CN114823792A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示装置。该显示装置包括：基板，包括显示区域和围绕开口的外围区域；晶体管，被布置在显示区域上；第一电极，电连接到晶体管；辅助层，被布置在晶体管与第一电极之间并且在平面图中与第一电极重叠；像素限定层，在平面图中与辅助层的边缘和第一电极重叠；中间层、发射层和第二电极，被布置在第一电极上；至少一个挡坝，被布置在外围区域上；以及封装层，被布置在第二电极上。中间层包括被布置在显示区域与开口之间的切割部分。

Description

显示装置

本申请要求于2021年1月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0013252号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及一种显示装置。

背景技术

由于各种便携式电子装置包括相机功能，因此与单独携带相机的情况相比，具有内置相机功能的便携式电子装置的使用正在以更快的速度增加。

在传统技术中，因为相机、闪光灯、扬声器和光传感器等被提供在电子装置的图像显示区域的外部，所以存在电子装置显示图像的空间减少的趋势。

发明内容

实施例提供一种具有能够在包括开口区域的显示装置中显示图像的宽空间的显示装置。

另外，实施例提供了一种具有改进的显示质量的显示装置。另外，实施例提供了一种具有改进的可靠性的显示装置。

根据实施例的显示装置包括：基板，包括显示区域和围绕开口的外围区域；晶体管，被布置在显示区域上；第一电极，电连接到晶体管；辅助层，被布置在晶体管与第一电极之间并且在平面图中与第一电极重叠；像素限定层，在平面图中与辅助层的边缘和第一电极重叠；中间层、发射层和第二电极，被布置在第一电极上；至少一个挡坝，被布置在外围区域上；以及封装层，被布置在第二电极上，其中，中间层包括被布置在显示区域与开口之间的切割部分。

第一电极可以被直接布置在辅助层上。

第一电极和辅助层可以在平面图中具有基本相同的形状。

辅助层的边缘可以在平面图中被布置在第一电极的边缘外部。

辅助层的边缘可以在平面图中被布置在第一电极的边缘内部，并且第一电极可以覆盖辅助层的侧表面。

第一电极可以包括主体和突出部分，并且辅助层可以在平面图中与主体重叠，并且可以与突出部分间隔开。

突出部分可以电连接到晶体管。

辅助层可以包括钛和钼中的至少一种。

辅助层的厚度可以是约160埃至约700埃。

根据实施例的显示装置包括：基板，包括显示区域和非显示区域；信号布线，被布置在非显示区域上；以及辅助图案，在平面图中与信号布线重叠。信号布线包括第一层和第二层，并且信号布线的至少一部分的边缘在平面图中与辅助图案的边缘彼此平行。

信号布线可以包括第一信号布线，辅助图案可以包括第一辅助图案，并且第一辅助图案可以被直接布置在第一信号布线上。

第一辅助图案可以覆盖第一信号布线的侧表面。

第一信号布线可以进一步包括相对于第二层与第一层相对的第三层，并且第一层、第三层和第一辅助图案可以包括相同的材料。

显示装置可以进一步包括：晶体管和发光元件，被布置在显示区域上，并且晶体管可以包括：半导体层，位于基板上；栅电极，在平面图中与半导体层重叠；以及源电极和漏电极，连接到半导体层。显示装置可以进一步包括将晶体管与发光元件连接的连接电极。

第一信号布线与源电极和连接电极中的至少一个可以包括相同的材料。

信号布线可以包括第二信号布线，辅助图案可以包括第二辅助图案，并且有机绝缘层可以位于第二信号布线与第二辅助图案之间。

第二信号布线与源电极和连接电极中的至少一个可以包括相同的材料。

第二辅助图案可以在平面图中包括与第二信号布线重叠的多个孔。

第二信号布线可以被提供为多条第二信号布线，并且第二辅助图案可以被提供为多个第二辅助图案，多条第二信号布线可以分别与多个第二辅助图案重叠。

多个第二辅助图案可以与第二信号布线重叠，并且多个第二辅助图案可以彼此间隔开。

显示装置可以包括被布置在晶体管与发光元件之间的辅助层，并且辅助层、第一辅助图案和第二辅助图案可以包括相同的材料。

实施例可以提供具有用于在包括开口区域的显示装置中显示图像的宽空间的显示装置。另外，实施例可以提供具有改进的显示质量的显示装置。进一步，实施例可以提供具有改进的可靠性的显示装置。

附图说明

图1是根据实施例的显示装置的分解透视图。

图2是根据实施例的显示装置的示意性截面图。

图3是示出根据实施例的显示面板的一些构成元件的俯视图。

图4A是图1和图3的区域A的放大俯视图，并且图4B是根据实施例的显示装置的电路图。

图5A是根据实施例的显示面板的与一些区域相对应的截面图，图5B是示意性地示出第一电极和辅助层的俯视图，并且图5C是一些区域的放大图。

图6A是根据另一实施例的显示面板的与一些区域相对应的截面图，并且图6B是示意性地示出第一电极和辅助层的俯视图。

图7A是根据又一实施例的显示面板的与一些区域相对应的截面图，并且图7B是示意性地示出第一电极和辅助层的俯视图。

图8A、图8B、图8C、图8D和图8E分别是根据制造工艺的显示面板的截面图。

图9A是根据实施例的位于非显示区域中的一些布线的俯视图，并且图9B是沿着图9A的线A-A'截取的截面图。

图10A是根据实施例的位于图3的非显示区域当中的区域D中的一些布线的俯视图，并且图10B是沿着图10A的线B-B'截取的截面图。

图11A是根据另一实施例的位于图3的非显示区域当中的区域D中的一些布线的俯视图，并且图11B是沿着图11A的线C-C'截取的截面图。

<附图标记>

DA：显示区域 LA：外围区域

E1：第一电极 HL：辅助层

IL6：像素限定层 EML：发射层

E2：第二电极 D1、D2：挡坝

ENC：封装层 SP1：第一信号布线

SP2：第二信号布线 HP1：第一辅助图案

HP2：第二辅助图案

具体实施方式

在下文中将参照其中示出了本发明的实施例的附图更全面地描述本发明。如本领域技术人员将意识到的，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例而所有修改都不脱离本发明的精神或范围。

附图和描述在本质上被认为是说明性的而不是限制性的。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。

进一步，由于为了更好地理解和便于描述而任意地给出附图中所示的构成构件的尺寸和厚度，因此本发明不限于所图示的尺寸和厚度。在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了更好地理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。

将理解的是，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”时，它可以直接在该另一元件上，或者也可以存在居间元件。相反，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，不存在居间元件。进一步，在说明书中，词语“上”或“上方”是指位于对象部分上或下面，并且不一定是指基于重力方向位于对象部分的上侧。

将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区、层和/或区段，但是这些元件、部件、区、层和/或区段不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区、层或区段与另一元件、部件、区、层或区段区分开。因此，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可以被称作第二元件、部件、区、层或部分而不脱离本文的教导。

本文中使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的而不旨在限制。如本文中所使用的，单数形式“一”和“该(所述)”旨在包括包含“至少一个”的复数形式，除非内容另外明确指示。“至少一个”不应被解释为限于“一”。“或”是指“和/或”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括关联的所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。另外，除非明确相反地描述，否则词语“包括”和诸如“包含”或“含有”的变体将被理解为暗示包括所陈述的元件但是不排除任何其他元件。

进一步，在本说明书中，短语“在截面上”是指当从侧面观看通过垂直切割对象部分而截取的截面时。

现在，参照图1至图3示意性地描述根据实施例的显示装置。图1是根据实施例的显示装置的分解透视图，图2是根据实施例的显示装置的示意性截面图，并且图3是示出根据实施例的显示面板的一些构成元件的俯视图。

首先，参照图1和图2，显示装置1000在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面上朝向第三方向DR3显示图像。每一个构件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)相对于第三方向DR3限定。第一方向至第三方向DR1、DR2和DR3所指示的方向是相对概念，并且可以转换成其他方向。

图1的显示装置1000可以显示运动图片或静止图像。作为示例，显示装置1000可以用作诸如电视、膝上型计算机、监视器、广告牌、物联网(IOT)以及便携式电子装置的各种产品的显示屏，便携式电子装置诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机、移动通讯终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、超移动PC(UMPC)等。此外，根据实施例的显示装置1000可以用于诸如智能手表、手表电话、眼镜显示器、头戴式显示器(HMD)等的可穿戴装置中。此外，根据实施例的显示装置1000可以用作车辆的仪表板、车辆的中央仪表板或被布置在仪表板上的中央信息显示器(CID)、代替车辆的侧视镜的车内后视镜显示器、车辆的后座的娱乐设备或被布置在前座的后表面处的显示器。

为了便于说明，图1示出了根据实施例的显示装置1000被用作智能电话。

根据实施例的显示装置1000包括覆盖窗WU、显示面板DP和外壳构件HM。在本实施例中，覆盖窗WU、显示面板DP和外壳构件HM可以耦接以配置显示装置1000。

覆盖窗WU被布置在显示面板DP上以保护显示面板DP。覆盖窗WU可以包括聚酰亚胺窗或超薄玻璃窗。

覆盖窗WU可以包括透射区域TA和阻挡区域BA。透射区域TA可以是光学透明区域和透射入射光的区域。阻挡区域BA可以是与透射区域TA相比具有相对低的透光率的区域。阻挡区域BA限定透射区域TA的形状。阻挡区域BA可以围绕透射区域TA。阻挡区域BA可以表示预定颜色。阻挡区域BA在平面图中与显示面板DP的非显示区域PA重叠以阻挡非显示区域PA从外部被识别。

覆盖窗WU可以包括第一孔区域HA1和第二孔区域HA2。第一孔区域HA1和第二孔区域HA2中的每一个可以与稍后描述的电子模块EM重叠。电子模块EM可以通过接收通过第一孔区域HA1和第二孔区域HA2提供的外部信号来操作。

根据实施例，第一孔区域HA1可以位于透射区域TA中，并且第二孔区域HA2可以位于阻挡区域BA中。然而，这仅是说明性的，并且第一孔区域HA1和第二孔区域HA2可以位于相对的区域中、两者都在透射区域TA中或两者都在阻挡区域BA中。

第一孔区域HA1和第二孔区域HA2可以具有彼此不同的形状。第一孔区域HA1可以在平面图中具有圆形形状，并且第二孔区域HA2可以在平面图中具有椭圆形状，该椭圆形状具有沿着第一方向DR1延伸的长轴。然而，第一孔区域HA1的形状和第二孔区域HA2的形状不限于此，并且可以对尺寸和形状进行各种修改。

显示面板DP可以是平坦的刚性显示面板，但是本发明不限于此，并且可以是柔性显示面板。根据本发明的实施例的显示面板可以是发光显示面板，并且不特别限于此。例如，显示面板可以是有机发光面板或量子点发光显示面板。有机发光面板的发射层可以包括有机发光材料。量子点发光显示面板的发射层可以包括量子点和量子棒。在下文中，显示面板被描述为有机发光面板。

显示面板DP在正面上显示图像。显示面板DP的正面包括显示区域DA和非显示区域PA。图像显示在显示区域DA中并且不显示在非显示区域PA中。非显示区域PA可以围绕显示区域DA。

显示面板DP可以包括位于显示区域DA中的多个像素PX。像素PX可以响应于电信号而显示光。由像素PX显示的光可以实现图像。被包括在一个像素PX中的晶体管和电容器的数量以及连接关系可以以不同的方式变化。

根据实施例的显示面板DP可以包括穿透显示面板DP的开口DTA。开口DTA可以位于显示区域DA中。稍后描述开口DTA所位于的区域A。开口DTA可以在平面图中与覆盖窗WU的第一孔区域HA1重叠。多个像素PX中的一些可以被布置成围绕开口DTA。因此，图像也可以显示在与开口DTA邻近的区域中。

显示面板DP包括从显示区域DA延伸并且包括多条信号线和焊盘部分的非显示区域PA。数据驱动器50可以位于非显示区域PA中。根据实施例，非显示区域PA的焊盘部分可以电连接到包括驱动芯片80的印刷电路板(PCB)，并且在图3中更详细地描述。

如图2中所示，将显示面板DP粘附到覆盖窗WU的粘合层AD可以位于显示面板DP与覆盖窗WU之间。尽管在本说明书中未示出，但是可以进一步包括位于显示面板DP与覆盖窗WU之间的触摸单元。触摸单元可以被布置在显示面板DP上，用于显示装置1000的触摸屏功能。触摸单元可以包括各种图案的触摸电极，并且可以是电阻膜类型或电容类型。

电子模块EM包括各种功能模块以操作显示装置1000。电子模块EM可以通过未示出的连接器电连接到显示面板DP。例如，电子模块EM可以是相机、扬声器或用于检测光或热的传感器。

电子模块EM可以包括第一电子模块EM1和第二电子模块EM2。第一电子模块EM1可以检测通过开口DTA和第一孔区域HA1接收的外部对象。第一电子模块EM1可以接收通过开口DTA和第一孔区域HA1传输的外部输入或者通过开口DTA和第一孔区域HA1提供输出。

例如，第一电子模块EM1可以是发光模块、光感测模块和拍摄模块中的至少一个。例如，第一电子模块EM1可以包括输出红外光的发光模块、用于红外检测的CMOS传感器和拍摄外部主题的相机模块中的至少一个。

第二电子模块EM2可以通过第二孔区域HA2收集诸如语音的声音信号，或者向外部提供诸如处理后的语音的声音信号。例如，第二电子模块EM2可以包括声学输入模块和声学输出模块中的至少一个。声学输入模块可以包括能够接收声学信号的麦克风。声学输出模块可以包括将声音数据输出为声音信号的扬声器。

然而，这是通过示例的方式图示出的，并且电子模块EM可以由单个模块组成，或者可以进一步包括更多数量的电子模块。电子模块EM可以以各种设置关系设置，并且不限于任何一个实施例。

外壳构件HM被布置在显示面板DP下方。外壳构件HM与覆盖窗WU结合以形成显示装置1000的外观。外壳构件HM可以包含具有相对高刚度的材料。例如，外壳构件HM可以包括由玻璃、塑料和金属制成的多个框架和/或板。

外壳构件HM提供预定容纳空间。显示面板DP可以被容纳在容纳空间中以防止受到外部冲击。

接下来，参照图3，显示面板DP包括包含显示区域DA和非显示区域PA的基板SUB。非显示区域PA可以沿着显示区域DA的边界限定。

显示面板DP包括多个像素PX。多个像素PX可以被布置在基板SUB上的显示区域DA中。每一个像素PX包括发光元件和连接到该发光元件的驱动电路部分。每一个像素PX发射例如红色、绿色和蓝色的光或例如白色的光，并且可以包括作为示例的有机发光元件(有机发光二极管)。

显示面板DP可以包括多条信号线和焊盘部分PAD。多条信号线可以包括在第一方向DR1上延伸的扫描线SL以及在第二方向DR2上延伸的数据线DL和驱动电压线PL。

扫描驱动器20生成扫描信号并且通过扫描线SL将扫描信号传输到每一个像素PX。根据实施例，扫描驱动器20可以被布置在显示区域DA的左侧和右侧。本说明书示出了其中扫描驱动器20被布置在基板SUB的相对侧的结构，但是在另一实施例中，扫描驱动器可以仅被布置在基板SUB的一侧。

焊盘部分PAD被布置在显示面板DP的一端上并且包括多个端子P1、P2、P3和P4。焊盘部分PAD被暴露而没有被绝缘层覆盖，并且可以电连接到印刷电路板PCB。焊盘部分PAD可以电连接到印刷电路板PCB的焊盘部分PCB_P。印刷电路板PCB可以将驱动芯片80的信号或电力传输到焊盘部分PAD。

从外部传输的多个图像信号被转换成多个图像数据信号，并且转换后的信号通过端子P1被传输到数据驱动器50。另外，用于控制扫描驱动器20和数据驱动器50的驱动的控制信号可以被生成并且通过端子P3和P1被传输到每一个。驱动电压ELVDD通过端子P2被传输到驱动电压供给布线60。公共电压ELVSS通过端子P4被传输到公共电压供给布线70中的每一条。

数据驱动器50被布置在非显示区域PA中，并且生成数据信号并且将数据信号传输到每一个像素PX。例如，数据驱动器50可以被布置在显示面板DP的一侧，并且可以被布置在焊盘部分PAD与显示区域DA之间。

驱动电压供给布线60被布置在非显示区域PA中。例如，驱动电压供给布线60可以被布置在数据驱动器50与显示区域DA之间。驱动电压供给布线60将驱动电压ELVDD提供到像素PX。驱动电压供给布线60可以被布置在第一方向DR1上，并且可以连接到在第二方向DR2上延伸的多条驱动电压线PL。

公共电压供给布线70被布置在非显示区域PA中。公共电压供给布线70可以具有围绕基板SUB的形状。公共电压供给布线70将公共电压ELVSS传输到被包括在像素PX中的发光元件的一个电极(例如，第二电极)。

接下来，参照图4A和图4B进行描述。图4A是图1和图3的区域A的放大俯视图，并且图4B是根据实施例的显示装置的电路图。

参照图4A和以上所描述的附图，显示面板DP包括被布置在基板SUB上的多条信号线SL和DL以及多个像素PX。多个像素PX中的每一个可以连接到多条信号线SL和DL。图4A将多条信号线当中的扫描线SL和数据线DL作为示例进行描述。然而，这是作为示例图示出的，并且根据本发明的实施例的每一个像素PX可以附加地连接到各种信号线并且不限于任何一个实施例。

被包括在显示面板DP中的孔区域HA限定开口DTA并且包括围绕开口DTA的外围区域LA。外围区域LA是围绕开口DTA的外周界的区域。外围区域LA可以用于当照射激光以形成开口DTA时避免损坏布线。期望外围区域LA保持在最小恒定宽度以实现以上目的。外围区域LA包括挡坝D1和D2。尽管图4A示出了具有两个挡坝的示例，但是根据本发明的挡坝的数量不受限制，并且外围区域LA可以包括多个挡坝D1和D2。

扫描线SL和数据线DL具有半圆形结构、与外围区域LA重叠并且可以绕过开口DTA。多条扫描线SL沿着开口DTA的外周界在水平方向(例如，第一方向DR1)上延伸。这里，多条扫描线SL可以根据信号包括扫描线、发光控制线或初始化电压线等。多条数据线DL沿着开口DTA的外周界在垂直方向(例如，第二方向DR2)上延伸。多条数据线DL可以根据信号由驱动电压线和驱动低电压线组成。根据实施例，可以改变多条扫描线SL和多条数据线DL。

如图4B中所示，根据实施例的显示装置的一个像素PX包括连接到数条布线127、128、151、152、153、154、155、171、172和741的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst、升压电容器Cbt和发光二极管LED。

多条布线127、128、151、152、153、154、155、171、172和741连接到一个像素PX。多条布线包括第一初始化电压线127、第二初始化电压线128、第一扫描信号线151、第二扫描信号线152、初始化控制线153、旁路控制线154、发光控制线155、数据线171、驱动电压线172和公共电压线741。

第一扫描信号线151连接到栅驱动器(未示出)，并且将第一扫描信号GW传输到第二晶体管T2。与被施加到第一扫描信号线151的电压极性相反的电压可以在与第一扫描信号线151的信号相同的时序被施加到第二扫描信号线152。例如，当负电压被施加到第一扫描信号线151时，正电压可以被施加到第二扫描信号线152。第二扫描信号线152将第二扫描信号GC传输到第三晶体管T3。

初始化控制线153将初始化控制信号GI传输到第四晶体管T4。旁路控制线154将旁路信号GB传输到第七晶体管T7。旁路控制线154可以由先前的级的第一扫描信号线151形成。发光控制线155将发光控制信号ES传输到第五晶体管T5和第六晶体管T6。

数据线171是传输从数据驱动器(未示出)生成的数据电压DATA的布线，并且由发光二极管LED发射的亮度根据被施加到像素PX的数据电压DATA而改变。

驱动电压线172施加驱动电压ELVDD。第一初始化电压线127传输第一初始化电压VINT，并且第二初始化电压线128传输第二初始化电压AINT。公共电压线741将公共电压ELVSS施加到发光二极管LED的阴极。在本实施例中，被施加到驱动电压线172、第一初始化电压线127和第二初始化电压线128以及公共电压线741的电压可以分别是恒定电压。

多个晶体管可以包括驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。多个晶体管可以包括包含氧化物半导体的氧化物晶体管和包含多晶硅半导体的硅晶体管。例如，第三晶体管T3和第四晶体管T4可以由氧化物晶体管制成，并且驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可以由硅晶体管制成。然而，本发明不限于此，并且在另一实施例中，多个晶体管可以全部由硅晶体管形成。

在上文中，已经描述了一个像素PX包括七个晶体管T1至T7、一个存储电容器Cst和一个升压电容器Cbt，但是本发明不限于此，并且晶体管和电容器的数量以及它们的连接关系可以以多种方式改变。

接下来，参照图5A至图5C进行描述。图5A是根据实施例的显示面板的与一些区域相对应的截面图，图5B是示意性地示出第一电极和辅助层的俯视图，并且图5C是一些区域的放大图。

参照图5A，首先，描述显示区域DA的堆叠结构。本说明书示出了简化的显示区域DA的堆叠结构，但是用于实现图4B的电路的任何堆叠结构是可能的。

参照图5A，基板SUB可以具有不同程度的柔性。基板SUB可以是刚性基板或能够弯曲、折叠或卷曲的柔性基板。

基板SUB可以包括玻璃材料或聚合物树脂。例如，聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或醋酸丙酸纤维素等。基板SUB可以具有包括包含以上所描述的聚合物树脂的层和无机层(未示出)的多层结构。

缓冲膜BF可以位于基板SUB上。缓冲膜BF阻挡杂质从基板SUB转移到缓冲膜BF的上层，具体是半导体层ACT，从而防止半导体层ACT的特性劣化并且减少应力。缓冲层BF可以是包括氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)和氮氧化硅(SiO_xN_y)中的至少一种的单层或多层。可以省略缓冲层BF的一部分或全部。

半导体层ACT位于缓冲层BF上。半导体层ACT可以包括多晶硅和氧化物半导体中的至少一种。半导体层ACT包括沟道区域C、第一区域P和第二区域Q。第一区域P和第二区域Q被布置在沟道区域C的相应侧。沟道区域C可以包括与第一区域P和第二区域Q相比用少量杂质掺杂的半导体或者未用杂质掺杂的半导体，并且第一区域P和第二区域Q可以包括与沟道区域C相比用大量杂质掺杂的半导体。半导体层ACT可以由氧化物半导体制成，并且在这种情况下，可以添加单独的保护层(未示出)以保护易受诸如高温的外部环境的影响的氧化物半导体材料。

第一绝缘层IL1位于半导体层ACT上。第一绝缘层IL1可以是包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化铪的无机绝缘体中的至少一种的单层或多层。

栅电极GE和下电极CE1位于第一绝缘层IL1上。下电极CE1可以是栅电极GE的一部分。

栅电极GE可以是具有包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)、钼合金、钛(Ti)和钛合金中的任何一种的金属膜的单层或多层。栅电极GE可以在平面图中与半导体层ACT的沟道区域C重叠。

第二绝缘层IL2位于栅电极GE和第一绝缘层IL1上。第二绝缘层IL2可以是包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化铪的无机绝缘体当中的至少一种的单层或多层。

存储电容器Cst的上电极CE2位于第二绝缘层IL2上。

存储电容器Cst可以包括与插入在其间的第二绝缘层IL2重叠的下电极CE1和上电极CE2。根据实施例，示出了栅电极GE是存储电容器Cst的下电极CE1的情况，但是本发明不限于此，并且在另一实施例中，下电极CE1可以形成为单独的电极。

第三绝缘层IL3位于上电极CE2上。第三绝缘层IL3可以是包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化铪的无机绝缘体当中的至少一种的单层或多层。

源电极SE和漏电极DE位于第三绝缘层IL3上。源电极SE和漏电极DE通过限定在第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3中的接触孔分别连接到半导体层ACT的第一区域P和第二区域Q。

源电极SE和漏电极DE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)等的导电材料，并且可以是包括以上所描述的材料的单层或多层。作为实施例，源电极SE和漏电极DE可以具有钛层、铝层和钛层的多层结构(Ti/Al/Ti)。

第四绝缘层IL4位于第三绝缘层IL3、源电极SE和漏电极DE上。第四绝缘层IL4可以包括诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有苯酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及其混合物。

连接电极CE位于第四绝缘层IL4上。连接电极CE可以通过形成在第四绝缘层IL4中的接触孔连接到漏电极DE。

连接电极CE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)的导电材料，并且可以是包括以上所描述的材料的多层或单层。作为实施例，连接电极CE可以是钛层、铝层和钛层的多层结构(Ti/Al/Ti)。

第五绝缘层IL5位于连接电极CE上。第五绝缘层IL5可以包括诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有苯酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及其混合物。

辅助层HL可以位于第五绝缘层IL5上。辅助层可以通过形成在第五绝缘层IL5中的接触孔连接到连接电极CE。辅助层HL可以包括钛(Ti)和钼(Mo)当中的至少一种。辅助层HL的厚度t_a可以是约160埃

至约700埃。

第一电极E1可以被直接布置在辅助层HL上。第一电极E1的面积可以小于辅助层HL的面积。辅助层HL的面积可以大于第一电极E1的面积。如图5B中所示，辅助层HL和第一电极E1可以在平面图中具有相似的形状。第一电极E1可以被布置在辅助层HL的上表面上。

辅助层HL的边缘和第一电极E1的边缘在它们的对应的部分可以平行。辅助层HL的边缘可以在平面图中被布置在第一电极E1的边缘的外部。辅助层HL的边缘可以具有围绕第一电极E1的边缘的形状。本说明书描述了其中辅助层HL和第一电极E1的形状相似的实施例，然而，本发明不限于此，并且辅助层HL的围绕第一电极E1的边缘的边缘的任何形状是可能的。

辅助层HL和第一电极E1通过第五绝缘层IL5的接触孔电连接到漏电极DE。第一电极E1可以通过辅助层HL和连接电极CE电连接到漏电极DE。本说明书示出了其中仅辅助层HL的一部分位于第五绝缘层IL5的接触孔内的实施例，但是本发明不限于此，并且其中辅助层HL和第一电极E1顺序地位于第五绝缘层IL5的接触孔内的另一实施例是可能的。

第一电极E1可以包括诸如银(Ag)、锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)和金(Au)的金属，或者也可以包括诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物(TCO)。第一电极E1可以由包括金属材料或透明导电氧化物的单层或包括它们的多层组成。例如，如图5C中所示，第一电极E1可以具有三层结构，该三层结构包括包含氧化铟锡(ITO)的第一层E1-a、包含银(Ag)的第二层E1-b和包含氧化铟锡(ITO)的第三层E1-c。

根据实施例的辅助层HL可以防止在制造工艺期间从第五绝缘层IL5生成的排气。因此，位于辅助层HL上的发光元件可以提供进一步改进的显示质量。

包括栅电极GE、半导体层ACT、源电极SE和漏电极DE的晶体管Tr电连接到第一电极E1以将电流供给到发光元件。

像素限定层IL6位于第一电极E1上。像素限定层IL6与第一电极E1的至少一部分重叠。具体地，像素限定层IL6在平面图中与第一电极E1的边缘重叠。此外，像素限定层IL6与辅助层HL的边缘重叠。由于辅助层HL和第一电极E1针对每一个像素单独地形成，因此辅助层HL和第一电极E1可以与像素限定层IL6的边缘重叠。

像素限定层IL6具有限定发射区域的开口。例如，暴露第一电极E1的顶表面的开口的宽度可以与光从其发射的发射区域的宽度或者像素的宽度相对应。开口可以在平面图中具有菱形或类似于菱形的八角形形状，但是开口的形状不限于此，并且可以具有诸如四边形、另一多边形、圆形或椭圆形的任何形状。

隔离物IL7可以位于像素限定层IL6上。像素限定层IL6和隔离物IL7可以包括诸如通用聚合物(诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有苯酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、诸如聚酰亚胺的酰亚胺类聚合物和硅氧烷类聚合物的有机绝缘材料。

发射层EML位于第一电极E1上。发射层EML可以包括有机材料和/或无机材料。发射层EML可以生成预定颜色的光。发射层EML可以通过使用掩模形成为仅位于像素限定层IL6的开口内。

中间层ML1和ML2可以位于发射层EML上和发射层EML下方。第一中间层ML1可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)当中的至少一个，并且第二中间层ML2可以是包括电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)当中的至少一个的多层。

中间层ML1和ML2可以在平面图中与基板SUB的显示区域DA的整个表面重叠。在显示区域DA中，不同颜色的发射层EML可以根据对应的像素的颜色彼此间隔开，但是中间层ML1和ML2可以形成为整体覆盖显示区域DA。中间层ML1和ML2中的每一个可以由被布置在显示区域DA中的多个像素共享。中间层ML1和ML2中的每一个可以覆盖多个第一电极E1。

第二电极E2被布置在第二中间层ML2上。第二电极E2可以包括诸如钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)、铬(Cr)、锂(Li)和钙(Ca)的反射金属或者诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物(TCO)。

第一电极E1、发射层EML和第二电极E2可以构成发光元件。这里，第一电极E1可以是作为空穴注入电极的阳极，并且第二电极E2可以是作为电子注入电极的阴极。然而，根据本发明的实施例不限于此，并且取决于发射显示装置的驱动方法，在另一实施例中，第一电极E1可以是阴极，并且第二电极E2可以是阳极。

空穴和电子分别从第一电极E1和第二电极E2被注入到发射层EML中，并且当作为注入的空穴和电子的结合的激子从激发态下降到基态时，发生光发射。

封装层ENC位于第二电极E2上。封装层ENC不仅可以覆盖和密封发光元件的顶表面，而且可以覆盖和密封侧表面。由于发光元件非常容易受到水分和氧气的影响，因此封装层ENC密封发光元件以阻挡水分和氧气从外部流入。

封装层ENC可以包括多个层并且可以由包括无机层和有机层两者的复合膜形成，并且例如，封装层ENC可以具有其中第一封装无机层EIL1、封装有机层EOL和第二封装无机层EIL2顺序地形成的三层。

第一封装无机层EIL1可以覆盖第二电极E2。第一封装无机层EIL1可以防止外部水分或氧气穿透发光元件。例如，第一封装无机层EIL1可以形成为包括诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的至少一种无机材料的单层或多层。第一封装无机层EIL1可以通过沉积工艺形成。

封装有机层EOL可以被布置在第一封装无机层EIL1上以与第一封装无机层EIL1接触。形成在第一封装无机层EIL1的顶表面上的曲率或存在于第一封装无机层EIL1上的颗粒被封装有机层EOL覆盖，以使第一封装无机层EIL1的顶表面的表面状态可以防止对形成在封装有机层EOL上的部件的影响。另外，封装有机层EOL可以减轻接触层之间的应力。封装有机层EOL可以包括有机材料并且可以通过诸如旋涂、缝隙涂布或喷墨工艺的溶液工艺形成。

第二封装无机层EIL2被布置在封装有机层EOL上以覆盖封装有机层EOL。第二封装无机层EIL2可以稳定地形成在相对平坦的表面上，而不是被布置在第一封装无机层EIL1上。第二封装无机层EIL2通过封装从封装有机层EOL散发的水分来防止流出到外部。第二封装无机层EIL2可以是包括诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的至少一种无机材料的单层或通用多层。第二封装无机层EIL2可以通过沉积工艺形成。

尽管在本说明书中未示出，但是可以进一步包括被布置在第二电极E2与封装层ENC之间的封盖层。封盖层可以包括有机材料。封盖层保护第二电极E2免受后续工艺(例如，溅射)的影响，并且改进发光元件的发光效率。封盖层可以具有比第一封装无机层EIL1的折射率更大的折射率。

接下来，在围绕开口DTA的外围区域LA中，缓冲层BF位于基板SUB上。缓冲层BF可以在平面图中形成为与基板SUB的整个表面重叠。可以在外围区域LA中去除第一绝缘层IL1至第三绝缘层IL3中的一些。第一绝缘层IL1至第三绝缘层IL3可以与位于外围区域LA中的挡坝D1间隔开。根据实施例，第一绝缘层IL1至第三绝缘层IL3的端部可以被第四绝缘层IL4覆盖。另外，也可以在外围区域LA中去除第四绝缘层IL4。第四绝缘层IL4可以与位于外围区域LA中的挡坝D1间隔开。根据实施例，第四绝缘层IL4的端部可以被第五绝缘层IL5覆盖。

第一挡坝D1和第二挡坝D2可以按顺序与显示区域DA邻近定位。第一挡坝D1和第二挡坝D2可以朝向开口DTA彼此间隔开。第一挡坝D1可以最靠近显示区域DA，并且第二挡坝D2可以最靠近开口DTA。第一挡坝D1和第二挡坝D2可以位于外围区域LA中并且可以位于缓冲层BF上。在实施例中，图示出位于外围区域LA中的两个挡坝D1和D2，但是本发明不限于此，并且在另一实施例中可以包括两个或更多个挡坝。

第一挡坝D1可以包括第一-1子挡坝D1-a、第一-2子挡坝D1-b和第一-3子挡坝D1-c。第一-1子挡坝D1-a可以采用与位于显示区域DA中的第五绝缘层IL5相同的材料以相同的工艺制造。第一-2子挡坝D1-b可以采用与位于显示区域DA中的像素限定层IL6相同的材料以相同的工艺制造。第一-3子挡坝D1-c可以采用与隔离物IL7相同的材料以相同的工艺制造。第一挡坝D1可以在制造工艺期间控制被包括在封装层ENC中的封装有机层EOL的扩散。

第二挡坝D2可以包括第二-1子挡坝D2-a、第二-2子挡坝D2-b和第二-3子挡坝D2-c。第二-1子挡坝D2-a可以采用与位于显示区域DA中的第五绝缘层IL5相同的材料以相同的工艺制造。第二-2子挡坝D2-b可以采用与位于显示区域DA中的像素限定层IL6相同的材料以相同的工艺制造。第二-3子挡坝D2-c可以采用与位于显示区域DA中的隔离物IL7相同的材料以相同的工艺制造。第二挡坝D2可以具有与第一挡坝D1基本相同的形状。

如图4A中所示，本说明书中所示的挡坝在平面图中具有围绕开口DTA的环形形状。然而，这是形状的示例，并且第一挡坝D1和第二挡坝D2可以具有与开口DTA不同的形状。例如，第一挡坝D1和第二挡坝D2可以具有包括多边形的形状、椭圆或包括至少一些曲线的闭合线形状，或者可以以包括被部分切除的多个图案的形状被提供，但是本发明不限于任何一个实施例。

外围区域LA可以包括从被布置在显示区域DA中的中间层ML1和ML2切割的中间层ML1-h和ML2-h。也就是说，可以从外围区域LA去除中间层ML1和ML2中的一些。中间层ML1和ML2可以包括位于外围区域LA中的切割部分OA。根据实施例，多个切割部分OA可以位于外围区域LA中。第一中间层ML1的开口和第二中间层ML2的开口在平面图中彼此重叠，从而形成一个切割部分OA。由于切割部分OA，第一中间层ML1和第二中间层ML2可以是不连续的。通过第一中间层ML1和第二中间层ML2，可以有效地阻挡水分或异物颗粒穿透的路径。

绝缘层(例如，被布置在切割部分OA下方的缓冲层BF)可以通过切割部分OA暴露。第一封装无机层EIL1可以通过切割部分OA与缓冲层BF接触。可以通过第一封装无机层EIL1与缓冲层BF之间的接触来阻挡水分或异物颗粒的进入。根据实施例，通过切割部分OA暴露的绝缘层可以是除缓冲层BF之外的绝缘层。

与显示区域DA重叠的第二电极E2可以延伸以在平面图中与外围区域LA的一部分重叠。第二电极E2的端部CB可以被布置在显示区域DA与第一挡坝D1之间。可以从第二电极E2的端部CB所位于的区域到开口DTA去除与第二电极E2相对应的层。也就是说，从第二电极E2的端部CB所位于的区域到开口DTA没有布置与第二电极E2具有相同材料和相同堆叠结构的层。

第二电极E2的端部CB可以被封装有机层EOL覆盖。可以通过去除形成为在平面图中与显示区域DA和外围区域LA重叠的第二电极材料层的一部分来形成第二电极E2。可以通过激光剥离工艺去除第二电极材料层的一部分。此时，在厚度薄的第二电极材料层中，可以通过照射的激光将端部卷起，并且如所示的，第二电极E2可以包括毛刺的形式的端部CB。第二电极E2的端部CB可以在远离基板SUB的顶表面的倾斜方向上卷起。另外，第二电极E2的端部CB的截面可以具有不规则的突起和凹进形状。

被布置在第二电极E2上的第一封装无机层EIL1可以覆盖第二电极E2的端部CB。由于第二电极E2的端部CB具有不规则的形状，因此在第一封装无机层EIL1中可以包括局部具有薄的厚度的部分。此时，在第一封装无机层EIL1中可能生成裂纹，但是裂纹转移可能被封装有机层EOL覆盖。

接下来，参照图6A和图6B进行描述。图6A是根据另一实施例的显示面板的与一些区域相对应的截面图，并且图6B是示意性地示出第一电极和辅助层的俯视图。省略与以上所描述的构成元件相同的构成元件的描述。

如图6A和图6B中所示，根据实施例的辅助层HL的面积可以小于第一电极E1的面积。辅助层HL的边缘可以被布置在第一电极E1的边缘内部。辅助层HL的边缘和第一电极E1的边缘可以彼此平行。辅助层HL和第一电极E1可以在平面图中具有彼此相似的形状并且可以具有基本相同的形状。然而，本发明不限于此，并且，第一电极E1的平面面积大于辅助层HL的平面面积，并且其中第一电极E1完全覆盖辅助层HL的任何形状是可能的。

如图6B中所示，第一电极E1可以具有完全覆盖辅助层HL的形状。第一电极E1可以覆盖辅助层HL的侧面。第一电极E1可以延伸以当覆盖辅助层HL的侧表面的同时与第五绝缘层IL5的上表面接触。第一电极E1可以在平面图中在与辅助层HL的端部重叠的区域中具有台阶。

接下来，参照图7A和图7B进行描述。图7A是根据又一实施例的显示面板的与一些区域相对应的截面图，并且图7B是示意性地示出第一电极和辅助层的俯视图。省略与以上所描述的构成元件相同的构成元件的描述。

如图7A和图7B中所示，根据实施例的辅助层HL的面积可以小于第一电极E1的面积。辅助层HL的边缘可以被布置在第一电极E1的边缘内部。第一电极E1可以具有完全覆盖辅助层HL的形状。第一电极E1可以覆盖辅助层HL的侧面。第一电极E1可以延伸以当覆盖辅助层HL的侧表面的同时与第五绝缘层IL5的上表面接触。第一电极E1可以在与辅助层HL的端部重叠的区域中具有台阶。

另外，根据实施例的辅助层HL可以不与连接电极CE重叠。辅助层HL可以不直接接收单独的信号。第一电极E1可以通过形成在第五绝缘层IL5中的接触孔连接到连接电极CE。

参照图7B，第一电极E1可以包括主体E1-m和突出部分E1-p。突出部分E1-p可以从主体E1-m延伸并且与连接电极CE接触。根据实施例的辅助层HL可以当在平面图中与主体E1-m重叠的同时与突出部分E1-p间隔开。辅助层HL可以具有与主体E1-m的形状基本相同的岛状。

接下来，参照图8A至图8E描述根据实施例的显示面板的制造方法。图8A、图8B、图8C、图8D和图8E分别是根据制造工艺的显示面板的截面图。

首先，参照图8A，包括半导体层ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE的晶体管Tr在平面图中形成在与显示区域重叠的基板SUB上。

详细地，缓冲层BF可以形成在基板SUB上。接下来，晶体管Tr的半导体层ACT、第一绝缘层IL1、栅电极GE和存储电容器的下电极CE1、第二绝缘层IL2、存储电容器的上电极CE2、第三绝缘层IL3、源电极SE和漏电极DE、第四绝缘层IL4、连接电极CE以及第五绝缘层IL5可以顺序地形成。

缓冲层BF可以形成为在平面图中与基板SUB的整个表面重叠。可以去除第一绝缘层IL1至第三绝缘层IL3的部分。可以在外围区域LA中去除第一绝缘层IL1至第三绝缘层IL3。第一绝缘层IL1至第三绝缘层IL3可以与位于外围区域LA中的挡坝间隔开。根据实施例，第一绝缘层IL1至第三绝缘层IL3的端部可以被第四绝缘层IL4覆盖。另外，也可以从外围区域LA去除第四绝缘层IL4。第四绝缘层IL4可以与位于外围区域LA中的挡坝间隔开。根据实施例，第四绝缘层IL4的端部可以被第五绝缘层IL5覆盖。

在外围区域LA中，可以布置缓冲层BF以及第一-1挡坝D1-a和第二-1挡坝D2-a。第一-1挡坝D1-a和第二-1挡坝D2-a可以以与位于显示区域DA中的第五绝缘层IL5相同的工艺形成。

在此之后，辅助材料层HL-a形成为在平面图中与基板SUB的整个表面重叠。辅助材料层HL-a可以包括钛(Ti)和钼(Mo)中的至少一种。辅助材料层HL-a的厚度可以是约160埃至约700埃。

然后，如图8B中所示，通过图案化工艺，形成位于显示区域DA中的辅助层HL和位于外围区域LA中的多个牺牲图案HPa。作为示例，形成辅助层HL和多个牺牲图案HPa的工艺可以包括：例如，形成感光图案、使用感光图案作为掩模蚀刻暴露区域以及去除感光图案和暴露区域。

根据实施例，辅助层HL可以通过形成在第五绝缘层IL5中的接触孔连接到连接电极CE。然而，本发明不限于此，并且，其中辅助层HL以类似于第一电极E1的形状形成在第五绝缘层IL5上而不与连接电极CE接触的实施例是可能的。然而，本发明不限于此，并且其中可以省略第五绝缘层并且辅助层HL形成在具有连接电极CE的第四绝缘层IL4上的实施例是可能的。

在形成辅助层HL的工艺中，当辅助层HL未形成在显示区DA中时，包括有机材料的第五绝缘层IL5可能被形成牺牲图案HPa的工艺损坏。因此，第一电极E1形成在损坏的第五绝缘层IL5上，并且包括第一电极E1的发光元件可能具有显示质量劣化的问题。然而，根据本发明的实施例，通过在形成第一电极E1的区域下方形成辅助层HL，可以有效地防止在平面图中与第一电极E1重叠的第五绝缘层IL5的损坏，并且第一电极E1和包括第一电极E1的发光元件可以形成为稳定的。另外，位于第五绝缘层IL5上的辅助层HL可以阻挡第五绝缘层IL5的排气。

牺牲图案HPa可以被布置在第五绝缘层IL5的端部与第一-1挡坝D1-a之间、第一-1挡坝D1-a与第二-1挡坝D2-a之间以及第二-1挡坝D2-a与开口DTA之间。然而，本发明不限于此，并且可以省略任何一个牺牲图案HPa或者任何一个牺牲图案HPa可以位于挡坝上。多个牺牲图案HPa中的每一个的宽度可以彼此不同或可以彼此相同。

接下来，如图8C中所示，第一电极E1形成在辅助层HL上。第一电极E1的边缘可以被布置在辅助层HL的边缘内部。第一电极E1可以当具有与辅助层HL基本相同的形状的同时具有较小的面积。由于第一电极E1仅位于辅助层HL的上表面上，因此第一电极E1可以以稳定的形状形成而不会破坏第一电极E1。然而，本发明不限于此，并且在另一实施例中，可以以与图6B和图7B的实施例相同的形状形成。

像素限定层IL6和隔离物IL7可以形成在第一电极E1上。像素限定层IL6可以形成为与第一电极E1和辅助层HL的边缘重叠。

在外围区域LA中，第一-2挡坝D1-b和第二-2挡坝D2-b可以以与像素限定层IL6相同的工艺形成。此外，第一-3挡坝D1-c和第二-3挡坝D2-c可以以与隔离物IL7相同的工艺形成。

接下来，如图8D中所示，第一中间材料层ML1a、发射层EML、第二中间材料层ML2a和第二电极材料层E2a形成在第一电极E1上。第一中间材料层ML1a、第二中间材料层ML2a和第二电极材料层E2a可以形成为与基板SUB的整个表面重叠。发射层EML可以形成为被布置在像素限定层IL6内。

之后，以牺牲图案HPa所位于的区域为中心执行激光照射工艺。激光可以沿着从基板SUB的背表面到顶部的方向照射。照射的激光的输出可以基于第二电极E2的带隙来设定。激光可以照射一次或多次，并且当多次照射时，可以改变激光的类型、输出和/或照射范围(或激光束的尺寸)。根据实施例，可以在一些区域中照射相对高输出的激光(深色箭头)，并且在其他区域中可以照射相对低输出的激光(透明箭头)。

可以基于位于显示区域DA与第一挡坝D1之间的牺牲图案HPa来照射激光。可以去除位于照射激光的区域中的第二电极材料层E2a。另外，可以通过吸收照射的激光而在预定温度下加热和分离牺牲图案HPa。可以去除位于分离的牺牲图案HPa上的第一中间材料层ML1a和第二中间材料层ML2a。

通过该激光剥离工艺，如图8E中所示，可以在外围区域中形成断开形式的第一中间层ML1-h和第二中间层ML2-h。本发明不限于图8E中所示的形状，并且第一中间层ML1、第二中间层ML2和第二电极E2的形状和位置可以根据牺牲图案HPa的数量和位置以及激光的照射范围而进行各种改变。

在此之后，封装层ENC形成在第二电极E2上，并且使用切割工艺形成开口DTA，从而提供如图5A中所示的显示面板。

接下来，参照图9A和图9B描述位于非显示区域中的信号布线。图9A是根据实施例的位于非显示区域中的一些布线的俯视图，并且图9B是沿着图9A的线A-A'截取的截面图。图9A和图9B中描述的信号布线可以作为连接图3中所示的焊盘部分PAD和显示区域DA的任何信号布线。例如，图9A可以是图3的区域B的放大俯视图。

参照图9A和图9B，缓冲层BF和第一绝缘层IL1至第三绝缘层IL3可以位于与非显示区域PA重叠的基板SUB上。然而，本发明不限于此，并且在另一实施例中，可以去除第一绝缘层IL1至第三绝缘层IL3中的至少一个。根据实施例，仅由无机材料制成的绝缘层可以在平面图中位于基板SUB的与非显示区域PA重叠的至少一部分上。

根据实施例，第一信号布线SP1可以位于由无机材料制成的绝缘层上。多条第一信号布线SP1可以被布置为彼此间隔开。多条第一信号布线SP1之间的间距可以彼此相同或彼此不同。

第一信号线SP1可以包括第一层SPa、第二层SPb和第三层SPc。作为示例，第一层Spa可以包括钛，第二层SPb可以包括铝，并且第三层SPc可以包括钛，但是本发明不限于此。

第一信号布线SP1可以与位于显示区域DA中的源电极SE和漏电极DE被布置在同一层上或者可以与连接电极CE被布置在同一层上，如图5A中所示。例如，第一信号布线SP1可以包括与源电极SE和漏电极DE相同的材料并且可以以相同的工艺形成，或者可以包括与连接电极CE相同的材料并且可以以相同的工艺形成。此外，本发明不限于此，并且在另一实施例中，第一信号布线SP1可以包括以与源电极SE相同的工艺形成的第一子信号布线和以与连接电极CE相同的工艺形成的第二子信号布线。

第一辅助图案HP1可以位于每条第一信号布线SP1上。多个第一辅助图案HP1可以以预定间隔AH1彼此间隔开。

第一辅助图案HP1的边缘和与第一辅助图案HP1重叠的第一信号布线SP1的边缘可以平行。第一辅助图案HP1可以具有沿着第一信号布线SP1的延伸方向延伸的形状。多个第一辅助图案HP1可以根据其中设置多条第一信号布线SP1的方向被重复地布置。

多个第一辅助图案HP1中的每一个可以在平面图中具有覆盖多条第一信号布线SP1中的每一条的形状。第一辅助图案HP1可以覆盖第一层SPa至第三层SPc的侧表面和第三层SPc的上表面。第一辅助图案HP1可以覆盖第一信号布线SP1的所有暴露侧。

根据实施例的第一辅助图案HP1可以包括钛(Ti)和钼(Mo)中的至少一种。例如，当第一层SPa和第三层SPc包括钛并且第一辅助图案HP1包括钛时，由于它们一体地形成，因此可能难以对各层进行界定。

第一辅助图案HP1可以通过如先前在图8B中描述的工艺中蚀刻辅助材料层来形成。当第一层SPa、第三层SPc和辅助材料层由相同的材料形成时，可能存在在蚀刻辅助材料层的工艺中蚀刻第三层SPc的问题。也就是说，不仅辅助材料层被蚀刻，而且包括相同材料的第三层SPc可能被不必要地蚀刻。因此，当第二层SPb被暴露时，可能损坏第一信号布线SP1并且可能降低装置的可靠性。然而，根据本发明的实施例，当包括被布置在非显示区域中的第一辅助图案HP1时，第一信号布线SP1不被暴露，并且也不存在被蚀刻的担心，因此可以提供具有改进的可靠性的显示装置。

接下来，参考图10A至图11B描述信号布线。图10A是根据实施例的位于图3的非显示区域当中的区域D中的一些布线的俯视图，并且图10B是沿着图10A的线B-B'截取的截面图。图11A是根据另一实施例的位于图3的非显示区域当中的区域D中的一些布线的俯视图，并且图11B是沿着图11A的线C-C'截取的截面图。图10A和图10B以及图11A和图11B中描述的信号布线可以是将图3中所示的焊盘部分PAD与显示区域DA连接的任何信号布线或者将驱动芯片80与印刷电路板PCB的焊盘部分PCB_P连接的任何信号布线，并且本发明不限于此。

参照图10A和图10B，缓冲层BF和第一绝缘层IL1至第三绝缘层IL3可以位于基板SUB上。然而，本发明不限于这种层叠结构，并且可以省略第一绝缘层IL1至第三绝缘层IL3中的至少一个。

第二信号布线SP2可以位于第三绝缘层IL3上。第二信号布线SP2可以包括第一子信号布线SP2-a和第二子信号布线SP2-b。第一子信号布线SP2-a可以与位于显示区域DA中的源电极SE和漏电极DE包括相同的材料，并且可以以相同的工艺形成。第二子信号线SP2-b可以与位于显示区域DA中的连接电极CE包括相同的材料，并且可以以相同的工艺形成。当源电极SE、漏电极DE和连接电极CE中的每一个以多层形成时，第一子信号布线SP2-a和第二子信号布线SP2-b也可以以多层形成。然而，本发明不限于此，并且在另一实施例中，第二信号布线SP2可以仅包括第一子信号布线SP2-a和第二子信号布线SP2-b中的一个。

有机绝缘层OL可以位于第二信号布线SP2的至少一部分上。有机绝缘层OL可以覆盖多条第二信号布线SP2。例如，有机绝缘层OL可以具有覆盖沿着一个方向(即，由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面上的方向)间隔开的多条第二信号布线SP2的形状。例如，有机绝缘层OL与位于显示区域DA中的第五绝缘层IL5包括相同的材料，并且可以以与第五绝缘层IL5相同的工艺形成。

第二辅助图案HP2可以被布置在有机绝缘层OL上。第二辅助图案HP2可以位于有机绝缘层OL的平坦的顶表面上。第二辅助图案HP2可以与图5A中描述的辅助层HL和图9A中描述的第一辅助图案HP1包括相同的材料，并且可以以与辅助层HL或第一辅助图案HP1相同的工艺形成。

第二辅助图案HP2可以在平面图中以一对一的方式与第二信号布线SP2重叠。多个第二辅助图案HP2可以在平面图中彼此间隔开以具有预定间隔AH2。由于第二辅助图案HP2仅与一条第二信号布线SP2重叠，并且不与其他邻近的第二信号布线SP2重叠，因此可以有效地防止信号干扰。

第二辅助图案HP2的边缘可以平行于第二信号布线SP2的边缘。第二辅助图案HP2可以具有沿着第二信号布线SP2的延伸方向延伸的形状。多个第二辅助图案HP2可以沿着其中布置多条第二信号布线SP2的方向被重复地布置。本说明书示出了其中第二辅助图案HP2的边缘的一部分在平面图中位于对应的第二信号布线SP2的边缘外部的实施例，然而，本发明不限于此，并且其中在平面图中两个边缘对齐或者第二辅助图案HP2的边缘位于对应的第二信号布线SP2的边缘内部的另一实施例是可能的。

第二辅助图案HP2可以在平面图中限定与在其中的第二信号布线SP2重叠的多个孔H2。多个孔H2中的每一个可以暴露被布置在第二辅助图案HP2下方的有机绝缘层OL。通过孔H2可以顺利地实现从有机绝缘层OL的排气。

本发明不限于这种形状，并且如图11A和图11B中所示的第二辅助图案HP2可以被包括在另一实施例中。一条第二信号布线SP2可以与多个第二辅助图案HP2重叠。多个第二辅助图案HP2可以彼此间隔开。多个第二辅助图案HP2可以如所示以恒定间隔间隔开，但是本发明不限于此，并且其中它们以不同间隔间隔开的另一实施例是可能的。

另外，第二辅助图案HP2可以在平面图中具有正方形形状，但是第二辅助图案HP2的形状不限于此，并且可以变换成诸如圆形、椭圆形和多边形形状的各种形状。

在有机绝缘层OL上，在执行图8B中描述的去除整个辅助材料层的工艺的情况下，可能存在由于需要蚀刻的宽区域而没有完全执行蚀刻的问题。如果没有完全执行蚀刻，则通过后续工艺沉积的部件可能被翘起，并且然后可能降低装置的可靠性。

然而，根据实施例，辅助材料层可以被蚀刻为具有预定图案而不去除有机绝缘层OL上的整个辅助材料层。因此，可以防止由于没有像过去那样被完全蚀刻而导致的不均匀翘起的发生。

虽然已经结合目前被认为是实际的实施例描述了本发明，但是要理解的是，本发明不限于所公开的实施例。相反，本公开旨在覆盖被包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等价设置。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：

基板，包括显示区域和围绕开口的外围区域；

晶体管，被布置在所述显示区域上；

第一电极，电连接到所述晶体管；

辅助层，被布置在所述晶体管与所述第一电极之间并且在平面图中与所述第一电极重叠；

像素限定层，在所述平面图中与所述辅助层的边缘和所述第一电极重叠；

中间层、发射层和第二电极，被布置在所述第一电极上；

至少一个挡坝，被布置在所述外围区域上；以及

封装层，被布置在所述第二电极上，

其中，所述中间层限定被布置在所述显示区域与所述开口之间的切割部分。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第一电极和所述辅助层在所述平面图中具有相同的形状。

3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中，

所述辅助层的所述边缘在所述平面图中被布置在所述第一电极的边缘外部。

4.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中，

所述辅助层的所述边缘在所述平面图中被布置在所述第一电极的边缘内部，并且

所述第一电极覆盖所述辅助层的侧表面。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，

所述第一电极包括主体和突出部分，并且

所述辅助层在所述平面图中与所述主体重叠，并且与所述突出部分间隔开，其中，

所述突出部分电连接到所述晶体管。

6.一种显示装置，包括：

基板，包括显示区域和非显示区域；

信号布线，被布置在所述非显示区域上；以及

辅助图案，在平面图中与所述信号布线重叠，

其中，所述信号布线包括第一层和第二层，并且

所述信号布线的至少一部分的边缘在所述平面图中与所述辅助图案的边缘彼此平行。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，

所述信号布线包括第一信号布线，

所述辅助图案包括第一辅助图案，并且

所述第一辅助图案被直接布置在所述第一信号布线上。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一信号布线进一步包括相对于所述第二层与所述第一层相对的第三层，并且

所述第一层、所述第三层和所述第一辅助图案包括相同的材料。

9.根据权利要求7或8所述的显示装置，其中，

所述显示装置进一步包括：

晶体管和发光元件，被布置在所述显示区域上；以及

连接电极，将所述晶体管与所述发光元件连接，并且

所述晶体管包括：

半导体层，位于所述基板上；

栅电极，在所述平面图中与所述半导体层重叠；以及

源电极和漏电极，连接到所述半导体层，其中，

所述第一信号布线与所述源电极和所述连接电极中的至少一个包括相同的材料。

10.根据权利要求6所述的显示装置，其中，

所述信号布线包括第二信号布线，

所述辅助图案包括第二辅助图案，

所述第二辅助图案被提供为多个第二辅助图案，

所述多个第二辅助图案与所述第二信号布线重叠，并且

所述多个第二辅助图案彼此间隔开。

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