CN112002739A - 显示面板、显示屏及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例公开了一种显示面板、显示屏及电子设备，其中，该显示面板包括：衬底基板；金属氧化物半导体层，设于所述衬底基板上，所述金属氧化物半导体层包括第一半导体部；第一绝缘层，设于所述金属氧化物半导体层上；透明导电层，设于所述第一绝缘层上，所述透明导电层包括阳极，所述阳极包括第一电极部；所述第一电极部与所述第一导电部的位置对应；所述第一电极部与所述第一导电部形成存储电容，所述第一导电部是通过对所述第一半导体部进行导体化处理后得到的；阴极，设于所述透明导电层上，所述阴极的材料为透明导电材料。本申请实施例的显示面板、显示屏及电子设备可以提高开口率。

Description

显示面板、显示屏及电子设备
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板、显示屏及电子设备。
背景技术
目前底发射结构的有机发光二极管显示面板，由于具有较低的压降、更轻薄、功耗更低、响应快、对比度高、更适合柔性产品等优点，因此被广泛地使用。
然而，由于现有的底发射结构的有机发光二极管显示面板的开口率较低，从而无法满足高解析度产品的需求。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板、显示屏及电子设备，可以提高开口率，从而可以满足高解析度产品的需求。
本申请实施例提供一种显示面板，包括：
衬底基板；
金属氧化物半导体层，设于所述衬底基板上，所述金属氧化物半导体层包括第一半导体部；
第一绝缘层，设于所述金属氧化物半导体层上；
透明导电层，设于所述第一绝缘层上，所述透明导电层包括阳极，所述阳极包括第一电极部；所述第一电极部与所述第一导电部的位置对应；所述第一电极部与所述第一导电部形成存储电容，所述第一导电部是通过对所述第一半导体部进行导体化处理后得到的；
阴极，设于所述透明导电层上，所述阴极的材料为透明导电材料。
本发明还提供一种显示屏，其包括上述显示面板。
本发明还提供一种电子设备，其包括上述显示屏。
本申请实施例的显示面板、显示屏及电子设备，包括衬底基板；金属氧化物半导体层，设于所述衬底基板上，所述金属氧化物半导体层包括第一半导体部；第一绝缘层，设于所述金属氧化物半导体层上；透明导电层，设于所述第一绝缘层上，所述透明导电层包括阳极，所述阳极包括第一电极部；所述第一电极部与所述第一导电部的位置对应；所述第一电极部与所述第一导电部形成存储电容，所述第一导电部是通过对所述第一半导体部进行导体化处理后得到的；阴极，设于所述透明导电层上，所述阴极的材料为透明导电材料；由于存储电容和驱动电极均采用透明材料制成，因此提高了开口率，从而可以满足高解析度产品的需求。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有的显示面板的剖视图。
图2为本申请一实施例提供的显示面板的剖视图。
图3为本申请一实施例提供的显示面板的制备工艺流程图。
图4为本申请一实施例提供的显示屏的结构示意图。
图5为本申请一实施例提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
如图1所示，现有的显示面板由下至上依次包括衬底基板11、遮光层12、缓冲层13、半导体层14'、栅绝缘层15、金属层16、第一绝缘层17、平坦层18、导电层19以及像素定义层19’。
遮光层12包括遮光部121、第一电极部122以及遮光线123。遮光层12的材料为金属材料。
半导体层14'包括导电部141'和半导体部142'，导电部141'设于半导体部142'的两侧。
金属层16包括源极161、漏极162、栅极163、第二电极部164以及金属线165。
导电层19包括阳极191和第一电极线192。阳极191与漏极162连接。导电层19的材料为金属材料。第一电极部122和第二电极部164形成存储电容。
本实施例的存储电容的材料为金属材料，导致发光区域的面积较小，显示面板的发光区域如图1中虚线框所示的位置。
请参阅图2，图2为本申请一实施例提供的显示面板的剖视图。
如图2所示，该显示面板100包括衬底基板11、金属氧化物半导体层14、第一绝缘层17以及透明导电层20以及阴极32。
衬底基板11的材质包括玻璃、二氧化硅、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乳酸、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺以及聚氨酯中的一种或多种。
金属氧化物半导体层14设于所述衬底基板11上，所述金属氧化物半导体层14包括第一半导体部(与第一导电部143的位置对应)；在一实施方式中，该金属氧化物半导体层14的材料包括IGZO、IGZTO以及ITZO中的至少一种。
第一绝缘层17设于所述金属氧化物半导体层14上，
透明导电层20设于所述第一绝缘层17上，所述透明导电层20包括阳极21、阳极21包括第一电极部211；所述第一电极部211与所述第一导电部143的位置对应；所述第一电极部211与所述第一导电部143形成存储电容，其中所述第一导电部143是通过对所述第一半导体部进行导体化处理后得到的。也即所述透明导电层20的材料为透明导电材料，比如为银、氧化铟锡以及氧化铟锌中的至少一种。其中，所述阳极21可覆盖第一导电部143，也即阳极21在衬底基板11上的正投影的面积大于所述第一导电部143在衬底基板11上的正投影的面积。
阴极32的材料为透明导电材料，比如包括银、氧化铟锡以及氧化铟锌中的至少一种。
在一实施方式中，为了简化制程工艺降低生产成本，结合图3，所述显示面板100还包括：平坦层18，设于所述第一绝缘层17和所述透明导电层20之间；所述平坦层18上设置有开口区182；所述第一电极部211位于所述开口区182内。
在一实施方式中，为了简化制程工艺降低生产成本，结合图3，其中所述平坦层18上还设置过孔181，所述过孔181贯穿所述平坦层18和部分所述第一绝缘层17。所述阳极21还包括所述第二电极部212，所述第二电极部212设于所述平坦层18上以及所述过孔181内。也即第二电极部212为第一电极部211以外的部分。平坦层18的材料可为具有较高的刻蚀选择比，例如为氧化硅。然而本发明实施例并不限于此，本领域技术人员可以根据需要对平坦层的材料进行其他设置。
在一实施方式中，返回图2，为了简化制程工艺降低生产成本，所述透明导电层20还包括第一电极线22，所述第一电极线22设于所述平坦层18上，所述第一电极线22与阳极21间隔设置。也即第一电极线22与所述第一电极部211间隔设置。
在一实施方式中，所述显示面板100还可包括栅绝缘层15、源极161、漏极162以及栅极163。
所述金属氧化物半导体层14还包括第二半导体部(与第二导电部141的位置对应)以及第三半导体部142；所述第二半导体部位于所述第三半导体部142的两侧；
栅绝缘层15对应设置于所述第三半导体部142上；所述栅绝缘层15的材料可包括SiO2、SiNx以及Al2O3中的一种或多种。
源极161和漏极162，对应设置于第二导电部141上；所述第二导电部141是通过对所述第二半导体部进行导体化处理后得到的；所述漏极162与所述阳极21连接；具体地，所述阳极21通过该过孔181与所述漏极162连接。
栅极163对应设置于所述栅绝缘层15上。
其中，为了提高薄膜晶体管的稳定性，所述第二导电部141与所述第一导电部143间隔设置。
在一实施方式中，为了简化制程工艺，降低生产成本，所述显示面板100还包括：金属层16，其包括所述源极161、所述漏极162以及所述栅极163。也即源极161、所述漏极162以及所述栅极163位于同一金属层。金属层16的材料可包括铜、钼、钛以及铝中的至少一种。
其中所述第一绝缘层17设于所述金属层16和所述平坦层18之间。其中第一绝缘层17的材料可包括SiO2、SiNx、Al2O3中的一种或多种。也即第一绝缘层17作为存储电容的存储介质。
此外，在其他实施方式中，所述显示面板100还可包括像素定义层19’、发光层31以及缓冲层13、遮光层12、封装层(图中未示出)中的一层或者多层。
在一实施方式中，遮光层12包括遮光部121和遮光线123。遮光层12的材料可为金属材料。
缓冲层13设置于遮光层12上，主要是起缓冲作用，缓冲层12的材料包括SiO2、SiNx中的一种或多种。
像素定义层19’上设置有像素开口。
发光层31设置在所述像素开口内，发光层31的材料为有机发光材料。
封装层设于所述阴极32上。封装层为无机层和有机层的堆叠结构。
由于本实施例的存储电容和驱动电极(阳极和阴极)均为透明材料，因此增大了发光区域的面积，本实施例的发光区域如图2中的虚线框所示，进而提高了开口率。
可以理解的，图2仅给出一种示例，并不能对本发明构成限定。
本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法，在一实施方式中，如图3所示，所述方法包括：
S101、在衬底基板11上依次制作遮光层12、缓冲层13以及金属氧化物半导体层14；
例如，在缓冲层13上制备整层金属氧化物半导体层14后对其进行图案化处理，以分别形成第一半导体部、第二半导体部以及第三半导体部142，然后对第一半导体部和第二半导体部分别进行导体化处理，分别形成第一导电部143和第二导电部141，导体化处理的过程在此不作限定。第三半导体部142用于形成沟道。
S102、在第二导电部141、所述第一导电部143以及第三半导体部142上制作栅绝缘层15；
例如，在栅绝缘层15上涂布光阻、对光阻进行图案化处理后，以图案化处理后的光阻对栅绝缘层15进行蚀刻，将与第三半导体部142对应位置的栅绝缘层15保留，将其余的栅绝缘层15去除。以图案化后的栅绝缘层15作为遮挡体对第三半导体部142两侧的第二半导体部进行导体化处理，形成第二导电部141，此外还对第一半导体部进行导体化处理，形成第一导电部143。
S103、在栅绝缘层15以及第二导电部141与所述第一导电部143上制作金属层16；
例如，对金属层16进行图案化处理，分别形成源极161、漏极162、栅极163以及金属线165。
源极161和漏极162分别设于位于第三半导体部142两侧中其中一侧的第二导电部141上。栅极163设于栅绝缘层15，且所述栅极163与所述栅绝缘层15的位置对应。
S104、在源极161、漏极162、栅极163以及金属线165上依次制作第一绝缘层17和平坦层18；
对平坦层18进行图案化处理，形成过孔181和开口区182。
S105、在过孔181和开口区182内制作透明导电层20。
例如，对透明导电层20进行图案化处理，形成阳极21和第一电极线22。
S106、在阳极21和第一电极线22上制作像素定义层19’，对像素定义层19’进行图案化处理，形成像素开口(图中未标出)，在像素开口区内制作发光层31，并在发光层31上制作阴极32。
由于通过导体化的金属氧化物半导体层和阳极的一部分形成存储电容，也即本实施例的存储电容和阳极以及阴极均采用透明材料制成，因此增大了开口率。
如图4所示，本实施例还提供一种显示屏200，其包括上述任意一种的显示面板100，该显示屏还可包括触控层120。在一实施方式中，触控层120可设于柔性显示面板的上方，但触控层120的设置方式不限于此。
请参阅图5，图5为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。该电子设备300可以包括显示屏200、控制电路60以及壳体70。需要说明的是，图5所示的电子设备300并不限于以上内容，其还可以包括其他器件，比如还可以包括摄像头、天线结构、纹解锁模块等。
其中，显示屏200设置于壳体70上。
在一些实施例中，显示屏200可以固定到壳体70上，显示屏200和壳体70形成密闭空间，以容纳控制电路60等器件。
在一些实施例中，壳体70可以为由柔性材料制成，比如为塑胶壳体或者硅胶壳体等。
其中，该控制电路60安装在壳体70中，该控制电路60可以为电子设备300的主板，控制电路60上可以集成有电池、天线结构、麦克风、扬声器、耳机接口、通用串行总线接口、摄像头、距离传感器、环境光传感器、受话器以及处理器等功能组件中的一个、两个或多个。
其中，该显示屏200安装在壳体70中，同时，该显示屏200电连接至控制电路60上，以形成电子设备300的显示面。该显示屏200可以包括显示区域和非显示区域。该显示区域可以用来显示电子设备300的画面或者供用户进行触摸操控等。该非显示区域可用于设置各种功能组件。
所述电子设备包括但不限定于手机、平板电脑、计算机显示器、游戏机、电视机、可穿戴设备及其他具有显示功能的生活电器或家用电器等。
本申请实施例的显示面板、显示屏及电子设备，包括衬底基板；金属氧化物半导体层，设于所述衬底基板上，所述金属氧化物半导体层包括第一半导体部；第一绝缘层，设于所述金属氧化物半导体层上；透明导电层，设于所述第一绝缘层上，所述透明导电层包括阳极，所述阳极包括第一电极部；所述第一电极部与所述第一导电部的位置对应；所述第一电极部与所述第一导电部形成存储电容，所述第一导电部是通过对所述第一半导体部进行导体化处理后得到的；阴极，设于所述透明导电层上，所述阴极的材料为透明导电材料；由于存储电容和驱动电极均采用透明材料制成，因此提高了开口率，从而可以满足高解析度产品的需求。
以上对本申请实施例提供的显示面板、显示屏及电子设备进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板；
金属氧化物半导体层，设于所述衬底基板上，所述金属氧化物半导体层包括第一半导体部；
第一绝缘层，设于所述金属氧化物半导体层上；
透明导电层，设于所述第一绝缘层上，所述透明导电层包括阳极，所述阳极包括第一电极部；所述第一电极部与所述第一导电部的位置对应；所述第一电极部与所述第一导电部形成存储电容，所述第一导电部是通过对所述第一半导体部进行导体化处理后得到的；
阴极，设于所述透明导电层上，所述阴极的材料为透明导电材料。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
平坦层，设于所述第一绝缘层和所述透明导电层之间；所述平坦层上设置有开口区；
所述第一电极部位于所述开口区内。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述平坦层上还设置有过孔；
所述阳极还包括所述第二电极部，所述第二电极部设于所述平坦层上以及所述过孔内。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
所述透明导电层还包括第一电极线，所述第一电极线设于所述平坦层上，所述第一电极线与所述阳极间隔设置。
5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述金属氧化物半导体层还包括第二半导体部以及第三半导体部；所述第二半导体部位于所述第三半导体部的两侧；
栅绝缘层，对应设置于所述第三半导体部上；
源极和漏极，对应设置于第二导电部上；所述第二导电部是通过对所述第二半导体部进行导体化处理后得到的；所述漏极与所述阳极连接；
栅极，对应设置于所述栅绝缘层上。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，
所述第二导电部与所述第一导电部间隔设置。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：金属层，其包括所述源极、所述漏极以及所述栅极。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，
所述第一绝缘层设于所述金属层和所述平坦层之间。
9.一种显示屏，其特征在于，包括如权利要求1至8任意一项所述的显示面板。
10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示屏。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112713179A (zh) * 2020-12-30 2021-04-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016057547A (ja) * 2014-09-11 2016-04-21 シャープ株式会社 Ｍｅｍｓディスプレイおよびその製造方法
CN109300841A (zh) * 2018-11-16 2019-02-01 成都中电熊猫显示科技有限公司 阵列基板的制造方法
CN109300917A (zh) * 2018-09-30 2019-02-01 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN110491886A (zh) * 2019-08-23 2019-11-22 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016057547A (ja) * 2014-09-11 2016-04-21 シャープ株式会社 Ｍｅｍｓディスプレイおよびその製造方法
CN109300917A (zh) * 2018-09-30 2019-02-01 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN109300841A (zh) * 2018-11-16 2019-02-01 成都中电熊猫显示科技有限公司 阵列基板的制造方法
CN110491886A (zh) * 2019-08-23 2019-11-22 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112713179A (zh) * 2020-12-30 2021-04-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
WO2022141444A1 (zh) * 2020-12-30 2022-07-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

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