KR20180025382A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 183
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 466
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 32
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 22
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 19
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 12
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 9
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 36
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 36
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 26
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 24
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 22
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 17
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 17
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 17
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 10
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 9
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 description 9
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 9
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 8
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 8
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 8
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 8
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 8
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- JFWLFXVBLPDVDZ-UHFFFAOYSA-N [Ru]=O.[Sr] Chemical compound [Ru]=O.[Sr] JFWLFXVBLPDVDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 229910006854 SnOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010421 TiNx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H01L27/3276—
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H01L27/3246—
-
- H01L27/3258—
-
- H01L27/3262—
-
- H01L51/5203—
-
- H01L51/5206—
-
- H01L51/5237—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H01L2251/301—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
Abstract
유기 발광 표시 장치는 표시 영역 및 패드 영역을 포함하는 기판, 기판 상의 표시 영역에 배치되는 표시 구조물, 기판 상의 패드 영역에 배치되는 패드 전극 구조물을 포함하며, 패드 전극 구조물은 기판 상에 배치되는 제1 패드 전극, 제1 패드 전극의 양측부를 덮으며 제1 패드 전극의 상면의 일부를 노출시키는 제1 절연층, 제1 패드 전극 및 제1 절연층 상에 배치되고, 제1 패드 전극과 제1 절연층이 중첩되는 부분에서 단차부를 갖는 제2 패드 전극 및 제2 패드 전극 및 제1 절연층 상에 배치되고, 제2 패드 전극을 덮는 제3 패드 전극을 포함할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치는 하부 전극이 형성되는 과정에서 사용되는 식각액으로부터 제2 패드 전극을 보호할 수 있는 유기 발광 표시 장치로 기능할 수 있다.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 패드 전극 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
평판 표시 장치는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치를 대체하는 표시 장치로서 사용되고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로서 액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치가 있다. 이 중, 유기 발광 표시 장치는 액정 표시 장치에 비하여 휘도 특성 및 시야각 특성이 우수하고 백라이트를 필요로 하지 않아 초박형으로 구현할 수 있다는 장점이 있다. 이러한 유기 발광 표시 장치는 유기 박막에 음극과 양극을 통하여 주입된 전자와 정공이 재결합하여 여기자를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생되는 현상을 이용한다.
유기 발광 표시 장치의 일 부분에는 패드 전극들이 배치될 수 있고, 상기 패드 전극들을 통해 외부 장치와 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 상기 외부 장치로부터 스캔 신호, 데이터 신호, 발광 신호, 전원 전압 등을 제공 받을 수 있다. 한편, 상기 패드 전극을 형성하는 제조 공정에 있어서, 유기 발광 표시 장치에 포함된 애노드 전극을 형성하기 위한 식각액에 의해 상기 패드 전극들이 손상되는 문제점이 발생되고 있다.
본 발명의 목적은 패드 전극 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 상술한 목적에 의해 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 영역 및 패드 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상의 표시 영역에 배치되는 표시 구조물, 상기 기판 상의 패드 영역에 배치되는 패드 전극 구조물을 포함하며, 상기 패드 전극 구조물은 상기 기판 상에 배치되는 제1 패드 전극, 상기 제1 패드 전극의 양측부를 덮으며 상기 제1 패드 전극의 상면의 일부를 노출시키는 제1 절연층, 상기 제1 패드 전극 및 상기 제1 절연층 상에 배치되고, 상기 제1 패드 전극과 상기 제1 절연층이 중첩되는 부분에서 단차부를 갖는 제2 패드 전극 및 상기 제2 패드 전극 및 상기 제1 절연층 상에 배치되고, 상기 제2 패드 전극을 덮는 제3 패드 전극을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 패드 전극 구조물은 상기 제3 패드 전극의 양측부를 덮은 제2 절연층을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제3 패드 전극의 단부가 노출되지 않도록 상기 제2 절연층은 상기 제3 패드 전극의 일부 및 상기 제1 절연층 상에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판으로부터 상기 제2 절연층의 상면까지의 높이는 상기 기판으로부터 상기 단차부에 위치하는 상기 제3 패드 전극의 상면까지의 높이보다 작을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 구조물은 상기 기판 상의 표시 영역에 배치되는 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 배치되는 발광층 및 상기 발광층 상에 배치되는 상부 전극을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부 전극과 상기 제3 패드 전극은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판과 상기 표시 구조물 사이에 배치되는 평탄화층 및 상기 평탄화층 상에 배치되고, 상기 하부 전극의 양측부를 덮는 화소 정의막을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 화소 정의막 및 상기 제2 절연층은 동일한 물질을 포함하고 동시에 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 패드 전극이 노출되지 않도록 상기 제3 패드 전극의 단부는 상기 제1 절연층 상에 접촉할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 패드 전극 및 상기 제3 패드 전극 각각은 복수의 전극층들을 포함하는 적층 전극 구조를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 패드 전극은 티타늄/알루미늄/티타늄으로 구성된 적층 전극 구조를 갖고, 상기 제3 패드 전극은 인듐 주석 산화물/은/인듐 주석 산화물로 구성된 적층 전극 구조를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판과 상기 표시 구조물 사이에 배치되는 반도체 소자를 더 포함하고, 상기 반도체 소자는 상기 기판 상의 표시 영역에 배치되는 액티브층, 상기 기판 상의 표시 영역에서 상기 액티브층을 덮으며 상기 패드 영역으로 연장하는 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 상에 배치되는 게이트 전극, 상기 게이트 절연층 상의 표시 영역에서 상기 게이트 전극을 덮으며 상기 패드 영역으로 연장하는 층간 절연층 및 상기 층간 절연층 상에 배치되는 소스 및 드레인 전극들을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 게이트 전극은 상기 제1 패드 전극과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성되고, 상기 소스 및 드레인 전극들은 상기 제2 패드 전극과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 게이트 절연층은 상기 패드 영역에서 상기 제1 절연층으로 정의되고, 상기 층간 절연층은 상기 패드 영역에서 상기 제2 절연층으로 정의될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판 상의 표시 영역에 배치되고, 상기 기판과 대향하는 봉지 기판을 더 포함하고, 상기 기판 및 상기 봉지 기판은 경질의 재료를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 패드 전극 구조물은 상기 제1 패드 전극과 상기 제2 패드 전극 사이에 배치되는 제4 패드 전극을 더 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 영역 및 패드 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상의 표시 영역에 배치되는 표시 구조물, 상기 기판 상의 패드 영역에 배치되는 패드 전극 구조물을 포함하며, 상기 패드 전극 구조물은 상기 기판 상에 배치되는 제1 패드 전극, 상기 제1 패드 전극의 양측부를 덮으며 상기 제1 패드 전극의 상면의 일부를 노출시키는 제1 절연층, 상기 제1 패드 전극 및 상기 제1 절연층 상에 배치되고, 상기 제1 패드 전극과 상기 제1 절연층이 중첩되는 부분에서 단차부를 갖는 제2 패드 전극 및 상기 제2 패드 전극의 양측부를 덮고, 상기 제2 패드 전극의 단부가 노출되지 않도록 상기 제2 패드 전극의 일부 및 상기 제1 절연층 상에 배치되는 제2 절연층을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판으로부터 상기 제2 절연층의 상면까지의 높이는 상기 기판으로부터 상기 단차부에 위치하는 제2 패드 전극의 상면까지의 높이보다 작을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판과 상기 표시 구조물 사이에 배치되는 반도체 소자를 더 포함하고, 상기 반도체 소자는 상기 기판 상의 표시 영역에 배치되는 액티브층, 상기 기판 상의 표시 영역에서 상기 액티브층을 덮으며 상기 패드 영역으로 연장하고, 상기 단차부가 형성되도록 상기 기판 상의 패드 영역의 일부에 배치되는 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 상에 배치되는 게이트 전극, 상기 게이트 절연층 상의 표시 영역에서 상기 게이트 전극을 덮으며 상기 패드 영역으로 연장하는 층간 절연층, 상기 층간 절연층 상에 배치되는 소스 및 드레인 전극들을 포함하며, 상기 게이트 전극은 상기 제1 패드 전극과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성되고, 상기 소스 및 드레인 전극들은 상기 제2 패드 전극과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성되며, 상기 게이트 절연층은 상기 패드 영역에서 상기 제1 절연층으로 정의될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 층간 절연층 상에 배치되며 상기 소스 및 드레인 전극들을 덮는 평탄화층을 더 포함하고, 상기 평탄화층 및 상기 제2 절연층은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 패드 전극 구조물을 포함할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치는 하부 전극이 형성되는 과정에서 사용되는 식각액으로부터 제2 패드 전극을 보호할 수 있는 유기 발광 표시 장치로 기능할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치와 전기적으로 연결된 외부 장치를 설명하기 위한 블럭도이다.
