CN109360849A - 基板及其制作方法以及透明显示装置 - Google Patents

基板及其制作方法以及透明显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109360849A
CN109360849A CN201811296849.2A CN201811296849A CN109360849A CN 109360849 A CN109360849 A CN 109360849A CN 201811296849 A CN201811296849 A CN 201811296849A CN 109360849 A CN109360849 A CN 109360849A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
film transistor
tft
thin film
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811296849.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109360849B (zh
Inventor
孙宏达
刘凤娟
谢蒂旎
顾鹏飞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201811296849.2A priority Critical patent/CN109360849B/zh
Publication of CN109360849A publication Critical patent/CN109360849A/zh
Priority to US16/649,854 priority patent/US11239259B2/en
Priority to PCT/CN2019/111176 priority patent/WO2020088236A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109360849B publication Critical patent/CN109360849B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供了基板及其制作方法以及透明显示装置。其中，基板包括：多个像素单元，至少部分所述像素单元包括发光区和透明区，所述发光区中包括薄膜晶体管；挡光部件，所述挡光部件设置在所述发光区中，用于阻挡通过所述透明区射向所述薄膜晶体管的光线。发明人发现，该基板结构简单、易于实现，挡光部件可以有效减少外界射向透明区的光线照射到薄膜晶体管，从而有效保证了薄膜晶体管的稳定性。

Description

基板及其制作方法以及透明显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体的，涉及基板及其制作方法以及透明显示装置。
背景技术
目前，显示装置正以日益多样化和新颖的形式出现在显示市场和大众的日常生活中，例如正在向超高分辨率发展的液晶显示(LCD)装置，广泛用于手机、Pad等便携设备的中小尺寸有机发光显示(OLED)装置，日趋成熟的用于电视(TV)的大尺寸OLED显示装置，以及新颖的显示技术如透明显示装置等；其中透明显示装置获得了良好的用户体验，具有广阔的市场前景。然而，在制作透明显示装置时，为追求透明的显示效果，会在保证发光区面积的前提下，尽可能的使透明区面积最大化，或采用透过率较高的材料，因此，难免遇到选材与器件性能相矛盾的情况，如何取舍一直在困扰制造商。
因而，目前的透明显示装置仍有待改进。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种结构简单、易于实现，器件性能佳，良率高，或者在使用过程中薄膜晶体管中的有源层的高温光照负偏压稳定性(NBTIS)几乎不会变差。
在本发明的一个方面，本发明提供了一种基板。根据本发明的实施例，该基板包括：多个像素单元，至少部分所述像素单元包括发光区和透明区，所述发光区中包括薄膜晶体管；挡光部件，所述挡光部件设置在所述发光区中，用于阻挡通过所述透明区射向所述薄膜晶体管的光线。发明人发现，该基板结构简单、易于实现，挡光部件可以有效减少光线照射到薄膜晶体管，尤其适于阻挡光线从透明区侧向照射到薄膜晶体管，使得薄膜晶体管中的有源层得到有效保护，显著减少由于光线(尤其是紫外光)的照射造成的有源层的NBTIS变差的问题，从而有效保证了薄膜晶体管的稳定性，使得含有该基板的透明显示装置在长期使用过程中均能保持较高的良率，利于满足消费者的消费体验。
根据本发明的实施例，所述挡光部件包括反射层，所述反射层至少覆盖所述薄膜晶体管中绝缘层朝向所述透明区的至少部分侧面上。
根据本发明的实施例，所述绝缘层包括层间绝缘层和栅极绝缘层或层间绝缘层。
根据本发明的实施例，所述反射层在基板上的正投影与层间绝缘层在基板上的正投影有部分交叠。
根据本发明的实施例，形成所述反射层的材料包括金属。
根据本发明的实施例，所述挡光部件还包括紫外阻挡墙，所述紫外阻挡墙设置在所述反射层的外周壁上。
根据本发明的实施例，所述发光区中还设置有挡墙，所述挡墙位于所述反射层靠近所述透明区的一侧，所述紫外阻挡墙填充满所述反射层和所述挡墙之间的间隙。
根据本发明的实施例，所述挡墙由下至上包括第一亚层、第二亚层和第三亚层。
根据本发明的实施例，所述反射层与所述挡墙之间的间距为2-3微米。
根据本发明的实施例，所述反射层覆盖所述挡墙朝向所述薄膜晶体管的至少部分侧面。
根据本发明的实施例，所述发光区中还包括：平坦层，所述平坦层覆盖所述薄膜晶体管和所述反射层，所述平坦层的至少一部分构成所述紫外阻挡墙。
根据本发明的实施例，形成所述紫外阻挡墙的材料包括透过率低于20％的材料。
根据本发明的实施例，形成所述紫外阻挡墙的材料包括聚酰亚胺类有机材料。
在本发明的另一方面，本发明提供了一种透明显示装置。根据本发明的实施例，该透明显示装置包括前面所述的基板。发明人发现，该透明显示装置在长期使用过程中均能保持很高的显示质量，产品良率高，可以满足消费者的消费体验。
在本发明的另一方面，本发明提供了一种制作前面所述的基板的方法。根据本发明的实施例，该方法包括：形成多个像素单元，至少部分所述像素单元包括发光区和透明区；其中，形成所述像素单元包括：在所述发光区中形成薄膜晶体管和挡光部件，所述挡光部件用于阻挡外界射向所述透明区的光线对所述薄膜晶体管的影响。发明人发现，该制作方法操作简单、方便，易于实现，成本低，其可以获得具备前面所有所述的特征和优点的基板。
根据本发明的实施例，所述挡光部件包括反射层，所述反射层与所述薄膜晶体管中的源极和漏极通过一次构图工艺形成。
根据本发明的实施例，形成所述发光区还包括形成挡墙的步骤，所述挡墙由下至上包括第一亚层、第二亚层和第三亚层，其中，所述第一亚层与所述薄膜晶体管中的缓冲层通过一次构图工艺形成；所述第二亚层与所述薄膜晶体管中的栅绝缘层通过一次构图工艺形成；所述第三亚层与所述薄膜晶体管中的层间绝缘层通过一次构图工艺形成。
根据本发明的实施例，形成所述发光区还包括形成平坦层的步骤，所述平坦层的一部分填充在所述反射层与所述挡墙之间的间隙中，且填充在所述间隙中的所述平坦层构成紫外阻挡墙。
附图说明
图1是现有技术中基板的结构示意图。
图2是本发明一个实施例中的基板的俯视图。
图3是图2中沿AA’方向的剖面结构示意图。
图4是本发明另一个实施例中的基板的结构示意图。
图5是本发明另一个实施例中的基板的结构示意图。
图6是本发明另一个实施例中的基板的俯视图。
图7是本发明另一个实施例中的基板的结构示意图。
图8是本发明另一个实施例中的基板的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。
本发明是根据发明人的以下认识和发现而完成的：
在透明显示装置中，如图1所示，由于透明区120的存在，以及透明显示装置使用的环境，会有大量的外界光线从透明区120射入发光区110，进而会造成侧向的光线(例如UV)导致发光区中薄膜晶体管111中的有源层60(ACT层)电子迁移受影响，最终使得薄膜晶体管(TFT)111器件稳定性受损。针对上述技术问题，发明人进行了深入的研究，研究后发现，可以在发光区中设置挡光部件，以阻挡外界射向透明区的光线对薄膜晶体管的影响。
有鉴于此，在本发明的一个方面，本发明提供了一种基板。根据本发明的实施例，参照图2和图3，该基板包括：多个像素单元100，至少部分所述像素单元100包括发光区110和透明区120，所述发光区110中包括薄膜晶体管111；挡光部件112，所述挡光部件112设置在所述发光区110中，用于阻挡通过所述透明区射向所述薄膜晶体管的光线。发明人发现，该基板结构简单、易于实现，挡光部件可以有效减少光线照射到薄膜晶体管，尤其适于阻挡外界光线从透明区侧向照射到薄膜晶体管，使得薄膜晶体管中的有源层得到有效保护，显著减少由于光线(尤其是紫外光)的照射造成的有源层的NBTIS变差的问题，从而有效保证了薄膜晶体管的光照稳定性，且基板在长期使用过程中均能保持较高的良率，利于满足消费者的消费体验。可以理解的是，参照图2，栅线2和数据线1交叉设置限定出多个像素单元100。需要说明的是，本文中采用的描述方式“发光区”中包括薄膜晶体管和发光元件，其中，薄膜晶体管与发光元件的设置方式与常规像素单元中的薄膜晶体管与发光元件的设置方式相同，即发光元件对应常规像素单元的开口区设置，而薄膜晶体管对应常规像素单元中的开口区之外的区域设置，在本文的附图中均未示出发光元件；上述至少部分像素单元包括发光区和透明区指的是：1、全部像素单元均包括发光区和透明区；2、一部分像素单元包括发光区和透明区，另一部分像素单元不包括透明区；例如在阵列排布的像素单元中，其中一排像素单元包括发光区和透明区，另一排像素单元不包括透明区。
根据本发明的实施例，薄膜晶体管中的有源层的形成材料为氧化物半导体时，其极易受到光线的损伤造成电子迁移，使得薄膜晶体管的性能下降，因此，本申请的上述发光区的结构有利于减少外界光线进入薄膜晶体管，从而保证薄膜晶体管的使用性能。
根据本发明的实施例，薄膜晶体管可以为顶栅(Top Gate)型薄膜晶体管、底栅型薄膜晶体管、背沟道刻蚀型(BCE)薄膜晶体管以及刻蚀阻挡结构(ESL)薄膜晶体管等，由此，使用范围较广。
根据本发明的实施例，所述反射层至少覆盖所述薄膜晶体管中绝缘层朝向所述透明区的至少部分侧面上。在本发明的一些实施例中，所述绝缘层包括层间绝缘层和栅极绝缘层或层间绝缘层，也就是说，反射层可以至少覆盖所述薄膜晶体管中层间绝缘层朝向所述透明区的至少部分侧面上，或者反射层可以至少覆盖所述薄膜晶体管中层间绝缘层和栅绝缘层朝向所述透明区的至少部分侧面上。在本发明的一些实施例中，薄膜晶体管可以是顶栅型薄膜晶体管，参照图3-图5，所述挡光部件112包括反射层1121，所述反射层1121设置在所述薄膜晶体管111中的层间绝缘层30和栅绝缘层20朝向透明区120的至少部分侧面上。在本发明的一些具体实施例中，顶栅型薄膜晶体管的栅绝缘层是以栅极为掩膜版进行刻蚀形成的，在这种情况下，反射层设置在层间绝缘层朝向所述透明区的至少部分侧面上。在本发明的另一些实施例中，薄膜晶体管可以为底栅型薄膜晶体管，反射层设置在层间绝缘层和栅绝缘层朝向所述透明区的至少部分侧面上。由此，反射层可以反射从透明区照射向薄膜晶体管的外界光线(包括可见光和紫外光等)，显著降低光线对薄膜晶体管的影响，进而当形成有源层的材料包括氧化物半导体时可以使得有源层的电子迁移几乎不受光线的影响，有效保证了薄膜晶体管的稳定性。需要说明的是，图3-图5是以顶栅型薄膜晶体管为例进行说明本申请的，而不能理解为对本申请的限制。
根据本发明的实施例，参照图3-图5，为了使得反射层1121在使用过程中具备较佳的结构稳定性，所述反射层1121在基板上的正投影与所述层间绝缘层30在基板上的正投影有部分交叠，由此，反射层的结构稳定性更高，使用寿命更长，反射效果也更好。
在本发明的一些实施例中，参照图6，薄膜晶体管110有两侧朝向透明区120，薄膜晶体管110中的层间绝缘层和栅绝缘层朝向两侧透明区120的侧面均可设置反射层1121，以减少光线对薄膜晶体管的影响。
根据本发明的实施例，为了使得反射层反射光线的效果更好，形成所述反射层的材料包括金属。由此，反射层的形成材料来源广泛，可以有效反射可见光、紫外光(UV)等，进而显著降低光线对有源层的影响，使得薄膜晶体管在长期使用过程中均能保持较高的良率。在本发明的一些实施例中，上述金属包括金、银、铝、铜等。由此，材料来源广泛，反射光线的效果优异。
根据本发明的实施例，参照图5，所述挡光部件112还包括紫外阻挡墙1122，所述紫外阻挡墙1122设置在所述反射层1121的外周壁上。由此，由于紫外阻挡墙具有吸收紫外光的作用，可以有效吸收紫外光，使得挡光部件阻挡紫外光的效果更佳，实现有源层的全方位保护，保护薄膜晶体管的效果更佳，更能延长薄膜晶体管的使用寿命，进而更有利于延长基板的使用寿命。
根据本发明的实施例，形成所述紫外阻挡墙的材料包括透过率低于20％(例如20％、15％、10％、5％等)的材料。由此，紫外阻挡墙对紫外光的透过率较低，有利于阻挡紫外光照射到薄膜晶体管，保护有源层的效果较佳。
根据本发明的实施例，形成所述紫外阻挡墙的材料包括聚酰亚胺类有机材料。由此，材料来源广泛，对紫外光的透过率较低，阻挡紫外光照射到薄膜晶体管的效果更佳，保护薄膜晶体管的效果更佳。
根据本发明的实施例，参照图5，所述发光区110中还设置有挡墙113，所述挡墙113位于所述反射层1121靠近所述透明区120的一侧，所述紫外阻挡墙1122填充满所述反射层1121和所述挡墙113之间的间隙。由此，挡墙可以减少外部封装(filler)胶未完全固化导致的缺陷入侵或者水汽入侵，使得封装胶未固化完全时产生的问题尽量少的波及到发光区，减少发光区的损失，且将紫外阻挡墙填充入反射层和挡墙之间的间隙可以进一步降低紫外光对薄膜晶体管的损害。
根据本发明的实施例，挡墙的宽度为小于3微米(例如3微米、2.5微米、2微米、1.5微米等)，由此，挡墙减少外部封装胶未完全固化导致的缺陷入侵或者水汽入侵，使得封装胶未固化完全时产生的问题尽量少的波及到发光区，减少发光区的损失的效果更佳。当挡墙的宽度过大时，则影响基板的透明效果。
根据本发明的实施例，参照图5，挡墙113由下至上包括第一亚层1131，第二亚层1132和第三亚层1133。由此，挡墙可以减少外部封装胶未完全固化导致的缺陷入侵或者水汽入侵，使得封装胶未固化完全时产生的问题尽量少的波及到发光区，减少发光区的损失的效果更佳。根据本发明的实施例，第一亚层、第二亚层以及第三亚层可以单独形成，也可以分别与其他工艺同步形成。在本发明的一些实施例中，挡墙的第一亚层1131与薄膜晶体管111中的缓冲层10通过一次构图工艺形成，和/或第二亚层1132与栅绝缘层20通过一次构图工艺形成，和/或第三亚层1133与层间绝缘层30通过一次构图工艺形成。由此，通过一次构图工艺可以有效简化挡墙的制作工艺，有利于降低生产成本。在本发明的一些实施例中，形成缓冲层的材料包括但不限于氧化硅等；形成栅绝缘层的材料包括但不限于聚甲基丙烯酸甲酯和聚乙烯苯酚等；形成层间绝缘层的材料包括但不限于树脂等。由此，材料来源广泛，价格较低，使用性能佳。需要说明的是，本文中采用的描述“上”指的是使用时基板朝向用户的方向，“下”指的是使用时基板远离用户的方向。
根据本发明的实施例，参照图5，所述反射层1121与所述挡墙113之间的间距L1为2-3微米(例如2微米、2.2微米、2.4微米、2.6微米、2.8微米、3微米等)。由此，反射层与挡墙之间可以填充入尽量多的紫外阻挡墙，阻挡紫外光照射到反射层的效果更佳，进一步降低光线对有源层的影响，实现对有源层的全方位保护。当反射层与挡墙之间的间距过大时，则会减小透明区所占的面积，减少像素整体的透过率，当反射层与挡墙之间的间距过小时，则会使得挡墙的阻挡效果相对不佳。需要说明的是，反射层与挡墙之间的间距指的是在沿发光区至透明区的方向上反射层与挡墙之间连线的最大距离。
在本发明的一些实施例中，参照图5，挡墙113是将缓冲层10、栅绝缘层20和层间绝缘层30刻蚀之后形成的，且在薄膜晶体管111与挡墙113之间形成凹槽114。由此，虽然凹槽的设置会使得发光区的宽度比现有技术中的发光区的宽度宽(例如5微米)，但是通过凹槽可以在发光区与透明区之间做出分隔，并将透过率低的材料填入凹槽中可以阻挡光线射入薄膜晶体管，减少薄膜晶体管的损失，提高产品良率，延长产品使用寿命。根据本发明的实施例，凹槽的形状没有特别限制，只要能够满足要求，本领域技术人员可以根据实际需要灵活选择。例如凹槽的截面形状可以为长方形、梯形等。根据本发明的实施例，形成凹槽的方法包括但不限于刻蚀等，操作简单、方便，易于实现。
根据本发明的实施例，挡墙的形状没有特别限制，只要能够满足要求，本领域技术人员可以根据实际需要灵活选择。例如挡墙的截面形状可以为长方形、梯形等。
根据本发明的实施例，参照图8，反射层1121还可以覆盖挡墙113朝向薄膜晶体管111的至少部分侧面，由此，反射层反射外界光线的效果更好，保护有源层的效果更佳。
根据本发明的实施例，参照图7，所述发光区中还包括：平坦层130，所述平坦层130覆盖所述薄膜晶体管111和所述反射层1121，所述平坦层130的至少一部分构成所述紫外阻挡墙1122。由此，紫外阻挡墙与平坦层可以通过一步工艺形成，有效简化制作工艺，降低生产成本；且整个平坦层与紫外阻挡墙的形成材料相同，可以进一步提高阻挡紫外光透过的效果，有效实现全方位保护有源层的效果。
根据本发明的实施例，参照图7，所述发光区1中还包括钝化层140，所述钝化层140位于平坦层130和薄膜晶体管111之间且覆盖薄膜晶体管111的源极81、漏极82和部分反射层1121。由此，钝化层可以有效起到阻隔水、氧的作用，有效保护薄膜晶体管。
在本发明的一些具体实施例中，以发光区中的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管为例进行说明基板的结构，需要说明的是，以下描述仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。具体的，参照图7，基板包括：多个像素单元，其中每个像素单元包括发光区110和透明区120，其中，发光区110包括：基底40；阻挡层(shield)50，设置在基底40的第一表面上；缓冲层(buffer)10，设置在基底40的第一表面上且覆盖阻挡层50；有源层(ACT)60，设置在缓冲层10远离基底40的表面上；栅绝缘层(GI)20，设置在缓冲层远离基底40的表面上且覆盖有源层60；栅极(Gate)70，设置在栅绝缘层20远离基底40的表面上；层间绝缘层(ILD)30，设置在栅绝缘层20远离基底40的表面上且覆盖栅极70；源极81和漏极82，设置在层间绝缘层30远离基底40的表面上，源极81和漏极82通过过孔与有源层60电连接；反射层1121，设置在层间绝缘层30远离基底40的表面上，其中反射层1121与源极81和漏极82通过一次构图工艺形成；挡墙113，包括第一亚层1131、第二亚层1132和第三亚层1133，其中第一亚层1131与缓冲层10通过一次构图工艺形成，第二亚层1132与栅绝缘层20通过一次构图工艺形成，第三亚层1133与层间绝缘层30通过一次构图工艺形成；钝化层(PVX)140，设置在层间绝缘层30远离基底40的表面上且覆盖源极81、漏极82和反射层1121的部分表面；平坦(Resin)层130，设置在基底40的第一表面上且覆盖钝化层140、反射层1121的部分表面和挡墙113，其中填充入反射层1121与挡墙113之间的间隙中的部分平坦层130同时作为紫外阻挡墙1122。由此，阻挡层(形成材料可以为金属等)可以有效阻挡从基底侧入射的外界光线，减少对有源层的影响，且从透明区入射的光线对薄膜晶体管的影响较小。需要说明的是，源极、漏极与有源层的导体化区域电连接，图中未示出有源层的导体化区域。
根据本发明的实施例，发光区还包括像素界定层(PDL)，设置在平坦层远离基底的表面上；阳极(Anode)，设置在发光区中且位于像素界定层限定出的空隙中；发光层，设置在阳极远离基底的表面上；阴极，设置在发光层远离基底的表面上，且覆盖发光层和像素界定层。由此，可以有效实现发光区的发光功能。
在本发明的另一方面，本发明提供了一种透明显示装置。根据本发明的实施例，该透明显示装置包括前面所述的基板。发明人发现，该透明显示装置在长期使用过程中均能保持很高的显示质量，产品良率高，可以满足消费者的消费体验。
根据本发明的实施例，透明显示装置除了包括前面所述的基板之外，还可以包括封装结构、走线等结构，在此不再过多赘述。
在本发明的另一方面，本发明提供了一种制作前面所述的基板的方法。根据本发明的实施例，该方法包括：形成多个像素单元，至少部分所述像素单元包括发光区和透明区；其中，形成所述像素单元包括：在所述发光区中形成薄膜晶体管和挡光部件，所述挡光部件用于阻挡外界射向所述透明区的光线对所述薄膜晶体管的影响。发明人发现，该制作方法操作简单、方便，易于实现，成本低，且可以获得具备前面所有所述的特征和优点的基板。
根据本发明的实施例，所述挡光部件包括反射层，反射层可以单独形成，也可以与其他工艺同步形成。在本发明的一些实施例中，所述反射层与所述薄膜晶体管中的源极和漏极通过一次构图工艺形成。由此，可以简化制作工艺，降低生产成本。在本发明的另一些实施例中，反射层可以不与薄膜晶体管中的源极和漏极通过一次构图工艺形成，具体的，可以先形成源极和漏极再形成反射层，或者可以先形成反射层再形成源极和漏极。由此，制备反射层的方法多样，且制备得到的反射层保护有源层的效果优异。
根据本发明的实施例，形成所述发光区还包括形成挡墙的步骤，所述挡墙由下至上包括第一亚层、第二亚层和第三亚层，其中，所述第一亚层与所述薄膜晶体管中的缓冲层通过一次构图工艺形成；所述第二亚层与所述薄膜晶体管中的栅绝缘层通过一次构图工艺形成；所述第三亚层与所述薄膜晶体管中的层间绝缘层通过一次构图工艺形成。由此，可以简化制作工艺，降低生产成本。需要说明的是，第一亚层、第二亚层、第三亚层与前面的描述一致，在此不再过多赘述。
根据本发明的实施例，形成所述发光区还包括形成平坦层的步骤，所述平坦层与所述挡光部件中的紫外阻挡墙通过一步工艺形成，具体的，将形成平坦层的材料涂覆在薄膜晶体管和反射层的表面上，并将该材料填充在反射层与挡墙之间的间隙中并覆盖挡墙，将该材料干燥之后即可得到平坦层。由此，可以简化制作工艺，降低生产成本；且整个平坦层与紫外阻挡墙的形成材料相同，可以进一步提高阻挡紫外光透过的效果，有效实现全方位保护有源层的效果。
在本发明的一些具体实施例中，以发光区中的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管为例进行说明形成发光区的步骤，需要说明的是，以下描述仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。形成像素单元的步骤包括：
1、在薄膜晶体管中的基底的第一表面上沉积整层第一金属层，对所述第一金属层进行刻蚀处理以便得到阻挡层；
2、在所述基底的所述第一表面上涂覆整层第一绝缘层，所述第一绝缘层干燥之后形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述阻挡层；
3、在所述缓冲层远离所述基底的表面上通过沉积或者溅射方法形成整层半导体层，对所述半导体层进行刻蚀处理得到有源层；
4、在所述缓冲层远离所述基底的表面上涂覆整层第二绝缘层，所述第二绝缘层干燥之后形成栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述有源层；
5、在所述栅绝缘层远离所述基底的表面上通过沉积或者溅射方法形成整层第二金属层，对所述第二金属层进行刻蚀处理得到栅极；
6、在所述栅绝缘层远离所述基底的表面上涂覆整层第三绝缘层，所述第三绝缘层干燥之后形成层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述栅极；
7、通过刻蚀方法形成贯穿所述层间绝缘层和所述栅绝缘层的两个过孔；
8、通过刻蚀方法形成贯穿所述缓冲层、所述栅绝缘层和所述层间绝缘层的凹槽，以形成挡墙；
9、在所述层间绝缘层远离所述基底的表面上通过沉积或者溅射方法形成整层第三金属层，在形成第三金属层的过程中，金属材料通过过孔与有源层连接，且第三金属层覆盖薄膜晶体管中缓冲层、栅绝缘层和层间绝缘层朝向透明区的侧面，对所述第三金属层进行刻蚀处理得到源极、漏极和反射层，且所述反射层覆盖所述薄膜晶体管中缓冲层、栅绝缘层和层间绝缘层朝向透明区的侧面并延伸至层间绝缘层远离基底的部分表面上；
10、在所述层间绝缘层远离所述基底的表面上涂覆整层第四绝缘层，所述第四绝缘层干燥之后形成钝化层；
11、在所述钝化层远离所述基底的表面上涂覆整层第五绝缘层，所述第五绝缘层干燥之后形成平坦层，且所述平坦层覆盖源极、漏极、反射层和挡墙，并填满反射层与挡墙之间的间隙。
在本发明的另一些具体实施例中，形成像素单元的步骤包括：
1、在薄膜晶体管中的基底的第一表面上沉积整层第一金属层，对所述第一金属层进行刻蚀处理以便得到阻挡层；
2、在所述基底的所述第一表面上涂覆整层第一绝缘层，所述第一绝缘层干燥之后形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述阻挡层；
3、在所述缓冲层远离所述基底的表面上通过沉积或者溅射方法形成整层半导体层，对所述半导体层进行刻蚀处理得到有源层；
4、在所述缓冲层远离所述基底的表面上涂覆整层第二绝缘层，所述第二绝缘层干燥之后形成栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述有源层；
5、在所述栅绝缘层远离所述基底的表面上通过沉积或者溅射方法形成整层第二金属层，对所述第二金属层进行刻蚀处理得到栅极；
6、在所述栅绝缘层远离所述基底的表面上涂覆整层第三绝缘层，所述第三绝缘层干燥之后形成层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述栅极；
7、通过刻蚀方法形成贯穿所述层件绝缘层和所述栅绝缘层的两个过孔；
8、在所述层间绝缘层远离所述基底的表面上通过沉积或者溅射方法形成整层第三金属层，在形成第三金属层的过程中，金属材料通过过孔与有源层连接，且第三金属层覆盖薄膜晶体管中缓冲层、栅绝缘层和层间绝缘层朝向透明区的侧面，对所述第三金属层进行刻蚀处理得到源极、漏极和反射层，且所述反射层覆盖所述薄膜晶体管中缓冲层、栅绝缘层和层间绝缘层朝向透明区的侧面并延伸至层间绝缘层远离基底的部分表面上；
9、在所述层间绝缘层远离所述基底的表面上涂覆整层第四绝缘层，所述第四绝缘层干燥之后形成钝化层；
10、在所述钝化层远离所述基底的表面上涂覆整层第五绝缘层，所述第五绝缘层干燥之后形成平坦层，且所述平坦层覆盖源极、漏极和反射层。
根据本发明的实施例，在一般的透明显示装置中，从透明区照射至发光区的外界光线会使得薄膜晶体管的有源层的电子迁移受到影响，进而使得薄膜晶体管的光照稳定性不佳，使用寿命较短。而在本申请中，通过在发光区中设置挡光部件，可以有效降低外界光线对薄膜晶体管的影响，使得薄膜晶体管的光照稳定性强，使用性能优异，寿命长；且本申请中透明显示装置的结构可以在保证透明区面积的前提下，选用尽可能多的挡光材料，例如阻挡层、挡光部件等，进一步提高透明显示装置的产品良率和使用性能。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”“内”、“外”、等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (18)

1.一种基板，其特征在于，包括：
多个像素单元，至少部分所述像素单元包括发光区和透明区，所述发光区中包括薄膜晶体管；
挡光部件，所述挡光部件设置在所述发光区中，用于阻挡通过所述透明区射向所述薄膜晶体管的光线。
2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述挡光部件包括反射层，所述反射层至少覆盖所述薄膜晶体管中绝缘层朝向所述透明区的至少部分侧面上。
3.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，所述绝缘层包括层间绝缘层和栅极绝缘层或层间绝缘层。
4.根据权利要求3所述的基板，其特征在于，所述反射层在所述基板上的正投影与所述层间绝缘层在所述基板上的正投影有部分交叠。
5.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，形成所述反射层的材料包括金属。
6.根据权利要求2-5任一项所述的基板，其特征在于，所述挡光部件还包括紫外阻挡墙，所述紫外阻挡墙设置在所述反射层的外周壁上。
7.根据权利要求6所述的基板，其特征在于，所述发光区中还设置有挡墙，所述挡墙位于所述反射层靠近所述透明区的一侧，所述紫外阻挡墙填充满所述反射层和所述挡墙之间的间隙。
8.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，所述挡墙由下至上包括第一亚层、第二亚层和第三亚层。
9.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，所述反射层与所述挡墙之间的间距为2-3微米。
10.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，所述反射层覆盖所述挡墙朝向所述薄膜晶体管的至少部分侧面。
11.根据权利要求6所述的基板，其特征在于，所述发光区中还包括：
平坦层，所述平坦层覆盖所述薄膜晶体管和所述反射层，所述平坦层的至少一部分构成所述紫外阻挡墙。
12.根据权利要求6或者11所述的基板，其特征在于，形成所述紫外阻挡墙的材料包括透过率低于20％的材料。
13.根据权利要求12所述的基板，其特征在于，形成所述紫外阻挡墙的材料包括聚酰亚胺类有机材料。
14.一种透明显示装置，其特征在于，包括权利要求1-13任一项所述的基板。
15.一种制作权利要求1-13任一项所述的基板的方法，其特征在于，包括：
形成多个像素单元，至少部分所述像素单元包括发光区和透明区；
其中，形成所述像素单元包括：在所述发光区中形成薄膜晶体管和挡光部件，所述挡光部件用于阻挡外界射向所述透明区的光线对所述薄膜晶体管的影响。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述挡光部件包括反射层，所述反射层与所述薄膜晶体管中的源极和漏极通过一次构图工艺形成。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，形成所述发光区还包括形成挡墙的步骤，所述挡墙由下至上包括第一亚层、第二亚层和第三亚层，
其中，所述第一亚层与所述薄膜晶体管中的缓冲层通过一次构图工艺形成；
所述第二亚层与所述薄膜晶体管中的栅绝缘层通过一次构图工艺形成；
所述第三亚层与所述薄膜晶体管中的层间绝缘层通过一次构图工艺形成。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，形成所述发光区还包括形成平坦层的步骤，所述平坦层的一部分填充在所述反射层与所述挡墙之间的间隙中，且填充在所述间隙中的所述平坦层构成紫外阻挡墙。
CN201811296849.2A 2018-11-01 2018-11-01 基板及其制作方法以及透明显示装置 Active CN109360849B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811296849.2A CN109360849B (zh) 2018-11-01 2018-11-01 基板及其制作方法以及透明显示装置
US16/649,854 US11239259B2 (en) 2018-11-01 2019-10-15 Substrate, manufacturing method thereof and transparent display device
PCT/CN2019/111176 WO2020088236A1 (zh) 2018-11-01 2019-10-15 基板及其制作方法以及透明显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811296849.2A CN109360849B (zh) 2018-11-01 2018-11-01 基板及其制作方法以及透明显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109360849A true CN109360849A (zh) 2019-02-19
CN109360849B CN109360849B (zh) 2021-01-29

Family

ID=65343852

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811296849.2A Active CN109360849B (zh) 2018-11-01 2018-11-01 基板及其制作方法以及透明显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11239259B2 (zh)
CN (1) CN109360849B (zh)
WO (1) WO2020088236A1 (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110265583A (zh) * 2019-07-26 2019-09-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN110808276A (zh) * 2019-11-27 2020-02-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板及其制备方法、oled显示装置
CN110957346A (zh) * 2019-11-29 2020-04-03 维沃移动通信有限公司 显示模组及电子设备
WO2020088236A1 (zh) * 2018-11-01 2020-05-07 京东方科技集团股份有限公司 基板及其制作方法以及透明显示装置
WO2020206901A1 (en) * 2019-04-09 2020-10-15 Boe Technology Group Co., Ltd. Transparent display substrate, transparent display apparatus and method of fabricating transparent display substrate
CN112992974A (zh) * 2019-12-12 2021-06-18 乐金显示有限公司 聚酰亚胺基板和显示设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180013092A1 (en) * 2016-07-05 2018-01-11 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display apparatus
CN107706208A (zh) * 2016-08-08 2018-02-16 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
CN107958916A (zh) * 2016-10-14 2018-04-24 三星显示有限公司 显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102050460B1 (ko) * 2012-11-30 2019-11-29 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그를 이용한 디스플레이 장치
KR102457252B1 (ko) 2015-11-20 2022-10-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US10205122B2 (en) 2015-11-20 2019-02-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display and method of manufacturing the same
CN109360849B (zh) 2018-11-01 2021-01-29 京东方科技集团股份有限公司 基板及其制作方法以及透明显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180013092A1 (en) * 2016-07-05 2018-01-11 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display apparatus
CN107706208A (zh) * 2016-08-08 2018-02-16 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
CN107958916A (zh) * 2016-10-14 2018-04-24 三星显示有限公司 显示装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020088236A1 (zh) * 2018-11-01 2020-05-07 京东方科技集团股份有限公司 基板及其制作方法以及透明显示装置
US11239259B2 (en) 2018-11-01 2022-02-01 Boe Technology Group Co., Ltd. Substrate, manufacturing method thereof and transparent display device
WO2020206901A1 (en) * 2019-04-09 2020-10-15 Boe Technology Group Co., Ltd. Transparent display substrate, transparent display apparatus and method of fabricating transparent display substrate
US11563068B2 (en) 2019-04-09 2023-01-24 Boe Technology Group Co., Ltd. Substantially transparent display substrate, substantially transparent display apparatus, and method of fabricating substantially transparent display substrate
CN110265583A (zh) * 2019-07-26 2019-09-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN110808276A (zh) * 2019-11-27 2020-02-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板及其制备方法、oled显示装置
CN110957346A (zh) * 2019-11-29 2020-04-03 维沃移动通信有限公司 显示模组及电子设备
CN110957346B (zh) * 2019-11-29 2022-09-23 维沃移动通信有限公司 显示模组及电子设备
CN112992974A (zh) * 2019-12-12 2021-06-18 乐金显示有限公司 聚酰亚胺基板和显示设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN109360849B (zh) 2021-01-29
WO2020088236A1 (zh) 2020-05-07
US20200235138A1 (en) 2020-07-23
US11239259B2 (en) 2022-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109360849A (zh) 基板及其制作方法以及透明显示装置
US10403855B2 (en) Display screen and method for manufacturing the same, and display device
CN207116481U (zh) 显示基板、显示装置
US11818906B2 (en) Display device with reduced reflection
JP2024037731A (ja) 液晶表示装置
CN110968218B (zh) 触控显示面板及其制备方法
US20170082887A1 (en) Display device and method for manufacturing the same
CN103700688B (zh) 彩膜基板及其制作方法、显示装置
US8895971B2 (en) Organic light emitting display device and method for fabricating the same
WO2022028183A1 (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN104681592A (zh) 一种显示面板及其制作方法和显示装置
WO2021227197A1 (zh) 一种屏下摄像头显示面板及其制备方法
CN103258838B (zh) 显示设备及用于制造显示设备的方法
US11029789B2 (en) Touch structure and method of manufacturing the same, touch substrate and touch display device
CN106549075A (zh) 光传感器和包括光传感器的显示设备
CN110165071A (zh) 一种有机发光显示面板及有机发光显示装置
JP2018010287A (ja) 表示装置、及び表示装置の駆動方法
US20210202917A1 (en) Display device and touch display device
CN110504387A (zh) 一种显示基板及其制作方法和显示装置
CN104241315A (zh) 发光显示装置及其制造方法
JP2018014320A (ja) 表示装置
CN110289284A (zh) 显示面板及显示面板制造方法
CN109166978B (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
WO2021155627A1 (zh) Oled 显示装置
KR102052432B1 (ko) 유기전계발광소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant