CN115428160B - 显示基板、其制作方法及显示装置 - Google Patents

显示基板、其制作方法及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN115428160B
CN115428160B CN202180000491.8A CN202180000491A CN115428160B CN 115428160 B CN115428160 B CN 115428160B CN 202180000491 A CN202180000491 A CN 202180000491A CN 115428160 B CN115428160 B CN 115428160B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
isolation
substrate
area
display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202180000491.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN115428160A (zh
Inventor
李大利
张则瑞
胡勇
王子峰
朴叙俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Mianyang BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Mianyang BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Mianyang BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Publication of CN115428160A publication Critical patent/CN115428160A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN115428160B publication Critical patent/CN115428160B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • H10K59/8731Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates

Abstract

本公开提供的显示基板、其制作方法及显示装置,包括:衬底基板,具有开孔区、位于开孔区周围的显示区、以及位于显示区与开孔区之间的隔离区;其中,开孔区被配置为安装取光模组;至少一圈阻挡墙,在隔离区内环绕开孔区设置;封装层,位于阻挡墙所在层背离衬底基板的一侧,且封装层在衬底基板上的正投影完全覆盖显示区;第一保护层,位于封装层背离衬底基板的一侧,且第一保护层至少完全覆盖至少一圈阻挡墙;填充层,位于第一保护层背离衬底基板的一侧,且填充层位于隔离区,填充层完全覆盖至少一圈阻挡墙且与封装层至少部分重叠。

Description

显示基板、其制作方法及显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板、其制作方法及显示装置。
背景技术
近年来,显示屏正往大屏化、全屏化方向发展。为了提高屏占比,目前的一种方案是在显示区开孔(AA Hole)。例如,可以在显示区中通过打孔为功能模组(例如摄像模组)预留位置,将功能模组与显示屏的显示区结合在一起,以获得显示区的最大化。
发明内容
本公开实施例提供了一种显示基板、其制作方法及显示装置,具体方案如下:
一方面,本公开实施例提供了一种显示基板,包括:
衬底基板,所述衬底基板包括开孔区、位于所述开孔区周围的显示区、以及位于所述显示区与所述开孔区之间的隔离区;其中,所述开孔区被配置为安装取光模组;
至少一圈阻挡墙,在所述隔离区内环绕所述开孔区设置;
封装层,位于所述阻挡墙所在层背离所述衬底基板的一侧,且所述封装层在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述显示区;
第一保护层,位于所述封装层背离所述衬底基板的一侧,且所述第一保护层至少完全覆盖所述至少一圈阻挡墙;
填充层,位于所述第一保护层背离所述衬底基板的一侧,且所述填充层位于所述隔离区,所述填充层完全覆盖所述至少一圈阻挡墙且与所述封装层至少部分重叠。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述封装层包括有机封装层,所述有机封装层包括位于所述显示区的第一有机封装部分和位于隔离区的第二有机封装部分,所述第一有机封装部分在垂直于衬底基板方向上的厚度h满足下述公式:h=0.017x+4.5(x≤441微米);h=12微米(x>441微米),其中,x为测量位置距离参考点的距离,所述参考点为所述至少一圈阻挡墙中的最靠近所述显示区一侧的点;所述第二有机封装部分完全被所述填充层覆盖,且所述第二有机封装部分从靠近所述显示区的一侧到远离的方向上,在垂直于所述衬底基板方向上的厚度逐渐变小。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述至少一圈阻挡墙包括靠近所述显示区的第二阻挡墙和远离所述显示区的第一阻挡墙,所述第二有机封装部分覆盖所述第二阻挡墙,所述第二阻挡墙在远离所述显示区方向上的最大宽度为A,所述第二有机封装部分覆盖所述第二阻挡墙的覆盖部分在远离所述显示区方向上的最大宽度为B,B≤0.85A。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述填充层在覆盖所述第二阻挡墙的部分上存在一段厚度不变的部分,所述厚度不变的部分在垂直于所述衬底基板方向上的厚度为C。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述填充层从所述厚度不变的部分开始,沿着远离所述显示区的方向上,厚度逐级变大为D,所述D与所述C的比值在2.5-3之间。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,还包括:位于所述填充层背离所述衬底基板一侧的第二保护层,所述第二保护层至少完全覆盖所述填充层,且所述第二保护层在所述填充层上,从靠近所述显示区的一侧到远离的一侧,逐渐向靠近所述衬底基板的方向上倾斜。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述第二保护层倾斜的斜率在0.01-0.02之间。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述第一保护层还包括至少覆盖部分所述显示区的膜层,且具有对应于所述开孔区的第一开口。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述第二保护层还包括至少覆盖部分所述显示区的膜层,且具有对应于所述开孔区的第二开口。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述第一开口和所述第二开口重合。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述第一保护层和所述第二保护层至少在所述显示区内直接接触。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述第一保护层和所述第二保护层还在邻近所述显示区的所述隔离区内直接接触。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述第二保护层的厚度与所述第一保护层的材料相同。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,在垂直于所述衬底基板的方向上,所述第二保护层的厚度大于600μm。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述封装层包括位于所述有机封装层与所述至少一圈阻挡墙之间的第一无机封装层、以及位于所述有机封装层与所述第一保护层之间的第二无机封装层;其中,
所述第一无机封装层在所述衬底基板上的正投影与所述第二无机封装层在所述衬底基板上的正投影大致重合,且所述第二无机封装层包覆所述有机封装层。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述第二无机封装层至少在所述隔离区与所述第一保护层直接接触。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述第二无机封装层还包括至少覆盖部分所述显示区的膜层,且具有对应于所述开孔区的第三开口。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述第一开口和所述第三开口重合。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述填充层具有对应于所述开孔区的第四开口。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述第一开口和所述第四开口重合。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述第一阻挡墙到所述显示区的距离,小于所述第一阻挡墙到所述开孔区的距离。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,还包括位于所述阻挡墙所在层与所述第一无机封装层之间的发光功能层;
所述发光功能层具有对应所述开孔区的开口。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,还包括:位于所述衬底基板与所述至少一圈阻挡墙所在层之间的隔离层,所述隔离层包括至少一圈第一隔离结构和/或至少一圈第二隔离结构;其中,
所述至少一圈第一隔离结构位于所述至少一圈阻挡墙与所述开孔区之间的所述隔离区;所述至少一圈第二隔离结构位于所述至少一圈阻挡墙与所述显示区之间的所述隔离区;
在所述至少一圈阻挡墙与所述开孔区之间的所述隔离区内,所述第一隔离结构处的所述发光功能层与所述第一隔离结构之间的所述发光功能层断开;
在所述至少一圈阻挡墙与所述显示区之间的所述隔离区内,所述第二隔离结构处的所述发光功能层与所述第二隔离结构之间的所述发光功能层断开。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,在所述至少一圈阻挡墙与所述开孔区之间的所述隔离区内,所述第一保护层在所述第一隔离结构处或所述第一隔离结构之间具有开口;
在所述至少一圈阻挡墙与所述显示区之间的所述隔离区内,所述第一无机封装在所述第二隔离结构处或所述第二隔离结构之间具有开口。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述隔离层为第一无机绝缘层,所述第一隔离结构为第一隔离槽,所述第二隔离结构为第二隔离槽;
所述第一保护层在对应所述第一隔离槽处具有开口,所述第一无机封装层在对应所述第二隔离槽处具有开口。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述隔离层为源漏金属层,所述第一隔离结构为第一隔离柱,所述第二隔离结构为第二隔离柱;
所述第一保护层在所述第一隔离柱处与所述第二无机封装层直接接触,且所述第一保护层在对应所述第一隔离柱之间具有开口,所述第一无机封装层在对应所述第二隔离柱之间具有开口。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述源漏金属层包括层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层;
所述第一隔离柱和所述第二隔离柱均包括:位于所述第一金属层的第一隔离部、位于所述第二金属层的第二隔离部、及位于所述第三金属层的第三隔离部;其中,所述第一隔离部在所述衬底基板上的正投影大于所述第二隔离部在所述衬底基板上的正投影,且大致等于所述第一隔离部在所述衬底基板上的正投影。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,位于所述第二保护层背离所述衬底基板一侧的桥接层,所述桥接层包括浮空电极,所述浮空电极在所述衬底基板上的正投影覆盖至少部分所述第二隔离结构在所述衬底基板上的正投影。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述浮空电极具有闭环形状,且所述浮空电极在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述至少一圈所述第二隔离结构在所述衬底基板上的正投影。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,还包括:位于所述衬底基板面向所述至少一圈阻挡墙一侧的刻蚀阻挡层,且所述刻蚀阻挡层与所述衬底基板直接接触;
所述第一保护层和所述第二保护层的材料与所述刻蚀阻挡层的材料相同。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述填充层背离所述衬底基板的表面与所述衬底基板的距离,大于所述封装层背离所述衬底基板的表面与所述衬底基板的距离。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,还包括:依次位于所述桥接层背离所述衬底基板一侧的第二无机绝缘层和触控电极层;其中,
所述桥接层还包括位于所述显示区的多个桥接电极;
所述触控电极层包括在所述显示区沿第一方向延伸的多个第一触控电极、以及沿第二方向延伸的多个第二触控电极,并且所述多个第二触控电极或所述多个第一触控电极与所述多个桥接电极通过贯穿所述第二无机绝缘层的开口电连接,所述第一方向与所述第二方向相互交叉。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,还包括:位于所述触控电极层背离所述衬底基板一侧的第三保护层,所述第三保护层位于所述显示区和所述隔离区。
基于同一发明构思,本公开实施例提供了一种显示装置,包括上述显示基板,以及取光模组;其中,所述取光模组安装于所述显示基板的开孔区。
基于同一发明构思,本公开实施例提供了一种上述显示基板的制作方法,包括:
提供一个衬底基板,所述衬底基板包括开孔区、位于所述开孔区周围的显示区、以及位于所述显示区与所述开孔区之间的隔离区;其中,所述开孔区被配置为安装取光模组;
在所述衬底基板上形成至少一圈阻挡墙,所述至少一圈阻挡墙在所述隔离区内环绕所述开孔区设置;
在所述至少一圈阻挡墙所在层上形成封装层,所述封装层在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述显示区;
在所述封装层上形成第一保护层,所述第一保护层至少完全覆盖所述至少一圈阻挡墙;
在所述第一保护层上形成填充层,所述填充层位于所述隔离区,所述填充层完全覆盖所述至少一圈阻挡墙且与所述封装层至少部分重叠。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述制作方法中,在所述衬底基板上形成至少一圈阻挡墙的同时,还包括:在所述开孔区形成至少一圈阻挡坝。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述制作方法中,在所述至少一圈阻挡墙所在层上形成封装层,具体包括:
在所述至少一圈阻挡墙所在层上依次形成第一无机封装层、有机封装层、第二无机封装层;其中,所述第一无机封装层至少在所述至少一圈阻挡墙与所述显示区之间的所述隔离区具有开口,所述第二无机封装层在所述至少一圈阻挡墙与所述开孔区之间的所述隔离区具有开口;
在形成所述有机封装层的同时,还包括:
形成位于所述开孔区的增强垫,所述增强垫位于所述至少一圈阻挡坝远离所述隔离区的一侧。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述制作方法中,在所述封装层上形成第一保护层,具体包括:
在所述封装层上整面形成无机材料层;
对所述无机材料层构图形成第一保护层,所述第一保护层仅在所述隔离区具有开口,且在所述隔离区内,所述第一保护层的开口与所述第二无机封装层的开口之间导通。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述制作方法中,在所述第一保护层上形成填充层之后,还包括:在所述填充层上形成整面设置的第二保护层。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述制作方法中,在所述填充层上形成整面设置的第二保护层之后,还包括:
采用激光切割的方式,将所述开孔区的各膜层去除,使得所述开孔区形成贯穿所述显示基板的通孔;所述开孔区的各膜层至少包括所述衬底基板、所述至少一圈阻挡坝、所述发光功能层、所述第二无机封装层、所述增强垫、所述第一保护层、所述填充层和所述第二保护层。
附图说明
图1为本公开实施例提供的显示基板的一种结构示意图;
图2为沿图1中I-II线的一种剖面结构示意图;
图3为沿图1中I-II线的又一种剖面结构示意图;
图4为沿图1中I-II线的又一种剖面结构示意图;
图5为沿图1中I-II线的又一种剖面结构示意图;
图6为本公开实施例提供的显示基板在第二阻挡墙所在区域的结构示意图;
图7为本公开实施例提供的显示基板的又一种结构示意图;
图8为本公开实施例提供的显示基板的又一种结构示意图;
图9为沿图1中III-IV线的剖面结构示意图;
图10为本公开实施例提供的显示基板的又一种结构示意图;
图11至图30分别为图2所示显示基板在制作过程中的结构示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。需要注意的是,附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例,目的只是示意说明本公开内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另作定义,此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
相关技术中,由于相比其它显示区,开孔区的膜层比较薄弱,导致开孔区的强度较差,容易出现裂纹(Crack),造成封装失效引起显示不良,影响用户使用。因此提升孔强度,以提升采用显示区开孔技术的产品良率迫在眉睫。
在开孔区做一层填充层(OCB)可以有效缓解应力及外力对开孔位置的损伤,从而提高孔强度。通常在完成填充层的制作之后,再进行柔性多层结构(Flexible Multi-LayerOn Cell,FMLOC)工艺,实现触控功能层(TSP)的制作。然而,信赖性检出触控不良的发生率为100%。本公开解析发现,填充层的制作工序包括水洗显影等湿法工艺,在此过程中前段工艺所制作有机层吸水量增加,在高温信赖性测试中,有机层的水汽蒸发导致触控功能层剥离(Peeling)而引发触控不良。
为了至少解决相关技术中存在的上述技术问题,本公开实施例提供了一种显示基板,如图1至图5所示,可以包括:
衬底基板101,该衬底基板101具有开孔区HA、位于开孔区HA周围的显示区AA、以及位于显示区AA与开孔区HA之间的隔离区QA;其中,开孔区HA被配置为安装取光模组;
至少一圈阻挡墙102,在隔离区QA内环绕开孔区HA设置;
封装层103,位于阻挡墙102所在层背离衬底基板101的一侧,且封装层103在衬底基板101上的正投影完全覆盖显示区AA;
第一保护层104,位于封装层103背离衬底基板101的一侧,且第一保护层104至少完全覆盖全部阻挡墙102;
填充层105,位于第一保护层104背离衬底基板101的一侧,且填充层105位于隔离区QA,其中,填充层105完全覆盖阻挡墙102且与封装层103至少部分重叠。在一些实施例中,填充层105可以采用绝缘胶(OCB)等有机材料。
在本公开实施例提供的上述显示基板中,由于在阻挡墙102与填充层105之间具有第一保护层104,该第一保护层104完全覆盖在阻挡墙102所在的有机层上,使得在制作填充层105的过程中,阻挡墙102因第一保护层104的隔离而接触不到水分,因此杜绝了因阻挡墙102所在的有机层吸水而引起的触控不良。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,为了实现对显示区AA的良好封装效果,如图2和图6所示,封装层103可以包括有机封装层b,有机封装层b包括位于显示区AA的第一有机封装部分b1和位于隔离区QA的第二有机封装部分b2,第一有机封装部分b1在垂直于衬底基板101方向上的厚度h满足下述公式:h=0.017x+4.5(x≤441微米);h=12微米(x>441微米),其中,x为测量位置距离参考点N的距离,参考点N为至少一圈阻挡墙102中的最靠近显示区AA一侧的点;第二有机封装部分b2完全被填充层105覆盖,且第二有机封装部分b2从靠近显示区AA的一侧到远离的方向上,在垂直于衬底基板方向103上的厚度h’逐渐变小。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,为了获得较好的封装效果,如图2和图6所示,至少一圈阻挡墙102可以包括靠近显示区AA的第二阻挡墙D2和远离显示区AA的第一阻挡墙D1,第二有机封装部分b2覆盖第二阻挡墙D2,第二阻挡墙D2在远离显示区AA方向上的最大宽度为A,第二有机封装部分b2覆盖第二阻挡墙D2的覆盖部分在远离显示区AA方向上的最大宽度为B,B≤0.85A。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,为了利于维持开孔区HA的形状,如图6所示,填充层105在覆盖第二阻挡墙D2的部分上存在一段厚度不变的部分,厚度不变部分在垂直于衬底基板101方向上的厚度为C。填充层105从厚度不变的部分开始,沿着远离显示区AA的方向上,厚度逐级变大为D,D与C的比值在2.5-3之间。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,为了避免后续膜层(例如桥接层)的制作对填充层105的损伤,如图2和图6所示,还可以包括:位于填充层105背离衬底基板101一侧的第二保护层106,第二保护层106至少完全覆盖填充层105,且第二保护层106在填充层105上,从靠近显示区AA的一侧到远离的一侧,逐渐向靠近衬底基板101的方向上倾斜。在一些实施例中,第二保护层106倾斜的斜率在0.01-0.02之间。
另外,发明人发现,在填充层105之前的前段工艺有金属颗粒在析出,填充层105与金属颗粒的粘附性高,无法完全显影,造成填充层105残留。在高温信赖性测试中,残留的填充层105膨胀,也会导致触控功能层剥离(Peeling)而引发触控不良。
基于此,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图2至图5所示,第一保护层104还可以包括至少覆盖部分显示区AA的膜层,且具有对应于开孔区HA的第一开口(即对应开孔区HA的第一保护层104被去除)。
至少覆盖部分显示区AA的第一保护层104,将填充层105与下膜层金属颗粒隔开,使得填充层105的显影工序能充分进行,从而避免了填充层105残留,进而解决了因填充层105残留膨胀导致的触控不良的问题。并且,第一保护层104在开孔区HA的第一开口可以增大开孔区HA的透光率。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图2至图5所示,第二保护层106还可以包括至少覆盖部分显示区AA的膜层,且具有对应于开孔区HA的第二开口(即对应开孔区HA的第二保护层106被去除)。第二保护层106覆盖部分或全部显示区AA,以避免后续膜层(例如桥接层)的制作对封装层103的损伤。并且,第二保护层106在开孔区HA的第二开口可以增大开孔区HA的透光率。
在一些实施例中,第一保护层104在开孔区HA的第一开口可以与第二保护层106在开孔区HA的第二开口重合,以增大开孔区HA的透光率。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图2至图5所示,第一保护层104和第二保护层106至少在显示区AA内直接接触。这样设置的第一保护层104和第二保护层106,一方面可以用来承载后续在显示区AA内形成的触控功能层,另一方面又可以在形成触控功能层的过程中,避免对封装层103的损伤,从而保证良好的封装效果。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图2至图5所示,第一保护层104和第二保护层106还可以在邻近显示区AA的隔离区内直接接触。这样可以使得第一保护层104、第二保护层106和填充层105在隔离区QA内形成夹心结构,并且该夹心结构在邻近显示区AA的一侧对填充层105形成了良好的包裹效果。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,在垂直于衬底基板101的方向上,第二保护层106可以与第一保护层104的厚度相同、材料也相同,这样可以使用相同的工艺参数分别实现对第一保护层104、第二保护层106的制作,简化了制作工艺。另外,在一些实施例中,第一保护层104和第二保护层106的厚度也可以不同,具体可根据实际需要进行灵活设置,在此不做限定。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,在垂直于衬底基板101的方向上,第二保护层106的厚度可以大于600μm。相关技术中,桥接层(TMA)的制作过程中,对第二保护层106的最大损伤(Loss)量为600μm,因此,通过设置第二保护层106的厚度大于600μm,可以有效避免填充层105产生损伤。在一些实施例中,第一保护层104和第二保护层106厚度之和可以在2000μm左右。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图2至图5所示,为了实现对显示区AA的良好封装效果,封装层103可以包括位于有机封装层b与至少一圈阻挡墙102之间的第一无机封装层a、以及位于有机封装层b与第一保护层104之间第二无机封装层c;其中,第一无机封装层a在衬底基板101上的正投影与第二无机封装层c在衬底基板上101的正投影大致重合,且第二无机封装层c包覆有机封装层b。
在一些实施例中,如图3和图7所示,第一无机封装层a在衬底基板101上的正投影与第二无机封装层c在衬底基板上101的正投影可以完全重合,即第一无机封装层a和第二无机封装层c在衬底基板上101的正投影均位于显示区AA和隔离区QA;或者,第二无机封装层c在衬底基板上101的正投影稍大于第一无机封装层a在衬底基板101上的正投影,如图2、图4和图8所示,第二无机封装层c在衬底基板上101的正投影位于显示区AA和隔离区QA,第一无机封装层a在衬底基板上101的正投影位于显示区AA、及阻挡墙102与显示区AA之间的隔离区QA。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图2至图5所示,第二无机封装层c至少在隔离区QA与第一保护层104直接接触。图2至图5中具体示出了第二无机封装层c在显示区AA、隔离区QA均与第一保护层104直接接触。在后续形成触控功能层的过程中,第一保护层104保护封装层103免受损伤,从而保证良好的封装效果。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图2至图7所示,第二无机封装层c还可以包括至少覆盖部分显示区AA的膜层,且具有对应于开孔区HA的第三开口,以提高开孔区HA的透光率。在一些实施例中,第一保护层104在开孔区HA的第一开口与第二无机封装层c在开孔区HA的第三开口重合,以增大开孔区HA的透光率。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,为了进一步提高开孔区HA的透光率,如图2至图5所示,填充层105具有对应于开孔区HA的第四开口。在一些实施例中,第一保护层104在开孔区HA的第一开口可以与填充层105在开孔区HA的第四开口重合。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图1至图7所示,至少一圈阻挡墙102可以包括:邻近显示区AA且在隔离区QA内依次设置的第一阻挡墙D1和第二阻挡墙D2。第一阻挡墙D1和第二阻挡墙D2可以阻止显示区AA的有机封装层b越过第二阻挡墙D2,从而保证了水汽不会沿有机封装层b延伸至显示区AA。在一些实施例中,至少一圈阻挡墙102还可以仅包括第一阻挡墙D1
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图2和图3所示,为了有效阻挡有机封装层b溢流,可以设置第一阻挡墙D1到显示区AA的距离,小于第一阻挡墙D1到开孔区HA的距离。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图2至图5所示,还可以包括位于阻挡墙102所在层与第一无机封装层a之间的发光功能层108;发光功能层108具有对应开孔区HA的开口,大大提升了开孔区HA的透光率,利于提高成像效果。在一些实施例中,发光功能层108可以包括但不限于空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光材料层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图2至图5所示,还可以包括:位于衬底基板101与阻挡墙102所在层之间的隔离层109,隔离层109包括至少一圈第一隔离结构H1和/或至少一圈第二隔离结构H2;其中,全部第一隔离结构H1位于第一阻挡墙D1与开孔区HA之间的隔离区QA;全部第二隔离结构H2位于第二阻挡墙D2与显示区AA之间的隔离区QA;
在第一阻挡墙D1与开孔区HA之间的隔离区QA内,第一隔离结构H1处的发光功能层108与第一隔离结构H1之间的发光功能层108断开;
在第二阻挡墙D2与显示区AA之间的隔离区QA内,第二隔离结构H2处的发光功能层108与第二隔离结构H2之间的发光功能层108断开。
由于第一隔离结构H1和第二隔离结构H2可以阻断发光功能层108的膜层,因此可以有效防止水汽沿发光功能层108进入显示区AA影响显示效果。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图2至图5所示,在第一阻挡墙D1与开孔区HA之间的隔离区QA内,第一保护层104在第一隔离结构H1处或第一隔离结构H1之间具有开口;在第一阻挡墙D1与显示区AA之间的隔离区QA内,第一无机封装a在第二隔离结构H2处或第二隔离结构H2之间具有开口。在一些实施例中,如图2和图3所示,隔离层109可以为第一无机绝缘层,第一隔离结构H1为第一隔离槽,第二隔离结构H1为第二隔离槽;第一保护层104在第一隔离槽(即第一隔离结构H1)处具有开口,第一无机封装层a在对应第二隔离槽(即第二隔离结构H2)处具有开口。
第一无机封装层a在第二隔离槽处(即第二隔离结构H2)具有开口、并与第二隔离槽(即第二隔离结构H2)之间的发光功能层108直接接触。
通过在第一保护层104中设置与第一隔离槽(即第一隔离结构H1)上下相对的开口,使得填充层105可以经由开口嵌入第一隔离槽(即第一隔离结构H1),由此增加了填充层105的粘附力,保证了填充层105的对开孔区HA强度的提高效果、以及对开孔区HA所受应力的有效缓解。通过在第一无机封装层a中设置与第二隔离槽(即第二隔离结构H2)上下相对的开口,使得有机封装层b可以经由开口嵌入第二隔离槽(即第二隔离结构H1),由此增加了有机封装层b的粘附力,保证了有机封装层b的对显示区AA的封装效果。
在一些实施例中,第一隔离槽(即第一隔离结构H1)和第二隔离槽(即第二隔离结构H2)可以为贯穿第一无机绝缘层(即隔离层109)的通孔,也可以为未贯穿第一无机绝缘层(即隔离层109)的盲孔。在图2和图3中示出了第一隔离槽(即第一隔离结构H1)和第二隔离槽(即第二隔离结构H2)为贯穿第一无机绝缘层(即隔离层109)的通孔的结构图。另外,为了更好地阻断发光功能层108,如图2和图3所示,还可以在第一无机绝缘层(即隔离层109)下方的衬底基板101中设置与第一隔离槽(即第一隔离结构H1)和第二隔离槽(即第二隔离结构H2)上下正对的盲孔。
在一些实施例中,如图9所示,第一无机绝缘层109’(即隔离层109)可以包括:位于晶体管TFT的有源层与栅极(与存储电容的第一电极同层设置)之间的栅绝缘层e,位于晶体管TFT的栅极与存储电容Cst的第二电极之间的第一层间介电层f以及位于存储电容Cst的第二电极与晶体管TFT的源/漏极之间的第二层间介电层g。在另一些实施例中,第一无机绝缘层109’除了包括栅绝缘层e、第一层间介电层f、第二层间介电层g之外,还可以包括与衬底基板101直接接触的刻蚀阻挡层110。
需要说明的是,在本公开提供的实施例中,由于工艺条件的限制或测量等其他因素的影响,上述“大致”可能会完全等同,也可能会有一些偏差,因此上述特征之间“大致”的关系只要满足误差(例如上下10%的浮动)允许,均属于本公开的保护范围。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图3和图5所示,隔离层109可以为源漏金属层,第一隔离结构H1为第一隔离柱,所述第二隔离结构H2为第二隔离柱;
第一保护层104在第一隔离柱(即第一隔离结构H1)处与第二无机封装层c直接接触,且第一保护层104在第一隔离柱(即第一隔离结构H1)之间具有开口,第一无机封装层a在第二隔离柱(即第二隔离结构H2)之间具有开口。
第一隔离柱(即第一隔离结构H1)之间的区域相当于凹槽,因此在第一保护层104中设置与凹槽上下相对的开口,使得填充层105可以经由开口嵌入第一隔离柱(即第一隔离结构H1)之间的凹槽,由此增加了填充层105的粘附力,保证了填充层105的对开孔区HA强度的提高效果、以及对开孔区HA所受应力的有效缓解。通过在第一无机封装层a中设置与第二隔离柱(即第二隔离结构H2)之间的凹槽上下相对的开口,使得有机封装层b可以经由开口嵌入第二隔离柱(即第二隔离结构H2)之间的凹槽,由此增加了有机封装层b的粘附力,保证了有机封装层b的对显示区AA的封装效果。
在一些实施例中,源漏金属层可以包括层叠设置的第一金属层(例如钛Ti金属层)、第二金属层(例如铝Al金属层)和第三金属层(例如钛Ti金属层);第一隔离柱(即第一隔离结构H1)和第二隔离柱(即第二隔离结构H2)均可以包括:位于第一金属层的第一隔离部、位于第二金属层的第二隔离部、及位于第三金属层的第三隔离部;其中,第一隔离部在衬底基板上的正投影大于第二隔离部在衬底基板上的正投影,且大致等于第三隔离部在衬底基板上的正投影,使得每个隔离柱具有“工”字形状,以提高对发光功能层108的隔断效果。在一些实施例中,第一隔离柱(即第一隔离结构H1)和第二隔离柱(即第二隔离结构H2)还可以为其他形状(例如上宽下窄的梯形),在此不做具体限定。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图1至图5所示,还可以包括:位于第二保护层106背离衬底基板101一侧的桥接层,桥接层包括浮空电极111,该浮空电极111在衬底基板101上的正投影覆盖至少部分第二隔离结构H2在衬底基板101上的正投影。
浮空电极111可以盖住第二隔离结构H2处的封装层103,防止封装层103发生脱落;同时用此浮空电极111盖住阻挡墙102的挖槽区,提升此处平坦度,防止第二绝缘层(TLD)112在此处褶皱、破裂;另外,该浮空电极111还可以遮挡显示区AA内发光器件的发射光线照射向开孔区HA,避免发光器件的发射光线影响摄像。
在一些实施例中,如图1至图5所示,浮空电极111具有闭环形状,且该浮空电极111在衬底基板101上的正投影完全覆盖全部第二隔离结构H2在衬底基板101上的正投影。
在一些实施例中,第一保护层104和第二保护层106的材料与刻蚀阻挡层110的材料相同。在一些实施例中,第一保护层104、第二保护层106和刻蚀阻挡层110的材料可以为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板,如图2所示,填充层105背离衬底基板101的表面与衬底基板101的距离,大于封装层103背离衬底基板101的表面与衬底基板101的距离。这样可以使开孔区HA周围的膜层较厚,利于维持开孔区HA的形状。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图9和图10所示,还可以包括:依次位于桥接层背离衬底基板101一侧的第二无机绝缘层112和触控电极层113;其中,桥接层还包括位于显示区AA的多个桥接电极111’;触控电极层113包括在显示区AA沿第一方向Y延伸的多个第一触控电极1131、以及沿第二方向X延伸的多个第二触控电极1132,第一触控电极1131和第二触控电极1132具有网格状,并且多个第二触控电极1132或第一触控电极1131与多个桥接电极111’通过贯穿第二无机绝缘层112的开口电连接,第一方向Y与第二方向X相互交叉。这样设置就无需外挂触控模组(TSP),从而可以减小屏幕厚度,进而有利于折叠;同时没有贴合公差,可减小边框宽度。
另外,为了向触控电极层113提供有效信号,可以在显示区AA周围的边框区BB内设置与触控电极层113电连接的多条信号线Tx和Rx。在一些实施例中,可将信号线Tx和Rx分别在桥接层和触控电极层113进行双层布线,并且同一信号线Tx或Rx的双层布线通过贯穿第二无机绝缘层112的开口电连接。双层布线设计的信号线Tx和Rx的电阻较小,极大地降低了信号延迟(RC delay)。
在一些实施例中,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图2至图5、图9所示,还可以包括:位于触控电极层113背离衬底基板101一侧的第三保护层114,该第三保护层114位于显示区AA和隔离区QA。可选地,在图4和图5中,为了满足摄像模组的装配需求,可以将虚线内部(即远离显示区AA一侧)的第三保护层114在工艺结束后去除。第三保护层114的材料可以为OC绝缘胶。
一般地,如图9、10所示,在本公开实施例提供的上述显示基板中,还可以包括:平坦层102’、像素界定层115、支撑层116、阳极117、阴极118、与信号线Tx和Rx绑定连接的柔性电路板FPC、以及与显示区AA的数据线等信号线绑定连接的驱动芯片IC。对于显示基板的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的,在此不做赘述,也不应作为对本公开的限制。在一些实施例中,阻挡墙102可以与平坦层102’、像素界定层115、支撑层116中的至少一个膜层同层同材料。
并且,需要说明的是,在本公开中是以发光器件为顶发射型,晶体管TFT为顶栅型为例进行了说明。在具体实施时,发光器件也可以为底发射型,晶体管TFT也可以为底栅型,在此不做限定。
此外,针对本公开提供的上述显示基板,还提供了相应的制作方法,包括以下步骤:
提供一个衬底基板,该衬底基板包括开孔区、位于开孔区周围的显示区、以及位于显示区与开孔区之间的隔离区;其中,开孔区被配置为安装取光模组;
在衬底基板上形成至少一圈阻挡墙,至少一圈阻挡墙在隔离区内环绕开孔区设置;
在至少一圈阻挡墙所在层上形成封装层,封装层在衬底基板上的正投影完全覆盖显示区;
在封装层上形成第一保护层,第一保护层至少完全覆盖至少一圈阻挡墙;
在第一保护层上形成填充层,填充层位于隔离区,所述填充层完全覆盖所述至少一圈阻挡墙且与所述封装层至少部分重叠。
具体以图2所示显示基板为例,制作过程如下:
第一步,如图11和图12所示,在衬底基板101上形成像素驱动电路所含TFT的有源层和栅极、存储电容Cst的第一电极和第二电极、刻蚀阻挡层110、栅绝缘层e、第一层间介电层f、第二层间介电层g;其中,栅绝缘层e、第一层间介电层f、第二层间介电层g构成隔离层109(即第一无机绝缘层),且隔离层109(即第一无机绝缘层)在隔离区QA具有多个第一隔离槽(即第一隔离结构H1)和多个第二隔离槽(即第二隔离结构H2)、在显示区AA具有接触孔,接触孔用于实现晶体管TFT的有源层与源/漏极的电连接。此外,衬底基板101中设置有与第一隔离槽(即第一隔离结构H1)和第二隔离槽(即第二隔离结构H2)上下正对的盲孔。
第二步,如图13和图14所示,在隔离层109(即第一无机绝缘层)上形成晶体管TFT的源/漏极、平坦层102’、第一阻挡墙D1、第二阻挡墙D2、第一阻挡坝D3和第二阻挡坝D4;其中,第一阻挡墙D1和第二阻挡墙D2构成位于隔离区QA内的阻挡墙102,第一阻挡坝D3和第二阻挡坝D4构成位于开孔区HA内的阻挡坝119;并且,第一阻挡墙D1、第二阻挡墙D2、第一阻挡坝D3和第二阻挡坝D4可以与平坦层102’同层同材质。第一阻挡墙D1和第二阻挡墙D2可以阻止后续在显示区AA形成的有机封装层b越过第一阻挡墙D1,从而保证了优良的封装效果。后续在开孔区HA的中心处会形成与有机封装层b同材质的增强垫107,第一阻挡坝D3和第二阻挡坝D4可以阻止增强垫107越过第二阻挡坝D4溢流至隔离区QA,有效防止了水汽沿溢流的增强垫107材料延伸至显示区AA。
另外,如图15所示,在驱动芯片IC的绑定区BD具有与晶体管TFT的源/漏极同层、同材料的数据线SD、且相邻数据线SD之间具有有机材料制作的平坦层102’,以使得相邻数据线SD之间通过平坦层102’实现绝缘。
在一些实施例中,如图13所示,在垂直于衬底基板101的方向上,第一阻挡坝D3的厚度小于第二阻挡坝D4的厚度,由此在自第一阻挡坝D3指向第二阻挡坝D4的方向上,构成了由低至高的堤坝,因而增大了对增强垫107的阻挡效果。在一些实施例中,第一阻挡坝D3的厚度可以等于第二阻挡坝D4的厚度。并且,第一阻挡墙D1的厚度大于第二阻挡墙D2的厚度,由此在自第二阻挡墙D2指向第一阻挡墙D1的方向上,构成了由低至高的堤坝,因而增大了对有机封装层b的阻挡效果。在一些实施例中,第一阻挡墙D1的厚度可以等于第二阻挡坝D4的厚度。
第三步,如图16和图17所示,在平坦层102’上形成阳极117、像素界定层115、发光功能层108、支撑层116和阴极118,并在制作发光功能层108的过程中挖除开孔区HA的发光功能层108,且发光功能层108因第一隔离槽(即第一隔离结构H1)和第二隔离槽(即第二隔离结构H2)的存在,而在第一隔离槽(即第一隔离结构H1)和第二隔离槽(即第二隔离结构H2)处发生断裂。
第四步,如图18和图19所示,在阴极118上依次形成第一无机封装层a、有机封装层b和第二无机封装层c,并在开孔区HA形成与有机封装层b同层同材料的增强垫107。层叠设置的第一无机封装层a、有机封装层b和第二无机封装层c构成封装层103,第一无机封装层a位于显示区AA、及第二阻挡墙D2与显示区AA之间的隔离区QA,第二无机封装层c位于显示区AA、隔离区QA和开孔区HA;且第一无机封装层a在第二隔离槽(即第二隔离结构H2)处具有开口,第二无机封装层c在第一隔离槽(即第一隔离结构H1)处具有开口。增强垫107被配置为减少工艺过程中显示区AA和过孔区HA的膜层段差,防止后续触控功能层发生脱落(Peeling)。
第五步,如图20至图22所示,在封装层103上整面形成无机材料层,并对无机材料层构图形成第一保护层104,第一保护层104仅在隔离区QA具有开口,且在隔离区QA内,第一保护层104的开口与第二无机封装层的开口之间导通,并且第一保护层104的开口与第一隔离槽(即第一隔离结构H1)正对设置。并且由图23可见,虽然采用有机材料制作的平坦层102’上没有第一无机封装层a、第二无机封装层c进行覆盖,但是第一保护层104完全覆盖了绑定区BD内,从而使得绑定区BD内的平坦层102’与后续制作的填充层105隔离开,避免了在制作填充层105的工艺过程中,平坦层102’吸收水汽,进而避免了在信赖性测试的高温条件下有水汽蒸发而导致后续触控层脱落。
第六步,如图23至图25所示,在第一保护层104上整面形成有机绝缘层105’,并对有机绝缘层105’构图形成填充层105,该填充层105位于开孔区HA和隔离区QA。
第七步,如图26至图28所示,在填充层105上形成整面设置的第二保护层106。之后,如图29所示,在数据线SD上方的第一保护层104与第二保护层106中形成贯通的开口,以暴露出数据线SD,便于后续数据线SD与驱动芯片IC进行绑定连接。
第八步,如图30、图9和图10所示,在第二保护层106上依次形成桥接层、第二无机绝缘层112、触控电极层113和整面设置的第三保护层114;其中,桥接层包括位于显示区AA的多个桥接电极111’、以及覆盖第二隔离槽(即第二隔离结构H2)的浮空电极111;触控电极层113包括在显示区AA沿第一方向Y延伸的多个第一触控电极1131、以及沿第二方向X延伸的多个第二触控电极1132,并且多个第二触控电极1132或多个第一触控电极1131与多个桥接电极111’通过贯穿第二无机绝缘层112的开口电连接,第一方向Y与第二方向X相互交叉。显示区AA周围的边框区BB内设置与触控电极层113电连接的多条信号线Tx和Rx。并且信号线Tx和Rx分别在桥接层和触控电极层113进行双层布线,同一信号线Tx或Rx的双层布线通过贯穿第二无机绝缘层112的开口电连接。
第九步,如图1和图2所示,将开孔区HA内的衬底基板101、隔离层109(即第一无机绝缘层)、第一阻挡坝D3、第二阻挡坝D4、增强垫107、第一无机封装层a、第一保护层104、填充层105、第二保护层106、第二无机绝缘层112、第三保护层114等全部膜层,采用激光切割的方式一次性去除,使得开孔区HA形成通孔,以便于安装摄像模组,且可保证开孔区HA的透光率较高。
至此,完成了本公开实施例提供的图2所示显示基板的制作。
基于同一发明构思,本公开还提供了一种显示装置,包括本公开实施例提供的上述显示基板,以及取光模组;其中该取光模组安装于显示基板的开孔区。在一些实施例中,该显示基板可以为OLED显示基板,该取光模组可以为摄像模组。由于该显示装置解决问题的原理与上述显示基板解决问题的原理相似,因此,该显示装置的实施可以参见上述显示基板的实施例,重复之处不再赘述。
在一些实施例中,本公开实施例提供的上述显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、智能手表、健身腕带、个人数字助理等任何具有显示功能的产品或部件。本公开实施例提供的显示装置还可以包括但不限于:射频单元、网络模块、音频输出单元、输入单元、传感器、显示单元、用户输入单元、接口单元、存储器、处理器、以及电源等部件。本领域技术人员可以理解,上述显示装置的组成并不构成对显示装置的限定,显示装置可以包括上述更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者不同的部件布置。
尽管已描述了本公开的优选实施例,但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以,所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本公开范围的所有变更和修改。
显然,本领域的技术人员可以对本公开实施例进行各种改动和变型而不脱离本公开实施例的精神和范围。这样,倘若本公开实施例的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内,则本公开也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (38)

1.一种显示基板,其中,包括:
衬底基板,所述衬底基板包括开孔区、位于所述开孔区周围的显示区、以及位于所述显示区与所述开孔区之间的隔离区;其中,所述开孔区被配置为安装取光模组;
至少一圈阻挡墙,在所述隔离区内环绕所述开孔区设置;
封装层,位于所述阻挡墙所在层背离所述衬底基板的一侧,且所述封装层在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述显示区;
第一保护层,位于所述封装层背离所述衬底基板的一侧,且所述第一保护层至少完全覆盖所述至少一圈阻挡墙;
填充层,位于所述第一保护层背离所述衬底基板的一侧,且所述填充层位于所述隔离区,所述填充层完全覆盖所述至少一圈阻挡墙且与所述封装层至少部分重叠;
其中,所述封装层包括有机封装层;所述有机封装层包括位于所述显示区的第一有机封装部分和位于隔离区的第二有机封装部分;
其中,所述至少一圈阻挡墙包括靠近所述显示区的第二阻挡墙和远离所述显示区的第一阻挡墙;所述第二有机封装部分覆盖所述第二阻挡墙;
其中,所述第一阻挡墙到所述显示区的距离,小于所述第一阻挡墙到所述开孔区的距离;
所述第二有机封装部分覆盖所述第二阻挡墙,所述第二阻挡墙在远离所述显示区方向上的最大宽度为A,所述第二有机封装部分覆盖所述第二阻挡墙的覆盖部分在远离所述显示区方向上的最大宽度为B,B≤0.85A。
2.如权利要求1所述的显示基板,第一有机封装部分在垂直于衬底基板方向上的厚度在x≤441微米时,随着x增大而减小,在x>441微米时,厚度为12微米,其中,x为测量位置距离参考点的距离,所述参考点为所述至少一圈阻挡墙中的最靠近所述显示区一侧的点;所述第二有机封装部分完全被所述填充层覆盖,且所述第二有机封装部分从靠近所述显示区的一侧到远离的方向上,在垂直于所述衬底基板方向上的厚度逐渐变小。
3.如权利要求2所述的显示基板,其中,所述填充层在覆盖所述第二阻挡墙的部分上存在一段厚度不变的部分,所述厚度不变部分在垂直于所述衬底基板方向上的厚度为C。
4.如权利要求3所述的显示基板,其中,所述填充层从所述厚度不变的部分开始,沿着远离所述显示区的方向上,厚度逐级变大为D,所述D与所述C的比值在2.5-3之间。
5.如权利要求1所述的显示基板,其中,还包括:位于所述填充层背离所述衬底基板一侧的第二保护层,所述第二保护层至少完全覆盖所述填充层,且所述第二保护层在所述填充层上,从靠近所述显示区的一侧到远离的一侧,逐渐向靠近所述衬底基板的方向上倾斜。
6.如权利要求5所述的显示基板,其中,所述第二保护层倾斜的斜率在0.01-0.02之间。
7.如权利要求5所述的显示基板,其中,所述第一保护层还包括至少覆盖部分所述显示区的膜层,且具有对应于所述开孔区的第一开口。
8.如权利要求7所述的显示基板,其中,所述第二保护层还包括至少覆盖部分所述显示区的膜层,且具有对应于所述开孔区的第二开口。
9.如权利要求8所述的显示基板,其中,所述第一开口和所述第二开口重合。
10.如权利要求9所述的显示基板,其中,所述第一保护层和所述第二保护层至少在所述显示区内直接接触。
11.如权利要求10所述的显示基板,其中,所述第一保护层和所述第二保护层还在邻近所述显示区的所述隔离区内直接接触。
12.如权利要求11所述的显示基板,其中,所述第二保护层与所述第一保护层的材料相同。
13.如权利要求12所述的显示基板,其中,在垂直于所述衬底基板的方向上,所述第二保护层的厚度大于600μm。
14.如权利要求13所述的显示基板,其中,所述封装层还包括位于所述有机封装层与所述至少一圈阻挡墙之间的第一无机封装层、以及位于所述有机封装层与所述第一保护层之间的第二无机封装层;其中,
所述第一无机封装层在所述衬底基板上的正投影与所述第二无机封装层在所述衬底基板上的正投影重合,且所述第二无机封装层包覆所述有机封装层。
15.如权利要求14所述的显示基板,其中,所述第二无机封装层至少在所述隔离区与所述第一保护层直接接触。
16.如权利要求14所述的显示基板,其中,所述第二无机封装层还包括至少覆盖部分所述显示区的膜层,且具有对应于所述开孔区的第三开口。
17.如权利要求16所述的显示基板,其中,所述第一开口和所述第三开口重合。
18.如权利要求17所述的显示基板,其中,所述填充层具有对应于所述开孔区的第四开口。
19.如权利要求18所述的显示基板,其中,所述第一开口和所述第四开口重合。
20.如权利要求14所述的显示基板,其中,还包括位于所述至少一圈阻挡墙所在层与所述封装层之间的发光功能层;
所述发光功能层具有对应所述开孔区的开口。
21.如权利要求20所述的显示基板,其中,还包括:位于所述衬底基板与所述至少一圈阻挡墙所在层之间的隔离层,所述隔离层包括至少一圈第一隔离结构和/或至少一圈第二隔离结构;其中,
所述至少一圈第一隔离结构位于所述至少一圈阻挡墙与所述开孔区之间的所述隔离区;所述至少一圈第二隔离结构位于所述至少一圈阻挡墙与所述显示区之间的所述隔离区;
在所述至少一圈阻挡墙与所述开孔区之间的所述隔离区内,所述第一隔离结构处的所述发光功能层与所述第一隔离结构之间的所述发光功能层断开;
在所述至少一圈阻挡墙与所述显示区之间的所述隔离区内,所述第二隔离结构处的所述发光功能层与所述第二隔离结构之间的所述发光功能层断开。
22.如权利要求21所述的显示基板,其中,在所述至少一圈阻挡墙与所述开孔区之间的所述隔离区内,所述第一保护层在所述第一隔离结构处或所述第一隔离结构之间具有开口;
在所述至少一圈阻挡墙与所述显示区之间的所述隔离区内,所述第一无机封装在所述第二隔离结构处或所述第二隔离结构之间具有开口。
23.如权利要求22所述的显示基板,其中,所述隔离层为第一无机绝缘层,所述第一隔离结构为第一隔离槽,所述第二隔离结构为第二隔离槽;
所述第一保护层在对应所述第一隔离槽处具有开口,所述第一无机封装层在对应所述第二隔离槽处具有开口。
24.如权利要求22所述的显示基板,其中,所述隔离层为源漏金属层,所述第一隔离结构为第一隔离柱,所述第二隔离结构为第二隔离柱;
所述第一保护层在所述第一隔离柱处与所述第二无机封装层直接接触,且所述第一保护层在对应所述第一隔离柱之间具有开口,所述第一无机封装层在对应所述第二隔离柱之间具有开口。
25.如权利要求24所述的显示基板,其中,所述源漏金属层包括层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层;
所述第一隔离柱和所述第二隔离柱均包括:位于所述第一金属层的第一隔离部、位于所述第二金属层的第二隔离部、及位于所述第三金属层的第三隔离部;其中,所述第一隔离部在所述衬底基板上的正投影大于所述第二隔离部在所述衬底基板上的正投影,且等于所述第一隔离部在所述衬底基板上的正投影。
26.如权利要求21所述的显示基板,其中,还包括:位于第二保护层背离所述衬底基板一侧的桥接层,所述桥接层包括浮空电极,所述浮空电极在所述衬底基板上的正投影覆盖至少部分所述第二隔离结构在所述衬底基板上的正投影;其中,所述第二保护层位于所述填充层背离所述衬底基板一侧。
27.如权利要求26所述的显示基板,其中,所述浮空电极具有闭环形状,且所述浮空电极在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述至少一圈第二隔离结构在所述衬底基板上的正投影。
28.如权利要求19所述的显示基板,其中,还包括:位于所述衬底基板面向所述至少一圈阻挡墙一侧的刻蚀阻挡层,且所述刻蚀阻挡层与所述衬底基板直接接触;
所述第一保护层和所述第二保护层的材料与所述刻蚀阻挡层的材料相同。
29.如权利要求28所述的显示基板,其中,所述填充层背离所述衬底基板的表面与所述衬底基板的距离,大于所述封装层背离所述衬底基板的表面与所述衬底基板的距离。
30.如权利要求26所述的显示基板,其中,还包括:依次位于所述桥接层背离所述衬底基板一侧的第二无机绝缘层和触控电极层;其中,
所述桥接层还包括位于所述显示区的多个桥接电极;
所述触控电极层包括在所述显示区沿第一方向延伸的多个第一触控电极、以及沿第二方向延伸的多个第二触控电极,并且所述多个第二触控电极或所述多个第一触控电极与所述多个桥接电极通过贯穿所述第二无机绝缘层的开口电连接,所述第一方向与所述第二方向相互交叉。
31.如权利要求30所述的显示基板,其中,还包括:位于所述触控电极层背离所述衬底基板一侧的第三保护层,所述第三保护层位于所述显示区和所述隔离区。
32.一种显示装置,其中,包括如权利要求1-31任一项所述的显示基板,以及取光模组;其中,所述取光模组安装于所述显示基板的开孔区。
33.一种如权利要求1-31任一项所述显示基板的制作方法,其中,包括:
提供一个衬底基板,所述衬底基板包括开孔区、位于所述开孔区周围的显示区、以及位于所述显示区与所述开孔区之间的隔离区;其中,所述开孔区被配置为安装取光模组;
在所述衬底基板上形成至少一圈阻挡墙,所述至少一圈阻挡墙在所述隔离区内环绕所述开孔区设置;
在所述至少一圈阻挡墙所在层上形成封装层,所述封装层在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述显示区;
在所述封装层上形成第一保护层,所述第一保护层至少完全覆盖所述至少一圈阻挡墙;
在所述第一保护层上形成填充层,所述填充层位于所述隔离区,所述填充层完全覆盖所述至少一圈阻挡墙且与所述封装层至少部分重叠;
其中,所述封装层包括有机封装层;所述有机封装层包括位于所述显示区的第一有机封装部分和位于隔离区的第二有机封装部分;
其中,所述至少一圈阻挡墙包括靠近所述显示区的第二阻挡墙和远离所述显示区的第一阻挡墙;所述第二有机封装部分覆盖所述第二阻挡墙;
其中,所述第一阻挡墙到所述显示区的距离,小于所述第一阻挡墙到所述开孔区的距离;
所述第二有机封装部分覆盖所述第二阻挡墙,所述第二阻挡墙在远离所述显示区方向上的最大宽度为A,所述第二有机封装部分覆盖所述第二阻挡墙的覆盖部分在远离所述显示区方向上的最大宽度为B,B≤0.85A。
34.如权利要求33所述的制作方法,其中,在所述衬底基板上形成至少一圈阻挡墙的同时,还包括:在所述开孔区形成至少一圈阻挡坝。
35.如权利要求34所述的制作方法,其中,在所述至少一圈阻挡墙所在层上形成封装层,具体包括:
在所述至少一圈阻挡墙所在层上依次形成第一无机封装层、有机封装层、第二无机封装层;其中,所述第一无机封装层至少在所述至少一圈阻挡墙与所述显示区之间的所述隔离区具有开口,所述第二无机封装层在所述至少一圈阻挡墙与所述开孔区之间的所述隔离区具有开口;
在形成所述有机封装层的同时,还包括:
形成位于所述开孔区的增强垫,所述增强垫位于所述至少一圈阻挡坝远离所述隔离区的一侧。
36.如权利要求35所述的制作方法,其中,在所述封装层上形成第一保护层,具体包括:
在所述封装层上整面形成无机材料层;
对所述无机材料层构图形成第一保护层,所述第一保护层仅在所述隔离区具有开口,且在所述隔离区内,所述第一保护层的开口与所述第二无机封装层的开口之间导通。
37.如权利要求35所述的制作方法,其中,在所述第一保护层上形成填充层之后,还包括:在所述填充层上形成整面设置的第二保护层。
38.如权利要求37所述的制作方法,其中,在所述填充层上形成整面设置的第二保护层之后,还包括:
采用激光切割的方式,将所述开孔区的各膜层去除,使得所述开孔区形成贯穿所述显示基板的通孔;所述开孔区的各膜层至少包括所述衬底基板、所述至少一圈阻挡坝、发光功能层、所述第二无机封装层、所述增强垫、所述第一保护层、所述填充层和所述第二保护层;其中,所述发光功能层位于至少一圈阻挡墙所在层与封装层之间。
CN202180000491.8A 2021-03-15 2021-03-15 显示基板、其制作方法及显示装置 Active CN115428160B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2021/080752 WO2022193058A1 (zh) 2021-03-15 2021-03-15 显示基板、其制作方法及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115428160A CN115428160A (zh) 2022-12-02
CN115428160B true CN115428160B (zh) 2024-04-05

Family

ID=83321835

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180000491.8A Active CN115428160B (zh) 2021-03-15 2021-03-15 显示基板、其制作方法及显示装置
CN202180000534.2A Pending CN115349183A (zh) 2021-03-15 2021-03-22 显示面板、其制作方法及显示装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180000534.2A Pending CN115349183A (zh) 2021-03-15 2021-03-22 显示面板、其制作方法及显示装置

Country Status (3)

Country Link
CN (2) CN115428160B (zh)
GB (1) GB2610500A (zh)
WO (2) WO2022193058A1 (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110265583A (zh) * 2019-07-26 2019-09-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN110854304A (zh) * 2019-11-20 2020-02-28 云谷(固安)科技有限公司 显示面板的制备方法
CN111384069A (zh) * 2020-03-25 2020-07-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板
CN111463236A (zh) * 2019-01-21 2020-07-28 三星显示有限公司 显示设备
CN111725257A (zh) * 2019-03-21 2020-09-29 三星显示有限公司 显示面板
CN112349867A (zh) * 2020-10-27 2021-02-09 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201516729U (zh) * 2009-09-12 2010-06-30 孙荣华 用弹性胶体件固定的墨盒
KR102601207B1 (ko) * 2016-07-29 2023-11-13 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102431808B1 (ko) * 2017-12-11 2022-08-10 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시장치
KR102431788B1 (ko) * 2017-12-13 2022-08-10 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210000383A (ko) * 2019-06-25 2021-01-05 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
CN210516729U (zh) * 2019-10-31 2020-05-12 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及显示装置
CN111162195B (zh) * 2020-01-02 2022-10-04 合肥维信诺科技有限公司 显示面板和显示装置
CN111244112B (zh) * 2020-01-20 2022-11-01 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法
CN111525044A (zh) * 2020-04-27 2020-08-11 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置和显示装置的制作方法
CN111740028B (zh) * 2020-06-29 2024-01-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法
CN112271199B (zh) * 2020-10-23 2024-02-27 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其显示面板、显示面板的制作方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111463236A (zh) * 2019-01-21 2020-07-28 三星显示有限公司 显示设备
CN111725257A (zh) * 2019-03-21 2020-09-29 三星显示有限公司 显示面板
CN110265583A (zh) * 2019-07-26 2019-09-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN110854304A (zh) * 2019-11-20 2020-02-28 云谷(固安)科技有限公司 显示面板的制备方法
CN111384069A (zh) * 2020-03-25 2020-07-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板
CN112349867A (zh) * 2020-10-27 2021-02-09 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN115349183A (zh) 2022-11-15
GB2610500A (en) 2023-03-08
CN115428160A (zh) 2022-12-02
GB202216389D0 (en) 2022-12-21
WO2022193332A1 (zh) 2022-09-22
WO2022193058A1 (zh) 2022-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10847732B2 (en) Manufacturing method of flexible display panel and flexible display panel
CN107579078B (zh) 显示面板及其制造方法和显示装置
CN109920818B (zh) 显示面板及其制造方法、显示装置
CN108470762B (zh) 一种柔性显示面板和显示装置
JP2021531610A (ja) 表示基板及びその製造方法、並びに表示パネル
WO2019100874A1 (zh) 显示基板及其制造方法以及对应显示面板及其封装方法
US20220115625A1 (en) Display Substrate and Preparation Method Thereof, and Display Device
JP2022524561A (ja) 表示基板及びその製造方法
WO2016015421A1 (zh) 阵列基板、有机发光二极管显示面板和显示装置
CN113066832A (zh) 一种显示基板及显示装置
US11398523B2 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device
US20230325016A1 (en) Touch-control display panel and preparation method therefor, and display apparatus
US11775018B2 (en) Device integrating an image sensor and a display screen
CN111430440A (zh) 一种显示面板
CN112151445A (zh) 一种显示基板的制备方法及显示基板、显示装置
US11249584B2 (en) Touch substrate, manufacturing method thereof and touch screen
CN109427848B (zh) Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置
CN110875363A (zh) 阵列基板及其制备方法、以及显示面板
CN115428160B (zh) 显示基板、其制作方法及显示装置
CN216389370U (zh) 一种显示基板、显示装置
CN112732115B (zh) 触控显示面板及触控显示面板的制备方法
CN114709344A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN113066796B (zh) 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置
CN114824128B (zh) 显示面板及显示装置
CN113641264B (zh) 显示面板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant