의 단부는 상기 제2절연층으로 커버될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 박막봉지층은, 순차적으로 적층된 제1무기봉지층, 유기봉지층, 및 제2무기봉지층을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 적어도 하나의 무기봉지층은 상기 제1그루브의 내측면을 커버할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 다층 막 아래에 배치된 제3절연층을 더 포함하며, 상기 적어도 하나의 무기봉지층은 상기 제1그루브를 통해 상기 제3절연층과 직접 접촉할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제3절연층은 무기 절연층일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 적어도 하나의 유기봉지층은 상기 제1그루브를 채울 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 다층 막은 상기 제1그루브와 인접한 제2그루브를 더 포함하되, 상기 제2그루브는 상기 제1그루브 보다 상기 개구영역에 더 가까울 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 적어도 하나의 유기봉지층의 단부는, 상기 제1그루브와 상기 제2그루브 사이에 위치할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 기판 및 상기 박막봉지층은 각각 상기 개구영역과 대응하는 개구를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 개구를 갖는 기판; 상기 기판 상에 배치되고, 상기 개구를 둘러싸며, 화소전극, 상대전극 및 이들 사이에 개재되는 중간층을 각각 포함하는, 복수의 표시요소들; 상기 기판과 상기 화소전극 사이에 배치되는 제1절연층, 및 상기 제1절연층 상의 제2절연층을 포함하는 다층 막; 및 상기 복수의 표시요소들을 커버하는 봉지층;을 포함하며, 상기 다층 막은 상기 개구를 둘러싸며 상기 다층 막의 깊이 방향으로 오목한 제1그루브를 포함하며, 상기 제1그루브는 상기 제1그루브의 하부의 폭이 상부의 폭 보다 큰 언더컷 구조를 갖는, 표시 패널을 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1절연층은 상기 화소전극의 바로 아래에 위치하고, 상기 제2절연층은 상기 화소전극의 가장자리를 커버할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1절연층은 유기절연층이고 상기 제2절연층은 무기절연층일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 봉지층은 적어도 하나의 무기봉지층 및 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 적어도 하나의 무기봉지층은 상기 제1그루브의 내측면을 전체적으로 커버하며, 상기 제1절연층 아래의 무기 절연층과 직접 접촉할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 중간층 및 상기 봉지층은 상기 제1그루브를 중심으로 단절될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1그루브는 상기 제1절연층의 제1홀 및 상기 제2절연층의 제2홀에 의해 정의되며, 상기 제2홀을 향하는 상기 제2절연층의 내측벽은, 상기 제1홀을 향하는 상기 제1절연층의 내측벽 보다 상기 제1그루브의 중심을 향해 더 돌출될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2절연층의 상기 내측벽은 상기 제1절연층의 상기 내측벽 보다 2μm 이상 더 돌출될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 표시요소들 각각은 유기발광다이오드를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 개구영역, 및 상기 개구영역을 적어도 부분적으로 둘러싸는 표시영역을 구비한 기판; 상기 표시영역에 배치되되, 화소전극, 상대전극 및 이들 사이에 개재되는 중간층을 각각 포함하는 복수의 표시요소들; 상기 기판과 상기 화소전극 사이에 배치되는 유기절연층, 및 상기 유기절연층 상에 배치된 무기절연층을 포함하는 다층 막; 및 상기 복수의 표시요소들을 커버하며, 적어도 하나의 유기봉지층과 적어도 하나의 무기봉지층을 포함하는 박막봉지층;을 포함하며, 상기 다층 막은 상기 개구영역과 상기 표시영역 사이에 위치하며 언더컷 구조를 갖는 제1그루브를 포함하는, 표시 장치를 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 개구영역과 대응하는 전자요소를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 전자요소는 빛이나 음향을 이용하는 전자요소를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 적어도 하나의 무기봉지층은 상기 제1그루브를 통해 상기 유기절연층 아래의 절연층과 직접 접촉할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 다층 막은 상기 개구영역과 상기 제1그루브 사이에 위치하는 제2그루브를 더 포함하며, 상기 적어도 하나의 유기봉지층의 단부는 상기 제1그루브와 상기 제2그루브 사이에 위치할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면 개구영역을 둘러싸는 다층 막에 형성된 언더컷 구조의 그루브를 통해 개구영역에서 표시요소들을 향하는 측 방향으로의 투습을 효과적으로 차단 및 방지할 수 있으며, 전술한 투습 방지를 기판의 종류와 무관하게 달성할 수 있다. 그러나, 전술한 효과는 예시적인 것으로, 실시예들에 따른 효과는 후술하는 내용을 통해 자세하게 설명한다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 표시 패널의 어느 한 화소를 개략적으로 나타낸 등가 회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도로서, 제1비표시영역에 위치하는 신호라인들을 나타낸다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도로서, 제1비표시영역에 위치하는 그루브를 나타낸다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 나타낸 단면도이다.
도 8은 도 7의 유기발광소자를 확대한 단면도이다.
도 9a는 제1그루브를 발췌한 단면도이고 도 9b는 도 9a의 제1그루브 상의 적층 구조를 나타낸 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널을 나타낸 단면도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널을 나타낸 단면도이다.
도 12는 도 11의 개구영역 주변을 나타낸 평면도이다.
도 13은 도 12의 XIII-XIII'선에 따른 단면도이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널을 나타낸 단면도이다.
도 15는 도 14의 개구영역 주변을 나타낸 평면도이다.
도 16은 도 15의 XVI-XVI'선에 따른 단면도이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 표시 패널의 어느 한 화소를 개략적으로 나타낸 등가 회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도로서, 제1비표시영역에 위치하는 신호라인들을 나타낸다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도로서, 제1비표시영역에 위치하는 그루브를 나타낸다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 나타낸 단면도이다.
도 8은 도 7의 유기발광소자를 확대한 단면도이다.
도 9a는 제1그루브를 발췌한 단면도이고 도 9b는 도 9a의 제1그루브 상의 적층 구조를 나타낸 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널을 나타낸 단면도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널을 나타낸 단면도이다.
도 12는 도 11의 개구영역 주변을 나타낸 평면도이다.
도 13은 도 12의 XIII-XIII'선에 따른 단면도이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널을 나타낸 단면도이다.
도 15는 도 14의 개구영역 주변을 나타낸 평면도이다.
도 16은 도 15의 XVI-XVI'선에 따른 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 빛을 방출하는 표시영역(DA)과 빛을 방출하지 않는 비표시영역(NDA)을 포함한다. 표시 장치(1)는 표시영역(DA)에 배치된 복수의 화소들에서 방출되는 빛을 이용하여 소정의 이미지를 제공할 수 있다.
표시 장치(1)는 표시영역(DA)에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸인 개구영역(RA)을 포함한다. 도 1은 개구영역(RA)이 표시영역(DA)에 의해 전체적으로 둘러싸인 것을 도시한다. 비표시영역(NDA)은 개구영역(RA)을 둘러싸는 제1비표시영역(NDA1), 및 표시영역(DA)의 외곽을 둘러싸는 제2비표시영역(NDA2)을 포함할 수 있다. 제1비표시영역(NDA1)은 개구영역(RA)을 전체적으로 둘러싸고, 표시영역(DA)은 제1비표시영역(NDA1)을 전체적으로 둘러싸며, 제2비표시영역(NDA2)은 표시영역(DA)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)로서, 유기 발광 표시 장치를 예로 하여 설명하지만, 본 발명의 표시 장치는 이에 제한되지 않는다. 다른 실시예로서, 무기 EL 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display), 퀀텀닷 발광 표시 장치 (Quantum dot Light Emitting Display) 등과 같이 다양한 방식의 표시 장치가 사용될 수 있다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도로서, 도 1의 II-II'선에 따른 단면에 대응할 수 있다.
도 2a를 참조하면, 표시 장치(1)는 표시 패널(10), 및 표시 패널(10)의 개구영역(RA)과 대응하는 전자요소(20)를 포함할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 표시 패널(10) 상에는 터치입력을 감지하는 입력감지부재, 편광자(polarizer)와 지연자(retarder) 또는 컬러필터와 블랙매트릭스를 포함하는 반사 방지부재, 및 투명한 윈도우와 같은 구성요소(들)이 더 배치될 수 있다.
표시 패널(10)은 기판(100), 기판(100) 상에 배치되며 표시요소들을 포함하는 표시요소층(200), 및 표시요소층(200)을 커버하는 봉지부재로서 박막봉지층(300)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 표시요소층(200)은 표시영역(DA)에 배치되는 유기발광다이오드(organic light-emitting diode, OLED)와 같은 표시요소들을 포함한다. 도시되지는 않았으나, 표시요소층(200)은 표시요소인 유기발광다이오드(OLED)와 전기적으로 연결된 회로 및 배선들을 포함할 수 있다. 박막봉지층(300)은 표시요소층(200)을 커버함으로써, 외부로부터 수분이나 오염물질이 표시요소층(200)으로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 박막봉지층(300)은 적어도 하나의 무기봉지층과 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다.
표시 패널(10)은 도 2a에 도시된 바와 같이 개구영역(RA)과 대응하며 표시 패널(10)을 관통하는 개구(10H)를 포함할 수 있다. 기판(100), 표시요소층(200) 및 박막봉지층(300)은 각각 개구영역(RA)과 대응하는 제1 내지 제3개구(100H, 200H, 300H)들을 포함할 수 있으며, 제1 내지 제3개구(100H, 200H, 300H)들이 표시 패널(10)의 개구(10H)를 형성할 수 있다.
개구영역(RA)은 전자요소(20)가 배치되는 위치로서, 전자요소(20)는 기판(100), 표시요소층(200) 및 박막봉지층(300)의 제1 내지 제3개구(100H, 200H, 300H)들과 대응하도록 배치될 수 있다. 제1개구(100H)는 기판(100)의 상면과 하면을 관통하고, 제2개구(200H)는 표시요소층(200)의 최하층부터 최상층까지를 관통하며, 제3개구(300H)는 박막봉지층(300)을 관통하도록 형성될 수 있다.
전자요소(20)는 빛이나 음향을 이용하는 전자요소일 수 있다. 예컨대, 전자요소는 적외선 센서와 같이 빛을 수광하여 이용하는 센서, 빛을 수광하여 이미지를 촬상하는 카메라, 빛이나 음향을 출력하고 감지하여 거리를 측정하거나 지문 등을 인식하는 센서, 빛을 출력하는 소형 램프이거나, 소리를 출력하는 스피커 등을 포함할 수 있다. 빛을 이용하는 전자요소의 경우, 가시광, 적외선광, 자외선광 등과 같이 다양한 파장 대역의 빛을 이용할 수 있다. 개구영역(RA)은 전자요소(20)로부터 외부로 출력되거나 외부로부터 전자요소를 향해 진행하는 빛 또는/및 음향이 투과할 수 있는 투과영역(transmission area)으로 이해될 수 있다. 도 2a에서와 같이, 표시 패널(10) 중 개구영역(RA)에 대응하는 부분이 모두 제거된 경우, 예컨대 개구(10H)가 표시 패널(10)을 관통하는 경우에는, 전자요소(20)가 출력하거나 수신하는 빛 또는 음향을 더욱 효과적으로 이용할 수 있다.
도 2a는 전자요소(20)가 기판(100)의 아래에 배치된 것을 도시하고 있으나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로, 전자요소(20)는 표시 패널(10)의 개구(10H) 내에 위치할 수 있다.
도 2a에서 기판(100), 표시요소층(200) 및 박막봉지층(300) 각각이 개구영역(RA)과 대응하는 제1 내지 제3개구(100H, 200H, 300H)들을 구비하는 것과 달리, 도 2a를 참조하면 기판(100)은 제1개구(100H)를 포함하지 않을 수 있다.
도 2b를 참조하면, 기판(100)이 제1개구를 포합하지 않지만 표시요소층(200) 및 박막봉지층(300)은 각각 제2 내지 제3개구(200H, 300H)들을 구비하므로, 전자요소(20)가 이용하는 빛의 투과율을 확보할 수 있다. 일 실시예로, 도 2b에 도시된 표시 패널(10)의 개구영역(RA)에서의 광 투과율은 약 50% 이상, 보다 바람직하게 70% 이상이거나, 75% 이상이거나 80% 이상이거나, 85% 이상이거나 90% 이상일 수 있다.
도 2c 및 도 2d를 참조하면, 표시 패널(10)의 기판(100)은 고분자 수지를 포함할 수 있으며, 이 경우 유리 재질의 기판에 비하여 가요성을 더 확보할 수 있다. 예컨대, 기판(100)은 순차적으로 적층된 제1기재층(101), 제1무기층(102), 제2기재층(103), 및 제2무기층(104)을 포함할 수 있다.
제1 및 제2기재층(101, 103)은 투명한 고분자 수지를 포함할 수 있다. 고분자 수지는 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenene napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 등일 수 있다.
제1무기층(102)과 제2무기층(104)은 외부 이물질의 침투를 방지하는 배리어층으로서, 실리콘나이트라이드(SiNx) 및/또는 실리콘옥사이드(SiOx)와 같은 무기물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
고분자 수지를 포함하는 기판(100)은 도 2c에 도시된 바와 같이 개구영역(RA)에 대응하는 제1개구(100H)를 포함하거나, 도 2d에 도시된 바와 같이 제1개구를 포함하지 않을 수 있다. 반면, 표시요소층(200) 및 박막봉지층(300)은 각각 제2 및 제3개구(200H, 300H)를 구비할 수 있음은 앞서 설명한 바와 같다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 4는 표시 패널의 어느 한 화소를 개략적으로 나타낸 등가 회로도이다.
도 3을 참조하면, 표시 패널(10)은 표시영역(DA)에 배치된 복수의 화소(P)들을 포함한다. 화소(P)들은 각각 유기발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다. 각 화소(P)는 유기발광다이오드를 통해 예컨대, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다.
도 4를 참조하면, 각 화소(P)는 화소회로(PC), 및 화소회로(PC)에 연결된 유기발광다이오드(OLED)를 포함한다. 화소회로(PC)는 제1박막트랜지스터(T1), 제2박막트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
제2박막트랜지스터(T2)는 스위칭 박막트랜지스터로서, 스캔라인(SL) 및 데이터라인(DL)에 연결되며, 스캔라인(SL)으로부터 입력되는 스위칭 전압에 따라 데이터라인(DL)으로부터 입력된 데이터 전압을 제1박막트랜지스터(T1)로 전달한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2박막트랜지스터(T2)와 구동전압선(PL)에 연결되며, 제2박막트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 제1전원전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장한다.
제1박막트랜지스터(T1)는 구동 박막트랜지스터로서, 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 대향전극(예, 캐소드)는 제2전원전압(ELVSS)을 공급받을 수 있다.
도 4는 화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터와 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 것을 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 박막트랜지스터의 개수 및 스토리지 커패시터의 개수는 화소회로(PC)의 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있음은 물론이다.
다시 도 3을 참조하면, 제1비표시영역(NDA1)은 개구영역(RA)을 둘러싼다. 제1비표시영역(NDA1)은 빛을 방출하는 유기발광다이오드와 같은 표시요소가 배치되지 않은 영역으로, 제1비표시영역(NDA1)에는 개구영역(RA) 주변에 구비된 화소(P)들에 신호를 제공하는 신호라인들이 지나가거나 후술한 그루브가 배치될 수 있다. 제2비표시영역(NDA2)에는 각 화소(P)에 스캔신호를 제공하는 스캔 드라이버(1100), 각 화소(P)에 데이터신호를 제공하는 데이터 드라이버(1200), 및 제1 및 제2전원전압을 제공하기 위한 메인 전원배선(미도시) 등이 배치될 수 있다.
도 3은 표시 패널(10) 중 기판(100)의 모습으로 이해될 수 있다. 예컨대, 기판(100)이 개구영역(RA), 표시영역(DA), 제1 및 제2비표시영역(NDA1, NDA2)를 갖는 것으로 이해될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도로서, 제1비표시영역에 위치하는 신호라인들을 나타낸다.
도 5를 참조하면, 개구영역(RA)을 중심으로 화소(P)들이 표시영역(DA)에 배치되며, 개구영역(RA)과 표시영역(DA) 사이에는 제1비표시영역(NDA1)이 위치할 수 있다.
화소(P)들은 개구영역(RA)을 중심으로 상호 이격되어 배치될 수 있다. 화소(P)들은 개구영역(RA)을 중심으로 위와 아래에 이격되거나, 개구영역(RA)을 중심으로 좌우로 이격되어 배치될 수 있다.
화소(P)들에 신호를 공급하는 신호라인들 중 개구영역(RA)과 인접한 신호라인들은 개구영역(RA)을 우회할 수 있다. 표시영역(DA)을 지나는 데이터라인들 중 일부 데이터라인(DL)은, 개구영역(RA)을 사이에 두고 위와 아래에 배치된 화소(P)들에 데이터신호를 제공하도록 y방향으로 연장되되, 제1비표시영역(NDA1)에서 개구영역(RA)의 가장자리를 따라 우회할 수 있다. 표시영역(DA)을 지나는 스캔라인들 중 일부 스캔라인(SL)은, 개구영역(RA)을 사이에 두고 좌우에 배치된 화소(P)들에 스캔신호를 제공하도록 x방향으로 연장되되, 제1비표시영역(NDA1)에서 개구영역(RA)의 가장자리를 따라 우회할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도로서, 제1비표시영역에 위치하는 그루브를 나타낸다.
개구영역(RA)과 표시영역(DA) 사이에는 그루브가 위치한다. 이와 관련하여, 도 6에서는 개구영역(RA)과 표시영역(DA) 사이에 제1 및 제2그루브(G1, G2)가 위치한 것을 도시하나, 다른 실시예로서 제1 및 제2그루브(G1, G2) 외에 그루브(들)을 더 포함할 수 있다.
제1 및 제2그루브(G1, G2)는 제1비표시영역(NDA1)에서 개구영역(RA)을 전체적으로 둘러싸는 고리 형상일 수 있다. 제1 및 제2그루브(G1, G2) 각각의 직경은 개구영역(RA)의 직경보다는 크게 형성될 수 있으며, 제1 및 제2그루브(G1, G2)는 소정의 간격 이격되어 배치될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 나타낸 단면도로서, 도 6의 ViI- ViI'선에 따른 단면에 해당하고, 도 8은 도 7의 유기발광소자를 확대한 단면도이며, 도 9a는 제1그루브를 발췌한 단면도이고 도 9b는 도 9a의 제1그루브 상의 적층 구조를 나타낸 단면도이다.
먼저 도 7의 표시영역(DA)을 살펴보면, 기판(100)은 앞서 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명한 바와 같이 유리를 포함하거나, 도 2c 및 도 2d를 참조하여 설명한 바와 같이 고분자 수지를 포함하는 기재층 및 무기층을 포함할 수 있다.
기판(100) 상에는 불순물이 박막트랜지스터의 반도체층으로 침투하는 것을 방지하기 위해 형성된 버퍼층(201)이 배치될 수 있다. 버퍼층(201)은 실리콘 나이트라이드 또는 실리콘옥사이드와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기 절연물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다. 일부 실시예에서, 도 2c 및 도 2d를 참조하여 설명한 제2무기층(104)은 다층 구조를 갖는 버퍼층(201)의 일부 층으로 이해될 수 있다.
버퍼층(201) 상에는 박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst) 등을 포함하는 화소회로(PC)가 배치될 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(Act), 게이트전극(GE), 소스전극(SE), 드레인전극(DE)을 포함할 수 있다. 도 7에 도시된 박막트랜지스터(TFT)는 도 4를 참조하여 설명한 구동박막트랜지스터에 대응할 수 있다. 본 실시예에서는 게이트전극(GE)이 게이트절연층(203)을 가운데 두고 반도체층(Act) 상에 배치된 탑 게이트 타입을 도시하였으나, 또 다른 실시예에 따르면 박막트랜지스터(TFT)는 바텀 게이트 타입일 수 있다.
반도체층(Act)은 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 또는, 반도체층(Act)은 아모퍼스 실리콘을 포함하거나, 산화물 반도체를 포함하거나, 유기 반도체 등을 포함할 수 있다. 게이트전극(GE)은 저저항 금속 물질을 포함할 수 있다. 게이트전극(GE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
반도체층(Act)과 게이트전극(GE) 사이에는 게이트절연층(203)이 개재되며, 게이트절연층(203)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다.
소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 전도성이 좋은 재료를 포함할 수 있다. 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 Ti/Al/Ti의 다층으로 형성될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1층간절연층(205)을 사이에 두고 중첩하는 하부 전극(CE1)과 상부 전극(CE2)을 포함한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩될 수 있다. 이와 관련하여, 도 7은 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(GE)이 스토리지 커패시터(Cst)의 하부 전극(CE1)인 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로서, 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩하지 않을 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2층간절연층(207)으로 커버될 수 있다.
제1 및 제2층간절연층(205, 207)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다.
박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함하는 화소회로(PC)는 제1절연층(209)으로 커버된다. 제1절연층(209)은 평탄화 절연층이며, Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등과 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제1절연층(209)은 폴리이미드를 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제1절연층(209)은 약 1.7μm 내지 2.4 μm의 두께를 가질 수 있다.
제1절연층(209) 상에는 유기발광다이오드(OLED)가 배치된다. 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극(221)은 제1절연층(209) 상에 배치되며 제1절연층(209)의 콘택홀을 통해 회소회로(PC)와 연결될 수 있다.
화소전극(221)은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminium zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 화소전극(221)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로, 화소전극(221)은 전술한 반사막의 위/아래에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 더 포함할 수 있다.
제2절연층(211)은 화소전극(221)의 상면을 노출하는 개구를 포함하되, 화소전극(221)의 가장자리를 커버한다. 제2절연층(211)은 무기 절연물을 포함한다. 예컨대, 제2절연층(211)은 실리콘옥사이드 및/또는 실리콘나이트라이드를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층일 수 있다. 제2절연층(211)의 두께는 제1절연층(209)의 두께 보다 작게 형성될 수 있다.
중간층(222)은 발광층을 포함한다. 발광층은 소정의 색상의 빛을 방출하는 고분자 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 중간층(222)은 도 8에 도시된 바와 같이 발광층(222b)의 아래에 배치된 제1기능층(222a) 및/또는 발광층(222b)의 위에 배치된 제2기능층(222c)을 포함할 수 있다.
제1기능층(222a)은 단층 또는 다층일 수 있다. 예컨대 제1기능층(222a)이 고분자 물질로 형성되는 경우, 제1기능층(222a)은 단층구조인 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)으로서, 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT: poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나 폴리아닐린(PANI: polyaniline)으로 형성할 수 있다. 제1기능층(222a)이 저분자 물질로 형성되는 경우, 제1기능층(222a)은 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)과 홀 수송층(HTL)을 포함할 수 있다.
제2기능층(222c)은 언제나 구비되는 것은 아니다. 예컨대, 제1기능층(222a)과 발광층(222b)을 고분자 물질로 형성하는 경우, 유기발광다이오드(OLED)의 특성이 우수해지도록 하기 위해, 제2기능층(222c)을 형성하는 것이 바람직하다. 제2기능층(222c)은 단층 또는 다층일 수 있다. 제2기능층(222c)은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다.
중간층(222)을 이루는 복수의 층들 중 일부, 예컨대 기능층(들)은 표시영역(DA)뿐만 아니라 제1비표시영역(NDA1)에도 배치될 수 있으며, 제1비표시영역(NDA1)에서 후술할 제1 및 제2그루브(G1, G2)에 의해 단절된다.
대향전극(223)은 중간층(222)을 사이에 두고 화소전극(221)과 마주보도록 배치된다. 대향전극(223)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 대향전극(223)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(223)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다.
유기발광다이오드(OLED)는 박막봉지층(300)으로 커버된다. 박막봉지층(300)은 적어도 하나의 유기봉지층 및 적어도 하나의 무기봉지층을 포함할 수 있다. 도 7에는 박막봉지층(300)이 제1 및 제2무기봉지층(310, 330) 및 이들 사이에 개재된 유기봉지층(320)을 포함하는 것을 도시하고 있으나, 다른 실시예에서 적층 순서와 개수는 변경될 수 있다.
제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 타탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 아연옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 화학기상증착법(CVD) 등에 의해 형성될 수 있다. 유기봉지층(320)은 폴리머(polymer)계열의 소재를 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다.
도 7의 제1비표시영역(NDA1)을 참조하면, 제1비표시영역(NDA1)은 개구영역(RA)에서 상대적으로 먼 제1서브-비표시영역(SNDA1) 및 개구영역(RA)에 상대적으로 가까운 제2서브-비표시영역(SNDA2)을 포함할 수 있다.
제1서브-비표시영역(SNDA1)은 신호라인들이 지나는 영역으로서, 도 7의 도시된 데이터라인(DL)들은 도 5를 참조하여 설명한 개구영역(RA)을 우회하는 데이터라인들에 해당한다.
데이터라인(DL)들은 절연층을 사이에 두고 교번적으로 배치될 수 있다. 이웃한 데이터라인(DL)들은 절연층(예컨대, 제2층간절연층: 207)을 사이에 두고 아래와 위에 각각 배치됨으로써, 이웃한 데이터라인(DL)들 사이의 거리(피치)를 줄일 수 있으며, 이 경우 제1비표시영역(NDA1)의 폭을 줄일 수 있다. 도 7에는 제1서브-비표시영역(SNDA1)에 데이터라인(DL)들만 도시하고 있으나, 앞서 도 5를 참조하여 설명한 개구영역(RA)을 우회하는 스캔라인들도 제1서브-비표시영역(SNDA1)에 위치할 수 있다.
제2서브-비표시영역(SNDA2)은 개구(10H)를 통해 표시요소층(200)의 측면방향(x방향)으로 진행하는 측면 투습을 방지하기 위한 영역으로서, 제2서브-비표시영역(SNDA2)에는 제1 및 제2그루브(G1, G2)가 배치된다.
도 9a를 참조하면, 제1그루브(G1)는 다층 막(210)에 형성된다. 여기서, 다층 막(210)은 하부 절연층인 제1절연층(209) 및 상부 절연층인 제2절연층(211)을 포함할 수 있으며, 그 아래에는 다른 절연층들, 예컨대 버퍼층(201) 내지 제2층간절연층(207)들이 배치될 수 있다.
제1그루브(G1)는 다층 막(210)의 두께 방향을 따라 소정의 깊이를 갖도록 형성될 수 있다. 제1그루브(G1)는 제2절연층(211)의 일부 및 제1절연층(209)의 일부를 제거하여 형성할 수 있다. 제2절연층(211)의 일부 및 제1절연층(209)의 일부는 식각 공정을 통해 제거될 수 있다. 일 실시예로, 제1홀(209H)을 형성하기 위한 제1절연층(209)의 식각 공정과 제2홀(211H)을 형성하기 위한 제2절연층(211)의 식각 공정은 서로 개별적으로 수행될 수 있다.
제1절연층(209)의 제1홀(209H)의 제1폭(W1)은 제2절연층(211)의 제2홀(211H)의 제2폭(W2) 보다 크게 형성되며, 제1그루브(G1)는 하부의 폭이 상부의 폭 보다 큰 언더컷 구조를 가질 수 있다. 이와 관련하여 도 9a에 도시된 바와 같이, 제2홀(211H)을 향하는 제2절연층(211)의 내측벽(211IE)은 제1절연층의 내측벽(209IE) 보다 제1그루브(G1)의 중심을 향해 측방향(x방향)을 따라 제1거리(d)만큼 더 돌출된 것을 나타낸다. 제1거리(d)는 제1절연층(209)의 두께(t1)보다 작거나, 제1절연층(209)의 두께(t1) 이상일 수 있다. 제1거리(d)는 제1무기봉지층(310)의 두께 보다 크게 형성되거나, 제1 및 제2무기봉지층(310, 330)의 두께들의 합 보다 크게 형성될 수 있다. 일 실시예로, 약 2μm이거나 그 보다 크게 형성될 수 있다.
도 9a와 같이 다층 막(210)에 제1그루브(G)를 형성한 이후에 중간층(222) 및 대향전극(223)이 형성되는데, 중간층(222) 및 대향전극(223)은 제1그루브(G1)에 의해 단절될 수 있다. 이와 관련하여, 도 9b는 중간층(222)의 제1 및 제2기능층(222a, 222c) 및 대향전극(223)이 제1그루브(G1)에 의해 단절된 것을 도시한다.
도 9a에 도시된 바와 같이 제1그루브(G1)가 배치된 기판(100) 상에 중간층(222) 및 대향전극(223)이 형성된다. 중간층(222)을 이루는 복수의 층들 중 일부, 예컨대 제1 또는/및 제2기능층(222a, 222c)은 대향전극(223)과 마찬가지로 표시영역(DA) 및 제1비표시영역(NDA1)에 일체로 형성될 수 있는데, 제1비표시영역(NDA1)에는 제1그루브(G1)가 배치되므로 제1 또는/및 제2기능층(222a, 222c)은 제1그루브(G1)를 중심으로 단절될 수 있다. 마찬가지로, 대향전극(223)도 제1그루브(G1)를 중심으로 단절된다.
박막봉지층(300) 중 제1무기봉지층(310)은 중간층(222) 및 대향전극(223)과 달리 스텝 커버리지가 상대적으로 우수하므로, 도 9b에 도시된 바와 같이 제1그루브(G1)의 내측면을 전체적으로 커버할 수 있다. 제1무기봉지층(310)은 제1그루브(G1)의 언더컷 구조에 의해 단절되지 않은 채 연속적으로 형성된다. 예컨대, 제1무기봉지층(310)은 제2절연층(211)의 내측벽(211IE) 및 바닥면, 그리고 제1절연층(209)의 측면과 바닥면을 커버할 수 있다. 이 때, 제1무기봉지층(310)은 제1그루브(G1)를 통해 노출된 제2층간절연층(207)의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
기판(100) 상에 형성된 층들 중 유기물을 포함하는 층은 수분이나 산소와 같은 이물질의 투습 경로가 될 수 있으나, 제1그루브(G1)에 의해 유기 절연층인 제1절연층(209)ㅣ 단절되면서, 측방향(x방향)으로의 투습을 방지할 수 있다. 또한, 제1무기봉지층(310)이 제1그루브(G1)를 통해 노출된 무기 절연층인 제2층간절연층(207)과 직접 접촉하면서, 유기물을 갖는 층(들)이 모두 커버되므로 유기물을 갖는 층(들)을 통한 측방향으로의 투습을 차단할 수 있다.
제1무기봉지층(310)의 두께, 예컨대 기판(100)에 수직한 방향(z방향)으로의 두께는 제1절연층(209)의 두께(t1) 보다 작은 두께를 가질 수 있다. 제1그루브(G1) 중 일부는 제1무기봉지층(310) 상의 유기봉지층(320)으로 채워질 수 있다.
도 9a 및 도 9b는 제1그루브(G1)를 중심으로 한 구조를 설명하고있으나, 제2그루브(G2)도 제1그루브(G1)와 동일한 구조를 가질 수 있다.
도 7을 참조하면, 제2그루브(G2)도 하부의 폭이 상부의 폭보다 큰 언더컷 구조를 가지며, 그 구체적 구조는 앞서 도 9a를 참조하여 설명한 구조와 동일하다. 중간층(222) 및 대향전극(223)은 제1그루브(G1) 뿐만 아니라 제2그루브(G2)에 의해 단절될 수 있다. 제2그루브(G2)의 내측면이 제1무기봉지층(310)에 의해 전체적으로 커버되며, 제1무기봉지층(310)이 제2그루브(G2)를 통해 노출된 제2층간절연층(207)과 직접 접촉함으로써 유기물을 통한 투습 경로를 더욱 효과적으로 차단하는 점도 앞서 제1그루브(G1)를 참조하여 설명한 바와 같다.
제1그루브(G1)의 상부, 예컨대 제2절연층(211)의 제2홀(211H)에 제1무기봉지층(310) 및 유기봉지층(320)이 존재하는 것과 달리 제2그루브(G2)에는 유기봉지층(320)이 구비되지 않을 수 있다.
유기봉지층(320)은 기판(100) 상에 모노머 등을 도포한 후 이를 경화시켜 형성될 수 있는데, 유기봉지층(320)이 개구(10H)의 측면을 형성하는 경우 유기봉지층(320)을 통해 투습이 진행될 수 있다. 이를 방지하기 위하여, 유기봉지층(320) 중 일부, 예컨대 개구영역(RA)과 제1그루브(G1) 사이의 영역(HA)에 해당하는 부분을 에슁 등으로 제거할 수 있으며, 따라서 유기봉지층(320)의 단부(320E)는 제1그루브(G1)와 제2그루브(G2) 사이에 배치될 수 있다. 유기봉지층(320)의 단부(320E)가 제1 및 제2무기봉지층(310, 330)의 단부 보다 표시영역(DA) 측에 인접하게 배치되면서, 전술한 영역(HA)에서 제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 직접 접촉할 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 제2절연층(211) 상면 및 제2그루브(G2) 내에서도 서로 접촉할 수 있다.
유기봉지층(320)의 형성 공정에서 전술한 영역(HA)의 유기물이 제거될 때, 제2그루브(G2)에 존재하던 유기물도 에슁 공정에서 제거된다. 그러나, 제2그루브(G2)의 언더컷 구조에 제2절연층(211)의 처마 아래에는 유기 잔여물(325)이 남아있을 수 있다. 또 다른 실시예로, 에슁 공정의 조건 등에 따라 도 10에 도시된 바와 같이 제2그루브(G2)에는 유기 잔여물이 남아있지 않을 수 있다.
도 7 내지 도 10에서는 기판(100)에 개구가 형성된 구조를 도시하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되지 않음은 앞서 설명한 바와 같다. 도 7 내지 도 10을 참조하여 설명한 구조들 및 도 11 내지 도 16을 참조하여 후술할 구조들은 기판(100)에 개구가 형성되지 않은 실시 형태, 예컨대 도 2b 및 2d에 도시된 표시 패널 및 이로부터 파생되는 실시 형태에도 적용될 수 있음은 물론이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널을 나타낸 단면도이고, 도 12는 도 11의 개구영역 주변을 나타낸 평면도이며, 도 13은 도 12의 XIII-XIII'선에 따른 단면도이다. 도 3 내지 도 10을 참조하여 설명한 표시 패널(10)과 동일한 구성 및 구조에 대해서는 앞서 설명한 내용으로 갈음하고, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 표시 패널(10')의 개구영역(RA)은 표시영역(DA)에 의해 부분적으로 둘러싸일 수 있다. 개구영역(RA)을 중심으로 좌우에 화소(P)들이 이격되어 배치될 수 있다. 개구영역(RA)의 좌측의 화소(P)와 우측의 화소(P)에 스캔신호를 전달하는 스캔라인(SL)은 제1비표시영역(NDA1)에서 개구영역(RA) 주변을 우회할 수 있다.
개구영역(RA)은 제1 및 제2그루브(G1, G2)에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸일 수 있다. 일 실시예로, 도 12는 제1그루브(G1)가 개구영역(RA)의 일부를 둘러싸고, 제2그루브(G2)가 개구영역(RA)을 전체적으로 둘러싸는 것을 도시한다. 제1그루브(G1)는 개구영역(RA)의 일부를 둘러싸되 양 단이 제2비표시영역(NDA2)에 구비된 제3그루브(G3)와 연결될 수 있다. 제2그루브(G2)는 개구영역(RA)을 전체적으로 둘러싸되 제2비표시영역(NDA2)에 구비된 제4그루브(G4)와 연결될 수 있다. 제3 및 제4그루브(G3, G4)는 기판(100)의 가장자리를 따라 연장될 수 있다.
도 13에 도시된 제1서브-비표시영역(SNDA1)의 스캔라인(SL)들은 앞서 도 12를 참조하여 설명한 개구영역(RA)을 우회하는 스캔라인들에 해당한다. 스캔라인(SL)들과 개구영역(RA) 사이에는 제1 및 제2그루브(G1, G2)가 구비된다. 제1 및 제2그루브(G1, G2)의 구조 및 그 주변의 구성요소들은 앞서 설명한 바와 같으므로 생략한다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널을 나타낸 단면도이고, 도 15는 도 14의 개구영역 주변을 나타낸 평면도이며, 도 16은 도 15의 XVI-XVI'선에 따른 단면도이다. 도 3 내지 도 10을 참조하여 설명한 표시 패널(10)과 동일한 구성 및 구조에 대해서는 앞서 설명한 내용으로 갈음하고, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.
도 14및 도 15를 참조하면, 표시 패널(10'')의 개구영역(RA)은 표시영역(DA)에 의해 부분적으로 둘러싸일 수 있다. 개구영역(RA)을 중심으로 상하에 화소(P)들이 이격되어 배치될 수 있다. 개구영역(RA)의 상측의 화소(P)와 하측의 화소(P)에 데이터신호를 전달하는 데이터라인(DL)은 제1비표시영역(NDA1)에서 개구영역(RA) 주변을 우회할 수 있다.
개구영역(RA)은 제1 및 제2그루브(G1, G2)에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸일 수 있다. 일 실시예로, 도 15는 제1그루브(G1)가 개구영역(RA)의 일부를 둘러싸고, 제2그루브(G2)가 개구영역(RA)을 전체적으로 둘러싸는 것을 도시한다. 제1그루브(G1)는 개구영역(RA)의 일부를 둘러싸되 양 단이 제2비표시영역(NDA2)에 구비된 제3그루브(G3)와 연결될 수 있다. 제2그루브(G2)는 개구영역(RA)을 전체적으로 둘러싸되 제2비표시영역(NDA2)에 구비된 제4그루브(G4)와 연결될 수 있다. 제3 및 제4그루브(G3, G4)는 기판(100)의 가장자리를 따라 연장될 수 있다.
도 16에 도시된 제1서브-비표시영역(SNDA1)의 데이터라인(DL)들은 앞서 도 15를 참조하여 설명한 개구영역(RA)을 우회하는 데이터라인들에 해당한다. 데이터라인(DL)들과 개구영역(RA) 사이에는 제1 및 제2그루브(G1, G2)가 구비된다. 제1 및 제2그루브(G1, G2)의 구조 및 그 주변의 구성요소들은 앞서 설명한 바와 같으므로 생략한다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1: 표시 장치
10H: 개구
10: 패널
20: 전자요소
100: 기판
200: 표시요소층
209: 제1절연층
210: 다층 막
211: 제2절연층
300: 박막봉지층
310: 제1무기봉지층
320: 유기봉지층
330: 제2무기봉지층
G1: 제1그루브
G2: 제2그루브
RA: 개구영역
DA: 표시영역
NDA: 비표시영역
10H: 개구
10: 패널
20: 전자요소
100: 기판
200: 표시요소층
209: 제1절연층
210: 다층 막
211: 제2절연층
300: 박막봉지층
310: 제1무기봉지층
320: 유기봉지층
330: 제2무기봉지층
G1: 제1그루브
G2: 제2그루브
RA: 개구영역
DA: 표시영역
NDA: 비표시영역
Claims (25)
- 개구영역, 및 상기 개구영역을 적어도 부분적으로 둘러싸는 표시영역을 구비한 기판;
상기 표시영역에 배치되되, 화소전극, 상대전극 및 이들 사이에 개재되는 중간층을 각각 포함하는 복수의 표시요소들;
상기 기판과 상기 화소전극 사이에 배치되는 제1절연층, 및 상기 제1절연층 상에 배치되며 상기 제1절연층과 다른 물질을 구비하는 제2절연층을 포함하는 다층 막; 및
상기 복수의 표시요소들을 커버하며, 적어도 하나의 유기봉지층과 적어도 하나의 무기봉지층을 포함하는 박막봉지층;
을 포함하며,
상기 다층 막은 상기 개구영역과 상기 표시영역 사이에 위치하는 제1그루브를 포함하며, 상기 제1그루브는 상기 제1그루브의 하부의 폭이 상부의 폭 보다 큰 언더컷 구조를 갖는, 표시 패널. - 제1항에 있어서,
상기 제1절연층은 유기절연층이고 상기 제2절연층은 무기절연층인, 표시 패널. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 화소전극은 상기 제1절연층의 상면과 접촉하고, 상기 화소전극의 단부는 상기 제2절연층으로 커버되는, 표시 패널. - 제1항에 있어서,
상기 박막봉지층은, 순차적으로 적층된 제1무기봉지층, 유기봉지층, 및 제2무기봉지층을 포함하는, 표시 패널. - 제1항에 있어서,
상기 적어도 하나의 무기봉지층은 상기 제1그루브의 내측면을 커버하는, 표시 패널. - 제1항에 있어서,
상기 다층 막 아래에 배치된 제3절연층을 더 포함하며,
상기 적어도 하나의 무기봉지층은 상기 제1그루브를 통해 상기 제3절연층과 직접 접촉하는, 표시 패널. - 제6항에 있어서,
상기 제3절연층은 무기 절연층인, 표시 패널. - 제1항에 있어서,
상기 적어도 하나의 유기봉지층은 상기 제1그루브를 채우는, 표시 패널. - 제1항에 있어서,
상기 다층 막은 상기 제1그루브와 인접한 제2그루브를 더 포함하되, 상기 제2그루브는 상기 제1그루브 보다 상기 개구영역에 더 가까운, 표시 패널. - 제9항에 있어서,
상기 적어도 하나의 유기봉지층의 단부는, 상기 제1그루브와 상기 제2그루브 사이에 위치하는, 표시 패널. - 제1항에 있어서,
상기 기판 및 상기 박막봉지층은 각각 상기 개구영역과 대응하는 개구를 포함하는, 표시 패널. - 개구를 갖는 기판;
상기 기판 상에 배치되고, 상기 개구를 둘러싸며, 화소전극, 상대전극 및 이들 사이에 개재되는 중간층을 각각 포함하는, 복수의 표시요소들;
상기 기판과 상기 화소전극 사이에 배치되는 제1절연층, 및 상기 제1절연층 상의 제2절연층을 포함하는 다층 막; 및
상기 복수의 표시요소들을 커버하는 봉지층;
을 포함하며,
상기 다층 막은 상기 개구를 둘러싸며 상기 다층 막의 깊이 방향으로 오목한 제1그루브를 포함하며, 상기 제1그루브는 상기 제1그루브의 하부의 폭이 상부의 폭 보다 큰 언더컷 구조를 갖는, 표시 패널. - 제12항에 있어서,
상기 제1절연층은 상기 화소전극의 바로 아래에 위치하고, 상기 제2절연층은 상기 화소전극의 가장자리를 커버하는, 표시 패널. - 제12항 또는 제13항에 있어서,
상기 제1절연층은 유기절연층이고 상기 제2절연층은 무기절연층인, 표시 패널. - 제12항에 있어서,
상기 봉지층은 적어도 하나의 무기봉지층 및 적어도 하나의 유기봉지층을 포함하는, 표시 패널. - 제15항에 있어서,
상기 적어도 하나의 무기봉지층은 상기 제1그루브의 내측면을 전체적으로 커버하며, 상기 제1절연층 아래의 무기 절연층과 직접 접촉하는, 표시 패널. - 제12항에 있어서,
상기 중간층 및 상기 봉지층은 상기 제1그루브를 중심으로 단절된, 표시 패널. - 제12항에 있어서,
상기 제1그루브는 상기 제1절연층의 제1홀 및 상기 제2절연층의 제2홀에 의해 정의되며,
상기 제2홀을 향하는 상기 제2절연층의 내측벽은, 상기 제1홀을 향하는 상기 제1절연층의 내측벽 보다 상기 제1그루브의 중심을 향해 더 돌출된, 표시 패널. - 제18항에 있어서,
상기 제2절연층의 상기 내측벽은 상기 제1절연층의 상기 내측벽 보다 2μm 이상 더 돌출된, 표시 패널. - 제12항에 있어서,
상기 표시요소들 각각은 유기발광다이오드를 포함하는, 표시 패널. - 개구영역, 및 상기 개구영역을 적어도 부분적으로 둘러싸는 표시영역을 구비한 기판;
상기 표시영역에 배치되되, 화소전극, 상대전극 및 이들 사이에 개재되는 중간층을 각각 포함하는 복수의 표시요소들;
상기 기판과 상기 화소전극 사이에 배치되는 유기절연층, 및 상기 유기절연층 상에 배치된 무기절연층을 포함하는 다층 막; 및
상기 복수의 표시요소들을 커버하며, 적어도 하나의 유기봉지층과 적어도 하나의 무기봉지층을 포함하는 박막봉지층;
을 포함하며,
상기 다층 막은 상기 개구영역과 상기 표시영역 사이에 위치하며 언더컷 구조를 갖는 제1그루브를 포함하는, 표시 장치. - 제21항에 있어서,
상기 개구영역과 대응하는 전자요소를 더 포함하는, 표시 장치. - 제22항에 있어서,
상기 전자요소는 빛이나 음향을 이용하는 전자요소를 포함하는, 표시 장치. - 제21항에 있어서,
상기 적어도 하나의 무기봉지층은 상기 제1그루브를 통해 상기 유기절연층 아래의 절연층과 직접 접촉하는, 표시 장치. - 제24항에 있어서,
상기 다층 막은 상기 개구영역과 상기 제1그루브 사이에 위치하는 제2그루브를 더 포함하며, 상기 적어도 하나의 유기봉지층의 단부는 상기 제1그루브와 상기 제2그루브 사이에 위치하는, 표시 장치.
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