CN111261643B - 柔性显示面板及制备方法 - Google Patents

柔性显示面板及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111261643B
CN111261643B CN202010084049.5A CN202010084049A CN111261643B CN 111261643 B CN111261643 B CN 111261643B CN 202010084049 A CN202010084049 A CN 202010084049A CN 111261643 B CN111261643 B CN 111261643B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
barrier layer
display panel
groove
flexible display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010084049.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111261643A (zh
Inventor
孙小茜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202010084049.5A priority Critical patent/CN111261643B/zh
Priority to US16/755,890 priority patent/US11527559B2/en
Priority to EP20767459.9A priority patent/EP4105993A4/en
Priority to PCT/CN2020/080962 priority patent/WO2021159589A1/zh
Publication of CN111261643A publication Critical patent/CN111261643A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111261643B publication Critical patent/CN111261643B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

本申请公开了一种柔性显示面板,包括显示区以及非显示区,位于所述非显示区的部分所述柔性显示面板包括柔性衬底、多势垒层以及平坦化层;其中,所述非显示区的外围边缘设置有切割道,所述切割道内设有凹槽,所述平坦化层的一端经所述凹槽的侧壁至少延伸至所述多势垒层与所述柔性衬底之间形成的分界面。本发明还提供了一种上述柔性显示面板的制备方法。本申请实施例所提供的柔性显示面板及制备方法,在不增加掩膜版及工艺流程的前提下,避免了柔性显示面板在切割过程中因无机层延展性较差而在弯折过程产生的裂纹,进一步的确保了柔性显示面板的显示性能。

Description

柔性显示面板及制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种柔性显示面板及制备方法。
背景技术
现阶段电子行业飞速发展,随着常规平板产品产能提高,市面上常规平板2D产品泛滥。人们对于3D产品及柔性弯折产品需求不断提高。为满足客户需求,实现产品多样化及便捷化,目前推出的弯折显示器除了需要具备超薄、便捷等优势,还要满足各种角度弯折。应用于多媒体、车载、医疗设备等各个领域。
目前在柔性面板行业中存在多次切割的工艺,得到最后的显示面板。然而,现有技术的显示面板中,其切割道位置的膜层叠构为上层无机层下层有机层,在切割过程中,由于无机层延展性较差,切割后容易产生细小裂纹,在弯折过程中裂纹延伸至显示面板内部(有效显示区域),可能会破坏功能膜层,从而影响柔性显示面板的显示效果。
综上所述,现有的柔性显示面板及制备方法,由于在切割后因无机层延展性较差而产生裂纹,其在弯折过程中裂纹延伸至显示面板内部,可能会破坏功能膜层,进一步影响柔性显示面板的显示效果。
发明内容
本申请实施例提供一种柔性显示面板及制备方法,能够在不增加掩膜版及工艺流程、材料的前提下,以解决现有的柔性显示面板,由于在切割后因无机层延展性较差而产生裂纹,其在弯折过程中裂纹延伸至显示面板内部,可能会破坏功能膜层,进一步影响柔性显示面板的显示效果的技术问题。
本申请实施例提供一种柔性显示面板,包括显示区以及非显示区,位于所述非显示区的部分所述柔性显示面板包括柔性衬底、多势垒层以及平坦化层;
其中,所述非显示区的外围边缘设置有切割道,所述切割道内设有凹槽,所述平坦化层的一端经所述凹槽的侧壁至少延伸至所述多势垒层与所述柔性衬底之间形成的分界面。
在一些实施例中,所述凹槽设于所述多势垒层上,所述凹槽贯穿所述多势垒层以及部分所述柔性衬底。
在一些实施例中,所述凹槽为矩形,所述凹槽的宽度为3~25微米。
在一些实施例中,所述柔性衬底的材料为聚酰亚胺,所述平坦化层的材料为有机光阻。
在一些实施例中,所述多势垒层为多层层叠的无机膜层,所述无机膜层的材料包括氧化铝、氧化锌、氧化钛、二氧化硅、氧化锆中的一种或几种组合。
在一些实施例中,所述多势垒层的厚度为1~2微米,所述平坦化层的厚度为1~10微米。
本申请实施例还提供一种柔性显示面板的制备方法,所述柔性显示面板包括显示区以及非显示区,所述非显示区的外围边缘设置有切割道,所述方法包括:
S10,在一柔性衬底上形成多势垒层,所述多势垒层上设置有所述切割道;
S20,在所述多势垒层上形成TFT阵列层,所述TFT阵列层位于所述显示区;
S30,在位于所述切割道的部分所述多势垒层上开设凹槽,所述凹槽贯穿所述多势垒层以及部分所述柔性衬底;
S40,在所述多势垒层上形成平坦化层,所述平坦化层完全覆盖所述TFT阵列层,所述平坦化层的一端经所述凹槽的侧壁至少延伸至所述多势垒层与所述柔性衬底之间形成的分界面。
在一些实施例中,所述S10中,所述多势垒层为多层层叠的无机膜层,所述无机膜层的材料包括氧化铝、氧化锌、氧化钛、二氧化硅、氧化锆中的一种或几种组合。
在一些实施例中,所述S30中,所述凹槽为矩形,所述凹槽的宽度为3~25微米。
在一些实施例中,所述柔性衬底的材料为聚酰亚胺,所述多势垒层的材料为二氧化硅,所述平坦化层的材料为有机光阻。
本申请实施例所提供的柔性显示面板及制备方法,在不增加掩膜版及工艺流程的前提下,避免了柔性显示面板在切割过程中因无机层延展性较差而在弯折过程产生的裂纹,进一步的确保了柔性显示面板的显示性能。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例所提供的柔性显示面板的截面结构示意图。
图2为本申请实施例所提供的柔性显示面板的制备方法的流程示意图。
图3A-3D为本申请实施例所提供的柔性显示面板的制备方法的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本申请实施例针对现有的柔性显示面板及制备方法,由于在切割后因无机层延展性较差而产生裂纹,其在弯折过程中裂纹延伸至显示面板内部,可能会破坏功能膜层,进一步影响柔性显示面板的显示效果的技术问题,本实施例能够解决该缺陷。
如图1所示,为本申请实施例所提供的柔性显示面板的截面结构示意图。其中,所述柔性显示面板包括显示区11以及非显示区12,位于所述显示区11的部分所述柔性显示面板包括柔性衬底13、多势垒层14、TFT阵列层15以及平坦化层16,位于所述非显示区12的部分所述柔性显示面板包括所述柔性衬底13、所述多势垒层14以及所述平坦化层16。
具体地,所述非显示区12的外围边缘设置有切割道121,所述切割道121内设有凹槽1211,所述平坦化层16的一端经所述凹槽1211的侧壁至少延伸至所述多势垒层与所述柔性衬底之间形成的分界面。优选地,所述平坦化层16的一端经所述凹槽1211的侧壁延伸至所述凹槽1211的底部。
具体地,所述显示区域11上用于显示图像,所述非显示区域12用于设置所述显示区域11的外围电路。
具体地,所述柔性衬底13的材料为聚酰亚胺。
具体地,所述多势垒层14为多层层叠的无机膜层,所述无机膜层的材料包括氧化铝、氧化锌、氧化钛、二氧化硅、氧化锆中的一种或几种组合。本发明实施例中,所述无机膜层的材料优选为二氧化硅。
具体地,所述平坦化层16的材料为有机光阻,所述平坦化层16的材料能够与所述多势垒层良好的结合。
具体地,所述多势垒层的厚度为1~2微米,所述平坦化层的厚度为1~10微米。
在本申请实施例中,所述凹槽1211的形状为矩形,所述凹槽的宽度为3~25微米,所述凹槽1211贯穿所述多势垒层14以及部分所述柔性衬底13,即所述凹槽1211的深度大于所述多势垒层的厚度,所述凹槽1211的深度为1~5微米。优选地,所述凹槽1211中远离所述平坦化层16一侧的侧壁距离所述柔性衬底的边缘小于300微米。
如图2所示,为本申请实施例所提供的柔性显示面板的制备方法的流程示意图,所述柔性显示面板包括显示区11以及非显示区12,所述非显示区12的外围边缘设置有切割道121,在所述柔性显示面板的切割制程中,切割刀沿着所述切割道121对所述柔性显示面板进行切割,所述方法包括如下:
S10,在一柔性衬底13上形成多势垒层14,所述多势垒层14上设置有所述切割道121。
具体地,所述S10还包括:
首先,提供一柔性衬底13,所述柔性衬底13的材料优选为聚酰亚胺;之后,在所述柔性衬底13上可以采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称PECVD)工艺、蒸镀工艺或者溅射工艺在衬底基板上沉积所述多势垒层14;所述多势垒层14为多层层叠的无机膜层,所述无机膜层的材料包括氧化铝、氧化锌、氧化钛、二氧化硅、氧化锆中的一种或几种组合。本发明实施例中,所述无机膜层的材料优选为二氧化硅。具体地,所述多势垒层14上设置有所述切割道121,所述多势垒层的厚度为1~2微米,如图3A所示。
S20,在所述多势垒层14上形成TFT阵列层15,所述TFT阵列层15位于所述显示区11。
具体地,所述S20还包括:
首先,在所述多势垒层14上形成TFT阵列层15,所述TFT阵列层15位于所述显示区11。其中,所述TFT阵列层14包括栅极缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层以及源漏极,所述TFT阵列层15上还具有打孔和沟道区域。所述TFT阵列层15用于驱动所述柔性显示面板的像素,如图3B所示。
S30,在位于所述切割道121的部分所述多势垒层14上开设凹槽1211,所述凹槽1211贯穿所述多势垒层14以及部分所述柔性衬底13。具体地,所述S30还包括:
首先,在位于所述切割道121的部分所述多势垒层14上通过CNT工艺开设第一凹槽,所述第一凹槽贯穿部分所述多势垒层14之后,在所述第一凹槽的基础上通过ISO工艺或者DH工艺开设所述凹槽1211,所述凹槽1211贯穿所述多势垒层14以及部分所述柔性衬底13。在本发明实施例中,所述凹槽1211的形状为矩形,所述凹槽的宽度为3~25微米,所述凹槽1211的深度大于所述多势垒层的厚度,所述凹槽1211的深度为1~5微米,如图3C所示。
S40,在所述多势垒层14上形成平坦化层16,所述平坦化层16完全覆盖所述TFT阵列层15,所述平坦化层16的一端经所述凹槽1211的侧壁至少延伸至所述多势垒层14与所述柔性衬底13之间形成的分界面。
具体地,所述S40还包括:首先,在所述多势垒层14上采用化学气相沉积工艺、蒸镀工艺或者溅射工艺在衬底基板上沉积形成平坦化层16,所述平坦化层16完全覆盖所述TFT阵列层15,所述平坦化层16的一端经所述显示区11延伸至所述非显示区12并经所述凹槽1211的侧壁至少延伸至所述多势垒层14与所述柔性衬底13之间形成的分界面,使所述分界面被所述平坦化层16所覆盖,进而实现所述分界面发生裂纹防止。优选地,所述平坦化层16的一端经所述凹槽1211的侧壁延伸至所述凹槽1211的底部。所述平坦化层16的材料优选为有机光阻,所述平坦化层16的材料能够与所述多势垒层良好的结合,所述平坦化层的厚度为1~10微米,如图3D所示。
本申请实施例所提供的柔性显示面板及制备方法,能够彻底解决裂纹发生问题。同时本技术不仅适用于切割道位置裂纹防止,也可以应用到异形开孔工艺或异形产品切割裂纹防止工艺上。另外,切割道减薄有利于镭射切割(lasercut)工艺切割,时间和成本上都有所降低。
本申请实施例所提供的柔性显示面板及制备方法,在不增加掩膜版及工艺流程的前提下,避免了柔性显示面板在切割过程中因无机层延展性较差而在弯折过程产生的裂纹,进一步的确保了柔性显示面板的显示性能。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种柔性显示面板及制备方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种柔性显示面板,包括显示区以及非显示区,其特征在于,位于所述非显示区的部分所述柔性显示面板包括柔性衬底、多势垒层以及平坦化层;
其中,所述非显示区的外围边缘设置有切割道,所述切割道内设有凹槽,所述平坦化层的一端经所述凹槽的侧壁至少延伸至所述多势垒层与所述柔性衬底之间形成的分界面;所述凹槽设于所述多势垒层上,所述凹槽贯穿所述多势垒层以及部分所述柔性衬底。
2.根据权利要求1所述的柔性显示面板,其特征在于,所述凹槽为矩形,所述凹槽的宽度为3~25微米。
3.根据权利要求1所述的柔性显示面板,其特征在于,所述柔性衬底的材料为聚酰亚胺,所述平坦化层的材料为有机光阻。
4.根据权利要求1所述的柔性显示面板,其特征在于,所述多势垒层为多层层叠的无机膜层,所述无机膜层的材料包括氧化铝、氧化锌、氧化钛、二氧化硅、氧化锆中的一种或几种组合。
5.根据权利要求1所述的柔性显示面板,其特征在于,所述多势垒层的厚度为1~2微米,所述平坦化层的厚度为1~10微米。
6.一种柔性显示面板的制备方法,所述柔性显示面板包括显示区以及非显示区,所述非显示区的外围边缘设置有切割道,其特征在于,所述方法包括:
S10,在一柔性衬底上形成多势垒层,所述多势垒层上设置有所述切割道;
S20,在所述多势垒层上形成TFT阵列层,所述TFT阵列层位于所述显示区;
S30,在位于所述切割道的部分所述多势垒层上开设凹槽,所述凹槽贯穿所述多势垒层以及部分所述柔性衬底;
S40,在所述多势垒层上形成平坦化层,所述平坦化层完全覆盖所述TFT阵列层,所述平坦化层的一端经所述凹槽的侧壁至少延伸至所述多势垒层与所述柔性衬底之间形成的分界面。
7.根据权利要求6所述的柔性显示面板的制备方法中,其特征在于,所述S10中,所述多势垒层为多层层叠的无机膜层,所述无机膜层的材料包括氧化铝、氧化锌、氧化钛、二氧化硅、氧化锆中的一种或几种组合。
8.根据权利要求6所述的柔性显示面板的制备方法中,其特征在于,所述S30中,所述凹槽为矩形,所述凹槽的宽度为3~25微米。
9.根据权利要求6所述的柔性显示面板的制备方法中,其特征在于,所述柔性衬底的材料为聚酰亚胺,所述多势垒层的材料为二氧化硅,所述平坦化层的材料为有机光阻。
CN202010084049.5A 2020-02-10 2020-02-10 柔性显示面板及制备方法 Active CN111261643B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010084049.5A CN111261643B (zh) 2020-02-10 2020-02-10 柔性显示面板及制备方法
US16/755,890 US11527559B2 (en) 2020-02-10 2020-03-24 Flexible display panel and manufacturing method thereof
EP20767459.9A EP4105993A4 (en) 2020-02-10 2020-03-24 FLEXIBLE DISPLAY PANEL AND PRODUCTION METHOD THEREOF
PCT/CN2020/080962 WO2021159589A1 (zh) 2020-02-10 2020-03-24 柔性显示面板及制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010084049.5A CN111261643B (zh) 2020-02-10 2020-02-10 柔性显示面板及制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111261643A CN111261643A (zh) 2020-06-09
CN111261643B true CN111261643B (zh) 2022-12-06

Family

ID=70948239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010084049.5A Active CN111261643B (zh) 2020-02-10 2020-02-10 柔性显示面板及制备方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11527559B2 (zh)
EP (1) EP4105993A4 (zh)
CN (1) CN111261643B (zh)
WO (1) WO2021159589A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112567520A (zh) * 2019-06-14 2021-03-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
CN112018045B (zh) * 2020-08-14 2022-11-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN113270560B (zh) * 2021-05-19 2023-06-13 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN113471394B (zh) * 2021-05-27 2022-06-03 武汉天马微电子有限公司 显示面板的切割修边方法、显示面板及显示装置
CN113888971B (zh) * 2021-09-30 2023-11-17 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板及其制作方法
CN115050908B (zh) * 2022-06-09 2023-12-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4750727B2 (ja) * 2006-03-28 2011-08-17 キヤノン株式会社 有機発光装置及びその製造方法
KR101907593B1 (ko) * 2013-08-13 2018-10-15 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치
TWI740908B (zh) * 2016-03-11 2021-10-01 南韓商三星顯示器有限公司 顯示設備
KR20180034780A (ko) * 2016-09-27 2018-04-05 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20180076429A (ko) * 2016-12-27 2018-07-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN207517288U (zh) * 2017-11-30 2018-06-19 昆山国显光电有限公司 可分离的柔性显示结构、柔性显示屏以及显示装置
KR102489225B1 (ko) * 2017-12-13 2023-01-17 엘지디스플레이 주식회사 표시장치와 그의 제조방법
CN108288637B (zh) * 2018-01-24 2021-03-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板的制作方法及柔性显示面板
CN108321176B (zh) * 2018-02-02 2020-07-03 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置
CN108428728B (zh) * 2018-05-14 2019-07-02 云谷(固安)科技有限公司 阵列基板及制作方法、显示面板及制作方法、显示装置
KR102491276B1 (ko) * 2018-05-14 2023-01-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN108807480A (zh) * 2018-06-11 2018-11-13 京东方科技集团股份有限公司 显示基板母板及其制作方法、和显示装置
KR102632614B1 (ko) * 2018-07-06 2024-02-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN109300913B (zh) * 2018-09-27 2020-11-27 厦门天马微电子有限公司 阵列基板和显示面板
KR102617925B1 (ko) * 2018-09-27 2023-12-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109524572A (zh) * 2018-10-08 2019-03-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示装置的制作方法
CN109546002B (zh) * 2018-11-23 2021-01-26 昆山国显光电有限公司 有机电致发光显示面板及显示装置
KR20200067284A (ko) * 2018-12-03 2020-06-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN109616506A (zh) * 2018-12-18 2019-04-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 全屏显示面板及其制作方法
KR102168042B1 (ko) * 2018-12-27 2020-10-20 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200097374A (ko) * 2019-02-07 2020-08-19 삼성디스플레이 주식회사 전자 패널 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20200115834A (ko) * 2019-03-27 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR20200145902A (ko) * 2019-06-19 2020-12-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
CN110504295B (zh) * 2019-08-30 2021-12-31 武汉天马微电子有限公司 一种柔性显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP4105993A4 (en) 2024-03-06
EP4105993A1 (en) 2022-12-21
US20210408086A1 (en) 2021-12-30
WO2021159589A1 (zh) 2021-08-19
CN111261643A (zh) 2020-06-09
US11527559B2 (en) 2022-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111261643B (zh) 柔性显示面板及制备方法
CN108666347B (zh) 显示面板及其制造方法、显示装置
US8633066B2 (en) Thin film transistor with reduced edge slope angle, array substrate and having the thin film transistor and manufacturing method thereof
US11963381B2 (en) Display substrate and display panel with barrier separated from pixel
US9485857B2 (en) Flat panel display apparatus and method for manufacturing the same
CN110212117B (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
US20150311409A1 (en) Display panel and mother board including the same
TWI485499B (zh) 液晶顯示面板陣列基板及其製造方法
US11139459B2 (en) Display panel motherboard and method of manufacturing display panel motherboard
WO2021023107A1 (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
US20210175313A1 (en) Organic light-emitting diode display panel
US8711296B2 (en) Active matrix substrate, method for manufacturing same, and liquid crystal display apparatus
US11239331B2 (en) Thin film transistor substrate and method of fabricating same
US20150206982A1 (en) Thin film transistor for a display device, display device and method of manufacturing a display device
CN109713014B (zh) 有机发光显示面板、装置和有机发光显示面板的制造方法
WO2017215038A1 (zh) 电极的制备方法
US11967599B2 (en) Array substrate and display panel
CN103293803B (zh) 用于ffs模式液晶显示器的阵列基板及其制造方法
CN112018087B (zh) 显示面板及其制备方法
CN114709244A (zh) 显示背板及其制作方法和显示装置
US20230138833A1 (en) Contact resistance monitoring device, manufacturing method thereof, and display panel
CN114460773B (zh) 一种待切割显示面板、显示面板和显示装置
CN111341790B (zh) 显示装置及显示装置的制备方法
CN112420606B (zh) 阵列基板的制备方法及阵列基板
US20210242425A1 (en) Manufacturing method of display panel, display panel and display device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant