CN111725257A - 显示面板 - Google Patents

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CN111725257A CN202010190972.7A CN202010190972A CN111725257A CN 111725257 A CN111725257 A CN 111725257A CN 202010190972 A CN202010190972 A CN 202010190972A CN 111725257 A CN111725257 A CN 111725257A
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display panel
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李正浩
金旼柱
金元浩
李根洙
蔡敬赞
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Abstract

显示面板包括：包括第一区域、第二区域以及在第一区域与第二区域之间的第三区域的基板；在第二区域中并且包括像素电极、对电极以及在像素电极与对电极之间的中间层的堆叠结构；在第三区域中并且将包含在中间层中的至少一个有机材料层分离的槽；以及在第三区域中并且包括与槽重叠的第一开口的至少一个金属层，其中槽被限定在包括有机层和在有机层上的无机层的多层膜中，并且至少一个金属层在基板与多层膜之间。

Description

显示面板
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年3月21日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0032539号的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文。
技术领域
一个或多个示例实施方式的方面涉及包括在显示区域内的第一区域的显示面板。
背景技术
近年来，显示设备的用途和应用已经多样化。另外，显示设备变得更薄和更轻，并且因此显示设备的使用范围正在扩大。
随着显示设备的显示区域增加，连接或链接到显示设备的各种功能可以被添加到显示设备。由于在增加显示区域的同时添加各种功能的方法，因此显示设备可以包括设置在显示区域中的各种部件。
在该背景技术部分中公开的上述信息仅是为了加强对背景技术的理解，并且因此，在该背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
一个或多个示例实施方式可以包括显示面板以及包括显示面板的显示设备，显示面板包括其中各种类型的部件可以被设置在显示区域中的第一区域。然而，以上仅是示例，并且根据本公开的实施方式并不限于此。
根据一些示例实施方式，显示面板包括：包括第一区域、第二区域以及在第一区域与第二区域之间的第三区域的基板；位于第二区域中并且包括像素电极、对电极以及在像素电极与对电极之间的中间层的堆叠结构；位于第三区域中并且将包含在中间层中的至少一个有机材料层分离的槽；以及位于第三区域中并且包括与槽重叠的第一开口的金属层。
根据一些示例实施方式，槽可以被限定在包括有机层和在有机层上的无机层的多层膜中，并且至少一个金属层可以被设置在基板与多层膜之间。
根据一些示例实施方式，多层膜的无机层可以包括朝向槽的中心突出的一对尖端。
根据一些示例实施方式，多层膜的有机层可以包括开口，并且多层膜的无机层可以通过有机层的开口与至少一个金属层直接接触。
根据一些示例实施方式，多层膜的无机层可以包括金属层。
根据一些示例实施方式，显示面板可以进一步包括在基板与多层膜之间并且包括与槽和第一开口重叠的第二开口的至少一个无机绝缘层。
根据一些示例实施方式，显示面板可以进一步包括在第二区域中并且电连接到堆叠结构的晶体管和存储电容器，其中至少一个金属层包括与晶体管的栅电极或存储电容器的电极中的至少一个相同的材料。
根据一些示例实施方式，至少一个金属层的第一开口的宽度大于槽的宽度。
根据一些示例实施方式，当在与基板的上表面垂直的方向上观察时，至少一个金属层可以具有围绕第一区域的环形形状。
根据一些示例实施方式，显示面板可以进一步包括在基板与多层膜之间的下金属层。
根据一些示例实施方式，槽的底部表面可以与下金属层的上表面处于同一水平。
根据一些示例实施方式，下金属层可以包括与槽对应的第三开口。
根据一些示例实施方式，显示面板可以包括位于第一区域中并且穿过显示面板的孔。
根据一些示例实施方式，显示面板包括：包括开口区域、显示区域以及在开口区域与显示区域之间的中间区域的基板；设置在显示区域中的晶体管；包括电连接到晶体管的像素电极、在像素电极上的中间层以及在中间层上的对电极的显示元件；在晶体管与像素电极之间的第一有机绝缘层，第一有机绝缘层延伸到中间区域；位于中间区域中并且具有底切结构的槽，槽将包含在中间层中的至少一个有机材料层分离；以及在基板与第一有机绝缘层之间并且具有与槽对应的第一开口的无机结构。
根据一些示例实施方式，槽可以被限定在多层膜中，并且多层膜可以包括位于基板上的第一有机绝缘层和位于第一有机绝缘层上的无机层，并且无机层可以包括朝向槽的中心延伸的一对尖端。
根据一些示例实施方式，无机层可以包括金属。
根据一些示例实施方式，槽的穿过第一有机绝缘层的部分的宽度可以大于第一开口的宽度。
根据一些示例实施方式，无机结构可以包括至少一个无机绝缘层和至少一个金属层。
根据一些示例实施方式，至少一个金属层可以包括第二开口，第二开口与无机结构的第一开口对应并且大于无机结构的第一开口。
根据一些示例实施方式，显示面板可以进一步包括在基板与无机结构之间的下金属层。
根据一些示例实施方式，槽的底部表面可以与下金属层的上表面处于同一水平。
根据一些示例实施方式，下金属层可以包括与槽重叠的第三开口。
根据一些示例实施方式，显示面板可以进一步包括与槽相邻设置的无机接触区域。
根据一些示例实施方式，显示面板可以进一步包括设置在第一有机绝缘层上的金属层，并且金属层可以通过第一有机绝缘层的开口直接接触无机结构以提供无机接触区域。
根据一些示例实施方式，无机接触区域可以被设置在槽的两侧中的每侧上，槽在无机接触区域之间。
根据一些示例实施方式，槽的深度可以大于第一有机绝缘层的位于显示区域中的部分的最大厚度。
除了上述细节之外，其他方面、特征和特性将从下面的附图、权利要求书和详细说明中变得清楚。
附图说明
根据以下结合附图对实施方式的描述，这些和/或其它方面将变得明显以及更易于理解，其中：
图1是示意性地图示根据一些示例实施方式的显示设备的透视图；
图2是示意性地图示根据一些示例实施方式的显示设备的截面图；
图3是示意性地图示根据一些示例实施方式的显示设备的截面图；
图4A至图4D是根据一些示例实施方式的显示面板的示意性截面图；
图5是根据一些示例实施方式的显示面板的示意性平面图；
图6是根据一些示例实施方式的显示面板的像素的示意性等效电路图；
图7是根据一些示例实施方式的显示面板的一部分的平面图；
图8是根据一些示例实施方式的显示面板的截面图；
图9A至图9C以及图9E是根据一些示例实施方式的显示面板制造工艺的截面图；
图9D是图9C的区IXd的放大截面图；
图9F图示了根据一些示例实施方式的图9B的显示面板的修改版本；
图10是根据一些示例实施方式的显示面板的中间区域的一部分的平面图；
图11是根据一些示例实施方式的显示面板的中间区域的截面图；并且
图12是根据一些示例实施方式的显示面板的示意性截面图。
具体实施方式
现在将更加详细地参考示例实施方式，这些示例实施方式被图示在附图中，其中相同的附图标记始终指代相同的元件。就此而言，本申请的示例实施方式可以具有不同的形式并且不应理解为限于本文陈述的描述。因此，下面通过参考附图描述的示例实施方式仅仅用于解释本说明书的各方面。如本文中使用的，术语“和/或”包括所关联列出的项目中的一个或多个的任意和全部组合。诸如“…中的至少一个”的表述，在位于元件列表之后时，修饰整个元件列表并且不修饰列表中的个别元件。
由于根据本公开的实施方式可以具有不同的修改和若干实施方式，因此在附图中示出并将更加详细地描述示例实施方式。将参考下面详细描述的实施方式以及附图来详细说明效果、特征及其实现方法。然而，实施方式可以具有不同的形式并且不应理解为限于本文陈述的描述。
在下文中，将参考其中示出了根据本公开的示例实施方式的附图更充分地描述本公开的一些示例实施方式的方面。在附图中，相同的元件被标记为相同的附图标记，并且其重复描述将被省略。
虽然可以利用如“第一”、“第二”等这样的术语来描述不同的部件，但这样的部件不一定限于上面的术语。使用上述术语仅仅是为了将一个部件与另一个部件区别开来。
使用单数形式的表述涵盖复数的表述，除非其在上下文中具有明显不同的含义。
在本说明书中，应当理解，诸如“包括”或“具有”的术语旨在指示说明书中公开的特征或部件的存在，并且不旨在排除一个或多个其他特征或部件可被添加的可能性。
将理解，当层、区或部件被称为“形成在”另一层、区或部件“上”时，其可以直接或间接形成在另一层、区或部件上。即，例如，可以存在中间层、区或部件。
为便于说明，可以夸大附图中的部件的尺寸。换言之，由于附图中部件的尺寸和厚度为了便于说明而被任意地示出，因此下面的实施方式不限于此。
当某一实施方式可以被不同地实现时，特定工艺顺序可以以不同于所描述的顺序被执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时被执行，或以与所描述的顺序相反的顺序被执行。
在整个公开中，表述“A和/或B”指示仅A、仅B或A和B两者。而且，表述“A和B中的至少一个”指示仅A、仅B或A和B两者。
在下面的实施方式中，当层、区域或元件“连接”时，可以被解释为该层、区域或元件直接连接或/和通过其间的其他构成元件间接连接。例如，当层、区域、元件等被描述为电连接时，该层、区域、元件等可以直接电连接和/或通过其间的另一层、区域、元件等间接地电连接。
图1是示意性地图示根据一些示例实施方式的显示设备的透视图。
参考图1，显示设备1包括第一区域OA以及作为部分地围绕第一区域OA的第二区域的显示区域DA。显示设备1可以通过使用从设置在显示区域DA中的多个像素发射的光来提供或显示图像。第一区域OA可以被显示区域DA完全围绕。第一区域OA可以是其中设置有要参考图2描述的部件的区域。
中间区域MA被放置为在第一区域OA与作为第二区域的显示区域DA之间的第三区域。显示区域DA可以被作为第四区域的外围区域PA围绕。中间区域MA和外围区域PA可以是其中没有设置像素的非显示区域的类型。中间区域MA可以被显示区域DA完全围绕，并且显示区域DA可以被外围区域PA完全围绕。
在下文中，有机发光显示设备将被描述为根据一些示例实施方式的显示设备1的示例，但根据本公开的实施方式的显示设备并不限于此。根据一些示例实施方式，显示设备1可以是例如无机发光显示器(或无机EL显示器)或量子点发光显示器。例如，包含在显示设备1中的显示元件的发射层可以包括有机材料、无机材料、量子点，或者有机材料和量子点两者，或者无机材料和量子点两者。
尽管图1图示了近似圆形的一个第一区域OA，但实施方式并不限于此。可以包括两个或更多个第一区域OA，并且它们的形状可以是各种各样的，例如，圆形、椭圆形、星形形状、菱形形状等。
图2是图示根据一些示例实施方式的显示设备1的示意性截面图，并且可以与沿图1的线II-II'截取的截面对应。图3与图2的显示设备1的修改实施方式对应。
参考图2，显示设备1可以包括显示面板10、设置在显示面板10上的输入感测层40以及可以被窗口60覆盖的光学功能层50。显示设备1可以是各种类型的电子设备，诸如移动电话、膝上型计算机或智能手表。
显示面板10可以显示图像。显示面板10包括设置在显示区域DA中的像素。像素可以包括显示元件和连接到显示元件的像素电路。
输入感测层40根据诸如触摸事件的外部输入获取坐标信息。输入感测层40可以包括感测电极(或触摸电极)以及连接到感测电极的迹线。输入感测层40可以被设置在显示面板10上。输入感测层40可以通过使用互电容方法或/和自电容方法来感测外部输入。
输入感测层40可以直接形成在显示面板10上或者可以单独地形成，并且然后通过使用诸如光学透明粘合剂的粘合剂层组合到显示面板10。例如，输入感测层40可以在形成显示面板10的工艺之后被连续地形成，并且在此情况下，输入感测层40可以被视为显示面板10的一部分，并且在输入感测层40与显示面板10之间可以不存在粘合剂层。在图2中，图示了被放置在显示面板10与光学功能层50之间的输入感测层40。然而，根据一些示例实施方式，输入感测层40也可以被设置在光学功能层50上。
光学功能层50可以包括抗反射层。抗反射层可以减小从外部通过窗口60入射到显示面板10上的光(外部光)的反射率。抗反射层可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以是膜型或液体涂布型，并且可以包括λ/2延迟器或λ/4延迟器。偏振器也可以是膜型或液体涂布型，并且膜型偏振器可以包括可伸缩的合成树脂膜，并且液体涂布型偏振器可以包括以特定布置设置的液晶。延迟器和偏振器可以进一步包括保护膜。
根据一些示例实施方式，抗反射层可以包括黑矩阵和滤色器。可以通过考虑分别从显示面板10的像素发射的光的颜色来设置滤色器。滤色器可以分别包括红色、绿色或蓝色的颜料或染料。可选地，除了上述颜料或染料之外，滤色器可以分别进一步包括量子点。可选地，滤色器中的一些可以不包括上述颜料或染料，而是可以包括诸如氧化钛的散射颗粒。
根据一些示例实施方式，抗反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括设置在不同层上的第一反射层和第二反射层。分别被第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以经历相消干涉，从而降低外部光的反射率。
光学功能层50可以包括透镜层。透镜层可以增大从显示面板10发射的光的输出效率，或者可以降低颜色偏差。透镜层可以包括具有凹透镜形状或凸透镜形状的层，或/和具有不同折射率的多个层。光学功能层50可以包括上面描述的抗反射层和透镜层两者或它们中的一个。
根据一些示例实施方式，光学功能层50可以在形成显示面板10和/或输入感测层40的工艺之后被连续地形成。在此情况下，在光学功能层50与显示面板10之间或在光学功能层50与输入感测层40之间可以不设置粘合剂层。
显示面板10、输入感测层40和/或光学功能层50可以包括通孔。如图2中所示，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50可以分别包括通孔10H、40H和50H，并且通孔10H、40H和50H可以彼此重叠。通孔10H、40H和50H被定位成与第一区域OA对应。第一区域OA可以是其中为了向如上所述的显示设备1添加各种功能而包含的部件20所在的部件区域(例如，传感器区域、相机区域、扬声器区域等)的类型。
部件20可以位于通孔10H、40H和50H中，如图2中所示。部件20可以包括电子元件。例如，部件20可以是使用光或声音的电子元件。例如，电子元件可以包括输出或/和接收光的传感器(诸如红外传感器)、接收光以捕获图像的相机、通过输出或感测光或声音来测量距离或感测指纹的传感器、输出光的小型灯、输出声音的扬声器等。使用光的电子元件可以使用诸如可见光、红外光和紫外光的各种波段的光。在一些实施方式中，第一区域OA可以是透射区域，从部件20输出到外部或从外部传播到部件20中的光或/和声音穿过该透射区域。
图2图示了显示面板10、输入感测层40和光学功能层50分别包括通孔10H、40H和50H，但实施方式并不限于此。
根据另一实施方式，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的一个或多个可以不包括通孔。例如，从显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中选择的任一个或两个可以不包括通孔。可选地，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50可以不包括通孔，如图3中所示。在此情况下，部件20可以被设置在显示面板10下方，如图3中所示。
根据一些示例实施方式，当显示设备1用作智能手表或车辆的仪表板时，部件20可以是手表的指针或诸如指示特定信息(例如，车速)的指针的元件。当显示设备1包括手表或用于车辆的仪表板的指针时，部件20可以穿过窗口60并且被暴露于外部，并且窗口60可以具有与第一区域OA对应的通孔。
部件20可以包括与如上所述的显示面板10的功能有关的部件或诸如增加显示面板10的美感的附件的部件。尽管在图2和图3中未示出，但包括光学透明粘合剂的层可以在窗口60与光学功能层50之间。
图4A至图4D是根据实施方式的显示面板10的示意性截面图。
参考图4A，显示面板10包括设置在基板100上的显示层200。基板100可以包括玻璃材料或聚合物树脂。基板100可以是多层。例如，如图4A的放大图中所示，基板100可以包括第一基底层101、第一阻挡层102、第二基底层103和第二阻挡层104。
第一基底层101和第二基底层103每个可以包括聚合物树脂。例如，第一基底层101和第二基底层103可以包括诸如聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)的聚合物树脂。聚合物可以是透明的。
第一阻挡层102和第二阻挡层104是防止外部异物的渗透的阻挡层，并且可以是包括诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机材料的单层结构或多层结构。
显示层200包括多个像素。显示层200可以包括显示元件层200A和像素电路层200B，显示元件层200A包括设置在每个像素中的显示元件，像素电路层200B包括设置在每个像素中的像素电路和绝缘层。显示元件层200A可以具有像素电极、对电极以及在像素电极与对电极之间的堆叠结构，并且每个显示元件可以是有机发光二极管(OLED)。每个像素电路可以包括薄膜晶体管和存储电容器。
显示层200的显示元件可以被诸如薄膜封装层300的封装元件覆盖，并且薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。由于显示面板10包括包含聚合物树脂的基板100以及包含无机封装层和有机封装层的薄膜封装层300，因此可以增强显示面板10的柔性。
显示面板10可以包括穿过显示面板10的通孔10H。通孔10H可以位于第一区域OA中，并且第一区域OA在此情况下可以是孔区域的类型。在图4A中，基板100和薄膜封装层300分别包括与显示面板10的通孔10H对应的通孔100H和300H。显示层200还可以包括与第一区域OA对应的通孔200H。
根据一些示例实施方式，如图4B中所示，基板100可以不包括与第一区域OA对应的通孔。显示层200可以包括与第一区域OA对应的通孔200H。薄膜封装层300可以不包括与第一区域OA对应的通孔。根据一些示例实施方式，如图4C中所示，显示层200可以不包括与第一区域OA对应的通孔200H。
尽管在图4A至图4C中显示元件层200A没有被设置在第一区域OA中，但实施方式并不限于此。根据一些示例实施方式，如图4D中所示，辅助显示元件层200C可以位于第一区域OA中。辅助显示元件层200C可以包括具有与显示元件层200A的显示元件不同的结构或/和以与显示元件层200A的显示元件不同的方式操作的显示元件。
根据一些示例实施方式，显示元件层200A的每个像素可以包括有源型有机发光二极管，并且辅助显示元件层200C可以包括包含无源型有机发光二极管的像素。当辅助显示元件层200C包括无源型有机发光二极管的显示元件时，在无源型有机发光二极管下方可以省略构成像素电路的部件。例如，像素电路层200B的在辅助显示元件层200C下方的部分不包括晶体管和存储电容器。
根据一些示例实施方式，辅助显示元件层200C可以包括与显示元件层200A相同类型的显示元件(例如，有源型有机发光二极管)，但辅助显示元件层200C下方的像素电路可以具有不同的结构。例如，辅助显示元件层200C下方的像素电路(例如，包括在基板与晶体管之间的遮光层的像素电路)可以具有与显示元件层200A下方的像素电路不同的结构。可选地，辅助显示元件层200C的显示元件可以根据与显示元件层200A的显示元件的控制信号不同的控制信号来操作。在其中设置有辅助显示元件层200C的第一区域OA中，可以设置不需要相对高的透射率的部件(例如，红外传感器)。在此情况下，第一区域OA可以被视为部件区域和辅助显示区域两者。
图5是示意性地图示根据一些示例实施方式的显示面板10的平面图，并且图6是示意性地图示显示面板10的任意像素的等效电路图。
参考图5，显示面板10可以包括第一区域OA、作为第二区域的显示区域DA、作为第三区域的中间区域MA以及作为第四区域的外围区域PA。图5可以被理解为包含在显示面板10中的基板100。例如，可以理解，基板100包括第一区域OA、显示区域DA、中间区域MA和外围区域PA。
显示面板10包括设置在显示区域DA中的多个像素P。每个像素P可以包括像素电路PC以及作为连接到像素电路PC的显示元件的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。每个像素P可以通过有机发光二极管OLED发射红光、绿光、蓝光或白光。
第二薄膜晶体管T2是开关薄膜晶体管，并且连接到扫描线SL和数据线DL。第二薄膜晶体管T2可以基于经由扫描线SL输入的开关电压，将经由数据线DL输入的数据电压传送到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从第二薄膜晶体管T2接收的电压和供给到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的差对应的电压。
第一薄膜晶体管T1为驱动薄膜晶体管，并且连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以根据存储在存储电容器Cst中的电压值控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以经由驱动电流发射具有特定亮度的光。有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)可以接收第二电源电压ELVSS。
图6图示了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但实施方式并不限于此。薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而变化。例如，除了上述两个薄膜晶体管之外，像素电路PC可以进一步包括四个或更多个薄膜晶体管。
返回参考图5，在平面图中，中间区域MA可以围绕第一区域OA。中间区域MA是其中未设置诸如有机发光二极管的显示元件的区域。在中间区域MA中，信号线可以位于中间区域MA中，经由该信号线，信号被提供到设置在第一区域OA的外围中的像素P。在外围区域PA中，可以设置将扫描信号提供到每个像素P的扫描驱动器1100、将数据信号提供到每个像素P的数据驱动器1200、经由其提供第一电源电压和第二电源电压的主电源布线(未示出)等。虽然图5图示了数据驱动器1200被设置成与基板100的一侧相邻，但根据一些示例实施方式，数据驱动器1200可以被设置在电连接到设置在显示面板10的一侧处的焊盘的柔性印刷电路板(FPCB)上。
图7是根据实施方式的显示面板的一部分的示意性平面图。
参考图7，像素P可以在第一区域OA周围彼此间隔开。第一区域OA可以被限定在像素P中。例如，如图7的平面图中所示，像素P可以被设置在第一区域OA的上方和下方，并且像素P可以被设置在第一区域OA的左边和右边上。
用于将信号供给到像素P并且与第一区域OA相邻的信号线可以在第一区域OA周围绕行。在图7的平面上穿过显示区域DA的数据线DL中的至少一条数据线DL可以在y方向上延伸，以将数据信号提供到设置在第一区域OA上方和下方的像素P，并且可以同时在中间区域MA中沿第一区域OA的边界绕行。在平面图中穿过显示区域DA的扫描线SL中的至少一条扫描线SL可以在x方向上延伸，以将扫描信号提供到设置在第一区域OA的左边和右边上的像素P，并且可以同时在中间区域MA中沿第一区域OA的边界绕行。
扫描线SL的绕行部分(或旁路部分)SL-D与穿过显示区域DA的延伸部分SL-L位于同一层上。绕行部分SL-D可以与延伸部分SL-L一体地形成。数据线DL中的数据线DL的绕行部分DL-D1可以形成在与穿过显示区域DA的延伸部分DL-L1不同的层上，并且数据线DL的绕行部分DL-D1和延伸部分DL-L1可以通过接触孔CNT连接。数据线DL中的另一条数据线DL的绕行部分DL-D2与延伸部分DL-L2位于同一层上，并且可以与延伸部分DL-L2一体地形成。
一个或多个槽G可以位于第一区域OA与其中扫描线SL和数据线DL在第一区域OA周围绕行的区域之间。在平面图中，槽G每个可以具有围绕第一区域OA的环形形状，并且槽G可以彼此间隔开。
图8是根据实施方式的显示面板的截面图，并且可以与沿图7的线VIII-VIII'截取的截面图对应。图9A至图9C以及图9E是根据一些示例实施方式的在制造工艺期间的显示面板的截面图。图9D是图9C的区域IXd的放大截面图。图9F是图9B的显示面板的修改实施方式。
参考图8的显示区域DA，基板100可以包括玻璃材料或聚合物树脂。根据一些示例实施方式，基板100可以包括多个子层，如以上图4A的放大图中所示。
缓冲层201可以形成在基板100上，以防止杂质渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层Act中。缓冲层201可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和氧化硅的无机绝缘材料，并且可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
像素电路PC可以被设置在缓冲层201上。像素电路PC包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
像素电路PC的数据线DL未在图8中示出，但电连接到包含在像素电路PC中的开关薄膜晶体管。根据一些示例实施方式，图示了顶栅型薄膜晶体管，其中栅电极GE被设置在半导体层Act上，栅绝缘层203在栅电极GE与半导体层Act之间。然而，根据一些示例实施方式，薄膜晶体管TFT也可以是底栅型。
半导体层Act可以包括多晶硅。可选地，半导体层Act可以包括非晶硅、氧化物半导体、有机半导体等。栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括包含上述材料的多层或单层。
半导体层Act与栅电极GE之间的栅绝缘层203可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪等的无机绝缘材料。栅绝缘层203可以是包括上述材料的单层或多层。
源电极SE和漏电极DE可以与数据线DL位于同一层上，并且可以包括与数据线相同的材料。源电极SE、漏电极DE和数据线DL可以包括具有高电导率的材料。源电极SE和漏电极DE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括包含上述材料的多层或单层。根据一些示例实施方式，源电极SE、漏电极DE和数据线DL每个可以包括Ti/Al/Ti的多层。
存储电容器Cst可以包括彼此重叠的下电极CE1和上电极CE2，第一层间绝缘层205在下电极CE1与上电极CE2之间。存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT重叠。就此而言，图8图示了作为存储电容器Cst的下电极CE1的薄膜晶体管TFT的栅电极GE。根据一些示例实施方式，存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT不重叠。存储电容器Cst可以被第二层间绝缘层207覆盖。存储电容器Cst的上电极CE2可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括包含上述材料的多层或单层。
第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207每个可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪等的无机绝缘材料。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207每个可以包括包含上述材料的单层或多层。
包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路PC可以被第一有机绝缘层209覆盖。第一有机绝缘层209可以包括近似平坦的上表面。
第三层间绝缘层208可以被设置在第一有机绝缘层209下方。第三层间绝缘层208可以包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机绝缘材料。
像素电路PC可以电连接到像素电极221。例如，如图8中所示，接触金属层CM可以被设置在薄膜晶体管TFT和像素电极221之间。接触金属层CM可以经由形成在第一有机绝缘层209中的接触孔连接到薄膜晶体管TFT，并且像素电极221可以经由形成在接触金属层CM上的第二有机绝缘层211中的接触孔连接到接触金属层CM。接触金属层CM可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括包含上述材料的多层或单层。根据一些示例实施方式，接触金属层CM可以包括Ti/Al/Ti的多层。
第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211可以包括有机绝缘材料，诸如通用聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有苯酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯醇类聚合物以及它们的共混物。根据一些示例实施方式，第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211每个可以包括聚酰亚胺。
像素电极221可以形成在第二有机绝缘层211上。像素电极221可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。根据一些示例实施方式，像素电极221可以包括反射层，反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物。根据一些示例实施方式，像素电极221可以进一步包括在上述反射层上或下方的由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。
像素限定层215可以形成在像素电极221上。像素限定层215可以包括暴露像素电极221的上表面的开口，并且覆盖像素电极221的边缘。像素限定层215可以包括有机绝缘材料。可选地，像素限定层215可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅或氧化硅的无机绝缘材料。可选地，像素限定层215可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
中间层222包括发射层222b。中间层222可以包括设置在发射层222b下方的第一功能层222a和/或设置在发射层222b上的第二功能层222c。发射层222b可以包括发射预定颜色的光的聚合物或低分子量有机材料。
第一功能层222a可以是单层或多层。例如，当第一功能层222a由聚合物材料形成时，第一功能层222a可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)，并且可以由聚-(3,4)-乙撑-二羟基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)形成。当第一功能层222a由低分子量材料形成时，第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。
第二功能层222c可以被省略。例如，当第一功能层222a和发射层222b由聚合物材料形成时，第二功能层222c可以优选地被形成。第二功能层222c可以包括单层或多层。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
中间层222的发射层222b可以被设置在显示区域DA中的每个像素中。发射层222b可以被图案化以与像素电极221对应。与发射层222b不同，中间层222的第一功能层222a和/或第二功能层222c可以朝向中间区域MA延伸，以不仅在显示区域DA中，而且也在中间区域MA中。
对电极223可以由具有低功函数的导电材料形成。例如，对电极223可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或它们的合金的(半)透明层。可选地，对电极223可以进一步包括在包含上述材料的(半)透明层上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的材料。对电极223可以不仅形成在显示区域DA中，而且形成在中间区域MA中。可以使用热沉积方法形成第一功能层222a、第二功能层222c和对电极223。
封盖层230可以位于对电极223上。例如，封盖层230可以包括LiF，并且可以使用热沉积方法来形成。在一些实施方式中，封盖层230可以被省略。
隔离物217可以形成在像素限定层215上。隔离物217可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。可选地，隔离物217可以包括无机绝缘材料，或有机绝缘材料和无机绝缘材料两者。
隔离物217可以包括与像素限定层215不同的材料，或者与像素限定层215相同的材料。根据一些示例实施方式，像素限定层215和隔离物217可以包括聚酰亚胺。像素限定层215和隔离物217可以在使用半色调掩模的掩模工艺中一起被形成。
有机发光二极管OLED可以被薄膜封装层300覆盖。薄膜封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。根据一些示例实施方式，图8图示了薄膜封装层300包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。根据一些示例实施方式，可以修改有机封装层的数量、无机封装层的数量和堆叠这些层的顺序。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种无机材料。第一无机封装层310和第二无机封装层330每个可以包括包含上述材料的单层或多层。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。根据一些示例实施方式，有机封装层320可以包括丙烯酸酯。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以具有不同的厚度。第一无机封装层310可以比第二无机封装层330厚。可选地，第二无机封装层330可以比第一无机封装层310厚，或者第一无机封装层310可以具有与第二无机封装层330的厚度相同的厚度。
参考图8的中间区域MA，中间区域MA可以包括相对远离第一区域OA的第一子中间区域SMA1以及相对靠近第一区域OA的第二子中间区域SMA2。在中间区域MA中，可以设置在第一区域OA周围绕行的线和槽G。
线(例如，如图8中所示的数据线DL)可以位于第一子中间区域SMA1中。图8中所示的第一子中间区域SMA1的数据线DL与上面参考图7描述的数据线DL的绕行部分(例如，DL-D1或DL-D2)对应。第一子中间区域SMA1可以被理解为被诸如上述数据线DL的线绕行的线区域或绕行区域。
数据线DL可以被交替设置，绝缘层在数据线DL之间。例如，相邻的数据线DL中的一条可以被设置在绝缘层(例如，第一有机绝缘层209)下方，并且另一条可以被设置在绝缘层(例如，第一有机绝缘层209)上，并且以这种方式，数据线DL被交替地设置在第一有机绝缘层209上和下方。当数据线DL被交替地设置时，可以减小数据线DL之间的距离(Δd，间距)。尽管在图8中图示了位于第一子中间区域SMA1中的数据线DL，但扫描线SL(例如，扫描线SL的绕行部分)也可以位于第一子中间区域SMA1中。
数据线DL中的设置在第一有机绝缘层209下方的数据线DL可以被延伸到中间区域MA的第三层间绝缘层208覆盖。第三层间绝缘层208的上表面可以包括凹凸表面。这里，凹凸表面可以不仅指示简单的凹凸表面，而且指示设置在第三层间绝缘层208下方的数据线DL中的具有谷的表面。就此而言，图8图示了形成具有近似V形或U形的谷。
在第二子中间区域SMA2中，可以设置一个或多个槽G。包含在中间层222中的有机材料层(例如，第一功能层222a和/或第二功能层222c)可以被槽G断开(或间隔开)。第二子中间区域SMA2可以被理解为槽区域或有机材料层的断开区域(或间隔区域)。
槽G可以形成在基板100与像素电极221之间的多层膜ML中。多层膜ML可以包括第一子层和在第一子层上的第二子层，并且就此而言，图8图示了包括作为第一子层的第一有机绝缘层209和作为第二子层的无机层210的多层膜ML。无机层210可以与接触金属层CM位于同一层(例如，第一有机绝缘层209)上，并且可以以与接触金属层CM相同的掩模工艺来形成。无机层210可以包括与接触金属层CM相同的材料。例如，无机层210可以包括金属，并且无机层210可以包括诸如Ti/Al/Ti的三个子层。
无机结构ILS可以位于基板100与多层膜ML之间。无机结构ILS可以包括一个或多个子层，并且子层可以包括无机材料。例如，无机结构ILS可以包括至少一个无机绝缘层和/或至少一个金属层。根据一些示例实施方式，如图8中所示，无机结构ILS可以包括第一层间绝缘层205、第一金属层206A、第二层间绝缘层207、第二金属层206B和第三层间绝缘层208。由于无机结构ILS包括位于槽G的两侧处的墩MD(槽G在墩MD之间)，因此可以增加槽G的深度。
参考图9A，无机结构ILS可以在执行形成第一有机绝缘层209的操作之前被设置在基板100上。无机结构ILS可以包括无机绝缘层和/或金属层。根据一些示例实施方式，图9A图示了无机结构ILS包括第一层间绝缘层205、第一金属层206A、第二层间绝缘层207、第二金属层206B和第三层间绝缘层208。根据一些示例实施方式，包含在无机结构ILS中的第一层间绝缘层205、第一金属层206A、第二层间绝缘层207、第二金属层206B和第三层间绝缘层208中的一个或多个可以被省略。
可以以与形成参考图8描述的存储电容器Cst的上电极CE2相同的工艺形成第一金属层206A，并且第一金属层206A可以包括与上电极CE2相同的材料。可以以与形成参考图8描述的像素电路PC的数据线DL、源电极SE和/或漏电极DE相同的工艺形成第二金属层206B，并且第二金属层206B可以包括与这些相同的材料。
包含在无机结构ILS中的无机绝缘层(例如，第一层间绝缘层205、第二层间绝缘层207和/或第三层间绝缘层208)可以包括相对耐湿气渗透的无机绝缘材料。第一层间绝缘层205、第二层间绝缘层207和/或第三层间绝缘层208可以包括氮化硅和/或氧化硅。氮化硅和氧化硅比氮氧化硅防湿气性强，并且即使暴露于湿气时也不太可能被氧化。
无机结构ILS可以包括第一开口ILS-OP。包含在无机结构ILS中的金属层可以包括与第一开口ILS-OP对应的第二开口，并且第二开口可以具有比第一开口ILS-OP的宽度W31大的宽度。例如，第一金属层206A的第二-第一开口206A-OP的宽度Wma可以大于第一开口ILS-OP的宽度W31，并且第二金属层206B的第二-第二开口206B-OP的宽度Wmb可以大于第一开口ILS-OP的宽度W31。形成在无机结构ILS中的第一开口ILS-OP的宽度W31可以由穿过基本包含在无机结构ILS中的无机绝缘层(例如，第一层间绝缘层205、第二层间绝缘层207和第三层间绝缘层208)的开口的宽度限定。
第一有机绝缘层209可以填充第一开口ILS-OP，并且可以形成在无机结构ILS上。通过找平有机材料，可以形成与无机结构ILS的第一开口ILS-OP对应的第一有机绝缘层209的第一部分的厚度T，厚度T大于第一有机绝缘层209的其他部分的厚度。例如，第一有机绝缘层209的第一部分的厚度T可以大于第一有机绝缘层209的与显示区域DA对应的第二部分的最大厚度t0(图8)。第一有机绝缘层209的第一部分的厚度T可以大于位于中间区域MA中的无机结构ILS上的第一有机绝缘层209的第三部分的最大厚度t1。
第一有机绝缘层209的第一部分在稍后参考图9B描述的工艺中被移除，以形成槽G(图9B)，并且由于第一部分的厚度T大于其他部分的厚度，因此可以确保槽G的足够的深度。
在实施方式中，无机层210位于第一有机绝缘层209上，并且可以是金属层。无机层210可以通过形成在第一有机绝缘层209中的开口209OD和形成在第三层间绝缘层208中的开口208OD与无机层210下方的第二金属层206B接触，并且可以形成无机接触区域ICR。
根据一些示例实施方式，第三层间绝缘层208可以不包括开口208OD，并且无机层210可以通过形成在第一有机绝缘层209中的开口209OD接触第三层间绝缘层208的上表面。在此情况下，可以通过无机层210与第三层间绝缘层208之间的接触形成无机接触区域ICR。
下金属层250可以位于无机结构ILS下方。可以以与形成参考图8描述的栅电极GE或存储电容器Cst的下电极CE1相同的工艺形成下金属层250，并且下金属层250可以包括与这些相同的材料。
参考图9B，由于与形成在无机层210中的第一孔210H对应的第一有机绝缘层209的第一部分被刻蚀，因此第二孔209H可以形成在第一有机绝缘层209中。槽G可以被限定在无机层210和第一有机绝缘层209的多层膜ML中，并且可以包括彼此重叠的第一孔210H和第二孔209H。
如上面参考图9A所描述的，通过刻蚀位于第一开口ILS-OP中的第一有机绝缘层209的第一部分来形成第二孔209H。下金属层250可以用作刻蚀工艺的刻蚀阻挡物，以形成第二孔209H。槽G的底部表面可以与下金属层250的上表面处于同一水平表面。槽G的底部表面可以与下金属层250的上表面处于同一表面。下金属层250的上表面可以是槽G的底部表面。
第二孔209H的宽度可以等于或大于第一开口ILS-OP的宽度。例如，如图9B中所示，第二孔209H的下部分的宽度W21可以基本等于第一开口ILS-OP的上部分的宽度W32。限定第一开口ILS-OP的无机结构ILS的内表面和限定第二孔209H的第一有机绝缘层209的内表面可以构成槽G的内表面，并且无机结构ILS的第一开口ILS-OP可以被视为与第一孔210H和第二孔209H一起限定槽G。
可选地，如图9F中所示，第二孔209H的下部分的宽度W21'可以大于第一开口ILS-OP的上部分的宽度W32。无机结构ILS和第一有机绝缘层209可以形成台阶。限定第一开口ILS-OP的无机结构ILS的内表面、无机结构ILS的上表面的一部分以及限定第二孔209H的第一有机绝缘层209的内表面可以构成槽G的内表面。如上所述，无机结构ILS的第一开口ILS-OP可以被视为与第一孔210H和第二孔209H一起限定槽G。
槽G可以具有底切结构(或底切截面)。第一孔210H的宽度W1可以小于第二孔209H的上部分的宽度W22。无机层210可以包括朝向槽G的中心突出的一对尖端PT(或檐)。例如，限定第一孔210H的无机层210的端部可以朝向槽G的中心突出并且形成一对尖端PT。每个尖端PT的长度d1可以为大约1.0μm或更大且大约2.0μm或更小。例如，尖端PT的长度d1可以为大约1.1μm至大约1.7μm，大约1.1μm至大约1.5μm，或大约1.1μm至大约1.3μm。
槽G的长度d可以大于尖端PT的长度d1。例如，槽G的长度d可以为大约2.5μm或更大。具体地，槽G的长度d可以为大约2.8μm或更大，或大约3.0μm或更大。
尽管第一开口ILS-OP的上部分的宽度W32在图9B和图9C中被图示为大于第一开口ILS-OP的下部分的宽度W31，但实施方式并不限于此。根据一些示例实施方式，无机结构ILS的第一开口ILS-OP的上部分的宽度W32可以基本等于无机结构ILS的第一开口ILS-OP的下部分的宽度W31。尽管在图9B和图9C中，第二孔209H的上部分的宽度W22与第二孔209H的下部分的宽度W21和W21'不同，但实施方式并不限于此。根据一些示例实施方式，第二孔209H的上部分的宽度W22可以基本等于第二孔209H的下部分的宽度W21和W21'。
参考图9C和图9D，在形成槽G之后，可以形成中间层222(图8)，并且中间层222的至少一个有机材料层可以被槽G断开或间隔开。例如，第一功能层222a和/或第二功能层222c可以被槽G断开或间隔开。类似地，对电极223和封盖层230也可以被槽G断开或间隔开。
在形成中间层222之前，隔断墙PW可以形成在中间区域MA中。隔断墙PW可以包括堆叠在第一有机绝缘层209上的多个子隔断墙层211P、215P和217P。第一有机绝缘层209的一部分209P也可以形成隔断墙PW。多个子隔断墙层211P、215P和217P可以分别对应于上面参考图8描述的第二有机绝缘层211的一部分、像素限定层215的一部分以及隔离物217的一部分。多个子隔断墙层211P、215P和217P中的一个或多个可以被省略。在此情况下，从基板100到隔断墙PW的上表面的高度可以低于从基板100到显示区域DA中的隔离物217的上表面(图8)的高度。尽管图9C和图9E图示了位于中间区域MA中的一个隔断墙PW，但根据一些示例实施方式，两个或更多个隔断墙可以位于中间区域MA中。
参考图9E，在形成中间层222、对电极223和封盖层230之后，可以形成薄膜封装层300。可以使用化学气相沉积方法形成第一无机封装层310和第二无机封装层330。由于第一无机封装层310具有相对优异的阶梯覆盖，因此第一无机封装层310可以被连续地形成以覆盖槽G的内表面。例如，第一无机封装层310可以在覆盖尖端PT的上表面、侧表面和下表面的同时延伸，并且因此可以覆盖限定第二孔209H的第一有机绝缘层209的内表面(图9B)以及间隔开并位于槽G的底部表面上的有机材料层。
有机封装层320可以在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间，并且有机封装层320的端部可以被设置成与相邻的槽G之间的隔断墙PW的一侧相邻。槽G中的一些(例如，与显示区域DA相邻的槽G)的内部空间可以至少部分地被有机封装层320填充。
与第一无机封装层310一样，第二无机封装层330也具有相对优异的阶梯覆盖。因此，第二无机封装层330可以沿槽G中的未被有机封装层320覆盖的槽G的内表面被连续地形成。
图10是根据实施方式的显示面板的中间区域的一部分的平面图。为了便于描述，图10示出了包含在无机结构中的槽和金属层的摘选图。根据一些示例实施方式，第二金属层206B被图示为包含在图10中的无机结构中的金属层；然而，图10的结构也被应用于上面参考图8描述的第一金属层206A。
参考图10，多个槽G被设置在第一区域OA周围，并且槽G可以分别延伸以围绕第一区域OA，如上面参考图7描述的。
同样地，第二金属层206B也可以延伸以围绕第一区域OA。如图10中所示，第二金属层206B可以具有围绕第一区域OA的环形形状，并且可以包括与槽G对应的第二-第二开口206B-OP。
第二金属层206B的第二-第二开口206B-OP的宽度Wmb大于槽G的宽度。例如，第二金属层206B的第二-第二开口206B-OP的宽度Wmb可以对应于槽G的宽度，例如，无机层210的第一孔210H的宽度W1(图9B)。
图11是根据另一实施方式的显示面板10-2的中间区域的截面图。
参考图11，显示面板10-2与上面参考图8描述的显示面板10-1在下金属层250'的结构方面不同。
参考图11，下金属层250'可以包括与槽G对应的第三开口250'OP。第三开口250'OP的宽度Wm1可以大于无机结构ILS的第一开口ILS-OP的宽度W31。槽G的底部表面可以处于比下金属层250'的上表面低的水平。槽G的底部表面可以位于缓冲层201的上表面与下金属层250'的上表面之间的虚拟表面上。根据一些示例实施方式，例如，如图11中所示，槽G的底部表面与栅绝缘层203的上表面在同一表面上。包括第三开口250'OP的下金属层250'可以被视为无机结构ILS的部件。
图12是根据实施方式的显示面板10-3的示意性截面图。
图12的显示面板10-3可以包括位于薄膜封装层300上和中间区域MA中的平坦化有机层420。从基板100到薄膜封装层300的结构与上面参考图8至图9F描述的结构相同。
平坦化有机层420可以仅被设置在中间区域MA中。平坦化有机层420可以是有机绝缘层。平坦化有机层420可以包括聚合物类材料。例如，平坦化有机层420可以包括硅类树脂、丙烯酸树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯等。根据一些示例实施方式，平坦化有机层420可以包括与有机封装层320不同的材料。
平坦化有机层420可以覆盖位于中间区域MA中的至少一个槽G。平坦化有机层420可以覆盖中间区域MA中未被有机封装层320覆盖的区域，从而增加第一区域OA周围的显示面板10-3的平坦度。因此，可以防止位于显示面板10-3上的输入感测层40(图2或图3)或/和光学功能层50(图2或图3)被间隔开或脱落。平坦化有机层420的一部分可以与有机封装层320重叠。平坦化有机层420的一端(例如，与显示区域DA相邻的第一端420e)可以位于有机封装层320上。
平坦化有机层420可以通过使用曝光和显影工艺等形成在中间区域MA上。在形成平坦化有机层420的工艺中的一些中(例如，清洗工艺)，当异物例如当水分在显示面板10-3的横向方向(或与基板的上表面平行的方向、x方向)上行进时，显示区域DA中的有机发光二极管OLED可能被损坏。然而，根据实施方式，绝缘层分别被设置在平坦化有机层420下方和上方，例如，第一绝缘层410和第二绝缘层430，并且因此，可以防止在形成平坦化有机层420的操作中以及在其他后续工艺中由于水分渗透和/或平坦化有机层420周围的层的脱落而导致的上述问题。
第一绝缘层410和第二绝缘层430可以分别与平坦化有机层420的下表面和上表面直接接触。第一绝缘层410和第二绝缘层430可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料。第一绝缘层410和第二绝缘层430每个可以包括包含上述材料的单层或多层。
平坦化有机层420可以与平坦化有机层420下方的层形成台阶。例如，平坦化有机层420的包括第一端420e的部分可以与第一绝缘层410的上表面形成台阶。在制造显示面板10-3的操作中或/和在该制造之后，为了防止平坦化有机层420被间隔开或防止平坦化有机层420由于台阶差从平坦化有机层420下方的层浮置，覆盖层440可以位于第一端420e上方。
覆盖层440可以包括金属。稍后将描述的第一绝缘层410、第二绝缘层430和第三绝缘层450不仅延伸到中间区域MA，而且延伸到显示区域DA，而具有特定宽度的覆盖层440可以覆盖平坦化有机层420的第一端420e。平坦化有机层420上的覆盖层440可以延伸超过平坦化有机层420的第一端420e并且朝向显示区域DA延伸特定宽度。
第三绝缘层450可以位于覆盖层440上。第三绝缘层450可以包括有机绝缘材料。例如，第三绝缘层450可以包括有机绝缘材料(该有机绝缘材料为光刻胶(负性或正性)或聚合物类有机材料)，并且可以延伸到显示区域DA以覆盖显示区域DA。
参考图12描述的结构还可以应用于参考图11描述的实施方式以及从中得出的其他实施方式。
参考图8、图11和图12描述的显示面板10-1、10-2和10-3包括与第一区域OA对应的通孔10H，并且基板100也包括与第一区域OA对应的通孔，但实施方式并不限于此。根据一些示例实施方式，如上面参考图4B等描述的，显示面板可以不具有穿过基板100的孔。
在根据实施方式的显示面板中，可以防止由于诸如第一区域周围的湿气的外部杂质而损坏显示元件。然而，如上面描述的效果是示例。
应理解，本文中描述的实施方式应被视为仅是描述性的意义而非限制目的。每个实施方式中特征或方面的描述应典型地被认为是可用于其它实施方式中其它相似特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，可以在不背离如由所附权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，对其进行形式上和细节上的各种修改。

Claims (25)

1.一种显示面板，包括：
包括第一区域、第二区域以及在所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域的基板；
在所述第二区域中并且包括像素电极、对电极以及在所述像素电极与所述对电极之间的中间层的堆叠结构；
在所述第三区域中并且将包含在所述中间层中的至少一个有机材料层分离的槽；以及
在所述第三区域中并且包括与所述槽重叠的第一开口的至少一个金属层，
其中所述槽被限定在包括有机层和在所述有机层上的无机层的多层膜中，并且所述至少一个金属层在所述基板与所述多层膜之间。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述多层膜的所述无机层包括朝向所述槽的中心突出的一对尖端。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述多层膜的所述有机层包括开口，并且所述多层膜的所述无机层通过所述有机层的所述开口与所述至少一个金属层直接接触。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述多层膜的所述无机层包括金属层。
5.根据权利要求1所述的显示面板，进一步包括：在所述基板与所述多层膜之间并且包括与所述槽和所述第一开口重叠的第二开口的至少一个无机绝缘层。
6.根据权利要求1所述的显示面板，进一步包括：在所述第二区域中并且电连接到所述堆叠结构的晶体管和存储电容器，
其中所述至少一个金属层包括与所述晶体管的栅电极或所述存储电容器的电极中的至少一个相同的材料。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述至少一个金属层的所述第一开口的宽度大于所述槽的宽度。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其中，当在与所述基板的上表面垂直的方向上观察时，所述至少一个金属层具有围绕所述第一区域的环形形状。
9.根据权利要求1所述的显示面板，进一步包括：在所述基板与所述多层膜之间的下金属层。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述槽的底部表面与所述下金属层的上表面处于同一水平。
11.根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述下金属层包括与所述槽对应的第三开口。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述显示面板包括在所述第一区域中并且穿过所述显示面板的孔。
13.一种显示面板，包括：
包括开口区域、显示区域以及在所述开口区域与所述显示区域之间的中间区域的基板；
在所述显示区域中的晶体管；
包括电连接到所述晶体管的像素电极、在所述像素电极上的中间层以及在所述中间层上的对电极的显示元件；
在所述晶体管与所述像素电极之间的第一有机绝缘层，所述第一有机绝缘层延伸到所述中间区域；
在所述中间区域中并且具有底切结构的槽，所述槽将所述中间层中的至少一个有机材料层分离；以及
在所述基板与所述第一有机绝缘层之间并且具有与所述槽对应的第一开口的无机结构。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其中，所述槽被限定在多层膜中，并且所述多层膜包括在所述基板上的所述第一有机绝缘层和在所述第一有机绝缘层上的无机层，并且
所述无机层包括朝向所述槽的中心延伸的一对尖端。
15.根据权利要求14所述的显示面板，其中，所述无机层包括金属。
16.根据权利要求14所述的显示面板，其中，所述槽的穿过所述第一有机绝缘层的部分的宽度大于所述第一开口的宽度。
17.根据权利要求13所述的显示面板，其中，所述无机结构包括至少一个无机绝缘层和至少一个金属层。
18.根据权利要求17所述的显示面板，其中，所述至少一个金属层包括第二开口，所述第二开口与所述无机结构的所述第一开口对应并且大于所述无机结构的所述第一开口。
19.根据权利要求13所述的显示面板，进一步包括：在所述基板与所述无机结构之间的下金属层。
20.根据权利要求19所述的显示面板，其中，所述槽的底部表面与所述下金属层的上表面处于同一水平。
21.根据权利要求19所述的显示面板，其中，所述下金属层包括与所述槽重叠的第三开口。
22.根据权利要求13所述的显示面板，进一步包括：与所述槽相邻的无机接触区域。
23.根据权利要求22所述的显示面板，进一步包括：在所述第一有机绝缘层上的金属层，并且所述金属层通过所述第一有机绝缘层的开口直接接触所述无机结构以提供所述无机接触区域。
24.根据权利要求22所述的显示面板，其中，所述无机接触区域被设置在所述槽的两侧中的每侧上，所述槽在所述无机接触区域之间。
25.根据权利要求13所述的显示面板，其中，所述槽的深度大于所述第一有机绝缘层的在所述显示区域中的部分的最大厚度。
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