CN113066824A - 显示装置和制造显示装置的方法 - Google Patents

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CN113066824A CN202011605443.5A CN202011605443A CN113066824A CN 113066824 A CN113066824 A CN 113066824A CN 202011605443 A CN202011605443 A CN 202011605443A CN 113066824 A CN113066824 A CN 113066824A
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Abstract

本申请涉及显示装置和制造显示装置的方法。显示装置在显示区域中包括透射区域，并且在围绕透射区域的非显示区域中包括槽，并且可以使缺陷像素的发生最小化，因为槽形成工艺包括：在形成掩模层之前形成覆盖发射区域的保护层的工艺，以及在去除掩模层之后去除保护层的工艺。

Description

显示装置和制造显示装置的方法
技术领域
一个或多个实施方式涉及在显示区域内部包括透射区域的显示装置和制造显示装置的方法。
背景技术
近来，显示装置已经用于各种目的。此外，随着显示装置变得更薄和更轻便，这种显示装置被更广泛地用于各个领域。
随着显示装置中的显示区域所占据的面积已经扩大，在显示装置中已经添加了各种组合的或关联的功能。作为在扩大面积时添加各种功能的方案，已经对其中可以将各种部件布置在显示区域中的显示装置进行了研究。
发明内容
一个或多个实施方式包括：显示面板，该显示面板包括透射区域，各种类型的部件可以布置在透射区域中；以及包括显示面板的显示装置。
根据实施方式，制造显示装置的方法，该方法包括：制备基板，该基板包括透射区域、围绕透射区域的显示区域以及在透射区域与显示区域之间的非显示区域；在基板上提供多个绝缘层，并且形成通过多个绝缘层中的一些绝缘层的与非显示区域相对应的开口；在与显示区域相对应的多个绝缘层上提供像素电极；提供覆盖像素电极的保护层；提供覆盖保护层以及开口的侧表面和底表面的掩模层；去除掩模层的位于开口的底表面上的部分；在去除掩模层的在开口的底表面上的部分之后，通过去除开口的下层来形成槽；去除掩模层；去除保护层；以及在像素电极上提供中间层，其中，中间层包括有机材料层，并且有机材料层延伸到非显示区域并且被槽断开。
在实施方式中，保护层可以至少覆盖像素电极的布置有发射层的区域。
在实施方式中，保护层可以包括有机材料。
在实施方式中，保护层可以包括光致抗蚀剂。
在实施方式中，保护层可以包括有机油墨。
在实施方式中，通过剥离工艺可以去除保护层。
在实施方式中，掩模层可以包括导电氧化物。
在实施方式中，通过湿蚀刻工艺可以去除掩模层的位于开口的底表面上的部分。
在实施方式中，通过湿蚀刻工艺可以去除掩模层。
在实施方式中，通过干蚀刻工艺可以去除开口的下层。
在实施方式中，基板可以包括：第一基底层；在第一基底层上的第一阻挡层；在第一阻挡层上的第二基底层；以及在第二基底层上的第二阻挡层。
在实施方式中，开口的下层可以包括第二基底层和第二阻挡层。
在实施方式中，开口的下层可以包括无机层和位于无机层下方的有机层。
根据另一实施方式，显示装置，包括：基板，该基板包括透射区域、围绕透射区域的显示区域以及在透射区域与显示区域之间的非显示区域；设置在基板上的多个绝缘层；显示元件，该显示元件设置在与显示区域相对应的多个绝缘层上，并且包括像素电极、相对电极以及在像素电极与相对电极之间的中间层；覆盖像素电极的边缘的像素限定层，其中，限定通过像素限定层的与像素电极的一部分相对应的开口；设置在像素限定层的开口的内表面上的有机材料；以及在非显示区域中的槽。在这样的实施方式中，中间层包括有机材料层，并且有机材料层延伸到非显示区域并且被槽断开，并且槽被限定在包括下层和上层的多层中，并且选自下层和上层中的至少一个由构成基板的层中的至少一个来限定。
在实施方式中，有机材料可以包括光致抗蚀剂。
在实施方式中，基板可以包括：第一基底层；在第一基底层上的第一阻挡层；在第一阻挡层上的第二基底层；以及在第二基底层上的第二阻挡层。
在实施方式中，多层的上层可以包括第二阻挡层，并且多层的下层可以包括第二基底层。
在实施方式中，第二阻挡层可以包括无机材料，并且第二基底层可以包括有机材料。
在实施方式中，多层的上层可以包括无机层，并且多层的下层可以包括位于无机层下方的有机层。
在实施方式中，显示装置可以进一步包括：设置在显示元件上的薄膜封装层，其中，薄膜封装层包括无机封装层和有机封装层，其中，无机封装层可以连续地覆盖槽的内表面。
附图说明
通过以下结合所附附图的描述，实施方式的上面和其他特征将变得更加明显，其中：
图1是示意性图示根据实施方式的显示装置的透视图；
图2和图3是示意性图示根据实施方式的显示装置的截面图；
图4A至图4D是示意性图示根据各种实施方式的显示面板的截面图；
图4E是图4A的圈出部分的放大图；
图5是示意性图示根据实施方式的显示面板的平面图；
图6是示意性图示根据实施方式的显示面板的像素的等效电路图；
图7是图示根据实施方式的显示面板的一部分的平面图；
图8是示意性图示根据实施方式的显示面板的像素的截面图；
图9A至图9D是在根据各种实施方式的显示面板中提供的槽的截面图；
图10是图示根据实施方式的显示面板的一部分的平面图；
图11是图示根据实施方式的显示面板的截面图；
图12是图示图11的显示面板中的槽的截面图；
图13A至图13H是图示根据实施方式的显示面板制造工艺的截面图；
图14是根据替代实施方式的显示面板的截面图；
图15是根据另一替代实施方式的显示面板的截面图；
图16是根据另一替代实施方式的显示面板的截面图；
图17是图示图16的显示面板中的槽的截面图；并且
图18是根据另一替代实施方式的显示面板的截面图。
具体实施方式
现在将在下文中参照所附附图更充分地描述本发明，在所附附图中示出了各种实施方式。然而，本发明可以以许多不同的形式来体现，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。而是，提供这些实施方式使得本公开将是透彻的和完整的，并将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。在全文中，相同的附图标记指代相同的元件。
将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可用于描述各种元件、部件、区、层和/或部分，但是这些元件、部件、区、层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件、部件、区、层或部分与另一元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本文中的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一部件”、“第一区”、“第一层”或“第一部分”可以被称为第二元件、第二部件、第二区、第二层或第二部分。
本文中使用的术语仅出于描述特定实施方式的目的，并且不旨在进行限制。如本文中所使用的，除非上下文另外明确指示，否则单数形式“一(a)”、“一(an)”和“所述”旨在包括复数形式，包括“至少一个”。“或”意为“和/或”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联的列出的项目的任何和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a，仅b，仅c，a和b两者，a和c两者，b和c两者，a、b和c的全部，或其变体。
将进一步理解的是，当在本说明书中使用术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”或者“包含(includes)”和/或“包含(including)”时，指定所叙述的特征、区、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其他特征、区、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。
将理解的是，当层、区或元件被称为在另一层、区或元件“上”时，它可以“直接地”在另一层、区或元件“上”，或者可以“间接地”在另一层、区或元件“上”，其间具有一个或多个中间层、区或元件。
为了便于描述，附图中的元件的尺寸可能被夸大。换句话说，因为为了便于描述而任意地图示附图中的元件的尺寸和厚度，所以本公开不限于此。
当某个实施方式可以不同地实现时，可以与所描述的顺序不同地进行特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时进行或以与所描述的顺序相反的顺序进行。
将理解的是，当层、区或元件被称为“连接到”另一层层、区或元件时，它可以“直接地连接到”另一层、区或元件，或者可以“间接地连接到”另一层、区或元件，其间具有一个或多个中间层、区或元件。例如，将理解的是，当层、区或元件被称为“电连接到”另一层、区或元件时，它可以“直接地电连接到”另一层、区或元件，和/或可以“间接地电连接到”另一层、区或元件，其间具有一个或多个中间层、区或元件。
为了便于描述，在本文中可以使用空间相对术语，比如“之下”、“下面”、“下”、“上面”、“上”等，来描述如附图中所图示的一个元件或特征与另一元件或特征(多个元件或特征)的关系。将理解的是，除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语还旨在涵盖在使用或操作中的装置的不同定向。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下面”或“之下”的元件将然后被定向为在其他元件或特征“上面”。因此，示例性术语“下面”可以涵盖上面和下面两个定向。装置可以以其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)，并且可以相应地解释本文中使用的空间相对描述语。
考虑到与特定量的测量相关联的讨论中的测量和误差(即测量系统的局限性)，如本文中所使用的“约”或“近似”包括由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受偏差范围内的所叙述值和平均值。例如，“约”可以意为在一个或多个标准偏差之内，或者在所叙述值的±30％、±20％、±10％或±5％内。
除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的相同含义。还将理解的是，除非本文中明确如此限定，否则术语，比如在常用字典中定义的术语，应被解释为具有与它们在相关领域的语境和本公开中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的含义进行解释。
在本文中参照截面图示描述示例性实施方式，该截面图示是理想实施方式的示意性图示。如此，应预期到例如由于制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此，本文所描述的实施方式不应解释为限于本文所图示的区的特定形状，而应包括例如由制造引起的形状的偏差。例如，图示或描述为平坦的区通常可以具有粗糙和/或非线性特征。此外，图示的锐角可以是圆的。因此，附图中图示的区本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在图示区的精确形状，并且不旨在限制本权利要求的范围。
在下文中，将参照所附附图详细描述本发明的实施方式。
图1是示意性图示根据实施方式的显示装置的透视图。
参照图1，显示装置1的实施方式可以包括透射区域(也被称为第一区域)OA和至少部分围绕第一区域OA的显示区域DA(也被称为第二区域)。显示装置1可以通过使用从布置在显示区域DA中的多个像素发射的光来提供特定图像。第一区域OA可以被显示区域DA完全围绕。如下面参照图2所描述的，第一区域OA可以是作为其中布置有部件的区域的透射区域。在这样的实施方式中，显示区域DA可以限定在由与z方向(或第三方向)垂直的x方向(或第一方向)和y方向(或第二方向)所限定的平面上，z方向是显示装置的厚度方向。
中间区域MA(也被称为第三区域)可以布置在第一区域OA与显示区域DA之间，并且显示区域DA可以被外围区域PA(也被称为第四区域)围绕。中间区域MA和外围区域PA可以是其中未布置像素的非显示区域的类型。中间区域MA可以被显示区域DA完全围绕，并且显示区域DA可以被外围区域PA完全围绕。
在下文中，为了便于描述，将详细描述显示装置1是有机发光显示装置的实施方式，但是本公开的显示装置不限于此。在替代实施方式中，显示装置1可以是比如无机发光显示装置(例如，无机电致发光(“EL”)显示装置)或量子点发光显示装置的显示装置。
图1图示单个第一区域OA被提供并且基本上是圆形的实施方式，但是本公开不限于此。可替代地，第一区域OA的数量可以是两个或更多个，并且第一区域OA的形状可以被不同地修改成另一种形状，例如，比如圆形形状、椭圆形形状、多边形形状、星形形状和菱形形状。
图2和图3是示意性图示根据实施方式的显示装置的截面图，该截面图可以与沿着图1的线I-I'截取的显示装置的截面相对应。
参照图2，显示装置1的实施方式可以包括显示面板10、布置在显示面板10上的输入感测层40和光学功能层50，输入感测层40和光学功能层50可以被窗口60覆盖。例如，可以在比如移动电话、膝上型计算机或智能手表的各种电子装置中提供显示装置1。
显示面板10可以显示图像。显示面板10可以包括布置在显示区域DA中的像素。像素可以包括显示元件。显示元件可以连接到像素电路。显示元件可以包括有机发光二极管或量子点有机发光二极管。
输入感测层40可以配置成检测与外部输入(例如，触摸事件)相对应的坐标信息。输入感测层40可以包括感测电极或触摸电极以及连接到感测电极或触摸电极的迹线。输入感测层40可以布置在显示面板10上。输入感测层40可以配置成通过互电容方法和/或自电容方法来感测外部输入。
输入感测层40可以直接形成在显示面板10上，或者可以单独地形成，并且然后通过比如光学透明粘合剂的粘合剂层耦接到显示面板10。在一个实施方式中，例如，可以在形成显示面板10的工艺之后顺序地形成输入感测层40，并且在这样的实施方式中，输入感测层40可以是显示面板10的一部分，并且粘合剂层可以不布置在输入感测层40与显示面板10之间。在实施方式中，如图2中所示，输入感测层40可以布置在显示面板10与光学功能层50之间。可替代地，输入感测层40可以布置在光学功能层50上。
光学功能层50可以包括抗反射层。抗反射层可以配置成减小从外部通过窗口60朝向显示面板10入射的光(外部光)的反射率。抗反射层可以包括相位延迟器和偏振器。相位延迟器可以是膜型或液晶涂覆型，并且可以包括λ/2相位延迟器和/或λ/4相位延迟器。偏振器可以是膜型或液晶涂覆型。在偏振器是膜型的实施方式中，偏振器可以包括拉伸的合成树脂膜。在偏振器是液晶涂覆型的实施方式中，偏振器可以包括以特定布置方式布置的液晶。相位延迟器或偏振器可以进一步包括保护膜。可以将相位延迟器或偏振器本身或保护膜限定为抗反射层的基底层。
在替代实施方式中，抗反射层可以包括黑矩阵和滤色器。滤色器可以基于从显示面板10的每个像素发射的光的颜色来布置。在另一替代实施方式中，抗反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括布置在彼此不同的层中的第一反射层和第二反射层。分别被第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消干涉，并且因此，可以减小外部光反射率。
光学功能层50可以包括透镜层。透镜层可以配置成提高从显示面板10发射的光的光发射效率，或者可以配置成减小颜色偏差。透镜层可以包括具有凹透镜形状或凸透镜形状的层，和/或可以包括具有彼此不同的折射率的多个层。光学功能层50可以包括上面描述的抗反射层和透镜层两者，或者可以包括抗反射层和透镜层中的任何一个。
在实施方式中，可以在形成显示面板10和/或输入感测层40的工艺之后顺序地形成光学功能层50。在这样的实施方式中，粘合剂层可以不布置在光学功能层50与显示面板10和/或输入感测层40之间。
在实施方式中，可以限定或形成通过显示面板10、输入感测层40和/或光学功能层50的开口。在这样的实施方式中，如图2中所示，可以限定分别通过显示面板10、输入感测层40和光学功能层50的第一至第三开口10H、40H和50H，并且第一至第三开口10H、40H和50H可以彼此重叠。第一至第三开口10H、40H和50H可以被定位成与第一区域OA相对应。在替代实施方式中，没有限定通过显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的至少一个的开口。在一个实施方式中，例如，没有限定通过显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的任何一个或两个的开口。可替代地，如图3中所图示，没有限定通过显示面板10、输入感测层40和光学功能层50的开口。
在实施方式中，如上面所描述，第一区域OA可以是其中用于进行显示装置1的各种功能的部件20所位于的部件区域(例如，传感器区域、相机区域或扬声器区域)的类型。在实施方式中，如图2中所图示，部件20可以位于第一至第三开口10H、40H和50H中。可替代地，如图3中所图示，部件20可以布置在显示面板10下方。
部件20可以包括电子元件。在一个实施方式中，例如，部件20可以包括使用光或声音的电子元件。在一个实施方式中，例如，电子元件可以包括用于输出和/或接收光的传感器(比如，红外传感器)、用于接收光以捕获图像的相机、用于输出和感测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器、用于输出光的微型灯或者用于输出声音的扬声器。在实施方式中，在电子元件使用光的情况下，电子元件可以使用各种波长带的光，比如可见光、红外光和紫外光。在这样的实施方式中，第一区域OA可以是透射区域，从部件20输出到外部或从外部朝向电子元件传播的光和/或声音可以通过该透射区域透射。
在替代实施方式中，在显示装置1用作智能手表或车辆仪表面板的情况下，部件20可以是比如钟针或指示特定信息(例如，车速)的指针的元件。当显示装置1包括钟针或车辆仪表面板时，部件20可以通过窗口60暴露于外部，并且可以限定通过窗口60的与第一区域OA相对应的开口。
部件20可以包括与如上所述的显示面板10的功能有关的一个或多个元件，或者可以包括比如用于装饰显示面板10的附件的元件。在这样的实施方式中，尽管在图2和图3中未图示，但是包括光学透明粘合剂等的层可以位于窗口60与光学功能层50之间。
图4A至图4D是示意性图示根据各种实施方式的显示面板的截面图。图4E是图4A的圈出部分的放大图。
参照图4A，显示面板10可以包括布置在基板100上的显示层200。基板100可以包括玻璃材料或聚合物树脂。基板100可以包括多层或具有多层结构。在一个实施方式中，例如，如图4E中所图示，基板100可以包括第一基底层101、第一阻挡层102、第二基底层103和第二阻挡层104。
第一基底层101和第二基底层103可以各自包括聚合物树脂。在一个实施方式中，例如，第一基底层101和第二基底层103可以包括聚合物树脂，比如聚醚砜(“PES”)、聚丙烯酸酯(“PA”)、聚醚酰亚胺(“PEI”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚苯硫醚(“PPS”)、聚酰亚胺(“PI”)、聚碳酸酯(“PC”)、三乙酸纤维素(“TAC”)以及乙酸丙酸纤维素(CAP)。以上聚合物树脂可以是透明的。
第一阻挡层102和第二阻挡层104可以包括用于防止外部异物渗透的层，并且可以具有单层结构或多层结构，每层包括比如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的无机材料。
显示层200可以包括多个像素。显示层200可以包括：包括每个像素的显示元件的显示元件层200A，以及包括绝缘层和连接到显示元件的像素电路的像素电路层200B。显示元件层200A可以包括像素电极、相对电极以及在像素电极和相对电极之间的堆叠结构，并且显示元件可以是有机发光二极管。像素电路可以包括薄膜晶体管和存储电容器。
显示层200的显示元件可以覆盖有比如薄膜封装层300的封装构件，并且薄膜封装层300可以包括无机封装层和有机封装层。在显示面板10包括具有聚合物树脂的基板100以及具有无机封装层和有机封装层的薄膜封装层300的实施方式中，可以提高显示面板10的柔性。
在实施方式中，限定了通过显示面板10的第一开口10H。第一开口10H可以位于第一区域OA中，并且在这样的实施方式中，第一区域OA可以是开口区域的类型。图4A图示限定了分别通过基板100和薄膜封装层300的与显示面板10的第一开口10H相对应的通孔100H和300H的实施方式。在这样的实施方式中，还限定了通过显示层200的与第一区域OA相对应的通孔200H。
在替代实施方式中，如图4B中所图示，没有限定通过基板100的与第一区域OA相对应的通孔。在这样的实施方式中，限定了通过显示层200的与第一区域OA相对应的通孔200H，而没有限定通过薄膜封装层300的与第一区域OA相对应的通孔。在另一替代实施方式中，如图4C中所图示，没有限定通过显示层200的与第一区域OA相对应的通孔200H。
尽管图4A至图4C图示显示元件层200A没有布置在第一区域OA中的实施方式，但是本公开不限于此。在另一替代实施方式中，如图4D中所图示，辅助显示元件层200C可以位于第一区域OA中。辅助显示元件层200C可以包括具有与显示元件层200A的显示元件不同的结构和/或与显示元件层200A的显示元件以不同的方式操作的显示元件。
在这样的实施方式中，显示元件层200A的每个像素可以包括有源有机发光二极管，并且辅助显示元件层200C可以包括像素，每个像素包括无源有机发光二极管。在这样的实施方式中，在辅助显示元件层200C包括无源有机发光二极管的显示元件的情况下，构成像素电路的元件可以不在无源有机发光二极管的下方。在一个实施方式中，例如，像素电路层200B的在辅助显示元件层200C下方的部分可以不包括薄膜晶体管和存储电容器。
在另一替代实施方式中，辅助显示元件层200C可以与显示元件层200A包括相同类型的显示元件(例如，有源有机发光二极管)，但是，辅助显示元件层200C下方的像素电路的结构可以与显示元件层200A下方的像素电路的结构不同。在一个实施方式中，例如，辅助显示元件层200C下方的像素电路(例如，包括在基板与晶体管之间的遮光层的像素电路)可以包括与显示元件层200A下方的像素电路不同的结构。可替代地，辅助显示元件层200C的显示元件可以基于来自显示元件层200A的显示元件的不同控制信号来操作。可以在具有相对低的透过率的层下方有效操作的部件(例如，红外传感器)可以布置在其中布置有辅助显示元件层200C的第一区域OA中。在这样的实施方式中，第一区域OA可以是部件区域和辅助显示区域。
图5是示意性图示根据实施方式的显示面板的平面图，并且图6是示意性图示根据实施方式的显示面板的像素的等效电路图。
参照图5，显示面板10的实施方式可以包括第一区域OA、显示区域DA(或第二区域)、中间区域MA(或第三区域)以及外围区域PA(或第四区域)。图5图示显示面板10的基板100，并且例如，基板100可以包括第一区域OA、显示区域DA、中间区域MA和外围区域PA。
显示面板10可以包括布置在显示区域DA中的多个像素P。在实施方式中，如图6中所图示，每个像素P可以包括有机发光二极管OLED作为显示元件，并且有机发光二极管OLED可以连接到像素电路PC。像素电路PC可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和电容器Cst。每个像素P可以从有机发光二极管OLED发射例如红光、绿光、蓝光或白光。
在这样的实施方式中，第二晶体管T2(或开关薄膜晶体管)可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以配置成基于从扫描线SL输入的开关电压将从数据线DL输入的数据电压传输到第一晶体管T1。电容器Cst可以连接到第二晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以配置成存储与从第二晶体管T2接收的电压和被供给到驱动电压线PL的第一电力电压ELVDD之间的差相对应的电压。
在这样的实施方式中，第一晶体管T1(或驱动薄膜晶体管)可以连接到驱动电压线PL和电容器Cst，并且可以配置成响应于存储在电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以发射具有与驱动电流相对应的特定亮度的光。有机发光二极管OLED的相对电极(例如，阴极)可以被供给有第二电力电压ELVSS。
尽管图6图示像素电路PC包括两个晶体管和单个电容器的实施方式，但是本公开不限于此。晶体管的数量和电容器的数量可以根据像素电路PC的设计进行各种修改。在一个替代实施方式中，例如，除了上述两个晶体管之外，像素电路PC可以进一步包括四个或五个或更多个晶体管。
再次参照图5，在平面图中，中间区域MA可以围绕第一区域OA。中间区域MA可以是其中没有布置比如用于发射光的有机发光二极管的显示元件的区域，并且用于将信号提供到在第一区域OA周围布置的像素P的信号线可以穿过中间区域MA。在实施方式中，用于将扫描信号提供到每个像素P的像素电路PC的扫描驱动器1100、用于将数据信号提供到每个像素P的像素电路PC的数据驱动器1200以及用于提供第一电力电压和第二电力电压的主电力线(未图示)可以布置在外围区域PA中。图5图示数据驱动器1200布置在基板100的一侧部分上的实施方式，但不限于此。在替代实施方式中，数据驱动器1200可以布置在电连接到布置在显示面板10的一侧部分处的焊盘的柔性印刷电路板(“FPCB”)上。
图7是图示根据实施方式的显示面板的一部分的平面图，并且图8是示意性图示根据实施方式的显示面板的像素的截面图。为了便于图示和描述，在图8中省略了薄膜封装层(或封装构件)。
参照图7，在显示面板10的实施方式中，像素P可以布置在围绕第一区域OA的显示区域DA中。可以在像素P之间限定第一区域OA。在一个实施方式中，例如，在平面图上，像素P可以布置在第一区域OA的上侧和下侧上，并且像素P可以布置在第一区域OA的左侧和右侧上。
如图8中所图示，每个像素P可以包括有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED可以包括像素电极221、与像素电极221相对的相对电极223以及在像素电极221与相对电极223之间的中间层222。
像素电极221可以位于平坦化层PNL上。在实施方式中，像素电极221可以包括导电氧化物，比如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(“IGO”)或氧化铝锌(“AZO”)。在替代实施方式中，像素电极221可以包括反射层，反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其组合。在另一替代实施方式中，像素电极221可以进一步包括包含反射层和在反射层上方/下方的导电氧化物层的层或由反射层和在反射层上方/下方的导电氧化物层形成的层。
像素限定层PDL可以布置在像素电极221上。可以限定通过像素限定层PDL的暴露像素电极221的上表面的开口，并且像素限定层PDL可以覆盖像素电极221的边缘。像素限定层PDL可以包括有机绝缘材料。可替代地，像素限定层PDL可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
中间层222可以包括发射层222b。中间层222可以包括布置在发射层222b下方的第一功能层222a和/或布置在发射层222b上的第二功能层222c。发射层222b可以包括用于发射某种颜色的光的高分子量有机材料或低分子量有机材料。
第一功能层222a可以包括单层或多层。例如，当第一功能层222a由高分子量材料形成时，第一功能层222a可以包括具有单层结构并且包含或由聚(3,4-乙烯-二氧噻吩)(“PEDOT”)或聚苯胺(“PANI”)形成的空穴传输层(“HTL”)。在第一功能层222a由低分子量材料形成的实施方式中，第一功能层222a可以包括空穴注入层(“HIL”)和HTL。
在替代实施方式中，可以省略第二功能层222c。在实施方式中，例如，在第一功能层222a和发射层222b由高分子量材料形成的情况下，可以提供第二功能层222c。第二功能层222c可以具有单层结构或多层结构。第二功能层222c可以包括电子传输层(“ETL”)和/或电子注入层(“EIL”)。
可以针对每个像素布置中间层222的发射层222b。在一个实施方式中，例如，发射层222b可以被图案化以与像素电极221相对应。与发射层222b不同，中间层222的第一功能层222a和/或第二功能层222c可以一体地形成为单个主体，以分别与多个像素P相对应。
相对电极223可以包括具有低功函数的导电材料。在一个实施方式中，例如，相对电极223可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其组合(例如，合金)的(半)透明层。可替代地，相对电极223可以在(半)透明层上进一步包括比如ITO、IZO、ZnO或In2O3的导电氧化物层，(半)透明层包括选自上面列出的材料中的至少一种。相对电极223可以设置或形成在中间区域MA以及显示区域DA中。第一功能层222a、第二功能层222c和相对电极223可以通过热蒸发形成。
封盖层230可以位于相对电极223上。在一个实施方式中，例如，封盖层230可以包括LiF并且可以通过热蒸发形成。在替代实施方式中，可以省略封盖层230。
在显示面板10中提供的层中，包括有机材料的一个或多个层可以提供湿气穿过的路径。因为有机发光二极管OLED的堆叠结构中包括的第一功能层222a和/或第二功能层222c也可以包括有机材料，所以有机材料可以提供湿气穿过的路径。在这样的实施方式中，第一功能层222a和/或第二功能层222c可以被在中间区域MA中提供的槽G断开或分离，使得可以有效地防止上述湿气渗透和由于湿气渗透对有机发光二极管OLED的损坏。
在实施方式中，如图7中所图示，一个或多个槽G可以位于中间区域MA中。在图7中所图示的平面图上，槽G可以各自具有围绕第一区域OA的环形形状，并且槽G可以彼此间隔开。
槽G可以形成在包括多个层的多层中，并且在多层的深度方向上凹入地形成的槽G可以具有底切结构。下文将参照图9A至图9D详细描述多层和槽G的结构。
图9A至图9D是在根据各种实施方式的显示面板中提供的槽的截面图。图9A至9D可以与沿着图7的线II-II'截取的显示面板的截面相对应。
参照图9A至图9D，在显示面板的实施方式中，在中间区域MA中的第一功能层222a下方的多层ML可以包括下层LL和上层UL，并且下层LL和/或上层UL可以包括多个子层。
下层LL和上层UL可以包括彼此不同的材料。在一个实施方式中，例如，下层LL可以包括比如有机绝缘材料的有机材料，并且上层UL可以包括无机材料。
下层LL可以包括有机绝缘材料，比如通用聚合物(比如聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或聚苯乙烯(“PS”))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其组合(例如，共混物)。
上层UL的无机材料可以是区别于包括碳的有机材料的材料，并且可以包括比如IZO、ITO、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、IGO和/或AZO的导电氧化物。可替代地，上层UL的无机材料可以包括比如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的金属。可替代地，上层UL的无机材料可以包括比如氮化硅、氧化硅和/或氧氮化硅的绝缘材料。
槽G可以在多层ML的厚度方向或z方向上限定或形成在多层ML中。槽G可以包括通过上层UL限定或形成的上孔UL-h以及形成在下层LL中的下孔或下凹部。在实施方式中，如图9A中所图示，槽G可以包括上层UL的上孔UL-h和下层LL的下凹部LL-r，并且上孔UL-h和凹部LL-r可以在空间上彼此连接以共同形成槽G。可替代地，如图9B中所图示，槽G可以包括上层UL的上孔UL-h和限定或形成为通过下层LL的下孔LL-h，并且上孔UL-h和下孔LL-h可以在空间上彼此连接以形成槽G。这里，槽G的深度可以限定为在槽G的下层LL中的下孔或下凹部的深度d。在实施方式中，槽G的深度d可以小于下层LL的厚度t，并且槽G的底表面可以在下层LL的顶表面与底表面之间(图9A)。可替代地，槽G的深度d可以等于下层LL的厚度t，并且槽G的底表面可以与下层LL的底表面位于同一表面上(图9B)。
槽G的底表面可以位于下层LL的底表面上或在下层LL下方的层ILL的顶表面上。层ILL可以包括比如有机绝缘材料或无机绝缘材料的绝缘材料。
槽G可以具有底切结构。在实施方式中，如图9A和图9B中所图示，上孔UL-h的第一宽度W1可以小于下层LL的下孔或下凹部的第二宽度W2。朝向槽G(例如，朝向槽G的中心)突出的上层UL的端部可以形成尖端PT。每个尖端PT的突出长度d1可以小于槽G的深度d。尖端PT的突出长度d1可以小于约2微米(μm)。在一个实施方式中，例如，尖端PT的突出长度d1可以在约1μm至1.5μm的范围中。槽G的深度d可以是约2μm或更多、约2.5μm或更多、约3μm或更多或约3.5μm或更多。
在实施方式中，上面参照图7和图8描述的有机发光二极管OLED的堆叠结构(参见图8)中包括的有机层(多个有机层)可以被槽G断开或分离。在这样的实施方式中，限定或形成通过包括在有机发光二极管OLED的堆叠结构中的有机层(多个有机层)的与槽G相对应(或连接到)槽G的开口。在这样的实施方式中，槽G可以由限定或形成为通过上层UL的上孔UL-h、形成在下层LL中的下孔或下凹部以及限定或形成为通过有机发光二极管OLED的堆叠结构中包括的有机层(多个有机层)的开口来共同限定。在一个实施方式中，例如，如图9A和图9B中所图示，第一功能层222a和第二功能层222c可以被槽G断开或分离。在这样的实施方式中，相对电极223和封盖层230可以被槽G断开或分离。尽管图9A和图9B以及随后的附图图示第一功能层222a、第二功能层222c、相对电极223和封盖层230被槽G断开或分离的实施方式，但是本公开不限于此。在替代实施方式中，如上所述，可以省略第二功能层222c和/或封盖层230，并且在这样的实施方式中，被省略的第二功能层222c和/或封盖层230可以不围绕槽G。
在实施方式中，如参照图9A和图9B所描述的，第一功能层222a、第二功能层222c、相对电极223和封盖层230可以被槽G断开或分离，并且其中形成有槽G的多层ML可以具有如下面参照图9C和图9D描述的以及如图9A至图9B中所图示的各种结构。
参照图9C，在替代实施方式中，槽G可以形成在多层ML中，并且多层ML的上层UL可以包括第一子上层UL1和布置在第一子上层UL1上的第二子上层UL2。
在这样的实施方式中，上层UL可以包括无机材料，其中第一子上层UL1和第二子上层UL2可以包括彼此不同的材料。在一个实施方式中，例如，第一子上层UL1可以包括比如IZO的导电氧化物，或者可以包括比如Al、Mo或Ti的金属，并且第二子上层UL2可以包括比如氮化硅、氧化硅或氧氮化硅的绝缘材料。在这样的实施方式中，第一子上层UL1的面向槽G的侧表面可以覆盖有第二子上层UL2。
在替代实施方式中，第一子上层UL1和第二子上层UL2可以包括比如氮化硅、氧化硅或氧氮化硅的无机材料。
第一子上层UL1和第二子上层UL2可以朝向槽G的中心延伸得比朝向下层LL的下凹部的侧表面更多，以限定尖端PT。每个尖端PT的突出长度d1和槽G的深度d可以与上述的那些相同。
参照图9D，在另一替代实施方式中，槽G可以形成在多层ML中，并且多层ML的下层LL可以包括第一子下层LL1和第二子下层LL2。槽G可以包括上层UL的上孔UL-h、第一子下层LL1的下孔LL1-h以及第二子下层LL2的凹部LL2-r。下层LL和上层UL可以包括彼此不同的材料。在一个实施方式中，例如，第一子下层LL1和第二子下层LL2可以包括比如有机绝缘材料的有机材料，并且上层UL可以包括无机材料。
图9C和图9D图示槽G的底表面位于下层LL的顶表面与底表面之间的实施方式，但不限于此。在替代实施方式中，如参照图9B所描述的，槽G的底表面可以与下层LL的底表面位于同一表面上。
图10是图示根据实施方式的显示面板的一部分的平面图。
参考图10，在显示面板的实施方式中，中间区域MA可以在第一区域OA与显示区域DA之间，并且多个槽G可以布置在中间区域MA中。在实施方式中，如图10中所图示，三个槽G可以布置在中间区域MA中，但是不限于此。可替代地，槽G的数量可以是例如4或更大、6或更大、9或更大、10或更大或者11或更大。
显示面板的信号线可以绕过(或绕开)中间区域MA中的第一区域OA的边缘。连接到被第一区域OA彼此间隔开的像素P的信号线可以在中间区域MA中沿着第一区域OA的边缘延伸。
在图10的平面图上，至少一条数据线DL可以在显示区域DA中在y方向上延伸，以将数据信号提供到布置在第一区域OA的上侧和下侧上的像素P，并且可以在中间区域MA中沿着第一区域OA的边缘延伸。在这样的实施方式中，穿过显示区域DA的扫描线SL中的至少一条扫描线SL可以在显示区域DA中在x方向上延伸，以将扫描信号提供到布置在第一区域OA的左侧和右侧的像素P，并且可以在中间区域MA中沿着第一区域OA的边缘延伸。
扫描线SL的旁路(迂回)部分SL-D可以与穿过显示区域DA的延伸部SL-L位于同一层中，并且可以与延伸部SL-L一体地形成为单个统一单元。数据线DL中的至少一条数据线(在下文中被称为第一数据线DL1)的旁路部分DL-D1可以与穿过显示区域DA的延伸部DL-L1位于不同的层中，并且数据线DL的延伸部DL-L1和旁路部分DL-D1可以通过接触孔CNT连接。数据线DL中的至少一条数据线(在下文中被称为第二数据线DL2)的旁路部分DL-D2可以与延伸部DL-L2位于同一层中，并且可以与延伸部DL-L2一体地形成为单个统一单元。
图11是图示根据实施方式的显示面板的截面图。图12是图示图11的显示面板中的槽的截面图。图13A至图13H是图示根据实施方式的显示面板制造工艺的截面图，图示了显示区域和中间区域的一部分。图11可以与沿着图10的线III-III'截取的显示面板的截面相对应。
参照图11，在实施方式中，中间区域MA可以在显示面板10-1的第一区域OA与显示区域DA之间，并且与每个像素P(参见图10)相对应的有机发光二极管OLED和像素电路可以位于显示区域DA中。
在实施方式中，参照图11的显示区域DA，基板100可以包括玻璃材料或聚合物树脂。在一个实施方式中，例如，如图4E中所图示，基板100可以包括顺序地在彼此上堆叠的第一基底层101、第一阻挡层102、第二基底层103和第二阻挡层104。
可以在基板100上设置或形成缓冲层201，以防止杂质渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层Act中。缓冲层201可以包括比如氮化硅、氧氮化硅和氧化硅的无机绝缘材料，并且可以具有单层结构或多层结构，每层包括无机绝缘材料。
像素电路可以布置在缓冲层201上。像素电路可以包括薄膜晶体管TFT和电容器Cst。薄膜晶体管TFT和电容器Cst可以是图6中所图示的第一晶体管T1(或驱动薄膜晶体管)和电容器Cst。
薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。像素电路的数据线可以电连接到包括在像素电路中的开关薄膜晶体管(未图示)。在实施方式中，如图11中所示，薄膜晶体管TFT可以是顶栅型晶体管，在顶栅型晶体管中栅电极GE布置在半导体层Act上，栅绝缘层203在栅电极GE与半导体层Act之间，但是不限于此。根据替代实施方式，薄膜晶体管TFT可以是底栅型晶体管。
在实施方式中，半导体层Act可以包括多晶硅。可替代地，半导体层Act可以包括非晶硅、可以包括氧化物半导体或者可以包括有机半导体等。栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括选自钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)等中的至少一种导电材料，并且可以具有单层结构或多层结构，每层包括选自上面列出的材料中的至少一种。
在半导体层Act与栅电极GE之间的栅绝缘层203可以包括无机绝缘材料，比如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化铪。栅绝缘层203可以具有单层结构或多层结构，每层包括选自上面列出的材料中的至少一种。
源电极SE和漏电极DE可以与数据线位于同一层中，并且可以包括与数据线相同的材料。源电极SE、漏电极DE和数据线可以包括具有高导电性的材料。源电极SE和漏电极DE可以包括选自钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)等中的至少一种导电材料，并且可以具有单层结构或多层结构，每层包括选自上面列出的材料中的至少一种。在实施方式中，源电极SE、漏电极DE和数据线可以包括Ti/Al/Ti的多层。
电容器Cst可以包括彼此重叠的下电极CE1和上电极CE2，第一层间绝缘层205在下电极CE1与上电极CE2之间。电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT重叠。在实施方式中，如图11中所示，薄膜晶体管TFT的栅电极GE是电容器Cst的下电极CE1。在替代实施方式中，电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT重叠。电容器Cst可以被第二层间绝缘层207覆盖。电容器Cst的上电极CE2可以包括选自钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)等中的至少一种导电材料，并且可以具有单层结构或多层结构，每层包括选自上面列出的材料中的至少一种。
第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以包括无机绝缘材料，比如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以具有单层结构或多层结构，每层包括选自上面列出的材料中的至少一种。
包括薄膜晶体管TFT和电容器Cst的像素电路PC可以被第一有机绝缘层209覆盖。第一有机绝缘层209可以具有基本上平坦的顶表面。像素电路PC可以电连接到像素电极221。
第一有机绝缘层209可以包括有机绝缘材料，比如通用聚合物(比如PMMA或PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其组合(例如，共混物)。在实施方式中，第一有机绝缘层209可以包括聚酰亚胺。
像素电极221可以设置或形成在第一有机绝缘层209上。第一有机绝缘层209可以与上面参照图8描述的平坦化层相对应。像素电极221的边缘可以覆盖有像素限定层215。限定通过像素限定层215的与像素电极221的一部分重叠的开口。隔离物217可以位于像素限定层215上。隔离物217可以包括与像素限定层215不同的材料，或者可以包括与像素限定层215相同的材料。在实施方式中，像素限定层215和隔离物217可以包括彼此相同的材料，并且可以使用半色调掩模在相同的掩模工艺中一起形成。在实施方式中，像素限定层215和隔离物217可以包括聚酰亚胺。
中间层222可以包括发射层222b。中间层222可以包括布置在发射层222b下方的第一功能层222a和/或布置在发射层222b上的第二功能层222c。发射层222b可以包括用于发射特定颜色的光的高分子量有机材料或低分子量有机材料。相对电极223可以布置在中间层222上，并且封盖层230可以布置在相对电极223上。可替代地，可以省略封盖层230。
像素电极221、中间层222和相对电极223的材料、结构和特性可以与上面参照图8描述的那些相同，并且将省略其任何重复的详细描述。
有机发光二极管OLED可以被薄膜封装层300覆盖。薄膜封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。在实施方式中，如图11中所示，薄膜封装层300包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及布置在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。在这样的实施方式中，有机封装层的数量、无机封装层的数量及其堆叠顺序可以被不同地修改。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括一种或多种无机材料，比如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅或氧氮化硅。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以具有单层结构或多层结构，每层包括选自上面列出的材料中的至少一种。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺或聚乙烯等。在一个实施方式中，例如，有机封装层320可以包括丙烯酸酯。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以具有彼此不同的厚度。第一无机封装层310的厚度可以大于第二无机封装层330的厚度。可替代地，第二无机封装层330的厚度可以大于第一无机封装层310的厚度，或者第一无机封装层310和第二无机封装层330可以具有彼此相同的厚度。
参照图11的中间区域MA，中间区域MA可以包括相对远离第一区域OA的第一子中间区域SMA1和相对靠近第一区域OA的第二子中间区域SMA2。
线，例如信号线，可以位于第一子中间区域SMA1中。上面参照图10描述的第一数据线DL1的旁路部分和第二数据线DL2的旁路部分(例如，DL-D1和DL-D2)可以位于图11的第一子中间区域SMA1中。在实施方式中，第一子中间区域SMA1可以是如上所述的被数据线绕过的线区域或旁路区域。位于参照图10描述的中间区域MA中的数据线DL可以包括第一数据线DL1和第二数据线DL2，第一数据线DL1和第二数据线DL2交替地布置在第二层间绝缘层207的上面和下面，第二层间绝缘层207在第一数据线DL1与第二数据线DL2之间。在实施方式中，如图11中所示，第一数据线DL1的旁路部分DL-D1和第二数据线DL2的旁路部分DL-D2彼此邻近地布置，并且分别布置在第二层间绝缘层207的上面和下面。在这样的实施方式中，可以减小在x方向上在邻近的第一数据线DL1与第二数据线DL2之间(例如，在第一数据线DL1的旁路部分DL-D1与第二数据线DL2的旁路部分DL-D2之间)的间隙(或间距)ΔD。
槽G可以位于第二子中间区域SMA2中。槽G可以形成在多层中，并且在实施方式中，如图11中所图示，多层可以包括设置在基板100上的子层。在一个实施方式中，例如，多层可以包括缓冲层201、第二阻挡层104和第二基底层103。第二阻挡层104和缓冲层201可以与参照图9C描述的多层的第一子上层UL1和第二子上层UL2相对应，并且第二基底层103与多层的下层LL相对应。本文中，尽管将缓冲层201和第二阻挡层104描述为分离的元件，但是基板100上的缓冲层201可以是具有多层结构的第二阻挡层104的子层。
在实施方式中，如图12中所图示，槽G可以包括限定通过缓冲层201和第二阻挡层104的孔H1以及第二基底层103的凹部R1。在这样的实施方式中，槽G的底表面可以在第二基底层103的顶表面与底表面之间。在替代实施方式中，第二基底层103可以包括限定通过第二基底层103的孔，而不是凹部R1。
槽G可以具有底切截面。槽G的尖端PT可以具有特定长度d1，并且关于尖端PT的长度d1的特征可以与上面参照图9A描述的特征相同。在一个实施方式中，例如，尖端PT的长度d1可以小于约2.0μm。
在实施方式中，如图12中所图示，槽G的深度d可以小于第二基底层103的厚度t。可替代地，槽G的深度d可以等于第二基底层103的厚度t，并且关于深度d的特征与上面参照图9A和图9B描述的特征相同。
隔壁，例如第一隔壁510和第二隔壁520，可以位于中间区域MA中。第一隔壁510和第二隔壁520可以在邻近的槽G之间。第一隔壁510和第二隔壁520可以通过顺序地堆叠形成栅绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207的层的部分P1以及形成第一有机绝缘层209的层、形成像素限定层215的层和形成隔离物217的层中的至少两个层的部分P2和P3来形成。从基板100的顶表面到第一隔壁510和第二隔壁520的顶表面的高度可以低于从基板100的顶表面到隔离物217的顶表面的高度。
槽G可以在形成中间层222的工艺之前形成，并且如上所述，如图11中所图示，第一功能层222a、第二功能层222c、相对电极223和封盖层230可以被槽G断开或分离。
槽G的宽度可以彼此不同。图11图示相对靠近第一区域OA的槽G的宽度大于相对远离第一区域OA的槽G的宽度的实施方式，但是不限于此。在替代实施方式中，槽G的宽度可以彼此相等。
第一无机封装层310可以通过化学气相沉积等来形成，并且与第一功能层222a、第二功能层222c、相对电极223和封盖层230不同，第一无机封装层310可以具有相对高的阶梯覆盖率。因此，第一无机封装层310可以连续地覆盖槽G的内表面，而不在槽G周围断开。
第一无机封装层310可以完全覆盖显示区域DA和中间区域MA。在中间区域MA中，第一无机封装层310可以完全且连续地覆盖槽G的内表面。在尖端PT周围断开的第一功能层222a和第二功能层222c、相对电极223以及封盖层230的堆叠可以布置在槽G的底表面上，并且第一无机封装层310可以覆盖上述堆叠。
第一无机封装层310可以具有单层结构或者可以包括多个子层。在一个实施方式中，例如，第一无机封装层310可以包括具有彼此不同的层质量的两层氧氮化硅，并且在这样的实施方式中，可以省略封盖层230。可替代地，第一无机封装层310可以包括氧氮化硅和氧化硅，可以包括氧氮化硅和氮化硅，或者可以包括氮化硅和氧化硅。
有机封装层320可以覆盖显示区域DA和中间区域MA的一部分。有机封装层320的与第一区域OA邻近的端部部分可以布置成与第一隔壁510的一侧邻近。有机封装层320可以填充槽G中的任何一个。在一个实施方式中，例如，在位于显示区域DA与第一隔壁510之间的槽G的内表面上的第一无机封装层310上的空间可以填充有机封装层320。
在实施方式中，像第一无机封装层310一样，第二无机封装层330可以完全且连续地覆盖槽G的内表面。第二无机封装层330的一部分可以在第二子中间区域SMA2 中直接接触第一无机封装层310。第二无机封装层330可以在多个槽G中的至少一个槽G上直接接触第一无机封装层310。第一无机封装层310和第二无机封装层330也可以在第一隔壁510和第二隔壁520的顶表面上彼此接触。
图11中所图示的结构可以是在平面图上围绕第一区域OA的结构的截面。在一个实施方式中，例如，如图10中所图示，当在垂直于基板100的顶表面的方向(即，z方向)上观察时，图11的槽G可以具有围绕第一区域OA的环形形状。类似地，当在垂直于基板100的顶表面的方向上观察时，第一隔壁510和第二隔壁520也可以具有围绕第一区域OA的环形形状。
在下文中，将参照图13A至图13H描述形成具有底切结构的槽G的工艺的实施方式。
参照图13A，可以在显示区域DA中的基板100上提供或形成构成像素电路的薄膜晶体管TFT和像素电极221。
包括栅绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207的无机绝缘层的开口ILOP以及第一有机绝缘层209的开口209OP可以形成在将要形成第二子中间区域SMA2的槽G的区域(在下文中被称为“槽区域”)中。
在栅绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207中形成接触孔(源电极SE和漏电极DE通过接触孔连接到显示区域DA中的半导体层Act)的工艺中，无机绝缘层的开口ILOP可以一起形成在槽区域中。无机绝缘层的开口ILOP可以被第一有机绝缘层209覆盖。在形成用于在显示区域DA中连接像素电极221和源电极SE或漏电极DE的接触孔的工艺中，第一有机绝缘层209的开口209OP可以一起形成在槽区域中。
可以提供或形成像素限定层215以覆盖第一有机绝缘层209的开口209OP和像素电极221。用于暴露像素电极221的一部分的开口215OP1可以形成在显示区域DA中的像素限定层215中，并且同时，开口215OP2可以形成在第二子中间区域SMA2的槽区域中。因此，在显示区域DA中限定的开口215OP1和在第二子中间区域SMA2中限定的开口215OP2可以形成在像素限定层215中。
可以在像素电极221上提供或形成保护层600。保护层600可以是至少覆盖发射区域的图案。保护层600可以包括可以容易地去除同时使对像素电极221的损坏最小化的有机材料。在实施方式中，保护层600可以包括正性光致抗蚀剂或负性光致抗蚀剂的光敏材料。图13A图示其中保护层600是至少覆盖发射区域的光致抗蚀剂图案的实施方式。
参照图13B，可以在已经形成保护层600的基板100上方提供或形成掩模层700。掩模层700可以连续地形成在显示区域DA和中间区域MA中，并且可以覆盖保护层600以及槽区域的开口209OP和215OP2。掩模层700可以覆盖槽区域的开口209OP和215OP2的侧表面和底表面。
掩模层700可以包括比如IZO、ITO、ZnO、In2O3、IGO和/或AZO的导电氧化物，可以包括比如Mo、Cu和/或Ti的金属或者可以包括比如氮化硅、氧化硅和/或氧氮化硅的绝缘材料。
图13A和图13B图示其中保护层600是覆盖像素电极221和像素电极221的外围的图案的实施方式。在替代实施方式中，如图13C中所图示，保护层600和掩模层700可以连续地形成在显示区域DA和中间区域MA中，并且可以形成为覆盖槽区域的开口209OP和215OP2。在图13C中所图示的这样的实施方式中，可以省略将保护层600图案化为与发射区域相对应的图案的工艺。
在实施方式中，如图13D中所图示，可以通过光学工艺去除槽区域中的掩模层700的一部分。在掩模层700上形成光致抗蚀剂图案之后，通过使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻槽区域的掩模层700，可以去除掩模层700在开口209OP的底表面上的一部分。在实施方式中，蚀刻工艺可以是湿蚀刻。因此，可以暴露缓冲层201(即在槽区域中的开口209OP的下层)的顶表面。可以通过灰化或剥离工艺去除在蚀刻工艺之后残留在掩模层700上的光致抗蚀剂图案。
在这样的实施方式中，如图13E中所图示，槽G可以通过去除暴露在槽区域中的开口209OP的下层来形成。在槽区域中，可以通过蚀刻已经从其去除了掩模层700的缓冲层201和第二阻挡层104而形成通过缓冲层201和第二阻挡层104的孔H1，并且可以通过蚀刻第二基底层103在第二基底层103中形成凹部R1。在实施方式中，蚀刻工艺可以是干蚀刻。
凹部R1和孔H1可以在空间上连接以形成槽G，并且槽G可以具有底切截面。在图13E中，已经形成了槽G的多层可以包括包含缓冲层201和第二阻挡层104的上层以及第二基底层103的下层。缓冲层201可以是第二阻挡层104的多层结构的一部分。围绕槽G的缓冲层201和第二阻挡层104的端部部分可以具有尖端PT，该尖端PT具有特定长度。图13E图示其中槽G包括第二基底层103的凹部R1并且槽G的深度d小于第二基底层103的厚度t的实施方式。在替代实施方式中，如图9B中所图示，槽G可以包括形成通过第二基底层103的孔，并且槽G的深度d可以等于第二基底层103的厚度t。
随后，如图13F中所图示，可以蚀刻并去除残留在基板100上方的掩模层700。在实施方式中，蚀刻工艺可以是湿蚀刻。因为保护层600布置在像素电极221上，所以可以在用于去除掩模层700的湿蚀刻工艺中保护像素电极221。
如果在没有保护层600的情况下直接在像素电极221上形成掩模层700，则当形成槽G并且然后去除掩模层700时，在去除掩模层700的工艺中，像素电极221可能被湿蚀刻损坏。
根据实施方式，保护层600形成在像素电极221与掩模层700之间，使得在形成槽G之后去除掩模层700的工艺中可以通过保护层600保护像素电极221。
接下来，如图13G中所图示，可以去除残留在基板100上方的保护层600。在保护层600包括光致抗蚀剂的实施方式中，可以通过灰化或剥离工艺去除保护层600。
如果在没有保护层600的情况下直接在像素电极221上形成掩模层700，则当形成槽G并且然后去除掩模层700时，在湿蚀刻工艺中生成的颗粒可能流入并残留在像素电极221上。这样的颗粒可能充当像素电极221与相对电极223之间的短路径，从而导致比如暗像素的缺陷。
根据实施方式，在去除保护层600的工艺中，可以去除在去除掩模层700的工艺中生成并被引入到像素电极221上的颗粒，从而防止像素缺陷。
图13A至图13G图示其中保护层600是光致抗蚀剂的实施方式，但不限于此。在替代实施方式中，如图13H中所图示，可以通过喷墨工艺将油墨施加到像素电极221上来形成保护层600'。在这样的实施方式中，油墨也可以包括可以容易地去除同时使对像素电极221的损坏最小化的有机材料。在形成保护层600'之后形成掩模层700的工艺和去除保护层600'的工艺可以与上面在图13B至图13G中描述的工艺相同。
图14是根据替代实施方式的显示面板的截面图。
除了显示面板10-2进一步包括平坦化层410之外，图14中所图示的显示面板10-2与参照图11描述的显示面板10-1基本上是相同的。已经利用与上面用于描述图11中所示的显示面板的实施方式相同的附图标记来标记图14中所示的相同或相似的元件，并且在下文中将省略或简化其任何重复的详细描述。
在这样的实施方式中，平坦化层410可以是有机绝缘层。平坦化层410可以包括聚合物类材料。在一个实施方式中，例如，平坦化层410可以包括硅类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯。在实施方式中，平坦化层410可以包括与有机封装层320不同的材料。
平坦化层410可以通过覆盖其中第二子中间区域SMA2中不存在有机封装层320的区域来提高显示面板10-2的平坦度。因此，可以防止直接形成在显示面板10-2上或通过粘合剂层耦接的输入感测层或光学功能层等与显示面板10-2分离或分开。
图15是根据另一替代实施方式的显示面板的截面图。
在显示面板10-3的实施方式中，如图15中所图示，有机材料610可以设置在围绕像素电极221的边缘的像素限定层215的侧表面处。在这样的实施方式中，显示面板10-3的其他配置可以与图11中描述的配置相同。如图13A或图13H中所图示，有机材料610可以是形成在像素电极221上以形成槽G之后被去除的保护层600或600'的残留部分。
如参照图13G所描述，可以完全去除保护层600或600'，但是保护层600或600'的一部分可以在不影响有机发光二极管OLED的范围内残留在像素限定层215的侧表面上。
图16是根据另一替代实施方式的显示面板的截面图。图17是图示图16的显示面板中的槽的截面图。已经利用与上面用于描述图11中所示的显示面板的实施方式相同的附图标记来标记图16和图17中所示的相同或相似的元件，并且在下文中将省略或简化其任何重复的详细描述。
在显示面板10-4的实施方式中，如图16中所图示，接触金属层CM可以布置在薄膜晶体管TFT与像素电极221之间。接触金属层CM可以通过在第一有机绝缘层209中限定或形成的接触孔连接到薄膜晶体管TFT，并且像素电极221可以通过在接触金属层CM上的第二有机绝缘层211中限定或形成的接触孔连接到接触金属层CM。接触金属层CM可以包括选自钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)等中的至少一种导电材料，并且可以具有单层结构或多层结构，每层包括选自上面列出的材料中的至少一种。在实施方式中，接触金属层CM可以包括Ti/Al/Ti的三层。
第二有机绝缘层211可以设置或形成在第一有机绝缘层209上，并且可以包括有机绝缘材料，比如通用聚合物(比如PMMA或PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其组合(例如，共混物)。在一个实施方式中，例如，第二有机绝缘层211可以包括聚酰亚胺。
位于第一子中间区域SMA1中的信号线，例如，位于参照图10描述的中间区域MA中的数据线DL，可以包括交替地布置在第一有机绝缘层209的上面和下面的第一数据线DL1和第二数据线DL2，第一有机绝缘层209在第一数据线DL1与第二数据线DL2之间。图16图示其中第一数据线DL1的旁路部分DL-D1和第二数据线DL2的旁路部分DL-D2彼此邻近地布置并且分别布置在第一有机绝缘层209上面和下面的实施方式。在这样的实施方式中，可以减小在邻近的第一数据线DL1与第二数据线DL2之间(例如，在第一数据线DL1的旁路部分DL-D1与第二数据线DL2的旁路部分DL-D2之间)的间隙(或间距)ΔD。
槽G可以位于第二子中间区域SMA2中。槽G可以限定或形成在多层ML中，并且如图16中所图示，多层ML可以包括第一有机绝缘层209、第二有机绝缘层211和无机层213。第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211可以与参照图9D描述的多层ML的第一子下层LL1和第二子下层LL2相对应，并且无机层213可以与多层ML的上层UL相对应。
无机层213可以与像素电极221包括不同的材料。无机层213可以包括比如IZO、ITO、ZnO、In2O3、IGO和/或AZO的导电氧化物，可以包括比如Mo、Cu和/或Ti的金属或者可以包括比如氮化硅、氧化硅和/或氧氮化硅的绝缘材料。在实施方式中，无机层213可以是图13B中所图示的掩模层700的一部分。在这样的实施方式中，如图13E中所图示，在形成槽G之后，通过光学工艺对掩模层700进行图案化，无机层213可以用作槽G的上层。无机层213与像素电极221可以被提供在同一层中。在实施方式中，无机层213可以通过光学工艺在形成像素电极221的层上同时与像素电极221形成。
在实施方式中，如图17中所图示，槽G可以包括无机层213的孔213h、第二有机绝缘层211的孔211h和第一有机绝缘层209的凹部209r。在这样的实施方式中，槽G的底表面可以在第一有机绝缘层209的顶表面与底表面之间。在替代实施方式中，第一有机绝缘层209可以包括限定通过第一有机绝缘层209的孔，而不是凹部209r，并且在这样的实施方式中，槽G的底表面可以与第一有机绝缘层209的底表面或第二层间绝缘层207的顶表面位于同一表面上。
如上所述，无机层213可以包括朝向槽G延伸的尖端PT，并且尖端PT的突出长度d1可以小于约2μm。槽G的深度d可以是约2μm或更多、约2.5μm或更多、约3μm或更多或约3.5μm或更多。
隔壁530可以位于中间区域MA中。隔壁530可以在邻近的槽G之间。隔壁530可以通过顺序地堆叠形成第二有机绝缘层211的层的部分211P、形成像素限定层215的层的部分215P和形成隔离物217的层的部分217P来形成。从基板100的顶表面到隔壁530的顶表面的高度可以低于从基板100的顶表面到隔离物217的顶表面的高度。
中间区域MA可以包括无机接触区域ICR。无机接触区域ICR可以在邻近的槽G之间。无机接触区域ICR可以是包括无机材料的层的直接接触区域，并且图16图示无机层213直接接触第二层间绝缘层207的实施方式。无机层213可以通过分别在第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211中限定或形成的开口209OP和211OP接触第二层间绝缘层207。
槽G可以在形成中间层222的工艺之前形成，并且如图16中所图示，第一功能层222a、第二功能层222c、相对电极223和封盖层230可以被槽G断开或分离。
第一无机封装层310可以连续地延伸以覆盖无机层213的顶表面、侧表面和底表面，并且覆盖第二有机绝缘层211的侧表面和第一有机绝缘层209的侧表面。
有机封装层320可以覆盖显示区域DA和中间区域MA的一部分。有机封装层320的与第一区域OA邻近的端部部分可以被布置成与隔壁530的一侧邻近。
第二无机封装层330可以位于有机封装层320上，并且可以在中间区域MA中直接接触第一无机封装层310。在一个实施方式中，例如，在第一区域OA与隔壁530之间的区域中，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以彼此接触。
因为像第一无机封装层310一样，第二无机封装层330具有高的阶梯覆盖率，所以第二无机封装层330可以连续地覆盖位于第一区域OA与隔壁530之间的槽G的内侧表面。
图18是根据另一替代实施方式的显示面板的截面图。
除了显示面板10-5进一步包括平坦化层410之外，图18中所图示的显示面板10-5与参照图16描述的显示面板10-4基本上是相同的。
在本发明的实施方式中，如本文所描述的，显示设备可以防止显示元件被外部杂质(比如通过透射区域渗透的湿气)损坏。然而，这些效果仅是示例性的，并且根据实施方式的效果不限于此。
本发明不应被解释为限于在本文中阐述的实施方式。而是，提供这些实施方式使得本公开将是透彻的和完整的，并将向本领域技术人员充分传达本发明的构思。
尽管已经参考本发明的实施方式具体地示出和描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求所限定的本发明的精神或范围的情况下，可以在形式和细节上做出各种改变。

Claims (20)

1.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
制备基板，所述基板包括透射区域、围绕所述透射区域的显示区域以及在所述透射区域与所述显示区域之间的非显示区域；
在所述基板上提供多个绝缘层，并且形成通过所述多个绝缘层中的一些绝缘层的与所述非显示区域相对应的开口；
在与所述显示区域相对应的所述多个绝缘层上提供像素电极；
提供覆盖所述像素电极的保护层；
提供覆盖所述保护层以及所述开口的侧表面和底表面的掩模层；
去除所述掩模层的位于所述开口的所述底表面上的部分；
在所述去除所述掩模层的位于所述开口的所述底表面上的所述部分之后，通过去除所述开口的下层来形成槽；
去除所述掩模层；
去除所述保护层；以及
在所述像素电极上提供中间层，
其中，所述中间层包括有机材料层，并且
所述有机材料层延伸到所述非显示区域并且被所述槽断开。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层至少覆盖所述像素电极的布置有发射层的区域。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层包括有机材料。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层包括光致抗蚀剂。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层包括有机油墨。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，通过剥离工艺去除所述保护层。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掩模层包括导电氧化物。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，通过湿蚀刻工艺去除所述掩模层的位于所述开口的所述底表面上的所述部分。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，通过湿蚀刻工艺去除所述掩模层。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，通过干蚀刻工艺去除所述开口的所述下层。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板包括：
第一基底层；
在所述第一基底层上的第一阻挡层；
在所述第一阻挡层上的第二基底层；以及
在所述第二基底层上的第二阻挡层。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述开口的所述下层包括所述第二基底层和所述第二阻挡层。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述开口的所述下层包括：
无机层；和
位于所述无机层下方的有机层。
14.一种显示装置，包括：
基板，所述基板包括透射区域、围绕所述透射区域的显示区域以及在所述透射区域与所述显示区域之间的非显示区域；
设置在所述基板上的多个绝缘层；
设置在所述多个绝缘层上与所述显示区域相对应的显示元件，其中，所述显示元件包括像素电极、相对电极以及在所述像素电极与所述相对电极之间的中间层；
覆盖所述像素电极的边缘的像素限定层，其中，限定通过所述像素限定层的与所述像素电极的一部分相对应的开口；以及
设置在所述像素限定层的所述开口的内表面处的有机材料，
其中，在所述非显示区域中限定槽，
其中，所述中间层包括有机材料层，并且所述有机材料层延伸到所述非显示区域并且被所述槽断开，并且
所述槽被限定在包括下层和上层的多层中，并且选自所述下层和所述上层中的至少一个由构成所述基板的层中的至少一个来限定。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述有机材料包括光致抗蚀剂。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述基板包括：
第一基底层；
在所述第一基底层上的第一阻挡层；
在所述第一阻挡层上的第二基底层；以及
在所述第二基底层上的第二阻挡层。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中
所述多层的所述上层包括所述第二阻挡层，并且
所述多层的所述下层包括所述第二基底层。
18.根据权利要求16所述的显示装置，其中
所述第二阻挡层包括无机材料，并且
所述第二基底层包括有机材料。
19.根据权利要求14所述的显示装置，其中
所述多层的所述上层包括无机层，并且
所述多层的所述下层包括位于所述无机层下方的有机层。
20.根据权利要求14所述的显示装置，进一步包括：
设置在所述显示元件上的薄膜封装层，其中，所述薄膜封装层包括无机封装层和有机封装层，
其中，所述无机封装层连续地覆盖所述槽的内表面。
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