KR20220099200A - 접착 부재, 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법 - Google Patents

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screening
conductive particles
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신정훈
김혁환
예병대
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    • H01L2224/29399—Coating material
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    • H01L2224/29438—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29439—Silver [Ag] as principal constituent
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    • H01L2224/29438—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29444—Gold [Au] as principal constituent
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    • H01L2224/29438—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
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    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
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    • H01L2224/75745—Suction holding means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
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    • H01L2224/81423—Magnesium [Mg] as principal constituent
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    • H01L2224/81424—Aluminium [Al] as principal constituent
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    • H01L2224/81438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/81439—Silver [Ag] as principal constituent
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    • H01L2224/81438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/81444—Gold [Au] as principal constituent
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    • H01L2224/81438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/81447—Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/81438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/81455—Nickel [Ni] as principal constituent
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    • H01L2224/81463—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/81464—Palladium [Pd] as principal constituent
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    • H01L2224/81466—Titanium [Ti] as principal constituent
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    • H01L2224/81463—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/81469—Platinum [Pt] as principal constituent
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    • H01L2224/81463—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/81471—Chromium [Cr] as principal constituent
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    • H01L2224/81478—Iridium [Ir] as principal constituent
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    • H01L2224/81481—Tantalum [Ta] as principal constituent
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Abstract

접착 부재, 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법이 개시된다. 접착 부재는 복수의 전도성 입자를 포함하는 도전 입자층; 상기 도전 입자층 상에 배치되는 비도전층; 및 상기 도전 입자층과 상기 비도전층 사이에 개재되고, 상호 이격 배치되는 복수의 스크리닝 부재를 포함하는 스크리닝층을 포함한다.

Description

접착 부재, 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법{ADHESIVE MEMBER, DISPLAY DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF DISPLAY DEVICE}
본 발명은 접착 부재, 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Diode Display, OLED), 퀀텀닷 표시 장치(Quantum-dot Light Emitting Display, QLED) 등 과 같은 여러 종류의 표시 장치가 사용되고 있다.
표시 장치의 표시 패널에는 발광 소자들 및 상기 발광 소자들의 구동을 위한 구동 집적 회로와 같은 구동 부재가 실장될 수 있다. 상기 표시 패널과 상기 구동 부재는 이방성 도전 필름과 같은 접착 부재에 의해 접착되어 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 접착 시 전도성 입자의 유동에 의한 불량을 방지할 수 있는 접착 부재를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 상기 접착 부재를 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 상기 표시 장치를 제조하는 표시 장치 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 접착 부재는 복수의 도전 입자를 포함하는 도전 입자층; 상기 도전 입자층 상에 배치되는 비도전층; 및 상기 도전 입자층과 상기 비도전층 사이에 개재되고, 상호 이격 배치되는 복수의 스크리닝 부재를 포함하는 스크리닝층을 포함한다.
상기 비도전층은 복수의 비도전 입자를 포함하고, 상기 비도전 입자는 탄성 코어 및 상기 탄성 코어를 둘러싸는 접착 코팅층을 포함할 수 있다.
상기 비도전층의 두께는 상기 도전 입자층의 두께보다 클 수 있다.
표시 패널의 복수의 패드 전극과 상기 표시 패널의 화소 회로를 구동하는 구동 부재의 복수의 범프 사이에 개재되되, 상기 스크리닝 부재의 너비는 상기 복수의 범프 사이의 간격 이하일 수 있다.
상기 복수의 도전 입자의 적어도 일부는 상기 복수의 스크리닝 부재와 두께 방향으로 중첩되도록 배치될 수 있다.
상기 복수의 스크리닝 부재는 내열성 재질로 이루어질 수 있다.
상기 복수의 스크리닝 부재는 비도전성 강자성체를 포함할 수 있다.
상기 복수의 스크리닝 부재는 희토류 원소를 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널; 상기 표시 패널을 구동하는 구동 부재; 및 상기 표시 패널과 상기 구동 부재 사이에 개재되는 접착 부재를 포함하고, 상기 접착 부재는 복수의 도전 입자를 포함하는 도전 입자층, 상기 도전 입자층 상에 배치되는 비도전층 및 상기 도전 입자층과 상기 비도전층 사이에 개재되고, 상호 이격 배치되는 복수의 스크리닝 부재를 포함하는 스크리닝층을 포함한다.
상기 비도전층은 복수의 비도전 입자를 포함하고, 상기 비도전 입자는 탄성 코어 및 상기 탄성 코어를 둘러싸는 접착 코팅층을 포함할 수 있다.
상기 비도전층의 두께는 상기 도전 입자층의 두께보다 클 수 있다.
상기 구동 부재는 복수의 범프를 포함하고, 상기 스크리닝 부재의 너비는 상기 복수의 범프 사이의 간격 이하일 수 있다.
상기 표시 패널은 복수의 패드 전극을 포함하고, 상기 패드 전극의 너비는 상기 범프의 너비 이상이며, 상기 스크리닝 부재의 너비는 복수의 패드 전극 사이의 간격 이상일 수 있다.
상기 복수의 도전 입자의 적어도 일부는 상기 복수의 스크리닝 부재와 두께 방향으로 중첩되도록 배치될 수 있다.
상기 복수의 스크리닝 부재는 내열성 재질로 이루어질 수 있다.
상기 복수의 스크리닝 부재는 비도전성 강자성체를 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법은 표시 패널의 복수의 패드 전극과 구동 부재의 복수의 범프 사이에 복수의 도전 입자를 포함하는 도전 입자층, 상기 도전 입자층 상에 배치되는 비도전층 및 상기 도전 입자층과 상기 비도전층 사이에 배치되고 복수의 스크리닝 부재를 포함하는 스크리닝 층을 포함하는 접착 부재를 개재하는 단계; 및 상기 스크리닝 층의 상기 복수의 스크리닝 부재 사이로 상기 복수의 도전 입자가 유동하도록 상기 표시 패널 및 상기 구동 부재 중 적어도 하나를 열압착하는 단계를 포함한다.
상기 표시 패널 및 상기 구동 부재 중 적어도 하나를 열압착하는 단계는 상기 복수의 패드 전극 사이에 배치되는 상기 도전 입자의 유동을 차단하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 접착 부재의 개재하는 단계 후, 상기 접착 부재를 자기장을 이용하여 정렬하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 접착 부재를 자기장을 이용하여 정렬하는 단계는 상기 구동 부재를 거치하는 가압 부재에 구비된 자석에 의해 제공되는 자기장을 이용하여 상기 접착 부재를 적어도 하나의 방향으로 이동하는 단계를 포함할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
일 실시예에 따른 접착 부재, 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법은 접착 시 전도성 입자의 유동에 의한 불량을 방지할 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-A’을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 B-B’을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 접착 부재의 단면도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 접착 부재의 평면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 도전 입자의 단면도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 비도전 입자의 단면도이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 접착 부재의 평면도이다.
도 9는 또 다른 실시예에 따른 비도전 입자의 사시도이다.
도 10은 또 다른 실시예에 따른 비도전 입자의 사시도이다.
도 11은 또 다른 실시예에 따른 접착 부재의 단면도이다.
도 12는 도 10의 접착 부재의 평면도이다.
도 13은 또 다른 실시예에 따른 접착 부재의 단면도이다.
도 14는 또 다른 실시예에 따른 접착 부재의 단면도이다.
도 15는 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법의 순서도이다.
도 16 및 도 17은 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법의 단계들을 도시한 도면이다.
도 18 및 도 19는 다른 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법의 단계들을 도시한 도면이다.
도 20 내지 도 22는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법의 단계들을 도시한 도면이다.
도 23 내지 도 25는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법의 단계들을 도시한 도면이다.
도 26 내지 도 29는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법의 단계들을 도시한 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 실시예들을 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 2는 도 1의 A-A’을 따라 절단한 단면도이다. 도 3은 도 1의 B-B’을 따라 절단한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 동영상이나 정지영상을 표시하는 장치로서, 표시 장치(1)는 모바일 폰, 스마트 폰, 태블릿 PC(Personal Computer), 및 스마트 워치, 워치 폰, 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(Portable Multimedia Player), 네비게이션, UMPC(Ultra Mobile PC) 등과 같은 휴대용 전자 기기 뿐만 아니라 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷 등의 다양한 제품의 표시 화면으로 사용될 수 있다.
표시 장치(1)는 화면을 표시하는 표시 패널(DP)을 포함할 수 있다.
표시 패널(DP)은 예를 들어, 유기 발광 표시(Organic Light Emitting Display, OLED) 패널이 적용될 수 있다. 이하의 실시예에서는 표시 패널(DP)로 유기 발광 표시 패널이 적용된 경우를 예시하지만, 이에 제한되지 않고, 액정 디스플레이(liquid crystal display, LCD) 패널, 전계 방출 디스플레이(field emission display, FED) 패널, 전기 영동 장치, 퀀텀닷 디스플레이(Quantum-dat Light Emitting Display, QLED) 패널 등 다른 종류의 표시 패널이 적용될 수도 있다.
표시 패널(DP)은 평면상에서 대략적인 직사각형의 형상을 가질 수 있다. 이 경우, 후술하는 인쇄 회로 기판(PCB)이 연결되는 부분에 인접한 표시 패널(DP)(기판(SUB))의 양 코너 부분은 'L'자 형상으로 커팅될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
표시 패널(DP)은 화상 또는 영상을 표시하는 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA)의 주변에 배치되는 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 평면상에서 대략적인 직사각형의 형상을 가지고, 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 둘러싸는 대략적인 밴드 형상으로 배치될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
표시 장치(1)는 인쇄 회로 기판(PCB)을 더 포함할 수 있다. 인쇄 회로 기판(PCB)은 후술하는 기판(SUB)의 서브 영역(PA)에 부착될 수 있다. 이 경우, 도 1에 도시된 바와 같이, 표시 패널(DP)이 펼쳐진 경우, 구동 부재(DM)는 평면상에서 인쇄 회로 기판(PCB)과 벤딩 영역(BA) 사이에 배치될 수 있다 . 인쇄 회로 기판(PCB)은 리지드한 회로 기판(SUB), 연성 인쇄 회로 기판(PCB) 및 연성 인쇄 회로 필름 등을 포함할 수 있다.
표시 패널(DP)은 기판(SUB)을 포함할 수 있다.
기판(SUB)은 폴리이미드(PI) 등의 플렉서블 물질을 포함하는 플렉서블 기판(SUB)일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 기판(SUB)은 유리, 석영 등의 리지드한 물질을 포함하는 리지드 기판(SUB)일 수도 있다.
기판(SUB)은 메인 영역(MA), 상기 메인 영역(MA)에 연결된 벤딩 영역(BA) 및 상기 벤딩 영역(BA)에 연결된 서브 영역(PA)을 포함할 수 있다.
메인 영역(MA)은 평탄할 수 있다. 메인 영역(MA) 내에는 표시 영역(DA)이 위치할 수 있다. 벤딩 영역(BA) 및 서브 영역(PA)은 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 벤딩 영역(BA)은 메인 영역(MA)으로부터 연장되고, 서브 영역(PA)은 벤딩 영역(BA)으로부터 연장될 수 있다. 벤딩 영역(BA)은 메인 영역(MA)과 서브 영역(PA)을 연결할 수 있다. 벤딩 영역(BA) 및 서브 영역(PA)은 메인 영역(MA)의 일측, 예를 들면, 메인 영역(MA)의 하단 부분에 배치될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 서브 영역(PA)에는 후술하는 구동 부재(DM) 및 복수의 패드 전극(PE)이 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 구동 부재(DM) 및 패드 전극(PE)은 메인 영역(MA) 및/또는 벤딩 영역(BA)에 배치될 수도 있다. 벤딩 영역(BA)은 표시 방향의 반대 방향(전면 발광형일 경우 배면 방향)으로 벤딩될 수 있다. 이 경우, 서브 영역(PA)은 메인 영역(MA)과 두께 방향으로 중첩할 수 있다. 다만, 벤딩 영역(BA)의 벤딩 방향은 상기 예시에 제한되지 않으며, 벤딩 영역(BA)은, 예를 들면, 표시 방향(전면 방향)으로 벤딩될 수도 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 패널(DP)은 기판(SUB) 상에 배치되는 복수의 도전층(120, 130, 140, 150) 및 이를 절연하는 복수의 절연층(111, 112 , 113, VIA1, VIA2) 및 발광층(EL)을 더 포함할 수 있다.
버퍼층(BFF) 은 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(BFF)은 기판(SUB)을 통한 외부로부터의 수분 및 산소의 침투를 방지할 수 있다. 버퍼층(BFF)은 질화 규소(SiNx)막, 산화 규소(SiO2)막 및 산질화규소(SiOxNy)막 중 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다 .
반도체층(105)은 버퍼층(BFF) 상에 배치될 수 있다. 반도체층(105)은 박막 트랜지스터의 채널을 이룬다. 반도체층(105)은 표시 영역(DA)의 각 화소에 배치되고, 경우에 따라 비표시 영역(NDA)에도 배치될 수 있다. 반도체층(105)은 다결정 실리콘을 포함할 수 있다.
제1 절연층(111)은 반도체층(105) 상에 배치될 수 있다. 제1 절연층(111)은 기판(SUB)의 전체에 걸쳐 배치될 수 있다. 제1 절연층(111)은 게이트 절연 기능을 갖는 게이트 절연막일 수 있다.
제1 절연층(111)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 절연층(111)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제1 도전층(120)은 제1 절연층(111) 상에 배치될 수 있다. 제1 도전층(120)은 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(GE), 유지 커패시터의 제1 전극(CE1)을 포함할 수 있다.
제1 도전층(120)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘 (Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다. 제1 도전층(120)은 상기 예시된 물질로 이루어진 단일막 또는 적층막일 수 있다.
제2 절연층(112) 은 제1 도전층(120) 상에 배치될 수 있다. 제2 절연층(112)은 제1 도전층(120)과 제2 도전층(130)을 절연시킬 수 있다. 제2 절연층(112)은 제1 절연층(111)의 예시된 물질 중에서 선택될 수 있다.
제2 도전층(130)은 제2 절연층(112) 상에 배치될 수 있다. 제2 도전층(130)은 유지 커패시터의 제2 전극(CE2)을 포함할 수 있다. 제2 도전층(130)의 물질은 상술한 제1 도전층(120)의 예시된 물질 중에서 선택될 수 있다. 유지 커패시터의 제1 전극(CE1)과 유지 커패시터의 제2 전극(CE2)은 제2 절연층(112)을 통해 커페시터를 형성할 수 있다.
제3 절연층(113)은 제2 도전층(130) 상에 배치될 수 있다. 제3 절연층(113)은 상술한 제1 절연층(111)의 예시 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3 절연층(113)은 유기 절연 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 유기 절연 물질은 후술할 제1 비아층(VIA1)의 예시 물질 중에서 선택될 수 있다.
제3 도전층(140)은 제3 절연층(113) 상에 배치될 수 있다. 제3 도전층(140)은 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 고전위 전압 전극(ELVDDE) 및 신호 배선(PAD)을 포함할 수 있다.
제3 도전층(140)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘 (Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 제3 도전층(140)은 상기 예시된 물질로 이루어진 단일막일 수 있다. 이에 제한되지 않고 제3 도전층(140)은 적층막일 수 있다. 예를 들어, 제3 도전층(140)은 Ti/Al/Ti, Mo/Al/Mo, Mo/AlGe/Mo, Ti/Cu 등의 적층 구조로 형성될 수 있다. 일 실시예에서 제3 도전층(140)은 Ti/Al/Ti을 포함하여 이루어질 수 있다.
제1 비아층(VIA1)은 제3 도전층(140) 상에 배치될 수 있다. 제1 비아층(VIA1)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 유기 절연 물질은 아크릴계 수지(polyacryCAtes resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제4 도전층(150)은 제1 비아층(VIA1) 상에 배치될 수 있다. 제4 도전층(150)은 데이터 라인(DL), 연결 전극(CNE), 및 고전위 전압 배선(ELVDDL)을 포함할 수 있다. 데이터 라인(DL)은 제1 비아층(VIA1)을 관통하는 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(SE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 연결 전극(CNE)은 제1 비아층(VIA1)을 관통하는 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 고전위 전압 배선(ELVDDL)은 제1 비아층(VIA1)을 관통하는 컨택홀을 통해 고전위 전압 전극(ELVDDE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제4 도전층(150)은 제3 도전층(140)의 예시 물질 중 선택된 물질을 포함할 수 있다.
제2 비아층(VIA2)은 제4 도전층(150) 상에 배치될 수 있다. 제2 비아층(VIA2)은 상술한 제1 비아층(VIA1)의 예시된 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
애노드 전극(ANO)은 제2 비아층(VIA2) 상에 배치될 수 있다. 애노드 전극(ANO)은 제2 비아층(VIA2)을 관통하는 컨택홀을 통해 연결 전극(CNE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
뱅크층(BANK)은 애노드 전극(ANO) 상에 배치될 수 있다. 뱅크층(BANK)은 애노드 전극(ANO)을 노출하는 컨택홀을 포함할 수 있다. 뱅크층(BANK)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 뱅크층(BANK)은 포토 레지스트, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘 화합물, 폴리아크릴계 수지 등 중 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.
발광층(EL)은 애노드 전극(ANO) 상면 및 뱅크층(BANK)의 개구부(OP)(OP) 내에 배치될 수 있다. 발광층(EL)과 뱅크층(BANK) 상에는 캐소드 전극(CAT)이 배치된다. 캐소드 전극(CAT)은 복수의 화소에 걸쳐 배치된 공통 전극일 수 있다.
박막 봉지층(170)은 캐소드 전극(CAT) 상에 배치될 수 있다. 박막 봉지층(170) 은 유기 발광 소자(OLED)를 덮을 수 있다. 박막 봉지층(170)은 무기막과 유기막이 교대로 적층된 적층막일 수 있다. 예를 들면, 박막 봉지층(170)은 순차 적층된 제1 봉지 무기막(171), 봉지 유기막(172), 및 제2 봉지 무기막(173)을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
표시 패널(DP) 은 기판(SUB)의 하면 상에 배치되는 패널 하부 시트(CPNL)를 포함할 수 있다. 패널 하부 시트(CPNL)는, 예를 들면, 디지타이저, 방열 부재, 차폐 부재 및 완충 부재 등과 같은 적어도 하나의 기능층을 포함할 수 있다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 표시 패널(DP)은 복수의 패드 전극(PE)을 더 포함할 수 있다.
복수의 패드 전극(PE)은 기판(SUB)의 서브 영역(PA)에 배치될 수 있다. 상기 복수의 패드 전극(PE)은, 예를 들면, 표시 영역(DA)의 화소 회로에 연결된 배선을 통해 복수의 도전층 중 적어도 하나와 전기적으로 연결될 수 있다. 복수의 패드 전극(PE)은 복수의 도전층과 동일하거나 유사한 물질, 예를 들면, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘 (Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 후술하는 바와 같이, 복수의 패드 전극(PE)은 접착 부재(AD)에 의해 구동 부재(DM)의 복수의 범프(BP)와 전기적으로 연결될 수 있다. 도시되지는 않았으나, 구동 부재(DM)가 실장되는 기판(SUB)의 상면 상에는 복수의 절연층 중 적어도 하나가 더 배치되고, 복수의 패드 전극(PE)은 상기 복수의 절연층 중 적어도 하나에 형성된 홀을 통해 노출될 수도 있다.
표시 장치(1)는 표시 패널(DP)의 화소 회로를 구동하는 구동 부재(DM)를 더 포함할 수 있다.
구동 부재(DM)는 표시 패널(DP)의 서브 영역(PA)에 실장될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 일 실시예에서, 구동 부재(DM)는 표시 패널(DP)에 COP(Chip on Plastic) 방식으로 실장되나, 이에 제한되지 않는다. 구동 부재(DM)는 COF(Chip on Film) 방식 또는 COG(Chip on Glass) 방식으로 실장될 수도 있다.
구동 부재(DM)는 구동 칩(IC) 및 상기 복수의 범프(BP)를 포함할 수 있다.
구동 칩(IC)은 표시 구동 집적 회로와 같은 표시 패널(DP)의 화소 회로를 구동을 위한 회로를 포함하는 반도체 칩을 포함할 수 있다. 복수의 범프(BP)는 구동 칩(IC)으로부터 돌출되고 상기 구동 칩(IC)의 회로에 전기적으로 연결될 수 있다.
복수의 범프(BP)는 기판(SUB)의 서브 영역(PA)에 배치되는 복수의 패드 전극(PE)과 상호 대향하도록 배치될 수 있다. 자세하게는, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 기판(SUB)의 서브 영역(PA)에는 복수의 패드 전극(PE)이 배치될 수 있다. 복수의 범프(BP)는 도전 물질, 예를 들면, 금(Au), 니켈(Ni) 및 주석(Sn) 중 하나를 포함할 수 있다.
표시 장치(1)는 표시 패널(DP)과 구동 부재(DM)를 접착하는 접착 부재(AD)를 더 포함할 수 있다.
접착 부재(AD)는 기판(SUB)과 구동 부재(DM) 사이에 개재되어 이들을 접착할 수 있다. 접착 부재(AD)는 복수의 패드 전극(PE)이 배치되는 기판(SUB)의 상면과 복수의 범프(BP)가 배치되는 구동 부재(DM)의 하면 사이에 개재되어, 복수의 패드 전극(PE)과 구동 부재(DM)의 복수의 범프(BP)를 전기적으로 연결할 수 있다.
이하 도 4 내지 도 7에서 접착 부재(AD)를 더 자세히 설명하도록 한다.
도 4는 일 실시예에 따른 접착 부재의 단면도이다. 도 5는 일 실시예에 따른 접착 부재의 평면도이다. 도 6은 일 실시예에 따른 도전 입자의 단면도이다. 도 7은 일 실시예에 따른 비도전 입자의 단면도이다.
이하의 접착 부재(AD)는 표시 패널(DP)의 패드 전극(PE)과 구동 부재(DM)의 범프(BP) 사이에 개재되어 이들을 접착 및 전기적으로 연결하는 얇은 필름 타입의 부재, 예를 들면, 이방성 도전 필름일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
도 4를 참조하면, 접착 부재(AD)는 도전 입자층(CL) 및 도전 입자층(CL) 상에 배치되는 비도전층(NCL)을 포함할 수 있다.
도전 입자층(CL)은 제1 베이스 수지(BS1) 및 복수의 도전 입자(CP)를 포함할 수 있다.
제1 베이스 수지(BS1)는 절연성 접착 물질을 포함할 수 있다. 상기 절연성 접착 물질은 스타이렌 부타디엔, 폴리비닐 부틸렌 등과 같은 열가소성 소재 및/또는 에폭시 수지, 폴리우레탄, 아크릴 수지 등과 같은 열경화성 소재를 포함할 수 있다. 제1 베이스 수지(BS1)는 구동 부재(DM)를 표시 패널(DP)에 부착하는 열압착 공정 시 용융 및 경화되어 표시 패널(DP)과 구동 부재(DM)를 접착할 수 있다.
복수의 도전 입자(CP)는 제1 베이스 수지(BS1) 내에 산포될 수 있다. 복수의 도전 입자(CP)는 도전 물질을 포함할 수 있다. 열압착 공정 시, 복수의 도전 입자(CP)는 제1 베이스 수지(BS1) 내에서 유동하고, 표시 패널(DP)의 패드 전극(PE)과 구동 부재(DM)의 범프(BP) 사이에 포착되어 양자를 전기적으로 연결할 수 있다. 복수의 도전 입자(CP)는 미세한 크기의 원형 입자로 구성될 수 있다.예를 들면, 도전 입자(CP)의 직경은 약 1um 내지 15um일 수 있다. 또 다른 예를 들면, 도전 입자(CP)의 직경은 약 2um 내지 4um일 수 있다. 다만, 도전 입자(CP)의 크기는 상기 예시들에 제한되지 않는다.
비도전층(NCL)은 제2 베이스 수지(BS2) 및 복수의 비도전 입자(NCP)를 포함할 수 있다.
제2 베이스 수지(BS2)는 제1 베이스 수지(BS1)와 실질적으로 동일하거나 유사한 재질로 이루어질 수 있다. 제2 베이스 수지(BS2)는 제1 베이스 수지(BS1)와 동일한 절연성 접착 물질로 이루어질 수도 있고, 제1 베이스 수지(BS1)와 상이한 절연성 접착 물질로 이루어질 수도 있다.
복수의 비도전 입자(NCP)는 제2 베이스 수지(BS2) 내에 산포될 수 있다. 복수의 비도전 입자(NCP)는 절연성 재질로만 이루어질 수 있다. 복수의 비도전 입자(NCP)는 열압착 공정 시, 복수의 도전 입자(CP)의 유동성 저하시킬 수 있다.
도 5를 더 참조하면, 복수의 도전 입자(CP) 및 복수의 비도전 입자(NCP)는 각각 제1 베이스 수지(BS1) 및 제2 베이스 수지(BS2) 내에 비정형으로 산포될 수 있다. 평면상에서 복수의 도전 입자(CP)들 사이의 간격 및 복수의 비도전 입자(NCP)들 사이의 간격은 불규칙할 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 복수의 비도전 입자(NCP)들은 복수의 도전 입자(CP)보다 높은 밀도로 산포될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 도 6을 더 참조하면, 복수의 도전 입자(CP)는 각각 제1 탄성 입자(PP1), 도전 코팅층(CCL) 및 복수의 절연 입자(ICP)를 포함할 수 있다.
제1 탄성 입자(PP1)는, 예를 들면, 폴리머 입자와 같은 탄성 재질의 구형 입자로 이루어질 수 있다. 제1 탄성 입자(PP1)는 미세한 크기를 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 탄성 입자(PP1)의 직경은 약 1um 내지 15um일 수 있다. 또 다른 예를 들면, 제1 탄성 입자(PP1)의 직경은 약 2um 내지 4um일 수 있다. 다만, 제1 탄성 입자(PP1)의 직경은 상기 예시들에 제한되지 않는다.
도전 코팅층(CCL)은 제1 탄성 입자(PP1)의 외측면을 둘러싸도록 배치되어 제1 탄성 입자(PP1)를 코팅할 수 있다. 도전 코팅층(CCL)은 도전 재질로 이루어질 수 있다. 상기 도전 재질은 예를 들면, 니켈 및 은과 같은 금속을 포함할 수 있다.
복수의 절연 입자(ICP)는 도전 코팅층(CCL) 상에 복수의 요철을 형성하도록 배치될 수 있다. 복수의 절연 입자(ICP)는 도전 입자(CP)가 패드 전극(PE)과 범프(BP) 사이에 포착되는 것을 용이하게 하고, 다른 도전 입자(CP)의 밀착 시 발생할 수 있는 쇼트를 방지할 수 있다.
도 7을 더 참조하면, 복수의 비도전 입자(NCP)는 제2 탄성 입자(PP2) 및 접착 코팅층(ADL)을 포함할 수 있다.
제2 탄성 입자(PP2)는, 예를 들면, 폴리머 입자와 같은 탄성 재질의 구형 입자로 이루어질 수 있다. 제2 탄성 입자(PP2)는 제1 탄성 입자(PP1)보다 작을 수 있다. 예를 들면, 제2 탄성 입자(PP2)의 직경은 약 2um 내지 4um 이하일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
접착 코팅층(ADL)은 제2 탄성 입자(PP2)의 외측면을 둘러싸도록 배치되어 제2 탄성 입자(PP2)를 코팅할 수 있다. 접착 코팅층(ADL)은 절연성 접착 물질을 포함할 수 있다. 상기 절연성 접착 물질은, 예를 들면, 스타이렌 부타디엔, 폴리비닐 부틸렌 등과 같은 열가소성 소재 및/또는 에폭시 수지, 폴리우레탄, 아크릴 수지 등과 같은 열경화성 소재를 포함할 수 있다. 이 경우, 접착 코팅층(ADL)은 비도전 입자(NCP)가 산포되는 제2 베이스 수지(BS2)와 다른 재질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 접착 코팅층(ADL)은 후술하는 열압착 공정 시 용융되어 표시 패널(DP)과 구동 부재(DM) 사이의 접착력을 향상시킬 수 있다. 일 실시예에서, 접착 코팅층(ADL)은 제2 탄성 입자(PP2) 상에 비교적 매끈한 표면을 가지도록 형성되나, 이에 제한되지 않는다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 도전 입자(CP)는 비도전 입자(NCP)보다 큰 크기를 가질 수 있다. 이로써, 열압착 공정 시, 비도전 입자(NCP)는 도전 입자(CP) 사이로 침투하여 도전 입자(CP)의 유동성을 낮출 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 도전 입자(CP)의 크기는 비도전 입자(NCP) 이하일 수도 있다.
도전 입자(CP)의 제1 직경(D1)은 비도전 입자(NCP)의 제2 직경(D2)보다 클 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 직경(D1) 및 제2 직경(D2)은 각각 제1 탄성 입자(PP1)의 직경 및 제2 탄성 입자(PP2)의 직경일 수 있다. 또 다른 예를 들면, 제1 직경(D1) 및 제2 직경(D2)은 각각 도전 코팅층(CCL), 절연 입자(ICP) 및/또는 접착 코팅층(ADL)의 두께를 포함한 도전 입자(CP)의 직경 및 비도전 입자(NCP)의 직경일 수도 있다. 상기 직경은 최대 직경 및/또는 평균 직경을 의미할 수 있다. 예를 들면, 제1 직경(D1)은 약 2um 내지 4um이고, 제2 직경(D2)은 약 2um 내지 4um 이하일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
도 8은 다른 실시예에 따른 접착 부재의 평면도이다.
도 8을 참조하면, 도 5의 실시예와는 달리, 복수의 도전 입자(CP) 및 복수의 비도전 입자(NCP)는 일정한 규칙성을 가지도록 배치될 수 있다.
예를 들면, 도 8에 도시된 바와 같이, 평면상에서 복수의 도전 입자(CP) 및 복수의 비도전 입자(NCP)는 각각 복수의 행과 복수의 열을 이루도록 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 이 경우, 각각의 비도전 입자(NCP)는 도전 입자(CP)보다 작은 크기를 가지고, 복수의 비도전 입자(NCP)는 복수의 도전 입자(CP)보다 많은 개수의 행과 열을 이루도록 배열될 수 있다. 이에 따라, 평면상에서 복수의 비도전 입자(NCP)는 복수의 도전 입자(CP)보다 촘촘한 간격으로 배열될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 평면상에서 복수의 비도전 입자(NCP)가 배열되는 간격은 복수의 도전 입자(CP)가 배열되는 간격 이상일 수도 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 복수의 비도전 입자(NCP) 중 적어도 일부는 복수의 도전 입자(CP)와 두께 방향으로 완전히 중첩되지 않거나, 일부만 중첩되도록 배치될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
도 8의 실시예는, 복수의 도전 입자(CP) 및 복수의 비도전 입자(NCP)의 배열 방식 외 도 4 내지 도 7의 실시예와 실질적으로 동일하거나 유사하므로 이하 중복 설명은 생략한다.
도 9는 또 다른 실시예에 따른 비도전 입자의 사시도이다. 도 10은 또 다른 실시예에 따른 비도전 입자의 사시도이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 도 7의 실시예와는 달리, 비도전 입자(NCP)는 구형이 아닌 형상을 가질 수 있다.
예를 들면, 도 9에 도시된 바와 같이, 비도전 입자(NCP)는 접착 코팅층(ADL) 상에 접착 코팅층(ADL)으로부터 돌출된 복수의 돌출 부재(ACM)를 포함할 수 있다. 복수의 돌출 부재(ACM)는 접착 코팅층(ADL)과 일체로 연결된 접착 코팅층(ADL)의 일부일 수도 있고, 접착 코팅층(ADL)과 다른 재질로 이루어진 별개의 부재일 수도 있다. 복수의 돌출 부재(ACM)는 상술한 절연성 접착 물질을 포함할 수 있다. 도 9에서, 돌출 부재(ACM)는 바늘 모양(needle shape)의 형상을 가질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 복수의 돌출 부재(ACM)에 의해 열압착 공정 시, 비도전 입자(NCP)의 유동성이 감소될 수 있다.
또 다른 예를 들면, 도 10에 도시된 바와 같이, 비도전 입자(NCP)는 원통형의 형상을 가질 수도 있다. 이 경우, 열압착 공정 시, 도 7의 구형의 비도전 입자(NCP)보다 작은 유동성을 가지되, 도 9의 침상형의 비도전 입자(NCP)보다는 큰 유동성을 가질 수 있다. 즉, 비도전 입자(NCP)의 형상에 따라, 열압착 공정 시, 비도전 입자(NCP)의 유동성이 적절히 조절될 수 있다.
도 9 및 도 10의 실시예는, 비도전 입자(NCP)의 형상 외 도 4 내지 도 7의 실시예와 실질적으로 동일하거나 유사하므로 이하 중복 설명은 생략한다.
도 11은 또 다른 실시예에 따른 접착 부재의 단면도이다. 도 12는 도 11의 접착 부재의 평면도이다.
도 11 및 12를 참조하면, 도 4의 실시예와는 달리, 도 11 및 도 12의 접착 부재(ADa)는 도전 입자층(CL) 상에 복수의 댐(PDAM)을 포함하는 비도전층(NCL)이 배치될 수 있다.
복수의 댐(PDAM)은 각각 평면상에서, 예를 들면, 긴 막대 또는 스트라이프 형상을 가질 수 있다. 복수의 댐(PDAM)은 일정한 간격으로 상호 이격되도록 배치될 수 있다. 복수의 댐(PDAM) 사이에 형성된 개구부(OP) 내에는 제2 베이스 수지(BS2)가 충진될 수 있다. 상기 제2 베이스 수지(BS2 )는 제1 베이스 수지(BS1)와 상이한 종류의 수지로 이루어질 수도 있고, 제1 베이스 수지(BS2)와 동일한 종류의 수지로 이루어질 수도 있다.
