CN112736114A - 显示设备及其制造方法 - Google Patents

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CN112736114A CN202011095095.1A CN202011095095A CN112736114A CN 112736114 A CN112736114 A CN 112736114A CN 202011095095 A CN202011095095 A CN 202011095095A CN 112736114 A CN112736114 A CN 112736114A
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田宇植
金相烈
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Abstract

提供一种显示设备和一种显示设备的制造方法，所述显示设备包括：显示区域和透射区域，位于基底上；以及中间区域，布置在显示区域与透射区域之间，并且包括第一子中间区域和位于第一子中间区域与透射区域之间的第二子中间区域，第一子中间区域中堆叠在基底上的薄膜的层数与第二子中间区域中堆叠在基底上的薄膜的层数不同。

Description

显示设备及其制造方法
本申请要求于2019年10月14日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0127161号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例的方面涉及一种显示设备和一种显示设备的制造方法。
背景技术
显示设备的使用正在多样化。此外，显示设备的厚度和重量正在减小，并且其使用范围正在扩大。
已经增加了用于连接或结合到显示设备的各种功能，同时在这样的显示设备中显示区域占据的面积已经增加。作为在扩大面积的同时增加各种功能的方法，已经进行了对能够在显示区域中布置各种组件的显示设备的研究。
发明内容
根据一个或更多个实施例的方面，提供了一种在显示区域内部具有透射区域的显示设备以及该显示设备的制造方法。根据一个或更多个实施例的方面，提供了一种在显示区域中具有其中可以布置各种组件的透射区域的显示面板以及包括该显示面板的显示设备。然而，这些仅作为示例提供，公开的范围不限于此。
附加的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地通过该描述将是明显的，或者可以通过对公开的给出的实施例的实践来获知附加的方面。
根据一个或更多个实施例，显示设备包括：显示区域和透射区域，位于基底上；以及中间区域，布置在显示区域与透射区域之间，并且包括第一子中间区域和位于第一子中间区域与透射区域之间的第二子中间区域，其中，第一子中间区域中堆叠在基底上的薄膜的层数与第二子中间区域中堆叠在基底上的薄膜的层数不同。
第二子中间区域中堆叠在基底上的薄膜的层数可以比第一子中间区域中堆叠在基底上的薄膜的层数少。
显示设备还可以包括不平坦图案层，不平坦图案层包括在第二子中间区域中布置在基底上的多个突起和凹槽。
不平坦图案层可以包括多晶硅。
显示区域可以包括包含半导体层、栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管。不平坦图案层可以包括与半导体层的材料相同的材料并与半导体层布置在同一层中。
显示区域还可以包括显示元件，显示元件包括连接到薄膜晶体管的像素电极、与像素电极相对的对电极和位于像素电极与对电极之间的中间层。
不平坦图案层可以包括SiON、SiO2和SiNx中的任何材料。
不平坦图案层可以包括以岛形彼此分开布置的多个突起。
不平坦图案层可以具有布置成以网格形状交叉的多个线性突起。
显示设备还可以包括利用穿过透射区域的光信号和/或声信号通信的组件。
根据一个或更多个实施例，显示设备的制造方法包括：在基底上形成显示区域；在基底上形成透射区域；以及在显示区域与透射区域之间形成中间区域，中间区域包括第一子中间区域和位于第一子中间区域与透射区域之间的第二子中间区域，其中，在中间区域的形成中，第一子中间区域中堆叠在基底上的薄膜的层数与第二子中间区域中堆叠在基底上的薄膜的层数不同。
第二子中间区域中堆叠在基底上的薄膜的层数可以比第一子中间区域中堆叠在基底上的薄膜的层数少。
显示设备的制造方法还可以包括：在第二子中间区域中的基底上形成牺牲层；在第二子中间区域之上的牺牲层以及第一子中间区域上形成薄膜层；以及向第二子中间区域照射激光束，以去除牺牲层和堆叠在牺牲层上的薄膜层。
显示设备的制造方法还可以包括在第二子中间区域中形成其中布置有多个突起和凹槽的不平坦图案层，其中，牺牲层形成在不平坦图案层上，使得在去除牺牲层和堆叠在牺牲层上的薄膜层之后保留不平坦图案层。
不平坦图案层可以包括多晶硅、SiON、SiO2和SiNx中的任何材料。
显示区域的形成可以包括在基底上形成包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管，不平坦图案层可以包括与半导体层的材料相同的材料并与半导体层布置在同一层中。
显示区域的形成可以包括形成显示元件，显示元件包括连接到薄膜晶体管的像素电极、与像素电极相对的对电极和位于像素电极与对电极之间的中间层。
不平坦图案层可以形成为其中多个突起以岛形彼此分开布置的形状。
不平坦图案层可以以其中多个线性突起彼此交叉的网格形状形成。
显示设备的制造方法还可以包括布置利用穿过透射区域的光信号和/或声信号通信的组件。
附图说明
通过下面的结合附图的描述，公开的特定实施例的以上和其它方面、特征及优点将更加明显，在附图中：
图1是根据实施例的显示设备的透视图；
图2A和图2B是根据一些实施例的显示设备的剖视图；
图3A至图3D是根据一些实施例的显示面板的剖视图；
图4A至图4D是根据又一些实施例的显示面板的剖视图；
图5A和图5B是根据一些实施例的显示面板的平面图；
图6是根据实施例的显示面板的像素的等效电路图；
图7A和图7B是根据一些实施例的显示面板的一部分的平面图；
图8是沿图7A或图7B的线VIII-VIII’截取的显示面板的剖视图；
图9A至图9D是示出图8的显示面板的制造工艺的剖视图；
图10是根据另一实施例的显示面板的剖视图；
图11A至图11D是示出图10的显示面板的制造工艺的剖视图；
图11E和图11F是图10的不平坦图案层的可变形平面形状的示例的平面图；
图12是其中输入感测层设置在图8的显示面板上的结构的剖视图；以及
图13是其中输入感测层设置在图10的显示面板上的结构的剖视图。
具体实施方式
现在将更详细地参照一些实施例，附图中示出了实施例的示例，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。在这方面，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于这里所阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例，以解释本说明书的方面。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或其变型。
这里，将参照附图更详细地描述一些示例实施例。相同的附图标记用于表示相同的元件，将省略其重复描述。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但这些组件不应当受这些术语限制。
以单数形式使用的表达包含复数形式的表达，除非其在上下文中具有明显不同的含义。
还将理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”表明存在所陈述的特征或元件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征或元件。
为了便于说明，可以夸大附图中的元件的尺寸。换句话说，由于为了便于说明可以任意地示出附图中的组件的尺寸和厚度，所以下面的实施例不限于此。
当可以不同地实施某一实施例时，可与所描述的顺序不同地执行特定工艺顺序。例如，可以基本上同时执行两个连续描述的工艺或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
在说明书中，术语“A和/或B”表示A或B的情况或者A和B的情况。
将理解的是，当层、区域或组件连接到另一部分时，该层、区域或组件可以直接连接到所述部分或者可以存在一个或更多个中间层、中间区域或中间组件，使得该层、区域或组件可以间接连接到所述部分。例如，当层、区域或组件电连接到另一部分时，该层、区域或组件可以直接电连接到该部分，或者可以通过另外一个或更多个层、区域或组件间接连接到该部分。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与发明构思的示例实施例所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在常用词典中定义的术语)应当被解释为具有与其在相关领域的语境中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的意义来解释，除非这里明确地如此定义。
图1是根据实施例的显示设备1的透视图。
参照图1，根据实施例的显示设备1可以包括作为透射区域的第一区域OA和作为至少部分地围绕第一区域OA的第二区域的显示区域DA。显示设备1可以使用从布置在显示区域DA中的多个像素发射的光来提供一定的图像。作为示例，图1示出了一个第一区域OA可以布置在显示区域DA内部，其中，第一区域OA可以被显示区域DA完全围绕。第一区域OA可以是其中布置有下面稍后将参照图2A和图2B描述的组件20的区域。
中间区域MA被布置为第一区域OA与作为第二区域的显示区域DA之间的第三区域，显示区域DA可以被作为第四区域的外围区域PA围绕。中间区域MA和外围区域PA可以是其中未布置像素的一种非显示区域。在实施例中，中间区域MA可以被显示区域DA围绕(例如，完全围绕)，并且显示区域DA可以被外围区域PA围绕(例如，完全围绕)。
这里，描述了有机发光显示设备作为根据实施例的显示设备1的示例，但是公开的显示设备不限于此。作为另一实施例，可以使用诸如量子点发光显示器的显示设备。
虽然图1示出了设置有一个第一区域OA并且第一区域OA基本上是圆形的，但是公开不限于此。第一区域OA的数量可以是两个或更多个，第一区域OA中的每个的形状可以变化，并且可以具有例如圆形、椭圆形、多边形、星形或菱形的形状。
图2A和图2B是示意性地示出根据一些实施例的显示设备1的剖视图，并且可以与沿图1中的线II-II’截取的显示设备1的剖面对应。图2A和图2B的剖视图表示在xz平面中限定的图。
参照图2A，在实施例中，显示设备1可以包括显示面板10、位于显示面板10上的输入感测层40和可以覆盖有窗60的光学功能层50。显示设备1可以是诸如移动电话、笔记本计算机和智能手表的各种电子装置中的任何一种。
显示面板10可以显示图像。显示面板10包括布置在显示区域DA中的像素。像素可以包括显示元件和连接到其的像素电路。显示元件可以包括有机发光二极管、量子点有机发光二极管等。
输入感测层40根据外部输入(例如，触摸事件)获得坐标信息。输入感测层40可以包括感测电极(或触摸电极)和连接到感测电极的迹线。输入感测层40可以位于显示面板10上。输入感测层40可以通过互电容方法和/或自电容方法来感测外部输入。
输入感测层40可以直接形成在显示面板10上，或者可以单独形成然后通过粘合层(诸如光学透明粘合剂)结合到显示面板10。例如，可以在形成显示面板10的工艺之后连续地形成输入感测层40。在这种情况下，输入感测层40可以是显示面板10的一部分，粘合层可以不位于输入感测层40与显示面板10之间。虽然图2A示出了输入感测层40位于显示面板10与光学功能层50之间，但在另一实施例中，输入感测层40可以位于光学功能层50上。
在实施例中，光学功能层50可以包括抗反射层。抗反射层可以减小通过窗60从外部朝向显示面板10入射的光(外部光)的反射率。在实施例中，抗反射层可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以是膜型或液晶涂覆型，并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器也可以是膜型或液晶涂覆型。膜型偏振器可以包括拉伸型合成树脂膜，液晶涂覆型偏振器可以包括以一定排列布置的液晶。延迟器和偏振器还可以包括保护膜。延迟器和偏振器的保护膜可以定义为抗反射层的基体层。
在另一实施例中，抗反射层可以包括黑色矩阵和滤色器。滤色器可以考虑从显示面板10的像素中的每个发射的光的颜色来布置。在另一实施例中，抗反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括位于相应层上的第一反射层和第二反射层。分别由第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以相消干涉，因此可以减小外部光反射率。
在实施例中，光学功能层50可以包括透镜层。透镜层可以提高从显示面板10发射的光的发光效率或者可以减小颜色偏差。透镜层可以包括具有凹透镜或凸透镜形状的层并且/或者可以包括具有不同折射率的多个层。光学功能层50可以包括上述抗反射层和透镜层中的全部或任何一个。
在实施例中，光学功能层50可以在形成显示面板10和/或输入感测层40的工艺之后连续地形成。在这种情况下，粘合层可以不位于光学功能层50与显示面板10和/或输入感测层40之间。
在实施例中，显示面板10、输入感测层40和/或光学功能层50可以包括开口。在这方面，图2A示出了显示面板10、输入感测层40和光学功能层50分别包括第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H，并且第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H彼此叠置。第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H与第一区域OA对应定位。在另一实施例中，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的一个或更多个可以不包括开口。例如，选自显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的任何一个或更多个可以不包括开口。如图2B中所示，在实施例中，例如，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50可以不包括开口。
如上所述，第一区域OA可以是用于将各种功能中的任何功能添加到显示设备1的组件20位于其中的一种组件区域(例如，传感器区域、相机区域、扬声器区域等)。如图2A中所示，在实施例中，组件20可以位于第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H中。如图2B中所示，在另一实施例中，组件20可以位于显示面板10下面。
组件20可以包括电子元件。例如，组件20可以包括利用光或声音的电子组件。例如，电子元件可以包括输出和/或接收光的传感器(诸如红外传感器)、通过接收光来捕获图像的相机、输出和检测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器、输出光的小灯、输出声音的扬声器等。在使用光的电子元件的情况下，可以使用诸如可见光、红外光、紫外光等的各种波段的光。在一些实施例中，第一区域OA可以是从组件20输出到外部或者从外部朝向电子元件行进的光和/或声音可以在其中透射的透射区域。
在另一实施例中，当显示设备1用作智能手表或车辆仪表面板时，组件20可以是诸如表针或指示某些信息(例如，车辆速度等)的指针的构件。在实施例中，当显示设备1包括表针或指示某些信息(例如，车辆速度等)的指针时，组件20可以通过窗60暴露于外部，窗60可以包括与第一区域OA对应的开口。
组件20可以包括与如上所述的显示面板10的功能相关联的一个或更多个组件，或者可以包括增加显示面板10的美感的诸如配件的一个或更多个组件。虽然在图2A和图2B中未示出，但是在实施例中，光学透明粘合剂可以位于窗60与光学功能层50之间。
图3A至图3D是根据一些实施例的显示面板10的剖视图。
参照图3A，显示面板10包括布置在基底100上的显示层200。基底100可以包括玻璃材料或聚合物树脂。在实施例中，基底100可以是多层。例如，如图3A的放大区域中所示，基底100可以包括第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104。
第一基体层101和第二基体层103中的每个可以包括聚合物树脂。例如，第一基体层101和第二基体层103可以包括诸如聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)、乙酸丙酸纤维素(CAP)等的聚合物树脂。上述聚合物树脂可以是透明的。
第一阻挡层102和第二阻挡层104中的每个包括用于防止或基本上防止外部异物渗透的阻挡层，并且可以包括包含诸如氮化硅(SiNx，x>0)或氧化硅(SiOx，x>0)的无机材料的单层或多层。
显示层200包括多个像素。显示层200可以包括显示元件层200A和像素电路层200B，显示元件层200A包括针对每个像素布置的显示元件，像素电路层200B包括针对每个像素布置的像素电路和绝缘层。每个像素电路可以包括薄膜晶体管和存储电容器，每个显示元件可以包括有机发光二极管OLED。
显示层200的显示元件可以被诸如薄膜封装层300的封装构件覆盖，在实施例中，薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。当显示面板10包括包含聚合物树脂的基底100以及包含无机封装层和有机封装层的薄膜封装层300时，可以提高显示面板10的柔性。
显示面板10可以包括穿透显示面板10的第一开口10H。第一开口10H可以位于第一区域OA中，在这种情况下，第一区域OA可以是一种开口区域。图3A示出了基底100和薄膜封装层300分别包括与显示面板10的第一开口10H对应的通孔100H和300H。显示层200也可以包括与第一区域OA对应的通孔200H。
在另一实施例中，如图3B中所示，基底100可以不包括与第一区域OA对应的通孔。显示层200可以包括与第一区域OA对应的通孔200H。薄膜封装层300可以不包括与第一区域OA对应的通孔。在另一实施例中，如图3C中所示，显示层200可以不包括与第一区域OA对应的通孔200H，显示元件层200A不位于第一区域OA中。
图3A至图3C示出了显示元件层200A未布置在第一区域OA中，但是公开的实施例不限于此。在另一实施例中，如图3D中所示，辅助显示元件层200C可以位于第一区域OA中。辅助显示元件层200C可以包括以与显示元件层200A的显示元件不同的结构和/或不同的方式操作的显示元件。
在实施例中，显示元件层200A的每个像素可以包括有源有机发光二极管，辅助显示元件层200C可以包括分别包含无源型有机发光二极管的像素。当辅助显示元件层200C包括无源有机发光二极管作为显示元件时，构成像素电路的元件可以不位于无源有机发光二极管下面。例如，像素电路层200B的位于辅助显示元件层200C下方的部分不包括晶体管和存储电容器。
在另一实施例中，辅助显示元件层200C可以包括与显示元件层200A的显示元件相同类型的显示元件(例如，有源有机发光二极管)，但它们下面的像素电路可以不同。例如，辅助显示元件层200C下面的像素电路(例如，在基底与晶体管之间具有遮光膜的像素电路)可以包括与显示元件层200A下面的像素电路的结构不同的结构。在实施例中，辅助显示元件层200C的显示元件可以根据与显示元件层200A的显示元件的控制信号不同的控制信号来操作。在实施例中，不需要相对高透射率的组件(例如，红外传感器等)可以布置在其中布置有辅助显示元件层200C的第一区域OA中。在这种情况下，第一区域OA可以是组件区域和辅助显示区域。
图4A至图4D是根据又一些实施例的显示面板10'的剖视图。与包括薄膜封装层300的参照图3A至图3D描述的显示面板10不同，图4A至图4D的显示面板10'可以包括封装基底300A和密封剂340。
如图4A至图4C中所示，基底100、显示层200和封装基底300A中的一个或更多个可以分别具有与第一区域OA对应的通孔100H、200H和300AH。显示元件层200A可以不布置在第一区域OA中，或者辅助显示元件层200C可以如图4D中所示布置在第一区域OA中。上面已参照图3D描述了辅助显示元件层200C。
图5A和图5B是根据一些实施例的显示面板10的平面图；图6是根据实施例的显示面板10的像素P的等效电路图。
参照图5A，显示面板10可以包括第一区域OA、作为第二区域的显示区域DA、作为第三区域的中间区域MA和作为第四区域的外围区域PA。图5A可以理解为显示面板10的基底100的视图。例如，基底100可以具有第一区域OA、显示区域DA、中间区域MA和外围区域PA。
显示面板10包括布置在显示区域DA中的多个像素P。在实施例中，如图6中所示，每个像素P可以包括像素电路PC和连接到像素电路PC的作为显示元件的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。每个像素P可以从有机发光二极管OLED发射例如红色光、绿色光或蓝色光。在另一实施例中，每个像素P可以从有机发光二极管OLED发射例如红色光、绿色光、蓝色光或白色光。
第二薄膜晶体管T2是连接到扫描线SL和数据线DL的开关薄膜晶体管，并且可以被构造为基于从扫描线SL输入的开关电压将从数据线DL输入的数据电压传送到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储对应于从第二薄膜晶体管T2接收的电压与供应到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的差的电压。
第一薄膜晶体管T1是连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst的驱动薄膜晶体管，并且可以根据存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有一定亮度的光。有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)可以供应有第二电源电压ELVSS。
图6示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是公开不限于此。薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而不同地改变。例如，除了上面提及的两个薄膜晶体管之外，像素电路PC还可以包括四个或更多个薄膜晶体管。
再次参照图5A，在实施例中，中间区域MA可以在平面上围绕第一区域OA。中间区域MA是其中没有布置发射光的显示元件(诸如有机发光二极管OLED)的区域，将信号提供到位于第一区域OA周围的像素P的信号线可以经过中间区域MA。外围区域PA可以包括用于将扫描信号提供到每个像素P的扫描驱动器1100、用于将数据信号提供到每个像素P的数据驱动器1200和用于提供第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS的主电力线(未示出)。图5A示出了数据驱动器1200与基底100的一侧相邻。然而，根据另一实施例，数据驱动器1200可以位于电连接到位于显示面板10的一侧上的垫(pad，或者称为“焊盘”或“焊垫”)的柔性印刷电路板(FPCB)上。此外，图5A示出了其中第一区域OA布置在显示区域DA的左上侧上的结构，但是，如图5B中所示，例如，第一区域OA也可以位于显示区域DA的顶部中心处。
图7A和图7B是根据一些实施例的显示面板的一部分的平面图。
参照图7A，像素P布置在透射区域OA周围的显示区域DA中。一些像素P可以相对于透射区域OA彼此分开，透射区域OA可以限定在像素P之间。例如，像素P可以分别布置在透射区域OA的上方和下方或者左侧和右侧上。
用于将信号供应到像素P的信号线之中的与透射区域OA相邻的信号线可以绕过透射区域OA。在图7A的平面上穿越显示区域DA的数据线DL中的至少一条在y方向上延伸，以将数据信号提供到布置在透射区域OA上方和下方的像素P，并且可以在中间区域MA中沿透射区域OA的边缘绕过。在图7A的平面上穿越显示区域DA的扫描线SL中的至少一条在x方向上延伸，以将扫描信号提供到透射区域OA的左侧和右侧上的像素P，并且可以在中间区域MA中沿透射区域OA的边缘绕过。
在实施例中，扫描线SL的绕过部分(或绕行部分)SL-D和穿过显示区域DA的延伸部分SL-L位于同一层上，并且可以一体地形成。在实施例中，数据线DL中的至少一条的绕过部分DL-D1可以形成在与穿过显示区域DA的延伸部分DL-L1的层不同的层上。数据线DL的绕过部分DL-D1和延伸部分DL-L1可以通过接触孔CNT彼此连接。在实施例中，数据线DL中的至少一条的绕过部分DL-D2与延伸部分DL-L2位于同一层上，并且可以一体地形成。
在实施例中，如图7B中所示，扫描线SL可以在透射区域OA左侧和右侧附近切断而没有绕过部分。即，上面描述的扫描驱动器1100可以逐个布置在显示区域DA的左侧和右侧上，使得位于透射区域OA的左侧上的像素P可以连接到位于左侧上的扫描驱动器1100，位于透射区域OA的右侧上的像素P可以连接到位于右侧上的扫描驱动器1100。在这种情况下，扫描线SL不需要连接为一条同时绕过透射区域OA。
图8是根据实施例的显示面板10-1的剖视图，并且可以与沿图7A或图7B的线VIII-VIII’截取的显示面板的部分的剖面对应；图9A至图9D是示出图8的显示面板10-1的制造工艺的剖视图。
参照图8的显示区域DA，基底100可以包括玻璃材料或聚合物树脂。如图3A的放大区域中所示，在实施例中，基底100可以包括多个子层。
缓冲层201可以形成在基底100上，以防止或基本上防止杂质渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层Act中。缓冲层201可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的任何一种的无机绝缘材料，并且可以包括包含上面描述的无机绝缘材料的单层或多层。
像素电路PC可以位于缓冲层201上。像素电路PC包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。图8中所示的薄膜晶体管TFT可以与参照图6描述的驱动薄膜晶体管对应。虽然在图8中未示出，但是像素电路PC的数据线DL电连接到包括在像素电路PC中的开关薄膜晶体管。本实施例示出了顶栅型晶体管，其中栅电极GE位于半导体层Act上方，并且栅电极GE与半导体层Act之间具有栅极绝缘层203。然而，根据另一实施例，薄膜晶体管TFT也可以是底栅型晶体管。
在实施例中，半导体层Act可以包括多晶硅。在另一实施例中，半导体层Act可以包括非晶硅、氧化物半导体、有机半导体等。栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)等的导电材料。栅电极GE可以包括包含上面描述的材料的单层或多层。
位于半导体层Act与栅电极GE之间的栅极绝缘层203可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪等的无机绝缘材料。栅极绝缘层203可以包括包含上面描述的材料的单层或多层。
源电极SE和漏电极DE可以与数据线DL位于同一层上，并且可以包括与数据线DL的材料相同的材料。源电极SE、漏电极DE和数据线DL可以包括具有高导电性的材料。源电极SE和漏电极DE可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以形成为包括上面描述的材料的单层或多层。在实施例中，源电极SE、漏电极DE和数据线DL可以包括Ti/Al/Ti的多层。
存储电容器Cst可以包括彼此叠置的下电极CE1和上电极CE2，并且下电极CE1与上电极CE2之间具有第一层间绝缘层205。存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT叠置。在这方面，图8示出了薄膜晶体管TFT的栅电极GE作为存储电容器Cst的下电极CE1。在另一实施例中，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT叠置。存储电容器Cst可以覆盖有第二层间绝缘层207。存储电容器Cst的上电极CE2可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料。源电极SE和漏电极DE可以包括包含上述材料的单层或多层。
第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪等的无机绝缘材料。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以包括包含上述材料的单层或多层。
包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路PC可以覆盖有第一有机绝缘层209。第一有机绝缘层209可以包括基本上平坦的顶表面。
像素电路PC可以电连接到像素电极221。例如，如图8中所示，接触金属层CM可以位于薄膜晶体管TFT与像素电极221之间。接触金属层CM可以通过形成在第一有机绝缘层209中的接触孔连接到薄膜晶体管TFT，像素电极221可以通过形成在接触金属层CM上的第二有机绝缘层211中的接触孔连接到接触金属层CM。接触金属层CM可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料。接触金属层CM可以包括包含上面描述的材料的单层或多层。在实施例中，接触金属层CM可以包括Ti/Al/Ti的多层。
第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211可以包括诸如通用商业聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚苯乙烯(PS)中的任何聚合物)、包括酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇聚合物和它们的共混物的有机绝缘材料。在实施例中，第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211可以包括聚酰亚胺。
像素电极221可以形成在第二有机绝缘层211上。像素电极221可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和/或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。在另一实施例中，像素电极221可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的混合物的反射层。在另一实施例中，像素电极221还可以包括位于上面描述的反射层上方/下方的由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。
像素限定层215可以形成在像素电极221上。像素限定层215可以包括使像素电极221的上表面的一部分暴露的开口，并且可以覆盖像素电极221的边缘。像素限定层215可以包括有机绝缘材料。可选地，像素限定层215可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料。在实施例中，像素限定层215可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
中间层222包括发光层222b。中间层222可以包括在发光层222b下面的第一功能层222a和/或在发光层222b上的第二功能层222c。发光层222b可以包括发射一定颜色的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。
第一功能层222a可以包括单层或多层。例如，当第一功能层222a包括聚合物时，第一功能层222a可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)，并且可以包括3,4-亚乙基-二羟基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。在实施例中，当第一功能层222a由低分子量材料形成时，第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)。
在实施例中，可以省略第二功能层222c。例如，当第一功能层222a和发光层222b包括聚合物材料时，可以形成第二功能层222c。第二功能层222c可以包括单层或多层。在实施例中，第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)
中间层222中的发光层222b可以针对显示区域DA中的每个像素布置。在实施例中，发光层222b可以被图案化为与像素电极221对应。在实施例中，与发光层222b不同，中间层222的第一功能层222a和/或第二功能层222c可以朝向中间区域MA延伸为不仅位于显示区域DA中而且位于中间区域MA中。
对电极223可以包括具有低功函数的导电材料。例如，对电极223可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、锂(Li)、钙(Ca)或它们的合金的(半)透明层。在实施例中，对电极223还可以包括位于包括上面描述的材料的(半)透明层上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。对电极223不仅可以形成在显示区域DA中，而且可以形成在中间区域MA中。在实施例中，第一功能层222a、第二功能层222c和对电极223可以通过热蒸镀形成。
在实施例中，盖层230可以位于对电极223上。例如，盖层230可以包括LiF，并且可以通过热蒸镀形成。在一些实施例中，可以省略盖层230。
间隔件217可以形成在像素限定层215上。间隔件217可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。在实施例中，间隔件217可以包括无机绝缘材料，或者可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
间隔件217可以包括与像素限定层215的材料不同的材料，或者可以包括与像素限定层215的材料相同的材料。在实施例中，像素限定层215和间隔件217可以包括聚酰亚胺。在实施例中，像素限定层215和间隔件217可以在使用半色调掩模的掩模工艺中一起形成。
有机发光二极管OLED覆盖有薄膜封装层300。在实施例中，薄膜封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。例如，图8示出了薄膜封装层300包括第一无机封装层310、第二无机封装层330以及第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。在另一实施例中，可以改变有机封装层的数量、无机封装层的数量和/或堆叠顺序。
在实施例中，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅之中的一种或多种无机材料。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括包含前面提及的材料的单层或多层。在实施例中，有机封装层320可以包括聚合物类材料，聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯。在实施例中，有机封装层320可以包括丙烯酸酯。
在实施例中，第一无机封装层310和第二无机封装层330的厚度可以彼此不同。第一无机封装层310的厚度可以比第二无机封装层330的厚度大。可选地，第二无机封装层330的厚度可以比第一无机封装层310的厚度大，或者第一无机封装层310的厚度可以与第二无机封装层330的厚度相同。
参照图8的中间区域MA，中间区域MA可以包括相对远离透射区域OA的第一子中间区域SMA1和相对靠近透射区域OA的第二子中间区域SMA2。绕过透射区域OA的线可以布置在中间区域MA中。
如图8中所示，线(例如，数据线DL)可以位于第一子中间区域SMA1中。图8中所示的第一子中间区域SMA1的数据线DL与上面参照图7A和图7B描述的数据线DL的绕过部分(例如，DL-D1和DL-D2)对应。第一子中间区域SMA1可以理解为诸如数据线DL的线在其中绕过透射区域OA的线区域或绕过区域。
数据线DL可以经由绝缘层彼此交替地布置。在实施例中，例如，相邻的数据线DL中的一条位于绝缘层(例如，第一有机绝缘层209)下方，另一条位于绝缘层(例如，第一有机绝缘层209)上方。当数据线DL交替地布置且绝缘层位于其间时，可以减小数据线之间的距离Δd(间距)。图8示出了位于第一子中间区域SMA1中的数据线DL。然而，参照图7A描述的扫描线SL(例如，扫描线SL的绕过部分)也可以位于第一子中间区域SMA1中。
在第二子中间区域SMA2中，比第一子中间区域SMA1中的薄膜的数量少得多的数量的薄膜堆叠在基底100上。即，在第一子中间区域SMA1中，诸如栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207、第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211、像素限定层215和间隔件217、第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223、盖层230等的各种薄膜以及缓冲层201堆叠在基底100与薄膜封装层300之间。然而，在实施例中，仅缓冲层201在第二子中间区域SMA2中堆叠在基底100与薄膜封装层300之间。
第一子中间区域SMA1与第二子中间区域SMA2之间的位于基底100上的薄膜的层数的差异是因为在靠近透射区域OA的第二子中间区域SMA2中，去除了可能作为水渗透到显示区域DA中的路径的包括有机物质的所有层。即，由于第二子中间区域SMA2与透射区域OA的第一开口10H接触，所以湿气可能从外部穿过第二子中间区域SMA2渗透。这里，包括有机物质的层(诸如位于基底100上的层之中的第一功能层222a或第二功能层222c)可能是湿气所流过的路径，因此，在实施例中，去除了第二子中间区域SMA2的基底100与薄膜封装层300之间的层，同时仅留下作为无机膜的缓冲层201。在这种情况下，由于湿气可能通过其穿过透射区域OA进入显示区域DA的路径被阻挡，所以可以防止或基本上防止由于渗透造成的对显示区域DA的损坏。
在实施例中，如图9A至图9D中所示，可以通过使用牺牲层500(见图9A)和激光束照射的工艺来实现如上所述的从其去除第二子中间区域SMA2的薄膜层的结构。
首先，如图9A中所示，在位于基底100上的缓冲层201上形成牺牲层500和半导体层Act。即，在显示区域DA中形成半导体层Act，在中间区域MA的第二子中间区域SMA2中形成牺牲层500。这里，牺牲层500可以包括当用红外激光束照射时容易升华的材料，例如银(Ag)材料。
随后，如图9B中所示，在显示区域DA中形成薄膜晶体管TFT、存储电容器Cst和有机发光二极管OLED，其中，堆叠在显示区域DA中的第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223、盖层230等延伸到中间区域MA。即，第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223、盖层230等延伸到第一子中间区域SMA1和其上形成有牺牲层500的第二子中间区域SMA2。
在这种状态下，如图9C中所示，当朝向牺牲层500照射红外激光束时，牺牲层500与堆叠在其上的薄膜层一起升华离开位于基底100上的缓冲层201。
在这种情况下，如图9D中所示，仅缓冲层201保留在第二子中间区域SMA2中，在缓冲层201上形成薄膜封装层300。
薄膜封装层300覆盖显示区域DA的有机发光二极管OLED，以防止或基本上防止有机发光二极管OLED被外部杂质损坏或劣化。
薄膜封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。与上面描述的第一功能层222a、第二功能层222c和/或对电极223相比，通过化学气相沉积方法形成的第一无机封装层310可以具有更好的台阶覆盖。
可以通过施用单体或聚合物材料并将单体或聚合物材料固化来形成有机封装层320。
第二无机封装层330可以位于有机封装层320上。
当在形成薄膜封装层300之后沿切割线CL形成第一开口10H时，如图9D中所示，形成堆叠在第二子中间区域SMA2中的薄膜的层数比堆叠在第一子中间区域SMA1中的薄膜的层数少得多的结构。因此，在实施例中，不存在从接触透射区域OA的第一开口10H的端部连接到显示区域DA的有机发光二极管OLED或薄膜晶体管TFT的有机层。即，可以去除可能作为水渗透的路径的所有层。
因此，这样的结构可以抑制诸如水从透射区域OA渗透到显示区域DA中的问题，并且可以通过首先铺设牺牲层500然后用激光束使牺牲层500升华的简易工艺来实现这样的结构，从而简化生产工艺。此外，由于牺牲层500不需要具有大的尺寸，而是仅需要制成大得足以破坏透射区域OA与显示区域DA之间的有机膜连接，所以也可以减小变成无效空间的中间区域MA在平面上所占据的面积。
虽然参照图8至图9D描述的显示面板10-1包括与透射区域OA对应的第一开口10H，但是在如上面参照图3B至图3D所描述的另一实施例中，显示面板10-1可以不包括与透射区域OA对应的第一开口10H。在这种情况下，可以不沿切割线CL形成第一开口10H，与第一开口10H对应的区域可以用作透射区域OA。例如，在实施例中，当使用诸如相机的对透射率敏感的装置作为组件20时，可以在透射区域OA中形成第一开口10H。然而，当使用诸如红外传感器的装置作为组件20时，即使不形成第一开口10H，也不难通过透射区域OA与显示面板10-1交换信号。该特征可以类似地应用于将在下面稍后描述的显示面板10-2。
图10是根据另一实施例的显示面板10-2的剖视图。
图10的显示面板10-2基本上与参照图8描述的结构相同。即，显示面板10-2具有其中薄膜堆叠在第二子中间区域SMA2中并具有比第一子中间区域SMA1中的层数少得多的层数的结构。另外，以与参照图8描述的结构相同的方式去除第二子中间区域SMA2的基底100与薄膜封装层300之间的有机膜，使得不存在从透射区域OA到显示区域DA的湿气渗透路径。
然而，本实施例的不同之处在于在第二子中间区域SMA2中进一步设置不平坦图案层510。在实施例中，不平坦图案层510可以由作为与形成显示区域DA的半导体层Act的材料相同的材料的多晶硅形成，并且可以以其中布置有多个突起和凹槽的形状布置在第二子中间区域SMA2中。不平坦图案层510可以具有如图11E中所示的其中多个突起在平面上以岛形彼此分开的结构，或者可以具有如图11F中所示的其中多个线性突起以网格形状交叉的结构。
在不平坦图案层510上形成牺牲层500。即，以与图8的实施例的方式相同的方式执行如下工艺：首先在缓冲层201上形成不平坦图案层510；在不平坦图案层510上形成牺牲层500；然后稍后使牺牲层500升华。
因为牺牲层500形成在不平坦图案层510上，所以首先通过加宽针对红外激光束的表面积来增大牺牲层500的热吸收率。即，由于牺牲层500也依照不平坦图案层510的不平坦形状以相同的图案形成，所以与没有不平坦图案层510的平坦形状相比，增大了牺牲层500的表面积。因此，当照射红外激光束时，可以通过增加的表面积来提高牺牲层500的热吸收率。此外，由于牺牲层500在形状不平坦时比在形状平坦时较少反射红外激光束，所以提高了热吸收率。因此，可以用少的能量来使牺牲层500容易地升华。此外，由于牺牲层500与稍后将形成在不平坦图案层510上的薄膜封装层300具有更宽的接触面积，所以可以确保牺牲层500与薄膜封装层300的更令人满意的结合。此外，即使湿气从第二子中间区域SMA2的与透射区域OA接触的端部渗透，由于不平坦图案层510，湿气渗透路径长，使得渗透可能性较小。
因此，当形成不平坦图案层510时，可以容易地执行牺牲层500的升华，能够进一步获得诸如确保与薄膜封装层300的更紧密结合的效果。
在实施例中，可以通过图11A至图11D的工艺来制造图10的显示面板10-2。
首先，在实施例中，如图11A中所示，位于基底100上的缓冲层201上的不平坦图案层510和半导体层Act两者包括相同的材料(例如，多晶硅)。即，在显示区域DA中形成多晶硅的半导体层Act，也在中间区域MA的第二子中间区域SMA2中形成相同的多晶硅材料的不平坦图案层510。在不平坦图案层510上形成牺牲层500。这里，也沿不平坦图案层510的不平坦形状将牺牲层500形成为具有较大的表面积。可以将不平坦图案层510形成为规则的锥形形状(即，从底部到顶部变窄的梯形形状)，使得牺牲层500良好地形成而不在不平坦图案层510上被切断。
随后，如图11B中所示，在显示区域DA中形成薄膜晶体管TFT、存储电容器Cst和有机发光二极管OLED，其中，堆叠在显示区域DA中的第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223、盖层230等延伸到中间区域MA。即，第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223、盖层230等延伸到第一子中间区域SMA1和其上形成有不平坦图案层510和牺牲层500的第二子中间区域SMA2。
在这种状态下，如图11C中所示，当朝向牺牲层500照射红外激光束时，随着牺牲层500快速升华，具有较大表面积的牺牲层500与堆叠在其上的薄膜层一起与不平坦图案层510分离。
在这种情况下，如图11D中所示，仅缓冲层201和不平坦图案层510保留在第二子中间区域SMA2中，包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330的薄膜封装层300形成在缓冲层201和不平坦图案层510上。
当在形成薄膜封装层300之后沿切割线CL形成第一开口10H时，如图11D中所示，形成堆叠在第二子中间区域SMA2中的薄膜的层数比堆叠在第一子中间区域SMA1中的薄膜的层数少得多的结构。因此，不存在从接触透射区域OA的第一开口10H的端部连接到显示区域DA的有机发光二极管OLED或薄膜晶体管TFT的有机层。即，去除了可能作为水渗透的路径的所有层。
因此，这样的结构可以抑制诸如水从透射区域OA渗透到显示区域DA中的问题，并且可以通过形成不平坦图案层510和牺牲层500然后利用激光束使牺牲层500升华的简单工艺来实现，从而简化了生产工艺。此外，由于牺牲层500不需要具有大的尺寸，而是仅需要制成大得足以破坏透射区域OA与显示区域DA之间的有机膜连接，因此也可以减小变成无效空间的中间区域MA在平面上所占据的面积。此外，不平坦图案层510加宽了牺牲层500的吸收热量的表面区域，使得即使用少量的能量也可以容易地执行升华操作。另外，薄膜封装层300和第二子中间区域SMA2的结合力增加，这确保了更紧密的密封功能。
在实施例中，不平坦图案层510由与半导体层Act的多晶硅材料相同的多晶硅材料形成，但是实施例不限于此。例如，不平坦图案层510可以由诸如SiON、SiO2或SiNx的材料形成。
图8和图10的实施例分别示出了其中上至薄膜封装层300的层形成在基底100上的显示面板10-1和显示面板10-2。输入感测层40可以通过后续工艺形成在显示面板10-1和显示面板10-2上。
图12示出了其中输入感测层40形成在图8的显示面板10-1上的结构；以及图13示出了其中输入感测层40形成在图10的显示面板10-2上的结构。由于图12和图13中输入感测层40的结构相同，所以将参照图12进行描述。
首先，平坦化层420布置在薄膜封装层300上。平坦化层420可以是有机绝缘层。平坦化层420可以包括聚合物类材料。例如，平坦化层420可以包括硅树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。在实施例中，平坦化层420可以包括与有机封装层320的材料不同的材料。
平坦化层420通过覆盖第一子中间区域SMA1与第二子中间区域SMA2之间的台阶来增大透射区域OA周围的显示面板10-1的平坦度。
第一绝缘层410和第二绝缘层430分别布置在平坦化层420的下部和上部上。在实施例中，第一绝缘层410和第二绝缘层430可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料。第一绝缘层410和第二绝缘层430中的每个可以包括包含上述材料的单层或多层。
在实施例中，覆盖层440覆盖平坦化层420的端部与第一绝缘层410的上表面之间的台阶，以防止或基本上防止膜被提升或分离。在实施例中，覆盖层440可以包括金属。覆盖层440具有一定宽度并且覆盖平坦化层420的端部，而下面稍后将描述的第一绝缘层410、第二绝缘层430和第三绝缘层450中的每个在显示区域DA和中间区域MA中延伸。
第三绝缘层450可以位于覆盖层440上。第三绝缘层450可以包括有机绝缘材料。例如，第三绝缘层450的有机绝缘材料可以包括光致抗蚀剂(负性或正性)或聚合物类有机材料，并且可以朝向显示区域DA延伸以覆盖显示区域DA。
这里，第二绝缘层430和位于第二绝缘层430上方的层可以与上面描述的输入感测层40对应。在输入感测层40中，用于检测用户的触摸的电极(未示出)布置在第二绝缘层430与第三绝缘层450之间，以执行将信号传输到显示面板10-1的触摸屏的功能。
如上所述，根据实施例，可以通过首先铺设牺牲层500然后用激光束使牺牲层500升华的简易工艺，来抑制诸如湿气从透射区域OA渗透到显示区域DA中的问题。此外，由于牺牲层500不需要具有大的尺寸，而是仅需要制成大得足以破坏透射区域OA与显示区域DA之间的有机膜连接，所以也可以减小变成无效空间的中间区域MA在平面上占据的面积。
根据依据一个或更多个实施例的显示设备及其制造方法，可以通过简单的工艺将围绕透射区域的中间区域形成得非常窄，因此，可以有效减小透射区域周围的无效空间。然而，上面描述的方面和效果是说明性的，根据实施例的方面和效果不限于此。
应当理解的是，这里所描述的实施例应当以描述性的意义而不是出于限制的目的来考虑。对每个实施例内的特征或方面的描述通常应当被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求所阐述的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
显示区域和透射区域，位于基底上；以及中间区域，布置在所述显示区域与所述透射区域之间，并且包括第一子中间区域和位于所述第一子中间区域与所述透射区域之间的第二子中间区域，
其中，所述第一子中间区域中堆叠在所述基底上的薄膜的层数与所述第二子中间区域中堆叠在所述基底上的薄膜的层数不同。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二子中间区域中堆叠在所述基底上的薄膜的所述层数比所述第一子中间区域中堆叠在所述基底上的薄膜的所述层数少。
3.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括不平坦图案层，所述不平坦图案层包括在所述第二子中间区域中布置在所述基底上的多个突起和凹槽。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述不平坦图案层包括多晶硅。
5.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述显示区域包括包含半导体层、栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管，并且
所述不平坦图案层包括与所述半导体层的材料相同的材料并与所述半导体层布置在同一层中。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述显示区域还包括显示元件，所述显示元件包括连接到所述薄膜晶体管的像素电极、与所述像素电极相对的对电极和位于所述像素电极与所述对电极之间的中间层。
7.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述不平坦图案层包括SiON、SiO2和SiNx中的任何材料。
8.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述不平坦图案层包括以岛形彼此分开布置的多个突起。
9.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述不平坦图案层包括布置成以网格形状交叉的多个线性突起。
10.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括利用穿过所述透射区域的光信号和/或声信号通信的组件。
11.一种显示设备的制造方法，所述制造方法包括：
在基底上形成显示区域；
在所述基底上形成透射区域；以及
在所述显示区域与所述透射区域之间形成中间区域，所述中间区域包括第一子中间区域和位于所述第一子中间区域与所述透射区域之间的第二子中间区域，
其中，在所述中间区域的形成中，所述第一子中间区域中堆叠在所述基底上的薄膜的层数与所述第二子中间区域中堆叠在所述基底上的薄膜的层数不同。
12.根据权利要求11所述的制造方法，其中，所述第二子中间区域中堆叠在所述基底上的薄膜的所述层数比所述第一子中间区域中堆叠在所述基底上的薄膜的所述层数少。
13.根据权利要求11所述的制造方法，所述制造方法还包括：
在所述第二子中间区域中的所述基底上形成牺牲层；
在所述第二子中间区域之上的所述牺牲层以及所述第一子中间区域上形成薄膜层；以及
向所述第二子中间区域照射激光束，以去除所述牺牲层和堆叠在所述牺牲层上的薄膜层。
14.根据权利要求13所述的制造方法，所述制造方法还包括：
在所述第二子中间区域中形成其中布置有多个突起和凹槽的不平坦图案层，
其中，所述牺牲层形成在所述不平坦图案层上，使得在去除所述牺牲层和堆叠在所述牺牲层上的所述薄膜层之后保留所述不平坦图案层。
15.根据权利要求14所述的制造方法，其中，所述不平坦图案层包括多晶硅、SiON、SiO2和SiNx中的任何材料。
16.根据权利要求14所述的制造方法，其中，所述显示区域的形成包括在所述基底上形成包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管，并且
所述不平坦图案层包括与所述半导体层的材料相同的材料并与所述半导体层布置在同一层中。
17.根据权利要求16所述的制造方法，其中，所述显示区域的形成还包括形成显示元件，所述显示元件包括连接到所述薄膜晶体管的像素电极、与所述像素电极相对的对电极和位于所述像素电极与所述对电极之间的中间层。
18.根据权利要求14所述的制造方法，其中，所述不平坦图案层形成为其中多个突起以岛形彼此分开布置的形状。
19.根据权利要求14所述的制造方法，其中，所述不平坦图案层以其中多个线性突起彼此交叉的网格形状形成。
20.根据权利要求11所述的制造方法，所述制造方法还包括布置利用穿过所述透射区域的光信号和/或声信号通信的组件。
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