KR102653424B1 - 표시 패널 - Google Patents
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- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 211
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 877
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 94
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 17
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 description 30
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 27
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 21
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 14
- -1 region Substances 0.000 description 13
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 12
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 11
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
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Abstract
본 발명의 일 실시예는, 개구영역 및 개구영역을 둘러싸는 표시영역을 구비한 기판과, 표시영역에 위치하는 복수의 표시요소들과, 표시요소들을 커버하며 유기봉지층 및 무기봉지층을 포함하는 박막봉지층과, 개구영역과 표시영역 사이에 위치하고 기판의 깊이 방향으로 오목하며 언더컷 구조를 갖는 제1그루브 및 제2그루브와, 개구영역과 표시영역 사이에 위치하고 유기절연물을 포함하는 평탄화층, 및 표시영역에 위치하며 박막봉지층 상에 배치된 입력감지층을 포함하며, 평탄화층은 무기봉지층의 위에 배치되고 유기봉지층은 무기봉지층의 아래에 배치된, 표시 패널을 개시한다.
Description
본 발명의 실시예들은 그루브들을 포함하는 표시 패널 및 표시 패널을 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 표시 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다.
표시 장치 중 표시영역이 차지하는 면적을 확대하면서, 표시 장치에 접목 또는 연계하는 다양한 기능들이 추가되고 있다. 면적을 확대하면서 다양한 기능을 추가하기 위한 방안으로서 표시영역에 개구가 형성된 표시 장치가 있다.
개구를 구비하는 표시 장치의 경우, 개구의 측면으로 수분 등의 이물이 침투할 수 있으며, 이 경우 개구를 둘러싸는 표시요소들을 손상시킬 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 개구를 통한 투습을 방지할 수 있는 표시 패널 및 이를 구비한 표시 장치를 제공한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예는, 개구영역 및 상기 개구영역을 둘러싸는 표시영역을 구비한 기판; 상기 표시영역에 위치하는 복수의 표시요소들; 상기 표시요소들을 커버하며, 유기봉지층 및 무기봉지층을 포함하는 박막봉지층; 상기 개구영역과 상기 표시영역 사이에 위치하고, 상기 기판의 깊이 방향으로 오목하며, 언더컷 구조를 갖는, 제1그루브 및 제2그루브; 상기 개구영역과 상기 표시영역 사이에 위치하고, 유기절연물을 포함하는 평탄화층; 및 상기 표시영역에 위치하며, 상기 박막봉지층 상에 배치된 입력감지층;을 포함하며,상기 평탄화층은 상기 무기봉지층의 위에 배치되고 상기 유기봉지층은 상기 무기봉지층의 아래에 배치된, 표시 패널을 개시한다.
본 실시예에서, 상기 기판은 순차적으로 적층된 제1베이스층, 제1무기층, 제2베이스층 및 제2무기층을 포함하며, 상기 제1그루브 및 상기 제2그루브 각각의 바닥면은, 상기 제2베이스층의 하면이거나 상기 제2베이스층의 상면과 하면 사이에 위치한 가상의 면 상에 놓일 수 있다.
본 실시예에서, 상기 박막봉지층은, 순차적으로 적층된 제1무기봉지층, 상기 유기봉지층, 및 제2무기봉지층을 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 제1무기봉지층은 상기 제1그루브 및 상기 제2그루브 중 적어도 어느 하나의 내부 표면을 커버할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 제2무기봉지층은 상기 개구영역과 상기 표시영역 사이에서 상기 제1무기봉지층과 직접 접촉할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 평탄화층의 적어도 일부는 상기 유기봉지층과 중첩할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 기판은 상기 개구영역에 대응하는 제1개구를 포함하고,상기 유기봉지층은, 상기 제1개구를 둘러싸는 홀을 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 제1개구에 인접한 상기 평탄화층의 단부는, 상기 기판의 단부와 동일한 수직 선상에 위치하거나 상기 기판의 단부로부터 소정의 간격 이격될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 평탄화층 상에 위치하며 무기물을 포함하는 배리어층을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 배리어층은 상기 입력감지층에 포함된 복수의 층들 중 적어도 어느 하나의 층과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 배리어층 상에 위치하는 추가 평탄화층을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 평탄화층은 상기 입력감지층에 포함된 유기물과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 평탄화층과 상기 박막봉지층 사이에 배치되는 하부 배리어층을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 하부 배리어층은 상기 입력감지층에 포함된 무기물과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 하부 배리어층은 상기 무기봉지층과 직접 접촉할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 개구를 갖는 기판; 상기 개구를 적어도 부분적으로 둘러싸는 표시영역에 위치한 표시요소들; 상기 표시요소들 상에 위치하며, 유기봉지층 및 무기봉지층을 포함하는 박막봉지층; 상기 개구와 상기 표시영역 사이의 그루브영역에 위치하는 제1그루브 및 제2그루브; 및 상기 그루브영역에 위치하며, 상기 무기봉지층을 사이에 두고 상기 유기봉지층 위에 배치된, 평탄화층;을 포함하는, 표시 패널을 개시한다.
본 실시예에서, 상기 평탄화층은 유기물을 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 표시 패널은 유기물층과 상기 유기물층 위에 배치된 적어도 하나의 무기물층을 포함하는 다층 막을 포함하고, 상기 제1그루브 및 상기 제2그루브는 상기 다층 막의 두께 방향으로 오목하게 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 기판은 순차적으로 적층된 제1베이스층, 제1무기층, 제2베이스층 및 제2무기층을 포함하되, 상기 유기물층은 상기 제2베이스층을 포함하고 상기 적어도 하나의 무기물층은 상기 제2무기층을 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 적어도 하나의 무기물층은 상기 제1그루브 및 상기 제2그루브 각각에 대응하는 제1홀을 구비하고, 상기 유기물층은 상기 제1홀과 대응하는 홀 또는 리세스를 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 제1홀을 정의하는 상기 적어도 하나의 무기물층의 측면은, 상기 홀 또는 상기 리세스를 정의하는 상기 유기물층의 측면 보다 상기 제1홀의 중심을 향해 더 돌출될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 제1그루브는 상기 개구를 둘러싸고, 상기 제2그루브는 상기 개구를 둘러싸되, 상기 개구와 상기 제1그루브 사이에 위치할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 박막봉지층은, 순차적으로 적층된 제1무기봉지층, 상기 유기봉지층, 및 제2무기봉지층을 포함하고, 상기 제1무기봉지층은 상기 제1그루브 및 상기 제2그루브 각각의 내부 표면을 커버할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 평탄화층의 적어도 일부는 상기 유기봉지층과 중첩할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 제2무기봉지층은 상기 제1무기봉지층과 직접 접촉할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 평탄화층 또는 상기 유기봉지층은 상기 제2그루브를 채울 수 있다.
본 실시예에서, 상기 평탄화층 상의 배리어층을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 배리어층은 상기 개구 주변에서 상기 무기봉지층과 직접 접촉할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 배리어층은 금속층 및 무기절연층 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 배리어층 상에 배치된 추가 평탄화층을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 평탄화층과 상기 박막봉지층 사이에 개재되는 하부 배리어층을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 하부 배리어층은 상기 무기봉지층과 직접 접촉할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 하부 배리어층은 금속층 및 무기절연층 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 표시영역에 위치하며, 제1감지전극들 및 제2감지전극들을 포함하는 입력감지층을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 입력감지층은 상기 제1감지전극들 및 제2감지전극들을 커버하는 유기절연층을 포함하며, 상기 평탄화층은 상기 유기절연층과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예들에 관한 표시 장치는, 비표시영역에 그루브를 형성함으로써 표시요소를 향해 진행하는 수분 등의 침투를 방지할 수 있으며, 그루브 상에 절연층들, 예컨대 유기봉지층의 일부, 평탄화층 또는/및 하부 배리어층 등을 배치함으로써 그루브 주변에서 막이 들뜨거나 크랙이 발생하는 것을 방지하거나 최소화할 수 있으므로 크랙을 통해 전달되는 수분 등에 의해 표시요소가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 그러나 이와 같은 효과는 예시적인 것으로, 실시예들에 따른 효과는 후술하는 내용을 통해 자세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 표시 패널의 어느 한 화소를 개략적으로 나타낸 등가 회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 나타낸 단면도이다.
도 8은 도 7의 유기발광다이오드를 확대한 단면도이다.
도 9 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예로서 표시 패널의 제조 공정에 따른 단면도들이다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 제조 공정에 따른 단면도이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 18a 및 도 18b는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층 중 제1도전층 및 제2도전층을 나타낸 평면도이다.
도 18c는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층을 나타낸 단면도이다.
도 19a 및 도 19b는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층 중 제1도전층 및 제2도전층을 나타낸 평면도이다.
도 19c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층을 나타낸 단면도이다.
도 20a 및 도 20b는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층 중 제1도전층 및 제2도전층을 나타낸 평면도이다.
도 20c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층을 나타낸 단면도이다.
도 21은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 22는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 23은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 24는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 25는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 중 제2그루브에서 하부 배리어층의 구조를 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 26은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 27은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 28은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 29는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개구영역 및 제1비표시영역을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 30은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개구영역 및 제1비표시영역을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 31a 및 도 31b는 도 30의 제3그루브를 확대한 도면이다.
도 32는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개구영역 및 제1비표시영역을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 33은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개구영역 및 제1비표시영역을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 34는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 35는 도 34의 개구영역을 확대한 평면도이다.
도 36는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 37는 도 36의 개구영역을 확대한 평면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 표시 패널의 어느 한 화소를 개략적으로 나타낸 등가 회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 나타낸 단면도이다.
도 8은 도 7의 유기발광다이오드를 확대한 단면도이다.
도 9 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예로서 표시 패널의 제조 공정에 따른 단면도들이다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 제조 공정에 따른 단면도이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 18a 및 도 18b는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층 중 제1도전층 및 제2도전층을 나타낸 평면도이다.
도 18c는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층을 나타낸 단면도이다.
도 19a 및 도 19b는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층 중 제1도전층 및 제2도전층을 나타낸 평면도이다.
도 19c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층을 나타낸 단면도이다.
도 20a 및 도 20b는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층 중 제1도전층 및 제2도전층을 나타낸 평면도이다.
도 20c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층을 나타낸 단면도이다.
도 21은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 22는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 23은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 24는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 25는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 중 제2그루브에서 하부 배리어층의 구조를 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 26은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 27은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 28은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 29는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개구영역 및 제1비표시영역을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 30은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개구영역 및 제1비표시영역을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 31a 및 도 31b는 도 30의 제3그루브를 확대한 도면이다.
도 32는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개구영역 및 제1비표시영역을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 33은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개구영역 및 제1비표시영역을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 34는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 35는 도 34의 개구영역을 확대한 평면도이다.
도 36는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 37는 도 36의 개구영역을 확대한 평면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 빛을 방출하는 표시영역(DA)과 빛을 방출하지 않는 비표시영역(NDA)을 포함한다. 비표시영역(NDA)은 표시영역(DA)과 인접하게 배치된다. 표시 장치(1)는 표시영역(DA)에 배치된 복수의 화소들에서 방출되는 빛을 이용하여 소정의 이미지를 제공할 수 있다.
표시 장치(1)는 표시영역(DA)에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸인 개구영역(OA)을 포함한다. 도 1은 개구영역(OA)이 표시영역(DA)에 의해 전체적으로 둘러싸인 것을 도시한다. 비표시영역(NDA)은 개구영역(OA)을 둘러싸는 제1비표시영역(NDA1), 및 표시영역(DA)의 외곽을 둘러싸는 제2비표시영역(NDA2)을 포함할 수 있다. 제1비표시영역(NDA1)은 개구영역(OA)을 전체적으로 둘러싸고, 표시영역(DA)은 제1비표시영역(NDA1)을 전체적으로 둘러싸며, 제2비표시영역(NDA2)은 표시영역(DA)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)로서, 유기 발광 표시 장치를 예로 하여 설명하지만, 본 발명의 표시 장치는 이에 제한되지 않는다. 다른 실시예로서, 무기 EL 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display), 퀀텀닷 발광 표시 장치 (Quantum dot Light Emitting Display) 등과 같이 다양한 방식의 표시 장치가 사용될 수 있다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도로서, 도 1의 II-II'선에 따른 단면에 대응할 수 있다.
도 2a를 참조하면, 표시 장치(1)는 표시 패널(10), 및 표시 패널(10)의 개구영역(OA)과 대응하는 컴포넌트(20)를 포함할 수 있다.
표시 패널(10)은 기판(100), 기판(100) 상에 배치되며 표시요소들을 포함하는 표시요소층(200), 표시요소층(200)을 커버하는 봉지부재로서 박막봉지층(300), 및 터치입력을 감지하는 입력감지층(400)을 포함할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 입력감지층(400) 상에는 편광자(polarizer)와 지연자(retarder) 또는 컬러필터와 블랙매트릭스를 포함하는 반사 방지부재, 및 투명한 윈도우와 같은 구성요소(들)이 더 배치될 수 있다.
