KR20200047941A

KR20200047941A - 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법

Info

Publication number: KR20200047941A
Application number: KR1020180129286A
Authority: KR
Inventors: 김훈; 고창현
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2018-10-26
Filing date: 2018-10-26
Publication date: 2020-05-08
Also published as: US20200136087A1; US11825686B2; US11444264B2; US20230070438A1; US20200350514A1; US10720604B2; CN111106146A

Abstract

본 발명의 일 측면은 기판; 상기 기판 상에 배치되고 복수의 화소를 포함하는 표시 영역 및 상기 표시 영역 외곽의 주변 영역; 상기 표시 영역을 둘러싸는 댐부; 상기 댐부와 상기 기판의 단부 사이에 위치하고, 상기 복수의 화소 중 적어도 하나에 전기적으로 연결된 크랙검출부; 상기 댐부와 상기 기판의 단부 사이에 위치하는 크랙방지댐; 상기 표시 영역 및 상기 주변 영역의 일부를 커버하는 제1 무기층, 유기층, 및 제2 무기층을 포함하고, 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층은 상기 기판의 단부까지 연장된 봉지층;을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.

Description

디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법{Display apparatus and method of manufacturing the same}

본 발명의 실시예들은 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 디스플레이 장치의 데드 스페이스를 줄이고 고품질을 구현할 수 있는 디스플레이 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

디스플레이 장치는 데이터를 시각적으로 표시하는 장치이다. 근래에 디스플레이 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 디스플레이 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있다.

이러한 디스플레이 장치는 표시영역과 표시 영역 외곽의 비표시 영역인 주변 영역으로 구획된 기판을 포함한다. 패드부, 복수의 배선, 구동 회로부 등의 비표시 요소들이 배치된 주변 영역은, 이미지를 구현하지 못하는 데드 스페이스(dead space)이다. 최근 디스플레이 장치의 데드 스페이스를 줄이고자 하는 수요가 증가하고 있다.

한편, 디스플레이 장치는 기판 상에 복수개의 다양한 막을 구비하고 있다. 이러한 다양한 막은 표시 장치에 대한 외력이 가해질 경우, 또는 표시 장치의 제조 과정시의 공정 조건에 따라 손상되거나, 크랙 전파의 통로가 될 수 있다. 크랙 전파는 디스플레이 장치의 내구성 및 화상 품질에 영향을 준다.

본 발명의 실시예들은 데드 스페이스를 줄이고 고품질의 이미지를 제공하는 디스플레이 장치 및 그 제조 방법을 제공하고자 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.

일 실시예에 있어서, 상기 크랙방지댐은 상기 크랙검출부와 상기 기판의 단부 사이에 위치할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 크랙방지댐은 상기 크랙검출부와 중첩되도록 위치할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 크랙검출부는 상기 크랙방지댐과 상기 기판의 단부 사이에 위치할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 표시 영역 및 주변 영역에 형성된 제1 절연층을 더 포함하고, 상기 크랙검출부는 상기 주변 영역에 형성된 제1절연층 상에 위치할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 크랙방지댐은, 상기 제1 절연층에 형성된 적어도 하나의 슬릿과, 상기 슬릿을 덮는 클래딩을 포함할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 기판과 상기 제1 절연층 사이에 형성된 제1 배리어층을 더 포함할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 제1 배리어층은 상기 기판의 단부까지 연장될 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 봉지층의 제1 무기층은, 상기 크랙검출부와 상기 기판의 단부 사이에서상기 제1 배리어층과 직접 접촉할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 봉지층의 제1 무기층은, 상기 크랙 방지댐과 상기 기판의 단부 사이에서상기 제1 배리어층과 직접 접촉할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 표시 영역 및 주변 영역에 형성된 제1 절연층을 더 포함하고, 상기 주변 영역에 형성된 제1 절연층에는 적어도 하나의 슬릿이 형성되고, 상기 크랙 검출부는 상기 슬릿 내부에 위치할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 기판은 유연성 있는 재질을 포함할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 기판은 유기물을 포함하는 제1 층, 유기물을 포함하는 제2 층, 및 상기 제1 층과 제2 층 사이에 배치된 제2 배리어층을 더 포함할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 기판 상에 형성되고, 활성층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터; 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나와 연결된 제1 전극; 상기 제1 전극을 정의하는 화소 정의막; 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고 유기 발광층을 구비한 중간층;을 더 포함하고, 상기 표시 영역 및 주변 영역에 형성된 제1 절연층을 더 포함하고, 상기 제1 절연층은 상기 박막 트랜지스터의 활성층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 배치된 절연층들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 상에 형성된 패시베이션막을 더 포함하고, 상기 클래딩층은 상기 패시베이션막과 동일한 재질로 형성될 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 댐부는 상기 패시베이션막 및 상기 화소 정의막 중 적어도 하나이상과 동일한 재질로 형성될 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 댐부는, 상기 표시 영역에 가까운 제1 댐과, 상기 제1 댐과 상기 크랙 검출부 사이에 위치한 제2 댐을 포함할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 화소 정의막 상에 배치된 스페이서를 더 포함하고, 상기 제2 댐의 최상단은 상기 스페이서와 동일한 재질로 형성될 수 있다.

본 발명의 다른 측면은, 모기판의 절단선을 기준으로 절단 공정을 진행하여, 모기판으로부터, 복수의 화소를 포함하는 표시 영역과 상기 표시 영역 외곽의 주변 영역을 구비한 복수의 디스플레이 장치로 분할하는 디스플레이 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 모기판 상에 제1 절연층을 형성하는 단계; 상기 각 디스플레이 장치의 주변 영역에서, 제1 절연층 상에 표시 영역을 둘러싸는 댐부, 상기 복수의 화소 중 적어도 하나에 전기적으로 연결된 크랙검출부, 상기 댐부와 절단선 사이에 위치하는 크랙방지댐을 형성하는 단계; 및 제1 무기층, 유기층, 제2 무기층을 포함하는 봉지층을 상기 표시 영역 및 상기 주변 영역에 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 제1 무기층 및 제2 무기층은, 상기 모기판의 절단선 상에 형성되어 서로 인접한 디스플레이 장치의 주변 영역에서 서로 연장되도록 형성된 후, 상기 모기판의 절단 공정에서 상기 절단선을 기준으로 절단되는, 디스플레이 장치의 제조 방법을 제공한다.

일 실시예에 있어서, 상기 봉지층의 유기층은, 상기 각 디스플레이 장치의 표시 영역 및 일부 주변영역에 대응하는 제1 개구가 복수 개 포함된 제1 오픈 마스크를 이용하여 형성하고, 상기 봉지층의 제1 무기층 및 상기 제2 무기층은, 상기 각 디스플레이 장치의주변 영역을 연결하도록, 모기판에 대응하는 하나의 제2 개구를 포함하는 제2 오픈 마스크를 이용하여 형성할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 크랙검출부 및 상기 크랙방지댐은 상기 표시 영역에 형성된 절연층과 같은 재료로 형성할 수 있다.

본 발명의 실시예들에 따르면, 크랙검출부와 크랙방지댐 사이의 이격 거리를 줄여, 디스플레이 장치의 데드 스페이스를 줄일 수 있다.

또한, 크랙방지댐으로 크랙이 표시 영역으로 전파되는 것을 차단하여 디스플레이 장치의 내구성을 증가시키고, 크랙검출부로 발생된 크랙을 미리 검출하여 불량률을 줄일 수 있다.

또한, 모기판의 절단선인 기판의 단부까지 봉지층의 무기막들을 증착하여, 기판 측면에서의 수분 등 외부 불순물의 침투를 줄여 디스플레이 장치의 열화를 방지할 수 있다.

물론 상술한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(1)를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 ⅡA-ⅡB을 따라 유기 발광 표시 장치(1)의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 비교예에 따른 유기 발광 표시 장치(1R)의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4a, 4b 및 4c는 크랙 방지댐의 다양한 실시예들을 도시한 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(2)를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(3)를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(4)를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(5)를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 제조하기 위한 모기판을 개략적으로 도시한 평면도이다. .
도 10은 도 9의 ⅩA-ⅩB를 따라 취한 단면도이다.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.

이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.

어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.

이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.

디스플레이 장치는 화상을 표시하는 장치로서, 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 전기영동 표시 장치(Electrophoretic Display), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display), 무기 EL 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display), 표면 전도 전자 방출 표시 장치(Surface-conduction Electron-emitter Display), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display), 음극선관 표시 장치(Cathode Ray Display) 등 일 수 있다.

이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치로서, 유기 발광 표시 장치를 예로 하여 설명하지만, 본 발명의 디스플레이 장치는 이에 제한되지 않으며, 다양한 방식의 디스플레이 장치가 사용될 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(1)를 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1의 ⅡA-ⅡB을 따라 유기 발광 표시 장치(1)의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(1)는 기판(110) 상에 표시 영역(DA)과, 표시 영역(DA) 외곽에 위치한 비표시 영역인 주변 영역(PA)이 구비된다. 표시 영역(DA)에는 복수의 화소(P)가 포함되고, 표시 영역(DA) 외곽의 주변 영역(PA)에는 표시 영역을 둘러싸는 댐부(160)가 배치된다. 댐부(160) 외곽에는 크랙 검출부(170)와 크랙 방지댐(190)이 인접하여 배치되고, 표시 영역(DA)을 덮는 봉지층(140)의 일부가 기판(110)의 단부(CL)까지 연장되어 배치된다.

기판(110)은 글라스재, 금속재 또는 플라스틱재 등과 같은 다양한 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 폴리에테르술폰(polyethersulphone, PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate, PAR), 폴리에테르 이미드(polyetherimide, PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethyelenen napthalate, PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethyeleneterepthalate, PET), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide, PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate, CAP)와 같은 고분자 수지를 포함하는 플렉서블 기판일 수 있다.

표시 영역(DA)은 화상을 표시하는 영역으로서, 복수개의 제1 박막트랜지스터(TFT1)들 및 복수개의 제1 박막트랜지스터(TFT1)들에 전기적으로 연결되는 복수의 유기 발광 소자(130)가 배치될 수 있다.

제1 박막트랜지스터(TFT1)와 기판(110) 사이에는 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물을 포함하는 제1 배리어층(111)이 개재될 수 있다. 제1 배리어층(111)은 기판(110) 상면의 평활성을 높이거나 불순물이 기판(110)을 통하여 반도체층(122)으로 침투하는 것을 방지하거나 감소시키는 역할을 할 수 있다.

반도체층(122)은 비정질 실리콘을 포함하거나 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 반도체층(122)은 인듐(In), 갈륨(Ga), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 아연(Zn)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 반도체층(122)은 채널영역(미도시)과 상기 채널영역보다 캐리어 농도가 높은 소스 영역(미도시) 및 드레인 영역(미도시)을 포함할 수 있다.

반도체층(122)의 상부에는 게이트 전극(124)이 배치된다. 게이트 전극(124)에 인가되는 신호에 따라 소스 전극(126s) 및 드레인 전극(126d)이 전기적으로 소통된다. 게이트 전극(124)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.

반도체층(122)과 게이트 전극(124) 사이의 절연성을 확보하기 위해, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등의 무기물을 포함하는 게이트 절연막(113)이 반도체층(122)과 게이트 전극(124) 사이에 개재될 수 있다.

게이트 전극(124)의 상부에는 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등의 무기물을 포함하는 층간 절연막(115)이 배치되고, 소스 전극(126s) 및 드레인 전극(126d)이 층간 절연막(115) 상에 배치될 수 있다. 소스 전극(126s) 및 드레인 전극(126d)은 층간 절연막(115)과 게이트 절연막(113)에 형성되는 컨택홀을 통하여 반도체층(122)에 각각 전기적으로 연결된다.

소스 전극(126s) 및 드레인 전극(126d)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.

기판(110)의 주변영역(PA)에 제2 박막트랜지스터(TFT2)가 배치될 수 있다. 제2 박막트랜지스터(TFT2)는 디스플레이영역(DA) 내에 인가되는 전기적 신호를 제어하기 위한 회로부의 일부일 수 있다.

제2 박막트랜지스터(TFT2)는 전술한 제1 박막트랜지스터(TFT1)와 동일한 구조로 형성될 수 있다. 또한, 제2 박막트랜지스터(TFT2)는 제1 박막트랜지스터(TFT1)와 상이한 구조로 형성될 수도 있다.

제2 박막트랜지스터(TFT2)는 전술한 제1 박막트랜지스터(TFT1)와 동일한 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 박막 트랜지스터(TFT2)는 비정질실리콘, 다결정실리콘 또는 유기반도체물질을 포함하는 반도체층(미도시)을 포함할 수 있다. 또한, 제2 박막트랜지스터(TFT2)는 제1 박막트랜지스터(TFT1)와 상이한 재료로 형성될 수 있다.

제1 배리어층(111), 게이트 절연막(113) 및 층간 절연막(115)은 표시 영역(DA)과 주변 영역(PA)에 모두 형성된다.

제1 및 제2 박막트랜지스터(TFT1, TFT2) 상에는 패시베이션막(118)이 배치될 수 있다. 패시베이션막(118)은 제1 및 제2 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)로부터 비롯된 단차를 해소하고 상면을 평탄하게 하여, 하부 요철에 의한 유기 발광 소자(130)에 불량이 발생하는 것을 방지한다.

이러한 패시베이션막(118)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 유기 물질은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 또한, 패시베이션막(110)은 무기 절연막과 유기 절연막의 복합 적층체로 형성될 수도 있다.

패시베이션막(118)은 표시 영역(DA)과 주변 영역(PA)에 모두 형성된다.

표시 영역(DA)에서, 패시베이션막(118) 상에는 제1 전극(131), 제2 전극(135) 및 그 사이에 개재되며 유기 발광층(미도시)을 포함하는 중간층(133)을 갖는 유기 발광 소자(130)가 배치된다.

제1 전극(131)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다. 제1 전극(131)이 투명 전극으로 형성될 때에는 투명 도전층을 포함할 수 있다.

투명 도전층은 인듐틴옥사이드(ITO: indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO: indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO: zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO: indium galium oxide), 및 알루미늄징크옥사이드(AZO: aluminium zinc oxide)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 이 경우, 투명 도전층 이외에 광효율을 향상시키기 위한 반투과층을 더 포함할 수 있으며, 반투과층은 수 내지 수십 nm의 박막으로 형성된 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, 및 Yb를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.

반사형 전극으로 형성될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막의 상부 및/또는 하부에 배치된 투명 도전층을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 ITO, IZO, ZnO, In2O3: indium oxide, IGO, 및 AZO을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다.

물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고 제1 전극(131)은 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 그 구조 또한 단층 또는 다층이 될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.

패시베이션막(118) 상에는 표시 영역(DA)과 주변 영역(PA)에 걸쳐 화소 정의막(119)이 배치될 수 있다.

제1 전극(131)의 중앙부를 노출하는 화소 정의막(119)은 발광 영역인 화소를 정의하는 역할을 한다. 또한, 화소 정의막(119)은 제1 전극(131)의 가장자리를 커버하여, 제1 전극(131)의 가장자리에서 아크 발생을 방지할 수 있다.

화소 정의막(119)은 폴리이미드(PI; polyimide) 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물로 형성될 수 있다. 화소 정의막(119)은 패시베이션막(118)과 같거나 상이한 물질을 포함할 수 있다.

표시 영역(DA) 또는 주변 영역(PA) 일부에서 화소 정의막(119) 상에 스페이서(120)가 더 배치될 수 있다. 도 2에는 스페이서(120)가 주변 영역(PA)의 화소 정의막(119) 상에 배치된 것으로 도시되어 있으나, 이는 예시이다. 스페이서(120)는 표시 영역(DA)에서 화소 정의막(119) 상에 배치될 수 있다.

스페이서(120)는 화소 정의막(119)으로부터 봉지부(140) 방향으로 돌출되어 마련되는 것으로, 공정 시 마스크 찍힘 등에 의한 불량을 방지하기 위한 것일 수 있다. 스페이서(120)는 폴리이미드 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물로 형성될 수 있다.

유기 발광소자(130)의 중간층(133)은 저분자 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다.

중간층(133)이 저분자 물질을 포함할 경우, 중간층(133)은 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 또는 복합의 구조로 적층된 구조일 수 있다. 중간층(133)은 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양한 유기물질을 포함할 수 있다. 중간층(133)은 진공 증착 등 다양한 방법으로 형성될 수 있다.

중간층(133)이 고분자 물질을 포함할 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 이 때, 홀 수송층은 PEDOT을 포함하고, 발광층은 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 물질을 포함할 수 있다. 이러한 중간층(133)은 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법, 레이저열전사방법(LITI; Laser induced thermal imaging) 등 다양한 방법으로 형성할 수 있다.

중간층(133)은 복수개의 제1 전극(131)들에 걸쳐서 일체인 층을 포함할 수도 있고, 복수개의 제1 전극(131)들 각각에 대응하도록 패터닝된 층을 포함할 수도 있다.

제2 전극(135)은 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)에 걸쳐서 형성된다. 제2 전극(135)은 복수개의 유기 발광 소자(130)들에 있어서 일체(一體)로 형성되어 공통 전극으로서 복수개의 제1 전극(131)들에 대응할 수 있다.

제2 전극(135)은 주변 영역(PA)에 위치하는 전원 공급선(150)과 연결된다.

전원 공급선(150)은 소스 전극(126s) 및 드레인 전극(126d)과 동일한 재료로 형성될 수 있다. 전원 공급선(150) 상에는 제1 개구(C1)를 갖는 패시베이션막(118) 및 제2 개구(C2)를 갖는 화소 정의막(119)이 형성되고, 제1 및 제2 개구(C1, C2)를 통해 제2 전극(135)과 전기적으로 연결되어 유기 발광 소자(130)에 저전압 전원을 인가할 수 있다. 제2 전극(135)과 전원 공급선(150) 사이에는 제1 전극(131)과 동일한 재료로 형성되는 연결 도전층(132)이 형성될 수 있다.

제2 전극(135)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다.

제2 전극(135)이 투명 전극으로 형성될 때에는 Ag, Al, Mg, Li, Ca, Cu, LiF/Ca, LiF/Al, MgAg 및 CaAg에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있으며, 수 내지 수십 nm의 두께를 갖는 박막 형태로 형성될 수 있다.

제2 전극(135)이 반사형 전극으로 형성될 때에는 Ag, Al, Mg, Li, Ca, Cu, LiF/Ca, LiF/Al, MgAg 및 CaAg를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 물론 제2 전극(135)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능함은 물론이다.

주변 영역(PA)에는 전원 공급선(150)의 적어도 일부를 덮으며 표시 영역(DA)을 둘러싸는 댐부(160)가 위치한다.

댐부(160)는 표시영역(DA) 및 주변영역(PA)를 밀봉하기 위한 봉지층(140)의 유기층(145) 형성 시, 유기물이 기판(110)의 가장자리 방향으로 흐르는 것을 차단하여, 유기층(143)의 에지 테일이 형성되는 것을 방지할 수 있다.

제1 댐(160a)은 전원 공급선(150) 상부에 형성될 수 있다.

제1 댐(160a)은 패시베이션막(118)으로 형성된 제1층(118a) 및 화소 정의막(119)으로 형성된 제2층(119a)이 적층된 구조일 수 있다.

전원 공급선(150) 상면과 직접 접촉하는 제1층(118a)을 무기 물질보다 금속과 접착력이 우수한 유기 물질로 형성하여, 제1 댐(160a)을 전원 공급선(150) 상에 안정적으로 배치할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 제1 댐(160a)은 다른 재료, 다른 높이로 형성될 수 있다.

제1 댐(160a) 외측에 제2 댐(160b)이 전원 공급선(150)의 일단을 커버하며 형성될 수 있다.

제2 댐(160b)은 패시베이션막(118)으로 형성된 제1층(118b), 화소 정의막(119)으로 형성된 제2층(119b), 및 스페이서(120)로 형성된 제3층(120b)이 적층된 구조일 수 있다. 제2 댐(160b)은 제1 댐(160a)보다 높게 형성될 수 있다.

제2 댐부(160b)의 제1층(118b)은 전원 공급선(150) 단부를 커버함으로써, 열 또는 약품을 사용하는 백플레인(backplane) 제조 공정에서 전원 공급선(150)의 열화를 방지할 수 있다.

제2 댐부(160b)는 유기층(143)이 주변 영역(PA)으로 누출되는 현상을 방지할 뿐만 아니라, 제1 댐부(160a)보다 높은 높이로 형성되기 때문에, 봉지부(140)를 형성하는 제조 공정에서, 금속 마스크(미도시)를 사용하는 동안 금속 마스크가 제2 전극(135)의 표면을 찍는 현상을 방지할 수 있다.

도 2는 제1 댐(160a) 및 제2 댐(160b), 즉 두 개의 댐이 댐부(160)룰 구성하는 것이 개시되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 댐의 개수, 높이, 재료 등은 다양하게 변형 가능하다.

댐부(160)의 인접한 외곽에 크랙을 감지할 수 있는 크랙검출부(170)가 배치된다.

디스플레이 장치(1)는 기판(110) 상에 복수개의 다양한 막을 구비하고 있다. 예를 들어, 기판(110)에는 게이트 절연막(113), 층간 절연막(115)과 같은 무기막이 형성된다.

게이트 절연막(113), 층간 절연막(115)과 같은 무기막들은 디스플레이 장치에 외력이 가해질 경우, 크랙 전파의 통로가 될 수 있다. 예를 들어, 모기판(MSU, 도 9 참조)을 복수의 디스플레이 장치로 분리하는 스크라이빙 공정에서, 모기판(MSU)을 절단선(CL, 도 9 참조)을 따라 절단하는 과정에서 발생한 크랙은 무기막의 측면을 따라 표시 영역(DA)으로 전파될 수 있다.

크랙검출부(170)는 층간 절연막(115) 상에 형성된 적어도 하나 이상의 크랙감지배선(172, 173, 174)를 포함하고, 크랙검출부(170)는 연결선(171, 도 1참조)을 통해서 표시 영역(DA)의 화소(P)에 전기적으로 연결될 수 있다.

일 예로서, 크랙 검출부(170)는 화소(P)에 연결된 게이트선(미도시) 또는 데이터선(미도시)에 연결될 수 있다. 일 예로서, 크랙이 발생하여 제1 내지 제3 크랙감지배선(172, 173, 174)이 손상되면, 제1 내지 제3 크랙감지배선(172, 173, 174)과 연결된 게이트선 또는 데이터선의 저항이 커진다. 제1 내지 제3 크랙감지배선(172, 173, 174)에 연결된 화소에는, 정상 신호 대비 전압 차가 발생한 이상 신호가 입력되어, 기준 색상과 다른 색상의 빛이 방출되므로, 기판에 발생한 크랙 유무를 확인할 수 있다.

이와 같은 크랙검출부(170)를 이용하여 디스플레이 장치에 발생된 크랙을 미리 검출함으로써 불량 제품이 출하되는 것을 방지할 수 있다.

크랙검출부(170)의 인접한 외곽에 크랙방지댐(190)이 배치된다.

상술한 바와 같이, 디스플레이 장치(1)에 발생한 크랙은 화소 불량을 일으키기 때문에 수율 향상을 위해 기판에 발생된 크랙이 표시 영역으로 전파되는 것을 감소 시킬 필요가 있다.

크랙방지댐(190)은 게이트 절연막(113) 및 층간 절연막(115)에 형성된 적어도 하나의 슬릿(SL)과, 슬릿(SL)을 덮는 클래딩(118c)를 포함한다. 슬릿(SL)은 기판(110)의 상면을 가로지르는 방향으로 형성될 수 있다. 일 예로 클래딩(118c)은 패시베이션막(118)의 일부로 형성할 수 있다. 그러나 이는 일 예이다.

도 4a 내지 도 4c는 기판과 무기막들 및 크랙방지댐의 다양한 구조를 개시한 것이다.

도 4a를 참조하면, 기판(110) 상의 제1 배리어층(111), 게이트 절연막(113), 층간 절연막(115) 전체에서, 기판(110)을 향한 방향으로 2개의 슬릿(SL)이 형성되고, 2개의 슬릿(SL)을 덮는 클래딩(118c)이 형성된다.

도 4b를 참조하면, 도 4a와 비교 시, 기판(110)이 복층 구조이다. 기판(110)은 유기물을 포함하는 제1 층(110a), 유기물을 포함하는 제2 층(110c), 및 제1 층(110a)과 제2 층(110c) 사이에 배치된 제2 배리어층(110b)를 포함할 수 있다. 기판(110)을 복층으로 형성함으로써, 기판(110) 하부에서 표시 영역으로 진행하는 외부의 불순물 침투를 방지할 수 있다.

도 4c를 참조하면, 도 4a와 비교 시, 슬릿(SL)의 개수를 더 많이 형성한 것이다. 슬릿(SL)의 개수는 다양한 변형이 가능하다.

또한 슬릿(SL)의 깊이의 변형도 가능하다. 예를 들어, 도 4a 내지 4c에 도시된 것과 같이, 제1 배리어층(111), 게이트 절연막(1130, 층간 절연막(115) 전체 깊이만큼 개구 될 필요는 없다. 예를 들어, 제1 배리어층(111)은 일부 또는 전부 개구 되지 않을 수 있다. 또한 게이트 절연막(113)도 일부 또는 전부 개구되지 않을 수 있다. 한편, 기판(110)과 크랙방지댐(190) 사이에 상술한 절연층 중 일부만 배치될 수도 있다.

이와 같이 크랙방지댐(190)을 구성하여, 기판(110)에 발생된 크랙이 표시 영역으로 전파되는 것을 감소 시킬 수 있다.

봉지층(140)은 표시 영역(DA)을 덮으며 주변 영역(PA)까지 연장될 수 있다. 이러한 봉지층(140)은 도 2에 도시된 것과 같이 제1 무기층(141), 유기층(143) 및 제2 무기층(145)을 포함할 수 있다.

제1 무기층(141)은 제1 전극(135) 전체를 덮고, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등을 포함할 수 있다.

필요에 따라 제1 무기층(141)과 제2 전극(135) 사이에 광효율을 개선하고 발광소자를 보호하는 캐핑층(미도시) 등의 다른 층들이 개재될 수도 있다.

예를 들어, 캐핑층(미도시)은 광효율을 개선하기 위하여 산화규소(SiO2), 질화규소(SiNx), 산화아연(ZnO2), 산화티타늄(TiO2), 산화지르코늄(ZrO2), 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), Alq3, CuPc, CBP, a-NPB, 및 ZiO2 중 하나 이상의 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 캐핑층(미도시)은 유기 발광 소자(130)에서 생성하는 광에 대해서 플라즈몬 공명 현상이 발생하게 할 수 있다. 예를 들어, 캐핑층(미도시)은 나노 입자들을 포함할 수 있다.

한편, 캐핑층(미되시)은 봉지층(140)을 형성하기 위한 화학 기상 증착(Chemical Vapor Disposition) 공정 또는 스퍼터링(sputtering) 공정에서 발생하는 열, 플라즈마(plasma) 등에 의해 유기 발광 소자(130)가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 캐핑층(미도시)은 비스페놀(bisphenol)형 에폭시(epoxy) 수지, 에폭시화 부타디엔(butadiene) 수지, 플루오렌(fluorine)형 에폭시 수지 및 노볼락(novolac) 에폭시 수지 중 적어도 하나로 형성되는 에폭시 계열의 재료를 포함할 수 있다.

또한, 필요에 따라 제1 무기층(141)과 캐핑층(미도시) 사이에 LiF 등을 포함하는 층(미도시)이 개재될 수도 있다.

제1 무기층(141)은 그 하부의 구조물을 따라 형성되기에, 도 2에 도시된 것과 같이 그 상면이 평탄하지 않을 수 있다. 유기층(143)은 평탄하지 않은 제1 무기층(141)을 덮고, 유기층(143)의 상면은 실질적으로 평탄할 수 있다.

유기층(143)은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌, 폴리아릴레이트, 폴리아크릴레이트 헥사메틸디실록산으로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 재료를 포함할 수 있다.

제2 무기층(145)은 유기층(143)을 덮으며, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등을 포함할 수 있다. 제2 무기층(145)은 디스플레이 장치(1)의 가장자리 영역에서 제1 무기층(141) 상에 직접 접촉하도록 증착됨으로써, 유기층(143)이 디스플레이 장치 외부로 노출되지 않도록 할 수 있다.

이와 같이 봉지층(140)은 제1 무기층(141), 유기층(143) 및 제2 무기층(145)을 포함하는바, 이와 같은 다층 구조를 통해 봉지층(140) 내에 크랙이 발생한다고 하더라도, 제1 무기층(141)과 유기층(143) 사이에서 또는 유기층(143)과 제2 무기층(145) 사이에서 크랙이 서로 연결되지 않도록 할 수 있다. 이를 통해 외부로부터의 수분이나 산소 등이 표시 영역(DA)으로 침투하는 경로가 형성되는 것을 방지하거나 감소시킬 수 있다.

본 실시예에서 봉지층(140)의 제1 무기층(141)과 제2 무기층(145)은 디스플레이 장치의 일부에 증착되는 되는 것이 아니라, 기판(110)의 단부(CL)까지 전체적으로 증착된다. 공정적으로 설명하자면, 기판(110)의 단부(CL)를 마스크로 일부 막아 기판(110)의 단부(CL) 영역에 제1, 2 무기 봉지층(141, 145)이 형성되지 않도록 한 것이 아니라, 표시 영역뿐만 아니라 기판(110)의 단부(CL)까지 끊김 없이 연장되도록 형성한 것이다.

도 3의 비교예의 디스플레이 장치(1R)는 크랙검출부(170) 배치영역(L1), 크랙검출부(170)를 커버하는 무기막 형성영역(L2), 섀도우 영역(L3), 크랙방지댐(190) 배치영역(L4), 및 기판 단부(CL)에서 무기막이 제거된 영역(L5)이 데드 스페이스의 일부를 구성한다.

그런데, 본 실시예예의 디스플레이 장치(1)는 비교예에 따른 디스플레이 장치(1R)와 비교하면, 크랙검출부(170)와 크랙방지댐(190) 사이에 존재하던 무기막 형성 영역(L2, 도 3 참조) 및 섀도우 영역(L3, 도 3 참조)이 없어지고, 봉지층(140)의 제1, 2 무기층(141, 145)이 기판(110)의 단부까지 연장되어 형성된다. 그 결과 본 실시에의 디스플레이 장치(1)는 비교예의 디스플레이 장치(1R)에 비하여 데드 스페이스의 전체 폭이 줄어들게 된다.

도 5를 참조하면, 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(2)는 기판(110) 상에 표시 영역(DA)과, 표시 영역(DA) 외곽에 위치한 비표시 영역인 주변 영역(PA)이 구비된다. 표시 영역(DA)에는 복수의 화소(P)가 포함되고, 표시 영역(DA) 외곽의 주변 영역(PA)에는 표시 영역을 둘러싸는 댐부(160)가 배치된다. 댐부(160) 외곽에는 크랙 방지댐(190)과 크랙 검출부(170)가 인접하여 배치되고, 표시 영역(DA)을 덮는 봉지층(140)의 일부가 기판(110)의 단부(CL)까지 연장되어 배치된다.

본 실시예예의 디스플레이 장치(2)와 비교예에 따른 디스플레이 장치(1R)를 비교하면, 크랙검출부(170)와 크랙방지댐(190) 사이에 존재하던 무기막 형성 영역(L2, 도 3 참조) 및 섀도우 영역(L3, 도 3 참조)이 없어지고, 봉지층(140)의 제1, 2 무기층(141, 145)이 기판(110)의 단부까지 연장되어 형성된다. 그 결과 본 실시에의 디스플레이 장치(2)는 비교예의 디스플레이 장치(1R)에 비하여 데드 스페이스의 전체 폭이 줄어들게 된다.

본 실시예예의 디스플레이 장치(2)는 전술한 디스플레이 장치(1)와 비교하면, 크랙 방지댐(190)이 크랙 검출부(170)가 인접하여 배치되고, 봉지층(140)의 제1, 2 무기층(141, 145)이 기판 단부(CL)까지 연장되어 배치된다는 점에서는 동일하지만, 크랙방지댐(190)이 크랙검출부(170)보다 표시 영역(DA)에 더 가깝게 배치된다는 점에서 차이가 있다.

도 6을 참조하면, 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(3)는 기판(110) 상에 표시 영역(DA)과, 표시 영역(DA) 외곽에 위치한 비표시 영역인 주변 영역(PA)이 구비된다. 표시 영역(DA)에는 복수의 화소(P)가 포함되고, 표시 영역(DA) 외곽의 주변 영역(PA)에는 표시 영역을 둘러싸는 댐부(160)가 배치된다. 댐부(160) 외곽에는 크랙 방지댐(190)과 크랙 검출부(170)가 중첩하여 배치되고, 표시 영역(DA)을 덮는 봉지층(140)의 일부가 기판(110)의 단부(CL)까지 연장되어 배치된다.

본 실시예예의 디스플레이 장치(3)와 비교예에 따른 디스플레이 장치(1R)를 비교하면, 크랙검출부(170)와 크랙방지댐(190) 사이에 존재하던 무기막 형성 영역(L2, 도 3 참조) 및 섀도우 영역(L3, 도 3 참조)이 없어지고, 봉지층(140)의 제1, 2 무기층(141, 145)이 기판(110)의 단부까지 연장되어 형성된다. 그 결과 본 실시에의 디스플레이 장치(2)는 비교예의 디스플레이 장치(1R)에 비하여 데드 스페이스의 전체 폭이 줄어들게 된다.

전술한 도 2의 실시예와 비교하면, 봉지층(140)의 제1, 2 무기층(141, 145)이 기판(110) 단부(CL)까지 연장되어 배치된다는 점에서는 동일하지만, 크랙방지댐(190)과 크랙 검출부(170)가 중첩되어 위치하는 점에서 차이가 있다.

도 7을 참조하면, 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(4)는 기판(110) 상에 표시 영역(DA)과, 표시 영역(DA) 외곽에 위치한 비표시 영역인 주변 영역(PA)이 구비된다. 표시 영역(DA)에는 복수의 화소(P)가 포함되고, 표시 영역(DA) 외곽의 주변 영역(PA)에는 표시 영역을 둘러싸는 댐부(160)가 배치된다. 댐부(160) 외곽에는 크랙 검출부(170)가 배치되고, 표시 영역(DA)을 덮는 봉지층(140)의 일부가 기판(110)의 단부(CL)까지 연장되어 배치된다.

본 실시예예의 디스플레이 장치(4)와 비교예에 따른 디스플레이 장치(1R)를 비교하면, 크랙방지댐 배치영역(L4), 무기막 형성 영역(L2, 도 3 참조) 및 섀도우 영역(L3, 도 3 참조)이 없어지고, 봉지층(140)의 제1, 2 무기층(141, 145)이 기판(110)의 단부까지 연장되어 형성된다. 그 결과 본 실시에의 디스플레이 장치(2)는 비교예의 디스플레이 장치(1R)에 비하여 데드 스페이스의 전체 폭이 줄어들게 된다.

전술한 도 2의 실시예와 비교하면, 봉지층(140)의 제1, 2 무기층(141, 145)이 기판(110) 단부(CL)까지 연장되어 배치된다는 점에서는 동일하지만, 크랙방지댐(190)은 배치되지 않고 크랙검출부(170)만 배치된다는 점에서 차이가 있다.

도 8을 참조하면, 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(5)는 기판(110) 상에 표시 영역(DA)과, 표시 영역(DA) 외곽에 위치한 비표시 영역인 주변 영역(PA)이 구비된다. 표시 영역(DA)에는 복수의 화소(P)가 포함되고, 표시 영역(DA) 외곽의 주변 영역(PA)에는 표시 영역을 둘러싸는 댐부(160)가 배치된다. 댐부(160) 외곽에는 크랙검출부(170)가 배치되고, 표시 영역(DA)을 덮는 봉지층(140)의 일부가 기판(110)의 단부(CL)까지 연장되어 배치된다.

본 실시예예의 디스플레이 장치(5)와 비교예에 따른 디스플레이 장치(1R)를 비교하면, 크랙방지댐 배치영역(L4), 무기막 형성 영역(L2, 도 3 참조) 및 섀도우 영역(L3, 도 3 참조)이 없어지고, 봉지층(140)의 제1, 2 무기층(141, 145)이 기판(110)의 단부까지 연장되어 형성된다. 그 결과 본 실시에의 디스플레이 장치(2)는 비교예의 디스플레이 장치(1R)에 비하여 데드 스페이스의 전체 폭이 줄어들게 된다.

한편, 전술한 도 6의 실시예와 비교하면, 크랙검출부(170)에 슬릿이 형성되고, 슬릿 사이에 크랙감지배선(172, 173, 175)이 배치된다는 점에서 차이가 있다.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 제조하기 위한 모기판을 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 10은 도 9의 ⅩA-ⅩB를 따라 취한 단면도로서 크랙방지댐(190)이 배치된 인근 영역을 도시한 것이다.

도 9 및 도 10을 참조하면, 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은, 모기판(MSU)의 절단선(CL, 절단선은 공정 후 기판의 단부가 된다)을 기준으로 절단 공정을 진행하여, 모기판(MSU)으로부터, 복수의 화소(P, 도 1 참조)를 포함하는 표시 영역(DA)과 표시 영역 외곽의 주변 영역을 구비한 복수의 디스플레이 장치로 분할하는 디스플레이 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 모기판(MSU) 상에 절연층(111, 113, 115)을 형성하는 단계와, 디스플레이 장치의 주변 영역에서, 절연층(111, 113, 115) 상에 표시 영역(DA)을 둘러싸는 댐부(160, 도 1 참조), 복수의 화소(P, 도 1참조) 중 적어도 하나에 전기적으로 연결된 크랙검출부(170, 도 1 참조), 댐부(160)와 절단선(CL) 사이에 위치하는 크랙방지댐(190)을 형성하는 단계를 포함한다.

일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은, 제1 무기층(141), 유기층(143, 도 2 참조), 제2 무기층(145)을 포함하는 봉지층(140, 도 2 참조)을 표시 영역 및 주변 영역에 형성하는 단계;를 포함하고, 제1 무기층(141) 및 제2 무기층(145)은 모기판(MSU)의 절단선(CL) 상에 형성되어 서로 인접한 디스플레이 장치의 주변 영역에서 서로 연장되도록 형성된 후, 모기판(MSU)의 절단 공정에서 절단선(CL)을 기준으로 절단된다.

한편, 봉지층(140)의 유기층(143)은, 각 디스플레이 장치의 표시 영역(DA) 및 일부 주변영역에 대응하는 제1 개구(미도시)가 복수 개 포함된 제1 오픈 마스크(미도시)를 이용하여 형성하고, 봉지층(140)의 제1 무기층(141) 및 상기 제2 무기층(145)은,각 디스플레이 장치의 주변 영역을 연결하도록, 모기판(MSU)에 대응하는 하나의 제2 개구(미도시)를 포함하는 제2 오픈 마스크(미도시)를 이용하여 형성할 수 있다. 제2 오픈 마스크의 제2 개구는 제1 오픈 마스크의 제1 개구보다 크다.

그리고, 크랙검출부(170) 및/또는 크랙방지댐(190)은 전술한 도 2, 도 5, 도 7, 및 도 8의 실시예에 도시된 바와 같이, 표시 영역(DA)에 형성된 절연층(111, 113, 115)등과 같은 재료로 형성할 수 있다.

이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

1: 디스플레이 장치,
DA: 표시 영역
PA: 주변 영역
P: 화소
CL: 절단선(기판의 단부)
110: 기판
111: 배리어층
113: 게이트 절연막
115: 층간 절연막
118: 패시베이션
119: 화소정의막,
120: 스페이서
130: 유기 발광 소자
132: 연결 도전층
140: 봉지층
141: 제1 무기층
143: 유기층
145: 제2 무기층
150: 전원 공급선
160: 댐부
170: 크랙검출부
190: 크랙 방지댐

Claims

기판;
상기 기판 상에 배치되고 복수의 화소를 포함하는 표시 영역 및 상기 표시 영역 외곽의 주변 영역;
상기 표시 영역을 둘러싸는 댐부;
상기 댐부와 상기 기판의 단부 사이에 위치하고, 상기 복수의 화소 중 적어도 하나에 전기적으로 연결된 크랙검출부;
상기 댐부와 상기 기판의 단부 사이에 위치하는 크랙방지댐;
상기 표시 영역 및 상기 주변 영역의 일부를 커버하는 제1 무기층, 유기층, 및 제2 무기층을 포함하고, 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층은 상기 기판의 단부까지 연장된 봉지층;을 포함하는 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
상기 크랙방지댐은 상기 크랙검출부와 상기 기판의 단부 사이에 위치하는 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
상기 크랙방지댐은 상기 크랙검출부와 중첩되도록 위치하는 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
상기 크랙검출부는 상기 크랙방지댐과 상기 기판의 단부 사이에 위치하는 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
상기 표시 영역 및 주변 영역에 형성된 제1 절연층을 더 포함하고,
상기 크랙검출부는 상기 주변 영역에 형성된 제1절연층 상에 위치하는 디스플레이 장치.
제5항에 있어서,
상기 크랙방지댐은,
상기 제1 절연층에 형성된 적어도 하나의 슬릿과, 상기 슬릿을 덮는 클래딩을 포함하는 디스플레이 장치.
제5항에 있어서,
상기 기판과 상기 제1 절연층 사이에 형성된 제1 배리어층을 더 포함하는 디스플레이 장치.
제7항에 있어서,
상기 제1 배리어층은 상기 기판의 단부까지 연장된 디스플레이 장치.
제8항에 있어서,
상기 봉지층의 제1 무기층은, 상기 크랙검출부와 상기 기판의 단부 사이에서상기 제1 배리어층과 직접 접촉하는 디스플레이 장치.
제8항에 있어서,
상기 봉지층의 제1 무기층은, 상기 크랙 방지댐과 상기 기판의 단부 사이에서상기 제1 배리어층과 직접 접촉하는 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
상기 표시 영역 및 주변 영역에 형성된 제1 절연층을 더 포함하고,
상기 주변 영역에 형성된 제1 절연층에는 적어도 하나의 슬릿이 형성되고,
상기 크랙 검출부는 상기 슬릿 내부에 위치하는 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
상기 기판은 유연성 있는 재질을 포함하는 디스플레이 장치.
제12항에 있어서,
상기 기판은 유기물을 포함하는 제1 층, 유기물을 포함하는 제2 층, 및 상기 제1 층과 제2 층 사이에 배치된 제2 배리어층을 더 포함하는 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
상기 기판 상에 형성되고, 활성층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터;
상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나와 연결된 제1 전극;
상기 제1 전극을 정의하는 화소 정의막;
상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극; 및
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고 유기 발광층을 구비한 중간층;을 더 포함하고,
상기 표시 영역 및 주변 영역에 형성된 제1 절연층을 더 포함하고,
상기 제1 절연층은 상기 박막 트랜지스터의 활성층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 배치된 절연층들 중 적어도 하나를 포함하는 디스플레이 장치.
제14항에 있어서,
상기 소스 전극 및 드레인 전극 상에 형성된 패시베이션막을 더 포함하고,
상기 클래딩층은 상기 패시베이션막과 동일한 재질로 형성된 디스플레이 장치.
제15항에 있어서,
상기 댐부는 상기 패시베이션막 및 상기 화소 정의막 중 적어도 하나이상과 동일한 재질로 형성된 디스플레이 장치.
제16항에 있어서,
상기 댐부는,
상기 표시 영역에 가까운 제1 댐과,
상기 제1 댐과 상기 크랙 검출부 사이에 위치한 제2 댐을 포함하는 디스플레이 장치.
제17항에 있어서,
상기 화소 정의막 상에 배치된 스페이서를 더 포함하고,
상기 제2 댐의 최상단은 상기 스페이서와 동일한 재질로 형성된 디스플레이 장치.
모기판의 절단선을 기준으로 절단 공정을 진행하여, 모기판으로부터, 복수의 화소를 포함하는 표시 영역과 상기 표시 영역 외곽의 주변 영역을 구비한 복수의 디스플레이 장치로 분할하는 디스플레이 장치의 제조 방법에 관한 것으로서,
상기 모기판 상에 제1 절연층을 형성하는 단계;
상기 각 디스플레이 장치의 주변 영역에서, 제1 절연층 상에 표시 영역을 둘러싸는 댐부, 상기 복수의 화소 중 적어도 하나에 전기적으로 연결된 크랙검출부, 상기 댐부와 절단선 사이에 위치하는 크랙방지댐을 형성하는 단계; 및
제1 무기층, 유기층, 제2 무기층을 포함하는 봉지층을 상기 표시 영역 및 상기 주변 영역에 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 제1 무기층 및 제2 무기층은, 상기 모기판의 절단선 상에 형성되어 서로 인접한 디스플레이 장치의 주변 영역에서 서로 연장되도록 형성된 후, 상기 모기판의 절단 공정에서 상기 절단선을 기준으로 절단되는, 디스플레이 장치의 제조 방법.
제19항에 있어서,
상기 봉지층의 유기층은, 상기 각 디스플레이 장치의 표시 영역 및 일부 주변영역에 대응하는 제1 개구가 복수 개 포함된 제1 오픈 마스크를 이용하여 형성하고,
상기 봉지층의 제1 무기층 및 상기 제2 무기층은, 상기 각 디스플레이 장치의주변 영역을 연결하도록, 모기판에 대응하는 하나의 제2 개구를 포함하는 제2 오픈 마스크를 이용하여 형성하는, 디스플레이 장치의 제조 방법.
제19항에 있어서,
상기 크랙검출부 및 상기 크랙방지댐은 상기 표시 영역에 형성된 절연층과 같은 재료로 형성하는 디스플레이 장치의 제조 방법.