KR20200053911A - 표시 장치 - Google Patents

표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20200053911A
KR20200053911A KR1020180137407A KR20180137407A KR20200053911A KR 20200053911 A KR20200053911 A KR 20200053911A KR 1020180137407 A KR1020180137407 A KR 1020180137407A KR 20180137407 A KR20180137407 A KR 20180137407A KR 20200053911 A KR20200053911 A KR 20200053911A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
touch
disposed
dams
insulating layer
layer
Prior art date
Application number
KR1020180137407A
Other languages
English (en)
Inventor
장재형
김민주
홍은표
이재원
박상훈
원상혁
신연우
이지훈
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020180137407A priority Critical patent/KR20200053911A/ko
Priority to US16/664,603 priority patent/US11061505B2/en
Priority to CN201911023622.5A priority patent/CN111180486A/zh
Priority to EP19208057.0A priority patent/EP3651002B1/en
Publication of KR20200053911A publication Critical patent/KR20200053911A/ko
Priority to US17/345,974 priority patent/US11392243B2/en
Priority to US17/836,949 priority patent/US11809657B2/en

Links

Images

Classifications

    • H01L51/5246
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G06F3/04164Connections between sensors and controllers, e.g. routing lines between electrodes and connection pads
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412Digitisers structurally integrated in a display
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • H01L27/323
    • H01L27/3258
    • H01L51/525
    • H01L51/56
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • H10K50/824Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40OLEDs integrated with touch screens
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • H10K59/8731Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04111Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04112Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 생산성을 향상시킬 수 있는 표시 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 터치 센서를 가지는 표시 장치는 다수의 댐들의 상부 영역 상에 배치되는 적어도 하나의 무기 절연층의 총 두께가 상기 다수의 댐들 사이의 트렌치 영역 상에 배치되는 상기 적어도 하나의 무기 절연층의 총 두께보다 얇게 형성된다. 이에 따라, 본 발명에서는 댐들의 상부 영역과 댐들 사이의 트렌치 영역 상에 배치되는 라우팅 라인 형성용 포토레지스트를 균일한 두께로 형성할 수 있으므로 생산성을 향상시킬 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 특히 생산성을 향상시킬 수 있는 표시 장치에 관한 것이다.
터치 스크린은 표시장치 등의 화면에 나타난 지시 내용을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있도록 한 입력장치이다. 즉, 터치 스크린은 사람의 손 또는 물체에 직접 접촉된 접촉위치를 전기적 신호로 변환하며, 접촉위치에서 선택된 지시 내용이 입력신호로 받아들여진다. 이와 같은 터치 스크린은 키보드 및 마우스와 같이 표시장치에 연결되어 동작하는 별도의 입력장치를 대체할 수 있기 때문에 그 이용범위가 점차 확장되고 있는 추세이다.
이와 같은 터치 스크린은 표시 장치의 제작 편리성 향상 및 사이즈 축소 등을 위하여 액정 표시 패널 또는 유기 발광 표시 패널과 같은 표시패널에 내장하기 위한 시도들이 이루어지고 있다.
한편, 유기 발광 표시 패널에 터치 스크린을 내장하는 경우, 유기 발광 표시 패널의 댐들 상에 터치 스크린의 신호 라인이 배치된다. 이 경우, 댐들 사이의 깊이가 깊은 트렌치 내에 터치 스크린 형성용 포토레지스트의 잔막이 남을 가능성이 높다. 이에 따라, 터치 스크린 형성용 포토레지스트의 잔막이 남는 것을 방지하기 위해 노광량을 높이게 되면 생산성이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 생산성을 향상시킬 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 터치 센서를 가지는 표시 장치는 다수의 댐들의 상부 영역 상에 배치되는 적어도 하나의 무기 절연층의 총 두께가 상기 다수의 댐들 사이의 트렌치 영역 상에 배치되는 상기 적어도 하나의 무기 절연층의 총 두께보다 얇게 형성되므로, 본 발명에서는 댐들의 상부 영역과 댐들 사이의 트렌치 영역 상에 배치되는 라우팅 라인 형성용 포토레지스트를 균일한 두께로 형성할 수 있으므로 생산성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 터치 센서를 가지는 표시 장치에서는 댐들의 상부 영역 상에 배치되는 무기 절연층의 총두께를 댐들 사이의 트렌치 영역 상에 배치되는 무기 절연층의 총 두께보다 얇게 형성한다. 이 경우, 댐들의 상부 영역과 댐들 사이의 트렌치 영역 간의 단차를 줄일 수 있으므로, 댐들 사이의 트렌치 영역 내에 라우팅 라인 형성용 포토레지스트의 두께를 줄일 수 있다. 따라서, 라우팅 라인 형성용 포토레지스트의 노광량을 감소시킬 수 있어 생산성이 향상된다.
도 1은 본 발명에 따른 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치를 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 2에서 도 1에서 선"I-I' Ⅱ-Ⅱ'"를 따라 절취한 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 도 4에 도시된 제1 및 제2 댐 상에 제1 및 제2 무기 봉지층, 터치 버퍼막 및 터치 절연막이 배치되는 비교예의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 6a 내지 도 6c는 도 4에 도시된 제1 및 제2 댐 상에 제1 및 제2 무기 봉지층 중 적어도 어느 하나가 배치되는 실시예의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 8a 내지 도 8d는 도 4에 도시된 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 9a 및 도 9b는 도 4에 도시된 제1 및 제2 터치 전극과 제2 브릿지의 다른 실시예를 나타내는 평면도 및 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치를 나타내는 사시도이다.
도 1에 도시된 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치는 터치 기간동안 도 2에 도시된 터치 전극들(152e,154e)을 통해 사용자의 터치에 의한 상호 정전 용량(mutual capacitance)(Cm; 터치 센서)의 변화량 감지하여 터치 유무 및 터치 위치를 센싱한다. 그리고, 도 1에 도시된 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치는 발광 소자(120)를 포함하는 단위 화소를 통해 영상을 표시한다. 단위 화소는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 화소(PXL)로 구성되거나, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 및 백색(W) 서브 화소(PXL)로 구성된다.
이를 위해, 도 1에 도시된 유기 발광 표시 장치는 기판(111) 상에 매트릭스 형태로 배열된 다수의 서브 화소들(PXL)과, 다수의 서브 화소들(PXL) 상에 배치된 봉지 유닛(140)와, 봉지 유닛(140) 상에 배치된 상호 정전 용량(Cm)을 구비한다.
다수의 서브 화소들(PXL) 각각은 화소 구동 회로와, 화소 구동 회로와 접속되는 발광 소자(120)를 구비한다.
화소 구동 회로는 스위칭 트랜지터(T1), 구동 트랜지스터(T2) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다. 한편, 본 발명에서는 화소 구동 회로가 2개의 트랜지스터(T)와 1개의 커패시터(C)를 구비하는 구조를 예로 들어 설명하였지만, 이를 한정하는 것은 아니다. 즉, 3개 이상의 트랜지스터(T)와 1개 이상의 커패시터(C)를 구비하는 3T1C구조 또는 3T2C구조의 화소 구동 회로를 이용할 수도 있다.
스위칭 트랜지스터(T1)는 스캔 라인(SL)에 스캔 펄스가 공급되면 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급된 데이터 신호를 스토리지 캐패시터(Cst) 및 구동 트랜지스터(T2)의 게이트 전극으로 공급한다.
구동 트랜지스터(T2)는 그 구동 트랜지스터(T2)의 게이트 전극에 공급되는 데이터 신호에 응답하여 고전압(VDD) 공급 라인으로부터 발광 소자(120)로 공급되는 전류(I)을 제어함으로써 발광 소자(120)의 발광량을 조절하게 된다. 그리고, 스위칭 트랜지스터(T1)가 턴-오프되더라도 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된 전압에 의해 구동 트랜지스터(T2)는 다음 프레임의 데이터 신호가 공급될 때까지 일정한 전류를 공급하여 발광 소자(120)가 발광을 유지하게 한다.
이러한 구동 박막트랜지스터(T2,130)는 도 3에 도시된 바와 같이 버퍼층(112) 상에 배치되는 반도체층(134)과, 게이트 절연막(102)을 사이에 두고 반도체층(134)과 중첩되는 게이트 전극(132)과, 층간 절연막(114) 상에 형성되어 반도체층(134)과 접촉하는 소스 및 드레인 전극(136,138)을 구비한다. 여기서, 반도체층(134)은 비정질 반도체 물질, 다결정 반도체 물질 및 산화물 반도체 물질 중 적어도 어느 하나로 형성된다.
발광 소자(120)는 애노드 전극(122)과, 애노드 전극(122) 상에 형성되는 발광 스택(124)과, 발광 스택(124) 위에 형성된 캐소드 전극(126)을 구비한다.
애노드 전극(122)은 화소 평탄화층(118)을 관통하는 화소 컨택홀을 통해 노출된 구동 박막트랜지스터(T2, 130)의 드레인 전극(138)과 전기적으로 접속된다.
적어도 하나의 발광 스택(124)은 뱅크(128)에 의해 마련된 발광 영역의 애노드 전극(122) 상에 형성된다. 적어도 하나의 발광 스택(124)은 애노드 전극(122) 상에 정공 관련층, 유기 발광층, 전자 관련층 순으로 또는 역순으로 적층되어 형성된다. 이외에도 발광 스택(124)은 전하 생성층을 사이에 두고 대향하는 제1 및 제2 발광 스택들을 구비할 수도 있다. 이 경우, 제1 및 제2 발광 스택 중 어느 하나의 유기 발광층은 청색광을 생성하고, 제1 및 제2 발광 스택 중 나머지 하나의 유기 발광층은 노란색-녹색광을 생성함으로써 제1 및 제2 발광 스택을 통해 백색광이 생성된다. 이 발광스택(124)에서 생성된 백색광은 발광 스택(124) 상부 또는 하부에 위치하는 컬러 필터에 입사되므로 컬러 영상을 구현할 수 있다. 이외에도 별도의 컬러 필터 없이 각 발광 스택(124)에서 각 서브 화소에 해당하는 컬러광을 생성하여 컬러 영상을 구현할 수도 있다. 즉, 적색(R) 서브 화소의 발광 스택(124)은 적색광을, 녹색(G) 서브 화소의 발광 스택(124)은 녹색광을, 청색(B) 서브 화소의 발광 스택(124)은 청색광을 생성할 수도 있다.
캐소드 전극(126)은 발광 스택(124)을 사이에 두고 애노드 전극(122)과 대향하도록 형성된다. 이 캐소드 전극(126)은 보조 전극(108)을 통해 저전압(VSS) 공급 라인(106)과 접속된다. 저전압(VSS) 공급 라인(106)은 기판(111) 상에 소스 및 드레인 전극(136,138)과 동일 재질로 형성된다. 보조 전극(108)은 저전압(VSS) 공급 라인(106)과 캐소드 전극(126) 사이에서 이들을 전기적으로 연결한다. 이 보조 전극(108)은 애노드 전극(122)과 동일 재질로 형성된다.
봉지 유닛(140)는 외부의 수분이나 산소에 취약한 발광 소자(120)로 외부의 수분이나 산소가 침투되는 것을 차단한다. 이를 위해, 봉지 유닛(140)는 다수의 무기 봉지층들(142,146)과, 다수의 무기 봉지층들(142,146) 사이에 배치되는 유기 봉지층(144)을 구비하며, 무기 봉지층(146)이 최상층에 배치되도록 한다. 이 때, 봉지 유닛(140)는 적어도 2층의 무기 봉지층(142,146)과 적어도 1층의 유기 봉지층(144)을 구비한다. 본 발명에서는 제1 및 제2 무기 봉지층들(142,146) 사이에 유기 봉지층(144)이 배치되는 봉지 유닛(140)의 구조를 예로 들어 설명하기로 한다.
제1 무기 봉지층(142)는 발광 소자(120)와 가장 인접하도록 캐소드 전극(126)이 형성된 기판(101) 상에 형성된다. 이러한 제1 무기 봉지층(142)은 질화실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 저온 증착이 가능한 무기 절연 재질로 형성된다. 이에 따라, 제1 무기 봉지층(142)이 저온 분위기에서 증착되므로, 제1 무기 봉지층(142)의 증착 공정시 고온 분위기에 취약한 발광 스택(124)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
유기 봉지층(144)은 유기 발광 표시 장치의 휘어짐에 따른 각 층들 간의 응력을 완화시키는 완충역할을 하며, 평탄화 성능을 강화한다. 이 유기 봉지층(144)은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌 또는 실리콘옥시카본(SiOC)과 같은 유기 절연 재질로 형성된다.
이러한 유기 봉지층(144)이 잉크젯 방식을 통해 형성되는 경우, 액상 형태의 유기 봉지층(144)이 기판(111)의 가장자리로 확산되는 것을 방지하도록 댐(162,164)이 배치된다. 댐(162,164)은 유기 봉지층(144)보다 기판(111)의 가장 자리에 더 가깝게 배치된다. 이러한 댐(162,164)에 의해, 기판(111)의 최외곽에 배치되는 터치 패드(170) 및 표시 패드(180)가 배치되는 패드 영역으로 유기 봉지층(144)이 확산되는 것을 방지할 수 있다. 이를 위해, 댐(162,164)은 도 2에 도시된 바와 같이 발광 소자(120)가 배치되는 액티브 영역을 완전히 둘러싸도록 형성되거나, 액티브 영역과 패드 영역 사이에만 형성될 수도 있다. 터치 패드(170) 및 표시 패드(180) 가 배치되는 패드 영역이 기판(111)의 일측에 배치되는 경우, 댐(162,164)은 기판(111)의 일측에만 배치된다. 그리고, 터치 패드(170) 및 표시 패드(180)가 배치되는 패드 영역이 기판(111)의 양측에 배치되는 경우, 댐(162,164)은 기판(111)의 양측에 배치된다. 이 때, 소정 간격으로 이격된 다수의 댐들(162,164)은 서로 나란하게 배치될 수 있다. 한편, 본 발명에서는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 댐이 액티브 영역을 둘러싸는 폐쇄형 제1 댐(162)과, 제1 댐(162)과 패드 영역 사이에 배치되는 제2 댐(164)으로 이루어진 구조를 예로 들어 설명하였지만, 이를 한정하는 것은 아니다.
이러한 제1 및 제2 댐들(162,164) 각각은 단층 또는 다층 구조로 형성되며, 터치 패드(170) 및 표시 패드(180)와 가까운 제2 댐(164)은 터치 패드(170) 및 표시 패드(180)와 먼 제1 댐(162)보다 높이가 높게 형성된다. 이를 위해, 제1 댐(162)은 화소 평탄화층(118) 및 뱅크(128) 중 어느 하나와 동일 재질로 동시에 형성된다. 제2 댐(164)은 화소 평탄화층(118)과 동일 재질로 동시에 형성되는 제1 서브댐(164a)과, 제1 서브댐(164a) 상에 뱅크(128)와 동일 재질로 뱅크(128)와 동시에 형성되는 제2 서브댐(164b)을 구비한다. 한편, 제1 및 제2 서브댐(164a,164b) 사이에는 보조 전극(108)이 배치되어 제2 댐(164)의 상부면과 제1 댐(162)의 상부면 간의 높이차를 크게 형성할 수도 있다.
제 2 무기 봉지층(146)은 유기 봉지층(144)이 형성된 기판(111) 상에 유기 봉지층(144) 및 제1 무기 봉지층(142) 각각의 상부면 및 측면을 덮도록 형성된다. 이에 따라, 제2 무기 봉지층(146)은 외부의 수분이나 산소가 제1 무기 봉지층(142) 및 유기 봉지층(144)으로 침투하는 것을 최소화하거나 차단한다. 이러한 제2 무기 봉지층(146)은 질화실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 무기 절연 재질로 형성된다.
이러한 제1 및 제2 무기 봉지층(142,144) 중 적어도 어느 하나는 제2 브릿지(154b) 형성시, 제2 브릿지(154b)와 동일 재질로 이루어진 터치 패드 하부 전극(172) 및 표시 패드 하부 전극(182)을 덮도록 배치된다. 이 경우, 제1 및 제2 무기 봉지층(142,144) 중 적어도 어느 하나는 제2 브릿지(154b) 형성시, 터치 패드 하부 전극(172) 및 표시 패드 하부 전극(182)이 외부로 노출되지 않도록 한다. 이에 따라, 제2 브릿지(154b) 식각 공정시, 제1 및 제2 무기 봉지층(142,144) 중 적어도 어느 하나에 의해 터치 패드 하부 전극(172) 및 표시 패드 하부 전극(182)이 식각되는 것을 방지할 수 있으므로, 터치 패드 하부 전극(172) 및 표시 패드 하부 전극(182)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
이와 같은 봉지 유닛(140) 상에는 터치 절연막(156)과, 그 터치 절연막(156)을 사이에 두고 교차되게 배치되는 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152)을 포함하는 터치 센서(mutual capacitance)(Cm)가 배치된다. 이 터치 센서는 터치 구동 라인(152)에 공급되는 터치 구동 펄스에 의해 전하를 충전하고, 충전된 전하를 터치 센싱 라인(154)으로 방전한다.
터치 구동 라인(152)은 다수의 제1 터치 전극들(152e)과, 다수의 제1 터치 전극들(152e) 사이를 전기적으로 연결하는 제1 브릿지들(152b)을 구비한다.
다수의 제1 터치 전극들(152e)은 터치 절연막(156) 상에서 제1 방향인 X 방향을 따라 일정한 간격으로 이격된다. 이러한 다수의 제1 터치 전극들(152e) 각각은 제1 브릿지(152b)를 통해 인접한 제1 터치 전극(152e)과 전기적으로 연결된다.
제1 브릿지(152b)는 제2 터치 전극(154e)과 동일 평면인 터치 절연막(156) 상에 배치되어 별도의 컨택홀 없이 제2 터치 전극(154e)과 전기적으로 접속된다. 이 제1 브릿지(152b)는 뱅크(128)와 중첩되도록 배치되므로 제1 브릿지(152b)에 의해 개구율이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
터치 센싱 라인(154)은 다수의 제2 터치 전극들(154e)과, 다수의 제2 터치 전극들(154e) 사이를 전기적으로 연결하는 제2 브릿지들(154b)을 구비한다.
다수의 제2 터치 전극들(154e)은 터치 절연막(156) 상에서 제2 방향인 Y방향을 따라 일정한 간격으로 이격된다. 이러한 다수의 제2 터치 전극들(154e) 각각은 제2 브릿지(154b)를 통해 인접한 제2 터치 전극(154e)과 전기적으로 연결된다.
제2 브릿지(154b)는 제2 무기 봉지층(146) 상에 형성되며 터치 절연막(156)을 관통하는 터치 컨택홀(150)을 통해 노출되어 제1 터치 전극(152e)과 전기적으로 접속된다. 이 제2 브릿지(154b)는 제1 브릿지(152b)와 마찬가지로 뱅크(128)와 중첩되도록 배치되므로 제2 브릿지(154b)에 의해 개구율이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
터치 전극(152e,154e), 브릿지(152b,154bb) 및 라우팅 라인(160)의 일부를 덮도록 터치 보호막(158)이 형성된다. 터치 보호막(158)은 터치 전극(152e,154e), 브릿지(152b,154bb)이 외부의 충격 또는 수분 등에 의해 손상되는 것을 방지한다. 또한, 터치 보호막(158)은 표시 패드(180) 및 터치 패드(170)를 노출시키도록 형성된다. 이러한 터치 보호막(158)은 에폭시 또는 아크릴 재질의 유기 절연 재질 또는 편광 필름으로 형성된다.
이와 같은, 본 발명의 터치 구동 라인(152) 및 터치 센싱 라인(154) 각각은 라우팅 라인(160) 및 터치 패드(170)를 통해 터치 구동부(도시하지 않음)와 연결된다.
터치 패드(170)는 터치 구동부가 실장된 신호 전송 필름(도시하지 않음)과 접속된다. 이러한 터치 패드(170)는 터치 패드 하부 전극(172)과, 터치 패드 상부 전극(174)으로 이루어진다.
터치 패드 하부 전극(172)은 봉지 유닛(140) 하부에 배치되는 기판(111), 버퍼층(112) 및 층간 절연막(114) 중 적어도 어느 하나 상에 배치된다. 예를 들어, 터치 패드 하부 전극(172)은 기판(111) 상에 배치되어 기판(111)과 접촉한다. 이러한 터치 패드 하부 전극(172)은 구동 트랜지스터(T2,130)의 게이트 전극(132), 소스 및 드레인 전극(136,138) 중 적어도 어느 하나와 동일 재질로, 동일 평면 상에 단층 또는 다층 구조로 형성된다. 예를 들어, 터치 패드 하부 전극(172)은 소스 및 드레인 전극(136,138)과 동일 재질로 기판(111) 상에 형성되므로, 터치 패드 하부 전극(172)의 하부면은 기판(111)과 접촉하게 된다.
터치 패드 상부 전극(174)은 제1 및 제2 무기 봉지층(142,146)과 터치 절연막(156)을 관통하는 터치 패드 컨택홀(176)을 통해 노출된 터치 패드 하부 전극(172)과 전기적으로 접속된다. 이러한 터치 패드 상부 전극(174)은 라우팅 라인(160)과 동일 재질을 이용하여 라우팅 라인(160)과 동일 마스크 공정으로 형성된다. 이 터치 패드 상부 전극(174)는 라우팅 라인(160)으로부터 신장되어 형성되므로 별도의 컨택홀없이 라우팅 라인(160)과 전기적으로 접속된다.
한편, 터치 패드(170)가 배치된 비액티브(베젤) 영역에는 표시 패드(180)도 함께 배치된다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이 표시 패드들(180)은 터치 패드들(170) 사이에 배치되거나, 터치 패드들(170)은 표시 패드들(180) 사이에 배치될 수도 있다. 이외에도, 터치 패드(170)는 표시 패널의 일측에 배치되고, 표시 패드(180)는 표시 패널의 타측에 배치될 수도 있다. 한편, 터치 패드(170) 및 표시 패드(180)의 배치는 도 2의 구조에 한정되지 않고, 표시 장치의 설계사항에 따라 다양하게 변경 가능하다.
표시 패드(180)는 터치 패드(170)와 서로 다른 적층 구조로 형성되거나, 도 3에 도시된 바와 같이 터치 패드(170)와 동일 적층 구조로 형성된다.
즉, 도 3에 도시된 표시 패드(180)는 표시 패드 하부 전극(182)과, 표시 패드 상부 전극(184)으로 이루어진다.
표시 패드 하부 전극(182)은 발광 소자(120)가 형성된 액티브 영역 내의 스캔 라인(SL), 데이터 라인(DL), 저전압(VSS) 공급 라인(106) 및 고전압(VDD) 공급라인 중 적어도 어느 하나의 신호 라인과 접속되도록 형성된다. 이 표시 패드 하부 전극(182)은 구동 트랜지스터(T2,130)의 게이트 전극(132), 소스 및 드레인 전극(136,138) 중 적어도 어느 하나와 동일 재질로, 기판(111) 상에 단층 또는 다층 구조로 형성된다. 예를 들어, 표시 패드 하부 전극(182)은 터치 패드 하부 전극(172)과 마찬가지로, 소스 및 드레인 전극(136,138)과 동일 재질로 기판(111) 상에 형성된다.
표시 패드 상부 전극(184)은 제1 및 제2 무기 봉지층(142,146)과 터치 절연막(156)을 관통하는 표시 패드 컨택홀(186)을 통해 노출된 표시 패드 하부 전극(182)과 전기적으로 접속된다. 이러한 표시 패드 상부 전극(184)은 라우팅 라인(160)과 동일 재질을 이용하여 라우팅 라인(160)과 동일 마스크 공정으로 형성된다.
라우팅 라인(160)은 터치 구동부에서 생성된 터치 구동 펄스를 터치 패드(170)를 통해 터치 구동 라인(152)에 전송하고, 터치 센싱 라인(154)으로부터의 터치 신호를 터치 패드(170)를 통해 터치 구동부에 전송한다. 이에 따라, 라우팅 라인(160)은 제1 및 제2 터치 전극(152e,154e) 각각과, 터치 패드(170) 사이에 형성되어 제1 및 제2 터치 전극(152e,154e) 각각과, 터치 패드(170)를 전기적으로 연결한다. 여기서, 라우팅 라인(160)은 도 2에 도시된 바와 같이 제1 터치 전극(152e)으로부터 액티브 영역(AA)의 좌측 및 우측 중 적어도 어느 한 측으로 신장되어 터치 패드(170)와 접속되며, 라우팅 라인(160)은 제2 터치 전극(154e)으로부터 액티브 영역의 상측 및 하측 중 적어도 어느 한 측으로 신장되어 터치 패드(170)와 접속된다. 이러한 라우팅 라인(160)의 배치는 표시 장치의 설계사항에 따라 다양하게 변경가능하다.
라우팅 라인(160)은 제1 및 제2 댐(162,164) 상부에서 제1 및 제2 댐(162,164)과 교차하도록 배치된다.
이 때, 제1 및 제2 댐들(162,164) 상에 배치되는 적어도 하나의 무기 절연층의 총 두께는 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이의 트렌치 영역에 배치되는 적어도 하나의 무기 절연층의 총 두께와 다르다. 즉, 제1 및 제2 댐들(162,164) 각각과, 라우팅 라인(160) 사이에 배치되는 적어도 하나의 무기 절연층의 총두께는 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이로 노출된 보조 전극(108)과 라우팅 라인(160) 사이에 배치되는 적어도 하나의 무기 절연층의 총 두께보다 얇다. 이를 위해, 제1 및 제2 댐들(162,164) 각각과, 라우팅 라인(160) 사이에 배치되는 적어도 하나의 무기 절연층의 총 개수는 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이로 노출된 보조 전극(108)과 라우팅 라인(160) 사이에 배치되는 적어도 하나의 무기 절연층의 총 개수보다 적다. 구체적으로, 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이로 노출된 보조 전극(108)과 라우팅 라인(160) 사이에는 제1 및 제2 무기 봉지층(142,146)과 터치 절연막(156)이 배치되며, 제1 및 제2 댐들(162,164) 각각과 라우팅 라인(160) 사이에는 제1 및 제2 무기 봉지층(142,146)과 터치 절연막(156) 중 어느 하나가 배치된다. 제1 및 제2 댐들(162,164) 각각과 라우팅 라인(160) 사이에 무기 절연막이 배치되지 않는 경우, 외부로부터 수분 또는 산소가 침투될 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 댐들(162,164) 각각과 라우팅 라인(160) 사이에는 1 및 제2 무기 봉지층(142,146)과 터치 절연막(156) 중 어느 하나가 배치되어야 한다. 본 발명에서는 제1 및 제2 댐들(162,164) 각각과 라우팅 라인(160) 사이에 제1 무기 봉지층(142)이 배치되는 구조를 예로 들어 설명하기로 한다. 이 때, 제1 및 제2 댐들(162,164) 각각과 라우팅 라인(160) 사이에 배치되는 제1 무기 봉지층(142)은 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이로 노출된 보조 전극(108)과 라우팅 라인(160) 사이에 배치되는 제1 무기 봉지층(142)의 두께 이하로 형성된다. 이에 따라, 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이의 트렌치 영역(166)과, 상기 제1 및 제2 댐들(162,164) 각각의 상부 영역 간의 단차가 최소화된다. 그 결과, 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이의 트렌치 영역(166)과, 상기 제1 및 제2 댐들(162,164) 각각의 상부 영역을 가로지르는 라우팅 라인(160)의 단선 또는 단락을 방지할 수 있다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치와 대비하여 터치 버퍼막(148)을 더 구비하는 것을 제외하고는 동일한 구성요소를 구비한다. 이에 따라, 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 4에 도시된 터치 버퍼막(148)은 봉지 유닛(140)의 최상부에 배치되는 제2 무기 봉지층(146)과 터치 센서의 최하부에 배치되는 제2 브릿지(154b) 사이에 배치된다. 이 터치 버퍼막(148)에 의해, 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152) 각각과, 발광 소자(120) 사이의 이격 거리가 멀어진다. 이에 따라, 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152) 각각과, 발광 소자(120) 사이에 형성되는 기생커패시터의 용량값을 최소화할 수 있어 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152) 각각과, 발광 소자(120) 간의 커플링(coupling)에 의한 상호 영향을 방지할 수 있다.
또한, 터치 버퍼막(148)은 제2 브릿지(154b) 형성시, 제2 브릿지(154b)와 동일 재질로 이루어진 터치 패드 하부 전극(172) 및 표시 패드 하부 전극(182)을 덮도록 배치된다. 이 경우, 터치 버퍼막(148)은 제2 브릿지(154b) 형성시, 터치 패드 하부 전극(172) 및 표시 패드 하부 전극(182)이 외부로 노출되지 않도록 한다. 이에 따라, 제2 브릿지(154b) 식각 공정시, 터치 패드 하부 전극(172) 및 표시 패드 하부 전극(182)이 식각되는 것을 방지할 수 있으므로, 터치 패드 하부 전극(172) 및 표시 패드 하부 전극(182)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
이와 같이, 도 4에 도시된 터치 패드 하부 전극(172) 및 표시 패드 하부 전극(182)은 제2 브릿지(154b) 식각 공정시 터치 버퍼막(148)에 의해 보호된다. 이에 따라, 터치 패드(170) 및 표시 패드(180)는 제1 및 제2 무기 봉지층(142,146)과 중첩되지 않는다.
이에 따라, 표시 패드(180)는 도 4에 도시된 바와 같이 터치 버퍼막(148) 및 터치 절연막(156)을 관통하는 표시 패드 컨택홀(186)을 통해 접속되는 표시 패드 하부 전극(182)과 표시 패드 상부 전극(184)으로 이루어진다.
터치 패드(170)는 터치 버퍼막(148) 및 터치 절연막(156)을 관통하는 터치 패드 컨택홀(176)을 통해 접속되는 터치 패드 하부 전극(172)과 터치 패드 상부 전극(174)으로 이루어진다.
터치 패드 상부 전극(174)과 접속된 라우팅 라인(160)은 제1 및 제2 댐(162,164) 상부에서 제1 및 제2 댐(162,164)과 교차하도록 배치된다.
이 때, 제1 및 제2 댐들(162,164) 각각과, 라우팅 라인(160) 사이에 배치되는 적어도 하나의 박막층의 총두께는 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이로 노출된 보조 전극(108)과 라우팅 라인(160) 사이에 배치되는 적어도 하나의 박막층의 총 두께보다 얇다. 예를 들어, 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이로 노출된 보조 전극(108)과 라우팅 라인(160) 사이에는 제1 및 제2 무기 봉지층(142,146), 터치 버퍼막(148) 및 터치 절연막(156)이 배치되는 반면에, 제1 및 제2 댐들(162,164) 각각과 라우팅 라인(160) 사이에는 제1 및 제2 무기 봉지층(142,146), 터치 버퍼막(148) 및 터치 절연막(156) 중 어느 하나가 배치된다. 제1 및 제2 댐들(162,164) 각각과 라우팅 라인(160) 사이에 제1 무기 봉지층(142)이 배치된다.
이에 따라, 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이의 트렌치 영역(166)과, 상기 제1 및 제2 댐들(162,164) 각각의 상부 영역 간의 단차가 최소화된다. 그 결과, 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이의 트렌치 영역(166)과, 상기 제1 및 제2 댐들(162,164) 각각의 상부 영역을 가로지르는 라우팅 라인(160)의 단선 또는 단락을 방지할 수 있다.
도 5a 내지 도 5c는 비교예의 라우팅 라인의 제조 방법을, 도 6a 내지 도 6c는 실시예의 라우팅 라인의 제조 방법을 설명하기 위한 단면들이다. 비교예는 댐들(162,164) 상부 영역에 배치되는 무기 절연층의 총 두께와, 댐들(162,164) 사이의 트렌치 영역(166)에 배치되는 무기 절연층의 총 두께가 동일한 구조다. 실시 예는 댐들(162,164) 상부 영역에 배치되는 무기 절연층의 총 두께가 댐들(162,164) 사이의 트렌치 영역(166)에 배치되는 무기 절연층의 총 두께보다 얇은 구조이다.
비교예의 경우, 도 5a에 도시된 바와 같이 제1 및 제2 댐들(162,164)을 덮도록 터치 절연막(156) 상에 도전층(178a)이 전면 증착된 후, 도전층(178a) 상에 포토레지스트(188a)가 코팅된다. 이 때, 포토레지스트(188a)는 액상 형태의 유기 절연 재질이므로, 제1 및 제2 댐들(162,164)의 상부 영역에 형성된 포토레지스트(188a)의 두께(d2)보다 댐들(162,164) 사이의 트렌치 영역(166)에 형성된 포토레지스트(188a)의 두께(d1)가 두껍게 코팅된다. 이 때, 제1 및 제2 댐들(162,164)의 상부 영역에 형성된 포토레지스트(188a)의 두께를 기준으로 노광량을 결정하게 되면, 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이의 트렌치 영역(166)에서 두껍게 형성된 포토레지스트(188a)는 제대로 노광되지 않아 도 5b에 도시된 바와 같이 현상 공정 후 포토레지스트 잔막(188c)으로 남게 된다. 이러한 잔막(188c)을 가지는 포토레지스트 패턴(188b)을 이용하여 도전층(178a)을 식각하게 되면, 도 5c에 도시된 바와 같이 포토레지스트 잔막(188c)과 대응되는 영역에 도전층(178a)이 남아 인접한 라우팅 라인들(160)이 단락된다. 한편, 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이의 트렌치 영역(166)에 포토레지스트 잔막(188c)이 남지 않도록, 노광량을 높여 주면 생산성이 저하된다.
반면에 실시 예의 경우, 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이의 트렌치 영역(166)에 배치되는 터치 절연막(156)과, 제1 및 제2 댐들(162,164) 각각의 상부 영역에 배치되는 제2 무기 봉지층(146) 상에 도 6a에 도시된 바와 같이 도전층(178a)이 전면 증착된 후, 도전층(178a) 상에 포토레지스트(188a)가 코팅된다. 이 때, 제1 및 제2 댐(162,164)의 상부 영역에 형성된 포토레지스트(188a)의 두께와, 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이의 트렌치 영역에 형성된 포토레지스트(188a)의 두께는 동일하게 형성된다. 이 포토레지스트(188a)를 노광 및 현상함으로써 도 6b에 도시된 바와 같이 제1 및 제2 댐(162,164)의 상부 영역과 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이의 트렌치 영역(166)에서 동일 두께를 가지는 포토레지스트 패턴(188b)이 형성된다. 이 때, 도 6a에 도시된 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이의 트렌치 영역(166)에서의 포토레지스트 패턴(188b)의 두께는 도 5b에 도시된 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이의 트렌치 영역(166)에서의 포토레지스트 패턴(188b)의 두께보다 얇으므로, 실시 예에서는 비교예에 비해 노광량을 줄일 수 있으므로 노광공정시간 단축으로 인해 생산량이 향상된다.
이 포토레지스트 패턴(188b)을 마스크로 이용한 식각 공정을 통해 도전층(178a)이 패터닝됨으로써 도 6c에 도시된 바와 같이 원하는 설계치의 선폭을 가지는 라우팅 라인들(160)이 형성된다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에서는 인접한 라우팅 라인들(160) 간의 단락 현상을 방지할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치에서는 제1 및 제2 댐(162,164)의 상부 영역 상에 배치되는 박막층의 두께를 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이의 트렌치 영역(166) 상에 배치되는 박막층의 두께보다 얇게 형성한다. 이 경우, 라우팅 라인 형성용 포토레지스트는 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이의 트렌치 영역(166)과, 제1 및 제2 댐(162,164)의 상부 영역에서 균일한 두께로 형성된다. 이에 따라, 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이의 트렌치 영역(166)에서 라우팅 라인 형성용 포토레지스트의 노광량을 비교예보다 감소시키더라도 라우팅 라인 형성용 포토레지스트 잔막이 발생되는 것을 차단할 수 있다. 그 결과, 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이의 트렌치 영역(166)에서 라우팅 라인(160)이 단락되는 불량을 방지할 수 있음과 아울러 생산성이 향상된다.
도 7은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 7에 도시된 유기 발광 표시 장치는 도 3 및 도 4에 도시된 유기 발광 표시 장치와 대비하여 컬러 필터(194)를 더 구비하는 것을 제외하고는 동일한 구성요소를 구비한다. 이에 따라, 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
컬러 필터(194)는 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152) 각각과, 발광 소자(120)에 사이에 형성된다. 이 컬러 필터(194)에 의해 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152) 각각과, 발광 소자(120) 사이의 이격 거리가 멀어진다. 이에 따라, 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152) 각각과, 발광 소자(120) 사이에 형성되는 기생커패시터의 용량값을 최소화할 수 있어 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152) 각각과, 발광 소자(120) 간의 커플링(coupling)에 의한 상호 영향을 방지할 수 있다. 또한, 컬러 필터(194)는 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152)의 제조 공정시 이용되는 약액(현상액 또는 식각액 등등) 또는 외부로부터의 수분 등이 발광 스택(124)으로 침투되는 것을 차단할 수 있다. 이에 따라, 컬러 필터(192)는 약액 또는 수분에 취약한 발광 스택(124)의 손상을 방지할 수 있다. 한편, 도 7에 도시된 바와 같이 컬러 필터(194) 상에 터치 전극(152e,154e)이 배치되는 것을 예로 들어 설명하였지만, 이외에도 컬러 필터(194)는 터치 전극(152e,154e) 상에 배치될 수도 있다. 이 경우, 터치 전극(152e,154e)은 컬러 필터(194)와 봉지 유닛(140) 사이에 배치된다.
이러한 컬러 필터들(194) 사이에는 블랙매트릭스(192)가 배치된다. 블랙 매트릭스(192)는 각 서브 화소 영역을 구분함과 아울러 인접한 서브 화소 영역 간의 광간섭 및 빛샘을 방지하는 역할을 하게 된다. 이러한 블랙매트릭스(192)는 고저항의 블랙 절연 재질로 형성되거나, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 컬러 필터(194) 중 적어도 2색의 컬러 필터가 적층되어 형성된다. 또한, 컬러 필터(194) 및 블랙매트릭스(192)가 형성된 기판(111) 상에 터치 평탄화층(196)이 형성된다. 이 터치 평탄화층(196)에 의해 컬러 필터(194) 및 블랙매트릭스(192)가 형성된 기판(111)이 평탄화된다.
도 8a 내지 도 8d는 본 발명에 따른 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 이에 대해, 도 4에 도시된 유기 발광 표시 장치를 예로 들어 설명하기로 한다.
도 8a를 참조하면, 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터(T2,130), 터치 패드 하부 전극(172), 표시 패드 하부 전극(182), 발광 소자(120), 댐(162,164), 봉지 유닛(140) 및 터치 버퍼막(148)이 형성된 기판(111) 상에 제2 브릿지(154b)가 형성된다.
구체적으로, 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터(T2,130), 터치 패드 하부 전극(172), 표시 패드 하부 전극(182), 발광 소자(120), 댐(162,164), 봉지 유닛(140) 및 터치 버퍼막(148)이 형성된 기판(111)을 마련한다. 이 때, 터치 패드 하부 전극(172) 및 표시 패드 하부 전극(182) 상에는 터치 패드 하부 전극(172) 및 표시 패드 하부 전극(182)을 덮도록 터치 버퍼막(148)이 배치된다. 그런 다음, 터치 버퍼막(148)이 형성된 기판(111) 상에 터치 패드 하부 전극(172) 및 표시 패드 하부 전극(182)과 동일 재질인 제1 도전층이 증착된다. 제1 도전층은 Al, Ti, Cu, Mo, Ta, MoTi와 같은 금속을 이용하여 단층 또는 다층 구조로 형성된다. 예를 들어, 제1 도전층은 Ti/Al/Ti, MoTi/Cu/MoTi 또는 Ti/Al/Mo와 같이 적층된 3층 구조로 형성된다. 그런 다음, 포토마스크를 이용한 포토리소그래피 공정과 식각 공정으로 제1 도전층이 패터닝됨으로써 터치 버퍼막(148) 상에 제2 브릿지(154b)가 형성된다. 제2 브릿지(154b) 형성시, 터치 패드 하부 전극(172) 및 표시 패드 하부 전극(182)은 버퍼막(148)에 의해 보호되므로, 터치 패드 하부 전극(172) 및 표시 패드 하부 전극(182)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
도 8b를 참조하면, 제2 브릿지(154b)가 형성된 기판(111) 상에 터치 컨택홀(150), 터치 패드 컨택홀(176) 및 표시 패드 컨택홀(186)을 가지는 터치 절연막(156)이 형성된다.
구체적으로, 제2 브릿지(154b)가 형성된 기판(111) 상에 무기 절연 물질, 또는 유기 절연 물질이 전면 도포됨으로써 터치 절연막(156)이 형성된다. 여기서, 터치 절연막(156)으로는 SiNx, SiON, 또는 SiO2와 같은 무기 절연 물질 또는 Photoacryl, Parylene, 또는 실록산 계열의 유기 절연 물질이 이용된다. 그런 다음, 포토 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정으로 형성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 터치 절연막(156) 및 터치 버퍼막(148)을 선택적으로 식각한다. 이에 따라, 터치 컨택홀(150), 터치 패드 컨택홀(176) 및 표시 패드 컨택홀(186)이 형성됨과 아울러 제1 및 제2 댐(162,164) 상에 배치되는 터치 절연막(156) 및 터치 버퍼막(148)이 제거된다. 이 때, 제1 및 제2 댐(162,164) 상에 배치되는 제2 무기 봉지층(146)도 제거되거나 제1 무기 봉지층(142)의 일부와 제2 무기 봉지층(146)이 제거될 수도 있다.
도 8c를 참조하면, 터치 컨택홀(150), 터치 패드 컨택홀(176) 및 표시 패드 컨택홀(186)을 가지는 터치 절연막(156)이 형성된 기판(111) 상에 제1 및 제2 터치 전극(152e,154e)과, 제1 브릿지(152b), 라우팅 라인(160), 터치 패드 상부 전극(174) 및 표시 패드 상부 전극(184)이 형성된다.
구체적으로, 터치 컨택홀(150), 터치 패드 컨택홀(176) 및 표시 패드 컨택홀(186)이 형성된 기판(111) 상에 제2 도전층이 증착된다. 여기서, 제2 도전층으로는 투명 도전층 및 불투명 도전층 중 적어도 어느 하나가 이용된다. 투명 도전층으로는 IGZO, IZO, ITO 또는 ZnO가 이용되며, 불투명 도전층은 Al, Ti, Cu, Mo, Ta, MoTi와 같은 금속을 이용하여 단층 또는 다층 구조로 형성된다. 예를 들어, 제2 도전층은 Ti/Al/Ti, MoTi/Cu/MoTi 또는 Ti/Al/Mo와 같이 적층된 3층 구조로 형성된다. 그런 다음, 포토리소그래피 공정과 식각 공정으로 제2 도전층이 패터닝됨으로써 제1 및 제2 터치 전극(152e,154e)과, 제1 브릿지(152b), 라우팅 라인(160), 터치 패드 상부 전극(174) 및 표시 패드 상부 전극(184)이 형성된다.
도 8d를 참조하면, 제1 및 제2 터치 전극(152e,154e)과, 제1 브릿지(152b), 라우팅 라인(160), 터치 패드 상부 전극(174) 및 표시 패드 상부 전극(184)이 형성된 기판(111) 상에 터치 보호막(158)이 형성된다.
구체적으로, 제1 및 제2 터치 전극(152e,154e), 제1 브릿지(152b), 제1 터치 라우팅 라인(162), 터치 패드(170) 및 표시 패드(180)가 형성된 기판(111) 상에 무기 절연 재질 또는 유기 절연 재질이 전면 형성된다. 그런 다음, 무기 절연 재질 또는 유기 절연 재질이 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 통해 패터닝됨으로써 터치 보호막(158)이 형성된다. 이러한 터치 보호막(158)은 에폭시 또는 아크릴과 같은 유기 절연 재질로 박막 또는 필름 형태로 형성되거나, SiNx 또는 SiOx와 같은 무기 절연 재질로 형성된다.
이와 같이, 본 발명에 따른 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치에서는 제1 및 제2 댐(162,164)의 상부 영역 상에 배치되는 박막층의 두께를 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이의 트렌치 영역(166) 상에 배치되는 박막층의 두께보다 얇게 형성한다. 이에 따라, 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이의 트렌치 영역(166)에 라우팅 라인 형성용 포토레지스트 잔막이 발생되는 것을 차단할 수 있어 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이의 트렌치 영역(166)에서 라우팅 라인(160)이 단락되는 불량을 방지할 수 있다.
한편, 본 발명에서는 제1 및 제2 터치 전극(152e,154e)과 제1 및 제2 브릿지(152b,154b)가 도 4에 도시된 바와 같이 플레이트 형태로 형성되는 것을 예로 들어 설명하였지만, 이외에도 도 9a 및 도 9b에 도시된 바와 같이 메쉬 형태로 형성될 수도 있다. 즉, 제1 및 제2 터치 전극(152e,154e) 중 적어도 어느 하나와, 제1 및 제2 브릿지(152b,154b) 중 적어도 어느 하나는 ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전막(1541)과, 그 투명 도전막(1541)의 상부 또는 하부에 메쉬 형태로 형성된 메쉬 금속막(1542)으로 이루어질 수도 있다. 이외에도 제1 및 제2 터치 전극(152e,154e) 중 적어도 어느 하나와, 제1 및 제2 브릿지(152b,154b)는 투명 도전막(1541)없이 메쉬 금속막(1542)으로만 이루어지거나, 메쉬 금속막(1542)없이 투명 도전층(1541)이 메쉬 형태로 형성될 수도 있다. 여기서, 메쉬 금속막(1542)은 투명 도전막(1541)보다 전도성이 좋은 Ti, Al, Mo, MoTi, Cu, Ta 및 ITO 중 적어도 한 층의 도전층을 이용하여 메쉬 형태로 형성된다. 예를 들어, 메쉬 금속막(1542)은 Ti/Al/Ti, MoTi/Cu/MoTi 또는 Ti/Al/Mo와 같이 적층된 3층 구조로 형성된다. 이에 따라, 제1 및 제2 터치 전극(152e,154e)과 제1 브릿지(152b) 자체의 저항과 커패시턴스가 감소되어 RC 시정수가 감소되어 터치 감도를 향상시킬 수 있다. 또한, 제1 및 제2 터치 전극(152e,154e)과 제1 브릿지(152b) 각각의 메쉬 금속막(1542)의 선폭이 매우 얇아 메쉬 금속막(1542)으로 인해 개구율 및 투과율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에서는 터치 절연막(156)을 사이에 두고 교차하는 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152)을 포함하는 상호 용량 형태의 터치 센서를 예로 들어 설명하였지만, 이외에도 자기(Self) 정전 용량 형태의 터치 센서에도 적용될 수도 있다. 이 자가 정전 용량 형태의 다수의 터치 전극들 각각은 전기적으로 독립된 자기 정전 용량을 가지므로, 사용자의 터치에 의한 정전 용량 변화를 감지하는 자기 용량 방식의 터치 센서로 이용된다. 즉, 자가 정전 용량 형태의 다수의 터치 전극들과 접속된 라우팅 라인들(160)은 단차가 줄어든 제1 및 제2 댐(162,164)의 상부 영역과, 제1 및 제2 댐들(162,164) 사이의 트렌치 영역(166) 상에 배치된다. 이에 따라, 라우팅 라인들(160)의 단락을 방지할 수 있어 신뢰성을 개선할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 명세서에 개시된 실시 예들은 본 발명을 한정하는 것이 아니다. 본 발명의 범위는 아래의 특허청구범위에 의해 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 모든 기술도 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석해야 할 것이다.
120 : 발광 소자 140 : 봉지 유닛
142,144 : 무기 봉지층 146 : 유기 봉지층
148 : 터치 버퍼막 150 : 터치 컨택홀
152 : 터치 구동 라인 154 : 터치 센싱 라인
162,164 : 댐 192 : 블랙매트릭스
194 : 컬러 필터 196 : 터치 평탄화층

Claims (10)

  1. 기판의 액티브 영역 상에 배치되는 발광 소자와;
    상기 발광 소자 상부에 배치되는 터치 센서와;
    상기 기판의 패드 영역 상에 배치되며 상기 터치 센서와 접속되는 터치 패드와;
    상기 터치 센서와 접속되는 라우팅 라인과;
    상기 액티브 영역과 상기 패드 영역 사이에 배치되는 다수의 댐과;
    상기 다수의 댐들의 상부 영역 상에 배치되는 적어도 하나의 무기 절연층의 총 두께는 상기 다수의 댐들 사이의 트렌치 영역 상에 배치되는 상기 적어도 하나의 무기 절연층의 총 두께보다 얇은 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 댐들과 상기 라우팅 라인 사이에 배치되는 상기 적어도 하나의 무기 절연층의 총 두께는 상기 다수의 댐들 사이로 노출된 박막층과 상기 라우팅 라인 사이에 배치되는 상기 적어도 하나의 무기 절연층의 총 두께보다 얇은 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 댐들과 상기 라우팅 라인 사이에 배치되는 상기 적어도 하나의 무기 절연층의 총 개수는 상기 다수의 댐들 사이로 노출된 박막층과 상기 라우팅 라인 사이에 배치되는 상기 적어도 하나의 무기 절연층의 총 개수보다 적은 표시 장치.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 발광 소자와 터치 센서 사이에 배치되며, 다수의 무기 봉지층들과, 상기 무기 봉지층들 사이에 배치되는 적어도 1층의 유기 봉지층을 포함하는 봉지 유닛을 더 구비하며,
    상기 터치 센서는
    상기 봉지 유닛 상에 배치되는 터치 절연층과,
    상기 터치 절연층을 사이에 두고 배치되는 터치 센싱 라인 및 터치 구동 라인을 구비하며,
    상기 적어도 하나의 무기 절연층은 상기 다수의 무기 봉지층들 및 상기 터치 절연층 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 다수의 댐들과 상기 라우팅 라인 사이에는 상기 다수의 무기 봉지층 중 어느 하나의 무기 봉지층이 배치되며,
    상기 다수의 댐들 사이로 노출된 박막층과 상기 라우팅 라인 사이에는 상기 다수의 무기 봉지층들 및 상기 터치 절연층이 배치되는 표시 장치.
  6. 제 4 항에 있어서
    상기 터치 패드는
    상기 기판 상에 배치되는 터치 패드 하부 전극과;
    상기 다수의 무기 봉지층들 및 상기 터치 절연층을 관통하는 터치 컨택홀을 통해 노출된 상기 터치 패드 하부 전극과 접속되는 터치 패드 상부 전극을 구비하는 표시 장치.
  7. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 발광 소자와 터치 센서 사이에 배치되며, 다수의 무기 봉지층들과, 상기 무기 봉지층들 사이에 배치되는 적어도 1층의 유기 봉지층을 포함하는 봉지 유닛과;
    상기 봉지 유닛 상에 배치되는 터치 버퍼막을 더 구비하며,
    상기 터치 센서는
    상기 터치 버퍼막 상에 배치되는 터치 절연층과,
    상기 터치 절연층을 사이에 두고 배치되는 터치 센싱 라인 및 터치 구동 라인을 구비하며,
    상기 적어도 하나의 무기 절연층은 상기 다수의 무기 봉지층들, 상기 터치 버퍼막 및 상기 터치 절연층 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 다수의 댐들과 상기 라우팅 라인 사이에는 상기 다수의 무기 봉지층 중 적어도 하나의 무기 봉지층이 배치되며,
    상기 다수의 댐들 사이로 노출된 박막층과 상기 라우팅 라인 사이에는 상기 다수의 무기 봉지층들, 상기 터치 버퍼막 및 상기 터치 절연층이 배치되는 표시 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 터치 패드는
    상기 기판 상에 배치되는 터치 패드 하부 전극과;
    상기 터치 버퍼막 및 상기 터치 절연층을 관통하는 터치 컨택홀을 통해 노출된 상기 터치 패드 하부 전극과 접속되는 터치 패드 상부 전극을 구비하는 표시 장치.
  10. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서
    상기 다수의 댐들 사이로 노출되는 상기 박막층은 상기 발광 소자의 캐소드 전극과 전기적으로 접속되는 보조전극인 표시 장치.
KR1020180137407A 2018-11-09 2018-11-09 표시 장치 KR20200053911A (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180137407A KR20200053911A (ko) 2018-11-09 2018-11-09 표시 장치
US16/664,603 US11061505B2 (en) 2018-11-09 2019-10-25 Display device
CN201911023622.5A CN111180486A (zh) 2018-11-09 2019-10-25 显示装置
EP19208057.0A EP3651002B1 (en) 2018-11-09 2019-11-08 Display device
US17/345,974 US11392243B2 (en) 2018-11-09 2021-06-11 Display device
US17/836,949 US11809657B2 (en) 2018-11-09 2022-06-09 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180137407A KR20200053911A (ko) 2018-11-09 2018-11-09 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200053911A true KR20200053911A (ko) 2020-05-19

Family

ID=68501470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180137407A KR20200053911A (ko) 2018-11-09 2018-11-09 표시 장치

Country Status (4)

Country Link
US (3) US11061505B2 (ko)
EP (1) EP3651002B1 (ko)
KR (1) KR20200053911A (ko)
CN (1) CN111180486A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112799550A (zh) * 2021-03-04 2021-05-14 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种触控显示面板及触控显示装置

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200053911A (ko) 2018-11-09 2020-05-19 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109638049B (zh) * 2018-12-13 2021-06-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
KR20210012216A (ko) * 2019-07-24 2021-02-03 엘지디스플레이 주식회사 터치 전극들을 포함하는 디스플레이 장치
KR20210070456A (ko) * 2019-12-04 2021-06-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111240512A (zh) * 2020-01-07 2020-06-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 触控显示面板
CN113594204B (zh) * 2020-04-30 2024-04-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
US11581386B2 (en) 2020-06-24 2023-02-14 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and display device
CN111755463A (zh) * 2020-06-24 2020-10-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN113937236B (zh) * 2020-06-29 2023-04-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
KR20220064014A (ko) * 2020-11-11 2022-05-18 엘지디스플레이 주식회사 발광 소자 및 터치 전극을 포함하는 디스플레이 장치
KR20220068013A (ko) * 2020-11-18 2022-05-25 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20220069199A (ko) * 2020-11-19 2022-05-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2022244160A1 (ja) * 2021-05-19 2022-11-24 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置
KR20220170385A (ko) * 2021-06-22 2022-12-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN113644099B (zh) * 2021-07-29 2023-09-29 昆山国显光电有限公司 显示面板及其制备方法
US20230118885A1 (en) * 2021-10-18 2023-04-20 Lg Display Co., Ltd. Touch Display Device
US20230118014A1 (en) * 2021-10-18 2023-04-20 Lg Display Co., Ltd. Touch Display Device

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201142418A (en) * 2010-05-20 2011-12-01 Unidisplay Inc Touch-sensing display panel and color filter touch-sensing substrate
KR102462424B1 (ko) * 2014-12-30 2022-11-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102438247B1 (ko) 2015-09-07 2022-08-30 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102601207B1 (ko) * 2016-07-29 2023-11-13 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR101979444B1 (ko) 2016-07-29 2019-05-17 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR101834792B1 (ko) * 2016-08-31 2018-03-06 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101926527B1 (ko) * 2016-09-30 2018-12-10 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101974086B1 (ko) * 2016-09-30 2019-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시모듈
KR102632615B1 (ko) 2016-12-05 2024-02-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102671370B1 (ko) * 2016-12-06 2024-06-04 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102397900B1 (ko) 2016-12-08 2022-05-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20180074944A (ko) * 2016-12-26 2018-07-04 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시장치
KR20180076689A (ko) 2016-12-28 2018-07-06 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN106775173B (zh) 2017-02-07 2019-12-20 上海天马微电子有限公司 一种触控显示面板和触控显示装置
JP6882941B2 (ja) 2017-06-16 2021-06-02 ヒロセ電機株式会社 同軸コネクタ組立体
CN107491209B (zh) 2017-08-11 2020-10-09 上海天马微电子有限公司 触控显示装置
US10732460B1 (en) * 2018-10-19 2020-08-04 Amazon Technologies, Inc. Reflective liquid crystal displays with quantum dot color filter arrays
KR20200053911A (ko) * 2018-11-09 2020-05-19 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112799550A (zh) * 2021-03-04 2021-05-14 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种触控显示面板及触控显示装置
CN112799550B (zh) * 2021-03-04 2024-04-09 武汉天马微电子有限公司 一种触控显示面板及触控显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN111180486A (zh) 2020-05-19
EP3651002A1 (en) 2020-05-13
US20200150847A1 (en) 2020-05-14
US11061505B2 (en) 2021-07-13
US11392243B2 (en) 2022-07-19
EP3651002B1 (en) 2023-06-28
US20220300138A1 (en) 2022-09-22
US11809657B2 (en) 2023-11-07
US20210303125A1 (en) 2021-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7502399B2 (ja) 表示装置
JP6679655B2 (ja) 表示装置
US11392243B2 (en) Display device
TWI711178B (zh) 具有觸摸感測器的有機發光顯示器
KR101866395B1 (ko) 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치
KR20180124326A (ko) 표시 장치
KR20180120387A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20180124607A (ko) 표시 장치
KR20180124613A (ko) 표시 장치
KR102482494B1 (ko) 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치
KR102402430B1 (ko) 표시 장치
KR102508331B1 (ko) 표시 장치
KR102241446B1 (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)