기판(100)은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 고분자 수지를 포함하는 기판(100)은 유리 재질의 기판에 비하여 가요성을 확보할 수 있다. 예컨대, 기판(100)은 투명한 고분자 수지를 포함할 수 있다. 기판(100)은 전술한 고분자 수지 외에 외부 이물질의 침투를 방지하는 배리어층으로서, 실리콘나이트라이드(SiNx) 및/또는 실리콘옥사이드(SiOx)와 같은 무기물을 포함하는 단일 또는 복수의 무기층을 더 포함할 수 있다.
표시요소층(200)은 표시영역(DA)에 배치되는 표시요소, 예컨대 유기발광다이오드(organic light-emitting diode)를 포함할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 표시요소층(200)은 표시요소와 연결된 박막트랜지스터, 스토리지 커패시터 및 배선들을 포함할 수 있다.
박막봉지층(300)은 표시요소층(200)을 커버함으로써, 외부로부터 수분이나 오염물질이 표시요소층(200)으로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 박막봉지층(300)은 적어도 하나의 무기봉지층과 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다.
박막봉지층(300)은 표시영역(DA)에서 표시요소들을 커버하되, 비표시영역으로 연장될 수 있다. 이와 관련하여, 도 2a는 박막봉지층(300)이 제1비표시영역(NDA1)까지 연장된 것을 도시한다.
입력감지층(400)은 표시영역(DA)에 배치될 수 있다. 입력감지층(400)은 외부의 입력, 예컨대 터치 이벤트에 따른 좌표정보를 획득할 수 있다. 입력감지층(400)은 감지전극(sensing electrode 또는 touch electrode) 및 감지전극과 연결된 신호라인(trace line)들을 포함할 수 있다.
입력감지층(400)을 형성하는 공정은 후술할 평탄화층(610)을 형성하는 공정 이후에 연속적으로 이루어지거나, 박막봉지층(300)을 형성하는 공정 이후에 연속적으로 이루질 수 있다. 따라서, 입력감지층(400)과 박막봉지층(300) 사이에는 접착부재가 개재되지 않을 수 있다.
평탄화층(610)은 제1비표시영역(NDA1)에 배치될 수 있다. 평탄화층(610)은 유기절연물을 포함한다. 평탄화층(610)은 포토레지스트(예컨대, 네거티브 또는 포지티브 포토레지스트)를 포함하거나, 박막봉지층(300)의 유기봉지층과 동일한 물질을 포함하거나, 후술할 입력감지층의 절연층 중 하나와 동일한 물질을 포함하거나, 기타 다양한 종류의 유기절연물을 포함할 수 있다.
표시 패널(10)은 도 2a에 도시된 바와 같이 개구영역(OA)과 대응하며 표시 패널(10)을 관통하는 개구(10H)를 포함할 수 있다. 기판(100), 표시요소층(200), 박막봉지층(300), 입력감지층(400) 및 평탄화층(610)은 각각 개구영역(OA)과 대응하는 제1 내지 제5개구(100H, 200H, 300H, 400H, 610H)들을 포함할 수 있다. 제1개구(100H)는 기판(100)의 상면과 하면을 관통하고, 제2개구(200H)는 표시요소층(200)의 최하층부터 최상층까지 관통 제3개구(300H)는 박막봉지층(300)을 관통한다. 제4개구(400H)는 입력감지층(400)의 최하층부터 최상층까지 관통할 수 있으며, 제5개구(610H)는 평탄화층(610)의 상면과 하면을 관통하도록 형성될 수 있다.
개구영역(OA)은 컴포넌트(20)가 배치되는 위치로서, 컴포넌트(20)는 도 2a에 도시된 바와 같이 개구영역(OA)은 표시 패널(10)의 아래에 배치되거나, 도 2b에 도시된 바와 같이 표시 패널(10)의 개구(10H)의 측면과 중첩하도록 개구(10H) 내에 배치될 수 있다.
컴포넌트(20)는 전자요소를 포함할 수 있다. 예컨대, 컴포넌트(20)는 빛이나 음향을 이용하는 전자요소일 수 있다. 예컨대, 전자요소는 적외선 센서와 같이 빛을 수광하여 이용하는 센서, 빛을 수광하여 이미지를 촬상하는 카메라, 빛이나 음향을 출력하고 감지하여 거리를 측정하거나 지문 등을 인식하는 센서, 빛을 출력하는 소형 램프이거나, 소리를 출력하는 스피커 등을 포함할 수 있다. 빛을 이용하는 전자요소의 경우, 가시광, 적외선광, 자외선광 등과 같이 다양한 파장 대역의 빛을 이용할 수 있다. 일부 실시예에서, 개구영역(OA)은 컴포넌트(20)로부터 외부로 출력되거나 외부로부터 전자요소를 향해 진행하는 빛 또는/및 음향이 투과할 수 있는 투과영역(transmission area)으로 이해될 수 있다.
다른 실시예로, 표시 패널(10)이 스마트 워치나 차량용 계기판으로 이용되는 경우, 컴포넌트(20)는 시계 바늘이나 소정의 정보(예, 차량 속도 등)를 지시하는 바늘 등을 포함하는 부재일 수 있다. 컴포넌트(20)는 도 2a 또는 도 2b에 도시된 바와 같이 표시 패널(10)의 개구(10H)와 대응하는 위치에 배치될 수 있는 구성요소로서, 전술한 바와 같이 표시 패널(10)의 기능과 관계된 구성요소(들)를 포함하거나, 표시 패널(10)의 심미감을 증가시키는 액세서리와 같은 구성요소 등을 포함할 수 있다.
도 2a 및 도 2b에 도시된 것과 같이 기판(100)은 개구영역(OA)과 대응하는 제1개구(100H)를 구비할 수 있다. 또는, 도 2c에 도시된 바와 같이, 기판(100)은 제1개구(100H)를 포함하지 않을 수 있다. 컴포넌트(20)는 점선으로 도시된 바와 같이 표시 패널(10)의 아래에 배치되거나, 실선으로 도시된 바와 같이 표시 패널(10)의 개구(10H)의 내에 배치될 수 있다. 표시 패널(10)의 아래에 배치된 컴포넌트(20)는 광을 이용하는 전자요소일 수 있다. 이 경우 표시 패널(10)의 개구영역(OA)에서의 광 투과율은 약 50% 이상, 보다 바람직하게 70% 이상이거나, 75% 이상이거나 80% 이상이거나, 85% 이상이거나 90% 이상일 수 있다.
기판(100)은 도 2a 내지 도 2c를 참조하여 설명한 바와 같이 제1개구(100H)를 포함하거나 포함하지 않을 수 있다. 기판(100)이 제1개구(100H)를 포함하는 경우에는 컴포넌트(20)의 종류나 위치의 제한없이 다양하게 활용할 수 있으므로, 더 바람직할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제1개구(100H)를 갖는 기판(100)을 구비한 표시 패널에 대하여 설명하지만, 후술할 특징들은 도 2c에 도시된 표시 패널에도 적용될 수 있음은 물론이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 4는 표시 패널의 어느 한 화소를 개략적으로 나타낸 등가 회로도이다.
도 3을 참조하면, 표시 패널(10)은 표시영역(DA) 및 제1 및 제2비표시영역(NDA1, NDA2)를 포함한다. 도 3은 표시 패널(10) 중 기판(100)의 모습으로 이해될 수 있다. 예컨대, 기판(100)이 개구영역(OA), 표시영역(DA), 제1 및 제2비표시영역(NDA1, NDA2)를 갖는 것으로 이해될 수 있다.
표시 패널(10)은 표시영역(DA)에 배치된 복수의 화소(P)들을 포함한다. 화소(P)들은 각각 유기발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다. 각 화소(P)는 유기발광다이오드를 통해 예컨대, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다.
도 4를 참조하면, 각 화소(P)는 화소회로(PC), 및 화소회로(PC)에 연결된 표시요소로서, 유기발광다이오드(OLED)를 포함한다. 화소회로(PC)는 제1박막트랜지스터(T1), 제2박막트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
제2박막트랜지스터(T2)는 스위칭 박막트랜지스터로서, 스캔라인(SL) 및 데이터라인(DL)에 연결되며, 스캔라인(SL)으로부터 입력되는 스위칭 전압에 따라 데이터라인(DL)으로부터 입력된 데이터 전압을 제1박막트랜지스터(T1)로 전달할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2박막트랜지스터(T2)와 구동전압선(PL)에 연결되며, 제2박막트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 제1전원전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장할 수 있다.
제1박막트랜지스터(T1)는 구동 박막트랜지스터로서, 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 대향전극(예, 캐소드)는 제2전원전압(ELVSS)을 공급받을 수 있다.
도 4는 화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터와 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 것을 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 박막트랜지스터의 개수 및 스토리지 커패시터의 개수는 화소회로(PC)의 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있음은 물론이다.
다시 도 3을 참조하면, 제1비표시영역(NDA1)은 개구영역(OA)을 둘러쌀 수 있다. 제1비표시영역(NDA1)은 빛을 방출하는 유기발광다이오드와 같은 표시요소가 배치되지 않은 영역으로, 제1비표시영역(NDA1)에는 개구영역(OA) 주변에 구비된 화소(P)들에 신호를 제공하는 신호라인들이 지나가거나 후술할 그루브(들)이 배치될 수 있다. 제2비표시영역(NDA2)에는 각 화소(P)에 스캔신호를 제공하는 스캔 드라이버(1100), 각 화소(P)에 데이터신호를 제공하는 데이터 드라이버(1200), 및 제1 및 제2전원전압을 제공하기 위한 메인 전원배선(미도시) 등이 배치될 수 있다. 또는, 데이터 드라이버(1200)는 표시 패널(10)의 일측에 구비된 패드에 접속하는 FPCB(flexible printed circuit board) 상에 배치될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도로서, 제1비표시영역에 위치하는 신호라인들을 나타낸다.
도 5를 참조하면, 개구영역(OA)을 중심으로 화소(P)들이 표시영역(DA)에 배치되며, 개구영역(OA)과 표시영역(DA) 사이에는 제1비표시영역(NDA1)이 위치할 수 있다.
화소(P)들은 개구영역(OA)을 중심으로 상호 이격되어 배치될 수 있다. 화소(P)들은 개구영역(OA)을 중심으로 위와 아래에 이격되어 배치되거나, 개구영역(OA)을 중심으로 좌우로 이격되어 배치될 수 있다.
화소(P)들에 신호를 공급하는 신호라인들 중 개구영역(OA)과 인접한 신호라인들은 개구영역(OA)을 우회할 수 있다. 표시영역(DA)을 지나는 데이터라인들 중 일부 데이터라인(DL)은, 개구영역(OA)을 사이에 두고 위와 아래에 배치된 화소(P)들에 데이터신호를 제공하도록 y방향으로 연장되되, 제1비표시영역(NDA1)에서 개구영역(OA)의 가장자리를 따라 우회할 수 있다. 표시영역(DA)을 지나는 스캔라인들 중 일부 스캔라인(SL)은, 개구영역(OA)을 사이에 두고 좌우에 배치된 화소(P)들에 스캔신호를 제공하도록 x방향으로 연장되되, 제1비표시영역(NDA1)에서 개구영역(OA)의 가장자리를 따라 우회할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도로서, 제1비표시영역에 위치하는 그루브를 나타낸다.
개구영역(OA)과 표시영역(DA) 사이에는 그루브들이 위치한다. 이와 관련하여, 도 6에서는 개구영역(OA)과 표시영역(DA) 사이에 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)가 위치한 것을 도시한다. 다른 실시예로서, 제1비표시영역(NDA1)에는 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3) 보다 더 많은 수의 그루브들, 예컨대 4개 이상의 그루브들이 배치될 수 있다.
제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 제1비표시영역(NDA1)에서 개구영역(OA)을 전체적으로 둘러싸는 고리 형상일 수 있다. 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3) 각각의 직경은 개구영역(OA)의 직경보다는 크게 형성될 수 있으며, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 소정의 간격 이격되어 배치될 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3) 중 적어도 두개의 그루브의 폭은 서로 다를 수 있다. 또는, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3) 중 적어도 두 개의 그루브의 돌출 팁 사이의 폭은 서로 동일할 수 있는 것과 같이 다양하게 변경될 수 있다.
도 5와 도 6을 참조하면, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 개구영역(OA)의 가장자리를 우회하는 신호라인들의 우회영역 보다 개구영역(OA)에 더 인접하게 위치할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 나타낸 단면도로서, 도 6의 VII- VII'선에 따른 단면에 해당하고, 도 8은 도 7의 유기발광다이오드를 확대한 단면도이다. 도 7은 개구영역(OA)과 그 주변의 제1비표시영역(NDA1) 및 표시영역(DA)을 도시한다. 도 7은 기판(100)이 개구영역(OA)과 대응하는 제1개구(100H)를 포함하는 것을 도시한다. 이하에서, 개구영역(OA)이라고 함은 표시 패널의 개구(10H)를 지칭하거나 기판(100)의 제1개구(100H)를 지칭하는 것으로 이해할 수 있다.
먼저, 도 7의 표시영역(DA)을 살펴본다.
기판(100)은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 기판(100)은 고분자 수지를 포함하는 베이스층, 및 무기층을 포함할 수 있다. 예컨대, 기판(100)은 순차적으로 적층된, 제1베이스층(101), 제1무기층(102), 제2베이스층(103), 및 제2무기층(104)을 포함할 수 있다.
제1 및 제2베이스층(101, 103)은 각각 고분자 수지를 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2베이스층(101, 103)은 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenene napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 등과 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 고분자 수지는 투명할 수 있다.
제1 및 제2무기층(102, 104)은 각각, 외부 이물질의 침투를 방지하는 배리어층으로서, 실리콘나이트라이드(SiNx) 및/또는 실리콘옥사이드(SiOx)와 같은 무기물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
기판(100) 상에는 불순물이 박막트랜지스터의 반도체층으로 침투하는 것을 방지하기 위해 형성된 버퍼층(201)이 배치될 수 있다. 버퍼층(201)은 실리콘 나이트라이드 또는 실리콘옥사이드와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기 절연물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다. 일부 실시예에서, 기판(100)의 제2무기층(104)은 다층 구조를 갖는 버퍼층(201)의 일부 층으로 이해될 수 있다.
버퍼층(201) 상에는 박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst) 등을 포함하는 화소회로(PC)가 배치될 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(Act), 게이트전극(GE), 소스전극(SE), 드레인전극(DE)을 포함할 수 있다. 도 7에 도시된 박막트랜지스터(TFT)는 도 4를 참조하여 설명한 구동 박막트랜지스터에 대응할 수 있다. 본 실시예에서는 게이트전극(GE)이 게이트절연층(203)을 가운데 두고 반도체층(Act) 상에 배치된 탑 게이트 타입을 도시하였으나, 또 다른 실시예에 따르면 박막트랜지스터(TFT)는 바텀 게이트 타입일 수 있다.
반도체층(Act)은 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 또는, 반도체층(Act)은 아모퍼스 실리콘을 포함하거나, 산화물 반도체를 포함하거나, 유기 반도체 등을 포함할 수 있다. 게이트전극(GE)은 저저항 금속 물질을 포함할 수 있다. 게이트전극(GE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
반도체층(Act)과 게이트전극(GE) 사이에는 게이트절연층(203)이 개재되며, 게이트절연층(203)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 게이트절연층(203)은 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 전도성이 좋은 재료를 포함할 수 있다. 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 Ti/Al/Ti의 다층으로 형성될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1층간절연층(205)을 사이에 두고 중첩하는 하부 전극(CE1)과 상부 전극(CE2)을 포함한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩될 수 있다. 이와 관련하여, 도 7은 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(GE)이 스토리지 커패시터(Cst)의 하부 전극(CE1)인 것을 도시하고 있다. 다른 실시예로서, 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩하지 않을 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2층간절연층(207)으로 커버될 수 있다.
제1 및 제2층간절연층(205, 207)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제1 및 제2층간절연층(205, 207)은 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함하는 화소회로(PC)는 유기절연층(209)으로 커버된다. 유기절연층(209)은 평탄화 절연층일 수 있다. 유기절연층(209)은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등과 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 유기절연층(209)은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
유기절연층(209) 상에는 유기발광다이오드(OLED)가 배치될 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극(221)은 유기절연층(209) 상에 배치될 수 있고, 유기절연층(209)의 콘택홀을 통해 화소회로(PC)와 연결될 수 있다.
화소전극(221)은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminium zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 화소전극(221)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로, 화소전극(221)은 전술한 반사막의 위/아래에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 더 포함할 수 있다.
화소정의막(211)은 화소전극(221)의 상면을 노출하는 개구를 포함하되, 화소전극(221)의 가장자리를 커버한다. 화소정의막(211)은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 또는 화소정의막(211)은 무기 절연물을 포함하거나, 유기 및 무기절연물을 포함할 수 있다.
중간층(222)은 발광층을 포함한다. 발광층은 소정의 색상의 빛을 방출하는 고분자 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 중간층(222)은 도 8에 도시된 바와 같이 발광층(222b)의 아래에 배치된 제1기능층(222a) 및/또는 발광층(222b)의 위에 배치된 제2기능층(222c)을 포함할 수 있다.
제1기능층(222a)은 단층 또는 다층일 수 있다. 예컨대 제1기능층(222a)이 고분자 물질로 형성되는 경우, 제1기능층(222a)은 단층구조인 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)으로서, 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT: poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나 폴리아닐린(PANI: polyaniline)으로 형성할 수 있다. 제1기능층(222a)이 저분자 물질로 형성되는 경우, 제1기능층(222a)은 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)과 홀 수송층(HTL)을 포함할 수 있다.
제2기능층(222c)은 언제나 구비되는 것은 아니다. 예컨대, 제1기능층(222a)과 발광층(222b)을 고분자 물질로 형성하는 경우, 유기발광다이오드(OLED)의 특성이 우수해지도록 하기 위해, 제2기능층(222c)을 형성하는 것이 바람직하다. 제2기능층(222c)은 단층 또는 다층일 수 있다. 제2기능층(222c)은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다.
중간층(222)을 이루는 복수의 층들 중 일부, 예컨대 기능층(들)은 표시영역(DA)뿐만 아니라 제1비표시영역(NDA1)에도 배치될 수 있으며, 제1비표시영역(NDA1)에서 후술할 제1 및 제2그루브(G1, G2)에 의해 단절된다.
대향전극(223)은 중간층(222)을 사이에 두고 화소전극(221)과 마주보도록 배치된다. 대향전극(223)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 대향전극(223)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(223)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다.
유기발광다이오드(OLED)는 박막봉지층(300)으로 커버된다. 박막봉지층(300)은 적어도 하나의 유기봉지층 및 적어도 하나의 무기봉지층을 포함할 수 있다. 도 7은 박막봉지층(300)이 제1 및 제2무기봉지층(310, 330) 및 이들 사이에 개재된 유기봉지층(320)을 포함하는 것을 도시한다. 다른 실시예에서 유기봉지층의 개수와 무기봉지층의 개수 및 적층 순서는 변경될 수 있다.
제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 타탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 아연옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 또는 실리콘옥시나이트라이드와 같은 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 화학기상증착법(CVD) 등에 의해 형성될 수 있다. 유기봉지층(320)은 폴리머(polymer)계열의 소재를 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다.
입력감지층(400)은 표시영역(DA)에 위치한다. 입력감지층(400)은 외부의 입력, 예컨대 터치 이벤트에 따른 좌표정보를 획득할 수 있다. 입력감지층(400)은 박막봉지층(300)이 형성된 기판(100) 상에 직접 형성되면서 박막봉지층(300)과 접촉할 수 있으며, 따라서 입력감지층(400)과 박막봉지층(300) 사이에는 이들을 결합하기 위한 접착층과 같은 부재가 생략될 수 있다. 입력감지층(400)은 감지전극(sensing electrode 또는 touch electrode) 및 감지전극과 연결된 신호라인(trace line)들을 포함할 수 있다. 입력감지층(400)은 감지전극이 배치된 제1 및 제2도전층(410, 420) 및 제1 내지 제3절연층(401, 403, 405)를 포함할 수 있으며, 이와 관련된 입력감지층(400)의 구체적 구조는 도 17 내지 도 20c를 참조하여 후술한다.
다음으로, 도 7의 제1비표시영역(NDA1)을 살펴본다.
도 7의 제1비표시영역(NDA1)을 참조하면, 제1비표시영역(NDA1)은 개구영역(OA)으로부터 상대적으로 먼 제1서브-비표시영역(SNDA1) 및 개구영역(OA)에 상대적으로 가까운 제2서브-비표시영역(SNDA2)을 포함할 수 있다.
제1서브-비표시영역(SNDA1)은 신호라인들이 지나는 영역이다. 도 7의 도시된 데이터라인(DL)들은 도 5를 참조하여 설명한 개구영역(OA)을 우회하는 데이터라인들에 해당할 수 있으며, 제1서브-비표시영역(SNDA1)은 신호라인들이 지나는 배선영역 또는 우회영역일 수 있다. 데이터라인(DL)들은 절연층을 사이에 두고 교번적으로 배치되거나, 동일한 절연층 상에 배치될 수 있다. 이웃한 데이터라인(DL)들이 절연층(예컨대, 제2층간절연층: 207)을 사이에 두고 아래와 위에 각각 배치되는 경우, 이웃한 데이터라인(DL)들 사이의 갭(피치)을 줄일 수 있으며, 제1비표시영역(NDA1)의 폭을 줄일 수 있다. 도 7은 제1서브-비표시영역(SNDA1)에 위치하는 데이터라인(DL)들을 나타내고 있으나, 앞서 도 5를 참조하여 설명한 개구영역(OA)을 우회하는 스캔라인들도 제1서브-비표시영역(SNDA1)에 위치할 수 있다.
제2서브-비표시영역(SNDA2)은 그루브들이 배치되는 일종의 그루브영역으로서, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)가 위치할 수 있다. 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 각각 언더컷 구조를 갖는다. 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 무기층과 유기층의 다층 막에 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 복수 층을 포함하는 기판(100)의 일부를 제거함으로써 형성될 수 있다.
제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 기판(100)의 제2베이스층(103) 및 그 위의 제2무기층(104) 등을 식각하여 형성할 수 있다. 이와 관련하여, 도 7은 제2베이스층(103) 및 제2무기층(104)의 일부가 제거되어 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)가 형성된 것을 도시한다. 도 7을 참조하면, 제2무기층(104) 상의 버퍼층(201), 게이트절연층(203)과 제1 및 제2층간절연층(205, 207)도 제거되어 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 일부를 이룰 수 있다.
각각의 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 언더컷 구조를 가질 수 있다. 각각의 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3) 중 제2베이스층(103)을 지나는 부분의 폭은 무기절연층(들), 예컨대 제2무기층(104) 및/또는 버퍼층(201)을 지나는 부분의 폭 보다 큰 언더컷 구조를 가질 수 있다. 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 언더컷 구조를 통해 중간층(222)의 일부 및 대향전극(223)이 단절될 수 있다.
박막봉지층(300)의 제1무기봉지층(310)은 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 내부 표면(inner surface)을 커버할 수 있다. 유기봉지층(320)은 제1그루브(G1)를 커버하며, 제1그루브(G1)의 일부를 채울 수 있다. 유기봉지층(320)은 기판(100) 상에 모노머를 도포한 후 이를 경화하여 형성할 수 있는데, 모노머의 흐름을 제어하고 모노머의 두께를 확보하기 위하여 제1 및 제2그루브(G1, G2) 사이에는 격벽(partition wall, 500)이 구비될 수 있다. 격벽(500)은 유기 절연물을 포함하는 제1 및 제2서브-벽부(sub-wall portion 510, 520)의 적층 구조일 수 있다. 유기봉지층(320)의 단부(end, 320E)는 개구영역(OA)으로부터 또는 기판(100)의 단부(100E)로부터 소정의 간격 이격되어 배치될 수 있다. 제2무기봉지층(330)은 유기봉지층(320) 상에 배치되되, 제2 및 제3그루브(G2, G3)의 내부 표면을 커버할 수 있다. 제2무기봉지층(330)은 제2 및 제3그루브(G2, G3)에서 제1무기봉지층(310)과 직접 접촉할 수 있다.
평탄화층(610)은 적어도 하나의 그루브를 커버하도록 제2서브-비표시영역(SNDA2)에 위치할 수 있다. 평탄화층(610)은 제2 및 제3그루브(G2, G3)를 커버할 수 있으며, 제2 및 제3그루브(G2, G3) 중 적어도 어느 하나를 채울 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이 제2그루브(G2) 중 제2무기봉지층(330) 위의 공간은 평탄화층(610)으로 충진될 수 있다. 평탄화층(610)은 제2서브-비표시영역(SNDA2) 중 유기봉지층(320)으로 커버되지 않는 영역을 커버함으로써, 개구영역(OA) 주변에서 표시 패널의 평탄도를 증가시킬 수 있다.
평탄화층(610)은 유기 절연물을 포함한다. 평탄화층(610)은 제2무기봉지층(330)에 의해 유기봉지층(320)과 공간적으로 분리된다. 예컨대, 평탄화층(610)이 제2무기봉지층(330)의 위에 배치되고 유기봉지층(320)이 제2무기봉지층(330)의 아래에 배치되는 것과 같이, 유기봉지층(320) 및 평탄화층(610)은 공간적으로 서로 분리될 수 있다. 유기봉지층(320) 및 평탄화층(610)은 직접 접촉하지 않을 수 있다.평탄화층(610)은 예컨대, 5㎛이상의 두께를 가질 수 있다.
평탄화층(610)의 일부는 유기봉지층(320)과 중첩할 수 있다. 평탄화층(610)의 제1단부(610E1)는 유기봉지층(320) 상으로 연장되어 유기봉지층(320)과 중첩할 수 있다. 평탄화층(610)의 제2단부(610E2)는 개구영역(OA)으로부터 또는/및 기판(100)의 단부(100E)로부터 소정의 간격 이격되어 배치될 수 있다. 따라서, 후술할 배리어층(620)의 제2단부(620E2)는 개구(10H)와 인접한 영역에서 제2무기봉지층(330)과 직접 접촉할 수 있다. 평탄화층(610)은 표시 패널의 제조 공정 시 제1비표시영역(NDA1)에 위치하는 절연층(들) 및 금속/도전층(들)에 크랙이 발생하거나 들뜨거나 박리되는 것을 방지하거나 최소화할 수 있다. 평탄화층(610)은 배리어층(620)으로 커버될 수 있다.
배리어층(620)은 평탄화층(610)을 커버하도록 제1비표시영역(NDA1)에 위치한다. 배리어층(620)은 평탄화층(610)의 상면과 측면을 커버할 수 있다. 배리어층(620)의 제1단부(620E1)는 도 7에 도시된 바와 같이 평탄화층(610)의 제1단부(610E1)와 동일한 선 상에 위치할 수 있다. 또는, 배리어층(620)의 제1단부(620E1)는 평탄화층(610)의 단부를 지나(beyond) 제2무기봉지층(330)의 상면 위로 연장되어 제2무기봉지층(330)의 접촉할 수 있다. 배리어층(620)의 제2단부(620E2)는 기판(100)의 단부(100E)와 동일한 수직 선상에 위치할 수 있다.
배리어층(620)은 무기물, 예컨대 무기절연물 또는/및 금속을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 배리어층(620)은 표시영역(DA)에 배치된 입력감지층(400)에 포함된 무기절연층 또는/및 금속층과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 배리어층(620)은 제1 내지 제4서브배리어층(621, 622, 623, 624)을 포함할 수 있다. 제1 및 제3서브배리어층(621, 62)은 각각 입력감지층(400)의 제1 및 제2절연층(401, 402)과 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 이 경우 도 7에 도시된 것과 달리 제1 및 제3서브배리어층(621, 62)은 각각 입력감지층(400)의 제1 및 제2절연층(401, 402)과 일체로 연결될 수 있다. 제2 및 제2서브배시어층(622, 624)은 각각 입력감지층(400)의 제1 및 제2도전층(410, 420)과 동일한 물질을 포함할 수 있으나, 제1 및 제2도전층(410, 420)과는 연결되지 않고 상호 이격되어 위치할 수 있다. 도 7에는 배리어층(620)이 제1 내지 제4서브배리어층(621, 622, 623, 624)을 포함하는 것으로 도시되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 배리어층(620)은 단층이거나 2~3층일 수 있다. 예컨대, 배리어층(620)은 제1 내지 제4서브배리어층(621, 622, 623, 624) 중에서 선택된 적어도 하나의 층을 포함할 수 있다.
도 9 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예로서 표시 패널의 제조 공정에 따른 개구영역 및 제1비표시영역을 나타낸 단면도들이다. 도 9는 도 7의 표시 패널 중 제1 내지 제3그루브가 형성된 상태를 나타낸 단면도이고, 도 10은 다른 실시예로서 제1 내지 제3그루브가 형성된 상태를 나타낸 단면도이며, 도 11은 도 9의 표시 패널 상에 중간층부터 박막봉지층까지 형성된 상태를 나타낸 단면도이고, 도 12 및 도 13은 도 11의 공정 이후에 평탄화층과 배리어층이 형성된 상태를 나타낸 단면도이며, 도 14는 제1개구를 형성한 이후의 상태를 나타낸 단면도이며, 도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 제조 공정에 따른 단면도로서, 도 14의 다른 실시예에 따른 커팅 또는 스크라이빙 공정 이후의 상태를 나타낸 단면도이다.
도 9를 참조하면, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 다층 막을 일부 제거하여 형성할 수 있다. 다층 막은 기판의 일부 층을 포함하는 층으로서, 고분자 수지와 같이 유기 절연물을 포함하는 층 및 그 위에 배치된 무기 절연물을 포함하는 층의 적층 구조일 수 있다. 예컨대, 고분자 수지를 포함하는 제2베이스층(103), 그리고 제2베이스층(103) 상의 제2무기층(104) 또는/및 버퍼층(201)과 같은 무기절연층(들)이 다층 막에 해당할 수 있다. 도 9에는 제2베이스층(103)과 박막트랜지스터(TFT) 사이의 무기절연층으로서 제2무기층(104)과 버퍼층(201)이 각각 별개의 명칭으로 명명되었지만, 실시예에 따라 제2무기층(104)은 다층인 버퍼층(201)의 일부이거나, 버퍼층(201)이 다층인 제2무기층(104)의 일부로 이해될 수 있다.
제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 제2베이스층(103) 및 그 위의 무기절연층(들)을 일부 제거하여 형성할 수 있다. 일 실시예로, 도 9에는 제2베이스층(103), 제2무기층(104), 버퍼층(201), 게이트절연층(203), 그리고 제1 및 제2층간절연층(205, 207)이 식각 공정을 통해 제거된 것을 도시한다. 제2베이스층(103)의 일부를 제거하는 식각 공정과 제2베이스층(103) 위의 무기절연층(들)을 제거하는 식각 공정은 서로 개별적으로 수행될 수 있다. 제1그루브(G1)와 제2그루브(G2) 사이에는 격벽(500)이 위치할 수 있으며, 격벽(500)은 유기절연층(209)과 동일한 물질로 형성된 제1서브-벽부(510) 및 화소정의막(211)과 동일한 물질로 형성된 제2서브-벽부(520)를 포함할 수 있다.
제1그루브(G1) 중 제2베이스층(103)을 지나는 부분의 폭(W1)은 제1그루브(G1) 중 버퍼층(201) 및 제2무기층(104)을 지나는 홀의 폭(W2) 보다 크게 형성되며, 따라서 제1그루브(G1)는 언더컷 구조를 가질 수 있다. 버퍼층(201) 및 제2무기층(104)의 측면은 제2베이스층(103)의 측면 보다 더 제1그루브(G1)의 중심을 향해 더 돌출될 수 있다. 제1그루브(G1)의 중심을 향해 기판(100)의 상면과 평행한 방향으로 더 돌출된 버퍼층(201) 및 제2무기층(104)의 부분들은 한 쌍의 처마 (또는 한 쌍의 돌출 팁 또는 팁, PT)에 해당할 수 있다. 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3) 각각의 돌출 팁(PT)은 해당하는 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 중심을 향해 약 0.7~1.5㎛ 정도 돌출될 수 있다.
제1그루브(G1)와 마찬가지로, 제2 및 제3그루브(G2, G3)도 언더컷 구조/처마 구조를 갖는다. 제2 및 제3그루브(G2, G3) 중 제2베이스층(103)을 지나는 부분의 폭(W1', W1")은, 제1그루브(G1) 중 버퍼층(201) 및 제2무기층(104)을 지나는 부분의 폭(W2', W2") 보다 크게 형성될 수 있다. 마찬가지로, 제2 및 제3그루브(G2, G3)를 정의하는 버퍼층(201) 및 제2무기층(104)의 측면은 제2베이스층(103)의 측면 보다 더 제1그루브(G1)의 중심을 향해 더 돌출될 수 있다. 버퍼층(201) 및 제2무기층(104) 중 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3) 각각의 중심을 향해 돌출된 한 쌍의 돌출 팁(PT)은 언더컷/처마 구조를 형성한다.
제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3) 중 적어도 두 개의 그루브의 폭은 서로 다를 수 있다. 예컨대, 제1그루브(G1)의 돌출 팁들 사이의 폭(W2)은 제2그루브(G2)의 돌출 팁들 사이의 폭(W2')보다 작을 수 있고, 제2그루브(G2)의 돌출 팁들 사이의 폭(W2')은 제3그루브(G3)의 돌출 팁들 사이의 폭(W2")보다 작을 수 있다. 또는, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3) 중 적어도 두 개의 그루브의 돌출 팁들 사이의 폭은 서로 동일할 수 있다. 또는, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)들을 포함하는 복수의 그루브들 중 개구영역(OA)로부터 상대적으로 먼 그루브의 폭은 개구영역(OA)에 가까운 그루브의 폭보다 작을 수 있다. 또는. 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)들을 포함하는 복수의 그루브들의 폭은 작은 것과 큰 것이 교번적으로 배치될 수 있는 것과 같이, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3) 및 그 외의 그루브(미도시)의 폭은 다양하게 선택될 수 있다.
도 9는 각각의 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)가 무기절연층을 지나는 홀, 예컨대 버퍼층(201) 및 제2무기층(104)에 형성된 홀과 제2베이스층(103)에 형성된 리세스로 이루어진 것을 도시한다. 제2베이스층(103)에 형성된 각 리세스의 깊이(h1, h2, h3)는 제2베이스층(103)의 두께(t) 보다 작을 수 있다. 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 바닥면은 각각 제2베이스층(103)의 상면과 하면 사이의 가상의 면 상에 놓일 수 있다.
다른 실시예로, 도 10에 도시된 바와 같이, 각각의 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G)는 무기절연층을 지나는 홀(예컨대, 버퍼층(201) 및 제2무기층(104)에 형성된 홀) 및 제2베이스층(103)을 지나는 홀로 이루어질 수 있다. 제2베이스층(103)에 형성된 각 홀의 깊이(h1', h2', h3')는 제2베이스층(103)의 두께(t)와 실질적으로 동일할 수 있으며, 따라서 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 바닥면은 각각 제2베이스층(103)의 하면과 동일한 가상의 면 상에 놓일 수 있다. 전술한 리세스 또는 홀의 깊이(h1, h2, h3,h1', h2', h3')는 약 2㎛ 이상일 수 있다.
이하에서는, 설명의 편의상 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 바닥면이 제2베이스층(103)의 상면 및 하면 사이에 위치하는 도 9의 구조를 중심으로 설명하나, 후술하는 실시예들 및 이들로부터 파생되는 실시예에서 제2베이스층(103)은 도 10을 참조하여 설명한 구조를 가질 수 있다.
도 11을 참조하면, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)를 구비하는 기판(100) 상에 중간층(222) 및 대향전극(223)이 형성된다. 중간층(222) 및 대향전극(223)은 열증착법 등에 의해 형성될 수 있다. 중간층의 일부, 예컨대 제1 및 제2기능층(222a, 222c) 및 대향전극(223)은 표시영역(DA) 및 제1비표시영역(NDA1)에서 일체로 형성될 수 있다. 제1 및 제2기능층(222a, 222c)은 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 언더컷 구조에 의해 제1비표시영역(NDA1)에서 단절될 수 있다. 마찬가지로, 대향전극(223)도 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)에 의해 제1비표시영역(NDA1)에서 단절될 수 있다.
박막봉지층(300) 중 제1무기봉지층(310)은 중간층(222) 및 대향전극(223)과 달리 스텝 커버리지가 상대적으로 우수하므로, 제1무기봉지층(310)은 단절되지 않은 채 연속적으로 형성될 수 있다. 제1무기봉지층(310)은 도 11에 도시된 바와 같이 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 내부 표면을 전체적으로 커버할 수 있다. 그루브(각각의 제1 내지 제3그루브)를 이루는 버퍼층(201)과 제2무기층(104)의 측면과 하부면, 그리고 제2베이스층(103)의 측면과 바닥면은 제1무기봉지층(310)에 의해 커버될 수 있다. 제1무기봉지층(310)은 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 바닥면에 놓인 단절된 제1 및 제2기능층(222a, 222c)과 대향전극(223)을 커버할 수 있다.
기판(100) 상의 층들 중 유기물을 포함하는 층은 수분이나 산소와 같은 이물질의 투습 경로가 될 수 있다. 유기물인 제1 및 제2기능층(222a, 222c)은 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)에 의해 단절되므로, 수분이 측 방향(lateral direction, x방향)으로 진행하면서 유기발광다이오드를 손상시키는 것을 방지할 수 있다.
제1그루브(G1)는 유기봉지층(320)으로 커버되며, 제1그루브(G1)는 유기봉지층(320)으로 채워질 수 있다. 유기봉지층(320)의 제조 공정 중, 모노머는 제1그루브(G1) 및 제2그루브(G2) 사이의 격벽(500)에 의해 흐름이 제어될 수 있다. 격벽(500)에 의해 흐름이 제어된 모노머가 경화되면서 형성된 유기봉지층(320)은 격벽(500)을 지나 연장되지 않을 수 있다. 유기봉지층(320)의 두께는 격벽(500)에 의해서 조절될 수 있고, 제2 및 제3그루브(G2, G3)은 유기봉지층(320)으로 커버되지 않을 수 있다.
제2 및 제3그루브(G2, G3)은 전술한 바와 같이 제1무기봉지층(310)으로 내부 표면이 커버된다. 제2 및 제3그루브(G2, G3)에서 제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 서로 접촉할 수 있다. 제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 표시영역(DA, 도 7)과 제1비표시영역(NDA1) 뿐만 아니라 개구영역(OA)에도 형성될 수 있다.
도 12를 참조하면, 박막봉지층(300) 상에 프리(pre)-평탄화층(610P)을 형성한다. 프리-평탄화층(610P)은 유기물, 예컨대 포토레지스트(네거티브 또는 포지티브)이거나 폴리머(polymer)계열 등을 포함할 수 있다. 프리-평탄화층(610P)은 제1비표시영역(NDA1) 중 제1 및 제2무기봉지층(310, 330)의 접촉 영역을 커버할 수 있으며, 일부는 제2무기봉지층(330)을 사이에 두고 유기봉지층(320)과 중첩할 수 있다.
도 13을 참조하면, 프리-평탄화층(610P)을 패터닝하여 평탄화층(610)을 형성한다. 예컨대, 프리-평탄화층(610P) 중 개구영역(OA)과 대응하는 부분을 제거하여, 평탄화층(610)을 형성할 수 있다. 평탄화층(610)은 제2 및 제3그루브(G2, G3)을 커버할 수 있다. 도 13에서와 같이 평탄화층(610)은 제2그루브(G2)와 제3그루브(G3)의 일부를 채울 수 있다. 프리-평탄화층(610P)을 패터닝하는 공정에 따라 평탄화층(610)의 제2단부(610E2)의 위치는 도 13에 도시된 위치에서 좌우 방향으로 변경될 수 있다.
이 후, 평탄화층(610) 상에 배리어층(620)을 형성한다. 배리어층(620)은 무기층으로서, 무기절연층 또는/및 금속층을 포함할 수 있다. 배리어층(620)은 앞서 도 7을 참조하여 설명한 바와 같이 입력감지층에 구비된 층들 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
배리어층(620)은 평탄화층(610)의 상면 및 측면을 커버할 수 있다. 개구영역(OA) 및 제1비표시영역(NDA1)의 일부 영역에서, 배리어층(620)은 제2무기봉지층(330)의 상면을 커버할 수 있다. 배리어층(620)은 평탄화층(610)의 상면 및 측면과 직접 접촉하며, 제2무기봉지층(330)의 상면과도 직접 접촉할 수 있다.
다음으로, 개구영역(OA)에 해당하는 제1라인(SCL1)을 따라 레이저 커팅 또는 스크라이빙 공정을 진행하면, 도 14에 도시된 바와 같이 기판(100)에 제1개구(100H)를 형성할 수 있다. 기판(100)을 커팅하거나 스크라이빙하는 공정 중 무기절연층에 크랙이 야기되는 경우, 크랙은 도 14의 화살표 방향("C")을 따라 진행할 수 있다. 그러나, 제3그루브(G3)의 언더컷 구조/처마 구조에 의해 크랙은 표시영역을 향해 더 이상 진행하지 않는다.
도 13의 제1라인(SCL1)을 따라 커팅 또는 스크라이빙 공정이 진행되면, 도 14에 도시된 바와 같이 단면상에서 제3그루브(G3)가 좌우 방향으로 처마 구조(돌출 팁)를 가질 수 있다. 다른 실시예로서, 제3그루브(G3)와 중첩하는 제2라인(SCL2, 도 13)을 따라 커팅 또는 스크라이빙 공정을 진행하는 경우, 제3그루브(G3)는 도 15에 도시된 바와 같이 우측 처마 구조(우측 돌출 팁)만 구비할 수 있다.
전술한 실시예에서는 기판(100)에 제1개구(100H)를 형성하는 방법으로 레이저 커팅 또는 스크라이빙 공정을 설명하였으나, 다른 실시예로서 기계적 연마법 등 다양한 방법을 이용할 수 있다.
도 7 내지 도 15를 참조하여 설명한 구조는 개구(10H), 즉 개구영역(OA)을 둘러싸는 구조로 이해할 수 있다. 예를 들어, 개구영역(OA)과 표시영역(DA) 사이의 평탄화층(610)은 도 16에 도시된 바와 같이 평면상에서 개구영역(OA)을 둘러싸는 고리 형으로 이해될 수 있다. 유기봉지층(320)은 표시영역(DA) 및 제1비표시영역(NDA1)의 일부를 커버하되, 유기봉지층(320)의 단부(320E)는 개구영역(OA)과 소정의 간격 이격되며 평탄화층(610)과 중첩할 수 있다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층을 발췌하여 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 17을 참조하면, 입력감지층(400)은 표시영역(DA)에 위치하는 제1감지전극(SP1) 및 제2감지전극(SP2)을 포함한다. 제1감지전극(SP1)들은 x방향을 따라 배열되고, 제2감지전극(SP2)들은 제1감지전극(SP1)들과 교차하는 y방향을 따라 배열된다. 제1감지전극(SP1)들 및 제2감지전극(SP2)들은 수직으로 교차할 수 있다.
제1감지전극(SP)들 및 제2감지전극(SP2)들은 서로 코너가 인접하게 배치될 수 있다. 제1감지전극(SP1)들은 제1연결전극(CP1)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있으며, 제2감지전극(SP2)들은 제2연결전극(CP2)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
도 18a 및 도 18b는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층 중 제1도전층 및 제2도전층을 나타낸 평면도이며, 도 18c는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층을 나타낸 단면도로서, 도 17의 XVII- XVII'선에 따른 단면에 대응할 수 있다.
도 18a 및 도 18b를 참조하면, 제1감지전극(SP1) 및 제2감지전극(SP2)은 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 제1도전층(410)은 제1연결전극(CP1)을 포함(도 18a 참조)하고, 제2도전층(420)은 제1감지전극(SP1), 제2감지전극(SP2), 및 제2연결전극(CP2)을 포함(도 18b참조)한다.
제2감지전극(SP2)들은 동일 층에 배치된 제2연결전극(CP2)에 의해서 연결될 수 있다. 제1감지전극(SP1)들은 x방향을 따라 배열되되, 다른 층에 배치된 제1연결전극(CP1)에 의해 연결될 수 있다.
도 18c를 참조하면, 제1도전층(410)과 제2도전층(420) 사이에는 제2절연층(403)이 개재된다. 제2도전층(420)에 배치된 제1감지전극(SP1)들은 제2절연층(403)의 콘택홀(CNT)을 통해 제1도전층(410)에 배치된 제1연결전극(CP1)과 접속될 수 있다. 제2도전층(420)은 제3절연층(405)으로 커버될 수 있으며, 제1도전층(410) 아래에는 제1절연층(401)이 배치될 수 있다. 제1 및 제2절연층(401, 403)은 실리콘나이트라이드와 같은 무기절연층일 수 있고, 제3절연층(405)은 유기절연층일 수 있다. 도 18c에는 박막봉지층(300)과 제1도전층(410) 사이에 제1절연층(401)이 개재된 것을 도시하나, 다른 실시예로서 제1절연층(401)은 생략되고 제1도전층(410)은 박막봉지층(300)의 바로 위에 위치할 수 있다. 다른 실시예로서, 제1 및 제2절연층(401, 403)은 유기절연층일 수 있다.
도 19a 및 도 19b는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층 중 제1도전층 및 제2도전층을 나타낸 평면도이며, 도 19c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층을 나타낸 단면도로서, 도 17의 XVII- XVII'선에 따른 단면에 대응할 수 있다.
도 19a 및 도 19b를 참조하면, 제1도전층(410)은 제1감지전극(SP1)들 및 이들을 연결하는 제1연결전극(CP1)을 포함하고, 제2도전층(420)은 제2감지전극(SP2)들 및 이들을 연결하는 제2연결전극(CP2)을 포함한다. 제1도전층(410)은 제2감지전극(SP2)과 접속되는 제2보조감지전극(S―SP2)을 더 포함할 수 있으며, 제2도전층(420)은 제1감지전극(SP1)과 접속되는 제1 보조감지전극(S―SP1)을 더 포함할 수 있다.
도 19a의 확대도를 참조하면, 각각의 제1감지전극(SP1)은 복수의 홀(H)을 포함할 수 있다. 홀(H)은 화소의 발광영역(P-E)과 중첩하도록 배치된다. 도시되지는 않았으나, 제2감지전극(SP2), 제1보조감지전극(S―SP1) 및 제2보조감지전극(S―SP2)도 도 19a의 확대도와 같이 화소의 발광영역(P-E)과 대응하는 복수의 홀들을 포함할 수 있다.
도 19c를 참조하면, 제1보조감지전극(S―SP1)은 제2절연층(403)의 콘택홀(CNT)을 통해 제1감지전극(SP1)에 접속될 수 있으며, 이와 같은 구조를 통해 제1감지전극(SP1)의 저항을 감소시킬 수 있다. 마찬가지로, 제2감지전극(SP2)은 제2절연층(403)의 콘택홀을 통해 제2보조감지전극(S―SP2)에 접속될 수 있다. 제1 및 제2절연층(401, 403)은 무기절연층일 수 있고, 제1 및 제2도전층(410, 420)은 알루미늄이나 티타늄과 같은 금속을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있으며, 제3절연층(405)은 유기절연물을 포함할 수 있다.
도 20a 및 도 20b는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층 중 제1도전층 및 제2도전층을 나타낸 평면도이며, 도 20c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층을 나타낸 단면도로서, 도 17의 XVII- XVII'선에 따른 단면에 대응할 수 있다.
도 20a 및 도 20b를 참조하면, 제1도전층(410)은 제1감지전극(SP1)들 및 이들을 연결하는 제1연결전극(CP1)을 포함하고, 제2도전층(420)은 제2감지전극(SP2)들 및 이들을 연결하는 제2연결전극(CP2)을 포함한다.
도 20c를 참조하면, 제1도전층(410)과 제2도전층(420) 사이에는 제2절연층(403')이 배치될 수 있다. 제2절연층(403')은 별도의 콘택홀을 구비하지 않으며, 제1 및 제2감지전극(SP1, SP2)는 제2절연층(403')을 사이에 두고 전기적으로 절연될 수 있다. 제2도전층(420)은 제3절연층(405')으로 커버될 수 있다. 제2절연층(403')은 유기절연층일 수 있다. 또 다른 실시예로, 제2절연층(403')은 무기절연층을 포함하거나 유기 및 무기 절연층들을 모두 포함할 수 있다. 및 제2절연층(403')은 유기절연층이거나, 무기절연층이거나, 유기 및 무기절연층들을 포함할 수 있다.
도 21은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도로서, 도 6의 VII- VII'선에 따른 단면에 해당할 수 있다. 도 7을 참조하여 설명한 표시 패널과의 차이는 제1비표시영역(NDA1)에는 4개 이상의 그루브가 배치된 것이다. 이와 관련하여 도 21에는 제2그루브(G2)와 제3그루브(G3) 사이에 하나의 제4그루브(G4)가 위치하는 것을 도시하지만, 다른 실시예로서, 제2그루브(G2)와 제3그루브(G3) 사이에는 복수의 제4그루브(G4)가 위치할 수 있다. 예컨대, 제4그루브(G4) 상의 적층 구조는 제2그루브(G2)와 동일할 수 있다.
도 21을 참조하여 그루브의 개수 및 그 구조 등은 전술한 실시예뿐만 아니라 후술할 실시예들 및 이로부터 파생되는 실시예들에도 적용될 수 있음은 물론이다.
도 22는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도로서, 도 6의 VII- VII'선에 따른 단면에 해당할 수 있다. 도 7을 참조하여 설명한 표시 패널에서는 평탄화층(610)의 제2단부(610E2)가 개구영역(OA), 예컨대 기판(100)의 단부(100E)와 소정의 간격 이격된 구조를 개시하나, 평탄화층(610)의 제2단부(610E2)의 위치는 도 22에 도시된 바와 같이 변경될 수 있다.
도 22를 참조하면, 평탄화층(610)의 제2단부(610E2)는 기판(100)의 단부(100E)와 동일한 수직 선상에 위치할 수 있다. 바꾸어 말하면, 평탄화층(610)의 측면은 단부(100E)와 동일한 수직 선상에 위치할 수 있다.
앞서 도 9 내지 도 15를 참조하여 설명한 제조 공정 중 프리-평탄화층(610P)을 패터닝하는 공정을 생략하는 경우, 도 22에 도시된 바와 같이 평탄화층(610)의 측면이 배리어층(620)에 의해 커버되지 않은 채 개구(10H)에 노출될 수 있다.
평탄화층(610)의 측면이 개구(10H)에 노출되어 있으므로, 유기 절연층인 평탄화층(610)을 통해 유입된 수분은 표시영역(DA)을 향해 측 방향(도 22에서 횡 방향)을 따라 진행할 수 있다. 그러나, 평탄화층(610')과 유기봉지층(320) 사이에 제2무기봉지층(330)이 배치되므로, 수분이 제2무기봉지층(330)을 지나 표시영역(DA)을 향해 진행하는 것이 차단될 수 있다.
도 22를 참조하여 설명한 평탄화층(610)의 구조는 전술한 실시예들뿐만 아니라 후술할 실시예들 및 이로부터 파생되는 실시예들에도 적용될 수 있음은 물론이다.
도 23은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도로서, 도 6의 VII- VII'선에 따른 단면에 해당할 수 있다.
도 23을 참조하면, 제1그루브(G1)와 표시영역(DA) 사이에는 격벽(500A)을 더 포함할 수 있다. 이하에서는, 제1 및 제2그루브(G1, G2) 사이의 격벽(500)과 구별하기 위하여, 제1 및 제2그루브(G1, G2) 사이의 격벽(500)을 제1격벽이라 하고, 제1그루브(G1)와 표시영역(DA) 사이에는 격벽(500A)을 제2격벽(500A)이라 한다.
제2격벽(500A)은 유기절연물을 포함할 수 있다. 예컨대, 제2격벽(500A)은 화소정의막(211)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제2격벽(500A)은 개구영역(OA)을 우회하는 신호라인들(예, 데이터라인들 DL)과 중첩할 수 있다.
유기봉지층(320)은 제조 공정 중 모노머는 제2격벽(500A)에 의해 그 흐름이 제어될 수 있다. 이 경우 유기봉지층(320)의 단부는 제2격벽(500A)의 내측에 인접하게 배치될 수 있으며, 유기봉지층(320)은 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)을 커버하지 않는다. 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)에서, 제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 서로 접촉할 수 있다.
도 23를 참조하여 설명한 평탄화층(610)의 구조는 전술한 실시예들뿐만 아니라 후술할 실시예들 및 이로부터 파생되는 실시예들에도 적용될 수 있음은 물론이다.
도 24는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도로서, 도 6의 VII- VII'선에 따른 단면에 해당할 수 있다. 도 7을 참조하여 설명한 표시 패널은 제1비표시영역(NDA1)에서 박막봉지층(300)의 바로 위에 평탄화층(610)이 배치된다. 따라서 도 7의 평탄화층(610)은 제1비표시영역(NDA1)에서 제2무기봉지층(330)의 상면과 직접 접촉하지만, 도 24의 표시 패널은 박막봉지층(300)과 평탄화층(610) 사이에 하부 배리어층(700)이 더 배치되며, 따라서 박막봉지층(300)과 평탄화층(610)은 직접 접촉하지 않을 수 있다.
하부 배리어층(700)은 무기물을 포함할 수 있다. 예컨대, 하부 배리어층(700)은 무기절연층 및/또는 금속층을 포함할 수 있으며, 일부 실시예에서 하부 배리어층(700)은 입력감지층(400)에 포함된 층들 중 일부를 포함할 수 있다.
도 24의 확대도를 참조하면, 하부 배리어층(700)은 제1 내지 제4하부층(701, 702, 703, 704)의 복수의 층으로 형성될 수 있다. 하부 배리어층(700)은 앞서 도 18a 내지 도 20c를 참조하여 설명한 입력감지층(400)에 포함된 층들 중 적어도 어느 하나의 층을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 및 제3하부층(701, 703)은 각각 입력감지층(400)의 제1절연층(401) 및 제2절연층(403)과 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 제1절연층(401) 및 제2절연층(403)은 도 18c 또는 도 19c를 참조하여 설명한 바와 같이 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제2 및 제4하부층(702, 704)는 각각 입력감지층(400)의 제1도전층(410), 및 제2도전층(420)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 하부 배리어층(700) 상의 평탄화층(610)은 입력감지층(400)의 제3절연층(405)과 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 제3절연층(405)은 도 18c 또는 도 19c를 참조하여 설명한 바와 같이 유기 절연물을 포함할 수 있다 . 이 경우, 하부 배리어층(700) 및 평탄화층(610)은 입력감지층(400)의 형성 공정과 동일한 공정에서 형성될 수 있다.
도 24에는 평탄화층(610) 및 하부 배리어층(700)의 단부가 입력감지층(400)과 소정의 간격 이격되어 배치된 것을 도시하나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 하부 배리어층(700) 중 제1 및 제3하부층(701, 703)은 각각 입력감지층(400)의 제1절연층(401) 및 제2절연층(403)과 일체로 연결될 수 있다. 하부 배리어층(700) 중 제2 및 제4하부층(702, 704)은 도 24에 도시된 바와 같이 각각 입력감지층(400)의 제1도전층(410), 및 제2도전층(420)과 상호 이격될 수 있다. 평탄화층(610)은 입력감지층(400)의 제3절연층(405)과 일체로 연결될 수 있다.
전술한 하부 배리어층(700)의 다층 구조는 후술할 실시예(들) 및 이들로부터 파생되는 실시예에도 적용될 수 있다. 도 24에는 하부 배리어층(700)이 4개의 층인 것을 설명하지만, 다른 실시예에서 하부 배리어층(700)은 1개의 층이거나 2개의 층이거나, 3개의 층이거나, 5개 이상인 것과 같이 다양하게 변경될 수 있다. 예컨대, 하부 배리어층(700)은 도 24에 도시된 제1 내지 제4하부층(701, 702, 703, 704) 중 적어도 어느 하나의 층을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로, 하부 배리어층(700)이 3개의 층을 포함하는 경우, 하부 배리어층(700)은 도 20c에서 설명한 입력감지층(400)의 제1도전층(410), 제2절연층(403') 및 제2도전층(420)과 동일한 물질을 포함할 수 있고, 하부 배리어층(700) 상의 평탄화층(610)은 도 20c의 제3절연층(405')과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
도 25는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 중 제2그루브에서 하부 배리어층의 구조를 확대하여 나타낸 단면도로서, 도 24의 XXV의 확대도에 해당할 수 있다. 도 25에서는 설명의 편의상, 하부 배리어층(700)이 제1 내지 제4하부층(701, 702, 703, 704)을 포함하는 경우로 설명한다.
도 25를 참조하면, 제2그루브(G2) 중 제2베이스층(103)을 지나는 부분의 깊이는 제1 및 제2기능층(222a, 222c), 대향전극(223), 제1 및 제2무기봉지층(310, 330) 및 하부 배리어층(700)의 수직 방향(기판의 상면에 수직인 방향, z방향)으로의 두께의 합 보다 크게 형성될 수 있다.
하부 배리어층(700)은 무기절연층과 금속층의 적층 구조일 수 있다. 예컨대, 제1 및 제3하부층(701, 703)은 실리콘나이트라이드와 같은 무기절연층일 수 있고, 제2 및 제4하부층(702, 704)은 알루미늄(Al)과 티타늄(Ti) 등을 포함하는 금속층일 수 있다. 일부 실시예로서, 제2 및 제4하부층(702, 704)는 Ti/Al/Ti와 같은 다층일 수 있다. 하부 배리어층(700)의 아래에는 제2무기봉지층(330) 및 제1무기봉지층(310)이 배치될 수 있다.
제1 및 제2무기봉지층(310, 330) 및 제1 및 제3하부층(701, 703)은 화학기상증착법 등의 공정을 통해 형성될 수 있고, 제2 및 제4하부층(702, 704)은 스퍼터링법 등의 공정을 통해 형성될 수 있다.
도 25를 참조하면, 제1 및 제2무기봉지층(310, 330) 그리고 제1 및 제3하부층(701, 703)은, 제3그루브(G3)의 내부 표면을 전체적으로 커버할 수 있다. 반면, 제2 및 제4하부층(702, 704)은 공정 조건 등에 따라 무기절연층 보다 스텝 커버리지가 상대적으로 낮을 수 있다. 이 경우 도 25에 도시된 바와 같이 제2 및 제4하부층(702, 704)은 처마구조, 즉 돌출 팁(PT) 부근에서 두께가 매우 얇게 형성되거나, 불연속적일 수 있다.
도 25에서는 제2그루브(G2)를 중심으로 하부 배리어층(700)의 구체적 구조를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 제3그루브(G3)에서 하부 배리어층(700)의 구조도 도 25에 도시된 구조와 유사할 수 있다. 도 25에서 설명한 구조는 도 24를 참조하여 설명한 실시예뿐만 아니라 도 26 내지 도 28을 참조하여 설명할 실시예, 및 이들로부터 파생되는 실시예에도 동일하게 적용될 수 있다.
도 26 내지 도 28은 본 발명의 다른 실시예에 따른 단면도들로서, 도 6의 VII- VII'선에 따른 단면에 해당할 수 있다.
도 26에 도시된 바와 같이, 표시 패널은 제1비표시영역(NDA1)에 적어도 하나의 제4그루브(G4)를 더 포함할 수 있으며, 하부 배리어층(700)은 제2 내지 제4그루브(G2, G3, G4)에서 제2무기봉지층(330)과 직접 접촉할 수 있다.
도 27에 도시된 바와 같이, 표시 패널은 기판(100)의 단부(100E)와 동일한 수직 선상에 위치하는 측면을 갖는 평탄화층(610)을 가질 수 있다. 이 경우 평탄화층(610)을 통해 수분 등이 유입될 수 있으나 평탄화층(610)을 통해 측 방향으로 진행하던 수분은 하부 배리어층(700)과 제2무기봉지층(330)의 다층 구조에 의해 차단되므로 유기봉지층(320)으로 전달되지 않는다. 따라서 수분 등에 의해 표시영역(DA)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
도 28에 도시된 바와 같이, 표시 패널은 제2격벽(500A)을 더 포함할 수 있으며, 하부 배리어층(700)은 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)에서 제2무기봉지층(330)과 직접 접촉할 수 있다.
도 24 내지 도 28은 평탄화층(610)의 상면이 배리어층(620)으로 커버된 구조를 개시하고 있으나, 일부 실시예에서 배리어층(620)은 생략될 수 있다.
도 24 내지 도 28은 하부 배리어층(700)이 제2서브-비표시영역(SNDA2)에 배치되는 구조를 개시하고 있으나, 일부 실시예에서 하부 배리어층(700)은 제1서브-비표시영역(SNDA1) 및/또는 표시영역(DA)으로 연장될 수 있다. 예컨대, 앞서 설명한 바와 같이 하부 배리어층(700)이 무기 절연층인 제1 또는/및 제3하부층(701, 703)을 포함하는 경우, 이들은 제1서브-비표시영역(SNDA1) 및/또는 표시영역(DA)으로 연장될 수 있다.
도 29는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개구영역 및 제1비표시영역을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 29에서는, 편의상 제1비표시영역(NDA1)의 일부, 예컨대 제2서브-비표시영역(SNDA2)을 도시하지만, 도 29의 표시 패널도 제1서브-비표시영역(SNDA1) 및 표시영역(DA)을 구비하며 그 구조는 앞서 도 7 내지 도 28을 참조하여 설명한 바와 같다.
도 29를 참조하면, 제2서브-비표시영역(SNDA2)에는 복수의 그루브, 예컨대 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)가 위치한다. 복수의 그루브들 중 이웃하는 그루브들 사이에는 격벽이 배치될 수 있다. 이와 관련하여, 도 29는 제1 및 제2그루브(G1, G2) 사이의 제1격벽(500)과 제2 및 제3그루브(G2, G3) 사이의 격벽(500B, 이하, 제3격벽이라 함)을 도시한다.
제1 및 제3격벽(500, 500B)는 각각 제1서브-벽부(510',510B) 및 제2서브-벽부(520, 520B)를 포함할 수 있다. 제1서브-벽부(510',510B)들 각각은 그 아래에 패터닝된 무기 절연층(들), 예컨대 게이트절연층(203)과 제1 및 제2층간절연층(205, 207)의 적층체(ST)를 커버할 수 있다. 보다 구체적으로, 적층체(ST)의 측면은 각 제1서브-벽부(510',510B)에 의해 커버될 수 있으며, 제1서브-벽부(510',510B) 각각은 적층체(ST) 아래의 버퍼층(201)의 상면과 접촉할 수 있다.
제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)에 의해 중간층(222)의 일부, 예컨대 제1 및 제2기능층과 대향전극(223)이 단절될 수 있음을 앞서 언급한 바와 같으며, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 내부 표면이 제1무기봉지층(310)에 의해 커버될 수 있음은 앞서 설명한 바와 같다.
유기봉지층(320)은 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)를 커버할 수 있다. 예컨대, 유기봉지층(320)의 제1부분(320A)은 제1 및 제2그루브(G1, G2)를 커버하고, 유기봉지층(320)의 제2부분(320B)은 제3그루브(G3)를 커버할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 제1 및 제2그루브(G1, G2)를 커버하는 유기봉지층(320)의 제1부분(320A)은 표시영역과 제1서브-비표시영역도 커버할 수 있다. 유기봉지층(320)의 제2부분(320B)은 스트레스를 완화할 수 있으며, 따라서 해당 영역에서의 막(예컨대, 무기물을 포함하는 층들)의 들뜸 또는 박리를 방지할 수 있다.
유기봉지층(320)은 제2서브-비표시영역(SNDA2)에서 단절된다. 예컨대, 유기봉지층(320)의 제1부분(320A)과 제2부분(320B)은 제3격벽(500B)을 사이에 두고 서로 이격될 수 있으며, 상호 이격된 제1부분(320A)과 제2부분(320B) 사이의 공간은 유기봉지층(320)의 홀(320H)로 이해할 수 있다. 홀(320H)은 도 29에 도시된 바와 같이 제2 및 제3그루브(G2, G3) 사이에 위치할 수 있다. 유기봉지층(320) 상의 제2무기봉지층(330)은 홀(320H)을 통해 제1무기봉지층(310)과 직접 접촉할 수 있다.
평탄화층(610)은 제2무기봉지층(330) 상에 배치되며, 복수의 그루브들 중 적어도 어느 하나를 커버할 수 있다 일 실시예로. 도 29에 도시된 바와 같이 평탄화층(610)은 제1 및 제2그루브(G1, G2), 및 제3그루브(G3)의 일부와 중첩하게 배치되며, 제1 및 제2그루브(G1, G2), 및 제3그루브(G3)의 일부를 커버할 수 있다.
평탄화층(610)은 홀(610H)을 포함할 수 있다. 평탄화층(610)의 홀(610H)은 제3그루브(G3)와 중첩할 수 있다. 평탄화층(610)의 홀(610H)은 제3그루브(G3)의 폭(W2")보다 작은 폭을 가질 수 있다. 또는, 평탄화층(610)의 홀(610H)은 제3그루브(G3)의 폭(W2")과 같은 폭을 가지거나, 제3그루브(G3)의 폭(W2")보다 큰 폭을 가질 수 있다. 평탄화층(610)의 홀(610H)은 유기봉지층(320)의 홀(320H)보다 개구영역(OA)에 더 인접하게 배치될 수 있다. 또는, 평탄화층(610)의 홀(610H)은 유기봉지층(320)의 홀(320H)보다 개구영역(OA)에서 멀어지게 배치될 수 있다. 도 29에는 평탄화층(610)의 홀(610H)이 유기봉지층(320)의 홀(320H)과 소정의 간격 이격된 것을 도시하나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로, 평탄화층(610)의 홀(610H)은 유기봉지층(320)의 홀(320H)과 적어도 일부 중첩할 수 있다.
배리어층(620)은 평탄화층(610) 상에 배치되며, 평탄화층(610)의 홀(610H)을 통해 제2무기봉지층(330)과 직접 접촉할 수 있다. 배리어층(620)은 무기물을 포함하며 단층 또는 다층일 수 있으며, 이에 대한 설명은 앞서 도 7을 참조하여 설명한 실시예와 같다. 배리어층(620) 상에는 추가 평탄화층(630)이 더 배치될 수 있다. 추가 평탄화층(630)은 유기물을 포함할 수 있다. 예컨대, 배리어층(620)이 도 7을 참조하여 설명한 바와 같이 입력감지층에 형성된 무기절연층 및/또는 금속층(예컨대 제1절연층, 제1도전층, 제2절연층, 제2도전층 중 적어도 하나)을 포함하는 경우, 추가 평탄화층(630)은 입력감지층의 제3절연층과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 추가 평탄화층(630)은 입력감지층의 제3절연층과 일체로 연결될 수 있다. 즉, 추가 평탄화층(630)은 입력감지층의 제3절연층으로 이해할 수 있다.
도 29에 도시된 구조는 개구(10H), 즉 개구영역(OA)을 둘러싸는 구조로 이해할 수 있다. 예컨대, 평면상에서, 평탄화층(610)은 개구영역(OA)을 둘러싸는 고리 형으로 이해될 수 있다. 또한, 제3그루브(G3)를 커버하는 유기봉지층(320)의 제2부분(320B)도 평면상에서 개구영역(OA)을 둘러싸는 고리 형으로 이해될 수 있다. 마찬가지로, 유기봉지층(320) 및 평탄화층(610) 각각에 구비된 홀(320H, 610H)은 평면상에서 개구영역(OA)을 둘러싸는 고리 형으로 이해될 수 있다.
유기봉지층(320)의 홀(320H)은 기판(100) 상에 유기봉지층(320)이 구비되지 않은 영역으로 이해될 수 있다. 따라서, 앞서 도 7 내지 도 28을 참조하여 설명한 실시예들에서, 기판(100)의 단부(100E)와 유기봉지층(320)의 단부(320E) 사이의 영역은 도 29를 참조하여 설명한 홀(320H)로 이해될 수 있다. 마찬가지로, 평탄화층(610)의 홀(610H)은 기판(100) 상에 평탄화층(610)이 구비되지 않은 영역으로 이해될 수 있다. 따라서, 앞서 도 7 내지 도 28(단, 도 22 및 도 27 제외)을 참조화여 설명한 실시예들에서, 기판(100)의 단부(100E)와 평탄화층(610)의 제2단부(610E2) 사이의 영역은 평탄화층(610)의 홀(610H)로 이해될 수 있다.
도 29는 표시 패널의 제조 공정 중 제1라인(SCL1) 따라 커팅 또는 스크라이빙 공정이 진행된 표시 패널의 단면에 해당할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로, 도 29에 도시된 바와 같이 제1라인(SCL1)으로부터 n번째 라인(SCLn)까지의 영역은 표시 패널의 제조 공정 중 커팅 영역(CA)으로 이해될 수 있다. 즉, 제1라인(SCL1)으로부터 n번째 라인(SCLn)들 중 어느 하나의 라인을 따라 커팅 또는 스크라이빙 공정이 진행될 수 있으며, 그에 따른 단면 구조는 본 발명의 실시예(들)에 따른 표시 패널의 구조에 해당할 수 있다.
도 30은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개구영역 및 제1비표시영역을 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 31a 및 도 31b는 도 30의 제3그루브를 확대한 도면이다.
도 30의 표시 패널은 제3그루브(G3) 상의 유기봉지층(320)의 제2부분(320B)에서 도 29를 참조하여 설명한 표시 패널과 차이가 있다. 도30에 도시된 바와 같이, 유기봉지층(320)의 제2부분(320B)은 제3그루브(G3) 상에 배치되되, 제3그루브(G3)의 일부만 커버할 수 있다. 유기봉지층(320)의 제2부분(320B)은 제3그루브(G3)의 돌출 팁 주변에서 끊어질 수 있다(도 30의 좌측 돌출 팁 참조). 예컨대, 유기봉지층(320)의 제2부분(320B)은 제3그루브(G3)의 돌출 팁을 중심으로 제3그루브(G3) 주변에 위치하는 제2-1부분(320B1) 및 제3그루브(G3) 내에 위치하는 제2-2부분(320B2)을 포함할 수 있다.
도 31a을 참조하면, 제2-2부분(320B2)은 제3그루브(G3) 내에 위치하되 제3그루브(G3)의 바닥면 상에 놓인 중간층(222)의 일부(예컨대, 제1 및 제2기능층) 및 대향전극(223)을 커버할 수 있다. 또는, 도 31b를 참조하면, 제2-2부분(320B2)은 제3그루브(G3) 내에 위치하되 돌출 팁(PT) 아래에만 위치할 수 있다. 제2-2부분(320B2)은 한 쌍의 돌출 팁(PT) 아래에 위치하되, 제3그루브(G3)의 중심 부분에서 제2-2부분(320B2)은 그 두께가 매우 얇게 형성되거나 존재하지 않을 수 있다.
도 30은 표시 패널의 제조 공정 중 제1라인(SCL1) 따라 커팅 또는 스크라이빙 공정이 진행된 표시 패널의 단면에 해당할 수 있다. 다른 실시예로, 도 30에 도시된 바와 같이 제1라인(SCL1)으로부터 n번째 라인(SCLn)까지의 영역은 표시 패널의 제조 공정 중 커팅 영역(CA)으로 이해될 수 있다. 따라서, 도시되지는 않았으나, 제1라인(SCL1)으로부터 n번째 라인(SCLn)들 사이의 중 어느 하나의 라인(기판에 수직인 라인)을 따라 커팅 또는 스크라이빙 공정이 진행된 단면 구조는 본 발명의 실시예(들)에 따른 표시 패널의 구조에 해당함은 물론이다.
도 32는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개구영역 및 제1비표시영역을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 32를 참조하면, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3) 상의 유기봉지층(320)은 앞서 도 30 내지 도 31b를 참조하여 설명한 바와 같다. 도 32의 표시 패널 중 평탄화층(610)은 도 29 및 도 30의 표시 패널과 달리 홀(610H)을 포함하지 않는다. 예컨대, 도 32의 평탄화층(610)은 제2서브-비표시영역(NDA)을 전체적으로 커버할 수 있다. 배리어층(620)은 제2무기봉지층(330)과 직접 접촉하지 않는다.
도 32는 표시 패널의 제조 공정 중 제1라인(SCL1) 따라 커팅 또는 스크라이빙 공정이 진행된 표시 패널의 단면에 해당할 수 있다. 다른 실시예로, 도시되지는 않았으나, 커팅 영역(CA)에 존재하는 제1라인(SCL1)으로부터 n번째 라인(SCLn)들 중 어느 하나의 라인을 따라 커팅 또는 스크라이빙 공정이 진행된 단면 구조도 본 발명의 실시예(들)에 따른 표시 패널의 구조에 해당함은 물론이다.
도 33은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개구영역 및 제1비표시영역을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 33을 참조하면, 개구영역(OA)과 제2그루브(G2) 사이에는 복수의 제3그루브(G3')들이 위치할 수 있다. 각각의 제3그루브(G3')들은 제1 또는/및 제2그루브(G1, G2)와 실질적으로 동일한 폭을 갖거나, 그보다 작은 폭을 가질 수 있다.
평탄화층(610)은 제2 및 제3그루브(G2, G3')들 상에 위치할 수 있으며, 제2 및 제3그루브(G2, G3'들 중 제2무기봉지층(330) 위의 공간은 평탄화층(610)으로 채워질 수 있다. 도 33에 도시된 복수의 제3그루브(G3)들의 배치는 도 7 내지 도 32를 참조하여 전술한 실시예들 및 이들로부터 파생되는 실시예들에도 적용될 수 있다.
도 33은 표시 패널의 제조 공정 중 제1라인(SCL1) 따라 커팅 또는 스크라이빙 공정이 진행된 표시 패널의 단면에 해당할 수 있다. 다른 실시예로, 도시되지는 않았으나, 커팅 영역(CA)에 존재하는 제1라인(SCL1)으로부터 n번째 라인(SCLn)들 중 어느 하나의 라인을 따라 커팅 또는 스크라이빙 공정이 진행될 수 있으며, 그에 따른 단면 구조도 본 발명의 실시예(들)에 따른 표시 패널의 구조에 해당함은 물론이다.
도 33에서 설명한 복수의 제3그루브(G3')들의 개수는 본 발명을 한정하지 않는다. 다른 실시예에서 도 33에 도시된 제3그루브(G3')들의 개수보다 더 많은 제3그루브들이 배치될 수 있다. 또한, 도 33에서 설명한 복수의 제3그루브(G3')들의 구조는 앞서 도 7 내지 도 33을 참조하여 설명한 실시예들 및 이들로부터 파생되는 실시예들에도 적용될 수 있음은 물론이다.
도 29, 도 30, 도 32 및 도 33에 도시된 커팅 영역(CA)에는 유기물, 예컨대 유기봉지층(320), 평탄화층(610), 또는 추가 평탄화층(630) 중 적어도 어느 하나가 배치되어 있으므로, 전술한 유기물이 없는 경우와 달리 스트레스를 완화시킬 수 있으며, 막(예컨대 무기층들)의 들뜸 현상을 방지하거나 최소화할 수 있다.
도 29, 도 30, 도 32 및 도 33에 도시된 격벽(제1 및 제3격벽, 500, 500B)은 앞서 도 7 내지 도 28을 참조하여 설명한 표시 패널의 실시예에도 적용될 수 있다. 또한, 도 29, 도 30, 도 32 및 도 33에 도시된 추가 평탄화층(630)도 앞서 도 7 내지 도 28을 참조하여 설명한 실시예들 및 이들로부터 파생되는 실시예에도 적용될 수 있다.
도 34는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 발췌하여 나타낸 평면도이고, 도 35는 도 34의 개구영역을 확대한 평면도이다.
도 34 및 도 35을 참조하면, 표시 패널(10')의 개구영역(OA)은 표시영역(DA)에 의해 부분적으로 둘러싸일 수 있다. 개구영역(OA)을 중심으로 좌우에 화소(P)들이 이격되어 배치될 수 있다. 개구영역(RA)의 좌측의 화소(P)와 우측의 화소(P)에 스캔신호를 전달하는 스캔라인(SL)은 제1비표시영역(NDA1)에서 개구영역(OA) 주변을 우회할 수 있다.
개구영역(OA)은 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)에 의해 둘러싸일 수 있으며, 제2비표시영역(NDA2)에는 적어도 하나의 외측그루브가 위치할 수 있다. 이와 관련하여, 도 34에는 제2비표시영역(NDA2)에 구비된 제1 및 제2외측그루브(OG1, OG2)가 배치된 것을 도시한다.
개구영역(OA)을 둘러싸는 그루브들 중 적어도 어느 하나는 외측그루브와 연결될 수 있다. 도 35에 도시된 바와 같이 개구영역(OA)을 둘러싸는 어느 하나의 그루브, 예컨대 제1그루브(G1)는 제2비표시영역(NDA2)에 구비된 제1외측그루브(OG1)와 연결될 수 있다. 또는, 개구영역(OA)을 둘러싸는 그루브들은 외측그루브와 연결되지 않은 채 이격될 수 있다.
제1비표시영역(NDA1)의 구조는 앞서 도 7 내지 도 33을 참조하여 설명한 실시예 및 이들로부터 파생되는 실시예들과 동일하므로 앞서 설명한 내용으로 갈음한다.
도 36은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 37는 도 36의 개구영역을 확대한 평면도이다.
도 36 및 도 37를 참조하면, 표시 패널(10")의 개구영역(OA)은 표시영역(DA)에 의해 부분적으로 둘러싸일 수 있다. 개구영역(OA)을 중심으로 상하에 화소(P)들이 이격되어 배치될 수 있다. 개구영역(RA)의 상측의 화소(P)와 하측의 화소(P)에 데이터신호를 전달하는 데이터라인(DL)은 제1비표시영역(NDA1)에서 개구영역(OA) 주변을 우회할 수 있다.
개구영역(OA)은 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)에 의해 둘러싸일 수 있으며, 제2비표시영역(NDA2)에는 적어도 하나의 외측그루브가 위치할 수 있다. 이와 관련하여, 도 36에는 제2비표시영역(NDA2)에 구비된 제1 및 제2외측그루브(OG1, OG2)가 배치된 것을 도시한다.
개구영역(OA)을 둘러싸는 그루브들 중 적어도 어느 하나는 외측그루브와 연결될 수 있다. 도 37에 도시된 바와 같이, 개구영역(OA)을 둘러싸는 어느 하나의 그루브, 예컨대 제1그루브(G1)는 제2비표시영역(NDA2)에 구비된 제1외측그루브(OG1)와 연결될 수 있다. 또는, 개구영역(OA)을 둘러싸는 그루브들은 외측그루브와 연결되지 않은 채 이격될 수 있다.
제1비표시영역(NDA1)의 구조는 앞서 도 7 내지 도 33을 참조하여 설명한 실시예 및 이들로부터 파생되는 실시예들과 동일하므로 앞서 설명한 내용으로 갈음한다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 기판
101: 제1베이스층
102: 제1무기층
103: 제2베이스층
104: 제2무기층
200: 표시요소층
300: 박막봉지층
310: 제1무기봉지층
320: 유기봉지층
330: 제2무기봉지층
400: 입력감지층
610: 평탄화층
620: 배리어층
700: 하부 배리어층
101: 제1베이스층
102: 제1무기층
103: 제2베이스층
104: 제2무기층
200: 표시요소층
300: 박막봉지층
310: 제1무기봉지층
320: 유기봉지층
330: 제2무기봉지층
400: 입력감지층
610: 평탄화층
620: 배리어층
700: 하부 배리어층
Claims (35)
- 개구영역 및 상기 개구영역을 둘러싸는 표시영역을 구비한 기판;
상기 표시영역에 위치하는 복수의 표시요소들;
상기 표시요소들을 커버하며, 유기봉지층 및 무기봉지층을 포함하는 박막봉지층;
상기 개구영역과 상기 표시영역 사이에 위치하고, 상기 기판의 깊이 방향으로 오목하며, 언더컷 구조를 갖는, 제1그루브 및 제2그루브;
상기 개구영역과 상기 표시영역 사이에서 상기 제1그루브 및 상기 제2그루브와 중첩하고, 유기절연물을 포함하는, 평탄화층; 및
상기 표시영역에 위치하며, 상기 박막봉지층 상에 배치된 입력감지층;
을 포함하며,
상기 평탄화층은 상기 무기봉지층의 위에 배치되고 상기 유기봉지층은 상기 무기봉지층의 아래에 배치된, 표시 패널. - 제1항에 있어서,
상기 기판은 순차적으로 적층된 제1베이스층, 제1무기층, 제2베이스층 및 제2무기층을 포함하며,
상기 제1그루브 및 상기 제2그루브 각각의 바닥면은, 상기 제2베이스층의 하면이거나 상기 제2베이스층의 상면과 하면 사이에 위치한 가상의 면 상에 놓이는, 표시 패널. - 제1항에 있어서,
상기 박막봉지층은, 순차적으로 적층된 제1무기봉지층, 상기 유기봉지층, 및 상기 무기봉지층을 포함하는, 표시 패널. - 제3항에 있어서,
상기 제1무기봉지층은 상기 제1그루브 및 상기 제2그루브 중 적어도 어느 하나의 내부 표면을 커버하는, 표시 패널. - 제3항에 있어서,
상기 무기봉지층은 상기 개구영역과 상기 표시영역 사이에서 상기 제1무기봉지층과 직접 접촉하는, 표시 패널. - 제1항에 있어서,
상기 평탄화층의 적어도 일부는 상기 유기봉지층과 중첩하는, 표시 패널. - 제1항에 있어서,
상기 기판은 상기 개구영역에 대응하는 제1개구를 포함하고,
상기 유기봉지층은, 상기 제1개구를 둘러싸는 홀을 포함하는, 표시 패널. - 제7항에 있어서,
상기 제1개구에 인접한 상기 평탄화층의 단부는,
상기 기판의 단부와 동일한 수직 선상에 위치하거나 상기 기판의 단부로부터 소정의 간격 이격된, 표시 패널. - 제1항에 있어서,
상기 평탄화층 상에 위치하며 무기물을 포함하는 배리어층을 더 포함하는, 표시 패널. - 제9항에 있어서,
상기 배리어층은 상기 입력감지층에 포함된 복수의 층들 중 적어도 어느 하나의 층과 동일한 물질을 포함하는, 표시 패널. - 제9항에 있어서,
상기 배리어층 상에 위치하는 추가 평탄화층을 더 포함하는, 표시 패널. - 제1항에 있어서,
상기 평탄화층은 상기 입력감지층에 포함된 유기물과 동일한 물질을 포함하는, 표시 패널. - 제1항에 있어서,
상기 평탄화층과 상기 박막봉지층 사이에 배치되는 하부 배리어층을 더 포함하는, 표시 패널. - 제13항에 있어서,
상기 하부 배리어층은 상기 입력감지층에 포함된 무기물과 동일한 물질을 포함하는, 표시 패널. - 제13항에 있어서,
상기 하부 배리어층은 상기 무기봉지층과 직접 접촉하는, 표시 패널. - 개구를 갖는 기판;
상기 개구를 적어도 부분적으로 둘러싸는 표시영역에 위치한 표시요소들;
상기 표시요소들 상에 위치하며, 유기봉지층 및 무기봉지층을 포함하는 박막봉지층;
상기 개구와 상기 표시영역 사이의 그루브영역에 위치하는 제1그루브 및 제2그루브; 및
상기 그루브영역에서 상기 제1그루브 및 상기 제2그루브에 중첩하며, 상기 무기봉지층을 사이에 두고 상기 유기봉지층 위에 배치되고, 유기물을 포함하는, 평탄화층;
을 포함하는, 표시 패널. - 삭제
- 제16항에 있어서,
상기 표시 패널은 유기물층과 상기 유기물층 위에 배치된 적어도 하나의 무기물층을 포함하는 다층 막을 포함하고,
상기 제1그루브 및 상기 제2그루브는 상기 다층 막의 두께 방향으로 오목하게 형성된, 표시 패널. - 제18항에 있어서,
상기 기판은 순차적으로 적층된 제1베이스층, 제1무기층, 제2베이스층 및 제2무기층을 포함하되, 상기 유기물층은 상기 제2베이스층을 포함하고 상기 적어도 하나의 무기물층은 상기 제2무기층을 포함하는, 표시 패널. - 제18항에 있어서,
상기 적어도 하나의 무기물층은 상기 제1그루브 및 상기 제2그루브 각각에 대응하는 제1홀을 구비하고,
상기 유기물층은 상기 제1홀과 대응하는 홀 또는 리세스를 포함하는, 표시 패널. - 제20항에 있어서,
상기 제1홀을 정의하는 상기 적어도 하나의 무기물층의 측면은, 상기 홀 또는 상기 리세스를 정의하는 상기 유기물층의 측면 보다 상기 제1홀의 중심을 향해 더 돌출된, 표시 패널. - 제16항에 있어서,
상기 제1그루브는 상기 개구를 둘러싸고,
상기 제2그루브는 상기 개구를 둘러싸되, 상기 개구와 상기 제1그루브 사이에 위치하는, 표시 패널. - 제22항에 있어서,
상기 박막봉지층은, 순차적으로 적층된 제1무기봉지층, 상기 유기봉지층, 및 상기 무기봉지층을 포함하고,
상기 제1무기봉지층은 상기 제1그루브 및 상기 제2그루브 각각의 내부 표면을 커버하는, 표시 패널. - 제23항에 있어서,
상기 평탄화층의 적어도 일부는 상기 유기봉지층과 중첩하는, 표시 패널. - 제23항에 있어서,
상기 무기봉지층은 상기 제1무기봉지층과 직접 접촉하는, 표시 패널. - 제25항에 있어서,
상기 평탄화층 또는 상기 유기봉지층은 상기 제2그루브를 채우는, 표시 패널. - 제16항에 있어서,
상기 평탄화층 상의 배리어층을 더 포함하는, 표시 패널. - 제27항에 있어서,
상기 배리어층은 상기 개구 주변에서 상기 무기봉지층과 직접 접촉하는, 표시 패널. - 제27항에 있어서,
상기 배리어층은 금속층 및 무기절연층 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 표시 패널. - 제27항에 있어서,
상기 배리어층 상에 배치된 추가 평탄화층을 더 포함하는, 표시 패널. - 제16항에 있어서,
상기 평탄화층과 상기 박막봉지층 사이에 개재되는 하부 배리어층을 더 포함하는, 표시 패널. - 제31항에 있어서,
상기 하부 배리어층은 상기 무기봉지층과 직접 접촉하는, 표시 패널. - 제31항에 있어서,
상기 하부 배리어층은 금속층 및 무기절연층 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 표시 패널. - 제16항에 있어서,
상기 표시영역에 위치하며, 제1감지전극들 및 제2감지전극들을 포함하는 입력감지층을 더 포함하는, 표시 패널. - 제34항에 있어서,
상기 입력감지층은 상기 제1감지전극들 및 제2감지전극들을 커버하는 유기절연층을 포함하며, 상기 평탄화층은 상기 유기절연층과 동일한 물질을 포함하는, 표시 패널.
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180102722A KR102653424B1 (ko) | 2018-08-30 | 2018-08-30 | 표시 패널 |
| US16/458,319 US10541380B1 (en) | 2018-08-30 | 2019-07-01 | Display device with substrate comprising an opening and adjacent grooves |
| EP19193963.6A EP3618120A1 (en) | 2018-08-30 | 2019-08-28 | Display device |
| CN201910807904.8A CN110875440A (zh) | 2018-08-30 | 2019-08-29 | 显示装置和显示面板 |
| US16/717,723 US10873053B2 (en) | 2018-08-30 | 2019-12-17 | Display panel with substrate comprising an opening and adjacent grooves |
| US17/130,762 US11456440B2 (en) | 2018-08-30 | 2020-12-22 | Display device with substrate comprising an opening |
| US17/935,570 US11980050B2 (en) | 2018-08-30 | 2022-09-26 | Display device |
| KR1020240041985A KR20240046859A (ko) | 2018-08-30 | 2024-03-27 | 표시 패널 |
| US18/655,566 US20240292652A1 (en) | 2018-08-30 | 2024-05-06 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180102722A KR102653424B1 (ko) | 2018-08-30 | 2018-08-30 | 표시 패널 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020240041985A Division KR20240046859A (ko) | 2018-08-30 | 2024-03-27 | 표시 패널 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200026381A KR20200026381A (ko) | 2020-03-11 |
| KR102653424B1 true KR102653424B1 (ko) | 2024-04-03 |
Family
ID=69809786
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180102722A KR102653424B1 (ko) | 2018-08-30 | 2018-08-30 | 표시 패널 |
| KR1020240041985A KR20240046859A (ko) | 2018-08-30 | 2024-03-27 | 표시 패널 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020240041985A KR20240046859A (ko) | 2018-08-30 | 2024-03-27 | 표시 패널 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (2) | KR102653424B1 (ko) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10756156B2 (en) * | 2017-10-30 | 2020-08-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device having enhanced UV light blocking and method for fabricating the same |
| KR20200051075A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치 |
| KR20200126451A (ko) | 2019-04-29 | 2020-11-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
| US11600800B2 (en) * | 2020-07-31 | 2023-03-07 | Innolux Corporation | Electronic device having a curved profile interface corresponding to a recess |
| KR20220089777A (ko) | 2020-12-21 | 2022-06-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN112786804B (zh) * | 2021-01-08 | 2022-07-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN114464754B (zh) * | 2022-01-25 | 2023-05-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102465377B1 (ko) * | 2016-02-12 | 2022-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR102421577B1 (ko) * | 2016-04-05 | 2022-07-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
-
2018
- 2018-08-30 KR KR1020180102722A patent/KR102653424B1/ko active IP Right Grant
-
2024
- 2024-03-27 KR KR1020240041985A patent/KR20240046859A/ko active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20200026381A (ko) | 2020-03-11 |
| KR20240046859A (ko) | 2024-04-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |