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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 90
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 83
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 848
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 123
- 239000010408 film Substances 0.000 description 121
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 103
- 238000000034 method Methods 0.000 description 91
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 70
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 51
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 41
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 41
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 30
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 28
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 24
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 19
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 17
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 15
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 14
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 14
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 13
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 10
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 210000001508 eye Anatomy 0.000 description 9
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 9
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 9
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 8
- -1 For example Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 6
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 5
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 4
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 4
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 102100022992 Anoctamin-1 Human genes 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101000757261 Homo sapiens Anoctamin-1 Proteins 0.000 description 3
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VUFNLQXQSDUXKB-DOFZRALJSA-N 2-[4-[4-[bis(2-chloroethyl)amino]phenyl]butanoyloxy]ethyl (5z,8z,11z,14z)-icosa-5,8,11,14-tetraenoate Chemical group CCCCC\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCC(=O)OCCOC(=O)CCCC1=CC=C(N(CCCl)CCCl)C=C1 VUFNLQXQSDUXKB-DOFZRALJSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910018137 Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018573 Al—Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 102100022991 Anoctamin-2 Human genes 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000757263 Homo sapiens Anoctamin-2 Proteins 0.000 description 2
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 210000005252 bulbus oculi Anatomy 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020833 Sn-Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020868 Sn-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920006231 aramid fiber Polymers 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N cadmium nickel Chemical compound [Ni].[Cd] OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 1
