CN114512514A - 显示面板以及电子设备 - Google Patents

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CN114512514A CN202111310890.2A CN202111310890A CN114512514A CN 114512514 A CN114512514 A CN 114512514A CN 202111310890 A CN202111310890 A CN 202111310890A CN 114512514 A CN114512514 A CN 114512514A
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layer
display panel
light emitting
substrate
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李元世
朴玉京
金修京
张东玄
全裕珍
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

本发明的一实施例公开一种显示面板和包括其的电子设备，显示面板包括：基板；发光二极管，位于基板上，并配置于透过区域周边；第一绝缘层，介于基板与发光二极管之间，并包括重叠于透过区域的开口；封装基板，覆盖发光二极管；填充层，介于基板与封装基板之间，并位于透过区域；以及第二绝缘层，位于第一绝缘层上，并包括重叠于填充层的凹槽。

Description

显示面板以及电子设备
技术领域
本发明的实施例涉及显示面板以及包括显示面板的电子设备。
背景技术
近来显示面板的用途变得多样。另外，趋势是显示面板的厚度变薄，且重量轻，其使用的范围变广泛。
在扩大显示面板中的显示区域占据的面积的同时，在显示面板接入或连接的各种功能在增加。作为用于在扩大面积的同时附加各种功能的方案，用于在显示区域中的一部分附加显示图像的功能之外的功能的研究持续进行。
发明内容
本发明的实施例公开一种具有配置于显示区域的内侧的至少一个透过区域的显示面板以及电子设备。
本发明的一实施例公开一种显示面板，包括：基板；发光二极管，位于所述基板上，并配置于透过区域周边；第一绝缘层，介于所述基板与所述发光二极管之间，并包括重叠于透过区域的开口；封装基板，覆盖所述发光二极管；填充层，介于所述基板与所述封装基板之间，并位于所述透过区域；以及第二绝缘层，位于所述第一绝缘层上，并包括重叠于所述填充层的凹槽。
可以是，所述第二绝缘层包括有机绝缘层，所述凹槽的深度小于所述第二绝缘层的厚度。
可以是，所述显示面板还包括数据线，所述数据线电连接于所述发光二极管，所述数据线中的至少任一个包括迂回所述透过区域周边的迂回部分，所述迂回部分位于所述凹槽之下。
可以是，所述显示面板还包括导电层，所述导电层重叠于所述迂回部分，所述凹槽重叠于所述导电层。
可以是，所述基板以及所述封装基板中的至少任一个与所述填充层的折射率的差为0.4或小于0.4。
可以是，所述填充层包含硅类粘合物质。
可以是，各个所述发光二极管包括：第一电极；所述第一电极上的中间层；以及整体覆盖所述发光二极管的第二电极的一部分。
可以是，所述显示面板还包括上部绝缘层，所述上部绝缘层覆盖各个所述发光二极管的所述第一电极的边缘，所述上部绝缘层包括：重叠于所述第一电极的第一开口；以及重叠于所述透过区域的第二开口，界定所述第二开口的所述上部绝缘层的边缘设置为比所述凹槽更靠近所述发光二极管。
可以是，所述显示面板还包括辅助隔壁，所述辅助隔壁配置于所述第二绝缘层的所述凹槽的两侧。
可以是，所述辅助隔壁包含与所述上部绝缘层相同的物质。
本发明的一实施例公开一种电子设备，包括：显示面板，包括透过区域以及围绕所述透过区域的显示区域；以及组件，配置于所述显示面板之下，并位于所述透过区域，所述显示面板包括：基板；发光二极管，位于所述基板上，并配置于透过区域周边；第一绝缘层，介于所述基板与所述发光二极管之间，并包括重叠于透过区域的开口；封装基板，覆盖所述发光二极管；填充层，介于所述基板与所述封装基板之间，并位于所述透过区域；以及第二绝缘层，位于所述第一绝缘层上，并包括重叠于所述填充层的凹槽。
可以是，所述凹槽的深度小于所述第二绝缘层的厚度。
可以是，所述显示面板还包括数据线，所述数据线电连接于所述发光二极管，所述数据线中的至少任一个包括迂回所述透过区域周边的迂回部分，所述迂回部分位于所述凹槽之下。
可以是，所述显示面板还包括导电层，所述导电层重叠于所述迂回部分，所述凹槽重叠于所述导电层。
可以是，所述填充层包含硅类粘合物质。
可以是，各个所述发光二极管包括：第一电极；所述第一电极上的中间层；以及整体覆盖所述发光二极管的第二电极的一部分，所述显示面板还包括上部绝缘层，所述上部绝缘层覆盖各个所述发光二极管的第一电极的边缘。
可以是，所述显示面板还包括辅助隔壁，所述辅助隔壁配置于所述第二绝缘层的所述凹槽的两侧。
可以是，所述上部绝缘层包括重叠于所述透过区域的第二开口，界定所述第二开口的所述上部绝缘层的边缘比所述辅助隔壁更靠近于所述显示区域。
可以是，所述凹槽以及所述辅助隔壁在平面上是围绕所述透过区域的闭环形状。
可以是，所述组件包括传感器或照相机。
前述之外的其它侧面、特征、优点通过以下的附图、权利要求范围以及发明的详细内容将变得明确。
附图说明
图1是简要示出根据本发明的一实施例的电子设备的立体图。
图2是简略示出根据一实施例的显示面板的截面图，是沿着图1的I-I’线的截面图。
图3是简要示出根据本发明的一实施例的显示面板的平面图。
图4示出连接于显示面板的任一个发光二极管的等效电路。
图5是示出根据本发明的一实施例的显示面板的一部分的平面图。
图6是简要示出根据本发明的一实施例的显示面板的截面图。
图7是放大图6的中间区域的一部分的截面图。
图8是简要示出根据本发明的一实施例的显示面板的截面图。
