KR102397900B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

표시 장치가 제공된다. 표시 장치는 베이스부, 상기 베이스부 상에 위치하고 표시영역에 위치하는 유기 발광 소자, 및 상기 베이스부 상에 위치하고 비표시영역에 위치하는 제1균열감지선을 포함하고, 상기 제1균열감지선은, 상기 표시영역의 제1가장자리를 따라 실질적으로 제1방향으로 연장된 제1선, 상기 제1선과 이격되어 실질적으로 상기 제1방향으로 연장된 제2선 및 상기 제1선의 일단 및 상기 제2선의 일단과 연결된 제3선을 포함하고, 상기 제1선은, 상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로의 단면 형상이 역테이퍼 형상일 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
최근 평판 형상의 표시 장치뿐만 아니라 일부가 구부러진 형상의 표시 장치도 개발되고 있다.
평판 형상의 표시 장치 또는 일부가 구부러진 형상의 표시 장치의 경우, 스트레스에 의해 크랙(crack)이 발생할 수 있으며 이에 따라 표시 장치의 기능 불량이 발생할 수 있다. 따라서, 크랙 여부를 정확히 감지하는 것이 중요한 문제로 부각되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 표시 장치의 크랙을 쉽게 보다 정확히 감지할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치는, 표시영역 및 상기 표시영역 주변의 비표시영역을 포함하며, 베이스부; 상기 베이스부 상에 위치하고 상기 표시영역에 위치하는 유기 발광 소자; 및 상기 베이스부 상에 위치하고 상기 비표시영역에 위치하는 제1균열감지선; 을 포함하고, 상기 제1균열감지선은, 상기 표시영역의 제1가장자리를 따라 실질적으로 제1방향으로 연장된 제1선, 상기 제1선과 이격되어 실질적으로 상기 제1방향으로 연장된 제2선 및 상기 제1선의 일단 및 상기 제2선의 일단과 연결된 제3선을 포함하고, 상기 제1선은, 상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로의 단면 형상이 역테이퍼 형상일 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1균열감지선과 상기 베이스부의 가장자리 간 최단간격은, 50㎛ 내지 100㎛일 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제2선은 상기 제2방향으로의 단면 형상이 역테이퍼 형상일 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 비표시영역에 위치하고 상기 제1선의 타단과 연결된 제1테스트 패드 및 상기 제2선의 타단과 연결된 제2테스트 패드를 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1테스트 패드의 단면 형상 또는 상기 제2테스트 패드의 단면 형상은 역테이퍼 형상일 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 유기 발광 소자를 밀봉하는 박막 봉지층을 더 포함하고, 상기 제1테스트 패드 및 상기 제2테스트 패드는 상기 박막 봉지층과 비접촉할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 베이스부 상에 위치하고 상기 비표시영역에 위치하며 상기 제1균열감지선과 이격된 제2균열감지선을 더 포함하고, 상기 제2균열감지선은, 상기 제1가장자리와 마주보는 상기 표시영역의 제2가장자리를 따라 실질적으로 상기 제1방향으로 연장된 제4선, 상기 제4선과 이격되어 실질적으로 상기 제1방향으로 연장된 제5선 및 상기 제4선의 일단 및 상기 제5선의 일단과 연결된 제6선을 포함하고, 상기 제4선은 상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로의 단면 형상이 역테이퍼 형상일 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제5선은, 상기 제2방향으로의 단면 형상이 역테이퍼 형상일 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 베이스부 상에 위치하고 상기 표시영역에 위치하는 반도체층; 상기 베이스부 및 상기 반도체층 상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 및 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 제1층간 절연막; 및 상기 제1층간 절연막 상에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극; 을 포함하고, 상기 제1균열감지선은, 상기 제1층간 절연막 상에 위치하고, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 베이스부 상에 위치하고 상기 비표시영역에 위치하며 상기 표시영역과 상기 제1균열감지선 사이에 위치하는 전원선을 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 베이스부 상에 위치하고 상기 표시영역에 위치하는 반도체층; 상기 베이스부 및 상기 반도체층 상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 및 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 제1층간 절연막; 및 상기 제1층간 절연막 상에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극; 을 더 포함하고, 상기 전원선은, 상기 제1층간 절연막 상에 위치하고 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1균열감지선은 상기 전원선과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 위치하는 제2층간 절연막을 더 포함하고, 상기 유기 발광 소자는, 상기 제2층간 절연막 상에 위치하고 상기 드레인 전극과 연결된 제1전극과, 상기 제1전극 상에 위치하는 발광층과, 상기 발광층 상에 위치하는 제2전극을 더 포함하고, 상기 제2전극은 상기 전원선과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 전원선 및 상기 제2전극과 접촉하고 상기 제1전극과 동일한 물질로 이루어진 연결전극을 더 포함하고, 상기 제2전극은 상기 연결전극을 매개로 상기 전원선과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 베이스부 상에 위치하고 상기 비표시영역에서 상기 표시영역과 상기 제1균열감지선 사이에 위치하는 댐부를 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 베이스부 상에 위치하고 상기 표시영역에 위치하는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 상에 위치하는 층간 절연막; 및 상기 층간 절연막 상에 위치하고 개구가 형성된 화소 정의막을 더 포함하고, 상기 유기 발광 소자는, 상기 층간 절연막 상에 위치하고 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되고 상기 개구에 의해 적어도 일부가 노출된 제1전극과, 상기 제1전극 상에 위치하는 발광층과, 상기 발광층 상에 위치하는 제2전극을 포함하고, 상기 댐부는, 상기 층간 절연막과 동일한 물질로 이루어진 제1패턴 및 상기 제1패턴 상에 위치하고 상기 화소 정의막과 동일한 물질로 이루어진 제2패턴을 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 유기 발광 소자를 밀봉하고 무기막 및 유기막을 포함하는 박막 봉지층을 더 포함하고, 상기 유기막은 상기 댐부의 내측에 위치할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 유기 발광 소자를 밀봉하고 제1무기막, 제2무기막 및 상기 제1무기막과 상기 제2무기막 사이에 위치하는 유기막을 포함하는 박막 봉지층을 더 포함하고, 상기 제1무기막과 상기 제2무기막은 상기 댐부의 외측에서 서로 접할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 제1선 상에 위치하는 무기막 패턴을 더 포함하고, 상기 무기막 패턴은, 상기 제1무기막 및 상기 제2무기막과 분리될 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 무기막 패턴은, 상기 제1무기막 또는 상기 제2무기막과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른 표시 장치는, 표시영역 및 상기 표시영역 주변의 비표시영역을 포함하며, 베이스부; 상기 베이스부 상에 위치하고 상기 표시영역에 위치하는 박막 트랜지스터; 및 상기 베이스부 상에 위치하고 상기 비표시영역에 위치하는 패드; 상기 베이스부 상에 위치하고 실질적으로 제1방향을 따라 연장되고, 상기 표시영역에서 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되고, 상기 비표시영역에서 상기 패드와 전기적으로 연결된 데이터선; 상기 비표시영역에서 상기 베이스부의 가장자리와 상기 데이터선 사이에 위치하고 상기 데이터선과 이격된 균열감지패턴; 을 포함하고, 상기 균열감지패턴은, 상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로의 단면 형상이 역테이퍼 형상인 부분을 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 균열감지패턴은, 실질적으로 상기 제1방향으로 연장된 제1패턴, 상기 제1패턴과 이격되고 실질적으로 상기 제1방향으로 연장된 제2패턴 및 상기 제1패턴과 제2패턴을 연결하는 연결패턴을 포함하고, 상기 제1패턴의 상기 제2방향으로의 단면 형상은 역테이퍼 형상일 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제2패턴의 상기 제2방향으로의 단면 형상은 역테이퍼 형상일 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 박막 트랜지스터 상에 위치하는 층간 절연막; 상기 층간 절연막 상에 위치하고 상기 박박 트랜지스터와 전기적으로 연결된 유기 발광 소자; 및 상기 유기 발광 소자 상에 위치하고 상기 유기 발광 소자를 밀봉하는 박막 봉지층; 을 더 포함하고, 상기 균열감지패턴은, 상기 박막 봉지층과 비접촉할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예에 따른 표시 장치에 따르면, 표시 장치의 크랙을 쉽게 감지하여, 크랙에 따른 표시 장치의 불량을 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치의 한 화소소자에 대한 등가회로도이다.
도 3은 도 1의 S부분을 확대 도시한 평면도이다.
도 4는 도 3의 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 5는 도 1의 B-B'선 및 C-C'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 6 내지 도 13은 도 4에 도시된 부분의 제조과정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 14 내지 도 18은 도 5에 도시된 부분의 제조과정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 19는 도 1에 도시된 표시 장치가 벤딩된 경우의 구조를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 20은 도 19의 X-X'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 21은 도 19의 Y-Y'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 22는 도 19에 도시된 표시 장치의 변형 실시예 구조를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 23은 도 22의 Xa-Xa'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 24는 도 22의 Ya-Ya'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 25는 도 19에 도시된 표시 장치의 다른 변형 실시예 구조를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 26은 도 25의 Xb-Xb'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 27은 도 25의 Yb-Yb'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 28은 도 4에 도시된 제1균열감지선 중 제1선의 단면형상 변형예를 도시한 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위 뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "위(on)", "상(on)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있으며, 이 경우 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
명세서 전체를 통하여 동일하거나 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도, 도 2는 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치의 한 화소소자에 대한 등가회로도, 도 3은 도 1의 S부분을 확대 도시한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치(1)는, 사용자가 인식할 수 있는 화상을 구현하는 표시 영역(DA), 표시 영역(DA) 주변에 위치하는 비표시 영역(NDA)을 포함하며, 비표시 영역(NDA)은 패드 영역(PA)을 포함한다. 표시 영역(DA)은 화소소자(PX)가 배치되어 화상을 구현하는 영역이며, 비표시 영역(NDA)은 화상을 구현하지 않는 영역이다. 그리고 비표시 영역(NDA) 중 패드 영역(PA)은 외부에서 인가된 전원 및 제어 신호를 표시 장치(1)의 각 소자에 전달하기 위한 패드들이 위치하는 영역이다.
도면을 기준으로 세로방향(y)을 제1방향, 가로방향(x)을 제2방향이라 지칭하면, 표시 영역(DA)은 도면을 기준으로 좌측에 위치하는 제1가장자리(e1), 제1가장자리(e1)와 마주보고 우측에 위치하는 제2가장자리(e2), 제1가장자리(e1)와 제2가장자리(e2) 사이에 위치하고 도면을 기준으로 상측에 위치하는 제3가장자리(e3) 및 제3가장자리(e3)와 마주보고 도면을 기준으로 하측에 위치하는 제4가장자리(e4)를 포함할 수 있다. 그리고 패드 영역(PA)은 표시 영역(DA)의 제4가장자리(e4) 바깥쪽에 위치할 수 있다.
표시 장치(1)의 베이스부(110) 위에는 복수의 신호선(121, 171) 및 화소소자(PX)가 위치한다.
화소소자(PX)는 표시 영역(DA) 내에 위치하며, 표시 영역(DA) 내에 복수개 배치될 수 있다. 화소소자(PX)란, 이미지를 표시하는 최소 단위인 한 화소에 포함되는 소자들의 그룹을 의미한다.
신호선(121, 171)은 게이트 신호 또는 주사신호를 전달하고 제2방향(x)으로 연장된 게이트선(121), 데이터 신호를 전달하고 제2방향(x)과 교차하는 제1방향(y)으로 연장되고 게이트선(121)과 절연된 데이터선(171)을 포함한다. 게이트선(121) 및 데이터선(171)은 표시 영역(DA) 내에 위치할 수 있으며, 부분적으로 비표시 영역(NDA)까지 연장될 수 있다.
베이스부(110) 상에는 데이터 패드(P1)가 위치할 수 있으며, 데이터 패드(P1)는 패드 영역(PA)에 위치할 수 있다. 데이터 패드(P1)는 외부에서 인가된 데이터 전압을 데이터선(171)에 전달하는 부분으로서, 비표시영역(NDA), 보다 구체적으로 패드영역(PA)까지 연장된 데이터선(171)과 연결될 수 있다.
아울러, 도 1에는 미도시되었으나, 표시 장치(1)의 베이스부(110) 위에는 구동전압을 전달하는 구동전압선이 더 위치할 수 있으며, 상기 구동전압선은 실질적으로 데이터선(171)과 나란하게 연장될 수 있다.
도 2를 참조하면, 각 화소소자(PX)는 스위칭 소자인 구동 박막 트랜지스터(driving thin film transistor)(Qd), 스위칭 소자인 스위칭 박막 트랜지스터(switching thin film transistor)(Qs), 유지 축전기(storage capacitor)(Cst) 및 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)(LD)를 포함하며, 게이트선(121)의 일부, 데이터선(171)의 일부 및 구동전압선(172)의 일부를 더 포함한다.
구동 박막 트랜지스터(Qd)는 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동전압(Vdd)을 제공하는 구동전압선(172)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 소자(LD)에 연결되어 있다. 구동 박막 트랜지스터(Qd)는 유기 발광 소자(LD)로 공급하는 전류(I)를 제어한다.
스위칭 박막 트랜지스터(Qs)도 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 게이트선(121)에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 제어 단자에 연결되어 있다. 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)는 게이트선(121)에 인가되는 주사 신호에 응답하여 데이터선(171)에 인가되는 데이터 전압을 구동 박막 트랜지스터(Qd)에 전달한다.
유지 축전기(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어 있다. 유지 축전기(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 제어 단자에 인가되는 데이터 전압을 충전하고 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)가 턴 오프(turn-off)된 뒤에도 충전된 데이터 전압을 소정 기간 동안 유지한다.
유기 발광 소자(LD)는 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노드(anode), 공통전압(Vss)을 제공하는 공통전압선에 연결되어 있는 캐소드(cathode) 및 유기발광층을 포함한다. 유기 발광 소자(LD)는 구동 박막 트랜지스터(Qd)에서 출력되는 전류(I)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 화상을 표시한다.
한편, 상술한 본 발명의 한 예시적 실시예에서, 스위칭 박막 트랜지스터(Qs) 및 구동 박막 트랜지스터(Qd) 각각과 관련하여, 제어 단자는 게이트 전극, 입력 단자는 소스 전극 또는 드레인 전극 중 어느 하나, 출력 단자는 소스 전극 또는 드레인 전극 중 다른 하나일 수 있다. 예를 들어, 입력 단자가 소스 전극인 경우, 출력 단자는 드레인 전극일 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 표시 장치(1)의 베이스부(110) 위에는 제1균열감지선(CD1)이 위치할 수 있으며, 제1균열감지선(CD1)은 표시 장치(1)의 비표시 영역(NDA) 내에 위치할 수 있다.
그리고 제1균열감지선(CD1)은 비표시 영역(NDA) 중 표시 영역(DA)의 제1가장자리(e1) 바깥쪽에 위치할 수 있다.
제1균열감지선(CD1)은 표시 영역(DA)의 제1가장자리(e1)을 따라 실질적으로 제1방향(y)으로 연장된 제1선(CD1a), 제1선(CD1a)과 이격되고 실질적으로 제1방향(y)으로 연장된 제2선(CD1b) 및 제1선(CD1a)의 일단과 제2선(CD1b)의 일단을 연결하는 제3선(CD1c)을 포함할 수 있다.
제1선(CD1a) 및 제2선(CD1b)은 비표시 영역(NDA) 중 표시 영역(DA)의 좌측 바깥부분에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3선(CD1c)은 도 1에 도시된 바와 같이 표시 영역(DA)의 상측 바깥부분, 또는 비표시 영역(NDA) 중 표시 영역(DA)의 제3가장자리(e3) 측에 위치할 수 있다.
제1선(CD1a)의 제2방향(x)으로의 단면 형상은 역테이퍼 형상일 수 있으며, 몇몇 실시예에서 제2선(CD1b)의 제2방향(x)으로의 단면 형상 또한 역테이퍼 형상일 수 있다. 또한 몇몇 실시예에서 제3선(CD1c)의 제1방향(y)으로의 단면 형상은 역테이퍼 형상일 수 있다. 표시 장치(1)의 비표시 영역(NDA)에서 크랙이 발생하면, 제1 균열감지선(CD1)에 크랙이 전달되고, 이에 따라 제1균열감지선(CD1)이 부분적으로 파손되거나 단선될 수 있다. 특히 제1선(CD1a)과 제2선(CD1b)중 적어도 어느 하나의 단면 형상이 역테이퍼 형상, 예컨대 상부폭보다 하부폭이 작은 형상인 경우 크랙에 의해 제1균열감지선(CD1)이 보다 쉽게 파손되거나 단선될 가능성이 높아진다. 이에 따라 표시 장치(1)의 크랙을 쉽게 감지하여, 크랙에 따른 표시 장치(1)의 불량을 방지할 수 있다.
도 3을 참조하면, 제1균열감지선(CD1)은 베이스부(110)의 가장자리(E)와 소정 간격 이격되어 위치할 수 있다. 표시 장치 제조 과정 중 모기판 절단 과정에서 제1균열감지선(CD1)이 파손되는 것을 방지하기 위함이다. 몇몇 실시예에서 제1균열감지선(CD1)과 베이스부(110)의 가장자리(E) 간 최단간격(L1) 또는 이격거리는 50㎛ 내지 100㎛ 일 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1선(CD1a)의 선폭(W), 즉 제2방향(x)을 따라 측정한 제1선(CD1a)의 폭은 5㎛ 내지 10㎛일 수 있다. 유사하게 제2선(CD1a)의 선폭 또한 5㎛ 내지 10㎛일 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2방향(x)을 따라 측정한 제1선(CD1a)과 제2선(CD1b)간의 이격거리(L2)는 15㎛ 내지 20㎛일 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 제1균열감지선(CD1)과 유사하게 표시 장치(1)의 베이스부(110) 위에는 제2균열감지선(CD2)이 위치할 수 있으며, 제1균열감지선(CD2)은 표시 장치(1)의 비표시 영역(NDA) 내에 위치할 수 있다. 제2균열감지선(CD2)은 비표시 영역(NDA) 중 표시 영역(DA)의 제2가장자리(e2) 바깥쪽에 위치할 수 있다.
제2균열감지선(CD2)은 표시 영역(DA)의 제2가장자리(e2)을 따라 실질적으로 제1방향(y)으로 연장된 제4선(CD2a), 제4선(CD2a)과 이격되고 실질적으로 제1방향(y)으로 연장된 제5선(CD2b) 및 제4선(CD2a)의 일단과 제5선(CD2b)의 일단을 연결하는 제6선(CD2c)을 포함할 수 있다. 제4선(CD2a)의 제2방향(x)으로의 단면 형상은 역테이퍼 형상일 수 있으며, 몇몇 실시예에서 제5선(CD2b)의 제2방향(x)으로의 단면 형상 또한 역테이퍼 형상일 수 있다. 또한 몇몇 실시예에서 제6선(CD2c)의 제1방향(y)으로의 단면 형상은 역테이퍼 형상일 수 있다.
이처럼, 제1균열감지선(CD1)과 제2균열감지선(CD2)은 각기 표시 영역(DA)의 양쪽 가장자리에 인접한 비표시 영역(NDA)에 형성되어 있으며, 반링(hemiring) 형태로 형성되어 있다.
다만 상술한 실시예에 제1균열감지선(CD1) 및 제2균열감지선(CD2)의 형상이 제한되는 것은 아니다. 예컨대 제1균열감지선(CD1)은 제1선(CD1a) 및 제2선(CD1b) 이외에 별도로 제1방향(y)을 따라 연장된 선을 더 포함할 수도 있으며, 이러한 경우 제2선(CD1b)과 상기 선을 연결하는 연결부를 더 포함할 수 있다. 유사하게 제2균열감지선(CD2) 또한 제4선(CD2a) 및 제5선(CD2b) 이외 별도의 선 및 연결부를 더 포함할 수도 있다.
패드 영역(PA)에는 테스트 패드들(TP1, TP2, TP3, TP4)이 위치할 수 있다. 제1테스트 패드(TP1) 및 제2테스트 패드(P2)는 제1균열감지선(CD1)에 균열감지를 위한 테스트 신호를 인가하는 부분으로서, 제1선(CD1a)의 타단은 패드 영역(PA)까지 연장되어 제1테스트 패드(TP1)와 연결될 수 있으며, 제2선(CD1b)의 타단은 패드 영역(PA)까지 연장되어 제2테스트 패드(TP2)와 연결될 수 있다.
모기판 상태에서 절단 공정을 수행하기 이전 또는 표시 장치의 일부를 구부리는 벤딩 공정 이전에는 표시 장치(1)에 크랙이 발생하지 않을 가능성이 높다. 한편, 표시 장치(1)에 크랙이 발생하여 제1균열감지선(CD1)에 손상이 발생한 경우, 제1균열감지선(CD1)의 저항값은 증가할 수 있으며, 제1균열감지선(CD1) 일부가 단선될 수도 있다.
따라서 절단 공정 또는 벤딩 공정 이전에 제1테스트 패드(TP1) 및 제2테스트 패드(TP2)에 전압을 인가하여 제1테스트값(예컨대 전류값)을 획득하고 상기 제1테스트값과 상기 제2테스트값을 비교함으로써 표시 장치(1)에 크랙이 발생하였는지 여부를 감지할 수 있다.
다만 상술한 균열감지과정은 하나의 예시일 뿐이며, 이외에도 다양한 방식으로 제1균열감지선(CD1)을 이용하여 표시 장치(1)의 크랙발생 여부를 감지할 수 있다.
제1테스트 패드(TP1) 및 제2테스트 패드(P2)와 유사하게, 제3테스트 패드(TP3) 및 제4테스트 패드(TP4)는 제2균열감지선(CD2)에 균열감지를 위한 테스트 신호를 인가하는 부분으로서, 제2선(CD2a)의 타단은 패드 영역(PA)까지 연장되어 제3테스트 패드(TP3)와 연결될 수 있으며, 제5선(CD2b)의 타단은 패드 영역(PA)까지 연장되어 제4테스트 패드(TP4)와 연결될 수 있다.
패드 영역(PA)에는 패드 영역(PA)의 크랙발생여부 감지를 위한 제1균열감지패턴(CDP1)이 위치할 수 있다. 제1균열감지패턴(CDP1)은 패드 영역(PA)에 위치하는 데이터선(171)과 이격 배치될 수 있으며, 도면을 기준으로 베이스부(110)의 좌측 가장자리와 좌측 최외곽에 위치하는 데이터선(171) 사이에 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1균열감지패턴(CDP1)은 제1방향(y)으로 연장된 제1패턴(CDP1a), 제1패턴(CDP1a)과 이격되고 제1방향(y)으로 연장된 제2패턴(CDP1b) 및 제1패턴(CDP1a)과 제2패턴(CDP1b)을 연결하는 제1연결패턴(CDP1c)을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1패턴(CDP1a)의 제2방향(x)으로의 단면 형상은 역테이퍼 형상일 수 있으며, 제2패턴(CDP1b)의 제2방향(x)으로의 단면 형상 또한 역테이퍼 형상일 수 있다. 이에 따라 표시 장치(1)의 패드 영역(PA)에서 발생하는 크랙을 쉽게 감지할 수 있다.
패드 영역(PA) 중 제1균열감지패턴(CDP1)의 반대측에는 제2균열감지패턴(CDP2)이 더 위치할 수 있다. 제2균열감지패턴(CDP2)은 패드 영역(PA)에 위치하는 데이터선(171)과 이격 배치될 수 있으며, 도면을 기준으로 베이스부(110)의 우측 가장자리와 위측 최외곽에 위치하는 데이터선(171) 사이에 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1균열감지패턴(CDP1)과 유사하게 제2균열감지패턴(CDP2)은 제1방향(y)으로 연장된 제3패턴(CDP2a), 제3패턴(CDP2a)과 이격되고 제1방향(y)으로 연장된 제4패턴(CDP2b) 및 제3패턴(CDP2a)과 제4패턴(CDP2b)을 연결하는 제2연결패턴(CDP2c)을 포함할 수 있다. 그리고 몇몇 실시예에서 제3패턴(CDP2a)의 제2방향(x)으로의 단면 형상은 역테이퍼 형상일 수 있으며, 제4패턴(CDP2b)의 제2방향(x)으로의 단면 형상 또한 역테이퍼 형상일 수 있다.
베이스부(110) 상의 패드 영역(PA)에는 크랙감지를 위한 테스트 신호가 인가되는 제5테스트 패드(TP11), 제6테스트 패드(TP12), 제7테스트 패드(TP21) 및 제8테스트 패드(TP22)가 위치할 수 있으며, 제5테스트 패드(TP11)는 제1패턴(CDP1a)과 연결되고, 제6테스트 패드(TP11)는 제2패턴(CDP1b)과 연결되고, 제7테스트 패드(TP21)는 제3패턴(CDP2a)과 연결되고, 제8테스트 패드(TP21)는 제4패턴(CDP2b)과 연결될 수 있다. 크랙감지과정은 제1균열감지선(CD1)의 설명에서 상술한 바와 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
베이스부(110) 상의 비표시 영역(NDA)에는 표시 영역(DA)에 위치하는 유기물이 베이스부(110)의 가장자리로 넘쳐 흘러내리는 것을 방지하기 위해서, 댐부(DM)가 위치할 수 있다. 도 1에서는 댐부(DM)가 하나 형성된 것을 예시로 도시하였으나, 몇몇 다른 실시예에서 댐부(DM)는 2개 이상 형성될 수도 있다.
댐부(DM)는 표시 영역(DA)을 둘러싸도록 배치될 수 있으며, 제1균열감지선(CD1) 및 제2균열감지선(CD2)과 표시 영역(DA) 사이에 위치할 수 있다. 바꾸어 말하면, 제1균열감지선(CD1) 및 제2균열감지선(CD2)은 댐부(DM)보다 상대적으로 외측에 위치할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치(1)의 층상 구성에 대해서 구체적으로 설명한다. 이때, 화소소자(PX)의 각각 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터는 동일한 층상 구조를 가지므로, 화소소자(PX)의 구동 박막 트랜지스터(Qd) 및 유기 발광 소자(LD)를 중심으로 적층 순서에 따라 상세히 설명한다. 그리고 표시 장치(1)의 비표시 영역(NDA)에는 화소소자(PX)를 구동하기 위한 구동 회로가 함께 형성될 수 있다. 상기 구동 회로는 복수의 신호선과 복수의 박막 트랜지스터를 포함하므로, 이하에서는 하나의 회로부 박막 트랜지스터(Ts)를 예로 들어 설명한다. 또한 이하에서는 상술한 내용과 중복되는 내용은 간단히 언급하거나 생략한다.
도 4는 도 3의 A-A'선을 따라 절단한 단면도, 도 5는 도 1의 B-B'선 및 C-C'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1, 도 3 내지 도 5를 참조하면, 표시 장치(1)의 베이스부(110)는 투명 수지로 구성될 수 있다. 예를 들면, 베이스부(110)는 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate)계 수지, 폴리이미드(polyimide)계 수지, 아크릴 (acryl)계 수지, 폴리아크릴레이트(polyacrylate)계 수지, 폴리카보네이트(polycarbonate)계 수지, 폴리에테르(polyether)계 수지, 술폰산(sulfonic acid)계 수지, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate)계 수지 등을 포함할 수 있다. 베이스부(110)는 접히거나(foldable, bendable), 말리거나(rollable), 적어도 한 방향으로 늘어나는(stretchable) 것과 같은 신축성(elasticity) 등의 유연성을 가지는 투명한 가요성(flexible) 기판일 수 있다. 다른 예시적인 실시예에서 베이스부(110)는 유리 기판, 석영 기판, 투광성알루미나 기판 등과 같은 투명 세라믹 기판으로 이루어질 수도 있다.
베이스부(110) 상에는 버퍼층(111)이 위치할 수 있다. 버퍼층(111)은 실리콘 화합물, 투명 수지 등으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(111)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 폴리아크릴레이트계 수지, 폴리메타크릴레이트계 수지, 올레핀(olefin)계 수지 및/또는 폴리비닐계 수지를 함유하는 적어도 하나의 버퍼 필름을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 버퍼층(111)은 서로 다른 실리콘 화합물로 이루어진 2개의 버퍼 필름들을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 버퍼층(111)은 실리콘 화합물을 포함하는 적어도 하나의 버퍼 필름과 투명수지를 포함하는 적어도 하나의 버퍼 필름이 실질적으로 교대로 적층되는 구조를 가질 수도 있다. 그러나, 버퍼층(111)의 구조는 표시 장치(1)의 구성, 치수, 용도 등에 따라 달라질 수 있다. 버퍼층(120)은 불순물, 금속 원자, 수분과 같이 불필요한 성분의 침투를 방지할 수 있으며, 또한 버퍼층(111)은 동시에 베이스부(110)의 표면을 평탄화하는 역할을 수행할 수 있다.
버퍼층(111) 위에는 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 반도체층(135) 및 회로부 박막 트랜지스터(Ts)의 반도체층(35)이 위치할 수 있다. 반도체층(35, 135)는 각기 폴리실리콘, 산화물 반도체 등으로 이루어질 수 있다. 산화물 반도체는 티타늄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 게르마늄(Ge), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 또는 인듐(In)을 기본으로 하는 산화물, 이들의 복합 산화물인 인듐-갈륨-아연 산화물(InGaZnO4), 인듐-아연 산화물(Zn-In-O), 아연-주석 산화물(Zn-Sn-O) 인듐-갈륨 산화물 (In-Ga-O), 인듐-주석 산화물(In-Sn-O), 인듐-지르코늄 산화물(In-Zr-O), 인듐-지르코늄-아연 산화물(In-Zr-Zn-O), 인듐-지르코늄-주석 산화물(In-Zr-Sn-O), 인듐-지르코늄-갈륨 산화물(In-Zr-Ga-O), 인듐-알루미늄 산화물(In-Al-O), 인듐-아연-알루미늄 산화물(In-Zn-Al-O), 인듐-주석-알루미늄 산화물(In-Sn-Al-O), 인듐-알루미늄-갈륨 산화물(In-Al-Ga-O), 인듐-탄탈륨 산화물(In-Ta-O), 인듐-탄탈륨-아연 산화물(In-Ta-Zn-O), 인듐-탄탈륨-주석 산화물(In-Ta-Sn-O), 인듐-탄탈륨-갈륨 산화물(In-Ta-Ga-O), 인듐-게르마늄 산화물(In-Ge-O), 인듐-게르마늄-아연 산화물(In-Ge-Zn-O), 인듐-게르마늄-주석 산화물(In-Ge-Sn-O), 인듐-게르마늄-갈륨 산화물(In-Ge-Ga-O), 티타늄-인듐-아연 산화물(Ti-In-Zn-O), 하프늄-인듐-아연 산화물(Hf-In-Zn-O) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 반도체층(35, 135)이 산화물 반도체로 이루어지는 경우에는 고온 등의 외부 환경에 취약한 산화물 반도체를 보호하기 위해 별도의 보호층이 추가될 수 있다.
버퍼층(1111) 상에는 반도체층(35, 135)를 커버하는 게이트 절연층(113)이 위치할 수 있다. 게이트 절연층(113)은 실리콘 산화물, 실리콘 탄산화물 등과 같은 실리콘 화합물로 구성될 수 있다. 선택적으로는, 게이트 절연층(113)은 하프늄 산화물, 알루미늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물 등과 같은 금속 산화물로 이루어질 수 있다.
게이트 절연층(113) 위에는 게이트 전극(25, 125)이 위치할 수 있으며, 게이트 전극(25, 125)은 반도체층(35, 135)와 중첩할 수 있다. 게이트 전극(25, 125)은 Al, Ti, Mo, Cu, Ni 또는 이들의 합금과 같이 저저항 물질 또는 부식이 강한 물질을 단층 또는 복수층으로 형성할 수 있다.
게이트 절연층(113) 위에는 게이트 전극(25, 125)를 덮는 제1층간 절연막(115)이 위치할 수 있다. 제1층간 절연막(115)은 회로부 박막 트랜지스터(Ts)의 게이트 전극(25) 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 게이트 전극(125) 등 상부의 배선들 및/또는 전극들로부터 분리하는 역할을 수행할 수 있다. 제1층간 절연막(115)은 실리콘 화합물, 투명 수지 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(45)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물, 폴리아크릴레이트계 수지, 폴리메타크릴레이트계 수지, 올레핀계 수지, 폴리비닐계 수지 등을 포함할 수 있다.
제1 층간 절연막(115) 위에는 전원선(71), 데이터선(171), 소스 전극(73, 173) 및 드레인 전극(75, 175)가 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 전원선(71)은 도 2의 설명에서 상술한 공통전압(도 2의 Vss)이 인가되는 공통전압선일 수 있다.
회로부 박막 트랜지스터(Ts)의 소스 전극(73) 및 드레인 전극(75)은 제1층간 절연막(115) 및 게이트 절연막(113)에 형성된 컨택홀을 통해 회로부 박막 트랜지스터(Ts)의 반도체층(35)과 연결될 수 있다.
구동 박막 트랜지스터(Qd)의 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 제1층간 절연막(115) 및 게이트 절연막(113)에 형성된 컨택홀을 통해 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 반도체층(135)과 연결될 수 있다.
전원선(71), 데이터선(171), 소스 전극(73, 173) 및 드레인 전극(75, 175)은 Al, Ti, Mo, Cu, Ni 또는 이들의 합금과 같이 저저항 물질 또는 부식이 강한 물질을 단층 또는 복수층으로 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 복수층은 Ti/Cu/Ti, Ti/Ag/Ti, Mo/Al/Mo의 삼중층일 수 있다.
표시 영역(DA)에 위치하는 반도체층(135), 게이트 전극(125), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 스위칭 소자인 구동 박막 트랜지스터(Qd)를 이룬다. 유사하게 비표시 영역(NDA)에 위치하는 반도체층(35), 게이트 전극(25), 소스 전극(73) 및 드레인 전극(75)은 스위칭 소자인 회로부 박막 트랜지스터(Ts)를 이룬다.
제1층간 절연막(115) 상에는 표시 영역(DA)의 구동 박막 트랜지스터(Qd)와 데이터선(171)을 덮는 제2층간 절연막(117)이 위치할 수 있다. 제2층간 절연막(117)은 회로부 박막 트랜지스터(Ts)을 커버하면서, 전원선(71)을 부분적으로 덮도록 비표시 영역(NDA)까지 연장될 수 있다.
제2층간 절연막(117)은 유기 물질로 구성될 수 있다. 예를 들면, 제2층간 절연막(117)은 예를 들면, 절연층(60)은 폴리이미드(poliminde)계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드(poliamide)계 수지, 실록산(siloxane)계 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제2층간 절연막(117)은 실리콘 화 합물, 금속 산화물 등의 무기 물질로 이루어질 수도 있다. 예를 들면, 절연층(50)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 마그네슘 산화물, 아연 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수도 있다.
제2 층간 절연막(117) 위에는 연결 전극(211) 및 제1전극(210)이 위치할 수 있다. 제1전극(210)은 제2층간 절연막(117)에 형성된 컨택홀을 통해 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 드레인 전극(175)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(10)은 유기 발광 소자(LD)의 애노드 전극일 수 있다.
연결 전극(211)과 제1전극(210)은 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예시적으로 연결 전극(211)과 제1전극(210)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tinoxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다.
연결 전극(211)은 전원선(71)와 연결되어 있으며, 전원선(71)과 접촉할 수 있다.
표시 영역(DA)에서 제2층간 절연막(117) 상에는 화소 정의막(220)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(220)은 제1전극(210)을 노출시키는 개구를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 화소 정의막(220)은 표시 영역(DA)에 위치하는 데이터선(171)과 중첩하도록 제2층간 절연막(117)의 일부 상으로 연장될 수 있다. 화소 정의막(220)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(80)은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 아크릴계 수지 등을 함유할 수 있다.
화소 정의막(220)의 개구에 의해 노출되는 제1 전극(210) 상에는 각기 발광층(230)이 배치될 수 있다. 발광층(230)은 유기 발광층(EL), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 몇몇 실시예에서 발광층(230)의 유기 발광층은 표시 장치(1)의 화소 종류에 따라 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 서로 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 발광층(230)의 유기 발광층은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들이 적층되어 전체적으로 백색광을 방출할 수도 있다.
발광층(230)과 화소 정의막(220) 상에는 제2전극(250)이 배치될 수 있다. 제2전극(250)은 캐소드 전극일 수 있다. 제2전극(250)은 비표시 영역(NDA)으로 연장될 수 있으며, 연결전극(211)과 접촉할 수 있다. 이에 따라 전원선(71)에 제공되는 공통전압(도 2의 Vss)는 연결전극(211)을 통해 제2전극(250)에 제공될 수 있다. 제2전극(250)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될수 있다.
제1전극(210), 발광층(230) 및 제2전극(250)은 유기 발광 소자(LD)를 이루며, 유기 발광 소자(LD)와 화소 정의막(220)은 표시 구조물(display structure, DS)를 이룰 수 있다.
도 1의 설명에서 상술한 바와 같이 표시 장치(1)의 비표시 영역(NDA)에는 댐부(DM)가 위치할 수 있다. 댐부(DM)는 후술할 박막 봉지층(300)의 유기막(330)이 표시 장치(1)의 가장자리로 비이상적으로 퍼지는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
댐부(DM)는 전원선(71)보다 상대적으로 외측에 위치할 수 있다. 바꾸어 말하면, 댐부(DM)와 표시 영역(DA)간의 이격 거리는 전원선(71)과 표시 영역(DA)간의 이격 거리보다 클 수 있다. 즉, 댐부(DM)과 표시 영역(DA) 사이에는 전원선(71)이 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 댐부(DM)는 제1층간 절연막(115) 상에 위치하는 제1패턴(117a) 및 제1패턴(117a) 상에 위치하는 제2패턴(220a)를 포함할 수 있다. 예시적으로 제1패턴(117a)은 제2층간 절연막(117)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 제2패턴(220a)은 화소 정의막(220)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
몇몇 실시예에서 댐부(DM)는 전원선(71)과 부분적으로 중첩할 수 있으며, 전원선(71)을 사이에 두고 제2층간 절연막(117)과 이격될 수 있다. 제2층간 절연막(117) 및 화소 정의막(220) 중 적어도 어느 하나와 동일한 재질로 형성되는 댐부(DM)는 금속과의 접합력이 우수할 수 있다. 따라서, 댐부(DM)가 금속 재질로 형성되는 전원선(71)과 접하도록 형성되면, 댐부(DM)가 우수한 접합력을 가지고 안정적으로 형성될 수 있다.
표시 장치(1)의 비표시 영역(NDA)에는 제1크랙감지선(CD1)이 위치할 수 있으며, 제1크랙감지선(CD1)은 제1선(CD1a) 및 제2선(CD1b)를 포함할 수 있다. 제1크랙감지선(CD1)은 댐부(DM) 및 전원선(71)보다 상대적으로 외측에 위치할 수 있다. 바꾸어 말하면, 제1크랙감지선(CD1)과 표시 영역(DA)간의 이격 거리는 댐부(DM)와 표시 영역(DA)간의 이격 거리보다 클 수 있으며, 제1크랙감지선(CD1)과 표시 영역(DA)간의 이격 거리는 전원선(71)와 표시 영역(DA)간의 이격 거리보다 클 수 있다. 즉, 제1크랙감지선(CD1)과 표시 영역(DA) 사이에는 댐부(DM) 및 전원선(71)이 위치할 수 있다.
제1크랙감지선(CD1)은 전원선(71), 데이터선(171), 소스 전극(73, 173) 및 드레인 전극(75, 175)과 같은 층으로 형성될 수 있으며, 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
표시 영역(DA)의 표시구조물(DS) 상에는 표시구조물(DS)을 밀봉하는 박막 봉지층(300)이 배치될 수 있다. 박막봉지층(300)은 비표시 영역(NDA)에도 부분적으로 배치될 수 있다.
박막 봉지층(300)은 하나 이상의 유기막과 하나 이상의 무기막을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 박막 봉지층(300)은 적어도 2개의 무기막 사이에 적어도 하나의 유기막이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다. 이하에서는 박막 봉지층(300)의 예시로서, 박막 봉지층(300)이 제1무기막(310), 제2무기막(350) 및 제1무기막(310)과 제2무기막(350) 사이의 유기막(330)을 포함하는 경우를 예시로 설명한다.
표시 영역(DA)에서 제1무기막(310)은 제2전극(250) 상에 위치할 수 있으며, 비표시 영역(NDA)에서 제1무기막(310)은 연결전극(211) 및 댐부(DM)를 커버할 수 있다. 그리고 몇몇 실시예에서 제1무기막(310)은 댐부(DM)의 외측에서 제1층간 절연막(115)과 접촉할 수 있다. 제1무기막(310)은 표시구조물(DS)이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 제1무기막(310)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물, 실리콘 산질화물(SiON) 등으로 이루어질 수 있다.
제1무기막(310) 상에는 유기막(330)이 위치할 수 있다. 유기막(330)은 표시 장치(1)의 평탄도를 향상시킬 수 있으며, 표시 영역(DA) 내 표시 구조물(DS)을 보호하는 기능을 수행할 수 있다. 유기막(330)은 액상 유기 재료로 형성될 수 있으며, 예컨대 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지 등으로 형성할 수 있다. 이러한 유기 재료는 증착, 프린팅 및 코팅을 통해 베이스부(110) 상에 제공되고 경화 공정을 거칠 수 있다. 경화 전 액체 상태의 유기 재료가 뮤기막보다 넓게 퍼진 상태에서 경화되면 투습에 의해 수축(shrinkage)이 발생한다. 본 실시예에서는 액상 유기 재료의 퍼짐을 방지하는 댐부(DM)를 구비하여 유기 재료의 비이상적인 퍼짐을 제어할 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 댐부(DM)에 의해 유기막(330)의 퍼짐이 제어될 수 있다. 이에 따라 유기막(330)의 면적은 제1무기막(310)의 면적보다 좁을 수 있으며, 몇몇 실시예에서 유기막(330)은 댐부(DM)의 내측에 위치할 수 있다. 바꾸어 말하면 몇몇 실시예에서 유기막(330)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA) 중 표시 영역(DA)과 댐부(DM) 사이의 영역에만 위치할 수 있다.
유기막(330) 상에는 제2무기막(350)이 위치할 수 있다. 제2 무기막(350)은 제1무기막(310)과 실질적으로 동일하거나 유사한 역할을 수행할 수 있으며, 제1 무기막(310과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질로 이루어질 수 있다. 제2무기막(350)은 유기막(330)을 완전히 덮을 수 있다. 제2 무기막(350)의 은 댐부(DM)를 덮고 댐부(DM) 바깥쪽에서 제1층간 절연막(115)과 접촉하는 제1무기막(310) 상에 위치할 수 있다. 이에 따라 댐부(DM)의 상측 또는 댐부(DM)의 외측에서 제1무기막(310)과 제2무기막(350)은 접촉할 수 있다.
제1선(CD1a) 상에는 제1하부 무기막 패턴(310a) 및 제1상부 무기막 패턴(350a)을 포함하는 제1무기막 패턴(PT1)이 위치할 수 있다. 그리고 제2선(CD1b) 상에는 제2하부 무기막 패턴(310b) 및 제2상부 무기막 패턴(350b)을 포함하는 제2무기막 패턴(PT2)이 위치할 수 있다. 그리고 제1선(CD1a)과 제2선(CD2a) 사이에는 제1층간 절연막(115) 상에 위치하는 제3무기막 패턴(PT3)이 위치할 수 있으며, 제3무기막 패턴(PT3)은 제3하부 무기막 패턴(310c) 및 제3상부 무기막 패턴(350c)을 포함할 수 있다. 제1무기막 패턴(PT1) 및 제2무기막 패턴(PT2)은 박막 봉지층(300)의 제1무기막(310) 및 제2무기막(350)과 연결되지 않고 분리될 수 있다. 또한 제1무기막 패턴(PT1) 및 제2무기막 패턴(PT2)은 제3무기막 패턴(PT3) 분리될 수 있다.
제1하부 무기막 패턴(310a), 제2하부 무기막 패턴(310b) 및 제3하부 무기막 패턴(310c)은 박막 봉지층(300)의 제1무기막(310)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 그리고 제1상부 무기막 패턴(350a), 제2상부 무기막 패턴(310b) 및 제3상부 무기막 패턴(350c)은 박막 봉지층(300)의 제2무기막(350)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
박막 봉지층(300)의 제1무기막(310)의 형성 과정에서 제1무기물질을 증착시 제1선(CD1a)과 제2선(CD1b) 상에도 상기 제1무기 물질이 증착될 수 있으며, 제1선(CD1a)과 제2선(CD1b) 사이의 공간에도 상기 제1무기물질이 증착될 수 있다. 마찬가지로 박막 봉지층(300)의 제2무기막(350) 형성 과정에서 제2무기물질을 증착시, 제1선(CD1a)과 제2선(CD1b) 상에도 상기 제2무기물질이 증착될 수 있으며, 제1선(CD1a)과 제2선(CD1b) 사이의 공간에도 상기 제2무기물질이 증착될 수 있다.
한편, 앞서 설명한 바와 같이 제1선(CD1a)의 제2방향(x)으로의 단면 형상은 상부폭보다 하부폭이 작은 형상, 즉 역테이퍼 형상일 수 있으며, 몇몇 실시예에서 제2선(CD1b)의 제2방향(x)으로의 단면 형상 또한 역테이퍼 형상일 수 있다. 따라서 제1선(CD1a)과 제2선(CD1b) 상에 상기 제1무기물질이 증착되어 형성된 제1하부 무기막 패턴(310a) 및 제2하부 무기막 패턴(310b)은, 제3하부 무기막 패턴(310c) 및 제1무기막(310)과 분리될 수 있다. 유사하게 제1하부 무기막 패턴(310a) 및 제2하부 무기막 패턴(310b)상에 형성된 제1상부 무기막 패턴(350a) 및 제2상부 무기막 패턴(310b)은, 제3상부 무기막 패턴(350c) 및 제2무기막(350)과 분리될 수 있다.
제1선(CD1a)의 단면 형상과 제2선(CD1b)의 단면 형상이 테이퍼 형상, 예컨대 하면의 폭이 상면의 폭보다 넓은 형상으로 이루어지는 경우, 비표시 영역(NDA)에서 크랙이 발생하더라도 제1크랙감지선(CD1)에 크랙이 전달되지 않을 가능성이 높다. 예컨대 제1크랙감지선(CD1)에 손상이 발생하지 않거나, 미소한 손상만이 발생할 가능성이 높으며, 단선되기 어렵다.
반면, 본 실시예에 따르는 경우 제1선(CD1a)의 단면 형상과 제2선(CD1b)의 단면 형상이 역테이퍼 형상으로 이루어지는 바, 비표시 영역(NDA)에 크랙이 발생한 경우 의해 제1균열감지선(CD1)이 보다 쉽게 파손되거나 단선될 가능성이 높아진다. 이에 따라 표시 장치(1)의 크랙을 쉽게 감지하여, 크랙에 따른 표시 장치(1)의 불량을 방지할 수 있다.
도 4에는 제1선(CD1a) 및 제2선(CD1b)의 단면 형상이, 경사면이 평탄하게 형성되고 베이스부(110) 또는 제1층간 절연막(115)을 향해서 폭이 단조 감소하는 형상으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 28은 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에서, 제1균열감지선 중 제1선의 단면형상 변형예를 도시한 단면도로서, 도 22의 (a), (b), (c), (d), (e), (f), (g), (h), (i), (k), (l), (m), (n)에 도시된 바와 같이 제1선(CD1a)의 단면 형상은 경사면이 곡면인 형상이나, 폭이 단계적으로 감소하는 형상일 수도 있다. 제2선(CD1b)의 단면 형상 또한 제1선(CD1a)의 단면 형상과 마찬가지로 다양하게 변형될 수 있다.
다시 도 1, 도 3 내지 도 5를 참조하면, 몇몇 실시예에서 비표시 영역(NDA) 중 패드 영역(PA)에 위치하는 제1테스트 패드(TP1) 및 제2테스트 패드(TP2)의 단면 형상은, 제1크랙감지선(CD1)과 유사하게 역테이퍼 형상일 수 있다. 제1테스트 패드(TP1) 및 제2테스트 패드(TP2)는 제1크랙감지선(CD1)과 동일 공정을 통해 형성될 수 있다. 따라서 제1크랙감지선(CD1)의 단면 형상을 역테이퍼 형상으로 형성하는 과정에서, 제1테스트 패드(TP1) 및 제2테스트 패드(TP2)의 단면 형상 또한 역테이퍼 형상으로 형성될 수 있다.
한편, 도면에는 미도시되었으나, 제2크랙감지선(CD2)의 제4선(CD2a)과 제5선(CD2b) 중 적어도 어느 하나의 제2방향(x)으로의 단면 형상은, 제1크랙감지선(CD1)과 마찬가지로 역테이퍼 형상일 수 있으며, 몇몇 실시예에서 제3테스트 패드(TP3) 및 제4테스트 패드(TP4)의 단면 형상 또한 역테이퍼 형상일 수 있다.
또한 제1균열감지패턴(CDP1)의 제1패턴(CDP1a)과 제2패턴(CDP1b) 중 적어도 어느 하나의 제2방향(x)으로의 단면 형상은 앞서 설명한 바와 같이 역테이퍼 형상일 수 있으며, 이에 따라 패드 영역(PA)에서 발생하는 크랙을 보다 쉽게 감지할 수 있다.
한편, 도면에는 미도시되었으나, 제1균열감지패턴(CDP1)의 경우와 마찬가지로 제2균열감지패턴(CDP2)의 제3패턴(CDP3a)과 제4패턴(CDP2b) 중 적어도 어느 하나의 제2방향(x)으로의 단면 형상은 역테이퍼 형상일 수 있다.
몇몇 실시예에서 박막 봉지층(300)은 비표시 영역(NDA) 중 패드 영역(PA)에는 배치되지 않을 수 있다. 이에 따라 패드 영역(PA)에 위치하는 제1테스트 패드(TP1) 및 제2테스트 패드(TP2) 상에는 박막 봉지층(300)이 위치하지 않는 바, 제1테스트 패드(TP1) 및 제2테스트 패드(TP2)는 박막 봉지층(300)과 접촉하지 않고 중첩하지 않을 수 있다. 마찬가지로 제1균열감지패턴(CDP1) 및 제2균열감지패턴(CDP2)은 박막 봉지층(300)과 접촉하지 않을 수 있으며, 이외, 제5테스트 패드(TP11), 제6테스트 패드(TP12), 제7테스트 패드(TP21) 및 제8테스트 패드(TP22) 또한 박막 봉지층(300)과 접촉하지 않고 중첩하지 않을 수 있다.
도 6 내지 도 13은 도 4에 도시된 부분의 제조과정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4 및 도 6 내지 도 13을 참조하면, 우선 도 6에 도시된 바와 같이 베이스부(110) 상에 버퍼층(111)을 형성한다. 이어서 버퍼층(111) 상에 반도체층(35, 135)를 형성한다. 반도체층(35, 135)는 고농도의 불순물이 도핑된 소스부(35s, 135s), 드레인부(35d, 135d) 및 소스부(35s, 135s)와 드레인부(35d, 135d) 사이에 위치하는 채널부(35a, 135a)를 포함한다.
이어서 반도체층(35, 135) 상에 게이트 절연막(113)을 형성하고 게이트 절연막(113) 상에 게이트 전극(25, 125)를 형성한다. 게이트 전극(25, 125)의 형성 과정에서 게이트선(도면 미도시)도 함께 형성된다.
이후 게이트 전극(25, 125) 상에 제1층간 절연막(115)를 형성한다.
이어서 도 7에 도시된 바와 같이 제1층간 절연막(115) 및 게이트 절연막(113)에 반도체층(135)의 소스부(135s)를 드러내는 제1컨택홀(CH1), 반도체층(135)의 드레인부(135d)를 드러내는 제2컨택홀(CH2), 반도체층(35)의 소스부(35s)를 드러내는 제3컨택홀(CH3), 반도체층(35)의 드레인부(35d)를 드러내는 제4컨택홀(CH4)을 형성한다.
이어서 도 8에 도시된 바와 같이 제1층간 절연막(115) 상에 데이터 금속층(170)을 증착하고 데이터 금속층(170)을 패터닝하여 소스 전극(73, 173), 드레인 전극(75, 175), 데이터선(171), 전원선(71), 제1선(CD1a) 및 제2선(CD1b)을 포함하는 제1크랙감지선(CD1)을 형성한다. 소스 전극(173)은 제1컨택홀(CH1)을 통해 반도체층(135)과 연결되고, 드레인 전극(175)은 제2컨택홀(CH2)을 통해 반도체층(135)과 연결되고, 소스 전극(73)은 제3컨택홀(CH3)을 통해 반도체층(35)과 연결되고, 드레인 전극(75)은 제4컨택홀(CH4)을 통해 반도체층(35)과 연결된다. 이에 따라 구동 박막 트랜지스터(Qd) 및 회로부 박막 트랜지스터(Ts)가 형성된다.
한편 도면에 미도시되었으나, 제2크랙감지선(도 1의 CD2)이 더 구비되는 경우, 제1크랙감지선(CD1)의 형성 과정에서 제2크랙감지선(도 1의 CD2)도 함께 형성될 수 있다.
이어서 도 9에 도시된 바와 같이 제1포토레지스트 패턴(PR1) 및 제2포토레지스트 패턴(PR2)을 형성한다. 제1포토레지스트 패턴(PR1)은 제1크랙감지선(CD1) 상에 형성되어 제1크랙감지선(CD1)의 제1선(CD1a)의 측면 및 제2선(CD1b)의 측면을 외부로 노출한다. 제2포토레지스트 패턴(PR2)은 전원선(71), 회로부 박막 트랜지스터(Ts), 데이터선(171) 및 구동부 박막 트랜지스터(Qd)를 완전히 커버하며, 특히 소스 전극(73, 173), 드레인 전극(75, 175), 데이터선(171) 및전원선(71) 각각의 측면이 외부로 노출되지 않도록 커버한다.
이어서 도 10에 도시된 바와 같이 제1포토레지스트 패턴(PR1)을 마스크로 이용하여 제1선(CD1a)의 측면 및 제2선(CD1b)의 측면을 식각한다. 이에 따라 제1선(CD1a)의 단면 형상 및 제2선(CD1b)의 단면 형상은 역테이퍼 형상을 갖게 된다.
이어서 제1포토레지스터 패턴(PR1) 및 제2포토 레지스트 패턴(PR2)을 제거하고 도 11에 도시된 바와 같이 제2층간 절연막(117) 및 제1패턴(117a)을 형성한다. 제2층간 절연막(117)은 구동부 박막 트랜지스터(Qd) 및 회로부 박막 트랜지스터(Ts) 상에 형성될 수 있으며, 제2층간 절연막(117)에는 구동부 박막 트랜지스터(Qd)의 드레인 전극(175)을 드러내는 제5컨택홀(CH5)이 형성될 수 있다. 제2층간 절연막(117) 및 제1패턴(117a)은 감광성 유기물질을 제1층간 절연막(115) 상에 도포하고 상기 감광성 유기물질을 노광 및 현상하여 형성될 수 있다. 제2층간 절연막(117)과 제1패턴(117a)은 전원선(71)을 사이에 두고 서로 이격되어 형성될 수 있으며, 제2층간 절연막(117)과 제1패턴(117a) 사이에는 전원선(71)을 부분적으로 노출하는 밸리(V)가 형성될 수 있다.
이어서 제2층간 절연막(117) 상에 도전성 물질을 증착하고 이를 패터닝하여 제1전극(210) 및 연결전극(211)을 형성한다. 제1전극(210)은 제5컨택홀(CH5)을 통해 드레인 전극(175)과 연결되며, 연결 전극(211)은 밸리(V)를 통해 전원선(71)과 연결될 수 있다.
한편, 몇몇 실시예에서 상기 도전성 물질을 증착하기 이전에 제1크랙감지선(CD1)을 별도의 포토레지스트 패턴으로 커버하는 공정이 선행될 수도 있다.
이어서 도 12에 도시된 바와 같이 화소 정의막(220) 및 제2패턴(220a)을 형성한다. 화소 정의막(220)은 제2층간 절연막(117) 상에 형성될 수 있으며, 제1전극(210)의 일부를 드러내는 개구(OP)를 포함할 수 있다. 제2패턴(220a)은 제1패턴(117a) 상에 형성되어 댐부(DM)를 구성할 수 있다. 몇몇 실시예에서 화소 정의막(220) 및 제2패턴(220a)은 감광성 유기물질을 도포하고 이를 노광 및 현상하여 형성될 수 있다.
이어서 개구(OP)를 통해 노출된 제1전극(210) 상에 발광층(230)을 형성하고, 발광층(230) 및 화소 정의막(220) 상에 제2전극(250)을 형성한다. 제2전극(250)은 앞서 설명한 바와 같이 일부가 부분적으로 연결전극(211)측으로 연장되어 연결전극(211)과 연결될 수 있다. 제1전극(210), 발광층(230) 및 제2전극(250)은 유기 발광 소자(LD)를 이룰 수 있으며, 유기 발광 소자(LD)와 화소 정의막(220)은 표시 구조물(DS)을 이룰 수 있다.
이어서 도 13에 도시된 바와 같이 유기 발광 소자(LD) 또는 표시 구조물(DS)을 밀봉하는 박막 봉지층(300)을 형성한다. 앞서 설명한 바와 같이 몇몇 실시예에서 박막 봉지층(300)은 제2전극(250) 상에 제1무기막(310), 유기막(330) 및 무기막(350)이 순차 적층된 구조로 이루어질 수 있다. 박막 봉지층(300)의 형성 과정에서 제1선(CD1a) 상에는 제1무기막 패턴(PT1)이 형성될 수 있으며, 제2선(CD1b) 상에는 제2무기막 패턴(PT2)이 형성될 수 있고, 제1선(CD1a)과 제2선(CD1b) 사이에는 제3무기막 패턴(PT3)이 형성될 수 있다. 보다 구체적인 설명은 도 4의 설명에서 상술한 바와 동일한 바, 생략한다.
상술한 과정을 거쳐 도 4에 도시된 구조를 제조할 수 있다.
도 14 내지 도 18은 도 5에 도시된 부분의 제조과정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5 및 도 14 내지 도 18을 참조하면, 우선 도 14에 도시된 바와 같이 베이스부(110)상의 패드 영역(PA)에는 버퍼층(111), 게이트 절연막(113) 및 제1층간 절연막(115)이 순차적으로 형성된다. 버퍼층(111), 게이트 절연막(113) 및 제1층간 절연막(115)의 형성 과정은 도 6에 도시된 공정과 실질적으로 동시에 이루어질 수 있다.
다음으로 도 15에 도시된 바와 같이 제1층간 절연막(115) 상에 데이터 금속층(170)을 증착하고 이를 패터닝하여 제1테스트 패드(TP1), 제2테스트 패드(TP2), 제1패턴(CDP1a)과 제2패턴(CDP1b)을 포함하는 제1균열감지패턴(CDP1), 및 데이터선(171)을 형성한다. 제1테스트 패드(TP1), 제2테스트 패드(TP2), 제1패턴(CDP1a)과 제2패턴(CDP1b)을 포함하는 제1균열감지패턴(CDP1), 및 데이터선(171)을 형성하는 과정은 도 8에 도시된 소스 전극(도 8의 73, 173), 드레인 전극(도 8의 75, 175), 제1크랙감지선(도 8의 CD1), 전원선(도 8의 71) 형성 공정과 실질적으로 동시에 이루어질 수 있다. 아울러 도면에는 미도시하였으나, 제5테스트 패드(도 1의 TP11) 및 제6테스트 패드(TP12)도 함께 형성될 수 있다. 또한 도면에는 미도시하였으나 제2크랙감지패턴(도 1의 CDP2)이 더 구비되는 경우, 제1크랙감지패턴(CDP1)의 형성 과정에서 제2크랙감지패턴(도 1의 CDP2)도 함께 형성될 수 있다.
다음으로 도 16에 도시된 바와 같이 제3포토레지스트 패턴(PR3), 제4포토레지스트 패턴(PR4) 및 제5포토레지스트 패턴(PR5)을 형성한다. 제3포토레지스트 패턴(PR3)은 제1테스트 패드(TP1) 및 제2테스트 패드(TP2) 상에 형성되며, 제1테스트 패드(TP1) 및 제2테스트 패드(TP2)의 측면은 제3포토레지스트 패턴(PR3)에 의해 커버되지 않고 외부로 노출될 수 있다. 제4포토레지스트 패턴(PR4)은 제1크랙감지패턴(CDP1) 상에 형성되며, 제1패턴(CDP1a) 및 제2패턴(CDP1b)의 측면은 제4포토레지스트 패턴(PR4)에 의해 커버되지 않고 외부로 노출될 수 있다. 제5포토레지스트 패턴(PR5)은 패드 영역(PA) 내 데이터선(171) 상에 형성되어 데이터선(171)의 측면을 커버할 수 있다.
제3포토레지스트 패턴(PR3), 제4포토레지스트 패턴(PR4) 및 제5포토레지스트 패턴(PR5)은 도 9에 도시된 제1포토레지스트 패턴(도 9의 PR1) 및 제2포토레지스트 패턴(도 9의 PR2)과 동시에 형성될 수 있다.
다음으로 도 17에 도시된 바와 같이 3포토레지스트 패턴(PR3) 및 제4포토레지스트 패턴(PR4)을 마스크로 하여 제1테스트 패드(TP1)의 측면, 제2테스트 패드(TP2)의 측면, 제1패턴(CDP1a)의 측면 및 제2패턴(CDP1b)의 측면을 식각한다. 이에 따라 제1테스트 패드(TP1), 제2테스트 패드(TP2), 제1패턴(CDP1a) 및 제2패턴(CDP1b) 각각의 단면 형상은 역테이퍼 형상을 갖게 된다.
이후 제3포토레지스트 패턴(PR3), 제4포토레지스트 패턴(PR4) 및 제5포토레지스트 패턴(PR5)을 제거한다.
한편, 몇몇 실시예에서, 도 13의 설명에서 상술한 박막 봉지층(300)의 형성과정에서 도 18에 도시된 바와 같이, 패드 영역(PA)에도 박막 봉지층(300)의 제1무기막(310) 및 제2무기막(350)이 형성될 수 있으며, 박막 봉지층(300)의 유기막(도 13의 330)은 댐부(도 13의 DM)에 의해 차단될 수 있다.
이에 따라 제1테스트 패드(TP1) 상에는 제4무기막 패턴(PT4)이 형성되고, 제2테스트 패드(TP2) 상에는 제5무기막 패턴(PT5)이 형성되고, 제1테스트 패드(TP1)과 제2테스트 패드(TP2) 사이에는 제6무기막 패턴(PT6)이 형성될 수 있다. 또한 제1패턴(CDP1a) 상에는 제7무기막 패턴(PT7)이 형성되고, 제2패턴(CDP1b) 상에는 제8무기막 패턴(PT8)이 형성되고, 제1패턴(CDP1a)과 제2패턴(CDP1b) 사이에는 제9무기막 패턴(PT9)이 형성될 수 있다. 패드 영역(PA) 내의 무기막 패턴들(PT4, PT5, PT6, PT7, PT8, PT9)은 박막 봉지층(도 13의 300) 형성 과정에서 동시에 형성될 수 있으며, 각각 제1무기막(310)과 동일한 물질로 이루어진 하부 무기막 패턴(310d, 310e, 310f, 310g, 310h, 310i) 및 제2무기막(350)과 동일한 물질로 이루어진 상부 무기막 패턴(350d, 350e, 350f, 350g, 350h, 350i)을 포함할 수 있다.
도 13 및 도 18에 도시된 과정 이후, 패드 영역(PA)에 위치하는 제1무기막(310), 제2무기막(350) 및 무기막 패턴들(PT4, PT5, PT6, PT7, PT8, PT9)을 제거하는 공정이 더 진행될 수 있으며, 이에 따라 도 5에 도시된 구조를 제조할 수 있다. 제1무기막(310), 제2무기막(350) 및 무기막 패턴들(PT4, PT5, PT6, PT7, PT8, PT9)을 제거하는 공정은, 패드 영역(PA) 노출하고 패드 영역(PA)이외의 비표시 영역(NDA) 및 표시 영역(DA)을 커버하는 별도의 포로레지스트 패턴을 형성하고 해당 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 패드 영역(PA) 내 위치하는 제1무기막(310), 제2무기막(350) 및 무기막 패턴들(PT4, PT5, PT6, PT7, PT8, PT9)을 제거하는 과정을 통해 진행될 수 있다.
도 19는 도 1에 도시된 표시 장치가 벤딩된 경우의 구조를 개략적으로 도시한 사시도, 도 20은 도 19의 X-X'선을 따라 절단한 단면도, 도 21은 도 19의 Y-Y'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 19 내지 도 21을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1)는 적어도 일부가 휘어지거나 벤딩될 수 있다.
예를 들어, 표시 장치(1)의 비표시 영역(NDA) 중 도면을 기준으로 표시 영역(DA)의 좌측에 위치하는 영역은 소정 곡률로 휘어질 수 있으며, 도면을 기준으로 표시 장치(1)의 하측 방향(또는 z방향의 반대방향)으로 휘어져 제1벤딩영역(BA1)을 형성할 수 있다. 또한 비표시 영역(NDA) 중 도면을 기준으로 표시 영역(DA)의 우측에 위치하는 영역 또한 소정 곡률로 표시 장치(1)의 하측 방향(또는 z방향의 반대방향)으로 휘어져 제2벤딩영역(BA2)을 형성할 수 있다. 또한 비표시 영역(NDA) 중 패드 영역(도 1의 PA)의 경우 소정 곡률로 표시 장치(1)의 하측 방향으로 휘어져 제3벤딩영역(BA3)을 형성할 수 있다.
앞서 설명한 제1크랙감지부(도 1의 CD1)의 경우 표시 장치(1)의 제1벤딩영역(BA1)에 제1방향(y)을 따라 연장배치되어 제1벤딩영역(BA1)에서의 크랙을 감지할 수 있다. 또한 앞서 설명한 제2크랙감지부(도 1의 CD2)의 경우 표시 장치(1)의 제2벤딩영역(BA2)에 제1방향(y)을 따라 연장배치되어 제2벤딩영역(BA2)에서의 크랙을 감지할 수 있으며, 제1크랙감지패턴(도 1의 CDP1) 및 제2크랙감지패턴(도 1의 CDP2)의 경우 제3벤딩영역(BA3)의 크랙을 감지할 수 있다.
도 22는 도 19에 도시된 표시 장치의 변형 실시예 구조를 개략적으로 도시한 사시도, 도 23은 도 22의 Xa-Xa'선을 따라 절단한 단면도, 도 24는 도 22의 Ya-Ya'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 22 내지 도 24를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1a)는 제1벤딩영역(BA1) 및 제2벤딩영역(BA2)에 표시영역(DA)의 일부가 포함된 점에서 도 19 내지 도 22에 도시된 표시장치(도 19 내지 도 21의 1)와 일부 차이점이 존재하며, 이외의 구성은 실질적으로 동일할 수 있다.
제1크랙감지부(도 1의 CD1)의 경우 표시 장치(1a)의 제1벤딩영역(BA1) 중 비표시영역(NDA)에 제1방향(y)을 따라 연장배치되어 제1벤딩영역(BA1)에서의 크랙을 감지할 수 있다. 또한 제2크랙감지부(도 1의 CD2)의 경우 표시 장치(1a)의 제2벤딩영역(BA2) 중 비표시영역(NDA)에 제1방향(y)을 따라 연장배치되어 제2벤딩영역(BA2)에서의 크랙을 감지할 수 있으며, 제1크랙감지패턴(도 1의 CDP1) 및 제2크랙감지패턴(도 1의 CDP2)의 경우 제3벤딩영역(BA3)의 크랙을 감지할 수 있다.
한편, 도 22 내지 도 24에는 제1벤딩영역(BA1)에 표시 영역(DA)의 일부가 포함되고 동시에 제2벤딩영역(BA2)에 표시 영역(DA)의 일부가 포함되는 것으로 도시되어 있으나 이는 하나의 예시일 뿐이다. 즉, 몇몇 실시예에서 제1벤딩영역(BA1)에 표시 영역(DA)의 일부가 포함되고 제2벤딩영역(BA2)에는 표시 영역(DA)의 일부가 포함되지 않을 수도 있다.
도 25는 도 19에 도시된 표시 장치의 다른 변형 실시예 구조를 개략적으로 도시한 사시도, 도 26은 도 25의 Xb-Xb'선을 따라 절단한 단면도, 도 27은 도 25의 Yb-Yb'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 25 내지 도 27을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1b)는 제1벤딩영역(BA1), 제2벤딩영역(BA2) 및 제3벤딩영역(BA3)에 표시영역(DA)의 일부가 포함된 점에서 도 19 내지 도 22에 도시된 표시장치(도 19 내지 도 21의 1)와 일부 차이점이 존재하며, 이외의 구성은 실질적으로 동일할 수 있다.
한편, 도 25 내지 도 27에는 제1벤딩영역(BA1)에 표시 영역(DA)의 일부가 포함되고, 제2벤딩영역(BA2)에 표시 영역(DA)의 일부가 포함되고, 동시에 제3벤딩영역(BA3)에 표시 영역(DA)의 일부가 포함되는 것으로 도시되어 있으나 이는 하나의 예시일 뿐이다. 즉, 몇몇 실시예에서 제3벤딩영역(BA3)에 표시 영역(DA)의 일부가 포함되고 제1벤딩영역(BA1) 및 제2벤딩영역(BA2)에는 표시 영역(DA)의 일부가 포함되지 않을 수도 있다. 또한 제3벤딩영역(BA3)에 표시 영역(DA)의 일부가 포함되고 제1벤딩영역(BA1)과 제2벤딩영역(BA2) 중 어느 하나에만 표시 영역(DA)의 일부가 포함될 수도 있다.
제1크랙감지부(도 1의 CD1)의 경우 표시 장치(1b)의 제1벤딩영역(BA1)에서의 크랙을 감지할 수 있으며, 제2크랙감지부(도 1의 CD2)의 경우 표시 장치(1b)의 제2벤딩영역(BA2)에서의 크랙을 감지할 수 있다. 그리고 제1크랙감지패턴(도 1의 CDP1) 및 제2크랙감지패턴(도 1의 CDP2)의 경우 제3벤딩영역(BA3)의 크랙을 감지할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (24)

  1. 표시영역 및 비표시영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 위치하고 상기 비표시영역에 위치하는 메탈패턴;
    상기 표시영역에 위치하는 표시 소자를 포함하고 상기 기판 상에 위치하는 표시소자층; 및
    상기 표시영역과 상기 메탈패턴 사이에 위치하는 댐; 을 포함하고,
    상기 메탈패턴은 상기 기판을 향하는 제1면 및 상기 제1면의 반대면인 제2면을 포함하고,
    상기 메탈패턴의 상기 제1면은 상기 기판의 일면과 평행한 제1방향을 따라 제1폭을 갖고,
    상기 메탈패턴의 상기 제2면은 상기 제1방향을 따라 제2폭을 갖고,
    상기 메탈패턴은 상기 제1방향을 따라 측정한 제3폭이 상기 기판의 일면과 수직인 제2방향을 따라 감소하는 영역을 더 포함하고,
    상기 메탈패턴의 상기 영역은 상기 메탈패턴의 상기 제1면과 상기 메탈패턴의 상기 제2면 사이에 위치하고,
    상기 제3폭은 상기 제1폭 및 상기 제2폭보다 좁고,
    상기 표시소자층은,
    상기 기판 상에 위치하고 상기 표시영역에 위치하는 박막 트랜지스터와,
    상기 박막 트랜지스터 상에 위치하는 제1절연층과,
    상기 제1절연층 상에 위치하고 개구를 포함하는 화소정의막과,
    상기 제1절연층 상에 위치하고 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되고 상기 개구를 통해 부분적으로 노출된 제1전극과,
    상기 제1전극 상에 위치하는 발광층과,
    상기 발광층 상에 위치하는 제2전극을 포함하고,
    상기 메탈패턴은 상기 박막 트랜지스터의 소스전극과 동일한 물질로 이루어진 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 표시소자층 상에 위치하는 제2절연층을 더 포함하고,
    상기 제2절연층은 상기 메탈패턴에 의해 분리된 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 메탈패턴은 3중층 구조를 갖고,
    상기 3중층 구조는 순차적으로 적층된 제1층, 제2층 및 제3층을 포함하고,
    상기 제1층은 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴(Mo)을 포함하고,
    상기 제2층은 알류미늄(Al), 은(Ag) 및 구리(Cu) 중 어느 하나를 포함하고,
    상기 제3층은 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴(Mo)을 포함하는 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 댐은,
    상기 제1절연층과 동일한 물질로 이루어진 제1패턴과,
    상기 제1패턴 상에 위치하고 상기 화소정의막과 동일한 물질로 이루어진 제2패턴을 포함하는 표시 장치.
  5. 표시영역 및 비표시영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 위치하고 상기 비표시영역에 위치하는 메탈패턴;
    상기 표시영역에 위치하는 표시 소자를 포함하고 상기 기판 상에 위치하는 표시소자층; 상기 표시영역과 상기 메탈패턴 사이에 위치하는 댐; 및
    상기 기판 상에 위치하고 상기 비표시영역에 위치하는 전원선;을 포함하고,
    상기 메탈패턴은 상기 기판을 향하는 제1면 및 상기 제1면의 반대면인 제2면을 포함하고,
    상기 메탈패턴의 상기 제1면은 상기 기판의 일면과 평행한 제1방향을 따라 제1폭을 갖고,
    상기 메탈패턴의 상기 제2면은 상기 제1방향을 따라 제2폭을 갖고,
    상기 메탈패턴은 상기 제1방향을 따라 측정한 제3폭이 상기 기판의 일면과 수직인 제2방향을 따라 감소하는 영역을 더 포함하고,
    상기 메탈패턴의 상기 영역은 상기 메탈패턴의 상기 제1면과 상기 메탈패턴의 상기 제2면 사이에 위치하고,
    상기 제3폭은 상기 제1폭 및 상기 제2폭보다 좁고,
    상기 메탈패턴은 상기 전원선과 동일한 물질로 이루어진 표시 장치.
  6. 표시영역 및 비표시영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 위치하고 상기 비표시영역에 위치하는 메탈패턴;
    상기 표시영역에 위치하는 표시 소자를 포함하고 상기 기판 상에 위치하는 표시소자층; 및
    상기 표시영역과 상기 메탈패턴 사이에 위치하는 댐;을 포함하고,
    상기 메탈패턴은 상기 기판을 향하는 제1면, 상기 제1면의 반대면인 제2면 및 상기 제1면과 상기 제2면에 연결된 측면을 포함하고,
    상기 메탈패턴의 상기 제2면은 상기 기판의 일면에 수직인 제1방향을 따라 상기 측면과 비중첩하는 제1부분 및 상기 제1방향을 따라 상기 측면과 중첩하는 제2부분을 포함하고,
    상기 메탈패턴의 상기 제2면의 상기 제2부분은, 상기 메탈패턴의 상기 제1면과 상기 제1방향을 따라 중첩하는 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 메탈패턴의 상기 측면은 곡면을 포함하는 표시 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 메탈패턴의 상기 제2면의 상기 제1부분은, 단면상에서 상기 메탈패턴의 상기 제1면보다 상대적으로 외측으로 돌출된 표시 장치.
  9. 표시영역 및 비표시영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 위치하고 상기 비표시영역에 위치하는 메탈패턴;
    상기 표시영역에 위치하는 표시 소자를 포함하고 상기 기판 상에 위치하는 표시소자층; 및
    상기 표시영역과 상기 메탈패턴 사이에 위치하는 댐;을 포함하고,
    상기 메탈패턴의 단면형상은 버섯형상을 갖는 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 메탈패턴은 상기 기판을 향하는 제1면 및 상기 제1면의 반대면인 제2면을 포함하고,
    상기 메탈패턴의 상기 제1면은 상기 기판의 일면과 평행한 제1방향을 따라 제1폭을 갖고,
    상기 메탈패턴의 상기 제2면은 상기 제1방향을 따라 제2폭을 갖고,
    상기 메탈패턴은 상기 제1방향을 따라 측정한 제3폭이 상기 기판의 일면과 수직인 제2방향을 따라 감소하는 영역을 더 포함하고,
    상기 메탈패턴의 상기 영역은 상기 메탈패턴의 상기 제1면과 상기 메탈패턴의 상기 제2면 사이에 위치하고,
    상기 제3폭은 상기 제1폭 및 상기 제2폭보다 좁은 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 표시소자층 상에 위치하는 절연층을 더 포함하고,
    상기 절연층은 상기 메탈패턴에 의해 분리된 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 절연층은 무기절연물질을 포함하는 표시 장치.
  13. 표시영역 및 비표시영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 위치하고 상기 비표시영역에 위치하는 메탈패턴;
    상기 표시영역에 위치하는 표시 소자를 포함하고 상기 기판 상에 위치하는 표시소자층; 및
    상기 표시영역과 상기 메탈패턴 사이에 위치하는 댐;을 포함하고,
    상기 메탈패턴은 상기 기판을 향하는 제1면, 상기 제1면의 반대면인 제2면 및 상기 제1면과 상기 제2면에 연결된 측면을 포함하고,
    상기 메탈패턴의 상기 측면은 내측으로 리세스된 부분을 포함하고,
    상기 측면의 상기 리세스된 부분은 상기 기판의 일면과 수직인 방향을 따라 상기 메탈패턴의 상기 제1면 및 상기 메탈패턴의 상기 제2면과 중첩하는 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 메탈패턴의 상기 제2면의 단부는, 상기 메탈패턴의 상기 제1면의 단부보다 상대적으로 외측으로 돌출된 표시 장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 메탈패턴은 3중층 구조를 갖고,
    상기 3중층 구조는 순차적으로 적층된 제1층, 제2층 및 제3층을 포함하고,
    상기 제1층은 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴(Mo)을 포함하고,
    상기 제2층은 알류미늄(Al), 은(Ag) 및 구리(Cu) 중 어느 하나를 포함하고,
    상기 제3층은 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴(Mo)을 포함하는 표시 장치.
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