KR20180061877A - 이방성 도전필름 및 이를 포함하는 표시장치 - Google Patents

이방성 도전필름 및 이를 포함하는 표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20180061877A
KR20180061877A KR1020160161541A KR20160161541A KR20180061877A KR 20180061877 A KR20180061877 A KR 20180061877A KR 1020160161541 A KR1020160161541 A KR 1020160161541A KR 20160161541 A KR20160161541 A KR 20160161541A KR 20180061877 A KR20180061877 A KR 20180061877A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin
conductive
layer
holes
film
Prior art date
Application number
KR1020160161541A
Other languages
English (en)
Inventor
김슬기
민성준
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020160161541A priority Critical patent/KR20180061877A/ko
Priority to US15/816,008 priority patent/US11417866B2/en
Priority to CN201711182077.5A priority patent/CN108122625B/zh
Priority to EP17204293.9A priority patent/EP3330336A1/en
Publication of KR20180061877A publication Critical patent/KR20180061877A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11—Anti-reflection coatings
    • G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
    • G02B1/115—Multilayers
    • G02B1/116—Multilayers including electrically conducting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L61/00—Compositions of condensation polymers of aldehydes or ketones; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L61/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L67/00—Compositions of polyesters obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L67/06—Unsaturated polyesters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L69/00—Compositions of polycarbonates; Compositions of derivatives of polycarbonates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/04—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0393—Flexible materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Abstract

본 발명은 패드부의 배선과 이방성 도전필름의 도전볼이 잘 컨택될 수 있는 이방성 도전필름을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전필름은 제1 비도전성층, 패턴층, 도전볼 및 제2 비도전성층을 포함한다. 패턴층은 제1 비도전성층 상에 배치되며 복수의 홀을 포함한다. 도전볼은 패턴층의 복수의 홀에 배치된다. 제2 비도전성층은 패턴층과 도전볼 상에 배치된다.

Description

이방성 도전필름 및 이를 포함하는 표시장치{ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM AND DISPLAY DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 발명은 이방성 도전필름 및 이를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 표시장치 분야는 부피가 큰 음극선관(Cathode Ray Tube: CRT)을 대체하는, 얇고 가벼우며 대면적이 가능한 평판 표시장치(Flat Panel Display Device: FPD)로 급속히 변화해 왔다. 평판 표시장치에는 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display Device: OLED), 그리고 전기영동표시장치(Electrophoretic Display Device: ED) 등이 있다.
이 중 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 자발광 소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 특히, 유기발광표시장치는 유연한(flexible) 플라스틱 기판 위에도 형성할 수 있을 뿐 아니라, 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)이나 무기 전계발광(EL) 디스플레이에 비해 낮은 전압에서 구동이 가능하고 전력 소모가 비교적 적으며, 색감이 뛰어나다는 장점이 있다.
유연한 플라스틱 기판에 제조된 유기발광표시장치는 글라스 기판 상에 폴리이미드를 코팅한 후 박막트랜지스터 및 유기발광 다이오드 등의 소자들이 제조되고 패드부에 칩온필름(Chip on Film; COF)이 부착된다. 그리고 글라스 기판을 분리하는 공정을 수행하여 유연한 폴리이미드 기판을 구비하는 유기발광표시장치가 제조된다.
이 중, 유기발광표시장치의 패드부에 칩온필름이 부착되는 공정은 칩온필름에 이방성 도전필름(Anisotropic Conductive Film; ACF)이 형성된 후 패드부에 탭(Tap) 본딩 공정으로 부착된다. 여기서, 탭 본딩 공정은 패드부, 이방성 도전필름 및 칩온필름을 가압하여 이방성 도전필름 내의 도전볼에 의해 패드부와 칩온필름을 전기적으로 연결시킨다. 그러나, 이방성 도전필름 내의 도전볼이 패드부의 배선과 칩온필름의 배선 사이에 컨택되지 않는 불량이 많이 발생한다.
본 발명은 패드부의 배선과 이방성 도전필름의 도전볼이 잘 컨택될 수 있는 이방성 도전필름을 제공한다.
또한, 본 발명은 패드부의 배선과 이방성 도전필름의 도전볼을 잘 컨택시켜, 구동불량을 방지할 수 있는 표시장치를 제공한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전필름은 제1 비도전성층, 패턴층, 도전볼 및 제2 비도전성층을 포함한다. 패턴층은 제1 비도전성층 상에 배치되며 복수의 홀을 포함한다. 도전볼은 패턴층의 복수의 홀에 배치된다. 제2 비도전성층은 패턴층과 도전볼 상에 배치된다.
복수의 홀은 패턴층을 관통하는 관통홀 또는 패턴층의 일부에 형성된 홈이다.
복수의 홀은 적어도 일 측면이 경사면을 가지고, 경사면은 제1 비도전성층의 표면을 기준으로 30 내지 90도의 경사각으로 이루어진다.
제1 비도전성층, 제2 비도전성층 및 패턴층은 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 노블락형 에폭시 수지, 페놀 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 불포화 폴리에스테르 수지 또는 레조시놀 수지 중 선택된 어느 1종 이상의 열경화성 수지, 또는 포화 폴리에스테르 수지, 비닐 수지, 아크릴 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리비닐아세테이트(PVA) 수지, 폴리카보네이트 수지, 셀룰로오스 수지, 케톤 수지 또는 스티렌 수지 중 선택된 어느 1종 이상의 열가소성 수지로 이루어진다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 플렉서블 기판, 표시부, 패드부, 칩온필름 및 이방성 도전필름을 포함한다. 표시부는 플렉서블 기판 상에 위치하며 유기발광 다이오드를 포함한다. 패드부는 플렉서블 기판의 일 가장자리에 위치하며, 복수의 패드 전극을 포함한다. 칩온필름은 패드부 상에 배치된다. 이방성 도전필름은 패드부와 칩온필름 사이에 배치되어 패드부와 칩온필름을 접착한다. 이방성 도전필름은 제1 비도전성층, 패턴층, 도전볼 및 제2 비도전성층을 포함한다. 패턴층은 제1 비도전성층 상에 배치되며 복수의 홀을 포함한다. 도전볼은 패턴층의 복수의 홀에 배치된다. 제2 비도전성층은 패턴층과 도전볼 상에 배치된다.
복수의 홀 중 적어도 하나의 폭은 복수의 패드 전극 중 적어도 하나의 폭보다 같거나 작다.
복수의 홀 중 적어도 하나의 폭은 복수의 패드 전극들의 피치보다 작다.
복수의 홀 중 적어도 하나 이상이 패드부에 형성된 복수의 패드 전극 중 어느 하나와 중첩된다.
도전볼은 패드 전극과 칩온필름에 컨택한다.
본 발명의 이방성 도전필름은 비도전성층들 사이에 복수의 홀이 형성된 패턴층을 구비하고 복수의 홀 내에 도전볼들을 배치함으로써, 도전볼들이 기판의 패드 전극들에 각각 대응하여 도전볼과 패드 전극이 잘 컨택될 수 있는 이점이 있다.
또한, 복수의 홀 내에 도전볼들이 배치됨에 따라 일부 영역에서 도전볼의 뭉침이 발생하여 패드 전극들 간에 쇼트되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 유기발광표시장치의 개략적인 블록도.
도 2는 서브 픽셀의 회로 구성을 나타낸 제1 예시도.
도 3은 서브 픽셀의 회로 구성을 나타낸 제2 예시도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치를 나타낸 평면도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀 부분을 나타낸 단면도.
도 6은 도 4의 패드부를 확대한 평면도.
도 7은 도 6의 절취선 I-I'에 따라 절취한 단면도.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전필름을 나타낸 단면도.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전필름을 나타낸 사시도.
도 10은 도전볼을 나타낸 단면도.
도 11 및 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전필름과 기판을 나타낸 단면도.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전필름을 나타낸 사시도.
도 14 및 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전필름을 나타낸 단면도.
도 16은 종래 이방성 도전필름을 이용하여 패드부와 칩온필름을 접착한 패드부의 이미지.
도 17은 본 발명의 이방성 도전필름을 이용하여 패드부와 칩온필름을 접착한 패드부의 이미지.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다.
본 발명에 따른 표시장치는 유연한 플렉서블 기판 상에 표시소자가 형성된 플렉서블 표시장치이다. 플렉서블 표시장치의 예로, 유기발광표시장치, 액정표시장치, 전기영동표시장치 등이 사용가능하나, 본 발명에서는 유기발광표시장치를 예로 설명한다. 유기발광표시장치는 애노드인 제1 전극과 캐소드인 제2 전극 사이에 유기물로 이루어진 유기막층을 포함한다. 따라서, 제1 전극으로부터 공급받는 정공과 제2 전극으로부터 공급받는 전자가 유기막층 내에서 결합하여 정공-전자쌍인 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 바닥상태로 돌아오면서 발생하는 에너지에 의해 발광하는 자발광 표시장치이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 설명하기로 한다.
도 1은 유기발광표시장치의 개략적인 블록도이고, 도 2는 서브 픽셀의 회로 구성을 나타낸 제1 예시도이고, 도 3은 서브 픽셀의 회로 구성을 나타낸 제2 예시도이다.
도 1을 참조하면, 유기발광표시장치는 영상 처리부(10), 타이밍 제어부(20), 데이터 구동부(30), 게이트 구동부(40) 및 표시패널(50)을 포함한다.
영상 처리부(10)는 외부로부터 공급된 데이터신호(DATA)와 더불어 데이터 인에이블 신호(DE) 등을 출력한다. 영상 처리부(10)는 데이터 인에이블 신호(DE) 외에도 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭신호 중 하나 이상을 출력할 수 있으나 이 신호들은 설명의 편의상 생략 도시한다. 영상 처리부(10)는 시스템 회로기판에 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성된다.
타이밍 제어부(20)는 영상 처리부(10)로부터 데이터 인에이블 신호(DE) 또는 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭신호 등을 포함하는 구동신호와 더불어 데이터신호(DATA)를 공급받는다.
타이밍 제어부(20)는 구동신호에 기초하여 게이트 구동부(40)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 데이터 구동부(30)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC)를 출력한다. 타이밍 제어부(20)는 제어 회로기판에 IC 형태로 형성된다.
데이터 구동부(30)는 타이밍 제어부(20)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 타이밍 제어부(20)로부터 공급되는 데이터신호(DATA)를 샘플링하고 래치하여 감마 기준전압으로 변환하여 출력한다. 데이터 구동부(30)는 데이터라인들(DL1 ~ DLn)을 통해 데이터신호(DATA)를 출력한다. 데이터 구동부(30)는 기판 상에 IC 형태로 부착된다.
게이트 구동부(40)는 타이밍 제어부(20)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 게이트전압의 레벨을 시프트시키면서 게이트신호를 출력한다. 게이트 구동부(40)는 게이트라인들(GL1 ~ GLm)을 통해 게이트신호를 출력한다. 게이트 구동부(40)는 게이트 회로기판에 IC 형태로 형성되거나 표시패널(50)에 게이트인패널(Gate In Panel, GIP) 방식으로 형성된다.
표시패널(50)은 데이터 구동부(30) 및 게이트 구동부(40)로부터 공급된 데이터신호(DATA) 및 게이트신호에 대응하여 영상을 표시한다. 표시패널(50)은 영상을 표시하는 서브 픽셀들(SP)을 포함한다.
도 2를 참조하면, 하나의 서브 픽셀은 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 보상회로(CC) 및 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다. 유기발광 다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DR)에 의해 형성된 구동 전류에 따라 빛을 발광하도록 동작한다.
스위칭 트랜지스터(SW)는 게이트 라인(GL1)을 통해 공급된 게이트 신호에 응답하여 제1 데이터 라인(DL1)을 통해 공급되는 데이터 신호가 커패시터(Cst)에 데이터 전압으로 저장되도록 스위칭 동작한다. 구동 트랜지스터(DR)는 커패시터(Cst)에 저장된 데이터 전압에 따라 고전위 전원라인(VDD)과 저전위 전원라인(GND) 사이로 구동 전류가 흐르도록 동작한다. 보상회로(CC)는 구동 트랜지스터(DR)의 문턱전압 등을 보상하기 위한 회로이다. 또한, 스위칭 트랜지스터(SW)나 구동 트랜지스터(DR)에 연결된 커패시터는 보상회로(CC) 내부로 위치할 수 있다. 보상회로(CC)는 하나 이상의 박막 트랜지스터와 커패시터로 구성된다. 보상회로(CC)의 구성은 보상 방법에 따라 매우 다양한 바, 이에 대한 구체적인 예시 및 설명은 생략한다.
또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 보상회로(CC)가 포함된 경우 서브 픽셀에는 보상 박막 트랜지스터를 구동함과 더불어 특정 신호나 전원을 공급하기 위한 신호라인과 전원라인 등이 더 포함된다. 게이트 라인(GL1)은 스위칭 트랜지스터(SW)에 게이트 신호를 공급하는 제1-1 게이트 라인(GL1a)과, 서브 픽셀에 포함된 보상 박막 트랜지스터를 구동하기 위한 제1-2 게이트 라인(GL1b)을 포함할 수 있다. 그리고 추가된 전원라인은 서브 픽셀의 특정 노드를 특정 전압으로 초기화하기 위한 초기화 전원라인(INIT)으로 정의될 수 있다. 그러나 이는 하나의 예시일 뿐 이에 한정되지 않는다.
한편, 도 2 및 도 3에서는 하나의 서브 픽셀에 보상회로(CC)가 포함된 것을 일례로 하였다. 하지만, 보상의 주체가 데이터 구동부(30) 등과 같이 서브 픽셀의 외부에 위치하는 경우 보상회로(CC)는 생략될 수도 있다. 즉, 하나의 서브 픽셀은 기본적으로 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 커패시터 및 유기발광 다이오드(OLED)를 포함하는 2T(Transistor)1C(Capacitor) 구조로 구성되지만, 보상회로(CC)가 추가된 경우 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T2C, 7T2C 등으로 다양하게 구성될 수도 있다. 또한, 도 2 및 도 3에서는 보상회로(CC)가 스위칭 트랜지스터(SW)와 구동 트랜지스터(DR) 사이에 위치하는 것으로 도시하였지만, 구동 트랜지스터(DR)와 유기발광다이오드(OLED) 사이에도 더 위치할 수도 있다. 보상회로(CC)의 위치와 구조는 도 2와 도 3에 한정되지 않는다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치를 나타낸 평면도이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀 부분을 나타낸 단면도이다. 도 6은 도 4의 패드부를 확대한 평면도이다. 도 7은 도 6의 절취선 I-I'에 따라 절취한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 유기발광표시장치는 플렉서블 기판(PI), 표시부(A/A) 및 표시부(A/A) 외에 플렉서블 기판(PI)의 우측에 배치된 GIP 구동부(GIP), 및 플렉서블 기판(PI)의 하측에 배치된 패드부(PD)를 포함한다. 표시부(A/A)는 복수의 서브픽셀(SP)이 배치되어, R, G, B 또는 R, G, B, W를 발광하여 풀컬러를 구현한다. 표시부(A/A)의 우측 예를 들어 우측에는 GIP 구동부(GIP)가 배치되어 표시부(A/A)에 게이트 구동신호를 인가한다. 패드부(PD)는 표시부(A/A)의 일측 예를 들어 하측에 배치되고, 패드부(PD)에 칩온필름(COF)들이 부착된다. 표시부(A/A)로부터 연결된 복수의 신호선들(미도시)에 칩온필름(COF)을 통해 인가되는 데이터 신호 및 전원이 인가된다.
이하, 본 발명의 도 5을 참조하여, 유기발광표시장치의 서브픽셀(SP) 영역의 단면 구조를 살펴본다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 일시예에 따른 유기발광표시장치는 플렉서블 기판(PI) 상에 제1 버퍼층(BUF1)이 위치한다. 플렉서블 기판(PI)은 예를 들어, 폴리이미드(Polyimide) 기판일 수 있다. 따라서, 본 발명의 플렉서블 기판(PI)은 유연한(flexible)한 특성을 가진다. 제1 버퍼층(BUF1)은 플렉서블 기판(PI)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 박막트랜지스터를 보호하는 역할을 한다. 제1 버퍼층(BUF1)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다.
제1 버퍼층(BUF1) 상에 쉴드층(LS)이 위치한다. 쉴드층(LS)은 폴리이미드 기판을 사용함으로써 발생할 수 있는 패널구동 전류가 감소되는 것을 방지하는 역할을 한다. 쉴드층(LS) 상에 제2 버퍼층(BUF2)이 위치한다. 제2 버퍼층(BUF2)은 쉴드층(LS)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 박막트랜지스터를 보호하는 역할을 한다. 제2 버퍼층(BUF2)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다.
제2 버퍼층(BUF2) 상에 반도체층(ACT)이 위치한다. 반도체층(ACT)은 실리콘 반도체나 산화물 반도체로 이루어질 수 있다. 실리콘 반도체는 비정질 실리콘 또는 결정화된 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 여기서, 다결정 실리콘은 이동도가 높아(100㎠/Vs 이상), 에너지 소비 전력이 낮고 신뢰성이 우수하여, 구동 소자용 게이트 드라이버 및/또는 멀티플렉서(MUX)에 적용하거나 화소 내 구동 TFT에 적용할 수 있다. 한편, 산화물 반도체는 오프-전류가 낮으므로, 온(On) 시간이 짧고 오프(Off) 시간을 길게 유지하는 스위칭 TFT에 적합하다. 또한, 오프 전류가 작으므로 화소의 전압 유지 기간이 길어서 저속 구동 및/또는 저 소비 전력을 요구하는 표시장치에 적합하다. 또한, 반도체층(ACT)은 p형 또는 n형의 불순물을 포함하는 드레인 영역 및 소스 영역을 포함하고 이들 사이에 채널을 포함한다.
반도체층(ACT) 상에 게이트 절연막(GI)이 위치한다. 게이트 절연막(GI)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다. 게이트 절연막(GI) 상에 상기 반도체층(ACT)의 일정 영역, 즉 불순물이 주입되었을 경우의 채널과 대응되는 위치에 게이트 전극(GA)이 위치한다. 게이트 전극(GA)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 형성된다. 또한, 게이트 전극(GA)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(GA)은 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴 또는 몰리브덴/알루미늄의 2중층일 수 있다.
게이트 전극(GA) 상에 게이트 전극(GA)을 절연시키는 층간 절연막(ILD)이 위치한다. 층간 절연막(ILD)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다. 층간 절연막(ILD) 및 게이트 절연막(GI)의 일부 영역에 반도체층(ACT)의 일부를 노출시키는 콘택홀들(CH)이 위치한다.
층간 절연막(ILD) 상에 드레인 전극(DE)과 소스 전극(SE)이 위치한다. 드레인 전극(DE)은 반도체층(ACT)의 드레인 영역을 노출하는 콘택홀(CH)을 통해 반도체층(ACT)에 연결되고, 소스 전극(SE)은 반도체층(ACT)의 소스 영역을 노출하는 콘택홀(CH)을 통해 반도체층(ACT)에 연결된다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있으며, 상기 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 단일층일 경우에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 다중층일 경우에는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴의 2중층, 티타늄/알루미늄/티타늄, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 또는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴의 3중층으로 이루어질 수 있다. 따라서, 반도체층(ACT), 게이트 전극(GA), 드레인 전극(DE) 및 소스 전극(SE)을 포함하는 박막트랜지스터(TFT)가 구성된다.
박막트랜지스터(TFT)를 포함하는 플렉서블 기판(PI) 상에 패시베이션막(PAS)이 위치한다. 패시베이션막(PAS)은 하부의 소자를 보호하는 절연막으로, 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다. 패시베이션막(PAS) 상에 컬러필터(CF)가 위치한다. 컬러필터(CF)는 유기발광 다이오드(OLED)에서 발광하는 백색의 광을 적색, 녹색 또는 청색으로 변환하는 역할을 한다. 컬러필터(CF) 상에 오버코트층(OC)이 위치한다. 오버코트층(OC)은 하부 구조의 단차를 완화시키기 위한 평탄화막일 수 있으며, 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 아크릴레이트(acrylate) 등의 유기물로 이루어진다. 오버코트층(OC)은 상기 유기물을 액상 형태로 코팅한 다음 경화시키는 SOG(spin on glass)와 같은 방법으로 형성될 수 있다.
오버코트층(OC)의 일부 영역에는 드레인 전극(DE)을 노출시키는 비어홀(VIA)이 위치한다. 오버코트층(OC) 상에 유기발광 다이오드(OLED)가 위치한다. 보다 자세하게는, 오버코트층(OC) 상에 제1 전극(ANO)이 위치한다. 제1 전극(ANO)은 화소 전극으로 작용하며, 비어홀(VIA)을 통해 박막트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(DE)에 연결된다. 제1 전극(ANO)은 애노드로 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 등의 투명도전물질로 이루어질 수 있다. 제1 전극(ANO)이 반사 전극인 경우, 제1 전극(ANO)은 반사층을 더 포함한다. 반사층은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 바람직하게는 APC(은/팔라듐/구리 합금)으로 이루어질 수 있다.
제1 전극(ANO)을 포함하는 플렉서블 기판(PI) 상에 화소를 구획하는 뱅크층(BNK)이 위치한다. 뱅크층(BNK)은 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 아크릴레이트(acrylate) 등의 유기물로 이루어진다. 뱅크층(BNK)은 제1 전극(ANO)을 노출시키는 화소정의부(OP)가 위치한다. 플렉서블 기판(PI) 전면에는 제1 전극(ANO)에 컨택하는 유기막층(EML)이 위치한다. 유기막층(EML)은 전자와 정공이 결합하여 발광하는 층으로, 유기막층(EML)과 제1 전극(ANO) 사이에 정공주입층 또는 정공수송층을 포함할 수 있으며, 유기막층(EML) 상에 전자수송층 또는 전자주입층을 포함할 수 있다.
유기막층(EML) 상에 제2 전극(CAT)이 위치한다. 제2 전극(CAT)은 표시부(A/A) 전면에 위치하고, 캐소드 전극으로 일함수가 낮은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 제2 전극(CAT)이 투과 전극인 경우 광이 투과될 수 있을 정도로 얇은 두께로 이루어지고, 반사 전극인 경우 광이 반사될 수 있을 정도로 두꺼운 두께로 이루어진다.
박막트랜지스터(TFT)와 유기발광 다이오드(OLED)가 형성된 플렉서블 기판(PI)의 상부 면에는 접착층(ADL)을 통해 상부 보호부재(UP)가 부착된다. 상부 보호부재(UP)는 투명한 플렉서블 기판 또는 금속 박막일 수 있다. 또한, 플렉서블 기판(PI)의 하부 면에도 접착층(ADL)을 통해 하부 보호부재(LP)가 부착된다. 하부 보호부재(LP)는 광이 투과해야하므로 투명한 플라스틱 필름으로 이루어질 수 있다.
한편, 도 6 및 도 7을 참조하여 패드부를 살펴보면, 기판(PI) 상에 제 버퍼층(BUF1)이 위치하고, 제1 버퍼층(BUF1) 상에 제2 버퍼층(BUF2)이 위치한다. 제2 버퍼층(BUF2) 상에 게이트 절연막(GI)이 위치한다. 게이트 절연막(GI) 상에 층간 절연막(ILD)이 위치한다. 층간 절연막(ILD) 상에 소스 금속층(SML)이 위치한다. 소스 금속층(SML)은 표시부(A/A)로부터 연장된 소스 신호라인이다. 소스 금속층(SML) 상에 패시베이션막(PAS)이 위치한다. 패시베이션막(PAS)은 일부에 소스 금속층(SML)을 노출하는 제1 콘택홀(PCNT1)을 구비한다. 패시베이션막(PAS) 상에 패드 전극(PEL)이 위치한다. 패드 전극(PEL)은 표시 영역의 제1 전극과 동일한 재료로 형성되며, 전술한 패시베이션막(PAS)의 제1 콘택홀(PCNT1)을 통해 소스 금속층(SML)에 연결된다. 따라서, 제1 버퍼층(BUF1), 제2 버퍼층(BUF2), 게이트 절연막(GI), 층간 절연막(ILD), 소스 금속층(SML), 패시베이션막(PAS) 및 패드 전극(PEL)이 구비된 패드부(PD)가 구성된다.
패드부의 기판(PI) 상에 칩온필름(COF)이 이방성 도전필름(ACF)을 통해 부착된다. 칩온필름(COF)은 구동IC가 구비된 연성인쇄회로기판(flexible printed circuit board)일 수 있다. 칩온필름(COF)은 연성필름(SF)에 구비된 연성인쇄회로 배선(CSL)을 포함한다. 이방성 도전필름(ACF)은 복수의 도전볼(CB)을 포함하는 것으로, 기판(PI)과 칩온필름(COF)을 접착하면서 전기적으로 연결시킨다. 즉, 이방성 도전필름(ACF)의 도전볼(CB)은 패드 전극(PEL)과 연성인쇄회로 배선(CSL)에 컨택하여 이들을 전기적으로 연결한다.
도전볼(CB)은 이방성 도전필름(ACF) 내에 랜덤하게 배치되어, 도전볼(CB)이 일부에는 많이 분포할 수 있고 일부에는 적게 분포할 수도 있다. 예를 들어, 도전볼(CB)이 많이 분포하는 영역에서는 도전볼(CB)이 뭉치게 되어 패드 전극(PEL)과 연성인쇄회로 배선(CSL)이 1 대 1로 연결되지 않고 1 대 다수, 다수 대 1 또는 다수 대 다수로 연결된다. 반대로, 도전볼(CB)이 적게 분포하는 영역에서는 도전볼(CB)이 존재하지 않는 영역이 발생하여 패드 전극(PEL)과 연성인쇄회로 배선(CSL)이 연결되지 않는다. 따라서, 이방성 도전필름(ACF)에서의 도전볼(CB)의 분포가 균일하지 않아 구동 불량이 발생한다.
본 발명에서는 이방성 도전필름(ACF) 내의 도전볼(CB)의 배치를 조절하여 패드 전극(PEL)과 연성인쇄회로 배선(CSL)이 잘 연결될 수 있는 이방성 도전필름(ACF)을 제공한다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전필름을 나타낸 단면도이고, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전필름을 나타낸 사시도이고, 도 10은 도전볼을 나타낸 단면도이며, 도 11 및 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전필름과 기판을 나타낸 단면도이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 이방성 도전필름(ACF)은 2층의 비도전성층(NCF1, NCF2)들 사이에 패턴층(TPL)과 도전볼(CB)을 포함한다.
보다 자세하게, 이방성 도전필름(ACF)은 제1 비도전성층(NCF1)과 제2 비도전성층(NCF2)을 포함한다. 제1 비도전성층(NCF1)은 이방성 도전필름(ACF)의 하부에 배치되고, 제2 비도전성층(NCF2)은 이방성 도전필름(ACF)의 상부에 배치된다. 제1 비도전성층(NCF1)과 제2 비도전성층(NCF2)은 비도전성 즉 절연성을 가지는 접착제로, 열경화성 수지 및 열가소성 수지 중에서 선택된 하나 이상을 포함한다. 열경화성 수지의 예로는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 노블락형 에폭시 수지, 페놀 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 레조시놀 수지 등을 들 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 열가소성 수지의 예로는 포화 폴리에스테르 수지, 비닐 수지, 아크릴 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리비닐아세테이트(PVA) 수지, 폴리카보네이트 수지, 셀룰로오스 수지, 케톤 수지, 스티렌 수지 등을 들 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
제1 비도전성층(NCF1)과 제2 비도전성층(NCF2) 사이에 패턴층(TPL)이 배치된다. 패턴층(TPL)은 패턴화된 구조로 이루어지며 복수의 홀(HP)을 포함한다. 패턴층(TPL)은 전술한 제1 비도전성층(NCF1)과 제2 비도전성층(NCF2)과 동일한 재료로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 패턴층(TPL)은 비도전성 즉 절연성을 가지는 접착제로, 열경화성 수지 및 열가소성 수지 중에서 선택된 하나 이상을 포함한다. 열경화성 수지의 예로는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 노블락형 에폭시 수지, 페놀 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 레조시놀 수지 등을 들 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 열가소성 수지의 예로는 포화 폴리에스테르 수지, 비닐 수지, 아크릴 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리비닐아세테이트(PVA) 수지, 폴리카보네이트 수지, 셀룰로오스 수지, 케톤 수지, 스티렌 수지 등을 들 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
패턴층(TPL)은 복수의 홀(HP)을 포함한다. 복수의 홀(HP)은 도전볼(CB)들이 가둬지는 곳으로, 패턴층(TPL)을 관통하여 하부의 제1 비도전성층(NCF1)을 노출한다. 복수의 홀(HP)은 도전볼(CB)을 가두어 도전볼(CB)의 위치를 고정시키는 역할을 한다. 따라서 도전볼(CB)은 복수의 홀(HP)에 집중되어 배치될 수 있다.
한편, 도 10을 참조하면, 복수의 홀(HP) 내에 구비된 도전볼(CB)은 표면이 절연 처리된 수백 나노미터 크기의 입자이다. 예를 들어, 도전볼(CB)은 제1 절연층(PO1), 제1 절연층(PO1)을 둘러싸는 제1 도전층(ML1), 제1 도전층(ML1)을 둘러싸는 제2 도전층(ML2) 및 제2 도전층(ML2)을 둘러싸는 제2 절연층(PO2)의 구조로 이루어진다. 도전볼(CB)은 이방성 도전필름(ACF)이 가압되어 패드 전극(PEL)과 컨택될 때, 표면의 제2 절연층(PO2)이 터지면서 내부의 제2 도전층(ML2)을 노출하여 도전성을 지닐 수 있도록 한다. 따라서 도전볼(CB)은 절연 특성과 도전 특성을 동시에 가진다.
도전볼(CB)의 제1 도전층(ML1)과 제2 도전층(ML2)은 니켈, 금, 백금 또는 동 등의 도전입자일 수 있으며, 제1 절연층(PO1) 및 제2 절연층(PO2)은 스티렌계, 아크릴계 등의 고분자 등으로 이루어질 수 있다. 도전볼(CB)의 입경은 1 내지 10㎛로 이루어지며 바람직하게는 2 내지 5㎛로 이루어질 수 있다. 도전볼(CB)의 함량은 이방성 도전필름(ACF) 전체 100 중량부에 대해 1 내지 30 중량부로 포함될 수 있다.
한편, 도 11을 참조하면, 복수의 홀(HP)들은 각각 기판(PI)에 배치된 패드 전극(PEL)에 대응되게 배치될 수 있다. 하나의 홀(HP)이 하나의 패드 전극(PEL)과 중첩되어 1 대 1로 대응될 수 있다. 이때, 홀(HP)의 폭(d1)은 기판(P)에 배치된 패드 전극(PEL)의 폭(d2)과 동일할 수 있다. 또한, 홀(HP)의 폭(d1)은 패드 전극(PEL)들의 피치(P)보다 작게 이루어져, 이방성 도전필름(ACF)의 얼라인이 틀어져도 인접한 패드 전극(PEL)에 컨택되는 것을 방지한다. 이와 같이 구성된 이방성 도전필름(ACF)은 각 홀(HP) 내에 도전볼(CB)이 배치되어 각 패드 전극(PEL)들과 1 대 1로 대응함으로써, 도전볼(CB)과 패드 전극(PEL)이 잘 컨택될 수 있고 도전볼(CB)의 뭉침을 방지하여 패드 전극(PEL)들이 쇼트되는 것을 방지할 수 있다.
도 12를 참조하면, 적어도 둘 이상의 홀(HP)이 하나의 패드 전극(PEL)과 중첩되어 배치될 수도 있다. 즉, 홀(HP)들의 폭(d1, d2)의 합(d1+d2)이 하나의 패드 전극(PEL)의 폭보다 작게 이루어질 수 있다. 이와 같이 구성된 이방성 도전필름(ACF)은 이방성 도전필름(ACF)의 얼라인이 틀어져도 둘 이상의 홀(HP) 중 어느 하나는 패드 전극(PEL)과 컨택될 수 있기 때문에 컨택 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
한편, 본 발명의 이방성 도전필름(ACF)의 홀(HP)은 다양한 구조로 이루어질 수 있다. 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전필름을 나타낸 사시도이고, 도 14 및 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전필름을 나타낸 단면도들이다.
도 13을 참조하면, 본 발명의 이방성 도전필름(ACF)은 복수의 홀(HP)을 포함한다. 복수의 홀(HP)은 패턴층(TPL)을 관통하되 패턴층(TPL)에 의해 사방이 둘러싸인 형태로 배치된다. 예를 들어, 복수의 홀(HP)은 우물 형태로 이루어질 수 있다. 따라서, 복수의 홀(HP) 내에 가둬진 도전볼(CB)들이 패턴층(TPL) 밖으로 이탈되는 것을 방지할 수 있다.
도 14를 참조하면, 본 발명의 복수의 홀(HP)은 패턴층(TPL)에 형성된 홈(groove)과 같은 형태로 이루어질 수 있다. 전술한 도 8의 홀(HP)은 패턴층(TPL)을 관통하여 하부의 제1 비도전성층(NCF1)을 노출하는 구조로 이루어진다. 그러나, 이에 한정되지 않으며 복수의 홀(HP)은 패턴층(TPL)의 일부가 오목하게 들어간 홈으로 이루어질 수 있다.
도 15를 참조하면, 본 발명의 이방성 도전필름(ACF)의 복수의 홀(HP)은 경사면(SL)을 가질 수 있다. 경사면(SL)은 하부의 제1 비도전성층(NCF1)의 표면을 기준으로 경사각을 가지며, 예를 들어, 30 내지 90도일 수 있다. 복수의 홀(HP)의 경사면(SL)은 도전볼(CB)을 도포할 때, 도전볼(CB)이 복수의 홀(HP)로 이동되는 것을 용이하게 할 수 있다.
도 16은 종래 이방성 도전필름을 이용하여 패드부와 칩온필름을 접착한 패드부의 이미지이고, 도 17은 본 발명의 이방성 도전필름을 이용하여 패드부와 칩온필름을 접착한 패드부의 이미지이다.
종래 비도전성층 상에 도전볼이 랜덤하게 형성된 이방성 도전필름을 기판의 패드부에 접착시킨 후의 패드부를 관찰하였다. 도 16에 나타난 바와 같이, 넓은 면적에서 압흔 즉 도전볼이 전극들에 압착되어 생기는 흔적이 나타나지 않은 것을 확인할 수 있다.
도 8에 도시된 본 발명의 이방성 도전필름을 기판의 패드부에 접착시킨 후 패드부를 관찰하였다. 도 17에 나타난 바와 같이, 복수의 홀 내에 도전볼이 있는 영역에서는 압흔이 균일하게 나타났고, 복수의 홀이 없는 영역에서는 압흔이 나타나지 않았다.
이 결과를 통해, 본 발명의 이방성 도전필름은 복수의 홀 내에 도전볼을 구비하여 기판의 패드 전극들에 대응하는 영역에 도전볼을 대응시켜 접착시킴으로써, 도전볼과 패드 전극들의 연결이 잘 이루어질 수 있음을 확인할 수 있었다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 이방성 도전필름은 비도전성층들 사이에 복수의 홀이 형성된 패턴층을 구비하고 복수의 홀 내에 도전볼들을 배치함으로써, 도전볼들이 기판의 패드 전극들에 각각 대응하여 도전볼과 패드 전극이 잘 컨택될 수 있는 이점이 있다.
또한, 복수의 홀 내에 도전볼들이 배치됨에 따라 일부 영역에서 도전볼의 뭉침이 발생하여 패드 전극들 간에 쇼트되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경과 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
ACF : 이방성 도전필름 NCF1 : 제1 비도전성층
NCF2 : 제2 비도전성층 TPL : 패턴층
HP : 홀 CB : 도전볼

Claims (10)

  1. 제1 비도전성층;
    상기 제1 비도전성층 상에 배치되며 복수의 홀을 포함하는 패턴층;
    상기 패턴층의 상기 복수의 홀에 배치된 복수의 도전볼; 및
    상기 패턴층과 상기 도전볼 상에 배치된 제2 비도전성층을 포함하는 이방성 도전필름.
  2. 제1 항에 있어서,
    복수의 홀은 상기 패턴층을 관통하는 관통홀 또는 상기 패턴층의 일부에 형성된 홈인 이방성 도전필름.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 홀은 적어도 일 측면이 경사면을 가지는 이방성 도전필름.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 경사면은 상기 제1 비도전성층의 표면을 기준으로 30 내지 90도의 경사각을 이루는 이방성 도전필름.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 비도전성층, 상기 제2 비도전성층 및 상기 패턴층은 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 노블락형 에폭시 수지, 페놀 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 불포화 폴리에스테르 수지 또는 레조시놀 수지 중 선택된 어느 1종 이상의 열경화성 수지, 또는 포화 폴리에스테르 수지, 비닐 수지, 아크릴 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리비닐아세테이트(PVA) 수지, 폴리카보네이트 수지, 셀룰로오스 수지, 케톤 수지 또는 스티렌 수지 중 선택된 어느 1종 이상의 열가소성 수지로 이루어진 이방성 도전필름.
  6. 플렉서블 기판;
    상기 플렉서블 기판 상에 위치하며 유기발광 다이오드를 포함하는 표시부;
    상기 플렉서블 기판의 일 가장자리에 위치하며, 복수의 패드 전극을 포함하는 패드부;
    상기 패드부 상에 배치되는 칩온필름; 및
    상기 패드부와 상기 칩온필름 사이에 배치되어 상기 패드부와 상기 칩온필름을 접착하는 이방성 도전필름을 포함하며,
    상기 이방성 도전필름은,
    제1 비도전성층;
    상기 제1 비도전성층 상에 배치되며 복수의 홀을 포함하는 패턴층;
    상기 패턴층의 상기 복수의 홀에 배치된 복수의 도전볼; 및
    상기 패턴층과 상기 도전볼 상에 배치된 제2 비도전성층을 포함하는 표시장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 복수의 홀 중 적어도 하나의 폭은 상기 복수의 패드 전극 중 적어도 하나의 폭보다 같거나 작은 표시장치.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 복수의 홀 중 적어도 하나의 폭은 상기 복수의 패드 전극들의 피치보다 작은 표시장치.
  9. 제6 항에 있어서,
    상기 복수의 홀 중 적어도 하나 이상이 상기 패드부에 형성된 복수의 패드 전극 중 어느 하나와 중첩되는 표시장치.
  10. 제6 항에 있어서,
    상기 도전볼은 상기 패드 전극과 상기 칩온필름에 컨택하는 표시장치.
KR1020160161541A 2016-11-30 2016-11-30 이방성 도전필름 및 이를 포함하는 표시장치 KR20180061877A (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160161541A KR20180061877A (ko) 2016-11-30 2016-11-30 이방성 도전필름 및 이를 포함하는 표시장치
US15/816,008 US11417866B2 (en) 2016-11-30 2017-11-17 Anisotropic conductive film and display device including the same
CN201711182077.5A CN108122625B (zh) 2016-11-30 2017-11-23 各向异性导电膜和包括各向异性导电膜的显示装置
EP17204293.9A EP3330336A1 (en) 2016-11-30 2017-11-29 Anisotropic conductive film and display device including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160161541A KR20180061877A (ko) 2016-11-30 2016-11-30 이방성 도전필름 및 이를 포함하는 표시장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180061877A true KR20180061877A (ko) 2018-06-08

Family

ID=60515182

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160161541A KR20180061877A (ko) 2016-11-30 2016-11-30 이방성 도전필름 및 이를 포함하는 표시장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11417866B2 (ko)
EP (1) EP3330336A1 (ko)
KR (1) KR20180061877A (ko)
CN (1) CN108122625B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11152440B2 (en) 2019-06-28 2021-10-19 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus with thin pad-area insulator and method of manufacturing the same
KR20220131795A (ko) * 2021-03-22 2022-09-29 주식회사 엠시스 프리코팅된 COF(Chip on film) 제조방법 및 이 제조 방법에 의하여 제조된 COF
WO2024049117A1 (ko) * 2022-09-01 2024-03-07 삼성전자주식회사 발광 다이오드와 기판 사이를 연결하는 접합 부재를 포함하는 디스플레이 모듈

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102397900B1 (ko) * 2016-12-08 2022-05-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102111045B1 (ko) * 2017-10-31 2020-05-14 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN109628002B (zh) * 2018-11-21 2020-06-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 异方性导电胶带及其制作方法
US20220059496A1 (en) * 2020-08-18 2022-02-24 Seoul National University R&Db Foundation Electronic device and method of transferring electronic element using stamping and magnetic field alignment
KR20220099200A (ko) * 2021-01-05 2022-07-13 삼성디스플레이 주식회사 접착 부재, 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2596960B2 (ja) * 1988-03-07 1997-04-02 シャープ株式会社 接続構造
JP3608613B2 (ja) * 2001-03-28 2005-01-12 株式会社日立製作所 表示装置
JP4130746B2 (ja) 2002-03-28 2008-08-06 旭化成エレクトロニクス株式会社 異方性を有する導電性接着シートおよびその製造方法
JP4130747B2 (ja) 2002-03-28 2008-08-06 旭化成エレクトロニクス株式会社 異方導電性接着シートおよびその製造方法
US6777071B2 (en) 2002-04-25 2004-08-17 Micron Technology, Inc. Electrical interconnect using locally conductive adhesive
TWI223363B (en) * 2003-11-06 2004-11-01 Ind Tech Res Inst Bonding structure with compliant bumps
US8013454B2 (en) * 2005-10-05 2011-09-06 Sharp Kabushiki Kaisha Wiring substrate and display device including the same
TWI378517B (en) * 2006-02-27 2012-12-01 Chipmos Technologies Inc Bumping process
US8456393B2 (en) * 2007-05-31 2013-06-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
JP2009098266A (ja) * 2007-10-15 2009-05-07 Mitsubishi Electric Corp 表示装置
KR20090089586A (ko) 2008-02-19 2009-08-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
KR20100010694A (ko) 2008-07-23 2010-02-02 주식회사 효성 3층 이방성 도전 필름 및 이의 제조방법
JP5435465B2 (ja) * 2009-10-06 2014-03-05 株式会社ジャパンディスプレイ 実装構造体、電気光学装置およびタッチパネル
KR101666214B1 (ko) * 2009-11-05 2016-10-14 삼성디스플레이 주식회사 이방성 도전 필름, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
SI2567257T1 (sl) * 2010-05-06 2021-09-30 Immunolight, Llc. Lepilni vezivni sestavek in postopek uporabe
KR20130013515A (ko) * 2011-07-28 2013-02-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10350872B2 (en) * 2012-08-01 2019-07-16 Dexerials Corporation Method for manufacturing anisotropically conductive film, anisotropically conductive film, and conductive structure
KR20140139902A (ko) * 2013-05-28 2014-12-08 삼성디스플레이 주식회사 이방성 도전 필름 적층체, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
US9097917B2 (en) * 2014-08-21 2015-08-04 Ubleds Co., Ltd. Electronic display screen modular unit structure
US9653425B2 (en) * 2015-08-26 2017-05-16 Apple Inc. Anisotropic conductive film structures
JP2018054678A (ja) * 2016-09-26 2018-04-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11152440B2 (en) 2019-06-28 2021-10-19 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus with thin pad-area insulator and method of manufacturing the same
KR20220131795A (ko) * 2021-03-22 2022-09-29 주식회사 엠시스 프리코팅된 COF(Chip on film) 제조방법 및 이 제조 방법에 의하여 제조된 COF
WO2024049117A1 (ko) * 2022-09-01 2024-03-07 삼성전자주식회사 발광 다이오드와 기판 사이를 연결하는 접합 부재를 포함하는 디스플레이 모듈

Also Published As

Publication number Publication date
CN108122625B (zh) 2021-08-10
EP3330336A1 (en) 2018-06-06
US20180151849A1 (en) 2018-05-31
CN108122625A (zh) 2018-06-05
US11417866B2 (en) 2022-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101853032B1 (ko) 표시장치
US10418430B2 (en) Display device
KR20180061877A (ko) 이방성 도전필름 및 이를 포함하는 표시장치
US10930718B2 (en) Organic light emitting diode display having barrier layer on auxiliary electrode
JP6548709B2 (ja) 表示装置
KR102583781B1 (ko) 칩온필름 및 이를 포함하는 표시장치
US10950822B2 (en) Display device capable of improving light extraction efficiency
KR20180045095A (ko) 표시장치
KR20110080364A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20230129324A (ko) 표시장치
CN109037275B (zh) 有机发光二极管显示装置
KR102505341B1 (ko) 칩 온 필름 및 이를 포함하는 표시장치
KR102597232B1 (ko) 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal