CN111755477A - 显示面板 - Google Patents
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Abstract
提供了一种显示面板，所述显示面板包括：多个显示元件，布置在开口周围的显示区域中，显示元件中的每个包括像素电极、位于像素电极上方的发射层以及位于发射层上方的对电极；以及凹槽，位于开口与显示区域之间，其中，凹槽包括第一凹进部分和第二凹进部分，第一凹进部分位于第一层中并且具有第一宽度，第二凹进部分位于第一层上的第二层中并且具有比第一宽度大的第二宽度，并且凹槽的侧表面具有台阶。
Description
本申请要求于2019年3月27日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0035116号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用被包含于此。
技术领域
实施例的方面涉及一种显示面板以及包括该显示面板的显示装置。
背景技术
显示装置的使用正在多样化。此外，显示装置的厚度和重量正在减小，并且其使用范围正在扩大。
已经添加了用于连接或链接到显示装置的各种功能，同时这样的显示装置中被显示区域占据的区域已经增大。作为在扩大所述区域的同时添加各种功能的方法，对在显示区域中具有开口的显示装置的研究已经一直在继续。然而，在显示装置具有开口的情况下，诸如湿气的异物会穿透开口的侧表面，并且此时围绕开口的显示元件可能被损坏。
发明内容
根据一个或更多个实施例的方面，显示面板具有能够防止或基本防止湿气通过开口渗透的结构，并且提供了一种包括该显示面板的显示装置。根据一个或更多个实施例的方面，显示面板包括在开口周围的凹槽，并且提供了一种包括该显示面板的显示装置。然而，这些仅仅是示例，并且本公开的范围不限于此。
附加方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过所呈现的实施例的实践来获知。
根据一个或更多个实施例，一种显示面板包括：多个显示元件，布置在开口周围的显示区域中，显示元件中的每个显示元件包括像素电极、位于像素电极上方的发射层以及位于发射层上方的对电极；以及凹槽，位于开口与显示区域之间，其中，凹槽包括第一凹进部分和第二凹进部分，第一凹进部分位于第一层中并且具有第一宽度，第二凹进部分位于第一层上的第二层中并且具有比第一宽度大的第二宽度，并且凹槽的侧表面具有台阶。
在实施例中，显示面板还可以包括位于像素电极与发射层之间的第一功能层和位于发射层与对电极之间的第二功能层中的至少一个功能层，其中，第一功能层和第二功能层中的至少一个功能层以及对电极均可以在第二凹进部分周围被切断，并且位于第一凹进部分的侧壁上。
在实施例中，显示面板还可以包括位于对电极上方的盖层，其中，盖层可以连续地布置在第一凹进部分和第二凹进部分之上。
在实施例中，第一层可以包括第一有机材料层和位于第一有机材料层上的第一无机材料层，并且第一凹进部分可以将穿过第一无机材料层的孔空间地连接到限定在第一有机材料层的深度方向上的凹进。
在实施例中，第一层可以包括第一有机材料层和位于第一有机材料层上的第一无机材料层，并且第一凹进部分可以将穿过第一无机材料层的孔空间地连接到第一有机材料层的上表面。
在实施例中，显示面板还可以包括位于像素电极与发射层之间的第一功能层和位于发射层与对电极之间的第二功能层中的至少一个功能层，其中，第一功能层和第二功能层中的至少一个功能层以及对电极均可以在第一凹进部分周围被切断，并且位于第一层的被第二凹进部分暴露的上表面上。
在实施例中，显示面板还可以包括基底和布置在基底上且包括薄膜晶体管的像素电路，薄膜晶体管位于基底上方并电连接到像素电极。
在实施例中，基底可以包括第一层的一部分。
在实施例中，第二层可以包括多层无机层。
在实施例中，凹槽可以包括第一凹槽和位于第一凹槽周围的第二凹槽，并且显示面板还可以包括位于第一凹槽与第二凹槽之间并且在基底的上表面的方向上突出的坝部。
在实施例中，显示面板还可以包括薄膜封装层，薄膜封装层覆盖多个显示元件并且包括顺序层叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，其中，有机封装层可以位于第一凹槽和第一无机封装层上方，并且第一无机封装层和第二无机封装层可以在第二凹槽上彼此直接接触。
在实施例中，显示面板还可以包括：薄膜封装层，覆盖多个显示元件，并且包括顺序层叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层；以及平坦化层，位于薄膜封装层上方，其中，平坦化层的端部可以位于穿过凹槽的竖直线上。
根据一个或更多个实施例，一种显示面板包括：基底，包括开口和位于开口周围的显示区域；多个显示元件，位于显示区域中，并且每个显示元件包括像素电极、中间层、发射层和对电极；以及凹槽，位于开口与显示区域之间，其中，凹槽包括第一凹进部分和第二凹进部分，第一凹进部分位于第一层中并且具有第一宽度，第二凹进部分位于第一层上的第二层中并且具有比第一宽度大的第二宽度，并且凹槽的侧表面具有台阶，并且中间层由凹槽切断，并且位于第一凹进部分的侧壁或第二凹进部分的侧壁上。
在实施例中，显示面板还可以包括位于对电极上的盖层，其中，盖层可以连续地布置在第一凹进部分和第二凹进部分之上。
在实施例中，第一层可以包括第一有机材料层和位于第一有机材料层上的第一无机材料层，并且第一凹进部分可以将穿过第一无机材料层的孔空间地连接到限定在第一有机材料层的深度方向上的凹进。
在实施例中，第一层可以包括第一有机材料层和位于第一有机材料层上的第一无机材料层，并且第一凹进部分可以将穿过第一无机材料层的孔空间地连接到第一有机材料层的上表面。
在实施例中，显示面板还可以包括像素电路，像素电路包括位于基底上方并且电连接到像素电极的薄膜晶体管。
在实施例中，基底可以包括第一层的一部分。
在实施例中，凹槽可以包括第一凹槽和位于第一凹槽周围的第二凹槽，并且显示面板还可以包括位于第一凹槽与第二凹槽之间并且在基底的上表面的方向上突出的坝部。
在实施例中，显示面板还可以包括：薄膜封装层，覆盖多个显示元件，并且包括顺序层叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层；以及平坦化层，位于薄膜封装层上方，其中，平坦化层的端部可以位于穿过凹槽的竖直线上。
附加方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过所呈现的实施例的实践来获知。
附图说明
通过以下结合附图对一些示例实施例的描述，这些和/或其他方面将变得明显且更容易理解，在附图中：
图1是根据实施例的显示装置的透视图；
图2是根据实施例的显示装置的剖视图；
图3是根据实施例的显示面板的平面图；
图4是显示面板的像素的等效电路图；
图5是根据实施例的位于显示面板的第一非显示区域中的信号线的视图；
图6是根据实施例的位于显示面板的第一非显示区域中的凹槽的视图；
图7是根据实施例的显示面板的像素的剖视图；
图8是根据实施例的显示面板的一部分的剖视图；
图9A至图9C是示出根据实施例的制造图8的显示面板的方法的剖视图；
图10是根据另一实施例的显示面板的一部分的剖视图；
图11是根据另一实施例的显示面板的一部分的剖视图；
图12是根据另一实施例的显示面板的一部分的剖视图；
图13是根据另一实施例的显示面板的一部分的剖视图；
图14A至图14C是示出根据实施例的制造图13的显示面板的方法的剖视图；
图15是根据实施例的显示面板的剖视图，并且与图6的线IX-IX'对应；
图16是图15的区域的放大剖视图；以及
图17是根据另一实施例的显示面板的剖视图。
具体实施方式
现在将进一步详细地参照一些实施例，所述一些实施例的示例示出在附图中，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。就这一点而言，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于这里所阐述的描述。因此，下面仅仅通过参照附图来描述实施例，以解释本公开的方面。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。诸如“……中的至少一个(种/者)”的表述位于一列元件(元素)之后时，修饰整列元件(元素)，而不修饰该列中的单个元件(元素)。
由于本公开可以具有各种修改的实施例，因此在附图中示出了一些示例实施例，并且在详细的描述中描述了这些示例实施例。当参考参照附图描述的实施例时，本公开的效果和特性以及实现这些效果和特性的方法将是明显的。然而，本公开可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于这里所阐述的实施例。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但这些组件不应受这些术语的限制。
除非它在上下文中具有明显不同的含义，否则以单数形式使用的表述包含复数形式的表述。
还将理解的是，这里所使用的术语“包含”和/或其变型说明存在所陈述的特征或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征或组件。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。即，例如，可以存在一个或更多个中间层、区域或组件。
为了便于解释，可以夸大附图中的组件的尺寸。换言之，由于附图中的组件的尺寸和厚度可以为了便于解释而被任意地示出，因此以下实施例不限于此。
当可以不同地实施某个实施例时，可以与所描述的顺序不同地来执行特定的工艺顺序。例如，可以基本同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
将理解的是，当层、区域或组件连接到另一部分时，该层、区域或组件可以直接连接到该部分，或者可以存在一个或更多个中间层、区域或组件。例如，当层、区域或组件电连接到另一部分时，该层、区域或组件可以直接电连接到该部分，或者可以通过另一层、区域或组件间接连接到该部分。
除非另有定义，否则这里所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明构思的示例实施例所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应当被解释为具有与其在相关领域的背景下的含义一致的含义，并且将不以理想化的或过于形式化的含义来解释，除非在此明确地如此定义。
图1是根据实施例的显示装置的透视图。
参照图1，显示装置1包括用于发射光的显示区域DA和用于不发射光的非显示区域NDA。非显示区域NDA与显示区域DA相邻。显示装置1可以使用从布置在显示区域DA中的多个像素发射的光来提供特定图像。
显示装置1包括被显示区域DA至少部分地围绕的开口区域OA。在实施例中，如图1中所示，开口区域OA被显示区域DA完全围绕。非显示区域NDA可以包括围绕开口区域OA的第一非显示区域NDA1和围绕显示区域DA的外围的第二非显示区域NDA2。在实施例中，第一非显示区域NDA1可以完全围绕开口区域OA，显示区域DA可以完全围绕第一非显示区域NDA1，第二非显示区域NDA2可以完全围绕显示区域DA。
这里，作为根据实施例的显示装置1的示例描述了有机发光显示器，但是本公开的显示装置不限于此。作为另一实施例，可以使用各种显示装置(诸如无机电致发光(EL)显示器和量子点EL显示器)中的任何一种。
图2是示意性地示出根据实施例的显示装置的剖视图，并且可以与沿着图1中的线II-II'截取的剖面对应。
参照图2，显示装置1可以包括显示面板10、位于显示面板10上的输入感测构件20以及可以被窗40覆盖的光学功能构件30。显示装置1可以是各种电子装置(诸如移动电话、膝上型计算机和智能手表)中的任何一种。
显示面板10可以显示图像。显示面板10包括布置在显示区域DA中的像素。像素可以包括显示元件和连接到显示元件的像素电路。显示元件可以包括例如有机EL二极管、无机EL二极管或量子点EL二极管。
输入感测构件20根据外部输入(例如，触摸事件)获得坐标信息。输入感测构件20可以包括感测电极(触摸电极)和连接到感测电极的迹线。输入感测构件20可以位于显示面板10上。
输入感测构件20可以直接形成在显示面板10上，或者可以单独形成，然后通过诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合层结合到显示面板10。例如，输入感测构件20可以在形成显示面板10的工艺之后连续地形成，在这种情况下，粘合层可以不在输入感测构件20与显示面板10之间。图2示出了输入感测构件20位于显示面板10与光学功能构件30之间，但是作为另一示例，输入感测构件20可以位于光学功能构件30上。
在实施例中，光学功能构件30可以包括抗反射层。抗反射层可以减小通过窗40从外部朝向显示面板10入射的光(外部光)的反射率。抗反射层可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以是膜型或液晶涂覆型，并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器也可以是膜型或液晶涂覆型。膜型可以包括拉伸型合成树脂膜，液晶涂覆型可以包括以某种布置排列的液晶。延迟器和偏振器还可以包括保护膜。延迟器和偏振器或保护膜可以被定义为抗反射层的基体层。
在另一实施例中，抗反射层可以包括黑矩阵和滤色器。可以考虑从显示面板10的像素中的每个发射的光的颜色来布置滤色器。在另一实施例中，抗反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括位于相应层上的第一反射层和第二反射层。分别由第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以相消干涉，因此，可以减小外部光反射率。
在实施例中，光学功能构件30可以包括透镜层。透镜层可以改善从显示面板10发射的光的发光效率，或者可以减少颜色偏差。透镜层可以包括具有凹透镜形状或凸透镜形状的层以及/或者可以包括具有不同折射率的多个层。光学功能构件30可以包括以上描述的抗反射层和透镜层中的全部或一些。
显示面板10、输入感测构件20和光学功能构件30可以包括开口。就这一点而言，图2示出了显示面板10、输入感测构件20和光学功能构件30分别包括第一开口10H、第二开口20H和第三开口30H，并且第一开口10H、第二开口20H和第三开口30H彼此叠置。第一开口10H、第二开口20H和第三开口30H被定位为与开口区域OA对应。在另一实施例中，显示面板10、输入感测构件20和/或光学功能构件30中的至少一个可以不包括开口。例如，从显示面板10、输入感测构件20和光学功能构件30中选择的一个或两个组件可以不包括开口。
组件50可以对应于开口区域OA。组件50可以如图2中的实线所示位于第一开口10H、第二开口20H和第三开口30H中，或者可以如图2中的虚线所示位于显示面板10下。
组件50可以包括电子组件。例如，组件50可以包括利用光或声的电子组件。例如，电子组件可以包括接收光的传感器(诸如红外传感器)、通过接收光来捕获图像的相机、输出并检测光和声音以测量距离或识别指纹的传感器、输出光的小灯以及输出声音的扬声器等中的任何一个。在使用光的电子组件的情况下，可以使用诸如可见光、红外光和紫外光等的各种波带的光。在一些实施例中，开口区域OA可以被理解为透射区域，在透射区域中，可以透射从组件50输出到外部或者从外部朝向电子组件行进的光和/或声音。
在另一实施例中，当显示装置1用作智能手表或车辆仪表板时，组件50可以是包括时钟指针或表示某些信息(例如，车辆速度等)的指针的构件。当显示装置1包括时钟指针或车辆仪表板时，组件50可以通过窗40暴露于外部，并且窗40可以包括与开口区域OA对应的开口。
组件50可以包括与如上述显示面板10的功能相关联的一个或更多个组件，或者可以包括增加显示面板10的美观的组件(诸如饰件)中的任何一种。
图3是根据实施例的显示面板的平面图；图4是显示面板的像素的等效电路图。
参照图3，显示面板10包括显示区域DA以及非显示区域NDA，非显示区域NDA包括第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。图3可以被理解为显示面板10的基底100的视图。例如，可以理解的是，基底100具有开口区域OA、显示区域DA以及第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。
显示面板10包括布置在显示区域DA中的多个像素P。如图4中所示，每个像素P包括像素电路PC和作为显示元件连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。每个像素P可以通过有机发光二极管OLED发射例如红色、绿色、蓝色或白色的光。
第二薄膜晶体管T2是连接到扫描线SL和数据线DL的开关薄膜晶体管，并且可以根据从扫描线SL输入的开关电压将从数据线DL输入的数据电压传输到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从第二薄膜晶体管T2接收的电压与供应给驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的差对应的电压。
第一薄膜晶体管T1是连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst的驱动薄膜晶体管，并且可以与存储在存储电容器Cst中的电压值对应地来控制从驱动电压线PL流向有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有一定亮度的光。有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)可以被供应有第二电源电压ELVSS。
图4示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但本公开不限于此。薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而被各种改变。
再次参照图3，第一非显示区域NDA1可以围绕开口区域OA。第一非显示区域NDA1是其中未设置有显示元件(诸如发射光的有机发光二极管OLED)的区域。在第一非显示区域NDA1中，向设置在开口区域OA周围的像素P提供信号的信号线可以穿过，或者可以设置将在下面描述的(一个或更多个)凹槽。第二非显示区域NDA2可以包括用于向每个像素P提供扫描信号的扫描驱动器1100、用于向每个像素P提供数据信号的数据驱动器1200以及用于提供第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS的主电源线(未示出)。图3示出了数据驱动器1200与基底100的一侧相邻。根据另一实施例，数据驱动器1200可以位于电连接到显示面板10的一侧上的垫(pad，或称为“焊盘”)的柔性印刷电路板(FPCB)上。
图5是示出根据实施例的显示面板的一部分的平面图，所述平面图示出了位于第一非显示区域NDA1中的信号线。
参照图5，像素P布置在以开口区域OA为中心的显示区域DA中，第一非显示区域NDA1可以位于开口区域OA与显示区域DA之间。
像素P可以在开口区域OA周围彼此分开。像素P可以在开口区域OA周围向上和向下间隔开，和/或可以在开口区域OA周围横向间隔开。
来自向像素P供应信号的信号线之中的与开口区域OA相邻的信号线可以绕过开口区域OA。穿过显示区域DA的数据线DL中的一些在y方向上延伸以向布置在开口区域OA上方和下方的像素P提供数据信号，并且可以在第一非显示区域NDA1中沿着开口区域OA的边缘绕行。穿过显示区域DA的扫描线SL中的一些在x方向上延伸以向布置在开口区域OA的右侧和左侧上的像素P提供扫描信号，并且可以在第一非显示区域NDA1中沿着开口区域OA的边缘绕行。
图6是示出根据实施例的显示面板的一部分的平面图，所述平面图示出位于第一非显示区域中的凹槽。
一个或更多个凹槽位于开口区域OA与显示区域DA之间。就这一点而言，图6示出了三个凹槽G位于开口区域OA与显示区域DA之间，但是本公开不限于此。在另一实施例中，可以在第一非显示区域NDA1中布置一个、两个或四个或更多个凹槽G。
在实施例中，凹槽G在第一非显示区域NDA1中可以是环形的，以完全围绕开口区域OA。凹槽G中的每个的直径可以形成为比开口区域OA的直径大。围绕开口区域OA的凹槽G在平面中可以分隔开一定距离。
参照图5和图6，凹槽G可以比数据线或/和扫描线的绕过开口区域OA的边缘的绕行区域靠近开口区域OA。
图7是根据实施例的包括在显示面板中的像素的剖视图，并且可以与沿着图6中的线VII-VII'截取的剖面对应。
参照图7，显示区域DA可以包括像素电路PC和电连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。
形成位于基底100上的薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst以及电连接到薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电极221。像素电路PC可以位于基底100上，有机发光二极管OLED可以位于像素电路PC上。
基底100可以包括聚合物树脂或玻璃。在实施例中，基底100可以包括诸如聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和/或乙酸丙酸纤维素(CAP)的聚合物树脂，并且可以是柔性的。基底100可以包括包含作为主要成分的SiO2的玻璃材料或者诸如增强塑料的树脂，并且可以是刚性的。
缓冲层201可以形成在基底100上，以防止或基本防止杂质渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层Act中。在实施例中，缓冲层201可以包括诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料，并且可以包括包含以上描述的无机绝缘材料的单层或多层。
像素电路PC可以位于缓冲层201上。像素电路PC包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。图7中示出的薄膜晶体管TFT可以与参照图4描述的驱动薄膜晶体管对应。本实施例示出了其中栅电极GE位于半导体层Act上且栅极绝缘层203作为中心的顶栅型。然而，根据另一实施例，薄膜晶体管TFT可以是底栅型。
在实施例中，半导体层Act可以包括多晶硅。在另一实施例中，半导体层Act可以包括非晶硅、氧化物半导体或有机半导体等。栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)等的导电材料，并且可以形成为包括上述材料的单层或多层。
半导体层Act与栅电极GE之间的栅极绝缘层203可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化铪等中的任何一种。栅极绝缘层203可以包括包含上述材料的单层或多层。
源电极SE和漏电极DE可以包括具有良好导电性的材料。源电极SE和漏电极DE可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti等的导电材料，并且可以形成为包括上述材料的单层或多层。在实施例中，源电极SE和漏电极DE可以包括Ti/Al/Ti的多层。
存储电容器Cst包括彼此叠置的下电极CE1和上电极CE2，第一层间绝缘层205位于下电极CE1与上电极CE2之间。存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT叠置。就这一点而言，图7示出了薄膜晶体管TFT的栅电极GE是存储电容器Cst的下电极CE1。在另一实施例中，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT叠置。存储电容器Cst可以被第二层间绝缘层207覆盖。
在实施例中，第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化铪等中的任何一种。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以包括包含上述材料的单层或多层。
包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路PC可以被平坦化层209覆盖。平坦化层209可以包括大致平坦的顶表面。在实施例中，平坦化层209可以包括有机绝缘材料，诸如一般的商用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚苯乙烯(PS)中的任何一种)、包括酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇聚合物及其共混物。在实施例中，平坦化层209可以包括聚酰亚胺。在另一实施例中，平坦化层209可以包括无机绝缘材料，或可以包括无机绝缘材料和有机绝缘材料。
像素电极221可以形成在平坦化层209上。像素电极221可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。在另一实施例中，像素电极221可以包括反射层，反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、Al、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其混合物。在另一实施例中，像素电极221还可以包括位于反射层上方/下方的由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。
像素限定层211可以形成在像素电极221上。像素限定层211可以包括使像素电极221的上表面暴露的开口，并且可以覆盖像素电极221的边缘。因此，像素限定层211可以限定像素的发光区域。在实施例中，像素限定层211可以包括有机绝缘材料。在另一实施例中，像素限定层211可以包括无机绝缘材料，诸如氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)或氧化硅(SiOx)。在另一实施例中，像素限定层211可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
中间层222包括发射层222b。中间层222可以包括位于发射层222b下的第一功能层222a和/或位于发射层222b上的第二功能层222c。发射层222b可以包括发射一定颜色的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。
第一功能层222a可以包括单层或多层。例如，当第一功能层222a包括聚合物材料时，第一功能层222a可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)，并且可以包括聚(3,4-乙撑-二氧噻吩)(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。当第一功能层222a由低分子量材料形成时，第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)。
在一些实施例中，存在第二功能层222c。例如，当第一功能层222a和发射层222b包括聚合物材料时，可以形成第二功能层222c。第二功能层222c可以包括单层或多层。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
中间层222中的发射层222b可以针对显示区域DA中的每个像素布置。发射层222b可以接触像素电极221的通过像素限定层211的开口暴露的上表面。在实施例中，中间层222中的第一功能层222a和第二功能层222c不仅可以形成在图7的显示区域DA中，还可以形成在第一非显示区域NDA1中。
对电极223可以包括具有低逸出功的导电材料。例如，对电极223可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其合金的(半)透明层。在实施例中，对电极223还可以包括位于包含上述材料的(半)透明层上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。在实施例中，对电极223不仅可以形成在显示区域DA中，还可以形成在第一非显示区域NDA1中。在实施例中，中间层222和对电极223可以通过热蒸发来形成。
在实施例中，间隔件213可以形成在像素限定层211上。间隔件213可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。在另一实施例中，间隔件213可以包括诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料，或者可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
在实施例中，间隔件213可以包括与像素限定层211的材料不同的材料。在另一实施例中，间隔件213可以包括与像素限定层211的材料相同的材料。在这种情况下，像素限定层211和间隔件213可以使用半色调掩模等在掩模工艺中一起形成。在实施例中，像素限定层211和间隔件213可以包括聚酰亚胺。
盖层230可以位于对电极223上。盖层230保护对电极223，并且可以包括LiF、无机材料和/或有机材料。在实施例中，可以省略盖层230。
图8是根据实施例的显示面板中的凹槽的剖视图，并且可以与沿着图6中的线VIII-VIII'截取的剖面对应。
参照图8，凹槽G形成在多层膜ML中。多层膜ML包括具有不同材料的至少两层。多层膜ML可以包括有机绝缘材料(诸如聚合物树脂)和/或无机绝缘材料(诸如氮化硅、氮氧化硅或氧化硅)。在实施例中，多层膜ML可以包括金属。多层膜ML可以包括堆叠在下层LL上的第一层L1和第二层L2。第一层L1和第二层L2中的每个可以具有单层结构或多层结构。
图8的多层膜ML可以与以上参照图7描述的显示面板10的组件的一部分对应。例如，多层膜ML可以是参照图7描述的基底100的子层。在实施例中，多层膜ML可以与构成显示面板10的层(例如，基底100上的层的一部分)对应。
凹槽G可以沿着多层膜ML的深度方向形成。在本实施例中，凹槽G在其侧表面上具有阶梯形式的台阶。凹槽G可以包括形成在第一层L1中的第一凹进部分R1和形成在第二层L2中以与第一凹进部分R1叠置的第二凹进部分R2。凹槽G的第一凹进部分R1具有第一宽度W1，第二凹进部分R2具有比第一宽度W1大的第二宽度W2，使得凹槽G在其侧表面上具有阶梯形式的台阶。这里，第一宽度W1和第二宽度W2可以被分别定义为第一凹进部分R1和第二凹进部分R2的宽度中的最窄宽度。
在实施例中，可以通过对第一层L1进行蚀刻而将第一凹进部分R1形成为在第一层L1的厚度方向上的凹形凹进，并且可以通过对第二层L2进行蚀刻而将第二凹进部分R2形成为穿透第二层L2的孔。第一凹进部分R1和第二凹进部分R2可以空间地连接以形成凹槽G。上述蚀刻可以是各向同性蚀刻和/或各向异性蚀刻。
在本实施例中，凹槽G可以防止或基本防止水等渗透到显示区域DA的有机发光二极管OLED中。即，中间层的子层222'、对电极223和盖层230可以被凹槽G断开，或者不连续的跨越凹槽G。就这一点而言，图8示出了第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223以及盖层230被凹槽G的第二凹进部分R2断开或在凹槽G的第二凹进部分R2周围被切断。
如果包括有机材料的第一功能层222a和第二功能层222c未被断开，则由于有机材料的性质，湿气可能通过第一功能层222a和第二功能层222c渗透显示区域DA的有机发光二极管OLED。
因此，在本实施例中，包括有机材料的第一功能层222a和第二功能层222c在凹槽G周围被断开，以防止或基本防止湿气渗透到显示区域DA中。
在图8中，由于第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223以及盖层230在第二凹进部分R2周围断开，所以第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223以及盖层230可以顺序堆叠在第二层L2的上表面上。第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223以及盖层230也可以顺序堆叠在第一凹进部分R1的内部和内壁上。
由于第二凹进部分R2的第二宽度W2比第一凹进部分R1的第一宽度W1大，所以第二凹进部分R2可以使第一层L1的上表面的一部分暴露，并且第一层L1和第二层L2可以具有台阶形状。这里，第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223以及盖层230可以不位于第一层L1的暴露的上表面上。
在实施例中，凹槽G内部的第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223以及盖层230可以通过用于形成第二凹进部分R2的蚀刻工艺断开。因此，第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223以及盖层230的设置在第一凹进部分R1中的部分的表面可以与第一层L1的上表面齐平。
图9A至图9C是顺序示出根据实施例的形成图8的凹槽G的方法的示意性剖视图。
首先，参照图9A，在第一层L1和第二层L2中形成具有第一宽度W1的预凹进R'。预凹进R'可以形成为使得通过第一蚀刻完全穿透第二层L2并且在深度方向上部分地去除第一层L1。在实施例中，第一蚀刻可以是干蚀刻，并且可以是各向同性蚀刻和/或各向异性蚀刻。
接着，参照图9B，顺序形成第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223以及盖层230以填充预凹进R'。在实施例中，可以通过热蒸发来形成第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223以及盖层230。
参照图9C，在第二层L2中形成具有第二宽度W2的第二凹进部分R2，第二宽度W2比第一宽度W1大。第二凹进部分R2形成为与第一凹进部分R1叠置。在实施例中，第二凹进部分R2可以通过第二蚀刻形成为完全穿透第二层L2。然而，本公开不限于此。在另一实施例中，第二凹进部分R2可以形成为在第二层L2的深度方向上仅被部分去除，而不是完全穿过第二层L2。
在实施例中，第二蚀刻可以是干蚀刻，并且可以是各向同性蚀刻和/或各向异性蚀刻。在第二蚀刻中，与第二层L2的一部分一起去除预凹进R'中的第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223以及盖层230的一部分，以完成形成凹槽G，其中，第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223以及盖层230的所述一部分位于第二层L2的所述一部分上。第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223以及盖层230可以在凹槽G周围被断开。
图10至图13示出了根据更多实施例的显示面板的凹槽的外围。在图10至图13中，与图8中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且为了简便将省略其重复的描述。
参照图10，在实施例中，盖层230可以在凹槽G周围不断开。在实施例中，盖层230可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且无机绝缘材料可以通过化学气相沉积(CVD)形成。由于作为无机绝缘材料的盖层230与通过热蒸发形成的第一功能层222a和第二功能层222c以及对电极223相比具有相对优越的台阶覆盖性，因此盖层230能够如图10所示完全且连续地覆盖槽G的内表面。
参照图11，在实施例中，第一层L1可以包括包含有机材料的第一有机层LO1以及布置在第一有机层LO1上并包括无机材料的第一无机层LI1。在实施例中，第一凹进部分R1可以穿透第一无机层LI1，并且第一有机层LO1可以在深度方向上仅被部分地去除。第一有机层LO1可以包括诸如聚酰亚胺的聚合物树脂。第一无机层LI1可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅或氧化硅的无机绝缘材料。
第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223以及盖层230可以布置在第一有机层LO1和第一无机层LI1的形成第一凹进部分R1的内表面的侧表面上。
参照图12，在实施例中，第一层L1可以包括包含有机材料的第一有机层LO1以及布置在第一有机层LO1上并包括无机材料的第一无机层LI1。当第一层L1包括第一有机层LO1和第一无机层LI1时，针对第一有机层LO1和第一无机层LI1的蚀刻条件可以彼此不同。因此，可以在相同的蚀刻条件下不去除第一有机层LO1。
在实施例中，第一凹进部分R1可以形成为仅穿透第一无机层LI1的孔。第一凹进部分R1可以通过空间地连接形成在第一无机层LI1中的孔和第一有机层LO1的上表面来形成。在实施例中，第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223以及盖层230中的仅一些可以布置在第一凹进部分R1中。在实施例中，例如，可以在第一凹进部分R1中仅布置第一功能层222a和第二功能层222c，并且可以通过执行蚀刻来去除对电极223和盖层230以形成第二凹进部分R2。
在上述实施例中，第一功能层222a和第二功能层222c用其间的凹槽G的第二凹进部分R2断开。然而，本公开不限于此。例如，如图13中所示，第一功能层222a和第二功能层222c可以在凹槽G的第一凹进部分R1周围被断开。
在实施例中，如图13中所示，第一功能层222a和第二功能层222c可以不布置在第一凹进部分R1中，并且第一功能层222a和第二功能层222c可以布置在第二凹进部分R2的侧表面上。在实施例中，第一功能层222a和第二功能层222c也可以位于第一层L1的被第二凹进部分R2暴露的上表面上。
凹槽G内部的第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223以及盖层230可以通过用于形成第一凹进部分R1的蚀刻工艺而断开。因此，第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223以及盖层230的布置在第一层L1的被第二凹进部分R2暴露的上表面上的部分的表面可以与第一凹进部分R1的内壁齐平。
图14A至图14C是示出根据实施例的制造图13的凹槽的方法的剖视图。
首先，参照图14A，在第二层L2中形成具有第二宽度W2的第二凹进部分R2。第二凹进部分R2可以通过第一蚀刻形成穿过第二层L2的孔。在实施例中，第一蚀刻可以是干蚀刻，并且可以是各向同性蚀刻和/或各向异性蚀刻。
接着，参照图14B，顺序形成第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223以及盖层230以填充第二凹进部分R2。在实施例中，可以通过热蒸发形成第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223以及盖层230。
参照图14C，在第一层L1中形成具有比第二宽度W2小的第一宽度W1的第一凹进部分R1。第一凹进部分R1形成为设置在第二凹进部分R2内部。在实施例中，可以通过第二蚀刻通过在深度方向上部分地去除第一层L1来形成第一凹进部分R1。
在实施例中，第二蚀刻可以是干蚀刻，并且可以是各向同性蚀刻和/或各向异性蚀刻。在第二蚀刻中，与第一层L1的一部分一起去除第二凹进部分R2中的第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223以及盖层230的一部分，以完成形成凹槽G，其中，第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223以及盖层230的所述一部分位于第一层L1的所述一部分上。第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223以及盖层230可以在凹槽G的第一凹进部分R1周围被断开。
图15是根据实施例的显示面板的剖视图；图16是根据实施例的显示面板的凹槽的放大剖视图。图15可以与沿着图6中的线IX-IX'截取的剖面对应，图16可以与放大并示出图15中的凹槽的剖视图对应。
参照图15，显示面板10包括开口区域OA、显示区域DA和位于开口区域OA与显示区域DA之间的第一非显示区域NDA1。显示面板10可以包括与开口区域OA对应的第一开口10H。
在图15中，显示面板10被示出为具有图8中示出的凹槽G。然而，本公开不限于此。例如，显示面板10可以具有图10至图13中的任何一个中所示出的凹槽G。
参照图15中的显示区域DA，基底100上的薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst布置在显示区域DA中。
在实施例中，基底100可以包括多层。例如，基底100可以包括顺序堆叠的第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104。
在实施例中，第一基体层101和第二基体层103中的每个可以包括聚合物树脂。例如，基底100可以包括诸如PES、PAR、PEI、PEN、PET、PPS、PI、PC、TAC和CAP等的聚合物树脂。上述聚合物树脂可以是透明的。
第一阻挡层102和第二阻挡层104中的每个是用于防止或基本防止外部异物的渗透的阻挡层，并且可以包括包含诸如氮化硅(SiNx)和/或氧化硅(SiOx)的无机材料的单层或多层。
绝缘层201、203、205、207和209可以置于薄膜晶体管TFT的半导体层与电极之间以及存储电容器Cst的电极之间。电连接到薄膜晶体管TFT的像素电极221、中间层222、对电极223和盖层230可以位于显示区域DA中，并且上述结构可以如以上参照图7所描述的。
包括像素电极221、中间层222和对电极223的显示元件被薄膜封装层300覆盖。在实施例中，薄膜封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。在实施例中，如图15中所示，薄膜封装层300包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及位于第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。在另一实施例中，有机封装层的数量、无机封装层的数量及其堆叠顺序可以变化。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括一种或更多种无机绝缘材料，诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，并且可以使用CVD方法等形成。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。
参照图15的第一非显示区域NDA1，第一非显示区域NDA1可以包括相对邻近于显示区域DA的第一子非显示区域SNDA1和相对邻近于开口区域OA或第一开口10H的第二子非显示区域SNDA2。
第一子非显示区域SNDA1可以是信号线(例如，参照图5描述的数据线DL)穿过的区域。图15中示出的数据线DL可以与绕过开口区域OA的数据线对应。第一子非显示区域SNDA1可以是数据线DL穿过的布线区域或绕行区域。
在实施例中，如图15中所示，数据线DL之间可以交替地布置有绝缘层。在另一实施例中，尽管未示出，但数据线DL可以布置在同一绝缘层上。当相邻数据线DL分别布置在绝缘层(例如，第二层间绝缘层207)下方和上方时，可以减小相邻数据线DL之间的间隙(间距)，并且可以减小第一非显示区域NDA1的宽度。虽然图15示出了数据线DL位于第一子非显示区域SNDA1中，但是以上参照图5描述的绕过开口区域OA的扫描线也可以位于第一子非显示区域SNDA1中。
第二子非显示区域SNDA2是其中布置有凹槽的一种凹槽区域，图15示出了位于第二子非显示区域SNDA2中的三个凹槽G。凹槽G可以形成在具有包括如以上参照图8至图13所描述的不同材料的第一层L1和第二层L2的多层膜ML中。在实施例中，图15示出了形成在包括在基底100中的子层以及包括在显示面板10中的绝缘层201、203、205和207中的凹槽G。
参照图15和图16的第二子非显示区域SNDA2，可以通过去除第二层间绝缘层207、第一层间绝缘层205、栅极绝缘层203、缓冲层201、第二阻挡层104和第二基体层103中的每个的一部分来形成凹槽G。例如，穿透第二层间绝缘层207、第一层间绝缘层205、栅极绝缘层203、缓冲层201和第二阻挡层104的孔和设置在第二基体层103中的凹进可以彼此空间地连接以形成凹槽G。第二基体层103、第二阻挡层104和缓冲层201可以与以上参照图8至图13描述的多层膜ML的第一层L1对应，并且第二层间绝缘层207、第一层间绝缘层205和栅极绝缘层203可以与多层膜ML的第二层L2对应。
在实施例中，在形成凹槽G的工艺中，缓冲层201、第二阻挡层104和第二基体层103中的每个的一部分可以被并行(例如，同时)去除以形成凹槽G的第一凹进部分R1。虽然在本说明书中缓冲层201和第二阻挡层104被描述为单独的组件，但在实施例中，基底100的缓冲层201可以是具有多层结构的第二阻挡层104的子层。
在形成凹槽G的第二凹进部分R2的工艺中，可以在第二层间绝缘层207、第一层间绝缘层205和栅极绝缘层203中形成孔以形成第二凹进部分R2。
第一凹进部分R1和第二凹进部分R2具有不同的宽度，使得可以在凹槽G的侧表面上形成阶梯形式的台阶。
与中间层的子层222'对应的第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223和/或盖层230可以被如上所述的第二子非显示区域SNDA2的凹槽G断开。
薄膜封装层300的第一无机封装层310比中间层的子层222'、对电极223和/或盖层230具有相对更好的台阶覆盖性。因此，在实施例中，第一无机封装层310可以连续地形成，而不会在凹槽G周围断开。
在实施例中，如图15中所示，第一无机封装层310可以完全覆盖显示区域DA和第一非显示区域NDA1。在实施例中，在第一非显示区域NDA1中，第一无机封装层310可以完全且连续地覆盖凹槽G的内表面。断开的第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223以及盖层230的堆叠件位于凹槽G的底表面上。第一无机封装层310可以在被设置的同时覆盖堆叠件。
可以通过涂覆单体并使该单体固化来形成有机封装层320。在实施例中，单体的流动可以由坝部510控制。就这一点而言，图15和图16示出了有机封装层320的端部位于坝部510的一侧处。有机封装层320可以填充凹槽G中的任何一个。例如，位于显示区域DA与坝部510之间的凹槽G的第一无机封装层310上的空间可以被有机封装层320填充。
在实施例中，第二无机封装层330可以像第一无机封装层310一样完全且连续地覆盖凹槽G的内表面。第二无机封装层330的一部分可以在第二子非显示区域SNDA2中直接接触第一无机封装层310。第二无机封装层330可以在多个凹槽G中的至少一个上直接接触第一无机封装层310。即使在坝部510的上表面上，第一无机封装层310和第二无机封装层330也可以彼此接触。
图17是根据另一实施例的显示面板的剖视图。
与以上参照图15描述的显示面板10不同，图17中示出的显示面板10'还包括平坦化层410。这里，为了便于解释，将主要描述差异。
平坦化层410可以包括有机绝缘材料。在实施例中，可以通过在薄膜封装层300上涂覆光致抗蚀剂(负性或正性)或聚合物类有机材料并对其进行图案化而在薄膜封装层300上形成平坦化层410。如图17中所示，平坦化层410的端部410E可以放置在穿过凹槽G中的任何一个凹槽G的竖直线上。在实施例中，平坦化层410的端部410E可以与基底100的端部位于同一竖直线上。
平坦化层410覆盖第二子非显示区域SNDA2中不存在有机封装层320的区域，从而改善显示面板10'的平坦度。因此，能够防止或基本防止直接形成在显示面板10'上或通过粘合层结合到显示面板10'的输入感测构件、光学功能构件等从显示面板10'脱离或分离。
在根据实施例的显示面板中，在其侧表面上具有台阶的凹槽设置在开口周围，使得可以防止或基本防止显示元件被诸如外部湿气的异物损坏。然而，这仅仅是示例，并且本公开的范围不限于此。
将理解的是，这里所描述的实施例应当仅以描述性的含义来考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述应通常被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求所阐述的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。
Claims (20)
1.一种显示面板，所述显示面板包括：
多个显示元件，布置在开口周围的显示区域中，所述多个显示元件中的每个显示元件包括像素电极、位于所述像素电极上方的发射层以及位于所述发射层上方的对电极；以及
凹槽，位于所述开口与所述显示区域之间，
其中，所述凹槽包括第一凹进部分和第二凹进部分，所述第一凹进部分位于第一层中并且具有第一宽度，所述第二凹进部分位于所述第一层上的第二层中并且具有比所述第一宽度大的第二宽度，并且所述凹槽的侧表面具有台阶。
2.如权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括位于所述像素电极与所述发射层之间的第一功能层和位于所述发射层与所述对电极之间的第二功能层中的至少一个功能层，
其中，所述第一功能层和所述第二功能层中的所述至少一个功能层以及所述对电极均在所述第二凹进部分周围被切断，并且位于所述第一凹进部分的侧壁上。
3.如权利要求2所述的显示面板，所述显示面板还包括位于所述对电极上方的盖层，
其中，所述盖层连续地布置在所述第一凹进部分和所述第二凹进部分之上。
4.如权利要求2所述的显示面板，其中，所述第一层包括第一有机材料层和位于所述第一有机材料层上的第一无机材料层，并且所述第一凹进部分将穿过所述第一无机材料层的孔空间地连接到限定在所述第一有机材料层的深度方向上的凹进。
5.如权利要求2所述的显示面板，其中，所述第一层包括第一有机材料层和位于所述第一有机材料层上的第一无机材料层，并且所述第一凹进部分将穿过所述第一无机材料层的孔空间地连接到所述第一有机材料层的上表面。
6.如权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括位于所述像素电极与所述发射层之间的第一功能层和位于所述发射层与所述对电极之间的第二功能层中的至少一个功能层，
其中，所述第一功能层和所述第二功能层中的所述至少一个功能层以及所述对电极均在所述第一凹进部分周围被切断，并且位于所述第一层的被所述第二凹进部分暴露的上表面上。
7.如权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括基底和布置在所述基底上且包括薄膜晶体管的像素电路，所述薄膜晶体管位于所述基底上方并电连接到所述像素电极。
8.如权利要求7所述的显示面板，其中，所述基底包括所述第一层的一部分。
9.如权利要求1所述的显示面板，其中，所述第二层包括多层无机层。
10.如权利要求1所述的显示面板，
其中，所述凹槽包括第一凹槽和位于所述第一凹槽周围的第二凹槽，并且
所述显示面板还包括位于所述第一凹槽与所述第二凹槽之间并且在基底的上表面的方向上突出的坝部。
11.如权利要求10所述的显示面板，所述显示面板还包括薄膜封装层，所述薄膜封装层覆盖所述多个显示元件并且包括顺序层叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，
其中，所述有机封装层位于所述第一凹槽上方，并且所述第一无机封装层和所述第二无机封装层在所述第二凹槽上彼此直接接触。
12.如权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括：
薄膜封装层，覆盖所述多个显示元件，并且包括顺序层叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层；以及
平坦化层，位于所述薄膜封装层上方，
其中，所述平坦化层的端部位于穿过所述凹槽的竖直线上。
13.一种显示面板，所述显示面板包括：
基底，包括开口和位于所述开口周围的显示区域；
多个显示元件，位于所述显示区域中，并且每个显示元件包括像素电极、中间层、发射层和对电极；以及
凹槽，位于所述开口与所述显示区域之间，
其中，所述凹槽包括第一凹进部分和第二凹进部分，所述第一凹进部分位于第一层中并且具有第一宽度，所述第二凹进部分位于所述第一层上的第二层中并且具有比所述第一宽度大的第二宽度，并且所述凹槽的侧表面具有台阶，并且
所述中间层由所述凹槽切断，并且位于所述第一凹进部分的侧壁或所述第二凹进部分的侧壁上。
14.如权利要求13所述的显示面板，
所述显示面板还包括位于所述对电极上的盖层，
其中，所述盖层连续地布置在所述第一凹进部分和所述第二凹进部分之上。
15.如权利要求13所述的显示面板，其中，所述第一层包括第一有机材料层和位于所述第一有机材料层上的第一无机材料层，并且所述第一凹进部分将穿过所述第一无机材料层的孔空间地连接到限定在所述第一有机材料层的深度方向上的凹进。
16.如权利要求13所述的显示面板，其中，所述第一层包括第一有机材料层和位于所述第一有机材料层上的第一无机材料层，并且所述第一凹进部分将穿过所述第一无机材料层的孔空间地连接到所述第一有机材料层的上表面。
17.如权利要求13所述的显示面板，所述显示面板还包括像素电路，所述像素电路包括位于所述基底上方并且电连接到所述像素电极的薄膜晶体管。
18.如权利要求13所述的显示面板，其中，所述基底包括所述第一层的一部分。
19.如权利要求13所述的显示面板，
其中，所述凹槽包括第一凹槽和位于所述第一凹槽周围的第二凹槽，并且
所述显示面板还包括位于所述第一凹槽与所述第二凹槽之间并且在所述基底的上表面的方向上突出的坝部。
20.如权利要求13所述的显示面板，所述显示面板还包括：
薄膜封装层，覆盖所述多个显示元件，并且包括顺序层叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层；以及
平坦化层，位于所述薄膜封装层上方，
其中，所述平坦化层的端部位于穿过所述凹槽的竖直线上。
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