도 3은 도 1의 유기 발광 표시 장치를 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 도 1의 유기 발광 표시 장치를 II-II'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 5는 도 1의 유기 발광 표시 장치에 포함된 제2 패드 전극 및 제3 패드 전극을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6 내지 도 16은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 17은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 18은 도 17의 유기 발광 표시 장치에 포함된 패드 전극 구조물을 설명하기 위한 단면도이다.
도 19는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 20은 도 19의 유기 발광 표시 장치에 포함된 패드 전극 구조물을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치와 전기적으로 연결된 외부 장치를 설명하기 위한 블럭도이다.
도 3은 도 1의 유기 발광 표시 장치를 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 도 1의 유기 발광 표시 장치를 II-II'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 5는 도 1의 유기 발광 표시 장치에 포함된 제2 패드 전극 및 제3 패드 전극을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6 내지 도 16은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 17은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 18은 도 17의 유기 발광 표시 장치에 포함된 패드 전극 구조물을 설명하기 위한 단면도이다.
도 19는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 20은 도 19의 유기 발광 표시 장치에 포함된 패드 전극 구조물을 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다. 첨부한 도면들에 있어서, 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 평면도이고, 도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치와 전기적으로 연결된 외부 장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 표시 영역(10) 및 패드 영역(20)을 포함할 수 있다. 표시 영역(10)에는 복수의 화소들(PX)이 배치될 수 있고, 표시 영역(10)의 일 측에는 패드 영역(20)이 위치할 수 있다. 패드 영역(20)에는 외부 장치와 전기적으로 연결되는 패드 전극 구조물(300)이 배치될 수 있다.
표시 영역(10)은 광이 방출되는 발광 영역(30) 및 발광 영역(30)을 둘러싸는 주변 영역(40)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 광을 방출하는 화소들(PX)(예를 들어, 표시 구조물들)은 발광 영역(30)에 배치될 수 있고, 주변 영역(40)에는 복수의 배선들이 배치될 수 있다. 화소(PX)들은 영상 이미지를 표시할 수 있고, 상기 배선들은 패드 전극 구조물(300)과 화소들(PX)을 전기적으로 연결시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 배선들은 데이터 신호 배선, 스캔 신호 배선, 발광 신호 배선, 전원 전압 배선 등을 포함할 수 있다. 또한, 주변 영역(40)에는 스캔 드라이버, 데이터 드라이버 등이 배치될 수도 있다.
다만, 도 1에서 발광 영역(30)을 둘러싸는 주변 영역(40)의 폭이 동일한 것으로 도시되어 있으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 주변 영역(40)은 제1 방향(1D)으로 연장하는 표시 영역 및 제2 방향(D2)으로 연장하는 패드 영역을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 주변 영역(40)의 표시 영역은 발광 영역(30)의 양측부에 인접하여 위치할 수 있고, 주변 영역(40)의 패드 영역은 발광 영역(30)의 상부 및 패드 영역(20)과 인접하여 위치할 수 있다. 여기서, 상기 표시 영역의 제2 방향(D2)으로 연장하는 폭은 상기 패드 영역의 제1 방향(D1)으로 연장하는 폭보다 상대적으로 작을 수도 있다. 여기서, 제1 방향(D1)은 유기 발광 표시 장치(100)의 상면에 평행한 방향일 수 있고, 제2 방향(D2)은 제1 방향(D1)과 직교하는 방향일 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 패드 전극 구조물(300) 및 주변 영역(40)에 배치된 상기 복수의 배선들을 통해 발광 영역(30)에 배치된 화소(PX)들과 패드 전극 구조물(300)에 전기적으로 연결된 외부 장치(101)를 전기적으로 연결시킬 수 있다. 예를 들면, 외부 장치(101)는 유기 발광 표시 장치(100)와 연성 인쇄 회로 기판을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 외부 장치(101)는 데이터 신호, 스캔 신호, 발광 신호, 전원 전압 등을 유기 발광 표시 장치(100)에 제공할 수 있다. 또한, 상기 연성 인쇄 회로 기판에는 구동 집적 회로가 실장될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 구동 집적 회로가 패드 전극 구조물(300)과 인접하여 패드 영역(20)에 실장될 수도 있다.
다만, 유기 발광 표시 장치(100)가 패드 영역(20)에 10개의 패드 전극 구조물(300)을 포함하는 구성으로 설명하였지만, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 유기 발광 표시 장치(100)는 복수의 패드 전극 구조물(300)을 포함할 수도 있다.
도 3은 도 1의 유기 발광 표시 장치를 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이고, 도 4는 도 1의 유기 발광 표시 장치를 II-II'라인을 따라 절단한 단면도이며, 도 5는 도 1의 유기 발광 표시 장치에 포함된 제2 패드 전극 및 제3 패드 전극을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3, 도 4 및 도 5를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(110), 반도체 소자(250), 패드 전극 구조물(300), 평탄화층(270), 표시 구조물(200), 화소 정의막(310), 봉지 기판(350) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 게이트 전극(170), 층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있고, 표시 구조물(200)은 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함할 수 있다. 또한, 패드 전극 구조물(300)은 제1 패드 전극(175), 제1 절연층(195), 제2 패드 전극(240), 제3 패드 전극(295) 및 제2 절연층(315)을 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(100)는 복수의 화소들(PX)을 포함하는 표시 영역(10) 및 패드 전극 구조물(300)을 포함하는 패드 영역(20)을 포함할 수 있다.
기판(110)이 제공될 수 있다. 상의 표시 영역(10)에는 반도체 소자(250) 및 표시 구조물(200) 등이 배치될 수 있고, 패드 영역(20)에는 패드 전극 구조물(300)이 배치될 수 있다. 기판(110)은 투명한 재료를 포함할 수 있다. 예를 들면, 기판(110)은 석영 기판, 합성 석영(synthetic quartz) 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz) 기판, 소다라임(sodalime) 유리 기판, 무알칼리(non-alkali) 유리 기판 등을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 기판(110)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수 있다. 기판(110)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이러한 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 폴리이미드 기판은 경질의 유리 기판 상에 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층 및 제2 폴리이미드층이 적층된 구성을 가질 수 있다. 상기 폴리이미드 기판의 제2 폴리이미드층 상에 절연층(예를 들어, 버퍼층)을 배치한 후, 상기 절연층 상에 상부 구조물(예를 들어, 반도체 소자(250) 및 표시 구조물(200) 등)이 배치될 수 있다. 이러한 상부 구조물의 형성 후, 상기 경질의 유리 기판이 제거될 수 있다. 즉, 상기 폴리이미드 기판은 얇고 플렉서블하기 때문에, 상기 폴리이미드 기판 상에 상기 상부 구조물을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 상기 경질의 유리 기판을 이용하여 상기 상부 구조물을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 상기 폴리이미드 기판이 기판(110)으로 이용될 수 있다. 유기 발광 표시 장치(100)가 표시 영역(10) 및 패드 영역(20)을 구비함에 따라, 기판(110)도 표시 영역(10) 및 패드 영역(20)으로 구분될 수 있다.
기판(110) 상에는 버퍼층(도시되지 않음)이 배치될 수도 있다. 상기 버퍼층은 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 버퍼층은 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브층(130)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브층(130)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층은 기판(110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 기판(110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 기판(110)의 유형에 따라 기판(110) 상에 두 개 이상의 버퍼층이 제공될 수 있거나 상기 버퍼층이 배치되지 않을 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다.
기판(110) 상에 액티브층(130)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 액티브층(130)은 기판(110) 상의 표시 영역(10)에 배치될 수 있고, 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들면, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)) 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다.
액티브층(130) 상에는 게이트 절연층(150)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(150)은 표시 영역(10)에서 액티브층(130)을 덮을 수 있으며, 기판(110) 상에서 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 여기서, 제1 방향(D1)은 기판(110)의 상면에 평행한 방향일 수 있다. 즉, 게이트 절연층(150)은 기판(110) 상의 표시 영역(10)및 패드 영역(20)에서 전체적으로 배치될 수 있다. 게이트 절연층(150)은 액티브층(130)을 덮으며, 균일한 두께로 액티브층(130)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로, 게이트 절연층(150)은 액티브층(130)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층(130)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 게이트 절연층(150)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(150)이 표시 영역(10)에만 배치되고, 패드 영역(20)을 노출시킬 수도 있다.
게이트 전극(170)은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 액티브층(130)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 게이트 전극(170)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
게이트 절연층(150) 상의 패드 영역(20)에 제1 패드 전극(175)이 배치될 수 있다. 제1 패드 전극(175)은 주변 영역(40)(도 1 참조)에 배치되는 배선과 전기적으로 연결될 수 있고, 주변 영역(40)으로부터 패드 영역(20)으로의 방향인 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 즉, 외부 장치(101)(도 2 참조)는 데이터 신호, 스캔 신호, 발광 신호, 전원 전압 등을 제1 패드 전극(175)을 통해 주변 영역(40)의 상기 배선들에게 제공할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 전극(170)과 제1 패드 전극(175)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 패드 전극(175)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 몰리브데늄(Mo), 스칸듐(Sc), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SrRuxOy), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 패드 전극(175)은 복수의 층들로 구성될 수도 있다.
게이트 전극(170) 상에는 층간 절연층(190)이 배치될 수 있다. 층간 절연층(190)은 표시 영역(10)에서 게이트 전극(170)을 덮을 수 있으며, 기판(110) 상에서 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 층간 절연층(190)은 게이트 전극(170)을 덮으며, 균일한 두께로 게이트 전극(170)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 즉, 층간 절연층(190)은 기판(110) 상의 표시 영역(10)에서 전체적으로 배치될 수 있다. 선택적으로, 층간 절연층(190)은 게이트 전극(170)을 충분히 덮을 수 있으며, 게이트 전극(170)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 층간 절연층(190)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 층간 절연층(190) 실리콘 화합물, 금속 산화물 등과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다.
제1 패드 전극(175) 상에는 제1 절연층(195)이 배치될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 절연층(195)은 제1 패드 전극(175)의 양측부를 덮을 수 있으며, 제1 패드 전극(175)의 상면의 일부를 노출시킬 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 층간 절연층(190) 및 제1 절연층(195)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 즉, 층간 절연층(190)은 패드 영역(20)에서 제1 절연층(195)으로 정의될 수 있다. 예를 들면, 제1 절연층(195)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 알루미늄 산화물(AlOx), 알루미늄 질화물(AlNx), 탄탈륨 산화물(TaOx), 하프늄 산화물(HfOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx) 등을 포함할 수 있다.
층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에는 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 배치될 수 있다. 소스 전극(230) 및 드레인 전극(210)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀들을 통하여 액티브층(130)의 일측 및 타측에 각각 접속될 수 있다. 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이와 같이, 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 게이트 전극(170), 층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함하는 반도체 소자(250)가 배치될 수 있다.
다만, 유기 발광 표시 장치(100)의 상기 반도체 소자가 상부 게이트 구조로 구성되는 것으로 설명하였지만, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 반도체 소자는 하부 게이트 구조로 구성될 수도 있다.
제2 패드 전극(240)은 제1 패드 전극(175) 및 제1 절연층(195) 상의 패드 영역(20)에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 패드 전극(240)은 제1 패드 전극(175)과 제1 절연층(195)이 중첩되는 부분에서 단차부(305)를 포함할 수 있다. 즉, 제2 패드 전극(240)은 제1 패드 전극(175)과 직접적으로 접촉할 수 있고, 제1 절연층(195)의 상면의 일부와 직접적으로 접촉할 수 있다. 또한, 제2 패드 전극(240), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 패드 전극(240)은 금, 은, 알루미늄, 백금, 니켈, 티타늄, 팔라듐, 마그네슘, 칼슘, 리튬, 크롬, 탄탈륨, 몰리브데늄, 스칸듐, 네오디뮴, 이리듐, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 패드 전극(240)은 복수의 층들로 구성될 수도 있다. 예를 들면, 제2 패드 전극(240)은 티타늄/알루미늄/티타늄(Ti/Al/Ti)으로 구성된 적층 전극 구조를 가질 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 제2 패드 전극(240)은 제1 적층 전극층(241), 제2 적층 전극층(242) 및 제3 적층 전극층(243)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 적층 전극층(241) 및 제3 적층 전극층(243)은 티타늄으로 구성될 수 있고, 제2 적층 전극층(242)은 알루미늄으로 구성될 수 있다. 또한, 제1 적층 전극층(241) 및 제3 적층 전극층(243)은 제1 두께를 가질 수 있고, 제2 적층 전극층(242)은 제2 두께를 가질 수 있으며, 상기 제1 두께는 상기 제2 두께보다 작을 수 있다.
도 3 및 도 4를 다시 참조하면, 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 상에는 평탄화층(270)이 배치될 수 있다. 평탄화층(270)은 표시 영역(10)에서 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 덮으며, 층간 절연층(190) 상에서 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 즉, 평탄화층(270)은 층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에서 전체적으로 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 배치될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(270)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(270)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(270)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 선택적으로, 평탄화층(270)은 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 덮으며, 균일한 두께로 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 평탄화층(270)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어 질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
하부 전극(290)은 평탄화층(270) 상의 표시 영역(10)에 배치될 수 있다. 하부 전극(290)은 평탄화층(270)의 일부를 관통하여 드레인 전극(230)에 접속될 수 있다. 또한, 하부 전극(290)은 반도체 소자(250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 하부 전극(290)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
제3 패드 전극(295)은 패드 영역(20)에서 제1 절연층(195) 및 제2 패드 전극(240) 상에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 패드 전극(240)이 노출되지 않도록 제3 패드 전극(295)은 제2 패드 전극(240)을 완전히 커버할 수 있다. 예를 들면, 제3 패드 전극(295)은 제2 패드 전극(240)을 완전히 커버하도록 제3 패드 전극(295)의 단부는 제1 절연층(195)의 상면의 일부와 접촉할 수 있다. 또한, 제3 패드 전극(295) 및 하부 전극(290)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 제3 패드 전극(295)은 금, 은, 알루미늄, 백금, 니켈, 티타늄, 팔라듐, 마그네슘, 칼슘, 리튬, 크롬, 탄탈륨, 몰리브데늄, 스칸듐, 네오디뮴, 이리듐, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제3 패드 전극(295)은 복수의 층들로 구성될 수도 있다. 예를 들면, 제3 패드 전극(295)은 인듐 주석 산화물/은/인듐 주석 산화물(ITO/Ag/ITO)로 구성된 적층 전극 구조를 가질 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 제3 패드 전극(295)은 제4 적층 전극층(296), 제5 적층 전극층(297) 및 제6 적층 전극층(298)을 포함할 수 있다. 여기서, 제4 적층 전극층(296) 및 제6 적층 전극층(298)은 인듐 주석 산화물로 구성될 수 있고, 제5 적층 전극층(297)은 은으로 구성될 수 있다. 또한, 제4 적층 전극층(296) 및 제6 적층 전극층(298)은 제3 두께를 가질 수 있고, 제5 적층 전극층(297)은 제4 두께를 가질 수 있으며, 상기 제3 두께는 상기 제4 두께보다 작을 수 있다.