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000000744 eyelid Anatomy 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011245 gel electrolyte Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- BSWGGJHLVUUXTL-UHFFFAOYSA-N silver zinc Chemical compound [Zn].[Ag] BSWGGJHLVUUXTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
Abstract
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の例について説明する。
〔比較例〕
まず、図16に、同一面上に複数の表示素子が設けられた表示装置10aの斜視概略図を示す。
図1(A)は、本発明の一態様の表示装置10の斜視概略図である。また図1(B)は、表示装置10を視認側(表示面側、上面側)から見たときの概略図である。
表示装置は、各画素(副画素)に、画素(副画素)の選択状態、非選択状態を制御するための選択トランジスタを有する構成とすることが好ましい。また、特に表示素子として発光素子を有する場合、選択トランジスタと、発光素子に流れる電流の大きさを制御する駆動トランジスタとを有することが好ましい。
以下では、図1(B)等で示した例とは異なる画素の配置方法の例について説明する。
以下では、本発明の一態様の表示装置の、より具体的な構成例について、図面を参照して説明する。
図5は、表示装置10の斜視図である。表示装置10は、基板51と基板52を有する。図5では、基板52を破線で示している。
図6に、表示装置10の表示部における断面概略図を示す。ここでは、2つの表示素子(表示素子21B及び表示素子22R)を含む領域の断面を示している。
以下では、図6で示した表示装置の作製方法の例について説明する。
図9には、図6とは一部の構成の異なる表示装置の断面構成の例を示している。図9に示す表示装置は、導電層124を有する。
図10に、図6とは異なる断面構成の例を示している。図10に示す表示装置は、図6に示す構成を概ね上下反転させた構成を有する。
以下では、本発明の一態様の表示装置が有する表示素子に適用可能な、発光素子の構成例について説明する。
図11(A)では、絶縁層132よりも上側(表示面側)に、上面射出型の表示素子21Bと、下側に下面射出型の表示素子22R及び表示素子22Gを有する例を示している。
図11(B)は、表示素子22Rと表示素子22Gとの間で、発光層のみを作り分け、他の層は共通に用いている場合の例を示している。
同一面上に位置する2つの表示素子のうち、一方の表示素子が有する発光層が他方の表示素子の発光層と重ねて設けられていてもよい。
図11(D)は、下側に設けられる表示素子22Rと表示素子22Gが、それぞれマイクロキャビティ(微小共振器)構造が実現された例を示している。
図12(A)は、絶縁層132よりも上側に、上面射出型の表示素子21R及び表示素子21Gと、下側に下面射出型の表示素子22Bを有する例を示している。図12(A)に示す構成は、図11(A)に示す構成を上下逆転させたものと概ね等しい。
図12(B)は、表示素子21Rと表示素子21Gとの間で、発光層のみを作り分け、他の層は共通に用いている場合の例を示している。
図12(C)は、絶縁層132よりも上側に表示素子21Rと表示素子21Bが設けられ、下側に表示素子22Gが設けられている例を示している。また、表示素子21Bの発光層143Bが、表示素子21Rと重なる部分にまで延在して設けられている。
図12(D)には、マイクロキャビティ構造が適用された表示素子21Rと表示素子21Gを有する例を示している。
以下では、本発明の一態様の表示装置に用いることのできるトランジスタの構成の例について説明する。
図13(A)には、1つの副画素に対応する断面概略図を示している。図13(A)に示す構成は、トランジスタ41a、トランジスタ41b、及び容量素子130を有する。トランジスタ41a、トランジスタ41bはそれぞれ、ボトムゲート型のチャネルエッチ構造のトランジスタであり、同様の構成を有する。
以下では、2つのトランジスタを積層した構造の他の構成例について説明する。以下で例示する各構成例は、上記表示装置の断面構成例で例示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
図14(A)に、トランジスタ41dとトランジスタ41eとを積層した場合の例を示す。
図14(B)に、トランジスタ41fとトランジスタ41cとを積層した場合の例を示す。
図14(C)は、トランジスタ41gとトランジスタ41cとを積層した場合の例である。
図15(A)に、トランジスタ41aとトランジスタ41hとを積層した場合の例を示す。
図15(B)は、トランジスタ41fとトランジスタ41hとを積層した場合の例である。トランジスタ41fとトランジスタ41hの説明は上記を援用できる。
図15(C)は、トランジスタ41gとトランジスタ41hとを積層した場合の例である。トランジスタ41gとトランジスタ41hの説明は上記を援用できる。
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
表示パネルが有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。表示素子からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層と、を有する。上記では、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合を示している。
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるCAC(Cloud−Aligned Composite)−OSの構成について説明する。
トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのほか、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金などが挙げられる。またこれらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。
各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。このような素子が射出する光は、その輝度や色度が外光に左右されることがないため、色再現性が高く(色域が広く)、且つコントラストの高い、つまり鮮やかな表示を行うことができる。
接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。
接続層としては、異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)や、異方性導電ペースト(ACP:Anisotropic Conductive Paste)などを用いることができる。
ここでは、剥離方法、及び可撓性を有する基板を用いた表示パネルの作製方法の例について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について説明する。以下で例示する表示装置は、絶縁層を挟んで反対側に設けられ、且つ同じ向きに光が射出される2種類の表示素子を有する表示装置である。
図17は、表示装置400の構成の一例を示すブロック図である。
図18は、表示部362に設けられる画素410a及び画素410bの構成例を示す回路図である。図18では、隣接する3つの画素を示している。
本実施の形態では、本発明の一態様を用いて作製することができる表示モジュールについて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を適用可能な電子機器について説明する。
10a 表示装置
20 画素
20a 画素
20b 画素
21 表示素子
21aB 表示素子
21aG 表示素子
21aR 表示素子
21B 表示素子
21G 表示素子
21R 表示素子
22B 表示素子
22G 表示素子
22R 表示素子
31 絶縁層
31a 絶縁層
32 絶縁層
33 絶縁層
34 絶縁層
40a トランジスタ
40b トランジスタ
40c トランジスタ
41 トランジスタ
41a トランジスタ
41b トランジスタ
41c トランジスタ
41d トランジスタ
41e トランジスタ
41f トランジスタ
41g トランジスタ
41h トランジスタ
42 トランジスタ
51 基板
52 基板
55 支持基板
56 剥離層
61 表示部
62 回路部
63 FPC
64 IC
65 配線
80 接続部
111 導電層
111a 導電層
111b 導電層
111c 導電層
111d 導電層
111e 導電層
111f 導電層
112 半導体層
112a 半導体層
112b 半導体層
113a 導電層
113b 導電層
113c 導電層
113d 導電層
121 導電層
121a 導電層
121b 導電層
121c 導電層
122B EL層
122G EL層
122R EL層
123 導電層
123a 導電層
123b 導電層
124 導電層
125G 光学調整層
125R 光学調整層
126 導電層
130 容量素子
131 絶縁層
132 絶縁層
133 絶縁層
134 絶縁層
135 絶縁層
136 絶縁層
137 絶縁層
138 絶縁層
139 絶縁層
141 キャリア注入層
141G キャリア注入層
141R キャリア注入層
142 キャリア輸送層
142G キャリア輸送層
142R キャリア輸送層
143B 発光層
143G 発光層
143R 発光層
144 キャリア輸送層
144G キャリア輸送層
144R キャリア輸送層
145 キャリア注入層
145G キャリア注入層
145R キャリア注入層
151a 接着層
151b 接着層
360a 発光素子
360b 発光素子
362 表示部
400 表示装置
410a 画素
410b 画素
800 携帯情報端末
801 筐体
802 筐体
803 表示部
804 表示部
805 ヒンジ部
810 携帯情報端末
811 筐体
812 表示部
813 操作ボタン
814 外部接続ポート
815 スピーカ
816 マイク
817 カメラ
820 カメラ
821 筐体
822 表示部
823 操作ボタン
824 シャッターボタン
826 レンズ
840 カメラ
841 筐体
842 表示部
843 操作ボタン
844 シャッターボタン
846 レンズ
850 ファインダー
851 筐体
852 表示部
853 ボタン
860 ヘッドマウントディスプレイ
861 装着部
862 レンズ
863 本体
864 表示部
865 ケーブル
866 バッテリ
870 ヘッドマウントディスプレイ
871 筐体
872 表示部
873 操作ボタン
874 固定具
875 レンズ
876 ダイヤル
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8005 FPC
8006 表示パネル
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリ
Claims (11)
- 第1の表示素子、第2の表示素子、第3の表示素子、及び第1の絶縁層を有する表示装置であって、
前記第2の表示素子及び前記第3の表示素子は、前記第1の絶縁層を挟んで前記第1の表示素子とは反対側に位置し、
前記第1の表示素子と前記第2の表示素子とは、互いに重ならない部分を有し、
前記第1の表示素子と前記第3の表示素子とは、互いに重ならない部分を有し、
前記第1の表示素子は、第1の光を発する第1の発光層を有し、
前記第2の表示素子は、第2の光を発する第2の発光層を有し、
前記第3の表示素子は、第3の光を発する第3の発光層を有し、
前記第2の発光層と前記第3の発光層は、互いに離間して設けられ、
前記第1の光、前記第2の光、及び前記第3の光は、互いに同じ向きに射出され、且つ、互いに異なる色を呈する、
表示装置。 - 請求項1において、
前記第2の光及び前記第3の光は、それぞれ前記第1の絶縁層側に発せられ、且つ前記第1の絶縁層を透過して射出される、
表示装置。 - 請求項1において、
前記第1の光は、前記第1の絶縁層側に発せられ、且つ前記第1の絶縁層を透過して射出される、
表示装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第2の絶縁層、及び第3の絶縁層を有し、
前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタは、同一面上に設けられ、
前記第2の絶縁層は、前記第1の表示素子と前記第1のトランジスタとの間に位置し、
前記第3の絶縁層は、前記第2の表示素子と前記第2のトランジスタとの間に位置し、
前記第1の絶縁層の一部は、前記第1のトランジスタのゲート絶縁層として機能し、且つ、前記第1の絶縁層の他の一部は、前記第2のトランジスタのゲート絶縁層として機能し、
前記第1のトランジスタと前記第1の表示素子とは、前記第2の絶縁層が有する第1の開口を介して電気的に接続され、
前記第2のトランジスタと前記第2の表示素子とは、前記第3の絶縁層が有する第2の開口を介して電気的に接続される、
表示装置。 - 請求項4において、
前記第1の表示素子は第1の導電層と第2の導電層を有し、
前記第2の表示素子は第3の導電層と第4の導電層を有し、
前記第1の導電層、前記第1の発光層、及び前記第2の導電層は、前記第2の絶縁層側からこの順で積層され、
前記第1の導電層は、前記第1の開口を介して前記第1のトランジスタと電気的に接続され、
前記第3の導電層、前記第2の発光層、及び前記第4の導電層は、前記第3の絶縁層側からこの順で積層され、
前記第3の導電層は、前記第2の開口を介して前記第2のトランジスタと電気的に接続される、
表示装置。 - 請求項5において、
前記第1の導電層の前記第1の発光層側の面と、前記第2の絶縁層の前記第1の発光層側の面とは、同一平面上に位置する、
表示装置。 - 請求項5において、
前記第3の導電層の前記第2の発光層側の面と、前記第3の絶縁層の前記第2の発光層側の面とは、同一平面上に位置する、
表示装置。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一において、
前記第2の発光層は、燐光を呈する材料を含み、
前記第3の発光層は、蛍光を呈する材料を含み、
前記第3の発光層は、前記第2の発光層と重なる部分を有する、
表示装置。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一において、
前記第3の光は、前記第2の光よりも短波長の光を含み、
前記第3の発光層は、前記第2の発光層と重なる部分を有する、
表示装置。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一において、
前記第1の表示素子、前記第2の表示素子、及び前記第3の表示素子を、それぞれ複数有し、
前記第2の表示素子と前記第3の表示素子とは、第1の方向に交互に配列し、
前記第2の表示素子と前記第3の表示素子とは、それぞれ前記第1の方向と直交する第2の方向に配列し、
前記第1の表示素子は、前記第1の方向に沿って隣接する前記第2の表示素子と前記第3の表示素子の間に位置する、
表示装置。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一において、
前記第1の表示素子、前記第2の表示素子、及び前記第3の表示素子を、それぞれ複数有し、
前記第2の表示素子と前記第3の表示素子とは、第3の方向に交互に配列し、
前記第2の表示素子と前記第3の表示素子とは、前記第3の方向と直交する第4の方向に交互に配列し、
前記第1の表示素子は、前記第3の方向に沿って隣接する前記第2の表示素子と前記第3の表示素子の間、及び前記第4の方向に沿って隣接する前記第2の表示素子と前記第3の表示素子の間に位置する、
表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016136301 | 2016-07-08 | ||
JP2016136301 | 2016-07-08 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018014320A true JP2018014320A (ja) | 2018-01-25 |
JP2018014320A5 JP2018014320A5 (ja) | 2020-08-20 |
JP6907051B2 JP6907051B2 (ja) | 2021-07-21 |
Family
ID=60910532
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017130791A Active JP6907051B2 (ja) | 2016-07-08 | 2017-07-04 | 表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10084022B2 (ja) |
JP (1) | JP6907051B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10529780B2 (en) | 2017-02-28 | 2020-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, and electronic device |
CN109166885B (zh) * | 2018-08-17 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素单元、显示基板及显示基板制作方法 |
CN110010638B (zh) * | 2018-10-11 | 2021-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
KR20230081906A (ko) * | 2021-11-30 | 2023-06-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102079188B1 (ko) | 2012-05-09 | 2020-02-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 전자 기기 |
CN108550608B (zh) * | 2012-10-30 | 2024-01-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光面板、显示装置以及发光面板的制造方法 |
JP2016072250A (ja) | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、電子機器、及び照明装置 |
US10978489B2 (en) | 2015-07-24 | 2021-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device |
WO2017055971A1 (en) | 2015-10-01 | 2017-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
-
2017
- 2017-07-04 JP JP2017130791A patent/JP6907051B2/ja active Active
- 2017-07-05 US US15/641,486 patent/US10084022B2/en not_active Expired - Fee Related
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JP7304850B2 (ja) | 2018-05-11 | 2023-07-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
KR20200028574A (ko) * | 2018-09-07 | 2020-03-17 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 모듈, 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 디스플레이 모듈 제조 방법 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6907051B2 (ja) | 2021-07-21 |
US20180012943A1 (en) | 2018-01-11 |
US10084022B2 (en) | 2018-09-25 |
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Date | Code | Title | Description |
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