CN112599565A - 显示装置 - Google Patents

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CN112599565A
CN112599565A CN202011028957.9A CN202011028957A CN112599565A CN 112599565 A CN112599565 A CN 112599565A CN 202011028957 A CN202011028957 A CN 202011028957A CN 112599565 A CN112599565 A CN 112599565A
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CN
China
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layer
display device
substrate
rear cover
display
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CN202011028957.9A
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金永敏
朴镛昇
李紫云
赵玟俊
崔海悧
黄贤旻
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Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
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Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括：基底；绝缘层，位于基底的顶表面上；多个发光二极管，位于绝缘层上，并且包括彼此分隔开的两个发光二极管，并且在两个发光二极管之间具有传输区域；封装构件，覆盖多个发光二极管；以及后覆盖层，位于基底的后表面上，并且包括位于传输区域中的第一部分，其中，第一部分包括透明材料。

Description

显示装置
本申请要求于2019年10月2日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0122504号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用被包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示装置，例如，涉及一种包括传输区域的显示装置。
背景技术
近来，显示装置的用途已经变得更加多样化。随着显示装置已经变得更薄且更轻质，它们的使用范围已经逐渐扩展。
由显示装置的显示区域占据的面积已经增大(例如，相对于显示装置的总体尺寸)，并且正在添加可以与显示装置结合或相关联的功能。作为在增大面积的同时添加各种功能的方式，不断进行对包括用于在显示区域内部添加各种功能而不是显示图像的区域的显示装置的研究。
发明内容
用于在显示区域内部添加各种功能的区域可以包括可以传输光和/或声音的传输区域。一个或更多个实施例包括一种具有其中可以改善传输区域中的光传输质量的结构的显示装置。然而，应当理解，这里描述的实施例应当仅在描述性意义上考虑，而不是为了限制公开。
实施例的附加方面将在下面的描述中部分地阐述，并且通过该描述部分地将是清楚的，或者可以通过实践公开的给出的实施例而习得。
根据一个或更多个实施例，一种显示装置包括：基底；绝缘层，位于基底的顶表面上；多个发光二极管，位于绝缘层上，并且包括彼此分隔开的两个发光二极管，并且在两个发光二极管之间具有传输区域；封装构件，覆盖多个发光二极管；以及后覆盖层，位于基底的后表面上，并且包括位于传输区域中的第一部分，其中，第一部分包括透明材料。
后覆盖层的第一部分的折射率与基底的折射率之间的差可以为0.5或更小。
基底的后表面可以包括多个凹坑，并且多个凹坑之中的位于传输区域中的至少一个凹坑可以填充有第一部分的透明材料。
基底可以包括玻璃材料和/或聚合物树脂。
绝缘层可以包括：第一绝缘层，位于基底的顶表面上；第二绝缘层，位于晶体管的半导体层与栅电极之间，晶体管位于第一绝缘层上；以及第三绝缘层，位于晶体管与多个发光二极管之间，其中，从第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层中选择的至少一个可以包括位于传输区域中的通孔。
第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层中的每个可以包括位于传输区域中的通孔，并且通孔之中的具有最小尺寸的通孔的宽度可以比第一部分的宽度小。
所述后覆盖层可以包括第一部分和围绕第一部分的第二部分，并且第二部分的厚度可以比第一部分的厚度大，使得第一部分与第二部分一起在后覆盖层中形成阶梯差。
第一部分与第二部分之间的阶梯差可以具有倾斜表面，后覆盖层的构成倾斜表面的部分的厚度可以比第一部分的厚度大并且比第二部分的厚度小。
第一部分可以与第二部分分开。
后覆盖层可以包括：第一子层，位于基底的后表面上，并且包括第一部分；以及第二子层，位于第一子层上，并且包括与传输区域对应的开口。
第二子层可以包括与第一子层的材料不同的材料。
封装构件可以包括玻璃材料的封装基底。
显示装置还可以包括在基底与封装基底之间的空气层。
显示装置还可以包括在基底与封装基底之间的透明材料层。
封装构件可以包括薄膜封装层，薄膜封装层包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
薄膜封装层可以包括与传输区域对应的孔。
根据一个或更多个实施例，一种显示装置包括：基底；显示层，位于基底的顶表面上，并且包括彼此分隔开的两个像素，并且在两个像素之间具有传输区域；以及后覆盖层，位于基底的后表面上，并且包括与传输区域对应的第一部分，其中，后覆盖层的第一部分包括透明材料。
后覆盖层的第一部分的折射率与基底的折射率之间的差可以为0.5或更小。
基底可以包括玻璃材料和/或聚合物树脂。
基底的后表面可以包括多个凹坑，并且多个凹坑之中的与传输区域对应的至少一个凹坑可以填充有第一部分的透明材料。
显示层可以包括：至少一个绝缘层，位于基底的顶表面上，并且包括与传输区域对应的通孔；以及像素电极、相对电极和中间层，均位于至少一个绝缘层上，中间层在像素电极与相对电极之间。
显示层可以包括位于传输区域中的孔。
显示层的孔的宽度可以比第一部分的宽度小。
后覆盖层可以包括第一部分和围绕第一部分的第二部分，并且第二部分的厚度可以比第一部分的厚度大，使得第一部分与第二部分一起在后覆盖层中形成阶梯差。
第一部分与第二部分之间的阶梯差可以具有倾斜表面，后覆盖层的构成倾斜表面的部分的厚度可以比第一部分的厚度大并且比第二部分的厚度小。
第一部分可以与第二部分分开。
后覆盖层可以包括：第一子层，位于基底的后表面上，并且包括第一部分；以及第二子层，位于第一子层上，并且包括与传输区域对应的开口。
第二子层可以包括与第一子层的材料不同的材料。
显示装置还可以包括封装基底，封装基底覆盖显示层并且包括玻璃材料。
显示装置还可以包括在基底与封装基底之间的空气层。
显示装置还可以包括在基底与封装基底之间的透明材料层。
显示装置还可以包括薄膜封装层，薄膜封装层覆盖显示层并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
薄膜封装层可以包括与传输区域对应的孔。
通过下面的描述、附图和权利要求书，公开的特定实施例的上述和其它方面以及特征将更加清楚。
附图说明
通过下面结合附图的描述，公开的特定实施例的以上和其它方面以及特征将更加明显，在附图中：
图1是根据实施例的显示装置的透视图；
图2是根据实施例的显示装置的剖视图；
图3是包括根据实施例的显示装置的电子设备的剖视图；
图4是根据实施例的显示面板的平面图；
图5是根据实施例的显示面板的像素的等效电路图；
图6是根据实施例的显示面板的一部分的平面图；
图7A是根据实施例的显示面板的剖视图；
图7B是图7A的部分VII的放大剖视图；
图7C是根据实施例的显示面板的剖视图；
图8是根据实施例的显示面板的剖视图；
图9是根据实施例的显示面板的剖视图；
图10是根据实施例的显示面板的剖视图；
图11是根据实施例的显示面板的剖视图；
图12是根据实施例的显示面板的剖视图；
图13是根据实施例的显示面板的剖视图；
图14是根据实施例的用于形成后覆盖层的掩模的平面图；
图15是根据实施例的显示面板的剖视图；
图16是根据实施例的用于形成后覆盖层的掩模的平面图；
图17是根据实施例的显示面板的剖视图；
图18是根据实施例的显示面板的剖视图；
图19是根据实施例的显示面板的剖视图；以及
图20是根据实施例的显示面板的剖视图。
具体实施方式
现在将更详细地参照实施例，实施例的示例在附图中示出，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。在这方面，给出的实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于这里所阐述的描述。因此，下面通过参照附图来仅描述实施例，以解释本描述的实施例的方面。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或更多个的任何和所有组合。贯穿本公开，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、以及a、b和c中的全部或其变型。
在下文中，参照附图更详细地描述给出的实施例。在附图中，相同的附图标记被给予相同或对应的元件，并且省略其重复描述。
将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”等在这里可以用于描述各种组件，但这些组件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。
除非上下文清楚地另外指出，否则如在这里使用的，单数形式“一”、“一个(种)(者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。
将进一步理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”指示所述的特征或组件的存在，但不排除一个或更多个其它特征或组件的存在或添加。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接或者间接地形成在另一层、区域或组件上。例如，可以存在中间层、中间区域或中间组件。
为了便于说明，可以夸大附图中的元件的尺寸。换言之，因为为了便于说明可以任意地示出附图中的组件的尺寸和厚度，所以下面的实施例不限于此。
当可以不同地实施某一实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定工艺顺序。例如，可以基本同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“结合”到另一层、区域或组件时，它可以“直接结合”到另一层、区域或组件，并且/或者可以“间接结合”到另一层、区域或组件，且其它层、区域或组件置于它们之间。例如，将理解的是，当层、区域或组件被称为“电结合”到另一层、区域或组件时，它可以“直接电结合”到另一层、区域或组件，并且/或者可以“间接电结合”到另一层、区域或组件，且其它层、区域或组件置于它们之间。
图1是根据实施例的显示装置的透视图。
参照图1，显示装置1可以包括第一区域A1和围绕第一区域A1的第二区域A2。多个像素(例如，像素阵列)可以位于第二区域A2中。在一些实施例中，像素阵列位于第二区域A2中，而不在第一区域A1中(例如，仅第二区域A2可以包括像素，而第一区域A1可以不包括任何像素)。第二区域A2可以通过像素阵列显示图像。第二区域A2与可以显示图像的有效区域对应。第一区域A1可以被第二区域A2完全地围绕。第一区域A1可以是其中可以包括组件的区域，所述组件为显示装置1提供各种合适的功能。例如，在所述组件包括使用光的传感器、相机等的情况下，第一区域A1与可以传输传感器的光(例如，可见光、红外光和/或紫外光)或向相机行进的光的传输区域对应。在一些实施例中，在所述组件包括使用声音(例如，超声(例如，超声波))的传感器的情况下，第一区域A1与可以传输传感器的声音的传输区域对应。例如，传输区域可以将声音(例如，超声波)传输到传感器或者从传感器传输声音(例如，超声波)。
第三区域A3可以设置在第一区域A1与第二区域A2之间。第三区域A3可以是其中未布置像素的一种非显示区域。例如，第三区域A3可以不包括任何像素。与第三区域A3一样，围绕第二区域A2的第四区域A4可以是其中未布置像素的一种非显示区域。例如，第四区域A4可以不包括任何像素。各种合适种类的布线、电路等可以位于第四区域A4中。
显示装置1的每个像素可以包括发光二极管，作为可以发射设定颜色或预定颜色的光(例如，可见光)的显示元件。发光二极管可以包括有机发光二极管，有机发光二极管包括有机材料作为发射层。在一些实施例中，发光二极管可以包括无机发光二极管。在一些实施例中，发光二极管可以包括量子点作为发射层。在下文中，为了便于描述，描述发光二极管包括有机发光二极管的情况，但是本公开不限于此。
尽管在图1中示出了第一区域A1在显示装置1的宽度方向(例如，±x方向)上位于第二区域A2的中心部分中，但是实施例不限于此。在另一实施例中，第一区域A1可以在显示装置1的宽度方向上在左边或右边偏移。在一些实施例中，第一区域A1可以在各种合适的位置处，诸如以显示装置1的纵向方向(例如，±y方向)上的上侧、中心部分或底侧处为例。如这里所使用的，术语“±x方向”可以表示沿着图1中所示的x轴的任一方向，术语“±y方向”可以表示沿着图1中所示的y轴的任一方向。图1中所示的z轴垂直于或者基本垂直于x轴和y轴。
尽管在图1中示出了显示装置1包括一个第一区域A1，但是在另一实施例中，显示装置1可以包括多个第一区域A1。
图2是沿着图1的线II-II'截取的根据实施例的显示装置1的剖视图，图3是包括根据实施例的显示装置1的电子设备2的剖视图。
参照图2，显示装置1可以包括显示面板10、位于显示面板10的后侧(后表面)上的后覆盖层20、位于显示面板10的顶表面上的输入感测部40以及位于显示面板10的顶表面上的光学功能部50。窗60可以通过粘合层(诸如以光学透明粘合剂(OCA)为例)结合到其下方的元件，例如，光学功能部50。
显示面板10可以在第二区域A2中包括多个二极管。在一些实施例中，多个二极管仅位于第二区域A2中(例如，多个二极管不在第一区域A1、第三区域A3和/或第四区域A4中)。后覆盖层20可以覆盖显示面板10的后侧的至少一部分，同时填充在制造显示面板10的工艺期间出现的精细凹入结构(在下文中被称为凹坑)。这里描述的凹入结构(例如，凹坑)可以具有任何合适的形状，诸如以半圆结构等为例。
输入感测部40可以获得与诸如以触摸事件(例如，用户的触摸或接近触摸)为例的外部输入对应的坐标信息。输入感测部40可以包括感测电极或触摸电极以及结合到感测电极或触摸电极的迹线。输入感测部40可以位于显示面板10上。输入感测部40可以通过使用互电容方法或自电容方法来感测外部输入(例如，用户的触摸或接近触摸)。
输入感测部40可以直接形成在显示面板10上。在一些实施例中，输入感测部40可以单独地形成，然后通过粘合层(诸如以光学透明粘合剂(OCA)为例)结合到显示面板10。在实施例中，如图2中所示，输入感测部40可以直接形成在显示面板10上。在这种情况下，粘合层可以不在输入感测部40与显示面板10之间。
光学功能部50可以包括反射防止层。反射防止层可以降低从外部通过窗60朝向显示面板10入射的光(外部光，例如，可见光)的反射率(例如，反射)。反射防止层可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以包括膜型延迟器或液晶型延迟器。延迟器可以包括半波长(λ/2)延迟器和/或四分之一波长(λ/4)延迟器。偏振器可以包括膜型偏振器或液晶型偏振器。膜型偏振器可以包括可拉伸合成树脂膜，液晶型偏振器可以包括设定或预定布置的液晶。延迟器和偏振器中的每者还可以独立地包括保护膜。
在另一实施例中，反射防止层可以包括诸如以黑矩阵和滤色器为例的结构。可以通过考虑分别从显示面板10的像素发射的多种光的颜色来布置滤色器。例如，可以根据分别从显示面板10的像素发射的光的颜色来布置滤色器。在另一实施例中，反射防止层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括分别位于不同层上的第一反射层和第二反射层。分别由第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以产生相消干涉，因此外部光的反射率(例如，反射)可以通过相消干涉结构减小。
光学功能部50可以包括透镜层。透镜层可以改善从显示面板10发射的光的发射效率或者减小颜色偏差(例如，不希望的颜色变化)。透镜层可以包括具有凹透镜或凸透镜形状的层，并且/或者包括分别具有不同折射率的多个层。例如，多个层的相应折射率可以彼此不同。光学功能部50可以包括反射防止层和透镜层两者或者包括这些层中的一者。
参照图3，显示装置1可以被提供给各种合适的电子设备2，诸如以移动电话、平板个人计算机、笔记本计算机和智能手表为例。电子设备2可以包括其中具有空间的壳体HS。显示面板10可以位于壳体HS的内部。窗60可以结合到壳体HS。如上所述，输入感测部40和光学功能部50可以位于显示面板10的顶表面上。后覆盖层20可以位于显示面板10的后侧上。
组件CM可以在壳体HS内部并且位于显示面板10与壳体HS的底部之间。组件CM可以位于第一区域A1中。组件CM可以包括电子元件。例如，组件CM可以是使用光或声音(例如，发送或者接收声音(例如，超声波)、可见光、红外光和/或紫外光并且基于接收到的光或声音来执行操作)的电子元件。例如，电子元件可以是发射和/或接收光的诸如红外传感器的传感器、接收光并且捕获图像的相机、输出并感测光以测量距离或者识别指纹的传感器、输出光的小灯、用于输出声音的扬声器和/或用于接收声音(例如，超声波)的传感器。使用光的电子元件可以使用各种合适波段中的光，诸如以可见光、红外光和/或紫外光为例。在实施例中，第一区域A1可以是传输区域，从组件CM向外部输出或从外部朝向组件CM传播的光可以穿过传输区域。例如，在组件CM包括相机的情况下，显示装置1中的第一区域A1的传输率(例如，光传输率(光透射率))可以为约80％或更大。在一些实施例中，在组件CM包括传感器的情况下，显示装置1中的第一区域A1的传输率(例如，光传输率和/或声音传输率)可以为小于80％的值，例如，50％或更大，或者60％或更大。
为了防止或者减小由在从组件CM发射或向组件CM行进的光的行进路径上的元件而引起的传输率的降低，显示面板10、输入感测部40和光学功能部50中的至少一个可以包括孔。在实施例中，图2示出了输入感测部40和光学功能部50中的每个包括孔。
参照图2，输入感测部40可以包括穿过输入感测部40的顶表面和底表面的第一孔40H，光学功能部50可以包括穿过光学功能部50的顶表面和底表面的第二孔50H。第一孔40H和第二孔50H可以位于第一区域A1中，并且可以彼此叠置。
显示面板10可以不包括穿过显示面板10的顶表面和底表面的孔。在这种情况下，在显示面板10的后侧中可能存在凹坑。因为凹坑自身由于其形状而可以具有作为透镜的功能，所以向组件CM行进或从组件CM发射的波(例如，光波和/或声波)的行进会由于凹坑而失真。然而，根据实施例，因为后覆盖层20被设置为直接接触显示面板10的后侧，所以可以防止或者减少上述失真问题。
后覆盖层20可以包括透明材料，其中，透明材料的折射率与显示面板10(例如，显示面板10的基底)的折射率之间的差为0.5或更小。因为如上所述，第一区域A1是其中可以布置组件CM的传输区域，所以为了防止或者减少第一区域A1的传输率的降低，后覆盖层20的与第一区域A1对应的第一部分21可以具有比其它部分22(在下文中被称为第二部分)的厚度小的厚度。
图4是根据实施例的显示面板10的平面图，图5是显示面板10的像素P中的一个像素P的等效电路图。
显示面板10的图可以与上面参照图1描述的显示装置1的图基本相同。例如，如图4中所示，显示面板10可以包括第一区域A1、第二区域A2、第三区域A3和第四区域A4，第二区域A2围绕第一区域A1，第三区域A3在第一区域A1与第二区域A2之间，第四区域A4围绕第二区域A2。
显示面板10可以在第二区域A2中包括多个像素P。如图5中所示，每个像素P包括像素电路PC和结合到像素电路PC的作为显示元件的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和存储电容器Cst。每个像素P可以从有机发光二极管OLED发射例如红色光、绿色光或蓝色光或者发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光。第一晶体管T1和第二晶体管T2可以被实现为薄膜晶体管。
第二晶体管T2为开关晶体管。第二晶体管T2可以结合到扫描线SL和数据线DL，并且被构造为响应于从扫描线SL输入的开关电压而将从数据线DL输入的数据电压传输到第一晶体管T1。存储电容器Cst可以结合到第二晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从第二晶体管T2传输的电压和通过驱动电压线PL供应的第一电源电压ELVDD之间的差对应的电压。
第一晶体管T1为驱动晶体管。第一晶体管T1可以结合到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以通过使用驱动电流来发射具有设定或预定亮度的光。有机发光二极管OLED的相对电极(例如，阴极)可以接收第二电源电压ELVSS。
尽管在图5中示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是本公开不限于此。例如，可以根据像素电路PC的设计而对薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量进行各种修改。
再次参照图4，第三区域A3可以围绕第一区域A1。第三区域A3是其中未布置诸如以发射光的有机发光二极管OLED为例的显示元件的区域。信号线可以穿过第三区域A3，信号线将信号提供到布置在第一区域A1周围的像素P。第一扫描驱动器1100、第二扫描驱动器1200、数据驱动器1300和主电源线可以位于第四区域A4中，第一扫描驱动器1100和第二扫描驱动器1200将扫描信号提供到每个像素P，数据驱动器1300将数据信号提供到每个像素P，主电源线提供第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS。第一扫描驱动器1100和第二扫描驱动器1200均可以位于第四区域A4中并且在第二区域A2的两个相对侧上，且第二区域A2在它们之间。
尽管在图4中示出了数据驱动器1300与基底100的一侧相邻，但是在另一实施例中，数据驱动器1300可以位于柔性印刷电路板(FPCB)上，柔性印刷电路板(FPCB)与显示面板10的一侧上的垫(pad，又称为“焊盘”)电结合。
图6是根据实施例的显示面板10的一部分的平面图。
参照图6，第二区域A2中的像素P中的一些可以在第一区域A1周围彼此分隔开。例如，第一区域A1可以在沿±x方向布置的两个像素P之间。类似地，第一区域A1可以在沿±y方向布置的两个像素P之间。
在±y方向上布置且其间具有第一区域A1的两个像素P可以电结合到同一数据线DL，并且数据线DL可以在第三区域A3中弯曲。例如，数据线DL的一部分可以在第三区域A3中沿着第一区域A1的边缘或外围(例如，在第一区域A1的外围或圆弧方向上)延伸。数据线DL可以包括第一部分DL-L1、第二部分DL-L2和第三部分DL-D，第一部分DL-L1和第二部分DL-L2在±y方向上延伸并且穿过第二区域A2，第三部分DL-D结合到第一部分DL-L1和第二部分DL-L2并且在第一区域A1的外围或圆弧方向上延伸。
在±x方向上布置且其间具有第一区域A1的两个像素P可以分别电结合到不同的扫描线SL。第一区域A1左侧上的扫描线SL可以电结合到上面参照图4描述的第一扫描驱动器1100，第一区域A1右侧上的扫描线SL可以电结合到上面参照图4描述的第二扫描驱动器1200。如图4中所示，在显示面板10包括两个扫描驱动器的情况下，布置在第一区域A1的两个相对侧上的像素P可以分别电结合到布置在第一区域A1的两个相对侧上且彼此分隔开的扫描线SL。
在另一实施例中，在扫描驱动器中的一个(例如，第二扫描驱动器1200(见图4))被省略的情况下，在±x方向上布置且其间具有第一区域A1的两个像素P可以结合到同一扫描线SL，并且类似于数据线DL，扫描线SL可以包括在第三区域A3中沿第一区域A1的外围或圆弧方向延伸的部分。
图7A是沿着图4的线III-III'截取的根据实施例的显示面板10的剖视图，图7B是图7A的部分VII的放大剖视图，图7C是沿着图4的线III-III'截取的根据实施例的显示面板10的剖视图。
参照图7A，显示面板10可以包括位于基底100A上的显示层200。基底100A可以包括玻璃材料。例如，基底100A可以包括包含氧化硅(SiO2)作为主要组分的玻璃。基底100A可以包括无碱玻璃或钠钙玻璃。
显示层200可以包括位于第二区域A2中的多个像素。包括在显示层200中的每个像素可以包括像素电路和电结合到像素电路的显示元件。像素电路可以包括晶体管和存储电容器，显示元件可以包括发光二极管，例如，有机发光二极管。显示层200可以包括位于第三区域A3中的多条布线。
显示层200的一部分(例如，与第一区域A1对应的部分)可以被去除。关于该特征，在图7A中示出了显示层200包括第四孔200H。显示层200可以包括上述像素电路和显示元件，并且还可包括在结合到每个像素电路的布线之间、在电极之间和/或在显示元件的电极之间的绝缘层。例如，设置给显示层200的绝缘层的孔可以彼此叠置，以构成第四孔200H。显示层200的第四孔200H可以穿过显示层200的顶表面和底表面。下面参照图12等描述显示层200的第四孔200H的示例结构。
显示层200可以被封装基底300A覆盖。封装基底300A可以包括玻璃材料。例如，封装基底300A可以包括包含SiO2作为主要组分的玻璃材料。封装基底300A可以面对基底100A，密封剂ST可以在基底100A与封装基底300A之间。密封剂ST可以位于第四区域A4中，并且可以在基底100A与封装基底300A之间完全地围绕(或基本完全地围绕)显示层200。当在与基底100A的顶表面垂直的方向上(例如，在z方向上或者在平面图中)观察时，第二区域A2可以被密封剂ST完全地围绕(或基本完全地围绕)。
如图7B的放大图中所示，基底100A的后侧100Ar可以包括凹坑D。凹坑D可以在制造显示装置1的工艺期间产生或者形成。凹坑D的形状可以不是恒定的，并且每个凹坑D的位置可以随机地设置。
后覆盖层20可以直接接触基底100A的后侧100Ar。后覆盖层20可以具有设定或预定的厚度，并且至少部分地填充形成在基底100A中的凹坑D。例如，凹坑D可以填充有后覆盖层20的材料。
后覆盖层20可以包括其中后覆盖层20的折射率与基底100A的折射率之间的差为0.5或更小的材料。在后覆盖层20的折射率与基底100A的折射率之间的差偏离上述值(例如，大于0.5)的情况下，因为凹坑D可以用作一种精细透镜，所以可能改变向组件CM(见图3)行进或从组件CM发射的光的行进路径。例如，在组件CM包括相机的情况下，由相机获得的图像质量会劣化或降低；或者在组件CM包括传感器的情况下，感测到的信息会失真。
后覆盖层20可以包括有机材料，例如，聚合物。聚合物可以包括例如丙烯酸(acryl)类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯。
后覆盖层20的厚度可以不是恒定或均匀的。后覆盖层20的与第一区域A1对应的第一部分21的第一厚度t可以比后覆盖层20的与第二区域A2对应的第二部分22的第二厚度T小。第一厚度t和第二厚度T是不包括凹坑D的深度的厚度，并且可以例如在彼此相邻的凹坑D与另一凹坑D之间测量第一厚度t和第二厚度T。
尽管在图7A中示出了后覆盖层20完全地覆盖基底100A的后侧，但是在另一实施例中，如图7C中所示，后覆盖层20可以位于基底100A的后侧上(例如，仅位于基底100A的后侧的一部分上)并局部地定位，以覆盖第一区域A1(例如，仅覆盖第一区域A1)。例如，后覆盖层20可以仅包括上述图7A的后覆盖层20的第一部分21。
在如参照图7A描述的后覆盖层20完全地覆盖基底100A的后侧的情况下，与如图7C中所示的后覆盖层20局部地定位的情况的工艺相比，其工艺可以更简化。在下文中，描述其中后覆盖层20不仅覆盖第一区域A1而且还覆盖其它区域的实施例。
图8和图9是沿着图4的线III-III'截取的根据实施例的显示面板10'的剖视图。
参照图8，显示面板10'可以包括显示层200和后覆盖层20，显示层200位于基底100A的顶表面上，后覆盖层20位于基底100A的后侧(后表面)上，如上面参照图7A至图7C描述的。后覆盖层20可以包括第一部分21和第二部分22，第一部分21与第一区域A1对应，第二部分22比第一部分21厚。后覆盖层20可以包括透明材料，其中，透明材料的折射率与基底100A的折射率之间的差为0.5或更小，并且其示例材料与上述示例材料相同。设置到图8的显示面板10'的显示层200可以被薄膜封装层300B覆盖。
薄膜封装层300B可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，薄膜封装层300B可以包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及在它们之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每者可以包括至少一种无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯。例如，有机封装层320可以包括丙烯酸类树脂，例如，聚甲基丙烯酸甲酯和聚丙烯酸。
在显示面板10'包括薄膜封装层300B作为覆盖显示层200的封装构件的情况下，显示面板10'可以具有比上面参照图7A至图7C描述的显示面板10的厚度小的厚度。
在实施例中，类似于包括与第一区域A1叠置的第四孔200H的显示层200，薄膜封装层300B可以包括与第一区域A1叠置的第五孔300BH。在这种情况下，可以适当地或者充分地确保第一区域A1的传输率。在另一实施例中，薄膜封装层300B可以不包括第五孔300BH，如图9中所示。在实施例中，第一区域A1可以被第一无机封装层310和第二无机封装层330覆盖。尽管在图9中示出了第一区域A1未被有机封装层320覆盖，但是在另一实施例中，有机封装层320可以覆盖第一区域A1。如上面参照图2和图3描述的，在组件CM不需要相对高的传输率的情况下，薄膜封装层300B可以覆盖第一区域A1。
图10和图11是沿着图4的线III-III'截取的根据实施例的显示面板10”的剖视图。
参照图10，显示面板10”可以包括显示层200和后覆盖层20，显示层200位于基底100B的顶表面上，后覆盖层20位于基底100B的后侧上。设置到图10的显示面板10”的显示层200可以被薄膜封装层300B覆盖。例如，薄膜封装层300B可以包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及在它们之间的有机封装层320。薄膜封装层300B与上面参照图8描述的薄膜封装层300B相同。
基底100B可以包括聚合物树脂，并且包括多层。例如，基底100B可以包括顺序堆叠的第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104。
第一基体层101和第二基体层103中的每者可以包括聚合物树脂。例如，第一基体层101和第二基体层103可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚芳酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和/或乙酸丙酸纤维素。
第一阻挡层102和第二阻挡层104是防止或者减少外部外来物质的渗透的阻挡层，并且可以包括包含无机材料(诸如以氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅为例)的单层或多层。
在显示面板10”的基底100B包括聚合物树脂以及显示面板10”包括薄膜封装层300B的情况下，可以改善显示面板10”的柔性。
后覆盖层20可以位于基底100B的后侧上。后覆盖层20可以包括第一部分21和第二部分22，第一部分21与第一区域A1对应，第二部分22比第一部分21厚。后覆盖层20可以包括透明材料，其中，透明材料的折射率与基底100B的折射率之间的差为0.5或更小。例如，后覆盖层20可以包括这样的材料，该材料的折射率与基底100B的层的折射率之间的差为0.5或更小，基底100B的该层直接接触后覆盖层20。后覆盖层20可以包括有机材料，例如，聚合物。该聚合物可以包括例如丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯。
如上所述，显示层200可以包括像素电路和显示元件。显示层200可以包括与第一区域A1叠置的第四孔200H。显示层200与上述显示层200相同。
类似于显示层200，薄膜封装层300B可以包括与第一区域A1叠置的第五孔300BH，如图10中所示。在这种情况下，可以适当地或者充分地确保第一区域A1的传输率。在另一实施例中，薄膜封装层300B可以不包括第五孔300BH，如图11中所示。在实施例中，第一区域A1可以被第一无机封装层310和第二无机封装层330覆盖。尽管在图11中示出了第一区域A1未被有机封装层320覆盖，但是在另一实施例中，有机封装层320可以覆盖第一区域A1。如上面参照图2和图3描述的，在组件CM不需要相对高的传输率的情况下，薄膜封装层300B可以覆盖第一区域A1。
图12是根据实施例的显示面板的剖视图。
参照图12，第一绝缘层201、第二绝缘层203、第三绝缘层205、第四绝缘层207、第五绝缘层209和第六绝缘层211可以位于基底100A上。像素电路PC可以包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。
薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。图12中示出的薄膜晶体管TFT可以是参照图5描述的晶体管之一，例如，驱动晶体管。尽管本实施例示出了其中栅电极GE位于半导体层Act上方且第二绝缘层203位于它们之间的顶栅型薄膜晶体管，但是在另一实施例中，薄膜晶体管TFT可以是其中栅电极GE位于半导体层Act下方且第二绝缘层203位于它们之间的底栅型薄膜晶体管。
半导体层Act可以包括多晶硅。在一些实施例中，半导体层Act可以包括非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括导电材料并可包括单层或多层，所述导电材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)，所述单层或多层包括上述材料。
半导体层Act与栅电极GE之间的第二绝缘层203可以包括无机绝缘材料，诸如以氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和/或氧化铪为例。第二绝缘层203可以包括包含上述材料的单层或多层。
源电极SE和漏电极DE可以包括具有优异导电性(导电率)的材料。源电极SE和漏电极DE可以包括导电材料并可包括单层或多层，所述导电材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)，所述单层或多层包括上述材料。在实施例中，源电极SE和漏电极DE可以包括Ti/Al/Ti的多层。
存储电容器Cst可以包括彼此叠置并且在其间具有第三绝缘层205的底电极CE1和顶电极CE2。存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT叠置。关于该特征，图12示出了薄膜晶体管TFT的栅电极GE用作存储电容器Cst的底电极CE1。在另一实施例中，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT叠置。存储电容器Cst可以被第四绝缘层207覆盖。
第三绝缘层205和第四绝缘层207可以包括无机绝缘材料，诸如以氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和/或氧化铪为例。第三绝缘层205和第四绝缘层207可以包括包含上述材料的单层或多层。
包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路PC可以被第五绝缘层209覆盖。第五绝缘层209是平坦化绝缘层，并且可以包括大致平坦的顶表面。第五绝缘层209可以包括有机绝缘材料，所述有机绝缘材料包括诸如以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和/或聚苯乙烯(PS)为例的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和/或其共混物。在实施例中，第五绝缘层209可以包括聚酰亚胺。
接触金属260可以形成在第五绝缘层209上。接触金属260可以包括导电材料并可包括单层或多层，所述导电材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)，所述单层或多层包括上述材料。接触金属260可以包括与薄膜晶体管TFT的源电极SE或漏电极DE的材料相同的材料。例如，接触金属260可以包括Ti/Al/Ti的多层。
第六绝缘层211可以形成在接触金属260上。第六绝缘层211可以包括大致平坦的顶表面。第六绝缘层211可以包括有机绝缘材料，所述有机绝缘材料包括诸如以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和/或聚苯乙烯(PS)为例的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和/或其共混物。在实施例中，第六绝缘层211可以包括聚酰亚胺。尽管未示出，但是无机绝缘层可以进一步位于第五绝缘层209与第六绝缘层211之间。
像素电极221可以形成在第六绝缘层211上。像素电极221可以包括导电氧化物，诸如以氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和/或氧化铝锌(AZO)为例。在另一实施例中，像素电极221可以包括反射层，该反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)和/或其混合物(compound)。在另一实施例中，像素电极221还可以包括位于反射层上和/或位于反射层下的包括ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO和/或AZO的层。
像素限定层215可以形成在像素电极221上。像素限定层215可以包括暴露像素电极221的顶表面的开口，并且覆盖像素电极221的边缘或外围。像素限定层215可以包括有机绝缘材料。在一些实施例中，像素限定层215可以包括无机绝缘材料，诸如以氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅为例。在一些实施例中，像素限定层215可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
中间层222可以包括发射层222b。发射层222b可以包括例如有机材料。发射层222b可以包括发射设定或预定颜色的光的聚合物有机材料和/或低分子量有机材料。中间层222可以包括位于发射层222b下的第一功能层222a和/或位于发射层222b上的第二功能层222c。
第一功能层222a可以包括单层或多层。例如，在第一功能层222a包括聚合物有机材料的情况下，第一功能层222a可以是具有单层结构的空穴传输层(HTL)。第一功能层222a可以包括聚-(3,4)-亚乙基-二氧噻吩(PEDOT)和/或聚苯胺(PANI)。在第一功能层222a包括低分子量有机材料的情况下，第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)。
可以省略第二功能层222c。例如，在第一功能层222a和发射层222b包括聚合物有机材料的情况下，可以形成第二功能层222c。第二功能层222c可以包括单层或多层。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
可以对于(例如，对应于)第二区域A2中的每个像素布置中间层222的发射层222b。发射层222b可以与像素限定层215的开口和/或像素电极221叠置。中间层222的第一功能层222a和第二功能层222c是单一体，并且不仅可以设置在第二区域A2中而且还可以设置在第三区域A3中。
相对电极223可以包括具有低逸出功的导电材料。例如，相对电极223可以包括(半)透明层，所述(半)透明层包括Ag、Mg、Al、Ni、Cr、锂(Li)、钙(Ca)和/或其合金。在一些实施例中，相对电极223还可以包括位于包括上述材料的(半)透明层上和/或位于包括上述材料的(半)透明层下的包括ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO和/或AZO的层。相对电极223是单一体，并且可以覆盖第二区域A2中的多个像素电极221。在实施例中，相对电极223可以包括Ag和Mg。
覆层230可以位于相对电极223上。覆层230可以包括LiF层、无机材料层和/或有机材料层。在实施例中，可以省略覆层230。
位于像素限定层215的开口中的堆叠体可以与有机发光二极管OLED对应。堆叠体可以包括像素电极221、中间层222和相对电极223。两个像素(例如，两个有机发光二极管OLED和两个像素电路PC)可以彼此分隔开，并且在其间具有第一区域A1。有机发光二极管OLED位于第二区域A2中。显示层200可以在第三区域A3中包括布线。在实施例中，图12示出了数据线DL的第三部分DL-D(见图6)，数据线DL的第三部分DL-D在第三区域A3中沿着第一区域A1的边缘或外围的一部分绕行。
显示层200可以包括位于第一区域A1中的第四孔200H。在分别形成在显示层200的绝缘层中的通孔彼此叠置的同时，可以形成第四孔200H。显示层200的绝缘层(例如，第一绝缘层201、第二绝缘层203、第三绝缘层205、第四绝缘层207、第五绝缘层209、第六绝缘层211和像素限定层215)可以分别包括均位于第一区域A1中的通孔201h、203h、205h、207h、209h和211h。如上所述，相对电极223可以作为一体设置在基底100A上方，并且可以包括位于第一区域A1中的通孔223h。中间层222中的一些(例如，第一功能层222a和第二功能层222c)可以设置为一体(例如，单一体或整体)，并且可以包括位于第一区域A1中的通孔222h。
第四孔200H可以由显示层200的绝缘层之中的限定具有小尺寸的孔的绝缘层限定。在实施例中，图12中示出了第四孔200H由第一绝缘层201和第二绝缘层203的限定第一绝缘层201的通孔201h和第二绝缘层203的通孔203h的侧表面限定。
封装基底300A面对基底100A。在第一区域A1中，在封装基底300A的底表面与基底100A的顶表面之间可以不存在包括在显示层200中的材料。例如，在基底100A与封装基底300A之间的内部空间ISP中可以存在空气、气体(例如，惰性气体)或者真空。在一些实施例中，在第一区域A1中在基底100A与封装基底300A之间可以仅存在空气层，在第一区域A1中在基底100A与封装基底300A之间的内部空间ISP中可以仅存在透明材料层。透明材料层可以包括液体透明材料。在实施例中，液体透明材料可以包括有机材料和/或无机材料，所述有机材料和/或无机材料具有与基底100A和封装基底300A的折射率类似或基本相同的折射率。液体透明材料的折射率与基底100A和封装基底300A的折射率之间的差可以为0.5或更小。在实施例中，透明材料层可以包括环氧树脂、氨酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯和/或硅基树脂(例如，双酚A型环氧树脂(例如，包括双酚A或其衍生物的环氧树脂或者由双酚A或其衍生物制成的环氧树脂)、脂环族环氧树脂、苯基硅树脂和/或橡胶、丙烯酸环氧树脂、脂肪族氨酯丙烯酸酯等)。在一些实施例中，可以使用其相不改变且在约-40℃至约100℃的温度范围内具有5％或更小的体积变化率的硅酮和/或硅油。例如，可以使用六甲基二硅氧烷、八甲基三硅氧烷、十甲基四硅氧烷、十二甲基五硅氧烷和聚二甲基硅氧烷中的一种。
在基底100A的后侧中可以存在多个凹坑D，并且凹坑D可以填充有后覆盖层20的材料。后覆盖层20可以包括这样的材料，该材料的折射率与基底100A的折射率之间的差为0.5或更小。其示例材料与上述示例材料相同。
后覆盖层20的位于第一区域A1中的第一部分21的厚度可以比后覆盖层20的位于其它区域中的第二部分22的厚度小。第一部分21和第二部分22可以构成阶梯差。第一部分21的宽度W2可以等于或者大于显示层200的第四孔200H的宽度，例如，第一绝缘层201的通孔201h的宽度W1。
图13是根据实施例的显示面板的剖视图。
参照图13，因为包括基底100A、显示层200和封装基底300A的示例结构以及其中空气层或透明材料层在第一区域A1中位于基底100A与封装基底300A之间的结构的各种特性与上面参照图12描述的显示面板的各种特性相同，所以下面主要描述后覆盖层20。
后覆盖层20包括位于第一区域A1中的第一部分21，并且第一部分21的厚度比位于其它区域中的第二部分22的厚度小。第一部分21的宽度W2可以等于或者大于显示层200的第四孔200H的宽度，例如，第一绝缘层201的通孔201h的宽度W1。
在第一部分21与第二部分22之间可以存在阶梯差，并且在剖视图中阶梯差可以具有倾斜表面。例如，位于第一部分21与第二部分22之间的阶梯差部分的厚度可以在从第一部分21到第二部分22的方向上增大。倾斜表面可以相对于基底100A的后侧具有比90°小的斜度并且/或者包括弯曲表面。第一部分21的厚度比第二部分22的厚度小。第二部分22可以被定义为具有第一部分21的中心厚度的约120％或更小的厚度的部分或者具有第一部分21的中心厚度的约115％或更小的厚度的部分。第一部分21的宽度W2可以等于或者大于通孔201h的宽度W1。
上述后覆盖层20的第一部分21与第二部分22之间的阶梯差结构可以通过使用图14中所示的掩模来形成。
图14是根据实施例的用于形成后覆盖层20的掩模M1的平面图。
参照图14，掩模M1可以包括第一遮蔽部分B1，第一遮蔽部分(或屏蔽部分)B1包括分别在y方向和x方向上延伸的第一肋B11和第二肋B12。多个第一肋B11和多个第二肋B12可以彼此交叉以构成网结构，并且掩模M1可以包括位于相邻肋之间的多个第一孔H1。掩模M1可以在设定或预定区域中(例如，在虚拟圆VC内部)包括第二孔H2。第二孔H2的尺寸可以比第一孔H1的尺寸大。与在y方向和x方向上相邻的第一孔H1不同，第二遮蔽部分B2可以位于彼此邻近(例如，彼此相邻)的第二孔H2之间，第二遮蔽部分B2具有与第二孔H2的尺寸基本相同的尺寸。可以在x方向和y方向上交替地布置第二孔H2和第二遮蔽部分B2。
上面参照图13描述的后覆盖层20可以通过使用掩模M1的丝网印刷方法来形成。例如，具有上面的结构的掩模M1位于参照图13描述的基底100A的后侧上，然后可以涂覆构成(例如，用于形成)后覆盖层20的有机材料。穿过第一孔H1的有机材料可以构成(例如，形成)第二部分22(见图13)，穿过第二孔H2的有机材料可以构成(例如，形成)第一部分21(见图13)。通过具有相对大的尺寸的第二遮蔽部分B2穿过第二孔H2的有机材料的量可以比穿过第一孔H1的有机材料的量小。因此，可以形成具有第一部分21和第二部分22的后覆盖层20，第一部分21具有相对小的厚度，第二部分22具有相对大的厚度。因为有机材料在有机材料硬化之前具有流动性，所以第一部分21与第二部分22之间的阶梯差由于有机材料的流平现象(leveling phenomenon)可以具有拥有弯曲表面的倾斜表面，如图13中所示。
在另一实施例中，如图12中所示，其中第一部分21与第二部分22之间的阶梯差的倾斜表面具有基本90°的倾斜度的结构可以通过涂覆有机材料然后去除有机材料的一部分的方法来形成。
尽管在图12和图13中示出了第一部分21结合到第二部分22，但是在另一实施例中，第一部分21可以与第二部分22分隔开。
图15是根据实施例的显示面板的剖视图。
参照图15，因为包括基底100A、显示层200和封装基底300A的示例结构以及其中空气层或透明材料层位于基底100A与封装基底300A之间的结构的各种特性与上面参照图12描述的显示面板的各种特性相同，所以下面主要描述后覆盖层20。
后覆盖层20包括位于第一区域A1中的第一部分21，并且第一部分21的厚度比位于其它区域中(例如，除了第一区域A1之外的区域中)的第二部分22的厚度小。第一部分21的宽度W2可以等于或者大于显示层200的第四孔200H的宽度，例如，第一绝缘层201的通孔201h的宽度W1。
在第一部分21与第二部分22之间可以存在阶梯差。第一部分21可以与第二部分22分隔开。例如，第二部分22可以包括与第一区域A1对应的开口区域22OP，并且第一部分21可以位于开口区域22OP中。开口区域22OP的宽度W3可以比第一部分21的宽度W2大。
第一部分21和第二部分22可以包括相同或基本相同的材料。如下所述，可以通过使用图16中所示的掩模来形成包括分别具有不同厚度的第一部分21和第二部分22的后覆盖层20。
图16是根据实施例的用于形成后覆盖层20的掩模M2的平面图。
参照图16，掩模M2可以包括第一遮蔽部分B1，第一遮蔽部分B1包括分别在y方向和x方向上延伸的第一肋B11和第二肋B12。多个第一肋B11和多个第二肋B12可以构成(例如，形成)网结构，并且掩模M2可以包括位于相邻肋之间的多个第一孔H1。
掩模M2可以在设定或预定区域中(例如，在虚拟圆VC内部)包括第二孔H2。第二孔H2的尺寸可以比第一孔H1的尺寸大。与在y方向和x方向上相邻的第一孔H1不同，具有与第二孔H2的尺寸基本相同的尺寸的第二遮蔽部分B2可以位于彼此邻近(例如，彼此相邻或者最近)的第二孔H2之间。可以在x方向和y方向上交替地布置第二孔H2和第二遮蔽部分B2。
掩模M2可以包括第三遮蔽部分B3，第三遮蔽部分B3具有在与虚拟圆VC对应的外围(例如，圆周)方向上延伸的环形形状。第二孔H2和第二遮蔽部分B2可以交替地位于第三遮蔽部分B3内部。
上面参照图15描述的后覆盖层20可以通过使用掩模M2的丝网印刷方法来形成。例如，具有图16中所示结构的掩模M2位于其中形成有凹坑D的基底100A(见图15)的后侧上，然后可以涂覆构成后覆盖层20的有机材料。穿过第一孔H1的有机材料可以构成(例如，形成)第二部分22(见图15)，穿过第二孔H2的有机材料可以构成(例如，形成)第一部分21(见图15)。通过第三遮蔽部分B3可以在第一部分21与第二部分22之间形成分离空间。
图17是根据实施例的显示面板的剖视图。
参照图17，因为包括基底100A、显示层200和封装基底300A的示例结构以及其中空气层或透明材料层位于基底100A与封装基底300A之间的结构的各种特性与上面参照图12描述的显示面板的各种特性相同，所以下面主要描述后覆盖层20。
后覆盖层20可以包括第一子层210和第二子层220，第一子层210在直接接触(例如，物理接触)基底100A的后侧的同时填充凹坑D，第二子层220接触第一子层210。第一子层210可以位于基底100A与第二子层220之间。
后覆盖层20可以包括不同种类的材料。第一子层210可以包括具有相对小的粘度的材料并且包括透明材料，其中，基底100A的折射率与透明材料的折射率之间的差为0.5或更小。例如，第一子层210可以包括有机材料。
第二子层220可以包括具有的粘度比第一子层210的粘度大的材料。具有高粘度的第二子层220的厚度可以是第一子层210的厚度的2.5倍或更大，例如，第一子层210的厚度的三倍。第二子层220可以包括有机材料和分散在有机材料中的颗粒(例如，氧化硅和氧化钛)。包括所述颗粒的第二子层220的传输率(例如，光传输率)可以比第一子层210的传输率小。第二子层220可以包括与第一区域A1对应的开口220OP。因此，可以适当地或者充分地确保第一区域A1的传输率(例如，光传输率)。
后覆盖层20的位于第一区域A1中的第一部分21可以对应于第一子层210的与第二子层220的开口220OP叠置的部分210a。后覆盖层20的第二部分22可以对应于第一子层210的部分210b和第二子层220的部分220b，部分210b与部分220b叠置。
第一部分21的宽度W2可以由第二子层220的开口220OP的宽度限定。第一部分21的宽度W2可以等于或者大于显示层200的第四孔200H的宽度，例如，第一绝缘层201的通孔201h的宽度W1。
图18是根据实施例的显示面板的剖视图。
参照图18，显示层200位于基底100A上，显示层200包括像素电路PC和有机发光二极管OLED。其示例结构与参照图12描述的示例结构相同。显示层200可以被薄膜封装层300B覆盖。
薄膜封装层300B可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，薄膜封装层300B可以包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及位于它们之间的有机封装层320。第一无机封装层310和第二无机封装层330以及有机封装层320可以包括与上文中描述的材料相同的材料。
薄膜封装层300B可以包括第五孔300BH，如上面参照图8描述的。在实施例中，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以分别包括与第一区域A1对应的通孔310h和330h。薄膜封装层300B的第五孔300BH可以由通孔310h和330h限定，通孔310h和330h中的每者分别穿过第一无机封装层310和第二无机封装层330。有机封装层320可以包括通孔320h，通孔320h具有比第一无机封装层310的通孔310h的尺寸和第二无机封装层330的通孔330h的尺寸大的尺寸。
第一无机封装层310和第二无机封装层330的与第一区域A1相邻的端部可以与显示层200的无机绝缘层(例如，第一绝缘层201和第二绝缘层203)叠置。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以直接接触(例如，物理接触)第一绝缘层201和第二绝缘层203。
显示层200的第四孔200H可以由显示层200的绝缘层之中的具有最小宽度的绝缘层的孔限定。在实施例中，在图18中示出了显示层200的第四孔200H由第一绝缘层201的通孔201h和第二绝缘层203的通孔203h限定。
薄膜封装层300B的第五孔300BH可以具有与显示层200的第四孔200H的尺寸或宽度基本相同的尺寸或宽度。在一些实施例中，薄膜封装层300B的第五孔300BH可以小于或者大于显示层200的第四孔200H。
从显示层200的第四孔200H的宽度和薄膜封装层300B的第五孔300BH的宽度中选择的较小的一个的宽度W1可以等于或者小于后覆盖层20的第一部分21的宽度W2。在实施例中，图18示出了第一宽度W1由显示层200的第四孔200H限定。然而，在一些实施例中，第一宽度W1由薄膜封装层300B的第五孔300BH限定。
后覆盖层20可以包括第一部分21和第二部分22，并且覆盖形成在基底100A的后侧中的凹坑D。后覆盖层20的特性与上面参照图12描述的特性相同。尽管在图18中示出了后覆盖层20具有图12中示出的结构，但是本公开不限于此。在另一实施例中，后覆盖层20可以具有参照图13、图15和图17描述的结构。在另一实施例中，如参照图7C描述的，后覆盖层20可以局部地定位，以覆盖第一区域A1。
图19和图20是根据实施例的显示面板的剖视图。
参照图19，显示层200位于基底100B上，显示层200包括像素电路PC和有机发光二极管OLED。显示层200可以被薄膜封装层300B覆盖。尽管在图18中示出了显示层200和薄膜封装层300B形成在作为单层的基底100A的顶表面上，并且后覆盖层20形成在基底100A的后侧上，但是在图19和图20中示出了基底100B包括多个层。显示层200和薄膜封装层300B的示例结构以及第四孔200H与第五孔300BH之间的关系与上述的相同。
基底100B可以包括第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104。其示例材料与上面参照图10描述的示例材料相同。基底100B的第二阻挡层104可以通过彼此叠置的第四孔200H和第五孔300BH暴露。宽度W1可以与显示层200的第四孔200H和薄膜封装层300B的第五孔300BH中的较小的一个对应。宽度W1可以等于或者小于后覆盖层20的第一部分21的宽度W2。
在另一实施例中，基底100B的第二阻挡层104可以包括与第四孔200H和第五孔300BH叠置的通孔104h，如图20中所示。第二阻挡层104的通孔104h可以具有与显示层200的第四孔200H和/或薄膜封装层300B的第五孔300BH的尺寸(或宽度)相同的尺寸(或宽度)。第二阻挡层104的通孔104h的尺寸(或宽度)可以等于显示层200的第四孔200H的尺寸(或宽度)，但是与薄膜封装层300B的第五孔300BH的尺寸(或宽度)不同。
从第二阻挡层104的通孔104h、显示层200的第四孔200H和薄膜封装层300B的第五孔300BH中选择的较小的一个的宽度W1可以等于或者小于后覆盖层20的第一部分21的宽度W2。
后覆盖层20可以包括第一部分21和第二部分22，并且覆盖形成在基底100B的后侧中的凹坑D。后覆盖层20的特性与上面参照图12描述的特性相同。尽管在图19和图20中示出了后覆盖层20具有图12中示出的结构，但是本公开不限于此。在另一实施例中，参照图19和图20描述的后覆盖层20中的每个可以具有参照图13、图15和图17描述的结构。在另一实施例中，如参照图7C描述的，后覆盖层20可以局部地定位，以覆盖第一区域A1。
根据实施例的显示装置可以通过包括所述后覆盖层来改善光(和/或声音)的行进以及传输区域中的光(和/或声音)的传输质量。
应当理解，这里描述的实施例应当仅在描述性意义上而不是出于限制的目的来考虑。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它相似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求及其等同物限定的本公开的精神和范围的情况下，可以对其进行形式和细节上的各种改变。

Claims (33)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
绝缘层，位于所述基底的顶表面上；
多个发光二极管，位于所述绝缘层上，并且包括彼此分隔开的两个发光二极管，并且在所述两个发光二极管之间具有传输区域；
封装构件，覆盖所述多个发光二极管；以及
后覆盖层，位于所述基底的后表面上，并且包括位于所述传输区域中的第一部分，
其中，所述第一部分包括透明材料。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述后覆盖层的所述第一部分的折射率与所述基底的折射率之间的差为0.5或更小。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基底的所述后表面包括多个凹坑，并且所述多个凹坑之中的位于所述传输区域中的至少一个凹坑填充有所述第一部分的所述透明材料。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基底包括玻璃材料和/或聚合物树脂。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层包括：
第一绝缘层，位于所述基底的所述顶表面上；
第二绝缘层，位于晶体管的半导体层与栅电极之间，所述晶体管位于所述第一绝缘层上；以及
第三绝缘层，位于所述晶体管与所述多个发光二极管之间，
其中，从所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层中选择的至少一个包括位于所述传输区域中的通孔。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层中的每个包括位于所述传输区域中的通孔，并且
所述通孔之中的具有最小尺寸的通孔的宽度比所述后覆盖层的所述第一部分的宽度小。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的显示装置，其中，所述后覆盖层包括所述第一部分和围绕所述第一部分的第二部分，并且
所述第二部分的厚度比所述第一部分的厚度大，使得所述第一部分与所述第二部分一起在所述后覆盖层中形成阶梯差。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一部分与所述第二部分之间的所述阶梯差具有倾斜表面，所述后覆盖层的构成所述倾斜表面的部分的厚度比所述第一部分的所述厚度大并且比所述第二部分的所述厚度小。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一部分和所述第二部分彼此分隔开。
10.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述后覆盖层包括：
第一子层，位于所述基底的所述后表面上，并且包括所述第一部分；以及
第二子层，位于所述第一子层上，并且包括与所述传输区域对应的开口。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第二子层包括与所述第一子层的材料不同的材料。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述封装构件包括玻璃材料的封装基底。
13.根据权利要求12所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述基底与所述封装基底之间的空气层。
14.根据权利要求12所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述基底与所述封装基底之间的透明材料层。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述封装构件包括薄膜封装层，所述薄膜封装层包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述薄膜封装层包括与所述传输区域对应的孔。
17.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
显示层，位于所述基底的顶表面上，并且包括彼此分隔开的两个像素，并且在所述两个像素之间具有传输区域；以及
后覆盖层，位于所述基底的后表面上，并且包括与所述传输区域对应的第一部分，
其中，所述后覆盖层的所述第一部分包括透明材料。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述后覆盖层的所述第一部分的折射率与所述基底的折射率之间的差为0.5或更小。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述基底包括玻璃材料和/或聚合物树脂。
20.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述基底的所述后表面包括多个凹坑，并且
所述多个凹坑之中的与所述传输区域对应的至少一个凹坑填充有所述第一部分的所述透明材料。
21.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述显示层包括：
至少一个绝缘层，位于所述基底的所述顶表面上，并且包括与所述传输区域对应的通孔；以及
像素电极、相对电极和中间层，均位于所述至少一个绝缘层上，所述中间层在所述像素电极与所述相对电极之间。
22.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述显示层包括位于所述传输区域中的孔。
23.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述显示层的所述孔的宽度比所述后覆盖层的所述第一部分的宽度小。
24.根据权利要求17至23中的任一项所述的显示装置，其中，所述后覆盖层包括所述第一部分和围绕所述第一部分的第二部分，并且
所述第二部分的厚度比所述第一部分的厚度大，使得所述第一部分与所述第二部分一起在所述后覆盖层中形成阶梯差。
25.根据权利要求24所述的显示装置，其中，所述第一部分与所述第二部分之间的所述阶梯差具有倾斜表面，所述后覆盖层的构成所述倾斜表面的部分的厚度比所述第一部分的所述厚度大并且比所述第二部分的所述厚度小。
26.根据权利要求24所述的显示装置，其中，所述第一部分和所述第二部分彼此分隔开。
27.根据权利要求24所述的显示装置，其中，所述后覆盖层包括：
第一子层，位于所述基底的所述后表面上，并且包括所述第一部分；以及
第二子层，位于所述第一子层上，并且包括与所述传输区域对应的开口。
28.根据权利要求27所述的显示装置，其中，所述第二子层包括与所述第一子层的材料不同的材料。
29.根据权利要求17所述的显示装置，所述显示装置还包括封装基底，所述封装基底覆盖所述显示层并且包括玻璃材料。
30.根据权利要求29所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述基底与所述封装基底之间的空气层。
31.根据权利要求29所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述基底与所述封装基底之间的透明材料层。
32.根据权利要求17所述的显示装置，所述显示装置还包括薄膜封装层，所述薄膜封装层覆盖所述显示层并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
33.根据权利要求32所述的显示装置，其中，所述薄膜封装层包括与所述传输区域对应的孔。
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