예를 들면, 예비 전극막이 기판(110) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 표시 영역(10)에서는 평탄화층(270) 상에 상기 예비 전극막이 형성될 수 있고, 패드 영역(20)에는 제1 절연층(195) 및 제2 패드 전극(240) 상에 형성될 수 있다. 하부 전극(290) 및 제3 패드 전극(295)이 형성되는 부분 상에 포토레지스트가 배치될 수 있고, 식각액을 통해 상기 예비 전극막이 식각될 수 있다. 이러한 경우, 제2 패드 전극(240)을 제3 패드 전극(295)이 완전히 커버하기 때문에 상기 식각액으로부터 제2 패드 전극(240)이 보호될 수 있다. 한편, 패드 영역(20)에서 제3 패드 전극(295)이 제2 패드 전극(240)을 커버하지 않는 경우, 상기 습식 식각 공정에서 하부 전극(290)으로부터 생성된 은 이온들이 제2 패드 전극(240)의 티타늄과 반응하여 제2 패드 전극(240)이 손상될 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치(100)의 신뢰성 검사 단계에서, 패드 전극 구조물들(300)이 서로 단락될 수 있다. 따라서, 상기 식각액으로부터 제2 패드 전극(240)의 손상을 방지하기 위해 제3 패드 전극(295)이 제2 패드 전극(240)을 완전히 커버될 수 있다.
화소 정의막(310)은 평탄화층(270) 상의 표시 영역(10)에서 하부 전극(290)의 일부를 노출시킬 수 있다. 화소 정의막(310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(310)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
제2 절연층(315)은 패드 영역(20)에서 제3 패드 전극(295)의 양측부를 덮을 수 있다. 예를 들면, 제3 패드 전극(295)의 단부가 노출되지 않도록 제2 절연층(315)은 제3 패드 전극(295)의 일부 및 제1 절연층(195) 상에 배치될 수 있다. 즉, 제2 절연층(315)은 제3 패드 전극(295)의 단부를 보호하기 위해 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 절연층(315) 및 화소 정의막(310)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 절연층(315)은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지 등을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 기판(110)으로부터 제2 절연층(315)의 상면까지의 제1 높이(예를 들어, 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)과 수직하는 제3 방향(D3)으로 연장하는 높이)는 기판(110)으로부터 단차부(305) 상에 배치되는 제3 패드 전극(295)의 상면까지의 제2 높이보다 작을 수 있다. 예를 들면, 외부 장치(101)와 패드 전극 구조물(300)이 전기적으로 연결되기 위해 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film: ACF)을 사용하여 패드 전극 구조물(300)과 상기 이방성 도전 필름이 본딩될 수 있다. 여기서 상기 이방성 도전 필름에 포함된 도전볼이 제3 패드 전극(295)의 상면과 용이하게 접촉되도록 상기 제1 높이가 상기 제2 높이보다 작을 수 있다. 따라서, 외부 장치(101)와 패드 전극 구조물(300)이 전기적으로 연결될 수 있다. 이와는 달리, 상기 제1 높이가 상기 제2 높이보다 클 경우, 상기 도전볼이 제2 절연층(315)에 의해 제3 패드 전극(295)과 접촉되지 않을 수 있고, 외부 장치(101)와 패드 전극 구조물(300)이 전기적으로 연결되지 않을 수 있다.
전술한 바와 같이, 화소 정의막(310)과 제2 절연층(315)은 동시에 형성될 수 있다. 다만, 화소 정의막(310)의 두께(예를 들어, 제3 방향(D3)으로 연장되는 두께)와 제2 절연층(315)의 두께는 서로 다를 수 있다. 예를 들면, 제2 절연층(315)이 상기 제1 높이를 갖기 위해 하프톤 마스크를 이용하여 형성될 수 있다. 따라서, 화소 정의막(310)의 두께보다 제2 절연층(315)의 두께가 상대적으로 작을 수 있다.
이에 따라, 제1 패드 전극(175), 제1 절연층(195), 제2 패드 전극(240), 제3 패드 전극(295) 및 제2 절연층(315)을 포함하는 패드 전극 구조물(300)이 배치될 수 있다.
발광층(330)은 화소 정의막(310)에 의해 일부가 노출된 하부 전극(290) 상에 배치될 수 있다. 발광층(330)은 유기 발광층(EL), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 발광층(330)의 유기 발광층(EL)은 서브 화소들에 따라 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(330)의 유기 발광층(EL)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수 있다. 이러한 경우, 발광층(330) 상에 컬러 필터가 배치될 수 있다. 상기 컬러 필터는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 청색 컬러 필터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 선택적으로, 상기 컬러 필터는 황색(Yellow) 컬러 필터, 청남색(Cyan) 컬러 필터 및 자주색(Magenta) 컬러 필터를 포함할 수도 있다. 상기 컬러 필터는 감광성 수지로 구성될 수 있다.
상부 전극(340)은 화소 정의막(310) 및 발광층(330) 상에 배치될 수 있다. 상부 전극(340)은 표시 영역(10)에서 화소 정의막(310) 및 발광층(330)을 덮을 수 있으며 기판(110) 상에서 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 즉, 상부 전극(340)은 기판(110) 상의 표시 영역(10)에 전체적으로 배치될 수 있다. 상부 전극(340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이에 따라, 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함하는 표시 구조물(200)이 배치될 수 있다.
상부 전극(340) 상에 봉지 기판(350)이 배치될 수 있다. 봉지 기판(350)은 실질적으로 기판(110)과 동일한 재료를 포함할 수 있다. 예를 들면, 봉지 기판(350)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 또는 불소가 도핑된 석영 기판, 소다 라임 유리 기판, 무알칼리 유리 기판 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 봉지 기판(350)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 봉지 기판(350)은 연성을 갖는 투명 수지 기판을 포함할 수도 있다. 이 경우, 유기 발광 표시 장치(100)의 가요성을 향상시키기 위하여 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층이 교대로 적층되는 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 패드 전극 구조물(300)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(100)는 하부 전극(290)이 형성되는 과정에서 사용되는 식각액으로부터 제2 패드 전극(240)을 보호할 수 있는 유기 발광 표시 장치로 기능할 수 있다.
도 6 내지 도 16은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 6및 도 7을 참조하면, 기판(110)이 제공될 수 있다. 기판(110)은 투명한 재료를 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 기판(110)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영 기판, 소다라임 유리 기판, 무알칼리 유리 기판 등을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 기판(110)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수 있다. 기판(110)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이러한 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 폴리이미드 기판은 경질의 유리 기판 상에 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층 및 제2 폴리이미드층이 적층된 구성을 가질 수 있다. 상기 폴리이미드 기판의 제2 폴리이미드층 상에 절연층(예를 들어, 버퍼층)을 배치한 후, 상기 절연층 상에 상부 구조물(예를 들어, 반도체 소자(250) 및 표시 구조물(200) 등)이 형성될 수 있다. 이러한 상부 구조물의 형성 후, 상기 경질의 유리 기판이 제거될 수 있다. 즉, 상기 폴리이미드 기판은 얇고 플렉서블하기 때문에, 상기 폴리이미드 기판 상에 상기 상부 구조물을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 상기 경질의 유리 기판을 이용하여 상기 상부 구조물을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 상기 폴리이미드 기판이 기판(110)으로 이용될 수 있다. 유기 발광 표시 장치가 표시 영역(10) 및 패드 영역(20)을 구비함에 따라, 기판(110)도 표시 영역(10) 및 패드 영역(20)으로 구분될 수 있다.
기판(110) 상에는 버퍼층(도시되지 않음)이 형성될 수도 있다. 상기 버퍼층은 기판(110) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브층(130)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브층(130)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층은 기판(110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 기판(110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 기판(110)의 유형에 따라 기판(110) 상에 두 개 이상의 버퍼층이 제공될 수 있거나 상기 버퍼층이 배치되지 않을 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다.
기판(110) 상에 액티브층(130)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 액티브층(130)은 기판(110) 상의 표시 영역(10)에 형성될 수 있고, 산화물 반도체, 무기물 반도체 또는 유기물 반도체 등을 사용하여 형성될 수 있다.
액티브층(130) 상에는 게이트 절연층(150)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(150)은 표시 영역(10)에서 액티브층(130)을 덮을 수 있으며, 기판(110) 상에서 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 여기서, 제1 방향(D1)은 기판(110)의 상면에 평행한 방향일 수 있다. 즉, 게이트 절연층(150)은 기판(110) 상의 표시 영역(10)및 패드 영역(20)에서 전체적으로 형성될 수 있다. 게이트 절연층(150)은 액티브층(130)을 덮으며, 균일한 두께로 액티브층(130)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 선택적으로, 게이트 절연층(150)은 액티브층(130)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층(130)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 게이트 절연층(150)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등과 같은 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(150)이 표시 영역(10)에만 배치되고, 패드 영역(20)을 노출시킬 수도 있다.
게이트 전극(170)은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 액티브층(130)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(170)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
게이트 절연층(150) 상의 패드 영역(20)에 제1 패드 전극(175)이 형성될 수 있다. 제1 패드 전극(175)은 주변 영역(40)(도 1 참조)에 형성되는 배선과 전기적으로 연결될 수 있고, 주변 영역(40)으로부터 패드 영역(20)으로의 방향인 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 즉, 외부 장치(101)(도 2 참조)는 데이터 신호, 스캔 신호, 발광 신호, 전원 전압 등을 제1 패드 전극(175)을 통해 주변 영역(40)의 상기 배선들에게 제공할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 전극(170)과 제1 패드 전극(175)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 예비 전극층이 기판(110) 상에 전체적으로 형성될 수 있고, 상기 예비 전극층을 부분적으로 제거하여 게이트 전극(170) 및 제1 패드 전극(175)이 형성될 수 있다. 제1 패드 전극(175)은 금, 은, 알루미늄, 백금, 니켈, 티타늄, 팔라듐, 마그네슘, 칼슘, 리튬, 크롬, 탄탈륨, 몰리브데늄, 스칸듐, 네오디뮴, 이리듐, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 패드 전극(175)은 복수의 층들로 구성될 수도 있다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 게이트 전극(170) 상에는 층간 절연층(190)이 형성될 수 있다. 층간 절연층(190)은 표시 영역(10)에서 게이트 전극(170)을 덮을 수 있으며, 기판(110) 상에서 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 층간 절연층(190)은 게이트 전극(170)을 덮으며, 균일한 두께로 게이트 전극(170)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 즉, 층간 절연층(190)은 기판(110) 상의 표시 영역(10)에서 전체적으로 형성될 수 있다. 선택적으로, 층간 절연층(190)은 게이트 전극(170)을 충분히 덮을 수 있으며, 게이트 전극(170)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 층간 절연층(190)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 층간 절연층(190) 실리콘 화합물, 금속 산화물 등과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다.
제1 패드 전극(175) 상에는 제1 절연층(195)이 형성될 수 있다. 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 절연층(195)은 제1 패드 전극(175)의 양측부를 덮을 수 있으며, 제1 패드 전극(175)의 상면의 일부를 노출시킬 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 층간 절연층(190) 및 제1 절연층(195)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 즉, 층간 절연층(190)은 패드 영역(20)에서 제1 절연층(195)으로 정의될 수 있다. 예를 들면, 예비 절연층이 기판(110) 상에 전체적으로 형성될 수 있고, 상기 예비 절연층을 부분적으로 제거하여 층간 절연층(190) 및 제1 절연층(195)이 형성될 수 있다. 제1 절연층(195)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에는 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 형성될 수 있다. 소스 전극(230) 및 드레인 전극(210)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀들을 통하여 액티브층(130)의 일측 및 타측에 각각 접속될 수 있다. 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이와 같이, 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 게이트 전극(170), 층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함하는 반도체 소자(250)가 형성될 수 있다.
제2 패드 전극(240)은 제1 패드 전극(175) 및 제1 절연층(195) 상의 패드 영역(20)에 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 패드 전극(240)은 제1 패드 전극(175)과 제1 절연층(195)이 중첩되는 부분에서 단차부(305)를 포함할 수 있다. 즉, 제2 패드 전극(240)은 제1 패드 전극(175)과 직접적으로 접촉할 수 있고, 제1 절연층(195)의 상면의 일부와 직접적으로 접촉할 수 있다. 또한, 제2 패드 전극(240), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 예비 전극층이 기판(110) 상에 전체적으로 형성될 수 있고, 상기 예비 전극층을 부분적으로 제거하여 소스 전극(210), 드레인 전극(230) 및 제2 패드 전극(240)이 형성될 수 있다. 제2 패드 전극(240)은 금, 은, 알루미늄, 백금, 니켈, 티타늄, 팔라듐, 마그네슘, 칼슘, 리튬, 크롬, 탄탈륨, 몰리브데늄, 스칸듐, 네오디뮴, 이리듐, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 패드 전극(240)은 복수의 층들로 구성될 수도 있다. 예를 들면, 제2 패드 전극(240)은 티타늄/알루미늄/티타늄으로 구성된 적층 전극 구조를 가질 수 있다(도 5 참조).
도 12 및 도 13을 참조하면, 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 상에는 평탄화층(270)이 형성될 수 있다. 평탄화층(270)은 표시 영역(10)에서 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 덮으며, 층간 절연층(190) 상에서 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 즉, 평탄화층(270)은 층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에서 전체적으로 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 형성될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(270)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(270)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(270)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 선택적으로, 평탄화층(270)은 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 덮으며, 균일한 두께로 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)의 프로파일을 따라 형성될 수도 있다. 평탄화층(270)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
하부 전극(290)은 평탄화층(270) 상의 표시 영역(10)에 형성될 수 있다. 하부 전극(290)은 평탄화층(270)의 일부를 관통하여 드레인 전극(230)에 접속될 수 있다. 또한, 하부 전극(290)은 반도체 소자(250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 하부 전극(290)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
제3 패드 전극(295)은 패드 영역(20)에서 제1 절연층(195) 및 제2 패드 전극(240) 상에 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 패드 전극(240)이 노출되지 않도록 제3 패드 전극(295)은 제2 패드 전극(240)을 완전히 커버할 수 있다. 예를 들면, 제3 패드 전극(295)은 제2 패드 전극(240)을 완전히 커버하도록 제3 패드 전극(295)의 단부는 제1 절연층(195)의 상면의 일부와 접촉할 수 있다. 또한, 제3 패드 전극(295) 및 하부 전극(290)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면,
예비 전극층이 기판(110) 상에 전체적으로 형성될 수 있고, 상기 예비 전극층을 부분적으로 제거하여 하부 전극(290) 및 제3 패드 전극(295)이 형성될 수 있다. 제3 패드 전극(295)은 금, 은, 알루미늄, 백금, 니켈, 티타늄, 팔라듐, 마그네슘, 칼슘, 리튬, 크롬, 탄탈륨, 몰리브데늄, 스칸듐, 네오디뮴, 이리듐, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제3 패드 전극(295)은 복수의 층들로 구성될 수도 있다. 예를 들면, 제3 패드 전극(295)은 인듐 주석 산화물/은/인듐 주석 산화물로 구성된 적층 전극 구조를 가질 수 있다(도 5 참조).
도 14 및 도 15를 참조하면, 화소 정의막(310)은 평탄화층(270) 상의 표시 영역(10)에서 하부 전극(290)의 일부를 노출시킬 수 있다. 화소 정의막(310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(310)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
제2 절연층(315)은 패드 영역(20)에서 제3 패드 전극(295)의 양측부를 덮을 수 있다. 예를 들면, 제3 패드 전극(295)의 단부가 노출되지 않도록 제2 절연층(315)은 제3 패드 전극(295)의 일부 및 제1 절연층(195) 상에 배치될 수 있다. 즉, 제2 절연층(315)은 제3 패드 전극(295)의 단부를 보호하기 위해 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 절연층(315) 및 화소 정의막(310)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 예비 절연층이 기판(110) 상에 전체적으로 형성될 수 있고, 상기 예비 절연층을 부분적으로 제거하여 화소 정의막(310) 및 제2 절연층(315)이 형성될 수 있다. 여기서, 하프톤 마스크를 사용하여 제2 절연층(315)의 높이를 화소 정의막(310)의 높이보다 상대적으로 작게 형성할 수 있다. 제2 절연층(315)은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 패드 전극(175), 제1 절연층(195), 제2 패드 전극(240), 제3 패드 전극(295) 및 제2 절연층(315)을 포함하는 패드 전극 구조물(300)이 형성될 수 있다.
도 16을 참조하면, 발광층(330)은 화소 정의막(310)에 의해 일부가 노출된 하부 전극(290) 상에 형성될 수 있다. 발광층(330)은 유기 발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 발광층(330)의 유기 발광층은 서브 화소들에 따라 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(330)의 유기 발광층은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수 있다. 이러한 경우, 발광층(330) 상에 컬러 필터가 형성될 수 있다. 상기 컬러 필터는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 청색 컬러 필터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 선택적으로, 상기 컬러 필터는 황색 컬러 필터, 청남색 컬러 필터 및 자주색 컬러 필터를 포함할 수도 있다. 상기 컬러 필터는 감광성 수지를 사용하여 형성될 수 있다.
상부 전극(340)은 화소 정의막(310) 및 발광층(330) 상에 형성될 수 있다. 상부 전극(340)은 표시 영역(10)에서 화소 정의막(310) 및 발광층(330)을 덮을 수 있으며 기판(110) 상에서 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 즉, 상부 전극(340)은 기판(110) 상의 표시 영역(10)에 전체적으로 형성될 수 있다. 상부 전극(340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함하는 표시 구조물(200)이 형성될 수 있다.
상부 전극(340) 상에 봉지 기판(350)이 형성될 수 있다. 봉지 기판(350)은 실질적으로 기판(110)과 동일한 재료를 포함할 수 있다. 예를 들면, 봉지 기판(350)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 또는 불소가 도핑된 석영 기판, 소다 라임 유리 기판, 무알칼리 유리 기판 등을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 봉지 기판(350)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 봉지 기판(350)은 연성을 갖는 투명 수지 기판을 포함할 수도 있다. 이 경우, 유기 발광 표시 장치(100)의 가요성을 향상시키기 위하여 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층이 교대로 적층되는 구조를 가질 수 있다.
이에 따라, 도 3 및 도 4에 도시된 유기 발광 표시 장치(100)가 제조될 수 있다.
도 17은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이고, 도 18은 도 17의 유기 발광 표시 장치에 포함된 패드 전극 구조물을 설명하기 위한 단면도이다. 도 17 및 도 18에 예시한 유기 발광 표시 장치(500)는 제2 게이트 전극(172), 제2 층간 절연층(192) 및 제4 패드 전극(174)을 제외하면, 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 17 및 도 18에 있어서, 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 3, 도 4, 도 17 및 도 18을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(500)는 기판(110), 반도체 소자(250), 패드 전극 구조물(300), 평탄화층(270), 표시 구조물(200), 화소 정의막(310), 봉지 기판(350) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 제1 게이트 전극(170), 제1 층간 절연층(190), 제2 게이트 전극(172), 제2 층간 절연층(192), 소스 전극(230) 및 드레인 전극(210)을 포함할 수 있고, 표시 구조물(200)은 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함할 수 있다. 또한, 패드 전극 구조물(300)은 제1 패드 전극(175), 제1 절연층(195), 제2 패드 전극(240), 제3 패드 전극(295), 제4 패드 전극(174) 및 제2 절연층(315)을 포함할 수 있다.
제1 게이트 전극(170)은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 액티브층(130)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 제1 게이트 전극(170)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제1 게이트 전극(170) 상에는 제1 층간 절연층(190)이 배치될 수 있다. 제1 층간 절연층(190)은 표시 영역(10)에서 제1 게이트 전극(170)을 덮을 수 있으며, 기판(110) 상에서 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 제1 층간 절연층(190)은 제1 게이트 전극(170)을 덮으며, 균일한 두께로 제1 게이트 전극(170)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 즉, 제1 층간 절연층(190)은 기판(110) 상의 표시 영역(10)에서 전체적으로 배치될 수 있다. 제1 층간 절연층(190)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 층간 절연층(190) 실리콘 화합물, 금속 산화물 등과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다.
제2 게이트 전극(172)은 제1 층간 절연층(190) 중에서 하부에 제1 게이트 전극(170)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 제2 게이트 전극(172)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제4 패드 전극(174)은 제1 절연층(195)에 의해 노출된 제1 패드 전극(175) 상에 배치될 수 있다. 제4 패드 전극(174)은 제1 절연층(195)과 동일한 레벨을 가질 수 있다. 선택적으로, 제4 패드 전극(174)은 제1 절연층(195)의 상면의 일부에 배치될 수도 있다. 이러한 경우, 단차부(305)의 높이는 상대적으로 커질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제4 패드 전극(174) 및 제2 게이트 전극(172)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 제4 패드 전극(174)은 금, 은, 알루미늄, 백금, 니켈, 티타늄, 팔라듐, 마그네슘, 칼슘, 리튬, 크롬, 탄탈륨, 몰리브데늄, 스칸듐, 네오디뮴, 이리듐, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제4 패드 전극(174)은 복수의 층들로 구성될 수도 있다.
제2 게이트 전극(172) 상에는 제2 층간 절연층(192)이 배치될 수 있다. 제2 층간 절연층(192)은 표시 영역(10)에서 제2 게이트 전극(172)을 덮을 수 있으며, 기판(110) 상에서 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 제2 층간 절연층(192)은 제2 게이트 전극(172)을 덮으며, 균일한 두께로 제2 게이트 전극(172)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 즉, 제2 층간 절연층(192)은 기판(110) 상의 표시 영역(10)에서 전체적으로 배치될 수 있다. 제2 층간 절연층(192)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 층간 절연층(192) 실리콘 화합물, 금속 산화물 등과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다. 선택적으로, 제2 층간 절연층(192)이 패드 영역(20)에 배치될 수 있고, 제4 패드 전극(174)의 양측부를 덮을 수도 있다.
이에 따라, 패드 전극 구조물(300)이 제4 패드 전극(174)을 더 포함함으로써, 패드 전극 구조물(300)의 배선 저항이 상대적으로 감소될 수 있다.
도 19는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이고, 도 20은 도 19의 유기 발광 표시 장치에 포함된 패드 전극 구조물을 설명하기 위한 단면도이다. 도 19 및 도 20에 예시한 유기 발광 표시 장치(600)는 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 19 및 도 20에 있어서, 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 3, 도 4, 도 19 및 도 20을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(600)는 기판(110), 반도체 소자(250), 패드 전극 구조물(300), 평탄화층(270), 표시 구조물(200), 화소 정의막(310), 봉지 기판(350) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 절연층(155), 게이트 전극(170), 층간 절연층(190), 소스 전극(230) 및 드레인 전극(210)을 포함할 수 있고, 표시 구조물(200)은 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함할 수 있다. 또한, 패드 전극 구조물(300)은 제1 패드 전극(175), 제1 절연층(195), 제2 패드 전극(240) 및 제2 절연층(275)을 포함할 수 있다.
액티브층(130) 상에는 게이트 절연층(155)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(155)은 표시 영역(10)에서 액티브층(130)을 덮을 수 있으며, 기판(110) 상에서 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 즉, 게이트 절연층(155)은 기판(110) 상의 표시 영역(10)에서 전체적으로 배치될 수 있다. 게이트 절연층(155)은 액티브층(130)을 덮으며, 균일한 두께로 액티브층(130)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로, 게이트 절연층(155)은 액티브층(130)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층(130)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(155)은 기판(110) 상의 패드 영역(20)의 일부에 더 배치될 수 있다. 게이트 절연층(155)은 단차부(305)가 형성되도록 제2 패드 전극(240)의 폭(예를 들어, 제1 방향(D1)으로 연장하는 폭)보다 작게 제2 패드 전극(240)과 중첩하여 배치될 수 있다. 게이트 절연층(155)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(155)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다.
제2 패드 전극(240)은 제1 패드 전극(175) 및 제1 절연층(195) 상의 패드 영역(20)에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 패드 전극(240)은 패드 영역(20)에 위치하는 게이트 절연층(155), 제1 패드 전극(175) 및 제1 절연층(195)이 중첩되는 부분에서 단차부(305)를 포함할 수 있다. 즉, 제2 패드 전극(240)은 제1 패드 전극(175)과 직접적으로 접촉할 수 있고, 단차부(305)에 위치하는 제1 절연층(195)의 상면과 직접적으로 접촉할 수 있다. 또한, 제2 패드 전극(240)은 단차부(305)와 인접한 제1 패드 전극(175)과 제1 절연층(195)이 중첩하는 제1 절연층(195)의 상면의 일부와 직접적으로 접촉할 수 있다. 더욱이, 제2 패드 전극(240), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 패드 전극(240)은 금, 은, 알루미늄, 백금, 니켈, 티타늄, 팔라듐, 마그네슘, 칼슘, 리튬, 크롬, 탄탈륨, 몰리브데늄, 스칸듐, 네오디뮴, 이리듐, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 패드 전극(240)은 복수의 층들로 구성될 수도 있다. 예를 들면, 제2 패드 전극(240)은 티타늄/알루미늄/티타늄으로 구성된 적층 전극 구조를 가질 수 있다(도 5 참조).
제2 절연층(275)은 패드 영역(20)에서 제2 패드 전극(240)의 양측부를 덮을 수 있다. 예를 들면, 제2 패드 전극(240)의 단부가 노출되지 않도록 제2 절연층(275)은 제2 패드 전극(240)의 일부 및 제1 절연층(195) 상에 배치될 수 있다. 즉, 제2 절연층(275)은 제2 패드 전극(240)의 단부를 보호하기 위해 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 절연층(275) 및 평탄화층(270)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 절연층(275)은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지 등을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 기판(110)으로부터 제2 절연층(275)의 상면까지의 제1 높이(예를 들어, 제3 방향(D3)으로 연장하는 높이)는 기판(110)으로부터 단차부(305) 상에 배치되는 제2 패드 전극(240)의 상면까지의 제2 높이보다 작을 수 있다. 예를 들면, 외부 장치(101)와 패드 전극 구조물(300)이 전기적으로 연결되기 위해 이방성 도전 필름을 사용하여 패드 전극 구조물(300)과 상기 이방성 도전 필름이 본딩될 수 있다. 여기서 상기 이방성 도전 필름에 포함된 도전볼이 제2 패드 전극(240)의 상면과 용이하게 접촉되도록 상기 제1 높이가 상기 제2 높이보다 작을 수 있다. 따라서, 외부 장치(101)와 패드 전극 구조물(300)이 전기적으로 연결될 수 있다. 이와는 달리, 상기 제1 높이가 상기 제2 높이보다 클 경우, 상기 도전볼이 제2 절연층(275)에 의해 제2 패드 전극(240)과 접촉되지 않을 수 있고, 외부 장치(101)와 패드 전극 구조물(300)이 전기적으로 연결되지 않을 수 있다.
전술한 바와 같이, 평탄화층(270)과 제2 절연층(275)은 동시에 형성될 수 있다. 다만, 평탄화층(270)의 두께(예를 들어, 제3 방향(D3)으로 연장되는 두께)와 제2 절연층(275)의 두께는 서로 다를 수 있다. 예를 들면, 제2 절연층(275)이 상기 제1 높이를 갖기 위해 하프톤 마스크를 이용하여 형성될 수 있다. 따라서, 평탄화층(270)의 두께보다 제2 절연층(275)의 두께가 상대적으로 작을 수 있다.
이에 따라, 제1 패드 전극(175), 제1 절연층(195), 제2 패드 전극(240) 및 제2 절연층(275)을 포함하는 패드 전극 구조물(300)이 배치될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(600)는 제1 패드 전극(175), 제1 절연층(195), 제2 패드 전극(240) 및 제2 절연층(275)을 포함하는 패드 전극 구조물(300)을 포함할 수 있다(예를 들어, 유기 발광 표시 장치(100)와 비교했을 때, 제3 패드 전극(295)이 배치되지 않음). 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(600)는 상대적으로 제조 비용이 감소될 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치를 구비할 수 있는 다양한 디스플레이 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 차량용, 선박용 및 항공기용 디스플레이 장치들, 휴대용 통신 장치들, 전시용 또는 정보 전달용 디스플레이 장치들, 의료용 디스플레이 장치들 등과 같은 수많은 디스플레이 기기들에 적용 가능하다.
10: 표시 영역
20: 패드 영역
30: 발광 영역 40: 주변 영역
100, 500, 600: 유기 발광 표시 장치
101: 외부 장치 110: 기판
130: 액티브층 150, 155: 게이트 절연층
170: 게이트 전극, 제1 게이트 전극
172: 제2 게이트 전극 174: 제4 패드 전극
175: 제1 패드 전극
190: 층간 절연층, 제1 층간 절연층
192: 제2 층간 절연층 195: 제1 절연층
200: 표시 구조물 210: 소스 전극
230: 드레인 전극 240: 제2 패드 전극
241: 제1 적층 전극층 242: 제2 적층 전극층
243: 제3 적층 전극층 250: 반도체 소자
270: 평탄화층 275, 315: 제2 절연층
290: 하부 전극 295: 제3 패드 전극
296: 제4 적층 전극층 297: 제5 적층 전극층
298: 제6 적층 전극층 330: 발광층
340: 상부 전극 300: 패드 전극 구조물
305: 단차부 310: 화소 정의막
350: 봉지 기판 PX: 화소
30: 발광 영역 40: 주변 영역
100, 500, 600: 유기 발광 표시 장치
101: 외부 장치 110: 기판
130: 액티브층 150, 155: 게이트 절연층
170: 게이트 전극, 제1 게이트 전극
172: 제2 게이트 전극 174: 제4 패드 전극
175: 제1 패드 전극
190: 층간 절연층, 제1 층간 절연층
192: 제2 층간 절연층 195: 제1 절연층
200: 표시 구조물 210: 소스 전극
230: 드레인 전극 240: 제2 패드 전극
241: 제1 적층 전극층 242: 제2 적층 전극층
243: 제3 적층 전극층 250: 반도체 소자
270: 평탄화층 275, 315: 제2 절연층
290: 하부 전극 295: 제3 패드 전극
296: 제4 적층 전극층 297: 제5 적층 전극층
298: 제6 적층 전극층 330: 발광층
340: 상부 전극 300: 패드 전극 구조물
305: 단차부 310: 화소 정의막
350: 봉지 기판 PX: 화소
Claims (20)
- 표시 영역 및 패드 영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상의 표시 영역에 배치되는 표시 구조물;
상기 기판 상의 패드 영역에 배치되는 패드 전극 구조물을 포함하며,
상기 패드 전극 구조물은,
상기 기판 상에 배치되는 제1 패드 전극;
상기 제1 패드 전극의 양측부를 덮으며 상기 제1 패드 전극의 상면의 일부를 노출시키는 제1 절연층;
상기 제1 패드 전극 및 상기 제1 절연층 상에 배치되고, 상기 제1 패드 전극과 상기 제1 절연층이 중첩되는 부분에서 단차부를 갖는 제2 패드 전극; 및
상기 제2 패드 전극 및 상기 제1 절연층 상에 배치되고, 상기 제2 패드 전극을 덮는 제3 패드 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 패드 전극 구조물은,
상기 제3 패드 전극의 양측부를 덮은 제2 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 2 항에 있어서, 상기 제3 패드 전극의 단부가 노출되지 않도록 상기 제2 절연층은 상기 제3 패드 전극의 일부 및 상기 제1 절연층 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 기판으로부터 상기 제2 절연층의 상면까지의 높이는 상기 기판으로부터 상기 단차부에 위치하는 상기 제3 패드 전극의 상면까지의 높이보다 작은 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 표시 구조물은,
상기 기판 상의 표시 영역에 배치되는 하부 전극;
상기 하부 전극 상에 배치되는 발광층; 및
상기 발광층 상에 배치되는 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 5 항에 있어서, 상기 하부 전극과 상기 제3 패드 전극은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 5 항에 있어서,
상기 기판과 상기 표시 구조물 사이에 배치되는 평탄화층; 및
상기 평탄화층 상에 배치되고, 상기 하부 전극의 양측부를 덮는 화소 정의막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 7 항에 있어서, 상기 화소 정의막 및 상기 제2 절연층은 동일한 물질을 포함하고 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제2 패드 전극이 노출되지 않도록 상기 제3 패드 전극의 단부는 상기 제1 절연층 상에 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제2 패드 전극 및 상기 제3 패드 전극 각각은 복수의 전극층들을 포함하는 적층 전극 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 10 항에 있어서, 상기 제2 패드 전극은 티타늄/알루미늄/티타늄으로 구성된 적층 전극 구조를 갖고, 상기 제3 패드 전극은 인듐 주석 산화물/은/인듐 주석 산화물로 구성된 적층 전극 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 기판과 상기 표시 구조물 사이에 배치되는 반도체 소자를 더 포함하고,
상기 반도체 소자는,
상기 기판 상의 표시 영역에 배치되는 액티브층;
상기 기판 상의 표시 영역에서 상기 액티브층을 덮으며 상기 패드 영역으로 연장하는 게이트 절연층;
상기 게이트 절연층 상에 배치되는 게이트 전극;
상기 게이트 절연층 상의 표시 영역에서 상기 게이트 전극을 덮으며 상기 패드 영역으로 연장하는 층간 절연층; 및
상기 층간 절연층 상에 배치되는 소스 및 드레인 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 12 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 상기 제1 패드 전극과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성되고, 상기 소스 및 드레인 전극들은 상기 제2 패드 전극과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 12 항에 있어서, 상기 게이트 절연층은 상기 패드 영역에서 상기 제1 절연층으로 정의되고, 상기 층간 절연층은 상기 패드 영역에서 상기 제2 절연층으로 정의되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 기판 상의 표시 영역에 배치되고, 상기 기판과 대향하는 봉지 기판을 더 포함하고,
상기 기판 및 상기 봉지 기판은 경질의 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 패드 전극 구조물은,
상기 제1 패드 전극과 상기 제2 패드 전극 사이에 배치되는 제4 패드 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 표시 영역 및 패드 영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상의 표시 영역에 배치되는 표시 구조물;
상기 기판 상의 패드 영역에 배치되는 패드 전극 구조물을 포함하며,
상기 패드 전극 구조물은,
상기 기판 상에 배치되는 제1 패드 전극;
상기 제1 패드 전극의 양측부를 덮으며 상기 제1 패드 전극의 상면의 일부를 노출시키는 제1 절연층;
상기 제1 패드 전극 및 상기 제1 절연층 상에 배치되고, 상기 제1 패드 전극과 상기 제1 절연층이 중첩되는 부분에서 단차부를 갖는 제2 패드 전극; 및
상기 제2 패드 전극의 양측부를 덮고, 상기 제2 패드 전극의 단부가 노출되지 않도록 상기 제2 패드 전극의 일부 및 상기 제1 절연층 상에 배치되는 제2 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 17 항에 있어서, 상기 기판으로부터 상기 제2 절연층의 상면까지의 높이는 상기 기판으로부터 상기 단차부에 위치하는 제2 패드 전극의 상면까지의 높이보다 작은 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 17 항에 있어서,
상기 기판과 상기 표시 구조물 사이에 배치되는 반도체 소자를 더 포함하고,
상기 반도체 소자는,
상기 기판 상의 표시 영역에 배치되는 액티브층;
상기 기판 상의 표시 영역에서 상기 액티브층을 덮으며 상기 패드 영역으로 연장하고, 상기 단차부가 형성되도록 상기 기판 상의 패드 영역의 일부에 배치되는 게이트 절연층;
상기 게이트 절연층 상에 배치되는 게이트 전극;
상기 게이트 절연층 상의 표시 영역에서 상기 게이트 전극을 덮으며 상기 패드 영역으로 연장하는 층간 절연층; 및
상기 층간 절연층 상에 배치되는 소스 및 드레인 전극들을 포함하며,
상기 게이트 전극은 상기 제1 패드 전극과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성되고, 상기 소스 및 드레인 전극들은 상기 제2 패드 전극과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성되며, 상기 게이트 절연층은 상기 패드 영역에서 상기 제1 절연층으로 정의되는 것을 특징으로 하는 유기 발광표시 장치. - 제 19 항에 있어서,
상기 층간 절연층 상에 배치되며 상기 소스 및 드레인 전극들을 덮는 평탄화층을 더 포함하고,
상기 평탄화층 및 상기 제2 절연층은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160110618A KR20180025382A (ko) | 2016-08-30 | 2016-08-30 | 유기 발광 표시 장치 |
| US15/678,640 US10381418B2 (en) | 2016-08-30 | 2017-08-16 | Organic light emitting diode display device |
| US16/530,213 US10937838B2 (en) | 2016-08-30 | 2019-08-02 | Organic light emitting display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160110618A KR20180025382A (ko) | 2016-08-30 | 2016-08-30 | 유기 발광 표시 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180025382A true KR20180025382A (ko) | 2018-03-09 |
Family
ID=61243521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160110618A KR20180025382A (ko) | 2016-08-30 | 2016-08-30 | 유기 발광 표시 장치 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10381418B2 (ko) |
| KR (1) | KR20180025382A (ko) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190130091A (ko) * | 2018-05-10 | 2019-11-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20200004932A (ko) * | 2018-07-04 | 2020-01-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| US10872944B2 (en) | 2018-11-26 | 2020-12-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Display substrate, method of manufacturing display substrate, and display device including display substrate |
| US11127807B2 (en) | 2018-08-20 | 2021-09-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US11894506B2 (en) | 2019-12-31 | 2024-02-06 | Lg Display Co., Ltd. | Display apparatus having a pad spaced away from an encapsulating element and a black matrix on the encapsulating element |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020065710A1 (ja) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| KR20200143563A (ko) * | 2019-06-13 | 2020-12-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20200143565A (ko) * | 2019-06-13 | 2020-12-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20210131508A (ko) | 2020-04-23 | 2021-11-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR20220091704A (ko) * | 2020-12-23 | 2022-07-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060065847A (ko) | 2004-12-10 | 2006-06-14 | 에스케이씨 주식회사 | 유기 전계 발광 표시소자 |
| KR100805124B1 (ko) | 2007-03-05 | 2008-02-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치 |
| KR101385457B1 (ko) | 2007-03-16 | 2014-04-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
| US10181573B2 (en) * | 2014-07-11 | 2019-01-15 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display device and method of fabricating the same |
| KR102230692B1 (ko) | 2014-07-29 | 2021-03-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR20160084546A (ko) | 2015-01-05 | 2016-07-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102540372B1 (ko) * | 2015-05-28 | 2023-06-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101879180B1 (ko) * | 2015-11-16 | 2018-07-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101951939B1 (ko) * | 2016-08-26 | 2019-02-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
-
2016
- 2016-08-30 KR KR1020160110618A patent/KR20180025382A/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-08-16 US US15/678,640 patent/US10381418B2/en active Active
-
2019
- 2019-08-02 US US16/530,213 patent/US10937838B2/en active Active
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190130091A (ko) * | 2018-05-10 | 2019-11-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20200004932A (ko) * | 2018-07-04 | 2020-01-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| US11908398B2 (en) | 2018-07-04 | 2024-02-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| US11127807B2 (en) | 2018-08-20 | 2021-09-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US11937472B2 (en) | 2018-08-20 | 2024-03-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US10872944B2 (en) | 2018-11-26 | 2020-12-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Display substrate, method of manufacturing display substrate, and display device including display substrate |
| US11678528B2 (en) | 2018-11-26 | 2023-06-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Display substrate, method of manufacturing display substrate, and display device including display substrate |
| US11894506B2 (en) | 2019-12-31 | 2024-02-06 | Lg Display Co., Ltd. | Display apparatus having a pad spaced away from an encapsulating element and a black matrix on the encapsulating element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20190355791A1 (en) | 2019-11-21 |
| US20180061895A1 (en) | 2018-03-01 |
| US10937838B2 (en) | 2021-03-02 |
| US10381418B2 (en) | 2019-08-13 |
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| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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