图9是示出图8的填充层、凹槽以及辅助隔壁的平面图。
具体实施方式
本发明可以施加各种变换，可以具有多种实施例，将特定实施例例示于附图并在详细的说明中进行详细说明。若参照与附图一起详细后述的实施例，则本发明的效果及特征以及实现它们的方法将变得明确。但是，本发明不限于以下公开的实施例，可以以多种形式实现。
以下，将参照所附的附图详细地说明本发明的实施例，当参照附图进行说明时，相同或对应的构成要件将赋予相同的附图标记，并省略对此的重复说明。
在以下的实施例中，第一、第二等的用语不是限定性的含义，而是以将一个构成要件与其它构成要件区分开的目的使用。
在以下的实施例中，除非上下文另外明确指出，否则单数的表达包括复数的表达。
在以下的实施例中，包括或具有等的用语意指存在说明书中记载的特征或构成要件，并不预先排除一个以上的其他特征或构成要件被附加的可能性。
在以下的实施例中，当说到膜、区域、构成要件等的部分在其它部分之上或上时，不仅包括直接在其它部分之上的情况，也包括其中间介入有其它膜、区域、构成要件等的情况。
在附图中，为了便于说明，可以放大或缩小构成要件的尺寸。例如，附图中示出的各结构的尺寸以及厚度为了便于说明而任意示出，因此本发明不必然受限于图示那样。
在某实施例可以不同地实现的情况下，特定的工艺顺序也可以与说明的顺序不同地执行。例如，连续说明的两工艺也可以实质上同时执行，可以以与说明的顺序相反的顺序进行。
在以下的实施例中，当说到膜、区域、构成要件等连接时，不仅包括膜、区域、构成要件直接连接的情况，而且也包括在膜、区域、构成要件中间介入有其它膜、区域、构成要件而间接连接的情况。例如，在本说明书中，当说到膜、区域、构成要件等电连接时，不仅包括膜、区域、构成要件等直接电连接的情况，而且也包括在其中间介入有其它膜、区域、构成要件等而间接电连接的情况。
在本说明书中，“A以及/或B”表示A、或B、或A和B的情况。在本说明书中，“A以及B中的至少一个”表示A、或B、或A和B的情况。
图1是简要示出根据本发明的一实施例的电子设备的立体图。
参照图1，电子设备1作为显示视频或静止图像的装置，可以不仅使用为移动电话(mobile phone)、智能电话(smart phone)、平板个人计算机(tablet personalcomputer)、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP，portablemultimedia player)、导航系统、超移动个人计算机(UMPC，Ultra Mobile PC)等之类的携带用电子设备的显示画面，还可以使用为电视、笔记本计算机、显示器、广告牌、物联网(internet of things，IOT)设备等各种产品的显示画面。另外，根据一实施例的电子设备1可以使用于智能手表(smart watch)、手表电话(watch phone)、眼镜型显示器以及头戴式显示器(head mounted display，HMD)之类的可穿戴装置(wearable device)。另外，根据一实施例的电子设备1可以使用为配置于汽车的仪表板以及汽车的中央仪表板(centerfascia)或仪表盘的中央信息显示器(CID，Center Information Display)、代替汽车的侧视镜的车内镜显示器(room mirror display)、作为汽车的后排座椅的娱乐而配置于前排座椅的背面的显示器。在图1中，为了便于说明，示出根据一实施例的电子设备1使用为智能电话。
电子设备1可以在平面上以矩形形态构成。例如，如图1那样，电子设备1可以具有包括x方向的短边和y方向的长边的矩形的平面形态。x方向的短边和y方向的长边相交的角部可以圆圆地形成以具有预定的曲率或形成为直角。电子设备1的平面形态不限于矩形，可以形成为其它多边形、椭圆形或不规则形状。
电子设备1可以包括透过区域TA(或第一区域)以及至少部分地围绕透过区域TA的显示区域DA(或第二区域)。电子设备1可以包括作为位于透过区域TA与显示区域DA之间的第三区域的中间区域MA，以及显示区域DA的外侧，例如围绕显示区域DA的外围区域PA(或第四区域)。
透过区域TA可以位于显示区域DA的内侧。在一实施例中，如图1所示，透过区域TA可以配置于显示区域DA的上侧中间。另外，透过区域TA可以被配置为如配置于显示区域DA的左上侧或配置于显示区域DA的右上侧那样的各种配置。在本说明书的平面图上，“左”、“右”、“上”、“下”指从电子设备1的垂直方向观察电子设备1时的方向。例如，“左”指-x方向，“右”指+x方向，“上”指+y方向，“下”指-y方向。在图1中示出配置了一个透过区域TA，但是作为另一实施例，透过区域TA可以具备为多个。
图2是简略示出根据一实施例的显示面板的截面图，是沿着图1的I-I’线的截面图。
参照图2，电子设备1可以包括显示面板10以及配置于显示面板10的透过区域TA的组件70。显示面板10以及组件70可以容纳于壳体HS。
显示面板10可以包括图像生成层20、输入感测层40、光学功能层50以及覆盖窗60。
图像生成层20可以包括为了显示图像而发出光的显示要件(或发光要件)。显示要件可以包括发光二极管，例如，包括有机发光层的有机发光二极管。作为另一实施例，发光二极管可以是包含无机物的无机发光二极管。无机发光二极管可以包括包含基于无机物半导体的材料的PN结二极管。若向正方向将电压施加于PN结二极管，则可以注入空穴和电子，将通过该空穴和电子的再复合而产生的能量转换为光能，从而发出预定的色相的光。前述的无机发光二极管可以具有几～几百微米或者几～几百纳米的宽度。在一部分实施例中，图像生成层20可以包括量子点发光二极管。例如，图像生成层20的发光层可以包含有机物，或者包含无机物，或者包含量子点，或者包含有机物和量子点，或者包含无机物和量子点。
输入感测层40可以获得根据外部的输入，例如触摸事件的坐标信息。输入感测层40可以包括感测电极(sensing electrode或者touch electrode(触摸电极))以及与感测电极连接的信号线(trace line)。输入感测层40可以配置于图像生成层20上。输入感测层40可以通过互容方式以及/或自容方式感测外部输入。
输入感测层40可以在图像生成层20上直接形成，或者单独形成后通过光学透明粘合剂之类的粘合层结合。例如，输入感测层40可以在形成图像生成层20的工艺之后连续形成，在这种情况下，粘合层可以不介于输入感测层40与图像生成层20之间。在图2中示出输入感测层40介于图像生成层20与光学功能层50之间，但是作为另一实施例，输入感测层40可以配置于光学功能层50上。
光学功能层50可以包括反射防止层。反射防止层能够减小通过覆盖窗60从外部朝向显示面板10入射的光(外部光)的反射率。反射防止层可以包括相位延迟器(retarder)以及偏光器(polarizer)。相位延迟器可以是膜型或液晶涂层型。偏光器也可以是膜型或液晶涂层型。可以是，膜型的偏光器包括延伸型合成树脂膜，液晶涂层型的偏光器包括以预定的排列排列的液晶。在光学功能层50包括偏光器的情况下，为了提升透过区域TA的透过率，光学功能层50可以包括开口50OP。
作为另一实施例，反射防止层可以包括黑色矩阵和滤色器。滤色器可以考虑从图像生成层20的各个发光二极管发出的光的色相而进行排列。作为又另一实施例，反射防止层可以包括相消干涉结构物。相消干涉结构物可以包括配置于彼此不同的层上的第一反射层和第二反射层。从第一反射层以及第二反射层分别反射的第一反射光和第二反射光可以相消干涉，由此能够减小外部光反射率。
覆盖窗60可以配置于光学功能层50上。覆盖窗60可以通过介于与光学功能层50之间的光学透明粘合剂(OCA,optical clear adhesive)之类的粘合层结合。覆盖窗60可以包含玻璃材料或塑料材料。玻璃材料可以包括超薄型玻璃(Ultra-thin glass)。塑料材料可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚对萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素等。
透过区域TA可以是设置用于向电子设备1附加各种功能的组件70的一种组件区域(例如，传感器区域、照相机区域、扬声器区域等)。
组件70可以包括电子要件。例如，组件70可以是利用光或声响的电子要件。例如，电子要件可以包括如红外线传感器那样利用光的传感器、接收光而拍摄图像的照相机、输出并感测光或声响而测定距离或识别指纹等的传感器、输出光的小型灯或者输出声音的扬声器等。利用光的电子要件可以利用可见光、红外光、紫外光等之类各种波长带的光。透过区域TA相当于从组件70向外部输出或从外部朝向电子要件行进的光以及/或声响可以透过的区域。
图3是简要示出根据本发明的一实施例的显示面板的平面图，图4示出连接于显示面板的任一个发光二极管的等效电路。
参照图3，显示面板10可以包括透过区域TA、显示区域DA、中间区域MA以及外围区域PA。可以是，显示面板10可以包括配置于显示区域DA的多个子像素P，显示面板10利用从各子像素P发出的光显示图像。各子像素P包括可以发光的发光二极管。
如图4所示，各子像素P的发光二极管可以包括有机发光二极管OLED，各有机发光二极管OLED可以电连接于子像素电路PC。图4示出发光二极管包括有机发光二极管OLED，但是作为另一实施例，如前面说明的那样，显示面板10可以包括前面说明的无机发光二极管来代替有机发光二极管OLED。
子像素电路PC可以包括用于相应的有机发光二极管OLED的动作的晶体管以及电容器。例如，子像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2以及存储电容器Cst。
第二薄膜晶体管T2作为开关薄膜晶体管，可以连接于扫描线SL以及数据线DL，并根据从扫描线SL输入的开关电压，将从数据线DL输入的数据电压传输至第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst可以连接于第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并存储相当于从第二薄膜晶体管T2接收的电压与供应于驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD的差的电压。
第一薄膜晶体管T1作为驱动薄膜晶体管，可以连接于驱动电压线PL和存储电容器Cst，并对应于存储于存储电容器Cst的电压值，控制从驱动电压线PL向有机发光二极管OLED流动的驱动电流。有机发光二极管OLED可以通过驱动电流发出具有预定的亮度的光。有机发光二极管OLED的第二电极(例如，阴极)可以接收第二电源电压ELVSS的供应。
图4说明子像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是本发明不限于此。薄膜晶体管的数量以及存储电容器的数量可以根据子像素电路PC的设计进行各种变更。
再次参照图3，中间区域MA可以围绕透过区域TA。中间区域MA作为未配置发出光的有机发光二极管OLED之类的显示要件的区域，在中间区域MA可以经过将信号提供于设置在透过区域TA周边的子像素P的信号线。例如，数据线DL以及/或扫描线SL横穿显示区域DA，数据线DL以及/或扫描线SL的一部分可以沿着透过区域TA的边缘在中间区域MA进行迂回。作为一实施例，图3示出数据线DL沿着y方向横穿显示区域DA，一部分数据线DL在中间区域MA进行迂回以便部分环绕透过区域TA。扫描线SL可以沿着x方向横穿显示区域DA，将透过区域TA置于之间而相互隔开。
在外围区域PA可以配置将扫描信号提供于各子像素P的扫描驱动器2100、将数据信号提供于各子像素P的数据驱动器2200以及用于提供第一电源电压ELVDD(图4)以及第二电源电压ELVSS(图4)的第一主电源布线(未图示)以及第二主电源布线(未图示)。扫描驱动器2100可以将显示区域DA置于之间并分别配置于两侧。在这种情况下，可以是，以透过区域TA为中心配置于左侧的子像素P连接于配置于左侧的扫描驱动器2100，以透过区域TA为中心配置于右侧的子像素P连接于配置于右侧的扫描驱动器2100。
在图3中示出数据驱动器2200相邻配置于基板100的一侧，但是根据另一实施例，数据驱动器2200可以配置于与配置于显示面板10的一侧的焊盘电接通的电路基板(printed circuit board)上。电路基板可以具有柔性，电路基板的一部分可以弯曲并位于基板100的背面之下。
图5是示出根据本发明的一实施例的显示面板的一部分的平面图。
参照图5，可以是，子像素P配置于显示区域DA，在透过区域TA与显示区域DA之间设置中间区域MA。与透过区域TA相邻的子像素P可以在平面上以透过区域TA为中心相互隔开配置。如图5的平面所示，子像素P可以以透过区域TA为中心向上下隔开配置，或者以透过区域TA为中心向左右隔开配置。如前面参照图3和图4说明的那样，各子像素P利用从发光二极管发出的红色、绿色、蓝色的光，因此图4所示的子像素P的位置相当于各个发光二极管的位置。因此，子像素P在平面上以透过区域TA为中心相互隔开配置可以表示发光二极管在平面上以透过区域TA为中心相互隔开配置。例如，在平面上，发光二极管可以以透过区域TA为中心向上下隔开配置，或者以透过区域TA为中心向左右隔开配置。
向与各子像素P的发光二极管连接的子像素电路PC供应信号的信号线中，与透过区域TA相邻的信号线可以迂回透过区域TA。经过显示区域DA的数据线DL中，一部分数据线DL可以向±y方向延伸以便将数据信号提供于将透过区域TA置于之间并分别配置于上和下的子像素P，并在中间区域MA沿着透过区域TA的边缘迂回。例如，数据线DL中，第一数据线DL1和第二数据线DL2分别经过显示区域DA，并包括沿着y方向延伸的延伸部分DL1-S、DL2-S。第一数据线DL1的延伸部分DL1-S可以将透过区域TA置于之间并相互隔开，并通过在中间区域MA迂回透过区域TA的迂回部分DL1-C电连接。通过贯通介于延伸部分DL1-S与迂回部分DL1-C之间的绝缘层的接触孔CT，迂回部分DL1-C可以与延伸部分DL1-S电连接。同样地，第二数据线DL2的延伸部分DL2-S可以将透过区域TA置于之间并相互隔开，并通过在中间区域MA迂回透过区域TA的迂回部分DL2-C电连接。通过贯通介于延伸部分DL2-S与迂回部分DL2-C之间的绝缘层的接触孔CT，迂回部分DL2-C可以与延伸部分DL2-S电连接。
扫描线SL可以以透过区域TA为中心分离或断开，以透过区域TA为中心配置于左侧的扫描线SL可以如前面参照图3说明的那样从以显示区域DA为中心配置于左侧的扫描驱动器2100接收信号，配置于透过区域TA的右侧的扫描线SL可以从图3所示的显示区域DA的右侧扫描驱动器2100接收信号。
在透过区域TA可以配置填充层FL。填充层FL可以包含硅类粘合物质之类的透明的物质。填充层FL可以形成为整体覆盖透过区域TA。作为一实施例，在透过区域TA为圆的形状(例如，圆形或椭圆形)的情况下，填充层FL也可以具有圆的形状(例如，圆形或椭圆形)。填充层FL可以具有大于透过区域TA的尺寸，填充层FL的外侧部分可以位于中间区域MA。填充层FL以孤立的形状(isolated shape)不存在于显示区域DA。填充层FL的边缘(外围边缘)可以比中间区域MA的边缘相邻于透过区域TA。
填充层FL可以涂敷前述的硅类物质并进行热硬化而形成。在填充层FL的涂覆工艺时，构成填充层FL的物质可以具有一定的流动性，为了控制前述的物质的流动，在中间区域MA可以形成凹槽GV。与此相关，图5示出多个凹槽GV。各凹槽GV可以在平面上构成围绕透过区域TA的闭环形状。可以是，凹槽VG相互隔开配置，相邻于透过区域TA的凹槽GV具有比远离透过区域TA的凹槽GV小的直径。
图6作为简要示出根据本发明的一实施例的显示面板的截面图，是沿着图5的V-V’线的截面图。为了便于说明，图6省略显示面板10中的输入感测层40、光学功能层50以及覆盖窗60，并示出图像生成层20。图像生成层20包括配置于基板100上以对应于显示区域DA的发光二极管，与此相关，图6示出发光二极管包括有机发光二极管OLED。
可以是，图像生成层20包括基板100和封装基板300，在基板100与封装基板300之间包括包含子像素电路PC、有机发光二极管OLED以及凹槽GV之类的结构的电路-显示要件层200。
观察图6的显示区域DA，可以是，在基板100上配置子像素电路PC在子像素电路PC上配置有机发光二极管OLED。
基板100可以包含玻璃材料。或者，基板100可以包含聚合物树脂。例如，聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚对萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素等。
缓冲层201可以配置于基板100的上面上。缓冲层201能够防止杂质渗透至薄膜晶体管TFT的半导体层Act。缓冲层201可以包含氮化硅、氮氧化硅以及氧化硅之类的无机绝缘物，可以是包含前述的无机绝缘物的单层或多层。
子像素电路PC可以配置于缓冲层201上。子像素电路PC包括薄膜晶体管TFT以及存储电容器Cst。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅极电极GE、源极电极SE、漏极电极DE。图6示出了栅极电极GE将第一绝缘层203置于中间并配置于半导体层Act上的顶栅型，但是根据另一实施例，薄膜晶体管TFT可以是底栅型。
半导体层Act可以包含多晶硅。或者，半导体层Act可以包含非晶(amorphous)硅，或者包含氧化物半导体，或者包含有机半导体等。栅极电极GE可以包含低电阻金属物质。栅极电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，并可以形成为包含上述的材料的多层或单层。
半导体层Act和栅极电极GE之间的第一绝缘层203可以包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽以及氧化铪等之类的无机绝缘物。第一绝缘层203可以是包含前述的物质的单层或多层。
源极电极SE以及漏极电极DE可以配置于第三绝缘层207上，并分别电连接于半导体层Act的源极区域以及漏极区域。源极电极SE以及漏极电极DE可以包含导电性好的材料。源极电极SE以及漏极电极DE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，并可以形成为包含上述的材料的多层或单层。作为一实施例，源极电极SE以及漏极电极DE可以形成为钛层、铝层以及钛层(Ti/Al/Ti)的多层结构。
存储电容器Cst可以包括将第二绝缘层205置于之间并重叠的下部电极CE1和上部电极CE2。存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT重叠。与此相关，图6示出薄膜晶体管TFT的栅极电极GE为存储电容器Cst的下部电极CE1。作为另一实施例，可以是，存储电容器Cst不与薄膜晶体管TFT重叠，薄膜晶体管TFT的栅极电极GE和存储电容器Cst的下部电极CE1分别单独形成。存储电容器Cst可以被第三绝缘层207覆盖。
存储电容器Cst的下部电极CE1以及/或上部电极CE2可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，并可以形成为包含上述的材料的多层或单层。
第二绝缘层205以及第三绝缘层207可以包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽以及氧化铪等之类的无机绝缘物。第二绝缘层205以及第三绝缘层207可以是包含前述的物质的单层或多层。或者，第二绝缘层205以及第三绝缘层207可以包含聚酰亚胺之类的有机绝缘物。
包括薄膜晶体管TFT以及存储电容器Cst的子像素电路PC可以被前述的子像素电路PC与后述的第一电极221之间的第四绝缘层209覆盖。第四绝缘层209可以包括上面大致平坦的面。第四绝缘层209可以包含有机绝缘物。有机绝缘物可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA；polymethylmethacrylate)或聚苯乙烯(PS；polystyrene)之类的一般通用聚合物、具有酚基基团的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物以及它们的混合物等。
在子像素电路PC上配置第一电极221。第一电极221可以配置于第四绝缘层209上。第一电极221可以以孤立的形状配置在各子像素P，可以通过贯通第四绝缘层209的接触孔209CT与子像素电路PC电连接。
第一电极221可以包含氧化铟锡(ITO；Indium Tin Oxide)、氧化铟锌(IZO；IndiumZinc Oxide)、氧化锌(ZnO；zinc oxide)、氧化铟(In2O3；indium oxide)、氧化铟镓(IGO；indium gallium oxide)或氧化铝锌(AZO；aluminum zinc oxide)之类的导电性氧化物。作为另一实施例，第一电极221可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物的反射膜。作为另一实施例，第一电极221可以在前述的反射膜之上/之下还包括由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。作为一实施例，第一电极221可以包括ITO/Ag/ITO的三层结构。
在第一电极221上可以形成上部绝缘层215。上部绝缘层215可以包括重叠于第一电极221的第一开口215OP1，并覆盖第一电极221的边缘。上部绝缘层215可以通过第一开口215OP1界定子像素P。开口215OP的尺寸可以相当于发光的区域的尺寸以及/或子像素P的尺寸。例如，暴露第一电极221的上面的第一开口215OP1的宽度可以相当于光发出的发光区域的宽度或者子像素P的宽度。
上部绝缘层215可以包含有机绝缘物。例如，上部绝缘层215可以包含聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA；polymethylmethacrylate)或聚苯乙烯(PS；polystyrene)之类的一般通用聚合物、具有酚基基团的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物以及它们的混合物之类的有机绝缘物。
间隔物217可以形成在上部绝缘层215上。间隔物217可以包括有机绝缘物。作为一实施例，间隔物217可以包含与上部绝缘层215相同的物质，并在相同的掩模工艺中一起形成。
中间层222包括发光层222b。发光层222b可以包含发出预定的色相的光的聚合物或低分子有机物。中间层222可以包括功能层。功能层可以包括配置于发光层222b之下的第一功能层222a以及/或配置于发光层222b之上的第二功能层222c。
第一功能层222a可以是单层或多层。例如，第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL:Hole Injection Layer)以及/或空穴传输层(HTL:Hole Transport Layer)。
第二功能层222c可以是单层或多层。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL:Electron Transport Layer)以及/或电子注入层(EIL:Electron Injection Layer)。
在中间层222中包括的至少一个有机物层222o，例如第一功能层222a以及/或第二功能层222c可以形成为整体覆盖显示区域DA。在显示区域DA，根据相应的子像素P的颜色，彼此不同的颜色的发光层222b可以相互隔开配置，但是第一功能层222a以及/或第二功能层222c可以形成为整体覆盖显示区域DA。第一功能层222a以及第二功能层222c各自可以在配置于显示区域DA的多个子像素P中共享。
第二电极223可以由功函数低的导电性物质构成。例如，第二电极223可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的合金等的透明层或半透明层。或者，第二电极223可以在包含前述的物质的层上还包括ITO、IZO、ZnO或In2O3之类的层。作为一实施例，第二电极223可以包含银(Ag)以及镁(Mg)。第二电极223可以形成为整体覆盖显示区域DA。例如，第二电极223可以一体地形成为整体覆盖配置于显示区域DA的第一电极221。
包括第一电极221、中间层222以及第二电极223的有机发光二极管OLED被封装基板300覆盖。封装基板300可以包含玻璃材料。或者，封装基板300可以包含聚合物树脂。
观察图6的透过区域TA，沿着z方向(或垂直于基板100的上面的方向)，在基板100与封装基板300之间可以配置填充层FL。
基板100上的绝缘层，例如缓冲层201、第一绝缘层至第四绝缘层203、205、207、209可以分别包括重叠于透过区域TA的开口203OP、205OP、207OP、209OP，填充层FL可以直接接触于基板100以及封装基板300。缓冲层201、第一绝缘层203、第二绝缘层205、第三绝缘层207以及第四绝缘层209各自的开口201OP、203OP、205OP、207OP、209OP可以具有彼此不同的尺寸。作为一实施例，图6示出第一绝缘层至第三绝缘层203、205、207的开口203OP、205OP、207OP大于缓冲层201的开口201OP，并小于第四绝缘层209的开口209OP。作为一实施例，透过区域TA的尺寸可以界定为前述的绝缘层的开口中的小尺寸的开口，例如缓冲层201的开口201OP的尺寸，但是本发明不限于此。透过区域TA的尺寸可以通过其他绝缘层的尺寸界定。
可以是，基板100和封装基板300配置为基板100的上面100a与封装基板300的下面300b彼此面对，填充层FL直接接触于基板100的上面100a以及封装基板300的下面300b。填充层FL可以包含透明的物质，例如硅类粘合剂之类的物质。
填充层FL可以包含填充层FL的折射率与基板100以及/或封装基板300的折射率的差为约0.4以下的物质。在一部分实施例中，填充层FL的折射率与基板100以及/或封装基板300的折射率的差可以为约0.3以下(或约0.2以下)。例如，基板100以及/或封装基板300的折射率可以为约1.5，填充层FL的折射率可以为约1.4。
在填充层FL的折射率满足前述的范围的情况下，能够防止入射于在基板100的下面100b上配置的组件70或者从组件70发出的光由于基板100与填充层FL之间的折射率的差以及/或封装基板300与填充层FL之间的折射率的差而失真。作为一部分实施例，在组件70包括照相机的情况下，具有照相机要拍摄的外部物体信息的外部光经过透过区域TA。例如，外部光从封装基板300的上面300a朝向基板100的下面100b行进，在未设置填充层FL的情况下，例如，在空气介于基板100与封装基板300之间的情况下，外部光由于基板100与空气之间的折射率的差以及封装基板300与空气之间的折射率的差而被折射，使得到达照相机的光具有失真的物体信息。但是，根据本发明的实施例，通过配置填充层FL，能够防止前述的问题。
如前面提及的那样，填充层FL可以在涂敷形成填充层FL的物质后通过退火工艺进行热固化。热固化之前的物质可以具有一定的流动性，为了防止前述的物质行进至显示区域DA，在中间区域MA可以配置凹槽GV。
凹槽GV可以形成于第四绝缘层209。介于子像素电路PC与有机发光二极管OLED的第一电极221之间的第四绝缘层209的一部分可以朝向透过区域TA延伸，位于中间区域MA的第四绝缘层209的一部分可以包括凹槽GV。凹槽GV可以在形成接触孔209CT的工艺中一起形成。作为一实施例，可以将形成第四绝缘层209的物质整体形成在基板100上后，进行曝光以及显影，从而形成接触孔209CT以及凹槽GV。此时，曝光可以利用包括半色调区域、全色调区域以及开口区域的掩模。
由于第四绝缘层209的接触孔209CT通过前述的掩模的开口区域曝光，可以沿着厚度方向(z方向)贯通第四绝缘层209而形成。相反地，由于第四绝缘层209的凹槽GV通过前述的掩模的半色调区域曝光，可以在沿着厚度方向(z方向)仅去除第四绝缘层209的一部分的同时形成。凹槽GV的深度可以小于第四绝缘层209的厚度。
前述的凹槽GV没有被上部绝缘层215覆盖。例如，上部绝缘层215可以具有重叠于透过区域TA的第二开口215OP2。上部绝缘层215的第二开口215OP2可以大于第四绝缘层209的开口209OP。因此，在界定上部绝缘层215的第二开口215OP2的上部绝缘层215的边缘215E与界定第四绝缘层209的开口209OP的第四绝缘层209的边缘209E之间可以设置后述的凹槽GV。换句话说，可以是，界定第二开口215OP2的上部绝缘层215的边缘215E设置为比凹槽GV以及第四绝缘层209的边缘209E更靠近于显示区域DA，第四绝缘层209的边缘209E设置为比凹槽GV更靠近于透过区域TA。
通过凹槽GV的凹凸结构，在形成填充层FL的物质的涂敷时，能够控制前述的物质朝向显示区域DA扩散，因此，能够在显示面板的制造工艺时容易地控制填充层FL的位置。凹槽GV可以重叠于填充层FL。作为一实施例，图6示出所有凹槽GV通过填充层FL重叠。
位于最相邻于透过区域TA以及中间区域MA的第一开口215OP1与上部绝缘层215的第二开口215OP2之间的上部绝缘层215的一部分215PW可以与前述的凹槽GV一起控制形成填充层FL的物质的流动。上部绝缘层215的一部分215PW可以在平面上具有整体围绕透过区域TA的形状，可以是防止通过凹槽GV速度减慢的形成填充层FL的物质向显示区域DA行进的一种隔壁。与此相关，图6示出填充层FL的边缘FL-E配置为比上部绝缘层215的一部分215PW靠近于透过区域TA。例如，填充层FL的边缘FL-E可以位于上部绝缘层215的边缘215E与任一个凹槽GV之间。作为一部分实施例，在前述的上部绝缘层215的一部分215PW上可以配置虚设发光层222d。
为了确保在透过区域TA中的透过率，第一功能层222a、第二功能层222c以及第二电极223可以包括重叠于透过区域TA的开口222aOP、222cOP、223OP。作为一实施例，开口222aOP、222cOP、223OP的尺寸可以小于第四绝缘层209的开口209OP的尺寸。作为一部分实施例，如图6所示，界定开口222aOP、222cOP、223OP的第一功能层222a、第二功能层222c以及第二电极223各自的边缘可以位于第三绝缘层207上，第一功能层222a、第二功能层222c以及第二电极223可以与凹槽GV重叠。
在凹槽GV下方可以配置迂回透过区域TA的周边的布线。前述的迂回布线可以位于中间区域MA。例如，如图6所示，第一数据线DL1的迂回部分DL1-C以及第二数据线DL2的迂回部分DL2-C可以位于中间区域MA，并位于凹槽GV之下。在凹槽GV与迂回部分DL1-C、DL2-C之间可以配置导电层CML。
图7是放大图6的中间区域的一部分的截面图。
相邻配置的第一数据线DL1的迂回部分DL1-C以及第二数据线DL2的迂回部分DL2-C可以配置于彼此不同的层上。第一数据线DL1的迂回部分DL1-C可以配置于第一绝缘层203上，第二数据线DL2的迂回部分DL2-C可以配置于第二绝缘层205上。第一数据线DL1的迂回部分DL1-C可以包含与前面参照图6说明的栅极电极GE以及/或下部电极CE1相同的物质，第二数据线DL2的迂回部分DL2-C可以包含与参照图6说明的上部电极CE2相同的物质。在第一数据线DL1的迂回部分DL1-C以及第二数据线DL2的迂回部分DL2-C交替地配置于彼此不同的层上的情况下，能够减小迂回部分DL1-C、DL2-C之间的间隔IS。
由于迂回部分DL1-C、DL2-C分别是传输彼此不同的数据信号的第一数据线DL1以及第二数据线DL2的一部分，在迂回部分DL1-C、DL2-C之间的间隔IS窄的情况下，可能有在它们之间产生寄生电容的问题。但是，根据本发明的一实施例，由于导电层CML配置于迂回部分DL1-C、DL2-C上，能够防止前述的问题。
导电层CML可以在第三绝缘层207上重叠于迂回部分DL1-C、DL2-C。例如，导电层CML可以覆盖迂回部分DL1-C、DL2-C。导电层CML可以包含与参照图6说明的源极电极SE或漏极电极DE相同的物质。导电层CML可以具有能够覆盖多个迂回部分DL1-C、DL2-C的宽度。导电层CML可以具有恒电压的电压电平，例如与参照图4说明的驱动电压线PL相同的电压电平(例如，ELVDD)。
凹槽GV可以形成于导电层CML上的第四绝缘层209。凹槽GV可以重叠于导电层CML。凹槽GV的底面可以从导电层CML的上面沿着z方向隔开。例如，凹槽GV的底面可以从导电层CML的上面隔开第一距离H1，第一距离H1小于导电层CML的上面与第四绝缘层209的上面之间的第二距离H2。由于凹槽GV为不贯通第四绝缘层209的一种盲孔的形状，凹槽GV的深度d可以小于第二距离H2。
可以是，凹槽GV相互隔开，任一个凹槽GV位于相邻的两个迂回部分DL1-C、DL2-C之间。
作为一部分实施例，在凹槽GV与填充层FL之间可以配置第一功能层222a、第二功能层222c以及第二电极223。第一功能层222a、第二功能层222c以及第二电极223可以覆盖凹槽GV，但是凹槽GV具有大于第一功能层222a、第二功能层222c以及第二电极223的厚度之和的深度d。因此，填充层FL的一部分可以填充凹槽GV的至少一部分。作为另一实施例，在凹槽GV与填充层FL之间可以不存在第一功能层222a、第二功能层222c以及第二电极223。在这种情况下，填充层FL的一部分可以与凹槽GV的内侧面直接接触。
图8作为简要示出根据本发明的一实施例的显示面板的截面图，是沿着图5的V-V’线的截面图，图9是示出图8的填充层、凹槽以及辅助隔壁的平面图。为了方便，如前面参照图6说明的那样，图8示出显示面板10中的配置有发光二极管的图像生成层20，图像生成层20包括基板100、电路-显示要件层200以及封装基板300。前面图6以及图7示出凹槽GV的长度小于第四绝缘层209的厚度，但是图8的区别在于在第四绝缘层209的凹槽GV中相邻的凹槽GV之间配置有隔壁(以下，称为辅助隔壁，APW)。其它电路-显示要件层200的具体结构与前面参照图6说明的结构实质上相同，因此以下以区别点为中心进行说明。
参照图8，辅助隔壁APW可以配置于第四绝缘层209的上面上。辅助隔壁APW可以包含与上部绝缘层215相同的物质。辅助隔壁APW可以在上部绝缘层215以及间隔物217的形成工艺中一起形成。间隔物217和上部绝缘层215可以利用包括全色调区域、开口区域以及半色调区域的掩模形成，辅助隔壁APW可以相当于前述的掩模的半色调区域。辅助隔壁APW的厚度(或高度)可以与上部绝缘层215的厚度(或高度)实质上相同。
辅助隔壁APW可以配置于隔壁，例如上部绝缘层的一部分215PW的边缘215E和界定第四绝缘层209的开口209OP的第四绝缘层209的边缘209E之间。参照图9，与凹槽GV相同地，辅助隔壁APW可以是在平面上围绕透过区域TA的闭环形状。
可以是，在相邻的辅助隔壁APW之间设置凹槽GV，以及/或在相邻的凹槽GV之间设置辅助隔壁APW。换句话说，可以以至少任一个凹槽GV为中心在两侧设置辅助隔壁APW，以及/或可以以至少任一个辅助隔壁APW为中心在两侧设置凹槽GV。
可以是，辅助隔壁APW相互隔开配置，在相邻的辅助隔壁APW之间设置第四绝缘层209的凹槽GV。在相邻的辅助隔壁APW的隔开空间与第四绝缘层209的凹槽GV重叠的同时，可以形成比凹槽GV的深度深的谷VY。谷VY可以是具有大于第四绝缘层209的凹槽GV的深度的一种凹槽。例如，谷VY的深度可以相当于第四绝缘层209的凹槽GV的深度以及辅助隔壁APW的高度的和。如前面参照图6说明的一样，构成填充层FL的物质可以通过谷VY结构控制流动。填充层FL的一部分可以位于谷VY。例如，填充层FL的一部分可以位于第四绝缘层209的凹槽GV以及/或相邻的辅助隔壁APW之间的空间。
辅助隔壁APW的外侧，例如辅助隔壁APW为了防止通过谷VY速度减慢的形成填充层FL的物质行进至显示区域DA而设置隔壁，例如上部绝缘层215的一部分215PW。上部绝缘层215的一部分215PW可以在平面上整体围绕透过区域TA，与前面图6所示的结构相同。
如此，本发明以附图中所示的一实施例为参考进行了说明，但是这仅是示例性的，在本领域中具有通常的知识的人将理解由此各种变形以及实施例的变形是可能的。因此，本发明的真正的技术保护范围应由所附的权利要求的范围的技术构思确定。

Claims (20)

1.一种显示面板，其中，包括：
基板；
发光二极管，位于所述基板上，并配置于透过区域周边；
第一绝缘层，介于所述基板与所述发光二极管之间，并包括重叠于所述透过区域的开口；
封装基板，覆盖所述发光二极管；
填充层，介于所述基板与所述封装基板之间，并位于所述透过区域；以及
第二绝缘层，位于所述第一绝缘层上，并包括重叠于所述填充层的凹槽。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述第二绝缘层包括有机绝缘层，所述凹槽的深度小于所述第二绝缘层的厚度。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述显示面板还包括数据线，所述数据线电连接于所述发光二极管，
所述数据线中的至少任一个包括迂回所述透过区域周边的迂回部分，
所述迂回部分位于所述凹槽之下。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，
所述显示面板还包括导电层，所述导电层重叠于所述迂回部分，所述凹槽重叠于所述导电层。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述基板以及所述封装基板中的至少任一个与所述填充层的折射率的差为0.4或小于0.4。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述填充层包含硅类粘合物质。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
各个所述发光二极管包括：
第一电极；
所述第一电极上的中间层；以及
整体覆盖所述发光二极管的第二电极的一部分。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，
所述显示面板还包括上部绝缘层，所述上部绝缘层覆盖各个所述发光二极管的所述第一电极的边缘，
所述上部绝缘层包括：重叠于所述第一电极的第一开口；以及重叠于所述透过区域的第二开口，
界定所述第二开口的所述上部绝缘层的边缘设置为比所述凹槽更靠近所述发光二极管。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其中，
所述显示面板还包括辅助隔壁，所述辅助隔壁配置于所述第二绝缘层的所述凹槽的两侧。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其中，
所述辅助隔壁包含与所述上部绝缘层相同的物质。
11.一种电子设备，其中，包括：
显示面板，包括透过区域以及围绕所述透过区域的显示区域；以及
组件，配置于所述显示面板之下，并位于所述透过区域，
所述显示面板包括：
基板；
发光二极管，位于所述基板上，并配置于所述透过区域周边；
第一绝缘层，介于所述基板与所述发光二极管之间，并包括重叠于所述透过区域的开口；
封装基板，覆盖所述发光二极管；
填充层，介于所述基板与所述封装基板之间，并位于所述透过区域；以及
第二绝缘层，位于所述第一绝缘层上，并包括重叠于所述填充层的凹槽。
12.根据权利要求11所述的电子设备，其中，
所述凹槽的深度小于所述第二绝缘层的厚度。
13.根据权利要求11所述的电子设备，其中，
所述显示面板还包括数据线，所述数据线电连接于所述发光二极管，
所述数据线中的至少任一个包括迂回所述透过区域周边的迂回部分，
所述迂回部分位于所述凹槽之下。
14.根据权利要求13所述的电子设备，其中，
所述显示面板还包括导电层，所述导电层重叠于所述迂回部分，所述凹槽重叠于所述导电层。
15.根据权利要求11所述的电子设备，其中，
所述填充层包含硅类粘合物质。
16.根据权利要求11所述的电子设备，其中，
各个所述发光二极管包括：
第一电极；
所述第一电极上的中间层；以及
整体覆盖所述发光二极管的第二电极的一部分，
所述显示面板还包括上部绝缘层，所述上部绝缘层覆盖各个所述发光二极管的所述第一电极的边缘。
17.根据权利要求16所述的电子设备，其中，
所述显示面板还包括辅助隔壁，所述辅助隔壁配置于所述第二绝缘层的所述凹槽的两侧。
18.根据权利要求17所述的电子设备，其中，
所述上部绝缘层包括重叠于所述透过区域的第二开口，界定所述第二开口的所述上部绝缘层的边缘比所述辅助隔壁更靠近于所述显示区域。
19.根据权利要求17所述的电子设备，其中，
所述凹槽以及所述辅助隔壁在平面上是围绕所述透过区域的闭环形状。
20.根据权利要求11所述的电子设备，其中，
所述组件包括传感器或照相机。
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