CN113066796B - 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置。所述显示面板包括：栅极层；栅极绝缘层，部分设置于所述栅极层上；第一源漏电极层，设置于所述栅极层和所述栅极绝缘层上；第一金属层，设置于所述第一源漏电极层上；第一介电层，设置于所述第一金属层上；以及第二金属层，设置于所述第一介电层上。相较于现有技术，本发明通过不增设第二介电层，以使第一金属层直接沉积在薄膜封装层上，同时在端子区保留第一金属层，从而可以改善端子区处的第一源漏电极层的侧刻的问题；与此同时，去除端子区的第二源漏电极层，以降低端子区的高度，从而使改善端子区可能会出现短路的问题。

Description

显示面板、显示面板的制备方法及显示装置
技术领域
本发明涉及显示面板技术，尤其涉及一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置。
背景技术
显示装置主要包括液晶显示器(Liquid crystal display，简称LCD)、等离子体显示面板(Plasma display panel，简称PDP)、有机电致发光(Organic light emittingdiode，简称OLED)、有源矩阵有机电致发光(Active matrix organic light emittingdiode，简称AMOLED)，在车载、手机、平板、电脑及电视产品上具有广阔的应用空间。
OLED屏幕具有轻薄，对比度高，柔性，透过率高等特性，已经开始成为高端智能手机的主流屏幕，其中屏下指纹、屏下摄像头、屏下发声等技术也相继被开发。
近年来，显示装置除了通过显示面板的显示图像功能之外，还包括用于与用户交互的触摸感测功能。Y-OCTA(YOUM-OnCell TouchPad AMOLED，为三星显示公司开发的先进可挠式AMOLED面板技术，可简化结构与降低成本的触控方案)作为先进的柔性AMOLED显示器技术被提出来。Y-OCTA移除了薄膜基材，使得触控电路直接图案化在薄膜封装层之上。如此设计，通过使用Y-OCTA技术，使得AMOLED显示器可以变得更薄。
目前主流的Y-OCTA是采用互容式，即采用两层金属，结构主要分为5层。在现有技术中，显示面板结构的阵列基板边缘的(英文：Integrated Circuit Pad，简称IC Pad；中文：集成电路接口即端子区)区域形成有信号线(如栅线或数据线)，这样会存在源漏电极层的侧刻问题，进而容易造成相邻的IC Pad存在短路的风险。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置，能够有效解决因现有互容式触控显示面板采用两层金属，端子区层状结构过高而导致的端子区容易发生短路的问题。
根据本发明的一方面，本发明提供一种显示面板，包括触控显示区和位于所述触控显示区至少一侧的绑定区，所述绑定区包括用于设置连接端子的端子区，所述端子区包括：栅极层；栅极绝缘层，部分设置于所述栅极层上；第一源漏电极层，设置于所述栅极层和所述栅极绝缘层上；第一金属层，设置于所述第一源漏电极层上；第一介电层，设置于所述第一金属层上；以及第二金属层，设置于所述第一介电层上。
进一步地，所述触控显示区包括：TFT走线层；有机发光层，设置于所述TFT走线层上；以及薄膜封装层，设置于所述有机发光层上。
进一步地，在所述触控显示区，所述第一金属层，设置于所述薄膜封装层上；以及所述第二金属层，覆盖于部分所述第一介电层上。
进一步地，在所述触控显示区，所述第一介电层设置于所述薄膜封装层上，并覆盖于所述第一金属层上；以及所述触控显示区还包括：钝化层，设置于所述第一介电层上。
进一步地，所述第一金属层和所述源漏电极层所采用的材料相同。
进一步地，所述第一金属层和所述源漏电极层的材料均为钛铝钛合金。
进一步地，所述第一金属层与所述第二金属层形成触控电容。
进一步地，所述第二金属层通过所述第一介电层上的过孔与所述第一金属层连接，所述源漏电极层与所述第一金属层连接。
根据本发明的另一方面，本发明提供一种显示面板的制备方法，包括步骤：提供一基板；在所述基板上形成一栅极层；在所述栅极层上形成一栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成第二源漏电极层，并对所述第二源漏电极层进行蚀刻，以去除显示面板的端子区的第二源漏电极层；在所述二源漏电极层上形成第一源漏电极层；在所述第一源漏电极层上形成第一金属层，并对所述第一金属层进行蚀刻，保留显示面板的端子区的第一源漏电极层；在所述第一金属层上形成第一介电层；以及在所述第一介电层上形成第二金属层。
根据本发明的另一方面，本发明提供一种显示装置，包括本发明实施例任一所述的显示面板。
相较于现有技术，本发明通过不增设第二介电层，以使第一金属层直接沉积在薄膜封装层上，同时在端子区保留第一金属层，从而可以改善端子区处的第一源漏电极层的侧刻的问题；与此同时，去除端子区的第二源漏电极层，以降低端子区的高度，从而使改善端子区可能会出现短路的问题。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明一实施例提供的一种显示面板端子区的结构示意图。
图2为本发明所述实施例提供的一种显示面板的触控显示区的结构示意图。
图3为本发明一实施例提供的一种显示面板的制备方法步骤流程图。
图4为本发明一实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
如图1和图2所示，本发明实施例一提供了一种显示面板。
所述显示面板包括：TFT走线层10、有机发光层20、薄膜封装层30、栅极层100、栅极绝缘层90、第一源漏电极层110、第一金属层60、第一介电层50及第二金属层70。
显示面板包括触控显示区和位于所述触控显示区至少一侧的绑定区。所述绑定区包括用于设置连接端子的端子区以及位于所述端子区之间的间隔区。
其中所述端子区包括：基板80、栅极层100、栅极绝缘层90、第一源漏电极层110、第一金属层60、第一介电层50和第二金属层70。
栅极绝缘层90部分设置于所述栅极层100上。在本实施例中，所述栅极绝缘层90材料为SiOx或是SiNx，或是由SiOx和SiOx组成的多层结构薄膜，其厚度为1000-3000埃，所述栅极绝缘层90材料可以为Mo、Al、Cu、Ti等，或者是合金，厚度可以为2000-10000埃。
第一源漏电极层110设置于所述栅极层100和所述栅极绝缘层90上。在本实施例中，所述第一源漏电极层110的厚度为200nm。
第一金属层60设置于所述第一源漏电极层110上。在本实施例中，所述第一金属层60的厚度为200nm。
第一介电层50设置于所述第一金属层60上。在本实施例中，所述第一介电层50的材料为SiOx或是SiNx，或是由SiOx和SiOx组成的多层结构薄膜，其厚度为2000 -10000埃。
第二金属层70设置于所述第一介电层50上。在本实施例中，所述第二金属的厚度为200nm。
其中所述触控显示区包括：TFT走线层10、有机发光层20及薄膜封装层30。
在本实施例中，有机发光层20设置于所述TFT走线层10上。薄膜封装层30，设置于所述有机发光层20上。
在所述触控显示区，所述第一金属层60，设置于所述薄膜封装层30上。所述第二金属层70，覆盖于部分所述第一介电层50上。所述第一金属层60与所述第二金属层70可以形成触控电容。所述第二金属层70通过所述第一介电层50上的过孔与所述第一金属层60连接，所述源漏电极层与所述第一金属层60连接。
在所述触控显示区，所述第一介电层50设置于所述薄膜封装层30上，并覆盖于所述第一金属层60上。所述触控显示区还包括：钝化层，设置于所述第一介电层50上。
所述第一金属层60和所述第一源漏电极层110所采用的材料相同。在本实施例中，所述第一金属层60和所述源漏电极层的材料均为钛铝钛合金。但不限于此，在其他实施例中，还可以采用其他合金材料或者单层金属材料。
本发明的优点在于，本发明通过不增设第二介电层，以使第一金属层直接沉积在薄膜封装层上，同时在端子区保留第一金属层，从而可以改善端子区处的第一源漏电极层的侧刻的问题；与此同时，去除端子区的第二源漏电极层，以降低端子区的高度，从而使改善端子区可能会出现短路的问题。
如图3所示，为本发明实施例二提供的显示面板的制备方法步骤流程图。
所述方法包括：
步骤S110：提供一基板。
在本实施例中，所述基板包括PI衬底和缓冲层。
步骤S120：在所述基板上形成一栅极层。
步骤S130：在所述栅极层上形成一栅极绝缘层。
在本实施例中，所述栅极绝缘层材料为SiOx或是SiNx，或是由SiOx和SiOx组成的多层结构薄膜，其厚度为1000-3000埃，栅极绝缘层110材料可以为Mo、Al、Cu、Ti等，或者是合金，厚度可以为2000-10000埃。
步骤S140：在所述栅极绝缘层上形成第二源漏电极层，并对所述第二源漏电极层进行蚀刻，以去除显示面板的端子区的第二源漏电极层。
在本实施例中，由于去除端子区的第二源漏电极层，从而降低端子区的高度，从而使改善端子区的出现短路的问题。
步骤S150：在所述第二源漏电极层上形成第一源漏电极层。
在本实施例中，所述第一源漏电极层的厚度为200nm。
步骤S160：在所述第一源漏电极层上形成第一金属层，并对所述第一金属层进行蚀刻，保留显示面板的端子区的第一源漏电极层。
步骤S170：在所述第一金属层上形成第一介电层。
在本实施例中，所述第一介电层的材料为SiOx或是SiNx，或是由SiOx和SiOx组成的多层结构薄膜，其厚度为2000 -10000埃。
步骤S180：在所述第一介电层上形成第二金属层。
本发明通过不增设第二介电层(或者相对于现有技术，取消第二介电层)，以使第一金属层直接沉积在薄膜封装层上，同时在端子区保留第一金属层，从而可以改善端子区处的第一源漏电极层的侧刻的问题；与此同时，去除端子区的第二源漏电极层，以降低端子区的高度，从而使改善端子区可能会出现短路的问题，同时减少端子区的制作时间。
如图4所示，为本发明实施例三提供的显示装置结构示意图，所述显示装置200包括上述实施例所述的显示面板100。该显示装置200可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
当本实施例的显示装置200采用上述实施例所述的显示面板100时，其显示效果更好。
当然，本实施例的显示装置200中还可以包括其他常规结构，如电源单元、显示驱动单元等。
本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (8)

1.一种显示面板，包括触控显示区和位于所述触控显示区至少一侧的绑定区，所述绑定区包括用于设置连接端子的端子区，其特征在于，所述端子区包括：
栅极层；
栅极绝缘层，部分设置于所述栅极层上；
第一源漏电极层，设置于所述栅极层和所述栅极绝缘层上；
第一金属层，设置于所述第一源漏电极层上；
第一介电层，设置于所述第一金属层上；
第二金属层，设置于所述第一介电层上；
其中，所述触控显示区包括：
TFT走线层；
有机发光层，设置于所述TFT走线层上；
薄膜封装层，设置于所述有机发光层上；
在所述触控显示区，所述第一金属层，设置于所述薄膜封装层上；以及所述第二金属层，覆盖于部分所述第一介电层上。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述触控显示区，所述第一介电层设置于所述薄膜封装层上，并覆盖于所述第一金属层上；以及所述触控显示区还包括：钝化层，设置于所述第一介电层上。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属层和所述第一源漏电极层所采用的材料相同。
4.根据权利要求1或3所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属层和所述源漏电极层的材料均为钛铝钛合金。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属层与所述第二金属层形成触控电容。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二金属层通过所述第一介电层上的过孔与所述第一金属层连接，所述源漏电极层与所述第一金属层连接。
7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供一基板；
在所述基板上形成一栅极层；
在所述栅极层上形成一栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成第二源漏电极层，并对所述第二源漏电极层进行蚀刻，以去除显示面板的端子区的第二源漏电极层；
在所述第二源漏电极层上形成第一源漏电极层；
在所述第一源漏电极层上形成第一金属层，并对所述第一金属层进行蚀刻，保留显示面板的端子区的第一源漏电极层；
在所述第一金属层上形成第一介电层；以及
在所述第一介电层上形成第二金属层。
8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-6任意一项所述的显示面板。
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