CN110265583A - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够使发光功能层在隔离区断开，避免水汽和氧气从开孔区的开口进入像素区中。其中的显示面板具有显示区，显示区包括像素区、开孔区、以及位于像素区和开孔区之间的隔离区，隔离区围绕开孔区一圈设置；像素区设置有位于衬底上的发光功能层；隔离区中设置有位于衬底上与发光功能层同一侧的至少一个隔离柱，隔离柱围绕开孔区一圈设置，且隔离柱的纵截面呈工字形；在隔离柱靠近衬底的下表面一侧，隔离柱周围设置有第一凹槽；发光功能层延伸至隔离区的部分，在隔离柱的侧面断开。

Description

一种显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)，是一种利用有机半导体材料和发光材料在电流驱动下而达到发光并实现显示的技术。OLED相比LCD(LiquidCrystal Display，液晶显示器)有许多优势：超轻、超薄(厚度可低于1mm)、亮度高、可视角度大(可达170度)、由像素本身发光而不需要背光源，功耗低、响应速度快(约为LCD速度的1000倍)、清晰度高、发热量低、抗震性能优异、制造成本低、可弯曲。OLED比LCD更能够展示完美的视频，再加上耗电量小，可作为移动电话、数码电视等产品的显示屏，因此被业界公认为是最具发展前景的下一代显示技术。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，能够使发光功能层在隔离区断开，避免水汽和氧气从开孔区的开口进入像素区中。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供一种显示面板，具有显示区，所述显示区包括像素区、开孔区、以及位于所述像素区和所述开孔区之间的隔离区，所述隔离区围绕所述开孔区一圈设置。
所述像素区设置有位于衬底上的发光功能层。
所述隔离区中设置有位于所述衬底上与所述发光功能层同一侧的至少一个隔离柱，所述隔离柱围绕所述开孔区一圈设置，且所述隔离柱的纵截面呈工字形；在所述隔离柱靠近所述衬底的下表面一侧，所述隔离柱周围设置有第一凹槽。
所述发光功能层延伸至所述隔离区的部分，在所述隔离柱的侧面断开。
可选的，上述的显示面板还包括设置于所述隔离柱远离所述衬底一侧的保护图案；所述保护图案在所述衬底上的正投影覆盖所述隔离柱在所述衬底上的正投影。
可选的，所述保护图案的厚度为10nm～100nm。
可选的，沿所述衬底厚度方向，所述隔离柱包括依次层叠的第一隔离部、第二隔离部和第三隔离部，所述第二隔离部的各侧面相对于所述第一隔离部和所述第三隔离部均向内缩进。
所述第一隔离部和所述第三隔离部的材料相同，所述第二隔离部与所述第一隔离部和所述第三隔离部的材料不同，且所述第二隔离部的材料的刻蚀速率大于所述第一隔离部和所述第三隔离部的材料的刻蚀速率。
可选的，所述像素区在所述衬底与所述发光功能层之间还设置有驱动电路，所述驱动电路包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极。
所述第一隔离部、所述第二隔离部和所述第三隔离部中的至少一者，与所述栅极或所述源极和漏极同层同材料。
可选的，所述薄膜晶体管还包括有源层和栅绝缘层；所述有源层、所述栅绝缘层、所述栅极、所述源极和所述漏极沿远离所述衬底的方向依次设置；所述源极和所述漏极通过层间绝缘层上的过孔与所述有源层接触。
所述隔离柱设置于所述层间绝缘层的表面，且所述第一凹槽位于所述层间绝缘层上。
所述隔离柱与所述源极和所述漏极同层同材料。
可选的，还包括平坦层图案，所述平坦层图案设置于所述驱动电路与所述发光功能层之间，且覆盖所述像素区。
所述平坦层图案与所述保护图案同层同材料。
且所述平坦层图案的厚度大于所述保护图案的厚度。
可选的，所述隔离柱的个数为两个，且该两个所述隔离柱间隔设置。
可选的，所述隔离区中还设置有第一挡墙和第二挡墙，所述第一挡墙和所述第二挡墙均围绕所述开孔区一圈设置；所述第一挡墙设置于所述隔离柱和所述第二挡墙之间。
相对所述第一挡墙，所述第二挡墙下表面设置有垫高部。
所述第一挡墙、所述第二挡墙与像素界定结构同层同材料，其中，所述像素界定结构用于隔离相邻的发光器件，所述发光器件包括所述发光功能层、位于所述发光功能层靠近所述衬底一侧的阳极、以及位于所述发光功能层远离所述衬底一侧的阴极。
可选的，所述垫高部与平坦层图案同层同材料。
可选的，在所述垫高部靠近所述衬底的下表面一侧，所述垫高部靠近所述开孔区的周围还设置有第二凹槽。
可选的，所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度范围为500nm～1500nm。
可选的，所述衬底为柔性衬底。
另一方面，提供一种显示装置，其特征在于，包括如上所述的显示面板。
另一方面，还提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板具有显示区，所述显示区包括像素区、开孔区、以及位于所述像素区和所述开孔区之间的隔离区，所述隔离区围绕所述开孔区一圈。
所述显示面板的制备方法，包括：
在衬底上且位于隔离区，通过干法刻蚀工艺形成至少一个隔离柱过渡结构，所述隔离柱过渡结构围绕所述开孔区一圈。
在所述隔离柱过渡结构远离所述衬底的上表面形成保护图案。
对所述隔离柱过渡结构进行湿法刻蚀工艺，形成隔离柱，所述隔离柱的纵截面呈工字形。
在形成有所述隔离柱的衬底上，形成位于所述像素区和所述隔离区的发光功能层，所述发光功能层在所述隔离区的部分，在所述隔离柱的侧面断开。
可选的，在形成所述隔离柱过渡结构之前，所述显示面板的制备方法还包括：
在待形成的所述隔离柱过渡结构周围形成第一凹槽，相对所述隔离柱过渡结构靠近所述衬底的下表面一侧，所述第一凹槽向所述衬底一侧凹陷。
可选的，在衬底上且位于隔离区，通过干法刻蚀工艺形成至少一个隔离柱过渡结构，包括：
在所述衬底上依次形成覆盖所述隔离区的第一隔离膜、第二隔离膜和第三隔离膜，所述第一隔离膜、所述第二隔离膜和所述第三隔离膜层叠放置；所述第一隔离膜和所述第三隔离膜的材料相同，所述第二隔离膜与所述第一隔离膜和所述第三隔离膜的材料不同，且所述第一隔离膜、所述第三隔离膜的刻蚀速率大于所述第二隔离膜的刻蚀速率。
通过干法刻蚀工艺，对所述第一隔离膜、所述第二隔离膜和所述第三隔离膜进行刻蚀，形成至少一个所述隔离柱过渡结构，所述隔离柱过渡结构包括第一隔离图案、第二隔离图案和第三隔离图案。
可选的，所述方法还包括在所述像素区，且在所述衬底与所述发光功能层之间形成驱动电路，所述驱动电路包括薄膜晶体管。
所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极。
所述第一隔离图案、所述第二隔离图案和所述第三隔离图案中的至少一者，与所述栅极或所述源极和漏极同步形成。
可选的，形成所述薄膜晶体管和所述隔离柱过渡结构，包括：
在衬底上依次形成有源层、栅绝缘层、栅极。
形成层间绝缘层，所述层间绝缘层包括第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔分别露出位于所述栅极两侧的所述有源层的部分。
在所述层间绝缘层上依次形成所述第一隔离膜、所述第二隔离膜和所述第三隔离膜，所述第一隔离膜、所述第二隔离膜和所述第三隔离膜均覆盖所述像素区和所述隔离区。
对所述第一隔离膜、所述第二隔离膜和所述第三隔离膜进行干法刻蚀，在所述像素区形成源极和漏极，所述源极和所述漏极均为三层结构，且分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述有源层接触；同时，在所述隔离区形成所述隔离柱过渡结构。
可选的，在形成所述驱动电路之后，形成所述发光功能层之前，所述显示面板的制备方法还包括：
形成覆盖所述像素区和所述隔离区的平坦层薄膜。
利用半色调掩模版对所述平坦层薄膜进行刻蚀，形成覆盖所述像素区的平坦层图案，同时，形成所述保护图案。
其中，所述平坦层图案的厚度大于所述保护图案的厚度。
可选的，在形成所述平坦层图案的同时，还同步形成位于所述隔离区的垫高部。
在形成所述平坦层图案、所述保护图案和所述垫高部之后，形成所述发光功能层之前，所述显示面板的制备方法还包括：
在所述像素区形成阳极。
在形成所述阳极的衬底上形成像素界定结构，并同步在所述隔离区形成第一挡墙和第二挡墙，所述第一挡墙和所述第二挡墙均围绕所述开孔区一圈；所述第一挡墙位于所述隔离柱和所述第二挡墙之间，所述第二挡墙形成在所述垫高部上方。
在形成所述发光功能层之后，所述显示面板的制备方法还包括：形成阴极。
其中，位于像素区中每个亚像素区的所述阳极、所述发光功能层和阴极构成发光器件。
另一方面，本发明还提供了一种显示面板，该显示面板为通过上述的显示面板的制备方法得到。
本发明的实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，该显示面板的显示区具有像素区、开孔区和隔离区，在隔离区中设置有至少一个隔离柱，隔离柱围绕开孔区一圈设置，且隔离柱的纵截面呈工字形；在隔离柱靠近衬底的下表面一侧，隔离柱周围设置有第一凹槽。由于外界的水汽和氧气会从开孔区进入显示面板中，而像素区中的发光功能层也会延伸至开孔区中，为了防止水汽和氧气从开孔区向位于像素区中的发光功能层蔓延，因此在位于开孔区和像素区之间设置隔离区，并在隔离区中设置隔离柱和第一凹槽。一方面，隔离柱的纵截面呈工字形，发光功能层在蒸镀时，由于“工字形”的结构使得膜层在隔离柱的侧面被断开。发光功能层被隔断之后，从开孔区进入的水汽和氧气沿着延伸至开孔区的发光功能层只能蔓延到位于隔离区中的发光功能层，无法继续向位于像素区中的发光功能层继续延伸，从而，隔离柱起到了隔离水汽和氧气的作用。另一方面，第一凹槽的设置，在一定程度上增加了隔离柱的高度，在蒸镀发光功能层时，增大了发光功能层断开的段差，使得发光功能层更易在隔离柱的侧面断开。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的显示面板的俯视图；
图2a为图1中A-A＇方向的一种截面示意图；
图2b为图1中A-A＇方向的另一种截面示意图；
图2c为图1中A-A＇方向的又一种截面示意图；
图3为本发明实施例提供的一种发光器件结构示意图；
图4a为本发明实施例提供的一种隔离柱和保护图案的结构示意图；
图4b为本发明实施例提供的另一种隔离柱和保护图案的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种隔离柱的俯视示意图；
图6为本发明实施例提供的一种发光器件与像素界定结构的俯视示意图；
图7为本发明实施例提供的一种像素界定结构、柱状隔垫物层和发光功能层的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法流程示意图；
图9为本发明实施例提供的一种形成显示面板的过程示意图；
图10为本发明实施例提供的一种第一凹槽、第二凹槽的制备过程示意图；
图11a为本发明实施例提供的一种第一隔离膜、第二隔离膜和第三隔离膜的制备过程示意图；
图11b为本发明实施例提供的一种源极、漏极和隔离柱过渡结构的制备过程示意图；
图11c为本发明实施例提供的一种平坦层薄膜的制备过程示意图；
图11d为本发明实施例提供的一种平坦层图案、保护图案以及垫高部的制备过程示意图；
图12a为本发明实施例提供的一种阳极、像素界定结构、第一挡墙以及第二挡墙的制备过程示意图；
图12b为本发明实施例提供的一种发光器件的制备过程示意图。
附图标记：
1-显示面板；10-显示区；101-像素区；1011-发光器件；1012-阳极；1013-阴极；1014-发光功能层；1015-发光层；1016-电子传输层；1017-电子注入层；1018-空穴传输层；1019-空穴注入层；102-开孔区；103-隔离区；1031-隔离柱；1032-第一隔离部；1033-第二隔离部；1034-第三隔离部；1035-保护图案；1036-第一挡墙；1037-第二挡墙；104-隔离柱过渡结构；1041-第一隔离膜；1042-第二隔离膜；1043-第三隔离膜；11-周边区；12-驱动电路；13-衬底；14-薄膜晶体管；141-栅极；142-源极；143-漏极；144-有源层；145-栅绝缘层；15-层间绝缘层；151-第一凹槽；152-第二凹槽；153-过孔；16-平坦层薄膜；160-平坦层图案；161-垫高部；17-柱状隔垫物层；18-像素界定结构；19-第一无机封装层；20-有机层；21-第二无机封装层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
全面屏是指具有超高屏占比的一类显示屏，理想的全面屏的屏占比为100％，即，手机的正面全部都是显示界面。但受限于手机前置摄像头、手机听筒、人脸识别传感器、光线传感器等手机不可或缺的基本功能部件的安装需要，目前，手机屏幕上方都需要留有一定的缺口来安装上述功能部件，从而形成了“刘海屏”、“水滴屏”等显示屏。
基于此，如图1、图2a、图2b和图2c所示，本发明的实施例提供了一种显示面板1，具有显示区10，显示区10包括像素区101、开孔区102、以及位于像素区101和开孔区102之间的隔离区103，隔离区103围绕开孔区102一圈设置。
像素区101设置有位于衬底13上的发光功能层1014。
隔离区103中设置有位于衬底13上与发光功能层1014同一侧的至少一个隔离柱1031，隔离柱1031围绕开孔区102一圈设置，且隔离柱1031的纵截面呈工字形；在隔离柱1031靠近衬底13的下表面一侧，隔离柱1031周围设置有第一凹槽151。
发光功能层1014延伸至隔离区103的部分，在隔离柱1031的侧面断开。
在上述基础上，如图1所示，在显示区10的外围还设有周边区11，周边区11用于布线。需要说明的是，图1以周边区11围绕显示区10一圈设置，但本发明实施例并不限于此，周边区11也可以不是一圈设置，例如设置在显示区10的相对两侧。
显示区10中的像素区101用于显示画面，像素区101包括多个亚像素，多个亚像素至少包括第一颜色亚像素、第二颜色亚像素和第三颜色亚像素。示例的，第一颜色亚像素、第二颜色亚像素和第三颜色亚像素分别为红色亚像素、绿色亚像素和蓝色亚像素。对于第一颜色亚像素、第二颜色亚像素和第三颜色亚像素，其分布方式可以参考本领域的常规设置。
对每个亚像素而言，除包括上述的发光功能层1014外，还包括设置于该发光功能层1014靠近衬底13一侧的阳极1012，以及远离衬底13一侧的阴极1013。其中，每个亚像素中，阳极1012、发光功能层1014和阴极1013构成一个发光器件1011。
其中，发光功能层1014至少包括发光层。如图3所示，可选的，发光功能层1014除包括发光层1015外，还可以包括电子传输层(election transporting layer，简称ETL)1016、电子注入层(election injection layer， 简称EIL)1017、空穴传输层(holetransporting layer，简称HTL)1018以及空穴注入层(hole injection layer，简称HIL)1019。当然，对于发光功能层1014而言，除包括发光层1015外，可以包括ETL1016、EIL1017、HTL1018、HIL1019中的部分。
上述的开孔区102在开口处理后，用于组装摄像头等，开孔区102的形状例如可以为如图1所示的圆形，例如还可以为矩形等其他规则形状。需要说明的是，对于本发明的显示面板1，可以如图2a和图2c所示，在开孔区102未进行开口处理，在此情况下，在组装摄像头前，进行开口处理即可。此外，本发明的显示面板1，也可以如图2b所示，在开孔区102已进行了开口处理，在此情况下，该显示面板1可直接拿来进行后续组装。
在隔离区103中设置有至少一个隔离柱1031，隔离柱1031围绕开孔区102一圈设置。示例的，在开孔区102的形状为圆形的情况下，隔离柱1031的俯视图也可以为圆环形。在开孔区102的形状为矩形的情况下，隔离柱1031的俯视图也可以为矩形。
当隔离柱1031的个数为两个或两个以上时，多个隔离柱1031间隔设置。
隔离柱1031的纵截面呈工字型。即，如图4a所示，沿衬底13厚度方向，隔离柱1031包括依次层叠的第一隔离部1032、第二隔离部1033和第三隔离部1034，第二隔离部1033的各侧面相对于第一隔离部1032和第三隔离部1034均向内缩进。
其中，隔离柱1031的第一隔离部1032和第三隔离部1034的宽度例如可以相等，第二隔离部1033的宽度小于第一隔离部1032和第三隔离部1034的宽度。由于第二隔离部1033的宽度小于第一隔离部1032和第三隔离部1034的宽度，因此使得制作的发光功能层1014会在隔离柱1031的侧面断开。
在此基础上，在隔离柱1031周围设置有第一凹槽151，第一凹槽151可以增大发光功能层1014在隔离柱1031的侧面断开的概率。
其中，第一凹槽151围绕隔离柱1031一圈设置，第一凹槽151不限于一个，当第一凹槽151的个数为多个时，多个第一凹槽151间隔设置。
第一凹槽151可位于绝缘层的表面，该绝缘层位于衬底13的一侧，而隔离柱1031位于该绝缘层的表面。
本发明的实施例提供了一种显示面板1，该显示面板1的显示区10具有像素区101、开孔区102和隔离区103，在隔离区103中设置有至少一个隔离柱1031，隔离柱1031围绕开孔区102一圈设置，且隔离柱1031的纵截面呈工字形；在隔离柱1031靠近衬底13的下表面一侧，隔离柱1031周围设置有第一凹槽151。由于外界的水汽和氧气会从开孔区102进入显示面板1中，而像素区101中的发光功能层1014也会延伸至开孔区102中，为了防止水汽和氧气从开孔区102向位于像素区101中的发光功能层1014蔓延，因此在位于开孔区102和像素区101之间设置隔离区103，并在隔离区103中设置隔离柱1031和第一凹槽151。一方面，隔离柱1031的纵截面呈工字形，发光功能层1014在蒸镀时，由于“工字形”的结构使得膜层在隔离柱1031的侧面被断开。发光功能层1014被隔断之后，从开孔区102进入的水汽和氧气沿着延伸至开孔区102的发光功能层1014只能蔓延到位于隔离区103中的发光功能层1014，无法继续向位于像素区101中的发光功能层1014继续延伸，从而，隔离柱1031起到了隔离水汽和氧气的作用。另一方面，第一凹槽151的设置，在一定程度上增加了隔离柱1031的高度，在蒸镀发光功能层1014时，增大了发光功能层1014断开的段差，使得发光功能层1014更易在隔离柱1031的侧面断开。
可选的，如图2c、图4a和图4b所示，显示面板1还包括设置于隔离柱1031远离衬底13一侧的保护图案1035；保护图案1035在衬底13上的正投影覆盖隔离柱1031在衬底13上的正投影。
可以理解的是，保护图案1035设置在第三隔离部1034远离衬底13的一侧，即保护图案1035不与隔离柱1031的侧面接触。其中，如图2c和图4a所示，保护图案1035可以与第三隔离部1034在衬底13上的正投影完全重合，或者，如图4b所示，相对第三隔离部1034，保护图案1035超出第三隔离部1034的上表面的边缘且悬空。
保护图案1035的设置，一方面，可以先形成保护图案1035，然后再对其下方的膜层进行刻蚀，从而形成隔离柱1031。在此情况下，保护图案1035可以起到对隔离柱1031的第三隔离部1034的保护，避免刻蚀液的刻蚀速度过快而导致第三隔离部1034的长度比其预设值小；另一方面，如图4b所示，即使由于刻蚀液影响导致第三隔离部1034的长度小于其预设值，但由于保护图案1035不受刻蚀液的影响且已先形成和固化，保护图案1035的长度在刻蚀前后不会发生变化，因而隔离柱1031与保护图案1035整体仍然呈工字形，发光功能层1014依旧会被断开。
可选的，保护图案1035的厚度为10nm～100nm。
将保护图案1035的厚度设置在上述范围内，避免隔离柱1031与保护图案1035的整体厚度过大，从而影响后续的工艺制作。
可选的，第一隔离部1032和第三隔离部1034的材料相同，第二隔离部1033与第一隔离部1032和第三隔离部1034的材料不同，第二隔离部1033的材料的刻蚀速率大于第一隔离部1032和第三隔离部1034的材料的刻蚀速率。可以理解是，对比上述第二隔离部1033的材料的刻蚀速率大于第一隔离部1032和第三隔离部1034的材料的刻蚀速率，前提是针对同一种刻蚀液。
通过设置相同材料的第一隔离部1032和第三隔离部1034，以及与第一隔离部1032、第三隔离部1034的材料不同的第二隔离部1033，可使隔离柱1031通过刻蚀工艺形成纵截面为“工字形”的结构。
示例的，第二隔离部1033的各侧面相对于第一隔离部1032和第三隔离部1034均向内缩进1μm～2μm。或者，第二隔离部1033的各侧面相对于第一隔离部1032和第三隔离部1034的缩进量等于发光功能层1014的厚度。
由于不同材料在同种刻蚀液中的刻蚀速率不同，因此通过设置第一隔离部1032和第三隔离部1034的材料相同，第二隔离部1033与第一隔离部1032和第三隔离部1034的材料不同，且第二隔离部1033的材料的刻蚀速率大于第一隔离部1032和第三隔离部1034的材料的刻蚀速率，使得在制作隔离柱1031时可以通过使用刻蚀液和控制刻蚀时间形成需要缩进量。
示例的，第一隔离部1032和第三隔离部1034的材料可以为Ti(钛)，第二隔离部1033的材料可以为Al(铝)。
可选的，在像素区101中，在衬底13与发光功能层1014之间还设置有驱动电路12，驱动电路12包括薄膜晶体管(Thin-film transistor，TFT)。薄膜晶体管14，如图2a、图2b和图2c中虚线框所示，包括栅极141、源极142和漏极143。需要说明的是，驱动电路12除包括薄膜晶体管14外还可以包括电容，但在图2a、图2b和图2c中仅以驱动电路12包括薄膜晶体管14进行示意。
第一隔离部1032、第二隔离部1033和第三隔离部1034中的至少一者，与栅极141或源极142和漏极143同层同材料。
驱动电路12用于驱动发光器件1011发光。在制作驱动电路12时，驱动电路12延伸至隔离区103中的部分可以直接用于形成隔离柱1031，便于制作隔离柱1031。
在第一隔离部1032与栅极141或源极142和漏极143同层同材料的情况下，可选的，第一隔离部1032的厚度大于第三隔离部1034的厚度。由于栅极141或源极142和漏极143的厚度对薄膜晶体管14中的电路存在一定影响，需要保证厚度，因此，第一隔离部1032的厚度可以大于第三隔离部1034的厚度。
可选的，如图2a、图2b和图2c所示，薄膜晶体管14还包括有源层144和栅绝缘层145；有源层144、栅绝缘层145、栅极141、源极142和漏极143沿远离衬底13的方向依次设置；源极142和漏极143通过层间绝缘层15上的过孔153与有源层144接触。即，薄膜晶体管14为顶栅型薄膜晶体管。
在此基础上，隔离柱1031设置于层间绝缘层15的表面，且第一凹槽151位于层间绝缘层15上，即通过对层间绝缘层15进行部分刻蚀，形成第一凹槽151。同时，隔离柱1031与源极142和漏极143同层同材料。
示例的，在隔离柱1031中的第一隔离部1032和第三隔离部1034的材料为Ti(钛)，第二隔离部1033为Al(铝)的情况下，源极142和漏极143也包括三层结构，该三层结构中的中间层为Al，其它两层为Ti。
层间绝缘层15的材料例如可以为聚苯并双恶唑、感光型的聚酰亚胺、苯丙环丁烯和无机材料中的任一种。
第一凹槽151设置于层间绝缘层15上，第一凹槽151增大了发光功能层1014沿隔离柱1031的侧面上升时的断差，使得发光功能层1014更易在隔离柱1031的侧面断开。
可选的，如图2a、图2b和图2c所示，显示面板1还包括平坦层图案160，平坦层图案160设置于驱动电路12与发光功能层1014之间，且覆盖像素区101。平坦层图案160与保护图案1035同层同材料，且平坦层图案160的厚度大于保护图案1035的厚度。
平坦层图案160用于平坦薄膜晶体管14中的源极142和漏极143的表面，便于后续制作发光功能层1014。平坦层16的材料例如可以为感光型的聚酰亚胺。
一方面，通过使平坦层图案160与保护图案1035同层同材料，即，平坦层图案160与保护图案1035同步制作形成，可以简化制作工艺；另一方面，通过使保护图案1035的厚度小于平坦层图案160的厚度，可以便于后续制备发光功能层1014以及位于发光功能层1014上侧的其它膜层。
可选的，如图5所示，隔离柱1031的个数为两个，且该两个隔离柱1031间隔设置。
两个隔离柱1031可以增大发光功能层1014在隔离柱1031的侧面断开的概率。
在上述基础上，如图2a、图2b和图2c所示，显示面板1中还包括依次层叠设置的第一无机封装层19、有机层20和第二无机封装层21。
第一无机封装层19和第二无机封装层21用于防止从显示面板1正面进入的水汽和氧气进入发光功能层1014中。第一无机封装层19和第二无机封装层21的材料为无机物，比如氮化硅和/或氧化硅。有机层20用于防止第一无机封装层19的中无机物颗粒影响第二无机封装层21的制备，导致第二无机封装层21的膜层破裂，因此需要设置有机层20平坦化第一无机封装层19，有机层20的材料例如可以为亚克力。
可选的，如图2a、图2b和图2c所示，隔离区103中还设置有第一挡墙1036和第二挡墙1037，第一挡墙1036和第二挡墙1037均围绕开孔区102一圈设置；第一挡墙1036设置于隔离柱1031和第二挡墙1037之间；相对第一挡墙1036，第二挡墙1037下表面设置有垫高部161。第一挡墙1036、第二挡墙1037与像素界定结构18同层同材料，其中，如图6所示，像素界定结构18用于隔离相邻的发光器件1011。
由于有机层20的材料具有一定的流动性，因此为了便于制备有机层20，设置第一挡墙1036用于拦截有机层20的材料向靠近开孔区102的一侧流动。第二挡墙1037用于进一步拦截有机层20的材料，避免因为第一挡墙1036的拦截能力不足而导致有机层20的材料向开孔区102蔓延。第一挡墙1036和第二挡墙1037的纵截面形状例如可以为梯形、矩形等。在第一挡墙1036和第二挡墙1037的纵截面形状为梯形的情况下，该梯形的顶边的长度小于其底边的长度。
像素界定结构18在像素区101设置于平坦层图案160远离衬底13的一侧，像素界定结构18用于隔开相邻的发光器件1011，避免发生串路。其中，像素界定结构18可覆盖部分阳极1012，即，阳极1012先形成，像素界定结构18在阳极1012之后形成。
像素界定结构18的材质例如可以为光刻胶，光刻胶包括聚酰亚胺、有机硅烷、聚甲基丙烯酸甲酯类中的一种或多种。
可选的，如图2a、图2b和图2c所示，垫高部161与平坦层图案160同层同材料。
垫高部161的高度例如可以为1.5μm。垫高部161用于增加第二挡墙1037拦截有机层20材料的能力。此外，通过使垫高部161与平坦层图案160同层同材料，使垫高部161与平坦层图案160同步制作形成，可以简化制作工艺。
可选的，如图2a、图2b和图2c所示，在垫高部161靠近衬底13的下表面一侧，垫高部161靠近开孔区102的周围还设置有第二凹槽152。
其中，第二凹槽152与第一凹槽151的设置方式相同，即，第二凹槽152也设置在层间绝缘层15上，第二凹槽152位于第二挡墙1037与开孔区102之间。
第二凹槽152用于在工艺过程中对开孔区102进行开孔时，防止产生的裂纹向像素区101蔓延。
可选的，第一凹槽151的深度和第二凹槽152的深度相等。示例的，第一凹槽151的深度和第二凹槽152的深度范围为500nm～1500nm。
可选的，衬底13为柔性衬底。示例的，衬底13的材料可以为非感光型的聚酰亚胺。
柔性衬底的显示面板1可以弯曲，应用范围更广泛。
可选的，如图7所示，显示面板1还包括柱状隔垫物层17，柱状隔垫物层17设置于像素界定结构18与发光功能层1014之间。
柱状隔垫物层17包括多个间隔设置的柱状隔垫物，柱状隔垫物层17用于支撑和保护在形成发光功能层1014时所用的精细金属掩膜版(Fine Metal Mask，FMM)，避免FMM直接与像素界定结构18接触，划伤像素界定结构18以及产生静电击穿问题。柱状隔垫物的材质例如可以为感光型的聚酰亚胺。
如图1所示，本发明还提供了一种显示面板1的制作方法，该显示面板1具有显示区10，显示区10包括像素区101、开孔区102、以及位于像素区101和开孔区102之间的隔离区103，隔离区103围绕开孔区102一圈。
如图8所示，该显示面板1的制备方法，包括：
S10、如图9所示，在衬底13上且位于隔离区103，通过干法刻蚀工艺形成至少一个隔离柱过渡结构104，隔离柱过渡结构104围绕开孔区102一圈。
干法刻蚀工艺过程中使用的气体例如可以为氯气、氦气、氧气和三氯化硼中的一种或多种。
图9以形成两个隔离柱过渡结构104进行示意，每个隔离柱过渡结构104均围绕开孔区102一圈设置。
S11、如图9所示，在隔离柱过渡结构104远离衬底13的上表面形成保护图案1035。
保护图案1035可通过曝光、刻蚀等工艺形成。
S12、如图9所示，对隔离柱过渡结构104进行湿法刻蚀工艺，形成隔离柱1031，隔离柱1031的纵截面呈工字形。
湿法刻蚀工艺中例如可以利用硝酸作为刻蚀液。
隔离柱1031的纵截面呈工字型。即，如图4a所示，沿衬底13厚度方向，隔离柱1031包括依次层叠的第一隔离部1032、第二隔离部1033和第三隔离部1034，第二隔离部1033的各侧面相对于第一隔离部1032和第三隔离部1034均向内缩进。
由于外界的水汽和氧气会在开孔区102开口后，进入显示面板1中，而像素区101中的发光功能层1014也会延伸至隔离区103中，为了防止水汽和氧气沿着位于隔离区103中的发光功能层1014向位于像素区101中的发光功能层1014蔓延，因此，需要在隔离区103中制备隔离柱1031。隔离柱1031的目的是在后续形成发光功能层1014时，使发光功能层1014断开。
S13、如图9所示，在形成有隔离柱1031的衬底13上，形成位于像素区101和隔离区103的发光功能层1014，发光功能层1014在隔离区103的部分，在隔离柱1031的侧面断开。
示例的，可以通过精细金属掩膜版进行蒸镀形成发光功能层1014。
本发明的实施例提供了一种显示面板1的制备方法，该显示面板1的显示区10具有像素区101、开孔区102和隔离区103。首先，通过先在隔离区103制备隔离柱过渡结构104和保护图案1035，再对隔离柱过渡结构104进行刻蚀，形成工字型的隔离柱1031，从而避免因刻蚀导致隔离柱1031远离衬底13的一侧的实际长度小于预设值时，隔离柱1031对发光功能层1014的断开能力不足的问题。在上述过程中由于先制作保护图案1035，且湿法刻蚀工艺的过程中不会影响保护图案1035的结构，因此可以利用保护图案1035与隔离柱1031整体，增大发光功能层1014在隔离柱1031的侧面断开的概率。其次，隔离柱1031的纵截面呈工字形，发光功能层1014在蒸镀时，由于“工字形”的结构使得膜层在隔离柱1031的侧面被断开。发光功能层1014被隔断之后，从开孔区102进入的水汽和氧气沿着延伸至开孔区102的发光功能层1014只能蔓延到位于隔离区103中的发光功能层1014，无法继续向位于像素区101中的发光功能层1014继续延伸，从而，隔离柱1031起到了隔离水汽和氧气的作用。
可选的，在形成隔离柱过渡结构104之前，显示面板1的制备方法还包括：
如图10所示，在待形成的隔离柱过渡结构104周围形成第一凹槽151，相对隔离柱过渡结构104靠近衬底13的下表面一侧，第一凹槽151向衬底13一侧凹陷。
其中，隔离柱过渡结构104和第一凹槽151可位于同一绝缘层的表面。示例的，该绝缘层可以为层间绝缘层15。
第一凹槽151的形成，在一定程度上增加了后续制备的隔离柱1031的高度，所以在蒸镀发光功能层1014时，增大了发光功能层1014断开的段差，使得发光功能层1014更易在隔离柱1031的侧面断开。
可选的，上述步骤S10中在衬底13上且位于隔离区103，通过干法刻蚀工艺形成至少一个隔离柱过渡结构104，包括：
S101、如图11a所示，在衬底13上依次形成覆盖隔离区103的第一隔离膜1041、第二隔离膜1042和第三隔离膜1043，第一隔离膜1041、第二隔离膜1042和第三隔离膜1043层叠放置；第一隔离膜1041和第三隔离膜1043的材料相同，第二隔离膜1042与第一隔离膜1041和第三隔离膜1043的材料不同，且第一隔离膜1041、第三隔离膜1043的刻蚀速率大于第二隔离膜1042的刻蚀速率。
S102、如图11b所示，通过干法刻蚀工艺，对第一隔离膜1041、第二隔离膜1042和第三隔离膜1043进行刻蚀，形成至少一个隔离柱过渡结构104，隔离柱过渡结构104包括第一隔离图案、第二隔离图案和第三隔离图案。
示例的，第一隔离膜1041、第三隔离膜1043的材料例如可以为Ti(钛)，第二隔离膜1042的材料例如可以为Al(铝)。
第一隔离膜1041、第三隔离膜1043的刻蚀速率大于第二隔离膜1042的刻蚀速率能够保证在同种刻蚀液中，将整体呈矩形的隔离柱过渡结构104刻蚀为纵截面呈工字形的隔离柱1031。对第一隔离图案、第二隔离图案和第三隔离图案进行湿法刻蚀工艺后对应形成第一隔离部1032、第二隔离部1033和第三隔离部1034。
可选的，隔离柱过渡结构104和第一凹槽151可以通过同一道构图工艺对第一隔离膜1041、第二隔离膜1042、第三隔离膜1043和绝缘层刻蚀得到。构图工艺次数较少，工艺较为简单。
可选的，如图11b所示，显示面板1的制备方法还包括在像素区101，且在衬底13与发光功能层1014之间形成驱动电路12，驱动电路12包括薄膜晶体管14。薄膜晶体管14包括栅极141、源极142和漏极143；第一隔离图案、第二隔离图案和第三隔离图案中的至少一者，与栅极141或源极142和漏极143同步形成。
图11b中以第一隔离图案、第二隔离图案和第三隔离图案与源极142和漏极143同步形成为例示意，但并不限于此。
第一隔离图案、第二隔离图案和第三隔离图案中的至少一者，与栅极141或源极142和漏极143同步形成，制作工艺较为简单。
可选的，形成薄膜晶体管14和隔离柱过渡结构104，包括：
S103、如图11a所示，在衬底13上依次形成有源层144、栅绝缘层145、栅极141。
S104、如图11a所示，形成层间绝缘层15，层间绝缘层15包括第一过孔和第二过孔，第一过孔和第二过孔分别露出位于栅极141两侧的有源层144的部分。
S105、如图11a所示，在层间绝缘层15上依次形成第一隔离膜1041、第二隔离膜1042和第三隔离膜1043，第一隔离膜1041、第二隔离膜1042和第三隔离膜1043均覆盖像素区101和隔离区103。
示例的，有源层144、栅极141可以通过磁控溅射和构图工艺等步骤制备；第一隔离膜1041、第二隔离膜1042和第三隔离膜1043可以通过涂布的方式制备；层间绝缘层15可以通过高温气相沉积和刻蚀等步骤制备。
S106、如图11b所示，对第一隔离膜1041、第二隔离膜1042和第三隔离膜1043进行干法刻蚀，在像素区101形成源极142和漏极143，源极142和漏极143均为三层结构，且分别通过第一过孔和第二过孔与有源层144接触；同时，在隔离区103形成隔离柱过渡结构104。
上述制备方法形成的薄膜晶体管14为顶栅型薄膜晶体管，且隔离柱过渡结构104在制备顶栅型薄膜晶体管过程中同步制作形成，工艺较为简单。
可选的，在形成驱动电路12之后，形成发光功能层1014之前，显示面板1的制备方法还包括：
S14、如图11c所示，形成覆盖像素区101和隔离区103的平坦层薄膜16。
S15、如图11d所示，利用半色调掩模版对平坦层薄膜16进行刻蚀，形成覆盖像素区101的平坦层图案160，同时，形成保护图案1035。
其中，平坦层图案160的厚度大于保护图案1035的厚度。
以制作平坦层薄膜16的材料为感光型的聚酰亚胺为例说明，利用半色调掩膜版对聚酰亚胺进行曝光，显影后形成聚酰亚胺完全保留部分、聚酰亚胺半保留部分和聚酰亚胺完全去除部分。聚酰亚胺完全保留部分与平坦层图案160对应，聚酰亚胺半保留部分与保护图案1035对应，聚酰亚胺完全去除部分与其它部分对应，其它部分比如为平坦层图案160与隔离柱1031之间，隔离柱1031与隔离柱1031之间，以及隔离柱1031与第一挡墙1036之间等。
上述的半色调掩膜版利用了光栅的部分透光性，可以将光阻型材料不完全曝光，根据所需要膜层的高度来决定光线透过的多少，所以可以用于制作具有不同厚度的平坦层图案160和保护图案1035。
保护图案1035的厚度小于平坦层图案160的厚度，可以避免保护图案1035与隔离柱1031形成尖端不利于后续制备发光功能层1014以及位于发光功能层1014上侧的其它膜层。
可选的，如图11d所示，在形成平坦层图案160的同时，还同步形成位于隔离区103的垫高部161。
在形成平坦层图案160、保护图案1035和垫高部161之后，形成发光功能层1014之前，显示面板1的制备方法还包括：
如图12a所示，在像素区101形成阳极1012。
在形成阳极1012的衬底13上形成像素界定结构18，并同步在隔离区103形成第一挡墙1036和第二挡墙1037，第一挡墙1036和第二挡墙1037均围绕开孔区102一圈；第一挡墙1036位于隔离柱1031和第二挡墙1037之间，第二挡墙1037形成在垫高部161上方。
上述的垫高部161用于支撑后续制备的第二挡墙1037，垫高部161和平坦层图案160同步制备使得垫高部161的制备工艺较为简单。
可选的，如图10所示，所述方法还包括：在第一挡墙1036和/或第二挡墙1037周围形成第二凹槽152，相对第一挡墙1036和/或第二挡墙1037靠近衬底13的下表面一侧，第二凹槽152向衬底13一侧凹陷。
其中，如图11a至图11d所示，第二凹槽152可以与第一凹槽151同步制作形成。
如图12b所示，在形成发光功能层1014之后，显示面板1的制备方法还包括：形成阴极1013。
其中，位于像素区101中每个亚像素区的阳极1012、发光功能层1014和阴极1013构成发光器件1011。
发光器件1011中的阳极1012和阴极1013用于给发光功能层1014提供电场，使发光功能层1014中的发光层1015在电场的作用下发光。
如图2a、图2b和图2c所示，在形成阴极1013之后，显示面板1的制作方法还包括形成第一无机封装层19，在第一无机封装层19之上形成有机层20，以及在有机层20之上形成第二无机封装层21。
示例的，可以通过低温气相沉积等步骤形成第一无机封装层19和第二无机封装层21，通过喷墨打印等步骤形成有机层20。
本发明的实施例还提供一种显示面板1，该显示面板1为利用上述的显示面板1的制备方法所获得。
在该显示面板1的衬底上设置有隔离柱1031和保护图案1035，该显示面板1的结构较为简单，便于制作。
本发明还提供了一种显示装置，其包括显示面板1和用于驱动该显示面板1的驱动电路。显示面板1为如上所述的各种显示面板1，驱动电路例如包括源极驱动器和时序控制器。该显示装置与上述的显示面板1具有相同的有益效果，因此不再赘述。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (19)

1.一种显示面板，其特征在于，具有显示区，所述显示区包括像素区、开孔区、以及位于所述像素区和所述开孔区之间的隔离区，所述隔离区围绕所述开孔区一圈设置；
所述像素区设置有位于衬底上的发光功能层；
所述隔离区中设置有位于所述衬底上与所述发光功能层同一侧的至少一个隔离柱，所述隔离柱围绕所述开孔区一圈设置，且所述隔离柱的纵截面呈工字形；在所述隔离柱靠近所述衬底的下表面一侧，所述隔离柱周围设置有第一凹槽；
所述发光功能层延伸至所述隔离区的部分，在所述隔离柱的侧面断开。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括设置于所述隔离柱远离所述衬底一侧的保护图案；所述保护图案在所述衬底上的正投影覆盖所述隔离柱在所述衬底上的正投影。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述保护图案的厚度为10nm～100nm。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，沿所述衬底厚度方向，所述隔离柱包括依次层叠的第一隔离部、第二隔离部和第三隔离部，所述第二隔离部的各侧面相对于所述第一隔离部和所述第三隔离部均向内缩进；
所述第一隔离部和所述第三隔离部的材料相同，所述第二隔离部与所述第一隔离部和所述第三隔离部的材料不同，且所述第二隔离部的材料的刻蚀速率大于所述第一隔离部和所述第三隔离部的材料的刻蚀速率。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述像素区在所述衬底与所述发光功能层之间还设置有驱动电路，所述驱动电路包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极；
所述第一隔离部、所述第二隔离部和所述第三隔离部中的至少一者，与所述栅极或所述源极和漏极同层同材料。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括有源层和栅绝缘层；所述有源层、所述栅绝缘层、所述栅极、所述源极和所述漏极沿远离所述衬底的方向依次设置；所述源极和所述漏极通过层间绝缘层上的过孔与所述有源层接触；
所述隔离柱设置于所述层间绝缘层的表面，且所述第一凹槽位于所述层间绝缘层上；
所述隔离柱与所述源极和所述漏极同层同材料。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，还包括平坦层图案，所述平坦层图案设置于所述驱动电路与所述发光功能层之间，且覆盖所述像素区；
所述平坦层图案与所述保护图案同层同材料；
且所述平坦层图案的厚度大于所述保护图案的厚度。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述隔离柱的个数为两个，且该两个所述隔离柱间隔设置。
9.根据权利要求1-8任一项所述的显示面板，其特征在于，所述隔离区中还设置有第一挡墙和第二挡墙，所述第一挡墙和所述第二挡墙均围绕所述开孔区一圈设置；所述第一挡墙设置于所述隔离柱和所述第二挡墙之间；
相对所述第一挡墙，所述第二挡墙下表面设置有垫高部；
所述第一挡墙、所述第二挡墙与像素界定结构同层同材料，其中，所述像素界定结构用于隔离相邻的发光器件，所述发光器件包括所述发光功能层、位于所述发光功能层靠近所述衬底一侧的阳极、以及位于所述发光功能层远离所述衬底一侧的阴极。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，在所述垫高部靠近所述衬底的下表面一侧，所述垫高部靠近所述开孔区的周围还设置有第二凹槽。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度范围为500nm～1500nm。
12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至11任一项所述的显示面板。
13.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板具有显示区，所述显示区包括像素区、开孔区、以及位于所述像素区和所述开孔区之间的隔离区，所述隔离区围绕所述开孔区一圈；
所述显示面板的制备方法，包括：
在衬底上且位于隔离区，通过干法刻蚀工艺形成至少一个隔离柱过渡结构，所述隔离柱过渡结构围绕所述开孔区一圈；
在所述隔离柱过渡结构远离所述衬底的上表面形成保护图案；
对所述隔离柱过渡结构进行湿法刻蚀工艺，形成隔离柱，所述隔离柱的纵截面呈工字形；
在形成有所述隔离柱的衬底上，形成位于所述像素区和所述隔离区的发光功能层，所述发光功能层在所述隔离区的部分，在所述隔离柱的侧面断开。
14.根据权利要求13所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在形成所述隔离柱过渡结构之前，所述显示面板的制备方法还包括：
在待形成的所述隔离柱过渡结构周围形成第一凹槽，相对所述隔离柱过渡结构靠近所述衬底的下表面一侧，所述第一凹槽向所述衬底一侧凹陷。
15.根据权利要求13所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在衬底上且位于隔离区，通过干法刻蚀工艺形成至少一个隔离柱过渡结构，包括：
在所述衬底上依次形成覆盖所述隔离区的第一隔离膜、第二隔离膜和第三隔离膜，所述第一隔离膜、所述第二隔离膜和所述第三隔离膜层叠放置；所述第一隔离膜和所述第三隔离膜的材料相同，所述第二隔离膜与所述第一隔离膜和所述第三隔离膜的材料不同，且所述第一隔离膜、所述第三隔离膜的刻蚀速率大于所述第二隔离膜的刻蚀速率；
通过干法刻蚀工艺，对所述第一隔离膜、所述第二隔离膜和所述第三隔离膜进行刻蚀，形成至少一个所述隔离柱过渡结构，所述隔离柱过渡结构包括第一隔离图案、第二隔离图案和第三隔离图案。
16.根据权利要求15所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法还包括在所述像素区，且在所述衬底与所述发光功能层之间形成驱动电路，所述驱动电路包括薄膜晶体管；
所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极；
所述第一隔离图案、所述第二隔离图案和所述第三隔离图案中的至少一者，与所述栅极或所述源极和漏极同步形成。
17.根据权利要求16所述的显示面板的制备方法，其特征在于，形成所述薄膜晶体管和所述隔离柱过渡结构，包括：
在衬底上依次形成有源层、栅绝缘层、栅极；
形成层间绝缘层，所述层间绝缘层包括第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔分别露出位于所述栅极两侧的所述有源层的部分；
在所述层间绝缘层上依次形成所述第一隔离膜、所述第二隔离膜和所述第三隔离膜，所述第一隔离膜、所述第二隔离膜和所述第三隔离膜均覆盖所述像素区和所述隔离区；
对所述第一隔离膜、所述第二隔离膜和所述第三隔离膜进行干法刻蚀，在所述像素区形成源极和漏极，所述源极和所述漏极均为三层结构，且分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述有源层接触；同时，在所述隔离区形成所述隔离柱过渡结构。
18.根据权利要求16所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在形成所述驱动电路之后，形成所述发光功能层之前，所述显示面板的制备方法还包括：
形成覆盖所述像素区和所述隔离区的平坦层薄膜；
利用半色调掩模版对所述平坦层薄膜进行刻蚀，形成覆盖所述像素区的平坦层图案，同时，形成所述保护图案；
其中，所述平坦层图案的厚度大于所述保护图案的厚度。
19.一种显示面板，其特征在于，通过权利要求13-18任一项所述的显示面板的制备方法制备得到。
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