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- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置、及び表示装置の作製方法について説明する。
図1は、本発明の一態様の表示装置を説明する断面概略図である。表示装置は、それぞれ異なる色を呈する発光ユニット120R、発光ユニット120G、発光ユニット120Bを有する。
以下では、回路素子を有する基板を備える表示装置の構成例について説明する。
図2(A)は、表示装置100の断面概略図である。表示装置100は、半導体回路を備える基板101上に、上記構成例1で例示した発光ユニット120R、発光ユニット120G、発光ユニット120Bを備える。
図2(B)は、表示装置100Aの断面概略図である。表示装置100Aは、主に反射層114G、反射層114Bの構成が異なる点で、上記表示装置100と相違している。
{発光素子・発光ユニット}
発光素子110に用いることのできる発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、LED、有機EL素子、無機EL素子等を用いることができる。特に、有機EL素子を用いることが好ましい。
本発明の一態様の表示装置の作製方法の一例について、図面を参照して説明する。以下では、上記構成例2で例示した、表示装置100Aを例に挙げて、説明する。
基板101としては、少なくとも後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する基板を用いることができる。基板101として、絶縁性基板を用いる場合には、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板などを用いることができる。また、シリコンや炭化シリコンなどを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、SOI基板などの半導体基板を用いることができる。
基板101上に絶縁層122となる絶縁膜を成膜する。続いて、絶縁層122の、プラグ131aを形成する位置に基板101に達する開口を形成する。当該開口は、基板101に設けられた電極や配線に達する開口であることが好ましい。続いて、当該開口を埋めるように導電膜を成膜した後に、絶縁層122の上面が露出するように平坦化処理を行なう。これにより、絶縁層122に埋め込まれたプラグ131aを形成することができる(図3(A))。
まず、絶縁層122上に、導電層143となる導電膜143fを成膜する。続いて、導電膜143f上に、レジストマスク151を形成する(図3(B))。レジストマスク151は、後に反射層114Bとなる部分に形成する。また、レジストマスク151は、プラグ131aの上面を覆う部分にも形成する。その後、レジストマスク151に覆われない導電膜143fをエッチングにより除去することで導電層143を形成することができる。その後、レジストマスク151を除去する。
反射層114R、反射層114G、反射層114B、導電層132を覆って、絶縁層122上に後に絶縁層121となる絶縁膜121fを成膜する(図4(A))。
絶縁層121、及びプラグ131b上に導電膜を成膜し、不要な部分をエッチングにより除去することにより、プラグ131bと電気的に接続する導電層111を形成する。
続いて、導電層111及び絶縁層121を覆って絶縁膜を成膜し、不要な部分をエッチングにより除去することにより、導電層111の端部を覆う絶縁層115を形成する(図4(D))。絶縁層115は、導電層111と重なる領域において、反射層114R、反射層114G、または反射層114Bと重なる開口を有するように加工する。
続いて、導電層111及び絶縁層115上に、EL層112と導電層113を順に成膜することで、発光素子110を形成する(図4(E))。
以下では、上記構成例1及び構成例2とは一部の構成の異なる表示装置の構成例について説明する。
図5(A)に、表示装置100Bの断面概略図を示す。
図5(B)に、表示装置100Cの断面概略図を示す。
以下では、上記各構成例とは一部が異なる表示装置の構成例について説明する。
図6(A)は、表示装置100Dの断面概略図である。表示装置100Dは、主に発光ユニット120Bの構成が異なる点で、表示装置100Aと相違している。
図6(B)は、表示装置100Eの断面概略図である。
以下では、トランジスタを有する表示装置のより具体的な例について説明する。
図7は、表示装置200Aの断面概略図である。
図8に示す表示装置200Bは、容量素子の構成が異なる点で、上記表示装置200Aと主に相違している。
図9は、表示装置200Cの断面概略図である。表示装置200Cは、トランジスタの構成が異なる点で、上記表示装置200Aと主に相違している。
図10は、表示装置200Dの断面概略図である。表示装置200Dは、基板201にチャネルが形成されるトランジスタ210と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ220とが積層された構成を有する。
図11は、表示装置200Eの断面概略図である。表示装置200Eは、上記表示装置200Dに対して、酸化物半導体が適用されたトランジスタを2つ積層した点で、主に相違している。
以下では、表示装置に適用可能なトランジスタ等の構成要素について説明する。
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層と、を有する。
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるCAC(Cloud-Aligned Composite)-OSの構成について説明する。
トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのほか、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金などが挙げられる。またこれらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅-マグネシウム-アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。
各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
以下では、本発明の一態様の表示装置を有する表示モジュールの構成例について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図13を用いて説明を行う。
以下では、本発明の一態様に適用可能な画素に表示される階調を補正するためのメモリを備える画素回路と、これを有する表示装置について説明する。
図14(A)に、画素回路400の回路図を示す。画素回路400は、トランジスタM1、トランジスタM2、容量C1、及び回路401を有する。また画素回路400には、配線S1、配線S2、配線G1、及び配線G2が接続される。
続いて、図14(B)を用いて、画素回路400の動作方法の一例を説明する。図14(B)は、画素回路400の動作に係るタイミングチャートである。なおここでは説明を容易にするため、配線抵抗などの各種抵抗や、トランジスタや配線などの寄生容量、及びトランジスタのしきい値電圧などの影響は考慮しない。
期間T1では、配線G1と配線G2の両方に、トランジスタをオン状態にする電位を与える。また、配線S1には固定電位である電位Vrefを供給し、配線S2には第1データ電位Vwを供給する。
続いて期間T2では、配線G1にはトランジスタM1をオン状態とする電位を与え、配線G2にはトランジスタM2をオフ状態とする電位を与える。また、配線S1には第2データ電位Vdataを供給する。配線S2には所定の定電位を与える、またはフローティングとしてもよい。
図14(C)に示す画素回路400ELは、回路401ELを有する。回路401ELは、発光素子EL、トランジスタM3、及び容量C2を有する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を適用した電子機器の構成例について説明する。
Claims (11)
- 第1の発光素子、第2の発光素子、第1の絶縁層、第1の光学調整層、及び第2の光学調整層を有し、
前記第1の発光素子は、透光性を有する第1の下部電極と、発光層と、半透過性及び半反射性を有する上部電極と、を有し、
前記第2の発光素子は、透光性を有する第2の下部電極と、前記発光層と、前記上部電極と、を有し、
前記第1の光学調整層と前記第2の光学調整層とは、同一面上に設けられ、
前記第1の絶縁層は、前記第1の光学調整層の一部、及び前記第2の光学調整層の一部を覆って設けられ、且つ、前記第1の光学調整層と重なる領域に第1の開口と、前記第2の光学調整層と重なる領域に第2の開口と、を有し、
前記第1の下部電極は、前記第1の開口の内部に埋め込まれ、
前記第2の下部電極は、前記第2の開口の内部に埋め込まれ、
前記第1の光学調整層及び前記第2の光学調整層は、少なくとも上面が可視光を反射する機能を有し、
前記第2の光学調整層は、前記第1の光学調整層よりも厚く、
前記第1の絶縁層、前記第1の下部電極、及び前記第2の下部電極は、それぞれの上面の高さが一致するように平坦化処理されており、
前記第1の下部電極は、前記第2の下部電極よりも厚い、
表示装置。 - 第1の発光素子、第2の発光素子、第1の絶縁層、第1の光学調整層、及び第2の光学調整層を有し、
前記第1の発光素子は、透光性を有する第1の下部電極と、発光層と、半透過性及び半反射性を有する上部電極と、を有し、
前記第2の発光素子は、透光性を有する第2の下部電極と、前記発光層と、前記上部電極と、を有し、
前記第1の光学調整層と前記第2の光学調整層とは、同一面上に設けられ、
前記第1の絶縁層は、前記第1の光学調整層の一部、及び前記第2の光学調整層の一部を覆って設けられ、且つ、前記第1の光学調整層と重なる領域に第1の開口と、前記第2の光学調整層と重なる領域に第2の開口と、を有し、
前記第1の下部電極は、前記第1の開口の内部に埋め込まれ、
前記第2の下部電極は、前記第2の開口の内部に埋め込まれ、
前記第1の光学調整層及び前記第2の光学調整層は、少なくとも上面が可視光を反射する機能を有し、
前記第1の絶縁層の上面は、前記第1の下部電極の上面及び前記第2の下部電極の上面と位置が一致する領域を有し、
前記第1の光学調整層の上面と前記上部電極の下面との距離は、前記第2の光学調整層の上面と前記上部電極の下面との距離より大きい、
表示装置。 - 請求項1又は請求項2において、
第3の発光素子及び第3の光学調整層を有し、
前記第3の発光素子は、透光性を有する第3の下部電極と、前記発光層と、前記上部電極と、を有し、
前記第3の光学調整層は、少なくとも上面が可視光を反射する機能を有し、且つ、前記第1の光学調整層及び前記第2の光学調整層よりも厚く、
前記第3の光学調整層の上面は、前記第1の絶縁層の上面と高さが一致し、
前記第3の下部電極が、前記第3の光学調整層の上面に接して設けられる、
表示装置。 - 第1の発光素子、第2の発光素子、第1の絶縁層、第2の絶縁層、第3の絶縁層、第1の光学調整層、第2の光学調整層、第1の導電層、及び第2の導電層を有し、
前記第1の発光素子は、透光性を有する第1の下部電極と、発光層と、半透過性及び半反射性を有する上部電極と、を有し、
前記第2の発光素子は、透光性を有する第2の下部電極と、前記発光層と、前記上部電極と、を有し、
前記第1の光学調整層と前記第2の光学調整層とは、同一面上に設けられ、
前記第1の絶縁層は、前記第1の光学調整層の一部、及び前記第2の光学調整層の一部を覆って設けられ、且つ、前記第1の光学調整層と重なる領域に第1の開口と、前記第2の光学調整層と重なる領域に第2の開口と、を有し、
前記第1の導電層は、前記第1の開口の内部において、前記第1の絶縁層の側面、及び前記第1の光学調整層の上面に沿って設けられ、
前記第2の導電層は、前記第2の開口の内部において、前記第1の絶縁層の側面、及び前記第2の光学調整層の上面に沿って設けられ、
前記第2の絶縁層は、前記第1の導電層を介して前記第1の開口の内部に埋め込まれ、
前記第3の絶縁層は、前記第2の導電層を介して前記第2の開口の内部に埋め込まれ、
前記第1の下部電極は、前記第1の開口上に設けられ、且つ、前記第1の開口の外縁部において前記第1の導電層と接し、
前記第2の下部電極は、前記第2の開口上に設けられ、且つ、前記第2の開口の外縁部において前記第2の導電層と接し、
前記第1の導電層及び前記第2の導電層は、可視光を反射する機能を有し、
前記第2の光学調整層は、前記第1の光学調整層よりも厚く、
前記第1の絶縁層、前記第2の絶縁層、及び前記第3の絶縁層は、それぞれの上面の高さが一致するように平坦化処理されており、
前記第2の絶縁層は、前記第3の絶縁層よりも厚い、
表示装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記第1の光学調整層は、第1の膜を有し、
前記第2の光学調整層は、第2の膜と、第3の膜とがこの順に積層され、
前記第1の膜と、前記第3の膜とは、可視光を反射する機能を有し、且つ、同一の膜を加工して形成された膜である、
表示装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記第1の光学調整層は、第1の導電層を有し、
前記第2の光学調整層は、第2の導電層と、第3の導電層とがこの順に積層され、
前記第1の導電層と、前記第3の導電層とは、可視光を反射する機能を有し、且つ、同一の導電膜の加工を経て形成されたものである、
表示装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、
トランジスタを含む回路層と、
前記回路層上に第4の絶縁層と、を有し、
前記第1の光学調整層は、前記第4の絶縁層上に設けられ、
前記トランジスタと、前記第1の発光素子とが電気的に接続する、
表示装置。 - 請求項7において、
前記トランジスタは、チャネルが形成される半導体層に、結晶性を有する金属酸化物、または単結晶シリコンを含む、
表示装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、
第1のトランジスタを含む第1の回路層と、
第2のトランジスタを含む第2の回路層と、
前記第1の回路層上に第4の絶縁層と、
前記第1の回路層と前記第2の回路層との間に第5の絶縁層と、を有し、
前記第1の光学調整層は、前記第4の絶縁層上に設けられ、
前記第1のトランジスタと、前記第1の発光素子とが電気的に接続する、
表示装置。 - 請求項9において、
前記第1のトランジスタは、チャネルが形成される第1の半導体層に、結晶性を有する金属酸化物を含み、
前記第2のトランジスタは、チャネルが形成される第2の半導体層に、結晶性を有する金属酸化物、または単結晶シリコンを含む、
表示装置。 - 請求項1乃至請求項10のいずれか一において、
前記第1の発光素子を複数有し、
前記第1の発光素子は、5000ppi以上の精細度でマトリクス状に配置される、
表示装置。
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WO2022118140A1 (ja) * | 2020-12-04 | 2022-06-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び表示装置の作製方法 |
JPWO2022124401A1 (ja) * | 2020-12-11 | 2022-06-16 | ||
JPWO2022123387A1 (ja) * | 2020-12-11 | 2022-06-16 | ||
US20240057403A1 (en) * | 2020-12-29 | 2024-02-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US11810907B2 (en) * | 2021-01-27 | 2023-11-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pixel structure for displays |
KR20230141798A (ko) * | 2021-02-03 | 2023-10-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 제작 방법 |
WO2023203430A1 (ja) * | 2022-04-22 | 2023-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および電子機器 |
CN114911092B (zh) * | 2022-05-06 | 2023-11-28 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010056017A (ja) | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Fujifilm Corp | カラー表示装置及びその製造方法 |
JP2011216280A (ja) | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Fujifilm Corp | 光路長調整層転写シート、並びに有機電界発光装置及びその製造方法 |
JP2013161520A (ja) | 2012-02-01 | 2013-08-19 | Seiko Epson Corp | 有機el装置の製造方法、有機el装置、及び電子機器 |
JP2013165014A (ja) | 2012-02-13 | 2013-08-22 | Seiko Epson Corp | 有機el装置、及び電子機器 |
JP2013225620A (ja) | 2012-04-23 | 2013-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、表示装置の作製方法および電子機器 |
JP2014191962A (ja) | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Seiko Epson Corp | 有機el装置の製造方法 |
JP2015041489A5 (ja) | 2013-08-21 | 2016-09-15 | ||
JP2016212979A (ja) | 2015-04-30 | 2016-12-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
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JP5329062B2 (ja) * | 2007-08-29 | 2013-10-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
JP6104099B2 (ja) * | 2013-08-21 | 2017-03-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
JP6372084B2 (ja) * | 2014-01-22 | 2018-08-15 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、及び電子機器 |
JP2017072812A (ja) * | 2015-10-09 | 2017-04-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
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Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2011216280A (ja) | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Fujifilm Corp | 光路長調整層転写シート、並びに有機電界発光装置及びその製造方法 |
JP2013161520A (ja) | 2012-02-01 | 2013-08-19 | Seiko Epson Corp | 有機el装置の製造方法、有機el装置、及び電子機器 |
JP2013165014A (ja) | 2012-02-13 | 2013-08-22 | Seiko Epson Corp | 有機el装置、及び電子機器 |
JP2013225620A (ja) | 2012-04-23 | 2013-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、表示装置の作製方法および電子機器 |
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