도 3을 더 참조하면, 복수의 댐(PDAM)이 이격된 간격은 복수의 패드 전극(PE)의 피치 및/또는 복수의 범프(BP)의 피치와 실질적으로 동일할 수 있다. 후술하는 바와 같이, 열압착 공정 시, 패드 전극(PE) 및 범프(BP)는 복수의 댐(PDAM) 사이의 개구부(OP) 내에서 도전 입자(CP)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 복수의 댐(PDAM) 및 복수의 도전 입자(CP)는 상호 두께 방향으로 중첩되지 않도록 배치될 수 있다. 이 경우, 복수의 도전 입자(CP)는 일정한 간격으로 배열될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 도시되지는 않았으나, 복수의 댐(PDAM) 및 복수의 도전 입자(CP)는 상호 두께 방향으로 중첩되도록 배치될 수도 있다. 이 경우, 복수의 도전 입자(CP)는 제1 베이스 수지(BS1) 내에 도 5 도시된 바와 같이 불규칙적으로 산포될 수도 있고, 도 8에 도시된 바와 같이 규칙적으로 산포될 수도 있다.
도 11에 도시된 바와 같이, 복수의 댐(PDAM)은 비도전층(NCL)의 두께와 실질적으로 동일한 두께를 가져, 단면상에서 복수의 댐(PDAM) 사이에 충진되는 제2 베이스 수지(BS2)를 격리할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 복수의 댐(PDAM)의 두께는 비도전층(NCL)의 두께보다 작을 수도 있다. 이 경우, 복수의 댐(PDAM)의 하단은 도전 입자층(CL)과 직접 접촉되고, 복수의 댐(PDAM) 사이에 충진되는 제2 베이스 수지(BS2)는 복수의 댐(PDAM)의 상단에 걸쳐지도록 배치되어 일체로 연결될 수도 있다.
복수의 댐(PDAM)은 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 절연 물질은 양호한 내열성을 가진 유기 절연 재료, 예를 들면, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리이미드, 폴리아마이드이미드, 실록산 개질된 폴리이미드, 실록산 개질된 폴리아마이드이미드, 폴리에테르이미드 및 폴리에테르에테르케톤 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 복수의 댐(PDAM)은 후술하는 비절연성 강자성체를 더 포함할 수도 있다.
도 11 및 도 12의 실시예는 복수의 댐(PDAM) 외 도 4 내지 도 7의 실시예와 실질적으로 동일하거나 유사하므로, 이하 중복 설명은 생략한다.
도 13은 또 다른 실시예에 따른 접착 부재의 단면도이다.
도 13을 참조하면, 접착 부재(ADb)는 도전 입자층(CL)과 비도전층(NCL) 사이에 개재되는 스크리닝층(SCL)을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 접착 부재(AD)의 도전 입자층(CL)은 복수의 도전 입자(CP)를 포함하되, 비도전층(NCL)은 제2 베이스 수지(BS2)만으로 이루어질 수 있다.
스크리닝층(SCL)은 복수의 스크리닝 부재(SCM)를 포함할 수 있다.
복수의 스크리닝 부재(SCM)는 일정한 간격으로 상호 이격되도록 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 복수의 스크리닝 부재(SCM)가 이격된 간격은 패드 전극(PE)의 너비 이하이되, 범프(BP)의 너비 이상일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
도 3을 더 참조하면, 스크리닝 부재(SCM)는 단면상에서 복수의 패드 전극(PE) 사이의 간격 및/또는 복수의 범프(BP) 사이의 간격에 상응하는 너비를 가질 수 있다. 상기 복수의 패드 전극(PE) 사이의 간격 및 복수의 범프(BP) 사이의 간격은 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 예를 들면, 복수의 패드 전극(PE) 사이의 간격은 복수의 범프(BP) 사이의 간격보다 작을 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
스크리닝 부재(SCM)의 너비는 복수의 범프(BP) 사이의 간격 이하일 수 있다. 이 경우, 스크리닝 부재(SCM)의 너비는 복수의 패드 전극(PE) 사이의 간격 이상일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 스크리닝 부재(SCM)의 너비는 복수의 패드 전극(PE) 사이의 간격보다 작을 수도 있다.
또 다른 예를 들면, 복수의 범프(BP) 사이의 간격 및 스크리닝 부재(SCM)의 너비는 약 16um 이고, 복수의 패드 전극(PE) 사이의 간격은 약 16um 이하일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
단면상에서 각각의 스크리닝 부재(SCM)는 복수의 범프(BP) 사이의 간격과 실질적으로 동일한 너비를 가져, 열압착 공정 시 도전 입자(CP)가 복수의 범프(BP) 사이로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 자세하게는, 패드 전극(PE)은 범프(BP) 이하의 두께를 가질 수 있다. 상기 두께는 표면 높이를 의미할 수 있다 . 예를 들면, 패드 전극(PE)의 두께는 약 1um 내지 2um이고, 범프(BP)의 두께는 8um 일 수 있다. 이에 따라, 상기와 같이 도전 입자(CP)의 유동이 제한되는 경우, 복수의 패드 전극(PE) 사이의 공간이 복수의 범프(BP) 사이의 공간보다 상대적으로 좁아 도전 입자(CP)의 유동이 제한되고, 도전 입자(CP)의 밀도가 높아져 도전 입자(CP)의 포집율이 향상될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 패드 전극(PE)은 범프(BP)보다 작은 두께를 가질 수도 있고, 복수의 패드 전극(PE) 사이의 공간이 복수의 범프(BP) 사이의 공간보다 상대적으로 좁을 수도 있다.
복수의 스크리닝 부재(SCM) 사이에는 개구부(OP)가 형성될 수 있다. 상기 개구부(OP)는 비어있을 수도 있고, 제1 베이스 수지(BS1) 또는 제2 베이스 수지(BS2)와 동일하거나 유사한 수지가 충진될 수도 있다. 복수의 스크리닝 부재(SCM)는, 도 12에 도시된 복수의 댐(PDAM)과 유사하게, 평면상에서 스트라이프 형상 또는 막대 형상을 가질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
복수의 도전 입자(CP)는 제1 베이스 수지(BS1) 내에 도 5에 도시된 바와 같이 불규칙하게 산포될 수도 있고, 도 8에 도시된 바와 같이 일정한 경향성을 가지도록 산포될 수도 있다. 복수의 도전 입자(CP)의 일부는 복수의 스크리닝 부재(SCM)와 두께 방향으로 중첩되고, 복수의 도전 입자(CP)의 다른 일부는 복수의 스크리닝 부재(SCM)와 두께 방향으로 중첩되지 않도록 배치될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 도시되지는 않았으나, 도 11과 유사하게, 복수의 도전 입자(CP)는 복수의 스크리닝 부재(SCM)와 두께 방향으로 중첩되지 않도록 배치될 수도 있다.
복수의 스크리닝 부재(SCM)는 양호한 내열성을 가진 절연 물질로 이루어질 수 있다. 복수의 스크리닝 부재(SCM)는 복수의 댐(PDAM)과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 복수의 스크리닝 부재(SCM)는 비도전성 강자성체, 비도전성 물질과 강자성체 물질의 혼합물을 포함할 수 있다. 복수의 스크리닝 부재(SCM)는 비도전성 물질이 강자성체 물질을 둘러싸는 자성체 복합 구조물을 포함할 수 있다. 상기 비도전성 강자성체 물질은 희토류 원소, 예를 들면, 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy) 및 홀뮴(Holmium) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
스크리닝층(SCL)의 두께는 도전 입자(CP)의 직경 이하일 수 있다. 이로써, 열압착 공정 시 도전 입자(CP)가 패드 전극(PE)과 범프(BP) 사이에 잘 포착될 수 있다. 도 3을 더 참조하면, 도전 입자층(CL) 및 비도전층(NCL)은 각각 패드 전극(PE) 및 범프(BP)에 상응하는 두께를 가질 수 있다. 예를 들면, 도전 입자층(CL)의 두께는 비도전층(NCL)의 두께보다 작을 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
도 13의 실시예는 스크리닝층(SCL) 외 도 4 내지 도 7의 실시예와 실질적으로 동일하거나 유사하므로, 이하 중복 설명은 생략한다.
도 14는 또 다른 실시예에 따른 접착 부재의 단면도이다.
도 14를 참조하면, 도 13의 실시예와는 달리, 접착 부재(ADc)의 비도전층(NCL)은 제2 베이스 수지(BS2) 내에 산포된 복수의 비도전 입자(NCP)를 더 포함할 수 있다.
복수의 비도전 입자(NCP)는 제2 베이스 수지(BS2) 내에 도 5에 도시된 바와 같이 불규칙하게 산포될 수도 있고, 도 8에 도시된 바와 같이 일정한 경향성을 가지도록 산포될 수도 있다.
상술한 바와 같이, 복수의 비도전 입자(NCP)는 열압착 공정 시, 복수의 도전 입자(CP)의 유동성을 낮추고, 복수의 패드 전극(PE)과 복수의 범프(BP) 사이의 접착력을 향상시킬 수 있다.
도 14의 실시예는, 복수의 비도전 입자(NCP) 외 도 13의 실시예와 실질적으로 동일하거나 유사하므로, 이하 중복 설명은 생략한다.
도 15는 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법의 순서도이다. 도 16 및 도 17은 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법의 단계들을 도시한 도면이다.
도 1 내지 도 15를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법은 표시 패널(DP)의 복수의 패드 전극(PE)과 구동 부재(DM)의 복수의 범프 (BP) 사이에 복수의 도전 입자(CP)를 포함하는 도전 입자층(CL), 상기 도전 입자층(CL) 상에 배치되는 비도전층(NCL) 및 상기 도전 입자층(CL)과 상기 비도전층(NCL) 사이에 배치되고 복수의 스크리닝 부재(SCM)를 포함하는 스크리닝층(SCL)을 포함하는 접착 부재(AD)를 개재하는 단 계; 및 상기 스크리닝층(SCL)의 상기 복수의 스크리닝 부재(SCM) 사이로 상기 복수의 도전 입자(CP)가 유동하도록 상기 표시 패널(DP) 및 상기 구동 부재(DM) 중 적어도 하나를 열압착하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 표시 패널(DP) 및 상기 구동 부재(DM) 중 적어도 하나를 열압착하는 단계는 상기 복수의 패드 전극(PE) 사이에 배치되는 상기 도전 입자(CP)의 유동을 차단하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 표시 장치 제조 방법은 상기 접착 부재(AD)의 개재하는 단계 후, 상기 접착 부재(AD)를 자기장을 이용하여 정렬하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 접착 부재(AD)를 자기장을 이용하여 정렬하는 단계는 상기 구동 부재(DM)를 거치하는 가압 부재(PM)에 구비된 자석에 의해 제공되는 자기장을 이용하여 상기 접착 부재(AD)를 적어도 하나의 방향으로 이동하는 단계를 포함할 수 있다.
다만, 표시 장치 제조 방법은 상기 예시에 제한되지 않으며, 상기 단계의 적어도 일부가 생략되거나, 본 명세서의 다른 기재를 참고하여 적어도 하나의 다른 단계를 더 포함할 수 있다.
이하 도 16 및 도 17을 더 참조하여, 표시 장치 제조 방법을 자세히 설명한다.
도 16을 참조하면, 표시 패널(DP), 구동 부재(DM) 및 이들을 접착하는 접착 부재(AD)가 준비될 수 있다. 도시되지는 않았으나, 표시 패널(DP) 및 구동 부재(DM)는 각각 스테이지 및/또는 척에 의해 거치 및 고정될 수 있다. 예를 들면, 표시 패널(DP) 및 구동 부재(DM)는 각각 도 26에 도시된 진공 홀이 구비된 스테이지 또는 가압 부재(PM) 등에 거치되어 고정될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
도 1 내지 도 3 및 도 16에 도시된 바와 같이, 표시 패널(DP)의 기판(SUB)에는 복수의 패드 전극(PE)이 배치될 수 있다. 복수의 패드 전극(PE) 상에는 접착 부재(AD)가 위치하고, 접착 부재(AD) 상에는 구동 부재(DM)가 위치할 수 있다. 구동 칩(IC)에는 복수의 범프(BP)가 배치되고, 복수의 범프(BP)는 복수의 패드 전극(PE)과 두께 방향으로 중첩되도록 정렬될 수 있다. 이 경우, 접착 부재(AD)는 도전 입자층(CL) 이 복수의 패드 전극(PE)에 대향하고, 비도전층(NCL)이 복수의 범프(BP)에 대향하도록 배치될 수 있다.
도 16을 참조하면, 표시 패널(DP), 구동 부재(DM) 및 접착 부재(AD)의 정렬이 완료된 후, 압착 공정이 수행될 수 있다. 상기 압착 공정은 열압착 공정일 수 있다. 예를 들면, 도 16에 도시된 바와 같이, 표시 패널(DP)과 구동 부재(DM)의 열압착을 위한 열을 제공하는 가압 부재(PM)가 구동 부재(DM)의 상부로 하강하고 구동 부재(DM)를 가압하여 구동 부재(DM)와 기판(SUB)을 열압착할 수 있다.
도 16 및 도 17을 참조하면, 가압 부재(PM)에 의해 제공된 열과 압력에 의해 접착 부재(AD)의 제1 베이스 수지(BS1) 및 제2 베이스 수지(BS2)는 용융될 수 있다. 제1 베이스 수지(BS1) 및 제2 베이스 수지(BS2)의 용융에 의해 기판(SUB)과 구동 부재(DM) 사이의 공간을 채우는 필인 부재(FM)가 형성될 수 있다.
복수의 도전 입자(CP) 및 복수의 비도전 입자(NCP)는 용융된 필인 부재(FM)(제1 베이스 수지(BS1) 및 제2 베이스 수지(BS2)) 내에서 유동할 수 있다. 복수의 도전 입자(CP)의 일부는 패드 전극(PE)과 범프(BP) 사이에 개재되어 이들을 전기적으로 연결할 수 있다. 이 경우, 도 17에 도시된 바와 같이, 복수의 비도전 입자(NCP) 일부 역시 패드 전극(PE)과 범프(BP) 사이에 개재될 수도 있다.
상술한 바와 같이, 접착 부재(AD)는 복수의 비도전 입자(NCP)를 포함하여, 복수의 도전 입자(CP)의 유동을 제한함으로써, 도전 입자(CP)가 패드 전극(PE)과 범프(BP) 사이에 일정한 숫자의 도전 입자(CP)가 포착되도록 할 수 있다. 이에 따라, 복수의 패드 전극(PE) 및 복수의 범프(BP)가 미세한 피치, 예를 들면, 약 1um 내지 30um의 피치를 가지는 경우에도, 패드 전극(PE)과 범프(BP) 사이의 접속 면적, 저항 및 통전 성능 등이 유지될 수 있다.
제1 베이스 수지(BS1) 및 제2 베이스 수지(BS2)의 용융 시, 복수의 패드 전극(PE) 사이 및 복수의 범프(BP) 사이로 복수의 도전 입자(CP) 및 복수의 비도전 입자(NCP)가 유동할 수 있다. 도 17에 도시된 바와 같이, 복수의 도전 입자(CP) 사이, 도전 입자(CP)와 패드 전극(PE) 사이 및/또는 도전 입자(CP)와 범프(BP) 사이에는 적어도 하나의 비도전 입자(NCP)가 위치함에 따라, 복수의 도전 입자(CP)의 밀착에 의한 쇼트 현상이 방지될 수 있다.
이후, 필인 부재(FM)(제1 베이스 수지(BS1) 및 제2 베이스 수지(BS2))가 경화되고, 기판(SUB)과 구동 부재(DM)의 접착이 완료될 수 있다.
도 18 및 도 19는 다른 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법의 단계들을 도시한 도면이다.
도 18 및 도 19를 참조하면, 표시 패널(DP)과 구동 부재(DM)의 접착을 위해 복수의 댐(PDAM)을 포함하는 접착 부재(ADa)가 적용될 수 있다.
도 18을 참조하면, 복수의 댐(PDAM)을 포함하는 접착 부재(ADa)가 기판(SUB)과 구동 부재(DM) 사이에 개재될 수 있다. 도 18에 도시된 바와 같이, 접착 부재(ADa)는 복수의 댐(PDAM)이 패드 전극(PE) 및 범프(BP)와 두께 방향 및/또는 압착 방향으로 중첩되지 않도록 정렬될 수 있다. 즉, 복수의 댐(PDAM)은 복수의 패드 전극(PE) 사이 및/또는 복수의 범프(BP) 사이에 위치하도록 정렬될 수 있다.
이후, 도 16 및 도 17에 도시된 실시예과 유사하게, 가압 부재(PM)가 구동 부재(DM)를 향해 하강하여 기판(SUB), 접착 부재(ADa) 및 구동 부재(DM)를 열압착할 수 있다. 이 경우, 제1 베이스 수지(BS1) 및 제2 베이스 수지(BS2)는 가압 부재(PM)가 제공하는 열과 압력에 의해 용융되어 필인 부재(FM)를 형성하되 , 복수의 댐(PDAM)은 용융되지 않고 형상을 유지할 수 있다. 이에 따라, 복수의 도전 입자(CP)는 복수의 댐(PDAM)에 의해 유동이 제한되어, 복수의 패드 전극(PE) 사이 및/또는 복수의 범프(BP) 사이의 공간으로 잘 유동되지 않고, 대부분이 패드 전극(PE)과 범프(BP) 사이에 포착될 수 있다.
도 19에서, 패드 전극(PE)과 범프(BP) 사이에 하나의 도전 입자(CP)가 포착되는 것이 예시되나, 패드 전극(PE)과 범프(BP) 사이에 위치하는 도전 입자(CP)의 개수는 이에 제한되지 않는다.
도 18 및 도 19의 실시예는 복수의 댐(PDAM)을 포함하는 접착 부재(ADa)가 적용된다는 점외에 도 16 및 도 17의 실시예와 실질적으로 동일하거나 유사하므로, 이하 중복 설명은 생략한다.
도 20 내지 도 22는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법의 단계들을 도시한 도면이다.
도 20 내지 도 22를 참조하면, 표시 패널(DP)과 구동 부재(DM)의 접착에 스크리닝층(SCL)을 포함하는 접착 부재(ADb)가 적용될 수 있다.
도 20을 참조하면, 접착 부재(ADb)는 도전 입자층(CL)이 복수의 패드 전극(PE)에 대향하고, 비도전층(NCL)이 복수의 범프(BP)에 대향하도록 정렬될 수 있다. 접착 부재(ADb)는 복수의 스크리닝 부재(SCM)가 패드 전극(PE)과 범프(BP)에 두께 방향 및/또는 압착 방향으로 중첩되지 않도록 정렬될 수 있다. 상술한 바와 같이, 하나의 스크리닝 부재(SCM)의 너비는 복수의 범프(BP) 사이의 간격 및/또는 복수의 패드 전극(PE) 사이의 간격과 실질적으로 동일할 수 있다. 패드 전극(PE), 복수의 스크리닝 부재(SCM) 사이의 개구부(OP) 및 범프(BP)는 두께 방향 및/또는 압착 방향으로 상호 중첩될 수 있다.
도 21을 참조하면, 정렬이 완료된 후, 가압 부재(PM)가 구동 부재(DM)를 향해 하강하여 기판(SUB), 접착 부재(ADb) 및 구동 부재(DM)를 열압착 할 수 있다. 이 경우, 제1 베이스 수지(BS1) 및 제2 베이스 수지(BS2)는 가압 부재(PM)가 제공하는 열과 압력에 의해 용융되되, 복수의 스크리닝 부재(SCM)는 용융되지 않고 형상을 유지할 수 있다. 개구부(OP)가 비어있는 경우, 용융된 제1 베이스 수지(BS1) 및/또는 제2 베이스 수지(BS2)는 도전 입자(CP)와 함께 개구부(OP) 내로 유동될 수 있다. 개구부(OP)가 제1 베이스 수지(BS1) 및/또는 제2 베이스 수지(BS2)와 동일하거나 유사한 수지로 채워져있는 경우, 용융된 수지가 유동함에 따라 도전 입자(CP)는 개구부(OP) 내로 유동될 수 있다.
도 21에 도시된 바와 같이, 열압착 공정 시, 각각의 스크리닝 부재(SCM)는 복수의 범프(BP) 사이의 간격 및/또는 복수의 패드 전극(PE) 사이의 간격과 실질적으로 동일한 너비를 가짐에 따라, 도전 입자(CP)가 개구부(OP) 내로 유동하여 패드 전극(PE)과 범프(BP) 사이에 잘 포착되게 할 수 있다. 또한, 복수의 패드 전극(PE) 사이에 산포된 도전 입자(CP)는 복수의 범프(BP) 사이의 공간으로 침투할 수 없도록 스크리닝 부재(SCM)에 의해 차단될 수 있다. 이로써, 도전 입자(CP)의 불필요한 유동에 의한 오픈 불량 및/또는 쇼트 불량이 사전에 방지될 수 있다.
도 22를 참조하면, 제1 베이스 수지(BS1) 및 제2 베이스 수지(BS2)의 용융에 의해 형성된 필인 부재(FM) 의 경화 후, 표시 패널(DP)과 구동 부재(DM)의 압착이 완료될 수 있다. 이 경우, 도 22에 도시된 바와 같이, 복수의 도전 입자(CP)의 일부는 개구부(OP) 내에 위치하여 패드 전극(PE)과 범프(BP)를 전기적으로 연결하고 복수의 도전 입자(CP)의 다른 일부는 스크리닝층(SCL)의 아래의 복수의 패드 전극(PE) 사이에만 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 도전 입자(CP)는 스크리닝층(SCL) 위의 복수의 범프(BP) 사이에도 배치될 수도 있다.
도 20 내지 도 22의 실시예는 스크리닝층(SCL)을 포함하는 접착 부재(ADb)가 적용된다는 점외에 도 16 및 도 17의 실시예와 실질적으로 동일하거나 유사하므로, 이하 중복 설명은 생략한다.
도 23 내지 도 25는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법의 단계들을 도시한 도면이다.
도 23 내지 도 25를 참조하면, 표시 패널(DP)과 구동 부재(DM)의 접착에 스크리닝층(SCL)을 포함하되, 비도전층(NCL)에 복수의 비도전 입자(NCP)가 산포된 접착 부재(ADc)가 적용될 수 있다.
도 24 및 도 25를 참조하면, 복수의 비도전 입자(NCP)는 열압착 공정에 의해, 스크리닝층(SCL)의 상측에서 복수의 범프(BP) 사이로 유동할 수 있다. 이에 따라, 상술한 바와 같이, 복수의 범프(BP) 사이의 쇼트 불량이 방지되고, 필인 부재(FM)(제1 베이스 수지(BS1) 및 제2 베이스 수지(BS2)) 내에서 입자 밀도가 증가함에 따라 복수의 도전 입자(CP)의 유동이 제한될 수 있다.
도 23 내지 도 25를 참조하면, 비도전층(NCL)에 복수의 비도전 입자(NCP)가 산포된 접착 부재(ADc)가 적용된다는 점 외 도 20 내지 도 22의 실시예와 실질적으로 동일하거나 유사하므로, 이하 중복 설명은 생략한다.
도 26 내지 도 29는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법의 단계들을 도시한 도면이다.
도 26 내지 도 29를 참조하면, 표시 패널(DP)과 구동 부재(DM)의 접착에 스크리닝층(SCL)을 포함하는 접착 부재(ADd)가 적용되되, 상기 스크리닝층(SCL)의 스크리닝 부재(SCM)는 비도전성 자성체를 포함할 수 있다. 이 경우, 비도전층(NCL)은 제2 베이스 수지(BS2)만으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 비도전층(NCL)은, 도 23의 실시예와 유사하게, 복수의 비도전 입자(NCP)를 포함할 수도 있다.
도 26을 참조하면, 표시 패널(DP)과 구동 부재(DM)가 준비될 수 있다. 이 경우, 표시 패널(DP)은 진공 홀을 포함하는 스테이지(ST) 상에 거치되어 진공 홀(ST_H) 내에 형성된 음압에 의해 고정될 수 있다. 구동 부재(DM) 역시 진공 홀(PM_H)을 포함하는 가압 부재(PM)의 하단에 거치되어 고정될 수 있다. 상기 가압 부재(PM)는 구동 부재(DM)를 척킹하는 척킹 부재 또는 척킹 유닛을 포함할 수 있다.
표시 패널(DP) 및 구동 부재(DM)의 거치가 완료된 후, 접착 부재(ADd)가 가압 부재(PM)에 의해 픽킹될 수 있다. 자세하게는, 가압 부재(PM)는 자석을 포함하는 자석 부재(MM) 또는 자기장의 생성을 위한 코일을 포함하는 자기장 발생 장치 포함할 수 있다. 접착 부재(ADd)는 상기 자석 부재(MM) 또는 자기장 발생 장치에 의해 생성되어 스크리닝 부재(SCM)의 비도전성 강자성체에 작용하는 자력 및/또는 자기장에 의해 픽킹될 수 있다.
도 26에서 서로 다른 극성(N극 및 S극)을 포함하는 막대형의 자석 부재(MM)가 도시되나, 이에 제한되지 않는다. 예를 들면, 자석 부재(MM)는 막대형 및 편자형의 자석을 포함할 수 있다. 또 따른 예를 들면, 자석 부재(MM)는 복수의 자석을 포함하고, 복수의 자석 각각의 동일한 극성 사이에 작용하는 자력(자기장) 및/또는 서로 다른 극성 사이에 작용하는 자력(자기장 )에 의해 접착 부재(ADd)가 정렬될 수 있다.
도 27을 참조하면, 접착 부재(ADd)의 픽킹 후, 접착 부재(ADd)의 정렬이 수행될 수 있다. 상기 정렬은 자기장에 의해 수행될 수 있다. 자세하게는, 자석의 자기장에 의한 자력이 접착 부재(ADd)의 스크리닝 부재(SCM)에 작용하여, 접착 부재(ADd)가 이동될 수 있다. 예를 들면, 자석 또는 자석를 포함하는 가압 부재(PM)가 적어도 하나의 방향, 예를 들면, 도 27의 수평 방향으로 이동되고, 상기 자석의 이동에 의해 가압 부재(PM) 하단의 접착 부재(ADd)가 상기 자석의 이동 방향에 상응하는 방향, 예를 들면, 도 27의 수평 방향으로 이동될 수 있다.
상기와 같은 정렬에 의해, 접착 부재(ADd)의 스크리닝 부재(SCM)들은 복수의 범프(BP)와 두께 방향 및/또는 가압 방향으로 중첩되지 않도록 정렬될 수 있다. 이에 따라, 상술한 바와 같이, 도전 입자층(CL)의 복수의 도전 입자(CP)가 스크리닝층(SCL) 위로 유동되는 것이 방지될 수 있다.
도 28을 참조하면, 접착 부재(ADd)의 정렬이 완료된 후, 가압 부재(PM)가 기판(SUB)을 향해 하강하여 구동 부재(DM)와 표시 패널(DP)을 열압착할 수 있다. 열압착 공정에 의한 복수의 도전 입자(CP)의 유동은 도 21에서 상술한 바와 같다.
도 29를 참조하면, 제1 베이스 수지(BS1) 및 제2 베이스 수지(BS2)의 용융에 의해 형성된 필인 부재(FM)가 경화된 후, 표시 패널(DP)과 구동 부재(DM)의 압착이 완료될 수 있다. 상술한 바와 같이, 접착 부재(ADd)는 스크리닝층(SCL)을 포함하여, 도전 입자(CP)가 개구부(OP) 내로 유동하여 패드 전극(PE)과 범프(BP) 사이에 잘 포착될 수 있고, 도전 입자(CP)의 불필요한 유동에 의한 오픈 불량 및/또는 쇼트 불량이 사전에 방지될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
1: 표시 장치
SUB: 기판
PE: 패드 전극
DM: 구동 부재
BP: 범프
AD: 접착 부재

Claims (20)

  1. 복수의 도전 입자를 포함하는 도전 입자층;
    상기 도전 입자층 상에 배치되는 비도전층; 및
    상기 도전 입자층과 상기 비도전층 사이에 개재되고, 상호 이격 배치되는 복수의 스크리닝 부재를 포함하는 스크리닝층을 포함하는 접착 부재.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 비도전층은 복수의 비도전 입자를 포함하고, 상기 비도전 입자는 탄성 코어 및 상기 탄성 코어를 둘러싸는 접착 코팅층을 포함하는 접착 부재.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 비도전층의 두께는 상기 도전 입자층의 두께보다 큰 접착 부재.
  4. 제1 항에 있어서,
    표시 패널의 복수의 패드 전극과 상기 표시 패널의 화소 회로를 구동하는 구동 부재의 복수의 범프 사이에 개재되되, 상기 스크리닝 부재의 너비는 상기 복수의 범프 사이의 간격 이하인 접착 부재.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 도전 입자의 적어도 일부는 상기 복수의 스크리닝 부재와 두께 방향으로 중첩되도록 배치되는 접착 부재.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 스크리닝 부재는 내열성 재질로 이루어진 접착 부재.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 스크리닝 부재는 비도전성 강자성체를 포함하는 접착 부재.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 스크리닝 부재는 희토류 원소를 포함하는 접착 부재.
  9. 표시 패널 ;
    상기 표시 패널을 구동하는 구동 부재; 및
    상기 표시 패널과 상기 구동 부재 사이에 개재되는 접착 부재를 포함하고,
    상기 접착 부재는
    복수의 도전 입자를 포함하는 도전 입자층, 상기 도전 입자층 상에 배치되는 비도전층 및 상기 도전 입자층과 상기 비도전층 사이에 개재되고, 상호 이격 배치되는 복수의 스크리닝 부재를 포함하는 스크리닝층을 포함하는 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 비도전층은 복수의 비도전 입자를 포함하고, 상기 비도전 입자는 탄성 코어 및 상기 탄성 코어를 둘러싸는 접착 코팅층을 포함하는 표시 장치.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 비도전층의 두께는 상기 도전 입자층의 두께보다 큰 표시 장치.
  12. 제9 항에 있어서,
    상기 구동 부재는 복수의 범프를 포함하고,
    상기 스크리닝 부재의 너비는 상기 복수의 범프 사이의 간격 이하인 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 표시 패널은 복수의 패드 전극을 포함하고,
    상기 패드 전극의 너비는 상기 범프의 너비 이상이며, 상기 스크리닝 부재의 너비는 복수의 패드 전극 사이의 간격 이상인 표시 장치.
  14. 제9 항에 있어서,
    상기 복수의 도전 입자의 적어도 일부는 상기 복수의 스크리닝 부재와 두께 방향으로 중첩되도록 배치되는 표시 장치.
  15. 제9 항에 있어서,
    상기 복수의 스크리닝 부재는 내열성 재질로 이루어진 표시 장치.
  16. 제9 항에 있어서,
    상기 복수의 스크리닝 부재는 비도전성 강자성체를 포함하는 표시 장치.
  17. 표시 패널의 복수의 패드 전극과 구동 부재의 복수의 범프 사이에, 복수의 도전 입자를 포함하는 도전 입자층, 상기 도전 입자층 상에 배치되는 비도전층 및 상기 도전 입자층과 상기 비도전층 사이에 배치되고 복수의 스크리닝 부재를 포함하는 스크리닝 층을 포함하는 접착 부재를 개재하는 단계; 및 상기 스크리닝 층의 상기 복수의 스크리닝 부재 사이로 상기 복수의 도전 입자가 유동하도록 상기 표시 패널 및 상기 구동 부재 중 적어도 하나를 열압착하는 단계를 포함하는 표시 장치 제조 방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 표시 패널 및 상기 구동 부재 중 적어도 하나를 열압착하는 단계는 상기 복수의 패드 전극 사이에 배치되는 상기 도전 입자의 유동을 차단하는 단계를 포함하는 표시 장치 제조 방법.
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 접착 부재의 개재하는 단계 후, 상기 접착 부재를 자기장을 이용하여 정렬하는 단계를 더 포함하는 표시 장치 제조 방법.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 접착 부재를 자기장을 이용하여 정렬하는 단계는 상기 구동 부재를 거치하는 가압 부재에 구비된 자석에 의해 제공되는 자기장을 이용하여 상기 접착 부재를 적어도 하나의 방향으로 이동하는 단계를 포함하는 표시 장치 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100979349B1 (ko) 2007-12-31 2010-08-31 주식회사 효성 재작업성이 향상된 2층 구조의 이방성 도전 필름
KR20100010694A (ko) 2008-07-23 2010-02-02 주식회사 효성 3층 이방성 도전 필름 및 이의 제조방법
CN105940072A (zh) * 2014-01-24 2016-09-14 3M创新有限公司 导电粘合胶带和由其制得的制品
CN103811102A (zh) 2014-02-19 2014-05-21 上海和辉光电有限公司 各向异性导电膜及其制造方法
KR101595696B1 (ko) 2015-04-02 2016-02-19 주식회사 이녹스 비전도성 접착필름용 조성물 및 이를 포함하는 비전도성 접착필름
KR20160128536A (ko) * 2015-04-28 2016-11-08 한국과학기술원 고정된 도전볼 폴리머 필름층을 포함한 이방성 전도 필름 및 그 제조방법
KR20170130003A (ko) * 2016-05-17 2017-11-28 삼성디스플레이 주식회사 이방성 도전 필름을 포함하는 표시 장치 및 이방성 도전 필름의 제조 방법
KR102605475B1 (ko) 2016-06-24 2023-11-23 (주)이녹스첨단소재 비전도성 접착필름용 조성물 및 이를 포함하는 비전도성 접착필름
KR20180061877A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 이방성 도전필름 및 이를 포함하는 표시장치
KR101776584B1 (ko) * 2017-06-28 2017-09-12 한국과학기술원 고정된 도전볼 폴리머 필름층을 포함한 이방성 전도 필름 및 그 제조방법
US10775890B2 (en) * 2017-09-27 2020-09-15 Apple Inc. Electronic device having a piezoelectric body for friction haptics
US10585482B2 (en) * 2017-09-27 2020-03-10 Apple Inc. Electronic device having a hybrid conductive coating for electrostatic haptics
KR20210114596A (ko) * 2020-03-10 2021-09-24 삼성디스플레이 주식회사 표시장치

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