CN114497120A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示装置。所述显示装置包括：基底，包括开口区域、围绕开口区域的外围区域和围绕外围区域的显示区域；晶体管，与显示区域叠置且设置在基底上；第一电极，电连接到晶体管；中间层和第二电极，设置在第一电极上且延伸到外围区域；以及第一金属层，在外围区域中与中间层和第二电极叠置，其中，第一金属层的端部和第二电极的端部对准，并且中间层的端部比第一金属层的端部突出。

Description

显示装置
本申请要求于2020年10月28日提交的第10-2020-0141330号韩国专利申请的优先权和权益，出于所有目的，该韩国专利申请通过引用包含于此，如同在此充分阐述的一样。
技术领域
发明的实施例大体上涉及一种显示装置。
背景技术
近来，由于各种便携式类型的电子装置已经包括相机功能，因此与相机功能不是电子装置的功能且因此用户必须携带单独的相机以便拍摄图片的情况相比，仅携带一个其中内置有相机功能的电子装置的情况已经迅速增加。
在常规技术中，因为相机、闪光灯、扬声器、光电传感器等设置在电子装置的图像显示区域的外部，所以存在电子装置显示图像的空间减小以便将相机容纳在电子装置的非图像显示区域中的趋势。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解发明构思的背景，因此，它可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
根据发明的示例性实施方式构造的装置能够通过在围绕电子装置的显示区域的内侧的开口区域的外围区域中包括具有与电极的端部对准的端部的金属层来改善具有显示功能的电子装置的可靠性，从而减少在外围区域中形成会负面地影响电子装置的操作有效性(即，显示能力)的裂缝的机会。
实施例提供了一种在围绕显示装置的显示区域内的开口区域的外围区域中具有改善的装置可靠性的显示装置。
发明构思的附加特征将在下面的描述中阐明，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过发明构思的实践来获知。
根据实施例的显示装置包括：基底，包括开口区域、围绕开口区域的外围区域和围绕外围区域的显示区域；晶体管，与显示区域叠置且设置在基底上；第一电极，电连接到晶体管；中间层和第二电极，设置在第一电极上且延伸到外围区域；以及第一金属层，在外围区域中与中间层和第二电极叠置，其中，第一金属层的端部和第二电极的端部对准，并且中间层的端部比第一金属层的端部突出。
中间层可以覆盖第一金属层的端部。
显示装置还可以包括设置在第二电极上的封装层，并且封装层可以包括：第一封装无机层，设置在第二电极上；封装有机层，设置在第一封装无机层上；以及第二封装无机层，设置在封装有机层上。
第二电极的端部可以与封装有机层叠置。
显示装置还可以包括设置在外围区域中的至少两个坝。
坝可以包括彼此分开的第一坝和第二坝，并且显示装置可以包括：第一-第一层，与第一坝叠置；以及第一-第二层，与第二坝叠置。
显示装置还可以包括设置在第二坝与开口区域之间的第一-第三层。
显示装置还可以包括设置在第二坝与开口区域之间的第二-第一层。
显示装置还可以包括与第一坝和第二坝中的至少一个叠置的第二金属层。
第二金属层可以与第一-第一层和第一-第二层中的至少一个叠置，并且显示装置还可以包括与第二金属层叠置且与第二电极设置在同一层上的第二-第二层。
显示装置可以包括：无机绝缘层，设置在基底上；有机绝缘层，设置在无机绝缘层上；以及像素限定层和间隔件，设置在有机绝缘层上。
第一金属层可以设置在无机绝缘层与有机绝缘层之间。
显示装置可以包括多个有机绝缘层，并且第一金属层可以定位在多个有机绝缘层之中的两个相邻的有机绝缘层之间。
第一金属层可以设置在有机绝缘层与像素限定层之间。
第一金属层可以设置在像素限定层与间隔件之间。
根据实施例的显示装置包括：基底，包括开口区域、围绕开口区域的外围区域和围绕外围区域的显示区域；晶体管，与显示区域叠置且设置在基底上；第一电极，电连接到晶体管；中间层和第二电极，设置在第一电极上且延伸到外围区域中；第一金属层，在外围区域中与中间层和第二电极叠置；以及封装层，设置在第二电极上且包括封装有机层，其中，第一金属层的端部和第二电极的端部对准，中间层的端部覆盖第一金属层的端部，并且第一金属层的端部与封装有机层叠置。
第二电极的端部可以具有平坦形状。
第一金属层可以包括银(Ag)或铝(Al)。
显示装置还可以包括：坝，设置在外围区域中；以及第一-第一层，与坝叠置，并且第一金属层的端部与第一-第一层的邻近第一金属层的端部之间的距离可以是约35微米或更大。
中间层的延伸到外围区域的端部和第一-第一层的端部可以分开。
中间层可以包括功能层，并且功能层可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层之中的至少一种。
第一-第一层可以与空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层之中的至少一种包括相同的材料。
根据实施例，可以通过容易地控制第二电极的端部的形状来改善与开口区域相邻的外围区域中的堆叠结构的可靠性。通过形成电极的平坦端部，可以防止无机层中的裂缝的出现和异物颗粒的渗透。
将理解的是，前面的一般描述和下面的详细描述都是示例性的和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
附图示出了发明的示例性实施例，并与描述一起用于解释发明构思，附图被包括以提供对发明的进一步理解并且并入本说明书中并构成本说明书的一部分。
图1是根据实施例的显示装置的分解透视图。
图2是根据实施例的显示装置的示意性剖视图。
图3是根据实施例的显示面板的一些构成元件的俯视平面图。
图4是图1和图3的区域A的放大俯视平面图。
图5A是与显示区域对应的显示面板的剖视图，图5B是根据实施例的显示装置的电路图，图5C是其中定位有外围区域和开口区域的显示面板的剖视图，图5D是其中定位有第二电极的端部的区域的放大图。
图6、图7、图8、图9、图10和图11分别是根据制造工艺的显示面板的一些区域的剖视图。
图12A、图12B、图12C和图12D分别是根据实施例的显示面板的剖视图。
图13A、图13B、图13C、图13D和图13E分别是根据实施例的显示面板的剖视图。
图14是根据实施例的显示面板的剖视图。
具体实施方式
在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对发明的各种实施例或实施方式的透彻理解。如在此所使用的，“实施例”和“实施方式”是作为采用在此所公开的发明构思中的一个或更多个的装置或方法的非限制性示例的可互换的词。然而，明显的是，可以在没有这些具体细节或具有一个或更多个等效布置的情况下实践各种实施例。在其它情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免不必要地混淆各种实施例。此外，各种实施例可以不同，但是不必排它。例如，在不脱离发明构思的情况下，一实施例的特定形状、构造和特性可以在另一实施例中使用或实施。
除非另外说明，否则所示出的实施例将被理解为提供可以在实践中实施发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另外说明，否则在不脱离发明构思的情况下，各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中，单独或统一称为“元件”)可以以其它方式组合、分开、互换和/或重新布置。
通常提供在附图中交叉影线和/或阴影的使用来使相邻元件之间的边界清晰。这样，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在与否都不传达或表明对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或任何其它特性、属性、性质等的任何偏爱或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述性目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当实施例可以不同地实现时，可以不同于所描述的顺序来执行特定工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。而且，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，所述元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以指在具有或不具有中间元件的情况下的物理连接、电气连接和/或流体连接。此外，DR1轴(“DR1方向”)、DR2轴(“DR2方向”)和DR3轴(“DR3方向”)不限于直角坐标系的诸如x轴、y轴和z轴的三个轴，而是可以以更广泛的意义来解释。例如，DR1轴、DR2轴和DR3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“选自于由X、Y和Z组成的组中的至少一个(种/者)”可以解释为仅X、仅Y、仅Z、或X、Y和Z中的两个(种/者)或更多个(种/者)的任意组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。
诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下面”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“较高的”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语在此可以用于描述性目的，从而描述如附图中所示的一个元件与另外的元件的关系。空间相对术语除涵盖附图中描绘的方位以外还旨在涵盖设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，术语“在……下方”可以涵盖上方和下方两个方位。此外，设备可以被另外定位(例如，旋转90度或处于其它方位)，如此，相应地解释在此所使用的空间相对描述语。
在此所使用的术语是出于描述具体实施例的目的，而不意图是限制性的。如在此所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。此外，术语“包括”、“包含”、“具有”和/或其变型用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但是不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还注意的是，如在此所使用的，术语“基本上”、“约(大约)”和其它类似术语用作近似术语而不是程度术语，并且如此，被用来解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
在此，参照作为理想化的实施例和/或中间结构的示意图的剖视图和/或分解图来描述各种实施例。如此，将预料到例如由于制造技术和/或公差导致的图示形状的变化。因此，在此所公开的实施例不应被一定解释为限于区域的具体示出的形状，而是将包括由例如制造引起的形状上的偏差。以这种方式，附图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，如此，不必意图成为限制。
除非另外限定，否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的背景下的含义相一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的意思来进行解释，除非在此被明确这样限定。
此外，在整个说明书中，短语“在平面上”表示从顶部观察目标部分，短语“在剖面上”表示观察通过从侧面竖直地切割目标部分形成的剖面。
在下文中，参照图1至图3示意性地描述根据实施例的显示装置。图1是根据实施例的显示装置的分解透视图，图2是根据实施例的显示装置的示意性剖视图，图3是根据实施例的显示面板的一些构成元件的俯视平面图。
首先，参照图1和图2，显示装置1000在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面上朝向第三方向DR3显示图像(其中，第一方向DR1与第二方向DR2正交，并且其中第三方向DR3与第一方向DR1和第二方向DR2两者正交，从而形成{x-y-z}三维坐标系)。每个构件的前面(或顶部)和背面(或底部)由第三方向DR3区分。由第一方向至第三方向DR1、DR2和DR3指示的方向是相对概念，并且可以转换为其它方向。
显示装置1000包括覆盖窗WU、显示面板DP和壳体构件HM。在实施例中，覆盖窗WU、显示面板DP和壳体构件HM组合以构成显示装置1000。
覆盖窗WU设置在显示面板DP上以保护显示面板DP。覆盖窗WU可以包括透射区域TA和阻挡区域BA。透射区域TA是光学透明区域，并且可以是透射入射光的区域。阻挡区域BA可以是与透射区域TA相比具有相对低的透光率的区域。阻挡区域BA限定透射区域TA的形状。阻挡区域BA可以围绕透射区域TA。阻挡区域BA可以表现预定的颜色。阻挡区域BA与显示面板DP的非显示区域PA叠置，以阻止非显示区域PA从外部被识别。
覆盖窗WU可以包括第一孔区域HA1和第二孔区域HA2。第一孔区域HA1和第二孔区域HA2中的每个可以与稍后描述的电子模块EM叠置。电子模块EM可以通过接收通过第一孔区域HA1和第二孔区域HA2提供的外部信号来操作。
根据实施例，第一孔区域HA1可以定位在透射区域TA中，第二孔区域HA2可以定位在阻挡区域BA中。然而，这仅是示例性的，第一孔区域HA1和第二孔区域HA2可以定位在相反的区域中，都定位在透射区域TA中，或者都定位在阻挡区域BA中。
在第一孔区域HA1和第二孔区域HA2中的每个中，可以限定从覆盖窗WU的后表面凹入的预定的凹陷部。凹陷部可以包括具有比覆盖窗WU的厚度小的深度的凹槽部或开口区域。
第一孔区域HA1和第二孔区域HA2可以具有不同的形状。第一孔区域HA1在平面上可以具有圆形形状，第二孔区域HA2在平面上可以呈具有沿着第一方向DR1延伸的长轴的椭圆形形状。然而，第一孔区域HA1和第二孔区域HA2的形状不限于此，并且尺寸和形状可以被不同地修改。
显示面板DP可以是平坦的刚性显示面板，但不限于此，或者可以是柔性显示面板。根据实施例的显示面板DP可以是发光显示面板，并且不特别限于此。例如，显示面板DP可以是有机发光面板或量子点发光显示面板。有机发光面板的中间层可以包括有机发光材料。量子点发光显示面板的中间层可以包括量子点和/或量子棒。在下文中，显示面板DP被描述为有机发光面板。
显示面板DP在前面显示图像。显示面板DP的前面包括显示区域DA和非显示区域PA。图像显示在显示区域DA中。非显示区域PA可以围绕显示区域DA。
显示面板DP可以包括定位在显示区域DA中的多个像素PX。像素PX可以响应于电信号来显示光。由像素PX显示的光可以实现图像。包括在一个像素PX中的晶体管和电容器的数量以及连接关系可以以不同的方式变化。
根据实施例的显示面板DP可以包括穿透显示面板DP的开口区域DTA。开口区域DTA可以定位在显示区域DA内侧。稍后描述定位有开口区域DTA的区域A。开口区域DTA可以与覆盖窗WU的第一孔区域HA1叠置。多个像素PX中的一些可以围绕开口区域DTA设置。因此，图像也可以显示在与开口区域DTA相邻的区域中。
显示面板DP包括从显示区域DA延伸且包括多条信号线和垫(pad，或称为“焊盘”)部的非显示区域PA。数据驱动器50可以定位在非显示区域PA中。根据实施例，非显示区域PA的垫部可以电连接到包括驱动芯片80的印刷电路板PCB，并且在图3中被更详细地描述。
如图2中所示，使显示面板DP和覆盖窗WU附着的粘合层AD可以定位在显示面板DP与覆盖窗WU之间。而且，还可以包括定位在显示面板DP与覆盖窗WU之间的触摸单元。触摸单元可以设置在显示面板DP上，用于显示装置1000的触摸屏功能。触摸单元可以包括各种图案的触摸电极，并且可以是电阻膜型或电容型。
电子模块EM包括各种功能模块以操作显示装置1000。电子模块EM可以通过连接器电连接到显示面板DP。例如，电子模块EM可以是相机、扬声器或者用于检测光或热的传感器。
电子模块EM可以包括第一电子模块EM1和第二电子模块EM2。第一电子模块EM1可以检测通过开口区域DTA和第一孔区域HA1接收的外部目标。第一电子模块EM1可以接收通过开口区域DTA和第一孔区域HA1传输的外部输入，或者通过开口区域DTA和第一孔区域HA1提供输出。
例如，第一电子模块EM1可以是发光模块、感光模块和拍摄模块中的至少任何一个。例如，第一电子模块EM1可以包括输出红外光的发光模块、用于红外检测的CMOS传感器和拍摄外部对象的相机模块中的至少一个。
第二电子模块EM2可以通过第二孔区域HA2收集诸如语音的声音信号，或者将诸如处理的语音的声音信号提供到外部。例如，第二电子模块EM2可以包括声学输入模块和声学输出模块中的至少一个。声学输入模块可以包括能够接收声学信号的麦克风。声学输出模块可以包括输出声音数据作为声音信号的扬声器。
然而，这通过示例的方式示出，电子模块EM可以由单个模块组成，还可以包括更多数量的电子模块，可以以各种布置关系布置，并且不限于任何一个实施例。
壳体构件HM设置在显示面板DP下面。壳体构件HM与覆盖窗WU组合以形成显示装置1000的外部。壳体构件HM可以包含具有相对高的刚度的材料。例如，壳体构件HM可以包括由玻璃、塑料和金属制成的多个框架和/或板。
壳体构件HM提供预定的容纳空间。显示面板DP可以容纳在容纳空间中以被保护免受外部冲击的影响。
接着，参照图3，显示面板DP包括包含显示区域DA和非显示区域PA的基底SUB。非显示区域PA可以沿着显示区域DA的边界限定。
显示面板DP包括多个像素PX。多个像素PX可以在基底SUB上设置在显示区域DA中。每个像素PX包括发光元件和连接到发光元件的驱动电路部。每个像素PX发射例如红色、绿色、蓝色或者白色的光，并且可以包括有机发光元件(有机发光二极管)作为示例。
显示面板DP可以包括多条信号线和垫部。多条信号线可以包括在第一方向DR1上延伸的扫描线SL以及在第二方向DR2上延伸的数据线DL和驱动电压线PL。
扫描驱动器20产生扫描信号且通过扫描线SL将扫描信号传输到每个像素PX。根据实施例，扫描驱动器20可以设置在显示区域DA的左侧和右侧上。本说明书示出了扫描驱动器20设置在基底SUB的两侧上的结构，但是在另一实施例中，扫描驱动器20可以仅设置在基底SUB的一侧上。
垫部PAD设置在显示面板DP的一端上，并且包括多个端子P1、P2、P3和P4。垫部PAD被暴露而没有被绝缘层覆盖，并且可以电连接到印刷电路板PCB。垫部PAD可以电连接到印刷电路板PCB的垫部PCB_P。印刷电路板PCB可以将IC驱动芯片80的信号或电力传输到垫部PAD。
控制器将从外部传输的多个图像信号转换为多个图像数据信号，并且通过端子P1将转换的图像数据信号传输到数据驱动器50。另外，控制器可以接收垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号，产生用于控制扫描驱动器20和数据驱动器50的驱动的控制信号，并且通过端子P3和P1将控制信号传输到每个像素PX。控制器通过端子P2将驱动电压ELVDD(见图5B)传输到驱动电压供应布线60。另外，控制器通过端子P4将共电压ELVSS(见图5B)传输到每条共电压供应布线70。
数据驱动器50设置在非显示区域PA中，并且产生数据信号且将数据信号传输到每个像素PX。数据驱动器50可以设置在显示面板DP的一侧上，并且可以例如设置在垫部PAD与显示区域DA之间。
驱动电压供应布线60设置在非显示区域PA中。例如，驱动电压供应布线60可以设置在数据驱动器50与显示区域DA之间。驱动电压供应布线60将驱动电压ELVDD提供到像素PX。驱动电压供应布线60可以在第一方向DR1上设置，并且可以连接到在第二方向DR2上设置的多条驱动电压线PL。
共电压供应布线70设置在非显示区域PA中。共电压供应布线70可以具有围绕基底SUB的形状。共电压供应布线70将共电压ELVSS传输到包括在像素PX中的发光元件的一个电极(例如，第二电极)。
在下面，参照图4描述图3中所示的包括开口区域DTA的区域A。图4是图1和图3的区域A的放大俯视平面图。
参照图4及上述附图，显示面板DP包括设置在基底SUB上的多条信号线SL和DL以及多个像素PX。多个像素PX中的每个可以连接到多条信号线SL和DL。图4描述了多条信号线之中的扫描线SL和数据线DL作为示例。然而，这示出为示例，根据在此所描述的实施例的每个像素PX可以附加地连接到各种信号线，并且不限于任何一个实施例。
包括在显示面板DP中的孔区域HA包括开口区域DTA和围绕开口区域DTA的外围区域LA。
外围区域LA是围绕开口区域DTA的外围的区域。外围区域LA可以避免在照射激光以形成开口区域DTA时损坏布线。外围区域LA需要保持最小恒定宽度。而且，外围区域LA包括坝D1和D2。
扫描线SL和数据线DL具有半圆形结构，与外围区域LA叠置，并且可以绕过开口区域DTA。多条扫描线SL沿着开口区域DTA的外围在水平方向上延伸。这里，多条扫描线SL可以根据信号包括扫描线、发光控制线、初始化电压线等。多条数据线DL沿着开口区域DTA的外围在竖直方向上延伸。多条数据线DL可以根据信号由驱动电压线和驱动低电压线组成。根据实施例，可以改变多条扫描线SL和多条数据线DL。
接着，参照图5A、图5C和图5D描述围绕开口区域DTA的区域。图5A是与显示区域对应的显示面板的剖视图，图5B是根据实施例的显示装置的电路图，图5C是其中定位有外围区域和开口区域的显示面板的剖视图，图5D是其中定位有第二电极的端部的区域的放大图。
首先，参照图5A描述基于显示区域DA的堆叠结构。
根据实施例的基底SUB可以包括诸如玻璃的无机绝缘材料或者诸如聚酰亚胺(PI)的塑料的有机绝缘材料。基底SUB可以是单层或多层的。基底SUB可以具有其中交替地堆叠有至少一个基体层和包括顺序地堆叠的聚合物树脂的至少一个无机层的结构。
基底SUB可以具有各种柔性度。基底SUB可以是刚性基底或者能够弯曲、折叠或卷曲的柔性基底。
缓冲膜BF可以定位在基底SUB上。缓冲膜BF阻止杂质从基底SUB传输到缓冲膜BF的上层(具体地，半导体层SC)，从而防止半导体层SC的特性劣化并减小应力。缓冲膜BF可以包括诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料或者有机绝缘材料。可以省略缓冲膜BF中的一些或全部。
半导体层SC定位在缓冲膜BF上。半导体层SC可以包括多晶硅和氧化物半导体中的至少一个。半导体层SC包括沟道区C、第一区域S和第二区域D。第一区域S和第二区域D分别设置在沟道区C的两侧上。沟道区C可以包括与第一区域S和第二区域D相比掺杂有少量杂质或未掺杂杂质的半导体，第一区域S和第二区域D可以包括与沟道区C相比掺杂有大量杂质的半导体。半导体层SC可以由氧化物半导体制成，在这种情况下，可以添加单独的保护层(未示出)，以保护易受诸如高温的外部环境影响的氧化物半导体材料。
第一无机绝缘层IL1设置在半导体层SC上。第一无机绝缘层IL1可以是包括氧化硅(SiOX)、氮化硅(SiNX)和氮氧化硅(SiOXNY)中的至少一种的单层或多层。
栅电极GE和第一电容器电极CE1定位在第一无机绝缘层IL1上。栅电极GE和第一电容器电极CE1可以是其中堆叠有包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)和钼合金中的至少一种的金属膜的多层或单层。栅电极GE可以与半导体层SC的沟道区C叠置。
第二无机绝缘层IL2定位在栅电极GE和第一无机绝缘层IL1上。第二无机绝缘层IL2可以是包括氧化硅(SiOX)、氮化硅(SiNX)和氮氧化硅(SiOXNY)中的至少一种的单层或多层。
上电极AE和第二电容器电极CE2定位在第二无机绝缘层IL2上。第二电容器电极CE2和上电极AE可以是一个导电图案的不同部分。第二电容器电极CE2与上电极AE可以电连接。
第二电容器电极CE2和上电极AE可以是其中堆叠有包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)和钼合金中的至少一种的金属膜的多层或单层。
第三无机绝缘层IL3定位在上电极AE和第二电容器电极CE2上。第三无机绝缘层IL3可以是包括氧化硅(SiOX)、氮化硅(SiNX)和氮氧化硅(SiOXNY)中的至少一种的单层或多层。
源电极SE和漏电极DE定位在第三无机绝缘层IL3上。源电极SE和漏电极DE分别穿过形成在第三无机绝缘层IL3以及第一无机绝缘层IL1和第二无机绝缘层IL2中的接触孔连接到半导体层SC的第一区域S和第二区域D。
源电极SE和漏电极DE可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)等，并且可以是单层或多层结构。
第一有机绝缘层IL4和第二有机绝缘层IL5顺序地定位在第三无机绝缘层IL3、源电极SE和漏电极DE上。第一有机绝缘层IL4和第二有机绝缘层IL5可以包括诸如通用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物和硅氧烷类聚合物的有机绝缘材料。
连接构件CE可以定位在第一有机绝缘层IL4与第二有机绝缘层IL5之间。连接构件CE可以连接漏电极DE和第一电极E1。然而，本发明不限于此，根据实施例，漏电极DE和第一电极E1可以在没有连接构件的情况下直接连接。
第一电极E1定位在第二有机绝缘层IL5上。第一电极E1穿过第二有机绝缘层IL5的接触孔连接到连接构件CE。第一电极E1电连接到漏电极DE。
第一电极E1可以包括诸如银(Ag)、锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)和金(Au)的金属，并且它也可以包括诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物(TCO)。第一电极E1可以由包含金属材料或透明导电氧化物的单层或者包含金属材料和透明导电氧化物的多层组成。例如，第一电极E1可以具有氧化铟锡(ITO)/银(Ag)/氧化铟锡(ITO)的三层结构。
由栅电极GE、半导体层SC、源电极SE和漏电极DE组成的晶体管连接到第一电极E1，以将电流供应到发光元件LD。
像素限定层IL6和间隔件IL7定位在第二有机绝缘层IL5和第一电极E1上。
像素限定层IL6与第一电极E1的至少一部分叠置，并且具有限定发光区域的开口。开口可以具有与第一电极E1的平面形状类似的平面形状。开口在平面中可以具有菱形形状或八边形形状，但不限于此，并且可以具有诸如四边形、多边形、圆形或椭圆形的任何形状。
像素限定层IL6和间隔件IL7可以包括诸如通用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物和硅氧烷类聚合物的有机绝缘材料。
中间层EL与开口叠置地定位在第一电极E1上。中间层EL可以包括发射层和功能层。
中间层EL可以产生预定颜色的光。在本说明书中，中间层EL被示出为定位在显示区域DA和外围区域LA中，但是中间层EL中的至少一些可以仅定位在显示区域DA中而不定位在外围区域LA中。例如，发射层可以通过使用掩模形成为仅定位在像素限定层IL6的开口内。此时，发射层定位在显示区域DA中而不定位在外围区域LA中。功能层可以定位在显示区域DA和外围区域LA中。
发射层可以包括有机材料和/或无机材料。而且，功能层可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)之中的至少一种。功能层可以定位在第一电极E1与发射层之间，并且/或者可以定位在发射层和第二电极E2之间。功能层可以具有与基底SUB的整个表面叠置的形状。功能层可以遍及多个像素PX设置。
在本说明书中，中间层EL与基底SUB的整个表面叠置，其示出了其中功能层与基底SUB的整个表面叠置的实施例。如上所述，发射层可以仅形成在像素限定层IL6的开口内。
第二电极E2定位在中间层EL上。第二电极E2可以包括反射金属或者诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物(TCO)，反射金属包括钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)等。
第一电极E1、中间层EL和第二电极E2可以构成发光元件LD。这里，第一电极E1可以是作为空穴注入电极的阳极，第二电极E2可以是作为电子注入电极的阴极。然而，在实施例中，根据发射显示装置的驱动方法，第一电极E1可以是阴极，第二电极E2可以是阳极。
空穴和电子分别从第一电极E1和第二电极E2注入到有机的中间层EL中，当由注入的空穴和电子结合成的激子从激发态下降到基态时发生发光。
封装层ENC定位在第二电极E2上。封装层ENC可以覆盖发光元件LD的侧面以及上表面，从而密封发光元件LD。由于发光元件LD非常容易受到湿气和氧的影响，因此封装层ENC密封发光元件LD以阻挡湿气和氧从外部流入。
封装层ENC可以包括多个层，并且可以由包括无机层和有机层(例如，第一封装无机层EIL1和封装有机层EOL)两者的复合膜形成，并且封装层ENC可以由其中顺序地形成有第一封装无机层EIL1、封装有机层EOL和第二封装无机层EIL2的三层形成。
第一封装无机层EIL1可以覆盖第二电极E2。第一封装无机层EIL1可以防止外部湿气或氧渗透到发光元件LD中。例如，第一封装无机层EIL1可以包括氮化硅、氧化硅或它们的组合复合物。第一封装无机层EIL1可以通过沉积工艺形成。
封装有机层EOL设置在第一封装无机层EIL1上，并且可以与第一封装无机层EIL1接触。形成在第一封装无机层EIL1的上表面上的曲度或存在于第一封装无机层EIL1上的颗粒被封装有机层EOL覆盖，使得可以防止第一封装无机层EIL1的上表面的表面状态影响形成在封装有机层EOL上的组件。另外，封装有机层EOL可以减轻接触层之间的应力。封装有机层EOL可以包括有机材料，并且可以通过诸如旋涂、狭缝涂覆或喷墨工艺的溶液工艺形成。
第二封装无机层EIL2设置在封装有机层EOL上，以覆盖封装有机层EOL。第二封装无机层EIL2可以稳定地形成在相对平坦的表面上，而不是设置在第一封装无机层EIL1上。第二封装无机层EIL2通过包封从封装有机层EOL排出的湿气来防止湿气渗透到外部。第二封装无机层EIL2可以包括氮化硅、氧化硅或它们的组合复合物。第二封装无机层EIL2可以通过沉积工艺形成。
另外，还可以包括定位在第二电极E2与封装层ENC之间的覆盖层。覆盖层可以包括有机材料。覆盖层保护第二电极E2免受后续工艺(例如，溅射工艺)的影响，并且改善发光元件LD的发光效率。覆盖层可以具有比第一封装无机层EIL1的折射率大的折射率。
虽然上面已经描述了包括在一个像素PX中的晶体管中的一个，但是每个像素PX可以包括多个晶体管。在下面，参照图5B描述包括在每个像素PX中的多个晶体管的示例。
如图5B中所示，根据实施例的显示装置的一个像素PX包括连接到若干条布线127、128、151、152、153、154、155、171、172和741的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst、升压电容器Cbt以及发光二极管LED。
多条布线127、128、151、152、153、154、155、171、172和741连接到一个像素PX。多条布线包括第一初始化电压线127、第二初始化电压线128、第一扫描信号线151、第二扫描信号线152、初始化控制线153、旁路控制线154、发光控制线155、数据线171、驱动电压线172和共电压线741。
第一扫描信号线151连接到栅极驱动器，并且将第一扫描信号GW传输到第二晶体管T2。与施加到第一扫描信号线151的电压极性相反的电压可以按与第一扫描信号线151的信号相同的时序施加到第二扫描信号线152。例如，当负电压施加到第一扫描信号线151时，正电压可以施加到第二扫描信号线152。第二扫描信号线152将第二扫描信号GC传输到第三晶体管T3。
初始化控制线153将初始化控制信号GI传输到第四晶体管T4。旁路控制线154将旁路信号GB传输到第七晶体管T7。旁路控制线154可以由前一级的第一扫描信号线151形成。发光控制线155将发光控制信号EM传输到第五晶体管T5和第六晶体管T6。
数据线171是传输从数据驱动器(未示出)产生的数据电压DATA的布线，由发光二极管LED发射的光的亮度根据施加到像素PX的数据电压DATA改变。
驱动电压线172施加驱动电压ELVDD。第一初始化电压线127传输第一初始化电压VINT，第二初始化电压线128传输第二初始化电压AINT。共电压线741将共电压ELVSS施加到发光二极管LED的阴极。在此所描述的实施例中，施加到驱动电压线172、第一初始化电压线127和第二初始化电压线128以及共电压线741的电压可以分别是恒定电压。
多个晶体管可以包括驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。多个晶体管可以包括包含氧化物半导体的氧化物晶体管和包含多晶硅半导体的硅晶体管。例如，第三晶体管T3和第四晶体管T4可以由氧化物晶体管制成，驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可以由硅晶体管制成。然而，本发明不限于此，多个晶体管可以全部由硅晶体管形成。
在上面，已经描述了一个像素PX包括七个晶体管T1至T7、一个存储电容器Cst和一个升压电容器Cbt，但不限于此，晶体管和电容器的数量以及它们的连接关系可以以多种方式改变。
接着，参照图5C和图5D描述开口区域DTA和包括开口区域DTA及开口区域DTA的外围区域LA的孔区域HA。省略了与以上描述中相同的构成元件的描述。
首先，在外围区域LA中，缓冲膜BF和第一无机绝缘层IL1可以设置在基底SUB上。缓冲膜BF和第一无机绝缘层IL1可以具有从显示区域DA延伸的形式。在此所描述的实施例示出了缓冲膜BF和第一无机绝缘层IL1延伸到外围区域LA，然而实施例不限于此，缓冲膜BF、第一无机绝缘层IL1、第二无机绝缘层IL2和第三无机绝缘层IL3中的至少一个可以延伸到外围区域LA。
根据实施例，第一金属层MCL可以定位在外围区域LA中。第一金属层MCL可以与外围区域LA叠置地设置在第一无机绝缘层IL1上。第一金属层MCL可以与第二无机绝缘层IL2和第三无机绝缘层IL3的延伸到外围区域LA的端部叠置。第一金属层MCL可以在与第三无机绝缘层IL3的定位在外围区域LA中的上表面和第一无机绝缘层IL1的定位在外围区域LA中的上表面叠置的同时具有包括台阶差的结构。然而，第一金属层MCL不限于这种类型，第一金属层MCL的形状可以根据显示面板DP的外围区域LA的形状而改变。
第一金属层MCL可以包括银(Ag)或铝(Al)，但不限于此，并且可以包括诸如钛(Ti)或钼(Mo)的各种金属。
在第一金属层MCL上，可以设置从显示区域DA延伸的第一有机绝缘层IL4、第二有机绝缘层IL5、像素限定层IL6和间隔件IL7。第一有机绝缘层IL4和第二有机绝缘层IL5的端部可以以覆盖第一金属层MCL的一部分的形状延伸到外围区域LA，然而不限于此。
第一有机绝缘层IL4、第二有机绝缘层IL5、像素限定层IL6和间隔件IL7可以延伸到第一金属层MCL的端部。第一金属层MCL的端部可以与第一有机绝缘层IL4、第二有机绝缘层IL5、像素限定层IL6和间隔件IL7分开。
中间层EL可以从显示区域DA延伸到外围区域LA的一部分。参照图5C和图5D，中间层EL的端部EL-E可以覆盖第一金属层MCL的端部MCL-E。中间层EL的端部EL-E可以具有比第一金属层MCL的端部MCL-E朝向开口区域DTA突出得多的形状。
定位在中间层EL上的第二电极E2可以从显示区域DA延伸到外围区域LA的一部分。如图5D中所示，第二电极E2的端部E2-E可以与第一金属层MCL的端部MCL-E基本上匹配。第二电极E2的端部E2-E可以与第一金属层MCL的端部MCL-E基本上对准。在此所描述的本实施例和其它实施例中，基本上对准可以表示第二电极E2的端部E2-E与第一金属层MCL的端部MCL-E匹配，或者所述端部中的一个细微地突出。
第二电极E2的端部E2-E可以具有平坦形状。在制造工艺中，第二电极E2可以在形成第二电极材料层之后通过对一些区域进行激光照射来形成。激光照射去除第二电极材料层的不必要部分。此时，第二电极E2的端部E2-E会形成为包括毛刺的形状。即，具有相当薄的厚度的第二电极E2会具有端部E2-E由于从激光传递的热而卷起的形状。然而，根据实施例，第二电极E2可以与第一金属层MCL叠置，第一金属层MCL可以阻挡热通过激光传递到第二电极E2。可以使与第一金属层MCL叠置的中间层EL和第二电极E2的形状变形最小化。具体地，与第一金属层MCL叠置的第二电极E2可以被设置为平坦形状而不卷起。
至少两个坝D1和D2可以定位在外围区域LA中。例如，第一坝D1和第二坝D2可以以与显示区域DA相邻的顺序定位。第一坝D1和第二坝D2可以定位在外围区域LA中，并且可以定位在第一无机绝缘层IL1上。
第一坝D1可以包括第一-第一子坝D1-a、第一-第二子坝D1-b和第一-第三子坝D1-c。第一-第一子坝D1-a可以与定位在显示区域DA中的第二有机绝缘层IL5定位在同一层上，并且可以与第二有机绝缘层IL5包括相同的材料。第一-第一子坝D1-a可以与定位在显示区域DA中的第二有机绝缘层IL5在同一工艺中形成。第一-第二子坝D1-b可以与定位在显示区域DA中的像素限定层IL6定位在同一层上，并且可以与像素限定层IL6包括相同的材料。第一-第二子坝D1-b可以与定位在显示区域DA中的像素限定层IL6在同一工艺中形成。第一-第三子坝D1-c可以与定位在显示区域DA中的间隔件IL7定位在同一层上，并且可以与间隔件IL7包括相同的材料。第一-第三子坝D1-c可以与定位在显示区域DA中的间隔件IL7在同一工艺中形成。
第二坝D2可以包括第二-第一子坝D2-a、第二-第二子坝D2-b、第二-第三子坝D2-c和第二-第四子坝D2-d。第二-第一子坝D2-a可以与定位在显示区域DA中的第一有机绝缘层IL4定位在同一层上，并且可以与第一有机绝缘层IL4包括相同的材料。第二-第一子坝D2-a可以与定位在显示区域DA中的第一有机绝缘层IL4在同一工艺中形成。第二-第二子坝D2-b可以与定位在显示区域DA中的第二有机绝缘层IL5定位在同一层上，并且可以与第二有机绝缘层IL5包括相同的材料。第二-第二子坝D2-b可以与定位在显示区域DA中的第二有机绝缘层IL5在同一工艺中形成。第二-第三子坝D2-c可以与定位在显示区域DA中的像素限定层IL6定位在同一层上，并且可以与像素限定层IL6包括相同的材料。第二-第三子坝D2-c可以与定位在显示区域DA中的像素限定层IL6在同一工艺中形成。第二-第四子坝D2-d可以与定位在显示区域DA中的间隔件IL7定位在同一层上，并且可以与间隔件IL7包括相同的材料。第二-第四子坝D2-d可以与定位在显示区域DA中的间隔件IL7在同一工艺中形成。
在此所描述的实施例示出了以三层结构形成的第一坝D1和以四层结构形成的第二坝D2。然而，实施例不限于此，当第一坝D1以四层结构形成且第二坝D2以三层结构形成、或者第一坝D1和第二坝D2都可以以三层结构形成、或者第一坝D1和第二坝D2都可以以四层结构形成时，位置可以改变。另外，不言而喻，可以设置具有仅包括上述子坝的一部分的双层结构的坝。另外，虽然本说明书示出了两个坝D1和D2定位在外围区域LA中的实施例，但是数量没有限制，两个或更多个坝可以定位在外围区域LA中。
而且，如图4中所示，在此所描述的坝D1和D2在平面上具有围绕开口区域DTA的环形形状。然而，这是示例性形状，第一坝D1和第二坝D2可以具有与开口区域DTA不同的形状。例如，第一坝D1和第二坝D2可以具有包括多边形、椭圆形或包含至少一些曲线的闭合线形状的形状，或者可以设置为包括部分地断开的多个图案的形状，并且不限于任何一个实施例。
第一-第一层EL-1可以定位在第一坝D1上。第一-第二层EL-2可以定位在第二坝D2上。第一-第三层EL-3可以定位在第二坝D2与开口区域DTA之间。第一-第一层EL-1、第一-第二层EL-2和第一-第三层EL-3可以与中间层EL包括相同的材料，并且可以与中间层EL在同一工艺中形成。
第一-第一层EL-1、第一-第二层EL-2和第一-第三层EL-3可以包括中间层EL之中的功能层中的至少一部分。具体地，第一-第一层EL-1、第一-第二层EL-2和第一-第三层EL-3可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。中间层EL和第一-第一层EL-1可以分开。第一无机绝缘层IL1可以在中间层EL和第一-第一层EL-1彼此分隔开的区域中被暴露。中间层EL的端部EL-E与第一-第一层EL-1的端部EL-1-E之间的间隔区域可以是第一开口区域R1。
参照图5D，中间层EL的端部EL-E与第一金属层MCL的端部MCL-E之间的距离W1可以是约35微米或更大。当距离W1小于约35微米时，在制造工艺中会难以控制使牺牲层分开的工艺。会不容易控制仅使牺牲层分开且保持第一金属层MCL和第二电极E2的工艺。
第一-第一层EL-1和第一-第二层EL-2可以彼此分隔开。当第一-第一层EL-1和第一-第二层EL-2彼此分隔开时，第一无机绝缘层IL1的一部分可以被暴露。第一-第一层EL-1和第一-第二层EL-2彼此分隔开，使得暴露第一无机绝缘层IL1的区域可以是第二开口区域R2。
第一-第二层EL-2和第一-第三层EL-3可以彼此分隔开。当第一-第二层EL-2和第一-第三层EL-3彼此分隔开时，第一无机绝缘层IL1的一部分可以被暴露。第一-第二层EL-2和第一-第三层EL-3彼此分隔开，使得暴露第一无机绝缘层IL1的区域可以是第三开口区域R3。
第一开口区域R1、第二开口区域R2和第三开口区域R3是从其去除了中间材料层的区域，并且可以阻断异物颗粒从外部沿着中间材料层渗透的路径。
第二电极E2的从显示区域DA延伸的一部分可以定位在外围区域LA中。另外，第二-第一层E2-1可以定位在外围区域LA中。第二-第一层E2-1可以与第二电极E2包括相同的材料，并且可以与第二电极E2在同一工艺中形成。
本说明书描述了第二-第一层E2-1和第一-第三层EL-3形成在与开口区域DTA相邻的区域中的实施例，但实施例不限于此，基于根据制造工艺的设计，可以省略第二-第一层E2-1和第一-第三层EL-3。当省略第二-第一层E2-1和第一-第三层EL-3时，第三开口区域R3可以延伸。在第三开口区域R3中，可以堆叠基底SUB、缓冲膜BF、第一无机绝缘层IL1、第一封装无机层EIL1和第二封装无机层EIL2。
在外围区域LA中，可以定位从显示区域DA延伸的第一封装无机层EIL1。另外，可以定位封装有机层EOL的从显示区域DA延伸的端部。在形成封装有机层EOL的工艺中，第一坝D1可以控制材料的扩散。封装有机层EOL可以具有填充显示区域DA的端部与第一坝D1之间的空间的形状。在封装有机层EOL上，可以定位与基底SUB的整个表面叠置的第二封装无机层EIL2。
在第一开口区域R1中，第一封装无机层EIL1、封装有机层EOL和第二封装无机层EIL2可以定位在第一无机绝缘层IL1上。而且，在第二开口区域R2中，第一封装无机层EIL1和第二封装无机层EIL2可以定位在第一无机绝缘层IL1上。此外，在第三开口区域R3中，第一封装无机层EIL1和第二封装无机层EIL2可以定位在第一无机绝缘层IL1上。
上述第一电子模块EM1可以插入与开口区域DTA叠置的区域中。开口区域DTA的内表面可以由基底SUB的端部、缓冲膜BF的端部、第一无机绝缘层IL1的端部、第一-第三层EL-3的端部、第二-第一层E2-1的端部、第一封装无机层EIL1的端部和第二封装无机层EIL2的端部限定。基底SUB的端部、缓冲膜BF的端部、第一无机绝缘层IL1的端部、第一-第三层EL-3的端部、第二-第一层E2-1的端部、第一封装无机层EIL1的端部和第二封装无机层EIL2的端部彼此对准以形成开口区域DTA。然而，实施例不限于此，当然，可以省略或添加上面提及的构成元件中的一些以形成开口区域DTA的内表面。
接着，参照图6至图11描述根据实施例的显示装置1000的制造方法。图6、图7、图8、图9、图10和图11分别是根据制造工艺的显示面板的一些区域的剖视图。将省略与上述构造元件的描述相同的构造元件的描述。
首先，如图6中所示，根据实施例的显示装置1000形成与显示区域DA叠置且设置在基底SUB上的晶体管Tr以及连接到晶体管Tr的第一电极E1。可以通过使导电材料图案化来形成晶体管Tr和第一电极E1。
可以在第一电极E1上形成像素限定层IL6和间隔件IL7。像素限定层IL6可以形成为包括暴露第一电极E1的至少一部分的开口。同时，可以在外围区域LA中形成第一坝D1和第二坝D2。第一坝D1和第二坝D2可以形成为包含有机材料的多层结构。
然后，在外围区域LA中形成多个牺牲层S1、S2和S3。牺牲层S1、S2和S3可以包括金属材料，并且例如可以包括银(Ag)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任何一种。当牺牲层S1、S2和S3包括银(Ag)作为示例时，牺牲层S1、S2和S3的厚度t1可以是约800埃至1000埃。当牺牲层S1、S2和S3包括钛(Ti)或钼(Mo)作为示例时，牺牲层S1、S2和S3的厚度t1可以是约200埃至300埃。然而，牺牲层S1、S2和S3的厚度t1不限于该厚度范围，并且可以根据实施例来改变，厚度越薄，牺牲层可以通过稍后描述的激光照射工艺分开得越容易。
第一牺牲层S1定位在第一金属层MCL与第一坝D1之间。第二牺牲层S2定位在第一坝D1与第二坝D2之间。第三牺牲层S3定位在第二坝D2与将形成开口区域DTA的区域之间。虽然在此所描述的实施例示出了定位在每一区域中的一个牺牲层，但是可以根据设计在一个区域中设置多个牺牲层。例如，多个第三牺牲层可以定位在第二坝D2与将形成开口区域DTA的区域之间。
同时，定位在外围区域LA中的第一金属层MCL可以与源电极SE和漏电极DE同时地形成，但不限于此，并且可以通过单独的工艺形成。第一金属层MCL可以包括银(Ag)或铝(Al)。当第一金属层MCL包括银(Ag)时，第一金属层MCL的厚度t2可以是约800埃到约1000埃。第一金属层MCL越厚，它可以越容易阻挡热。
第一牺牲层S1的端部与第一金属层MCL的端部之间的距离W1可以根据包括在第一牺牲层S1中的材料和包括在第一金属层MCL中的材料而改变。例如，当包括在第一牺牲层S1中的材料和包括在第一金属层MCL中的材料具有优异的激光选择性时，第一牺牲层S1和第一金属层MCL可以以相当紧密的形式设置。这是因为可以去除第一牺牲层S1而没有对第一金属层MCL过多的激光照射或没有过多的热传递到第一金属层MCL。当包括在第一牺牲层S1中的材料和包括在第一金属层MCL中的材料相同时，在第一牺牲层S1与第一金属层MCL之间需要预定的间隔距离。这是因为当第一牺牲层S1被照射的激光充分去除时，第一金属层MCL不应具有过多的热传递。在实施例的情况下，第一牺牲层S1与第一金属层MCL之间的距离W1可以是约35微米或更大。然而，距离W1不限于该距离，并且可以根据诸如制造设备的加工精度、激光束的尺寸和发射(shot)的间距的各种条件而改变。
接着，如图7中所示，通过沉积工艺形成中间材料层EL-a和第二电极材料层E2-a。
中间材料层EL-a可以包括发射层和功能材料层，发射层通过使用掩模形成为仅定位在像素限定层IL6的开口中，功能材料层形成为与基底SUB的整个表面叠置。功能材料层可以包括用于形成如上所述的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一种的材料层。
此外，仅定位在开口中的发射层未单独地示出，中间材料层EL-a被示出为与基底SUB的整个表面叠置。这表示功能材料层与基底SUB的整个表面叠置，并且省略了仅定位在开口中的发射层。
然后，如图8中所示，将激光照射到外围区域LA的区域IRA。根据实施例，可以用具有不同的能量密度(ED)的激光来照射激光照射到的区域IRA。例如，具有高能量密度的激光a可以照射到定位有牺牲层S1、S2和S3的区域，具有低能量密度的激光b可以照射到其它区域。激光可以在从显示区域DA朝向将形成开口区域DTA的区域的方向上照射。
通过该激光照射工艺，如图9中所示，牺牲层S1、S2和S3与第一无机绝缘层IL1分开。通过激光烧蚀，牺牲层S1、S2和S3与第一无机绝缘层IL1分开，定位在牺牲层S1、S2和S3上的中间材料层EL-a和第二电极材料层E2-a也分开。而且，在未定位有牺牲层S1、S2和S3但是照射有激光的区域中去除了第二电极材料层E2-a，使得可以形成第二电极E2和第二-第一层E2-1。
通过激光照射工艺和牺牲层去除，如图10中所示，在外围区域LA中，形成第一-第一层EL-1、第一-第二层EL-2和第一-第三层EL-3。而且，形成定位在第一-第三层EL-3上的第二-第一层E2-1。在显示区域DA中，形成包括第一电极E1、中间层EL和第二电极E2的发光元件LD。
可以在中间层EL与第一-第一层EL-1之间形成第一开口区域R1，可以在第一-第一层EL-1与第一-第二层EL-2之间形成第二开口区域R2，并且可以在第一-第二层EL-2与第一-第三层EL-3之间形成第三开口区域R3。每个开口区域R1、R2和R3可以暴露第一无机绝缘层IL1，并且可以是中间材料层短缺的区域。
中间层EL和第二电极E2的端部可以延伸到外围区域LA的一部分。此时，因为热被第一金属层MCL阻挡，所以第二电极E2的端部可以形成为平坦形状而没有卷起现象。另外，由于中间层EL从牺牲层被分开的区域被去除，因此它可以由覆盖第一金属层MCL的端部的形状形成。
然后，如图11中所示，可以在基底SUB的整个表面上形成第一封装无机层EIL1。另外，封装有机层EOL可以在与显示区域DA叠置的同时形成为定位在外围区域LA的一部分中。在形成封装有机层EOL的工艺中，可以通过坝D1和D2防止液体有机材料扩散。可以通过将液体有机材料涂敷在第一封装无机层EIL1上的喷墨法形成封装有机层EOL。此时，坝D1和D2设定涂覆有液体的有机材料的区域的边界，并且防止液体的有机材料溢出到坝D1和D2的外部。之后，可以在封装有机层EOL上形成第二封装无机层EIL2，以使第二封装无机层EIL2与基底SUB的整个表面叠置。第一封装无机层EIL1和第二封装无机层EIL2可以在外围区域LA中彼此接触。
然后，形成开口区域DTA，从而形成与图5C类似的结构。开口区域DTA可以形成为穿透显示面板DP。可以通过激光或钻孔工艺形成开口区域DTA。开口区域DTA可以配备有上述第一电子模块EM1。可以由基底SUB的端部、缓冲膜BF的端部、第一无机绝缘层IL1的端部、第一-第三层EL-3的端部、第二-第一层E2-1的端部、第一封装无机层EIL1的端部和第二封装无机层EIL2的端部的对准的内表面形成开口区域DTA。
在下文中，参照图12A至图12D描述根据实施例的显示装置1000。图12A、图12B、图12C和图12D分别是根据实施例的显示面板的剖视图。省略了与上述构成元件相同的构成元件的描述。
参照图12A，根据实施例的第一金属层MCL1可以与第一有机绝缘层IL4的一部分叠置。详细地，第一金属层MCL1的一端可以设置在第一有机绝缘层IL4的上表面上，并且可以具有在沿着第一有机绝缘层IL4的侧面延伸的同时与第一无机绝缘层IL1的设置在外围区域LA中的上表面接触的形状。
第一金属层MCL1可以在形成第一有机绝缘层IL4之后且在形成第二有机绝缘层IL5之前形成。第一金属层MCL1可以与连接构件CE包括相同的材料，并且可以与连接构件CE在同一工艺中制造。然而，第一金属层MCL1不限于此，并且即使它与连接构件CE定位在同一层上，它也可以通过使用不同的掩模的工艺制造。
接着，参照图12B，根据实施例的第一金属层MCL1可以与第二有机绝缘层IL5的一部分叠置。第一金属层MCL1的一端可以设置在第二有机绝缘层IL5与像素限定层IL6之间。具体地，第一金属层MCL1的一端可以定位在第二有机绝缘层IL5的上表面上，并且可以具有在沿着第二有机绝缘层IL5的侧面延伸的同时与定位在外围区域LA中的第一无机绝缘层IL1接触的形状。
第一金属层MCL1可以在形成第二有机绝缘层IL5之后且在形成像素限定层IL6之前形成。第一金属层MCL1可以与第一电极E1包括相同的材料，并且可以与第一电极E1在同一工艺中制造。然而，第一金属层MCL1不限于此，并且即使它与第一电极E1定位在同一层上，它也可以通过使用不同的掩模的工艺制造。
接着，参照图12C，根据实施例的第一金属层MCL1可以与像素限定层IL6的一部分叠置。第一金属层MCL1的一端可以设置在像素限定层IL6与间隔件IL7之间。具体地，第一金属层MCL1的一端可以定位在像素限定层IL6的上表面上，并且具有在沿着像素限定层IL6和第二有机绝缘层IL5的侧面延伸的同时与定位在外围区域LA中的第一无机绝缘层IL1接触的形状。
第一金属层MCL1可以在形成像素限定层IL6之后且在形成间隔件IL7之前形成。第一金属层MCL1可以使用单独的掩模来制造。
接着，参照图12D，根据实施例的第一金属层MCL1可以与间隔件IL7叠置。第一金属层MCL1的一端可以设置在间隔件IL7的上表面上，并且具有在沿着间隔件IL7、像素限定层IL6和第二有机绝缘层IL5的侧面延伸的同时与设置在外围区域LA中的第一无机绝缘层IL1接触的形状。
第一金属层MCL1可以在形成间隔件IL7之后且在形成中间层EL之前形成。第一金属层MCL1可以使用单独的掩模来制造。
在下文中，参照图13A至图13E描述根据实施例的显示装置1000。图13A、图13B、图13C、图13D和图13E分别是根据实施例的显示面板的剖视图。为了易于解释本实施例，省略了与上述构成元件相同的构成元件的描述。
参照图13A，根据实施例的显示装置1000还可以包括与第二坝D2叠置的第二金属层MCL2和与外围区域LA的端部叠置的第三金属层MCL3。第二金属层MCL2和第三金属层MCL3可以与第一金属层MCL1包括相同的材料，并且可以与第一金属层MCL1在同一工艺中形成。
第二金属层MCL2可以定位在第一无机绝缘层IL1与第二坝D2的底表面之间。第二金属层MCL2的两端可以具有比第二坝D2的底表面突出的形状。
第一-第二层EL-2可以定位在第二坝D2上方。第一-第二层EL-2可以在覆盖第二坝D2的上表面和侧表面的同时覆盖第二金属层MCL2的端部。第一-第二层EL-2可以在覆盖第二金属层MCL2的被第二坝D2暴露的上表面和侧面的同时与第一无机绝缘层IL1接触。
第二-第二层E2-2可以设置在第一-第二层EL-2上。第二-第二层E2-2可以覆盖第二坝D2的上表面和侧表面。第二-第二层E2-2的端部可以与第二金属层MCL2的端部基本上重合。这里，第二-第二层E2-2的端部和第二金属层MCL2的端部基本上重合的事实包括两个端部完全地对准或者任何一个端部可以细微地突出。
在制造工艺期间照射激光的工艺中，激光可以从第一开口区域R1照射到第二开口区域R2，并且可以照射到第三开口区域R3。即，激光可以不在第二开口区域R2与第三开口区域R3之间照射，此时，第二-第二层E2-2可以在第二电极材料层E2-a的一部分保留在未照射激光的区域中的同时形成。此时，当第二金属层MCL2定位在基底SUB与第二-第二层E2-2之间时，第二金属层MCL2阻挡从激光产生的热传递到第二-第二层E2-2。第二-第二层E2-2的端部可以设置为平坦形状。定位在第二-第二层E2-2上的第一封装无机层EIL1和第二封装无机层EIL2可以以稳定的形式设置。
然而，当在没有第二金属层MCL2的情况下照射激光时，相当薄的厚度的第二-第二层E2-2会具有端部被从激光产生的热卷起的形式。在这种情况下，在无机层EIL1和EIL2中会产生裂缝，显示装置1000的可靠性会由于异物颗粒的渗透而降低。
第三金属层MCL3可以设置在第一-第三层EL-3和第二-第一层E2-1下面。第三金属层MCL3可以设置在第一无机绝缘层IL1与第一-第三层EL-3之间。第一-第三层EL-3的端部可以覆盖第三金属层MCL3的端部。
激光可以不照射在第三开口区域R3与形成有开口区域DTA的区域之间，在这种情况下，可以在第二电极材料层E2-a的一部分保留在未照射激光的区域中的同时形成第二-第一层E2-1。此时，当第三金属层MCL3定位在基底SUB与第二-第一层E2-1之间时，第三金属层MCL3阻挡从激光产生的热传递到第二-第一层E2-1，第二-第一层E2-1的端部可以以平坦形状设置。定位在第二-第一层E2-1上的第一封装无机层EIL1和第二封装无机层EIL2可以以稳定的形式设置。
然而，当在没有第三金属层MCL3的情况下照射激光时，定位为与第三开口区域R3相邻的第二-第一层E2-1具有相当薄的厚度，因此第二-第一层E2-1的端部会通过照射到第三开口区域R3的激光而具有卷起的形状。在这种情况下，在定位于第二-第一层E2-1上的无机层EIL1和EIL2中会发生裂缝，显示装置1000的可靠性会由于异物颗粒的渗透而降低。
另一方面，图13A示出了与第二坝D2叠置的第二金属层MCL2和设置为与开口区域DTA相邻的第三金属层MCL3。然而，实施例不限于该位置，还可以包括与第一坝D1叠置的金属层，或者可以省略第二金属层MCL2和第三金属层MCL3中的一个。当然，上述实施例的各种组合是可行的。
保留有第二电极材料层E2-a的区域会具有通过激光照射而卷起端部的形式，但是根据实施例的显示装置1000通过将金属层定位在对应的区域中来阻挡热传递到第二电极材料层E2-a，从而可以形成具有平坦形状的端部的层E2-1和E2-2。根据实施例，位置的各种组合可以是可行的，使得金属层定位在保留有第二电极材料层E2-a的区域中。
参照图13B，根据实施例的第二金属层MCL2可以设置在第二-第一子坝D2-a与第二-第二子坝D2-b之间。第一金属层MCL1的定位为邻近显示区域DA的一端可以定位在第一有机绝缘层IL4与第二有机绝缘层IL5之间。第三金属层MCL3可以定位在第一无机绝缘层IL1与第一-第三层EL-3之间。
第一金属层MCL1、第二金属层MCL2和第三金属层MCL3可以在形成第一有机绝缘层IL4之后且在形成第二有机绝缘层IL5之前形成。第一金属层MCL1、第二金属层MCL2和第三金属层MCL3可以与连接构件CE包括相同的材料，并且可以与连接构件CE在同一工艺中制造。然而，第一金属层MCL1、第二金属层MCL2和第三金属层MCL3不限于此，并且即使它们与连接构件CE定位在同一层上，它们也可以通过使用不同的掩模的工艺制造。
接下来，参照图13C，根据实施例的第二金属层MCL2可以设置在第二-第二子坝D2-b与第二-第三子坝D2-c之间。第一金属层MCL1的定位在显示区域DA中的一端可以定位在第二有机绝缘层IL5与像素限定层IL6之间。第三金属层MCL3可以定位在第一无机绝缘层IL1与第一-第三层EL-3之间。
第一金属层MCL1、第二金属层MCL2和第三金属层MCL3可以在形成第二有机绝缘层IL5之后且在形成像素限定层IL6之前形成。第一金属层MCL1、第二金属层MCL2和第三金属层MCL3可以与第一电极E1包括相同的材料，并且可以与第一电极E1在同一工艺中制造。然而，它们不限于此，并且即使它们与第一电极E1定位在同一层上，它们也可以通过使用不同的掩模的工艺制造。
接着，参照图13D，根据实施例的第二金属层MCL2可以设置在第二-第三子坝D2-c与第二-第四子坝D2-d之间。第一金属层MCL1的定位在显示区域DA中的一端可以定位在像素限定层IL6与间隔件IL7之间。第三金属层MCL3可以定位在第一无机绝缘层IL1与第一-第三层EL-3之间。
第一金属层MCL1、第二金属层MCL2和第三金属层MCL3可以在形成像素限定层IL6之后且在形成间隔件IL7之前形成。第一金属层MCL1、第二金属层MCL2和第三金属层MCL3可以使用单独的掩模来制造。
接着，参照图13E，根据实施例的第二金属层MCL2可以设置在第二-第四子坝D2-d上。第一金属层MCL1的定位在显示区域DA中的一端可以定位在间隔件IL7的上表面上。
第一金属层MCL1、第二金属层MCL2和第三金属层MCL3可以在形成间隔件IL7之后且在形成中间层EL之前形成。第一金属层MCL1、第二金属层MCL2和第三金属层MCL3可以使用单独的掩模来制造。
接着，参照图14描述根据实施例的显示面板DP。图14是根据实施例的显示面板的剖视图。为了易于解释本实施例，省略了与上述构成元件相同或相似的构成元件的描述。
根据实施例，第一坝D1、第二坝D2和第三坝D3可以定位在外围区域LA中。
第一坝D1可以包括第一-第一子坝D1-a、第一-第二子坝D1-b和第一-第三子坝D1-c。第一-第一子坝D1-a可以与定位在显示区域DA中的第二有机绝缘层IL5定位在同一层上，并且可以与第二有机绝缘层IL5包括相同的材料。第一-第一子坝D1-a可以与定位在显示区域DA中的第二有机绝缘层IL5在同一工艺形成。第一-第二子坝D1-b可以与定位在显示区域DA中的像素限定层IL6定位在同一层上，并且可以与像素限定层IL6包括相同的材料。第一-第二子坝D1-b可以与定位在显示区域DA中的像素限定层IL6在同一工艺中形成。第一-第三子坝D1-c可以与定位在显示区域DA中的间隔件IL7定位在同一层上，并且可以与间隔件IL7包括相同的材料。第一-第三子坝D1-c可以与定位在显示区域DA中的间隔件IL7在同一工艺中形成。
第二坝D2可以包括第二-第一子坝D2-a、第二-第二子坝D2-b和第二-第三子坝D2-c。第二坝D2可以形成为与第一坝D1类似的三层。
第三坝D3可以包括第三-第一子坝D3-a和第三-第二子坝D3-b。第三-第一子坝D3-a可以与定位在显示区域DA中的像素限定层IL6定位在同一层上，并且可以与像素限定层IL6包括相同的材料。第三-第一子坝D3-a可以与定位在显示区域DA中的像素限定层IL6在同一工艺中形成。第三-第二子坝D3-b可以与定位在显示区域DA中的间隔件IL7定位在同一层上，并且可以与间隔件IL7包括相同的材料。第三-第二子坝D3-b可以与定位在显示区域DA中的间隔件IL7在同一工艺中形成。
本说明书示出了定位在外围区域LA中的第一坝D1、第二坝D2和第三坝D3，但是坝的形状和数量可以根据实施例进行不同地修改。例如，可以省略第二坝D2，并且可以包括第一坝D1和第三坝D3，或者可以包括两个或更多个第三坝D3。
在外围区域LA中，可以定位第一-第一层EL-1、第一-第二层EL-2、第一-第三层EL-3和第一-第四层EL-4。在外围区域LA中，可以包括中间层EL与第一-第一层EL-1之间的第一开口区域R1、第一-第一层EL-1与第一-第二层EL-2之间的第二开口区域R2、第一-第二层EL-2与第一-第三层EL-3之间的第三开口区域R3、第一-第三层EL-3与第一-第四层EL-4之间的第四开口区域R4以及第一-第四层EL-4与开口区域DTA之间的第五开口区域R5。由于中间材料层EL-a在第一开口区域至第五开口区域R1、R2、R3、R4和R5中具有断开的形状，因此可以阻断异物颗粒会通过其流入的路径。
开口区域DTA可以具有由基底SUB的端部、缓冲层BL的端部、第一无机绝缘层IL1的端部、第一封装无机层EIL1的端部和第二封装无机层EIL2的端部制成的内表面。不言而喻，本说明书中描述的各种实施例的组合是可行的。
虽然在此已经描述了某些实施例和实施方式，但是其它实施例和修改通过该描述将是明显的。因此，发明构思不限于这样的实施例，而是限于所附权利要求以及如对于本领域普通技术人员而言将是明显的各种显然的修改和等同布置的更宽范围。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括开口区域、围绕所述开口区域的外围区域和围绕所述外围区域的显示区域；
晶体管，与所述显示区域叠置且设置在所述基底上；
第一电极，电连接到所述晶体管；
中间层和第二电极，设置在所述第一电极上且延伸到所述外围区域；以及
第一金属层，在所述外围区域中与所述中间层和所述第二电极叠置，
其中，所述第一金属层的端部和所述第二电极的端部对准，并且
所述中间层的端部比所述第一金属层的所述端部突出。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述中间层覆盖所述第一金属层的所述端部。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括设置在所述第二电极上的封装层，并且
所述封装层包括：第一封装无机层，设置在所述第二电极上；封装有机层，设置在所述第一封装无机层上；以及第二封装无机层，设置在所述封装有机层上，其中，
所述第二电极的所述端部与所述封装有机层叠置。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括设置在所述外围区域中的两个或更多个坝，
所述两个或更多个坝包括彼此分开的第一坝和第二坝，并且
所述显示装置包括：第一-第一层，与所述第一坝叠置；以及第一-第二层，与所述第二坝叠置。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示装置包括：无机绝缘层，设置在所述基底上；有机绝缘层，设置在所述无机绝缘层上；以及像素限定层和间隔件，设置在所述有机绝缘层上。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述第一金属层设置在所述无机绝缘层与所述有机绝缘层之间。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述显示装置包括多个有机绝缘层，并且
所述第一金属层定位在所述多个有机绝缘层之中的两个相邻的有机绝缘层之间。
8.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述第一金属层设置在所述有机绝缘层与所述像素限定层之间。
9.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述第一金属层设置在所述像素限定层与所述间隔件之间。
10.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述中间层包括功能层，
所述功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层之中的至少一种，并且
所述第一-第一层与所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述电子传输层和所述电子注入层之中的所述至少一种包括相同的材料。
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