KR20210049253A - 표시 장치 - Google Patents

표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20210049253A
KR20210049253A KR1020190133261A KR20190133261A KR20210049253A KR 20210049253 A KR20210049253 A KR 20210049253A KR 1020190133261 A KR1020190133261 A KR 1020190133261A KR 20190133261 A KR20190133261 A KR 20190133261A KR 20210049253 A KR20210049253 A KR 20210049253A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
hole
inorganic
organic
insulating layer
Prior art date
Application number
KR1020190133261A
Other languages
English (en)
Inventor
구동성
강동욱
김경한
성익중
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020190133261A priority Critical patent/KR20210049253A/ko
Priority to US16/907,684 priority patent/US11296167B2/en
Priority to CN202011139677.5A priority patent/CN112713247A/zh
Priority to JP2020177656A priority patent/JP2021067949A/ja
Priority to EP20203687.7A priority patent/EP3863060B1/en
Publication of KR20210049253A publication Critical patent/KR20210049253A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/865—Intermediate layers comprising a mixture of materials of the adjoining active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H01L51/5237—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H01L27/3244—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명의 일 측면에 의하면, 제1 관통홀; 제1 관통홀을 둘러싸는 표시영역에 배치되며, 제1 관통홀을 사이에 두고 상호 이격된 화소들을 구비하는 복수의 화소들의 어레이; 제1 관통홀과 상기 표시영역 사이의 중간영역에 배치되며, 제1 홀 또는 리세스를 포함하는 제1 층; 및 상기 제1 층 상에 위치하며 상기 제1 홀 또는 상기 리세스와 중첩하는 제2 홀을 포함하는 제2 층;을 포함하며, 상기 제2 층은 상기 제1 홀 또는 상기 리세스를 정의하는 상기 제1 층의 내측면 보다 상기 제2 홀의 중심을 향해 더 연장된 한 쌍의 팁을 포함하고, 상기 복수의 화소들 각각은, 화소전극, 대향전극, 및 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이의 중간층을 포함하는 발광 다이오드를 포함하고, 상기 중간층의 적어도 하나의 유기물층은 상기 한 쌍의 팁을 중심으로 단절된, 표시 장치를 제공한다.

Description

표시 장치{Display device}
본 발명의 실시예들은 표시 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 투과영역을 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 표시 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다.
표시 장치 중 표시영역이 차지하는 면적을 확대하면서, 표시 장치에 접목 또는 연계하는 다양한 기능들이 추가되고 있다. 면적을 확대하면서 다양한 기능을 추가하기 위한 방안으로서 표시영역 내측에 이미지 디스플레이가 아닌 다양한 기능을 부가하기 위한 영역을 갖는 표시 장치의 연구가 계속되고 있다.
표시영역의 내측에 컴포넌트들이 배치될 수 있는 투과영역을 구비할 수 있다. 본 발명은 투과영역을 구비한 표시 장치의 투습 방지 성능을 향상시킬 수 있는 구조를 제공할 수 있다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예는 제1 관통홀; 상기 제1 관통홀을 둘러싸는 표시영역에 배치되며, 상기 제1 관통홀을 사이에 두고 상호 이격된 화소들을 구비하는 복수의 화소들의 어레이; 상기 제1 관통홀과 상기 표시영역 사이의 중간영역에 배치되며, 제1 홀 또는 리세스를 포함하는 제1 층; 및 상기 제1 층 상에 위치하며, 상기 제1 홀 또는 상기 리세스와 중첩하는 제2 홀을 포함하는 제2 층;을 포함하며, 상기 제2 층은, 상기 제1 홀 또는 상기 리세스를 정의하는 상기 제1 층의 내측면 보다 상기 제2 홀의 중심을 향해 더 연장된 한 쌍의 팁을 포함하고, 상기 복수의 화소들 각각은, 화소전극, 대향전극, 및 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이의 중간층을 포함하는 발광 다이오드를 포함하고, 상기 중간층의 적어도 하나의 유기물층은 상기 한 쌍의 팁을 중심으로 단절된, 표시 장치를 개시한다.
상기 적어도 하나의 유기물층은, 홀 수송층, 홀 주입층, 전자 주입층, 및 전자 수송층에서 선택된 하나 또는 그 이상을 포함할 수 있다.
상기 대향전극은 상기 한 쌍의 팁을 중심으로 단절될 수 있다.
상기 제1 층은 유기 절연물을 포함하고, 상기 제2 층은 금속을 포함할 수 있다.
상기 복수의 화소들의 어레이가 배치된 기판; 및 상기 기판과 상기 화소전극 사이의 적어도 하나의 무기절연층;을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 층은 상기 적어도 하나의 무기절연층 상에 배치되고, 상기 제2 층은 상기 제1 층을 지나 상기 적어도 하나의 무기절연층의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
상기 적어도 하나의 무기절연층과 상기 화소전극 사이의 적어도 하나의 유기절연층을 포함하고, 상기 제1 층은 상기 적어도 하나의 유기절연층과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 기판의 일 부분은 벤딩영역을 따라 연장된 벤딩축을 중심으로 벤딩되며, 상기 적어도 하나의 무기절연층은 상기 벤딩영역에 위치하는 개구를 포함할 수 있다.
상기 적어도 하나의 무기절연층의 상기 개구에 위치하는 유기절연층을 더 포함하고, 상기 제1 층은 상기 유기절연층과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제2 층 상의 무기패시베이션층을 더 포함할 수 있다.
상기 무기패시베이션층은, 상기 제2 층의 측면과 바닥면, 및 상기 제1 층의 내측면을 연속적으로 커버할 수 있다.
본 발명의 타 실시예는, 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 복수의 화소들을 포함하는 표시층; 및 상기 표시층 상에 배치되며 적어도 하나의 무기봉지층 및 적어도 하나의 유기봉지층을 포함하는 박막봉지층; 상기 기판, 상기 표시층, 및 상기 박막봉지층을 관통하며, 상기 복수의 화소들 중 인접한 두 개의 화소 사이에 위치하는 제1 관통홀; 및 상기 제1 관통홀을 둘러싸도록 배치되며, 제1 층 및 상기 제1 층 상의 제2 층에 정의된 그루브;를 포함하며, 상기 그루브는, 상기 제1 층의 제1 홀 또는 리세스, 및 제2 층에 형성된 제2 홀을 포함하고, 상기 제2 층은 상기 제1 홀 또는 상기 리세스를 정의하는 상기 제1 층의 내측면 보다 상기 제2 홀의 중심을 향해 더 연장된 한 쌍의 팁을 포함하고, 상기 표시층의 적어도 하나의 유기물층은 상기 그루브에 의해 단절된, 표시 장치를 제공한다.
상기 복수의 화소들 각각은, 화소전극, 대향전극, 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이의 발광층을 포함하는 발광 다이오드를 포함하고, 상기 적어도 하나의 유기물층은 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이에 위치할 수 있다.
상기 적어도 하나의 유기물층은, 홀 수송층, 홀 주입층, 전자 주입층, 및 전자 수송층에서 선택된 하나 또는 그 이상을 포함할 수 있다.
상기 표시층은 상기 기판과 상기 화소전극 사이의 적어도 하나의 무기절연층을 포함하고, 상기 제1 층은 상기 적어도 하나의 무기절연층 상에 위치할 수 있다.
상기 제1 층은 유기절연물을 포함할 수 있다.
상기 제2 층은 상기 제 1층을 지나 상기 적어도 하나의 무기절연층의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
상기 제2 층은 금속 또는 무기절연물을 포함할 수 있다.
상기 제2 층 상의 무기패시베이션층을 더 포함할 수 있다.
상기 무기패시베이션층은, 상기 제2 층의 측면과 바닥면, 및 상기 제1 층의 내측면을 연속적으로 커버할 수 있다.
상기 기판의 일 부분은 벤딩영역을 따라 연장된 벤딩축을 중심으로 벤딩되며, 상기 적어도 하나의 무기절연층은 상기 벤딩영역에 위치하는 개구를 포함할 수 있다.
상기 적어도 하나의 무기절연층의 상기 개구에 위치하는 유기절연층을 더 포함하고, 상기 제1 층은 상기 유기절연층과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 관통홀을 둘러싸는 제2 그루브를 더 포함하고, 상기 그루브와 상기 제2 그루브 사이의 격벽을 더 포함할 수 있다.
상기 격벽은 적층된 복수의 격벽층을 포함하며, 상기 복수의 격벽층 중 인접한 격벽층들 사이에는 금속을 포함하는 이격층이 개재될 수 있다.
상기 이격층은 제1 층 및 상기 제1 층 아래의 제2 층을 포함하고, 상기 제1 층의 에지는 상기 제2 층의 에지보다 외측을 향해 더 도출되며 상기 적어도 하나의 유기물층은 상기 제1 층의 에지와 상기 제2 층의 에지가 형성하는 처마 구조에 따라 단절될 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예들에 관한 표시 장치는 관통홀 또는 개구를 통해 유입되는 수분에 의해 발광 다이오드가 손상되는 것을 방지할 수 있으며, 표시층에 포함되는 층을 활용함으로 공정을 단순화하거나 비용을 줄일 수 있는 장점이 있다. 이러한 효과는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널 중 기판을 나타낸 사시도이다.
도 6은 표시 패널의 어느 한 화소를 개략적으로 나타낸 등가 회로도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 다른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 9 및 도 10은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 그루브 구조를 도시한 단면도들이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 나타낸 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 13 내지 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 그루브 구조를 도시한 단면도들이다.
도 16은 도 12의 격벽의 일부를 확대한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1 , 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예를 들어, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예를 들어, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 표시영역(DA)과 표시영역(DA)을 둘러싸는 외곽영역(PA)을 포함할 수 있다. 표시영역(DA)의 내측에는 투과영역(TA), 및 투과영역(TA)을 둘러싸는 중간영역(MA)이 배치될 수 있다.
표시영역(DA)에는 복수의 화소들, 예를 들어 화소들의 어레이가 배치될 수 있다. 표시영역(DA)은 화소들의 어레이를 통해 이미지를 표시할 수 있다. 표시영역(DA)은 이미지를 표시할 수 있는 액티브 영역에 해당한다. 표시영역(DA)은 투과영역(TA)을 전체적으로 둘러싸일 수 있다.
투과영역(TA)은 표시 장치(1)에 다양한 기능을 부여할 수 있는 컴포넌트가 배치되는 영역일 수 있다. 예를 들어, 컴포넌트가 빛을 이용하는 센서, 카메라 등을 포함하는 경우, 센서에서 방출되거나 센서로 향하는 빛 또는 카메라로 향하는 빛이 투과영역(TA)을 투과할 수 있다.
중간영역(MA)은 투과영역(TA)과 표시영역(DA) 사이에 배치된 영역으로서, 투과영역(TA)을 둘러쌀 수 있다. 중간영역(MA)은 화소들이 배치되지 않는 일종의 비표시영역일 수 있다. 중간영역(MA)에는 투과영역(TA)에 인접한 화소들에 소정의 신호나 전압을 제공하기 위한 라인들이 위치할 수 있다. 중간영역(MA)에는 후술할 그루브가 배치될 수 있다.
외곽영역(PA)도 중간영역(MA)과 마찬가지로 화소들이 배치되지 않는 일종의 비표시영역일 수 있다. 외곽영역(PA)에는 다양한 종류의 배선들 및 배선, 회로 등이 배치될 수 있다.
표시 장치(1)에 구비된 각 화소는 소정의 색상의 빛을 방출할 수 있는 표시 요소로서 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 발광 다이오드는 발광층으로 유기물을 포함하는 유기발광 다이오드를 포함할 수 있다. 또는, 발광 다이오드는 무기발광 다이오드를 포함할 수 있다. 또는, 발광 다이오드는 발광층으로 양자점을 포함할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의상, 발광 다이오드가 유기발광 다이오드를 포함하는 경우로 설명한다.
도 1은 투과영역(TA)이 표시 장치(1)의 폭 방향(예, ±x방향)을 따라 표시영역(DA)의 중앙에 배치된 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로서, 투과영역(TA)은 표시 장치(1)의 폭 방향을 따라 좌측 또는 우측에 치우쳐 배치될 수 있다. 또는, 투과영역(TA)은 표시 장치(1)의 길이 방향(예, ±y 방향)을 따라 상측에 배치되거나, 가운데 배치되거나, 하측에 배치되는 것과 같이 다양한 위치에 배치될 수 있다.
도 1은 표시 장치(1)가 하나의 투과영역(TA)을 포함하는 것을 도시하고 있으나, 다른 실시예로서 표시 장치(1)는 복수의 투과영역(TA)들을 포함할 수 있다.
도 2는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도로서, 도 1의 II-II'선에 따른 단면에 대응할 수 있으며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(1)는 표시 패널(10), 표시 패널(10)의 상면 상에 배치되는 입력감지부(input sensing section, 40), 및 광학 기능부(optical functional section, 50)를 포함할 수 있다. 윈도우(60)는 광학 투명 점착제(OCA, optical clear adhesive)와 같은 점착층을 통해 그 아래의 구성요소, 예를 들어 광학 기능부(50)와 결합될 수 있다.
표시 패널(10)은 표시영역(DA)에 배치되는 복수의 발광 다이오드들을 포함할 수 있다. 표시 패널(10)은 복수의 발광 다이오드들 각각에 신호 또는 전압을 제공하기 위한 라인들(예, 데이터라인, 스캔라인, 구동전압라인, 공통전압라인 등), 및 복수의 다이오드들 각각에 연결된 트랜지스터들을 포함할 수 있다.
입력감지부(40)는 외부의 입력, 예를 들어 터치 이벤트에 따른 좌표정보를 획득할 수 있다. 입력감지부(40)는 터치전극 및 터치전극과 연결된 트레이스 라인들을 포함할 수 있다. 입력감지부(40)는 표시 패널(10) 위에 배치될 수 있다. 입력감지부(40)는 뮤추얼 캡 방식 또는 셀프 캡 방식으로 외부 입력을 감지할 수 있다.
입력감지부(40)는 표시 패널(10) 상에 직접 형성될 수 있다. 또는, 입력감지부(40)는 별도로 형성된 후 광학 투명 점착제(OCA)와 같은 점착층을 통해 결합될 수 있다. 일 실시예로서, 도 2에 도시된 바와 같이 입력감지부(40)는 표시 패널(10) 바로 위에 직접 형성될 수 있으며, 이 경우 점착층은 입력감지부(40)와 표시 패널(10) 사이에 개재되지 않을 수 있다.
광학 기능부(50)는 반사 방지층을 포함할 수 있다. 반사 방지층은 윈도우(60)를 통해 외부에서 표시 패널(10)을 향해 입사하는 빛(외부광)의 반사율을 감소시킬 수 있다. 반사 방지층은 위상지연자(retarder) 및 편광자(polarizer)와 같은 포함할 수 있다. 위상지연자는 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있고, λ/2 위상지연자 및/또는 λ/4 위상지연자를 포함할 수 있다. 편광자 역시 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있다. 필름타입은 연신형 합성수지 필름을 포함하고, 액정 코팅타입은 소정의 배열로 배열된 액정들을 포함할 수 있다. 위상지연자 및 편광자는 보호필름을 더 포함할 수 있다.
다른 실시예로, 반사 방지층은 블랙 매트릭스와 컬러필터들의 구조물을 포함할 수 있다. 컬러필터들은 표시 패널(10)의 화소들 각각에서 방출되는 빛의 색상을 고려하여 배열될 수 있다. 또 다른 실시예로, 반사 방지층은 상쇄간섭 구조물을 포함할 수 있다. 상쇄간섭 구조물은 서로 다른 층 상에 배치된 제1 반사층과 제2 반사층을 포함할 수 있다. 제1 반사층 및 제2 반사층에서 각각 반사된 제1 반사광과 제2 반사광은 상쇄 간섭될 수 있고, 그에 따라 외부광 반사율이 감소될 수 있다.
광학 기능부(50)는 렌즈층을 포함할 수 있다. 렌즈층은 표시 패널(10)에서 방출되는 빛의 출광 효율을 향상시키거나, 색편차를 줄일 수 있다. 렌즈층은 오목하거나 볼록한 렌즈 형상을 가지는 층을 포함하거나, 또는/및 굴절률이 서로 다른 복수의 층을 포함할 수 있다. 광학 기능부(50)는 전술한 반사 방지층 및 렌즈층을 모두 포함하거나, 이들 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
도 3을 참조하면, 표시 장치(1)는 휴대폰(mobile phone), 태블릿 PC, 노트북, 스마트 워치와 같은 다양한 전자 기기(2)에 구비될 수 있다. 전자 기기(2)는 내부 공간을 갖는 하우징(HS)을 포함하며, 하우징(HS) 내에 표시 패널(10)이 배치될 수 있다. 윈도우(60)는 하우징(HS)과 결합할 수 있다 표시 패널(10)의 상면 상에는 전술한 바와 같이 입력감지부(40), 광학 기능부(50)가 배치된다.
컴포넌트(CP)는 하우징(HS) 내에 배치되되, 표시 패널(10)과 하우징(HS)의 내측 바닥면 사이에 위치할 수 있다. 컴포넌트(CP)는 투과영역(TA)에 위치할 수 있다. 투과영역(TA)은 컴포넌트(CP)가 배치되는 일종의 컴포넌트영역일 수 있다.
컴포넌트(CP)는 전자요소를 포함할 수 있다. 예를 들어, 컴포넌트(CP)는 빛을 이용하는 전자요소일 수 있다. 예를 들어, 전자요소는 적외선 센서와 같이 빛을 수광하여 이용하는 센서, 빛을 수광하여 이미지를 촬상하는 카메라, 빛을 출력하고 감지하여 거리를 측정하거나 지문 등을 인식하는 센서, 빛을 출력하는 소형 램프 등을 포함할 수 있다.
빛을 이용하는 전자요소는, 가시광, 적외선광, 자외선광 등과 같이 다양한 파장 대역의 빛을 이용할 수 있다. 컴포넌트(CP)가 카메라를 포함하는 경우, 투과영역(TA)에서 표시 장치(1)의 투과율은 약 70% 이거나 그보다 클 수 있다. 또는, 컴포넌트(CP)가 센서를 포함하는 경우, 투과영역(TA)에서 표시 장치(1)의 투과율은 70% 보다 작은 값, 예를 들어 약 50% 이상이거나, 60% 이상일 수 있다.
컴포넌트(CP)에서 방출되거나 컴포넌트(CP)로 진행하는 빛의 진행 경로에 배치된 구성요소들에 의해 투과율이 저하되는 문제를 방지하고자, 표시 장치(1, 도 2)는 개구(OP)를 포함할 수 있다. 개구(OP)는 표시 장치(1)에 포함된 구성들, 예를 들어 표시 패널(10), 입력감지부(40), 광학 기능부(50), 및 윈도우(60) 중 선택된 하나 또는 그 이상의 일 부분이 제거되면서 형성될 수 있다. 일 실시예로서, 도 2는 표시 패널(10), 입력감지부(40) 및 광학 기능부(50)가 각각 제1 내지 제3 관통홀(10H, 40H, 50H)을 포함하며 이들이 개구(OP)를 형성하는 것을 도시한다.
도 2를 참조하면, 표시 패널(10)은 표시 패널(10)의 상면과 바닥면을 관통하는 제1 관통홀(10H)을 포함하고, 입력감지부(40)는 입력감지부(40)의 상면과 바닥면을 관통하는 제2 관통홀(40H)을 포함하며, 광학 기능부(50)는 광학 기능부(50)의 상면과 바닥면을 관통하는 제3 관통홀(50H)을 포함할 수 있다. 제1 관통홀(10H), 제2 관통홀(40H)과 제3 관통홀(50H)은 투과영역(TA)에 배치되며, 서로 중첩할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널 중 기판을 나타낸 사시도이다.
도 4를 참조하면, 표시 패널(10)은 기판(100) 상에 배치된 화소(P)들을 포함한다. 화소(P)들은 표시영역(DA)에 배치되어 소정의 이미지를 제공할 수 있다. 각 화소(P)는 소정의 색상을 빛을 방출할 수 있는 표시요소, 예를 들어 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
표시영역(DA)의 내측에는 제1 관통홀(10H)이 위치할 수 있다. 제1 관통홀(10H)은 표시영역(DA)의 내측에 배치되기에 제1 관통홀(10H)을 사이에 두고 양측에는 화소(P)들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 인접한 두개의 화소(P)들 사이에 제1 관통홀(10H)이 위치할 수 있다.
중간영역(MA)은 제1 관통홀(10H)을 둘러싸도록 소정의 면적을 가질 수 있다. 중간영역(MA)에는 제1 관통홀(10H) 주변에 배치된 화소들에 신호 또는 전압을 인가하기 위한 라인들(예를 들어, 데이터라인, 스캔라인, 구동전압라인 등)의 일부분이 위치할 수 있다. 중간영역(MA)에는 후술할 수분 침투 방지 구조인 그루브가 배치될 수 있다.
외곽영역(PA)은 표시영역을 둘러쌀 수 있다. 외곽영역(PA)에는 스캔드라이버, 데이터드라이버 등이 배치될 수 있다. 외곽영역(PA)에는 패드(PAD)가 위치할 수 있다. 패드(PAD)는 기판(100)의 일측 에지에 인접하게 배치될 수 있다. 패드(PAD)는 절연층에 의해 덮이지 않고 노출되어, 플렉서블 인쇄회로기판(FPCB)에 전기적으로 연결될 수 있다. 플렉서블 인쇄회로기판(FPCB)은 컨트롤러와 패드(PAD)를 전기적으로 연결하며, 컨트롤러로부터 전달된 신호 또는 전원을 공급할 수 있다. 일부 실시예에서, 플렉서블 인쇄회로기판(FPCB)에는 데이터드라이버가 배치될 수 있다. 플렉서블 인쇄회로기판(FPCB)에서의 신호 또는 전압을 화소(P)들에 전달하기 위하여, 패드(PAD)는 복수의 배선(20)들에 연결될 수 있다.
외곽영역(PA)은 벤딩영역(BA)을 포함할 수 있다. 벤딩영역(BA)은 패드(PAD)와 표시영역(DA) 사이에 배치될 수 있다. 벤딩영역(BA)은 배선(20)들의 연장 방향과 교차하는 방향을 따라 연장될 수 있다. 벤딩영역(BA)은 기판(100)의 일측 에지와 나란한 방향을 따라 연장될 수 있다. 벤딩영역(BA)에 의해 기판(100)은 표시영역(DA)을 포함하는 제1 영역(1A), 및 제1 영역(1A)의 반대편인 제2 영역(2A)으로 구획될 수 있다. 벤딩영역(BA)은 제1 영역(1A)과 제2 영역(2A) 사이에 위치한다. 제1 영역(1A)은 표시영역(DA) 및 외곽영역(PA)의 일부를 포함하고, 제2 영역(2A)은 외곽영역의 일부만 포함할 수 있다.
표시 패널(10)은 벤딩영역(BA)을 중심으로 구부러질 수 있다. 이와 관련하여, 도 5는 표시 패널(10)의 기판(100)이 벤딩된 것을 도시한다. 기판(100)은 y방향을 따라 연장된 벤딩축(BAX)을 중심으로 벤딩되며, 따라서 표시 패널(10)도 기판(100)과 마찬가지로 벤딩된 형상을 가질 수 있다. 기판(100)은 플렉서블 또는 벤더블 특성을 갖는 다양한 물질(예를 들어, 고분자 수지)을 포함할 수 있다. 도 5에서는 편의상 표시 패널(10)의 전체가 아닌 기판(100)이 벤딩된 구조를 도시하였으나, 기판(100) 상에 배치된 층들도 기판(100)과 함께 벤딩될 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 각 배선(20)들은 벤딩영역(BA)을 사이에 두고 양측에 배치된 제1 부분(21)과 제2 부분(22), 이들을 연결하는 제3 부분(23)을 포함할 수 있다. 제1 부분(21)은 표시영역(DA)과 벤딩영역(BA) 사이에 위치하고, 제2 부분(22)은 벤딩영역(BA)과 패드(PAD) 사이에 위치할 수 있으며, 제3 부분(23)은 벤딩영역(BA)에 위치할 수 있다.
벤딩영역(BA)을 중심으로 기판(100)이 벤딩되는 경우, 배선(20)이 끊어지거나 배선(20)의 위와 아래에 배치된 층들이 박리(exfoil)될 수 있다. 이를 방지하기 위하여 배선(20)은 전술한 바와 같이 벤딩영역(BA)을 사이에 두고 상호 이격된 제1 부분(21)과 제2 부분(22)을 포함하되, 제1 부분(21)과 제2 부분(22)은 상대적으로 연성이 우수한 물질을 포함하는 제3 부분(23)으로 연결될 수 있다.
도 6은 표시 패널의 어느 한 화소를 개략적으로 나타낸 등가 회로도이다.
도 6을 참조하면, 발광 다이오드, 예를 들어 유기발광다이오드(OLED)는 화소회로(PC)에 연결될 수 있다. 화소회로(PC)는 제1 박막트랜지스터(T1), 제2 박막트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 각 화소(P)는 유기발광다이오드(OLED)를 통해 예를 들어, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다.
제2 박막트랜지스터(T2)는 스위칭 박막트랜지스터로서, 스캔라인(SL) 및 데이터라인(DL)에 연결되며, 스캔라인(SL)으로부터 입력되는 스위칭 전압에 기초하여 데이터라인(DL)으로부터 입력된 데이터 전압을 제1 박막트랜지스터(T1)로 전달할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2 박막트랜지스터(T2)와 구동전압선(PL)에 연결되며, 제2 박막트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 제1 전원전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장할 수 있다.
제1 박막트랜지스터(T1)는 구동 박막트랜지스터로서, 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 대향전극(예, 캐소드)은 제2 전원전압(ELVSS)을 공급받을 수 있다.
도 6은 화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터와 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 것을 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 박막트랜지스터의 개수 및 스토리지 커패시터의 개수는 화소회로(PC)의 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들어, 화소회로(PC)는 전술한 2개의 박막트랜지스터 외에 4개 또는 5개 또는 그 이상의 박막트랜지스터들을 더 포함할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 다른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 7을 참조하면, 화소(P)들이 표시영역(DA)에 배치되며, 제1 관통홀(10H)은 이웃하는 화소(P)들 사이에 정의될 수 있다. 예를 들어 평면상에서 제1 영역(OA)을 중심으로 위와 아래에 각각 화소(P)들이 배치되고, 제1 영역(OA)을 중심으로 좌우에 각각 화소(P)들이 배치될 수 있다.
중간영역(MA)에는 제1 관통홀(10H)을 통해 수분이 유입되어 화소(P)의 발광다이오드를 손상시는 것을 방지하기 위하여 그루브(G)들이 배치될 수 있다. 복수의 그루브(G)들은 동심원 형태로 배치될 수 있다. 복수의 그루브(G)들 각각은 상호 이격될 수 있다. 도 7에는 두 개의 그루브(G)들이 도시되어 있으나, 그루브(G)의 개수는 3개 이상일 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이고, 도 9 및 도 10은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 그루브 구조를 도시한 단면도들이다. 도 8은 편의 상 표시 장치 중 광학기능부를 생략한 채 표시 패널과 터치감지부를 도시한다.
도 8을 참조하면, 기판(100), 복수의 화소들의 어레이를 포함하는 표시층(200), 및 박막봉지층(300)을 포함하는 표시 패널(10)은 투과영역(TA)에 대응하는 제1 관통홀(10H)을 포함하고, 표시 패널(10) 상의 입력감지부(40)는 투과영역(TA)에 대응하는 제2 관통홀(40H)을 포함한다. 제1 관통홀(10H)은 기판(100), 표시층(200), 및 박막봉지층(300)을 관통하도록 형성될 수 있다. 제1 관통홀(10H)과 제2 관통홀(40H)은 중첩하며, 이들은 앞서 도 2를 참조하여 설명한 개구(OP)를 형성할 수 있다.
도 8의 표시영역(DA)을 참조하면, 기판(100)은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 일 실시예로서 기판(100)은 고분자 수지를 포함하는 베이스층과 베이스층 상의 무기절연층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(100)은 두 개의 베이스층과 각 베이스층 상의 무기절연층을 포함할 수 있다. 고분자 수지는, 폴리에테르술폰, 폴리아릴레이트, 폴리에테르 이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이드, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 셀룰로오스 트리 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트 등을 포함할 수 있다.
기판(100) 상에는 불순물이 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층(Act)으로 침투하는 것을 방지하기 위해 형성된 버퍼층(201)이 형성될 수 있다. 버퍼층(201)은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 및 실리콘옥사이드와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기 절연물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
버퍼층(201) 상에는 화소회로(PC)가 배치될 수 있다. 화소회로(PC)는 박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다. 박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(Act), 게이트전극(GE), 소스전극(SE), 드레인전극(DE)을 포함할 수 있다.
화소회로(PC)의 데이터라인(DL)은, 도 8에는 도시되지 않았으나 화소회로(PC)에 포함된 스위칭 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된다. 본 실시예에서는 게이트전극(GE)이 게이트 절연층(203)을 가운데 두고 반도체층(Act) 상에 배치된 탑 게이트 타입을 도시하였으나, 다른 실시예에 따르면 박막트랜지스터(TFT)는 바텀 게이트 타입일 수 있다.
반도체층(Act)은 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 또는, 반도체층(Act)은 비정질(amorphous) 실리콘을 포함하거나, 산화물 반도체를 포함하거나, 유기 반도체 등을 포함할 수 있다. 게이트전극(GE)은 저저항 금속 물질을 포함할 수 있다. 게이트전극(GE)은 몰리브데넘(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
반도체층(Act)과 게이트전극(GE) 사이의 게이트 절연층(203)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 및 하프늄옥사이드 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 게이트 절연층(203)은 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 데이터라인(DL)과 동일한 층 상에 위치할 수 있으며, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 소스전극(SE), 드레인전극(DE), 및 데이터라인(DL)은 전도성이 좋은 재료를 포함할 수 있다. 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 몰리브데넘(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 소스전극(SE), 드레인전극(DE), 및 데이터라인(DL)은 티타늄층, 알루미늄층, 및 티타늄층(Ti/Al/Ti)의 다층 구조로 형성될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1 층간 절연층(205)을 사이에 두고 중첩하는 하부 전극(CE1)과 상부 전극(CE2)을 포함할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩될 수 있다. 이와 관련하여, 도 8은 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(GE)이 스토리지 커패시터(Cst)의 하부 전극(CE1)인 것을 도시하고 있다. 다른 실시예로서, 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩하지 않을 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2 층간 절연층(207)으로 커버될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)의 상부 전극(CE2)은 몰리브데넘(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
제1 층간 절연층(205) 및/또는 제2 층간 절연층(207)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제1 층간 절연층(205) 및 제2 층간 절연층(207)은 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함하는 화소회로(PC)는 제1 유기절연층(209)으로 커버될 수 있다. 제1 유기절연층(209)은 상면이 대략 편평한 면을 포함할 수 있다.
화소회로(PC)는 화소전극(221)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 도 8에 도시된 바와 같이 박막트랜지스터(TFT)와 화소전극(221) 사이에는 콘택메탈층(CM)이 개재될 수 있다. 콘택메탈층(CM)은 제1 유기절연층(209)에 형성된 콘택홀을 통해 박막트랜지스터(TFT)와 접속할 수 있으며, 화소전극(221)은 콘택메탈층(CM) 상의 제2 유기절연층(211)에 형성된 콘택홀을 통해 콘택메탈층(CM)에 접속할 수 있다. 콘택메탈층(CM)은 몰리브데넘(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 콘택메탈층(CM)은 Ti/Al/Ti의 다층으로 형성될 수 있다.
제1 유기절연층(209) 및/또는 제2 유기절연층(211)은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 및 이들의 블렌드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제1 유기절연층(209) 및/또는 제2 유기절연층(211)은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
화소전극(221)은 제2 유기절연층(211) 상에 형성될 수 있다. 화소전극(221)은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 화소전극(221)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 화소전극(221)은 전술한 반사막의 위 및/또는 아래에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 투명 도전 산화물막을 더 포함할 수 있다.
화소전극(221) 상에는 화소정의막(215)이 형성될 수 있다. 화소정의막(215)은 화소전극(221)의 상면을 노출하는 개구를 포함하되, 화소전극(221)의 가장자리를 커버할 수 있다. 화소정의막(215)은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 또는, 화소정의막(215)은 실리콘나이트라이드(SiNx)나 실리콘옥시나이트라이드(SiON), 또는 실리콘옥사이드(SiOx)와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 또는, 화소정의막(215)은 유기절연물 및 무기절연물을 포함할 수 있다.
중간층(222)은 발광층(222b)을 포함한다. 중간층(222)은 발광층(222b)의 아래에 배치된 제1 기능층(222a) 및/또는 발광층(222b)의 위에 배치된 제2 기능층(222c)을 포함할 수 있다. 발광층(222b)은 소정의 색상의 빛을 방출하는 고분자 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다.
제1 기능층(222a)은 단층 또는 다층일 수 있다. 예를 들어 제1 기능층(222a)이 고분자 물질로 형성되는 경우, 제1 기능층(222a)은 단층구조인 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)으로서, 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT: poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나 폴리아닐린(PANI: polyaniline)으로 형성할 수 있다. 제1 기능층(222a)이 저분자 물질로 형성되는 경우, 제1 기능층(222a)은 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)과 홀 수송층(HTL)을 포함할 수 있다.
제2 기능층(222c)은 선택적(optional)이다. 예를 들어, 제1 기능층(222a)과 발광층(222b)을 고분자 물질로 형성하는 경우, 제2 기능층(222c)을 형성하는 것이 바람직하다. 제2 기능층(222c)은 단층 또는 다층일 수 있다. 제2 기능층(222c)은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다.
중간층(222) 중 발광층(222b)은 표시영역(DA)에서 각 화소마다 배치될 수 있다. 발광층(222b)은 화소전극(221)과 대응하도록 패터닝될 수 있다. 발광층(222b)과 달리, 중간층(222) 중 제1 기능층(222a) 및/또는 제2 기능층(222c)은 표시영역(DA)뿐만 아니라 중간영역(MA)에도 위치하 기판(100) 상에 일체로 형성될 수 있다.
대향전극(223)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 대향전극(223)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(223)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다. 대향전극(223)은 표시영역(DA)뿐만 아니라 중간영역(MA) 상에도 일체로 형성될 수 있다. 제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c), 및 대향전극(223)은 열 증착법에 의해 형성될 수 있다.
캐핑층(230)은 대향전극(223) 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 캐핑층(230)은 LiF층을 포함할 수 있으며, 열 증착법에 의해 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 캐핑층(230)은 생략될 수 있다.
화소정의막(215) 상에는 스페이서(217)가 형성될 수 있다. 스페이서(217)는 폴리이미드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 또는, 스페이서(217)는 무기 절연물을 포함하거나, 유기절연물 및 무기절연물을 포함할 수 있다.
스페이서(217)는 화소정의막(215)과 다른 물질을 포함하거나, 화소정의막(215)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예로서, 화소정의막(215) 및 스페이서(217)는 폴리이미드를 포함할 수 있다. 화소정의막(215)과 스페이서(217)는 하프톤 마스크를 이용한 마스크 공정에서 함께 형성될 수 있다.
유기발광다이오드(OLED)는 박막봉지층(300)으로 커버될 수 있다. 박막봉지층(300)은 적어도 하나의 유기봉지층 및 적어도 하나의 무기봉지층을 포함할 수 있으며, 도 8은 박막봉지층(300)이 제1 및 제2 무기봉지층(310, 330) 및 이들 사이에 개재된 유기봉지층(320)을 포함하는 것을 도시한다. 다른 실시예에서 유기봉지층의 개수와 무기봉지층의 개수 및 적층 순서는 변경될 수 있다.
제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 징크옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 중 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있다. 제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)은 전술한 물질을 포함하는 단일 층 또는 다층일 수 있다. 유기봉지층(320)은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴산과 같은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 유기봉지층(320)은 아크릴레이트 폴리머(acrylate polymer)를 포함할 수 있다.
제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)의 물질은 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 제1 무기봉지층(310)은 실리콘옥시나이트라이드를 포함하고, 제2 무기봉지층(330)은 실리콘나이트라이드를 포함할 수 있다. 제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)의 두께는 서로 다를 수 있다. 제1 무기봉지층(310)의 두께가 제2 무기봉지층(330)의 두께 보다 클 수 있다. 또는, 제2 무기봉지층(330)의 두께가 제1 무기봉지층(310)의 두께 보다 크거나, 제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)의 두께는 서로 동일할 수 있다.
도 8의 중간영역(MA)을 참조하면, 하나 또는 그 이상의 그루브(G)들이 중간영역(MA)에 배치될 수 있다. 중간층(222)에 포함된 유기물층, 예를 들어 제1 기능층(222a) 및/또는 제2 기능층(222c)은 그루브(G)에 의해 단절(또는 분리)될 수 있다.
그루브(G)는 서로 다른 물질을 포함하는 제1 층(240)과 제2 층(250)에 형성될 수 있다. 제1 층(240)은 유기절연물을 포함할 수 있고, 제2 층(250)은 무기절연물이나 금속을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제2 층(350)은 금속을 포함할 수 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 제1 층(240)은 무기절연층인 제2 층간 절연층(207) 상에 형성될 수 있고, 제2 층(250)은 제1 층(240)의 상면 상에 형성될 수 있다. 제1 층(240)의 두께(T)는 제2 층(250)의 두께(t) 보다 클 수 있다.
제1 층(240)은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 및 이들의 블렌드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 층(240)은 제1 유기절연층(209)을 형성하기 전에, 예를 들어 도 11을 참조하여 후술할 유기물층을 형성하는 공정에서 형성될 수 있다.
제2 층(250)은 제1 층(240)의 상면과 직접 접촉할 수 있으며, 금속을 포함할 수 있다. 제2 층(250)은 몰리브데넘(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 층(250)은 데이터라인(DL) 또는 박막트랜지스터(TFT)의 소스 또는 드레인 전극(SE, DE)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
그루브(G)는 언더컷 구조 또는 처마 구조를 가질 수 있다. 그루브(G)는 제2 층(250)에 형성된 제2 홀(250h) 및 제1 층(240)에 형성된 제1 홀(240h)을 포함할 수 있다. 그루브(G)는 식각, 예를 들어 등방성 식각 공정을 통해 형성될 수 있는데, 식각되는 정도에 따라 도 9에 도시된 바와 같이 제2 층(250)에 형성된 제2 홀(250h) 및 제1 층(240)에 형성된 제1 홀(240h)을 포함하는 그루브(G)가 형성되거나, 도 10에 도시된 바와 같이 제2 층(250)에 형성된 제2 홀(250h) 및 제1 층(240)에 형성된 리세스(240r)를 포함하는 그루브(G)가 형성될 수 있다. 제1 층(240)이 리세스(240r)를 포함하는 경우, 그루브(G)의 깊이(d)는 제1 층(240)의 두께(T) 보다 작을 수 있다. 일부 실시예에서, 그루브(G)의 깊이(d)는 약 3 μm이거나, 그 보다 큰 값을 가질 수 있다.
그루브(G)의 바닥면은 도 9에 도시된 바와 같이 제1 층(240)의 바닥면 또는 제2 층간 절연층(207)의 상면과 동일한 평면 상에 위치할 수 있다. 또는, 그루브(G)의 바닥면은 도 10에 도시된 바와 같이 제1 층(240)의 상면과 바닥면 사이, 또는 제1 층(240)의 상면과 제2 층간 절연층(207)의 상면 사이에 위치할 수 있다.
제2 홀(250h)을 정의하는 제2 층(250)의 단부는 제1 홀(240h) 또는 리세스(240r)를 정의하는 제1 층(240)의 내측면 보다 제2 홀(250h)의 중심을 향해 더 연장될 수 있다. 예를 들어, 제2 층(250)은 제2 홀(250h)을 정의하며 제2 홀(250h)을 중심을 향해 제1 층(240)의 내측면 보다 더 연장된 한 쌍의 팁(251)을 포함할 수 있다.
각각의 팁(251)은 제1 폭(W1)을 가질 수 있으며, 제1 폭(W1)은 약 2μm이거나, 그 보다 큰 값을 가질 수 있다. 팁(251)의 제1 폭(W1)은, 팁(251)의 바로 아래 위치하는 제1 층(240) 상면의 에지로부터 팁(251)의 에지까지의 수평 방향으로의 거리일 수 있다.
전술한 구조를 갖는 그루브(G)는 중간층(222)을 형성하는 공정 전에 형성될 수 있다. 기판(100) 상에 형성된 층들 중 유기물을 포함하는 층은 수분이 진행하는 경로가 될 수 있다. 예를 들어, 도 8에 도시된 바와 같이 표시 패널(10)이 제1 관통홀(10H)을 포함하는 경우, 기판(100)의 상면과 나란한 방향 (이하 측 방향이라 함, lateral direction)을 따라 수분이 진행할 수 있으나, 본 발명의 실시예에 따르면 그루브(G)의 처마 또는 언더컷 구조에 의해 유기물층, 예를 들어 제1 기능층(222a) 및/또는 제2 기능층(222c)이 단절되거나 분리될 수 있다. 제1 기능층(222a) 및/또는 제2 기능층(222c)은 열증착법에 의해 형성될 수 있으며, 제1 기능층(222a) 및/또는 제2 기능층(222c)의 증착시 팁(251) 구조에 의해 제1 기능층(222a) 및/또는 제2 기능층(222c)은 불연속적으로 형성될 수 있다.
유사하게, 대향전극(223) 또는/및 캐핑층(230)의 LiF층도 열증착법에 형성될 수 있으며, 팁(251) 구조에 의해 불연속적으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 도 8, 도 9 및 도 10은 제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c), 대향전극(223), 및 캐핑층(230)이 팁(251)을 중심으로 이격된 구조를 도시한다. 제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c), 대향전극(223), 및 캐핑층(230)의 일부들은, 그루브(G)의 바닥면에 위치할 수 있다.
격벽(PW)은 그루브(G)들 사이에 배치될 수 있다. 격벽(PW)은 순차적으로 적층된 복수의 격벽층을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 도 8에 도시된 바와 같이 격벽(PW)은 제1 격벽층(PW1), 제2 격벽층(PW2), 및 제3 격벽층(PW3)을 포함할 수 있다. 제1 격벽층(PW1)은 제1 유기절연층(209)과 동일한 물질을 포함할 수 있고, 제2 격벽층(PW2)은 제2 유기절연층(211)과 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 제3 격벽층(PW3)은 화소정의막(215) 및/또는 스페이서(217)와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
격벽(PW)은 제1 층(240)과 상호 이격된 채 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 격벽층(PW1), 제2 격벽층(PW2), 및 제3 격벽층(PW3)은 각각 제1 층(240)과 이격될 수 있다. 격벽(PW)과 제1 층(240) 사이에서, 제2 층(250)은 제1 층(240)을 지나 제1 층(240) 아래에 배치된 무기절연층, 예를 들어 제2 층간 절연층(207)과 직접 접촉할 수 있다. 제2 층(250)은 제1 층(240)의 외측면을 지나 제2 층간 절연층(207)의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
본 발명의 비교예로서, 격벽(PW)을 이루는 층과 제1 층(240)이 접촉하는 경우, 수분이 진행할 수 있는 유기물 경로를 형성할 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예들에 따르면 격벽(PW)을 이루는 층과 제1 층(240)이 상호 이격되고, 및/또는 무기절연층인 제2 층간 절연층(207)과 금속을 포함하는 제2 층(250)이 직접 접촉하므로, 수분의 진행 경로가 차단될 수 있다.
앞서 도 7을 참조하여 설명한 그루브(G)가 제1 관통홀(10H)을 둘러싸는 고리 형상인 것과 마찬가지로, 그루브(G)가 정의된 제1 층(240)과 제2 층(250)의 적층 구조는 평면 상에서 제1 관통홀(10H)을 둘러싸는 고리 형상일 수 있다. 유사하게, 격벽(PW)도 평면 상에서 제1 관통홀(10H)을 둘러싸는 고리 형상일 수 있다. 어느 하나의 그루브(G)를 정의하는 제1 층(240), 격벽(PW), 및 다른 하나의 그루브(G)를 정의하는 제1 층(240)은 상호 이격된 채 제1 관통홀(10H)을 둘러싸는 고리 형상일 수 있다.
박막봉지층(300)은 중간영역(MA)에도 형성될 수 있다. 제1 무기봉지층(310)은 전술한 제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c), 대향전극(223) 및/또는 캐핑층(230) 보다 스텝 커버리지가 상대적으로 우수할 수 있다. 제1 무기봉지층(310)은 도 8에 도시된 바와 같이 연속적으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 무기봉지층(310)은 그루브(G)의 내부 표면(inner surface)을 연속적으로 그리고 전체적으로 커버할 수 있다. 제1 무기봉지층(310)은 화학기상증착법에 의해 형성될 수 있다.
유기봉지층(320)은 그루브(G)들 중 상대적으로 표시영역(DA)에 인접한 그루브(G)와 중첩할 수 있다. 표시영역(DA)에 인접한 그루브(G)는 유기봉지층(320)을 이루는 물질로 적어도 부분적으로 채워질 수 있다.
제2 무기봉지층(330)은 제1 무기봉지층(310)과 유사하게 스텝 커버리지가 상대적으로 우수하므로, 그루브(G)들 중 일부, 예를 들어 격벽(PW)과 제1 관통홀(10H) 사이의 그루브(G)의 내부 표면을 연속적으로 커버할 수 있다.
기판(100), 기판(100) 상의 화소회로(PC) 및 유기발광다이오드(OLED)를 포함하는 표시층(200), 및 박막봉지층(300)을 포함하는 표시 패널(10) 상에 입력감지부(40)가 위치할 수 있다. 입력감지부(40)는 표시 패널(10) 상에 직접 형성될 수 있다.
입력감지부(40)는 순차적으로 적층된 제1 절연층(410), 제2 절연층(420), 제3 절연층(440), 및 제4 절연층(460)을 포함할 수 있다. 입력감지부(40)는 제2 절연층(420)과 제3 절연층(440) 사이의 제1 도전층(430), 및 제3 절연층(440) 및 제4 절연층(460) 사이의 제2 도전층(450)을 포함할 수 있다. 제1 도전층(430) 및/또는 제2 도전층(450)은 터치 입력을 센싱하기 위한 터치전극들 및 터치전극들에 연결된 트레이스라인들을 포함할 수 있다.
제1 절연층(410), 제2 절연층(420), 또는 제3 절연층(440)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 또는 실리콘옥시나이트라이드와 같은 무기절연물을 포함할 수 있고, 제4 절연층(460)은 유기절연물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제4 절연층(460)은 유기절연물은 포토레지스트(네거티브 또는 포지티브)이거나 폴리머(polymer) 계열의 유기물 등을 포함할 수 있다. 제1 도전층(430) 및/또는 제2 도전층(450)은 금속 또는 투명한 도전성 산화물(TCO)을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 도전층(430) 및/또는 제2 도전층(450)은 몰리브데넘(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있다.
제1 절연층(410), 제2 절연층(420), 제3 절연층(440), 및 제4 절연층(460)은 표시영역(DA) 및 중간영역(MA)에 위치하도록 일체로 형성될 수 있다. 이와 달리, 평탄화층(415)은 중간영역(MA)에 위치할 수 있다. 평면상에서 평탄화층(415)은 제1 관통홀(10H)을 둘러싸는 고리 형상일 수 있다.
평탄화층(415)은 유기절연층일 수 있다. 평탄화층(415)은 폴리머 계열의 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 평탄화층(415)은 실리콘계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 평탄화층(415)은 유기봉지층(320)과 다른 물질을 포함할 수 있다.
표시영역(DA)에 인접한 평탄화층(415)의 일 부분은 유기봉지층(320)과 중첩할 수 있다. 서로 중첩하는 유기봉지층(320)과 평탄화층(415) 사이에는 제2 무기봉지층(330) 및 제1 절연층(410)이 개재될 수 있다.
유기봉지층(320)은 격벽(PW)의 일측에 위치하며, 중간영역(MA) 중 유기봉지층(320)으로 커버되지 않는 영역은 평탄화층(415)으로 커버될 수 있다. 평탄화층(415)은 중간영역(MA)에서 유기봉지층(320)으로 커버되지 않는 영역에 위치함으로써, 제1 관통홀(10H) 주변에서 표시 패널(10)의 편평도를 증가시킬 수 있다. 따라서, 표시 패널(10) 상의 입력감지부(40), 또는/및 광학 기능부(50, 도 2)이 박리되는 등의 문제를 방지할 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 나타낸 단면도이다.
도 11의 표시영역(DA)은 앞서 도 10을 참조하여 설명한 표시영역(DA)에서의 적층 구조와 동일하므로, 앞서 설명한 내용으로 대신한다. 표시 패널(10)의 외곽영역에는 앞서 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 바와 같이 벤딩영역(BA)을 포함한다.
도 11의 벤딩영역(BA)을 포함하는 외곽영역(PA)을 참조하면, 기판(100) 상에 배치된 무기절연구조(IL)는 개구(IL-OP)를 포함할 수 있다. 무기절연구조(IL)는 적어도 하나의 무기절연층을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 무기절연구조(IL)는 버퍼층(201), 게이트 절연층(203), 제1 층간 절연층(205), 및/또는 제2 층간 절연층(207)을 포함할 수 있다. 버퍼층(201)의 개구(201a), 게이트 절연층(203)의 개구(203a), 제1 층간 절연층(205)의 개구(205a), 및/또는 제2 층간 절연층(207)의 개구(207a)는 서로 중첩함으로써, 무기절연구조(IL)의 개구(IL-OP)를 형성할 수 있다. 개구(IL-OP)의 폭(OW)은 벤딩영역(BA)의 폭 보다 크게 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 기판(100)이 두 개의 베이스층과 각 베이스층 상의 무기절연층을 포함하는 경우, 기판(100)의 최상층에 포함된 무기절연층도 개구(IL-OP)와 대응하는 개구를 포함할 수 있다. 이 경우, 개구(IL-OP)개구를 통해 기판(100)의 베이스층이 노출될 수 있으며, 노출된 베이스층은 후술할 유기절연층(260)과 직접 접촉할 수 있다.
벤딩영역(BA)에는 유기절연층(260)이 형성될 수 있다. 유기절연층(260)은 적어도 하나의 무기절연층의 개구를 적어도 부분적으로 채울 수 있다. 예를 들어, 유기절연층(260)은 무기절연구조(IL)는 개구(IL-OP)를 적어도 부분적으로 채울 수 있다. 유기절연층(260)은 벤딩영역(BA)에만 형성될 수 있다. 유기절연층(260)은 아크릴, BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide) 또는 HMDSO(Hexamethyldisiloxane) 등의 유기 절연물을 포함할 수 있다. 유기절연층(260)은 앞서 도 8을 참조하여 설명한 제1 층(240, 도 8)과 동일한 공정에서 함께 형성될 수 있으며, 제1 층(240, 도 8)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
무기절연구조(IL)는 벤딩영역(BA)에서 개구(IL-OP)를 포함하므로, 벤딩 스트레스에 의해 적어도 하나의 무기절연층에 크랙이 발생하는 것을 방지하거나 최소화할 수 있고, 유기절연층(260)이 벤딩시 발생하는 스트레스를 흡수할 수 있으므로, 전술한 크랙의 문제를 방지할 수 있다.
벤딩영역(BA)을 중심으로 제1 영역(1A)에 배치된 배선의 제1 부분(21)과 제2 영역(2A)에 배치된 배선의 제2 부분(22)은 벤딩영역(BA)을 중심으로 상호 이격될 수 있다. 제1 부분(21)과 제2 부분(22)은 예를 들어 게이트 절연층(203) 상에 위치할 수 있다. 또는, 제1 부분(21) 및/또는 제2 부분(22)은 예를 들어 제1 층간 절연층(205) 상에 위치할 수 있다.
제1 부분(21)과 제2 부분(22)은 유기절연층(260) 상에 위치한 제3 부분(23)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 부분(23)은 벤딩영역(BA)을 가로질러 연장될 수 있다. 제3 부분(23)의 일 단부는 제1 부분(21)과 중첩한 채 제1 및 제2 층간 절연층(205, 207)을 관통하는 콘택홀을 통해 제1 부분(21)에 접속할 수 있다. 제3 부분(23)의 타 단부는 제2 부분(22)과 중첩한 채 제1 및 제2 층간 절연층(205, 207)을 관통하는 콘택홀을 통해 제2 부분(22)에 접속할 수 있다.
제3 부분(23)은 제1 부분(21) 및/또는 제2 부분(22) 보다 연성이 우수한 물질, 예를 들어 알루미늄을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제3 부분(23)은 앞서 도 8을 참조하여 설명한 제2 층(250, 도 8)과 동일한 공정에서 형성될 수 있으며, 제2 층(250, 도 8)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
하나 이상의 보호층이 외곽영역(PA)에 배치될 수 있다. 일 실시예로, 도 11은 제1 보호층(271)과 제2 보호층(272)을 도시한다. 제1 보호층(271)과 제2 보호층(272)은 유기절연물을 포함할 수 있다. 제1 보호층(271) 및/또는 제2 보호층(272)은 배선의 제3 부분(23)을 보호하며, 벤딩시 표시 패널의 중립면을 조정하거나 벤딩 스트레스를 분산시키기 위해 형성될 수 있다. 제1 보호층(271)과 제2 보호층(272)은 유기절연물을 포함할 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이고, 도 13 내지 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 그루브 구조를 도시한 단면도들이며, 도 16은 도 12의 XVI를 확대한 단면도이다. 도 12는 설명의 편의 상 표시 장치 중 광학기능부를 생략하고 표시 패널과 입력감지부를 나타낸다.
도 12의 표시영역(DA)을 참조하면, 앞서 도 10을 참조하여 설명한 표시영역(DA)에서의 적층 구조와 동일하므로, 앞서 설명한 내용으로 대신한다.
도 12의 중간영역(MA)을 참조하면, 그루브(G)는 제1 층(240') 및 제2 층(250')에 형성될 수 있다. 도 12 및 도 13을 참조하면, 제1 층(240')은 무기절연층인 제2 층간 절연층(207) 상에 형성될 수 있고, 제2 층(250')은 제1 층(240')의 상면 상에 형성될 수 있다.
제1 층(240')은 유기절연물을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 층(240')은 도 12에 도시된 제1 유기절연층(209)을 형성하는 공정과 동일한 공정에서 형성될 수 있으며, 제1 유기절연층(209)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제2 층(250')은 제1 층(240)의 상면과 직접 접촉할 수 있으며, 금속을 포함할 수 있다. 제2 층(250')은 도 12에 도시된 콘택메탈층(CM)과 동일한 공정에서 형성될 수 있으며, 콘택메탈층(CM)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
그루브(G)는 언더컷 구조 또는 처마 구조를 가질 수 있다. 그루브(G)는 제2 층(250')에 형성된 제2 홀(250h') 및 제1 층(240')에 형성된 제1 홀(240h')을 포함할 수 있다. 그루브(G)는 식각, 예를 들어 등방성 식각 공정을 통해 형성될 수 있는데, 도 12 및 도 13은 제2 층(250')에 형성된 제2 홀(250h') 및 제1 층(240')에 형성된 제1 홀(240h')이 그루브(G)를 형성하는 것을 도시한다. 다른 실시예로서, 앞서 도 10을 참조하여 설명한 바와 같이 제1 층(240')에 제1 홀(240h') 대신에 리세스가 형성될 수 있다.
제2 홀(250h')을 정의하는 제2 층(250')의 단부는 제1 홀(240h') 또는 리세스를 정의하는 제1 층(240')의 내측면 보다 제2 홀(250h')의 중심을 향해 더 연장되어 한 쌍의 팁(251')을 형성할 수 있다. 전술한 팁(251')에 의해 중간층(222)의 유기물층, 예를 들어 제1 기능층(222a), 및/또는 제2 기능층(222c)이 분리되거나 단절될 수 있음은 앞서 설명한 바와 같다. 유사하게, 대향전극(223), 및/또는 캐핑층(230)도 언더컷 또는 처마 구조에 의해 분리되거나 단절될 수 있다.
박막봉지층(300)은 제1 무기봉지층(310), 유기봉지층(320), 및 제2 무기봉지층(330)을 포함할 수 있다. 제1 무기봉지층(310)은 상대적으로 스텝 커버리지가 우수하므로, 도 12 및 도 13에 도시된 바와 같이 그루브(G)의 내부 표면을 연속적으로 커버할 수 있다. 박막봉지층(300)의 구체적 구조 및 박막봉지층(300) 상에 배치된 입력감지부(40)의 구조는 앞서 도 8을 참조하여 설명한 바와 동일하다.
도 12 및 도 13은 그루브(G)의 내측면, 예를 들어 팁(251')의 측면과 바닥면, 그리고 제1 층(240')의 내측면이 제1 무기봉지층(310)과 직접 접촉하는 것을 도시한다. 일부 실시예에서, 그루브(G)의 내측면과 제1 무기봉지층(310) 사이에는 무기패시베이션층(PVX)이 배치될 수 있다.
도 14를 참조하면, 무기패시베이션층(PVX)은 제2 층(250') 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 무기패시베이션층(PVX)은 제2 층(250')이 형성된 이후 그리고 중간층(222, 도 8)이 형성되기 전에 형성될 수 있다. 도시되지는 않았으나, 무기패시베이션층(PVX)은 표시영역(DA, 도 8)으로 연장될 수 있으며, 이 경우 무기패시베이션층(PVX)은 표시영역(DA)에서 콘택메탈층(CM, 도 12)과 제2 유기절연층(211) 사이에 배치될 수 있다.
무기패시베이션층(PVX)은 실리콘옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드 및 실리콘옥시나이트라이드와 같은 무기절연물을 포함할 수 있다. 무기패시베이션층(PVX)은 화학기상증착법 등으로 형성될 수 있다.
무기패시베이션층(PVX)은 그루브(G)의 내부 표면을 연속적으로 그리고 전체적으로 커버할 수 있다. 예를 들어, 무기패시베이션층(PVX)은 제2 층(250')의 상면, 측면, 및 바닥면을 커버할 수 있으며, 제1 층(240')의 내측면, 그리고 제1 층(240') 바로 아래의 제2 층간 절연층(207)의 상면을 연속적으로 커버할 수 있다.
무기패시베이션층(PVX)이 형성된 후, 제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c), 대향전극(223), 및/또는 캐핑층(230)이 형성될 수 있다. 제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c), 대향전극(223), 및/또는 캐핑층(230)은 한 쌍의 팁(251')을 중심으로 단절되거나 분리될 수 있다.
캐핑층(230) 이후 형성되는 제1 무기봉지층(310)은 그루브(G)의 내부 표면을 연속적으로 커버하되, 일부 영역에서 무기패시베이션층(PVX)과 직접 접촉할 수 있다.
도 14는 제1 층(240')이 단일 층인 것을 도시하고 있으나, 일부 실시예에서 제1 층(240')은 복수의 층을 포함할 수 있다.
도 15를 참조하면, 제1 층(240")은 제1 서브층(241) 및 제2 서브층(242)을 포함할 수 있다. 제1 서브층(241)은 앞서 도 12를 참조하여 설명한 제1 유기절연층(209)과 동일한 물질을 포함할 수 있고, 제2 서브층(242)은 제2 유기절연층(211)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 또는, 제1 서브층(241)은 앞서 도 11을 참조하여 설명한 유기절연층(260)과 동일한 물질을 포함할 수 있고, 제2 서브층(242)은 제1 유기절연층(209)과 동일한 물질을 포함할 수 있다
제2 층(250")은 금속이나 무기절연물을 포함할 수 있다. 제2 층(250")의 제2 홀(250h") 및 제1 층(240")의 제1 홀 또는 리세스(240r")는 그루브(G)를 형성할 수 있다. 제2 층(250")은 제2 홀(250h")의 중심을 향해 돌출된 한 쌍의 팁(251")을 포함할 수 있다. 한 쌍의 팁(251")은 제1 층(240")의 내측면 보다 제2 홀(250h")의 중심을 향해 더 돌출되어 언더컷 구조 또는 처마 구조를 형성할 수 있다.
제2 층(250") 상에는 앞서 도 14를 참조하여 설명한 바와 같이 무기패시베이션층(PVX)이 형성될 수 있으며, 한 쌍의 팁(251")을 중심으로 제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c), 대향전극(223), 및/또는 캐핑층(230)은 단절되거나 분리될 수 있다.
무기패시베이션층(PVX)은 그루브(G)의 내측면을 연속적으로 커버할 수 있으며, 제1 무기봉지층(310)이 무기패시베이션층(PVX)과 부분적으로 직접 접촉할 수 있음은 앞서 설명한 바와 같다. 다른 실시예로서, 무기패시베이션층(PVX)은 생략될 수 있다.
다시 도 12를 참조하면, 복수의 그루브(G)들 사이에 격벽(PW)이 위치할 수 있다. 격벽(PW)은 복수의 격벽층, 예를 들어 제1 격벽층(PW1), 제2 격벽층(PW2), 및 제3 격벽층(PW3)을 포함할 수 있다. 제1 격벽층(PW1)은 제1 유기절연층(209)과 동일한 물질을 포함할 수 있고, 제2 격벽층(PW2)은 제2 유기절연층(211)과 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 제3 격벽층(PW3)은 화소정의막(215) 및/또는 스페이서(217)와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
격벽층들 중 인접한 격벽층 사이, 예를 들어 제2 격벽층(PW2)과 제3 격벽층(PW3) 사이에는 금속을 포함하는 간격층(280)이 형성될 수 있다. 간격층(280)은 미세한 언더컷 구조를 가질 수 있으며, 일부 실시예에서 제1 기능층(222a) 및/또는 제2 기능층(222c)은 단절되거나 분리될 수 있다. 유사하게, 대향전극(223), 및/또는 캐핑층(230)도 단절되거나 분리될 수 있다.
도 12 및 도 16을 참조하면, 간격층(280)은 금속을 포함할 수 있다. 간격층(280)은 식각 선택비가 다른 적어도 2개의 층을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 간격층(280)은 제1 층(281), 제2 층(282), 및 제3 층(283)을 포함할 수 있다. 제1 층(281) 및 제3 층(283)은 동일한 물질을 포함할 수 있고, 제2 층(282)은 제1 층(281) 및 제3 층(283)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제1 층(281) 및 제3 층(283)은 ITO와 같은 투명 도전성 산화물을 포함하고, 제2 층(282)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 금속을 포함할 수 있다. 제2 층(282)의 두께는 제1 층(281) 및 제3 층(283) 보다 클 수 있다.
표시 패널(10, 도 12)을 형성하는 공정 중 간격층(280)의 에지는 식각될 수 있으며, 이 때 제2 층(282)이 제1 층(281) 및 제3 층(283) 보다 더 식각될 수 있다. 이 경우, 제1 층(281)의 에지가 제2 층(282)의 에지보다 측 방향을 따라 더 돌출될 수 있으며, 제1 층(281)의 에지는 전술한 그루브(G)에서의 팁과 실질적으로 동일한 기능을 가질 수 있다. 즉 제1 층(281)의 에지가 제2 층(282)의 에지 보다 더 돌출되면서, 간격층(280)에는 미세하게 언더컷 구조 또는 처마 구조가 형성될 수 있다.
제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c), 및 대향전극(223)의 두께의 합, 또는 제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c), 대향전극(223), 및 캐핑층(230)의 두께의 합이 간격층(280)의 두께 보다 작은 경우, 제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c), 대향전극(223), 및/또는 캐핑층(230)은 단절되거나 분리될 수 있다. 이와 관련하여 도 16은 제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c), 대향전극(223), 및 캐핑층(230)이 간격층(280)의 에지를 중심으로 단절된 것을 도시한다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10: 표시 패널
100: 기판
240, 240', 240": 제1 층
250, 250', 250": 제2 층
222a: 제1 기능층
222c: 제2 기능층
223: 대향전극
230: 캐핑층
300: 박막봉지층

Claims (25)

  1. 제1 관통홀;
    상기 제1 관통홀을 둘러싸는 표시영역에 배치되며, 상기 제1 관통홀을 사이에 두고 상호 이격된 화소들을 구비하는 복수의 화소들의 어레이;
    상기 제1 관통홀과 상기 표시영역 사이의 중간영역에 배치되며, 제1 홀 또는 리세스를 포함하는 제1 층; 및
    상기 제1 층 상에 위치하며, 상기 제1 홀 또는 상기 리세스와 중첩하는 제2 홀을 포함하는 제2 층;을 포함하며,
    상기 제2 층은, 상기 제1 홀 또는 상기 리세스를 정의하는 상기 제1 층의 내측면 보다 상기 제2 홀의 중심을 향해 더 연장된 한 쌍의 팁을 포함하고,
    상기 복수의 화소들 각각은, 화소전극, 대향전극, 및 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이의 중간층을 포함하는 발광 다이오드를 포함하고,
    상기 중간층의 적어도 하나의 유기물층은 상기 한 쌍의 팁을 중심으로 단절된, 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 유기물층은, 홀 수송층, 홀 주입층, 전자 주입층, 및 전자 수송층에서 선택된 하나 또는 그 이상을 포함하는, 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 대향전극은 상기 한 쌍의 팁을 중심으로 단절된, 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 층은 유기 절연물을 포함하고, 상기 제2 층은 금속을 포함하는, 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 복수의 화소들의 어레이가 배치된 기판; 및
    상기 기판과 상기 화소전극 사이의 적어도 하나의 무기절연층;을 더 포함하는, 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 층은 상기 적어도 하나의 무기절연층 상에 배치되고,
    상기 제2 층은 상기 제1 층을 지나 상기 적어도 하나의 무기절연층의 상면과 직접 접촉하는, 표시 장치.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 무기절연층과 상기 화소전극 사이의 적어도 하나의 유기절연층을 포함하고,
    상기 제1 층은 상기 적어도 하나의 유기절연층과 동일한 물질을 포함하는, 표시 장치.
  8. 제5 항에 있어서,
    상기 기판의 일 부분은 벤딩영역을 따라 연장된 벤딩축을 중심으로 벤딩되며,
    상기 적어도 하나의 무기절연층은 상기 벤딩영역에 위치하는 개구를 포함하는, 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 무기절연층의 상기 개구에 위치하는 유기절연층을 더 포함하고,
    상기 제1 층은 상기 유기절연층과 동일한 물질을 포함하는, 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제2 층 상의 무기패시베이션층을 더 포함하는, 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 무기패시베이션층은,
    상기 제2 층의 측면과 바닥면, 및 상기 제1 층의 내측면을 연속적으로 커버하는, 표시 장치.
  12. 기판;
    상기 기판 상에 배치되며, 복수의 화소들을 포함하는 표시층; 및
    상기 표시층 상에 배치되며 적어도 하나의 무기봉지층 및 적어도 하나의 유기봉지층을 포함하는 박막봉지층;
    상기 기판, 상기 표시층, 및 상기 박막봉지층을 관통하며, 상기 복수의 화소들 중 인접한 두 개의 화소 사이에 위치하는 제1 관통홀; 및
    상기 제1 관통홀을 둘러싸도록 배치되며, 제1 층 및 상기 제1 층 상의 제2 층에 정의된 그루브;를 포함하며,
    상기 그루브는, 상기 제1 층의 제1 홀 또는 리세스, 및 제2 층에 형성된 제2 홀을 포함하고,
    상기 제2 층은 상기 제1 홀 또는 상기 리세스를 정의하는 상기 제1 층의 내측면 보다 상기 제2 홀의 중심을 향해 더 연장된 한 쌍의 팁을 포함하고,
    상기 표시층의 적어도 하나의 유기물층은 상기 그루브에 의해 단절된, 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 복수의 화소들 각각은, 화소전극, 대향전극, 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이의 발광층을 포함하는 발광 다이오드를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 유기물층은 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이에 위치하는, 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 유기물층은, 홀 수송층, 홀 주입층, 전자 주입층, 및 전자 수송층에서 선택된 하나 또는 그 이상을 포함하는, 표시 장치.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 표시층은 상기 기판과 상기 화소전극 사이의 적어도 하나의 무기절연층을 포함하고,
    상기 제1 층은 상기 적어도 하나의 무기절연층 상에 위치하는, 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 층은 유기절연물을 포함하는, 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제2 층은 상기 제 1층을 지나 상기 적어도 하나의 무기절연층의 상면과 직접 접촉하는, 표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 제2 층은 금속 또는 무기절연물을 포함하는, 표시 장치.
  19. 제16 항에 있어서,
    상기 제2 층 상의 무기패시베이션층을 더 포함하는, 표시 장치.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 무기패시베이션층은,
    상기 제2 층의 측면과 바닥면, 및 상기 제1 층의 내측면을 연속적으로 커버하는, 표시 장치
  21. 제15 항에 있어서,
    상기 기판의 일 부분은 벤딩영역을 따라 연장된 벤딩축을 중심으로 벤딩되며,
    상기 적어도 하나의 무기절연층은 상기 벤딩영역에 위치하는 개구를 포함하는, 표시 장치.
  22. 제21 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 무기절연층의 상기 개구에 위치하는 유기절연층을 더 포함하고,
    상기 제1 층은 상기 유기절연층과 동일한 물질을 포함하는, 표시 장치.
  23. 제12항에 있어서,
    상기 제1 관통홀을 둘러싸는 제2 그루브를 더 포함하고,
    상기 그루브와 상기 제2 그루브 사이의 격벽을 더 포함하는, 표시 장치.
  24. 제23 항에 있어서,
    상기 격벽은 적층된 복수의 격벽층을 포함하며,
    상기 복수의 격벽층 중 인접한 격벽층들 사이에는 금속을 포함하는 이격층이 개재되는, 표시 장치.
  25. 제24 항에 있어서,
    상기 이격층은 제1 층 및 상기 제1 층 아래의 제2 층을 포함하고, 상기 제1 층의 에지는 상기 제2 층의 에지보다 외측을 향해 더 도출되며
    상기 적어도 하나의 유기물층은 상기 제1 층의 에지와 상기 제2 층의 에지가 형성하는 처마 구조에 따라 단절되는, 표시 장치.
KR1020190133261A 2019-10-24 2019-10-24 표시 장치 KR20210049253A (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190133261A KR20210049253A (ko) 2019-10-24 2019-10-24 표시 장치
US16/907,684 US11296167B2 (en) 2019-10-24 2020-06-22 Display device
CN202011139677.5A CN112713247A (zh) 2019-10-24 2020-10-22 显示装置
JP2020177656A JP2021067949A (ja) 2019-10-24 2020-10-22 表示装置
EP20203687.7A EP3863060B1 (en) 2019-10-24 2020-10-23 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190133261A KR20210049253A (ko) 2019-10-24 2019-10-24 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210049253A true KR20210049253A (ko) 2021-05-06

Family

ID=73014360

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190133261A KR20210049253A (ko) 2019-10-24 2019-10-24 표시 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11296167B2 (ko)
EP (1) EP3863060B1 (ko)
JP (1) JP2021067949A (ko)
KR (1) KR20210049253A (ko)
CN (1) CN112713247A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11925054B2 (en) 2020-09-08 2024-03-05 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus including groove between dams

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10862068B2 (en) 2018-10-11 2020-12-08 Samsung Display Co., Ltd. Display panel
KR20210044943A (ko) * 2019-10-15 2021-04-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP7465652B2 (ja) * 2019-12-05 2024-04-11 ＪＤＩ Ｄｅｓｉｇｎ ａｎｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ 合同会社 自発光表示パネルおよびその製造方法
KR20220035646A (ko) * 2020-09-14 2022-03-22 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220083916A (ko) * 2020-12-11 2022-06-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2023073781A1 (ja) * 2021-10-25 2023-05-04 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150071538A (ko) 2013-12-18 2015-06-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102326069B1 (ko) 2015-07-29 2021-11-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
KR102552272B1 (ko) 2015-11-20 2023-07-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102407869B1 (ko) 2016-02-16 2022-06-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
KR102545553B1 (ko) 2016-05-13 2023-06-20 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기전계발광표시 장치
KR102103962B1 (ko) 2016-09-02 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 제조 방법
KR102682304B1 (ko) 2016-12-02 2024-07-08 삼성전자주식회사 디스플레이를 포함하는 전자 장치 및 디스플레이의 제조 방법
KR102680247B1 (ko) 2016-12-30 2024-07-01 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102357392B1 (ko) 2017-04-26 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102083646B1 (ko) 2017-08-11 2020-03-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102448325B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-30 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이를 포함하는 전자장치
KR102520016B1 (ko) 2018-02-02 2023-04-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11925054B2 (en) 2020-09-08 2024-03-05 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus including groove between dams

Also Published As

Publication number Publication date
CN112713247A (zh) 2021-04-27
JP2021067949A (ja) 2021-04-30
US11296167B2 (en) 2022-04-05
EP3863060A1 (en) 2021-08-11
EP3863060B1 (en) 2024-09-04
US20210126060A1 (en) 2021-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102626939B1 (ko) 표시 장치
JP7319102B2 (ja) 表示パネル
US11825705B2 (en) Display panel including area for component inside display area and display apparatus including the same
KR20200037025A (ko) 표시 패널
KR20200030163A (ko) 표시 패널
KR20200060594A (ko) 표시 패널
EP3863060B1 (en) Display device
EP3706176A1 (en) Display panel
KR20200115834A (ko) 표시 패널
KR20200145902A (ko) 표시 패널
KR20200115943A (ko) 표시 장치 및 그 제조방법
KR20200113092A (ko) 표시 패널
KR20210024292A (ko) 표시 장치
US11793051B2 (en) Display apparatus
KR20200107026A (ko) 표시 패널
US11889720B2 (en) Display apparatus including a groove disposed in the middle area while surrounding the first hole in the transmission area
KR20210044359A (ko) 표시 장치 및 그 제조방법
KR20200100238A (ko) 표시 패널
KR20200090595A (ko) 표시 패널
KR102632613B1 (ko) 표시 패널
KR20210087610A (ko) 표시장치
KR102203105B1 (ko) 디스플레이 장치
KR102697457B1 (ko) 표시 패널
KR20240128805A (ko) 표시 패널
KR20220133379A (ko) 디스플레이 패널 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal