KR20220082167A - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR20220082167A
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이정문
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Abstract

표시 장치는 표시 영역 및 표시 영역의 외측에 위치하는 비표시 영역을 갖는 기판, 기판 상의 표시 영역에 배치되는 유기 절연층, 유기 절연층 상에 배치되는 발광 소자 및 기판 상의 비표시 영역에 배치되며, 유기 절연층으로부터 이격되는 제1 댐을 포함한다. 기판은 유기 절연층과 제1 댐 사이의 비표시 영역에 위치하는 제1 그루브를 갖는다.

Description

표시 장치 및 그 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
평판 표시 장치는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치를 대체하는 표시 장치로서 사용되고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로서 액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치가 있다.
상기 표시 장치는 표시 영역 및 비표시 영역을 포함할 수 있다. 상기 표시 영역에는 광을 생성하는 발광 소자가 배치될 수 있다. 상기 표시 장치는 상기 표시 영역을 봉지하여 상기 발광 소자를 보호하는 봉지층을 포함할 수 있다. 상기 봉지층은 적어도 하나의 무기 봉지층과 적어도 하나의 유기 봉지층을 포함할 수 있다.
상기 유기 봉지층은 모노머와 같은 유기물을 사용하여 형성될 수 있다. 상기 유기 봉지층의 형성 시, 많은 양의 상기 유기물이 상기 표시 영역의 가장자리로 넘쳐 흐르는 경우, 상기 표시 장치의 불량이 발생할 수 있다.
본 발명의 일 목적은 신뢰성이 향상된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 신뢰성이 향상된 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 상술한 목적들에 의해 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외측에 위치하는 비표시 영역을 갖는 기판, 상기 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 유기 절연층, 상기 유기 절연층 상에 배치되는 발광 소자 및 상기 기판 상의 상기 비표시 영역에 배치되며, 상기 유기 절연층으로부터 이격되는 제1 댐을 포함할 수 있다. 상기 기판은 상기 유기 절연층과 상기 제1 댐 사이의 상기 비표시 영역에 위치하는 제1 그루브를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 그루브는 상기 유기 절연층 및 상기 제1 댐 각각으로부터 이격될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 유기 절연층으로부터 상기 제1 댐이 이격된 공간이 제1 개구부로 정의될 수 있다. 상기 제1 그루브는 상기 제1 개구부와 중첩할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 댐은 상기 유기 절연층으로부터 제1 방향으로 이격될 수 있다. 상기 제1 개구부는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 그루브는 평면도 상에서 서로 이격되는 복수의 그루브 패턴들을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 그루브 패턴들은 상기 제2 방향을 따라 배열될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 그루브는 평면도 상에서 스트라이프 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 그루브는 상기 제2 방향으로 연장될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제1 댐의 외측에 위치하며, 상기 제1 댐으로부터 이격되는 제2 댐을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판은 상기 제1 댐과 상기 제2 댐 사이에 위치하는 제2 그루브를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 그루브는 상기 제1 댐 및 상기 제2 댐 각각으로부터 이격될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 댐으로부터 상기 제2 댐이 이격된 공간이 제2 개구부로 정의될 수 있다. 상기 제2 그루브는 상기 제2 개구부와 중첩할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 기판과 상기 유기 절연층 사이의 상기 표시 영역 및 상기 비표시 영역에 배치되는 무기 절연층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 무기 절연층은 상기 제1 그루브의 측면 및 바닥면을 커버할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 무기 절연층은 상기 제1 그루브를 노출시키는 홀을 가질 수 있다. 상기 홀의 측면과 상기 제1 그루브의 측면은 서로 얼라인될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 유기 절연층 상에 배치되며, 상기 발광 소자를 커버하는 제1 무기 봉지층, 상기 제1 무기 봉지층 상에 배치되며 상기 표시 영역을 커버하고, 상기 제1 댐의 내측에 위치하는 유기 봉지층 및 상기 유기 봉지층 상에 배치되는 제2 무기 봉지층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 무기 봉지층 및 상기 제2 무기 봉지층은 상기 제1 댐의 외측으로 연장될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 무기 봉지층은 상기 제1 그루브의 측면 및 바닥면을 커버할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 무기 봉지층은 상기 제1 그루브를 노출시키는 홀을 가질 수 있다. 상기 홀의 측면과 상기 제1 그루브의 측면은 서로 얼라인될 수 있다.
상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법은 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외측에 위치하는 비표시 영역을 갖는 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상의 상기 비표시 영역에 그루브를 형성하는 단계, 상기 기판 상의 상기 표시 영역에 유기 절연층을 형성하는 단계, 상기 유기 절연층 상에 발광 소자를 형성하는 단계, 상기 유기 절연층 상에 상기 발광 소자를 커버하는 제1 무기 봉지층을 형성하는 단계, 상기 제1 무기 봉지층 상에 상기 표시 영역을 커버하는 유기 봉지층을 형성하는 단계, 상기 그루브를 이용하여 상기 유기 봉지층을 검사하는 단계 및 상기 유기 봉지층 상에 제2 무기 봉지층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 유기 절연층은 상기 그루브로부터 이격될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치의 제조 방법은 상기 기판 상의 상기 비표시 영역에 상기 그루브의 외측에 위치하며, 상기 그루브로부터 이격되는 댐을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 댐을 형성하는 단계는 상기 유기 절연층을 형성하는 단계와 동시에 수행될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 유기 봉지층을 검사하는 단계는, 상기 그루브가 형성된 상기 비표시 영역을 촬영한 이미지에 기초하여, 상기 유기 봉지층이 상기 비표시 영역으로 연장되는 정도를 검사할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 유기 봉지층을 검사하는 단계는, 상기 이미지로부터 상기 그루브의 가장자리의 선명도를 검출할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 무기 봉지층은 상기 기판과 상기 유기 절연층 상의 상기 표시 영역 및 상기 비표시 영역에 전체적으로 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 무기 봉지층은 상기 그루브의 측면 및 바닥면을 커버할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 그루브를 형성하는 단계는, 상기 제1 무기 봉지층을 형성하는 단계와 상기 유기 봉지층을 형성하는 단계 사이에 수행될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 무기 봉지층은 상기 그루브를 노출시키는 홀을 가질 수 있다. 상기 홀의 측면과 상기 그루브의 측면은 서로 얼라인될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 표시 영역과 비표시 영역을 갖는 기판 및 상기 기판 상의 비표시 영역에 형성되는 댐을 포함할 수 있다. 상기 기판은 상기 표시 영역과 상기 댐 사이에 형성되는 그루브를 가질 수 있다. 상기 그루브의 가장자리의 선명도에 기초하여 유기 봉지층의 탄착 지점이 정밀하게 판단될 수 있다. 따라서, 상기 표시 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 3a 내지 도 3d는 도 1의 'A' 영역을 확대 도시한 평면도들이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 첨부된 도면들 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)에서는 영상이 표시될 수 있다. 예를 들면, 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 외측에 위치할 수 있다. 예를 들면, 비표시 영역(NDA)은 평면도 상에서 표시 영역(DA)을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다.
표시 영역(DA)에는 복수의 화소들이 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 화소들은 제1 방향(DR1) 및 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)을 따라 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 예를 들면, 제2 방향(DR2)은 제1 방향(DR1)에 수직할 수 있다. 상기 화소들 각각은 트랜지스터 및 발광 소자를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자는 광을 생성할 수 있다. 예를 들면, 상기 발광 소자는 유기 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 다른 예를 들면, 상기 발광 소자는 나노 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 일 실시예에 있어서, 표시 장치(10)는 기판(100), 트랜지스터(200), 게이트 절연층(111), 층간 절연층(113), 제1 유기 절연층(122), 제2 유기 절연층(124), 발광 소자(300), 봉지층(400), 제1 댐(510) 및 제2 댐(520)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 트랜지스터(200)는 활성층(210), 게이트 전극(220), 소스 전극(232) 및 드레인 전극(234)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 발광 소자(300)는 화소 전극(310), 발광층(320) 및 공통 전극(330)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 봉지층(400)은 제1 무기 봉지층(410), 유기 봉지층(420) 및 제2 무기 봉지층(430)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 투명한 절연성 기판일 수 있다. 예를 들면, 기판(100)은 플라스틱 등으로 형성되는 가요성 기판일 수 있다. 구체적인 예로, 기판(100)은 폴리이미드(polyimide, PI) 기판일 수 있다. 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등을 포함할 수 있다. 다른 예를 들면, 기판(100)은 석영(quartz) 기판, 합성 석영(synthetic quartz) 기판, 불화칼슘(calcium fluoride) 기판, 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz) 기판, 소다라임(sodalime) 유리 기판, 무알칼리(non-alkali) 유리 기판 등을 포함할 수도 있다.
기판(100)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 가질 수 있다. 일 실시예에 있어서, 비표시 영역(NDA)은 제1 영역(1A), 제1 댐 영역(DMA1), 제2 영역(2A), 제2 댐 영역(DMA2) 및 제3 영역(3A)을 포함할 수 있다. 제1 댐 영역(DMA1)은 표시 영역(DA)의 외측에 위치하며, 표시 영역(DA)으로부터 이격될 수 있다. 제2 댐 영역(DMA2)은 제1 댐 영역(DMA1)의 외측에 위치하며, 제1 댐 영역(DMA1)으로부터 이격될 수 있다. 제1 영역(1A)은 표시 영역(DA)과 제1 댐 영역(DMA) 사이에 위치할 수 있다. 제2 영역(2A)은 제1 댐 영역(DMA1)과 제2 댐 영역(DMA2) 사이에 위치할 수 있다. 제3 영역(3A)은 제2 댐 영역(DMA2)의 외측에 위치할 수 있다.
도 2의 예시에서, 표시 영역(DA)의 외측은 제1 방향(DR1)을 의미할 수 있다. 즉, 제1 댐 영역(DMA1)은 표시 영역(DA)으로부터 제1 방향(DR1)으로 이격되고, 제2 댐 영역(DMA2)은 제1 댐 영역(DMA1)으로부터 제1 방향(DR1)으로 이격될 수 있다.
예를 들면, 제1 영역(1A)은 그루브 영역(GA), 제1-1 영역(1-1A) 및 제1-2 영역(1-2A)을 포함할 수 있다. 그루브 영역(GA)은 표시 영역(DA)과 제1 댐 영역(DMA1) 사이에 위치할 수 있다. 그루브 영역(GA)은 표시 영역(DA) 및 제1 댐 영역(DMA1) 각각으로부터 이격될 수 있다. 제1-1 영역(1-1A)은 표시 영역(DA)과 그루브 영역(GA) 사이에 위치할 수 있다. 제1-2 영역(1-2A)은 그루브 영역(GA)과 제1 댐 영역(DMA1) 사이에 위치할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 기판(100)은 제1 그루브(G1)를 가질 수 있다. 제1 그루브(G1)는 기판(100)의 그루브 영역(GA)에 형성될 수 있다. 제1 그루브(G1)는 표시 영역(DA) 및 제1 댐 영역(DMA1) 각각으로부터 이격될 수 있다.
예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 그루브(G1)의 측면(G1a)은 제1 그루브(G1)의 바닥면(G1b)에 대하여 상대적으로 큰 경사각(예컨대, 약 90°)을 가질 수 있다. 다른 예를 들면, 제1 그루브(G1)의 측면(G1a)은 제1 그루브(G1)의 바닥면(G1b)에 대하여 상대적으로 작은 경사각을 가지며, 사선으로 기울어지는 단면 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 경사각은 제1 그루브(G1)의 형성 공정(예컨대, 레이저 드릴링 공정)에 따라 다양하게 조절될 수 있다.
예를 들면, 기판(100)은 폴리이미드 기판일 수 있다. 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 상기 제1 폴리이미드층 상에 배치되는 배리어 필름층, 상기 배리어 필름층 상에 배치되는 제2 폴리이미드층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 그루브(G1)는 상기 제2 폴리이미드층에 형성될 수 있다.
활성층(210)은 기판(100) 상의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 활성층(210)은 실리콘 반도체, 산화물 반도체 등을 포함할 수 있다. 상기 실리콘 반도체는 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등을 포함할 수 있다. 활성층(210)은 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함할 수 있다. 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역에는 불순물이 도핑될 수 있다. 상기 채널 영역은 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 도면에 도시되지는 않았으나, 기판(100)과 활성층(210) 사이에는 버퍼층이 배치될 수 있다. 즉, 활성층(210)은 상기 버퍼층 상의 상기 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 상기 버퍼층은 기판(100)으로부터 불순물이 활성층(210)으로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 티타늄 산화물(TiOx), 탄탈륨 산화물(TaOx) 등과 같은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
게이트 절연층(111)은 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(111)은 기판(100) 상의 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 전체적으로 배치될 수 있다. 표시 영역(DA)에 배치된 게이트 절연층(111)은 기판(100) 상에서 활성층(210)을 커버할 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(111)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
게이트 전극(220)은 게이트 절연층(111) 상의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 게이트 전극(220)은 활성층(210)의 상기 채널 영역에 중첩할 수 있다. 게이트 전극(220)은 금속, 합금, 도전성 금속 산화물, 도전성 금속 질화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(220)은 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다.
층간 절연층(113)은 게이트 절연층(111) 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(113)은 게이트 절연층(111) 상의 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(PA)에 전체적으로 배치될 수 있다. 표시 영역(DA)에 배치된 층간 절연층(113)은 게이트 절연층(111) 상에서 게이트 전극(220)을 커버할 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(113)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 버퍼층, 게이트 절연층(111) 및 층간 절연층(113)은 무기 절연층(110)으로 지칭될 수 있다. 무기 절연층(110)은 기판(100)과 제1 유기 절연층(122) 사이의 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 전체적으로 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 도 2에 도시된 바와 같이, 무기 절연층(110)은 제1 그루브(G1)의 측면(G1a) 및 바닥면(G1b)을 커버할 수 있다. 예를 들면, 기판(100)에 제1 그루브(G1)가 형성된 이후에, 기판(100) 상에 무기 절연층(110)이 기판(100) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 이에 대하여는, 도 5a 내지 도 5g를 참조하여 상세히 후술한다.
소스 전극(232) 및 드레인 전극(234)은 층간 절연층(113) 상의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 소스 전극(232) 및 드레인 전극(234)은 활성층(210)의 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역에 각각 연결될 수 있다. 소스 전극(232) 및 드레인 전극(234)은 금속, 합금, 도전성 금속 산화물, 도전성 금속 질화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 활성층(210), 게이트 전극(220), 소스 전극(232) 및 드레인 전극(234)은 트랜지스터(200)를 형성할 수 있다. 즉, 트랜지스터(200)는 기판(100) 상의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다.
제1 유기 절연층(122)은 층간 절연층(113) 상의 표시 영역(DA)에 배치되며, 트랜지스터(200)를 커버할 수 있다. 예를 들면, 제1 유기 절연층(122)은 평탄화층일 수 있다. 제1 유기 절연층(122)은 층간 절연층(113) 상에서 소스 전극(232) 및 드레인 전극(234)을 커버할 수 있다. 제1 유기 절연층(122)은 소스 전극(232) 및 드레인 전극(234)의 주위에 단차를 생성시키지 않고, 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 제1 유기 절연층(122)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 유기 절연층(122)은 포토레지스트(photoresist), 폴리아크릴계 수지(polyacryl-based region), 폴리이미드계 수지(polyimide-based resin), 폴리아미드계 수지(polyamide-based resin), 실롯산계 수지(siloxane-based resin), 아크릴계 수지(acryl-based resin), 에폭시계 수지(epoxy-based resin) 등을 포함할 수 있다.
화소 전극(310)은 제1 유기 절연층(122) 상의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 화소 전극(310)은 소스 전극(232) 또는 드레인 전극(234)에 연결될 수 있다. 즉, 화소 전극(310)은 트랜지스터(200) 상에 배치되고, 트랜지스터(200)와 전기적으로 연결될 수 있다. 화소 전극(310)은 금속, 합금, 도전성 금속 질화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
제2 유기 절연층(124)은 제1 유기 절연층(122) 상의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 제2 유기 절연층(124)은 화소 정의막일 수 있다. 제2 유기 절연층(124)은 제1 유기 절연층(122) 상에서 화소 전극(310)을 부분적으로 커버할 수 있다. 제2 유기 절연층(124)은 화소 전극(310)의 적어도 일부를 노출시키는 화소 개구를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 개구는 화소 전극(310)의 중앙부를 노출시키고, 제2 유기 절연층(124)은 화소 전극(310)의 주변부를 커버할 수 있다. 제2 유기 절연층(124)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
제1 유기 절연층(122) 및 제2 유기 절연층(124)은 유기 절연층(120)으로 지칭될 수 있다. 제1 그루브(G1)는 유기 절연층(120)으로부터 제1 방향(DR1)으로 이격될 수 있다.
발광층(320)은 상기 화소 개구에 의해 노출되는 화소 전극(310) 상에 배치될 수 있다. 즉, 발광층(320)은 상기 화소 개구 내에 배치될 수 있다. 발광층(320)은 화소 전극(310)과 공통 전극(330) 사이에 배치될 수 있다. 발광층(320)은 유기 발광 물질 및 양자점 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 유기 발광 물질은 저분자 유기 화합물 또는 고분자 유기 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 저분자 유기 화합물은 구리 프탈로사이아닌(copper phthalocyanine), 다이페닐벤지딘(N,N'-diphenylbenzidine), 트리 하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum) 등을 포함할 수 있고, 상기 고분자 유기 화합물은 폴리에틸렌다이옥시티오펜(poly(3,4-ethylenedioxythiophene), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리페닐렌비닐렌(poly-phenylenevinylene), 폴리플루오렌(polyfluorene) 등을 포함할 수 있다.
공통 전극(330)은 발광층(320) 상에 배치되며, 화소 전극(310)과 중첩할 수 있다. 예를 들면, 공통 전극(330)은 제2 유기 절연층(124) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 공통 전극(330)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 전체적으로 배치될 수도 있다. 예컨대, 공통 전극(330)은 제1 그루브(G1)의 측면(G1a) 및 바닥면(G1b)을 커버할 수 있다. 이와 달리, 공통 전극(330)은 표시 영역(DA)에만 배치될 수도 있다. 공통 전극(330)은 금속, 합금, 도전성 금속 산화물, 도전성 금속 질화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
화소 전극(310), 발광층(320) 및 공통 전극(330)은 발광 소자(300)를 형성할 수 있다. 발광 소자(300)는 제1 유기 절연층(122) 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 유기 절연층(124) 상의 표시 영역(DA)에는 스페이서(130)가 배치될 수 있다. 스페이서(130)는 발광층(320)의 형성 시, 마스크(미도시)와 기판(100) 사이의 이격 거리를 유지할 수 있다. 따라서, 스페이서(130)는 발광층(320)이 상기 마스크에 의해 찍히거나 뜯기는 불량을 방지할 수 있다.
스페이서(140)는 제2 유기 절연층(124)과 동일한 재료 또는 상이한 재료로 형성될 수 있다. 예를 들면, 하프톤 마스크를 이용하여 제2 유기 절연층(124) 및 스페이서(140)를 형성하는 경우, 제2 유기 절연층(124)과 스페이서(140)는 서로 다른 높이를 갖도록 실질적으로 동시에 형성될 수 있다.
제1 댐(510) 및 제2 댐(520)은 기판(100) 상의 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 제1 댐(510) 및 제2 댐(520)은 모노머(monomer)와 같은 유기물을 사용하여 유기 봉지층(420)을 형성할 때, 상기 유기물이 기판(100)의 가장자리 방향(예컨대, 도 2의 제1 방향(DR1))으로 넘쳐 흐르는 것(overflow)을 방지할 수 있다.
예를 들면, 제1 댐(510)은 층간 절연층(113) 상의 제1 댐 영역(DMA1)에 배치될 수 있다. 즉, 제1 댐(510)은 유기 절연층(120)으로부터 제1 방향(DR1)으로 이격될 수 있다.
예를 들면, 제2 댐(520)은 층간 절연층(113) 상의 제2 댐 영역(DMA2)에 배치될 수 있다. 즉, 제2 댐(520)은 제1 댐(510)의 외측에 위치하며, 제1 댐(510)으로부터 제1 방향(DR1)으로 이격될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 댐(510) 및 제2 댐(520) 각각은 복수의 층들이 적층된 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 댐(510) 및 제2 댐(520)은 각각 제1 층(511, 521), 제2 층(512, 522) 및 제3 층(513, 523)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 층들(511, 521)은 제1 유기 절연층(122)과 실질적으로 동시에 형성될 수 있다. 제2 층들(512, 522)은 제2 유기 절연층(124)과 실질적으로 동시에 형성될 수 있다. 제3 층들(513, 523)은 스페이서(130)와 실질적으로 동시에 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 본 발명은 이에 제한되지 않는다.
일 실시예에 있어서, 유기 절연층(120)과 제1 댐(510) 사이에는 제1 개구부(OP1)가 형성될 수 있다. 즉, 제1 개구부(OP1)는 유기 절연층(120)으로부터 제1 댐(510)이 이격된 공간으로 정의될 수 있다. 제1 개구부(OP1)는 제1 영역(1A)과 중첩할 수 있다.
제1 그루브(G1)는 유기 절연층(120)과 제1 댐(510) 사이의 비표시 영역(NDA)에 위치할 수 있다. 즉, 제1 그루브(G1)는 제1 개구부(OP1)와 중첩할 수 있다. 제1 그루브(G1)는 유기 절연층(120) 및 제1 댐(510) 각각으로부터 이격될 수 있다.
제1 댐(510)과 제2 댐(520) 사이에는 제2 개구부(OP1)가 형성될 수 있다. 즉, 제2 개구부(OP2)는 제1 댐(510)으로부터 제2 댐(520)이 이격된 공간으로 정의될 수 있다. 제2 개구부(OP2)는 제2 영역(2A)과 중첩할 수 있다.
봉지층(400)은 공통 전극(330) 상에 배치될 수 있다. 봉지층(400)은 발광 소자(300)를 커버할 수 있다. 봉지층(400)은 표시 영역(DA)을 봉지하여 외부의 불순물로부터 발광 소자(300)를 보호할 수 있다.
봉지층(400)은 적어도 하나의 무기 봉지층 및 적어도 하나의 유기 봉지층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 봉지층(400)은 제1 무기 봉지층(410), 유기 봉지층(420) 및 제2 무기 봉지층(430)을 포함할 수 있다.
제1 무기 봉지층(410)은 공통 전극(330) 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1 무기 봉지층(410)은 공통 전극(330)의 프로파일을 따라 실질적으로 균일한 두께를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 무기 봉지층(410) 및 제2 무기 봉지층(430)은 기판(100) 상의 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 전체적으로 배치될 수 있다. 즉, 제1 무기 봉지층(410) 및 제2 무기 봉지층(430)은 표시 영역(DA)을 커버하며, 제1 댐(510)의 외측으로 연장될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 무기 봉지층(410)은 제1 그루브(G1)의 측면(G1a) 및 바닥면(G1b)을 커버할 수 있다. 예를 들면, 기판(100)에 제1 그루브(G1)가 형성된 이후에, 기판(100) 상에 제1 무기 봉지층(410)이 전체적으로 형성될 수 있다.
유기 봉지층(420)은 제1 무기 봉지층(410) 상에 배치되며, 표시 영역(DA)을 커버할 수 있다. 유기 봉지층(420)은 제1 무기 봉지층(410)의 주위에 단차를 생성시키지 않고, 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 유기 봉지층(420)은 투명한 모노머와 같은 유기물을 이용한 잉크젯 공정에 의해 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 유기물의 양이 많거나 상기 유기물의 토출 위치가 기판(100)의 외측 방향으로(예컨대, 제1 방향(DR1)) 치우칠 경우, 상기 유기물이 제1 댐(510) 또는 제2 댐(520)의 외측으로 넘쳐 흐르는 오버플로우 현상이 발생할 수 있다. 이와 달리, 상기 유기물의 양이 적거나 상기 유기물의 토출 위치가 제1 방향(DR1)의 반대 방향으로 치우칠 경우, 유기 봉지층(420)이 표시 영역(DA)의 일부를 커버하지 못하거나 제1 및 제2 무기 봉지층들(410, 430)에 크랙이 발생할 수 있다. 따라서, 상기 유기물이 타겟 지점에 정확하게 토출되고 탄착되는지 여부를 정밀하게 모니터링하고 조절할 필요가 있다.
일 실시예에 있어서, 유기 봉지층(420)은 제1 댐(510)의 내측에 위치할 수 있다. 예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이, 유기 봉지층(420)의 가장자리(421a)는 제1 댐(510) 상에 위치할 수 있다. 또는, 유기 봉지층(420)의 가장자리(421b, 421c, 421d)는 제1-2 영역(1-2A)에 위치하거나, 그루브 영역(GA)에 위치하거나, 제1-1 영역(1-1A)에 위치할 수 있다.
다른 실시예에 있어서, 유기 봉지층(420)은 제1 댐(510)의 외측 및 제2 댐(520)의 내측에 위치할 수 있다. 즉, 도면에 도시되지는 않았으나, 유기 봉지층(420)의 가장자리는 제2 영역(2A)에 위치할 수도 있다.
종래의 비교예에 따른 표시 장치에 의하면, 댐의 가장자리의 선명도에 기초하여 유기 봉지층의 가장자리의 위치를 판단할 수 있다. 예를 들면, 상기 유기 봉지층의 상기 가장자리가 상기 댐의 내측에 위치하는 경우, 상기 댐의 상기 가장자리는 상대적으로 높은 선명도를 가질 수 있다. 이와 달리, 상기 유기 봉지층의 상기 가장자리가 상기 댐의 외측에 위치하는 경우(즉, 상기 유기 봉지층이 상기 댐을 덮는 경우), 상기 댐의 상기 가장자리는 상대적으로 낮은 선명도를 가질 수 있다. 그러나, 상기 유기 봉지층의 상기 가장자리가 표시 영역과 상기 댐 사이에 위치하는 경우(예컨대, 도 2의 421b, 421c, 421d), 상기 유기 봉지층의 상기 가장자리의 위치를 정밀하게 판단하기 어려운 문제가 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)에 의하면, 유기 절연층(120)과 제1 댐(510) 사이에 제1 그루브(G1)가 형성될 수 있다. 그리고, 유기 봉지층(420)이 형성된 이후에 제1 그루브(G1)의 가장자리의 선명도에 기초하여 유기 봉지층(420)의 가장자리의 위치를 판단할 수 있다. 예를 들면, 유기 봉지층(420)의 가장자리(421d)가 제1-1 영역(1-1A)에 위치하는 경우, 제1 그루브(G1)의 가장자리는 상대적으로 높은 선명도를 가질 수 있다. 유기 봉지층(420)의 가장자리(421b)가 제1-2 영역(1-2A)에 위치하는 경우, 제1 그루브(G1)의 가장자리는 상대적으로 낮은 선명도를 가질 수 있다. 유기 봉지층(420)의 가장자리(421c)가 그루브 영역(GA)에 위치하는 경우, 제1 그루브(G1)의 가장자리의 일부는 상대적으로 낮은 선명도를 갖고, 다른 일부는 상대적으로 높은 선명도를 가질 수 있다. 즉, 표시 장치(10)는 제1 그루브(G1)를 이용하여 유기 봉지층(420)의 가장자리의 위치를 보다 정밀하게 판단할 수 있다. 이에 따라, 표시 장치(10)는 유기 봉지층(420)의 유기물이 타겟 지점에 정확하게 토출되고 탄착되는지 여부를 정밀하게 판단하고 조절할 수 있다. 따라서, 표시 장치(10)의 신뢰성이 향상될 수 있다.
또한, 제1 그루브(G1)의 내부 공간에 유기 봉지층(420)의 유기물이 수용될 수 있다. 따라서, 제1 그루브(G1)는 상기 유기물의 흐름을 제어하여 상기 유기물의 오버 플로우 현상을 방지하거나 줄일 수 있다. 또한, 표시 장치(10)의 데드 스페이스를 줄이기 위해 제1 댐(510) 또는 제2 댐(520)이 생략되더라도, 제1 그루브(G1)에 의해 유기 봉지층(420)의 흐름이 제어될 수 있으며, 유기 봉지층(420)의 가장자리의 위치가 판단될 수 있다. 따라서, 표시 장치(10)의 데드 스페이스가 감소될 수 있다.
도 3a 내지 도 3d는 도 1의 'A' 영역을 확대 도시한 평면도들이다. 예를 들면, 도 3a 내지 도 3d는 제1 그루브(G1)의 형상의 다양한 실시예들을 도시한 평면도들이다.
도 1, 도 2 및 도 3a를 참조하면, 일 실시예에 있어서, 제1 그루브(G1)는 평면도 상에서 서로 이격되는 복수의 그루브 패턴들을 포함할 수 있다. 예를 들면, 표시 장치(10)의 제1 방향(DR1) 측 가장자리에 위치하는 제1 개구부(OP1)는 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 상기 그루브 패턴들은 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다. 즉, 상기 그루브 패턴들은 평면도 상에서 서로 분리된 복수의 아일랜드 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 그루브 패턴들은 제2 방향(DR2)을 따라 소정의 간격으로 이격될 수 있다. 도 3a의 예시에는 상기 그루브 패턴들 각각이 원형의 평면 형상을 갖는 것으로 도시되었으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 예컨대, 상기 그루브 패턴들 각각은 삼각형, 사각형, 마름모, 다각형, 타원형 등의 다양한 평면 형상을 가질 수 있다.
도 1, 도 2 및 도 3b를 참조하면, 일 실시예에 있어서, 제1 그루브(G1)의 적어도 일부는 평면도 상에서 스트라이프 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 표시 장치(10)의 제1 방향(DR1) 측 가장자리에 위치하는 제1 그루브(G1)는 제2 방향(DR2)으로 연장되는 스트라이프 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 그루브(G1)는 평면도 상에서 전체적으로 표시 영역(DA)을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다.
도 1, 도 2 및 도 3c를 참조하면, 일 실시예에 있어서, 제1 그루브(G1)는 제1 개구부(OP1)의 내부에서 제1 방향(DR1)을 따라 서로 이격되는 그루브 그룹들을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 개구부(OP1)의 제1 방향(DR1)으로의 길이가 상대적으로 넓은 경우, 제1 개구부(OP1)의 내부에는 2개 이상의 상기 그루브 그룹들이 제1 방향(DR1)으로 배열될 수 있다.
도 1, 도 2 및 도 3d를 참조하면, 일 실시예에 있어서, 기판(100)은 제1 댐(510)과 제2 댐(520) 사이에 위치하는 제2 그루브(G2)를 가질 수 있다. 제2 그루브(G2)는 제1 댐(510) 및 제2 댐(520) 각각으로부터 이격될 수 있다. 제2 그루브(G2)는 제2 영역(2A) 및 제2 개구부(OP2)와 중첩할 수 있다. 기판(100)이 제2 그루브(G2)를 갖는 경우, 유기 봉지층(420)의 가장자리가 제1 댐(510)의 외측의 제2 영역(2A)에 위치하더라도, 유기 봉지층(420)의 상기 가장자리의 위치를 정밀하게 판단할 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도들이다. 도 4a 및 도 4b를 참조하여 설명하는 다른 실시예에 따른 표시 장치(11)는 게이트 절연층(112), 층간 절연층(114) 및 제1 무기 봉지층(411)의 구성을 제외하고는, 도 2를 참조하여 설명한 일 실시예에 따른 표시 장치(10)와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 따라서, 중복되는 설명은 생략하거나 간략화하기로 한다.
도 4a를 참조하면, 일 실시예에 있어서, 게이트 절연층(112), 층간 절연층(114) 및 제1 무기 봉지층(411)은 제1 그루브(G1)를 노출시키는 홀을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 그루브(G1)의 바닥면(G1b)은 상기 홀에 의해 노출될 수 있다.
예를 들면, 상기 홀의 측면(112a, 114a, 411a)과 제1 그루브(G1)의 측면(G1a)은 서로 얼라인될 수 있다. 즉, 상기 홀의 측면(112a, 114a, 411a)과 제1 그루브(G1)의 측면(G1a)은 동일한 평면을(제1 그루브(G1)가 원형의 평면 형상을 갖는 경우, 동일한 곡면을) 정의할 수 있다. 다시 말하면, 상기 홀과 제1 그루브(G1)는 동일한 경사면을 공유할 수 있다.
상기 홀은 제1 그루브(G1)와 실질적으로 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 기판(100) 상에 게이트 절연층(112), 층간 절연층(114) 및 제1 무기 봉지층(411)이 형성된 이후에, 레이저 드릴링 공정에 의해 상기 홀 및 제1 그루브(G1)가 실질적으로 동시에 형성될 수 있다.
도 4b를 참조하면, 일 실시예에 있어서, 상기 레이저 드릴링 공정에 의해 기판(100)을 제외한 게이트 절연층(112), 층간 절연층(114) 및 제1 무기 봉지층(411)이 제거될 수도 있다. 이 경우, 게이트 절연층(112), 층간 절연층(114) 및 제1 무기 봉지층(411)은 그루브 영역(GA)과 중첩하는 홀을 가질 수 있다. 표시 장치(11)는 상기 홀의 가장자리의 선명도에 기초하여, 유기 봉지층(420)의 가장자리의 위치를 판단할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 도면에 도시되지는 않았으나, 기판(100) 상에 게이트 절연층(112)이 형성된 이후에, 제1 그루브(G1)가 형성될 수 있다. 그리고, 기판(100) 상에 층간 절연층(114) 및 제1 무기 봉지층(411)이 형성될 수 있다. 이 경우, 게이트 절연층(112)은 제1 그루브(G1)를 노출시키는 홀을 가질 수 있다. 층간 절연층(114) 및 제1 무기 봉지층(411)은 제1 그루브(G1)의 측면(G1a) 및 바닥면(G1b)을 커버할 수 있다.
예시적인 실시예에 있어서, 도면에 도시되지는 않았으나, 기판(100) 상에 게이트 절연층(112) 및 층간 절연층(114)이 형성된 이후에, 제1 그루브(G1)가 형성될 수 있다. 그리고, 기판(100) 상에 제1 무기 봉지층(411)이 형성될 수 있다. 이 경우, 게이트 절연층(112) 및 층간 절연층(114)은 제1 그루브(G1)를 노출시키는 홀을 가질 수 있다. 제1 무기 봉지층(411)은 제1 그루브(G1)의 측면(G1a) 및 바닥면(G1b)을 커버할 수 있다.
도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다. 예를 들면, 도 5a 내지 도 5g는 도 2의 표시 장치(10)의 제조 방법을 나타낼 수 있다.
도 5a를 참조하면, 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 갖는 기판(100)을 준비할 수 있다. 예를 들면, 기판(100)은 폴리이미드 기판일 수 있다. 이 경우, 기판(100)의 하부에는 캐리어 글라스(미도시)가 배치될 수 있다. 다른 예를 들면, 기판(100)은 유리, 쿼츠 등을 포함할 수 있다.
기판(100) 상의 비표시 영역(NDA)에 제1 그루브(G1)를 형성할 수 있다. 제1 그루브(G1)는 그루브 영역(GA)과 중첩하는 기판(100)의 일면에 형성될 수 있다. 제1 그루브(G1)는 표시 영역(DA)으로부터 이격될 수 있다.
제1 그루브(G1)는 알려진 다양한 방법을 통해 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 그루브(G1)는 레이저 드릴링을 이용하여 형성되거나, 포토리소그라피 공정을 이용한 습식 식각 또는 건식 식각 등을 통해 형성될 수 있다.
예를 들면, 제1 그루브(G1)는 측면(G1a)이 바닥면(G1b)에 대하여 상대적으로 큰 경사각을 갖도록 형성될 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 제1 그루브(G1)는 측면(G1a)이 바닥면(G1b)에 대하여 상대적으로 작은 경사각을 가지며, 사선으로 기울어지는 단면 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 경사각은 상기 레이저 드릴링 공정 시 조사되는 레이저 빔의 강도 분포(intensity distribution) 등에 의해 조절될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 그루브(G1)는 평면도 상에서 서로 이격되는 복수의 그루브 패턴들을 포함하도록 형성될 수 있다. 상기 그루브 패턴들은 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다. 즉, 상기 그루브 패턴들은 평면도 상에서 서로 분리된 복수의 아일랜드 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 그루브 패턴들은 제2 방향(DR2)을 따라 소정의 간격으로 이격될 수 있다. 상기 그루브 패턴들 각각은 원형, 삼각형, 사각형, 마름모, 다각형, 타원형 등의 다양한 평면 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 그루브(G1)는 적어도 일부가 평면도 상에서 스트라이프 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 표시 장치(10)의 제1 방향(DR1)측 가장자리에 위치하는 제1 그루브(G1)는 제2 방향(DR2)으로 연장되는 스트라이프 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 그루브(G1)는 평면도 상에서 전체적으로 표시 영역(DA)을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다.
도 5b를 참조하면, 기판(100) 상의 표시 영역(DA)에 활성층(210)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 활성층(210)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 산화물 반도체 등을 사용하여 형성될 수 있다.
기판(100) 및 활성층(210) 상에 게이트 절연층(111)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(111)은 기판(110) 상의 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(111)은 무기 절연 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
표시 영역(DA)에 형성된 게이트 절연층(111)은 기판(100) 상에서 활성층(210)을 커버할 수 있다. 비표시 영역(NDA)에 형성된 게이트 절연층(111)은 제1 그루브(G1)의 측면(G1a) 및 바닥면(G1b)을 커버할 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(111)은 활성층(210) 및 제1 그루브(G1)의 프로파일을 따라 실질적으로 균일한 두께를 가질 수 있다.
도 5c를 참조하면, 게이트 절연층(111) 상의 표시 영역(DA)에 게이트 전극(220)을 형성할 수 있다. 게이트 전극(220)은 활성층(210)의 상기 채널 영역에 중첩하도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(220)은 금속, 합금, 도전성 금속 산화물, 도전성 금속 질화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
게이트 절연층(111) 및 게이트 전극(220) 상에 층간 절연층(113)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(113)은 게이트 절연층(111) 상의 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(113)은 무기 절연 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
표시 영역(DA)에 형성된 층간 절연층(113)은 게이트 절연층(111) 상에서 게이트 전극(220)을 커버할 수 있다. 비표시 영역(NDA)에 형성된 층간 절연층(113)은 제1 그루브(G1)의 측면(G1a) 및 바닥면(G1b)을 커버할 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(113)은 게이트 절연층(111) 및 게이트 전극(220)의 프로파일을 따라 실질적으로 균일한 두께를 가질 수 있다.
도 5d를 참조하면, 활성층(210)의 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 각각에 중첩하도록 게이트 절연층(111) 및 층간 절연층(113)에 콘택홀들을 형성할 수 있다. 또한, 상기 콘택홀들 각각과 중첩하도록 층간 절연층(113) 상에 소스 전극(232) 및 드레인 전극(234)을 형성할 수 있다. 소스 전극(232) 및 드레인 전극(234)은 상기 콘택홀들 각각을 통해 활성층(210)의 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역에 각각 연결될 수 있다. 이에 따라, 기판(100) 상의 표시 영역(DA)에 활성층(210), 게이트 전극(220), 소스 전극(232) 및 드레인 전극(234)을 포함하는 트랜지스터(200)가 형성될 수 있다.
기판(100) 상의 표시 영역(DA)에 트랜지스터(200)를 커버하는 제1 유기 절연층(122)을 형성할 수 있다. 제1 유기 절연층(122)은 제1 그루브(G1)로부터 제1 방향(DR1)의 반대 방향으로 이격될 수 있다. 제1 유기 절연층(122)은 층간 절연층(113), 소스 전극(232) 및 드레인 전극(234)을 커버할 수 있다. 제1 유기 절연층(122)은 유기 절연 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
제1 유기 절연층(122)에 콘택홀을 형성할 수 있다. 상기 콘택홀은 드레인 전극(234)의 상면의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 제1 유기 절연층(122) 상의 표시 영역(DA)에 화소 전극(310)을 형성할 수 있다. 화소 전극(310)은 상기 콘택홀을 통해 드레인 전극(234)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 화소 전극(310)은 금속, 합금, 도전성 금속 질화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
제1 유기 절연층(122) 상의 표시 영역(DA)에 제2 유기 절연층(124)을 형성할 수 있다. 제2 유기 절연층(124)은 제1 그루브(G1)로부터 제1 방향(DR1)의 반대 방향으로 이격될 수 있다. 제2 유기 절연층(124)은 제1 유기 절연층(122) 상에서 화소 전극(310)을 부분적으로 덮을 수 있다. 제2 유기 절연층(124)에는 화소 전극(310)의 적어도 일부를 노출시키는 화소 개구가 형성될 수 있다. 제2 유기 절연층(124)은 유기 절연 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 유기 절연층(124) 상의 표시 영역(DA)에 스페이서(130)를 형성할 수 있다. 예를 들면, 스페이서(130)는 하프톤 마스크를 이용하여 제2 유기 절연층(124)과 실질적으로 동시에 형성될 수 있다. 이 경우, 스페이서(130)는 제2 유기 절연층(124)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
기판(100) 상의 비표시 영역(NDA)에 제1 댐(510) 및 제2 댐(520)을 형성할 수 있다. 제1 댐(510)은 제1 댐 영역(DMA1)에 형성될 수 있다. 즉, 제1 댐(510)은 유기 절연층(120) 및 제1 그루브(G1) 각각으로부터 제1 방향(DR1)으로 이격될 수 있다. 유기 절연층(120)으로부터 제1 댐(510)이 이격된 공간은 제1 개구부(OP1)로 정의될 수 있다.
제2 댐(520)은 제2 댐 영역(DMA2)에 형성될 수 있다. 즉, 제2 댐(520)은 제1 댐(510)으로부터 제1 방향(DR1)으로 이격될 수 있다. 제1 댐(510)으로부터 제2 댐(520)이 이격된 공간은 제2 개구부(OP2)로 정의될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 댐(510) 및 제2 댐(520)은 제1 유기 절연층(122), 제2 유기 절연층(124) 및 스페이서(130) 중 적어도 하나와 실질적으로 동시에 형성될 수 있다.
예를 들면, 제1 댐(510) 및 제2 댐(520)은 각각 제1 층(511, 521), 제2 층(512, 522) 및 제3 층(513, 523)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 층들(511, 521)은 제1 유기 절연층(122)과 실질적으로 동시에 형성될 수 있다. 제2 층들(512, 522)은 제2 유기 절연층(124)과 실질적으로 동시에 형성될 수 있다. 제3 층들(513, 523)은 스페이서(130)와 실질적으로 동시에 형성될 수 있다.
화소 전극(310) 상의 표시 영역(DA)에 발광층(320)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 발광층(320)은 제2 유기 절연층(124)의 상기 화소 개구에 의해 노출되는 화소 전극(310) 상에 형성될 수 있다. 발광층(320)은 유기 발광 물질 및 양자점 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다.
발광층(320) 상의 표시 영역(DA)에 공통 전극(330)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 공통 전극(330)은 제2 유기 절연층(124) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 공통 전극(330)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA) 전체에 걸쳐 형성될 수도 있다. 예컨대, 공통 전극(330)은 제1 그루브(G1)의 측면(G1a) 및 바닥면(G1b)을 커버할 수 있다. 이와 달리, 공통 전극(330)은 표시 영역(DA)에만 형성될 수도 있다.
예를 들면, 공통 전극(330)은 금속, 합금, 도전성 금속 산화물, 도전성 금속 질화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 기판(100) 및 유기 절연층(120) 상의 표시 영역(DA)에 화소 전극(310), 발광층(320) 및 공통 전극(330)을 포함하는 발광 소자(300)가 형성될 수 있다.
도 5e를 참조하면, 층간 절연층(113) 및 공통 전극(330) 상에 제1 무기 봉지층(410)을 형성할 수 있다. 제1 무기 봉지층(410)은 유기 절연층(120) 상에서 발광 소자(300)를 커버할 수 있다. 예를 들면, 제1 무기 봉지층(410)은 기판(100) 및 유기 절연층(120) 상의 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 전체적으로 형성될 수 있다. 제1 무기 봉지층(410)은 무기 절연 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
표시 영역(DA)에 형성된 제1 무기 봉지층(410)은 공통 전극(330)을 커버할 수 있다. 비표시 영역(NDA)에 형성된 제1 무기 봉지층(410)은 제1 그루브(G1), 제1 댐(510) 및 제2 댐(520)을 커버할 수 있다. 예를 들면, 제1 무기 봉지층(410)은 제1 그루브(G1)의 측면(G1a) 및 바닥면(G1b)을 커버할 수 있다. 예를 들면, 제1 무기 봉지층(410)은 공통 전극(330), 층간 절연층(113), 제1 댐(510) 및 제2 댐(520)의 프로파일을 따라 실질적으로 균일한 두께를 가질 수 있다.
제1 무기 봉지층(410) 상에 표시 영역(DA)을 커버하는 유기 봉지층(420)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 유기 봉지층(420)은 투명한 모노머와 같은 유기물을 사용하여 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 유기 봉지층(420)은 상기 기판(100) 상에 상기 유기물을 포함하는 잉크 또는 용액을 토출시키는 잉크젯 공정에 의해 형성될 수 있다. 이 경우, 표시 영역(DA)을 커버하는 유기 봉지층(420)의 일부는 표시 영역(DA)의 외측에 위치하는 비표시 영역(NDA)으로 연장될 수 있다. 즉, 유기 봉지층(420)의 가장자리는 비표시 영역(NDA)에 위치할 수 있다. 이하에서는, 도 5e에 도시된 바와 같이, 유기 봉지층(420)의 가장자리(421b)가 제1-2 영역(1-2A)에 위치하는 예시를 들어 설명한다.
도 5f를 참조하면, 제1 그루브(G1)를 이용하여 유기 봉지층(420)을 검사할 수 있다. 즉, 제1 그루브(G1)를 이용하여 유기 봉지층(420)의 가장자리의 위치를 판단함으로써, 유기 봉지층(420)이 비표시 영역(NDA)으로 연장되는 정도를 검사할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 평면 상에서 제1 그루브(G1)가 형성된 비표시 영역(NDA)을 촬영한 이미지에 기초하여 유기 봉지층(420)을 검사할 수 있다. 예를 들면, 상기 이미지로부터 제1 그루브(G1)의 가장자리의 선명도를 검출할 수 있다. 검출된 상기 선명도에 기초하여 유기 봉지층(420)의 가장자리의 위치를 판단할 수 있다. 예컨대, 도 5f에 도시된 바와 같이, 제1 그루브(G1)의 가장자리는 상대적으로 낮은 선명도를 가질 수 있다. 또한, 제1 댐(510) 및 제2 댐(520) 각각의 가장자리는 상대적으로 높은 선명도를 가질 수 있다. 이 경우, 유기 봉지층(420)의 가장자리(421b)는 제1 그루브(G1)와 제1 댐(510) 사이에 위치하는 것으로 판단될 수 있다.
도 5g를 참조하면, 유기 봉지층(420) 상에 제2 무기 봉지층(430)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 제2 무기 봉지층(430)은 기판(100) 상의 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 전체적으로 형성될 수 있다. 제2 무기 봉지층(430)은 무기 절연 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 의하면, 유기 절연층(120)과 제1 댐(510) 사이에 형성되는 제1 그루브(G1)를 이용하여, 유기 봉지층(420)의 가장자리의 위치를 정밀하게 판단할 수 있다. 즉, 상기 표시 장치의 제조 방법은 유기 봉지층(420)이 바람직하게 형성되었는지 여부를 정밀하게 검사할 수 있다. 따라서, 상기 표시 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다. 예를 들면, 도 6a 내지 도 6e는 도 4a의 표시 장치(11)의 제조 방법을 나타낼 수 있다.
도 6a 내지 도 6e 을 참조하여 설명하는 다른 실시예에 따른 표시 장치(11)의 제조 방법은 제1 그루브(G1)를 형성하는 단계가 제1 무기 봉지층(411)을 형성하는 단계와 유기 봉지층(420)을 형성하는 단계 사이에 수행되는 점을 제외하고는, 도 5a 내지 도 5g를 참조하여 설명한 일 실시예에 따른 표시 장치(10)의 제조 방법과 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 따라서, 중복되는 설명은 생략하거나 간략화하기로 한다.
도 6a를 참조하면, 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 갖는 기판(100)이 준비될 수 있다. 기판(100) 상의 표시 영역(DA)에는 활성층(210)이 형성될 수 있다. 기판(100) 및 활성층(210) 상에는 게이트 절연층(112)이 형성될 수 있다. 게이트 절연층(112) 상의 표시 영역(DA)에는 게이트 전극(220)이 형성될 수 있다. 게이트 절연층(112) 및 게이트 전극(220) 상에는 층간 절연층(114)이 형성될 수 있다. 층간 절연층(114) 상의 표시 영역(DA)에는 소스 전극(232) 및 드레인 전극(234)이 형성될 수 있다. 층간 절연층(114) 상의 표시 영역(DA)에는 제1 유기 절연층(122)이 형성될 수 있다. 제1 유기 절연층(122) 상의 표시 영역(DA)에는 제2 유기 절연층(124) 및 발광 소자(300)가 형성될 수 있다. 층간 절연층(114) 상의 비표시 영역(NDA)에는 제1 댐(510) 및 제2 댐(520)이 형성될 수 있다. 공통 전극(330) 및 층간 절연층(114) 상에는 제1 무기 봉지층(411)이 형성될 수 있다. 게이트 절연층(112), 층간 절연층(114) 및 제1 무기 봉지층(411)은 기판(100) 상의 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 전체적으로 형성될 수 있다.
도 6b를 참조하면, 기판(100)의 비표시 영역(NDA)에 제1 그루브(G1)를 형성할 수 있다. 제1 그루브(G1)는 그루브 영역(GA)에 중첩할 수 있다. 제1 그루브(G1)는 유기 절연층(120) 및 제1 댐(510)으로부터 이격될 수 있다.
게이트 절연층(112), 층간 절연층(114) 및 제1 무기 봉지층(411)의 비표시 영역(NDA)에 홀을 형성할 수 있다. 상기 홀은 제1 그루브(G1)를 노출시킬 수 있다. 예를 들면, 제1 그루브(G1)의 바닥면(G1b)은 상기 홀에 의해 노출될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 그루브(G1)와 상기 홀은 실질적으로 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(112), 층간 절연층(114) 및 제1 무기 봉지층(411)이 순차적으로 적층된 기판(100)의 그루브 영역(GA)에 레이저 빔을 조사하여 제1 그루브(G1)와 상기 홀을 형성할 수 있다.
예를 들면, 상기 홀의 측면(112a, 114a, 411a)과 제1 그루브(G1)의 측면(G1a)은 서로 얼라인될 수 있다. 즉, 상기 홀의 측면(112a, 114a, 411a)과 제1 그루브(G1)의 측면(G1a)은 동일한 평면을(제1 그루브(G1)가 원형의 평면 형상을 갖는 경우, 동일한 곡면을) 정의할 수 있다. 다시 말하면, 상기 홀과 제1 그루브(G1)는 동일한 경사면을 공유할 수 있다.
도 6c를 참조하면, 제1 무기 봉지층(411) 상에 표시 영역(DA)을 커버하는 유기 봉지층(420)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 유기 봉지층(420)은 투명한 모노머와 같은 유기물을 사용하여 형성될 수 있다. 이하에서는, 도 6c에 도시된 바와 같이, 유기 봉지층(420)의 가장자리(421d)가 제1-1 영역(1-1A)에 위치하는 예시를 들어 설명한다.
도 6d를 참조하면, 제1 그루브(G1)를(또는, 상기 홀을) 이용하여 유기 봉지층(420)을 검사할 수 있다. 즉, 제1 그루브(G1)를(또는, 상기 홀을) 이용하여 유기 봉지층(420)의 가장자리의 위치를 판단함으로써, 유기 봉지층(420)이 비표시 영역(NDA)으로 연장되는 정도를 검사할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 평면 상에서 제1 그루브(G1)가(또는, 상기 홀이) 형성된 비표시 영역(NDA)을 촬영한 이미지에 기초하여 유기 봉지층(420)을 검사할 수 있다. 예를 들면, 상기 이미지로부터 제1 그루브(G1)의(또는, 상기 홀의) 가장자리의 선명도를 검출할 수 있다. 검출된 상기 선명도에 기초하여 유기 봉지층(420)의 가장자리의 위치를 판단할 수 있다. 예컨대, 도 6d에 도시된 바와 같이, 제1 그루브(G1)의(또는, 상기 홀의) 가장자리는 상대적으로 높은 선명도를 가질 수 있다. 또한, 유기 절연층(120)의 가장자리는 상대적으로 낮은 선명도를 가질 수 있다. 이 경우, 유기 봉지층(420)의 가장자리(421b)는 제1 그루브(G1)와(또는, 상기 홀과) 유기 절연층(120) 사이에 위치하는 것으로 판단될 수 있다.
도 6e를 참조하면, 유기 봉지층(420) 상에 제2 무기 봉지층(430)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 제2 무기 봉지층(430)은 기판(100) 상의 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 전체적으로 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 의하면, 유기 절연층(120)과 제1 댐(510) 사이에 형성되는 제1 그루브(G1)를(또는, 상기 홀을) 이용하여, 유기 봉지층(420)의 가장자리의 위치를 정밀하게 판단할 수 있다. 즉, 상기 표시 장치의 제조 방법은 유기 봉지층(420)이 바람직하게 형성되었는지 여부를 정밀하게 검사할 수 있다. 따라서, 상기 표시 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.
본 발명은 다양한 표시 장치들에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 차량용, 선박용 및 항공기용 디스플레이 장치들, 휴대용 통신 장치들, 전시용 또는 정보 전달용 디스플레이 장치들, 의료용 디스플레이 장치들 등과 같은 다양한 디스플레이 기기들에 적용 가능하다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
10, 11: 표시 장치 100: 기판
111, 112: 게이트 절연층 113, 114: 층간 절연층
122: 제1 유기 절연층 124: 제2 유기 절연층
200: 트랜지스터 210: 활성층
220: 게이트 전극 232: 소스 전극
234: 드레인 전극 300: 발광 소자
310: 화소 전극 320: 발광층
330: 공통 전극 400: 봉지층
410, 411: 제1 무기 봉지층 420: 유기 봉지층
430: 제2 무기 봉지층 510: 제1 댐
520: 제2 댐 G1: 제1 그루브
G2: 제2 그루브

Claims (28)

  1. 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외측에 위치하는 비표시 영역을 갖는 기판;
    상기 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 유기 절연층;
    상기 유기 절연층 상에 배치되는 발광 소자; 및
    상기 기판 상의 상기 비표시 영역에 배치되며, 상기 유기 절연층으로부터 이격되는 제1 댐을 포함하고,
    상기 기판은 상기 유기 절연층과 상기 제1 댐 사이의 상기 비표시 영역에 위치하는 제1 그루브를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 제1 그루브는 상기 유기 절연층 및 상기 제1 댐 각각으로부터 이격되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 유기 절연층으로부터 상기 제1 댐이 이격된 공간이 제1 개구부로 정의되고,
    상기 제1 그루브는 상기 제1 개구부와 중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서, 상기 제1 댐은 상기 유기 절연층으로부터 제1 방향으로 이격되고,
    상기 제1 개구부는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서, 상기 제1 그루브는 평면도 상에서 서로 이격되는 복수의 그루브 패턴들을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 그루브 패턴들은 상기 제2 방향을 따라 배열되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제4 항에 있어서, 상기 제1 그루브는 평면도 상에서 스트라이프 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서, 상기 제1 그루브는 상기 제2 방향으로 연장되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 댐의 외측에 위치하며, 상기 제1 댐으로부터 이격되는 제2 댐을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서, 상기 기판은 상기 제1 댐과 상기 제2 댐 사이에 위치하는 제2 그루브를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서, 상기 제2 그루브는 상기 제1 댐 및 상기 제2 댐 각각으로부터 이격되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제10 항에 있어서, 상기 제1 댐으로부터 상기 제2 댐이 이격된 공간이 제2 개구부로 정의되고,
    상기 제2 그루브는 상기 제2 개구부와 중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 유기 절연층 사이의 상기 표시 영역 및 상기 비표시 영역에 배치되는 무기 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서, 상기 무기 절연층은 상기 제1 그루브의 측면 및 바닥면을 커버하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제13 항에 있어서, 상기 무기 절연층은 상기 제1 그루브를 노출시키는 홀을 갖고,
    상기 홀의 측면과 상기 제1 그루브의 측면은 서로 얼라인되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  16. 제1 항에 있어서,
    상기 유기 절연층 상에 배치되며, 상기 발광 소자를 커버하는 제1 무기 봉지층;
    상기 제1 무기 봉지층 상에 배치되며 상기 표시 영역을 커버하고, 상기 제1 댐의 내측에 위치하는 유기 봉지층; 및
    상기 유기 봉지층 상에 배치되는 제2 무기 봉지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 무기 봉지층 및 상기 제2 무기 봉지층은 상기 제1 댐의 외측으로 연장되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서, 상기 제1 무기 봉지층은 상기 제1 그루브의 측면 및 바닥면을 커버하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  19. 제17 항에 있어서, 상기 제1 무기 봉지층은 상기 제1 그루브를 노출시키는 홀을 갖고,
    상기 홀의 측면과 상기 제1 그루브의 측면은 서로 얼라인되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  20. 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외측에 위치하는 비표시 영역을 갖는 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판 상의 상기 비표시 영역에 그루브를 형성하는 단계;
    상기 기판 상의 상기 표시 영역에 유기 절연층을 형성하는 단계;
    상기 유기 절연층 상에 발광 소자를 형성하는 단계;
    상기 유기 절연층 상에 상기 발광 소자를 커버하는 제1 무기 봉지층을 형성하는 단계;
    상기 제1 무기 봉지층 상에 상기 표시 영역을 커버하는 유기 봉지층을 형성하는 단계;
    상기 그루브를 이용하여 상기 유기 봉지층을 검사하는 단계; 및
    상기 유기 봉지층 상에 제2 무기 봉지층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  21. 제20 항에 있어서, 상기 유기 절연층은 상기 그루브로부터 이격되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  22. 제20 항에 있어서,
    상기 기판 상의 상기 비표시 영역에 상기 그루브의 외측에 위치하며, 상기 그루브로부터 이격되는 댐을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 댐을 형성하는 단계는 상기 유기 절연층을 형성하는 단계와 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  23. 제20 항에 있어서, 상기 유기 봉지층을 검사하는 단계는, 상기 그루브가 형성된 상기 비표시 영역을 촬영한 이미지에 기초하여, 상기 유기 봉지층이 상기 비표시 영역으로 연장되는 정도를 검사하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  24. 제23 항에 있어서, 상기 유기 봉지층을 검사하는 단계는, 상기 이미지로부터 상기 그루브의 가장자리의 선명도를 검출하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  25. 제20 항에 있어서, 상기 제1 무기 봉지층은 상기 기판과 상기 유기 절연층 상의 상기 표시 영역 및 상기 비표시 영역에 전체적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  26. 제25 항에 있어서, 상기 제1 무기 봉지층은 상기 그루브의 측면 및 바닥면을 커버하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  27. 제25 항에 있어서, 상기 그루브를 형성하는 단계는, 상기 제1 무기 봉지층을 형성하는 단계와 상기 유기 봉지층을 형성하는 단계 사이에 수행되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  28. 제27 항에 있어서, 상기 제1 무기 봉지층은 상기 그루브를 노출시키는 홀을 갖고,
    상기 홀의 측면과 상기 그루브의 측면은 서로 얼라인되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
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