CN113066949B - 显示基板及其制造方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种显示基板、显示装置以及显示基板的制造方法。显示基板包括:衬底基板;设置于基板一侧的第一膜层;设置于第一膜层远离衬底基板一侧的第二膜层;以及设置在第一膜层与第二膜层之间的黏合材料部;其中,第一膜层具有面向第二膜层的第一表面,第二膜层具有面向第一膜层的第二表面,第一表面与第二表面至少部分接触;第一膜层和第二膜层之间形成有非平坦接触区域,黏合材料部至少部分设置在非平坦接触区域中,用于黏合第一膜层与第二膜层;以及黏合材料部与第一膜层之间的黏合力大于第一膜层与第二膜层之间的黏合力,黏合材料部与第二膜层的之间的黏合力大于第一膜层与第二膜层之间的黏合力。

Description

显示基板及其制造方法和显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域,并且具体地涉及一种显示基板及其制造方法和显示装置。
背景技术
相关技术中,有机发光二极管(OLED,Organic Light Emitting Diode)完成封装工艺后需要将背板与柔性薄膜进行分离。在分离过程中一般采用激光往复扫描背板上柔性薄膜部分的某一层材料,使该层的材料吸收激光能量并达到裂解温度后,发生裂解,最终实现分离。
在本部分中公开的以上信息仅用于对本公开的技术构思的背景的理解,因此,以上信息可包含不构成现有技术的信息。
发明内容
在一个方面,提供一种显示基板,所述显示基板包括:衬底基板;设置于所述衬底基板一侧的第一膜层;设置于所述第一膜层远离所述衬底基板一侧的第二膜层;以及设置在所述第一膜层与所述第二膜层之间的黏合材料部;其中,所述第一膜层具有面向所述第二膜层的第一表面,所述第二膜层具有面向所述第一膜层的第二表面,所述第一表面与所述第二表面至少部分接触;所述第一膜层和所述第二膜层之间形成有非平坦接触区域,所述黏合材料部至少部分设置在所述非平坦接触区域中,用于黏合所述第一膜层与所述第二膜层;以及所述黏合材料部与所述第一膜层之间的黏合力大于所述第一膜层与所述第二膜层之间的黏合力,所述黏合材料部与所述第二膜层的之间的黏合力大于所述第一膜层与所述第二膜层之间的黏合力。
根据一些示例性的实施例,所述黏合材料部包括第一子部和第二子部,所述第一子部和所述第二子部之间具有第一夹角,所述第一夹角为钝角。
根据一些示例性的实施例,所述第一表面包括第一子表面和第二子表面,所述第一子表面和所述第二子表面之间具有第二夹角,所述第二夹角为钝角;所述非平坦接触区域至少包括所述第一子表面和所述第二子表面之间的结合位置;以及所述黏合材料部还包括第三子部,所述第三子部位于所述第一子部与所述第二子部之间,所述第一子部与所述第一子表面接触,所述第二子部与所述第二子表面接触,所述第三子部覆盖所述第一子表面和所述第二子表面之间的结合位置。
根据一些示例性的实施例,所述第一子部与所述第二表面接触,所述第一子部不接触所述第一表面,所述第二子部与所述第一表面和所述第二表面均接触;所述第二子部覆盖所述非平坦接触区域。
根据一些示例性的实施例,所述黏合材料部的材料包括氧化铟锡。
根据一些示例性的实施例,所述黏合材料部的厚度设置在50至100纳米的范围内。
根据一些示例性的实施例,所述黏合材料部在所述衬底基板上的正投影的宽度为所述黏合材料部的厚度的值的4至6倍。
根据一些示例性的实施例,所述第一膜层包括钝化层,所述第二膜层包括平坦化层。
根据一些示例性的实施例,所述第一膜层包括隔离部件,所述第二膜层包括发光材料层。
根据一些示例性的实施例,所述衬底基板包括聚酰亚胺材料。
在另一方面,还提供了一种显示装置,包括上文所述的显示基板。
在又一方面,还提供了一种显示基板的制造方法,其包括:在背板上形成衬底基板;在所述衬底基板的远离所述背板的一侧形成第一膜层;在所述第一膜层远离所述衬底基板的一侧形成黏合材料部;在所述黏合材料部远离衬底基板的一侧形成第二膜层;以及将形成有所述第一膜层、所述黏合材料部和所述第二膜层的衬底基板从所述背板剥离,其中,所述第一膜层具有面向所述第二膜层的第一表面,所述第二膜层具有面向所述第一膜层的第二表面,所述第一表面与所述第二表面至少部分接触;所述第一膜层和所述第二膜层之间形成有非平坦接触区域,所述黏合材料部至少部分设置在所述非平坦接触区域中,用于黏合所述第一膜层与所述第二膜层;以及所述黏合材料部与所述第一膜层之间的黏合力大于所述第一膜层与所述第二膜层之间的黏合力,所述黏合材料部与所述第二膜层的之间的黏合力大于所述第一膜层与所述第二膜层之间的黏合力。
根据一些示例性的实施例,所述黏合材料部的厚度控制在50至100纳米的范围内。
根据一些示例性的实施例,所述黏合材料部在所述衬底基板上的正投影的宽度为所述黏合材料部的厚度的值的4至6倍。
根据一些示例性的实施例,所述黏合材料部通过溅射沉积工艺形成或者通过冷喷涂沉积工艺形成。
根据一些示例性的实施例,采用激光剥离工艺将所述衬底基板从所述背板剥离。
附图说明
通过参照附图详细描述本公开的示例性实施例,本公开的特征及优点将变得更加明显。
图1是根据本公开的示例性实施例的显示基板的结构的平面图;
图2a是根据本公开的一些示例性实施例的显示基板沿图1中的AA’线截取的截面结构示意图;
图2b是根据本公开的另一些示例性实施例的显示基板沿图1中的AA’线截取的截面结构示意图;
图3a是根据图2a的示例性实施例的显示基板的具体结构的放大图;
图3b是根据图2b的示例性实施例的显示基板的具体结构的放大图;
图4是根据本公开的一些示例性实施例的显示基板在与背板剥离过程中的受力示意图;
图5是根据本公开的示例性实施例的显示基板的制造方法的流程图;
图6是根据本公开的示例性实施例的显示基板在步骤S1的截面结构图;
图7是根据本公开的示例性实施例的显示基板在步骤S2的截面结构图;
图8是根据本公开的示例性实施例的显示基板在步骤S3的截面结构图;
图9是根据本公开的示例性实施例的显示基板在步骤S4的截面结构图;
图10a是根据本公开的示例性实施例的显示基板在步骤S5的采用激光剥离时的截面结构图;
图10b是根据本公开的示例性实施例的显示基板在步骤S5的衬底基板从背板剥离后的截面结构图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开的保护范围。
需要说明的是,在附图中,为了清楚和/或描述的目的,可以放大元件的尺寸和相对尺寸。如此,各个元件的尺寸和相对尺寸不必限于图中所示的尺寸和相对尺寸。在说明书和附图中,相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。
当元件被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时,所述元件可以直接在所述另一元件上、直接连接到所述另一元件或直接结合到所述另一元件,或者可以存在中间元件。然而,当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时,不存在中间元件。用于描述元件之间的关系的其他术语和/或表述应当以类似的方式解释,例如,“在......之间”对“直接在......之间”、“相邻”对“直接相邻”或“在......上”对“直接在......上”等。此外,术语“连接”可指的是物理连接、电连接、通信连接和/或流体连接。此外,X轴、Y轴和Z轴不限于直角坐标系的三个轴,并且可以以更广泛的含义解释。例如,X轴、Y轴和Z轴可彼此垂直,或者可代表彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的,“X、Y和Z中的至少一个”和“从由X、Y和Z构成的组中选择的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z、或者诸如XYZ、XYY、YZ和ZZ的X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合。如文中所使用的,术语“和/或”包括所列相关项中的一个或多个的任何组合和所有组合。
需要说明的是,虽然术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种部件、构件、元件、区域、层和/或部分,但是这些部件、构件、元件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。而是,这些术语用于将一个部件、构件、元件、区域、层和/或部分与另一个相区分。因而,例如,下面讨论的第一部件、第一构件、第一元件、第一区域、第一层和/或第一部分可以被称为第二部件、第二构件、第二元件、第二区域、第二层和/或第二部分,而不背离本公开的教导。
为了便于描述,空间关系术语,例如,“上”、“下”、“左”、“右”等可以在此被使用,来描述一个元件或特征与另一元件或特征如图中所示的关系。应理解,空间关系术语意在涵盖除了图中描述的取向外,装置在使用或操作中的其它不同取向。例如,如果图中的装置被颠倒,则被描述为“在”其它元件或特征“之下”或“下面”的元件将取向为“在”其它元件或特征“之上”或“上面”。
需要说明的是,在本文中,表述“非平坦接触区域”可以表示表面上具有角度变化的区域,例如相邻两个表面形成的相交区域,或者相邻两个表面之间具有的弯折面、孔洞、缺口、凹陷或者沟槽的区域。表述“平坦表面”可以表示所述表面上没有明显的突起或凹陷,或者没有角度变化的平面,此处的“没有明显的突起或凹陷”表示:除制造工艺导致的波动之外,该表面在各个位置的高度没有超过工艺误差范围外的差异。
在本文中,表述“黏合力”可以表示两种接触的材料层之间的结合力的大小,例如材料之间接触可以是不同的工艺形成的不同的材料层,也可以是相同的工艺形成的不同材料层,黏合力表示两种材料之间的结合强度,结合强度越大,黏合力越大,反之,结合强度越小,黏合力越小。
在相关技术中,采用激光往复扫描背板上柔性薄膜部分的某一层材料,使该层的材料吸收激光能量并达到裂解温度后,发生裂解,最终实现背板与柔性薄膜的分离。然而,材料受到激光照射,在裂解过程中产生带电离子,其以气态的形式往外喷发,形成电浆,冲击波伴随电浆产生,传到背板后部分会反射至柔性薄膜内,反射的这部分能量会以扇形冲击柔性薄膜的膜层结构,在反射能量扇形叠加区域会产生震荡波,震荡波在扩散过程中对膜层结构中脆弱部分可能产生剥离、气泡等缺陷,严重的甚至可能引起原有膜层内的裂纹生长。最终成为贯穿膜层截面的贯穿型裂纹,成为水汽通道,造成产品失效。
因此,在生产OLED时,在将背板与柔性薄膜分离过程中如何保证薄膜材料在分离过程中不产生裂纹、气泡等缺陷成为研发人员关注的重要课题。
图1是根据本公开的示例性实施例的显示基板的结构的平面图。如图1所示,显示基板包括衬底基板10、第一膜层20、第二膜层30以及设置在第一膜层20和第二膜层30之间黏合材料部40。
图2a是根据本公开的一些示例性实施例的显示基板沿图1中的AA’线截取的截面结构示意图。图2b是根据本公开的另一些示例性实施例的显示基板沿图1中的AA’线截取的截面结构示意图。
如图2a所示,显示基板1包括底部的衬底基板10,设置于衬底基板一侧的第一膜层20;设置于第一膜层20远离衬底基板10一侧的第二膜层30;以及设置在第一膜层20与第二膜层30之间的黏合材料部40。其中,第一膜层20和衬底基板10之间可以设置其他的膜层,第一膜层20可以与衬底基板10直接接触,也可以不直接接触。第一膜层20例如可以完全覆盖衬底基板10的上侧表面,也可以部分覆盖衬底基板10的上侧表面。
例如,如图2a所示,第一膜层20可以是钝化层,第二膜层30可以是平坦化层。所述钝化层20和所述平坦化层30可以包括无机绝缘材料、有机绝缘材料或它们的任何组合。例如,有机绝缘材料可以包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、酚树脂、苯并环丁烯等。
在一些实施例中,所述钝化层的下方还可以设置裂纹检测结构70,所述裂纹检测机构70可以包括金属层,所述金属层可以为显示装置中驱动电路层的任一金属层,例如可以是源漏金属层,或与源漏金属层材料相同的其他金属膜层,例如用以将显示器件的驱动电路层和发光器件的阳极电连接的转接电极,一般称为SD2层。SD2层的材料可以为Ti-Al-Ti三层材料组成的梯形结构,梯形结构的中间位置向内凹陷。
例如,如图2b所示,第一膜层20’可以包括隔离部件,第二膜层30’可以包括发光材料层。所述隔离部件20’可以包括无机绝缘材料、有机绝缘材料,金属材料或它们的任何组合。所述发光材料层30’可以包括有机发光材料层。
在一些实施例中,所述隔离部件的上方还设置有封装层,所述封装层包括第一无机封装层,有机封装层和第二无机封装层。在一些实施例中,所述隔离部件可以为封装坝,用于对显示器件进行封装,阻止封装层中的有机封装层溢出。
在本公开的实施例中,第一膜层20具有面向第二膜层30的第一表面21,第二膜层30具有面向第一膜层20的第二表面31,第一表面21与第二表面31至少部分接触。第一膜层20和第二膜层30之间形成有非平坦接触区域D,黏合材料部40至少部分设置在非平坦接触区域D中,用于黏合第一膜层20与第二膜层30。
例如,第一表面21与第二表面31在除非平坦接触区域D的其他位置(即平坦接触区域)直接接触,在非平坦接触区域D中的部分不直接接触。在非平坦接触区域D采用黏合材料部40来黏合第一表面21和第二表面31。即在非平坦接触区域D,第一表面21和第二表面31分别与黏合材料部40直接接触。
黏合材料部40与第一膜层20之间的黏合力大于第一膜层20与第二膜层30之间的黏合力,黏合材料部40与第二膜层30的之间的黏合力大于第一膜层20与第二膜层30之间的黏合力。
根据本公开的实施例,第一膜层20和第二膜层30之间存在非平坦接触区域D,在该区域,膜层之间存在突变的形状变化,例如弯折面、孔洞、缺口、凹陷或者沟槽等缺陷。该缺陷位置存在应力集中的现象,在后续的加工工艺中,由于对衬底基板10进行加工产生震荡波等外力,使得在非平坦接触区域D的应力进一步增大,最终导致第一膜层20和第二膜层30在非接触平坦区域D的位置发生开裂等问题,造成产品失效。通过引入黏合材料部40,明显增加第一膜层20和第二膜层30在非平坦接触区域D的黏合力,可以有效的解决在非平坦接触区域D的相邻的膜层开裂的问题。相比而言,在平坦接触区域,由于不存在应力集中的现象,因此,无需对设置黏合材料部40,可以有效简化工艺,节约成本。
在本公开的一些示例性实施中,第一膜层20在非平坦接触区域形成凸起结构,第一膜层20的凸起结构主要在于挖孔屏(A-Hole)产品的挡墙区域,或者主要在背板膜层截面内源漏电极层向无机层过渡区域等。该凸起结构的基部即非平坦接触区域D,该位置处因角度变化剧烈容易导致该位置的应力集中,在后续的加工中,容易受到来自衬底基板10传来的震荡波的影响,而出现开裂等问题。
根据本公开的实施例,黏合材料部40的材料具有相对第一膜层材料和第二膜层材料更优异的黏合性能,并且不会引入其他缺陷,例如,黏合材料部40与第一膜层20之间的黏合力大于第一膜层与第二膜层30之间的黏合力,并且,黏合材料部40与第二膜层30之间的黏合力大于第一膜层20和第二膜层30之间的黏合力。
例如,黏合材料部40的材料可以选择为氧化铟锡(ITO)材料,该材料与第一膜层材料和第二膜层材料之间具有优异的黏合性能。并且氧化铟锡材料用于黏合时,不会引入不良影响。例如,此处若采用其他的黏合性能好的材料来黏合第一膜层和第二膜层,则会引入其他金属,导致导电层的电阻变化明显,影响显示基板的显示性能。相较而言,氧化铟锡材料不仅具有优异的黏合性能,能很好的黏合第一膜层和第二膜层,而且,不会引入不良因素,对显示基板的性能不会产生不利影响。此处利用的是氧化铟锡优异的黏合性能以及避免引入不良。
在本公开的示例性实施方式中,如图2a所示,黏合材料部40的厚度d设置在50至100纳米的范围内,例如黏合材料部40的厚度d为60至80纳米。具体地,黏合材料部的厚度d可以为60纳米、70纳米或者80纳米。如图2a所示,黏合材料部40的厚度d表示黏合材料部40的上侧表面与黏合材料部40的下侧表面沿竖直方向的尺寸,参见图中d处的箭头之间的距离。
黏合材料部40在衬底基板10上的正投影的宽度l为黏合材料部的厚度d的值的4至6倍,具体地,例如宽度l为厚度的5倍,例如250纳米、300纳米或者500纳米。黏合材料部的宽度l也可以根据实际的非平坦接触区域D的大小进行调整。如图2b所示,宽度l表示黏合材料部40在衬底基板10的正投影的最左侧到正投影的最右侧的距离,参见图中l处的箭头之间的距离。
如图2b所示,在本公开的另一些示例性实施例中,显示基板1’的结构如下,在衬底基板10’上形成有第一膜层20’,第一膜层20’形成在衬底基板10’上,第一膜层20’的底部与衬底基板10’的部分区域接触,第一膜层20’即为形成在衬底基板10’上的挡墙(DAM)。
例如,第一膜层20’的底部与衬底基板10’接触,第一膜层20’的两侧边和上侧与第二膜层30’接触。例如,第二膜层30’的上侧覆盖有封装层60’。所述封装层60’包括叠层封装结构,例如包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。
在第一膜层20’和第二膜层30’之间设置有黏合材料部40’,第一膜层20’具有面向第二膜层30’的第一表面21’,第二膜层30’具有面向第一膜层20’的第二表面31’,第一膜层20’为凸起形状结构,第一膜层20’与第二膜层30’之间形成有非平坦接触区域D’,黏合材料部40’至少部分设置在平坦接触区域D’中。
例如,第一膜层20’的侧边是面向第二膜层30’的第一表面21’,黏合材料部40’分别与第一膜层20’的第一表面21’、第二膜层30’的第二表面31’以及衬底基板的上表面的一部分接触,从而将第一膜层20’、第二膜层30’以及衬底基板10’共同黏合在一起。
在其他的实施方式中,衬底基板与第一膜层以及第二膜层之间可以设置其他的第三膜层结构,例如层间介电层等膜层结构,黏合材料部可以是将第一膜层、第二膜层、第三膜层黏合在一起,从而形成黏合结构。并且,在该结构中,黏合材料部与第一膜层之间的黏合力大于第一膜层与第二膜层之间的黏合力,黏合材料部与第二膜层的之间的黏合力大于第一膜层与第二膜层之间的黏合力,黏合材料部与第三膜层之间的黏合力大于第一膜层与第三膜层之间的黏合力。
图3a是根据图2a的示例性实施例的显示基板的具体结构的放大图。
如图2a和图3a所示,第一表面21包括第一子表面211和第二子表面2J2,第一子表面211和第二子表面212之间具有夹角(第二夹角),并且该夹角为钝角。非平坦接触区域D至少包括第一子表面211和第二子表面212之间的结合位置C。第一子表面211和第二子表面212之间形成有结合位置C,该结合位置C是两个子表面相交的位置,该结合位置C可以是包含两个子表面相交处的一定区域。
黏合材料部40包括第一子部401和第二子部402。第一子部401和第二子部402之间具有夹角(第一夹角),该夹角为钝角。第一子部401和第二子部402之间的夹角表示为第一子部401和第二子部402能够形成弯折面,该弯折面所具有的夹角即为第一子部401和第二子部402之间的夹角。如图3a所示,黏合材料部还包括第三子部403,第三子部403位于第一子部401和第二子部402之间。
第一子部401与第一子表面211接触,第二子部402与第二子表面212接触,第三子部403覆盖第一子表面211和第二子表面212之间的结合位置C,并且第三子部403在衬底基板10上的正投影覆盖第一子表面211和第二子表面212之间的结合位置C在衬底基板10上的正投影。
根据本公开的实施例,通过使第三子部403覆盖结合位置C,使结合位置C位于黏合材料部40的中间位置处,保证黏合材料部40与第一子表面211和第二子表面212之间的黏合力更加均匀,防止黏合材料部40因黏合力不均匀导致的局部脱落的情况。
图3b是根据图2b的示例性实施例的显示基板的具体结构的放大图。
如图2b和图3b所示,黏合材料部40’包括第一子部401’和第二子部402’,第一子部401’与第二表面31’接触并且第一子部401’不与第一表面21’接触,第二子部402’与第一表面21’和第二表面31’接触。第二子部402’覆盖非平坦接触区域D’。
在本公开的一些示例性实施例中,黏合材料部40’的第一子部401’与第二表面31’接触,第一子部401’黏合衬底基板10’以及第二膜层30’,黏合材料部40’的第二子部402’与第一表面21’和第二表面31’接触,第二子部402’黏合第一膜层20’和第二膜层30’。
第二子部402’覆盖非平坦接触区域D’。以使黏合材料部40’完全覆盖非平坦接触区域D’,保证在后续的加工工艺中,非平坦接触区域D’的第一膜层20’和第二膜层30’之间不会产生开裂的情况。
图4是根据本公开的一些示例性实施例的显示基板在与背板剥离过程中的受力示意图。
显示基板在完成封装工艺后,需要将衬底基板10及上侧的膜层结构(包括第一膜层20、第二膜层30以及黏合材料部40等)与背板剥离。在本公开的实施例中,衬底基板10的材料例如可以包括聚酰亚胺(PI)材料。聚酰亚胺材料可以对吸收激光能量,并在达到裂解温度后发生裂解,该裂解发生在材料的表面,有利于将衬底基板与背板材料进行分开。在本公开的其他实施例中,衬底基板也可以是其他的可以吸收激光能量发生裂解的材料。背板一般采用玻璃背板,也可以是其他的可以透射激光的材料。剥离工艺一般采用激光剥离工艺,例如LLO(Laser Lift Off)+分层(De-lamina)相结合的方法来实现玻璃背板与膜层结构(Flexible Film)分离的工艺,LLO主要通过激光往复扫描衬底基板,PI吸收激光能量并达到裂解温度后,高分子材料部分转变为低分子燃烧气化,裂解反应仅发生于材料表面,裂解过程部分低分子脱氢反应产生裂解产物碳(Ash),激光能量对PI胶穿透及灰化,使PI胶与SiN的层间结合被破坏,最终通过分层工艺(De-lamina)的刀口切入实现分离。
如图4所示,显示基板在通过激光剥离工艺进行剥离时,PI裂解过程中产生带电离子,其以气态的形式往外喷发,形成电浆Plasma,形成电浆过程中汇产生冲击波,传到玻璃背板50后,部分冲击波会反射回产品本身,反射的这部分能量会以扇形(图4中的W)冲击产品的膜层结构,在反射能量扇形叠加区域会产生震荡波(Shockwave),向外扇形扩散过程中膜层结构的脆弱部分(即非平坦接触区域)可能产生开裂(peeling)、气泡(bubble)等不良,严重的甚至可能引起原有膜层内的裂纹生长。最终成为贯穿膜层截面的贯穿型裂纹,成为水汽通道,造成产品失效。通过在第一膜层20和第二膜层30之间的非平坦接触区域D形成黏合材料部40,其能够显著提高第一膜层20和第二膜层30之间的黏合力,有效防止显示基板在激光剥离工艺中在非平坦接触区域D产生裂纹等问题。
图5是根据本公开的示例性实施例的显示基板的制造方法的流程图。
在本公开的示例性实施方式中,显示基板的制造方法包括步骤S1至步骤S5。
在步骤S1中,参照图6,在背板上形成衬底基板。
背板50例如可以是玻璃背板,在背板50上通过图案化工艺形成衬底基板10,衬底基板10例如可以是聚酰亚胺材料。
在步骤S2中,参照图7,在衬底基板10的远离背板50的一侧形成第一膜层20。
在形成衬底基板10之后,继续在衬底基板10的上表面(即远离背板50的一侧)形成第一膜层20。第一膜层例如可以是有机层材料,也可以是无机层材料,例如可以是包含钛铝钛材料的膜层。其形成方法可以采用溅射沉积工艺。
在步骤S3中,参照图8,在第一膜层20远离衬底基板10的一侧形成黏合材料部40。
在形成第一膜层20后,在第一膜层20的上表面(即远离衬底基板的一侧)形成黏合材料部40。黏合材料部40位于第一膜层20与第二膜层30之间的非平坦接触区域,即在第一膜层的上表面的凸起结构的基部形成黏合材料部40。黏合材料部40例如可以通过溅射沉积工艺形成,或者通过冷喷涂工艺形成。
在黏合材料部40的形成工艺中,在原有的膜层结构的形成工艺中,通过插入本公开的黏合材料部40的形成工艺即可,无需对现有的工艺进行大幅度调整,因此可以有效节约生产制造成本。
在步骤S4中,参照图9,在黏合材料部40远离衬底基板10的一侧形成第二膜层30。
在黏合材料部40形成于非平坦接触区域后,在第一膜层20和黏合材料部40的上侧(即远离衬底基板10的一侧)形成第二膜层30,第二膜层30覆盖第一膜层20和黏合材料部40。最终形成包含有背板50的显示基板。
在步骤S5中,参照图10a和图10b,将形成有所述第一膜层20、黏合材料部40和第二膜层30的衬底基板10从背板50剥离。
如图10a所示,对背板50采用激光照射,激光L穿透背板50并对衬底基板10的PI胶进行照射,激光沿着箭头B的方向移动,使的背板50与衬底基板10之间的接触区域均被激光照射,衬底基板10在受到激光照射后发生裂解,并且产生带电离子,其以气态的形式往外喷发,形成电浆Plasma,冲击波伴随电浆产生,传到背板50后会部分会反射回产品本身,反射的这部分能量会以扇形冲击产品膜层结构,在反射能量扇形叠加区域会产生震荡波。然而,本公开的示例性实施例中的非接触平坦区域设置有黏合材料部40,其可以有效防止此处材料开裂的问题。在激光L沿着箭头B的方向移动至衬底基板10与背板50的边缘处后,衬底基板10与背板50之间的结合被破坏。如图10b所示,最终可以实现将衬底基板10及其上侧的膜层结构与背板50分离,得到仅包含衬底基板10以及膜层结构,而不包含背板50的显示基板。
在将衬底基板从背板上剥离可以采用激光剥离工艺(LLO,Laser List Off)实现,目前常见的LLO的激光源设备主要分为两类,一种为Excimer(准分子激光器),另一种为DPSS(全固态半导体激光器),PI胶对两种激光器发射出激光能量的吸收效率差异较小,但两种激光器发射出激光能量在上层玻璃的透过率差异较大,因此,在实际的生产中要根据背板的玻璃材质及衬底基板的PI胶的厚度来选择合适的激光源设备。
本公开的一些示例性实施中还提供了一种显示装置,该显示装置包括如上文所述的显示基板。该显示装置可以是任何具有显示功能的设备或产品。例如,所述显示装置可以是智能电话、移动电话、电子书阅读器、台式电脑(PC)、膝上型PC、上网本PC、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、数字音频播放器、移动医疗设备、相机、可穿戴设备(例如头戴式设备、电子服饰、电子手环、电子项链、电子配饰、电子纹身、或智能手表)、电视机等。
虽然本公开的总体技术构思的一些实施例已被显示和说明,本领域普通技术人员将理解,在不背离所述总体技术构思的原则和精神的情况下,可对这些实施例做出改变,本公开的范围以权利要求和它们的等同物限定。

Claims (9)

1.一种显示基板,其中,所述显示基板包括:
衬底基板;
设置于所述衬底基板一侧的第一膜层,第一膜层包括隔离部件;
设置于所述第一膜层远离所述衬底基板一侧的第二膜层,第二膜层包括有机发光材料层;以及
设置在所述第一膜层包括的隔离部件与所述第二膜层包括的有机发光材料层之间的黏合材料部;
其中,所述第一膜层具有面向所述第二膜层的第一表面,所述第二膜层具有面向所述第一膜层的第二表面,所述第一表面与所述第二表面至少部分接触;
所述第一膜层包括的隔离部件和所述第二膜层包括的有机发光材料层之间形成有非平坦接触区域,所述黏合材料部至少部分设置在所述非平坦接触区域中,用于黏合所述第一膜层与所述第二膜层;以及
所述黏合材料部与所述第一膜层之间的黏合力大于所述第一膜层与所述第二膜层之间的黏合力,所述黏合材料部与所述第二膜层的之间的黏合力大于所述第一膜层与所述第二膜层之间的黏合力;
所述黏合材料部的材料包括氧化铟锡。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述黏合材料部包括第一子部和第二子部,所述第一子部和所述第二子部之间具有第一夹角,所述第一夹角为钝角。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其中,
所述第一表面包括第一子表面和第二子表面,所述第一子表面和所述第二子表面之间具有第二夹角,所述第二夹角为钝角;
所述非平坦接触区域至少包括所述第一子表面和所述第二子表面之间的结合位置;以及
所述黏合材料部还包括第三子部,所述第三子部位于所述第一子部与所述第二子部之间,所述第一子部与所述第一子表面接触,所述第二子部与所述第二子表面接触,所述第三子部覆盖所述第一子表面和所述第二子表面之间的结合位置。
4.根据权利要求2所述的显示基板,其中,
所述第一子部与所述第二表面接触,所述第一子部不接触所述第一表面,所述第二子部与所述第一表面和所述第二表面均接触;以及
所述第二子部覆盖所述非平坦接触区域。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述黏合材料部的厚度设置在50至100纳米的范围内。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其中,所述黏合材料部在所述衬底基板上的正投影的宽度为所述黏合材料部的厚度的值的4至6倍。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的显示基板,其中,所述衬底基板包括聚酰亚胺材料。
8.一种显示装置,包括如权利要求1至7中任意一项所述的显示基板。
9.一种显示基板的制造方法,其中,包括:
在背板上形成衬底基板;
在所述衬底基板的远离所述背板的一侧形成第一膜层,第一膜层包括隔离部件;
在所述第一膜层远离所述衬底基板的一侧形成黏合材料部;
在所述黏合材料部远离所述衬底基板的一侧形成第二膜层,第二膜层包括有机发光材料层;以及
将形成有所述第一膜层、所述黏合材料部和所述第二膜层的衬底基板从所述背板剥离,
其中,所述第一膜层具有面向所述第二膜层的第一表面,所述第二膜层具有面向所述第一膜层的第二表面,所述第一表面与所述第二表面至少部分接触;
所述第一膜层包括的隔离部件和所述第二膜层包括的有机发光材料层之间形成有非平坦接触区域,所述黏合材料部至少部分设置在所述非平坦接触区域中,用于黏合所述第一膜层与所述第二膜层;以及
所述黏合材料部与所述第一膜层之间的黏合力大于所述第一膜层与所述第二膜层之间的黏合力,所述黏合材料部与所述第二膜层的之间的黏合力大于所述第一膜层与所述第二膜层之间的黏合力;
所述黏合材料部的材料包括氧化铟锡。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102397900B1 (ko) * 2016-12-08 2022-05-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110165082A (zh) * 2019-05-31 2019-08-23 昆山国显光电有限公司 显示面板及显示装置
CN110797377A (zh) * 2019-10-11 2020-02-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN111029484A (zh) * 2019-12-20 2020-04-17 上海天马微电子有限公司 一种显示面板以及显示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9614183B2 (en) * 2015-04-01 2017-04-04 Apple Inc. Organic light-emitting diode displays with crack detection and crack propagation prevention circuitry
CN105304676A (zh) * 2015-09-22 2016-02-03 深圳市华星光电技术有限公司 柔性有机电致发光器件的封装结构、柔性显示装置
KR102561329B1 (ko) * 2016-06-10 2023-07-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101888451B1 (ko) * 2017-08-31 2018-08-16 엘지디스플레이 주식회사 접착제 및 이를 적용한 플렉서블 디스플레이
KR20200047941A (ko) * 2018-10-26 2020-05-08 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110165082A (zh) * 2019-05-31 2019-08-23 昆山国显光电有限公司 显示面板及显示装置
CN110797377A (zh) * 2019-10-11 2020-02-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN111029484A (zh) * 2019-12-20 2020-04-17 上海天马微电子有限公司 一种显示面板以及显示装置

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