WO2022259068A1 - 表示装置、表示装置の作製方法、表示モジュール、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

信頼性が高い表示装置を提供する。 表示装置は、第１の発光素子と、第１の発光素子と隣接する第２の発光素子と、を有する。第１の発光素子は、第１の画素電極と、第１の画素電極上の第１のＥＬ層と、第１のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の画素電極と、第２の画素電極上の第２のＥＬ層と、第２のＥＬ層上の共通電極と、を有する。第１の画素電極の端部、及び第２の画素電極の端部は、テーパー形状を有する。第１のＥＬ層は、第１の画素電極の端部を覆い、第２のＥＬ層は、第２の画素電極の端部を覆う。第１のＥＬ層は、厚さが１５０ｎｍ以下である領域を有する。

Description

表示装置、表示装置の作製方法、表示モジュール、及び電子機器

本発明の一態様は、表示装置、及びその作製方法に関する。本発明の一態様は、表示装置を有する表示モジュールに関する。本発明の一態様は、表示装置を有する電子機器に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法、を一例として挙げることができる。半導体装置は、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。

近年、表示装置は高解像度の画像を表示するために高精細化が求められている。また、スマートフォン、タブレット型端末、及びノート型ＰＣ（パーソナルコンピュータ）等の情報端末機器においては、表示装置は、高精細化に加えて、低消費電力化が求められている。さらに、タッチパネルとしての機能、及び認証のために指紋を撮像する機能等、画像を表示するだけでなく、様々な機能が付加された表示装置が求められている。

表示装置としては、例えば、発光素子を有する発光装置が開発されている。エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬと記す）現象を利用した発光素子（ＥＬ素子とも記す）は、薄型軽量化が容易である、入力信号に対し高速に応答可能である、及び直流定電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し、表示装置に応用されている。例えば、特許文献１に、有機ＥＬ素子が適用された、可撓性を有する発光装置が開示されている。

また、非特許文献１には、標準的なＵＶフォトリソグラフィを使用した有機光電子デバイスの製造方法が開示されている。

特開２０１４−１９７５２２号公報

Ｂ．Ｌａｍｐｒｅｃｈｔ　ｅｔ　ａｌ．，"Ｏｒｇａｎｉｃ　ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｄｅｖｉｃｅ　ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ　ｕｓｉｎｇ　ｓｔａｎｄａｒｄ　ＵＶ　ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ"ｐｈｙｓ．ｓｔａｔ．ｓｏｌ．（ＲＲＬ）２，Ｎｏ．１，ｐ．１６−１８（２００８）

本発明の一態様は、信頼性が高い表示装置を提供することを課題の１つとする。又は、本発明の一態様は、低価格な表示装置を提供することを課題の１つとする。又は、本発明の一態様は、高精細な表示装置を提供することを課題の１つとする。又は、本発明の一態様は、高開口率の表示装置を提供することを課題の１つとする。又は、本発明の一態様は、高解像度の表示装置を提供することを課題の１つとする。又は、本発明の一態様は、新規な表示装置を提供することを課題の１つとする。

又は、本発明の一態様は、信頼性が高い表示装置の作製方法を提供することを課題の１つとする。又は、本発明の一態様は、歩留まりの高い表示装置の作製方法を提供することを課題の１つとする。又は、本発明の一態様は、高精細な表示装置の作製方法を提供することを課題の１つとする。又は、本発明の一態様は、高開口率の表示装置の作製方法を提供することを課題の１つとする。又は、本発明の一態様は、高解像度の表示装置の作製方法を提供することを課題の１つとする。又は、本発明の一態様は、新規な表示装置の作製方法を提供することを課題の１つとする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項等の記載から抽出することが可能である。

本発明の一態様は、第１の発光素子と、第１の発光素子と隣接する第２の発光素子と、を有し、第１の発光素子は、第１の画素電極と、第１の画素電極上の第１のＥＬ層と、第１のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の画素電極と、第２の画素電極上の第２のＥＬ層と、第２のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第１の画素電極の端部、及び第２の画素電極の端部は、テーパー形状を有し、第１のＥＬ層は、第１の画素電極の端部を覆い、第２のＥＬ層は、第２の画素電極の端部を覆い、第１のＥＬ層は、厚さが１５０ｎｍ以下である領域を有する表示装置である。

又は、上記態様において、第１の発光素子は、第１のＥＬ層と共通電極の間に、共通層を有し、第２の発光素子は、第２のＥＬ層と共通電極の間に、共通層を有し、第１の画素電極の上面と、共通層の下面と、の間の距離が１５０ｎｍ以下である領域を有してもよい。

又は、本発明の一態様は、第１の発光素子と、第１の発光素子と隣接する第２の発光素子と、を有し、第１の発光素子は、第１の画素電極と、第１の画素電極上の第１のＥＬ層と、第１のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の画素電極と、第２の画素電極上の第２のＥＬ層と、第２のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第１の画素電極の端部、及び第２の画素電極の端部は、テーパー形状を有し、第１のＥＬ層は、第１の画素電極の端部を覆い、第２のＥＬ層は、第２の画素電極の端部を覆い、第１のＥＬ層の厚さと、第２のＥＬ層の厚さと、の差が１００ｎｍ以下である領域を有する表示装置である。

又は、上記態様において、第１の発光素子は、第１のＥＬ層と共通電極の間に、共通層を有し、第２の発光素子は、第２のＥＬ層と共通電極の間に、共通層を有し、第１の画素電極の上面と共通層の下面との間の距離と、第２の画素電極の上面と共通層の下面との間の距離と、の差が１００ｎｍ以下である領域を有してもよい。

又は、上記態様において、共通層は、キャリア注入層を有してもよい。

又は、上記態様において、第１のＥＬ層と第２のＥＬ層の間の領域に、絶縁層が設けられてもよい。

又は、上記態様において、絶縁層は、有機材料を有してもよい。

又は、上記態様において、画素部と、接続部と、を有し、画素部は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、を有し、接続部は、接続電極と、接続電極上に設けられ、接続電極と電気的に接続される共通電極と、を有し、画素部と接続部の間の領域には、第３のＥＬ層が設けられ、接続電極の端部と、第３のＥＬ層の端部と、が保護層により覆われてもよい。

本発明の一態様の表示装置と、コネクタ及び集積回路のうち少なくとも一方と、を有する表示モジュールも、本発明の一態様である。

本発明の一態様の表示モジュールと、バッテリ、カメラ、スピーカ、及びマイクのうち少なくとも一つと、を有する電子機器も、本発明の一態様である。

又は、本発明の一態様は、第１の画素電極と、第１の画素電極と隣接する第２の画素電極と、を、端部にテーパー形状を有するように形成し、第１及び第２の画素電極上に、第１のＥＬ膜を形成し、第１のＥＬ膜上に、第１の犠牲膜を形成し、第１のＥＬ膜、及び第１の犠牲膜を加工することにより、第１の画素電極の端部を覆う、厚さが１５０ｎｍ以下である領域を有する第１のＥＬ層と、第１のＥＬ層上の第１の犠牲層と、を形成し、第１の犠牲層上、及び第２の画素電極上に、第２のＥＬ膜を形成し、第２のＥＬ膜上に、第２の犠牲膜を形成し、第２のＥＬ膜、及び第２の犠牲膜を加工することにより、第２の画素電極の端部を覆う第２のＥＬ層と、第２のＥＬ層上の第２の犠牲層と、を形成し、第１の犠牲層の少なくとも一部と、第２の犠牲層の少なくとも一部と、を除去し、第１のＥＬ層上、及び第２のＥＬ層上に、共通電極を形成する表示装置の作製方法である。

又は、上記態様において、第１の犠牲層の少なくとも一部と、第２の犠牲層の少なくとも一部と、を除去した後、第１のＥＬ層上、及び第２のＥＬ層上に、共通層を形成し、共通層上に、共通電極を形成し、第１の画素電極の上面と、共通層の下面と、の間の距離が１５０ｎｍ以下である領域を有してもよい。

又は、本発明の一態様は、第１の画素電極と、第１の画素電極と隣接する第２の画素電極と、を、端部にテーパー形状を有するように形成し、第１及び第２の画素電極上に、第１のＥＬ膜を形成し、第１のＥＬ膜上に、第１の犠牲膜を形成し、第１のＥＬ膜、及び第１の犠牲膜を加工することにより、第１の画素電極の端部を覆う第１のＥＬ層と、第１のＥＬ層上の第１の犠牲層と、を形成し、第１の犠牲層上、及び第２の画素電極上に、第２のＥＬ膜を形成し、第２のＥＬ膜上に、第２の犠牲膜を形成し、第２のＥＬ膜、及び第２の犠牲膜を加工することにより、第２の画素電極の端部を覆う、第１のＥＬ層の厚さとの差が１００ｎｍ以下である領域を有する第２のＥＬ層と、第２のＥＬ層上の第２の犠牲層と、を形成し、第１の犠牲層の少なくとも一部と、第２の犠牲層の少なくとも一部と、を除去し、第１のＥＬ層上、及び第２のＥＬ層上に、共通電極を形成する表示装置の作製方法である。

又は、上記態様において、第１の犠牲層の少なくとも一部と、第２の犠牲層の少なくとも一部と、を除去した後、第１のＥＬ層上、及び第２のＥＬ層上に、共通層を形成し、共通層上に、共通電極を形成し、第１の画素電極の上面と共通層の下面との間の距離と、第２の画素電極の上面と共通層の下面との間の距離と、の差が１００ｎｍ以下である領域を有してもよい。

又は、上記態様において、共通層は、キャリア注入層を有してもよい。

又は、上記態様において、第１及び第２の犠牲層の形成後、且つ第１及び第２の犠牲層の少なくとも一部を除去する前に、第１のＥＬ層と、第２のＥＬ層と、の間の領域に絶縁層を形成してもよい。

又は、上記態様において、絶縁層は、スピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法、又はペイント法を用いて形成してもよい。

又は、上記態様において、導電膜を形成し、導電膜を加工することにより、第１の画素電極と、第２の画素電極と、接続電極と、を、端部にテーパー形状を有するように形成し、第１のＥＬ膜を形成後、第１のＥＬ膜の端部を覆うように、第１の犠牲膜を形成し、第１のＥＬ膜、及び第１の犠牲膜を加工することにより、第１及び第２の画素電極と、接続電極と、の間の領域に、第３のＥＬ層と、接続電極の端部及び第３のＥＬ層の端部を覆う第３の犠牲層と、を形成し、第１の犠牲層の少なくとも一部と、第２の犠牲層の少なくとも一部と、の除去と並行して、第３の犠牲層のうち、接続電極と重なる領域の少なくとも一部を除去し、接続電極上に、共通電極を形成してもよい。

又は、上記態様において、共通電極は、第３のＥＬ層と電気的に接続されなくてもよい。

本発明の一態様により、信頼性が高い表示装置を提供することができる。又は、本発明の一態様により、低価格な表示装置を提供することができる。又は、本発明の一態様により、高精細な表示装置を提供することができる。又は、本発明の一態様により、高開口率の表示装置を提供することができる。又は、本発明の一態様により、高解像度の表示装置を提供することができる。又は、本発明の一態様により、新規な表示装置を提供することができる。

又は、本発明の一態様により、信頼性が高い表示装置の作製方法を提供することができる。又は、本発明の一態様により、歩留まりの高い表示装置の作製方法を提供することができる。又は、本発明の一態様により、高精細な表示装置の作製方法を提供することができる。又は、本発明の一態様により、高開口率の表示装置の作製方法を提供することができる。又は、本発明の一態様により、高解像度の表示装置の作製方法を提供することができる。又は、本発明の一態様により、新規な表示装置の作製方法を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項等の記載から抽出することが可能である。

図１は、表示装置の構成例を示す平面図である。
図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ１、及び図２Ｃ２は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図３Ａ乃至図３Ｃは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図４Ａ乃至図４Ｃは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図５Ａ及び図５Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ１、及び図６Ｃ２は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図７Ａ乃至図７Ｃは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図８Ａ及び図８Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図９Ａ、図９Ｂ、図９Ｃ、図９Ｄ１、及び図９Ｄ２は、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図１０Ａ乃至図１０Ｄは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図１１Ａ乃至図１１Ｄは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図１２Ａ乃至図１２Ｃは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図１３Ａ及び図１３Ｂは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図１４Ａ乃至図１４Ｄは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図１５Ａ及び図１５Ｂは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図１６Ａ乃至図１６Ｇは、画素の構成例を示す平面図である。
図１７Ａ乃至図１７Ｈは、画素の構成例を示す平面図である。
図１８は、表示装置の一例を示す斜視図である。
図１９Ａは、表示装置の一例を示す断面図である。図１９Ｂ及び図１９Ｃは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図２０は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２１Ａ乃至図２１Ｄは、表示装置の一例を示す断面図である。
図２２Ａ及び図２２Ｂは、表示モジュールの一例を示す斜視図である。
図２３は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２４は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２５は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２６は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２７は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２８は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２９は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３０は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３１は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３２は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３３Ａ乃至図３３Ｆは、発光素子の構成例を示す図である。
図３４Ａ乃至図３４Ｄは、電子機器の一例を示す図である。
図３５Ａ乃至図３５Ｆは、電子機器の一例を示す図である。
図３６Ａ乃至図３６Ｇは、電子機器の一例を示す図である。
図３７Ａ乃至図３７Ｆは、電子機器の一例を示す図である。
図３８Ａ及び図３８Ｂは、本実施例で作製したサンプル断面のＳＴＥＭ像である。
図３９は、本実施例で作製した表示パネルの構成を示す平面図である。
図４０は、本実施例で作製した表示パネルの光学顕微鏡写真である。
図４１は、本実施例で作製した表示パネルの表示写真である。
図４２は、本実施例で作製した表示パネルにおける輝度の経時変化を示すグラフである。
図４３は、本実施例で作製した表示パネルにおけるスペクトル測定結果である。

以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチングパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

なお、本明細書で説明する各図において、各構成要素の大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。

なお、本明細書等における「第１」、及び「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。

なお、以下では「上」、及び「下」等の向きを示す表現は、基本的には図面の向きと合わせて用いるものとする。しかしながら、説明を容易にするため等の目的で、明細書中の「上」又は「下」が意味する向きが、図面とは一致しない場合がある。一例としては、例えば積層体の積層順（又は形成順）を説明する場合に、図面において当該積層体が設けられる側の面（被形成面、支持面、接着面、又は平坦面等）が当該積層体よりも上側に位置していても、その向きを下、これとは反対の向きを上、等と表現する場合がある。

また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、場合によっては、又は、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」又は「絶縁層」という用語は、「導電膜」又は「絶縁膜」という用語に相互に交換することが可能な場合がある。

なお、本明細書等において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられ、少なくとも発光性の物質を含む層（発光層とも呼ぶ）、又は発光層を含む積層体を示すものとする。

本明細書等において、表示装置の一態様である表示パネルは表示面に例えば画像を表示（出力）する機能を有するものである。したがって表示パネルは出力装置の一態様である。

また、本明細書等では、表示パネルの基板に、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）若しくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）等のコネクタが取り付けられたもの、又は基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式等によりＩＣが実装されたものを、表示パネルモジュール、表示モジュール、又は単に表示パネル等と呼ぶ場合がある。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例、及び表示装置の作製方法例について説明する。

本発明の一態様は、画素部と、接続部と、を有する表示装置である。画素部には、画素がマトリクス状に配列される。画素は、少なくとも異なる色の光を射出する２つの副画素を有し、副画素毎に発光素子（発光デバイスともいう）が設けられる。発光素子は、それぞれ画素電極と、共通電極と、を有し、画素電極と共通電極の間にＥＬ層が設けられる。画素電極は、発光素子毎に分離することができ、共通電極は、発光素子間で共通して設けることができる。ここで、ＥＬ層は、少なくとも発光層を有し、好ましくは複数の層を有する。ＥＬ層は、例えば発光層と、発光層上のキャリア輸送層（正孔輸送層、又は電子輸送層）と、を有することが好ましい。

接続部は、接続電極を有し、接続電極と電気的に接続されるように共通電極が設けられる。接続電極は、例えばＦＰＣと電気的に接続される。以上により、例えばＦＰＣに電源電位を供給することにより、接続電極を介して共通電極に電源電位を供給することができる。

画素部に設けられる発光素子として、有機ＥＬ素子、又は無機ＥＬ素子等の電界発光素子を用いることができる。その他、発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いることができる。本発明の一態様の発光素子は、有機ＥＬ素子（有機電界発光素子）であることが好ましい。異なる色を発する２つ以上の発光素子は、それぞれ異なる材料を含むＥＬ層を有する。例えば、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、又は青色（Ｂ）の光を発する３種類の発光素子を有することで、フルカラーの表示装置を実現できる。

ここで、異なる色の発光素子間でＥＬ層を作り分ける場合、メタルマスク等のシャドーマスクを用いた蒸着法により形成することが知られている。しかしながら、この方法では、メタルマスクの精度、メタルマスクと基板との位置ずれ、メタルマスクのたわみ、及び蒸気の散乱等による成膜される膜の輪郭の広がり等、様々な影響により、島状の有機膜の形状及び位置に設計からのずれが生じるため、高精細化、及び高開口率化が困難である。また、蒸着においてメタルマスクに付着した材料に起因するゴミが発生する場合がある。このようなゴミは、発光素子のパターン不良を引き起こす懸念がある。また、ゴミに起因したショートが生じる可能性がある。また、メタルマスクに付着した材料のクリーニングの工程を要する。そのため、例えばペンタイル配列等の特殊な画素配列方式を適用することにより、疑似的に精細度（画素密度ともいう）を高める対策が取られていた。

本発明の一態様は、ＥＬ層をメタルマスク等のシャドーマスクを用いることなく、微細なパターンに加工する。これにより、これまで実現が困難であった高い精細度と、大きな開口率を有する表示装置を実現できる。さらに、ＥＬ層を作り分けることができるため、極めて鮮やかで、コントラストが高く、表示品位の高い表示装置を実現できる。

本明細書等において、メタルマスク、又はＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスという場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、又はＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスという場合がある。

ここでは、簡単のために、絶縁層上に２色の発光素子（第１の発光素子、及び第２の発光素子）を作り分ける場合について説明する。まず、絶縁層上に、第１の画素電極、第２の画素電極、及び接続電極を形成する。続いて、絶縁層上、第１の画素電極上、及び第２の画素電極上に、第１のＥＬ膜を形成する。ここで、画素部と接続部の間の領域にも、第１のＥＬ膜を形成する。

続いて、第１のＥＬ膜上、絶縁層上、及び接続電極上に第１の犠牲膜を形成する。具体的には、第１のＥＬ膜の端部と、接続電極の端部と、を覆うように第１の犠牲膜を形成する。続いて、第１の犠牲膜上にレジストマスクを形成する。続いて、レジストマスクを用いて、第１の犠牲膜、及び第１のＥＬ膜を加工する。これにより、第１の画素電極と重なる領域を有する第１のＥＬ層と、第１のＥＬ層上の第１の犠牲層と、を形成する。また、画素部と接続部の間の領域に設けられる第２のＥＬ層と、第２のＥＬ層の端部、及び接続電極の端部を覆う第２の犠牲層と、を形成する。

第１の犠牲膜、及び第１のＥＬ膜等の膜を加工する方法として、エッチングにより膜の一部を除去する方法が挙げられる。本明細書等において、例えばレジストマスクを用いて膜を加工するという場合、レジストマスクと重ならない領域の当該膜を、エッチングにより除去することを示す。

なお、第１のＥＬ膜を加工する場合、第１のＥＬ膜が有する、発光層として機能する膜の直上でフォトリソグラフィ法を用いて加工する方法が考えられる。この場合、発光層にダメージ（例えば加工によるダメージ）が入り、信頼性が著しく損なわれる場合がある。そこで本発明の一態様の表示装置を作製するには、発光層として機能する膜よりも上方に位置する膜（例えば、キャリア輸送層又はキャリア注入層、より具体的には電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層、又は正孔注入層として機能する膜）の上に犠牲層等を形成し、発光層として機能する膜を加工する。これにより、本発明の一態様の表示装置を信頼性が高い表示装置とすることができる。以降に示す第２のＥＬ膜についても同様である。

続いて、絶縁層上、第１の犠牲層上、第２の画素電極上、及び第２のＥＬ層上に、第２のＥＬ膜を形成する。続いて、第２のＥＬ膜上、第２の犠牲層上に第２の犠牲膜を形成する。続いて、第２の犠牲膜上にレジストマスクを形成する。続いて、レジストマスクを用いて、第２の犠牲膜、及び第２のＥＬ膜を加工する。これにより、第２の画素電極と重なる領域を有する第３のＥＬ層と、第２のＥＬ層上の第３の犠牲層と、を形成する。ここで、第２の犠牲層上の第２の犠牲膜、及び第２のＥＬ層上の第２のＥＬ膜が除去されるように、第２の犠牲膜、及び第２のＥＬ膜を加工する。

第１乃至第３のＥＬ層は、前述のように、少なくとも発光層を有する。また、第１乃至第３のＥＬ層は、発光層の他、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を有することができる。例えば、第１乃至第３のＥＬ層は、上記絶縁層側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層がこの順で積層された構成とすることができる。又は、第１乃至第３のＥＬ層は、上記絶縁層側から電子注入層、電子輸送層、発光層、及び正孔輸送層がこの順で積層された構成とすることができる。

続いて、第１乃至第３の犠牲層の少なくとも一部を除去し、第１のＥＬ層の上面、第３のＥＬ層の上面、及び接続電極の上面をそれぞれ露出させる。その後、共通電極を形成することにより、第１の発光素子、及び第２の発光素子を形成する。前述のように、共通電極は接続電極と電気的に接続される。

前述のように、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、第１のＥＬ層を形成した後、第１のＥＬ層上に第２のＥＬ膜を成膜する。よって、第１のＥＬ層が厚いと、第１のＥＬ層の側面が第２のＥＬ膜により十分に被覆されない場合がある。これにより、第１のＥＬ層と、第２の画素電極と、の間の領域において、第２のＥＬ膜に凹部が形成される場合がある。そして、当該凹部に第２の犠牲膜が入り込み、第２の犠牲膜を加工した後に第２の犠牲膜の残渣が当該凹部に残る場合がある。これにより、表示装置の信頼性が低下する場合がある。そこで、第１のＥＬ層は、薄いことが好ましい。具体的には、第１のＥＬ層の厚さは２００ｎｍ以下であり、１８０ｎｍ以下とすることが好ましく、１５０ｎｍ以下とすることがより好ましく、１３０ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。第１のＥＬ層が薄いことにより、第２のＥＬ膜を被覆性が低い方法で成膜した場合であっても、第２のＥＬ膜は第１のＥＬ層の側面を十分に被覆し、第２のＥＬ膜に上記凹部が形成されることを抑制できる。よって、本発明の一態様の表示装置は、信頼性が高い表示装置とすることができる。

第１のＥＬ層、及び第３のＥＬ層を形成後、共通電極の形成前に、第１のＥＬ層と第３のＥＬ層の間の領域に、有機材料を有する絶縁層を形成することができる。例えば、感光性材料を有する絶縁膜を塗布し、当該絶縁膜をフォトリソグラフィ法を用いて加工することにより、絶縁層を形成することができる。ここで、第１のＥＬ層と第３のＥＬ層の厚さの差が大きいと、第１のＥＬ層の側面と絶縁層の間、又は第３のＥＬ層の側面と絶縁層の間に、空洞が形成される場合がある。当該空洞により、不純物がＥＬ層に侵入しやすくなり、表示装置の信頼性が低下する場合がある。そこで、第１のＥＬ層と第３のＥＬ層の厚さの差は小さいことが好ましい。具体的には、第１のＥＬ層と第３のＥＬ層の厚さの差は、１００ｎｍ以下とすることが好ましく、８０ｎｍ以下とすることがより好ましく、６０ｎｍ以下とすることがより好ましく、４０ｎｍ以下とすることがより好ましく、３０ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。これにより、上記空洞が形成されず、信頼性が高い表示装置を実現できる。なお、本発明の一態様の表示装置は、上記有機材料を有する絶縁層を有さなくてもよい。

ここで、第１のＥＬ層は、第１の画素電極の端部を覆うように設けることができ、第３のＥＬ層は、第２の画素電極の端部を覆うように設けることができる。ここで、第１の画素電極の端部がテーパー形状を有すると、第１のＥＬ層もテーパー形状を有するように形成され、第１のＥＬ層の第１の画素電極に対する被覆性を高めることができ好ましい。同様に、第２の画素電極の端部がテーパー形状を有すると、第３のＥＬ層もテーパー形状を有するように形成され、第３のＥＬ層の第２の画素電極に対する被覆性を高めることができ好ましい。また、第１及び第２の画素電極の端部がテーパー形状を有することで、作製工程中の異物（例えば、ゴミ、又はパーティクル等とも言う）を、洗浄等の処理により好適に除去することができるため好ましい。

［構成例１］
図１は、表示装置１００の構成例を示す平面図である。表示装置１００は、複数の画素１０８がマトリクス状に配列された画素部１０７を有する。画素１０８は、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂを有する。図１では、２行６列の副画素１１０を示しており、これらによって２行２列の画素１０８が構成される。

本明細書等において、例えば副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂに共通する事項を説明する場合には、副画素１１０と呼称して説明する場合がある。アルファベットで区別する他の構成要素についても、これらに共通する事項を説明する場合には、アルファベットを省略した符号を用いて説明する場合がある。

副画素１１０Ｒは赤色の光を呈し、副画素１１０Ｇは緑色の光を呈し、副画素１１０Ｂは青色の光を呈する。これにより、画素部１０７に画像を表示することができる。よって、画素部１０７は表示部ということができる。なお、本実施の形態では、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の３色の副画素を例に挙げて説明するが、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３色の副画素等を用いてもよい。また、副画素の種類は３つに限られず、４つ以上としてもよい。４つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、及び、Ｒ、Ｇ、Ｂ、赤外光（ＩＲ）の４つの副画素、等が挙げられる。

また、図１に示す画素１０８には、ストライプ配列が適用されているということもできる。なお、画素１０８に適用することができる配列方法はこれに限られず、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、デルタ配列、ベイヤー配列、又はジグザグ配列等の配列方法を適用してもよいし、ペンタイル配列、又はダイヤモンド配列等を用いることもできる。

本明細書等において、行方向をＸ方向、列方向をＹ方向という場合がある。Ｘ方向とＹ方向は交差し、例えば垂直に交差する。

図１では、異なる色の副画素がＸ方向に並べて配置されており、同じ色の副画素がＹ方向に並べて配置されている例を示す。なお、異なる色の副画素がＹ方向に並べて配置され、同じ色の副画素がＸ方向に並べて配置されていてもよい。

画素部１０７の外側には、領域１４１及び接続部１４０が設けられ、領域１４１は画素部１０７と接続部１４０の間に設けられる。領域１４１には、ＥＬ層１１２が設けられる。また、接続部１４０には、接続電極１１３が設けられる。

図１では、平面視で、領域１４１、及び接続部１４０が画素部１０７の右側に位置する例を示すが、領域１４１、及び接続部１４０の位置は特に限定されない。領域１４１、及び接続部１４０は、平面視で、画素部１０７の上側、右側、左側、下側の少なくとも一箇所に設けられていればよく、画素部１０７の四辺を囲むように設けられていてもよい。領域１４１、及び接続部１４０の上面形状としては、帯状、Ｌ字状、Ｕ字状、又は枠状等とすることができる。また、領域１４１、及び接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。

図２Ａは、図１中の一点鎖線Ａ１−Ａ２に対応する断面概略図であり、図２Ｂは、図１中の一点鎖線Ｂ１−Ｂ２に対応する断面概略図であり、図２Ｃ１は、図１中の一点鎖線Ｃ１−Ｃ２に対応する断面概略図である。

図２Ａ乃至図２Ｃ１に示すように、表示装置１００は、絶縁層１０１と、絶縁層１０１上の導電層１０２ａ、及び導電層１０２ｂと、絶縁層１０１上、導電層１０２ａ上、及び導電層１０２ｂ上の絶縁層１０３と、絶縁層１０３上の絶縁層１０４と、絶縁層１０４上の絶縁層１０５と、を有する。絶縁層１０１は、基板（図示せず）上に設けられる。絶縁層１０５、絶縁層１０４、及び絶縁層１０３には、導電層１０２ａに達する開口が設けられ、当該開口を埋め込むようにプラグ１０６が設けられる。

画素部１０７において、絶縁層１０５上、及びプラグ１０６上には、発光素子１３０が設けられる。ここで、絶縁層１０１、絶縁層１０３、及び絶縁層１０５は、層間絶縁層として機能する。絶縁層１０１、絶縁層１０３、及び絶縁層１０５としては、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜等の各種無機絶縁膜を好適に用いることができ、具体的には例えば酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化シリコン膜、又は窒化酸化シリコン膜を用いることができる。

なお、本明細書等において、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。

絶縁層１０４は、例えば発光素子１３０に水等の不純物が侵入することを抑制するバリア層として機能する。絶縁層１０４として、例えば窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、又は酸化ハフニウム膜等の、酸化シリコン膜よりも水素又は酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。

導電層１０２ａ、及び導電層１０２ｂは、配線として機能する。導電層１０２ａは、画素部１０７に設けられ、導電層１０２ｂは、領域１４１に設けられる。導電層１０２ａは、プラグ１０６を介して発光素子１３０と電気的に接続される。

導電層１０２ａ、導電層１０２ｂ、及びプラグ１０６には、各種導電材料を用いることができ、例えばアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、又はタングステン（Ｗ）等の金属、又はこれを主成分とする合金（銀とパラジウム（Ｐｄ）と銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ（ＡＰＣ））等）を用いることができる。また、導電層１０２ａ、導電層１０２ｂ、及びプラグ１０６に、酸化スズ、又は酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。

図２Ａには、副画素１１０Ｒに設けられる発光素子１３０Ｒ、副画素１１０Ｇに設けられる発光素子１３０Ｇ、及び副画素１１０Ｂに設けられる発光素子１３０Ｂの断面構成例を示している。図２Ｂには、発光素子１３０Ｇの断面構成例を示している。

発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂとしては、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、又はＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）等のＥＬ素子を用いることが好ましい。ＥＬ素子が有する発光物質としては、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、無機化合物（例えば量子ドット材料）、及び熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｄｅｌａｙｅｄ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）等が挙げられる。

発光素子１３０Ｒは、絶縁層１０５上、及びプラグ１０６上の画素電極１１１Ｒと、画素電極１１１Ｒ上のＥＬ層１１２Ｒと、ＥＬ層１１２Ｒ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。発光素子１３０Ｇは、絶縁層１０５上、及びプラグ１０６上の画素電極１１１Ｇと、画素電極１１１Ｇ上のＥＬ層１１２Ｇと、ＥＬ層１１２Ｇ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。発光素子１３０Ｂは、絶縁層１０５上、及びプラグ１０６上の画素電極１１１Ｂと、画素電極１１１Ｂ上のＥＬ層１１２Ｂと、ＥＬ層１１２Ｂ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。なお、画素電極１１１は、下部電極という場合があり、共通電極１１５は、上部電極という場合がある。

図２Ａ、及び図２Ｂに示すように、画素電極１１１、及びＥＬ層１１２は、発光素子１３０毎に分離して設けられる。一方、共通層１１４、及び共通電極１１５は、発光素子１３０間で共通に設けられる。

ＥＬ層１１２Ｒは、画素電極１１１Ｒの端部を覆うように設けることができ、ＥＬ層１１２Ｇは、画素電極１１１Ｇの端部を覆うように設けることができ、ＥＬ層１１２Ｂは、画素電極１１１Ｂの端部を覆うように設けることができる。例えば、ＥＬ層１１２Ｒは、画素電極１１１Ｒの上端部及び下端部を覆うように設けることができ、ＥＬ層１１２Ｇは、画素電極１１１Ｇの上端部及び下端部を覆うように設けることができ、ＥＬ層１１２Ｂは、画素電極１１１Ｂの上端部及び下端部を覆うように設けることができる。ここで、画素電極１１１の端部がテーパー形状を有すると、ＥＬ層１１２もテーパー形状を有するように形成され、ＥＬ層１１２の画素電極１１１に対する被覆性を高めることができ好ましい。また、画素電極１１１の端部がテーパー形状を有することで、作製工程中の異物（例えば、ゴミ、又はパーティクル等とも言う）を、洗浄等の処理により好適に除去することができるため好ましい。なお、ＥＬ層１１２が画素電極１１１の端部を覆う構成としなくてもよく、例えばＥＬ層１１２の端部が画素電極１１１の端部より内側に位置してもよい。

本明細書等において、テーパー形状とは、構造の側面の少なくとも一部が、基板面に対して傾斜して設けられる形状のことを指す。例えば、傾斜した側面と基板面とがなす角（テーパー角ともいう）が、９０°未満である領域を有する形状のことを指す。

図２Ａ、及び図２Ｂに示すように、絶縁層１０５は、隣接する発光素子１３０の間に凹部を有する場合がある。具体的には、画素電極１１１と重ならない領域における絶縁層１０５の厚さが、画素電極１１１と重なる領域における絶縁層１０５の厚さより薄い場合がある。なお、絶縁層１０５は、隣接する発光素子１３０の間に凹部を有さない場合もある。

発光素子１３０Ｒが有するＥＬ層１１２Ｒは、少なくとも赤色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。発光素子１３０Ｇが有するＥＬ層１１２Ｇは、少なくとも緑色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。発光素子１３０Ｂが有するＥＬ層１１２Ｂは、少なくとも青色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。ＥＬ層１１２に含まれる、発光性の有機化合物を有する層は、発光層ということができる。

ＥＬ層１１２は、少なくとも発光層を有する。また、ＥＬ層１１２は、発光層と、発光層上のキャリア輸送層を有することが好ましい。これにより、表示装置１００の作製工程中に、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、表示装置１００の信頼性を高めることができる。

また、ＥＬ層１１２は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を有することができる。例えば、ＥＬ層１１２は、画素電極１１１側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層がこの順で積層された構成とすることができる。又は、ＥＬ層１１２は、画素電極１１１側から電子注入層、電子輸送層、発光層、及び正孔輸送層がこの順で積層された構成とすることができる。

本明細書等において、正孔又は電子を、「キャリア」といって示す場合がある。具体的には、正孔注入層又は電子注入層を「キャリア注入層」といい、正孔輸送層又は電子輸送層を「キャリア輸送層」といい、正孔ブロック層又は電子ブロック層を「キャリアブロック層」という場合がある。なお、上述のキャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層は、それぞれ、断面形状、又は特性等によって明確に区別できない場合がある。また、１つの層が、キャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層のうち２つ又は３つの機能を兼ねる場合がある。

共通層１１４は、電子注入層、又は正孔注入層とすることができる。共通層１１４が電子注入層を有する場合、ＥＬ層１１２は電子注入層を有する必要がなく、共通層１１４が正孔注入層を有する場合、ＥＬ層１１２は正孔注入層を有する必要がない。ここで、共通層１１４としては、できるだけ電気抵抗の低い材料を用いることが好ましい。又は、できるだけ薄く形成することで、共通層１１４の厚さ方向の電気抵抗を低減することができ好ましい。例えば、共通層１１４の厚さは、１ｎｍ以上５ｎｍ以下とすることが好ましく、１ｎｍ以上３ｎｍ以下とすることがより好ましい。

なお、共通層１１４は、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、又は電子輸送層を有してもよい。以上より、共通層１１４は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、又は電子注入層のうち少なくとも１つを有することができる。共通層１１４に含まれる層は、ＥＬ層１１２には含めない構成とすることができる。

画素電極１１１として、例えば金属材料を用いることができる。例えば、画素電極１１１として、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、及びチタン等の金属材料、又は該金属材料を含む合金材料（例えば銀とマグネシウムの合金）を用いることができる。又は、該金属材料の窒化物（例えば窒化チタン）等を画素電極１１１に用いてもよい。

共通電極１１５は、可視光に対して透光性を有する導電層とすることができる。例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、若しくはガリウムを含む酸化亜鉛等の導電性酸化物、又はグラフェンを、共通電極１１５に用いることができる。又は、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、及びチタン等の金属材料、又は該金属材料を含む合金材料を共通電極１１５に用いることができる。又は、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等を共通電極１１５に用いてもよい。なお、金属材料、又は合金材料（又はそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすることが好ましい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物との積層膜を共通電極１１５に用いると、共通電極１１５の導電性を高めることができるため好ましい。

ＥＬ層１１２上には、保護層１４６が設けられる。例えば、ＥＬ層１１２の、共通層１１４と接しない領域に、保護層１４６が設けられる。

前述のように、画素電極１１１の端部は、テーパー形状を有することができる。これにより、画素電極１１１の端部に沿って設けられる保護層１４６の被覆性を高めることができる。また、表示装置１００の作製工程中に発生する異物（例えば、ゴミ、又はパーティクル等とも言う）を、洗浄等の処理により好適に除去することができる。

隣接する２つの発光素子１３０間の領域には、絶縁層１２５と、絶縁層１２６が設けられる。具体的には、絶縁層１２５は、例えばＥＬ層１１２の側面、保護層１４６の側面、保護層１４６の上面、及び絶縁層１０５の上面に沿って設けられる。絶縁層１２５を設けることにより、ＥＬ層１１２の側面から内部へ水等の不純物が侵入することを抑制できる。

絶縁層１２６は、絶縁層１２５上に設けられる。絶縁層１２６により、隣接する発光素子１３０の間に位置する凹部を埋めることができる。これにより、絶縁層１２６上の共通電極１１５の被覆性を高めることができる。よって、共通電極１１５に段切れが発生することを抑制でき、接続不良の発生を抑制できる。また、段差によって共通電極１１５が局所的に薄膜化して電気抵抗が上昇することを抑制できる。以上より、表示装置１００を信頼性が高い表示装置とすることができる。

絶縁層１２５は、ＥＬ層１１２の側面に接して設けられるため、ＥＬ層１１２と、絶縁層１２６とが接しない構造とすることができる。ＥＬ層１１２と、絶縁層１２６とが接すると、特にＥＬ層１１２が有機化合物を有する場合、例えば絶縁層１２６に含まれる有機溶媒によりＥＬ層１１２が溶解する可能性がある。このため、図２Ａ、及び図２Ｂに示すように、ＥＬ層１１２と絶縁層１２６との間に絶縁層１２５を設ける構成とすることで、ＥＬ層１１２の側面を保護することができる。

保護層１４６、及び絶縁層１２５は、無機材料を有することができる。保護層１４６、及び絶縁層１２５には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜を用いることができる。保護層１４６、及び絶縁層１２５は単層構造であってもよく積層構造であってもよい。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、インジウムガリウム亜鉛酸化物膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜等が挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜等が挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、及び酸化窒化アルミニウム膜等が挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、及び窒化酸化アルミニウム膜等が挙げられる。特に原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜を保護層１４６、及び絶縁層１２５に適用することで、ピンホールが少なく、ＥＬ層１１２を保護する機能に優れた保護層１４６、及び絶縁層１２５を形成することができる。

保護層１４６、及び絶縁層１２５の形成は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、又はＡＬＤ法等を用いることができる。絶縁層１２５は、被覆性が良好なＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。

絶縁層１２６は、有機材料を有することができる。例えば、絶縁層１２６として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。絶縁層１２６が樹脂を有する場合、絶縁層１２６は樹脂層ということができる。

また、絶縁層１２６として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、又はアルコール可溶性のポリアミド樹脂等の有機材料を用いてもよい。

また、絶縁層１２６として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂としてはフォトレジストを用いてもよい。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、又はネガ型の材料を用いることができる。

また、絶縁層１２６として、着色された材料（例えば、黒色の顔料を含む材料）を用いることで、隣接する画素からの迷光を遮断し、混色を抑制する機能を付与してもよい。

また、絶縁層１２５と、絶縁層１２６との間に、反射膜（例えば、銀、パラジウム、銅、チタン、及びアルミニウム等の中から選ばれる一又は複数を含む金属膜）を設け、発光層から射出される光を上記反射膜により反射させ、光取り出し効率を向上させる機能を表示装置１００に付与してもよい。

共通電極１１５上には、発光素子１３０を覆って、保護層１２１が設けられる。保護層１２１は、上方から発光素子１３０に水等の不純物が拡散することを防ぐ機能を有する。

保護層１２１としては、例えば、少なくとも無機絶縁膜を含む単層構造又は積層構造とすることができる。無機絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、及び酸化ハフニウム膜等の酸化物膜又は窒化物膜が挙げられる。又は、保護層１２１としてインジウムガリウム酸化物、又はインジウムガリウム亜鉛酸化物等の半導体材料を用いてもよい。

保護層１２１としては、無機絶縁膜と、有機絶縁膜の積層膜を用いることもできる。例えば、一対の無機絶縁膜の間に、有機絶縁膜を挟んだ構成とすることが好ましい。さらに有機絶縁膜が平坦化膜として機能することが好ましい。これにより、有機絶縁膜の上面を平坦なものとすることができるため、その上の無機絶縁膜の被覆性が向上し、バリア性を高めることができる。また、保護層１２１の上面が平坦となるため、保護層１２１の上方に構造物（例えばカラーフィルタ、タッチセンサの電極、又はレンズアレイ等）を設ける場合に、下方の構造に起因する凹凸形状の影響を軽減できるため好ましい。

図２Ｃ１は、領域１４１、及び接続部１４０の構成例を示す断面図である。前述のように、領域１４１において、絶縁層１０１上に導電層１０２ｂが設けられ、絶縁層１０１上、及び導電層１０２ｂ上に絶縁層１０３が設けられる。

領域１４１には、絶縁層１０５上のＥＬ層１１２と、絶縁層１０５上、及びＥＬ層１１２層上の保護層１４６と、保護層１４６上の絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２６と、絶縁層１２６上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、共通電極１１５上の保護層１２１と、が設けられる。領域１４１において、保護層１４６は例えばＥＬ層１１２の端部を覆うように設けられる。

領域１４１に設けられるＥＬ層１１２は、共通電極１１５とは電気的に接続されない。よって、領域１４１に設けられるＥＬ層１１２は、電圧が印加されない構成とすることができるため、領域１４１に設けられるＥＬ層１１２は発光しない構成とすることができる。

領域１４１に設けられるＥＬ層１１２は、少なくとも赤色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物、緑色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物、又は青色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物のいずれかを有する。つまり、領域１４１に設けられるＥＬ層１１２は、発光素子１３０が有するＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、又はＥＬ層１１２Ｂのいずれかと同じ構成とすることができる。

領域１４１にＥＬ層１１２及び保護層１４６が設けられる構成の表示装置では、詳細は後述するが、表示装置の作製工程中に絶縁層１０５、絶縁層１０４、及び絶縁層１０３の一部がエッチング等により除去され、導電層１０２ｂが露出することを防ぐことができる。これにより、導電層１０２ｂが、意図せず他の電極、又は層等と接触することを防ぐことができる。例えば、導電層１０２ｂと共通電極１１５のショートを防ぐことができる。以上より、表示装置１００は、信頼性が高い表示装置とすることができる。また、表示装置１００は、歩留まりが高い方法で作製できるため、表示装置１００は、低価格な表示装置とすることができる。

接続部１４０は、絶縁層１０５上の接続電極１１３と、接続電極１１３上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、共通電極１１５上の保護層１２１と、を有する。また、接続電極１１３の端部を覆うように保護層１４６が設けられ、保護層１４６上に絶縁層１２５、絶縁層１２６、共通層１１４、共通電極１１５、及び保護層１２１がこの順で積層して設けられる。

接続部１４０において、接続電極１１３と共通電極１１５が電気的に接続される。接続電極１１３は、例えばＦＰＣ（図示せず）と電気的に接続される。以上により、例えばＦＰＣに電源電位を供給することにより、接続電極１１３を介して共通電極１１５に電源電位を供給することができる。

ここで、共通層１１４の厚さ方向の電気抵抗が無視できる程度に小さい場合、接続電極１１３と、共通電極１１５と、の間に共通層１１４が設けられる場合であっても、接続電極１１３と共通電極１１５との導通を確保することができる。画素部１０７だけでなく、領域１４１及び接続部１４０にも共通層１１４を設けることで、例えば成膜エリアを規定するためのマスク（ファインメタルマスクと区別して、エリアマスク、又はラフメタルマスク等ともいう。）も含めたメタルマスクを用いずに、共通層１１４を形成することができる。よって、表示装置１００の作製工程を簡略化することができる。

図２Ｃ２は、図２Ｃ１に示す構成の変形例である。図２Ｃ２には、接続部１４０に共通層１１４を設けない構成例を示している。図２Ｃ２に示す例では、接続電極１１３と、共通電極１１５と、が接する構成とすることができる。これにより、接続電極１１３と共通電極１１５との間の電気抵抗を小さくすることができる。なお、図２Ｃ２では、領域１４１において、ＥＬ層１１２と重なる領域には共通層１１４が設けられ、ＥＬ層１１２と重ならない領域には共通層１１４が設けられない構成を示しているが、これに限られない。例えば、領域１４１において、ＥＬ層１１２と重なる領域に共通層１１４が設けられなくてもよいし、ＥＬ層１１２と重ならない領域に共通層１１４が設けられてもよい。

図３Ａは、図２Ａにおける、発光素子１３０Ｒと発光素子１３０Ｇの間の領域１３１ａ、及び発光素子１３０Ｇと発光素子１３０Ｂの間の領域１３１ｂの拡大図である。

図３Ａでは、ＥＬ層１１２Ｂの膜厚ｔｅ_ＢがＥＬ層１１２Ｒの膜厚ｔｅ_Ｒより厚く、ＥＬ層１１２Ｒの膜厚ｔｅ_ＲがＥＬ層１１２Ｇの膜厚ｔｅ_Ｇより厚い構成例を示している。ここで、詳細は後述するが、膜厚ｔｅ_Ｒ、膜厚ｔｅ_Ｇ、及び膜厚ｔｅ_Ｂを薄くすると、表示装置１００の作製工程に起因した不良の発生を抑制できる。これにより、表示装置１００を信頼性の高い表示装置とすることができる。また、表示装置１００の作製における歩留まりを高め、表示装置１００を低価格な表示装置とすることができる。例えば、ＥＬ層１１２が画素電極１１１上の発光層と、発光層上のキャリア輸送層と、を有する場合、膜厚ｔｅ_Ｒ、膜厚ｔｅ_Ｇ、及び膜厚ｔｅ_Ｂは、２００ｎｍ以下とすることが好ましく、１８０ｎｍ以下とすることがより好ましい。また、膜厚ｔｅ_Ｒ、膜厚ｔｅ_Ｇ、及び膜厚ｔｅ_Ｂのうち２つは、１５０ｎｍ以下とすることが好ましく、１３０ｎｍ以下とすることがより好ましい。

ここで、画素電極１１１Ｒの上面と共通層１１４の下面との間の距離を膜厚ｔｅ_Ｒとし、画素電極１１１Ｇの上面と共通層１１４の下面との間の距離を膜厚ｔｅ_Ｇとし、画素電極１１１Ｂの上面と共通層１１４の下面との間の距離を膜厚ｔｅ_Ｂとすることもできる。また、画素電極１１１Ｒの上面と共通電極１１５の下面との間の距離を膜厚ｔｅ_Ｒとし、画素電極１１１Ｇの上面と共通電極１１５の下面との間の距離を膜厚ｔｅ_Ｇとし、画素電極１１１Ｂの上面と共通電極１１５の下面との間の距離を膜厚ｔｅ_Ｂとすることもできる。例えば、ＥＬ層１１２と共通層１１４の境界を明確に確認できない場合、又は共通層１１４が設けられない場合は、画素電極１１１Ｒの上面と共通電極１１５の下面との間の距離を膜厚ｔｅ_Ｒとし、画素電極１１１Ｇの上面と共通電極１１５の下面との間の距離を膜厚ｔｅ_Ｇとし、画素電極１１１Ｂの上面と共通電極１１５の下面との間の距離を膜厚ｔｅ_Ｂとすることができる。

また、膜厚ｔｅ_Ｒと膜厚ｔｅ_Ｇの差が大きいと、領域１３１ａにおいて、ＥＬ層１１２の側面と絶縁層１２６の間に空洞が形成される場合がある。特に、ＥＬ層１１２ＲとＥＬ層１１２Ｇのうち、膜厚が小さい方のＥＬ層１１２の側面と、絶縁層１２６と、の間に空洞が形成される場合がある。また、膜厚ｔｅ_Ｇと膜厚ｔｅ_Ｂの差が大きいと、領域１３１ｂにおいて、ＥＬ層１１２の側面と絶縁層１２６の間に空洞が形成される場合がある。特に、ＥＬ層１１２ＧとＥＬ層１１２Ｂのうち、膜厚が小さい方のＥＬ層１１２の側面と、絶縁層１２６と、の間に空洞が形成される場合がある。このような空洞が形成されることにより、不純物がＥＬ層１１２に侵入しやすくなり、表示装置の信頼性が低下する場合がある。

以上より、膜厚ｔｅ_Ｒ、膜厚ｔｅ_Ｇ、及び膜厚ｔｅ_Ｂの差は、互いに小さいことが好ましい。具体的には、膜厚ｔｅ_Ｒ、膜厚ｔｅ_Ｇ、及び膜厚ｔｅ_Ｂのうち、最も大きい膜厚と最も小さい膜厚の差が１００ｎｍ以下であることが好ましく、９０ｎｍ以下であることがより好ましく、８５ｎｍ以下であることがより好ましく、８０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。これにより、上記空洞が形成されず、表示装置１００を信頼性が高い表示装置とすることができる。

本明細書等において、第１の値と第２の値の「差」という場合、第１の値から第２の値を引いた値の絶対値を示すものとする。例えば、第１の膜厚と第２の膜厚の差は、第１の膜厚から第２の膜厚を引いた値の絶対値を示すものとする。なお、符号も含めた値を、「差」という場合がある。例えば、第１の値が第２の値より小さい場合、第１の値と第２の値の差は、負の値となる場合がある。

図３Ａでは、絶縁層１０５の、ＥＬ層１１２Ｒの下面と接する領域における膜厚ｔｉ_Ｒと、ＥＬ層１１２Ｇの下面と接する領域における膜厚ｔｉ_Ｇと、ＥＬ層１１２Ｂの下面と接する領域における膜厚ｔｉ_Ｂと、が互いに等しい例を示しているが、これに限らない。図３Ｂは、膜厚ｔｉ_Ｇが膜厚ｔｉ_Ｒより小さく、膜厚ｔｉ_Ｂが膜厚ｔｉ_Ｇより小さい例を示している。後述する表示装置１００の作製工程に起因して、膜厚ｔｉ_Ｒ、膜厚ｔｉ_Ｇ、及び膜厚ｔｉ_Ｂが互いに異なる場合がある。また、図３Ｂに示すように、絶縁層１０５の、絶縁層１２５の下面と接する領域における膜厚は、膜厚ｔｉ_Ｒ、膜厚ｔｉ_Ｇ、及び膜厚ｔｉ_Ｂのいずれよりも小さくなる場合がある。

図３Ｃは、図３Ａに示す構成の変形例であり、膜厚ｔｅ_Ｂが膜厚ｔｅ_Ｒ、及び膜厚ｔｅ_Ｇより小さい例を示している。図３Ｃに示す例では、膜厚ｔｅ_Ｂが膜厚ｔｅ_Ｇより小さく、膜厚ｔｅ_Ｇが膜厚ｔｅ_Ｒより小さい例を示している。

図４Ａは、図３Ａに示す構成の変形例であり、保護層１４６の端部、絶縁層１２５の端部、及び絶縁層１２６の端部が、画素電極１１１の上端部１３３と一致する例を示している。図４Ｂは、図４Ａに示す構成の変形例であり、保護層１４６の端部、絶縁層１２５の端部、及び絶縁層１２６の端部が、画素電極１１１の上端部１３３より内側（発光領域側）に位置する例を示している。つまり、図４Ｂでは、画素電極１１１の上面の一部が、保護層１４６、絶縁層１２５、及び絶縁層１２６と重なる例を示している。図４Ｃは、図４Ａに示す構成の変形例であり、保護層１４６の端部、絶縁層１２５の端部、及び絶縁層１２６の端部が、画素電極１１１の側面（テーパー部）と重なる、ＥＬ層１１２の上端部１３４と一致する例を示している。上端部１３４は上端部１３３より外側（発光領域とは反対側）に位置することから、保護層１４６の端部、絶縁層１２５の端部、及び絶縁層１２６の端部は、画素電極１１１の上端部１３３より外側（発光領域とは反対側）に位置する。

図４Ａに示す構成、及び図４Ｃに示す構成では、画素電極１１１と、ＥＬ層１１２と、共通電極１１５と、が絶縁層１２６を介さずに重なる領域の面積を、図４Ｂに示す構成より大きくすることができる。これにより、図４Ａに示す構成の表示装置１００、及び図４Ｃに示す構成の表示装置１００は、図４Ｂに示す構成の表示装置１００より発光領域を広くできるため、開口率を高めることができる。一方、図４Ｂに示す構成の表示装置１００は、図４Ａに示す構成の表示装置１００、及び図４Ｃに示す構成の表示装置１００より簡易に作製することができる。

また、図４Ｃでは、ＥＬ層１１２の、絶縁層１０５の上面と接する領域におけるＸ方向の長さｘ_ｔが、図４Ａ、及び図４Ｂに示す構成より短い例を示している。これにより、図４Ｃに示す構成では、画素電極１１１の面積を図４Ａに示す構成、及び図４Ｂに示す構成より大きくすることができる。よって、図４Ｃに示す構成では、画素電極１１１と、ＥＬ層１１２と、共通電極１１５と、が絶縁層１２６を介さずに重なる領域の面積を、図４Ａに示す構成、及び図４Ｂに示す構成より大きくすることができる。以上より、図４Ｃに示す構成の表示装置１００は、図４Ａに示す構成の表示装置１００、及び図４Ｂに示す構成の表示装置１００より開口率を高めることができる。

図５Ａは、図４Ｂに示す構成において、絶縁層１２６と共通層１１４の間に保護層１５１を設け、且つ保護層１５１の端部が絶縁層１２６の端部と一致する例を示している。図５Ｂは、図４Ｃに示す構成において、絶縁層１２６と共通層１１４の間に保護層１５１を設け、且つ保護層１５１が絶縁層１２６の端部を覆う例を示している。つまり、図５Ｂに示す構成では、保護層１５１の端部が、画素電極１１１の上面と重なる。

保護層１５１は、酸素、及び水等に対するバリア性が高い層とすることが好ましい。これにより、例えば樹脂等の有機絶縁材料を有することができる絶縁層１２６に含まれる酸素、及び水等の不純物が、共通層１１４に侵入することを抑制できる。よって、表示装置１００を信頼性が高い表示装置とすることができる。

保護層１５１として、無機絶縁材料を用いることができ、例えば窒化物を用いることができる。具体的には、保護層１５１は、窒化シリコン、窒化アルミニウム、又は窒化ハフニウムのうち少なくとも１つを含むことができる。また、保護層１５１として酸化物、又は酸化窒化物を用いることができ、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、若しくは酸化窒化ハフニウム等の、酸化物膜又は酸窒化物膜を用いることができる。また、保護層１５１は、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ＰＬＤ法、又はＡＬＤ法を用いて形成することができる。

図５Ａに示す構成の表示装置１００は、図５Ｂに示す構成の表示装置１００より開口率を高めることができる。一方、図５Ｂに示す構成の表示装置１００は、図５Ａに示す構成の表示装置１００より簡易に作製することができる。

図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ１、図６Ｃ２、図７Ａ、図７Ｂ、及び図７Ｃにはそれぞれ、図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ１、図２Ｃ２、図３Ａ、図３Ｂ、及び図３Ｃに示す構成の変形例を示しており、絶縁層１２６が設けられない例を示している。絶縁層１２６が設けられない場合、例えば図７Ａに示すように、共通層１１４は、隣接するＥＬ層１１２の間に位置する領域を有する。さらに、共通電極１１５も、隣接するＥＬ層１１２の間に位置する領域を有する場合がある。

図８Ａは、図７Ａに示す構成の変形例であり、絶縁層１２５と共通層１１４の間に保護層１２７が設けられる例を示している。図８Ｂは、図８Ａに示す構成を有する表示装置１００における、接続部１４０、及び領域１４１の構成例を示す断面図である。図８Ａに示すように、保護層１２７の端部は、絶縁層１２５の端部と一致させることができる。

絶縁層１２５上に保護層１２７を設けることにより、ＥＬ層１１２へ水等の不純物が侵入することを好適に抑制できる。よって、表示装置１００を、信頼性が高い表示装置とすることができる。

保護層１２７には、絶縁層１２５に用いることができる材料を用いることができる。この場合、保護層１２７として、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜等の窒化絶縁膜を好適に用いることができる。絶縁層１２５に用いることができる材料を保護層１２７に用いる場合、保護層１２７の形成は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＰＬＤ法、又はＡＬＤ法等を用いることができるが、被覆性が良好なＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。

また、保護層１２７として、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物）等の金属酸化物を用いることができる。さらに、酸化インジウム、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物）、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、又はインジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）等を用いることができる。又はシリコンを含むインジウムスズ酸化物等を用いることもできる。

なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、又はマグネシウムから選ばれた一種又は複数種）を用いた場合にも適用できる。特に、Ｍは、ガリウム、アルミニウム、又はイットリウムから選ばれた一種又は複数種とすることが好ましい。

保護層１２７として金属酸化物を用いる場合、保護層１２７はスパッタリング法を用いて形成することができる。

［作製方法例１］
以下では、本発明の一態様の表示装置の作製方法の一例について、図面を参照して説明する。ここでは、上記構成例で示した表示装置１００を例に挙げて説明する。

なお、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び導電膜等）は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ＰＬＤ法、又はＡＬＤ法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、及び熱ＣＶＤ法等がある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。さらに、ＡＬＤ法としては、ＰＥＡＬＤ法、及び熱ＡＬＤ法等がある。

また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、又はナイフコート等の方法により形成することができる。

また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、例えばフォトリソグラフィ法を用いることができる。それ以外に、ナノインプリント法、サンドブラスト法、又はリフトオフ法等により薄膜を加工してもよい。また、メタルマスク等の遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。

フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。一つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、例えばエッチングにより当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう一つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、及び現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。

フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、又はこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、又はＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−Ｖｉｏｌｅｔ）光、又はＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線、又は電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビーム等のビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、又はサンドブラスト法等を用いることができる。

図９Ａ乃至図１１Ｄは、発光素子１３０が図２Ａに示す構成であり、接続部１４０が図２Ｃ１に示す構成である表示装置１００の作製方法例を示す断面図である。図９Ａ乃至図１１Ｄでは、図１中の一点鎖線Ａ１−Ａ２に対応する断面図、及び一点鎖線Ｃ１−Ｃ２に対応する断面図を示している。

上記表示装置１００を作製するには、まず、基板（図示せず）上に絶縁層１０１を形成する。続いて、絶縁層１０１上に導電層１０２ａ、及び導電層１０２ｂを形成し、導電層１０２ａ、及び導電層１０２ｂを覆うように絶縁層１０１上に絶縁層１０３を形成する。続いて、絶縁層１０３上に絶縁層１０４を形成し、絶縁層１０４上に絶縁層１０５を形成する。

基板としては、少なくとも後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する基板を用いることができる。基板として、絶縁性基板を用いる場合には、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、又は有機樹脂基板等を用いることができる。また、シリコン又は炭化シリコン等を材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、又はＳＯＩ基板等の半導体基板を用いることができる。

続いて、絶縁層１０５、絶縁層１０４、及び絶縁層１０３に、導電層１０２ａに達する開口を形成する。続いて、当該開口を埋め込むように、プラグ１０６を形成する。

続いて、絶縁層１０５上、及びプラグ１０６上に、後に画素電極１１１、及び接続電極１１３となる導電膜を成膜する。続いて、当該導電膜の一部をエッチング等により加工し、絶縁層１０５上、及びプラグ１０６上に画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂを形成する。また、絶縁層１０５上に接続電極１１３を形成する（図９Ａ）。

ここで、画素電極１１１の側面、及び接続電極１１３の側面がテーパー形状となるように、上記導電膜を加工することが好ましい。これにより、以降の工程で発生する異物を、洗浄等の処理により好適に除去することができる。

なお、上記導電膜のエッチングの際に、絶縁層１０５の一部がエッチングされ、絶縁層１０５に凹部が形成される場合がある。具体的には、画素電極１１１、及び接続電極１１３と重ならない領域における絶縁層１０５の厚さが、画素電極１１１、又は接続電極１１３と重なる領域における絶縁層１０５の厚さより小さくなる場合がある。なお、上記導電膜と、絶縁層１０５と、のエッチング選択性が高い場合は、絶縁層１０５に凹部が形成されない場合がある。

続いて、絶縁層１０５上、画素電極１１１上、及び接続電極１１３上に、後にＥＬ層１１２ＲとなるＥＬ膜１１２Ｒｆを形成する。ここで、ＥＬ膜１１２Ｒｆは、接続電極１１３とは重ならないように設けることができる。例えば、接続電極１１３が含まれる領域をメタルマスクで遮蔽してＥＬ膜１１２Ｒｆを形成することにより、ＥＬ膜１１２Ｒｆを、接続電極１１３と重ならないように形成することができる。この際に用いるメタルマスクでは表示部の画素領域の遮蔽は行わなくてもよいため、高精細なマスクを用いる必要はなく、例えばラフメタルマスクを用いることができる。

ＥＬ膜１１２Ｒｆは、少なくとも発光性の化合物を含む膜（発光膜）を有する。また、ＥＬ膜１１２Ｒｆは、発光膜と、発光膜上のキャリア輸送層として機能する膜と、を有することが好ましい。これにより、表示装置１００の作製工程中に、発光膜が最表面に露出することを抑制し、発光膜が受けるダメージを低減することができる。これにより、表示装置１００の信頼性を高めることができる。

また、ＥＬ膜１１２Ｒｆは、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、又は電子注入層として機能する膜のうち、一以上が積層された構成とすることができる。例えば、ＥＬ膜１１２Ｒｆは、正孔注入層として機能する膜、正孔輸送層として機能する膜、発光膜、及び電子輸送層として機能する膜がこの順で積層された構成とすることができる。又は、ＥＬ膜１１２Ｒｆは、電子注入層として機能する膜、電子輸送層として機能する膜、発光膜、及び正孔輸送層として機能する膜がこの順で積層された構成とすることができる。

ＥＬ膜１１２Ｒｆは、例えば蒸着法、スパッタリング法、又はインクジェット法等により形成することができる。なおこれに限られず、上述した成膜方法を適宜用いることができる。

続いて、絶縁層１０５上、ＥＬ膜１１２Ｒｆ上、及び接続電極１１３上に犠牲膜１４４Ｒａを形成し、犠牲膜１４４Ｒａ上に犠牲膜１４４Ｒｂを形成する。つまり、絶縁層１０５上、ＥＬ膜１１２Ｒｆ上、及び接続電極１１３上に、２層積層構造の犠牲膜を形成する。なお、犠牲膜は１層としてもよいし、３層以上の積層構造としてもよい。以降の工程において犠牲膜を形成する場合も、２層積層構造の犠牲膜を形成するものとするが、１層としてもよいし、３層以上の積層構造としてもよい。ここで、犠牲膜１４４Ｒａは、ＥＬ膜１１２Ｒｆの端部を覆うように形成することができる。

犠牲膜１４４Ｒａ及び犠牲膜１４４Ｒｂの形成には、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法、又は真空蒸着法を用いることができる。なお、ＥＬ膜へのダメージが少ない形成方法が好ましく、ＥＬ膜１１２Ｒｆ上に直接形成する犠牲膜１４４Ｒａは、ＡＬＤ法、又は真空蒸着法を用いて形成すると好適である。

犠牲膜１４４Ｒａとして、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、若しくは無機絶縁膜等の無機膜、又は有機絶縁膜等の有機膜を好適に用いることができる。

また、犠牲膜１４４Ｒａとして、酸化物膜を用いることができる。代表的には、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、若しくは酸化窒化ハフニウム等の、酸化物膜又は酸窒化物膜を用いることができる。また、犠牲膜１４４Ｒａとして、例えば窒化物膜を用いることもできる。具体的には、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化ハフニウム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化ガリウム、又は窒化ゲルマニウム等の窒化物を用いることもできる。このような無機絶縁材料を有する膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、又はＡＬＤ法等の成膜方法を用いて形成することができるが、ＥＬ膜１１２Ｒｆ上に直接形成する犠牲膜１４４Ｒａは、特にＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。

また、犠牲膜１４４Ｒａとして、例えばニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、コバルト、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタル等の金属材料、又は該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウム又は銀等の低融点材料を用いることが好ましい。

また、犠牲膜１４４Ｒａとして、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物）等の金属酸化物を用いることができる。さらに、酸化インジウム、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物）、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、又はインジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）等を用いることができる。又はシリコンを含むインジウムスズ酸化物等を用いることもできる。

なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、又はマグネシウムから選ばれた一種又は複数種）を用いた場合にも適用できる。特に、Ｍは、ガリウム、アルミニウム、又はイットリウムから選ばれた一種又は複数種とすることが好ましい。

犠牲膜１４４Ｒｂとして、上記に挙げた犠牲膜１４４Ｒａとして用いることができる材料を用いることができる。例えば、上記に挙げた犠牲膜１４４Ｒａとして用いることができる材料から、犠牲膜１４４Ｒａとして一を選択し、犠牲膜１４４Ｒｂとして他の一を選択することができる。また、上記に挙げた犠牲膜１４４Ｒａとして用いることができる材料のうち、犠牲膜１４４Ｒａには一又は複数の材料を選択し、犠牲膜１４４Ｒｂには、犠牲膜１４４Ｒａとして選択された材料以外から選択された一又は複数の材料を用いることができる。

具体的には、犠牲膜１４４Ｒａとして、ＡＬＤ法を用いて形成された酸化アルミニウムを用い、犠牲膜１４４Ｒｂとして、スパッタリング法を用いて形成された窒化シリコンを用いると好適である。なお、当該構成の場合、ＡＬＤ法、及びスパッタリング法で成膜する際の成膜温度としては、室温以上１２０℃以下、好ましくは室温以上１００℃以下とすることで、ＥＬ膜１１２Ｒｆに与える影響を低減することができるため好適である。また、犠牲膜１４４Ｒａと犠牲膜１４４Ｒｂの積層構造の場合、当該積層構造の応力が小さいほうが好ましい。具体的には、積層構造の応力が、−５００ＭＰａ以上＋５００ＭＰａ以下、より好ましくは、−２００ＭＰａ以上＋２００ＭＰａ以下とすると、膜剥がれ、及びピーリング等の工程トラブルを抑制できるため好適である。

犠牲膜１４４Ｒａは、ＥＬ膜１１２Ｒｆ等の各ＥＬ膜のエッチング処理に対する耐性の高い膜、すなわちエッチングの選択比の大きい膜を用いることができる。また、犠牲膜１４４Ｒａは、各ＥＬ膜へのダメージの少ないウェットエッチング法により除去可能な膜を用いることが特に好ましい。

また、犠牲膜１４４Ｒａとして、化学的に安定な溶媒に溶解しうる材料を用いてもよい。特に、水又はアルコールに溶解する材料を、犠牲膜１４４Ｒａに好適に用いることができる。犠牲膜１４４Ｒａを成膜する際には、水又はアルコール等の溶媒に溶解させた状態で、湿式の成膜方法で塗布した後に、溶媒を蒸発させるための加熱処理を行うことが好ましい。このとき、減圧雰囲気下での加熱処理を行うことで、低温且つ短時間で溶媒を除去できるため、ＥＬ膜１１２Ｒｆへの熱的なダメージを低減することができ、好ましい。

犠牲膜１４４Ｒａの形成に用いることのできる湿式の成膜方法としては、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、及びナイフコート等がある。

犠牲膜１４４Ｒａとしては、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、又はアルコール可溶性のポリアミド樹脂等の有機材料を用いることができる。

犠牲膜１４４Ｒｂには、犠牲膜１４４Ｒａとのエッチング選択比の大きい膜を用いればよい。

犠牲膜１４４Ｒａとして、ＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、又は酸化シリコン等の無機絶縁材料を用い、犠牲膜１４４Ｒｂとして、スパッタリング法により形成した、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、コバルト、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタル等の金属材料、又は該金属材料を含む合金材料を用いることが好ましい。特に、犠牲膜１４４Ｒｂとして、スパッタリング法により形成したタングステンを用いることが好ましい。また、犠牲膜１４４Ｒｂとして、スパッタリング法により形成した、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物）等のインジウムを含む金属酸化物を用いてもよい。さらに、犠牲膜１４４Ｒｂとして、無機材料を用いてもよい。例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜等の酸化物膜又は窒化物膜を用いることができる。

また、犠牲膜１４４Ｒｂとして、例えばＥＬ膜１１２Ｒｆに用いることのできる有機膜を用いてもよい。例えば、ＥＬ膜１１２Ｒｆに用いる有機膜と同じ膜を、犠牲膜１４４Ｒｂとして用いることができる。このような有機膜を用いることで、ＥＬ膜１１２Ｒｆと成膜装置を共通に用いることができるため、好ましい。さらに、ＥＬ膜１１２Ｒｆをエッチングする際に、犠牲膜１４４Ｒｂを同時に除去できるため、工程を簡略化できる。

続いて、犠牲膜１４４Ｒｂ上にレジストマスク１４３ａを形成する（図９Ｂ）。レジストマスク１４３ａは、ポジ型のレジスト材料、又はネガ型のレジスト材料等、感光性の樹脂を含むレジスト材料を用いることができる。

続いて、犠牲膜１４４Ｒｂ及び犠牲膜１４４Ｒａの、レジストマスク１４３ａに覆われない一部をエッチングにより除去し、島状又は帯状の犠牲層１４５Ｒｂ及び犠牲層１４５Ｒａを形成する。犠牲層１４５Ｒｂ及び犠牲層１４５Ｒａは、例えば画素電極１１１Ｒ上と、一点鎖線Ｃ１−Ｃ２に示す領域（図１に示す領域１４１、及び接続部１４０に対応する領域）と、に形成することができる。

犠牲膜１４４Ｒｂ及び犠牲膜１４４Ｒａの一部をエッチングにより除去する際、絶縁層１０５の一部がエッチングされる場合がある。ここで、図１に示す領域１４１に対応する領域の、犠牲膜１４４Ｒｂ及び犠牲膜１４４Ｒａをエッチングにより除去すると、当該領域の絶縁層１０５、絶縁層１０４、及び絶縁層１０３がエッチングされ、導電層１０２ｂが露出する場合がある。これにより、例えば後の工程で形成される膜が導電層１０２ｂと意図せず接触し、ショートが発生する場合がある。例えば、導電層１０２ｂが、後の工程で形成される共通電極１１５とショートする場合がある。そこで、本発明の一態様では、図１に示す領域１４１に対応する領域にも、犠牲層１４５Ｒａ、及び犠牲層１４５Ｒｂを形成する。具体的には、領域１４１に対応する領域に設けられるＥＬ層１１２Ｒの端部と、接続電極１１３の端部と、を覆うように、犠牲層１４５Ｒａ、及び犠牲層１４５Ｒｂを形成する。これにより、導電層１０２ｂの露出を防ぎ、表示装置１００を信頼性が高い表示装置とすることができる。また、表示装置１００を歩留まりが高い方法で作製できるため、表示装置１００を、低価格な表示装置とすることができる。

ここで、レジストマスク１４３ａを用いて犠牲膜１４４Ｒｂの一部をエッチングにより除去し、犠牲層１４５Ｒｂを形成した後にレジストマスク１４３ａを除去し、その後に犠牲層１４５Ｒｂをハードマスクとして犠牲膜１４４Ｒａをエッチングすることが好ましい。この場合、犠牲膜１４４Ｒｂのエッチングには、犠牲膜１４４Ｒａとの選択比の高いエッチング条件を用いることが好ましい。ハードマスク形成のエッチングにはウェットエッチング法又はドライエッチング法を用いることができるが、ドライエッチング法を用いることで、パターンの縮小を抑制できる。

犠牲膜１４４Ｒａと犠牲膜１４４Ｒｂの加工、及びレジストマスク１４３ａの除去は、ウェットエッチング法又はドライエッチング法により行うことができる。例えば、犠牲膜１４４Ｒａ、及び犠牲膜１４４Ｒｂは、フッ素を含むガスを用いたドライエッチング法により加工することができる。また、レジストマスク１４３ａは、酸素を含むガス（酸素ガスともいう）を用いたドライエッチング法（プラズマアッシング法ともいう）により除去することができる。

犠牲層１４５Ｒｂをハードマスクとして犠牲膜１４４Ｒａをエッチングする場合、ＥＬ膜１１２Ｒｆが犠牲膜１４４Ｒａに覆われた状態でレジストマスク１４３ａの除去を行うことができる。例えば、ＥＬ膜１１２Ｒｆが酸素に触れると、発光素子１３０Ｒの電気特性に悪影響を及ぼす場合がある。よって、プラズマアッシング等、酸素ガスを用いた方法でレジストマスク１４３ａを除去する場合には、犠牲層１４５Ｒｂをハードマスクとして犠牲膜１４４Ｒａをエッチングすることが好ましい。

続いて、犠牲層１４５Ｒａに覆われないＥＬ膜１１２Ｒｆの一部をエッチングにより除去し、島状又は帯状のＥＬ層１１２Ｒを形成する（図９Ｃ）。ここで、図１に示す領域１４１に対応する領域にも、ＥＬ層１１２Ｒが形成される。

ＥＬ膜１１２Ｒｆのエッチングにより、犠牲層１４５Ｒ、及び画素電極１１１のいずれとも重ならない領域において絶縁層１０５がエッチングされる場合がある。これにより、図９Ｃに示す工程において上面が露出している領域における絶縁層１０５の厚さが、その他の領域における絶縁層１０５の厚さより小さくなる場合がある。よって、図３Ｂに示すように、膜厚ｔｉ_Ｇ、及び膜厚ｔｉ_Ｂが膜厚ｔｉ_Ｒより小さくなる場合がある。なお、ＥＬ膜１１２Ｒｆと、絶縁層１０５と、のエッチング選択比が高い場合は、絶縁層１０５がエッチングされない場合がある。

本明細書等において、例えば犠牲層１４５Ｒａ、及び犠牲層１４５Ｒｂに共通する事項を説明する場合には、犠牲層１４５Ｒと呼称して説明する場合がある。また、犠牲層１４５Ｒａ、犠牲層１４５Ｇａ、及び犠牲層１４５Ｂａに共通する事項を説明する場合には、犠牲層１４５ａと呼称して説明する場合がある。また、犠牲層１４５Ｒｂ、犠牲層１４５Ｇｂ、及び犠牲層１４５Ｂｂに共通する事項を説明する場合には、犠牲層１４５ｂと呼称して説明する場合がある。さらに、犠牲層１４５ａ、及び犠牲層１４５ｂに共通する事項を説明する場合には、犠牲層１４５と呼称して説明する場合がある。他の構成要素についても、上記のようにアルファベットを省略した符号を用いて説明する場合がある。

ＥＬ膜１１２Ｒｆのエッチングに酸素ガスを用いたドライエッチング法を用いると、エッチング速度を高めることができる。そのため、エッチング速度を十分な速さに維持しつつ、低パワーの条件でのエッチングができるため、エッチングによるダメージを低減できる。さらに、例えばエッチング時に生じる反応生成物のＥＬ層１１２Ｒへの付着等の不具合を抑制できる。

一方、酸素を主成分に含まないエッチングガスを用いたドライエッチング法によりＥＬ膜１１２Ｒｆをエッチングすると、ＥＬ膜１１２Ｒｆの変質を抑制し、表示装置１００を信頼性の高い表示装置とすることができる。酸素を主成分に含まないエッチングガスとしては、例えばＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、又はＢＣｌ_３等を含むガス、及びＨｅ等の１８族元素を含むガスが挙げられる。また、上記ガスと、酸素を含まない希釈ガスとの混合ガスをエッチングガスに用いることができる。なお、ＥＬ膜１１２Ｒｆのエッチングは上記に限られず、他のガスを用いたドライエッチング法により行ってもよいし、ウェットエッチング法により行ってもよい。

ＥＬ膜１１２Ｒｆのエッチングを行ってＥＬ層１１２Ｒを形成した際に、ＥＬ層１１２Ｒの側面に不純物が付着していると、以降の工程において当該不純物がＥＬ層１１２Ｒの内部へ侵入する場合がある。これにより、表示装置１００の信頼性が低下する場合がある。よって、ＥＬ層１１２Ｒの形成後に、ＥＬ層１１２Ｒの表面に付着している不純物を除去すると、表示装置１００の信頼性を高めることができ好ましい。

ＥＬ層１１２Ｒの表面に付着している不純物の除去は、例えばＥＬ層１１２Ｒの表面に不活性ガスを照射することで行うことができる。ここで、ＥＬ層１１２Ｒを形成した直後は、ＥＬ層１１２Ｒの表面が露出している。具体的には、ＥＬ層１１２Ｒの側面が露出している。よって、ＥＬ層１１２Ｒの形成後に、例えばＥＬ層１１２Ｒが形成されている基板を不活性ガス雰囲気下におくと、ＥＬ層１１２Ｒに付着している不純物を除去することができる。不活性ガスとして、例えば１８族元素（代表的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、及びクリプトン等）、及び窒素の中から選ばれるいずれか一又は複数を用いることができる。

なお、ＥＬ膜１１２Ｒｆを加工する場合、ＥＬ膜１１２Ｒｆが有する発光膜の直上でフォトリソグラフィ法を用いて加工する方法が考えられる。この場合、発光層にダメージ（例えば加工によるダメージ）が入り、信頼性が著しく損なわれる場合がある。そこで表示装置１００を作製するには、発光膜よりも上方に位置する膜（例えば、キャリア輸送層又はキャリア注入層、より具体的には電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層、又は正孔注入層として機能する膜）の上に犠牲層１４５Ｒａ、及び犠牲層１４５Ｒｂを形成し、発光膜を加工する。これにより、表示装置１００を信頼性が高い表示装置とすることができる。

続いて、絶縁層１０５上、犠牲層１４５Ｒｂ上、画素電極１１１Ｇ上、及び画素電極１１１Ｂ上に、後にＥＬ層１１２ＧとなるＥＬ膜１１２Ｇｆを形成する。犠牲層１４５Ｒａの形成後にＥＬ膜１１２Ｇｆを形成することにより、ＥＬ膜１１２ＧｆがＥＬ層１１２Ｒの上面と接することを抑制することができる。例えばＥＬ膜１１２Ｇｆの形成については、ＥＬ膜１１２Ｒｆの形成の記載を参照することができる。

次に、ＥＬ膜１１２Ｇｆ上、及び犠牲層１４５Ｒｂ上に犠牲膜１４４Ｇａを形成し、犠牲膜１４４Ｇａ上に犠牲膜１４４Ｇｂを形成する。その後、犠牲膜１４４Ｇｂ上にレジストマスク１４３ｂを形成する（図９Ｄ１）。ここで、犠牲膜１４４Ｇａは、ＥＬ膜１１２Ｇｆの端部を覆うように形成することができる。犠牲膜１４４Ｇａ、犠牲膜１４４Ｇｂ、及びレジストマスク１４３ｂの形成等については、犠牲膜１４４Ｒａ、犠牲膜１４４Ｒｂ、及びレジストマスク１４３ａの形成等の記載をそれぞれ参照することができる。

続いて、犠牲膜１４４Ｇｂ及び犠牲膜１４４Ｇａの、レジストマスク１４３ｂに覆われない一部をエッチングにより除去し、島状又は帯状の犠牲層１４５Ｇｂ及び犠牲層１４５Ｇａを形成する。また、レジストマスク１４３ｂを除去する。ここでは、犠牲層１４５Ｇｂ及び犠牲層１４５Ｇａは、画素電極１１１Ｇ上に形成することができる。犠牲層１４５Ｇｂ及び犠牲層１４５Ｇａの形成、及びレジストマスク１４３ｂの除去等については、犠牲層１４５Ｒｂ及び犠牲層１４５Ｒａの形成、及びレジストマスク１４３ａの除去等の記載を参照することができる。ここで、犠牲層１４５Ｇｂ及び犠牲層１４５Ｇａは、一点鎖線Ｃ１−Ｃ２に示す領域には形成しない構成とすることができる。この場合であっても、一点鎖線Ｃ１−Ｃ２に示す領域には犠牲層１４５Ｒａ、及び犠牲層１４５Ｒｂが形成されているため、当該領域において絶縁層１０５、絶縁層１０４、及び絶縁層１０３がエッチングされ、導電層１０２ｂが露出することを防ぐことができる。

ＥＬ層１１２Ｒが厚いと、ＥＬ層１１２Ｒの側面がＥＬ膜１１２Ｇｆにより十分に被覆されない場合がある。これにより、図９Ｄ２に示すように、ＥＬ層１１２Ｒと、画素電極１１１Ｇと、の間の領域１３２において、ＥＬ膜１１２Ｇｆに凹部が形成される場合がある。そして、当該凹部に犠牲膜１４４Ｇａ、及び犠牲膜１４４Ｇｂが入り込み、犠牲膜１４４Ｇａ、及び犠牲膜１４４Ｇｂを加工した後にこれらの残渣が当該凹部に残る場合がある。これにより、表示装置の信頼性が低下する場合がある。

そこで、ＥＬ層１１２Ｒは、薄いことが好ましく、具体的には、ＥＬ層１１２Ｒの厚さは２００ｎｍ以下であり、１８０ｎｍ以下とすることが好ましく、１５０ｎｍ以下とすることがより好ましく、１３０ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。ＥＬ層１１２Ｒが薄いことにより、ＥＬ膜１１２Ｇｆを被覆性が低い方法で成膜した場合であっても、ＥＬ膜１１２ＧｆはＥＬ層１１２Ｒを十分に被覆し、ＥＬ膜１１２Ｇｆに上記凹部が形成されることを抑制できる。よって、表示装置１００は、信頼性が高い表示装置とすることができる。

続いて、犠牲層１４５Ｇａに覆われないＥＬ膜１１２Ｇｆの一部をエッチングにより除去し、島状又は帯状のＥＬ層１１２Ｇを形成する（図１０Ａ）。例えばＥＬ層１１２Ｇの形成については、ＥＬ層１１２Ｒの形成の記載を参照することができる。ここで、ＥＬ層１１２Ｇは、一点鎖線Ｃ１−Ｃ２に示す領域には形成しない構成とすることができる。また、ＥＬ層１１２Ｒと同様に、ＥＬ層１１２Ｇの表面に付着している不純物も除去することが好ましい。例えば、ＥＬ層１１２Ｇの形成後に、ＥＬ層１１２Ｇが形成されている基板を不活性ガス雰囲気下におくと、ＥＬ層１１２Ｇに付着している不純物を除去することができる。

ＥＬ膜１１２Ｇｆのエッチングにより、犠牲層１４５Ｒ、犠牲層１４５Ｇ、及び画素電極１１１のいずれとも重ならない領域において絶縁層１０５がエッチングされる場合がある。これにより、図１０Ａに示す工程において上面が露出している領域における絶縁層１０５の厚さが、その他の領域における絶縁層１０５の厚さより小さくなる場合がある。これにより、図３Ｂに示すように、膜厚ｔｉ_Ｂが膜厚ｔｉ_Ｇより小さくなる場合がある。なお、ＥＬ膜１１２Ｇｆと、絶縁層１０５と、のエッチング選択比が高い場合は、絶縁層１０５がエッチングされない場合がある。

ここで、ＥＬ膜１１２Ｇｆのエッチング時には、画素電極１１１と接続電極１１３の間の領域、つまり図１に示す領域１４１に対応する領域に、ＥＬ層１１２Ｒ、犠牲層１４５Ｒａ、及び犠牲層１４５Ｒｂが形成されている。これにより、当該領域における絶縁層１０５がエッチングされなくなる。よって、導電層１０２ｂの露出を防ぐことができる。したがって、例えば後の工程で形成される膜が導電層１０２ｂと意図せず接触し、ショートが発生することを防ぐことができる。例えば、導電層１０２ｂが、後の工程で形成される共通電極１１５とショートすることを防ぐことができる。以上により、表示装置１００を、信頼性が高い表示装置とすることができる。また、表示装置１００を歩留まりが高い方法で作製できるため、表示装置１００を、低価格な表示装置とすることができる。

続いて、絶縁層１０５上、犠牲層１４５Ｒｂ上、犠牲層１４５Ｇｂ上、及び画素電極１１１Ｂ上に、後にＥＬ層１１２ＢとなるＥＬ膜１１２Ｂｆを形成する。犠牲層１４５Ｇａの形成後にＥＬ膜１１２Ｂｆを形成することにより、ＥＬ膜１１２ＢｆがＥＬ層１１２Ｇの上面と接することを抑制することができる。例えばＥＬ膜１１２Ｂｆの形成については、ＥＬ膜１１２Ｒｆの形成の記載を参照することができる。

次に、ＥＬ膜１１２Ｂｆ上、及び犠牲層１４５Ｒｂ上に犠牲膜１４４Ｂａを形成し、犠牲膜１４４Ｂａ上に犠牲膜１４４Ｂｂを形成する。その後、犠牲膜１４４Ｂｂ上にレジストマスク１４３ｃを形成する（図１０Ｂ）。ここで、犠牲膜１４４Ｂａは、ＥＬ膜１１２Ｂｆの端部を覆うように形成することができる。犠牲膜１４４Ｂａ、犠牲膜１４４Ｂｂ、及びレジストマスク１４３ｃの形成等については、犠牲膜１４４Ｒａ、犠牲膜１４４Ｒｂ、及びレジストマスク１４３ａの形成等の記載をそれぞれ参照することができる。

続いて、犠牲膜１４４Ｂｂ及び犠牲膜１４４Ｂａの、レジストマスク１４３ｃに覆われない一部をエッチングにより除去し、島状又は帯状の犠牲層１４５Ｂｂ及び犠牲層１４５Ｂａを形成する。また、レジストマスク１４３ｃを除去する。ここでは、犠牲層１４５Ｂｂ及び犠牲層１４５Ｂａは、画素電極１１１Ｂ上に形成することができる。犠牲層１４５Ｂｂ及び犠牲層１４５Ｂａの形成、及びレジストマスク１４３ｃの除去等については、犠牲層１４５Ｒｂ及び犠牲層１４５Ｒａの形成、及びレジストマスク１４３ａの除去等の記載を参照することができる。ここで、犠牲層１４５Ｂｂ及び犠牲層１４５Ｂａは、一点鎖線Ｃ１−Ｃ２に示す領域には形成しない構成とすることができる。この場合であっても、一点鎖線Ｃ１−Ｃ２に示す領域には犠牲層１４５Ｒａ、及び犠牲層１４５Ｒｂが形成されているため、当該領域において絶縁層１０５、絶縁層１０４、及び絶縁層１０３がエッチングされ、導電層１０２ｂが露出することを防ぐことができる。

ＥＬ層１１２Ｒ、及びＥＬ層１１２Ｇが厚いと、ＥＬ層１１２Ｒの側面、及びＥＬ層１１２Ｇの側面がＥＬ膜１１２Ｂｆにより十分に被覆されない場合がある。これにより、図９Ｄ２を用いて説明した例と同様に、表示装置の信頼性が低下する場合がある。そこで、ＥＬ層１１２Ｇは、ＥＬ層１１２Ｒと同様に薄いことが好ましい。ＥＬ層１１２Ｇの厚さは２００ｎｍ以下であり、１８０ｎｍ以下とすることが好ましく、１５０ｎｍ以下とすることがより好ましく、１３０ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。これにより、表示装置１００は、信頼性が高い表示装置とすることができる。

続いて、犠牲層１４５Ｂａに覆われないＥＬ膜１１２Ｂｆの一部をエッチングにより除去し、島状又は帯状のＥＬ層１１２Ｂを形成する（図１０Ｃ）。例えばＥＬ層１１２Ｂの形成については、ＥＬ層１１２Ｒの形成の記載を参照することができる。ここで、ＥＬ層１１２Ｂは、一点鎖線Ｃ１−Ｃ２に示す領域には形成しない構成とすることができる。また、ＥＬ層１１２Ｒ及びＥＬ層１１２Ｇと同様に、ＥＬ層１１２Ｂの表面に付着している不純物も除去することが好ましい。例えば、ＥＬ層１１２Ｂの形成後に、ＥＬ層１１２Ｂが形成されている基板を不活性ガス雰囲気下におくと、ＥＬ層１１２Ｂに付着している不純物を除去することができる。

ＥＬ膜１１２Ｂｆのエッチングにより、犠牲層１４５と重ならない領域において絶縁層１０５がエッチングされる場合がある。これにより、図１０Ｃに示す工程において上面が露出している領域における絶縁層１０５の厚さが、その他の領域における絶縁層１０５の厚さより小さくなる場合がある。これにより、図３Ｂに示すように、画素電極１１１、及びＥＬ層１１２のいずれとも重ならない領域における絶縁層１０５の膜厚が、膜厚ｔｉ_Ｒ、膜厚ｔｉ_Ｇ、及び膜厚ｔｉ_Ｂより小さくなる場合がある。なお、ＥＬ膜１１２Ｂｆと、絶縁層１０５と、のエッチング選択比が高い場合は、絶縁層１０５がエッチングされない場合がある。

ここで、ＥＬ膜１１２Ｂｆのエッチング時には、画素電極１１１と接続電極１１３の間の領域、つまり図１に示す領域１４１に対応する領域に、ＥＬ層１１２Ｒ、犠牲層１４５Ｒａ、及び犠牲層１４５Ｒｂが形成されている。これにより、当該領域における絶縁層１０５がエッチングされなくなる。よって、ＥＬ膜１１２Ｇｆのエッチング時と同様に、導電層１０２ｂの露出を防ぐことができ、表示装置１００を信頼性が高い表示装置とすることができる。また、表示装置１００を歩留まりが高い方法で作製できるため、表示装置１００を、低価格な表示装置とすることができる。

続いて、犠牲層１４５Ｒｂ、犠牲層１４５Ｇｂ、及び犠牲層１４５Ｂｂを、エッチング等を用いて除去する（図１０Ｄ）。犠牲層１４５Ｒｂ、犠牲層１４５Ｇｂ、及び犠牲層１４５Ｂｂは、犠牲層１４５Ｒａ、犠牲層１４５Ｇａ、及び犠牲層１４５Ｂａとの選択性が高い方法で除去することが好ましい。例えば、犠牲層１４５Ｒｂ、犠牲層１４５Ｇｂ、及び犠牲層１４５Ｂｂは、ドライエッチング法を用いて除去することができる。なお、ＥＬ層１１２Ｂの形成直後に犠牲層１４５Ｒｂ、犠牲層１４５Ｇｂ、及び犠牲層１４５Ｂｂを除去せず、後の工程で除去してもよい。

続いて、絶縁層１０５の上面と、ＥＬ層１１２の側面と、犠牲層１４５ａの上面及び側面と、を覆うように、後に絶縁層１２５となる絶縁膜１２５ｆを形成する（図１１Ａ）。

絶縁膜１２５ｆは、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＰＬＤ法、又はＡＬＤ法等を用いて形成することができるが、被覆性が良好なＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。また、絶縁膜１２５ｆとして、例えば無機材料を用いることができ、具体的には酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、又は窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜を用いることができる。特に、絶縁膜１２５ｆは、ＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、又は酸化シリコン膜等の無機絶縁膜とすることで、ピンホールが少ない絶縁膜とすることができる。

続いて、絶縁膜１２５ｆ上に、絶縁層１２６を形成する（図１１Ｂ）。具体的には、例えば有機材料を含む樹脂を、絶縁層１２６となる膜として絶縁膜１２５ｆ上に塗布し、当該膜を加工することにより絶縁層１２６を形成する。絶縁層１２６となる膜として、感光性の樹脂を用いることが好ましい。感光性の樹脂として、ポジ型の材料、又はネガ型の材料を用いることができる。絶縁層１２６となる膜として感光性の樹脂を用いる場合、絶縁層１２６となる膜は、スピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法、又はペイント法等を用いて形成することができる。

続いて、絶縁層１２６を形成する。ここで、絶縁層１２６となる膜として感光性の樹脂を用いることにより、レジストマスク又はハードマスク等のエッチングマスクを設けることなく、絶縁層１２６を形成することができる。また、感光性の樹脂は露光及び現像の工程のみで加工が可能であるため、ドライエッチング法等を用いることなく絶縁層１２６が形成できる。よって、工程の簡略化が可能となる。また、絶縁層１２６となる膜のエッチングによるＥＬ層１１２のダメージを低減することができる。

また、絶縁層１２６となる膜の上面に対し、略均一にエッチングを施すことにより、絶縁層１２６を形成してもよい。このように均一にエッチングして平坦化することをエッチバックともいう。

絶縁層１２６の形成において、露光及び現像の工程と、エッチバック工程と、を組み合わせて用いてもよい。

ここで、ＥＬ層１１２Ｒの膜厚とＥＬ層１１２Ｇの膜厚の差が大きいと、ＥＬ層１１２ＲとＥＬ層１１２Ｇの間の領域において、ＥＬ層１１２の側面と絶縁層１２６の間に空洞が形成される場合がある。特に、ＥＬ層１１２ＲとＥＬ層１１２Ｇのうち、膜厚が小さい方のＥＬ層１１２の側面と、絶縁層１２６と、の間に空洞が形成される場合がある。同様に、ＥＬ層１１２Ｇの膜厚とＥＬ層１１２Ｂの膜厚の差が大きい場合、又はＥＬ層１１２Ｂの膜厚とＥＬ層１１２Ｒの膜厚の差が大きい場合においても、ＥＬ層１１２の側面と絶縁層１２６の間に空洞が形成される場合がある。このような空洞が形成されることにより、不純物がＥＬ層１１２に侵入しやすくなり、表示装置の信頼性が低下する場合がある。

以上より、ＥＬ層１１２Ｒの膜厚と、ＥＬ層１１２Ｇの膜厚と、ＥＬ層１１２Ｂの膜厚と、の差は、互いに小さいことが好ましい。具体的には、ＥＬ層１１２Ｒの膜厚、ＥＬ層１１２Ｇの膜厚、及びＥＬ層１１２Ｂの膜厚のうち、最も大きい膜厚と最も小さい膜厚の差が１００ｎｍ以下であることが好ましく、８０ｎｍ以下であることがより好ましい。これにより、上記空洞が形成されず、表示装置１００を信頼性が高い表示装置とすることができる。

続いて、絶縁膜１２５ｆをエッチングすることで、絶縁層１２５を形成し、犠牲層１４５ａをエッチングすることで、保護層１４６を形成する（図１１Ｃ）。ここで、犠牲層１４５ａをエッチングすることで保護層１４６が形成されることから、保護層１４６は犠牲層ということもできる。

絶縁膜１２５ｆ、及び犠牲層１４５ａは、絶縁層１２６をマスクとしてエッチングすることができる。よって、絶縁層１２６と重なるように、絶縁層１２５、及び保護層１４６が形成される。なお、図１０Ｄに示す工程を行わない、つまりＥＬ層１１２Ｂの形成後、犠牲層１４５ｂを除去せずに絶縁膜１２５ｆを成膜する場合は、犠牲層１４５ｂ、及び犠牲層１４５ａをエッチングすることで、保護層１４６が形成される。

絶縁膜１２５ｆのエッチングは、異方性エッチングにより行うと、例えばフォトリソグラフィ法を用いたパターニングを行わなくても絶縁層１２５を好適に形成できるため好ましい。例えばフォトリソグラフィ法を用いたパターニングを行わずに絶縁層１２５を形成することにより、表示装置１００の作製工程を簡略化できるため、表示装置１００の作製コストを低くすることができる。よって、表示装置１００を、低価格な表示装置とすることができる。異方性エッチングとして、例えばドライエッチング法が挙げられる。絶縁膜１２５ｆをドライエッチング法によりエッチングする場合、例えば、犠牲膜１４４をエッチングする際に用いることができるエッチングガスを用いて、絶縁膜１２５ｆをエッチングすることができる。

犠牲層１４５ａのエッチングは、ＥＬ層１１２にできるだけダメージを与えない方法で行うことが好ましい。犠牲層１４５ａは、例えばウェットエッチング法によりエッチングすることができる。

続いて、真空ベーク処理を行い、例えばＥＬ層１１２の表面に吸着している水を除去する。真空ベークは、例えばＥＬ層１１２に含まれる有機化合物を変質させない温度範囲で行うことが好ましく、例えば７０℃以上１２０℃以下、より好ましくは８０℃以上１００℃以下で行うことができる。なお、例えばＥＬ層１１２の表面に吸着している水が少なく、表示装置１００の信頼性に与える影響が少ない場合は、真空ベーク処理を行わなくてもよい。

続いて、ＥＬ層１１２上、絶縁層１２６上、及び接続電極１１３上に、共通層１１４を形成する。前述のように、共通層１１４は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち少なくとも１つを有し、例えば電子注入層、又は正孔注入層を有する。共通層１１４は、例えば蒸着法、スパッタリング法、又はインクジェット法等により形成することができる。なお、接続電極１１３上に共通層１１４を設けない構成とする場合には、共通層１１４の形成において、接続電極１１３上を遮蔽するメタルマスクを用いればよい。この際に用いるメタルマスクでは表示部の画素領域の遮蔽は行わなくてもよいため、高精細なマスクを用いる必要がなく、例えばラフメタルマスクを用いることができる。

続いて、共通層１１４上に、共通電極１１５を形成する。共通電極１１５は、例えばスパッタリング法、又は真空蒸着法等により形成することができる。

続いて、共通電極１１５上に、保護層１２１を形成する（図１１Ｄ）。保護層１２１として無機絶縁膜を用いる場合、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、又はＡＬＤ法を用いて保護層１２１を形成することが好ましい。また、保護層１２１として有機絶縁膜を用いる場合、例えばインクジェット法を用いて保護層１２１を形成すると、所望のエリアに均一な膜を形成できるため好ましい。

以上の工程により、発光素子１３０が図２Ａに示す構成であり、接続部１４０が図２Ｃ１に示す構成である表示装置１００を作製することができる。

図１２Ａ乃至図１３Ｂは、発光素子１３０が図６Ａに示す構成であり、接続部１４０が図６Ｃ１に示す構成である表示装置１００の作製方法例を示す断面図である。図１２Ａ乃至図１３Ｂでは、図１中の一点鎖線Ａ１−Ａ２に対応する断面図、及び一点鎖線Ｃ１−Ｃ２に対応する断面図を示している。なお、図９Ａ乃至図１１Ｄに示す工程と同様の工程については、適宜説明を省略する。

上記表示装置１００を作製するには、まず、図９Ａ乃至図１１Ａに示す工程と同様の工程を行う。つまり、絶縁膜１２５ｆの形成までを行う（図１２Ａ）。続いて、絶縁膜１２５ｆ上に、後に保護層１２７となる保護膜１２７ｆを形成する。保護膜１２７ｆは、絶縁膜１２５ｆと同様の成膜方法で成膜でき、絶縁膜１２５ｆと同様に、被覆性が良好なＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。また、保護膜１２７ｆとして、例えば無機材料を用いることができ、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜等の窒化絶縁膜を好適に用いることができる。

続いて、保護膜１２７ｆ上にレジストマスク１４７を形成する（図１２Ｂ）。レジストマスク１４７は、レジストマスク１４３と同様に、ポジ型のレジスト材料、又はネガ型のレジスト材料等、感光性の樹脂を含むレジスト材料を用いることができる。

保護膜１２７ｆ上にレジストマスク１４７を形成することにより、絶縁膜１２５ｆと接するようにレジストマスク１４７を形成する場合と比較して、レジストマスク１４７に含まれる成分がＥＬ層１１２に侵入することを抑制できる。よって、表示装置１００を、信頼性が高い表示装置とすることができる。

続いて、保護膜１２７ｆ、及び絶縁膜１２５ｆをエッチングすることで、保護層１２７、及び絶縁層１２５を形成し、犠牲層１４５ａをエッチングすることで、保護層１４６を形成する。また、レジストマスク１４７を除去する（図１２Ｃ）。ここで、レジストマスク１４７を用いて保護膜１２７ｆの一部をエッチングにより除去し、保護層１２７を形成した後にレジストマスク１４７を除去し、その後に保護層１２７をハードマスクとして絶縁膜１２５ｆ、及び犠牲層１４５ａをエッチングすることが好ましい。

保護膜１２７ｆのエッチングは、犠牲膜１４４ｂのエッチングに用いることができる方法と同様の方法により行うことができる。例えば、保護膜１２７ｆは、ドライエッチング法により加工することができる。ここで、保護膜１２７ｆのエッチングには、絶縁膜１２５ｆとの選択比の高いエッチング条件を用いることが好ましい。また、絶縁膜１２５ｆのエッチングは、犠牲膜１４４ａのエッチングに用いることができる方法と同様の方法により行うことができる。例えば、絶縁膜１２５ｆは、ウェットエッチング法によりエッチングすることができる。さらに、レジストマスク１４７の除去は、レジストマスク１４３の除去と同様の方法で行うことができ、例えばプラズマアッシング法により行うことができる。

続いて、保護層１２７を、例えばエッチング法により除去する（図１３Ａ）。保護層１２７の除去は、ＥＬ層１１２にできるだけダメージを与えない方法で行うことが好ましい。保護層１２７は、例えばウェットエッチング法によりエッチングすることができる。

保護層１２７を例えばエッチング法により除去する場合、保護層１２７として、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物）等の金属酸化物を用いることが好ましい。これにより、保護層１２７を例えばウェットエッチング法により好適に除去することができる。なお、保護層１２７は除去しなくてもよい。この場合、保護層１２７として、窒化絶縁物等の絶縁物を用いることができる。

続いて、真空ベーク処理を行い、例えばＥＬ層１１２の表面に吸着している水を除去する。前述のように、真空ベークは、例えばＥＬ層１１２に含まれる有機化合物を変質させない温度範囲で行うことが好ましく、例えば７０℃以上１２０℃以下、より好ましくは８０℃以上１００℃以下で行うことができる。なお、例えばＥＬ層１１２の表面に吸着している水が少なく、表示装置１００の信頼性に与える影響が少ない場合は、真空ベーク処理を行わなくてもよい。

続いて、図１１Ｄに示す工程と同様の工程を行う。これにより、共通層１１４、共通電極１１５、及び保護層１２１を形成する（図１３Ｂ）。以上の工程により、発光素子１３０が図６Ａに示す構成であり、接続部１４０が図６Ｃ１に示す構成である表示装置１００を作製することができる。

図９Ａ乃至図１３Ｂで示したようなＭＭＬ構造の表示装置の作製方法では、島状のＥＬ層１１２は、メタルマスクのパターンによって形成されるのではなく、ＥＬ膜１１２ｆを一面に成膜した後に加工することで形成される。よって、高精細又は高開口率の表示装置を実現することができる。また、ＥＬ層１１２を各色で作り分けることができるため、極めて鮮やかでコントラストが高く、表示品位の高い表示装置を実現できる。さらに、ＥＬ層１１２上に犠牲層を設けることで、表示装置１００の作製工程中にＥＬ層１１２が受けるダメージを低減し、発光素子１３０の信頼性を高めることができる。

また、表示装置１００は、画素電極１１１の端部を覆う絶縁物が設けられない構造とすることができる。別言すると、画素電極１１１とＥＬ層１１２の間に絶縁層が設けられない構成である。当該構成とすることで、ＥＬ層１１２からの発光を効率よく取り出すことができる。

表示装置１００は、ＥＬ層１１２からの発光を効率よく取り出すことができるため、視野角依存性を極めて小さくすることができる。例えば、表示装置１００においては、視野角（斜め方向から画面を見たときの、一定のコントラスト比が維持される最大の角度）を１００°以上１８０°未満、好ましくは１５０°以上１７０°以下の範囲とすることができる。なお、上記の視野角は、上下、及び左右のそれぞれに適用することができる。本発明の一態様の表示装置とすることで、視野角依存性が向上し、画像の視認性を高めることが可能となる。

なお、表示装置１００をファインメタルマスク（ＦＭＭ）構造のデバイスとする場合、例えば画素配置の構成に制限がかかる場合がある。ここで、ＦＭＭ構造のデバイスについて、以下、説明を行う。

ＦＭＭ構造のデバイスを形成する場合、ＥＬ蒸着時において、所望の領域にＥＬが蒸着されるように開口部が設けられた金属のマスク（ＦＭＭ）を基板に対向してセットする。その後、ＦＭＭを介して、ＥＬ蒸着を行うことで、所望の領域にＥＬ蒸着を行う。ＥＬを蒸着する基板の面積が大きくなると、ＦＭＭの面積も大きくなり、ＦＭＭの重量も大きくなる。また、ＥＬ蒸着時に例えば熱がＦＭＭに与えられるため、ＦＭＭが変形する場合がある。例えば、ＥＬ蒸着時にＦＭＭに一定のテンションを与えて蒸着する方法もあるため、ＦＭＭの重量、及び強度は重要なパラメータである。

そのため、ＦＭＭを用いて画素配置の構成を設計する場合、例えば上記のパラメータを考慮する必要があり、一定の制限のもとに検討する必要がある。一方で、本発明の一態様の表示装置は、ＭＭＬ構造のデバイスであるため、ＦＭＭ構造のデバイスと比較し例えば画素配置の構成の自由度が高いといった、優れた効果を奏する。なお、ＭＭＬ構造は、ＦＭＭ構造より設計の自由度が高いため、例えばフレキシブルデバイスとも非常に親和性が高い。

上記表示装置の作製方法では、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂを全て形成した後に犠牲層１４５Ｒｂ、犠牲層１４５Ｇｂ、及び犠牲層１４５Ｂｂを並行して除去する例を示したが、本発明の一態様はこれに限らない。図１４Ａ乃至図１５Ｂは、上記表示装置の作製方法の変形例であり、ＥＬ層１１２Ｒの形成後、且つＥＬ層１１２Ｇの形成前に犠牲層１４５Ｒｂを除去し、ＥＬ層１１２Ｇの形成後、且つＥＬ層１１２Ｂの形成前に犠牲層１４５Ｇｂを除去する例を示している。

まず、図９Ａ乃至図９Ｃと同様の工程を行う（図１４Ａ）。続いて、犠牲層１４５Ｒｂを、例えばエッチングを用いて除去する（図１４Ｂ）。続いて、図９Ｄ１、及び図１０Ａと同様の工程を行う（図１４Ｃ）。続いて、犠牲層１４５Ｇｂを、例えばエッチングを用いて除去する（図１４Ｄ）。続いて、図１０Ｂ、及び図１０Ｃと同様の工程を行う（図１５Ａ）。続いて、犠牲層１４５Ｂｂを、例えばエッチングを用いて除去する（図１５Ｂ）。続いて、図１１Ａ乃至図１１Ｄと同様の工程を行う。以上の方法によっても、表示装置１００を作製することができる。

本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、又は図面等と適宜組み合わせることができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態、又は実施例と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の画素レイアウトの例について説明する。

本発明の一態様の表示装置である表示装置１００が有する副画素１１０の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。副画素１１０の配列としては、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、及びペンタイル配列等が挙げられる。

また、副画素１１０の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形等の多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等が挙げられる。ここで、副画素１１０の上面形状は、発光素子１３０の発光領域の上面形状に相当する。

図１６Ａに示す画素１０８には、Ｓストライプ配列が適用されている。図１６Ａに示す画素１０８は、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂの、３つの副画素から構成される。

図１６Ｂに示す画素１０８は、角が丸い略台形の上面形状を有する副画素１１０Ｒと、角が丸い略三角形の上面形状を有する副画素１１０Ｇと、角が丸い略四角形又は略六角形の上面形状を有する副画素１１０Ｂと、を有する。また、副画素１１０Ｒは、副画素１１０Ｇよりも発光面積が広い。このように、各副画素の形状及びサイズはそれぞれ独立に決定することができる。例えば、信頼性の高い発光素子を有する副画素ほど、サイズを小さくすることができる。

図１６Ｃに示す画素１２４ａ、及び画素１２４ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図１６Ｃでは、副画素１１０Ｒ及び副画素１１０Ｇを有する画素１２４ａと、副画素１１０Ｇ及び副画素１１０Ｂを有する画素１２４ｂと、が交互に配置されている例を示す。

図１６Ｄ及び図１６Ｅに示す画素１２４ａ、及び画素１２４ｂは、デルタ配列が適用されている。画素１２４ａは上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素１１０Ｒ、及び副画素１１０Ｇ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０Ｂ）を有する。画素１２４ｂは上の行（１行目）に、１つの副画素（副画素１１０Ｂ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素１１０Ｒ、及び副画素１１０Ｇ）を有する。

図１６Ｄは、各副画素が、角が丸い略四角形の上面形状を有する例であり、図１６Ｅは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。

図１６Ｆは、各色の副画素がジグザグに配置されている例である。具体的には、平面視において、列方向に並ぶ２つの副画素（例えば、副画素１１０Ｒと副画素１１０Ｇ、又は、副画素１１０Ｇと副画素１１０Ｂ）の上辺の位置がずれている。

フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、副画素の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等になることがある。

さらに、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、レジストマスクを用いてＥＬ層を加工する。ＥＬ層上に形成したレジスト膜は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、ＥＬ層の材料の耐熱温度及びレジスト材料の硬化温度によっては、レジスト膜の硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジスト膜は、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、ＥＬ層の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等になることがある。例えば、上面形状が正方形のレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の上面形状のレジストマスクが形成され、ＥＬ層の上面形状が円形になることがある。

なお、ＥＬ層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、例えばマスクパターン上の図形コーナー部に補正用のパターンを追加する。

なお、図１に示すストライプ配列が適用された画素１０８においても、副画素の並び順は特に限定されず、例えば、図１６Ｇに示すように、副画素１１０Ｇ、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｂの順に並んでいてもよい。

図１７Ａ乃至図１７Ｈに示すように、画素１０８は副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂの他、副画素１１０Ｗを有する構成とすることができる。ここで、副画素１１０Ｗは、白色を呈することができる。

図１７Ａ乃至図１７Ｃに示す画素１０８は、ストライプ配列が適用されている。

図１７Ａは、各副画素が、長方形の上面形状を有する例であり、図１７Ｂは、各副画素が、２つの半円と長方形をつなげた上面形状を有する例であり、図１７Ｃは、各副画素が、楕円形の上面形状を有する例である。

図１７Ｄ乃至図１７Ｆに示す画素１０８は、マトリクス配列が適用されている。

図１７Ｄは、各副画素が、正方形の上面形状を有する例であり、図１７Ｅは、各副画素が、角が丸い略正方形の上面形状を有する例であり、図１７Ｆは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。

図１７Ｇ及び図１７Ｈでは、１つの画素１０８が、２行３列で構成されている例を示す。

図１７Ｇに示す画素１０８は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０Ｗ）を有する。言い換えると、画素１０８は、左の列（１列目）に、副画素１１０Ｒを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０Ｇを有し、右の列（３列目）に副画素１１０Ｂを有し、さらに、この３列にわたって、副画素１１０Ｗを有する。

図１７Ｈに示す画素１０８は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂ）を有し、下の行（２行目）に、３つの副画素１１０Ｗを有する。言い換えると、画素１０８は、左の列（１列目）に、副画素１１０Ｒ及び副画素１１０Ｗを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０Ｇ及び副画素１１０Ｗを有し、右の列（３列目）に副画素１１０Ｂ及び副画素１１０Ｗを有する。図１７Ｈに示すように、上の行と下の行との副画素の配置を揃える構成とすることで、例えば製造プロセスで生じうるゴミを効率よく除去することが可能となる。したがって、表示品位の高い表示装置を提供することができる。

図１７Ａ乃至図１７Ｈに示す画素１０８は、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、副画素１１０Ｂ、及び副画素１１０Ｗの、４つの副画素から構成される。副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、副画素１１０Ｂ、及び副画素１１０Ｗは、それぞれ異なる色の光を発する発光素子を有する。

以上のように、本発明の一態様の表示装置は、発光素子を有する副画素からなる構成の画素について、様々なレイアウトを適用することができる。

本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、又は図面等と適宜組み合わせることができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態、又は実施例と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図１８乃至図２１を用いて説明する。

本実施の形態の表示装置は、高解像度な表示装置又は大型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型若しくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用等のモニタ、デジタルサイネージ、及び、パチンコ機等の大型ゲーム機等の比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、及び、音響再生装置の表示部に用いることができる。

［表示装置１００Ａ］
図１８に、表示装置１００Ａの斜視図を示し、図１９Ａに、表示装置１００Ａの断面図を示す。

表示装置１００Ａは、基板１５２と基板１５３とが貼り合わされた構成を有する。図１８では、基板１５２を破線で明示している。

表示装置１００Ａは、画素部１０７、接続部１４０、回路１６４、及び配線１６５等を有する。図１８では表示装置１００ＡにＩＣ１７３及びＦＰＣ１７２が実装されている例を示している。そのため、図１８に示す構成は、表示装置１００Ａと、ＩＣ（集積回路）と、ＦＰＣと、を有する表示モジュールということもできる。

接続部１４０は、画素部１０７の外側に設けられる。接続部１４０は、画素部１０７の一辺又は複数の辺に沿って設けることができる。接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。図１８では、表示部の四辺を囲むように接続部１４０が設けられる例を示す。接続部１４０では、発光素子の共通電極と、導電層とが電気的に接続されており、共通電極に電位を供給することができる。

回路１６４としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。

配線１６５は、画素部１０７及び回路１６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ１７２を介して外部から、又はＩＣ１７３から配線１６５に入力される。

図１８では、ＣＯＧ方式又はＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により、基板１５３にＩＣ１７３が設けられる例を示す。ＩＣ１７３は、例えば走査線駆動回路又は信号線駆動回路等を有するＩＣを適用できる。なお、表示装置１００Ａ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、例えばＣＯＦ方式によりＦＰＣに実装してもよい。

図１９Ａに、表示装置１００Ａの、ＦＰＣ１７２を含む領域の一部、回路１６４の一部、画素部１０７の一部、接続部１４０の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。

図１９Ａに示す表示装置１００Ａは、基板１５３と基板１５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、及び発光素子１３０等を有する。

表示装置１００Ａには、実施の形態１、又は実施の形態２で例示した画素レイアウトを適用することができる。

発光素子１３０は、画素電極の構成が異なる点以外は、図２Ａに示す積層構造を有する。発光素子１３０の詳細は実施の形態１を参照できる。

発光素子１３０は、導電層１２３と、導電層１２３上の導電層１２９と、を有する。導電層１２３及び導電層１２９の一方又は双方を画素電極と呼ぶことができる。

導電層１２３は、絶縁層２１４、絶縁層２１５、及び絶縁層２１３に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。表示装置１００Ａにおいて、導電層１２３の端部と導電層１２９の端部は、揃っている、又は概略揃っているが、これに限られない。例えば、導電層１２９が、導電層１２３の端部を覆うように設けられていてもよい。導電層１２３及び導電層１２９は、それぞれ、反射電極として機能する導電層を有することが好ましい。さらに、導電層１２３及び導電層１２９の一方又は双方は、透明電極として機能する導電層を有していてもよい。

導電層１２３には、絶縁層２１４、絶縁層２１５、及び絶縁層２１３に設けられた開口を覆うように凹部が形成される。当該凹部には、層１２８が埋め込まれている。

層１２８は、導電層１２３の凹部を平坦化する機能を有する。導電層１２３及び層１２８上には、導電層１２３と電気的に接続される導電層１２９が設けられる。したがって、導電層１２３の凹部と重なる領域も発光領域として使用でき、画素の開口率を高めることができる。

層１２８は、絶縁層であってもよく、導電層であってもよい。層１２８には、各種無機絶縁材料、有機絶縁材料、及び導電材料を適宜用いることができる。特に、層１２８は、絶縁材料を用いて形成されることが好ましい。

層１２８としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、層１２８として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、層１２８として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、又はネガ型の材料を用いることができる。

感光性の樹脂を用いることにより、露光及び現像の工程のみで層１２８を作製することができ、ドライエッチング法、あるいはウェットエッチング法等による導電層１２３の表面への影響を低減することができる。また、ネガ型の感光性樹脂を用いて層１２８を形成することにより、絶縁層２１４の開口の形成に用いるフォトマスク（露光マスク）と同一のフォトマスクを用いて、層１２８を形成できる場合がある。

導電層１２９の上面及び側面は、ＥＬ層１１２によって覆われている。なお、導電層１２９の側面が、ＥＬ層１１２によって覆われなくてもよい。また、導電層１２９の上面の一部がＥＬ層１１２で覆われなくてもよい。

ＥＬ層１１２の一部を覆うように保護層１４６が設けられる。また、保護層１４６の上面と側面、及びＥＬ層１１２の側面を覆うように絶縁層１２５が設けられる。さらに、絶縁層１２５上には絶縁層１２６が設けられる。ＥＬ層１１２上、及び絶縁層１２６上に共通層１１４が設けられ、共通層１１４上に共通電極１１５が設けられる。共通層１１４及び共通電極１１５は、それぞれ、複数の発光素子１３０に共通して設けられるひとつなぎの膜である。

また、発光素子１３０上には保護層１２１が設けられる。発光素子１３０を覆う保護層１２１を設けることで、発光素子１３０に水等の不純物が入り込むことを抑制し、発光素子１３０の信頼性を高めることができる。

保護層１２１と基板１５２は接着層１４２を介して接着されている。発光素子の封止には、固体封止構造又は中空封止構造等が適用できる。図１９Ａでは、基板１５２と保護層１２１との間の空間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている。又は、当該空間を不活性ガス（窒素又はアルゴン等）で充填し、中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光素子と重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に設けられた接着層とは異なる樹脂で充填してもよい。

接続部１４０においては、絶縁層２１４上に接続電極１１３が設けられる。接続電極１１３は、導電層１２３と同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２９と同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。接続電極１１３の側面は、保護層１４６によって覆われる。また、保護層１４６上には絶縁層１２５が設けられ、絶縁層１２５上には絶縁層１２６が設けられる。また、接続電極１１３上には共通層１１４が設けられ、共通層１１４上には共通電極１１５が設けられる。接続電極１１３と共通電極１１５は共通層１１４を介して電気的に接続される。なお、接続部１４０には、共通層１１４が形成されていなくてもよい。この場合、接続電極１１３と共通電極１１５とが直接接して電気的に接続される。

表示装置１００Ａは、トップエミッション型である。発光素子が発する光は、基板１５２側に射出される。基板１５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。

画素電極は可視光を反射する材料を含み、共通電極１１５は可視光を透過する材料を含む。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、いずれも基板１５３上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製することができる。

基板１５３上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられる。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。

トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素等の不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、表示装置の信頼性を高めることができる。

絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、又は窒化アルミニウム膜等を用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、前述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁層が好適である。有機絶縁層に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。また、絶縁層２１４を、有機絶縁層と、無機絶縁膜との積層構造にしてもよい。絶縁層２１４の最表層は、エッチング保護膜としての機能を有することが好ましい。これにより、導電層１２３及び導電層１２９等の加工時に、絶縁層２１４に凹部が形成されることを抑制することができる。又は、絶縁層２１４には、導電層１２３又は導電層１２９等の加工時に、凹部が設けられてもよい。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。絶縁層２１１は、導電層２２１と半導体層２３１との間に位置する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３１との間に位置する。

本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、又は逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。又は、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。又は、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、又は結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

トランジスタの半導体層は、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。

結晶性を有する酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ、及びｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ等が挙げられる。

又は、シリコンをチャネル形成領域に用いたトランジスタ（Ｓｉトランジスタ）を用いてもよい。シリコンとしては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、及び非晶質シリコン等が挙げられる。特に、半導体層に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙ　Ｓｉｌｉｃｏｎ））を有するトランジスタ（以下、ＬＴＰＳトランジスタともいう）を用いることができる。ＬＴＰＳトランジスタは、電界効果移動度が高く、周波数特性が良好である。

ＬＴＰＳトランジスタ等のＳｉトランジスタを適用することで、高周波数で駆動する必要のある回路（例えばソースドライバ回路）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、表示装置に実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト及び実装コストを削減することができる。

ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース−ドレイン間のリーク電流（以下、オフ電流ともいう）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、表示装置の消費電力を低減することができる。

また、室温下における、チャネル幅１μｍあたりのＯＳトランジスタのオフ電流値は、１ａＡ（１×１０^−１８Ａ）以下、１ｚＡ（１×１０^−２１Ａ）以下、又は１ｙＡ（１×１０^−２４Ａ）以下とすることができる。なお、室温下における、チャネル幅１μｍあたりのＳｉトランジスタのオフ電流値は、１ｆＡ（１×１０^−１５Ａ）以上１ｐＡ（１×１０^−１２Ａ）以下である。したがって、ＯＳトランジスタのオフ電流は、Ｓｉトランジスタのオフ電流よりも１０桁程度低いともいえる。

また、画素回路に含まれる発光素子の発光輝度を高くする場合、発光素子に流す電流量を大きくする必要がある。そのためには、画素回路に含まれている駆動トランジスタのソース−ドレイン間電圧を高くする必要がある。ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタと比較して、ソース−ドレイン間において耐圧が高いため、ＯＳトランジスタのソース−ドレイン間には高い電圧を印加することができる。したがって、画素回路に含まれる駆動トランジスタをＯＳトランジスタとすることで、発光素子に流れる電流量を大きくし、発光素子の発光輝度を高くすることができる。

また、トランジスタが飽和領域で動作する場合において、ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタよりも、ゲート−ソース間電圧の変化に対して、ソース−ドレイン間電流の変化を小さくすることができる。このため、画素回路に含まれる駆動トランジスタとしてＯＳトランジスタを適用することによって、ゲート−ソース間電圧の変化によって、ソース−ドレイン間に流れる電流を細かく定めることができるため、発光素子に流れる電流量を制御することができる。このため、画素回路における階調を大きくすることができる。

また、トランジスタが飽和領域で動作するときに流れる電流の飽和特性において、ＯＳトランジスタは、ソース−ドレイン間電圧が徐々に高くなった場合においても、Ｓｉトランジスタよりも安定した電流（飽和電流）を流すことができる。そのため、ＯＳトランジスタを駆動トランジスタとして用いることで、例えば、発光素子の電流−電圧特性にばらつきが生じた場合においても、発光素子に安定した電流を流すことができる。つまり、ＯＳトランジスタは、飽和領域で動作する場合において、ソース−ドレイン間電圧を高くしても、ソース−ドレイン間電流がほぼ変化しないため、発光素子の発光輝度を安定させることができる。

上記のとおり、画素回路に含まれる駆動トランジスタにＯＳトランジスタを用いることで、「黒浮きの抑制」、「発光輝度の上昇」、「多階調化」、及び「発光素子のばらつきの抑制」等を図ることができる。

半導体層は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種又は複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種又は複数種であることが好ましい。

特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。又は、インジウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。又は、インジウム、ガリウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。又は、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＺＯとも記す）を用いることが好ましい。又は、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。

半導体層がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５又はその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。

例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３又はその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を４としたとき、Ｇａの原子数比が１以上３以下であり、Ｚｎの原子数比が２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６又はその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を５としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１又はその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を１としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が０．１より大きく２以下である場合を含む。

回路１６４が有するトランジスタと、画素部１０７が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路１６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、画素部１０７が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。

画素部１０７が有するトランジスタの全てをＯＳトランジスタとしてもよく、画素部１０７が有するトランジスタの全てをＳｉトランジスタとしてもよく、画素部１０７が有するトランジスタの一部をＯＳトランジスタとし、残りをＳｉトランジスタとしてもよい。

例えば、画素部１０７にＬＴＰＳトランジスタとＯＳトランジスタとの双方を用いることで、消費電力が低く、駆動能力の高い表示装置を実現することができる。また、ＬＴＰＳトランジスタと、ＯＳトランジスタと、を組み合わせる構成をＬＴＰＯと呼称する場合がある。例えば、配線間の導通、非導通を制御するためのスイッチとして機能するトランジスタにＯＳトランジスタを適用し、電流を制御するトランジスタにＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。

例えば、画素部１０７が有するトランジスタの一は、発光素子に流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能し、駆動トランジスタと呼ぶことができる。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は、発光素子の画素電極と電気的に接続される。当該駆動トランジスタには、ＬＴＰＳトランジスタを用いることが好ましい。これにより、画素回路において発光素子に流れる電流を大きくできる。

一方、画素部１０７が有するトランジスタの他の一は、画素の選択、非選択を制御するためのスイッチとして機能し、選択トランジスタとも呼ぶことができる。選択トランジスタのゲートはゲート線と電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は、信号線と電気的に接続される。選択トランジスタには、ＯＳトランジスタを適用することが好ましい。これにより、フレーム周波数を著しく小さく（例えば１ｆｐｓ以下）しても、画素の階調を維持することができるため、静止画を表示する際にドライバを停止することで、消費電力を低減することができる。

このように本発明の一態様の表示装置は、高い開口率と、高い精細度と、高い表示品位と、低い消費電力と、を兼ね備えることができる。

なお、本発明の一態様の表示装置は、ＯＳトランジスタを有し、且つＭＭＬ（メタルマスクレス）構造の発光素子を有する構成である。当該構成とすることで、トランジスタに流れうるリーク電流、及び隣接する発光素子間に流れうるリーク電流（横リーク電流、サイドリーク電流等ともいう）を、極めて低くすることができる。また、上記構成とすることで、表示装置に画像を表示した場合に、観察者が画像のきれ、画像のするどさ、高い彩度、及び高いコントラスト比のいずれか一又は複数を観測できる。なお、トランジスタに流れうるリーク電流、及び発光素子間の横リーク電流が極めて低い構成とすることで、例えば黒表示時に生じうる光漏れが限りなく少ない表示とすることができる。

図１９Ｂ及び図１９Ｃに、トランジスタの他の構成例を示す。

トランジスタ２０９及びトランジスタ２１０は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５、ゲートとして機能する導電層２２３、並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１１は、導電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２２５は、少なくとも導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。

図１９Ｂに示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。

一方、図１９Ｃに示すトランジスタ２１０では、絶縁層２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁層２２５を加工することで、図１９Ｃに示す構造を作製できる。図１９Ｃでは、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。

基板１５３の、基板１５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられる。接続部２０４では、配線１６５が導電層１６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ１７２と電気的に接続されている。導電層１６６は、導電層１２３と同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２９と同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層１６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ１７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。

基板１５２の基板１５３側の面には、遮光層１１７を設けることが好ましい。また、基板１５２の基板１５３側の面に、着色層（カラーフィルタともいう）を設けてもよい。

基板１５３及び基板１５２には、それぞれ、ガラス、石英、セラミック、サファイア、又は樹脂等を用いることができる。基板１５３及び基板１５２に可撓性を有する材料を用いると、表示装置１００の可撓性を高めることができる。

接着層１４２としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、又は嫌気型接着剤等の各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、及びＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、例えば接着シートを用いてもよい。

接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、又は異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）等を用いることができる。

トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、表示装置を構成する各種配線及び電極等の導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、及びタングステン等の金属、並びに、当該金属を主成分とする合金等が挙げられる。これらの材料を含む膜を単層で、又は積層構造として用いることができる。

また、透光性を有する導電材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛等の導電性酸化物又はグラフェンを用いることができる。又は、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、及びチタン等の金属材料、又は、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。又は、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等を用いてもよい。なお、金属材料、又は、合金材料（又はそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすることが好ましい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜を用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線及び電極等の導電層、及び、発光素子が有する導電層（画素電極又は共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。

各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂及びエポキシ樹脂等の樹脂、並びに酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、及び酸化アルミニウム等の無機絶縁材料が挙げられる。

図２０は、図１９Ａに示す表示装置１００Ａの変形例であり、絶縁層１２６が設けられない例を示している。

ここで、図２１Ａ乃至図２１Ｄに、導電層１２３及び層１２８とその周辺を含む領域１３８の断面構造を示す。

図１９Ａでは、層１２８の上面と導電層１２３の上面が概略一致する例について示したが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、図２１Ａに示すように、層１２８の上面が導電層１２３の上面より高くなる場合がある。このとき、層１２８の上面は中心に向かって凸状に、なだらかに膨らんだ形状を有する。

また、図２１Ｂに示すように、層１２８の上面が導電層１２３の上面より低くなる場合がある。このとき、層１２８の上面は中心に向かって凹状に、なだらかに窪んだ形状を有する。

また、図２１Ｃに示すように、層１２８の上面が導電層１２３の上面より高くなる場合、導電層１２３に形成された凹部より、層１２８の上部が広がって形成される場合がある。このとき、層１２８の一部が、導電層１２３の概略平坦な領域の一部を覆って形成される場合がある。

また、図２１Ｄに示すように、図２１Ｃ示す構造において、さらに層１２８の上面の一部に凹部が形成される場合がある。当該凹部は、中心に向かってなだらかに窪んだ形状を有する。

本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、又は図面等と適宜組み合わせることができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態、又は実施例と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図２２乃至図３２を用いて説明する。

本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、腕時計型、及び、ブレスレット型等の情報端末機（ウェアラブル機器）の表示部、並びに、ヘッドマウントディスプレイ等のＶＲ向け機器、及び、メガネ型のＡＲ向け機器等の頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。

［表示モジュール］
図２２Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置１００Ｃと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示装置は表示装置１００Ｃに限られず、後述する表示装置１００Ｄ乃至表示装置１００Ｇのいずれかであってもよい。

表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。

図２２Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられる。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。

画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図２２Ｂの右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａは、赤色の光を呈する副画素１１０Ｒ、緑色の光を呈する副画素１１０Ｇ、及び、青色の光を呈する副画素１１０Ｂがこの順で並んでいる。画素部２８４に適用可能な画素レイアウトに関しては、実施の形態１、又は実施の形態２を参酌することができる。

画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。

１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する３つの発光素子の発光を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａは、１つの発光素子の発光を制御する回路が３つ設けられる構成としてもよい。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光素子につき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソース又はドレインにはビデオ信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示装置が実現されている。

回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方又は双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも１つを有していてもよい。

ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号又は電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。

表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方又は双方が積層された構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、又は３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。

このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ヘッドマウントディスプレイ等のＶＲ向け機器、又はメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計等の装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。

［表示装置１００Ｃ］
図２３に示す表示装置１００Ｃは、基板３０１、発光素子１３０、容量２４０、及びトランジスタ３１０等を有する。

基板３０１は、図２２Ａ及び図２２Ｂにおける基板２９１に相当する。

トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板等の半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソース又はドレインとして機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられる。

また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられる。

また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられる。

容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は容量２４０の誘電体として機能する。

導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられる。

容量２４０を覆って、絶縁層２５５が設けられ、絶縁層２５５上に絶縁層１０５が設けられる。

絶縁層２５５としては、それぞれ、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜等の各種無機絶縁膜を好適に用いることができる。絶縁層２５５としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等の酸化絶縁膜又は酸化窒化絶縁膜を用いることが好ましい。本実施の形態では、絶縁層１０５に凹部が設けられる例を示すが、絶縁層１０５に凹部が設けられていなくてもよい。

絶縁層１０５上に発光素子１３０が設けられる。本実施の形態では、発光素子１３０が、図２Ａに示す積層構造を有する例を示す。

ＥＬ層１１２の一部を覆うように保護層１４６が設けられる。また、保護層１４６の上面と側面、及びＥＬ層１１２の側面を覆うように絶縁層１２５が設けられる。さらに、絶縁層１２５上には絶縁層１２６が設けられる。ＥＬ層１１２上、及び絶縁層１２６上に共通層１１４が設けられ、共通層１１４上に共通電極１１５が設けられる。共通層１１４及び共通電極１１５は、それぞれ、複数の発光素子１３０に共通して設けられるひとつなぎの膜である。

発光素子１３０の画素電極１１１は、絶縁層２４３、絶縁層２５５、及び絶縁層１０５に埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層１０５の上面の高さと、プラグ２５６の上面の高さは、一致又は概略一致している。プラグには各種導電材料を用いることができる。

また、発光素子１３０上には保護層１２１が設けられる。保護層１２１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。基板１２０は、図２２Ａにおける基板２９２に相当する。

樹脂層１２２としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、又は嫌気型接着剤等の各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、及びＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、例えば接着シートを用いてもよい。

画素電極１１１のそれぞれの上面端部は、絶縁層によって覆われていない。そのため、隣り合う発光素子の距離を極めて狭くすることができる。したがって、高精細、又は、高解像度の表示装置とすることができる。

図２４は、図２３に示す表示装置１００Ｃの変形例であり、絶縁層１２６が設けられない例を示している。

［表示装置１００Ｄ］
図２５に示す表示装置１００Ｄは、トランジスタの構成が異なる点で、表示装置１００Ｃと主に相違する。なお、以降の表示装置の説明においては、先に説明した表示装置と同様の部分については説明を省略することがある。

トランジスタ３２０は、チャネルが形成される半導体層に、金属酸化物が適用されたトランジスタ（ＯＳトランジスタ）である。

トランジスタ３２０は、半導体層３２１、絶縁層３２３、導電層３２４、一対の導電層３２５、絶縁層３２６、及び、導電層３２７を有する。

基板３３１は、図２２Ａ及び図２２Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３３１としては、絶縁性基板又は半導体基板を用いることができる。

基板３３１上に、絶縁層３３２が設けられる。絶縁層３３２は、基板３３１から水又は水素等の不純物がトランジスタ３２０に拡散すること、及び半導体層３２１から絶縁層３３２側に酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３３２としては、例えば酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、窒化シリコン膜等の、酸化シリコン膜よりも水素又は酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。

絶縁層３３２上に導電層３２７が設けられ、導電層３２７を覆って絶縁層３２６が設けられる。導電層３２７は、トランジスタ３２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層３２６の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層３２６の少なくとも半導体層３２１と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層３２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。

半導体層３２１は、絶縁層３２６上に設けられる。半導体層３２１は、半導体特性を有する金属酸化物膜を有することが好ましい。

一対の導電層３２５は、半導体層３２１上に接して設けられ、ソース電極及びドレイン電極として機能する。

また、一対の導電層３２５の上面及び側面、並びに半導体層３２１の側面等を覆って絶縁層３２８が設けられ、絶縁層３２８上に絶縁層２６４が設けられる。絶縁層３２８は、半導体層３２１に絶縁層２６４等から水又は水素等の不純物が拡散すること、及び半導体層３２１から酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２８としては、上記絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

絶縁層３２８及び絶縁層２６４に、半導体層３２１に達する開口が設けられる。当該開口の内部において、絶縁層２６４、絶縁層３２８、及び導電層３２５の側面、並びに半導体層３２１の上面に接する絶縁層３２３と、導電層３２４とが埋め込まれている。導電層３２４は、第２のゲート電極として機能し、絶縁層３２３は第２のゲート絶縁層として機能する。

導電層３２４の上面、絶縁層３２３の上面、及び絶縁層２６４の上面は、それぞれ高さが一致又は概略一致するように平坦化処理され、これらを覆って絶縁層３２９及び絶縁層２６５が設けられる。

絶縁層２６４及び絶縁層２６５は、層間絶縁層として機能する。絶縁層３２９は、トランジスタ３２０に例えば絶縁層２６５から水又は水素等の不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２９としては、上記絶縁層３２８及び絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

一対の導電層３２５の一方と電気的に接続するプラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８に埋め込まれるように設けられる。ここで、プラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８のそれぞれの開口の側面、及び導電層３２５の上面の一部を覆う導電層２７４ａと、導電層２７４ａの上面に接する導電層２７４ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層２７４ａとして、水素及び酸素が拡散しにくい導電材料を用いることが好ましい。

表示装置１００Ｄにおける、絶縁層２５４から基板１２０までの構成は、表示装置１００Ｃと同様である。

図２６は、図２５に示す表示装置１００Ｄの変形例であり、絶縁層１２６が設けられない例を示している。

［表示装置１００Ｅ］
図２７に示す表示装置１００Ｅは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０とが積層された構成を有する。

トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に導電層２５１が設けられる。また導電層２５１を覆って絶縁層２６２が設けられ、絶縁層２６２上に導電層２５２が設けられる。導電層２５１及び導電層２５２は、それぞれ配線として機能する。また、導電層２５２を覆って絶縁層２６３及び絶縁層３３２が設けられ、絶縁層３３２上にトランジスタ３２０が設けられる。また、トランジスタ３２０を覆って絶縁層２６５が設けられ、絶縁層２６５上に容量２４０が設けられる。容量２４０とトランジスタ３２０とは、プラグ２７４により電気的に接続されている。

トランジスタ３２０は、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、又は当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、又はソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０及びトランジスタ３２０は、演算回路又は記憶回路等の各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。

このような構成とすることで、発光素子の直下に画素回路だけでなく例えば駆動回路を形成することができるため、表示領域の周辺に駆動回路を設ける場合に比べて、表示装置を小型化することが可能となる。

図２８は、図２７に示す表示装置１００Ｅの変形例であり、絶縁層１２６が設けられない例を示している。

［表示装置１００Ｆ］
図２９に示す表示装置１００Ｆは、それぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トランジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。

表示装置１００Ｆは、トランジスタ３１０Ｂ、容量２４０、及び発光素子が設けられた基板３０１Ｂと、トランジスタ３１０Ａが設けられた基板３０１Ａとが、貼り合された構成を有する。

ここで、基板３０１Ｂの下面に絶縁層３４５を設けることが好ましい。また、基板３０１Ａ上に設けられた絶縁層２６１の上に絶縁層３４６を設けることが好ましい。絶縁層３４５、及び絶縁層３４６は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂ及び基板３０１Ａに不純物が拡散するのを抑制することができる。絶縁層３４５、及び絶縁層３４６としては、保護層１２１に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

基板３０１Ｂには、基板３０１Ｂ及び絶縁層３４５を貫通するプラグ３４３が設けられる。ここで、プラグ３４３の側面を覆って絶縁層３４４を設けることが好ましい。絶縁層３４４は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂに不純物が拡散するのを抑制することができる。絶縁層３４４としては、保護層１２１に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

また、基板３０１Ｂの裏面（基板３０１Ａ側の表面）側、絶縁層３４５の下に、導電層３４２が設けられる。導電層３４２は、絶縁層３３５に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４２と絶縁層３３５の下面は平坦化されていることが好ましい。ここで、導電層３４２はプラグ３４３と電気的に接続されている。

一方、基板３０１Ａには、絶縁層３４６上に導電層３４１が設けられる。導電層３４１は、絶縁層３３６に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４１と絶縁層３３６の上面は平坦化されていることが好ましい。

導電層３４１と、導電層３４２とが接合されることで、基板３０１Ａと基板３０１Ｂとが電気的に接続される。ここで、導電層３４２と絶縁層３３５で形成される面と、導電層３４１と絶縁層３３６で形成される面の平坦性を向上させておくことで、導電層３４１と導電層３４２の貼り合わせを良好にすることができる。

導電層３４１及び導電層３４２としては、同じ導電材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、及びＷから選ばれた元素を含む金属膜、又は前述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、又は窒化タングステン膜）等を用いることができる。特に、導電層３４１及び導電層３４２に、銅を用いることが好ましい。これにより、Ｃｕ−Ｃｕ（カッパー・カッパー）直接接合技術（Ｃｕ（銅）のパッド同士を接続することで電気的導通を図る技術）を適用することができる。

図３０は、図２９に示す表示装置１００Ｆの変形例であり、絶縁層１２６が設けられない例を示している。

［表示装置１００Ｇ］
図２９では、導電層３４１と導電層３４２の接合にＣｕ−Ｃｕ直接接合技術を用いる例について示したが、本発明はこれに限られるものではない。図３１に示すように、表示装置１００Ｇにおいて、導電層３４１と導電層３４２を、バンプ３４７を介して接合する構成にしてもよい。

図３１に示すように、導電層３４１と導電層３４２の間にバンプ３４７を設けることで、導電層３４１と導電層３４２を電気的に接続することができる。バンプ３４７は、例えば、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、又は錫（Ｓｎ）等を含む導電性材料を用いて形成することができる。また例えば、バンプ３４７として半田を用いる場合がある。また、絶縁層３４５と絶縁層３４６の間に、接着層３４８を設けてもよい。また、バンプ３４７を設ける場合、絶縁層３３５及び絶縁層３３６を設けない構成にしてもよい。

図３２は、図３１に示す表示装置１００Ｇの変形例であり、絶縁層１２６が設けられない例を示している。

本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、又は図面等と適宜組み合わせることができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態、又は実施例と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる発光素子について説明する。

図３３Ａに示すように、発光素子は、一対の電極（下部電極７７２、上部電極７８８）の間に、ＥＬ層７８６を有する。ＥＬ層７８６は、層４４２０、発光層４４１１、及び層４４３０等の複数の層で構成することができる。層４４２０は、例えば電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）及び電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）等を有することができる。発光層４４１１は、例えば発光性の化合物を有する。層４４３０は、例えば正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）及び正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）を有することができる。

一対の電極間に設けられた層４４２０、発光層４４１１及び層４４３０を有する構成は単一の発光ユニットとして機能することができ、本明細書では図３３Ａの構成をシングル構造と呼ぶ。

また、図３３Ｂは、図３３Ａに示す発光素子が有するＥＬ層７８６の変形例である。具体的には、図３３Ｂに示す発光素子は、下部電極７７２上の層４４３１と、層４４３１上の層４４３２と、層４４３２上の発光層４４１１と、発光層４４１１上の層４４２１と、層４４２１上の層４４２２と、層４４２２上の上部電極７８８と、を有する。例えば、下部電極７７２を陽極とし、上部電極７８８を陰極とした場合、層４４３１が正孔注入層として機能し、層４４３２が正孔輸送層として機能し、層４４２１が電子輸送層として機能し、層４４２２が電子注入層として機能する。又は、下部電極７７２を陰極とし、上部電極７８８を陽極とした場合、層４４３１が電子注入層として機能し、層４４３２が電子輸送層として機能し、層４４２１が正孔輸送層として機能し、層４４２２が正孔注入層として機能する。このような層構造とすることで、発光層４４１１に効率よくキャリアを注入し、発光層４４１１内におけるキャリアの再結合の効率を高めることが可能となる。

なお、図３３Ｃ、図３３Ｄに示すように層４４２０と層４４３０との間に複数の発光層（発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３）が設けられる構成もシングル構造のバリエーションである。

また、図３３Ｅ、図３３Ｆに示すように、複数の発光ユニット（ＥＬ層７８６ａ、ＥＬ層７８６ｂ）が電荷発生層４４４０を介して直列に接続された構成を本明細書ではタンデム構造と呼ぶ。なお、タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。なお、タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光素子とすることができる。

図３３Ｃ、図３３Ｄにおいて、発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３に、同じ色の光を発する発光材料、さらには、同じ発光材料を用いてもよい。例えば、発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３に、青色の光を発する発光材料を用いてもよい。図３３Ｄに示す層７８５として、色変換層を設けてもよい。

また、発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３に、それぞれ異なる色の光を発する発光材料を用いてもよい。発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３がそれぞれ発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図３３Ｄに示す層７８５として、カラーフィルタ（着色層ともいう）を設けてもよい。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。

また、図３３Ｅ、図３３Ｆにおいて、発光層４４１１と、発光層４４１２とに、同じ色の光を発する発光材料、さらには、同じ発光材料を用いてもよい。又は、発光層４４１１と、発光層４４１２とに、異なる色の光を発する発光材料を用いてもよい。発光層４４１１が発する光と、発光層４４１２が発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図３３Ｆには、さらに層７８５を設ける例を示している。層７８５としては、色変換層及びカラーフィルタ（着色層）の一方又は双方を用いることができる。

なお、図３３Ｃ、図３３Ｄ、図３３Ｅ、図３３Ｆにおいても、図３３Ｂに示すように、層４４２０と、層４４３０とは、２層以上の層からなる積層構造としてもよい。

発光素子ごとに、発光色（例えば、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び赤（Ｒ））を作り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。

発光素子の発光色は、ＥＬ層７８６を構成する材料によって、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、黄又は白等とすることができる。また、発光素子にマイクロキャビティ構造を付与することにより色純度をさらに高めることができる。

白色の光を発する発光素子は、発光層に２種類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるような発光物質を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることができる。また、発光層を３つ以上有する発光素子の場合も同様である。

発光層には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、又はＯ（橙）等の発光を示す発光物質を２種類以上含むことが好ましい。

本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、又は図面等と適宜組み合わせることができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態、又は実施例と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図３４乃至図３７を用いて説明する。

本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態様の表示装置は、高精細化及び高解像度化が容易である。また、本発明の一態様の表示装置は、信頼性が高い。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型若しくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用等のモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機等の大型ゲーム機等の比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、等が挙げられる。

特に、本発明の一態様の表示装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器としては、例えば、腕時計型及びブレスレット型の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイ等のＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器、及び、ＭＲ向け機器等、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。

本発明の一態様の表示装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ、８Ｋ、又はそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示装置における画素密度（精細度）は、１００ｐｐｉ以上が好ましく、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度及び高い精細度の一方又は双方を有する表示装置を用いることで、携帯型又は家庭用途等のパーソナルユースの電子機器において、臨場感及び奥行き感等をより高めることが可能となる。また、本発明の一態様の表示装置の画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。例えば、表示装置は、１：１（正方形）、４：３、１６：９、及び１６：１０等様々な画面比率に対応することができる。

本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像等）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻等を表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出す機能等を有することができる。

図３４Ａ乃至図３４Ｄを用いて、頭部に装着可能なウェアラブル機器の一例を説明する。これらウェアラブル機器は、ＡＲのコンテンツを表示する機能、及びＶＲのコンテンツを表示する機能の一方又は双方を有する。なお、これらウェアラブル機器は、ＡＲ、ＶＲの他に、ＳＲ又はＭＲのコンテンツを表示する機能を有していてもよい。電子機器が、ＡＲ、ＶＲ、ＳＲ、又はＭＲ等のコンテンツを表示する機能を有することで、使用者の没入感を高めることが可能となる。

図３４Ａに示す電子機器７００Ａ、及び、図３４Ｂに示す電子機器７００Ｂは、それぞれ、一対の表示パネル７５１と、一対の筐体７２１と、通信部（図示しない）と、一対の装着部７２３と、制御部（図示しない）と、撮像部（図示しない）と、一対の光学部材７５３と、フレーム７５７と、一対の鼻パッド７５８と、を有する。

表示パネル７５１には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。

電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、光学部材７５３の表示領域７５６に、表示パネル７５１で表示した画像を投影することができる。光学部材７５３は透光性を有するため、使用者は光学部材７５３を通して視認される透過像に重ねて、表示領域に表示された画像を見ることができる。したがって、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ＡＲ表示が可能な電子機器である。

電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、撮像部として、前方を撮像することのできるカメラが設けられていてもよい。また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ジャイロセンサ等の加速度センサを備えることで、使用者の頭部の向きを検知して、その向きに応じた画像を表示領域７５６に表示することもできる。

通信部は無線通信機を有し、当該無線通信機により例えば映像信号を供給することができる。なお、無線通信機に代えて、又は無線通信機に加えて、映像信号及び電源電位が供給されるケーブルを接続可能なコネクタを備えていてもよい。

また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、バッテリが設けられており、無線及び有線の一方又は双方によって充電することができる。

筐体７２１には、タッチセンサモジュールが設けられていてもよい。タッチセンサモジュールは、筐体７２１の外側の面がタッチされることを検出する機能を有する。タッチセンサモジュールにより、使用者のタップ操作又はスライド操作等を検出し、様々な処理を実行することができる。例えば、タップ操作によって動画の一時停止又は再開等の処理を実行することが可能となり、スライド操作により、早送り又は早戻しの処理を実行すること等が可能となる。また、２つの筐体７２１のそれぞれにタッチセンサモジュールを設けることで、操作の幅を広げることができる。

タッチセンサモジュールとしては、様々なタッチセンサを適用することができる。例えば、静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線方式、電磁誘導方式、表面弾性波方式、又は光学方式等、種々の方式を採用することができる。特に、静電容量方式又は光学方式のセンサを、タッチセンサモジュールに適用することが好ましい。

光学方式のタッチセンサを用いる場合には、受光デバイス（受光素子ともいう）として、光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）を用いることができる。光電変換デバイスの活性層には、無機半導体及び有機半導体の一方又は双方を用いることができる。

図３４Ｃに示す電子機器８００Ａ、及び、図３４Ｄに示す電子機器８００Ｂは、それぞれ、一対の表示部８２０と、筐体８２１と、通信部８２２と、一対の装着部８２３と、制御部８２４と、一対の撮像部８２５と、一対のレンズ８３２と、を有する。

表示部８２０には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。これにより、使用者に高い没入感を感じさせることができる。

表示部８２０は、筐体８２１の内部の、レンズ８３２を通して視認できる位置に設けられる。また、一対の表示部８２０に異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うこともできる。

電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、ＶＲ向けの電子機器ということができる。電子機器８００Ａ又は電子機器８００Ｂを装着した使用者は、レンズ８３２を通して、表示部８２０に表示される画像を視認することができる。

電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、レンズ８３２及び表示部８２０が、使用者の目の位置に応じて最適な位置となるように、これらの左右の位置を調整可能な機構を有していることが好ましい。また、レンズ８３２と表示部８２０との距離を変えることで、ピントを調整する機構を有していることが好ましい。

装着部８２３により、使用者は電子機器８００Ａ又は電子機器８００Ｂを頭部に装着することができる。なお、例えば図３４Ｃにおいては、メガネのつる（ジョイント、又はテンプル等ともいう）のような形状として例示しているがこれに限定されない。装着部８２３は、使用者が装着できればよく、例えば、ヘルメット型又はバンド型の形状としてもよい。

撮像部８２５は、外部の情報を取得する機能を有する。撮像部８２５が取得したデータは、表示部８２０に出力することができる。撮像部８２５には、イメージセンサを用いることができる。また、望遠、及び広角等の複数の画角に対応可能なように複数のカメラを設けてもよい。

なお、ここでは撮像部８２５を有する例を示したが、対象物の距離を測定することのできる測距センサ（以下、検知部ともよぶ）を設ければよい。すなわち、撮像部８２５は、検知部の一態様である。検知部としては、例えばイメージセンサ、又は、ライダー（ＬＩＤＡＲ：Ｌｉｇｈｔ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｒａｎｇｉｎｇ）等の距離画像センサを用いることができる。カメラによって得られた画像と、距離画像センサによって得られた画像とを用いることにより、より多くの情報を取得し、より高精度なジェスチャー操作を可能とすることができる。

電子機器８００Ａは、骨伝導イヤフォンとして機能する振動機構を有していてもよい。例えば、表示部８２０、筐体８２１、及び装着部８２３のいずれか一又は複数に、当該振動機構を有する構成を適用することができる。これにより、別途、ヘッドフォン、イヤフォン、又はスピーカ等の音響機器を必要とせず、電子機器８００Ａを装着しただけで映像と音声を楽しむことができる。

電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、入力端子を有していてもよい。入力端子には映像出力機器等からの映像信号、及び、電子機器内に設けられるバッテリを充電するための電力等を供給するケーブルを接続することができる。

本発明の一態様の電子機器は、イヤフォン７５０と無線通信を行う機能を有していてもよい。イヤフォン７５０は、通信部（図示しない）を有し、無線通信機能を有する。イヤフォン７５０は、無線通信機能により、電子機器から情報（例えば音声データ）を受信することができる。例えば、図３４Ａに示す電子機器７００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。また、例えば、図３４Ｃに示す電子機器８００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。

また、電子機器がイヤフォン部を有していてもよい。図３４Ｂに示す電子機器７００Ｂは、イヤフォン部７２７を有する。例えば、イヤフォン部７２７と制御部とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部７２７と制御部とをつなぐ配線の一部は、筐体７２１又は装着部７２３の内部に配置されていてもよい。

同様に、図３４Ｄに示す電子機器８００Ｂは、イヤフォン部８２７を有する。例えば、イヤフォン部８２７と制御部８２４とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部８２７と制御部８２４とをつなぐ配線の一部は、筐体８２１又は装着部８２３の内部に配置されていてもよい。また、イヤフォン部８２７と装着部８２３とがマグネットを有していてもよい。これにより、イヤフォン部８２７を装着部８２３に磁力によって固定することができ、収納が容易となり好ましい。

なお、電子機器は、イヤフォン又はヘッドフォン等を接続することができる音声出力端子を有していてもよい。また、電子機器は、音声入力端子及び音声入力機構の一方又は双方を有していてもよい。音声入力機構としては、例えば、マイク等の集音装置を用いることができる。電子機器が音声入力機構を有することで、電子機器に、いわゆるヘッドセットとしての機能を付与してもよい。

このように、本発明の一態様の電子機器としては、メガネ型（電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂ等）と、ゴーグル型（電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂ等）と、のどちらも好適である。

また、本発明の一態様の電子機器は、有線又は無線によって、イヤフォンに情報を送信することができる。

図３５Ａに示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。

電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。

表示部６５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

図３５Ｂは、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。

筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、及びバッテリ６５１８等が配置されている。

保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。

表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。

表示パネル６５１１には本発明の一態様のフレキシブルディスプレイを適用することができる。そのため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。

図３５Ｃにテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。

表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

図３５Ｃに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。又は、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キー又はタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデム等を備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者同士等）の情報通信を行うことも可能である。

図３５Ｄに、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、及び外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。

表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

図３５Ｅ及び図３５Ｆに、デジタルサイネージの一例を示す。

図３５Ｅに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。

図３５Ｆは円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。

図３５Ｅ及び図３５Ｆにおいて、表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像又は動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報若しくは交通情報等の情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。

また、図３５Ｅ及び図３５Ｆに示すように、デジタルサイネージ７３００又はデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。

また、デジタルサイネージ７３００又はデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数の使用者が同時にゲームに参加し、楽しむことができる。

図３６Ａ乃至図３６Ｇに示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。

図３６Ａ乃至図３６Ｇに示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像等）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻等を表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画又は動画を撮影し、記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。

図３６Ａ乃至図３６Ｇに示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。

図３６Ａは、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、及びセンサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示することができる。図３６Ａでは３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、電話等の着信の通知、電子メール又はＳＮＳ等の題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、及び電波強度等がある。又は、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０等を表示してもよい。

図３６Ｂは、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。

図３６Ｃは、タブレット端末９１０３を示す斜視図である。タブレット端末９１０３は、一例として、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲーム等の種々のアプリケーションの実行が可能である。タブレット端末９１０３は、筐体９０００の正面に表示部９００１、カメラ９００２、マイクロフォン９００８、スピーカ９００３を有し、筐体９０００の左側面には操作用のボタンとしての操作キー９００５、底面には接続端子９００６を有する。

図３６Ｄは、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。

図３６Ｅ乃至図３６Ｇは、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図３６Ｅは携帯情報端末９２０１を展開した状態、図３６Ｇは折り畳んだ状態、図３６Ｆは図３６Ｅと図３６Ｇの一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。

図３７Ａに示すパーソナルコンピュータ２８００は、筐体２８０１、筐体２８０２、表示部２８０３、キーボード２８０４、及びポインティングデバイス２８０５等を有する。筐体２８０１の内側に二次電池２８０７を備え、筐体２８０２の内側に二次電池２８０６を備える。表示部２８０３は、本発明の一態様の表示装置が適用されており、タッチパネル機能を有する。パーソナルコンピュータ２８００は、図３７Ｂに示すように筐体２８０１と筐体２８０２を取り外し、筐体２８０２のみでタブレット端末として使用することができる。

図３７Ｃに示すパーソナルコンピュータの変形例では、表示部２８０３にフレキシブルディスプレイが適用されている。二次電池２８０６は、外装体に可撓性を有するフィルムを用いることにより、曲げることが可能な二次電池とすることができる。これにより、図３７Ｃに示すように、筐体２８０２、表示部２８０３、及び、二次電池２８０６を折り曲げて使用することができる。このとき、図３７Ｃに示すように、表示部２８０３の一部をキーボードとして使用することもできる。

また、図３７Ｄに示すように表示部２８０３が内側になるように筐体２８０２を折り畳むこと、又は、図３７Ｅに示すように表示部２８０３が外側になるように筐体２８０２を折り畳むこともできる。

図３７Ｆは、車両のハンドルを示す斜視図である。ハンドル４１は、リム４２、ハブ４３、スポーク４４、及び、シャフト４５等を有する。ハブ４３の表面には、表示部２０が設けられる。３つのスポーク４４のうち、下側に位置するスポーク４４に受発光部２０ｂが、左側に位置するスポーク４４に複数の受発光部２０ｃが、右側に位置するスポーク４４に複数の受発光部２０ｄが、それぞれ設けられる。手３５の指を受発光部２０ｂにかざすことで、運転者の指紋の情報を取得し、当該情報を用いて認証を行うことができる。また、受発光部２０ｃ及び受発光部２０ｄ等をタッチすることで、車両が有するナビゲーションシステム、オーディオシステム、及び、通話システム等を操作することができる。また、ルームミラーの調整、サイドミラーの調整、車内照明のオン、オフ操作及び輝度調整、並びに、ウィンドウの開閉操作等、様々な操作が可能である。

本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、又は図面等と適宜組み合わせることができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態、又は実施例と適宜組み合わせて実施することができる。

本実施例では、実施の形態１に示すＥＬ層１１２Ｒ、及びＥＬ層１１２Ｇを有するサンプルを作製した結果について説明する。

本実施例では、図９Ａ乃至図９Ｄ１に示す工程を経て、図１０Ａに示す画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、犠牲層１４５Ｒａ、犠牲層１４５Ｇａ、犠牲層１４５Ｒｂ、及び犠牲層１４５Ｇｂを有するサンプルを作製した。ここで、画素電極１１１Ｒ、及び画素電極１１１Ｇは、チタンの層と、アルミニウムの層と、チタンの層と、シリコンを含むインジウム錫酸化物の層と、が下からこの順で積層された構成とした。また、ＥＬ層１１２ＲとなるＥＬ膜１１２Ｒｆの狙い膜厚は１２０ｎｍとし、ＥＬ層１１２ＧとなるＥＬ膜１１２Ｇｆの狙い膜厚は９５ｎｍとした。また、犠牲層１４５Ｒａ、及び犠牲層１４５Ｇａは、ＡＬＤ法で形成した酸化アルミニウムとした。さらに、犠牲層１４５Ｒｂ、及び犠牲層１４５Ｇｂは、スパッタリング法で形成したタングステンとした。

図３８Ａは、作製したサンプル断面のＳＴＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）像である。図３８Ｂは、図３８Ａに示す領域４０１の拡大図である。図３８Ｂに示すように、ＥＬ層１１２ＲとＥＬ層１１２Ｇの間の領域に犠牲層１４５ａ、及び犠牲層１４５ｂは残存しないことが確認された。よって、本発明の一態様の表示装置の作製方法により、信頼性が高い表示装置を作製できることが示唆された。

本実施例は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態、又は実施例と適宜組み合わせて実施することができる。

本実施例では、本発明の一態様の表示装置を有する表示パネルを作製し、表示を行った結果について説明する。

本実施例では、図３Ｃに示す構成の表示装置を有する表示パネルを作製した。作製した表示パネルの仕様を表１に示す。ここで、“Ｈ”は水平方向を表し、例えば図１に示すＸ方向に対応する。また、“Ｖ”は垂直方向を表し、例えば図１に示すＹ方向に対応する。さらに、“Ｌ”はチャネル長を示し、“Ｗ”はチャネル幅を示す。

図３９は、作製した表示パネルが有する画素の構成を示す平面図である。図３９には、赤色の副画素Ｒ、緑色の副画素Ｇ、及び青色の副画素Ｂの、Ｘ方向の長さ、及びＹ方向の長さを示している。

図４０は、副画素Ｒ、副画素Ｇ、及び副画素Ｂの光学顕微鏡写真である。図４０に示すように、Ｓストライプ配列の画素を作製できていることが確認された。

図４１は、作製した表示パネルの表示写真である。メタルマスクを用いない塗分け方式によって、極めて高い精細度の画像を表示できることが確認された。ここで、図４１はフルカラーの画像である。

図４２は、作製した表示パネルによる表示結果を示すグラフであり、規格化輝度の経時変化を示すグラフである。本実施例では、３フレーム分の表示を行い、フレーム１、及びフレーム３では白色表示を行った。また、フレーム２では黒色表示を行った。規格化輝度は、３フレーム分の表示における最大輝度を１とした。

図４２に示すように、黒色表示では、白色表示と比較してほとんど発光が確認されず、黒色表示時の光漏れが極めて小さいことが確認された。

また、本実施例では、作製した表示パネルについて、スペクトル測定を行った。測定は、表示パネルの全画素を赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）でそれぞれ表示させた状態で、分光放射輝度の波長依存性を測定した。具体的には、赤色は４２．８ｃｄ／ｍ^２、及び０．３５ｃｄ／ｍ^２で、緑色は１４７ｃｄ／ｍ^２、及び０．８５ｃｄ／ｍ^２で、青色は１９．９ｃｄ／ｍ^２、及び０．１８ｃｄ／ｍ^２の輝度で表示させた。

図４３は、規格化分光放射輝度の波長依存性の測定結果を示すグラフである。規格化分光放射輝度は、それぞれのスペクトルにおける最大輝度を１とした。

図４３に示すように、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれも、半値幅が小さく、各色のスペクトルの重なりがほとんど見られないことが確認された。また、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれも、スペクトルは輝度にほとんど依存しないことが確認された。

本実施例は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態、又は実施例と適宜組み合わせて実施することができる。

２０ｂ：受発光部、２０ｃ：受発光部、２０ｄ：受発光部、２０：表示部、３５：手、４１：ハンドル、４２：リム、４３：ハブ、４４：スポーク、４５：シャフト、１００Ａ：表示装置、１００Ｃ：表示装置、１００Ｄ：表示装置、１００Ｅ：表示装置、１００Ｆ：表示装置、１００Ｇ：表示装置、１００：表示装置、１０１：絶縁層、１０２ａ：導電層、１０２ｂ：導電層、１０３：絶縁層、１０４：絶縁層、１０５：絶縁層、１０６：プラグ、１０７：画素部、１０８：画素、１１０Ｂ：副画素、１１０Ｇ：副画素、１１０Ｒ：副画素、１１０Ｗ：副画素、１１０：副画素、１１１Ｂ：画素電極、１１１Ｇ：画素電極、１１１Ｒ：画素電極、１１１：画素電極、１１２Ｂ：ＥＬ層、１１２Ｂｆ：ＥＬ膜、１１２ｆ：ＥＬ膜、１１２Ｇ：ＥＬ層、１１２Ｇｆ：ＥＬ膜、１１２Ｒ：ＥＬ層、１１２Ｒｆ：ＥＬ膜、１１２：ＥＬ層、１１３：接続電極、１１４：共通層、１１５：共通電極、１１７：遮光層、１２０：基板、１２１：保護層、１２２：樹脂層、１２３：導電層、１２４ａ：画素、１２４ｂ：画素、１２５ｆ：絶縁膜、１２５：絶縁層、１２６：絶縁層、１２７ｆ：保護膜、１２７：保護層、１２８：層、１２９：導電層、１３０Ｂ：発光素子、１３０Ｇ：発光素子、１３０Ｒ：発光素子、１３０：発光素子、１３１ａ：領域、１３１ｂ：領域、１３２：領域、１３３：上端部、１３４：上端部、１３８：領域、１４０：接続部、１４１：領域、１４２：接着層、１４３ａ：レジストマスク、１４３ｂ：レジストマスク、１４３ｃ：レジストマスク、１４３：レジストマスク、１４４ａ：犠牲膜、１４４ｂ：犠牲膜、１４４Ｂａ：犠牲膜、１４４Ｂｂ：犠牲膜、１４４Ｇａ：犠牲膜、１４４Ｇｂ：犠牲膜、１４４Ｒａ：犠牲膜、１４４Ｒｂ：犠牲膜、１４４：犠牲膜、１４５ａ：犠牲層、１４５ｂ：犠牲層、１４５Ｂａ：犠牲層、１４５Ｂｂ：犠牲層、１４５Ｇ：犠牲層、１４５Ｇａ：犠牲層、１４５Ｇｂ：犠牲層、１４５Ｒ：犠牲層、１４５Ｒａ：犠牲層、１４５Ｒｂ：犠牲層、１４５：犠牲層、１４６：保護層、１４７：レジストマスク、１５１：保護層、１５２：基板、１５３：基板、１６４：回路、１６５：配線、１６６：導電層、１７２：ＦＰＣ、１７３：ＩＣ、２０１：トランジスタ、２０４：接続部、２０５：トランジスタ、２０９：トランジスタ、２１０：トランジスタ、２１１：絶縁層、２１３：絶縁層、２１４：絶縁層、２１５：絶縁層、２１８：絶縁層、２２１：導電層、２２２ａ：導電層、２２２ｂ：導電層、２２３：導電層、２２５：絶縁層、２３１ｉ：チャネル形成領域、２３１ｎ：低抵抗領域、２３１：半導体層、２４０：容量、２４１：導電層、２４２：接続層、２４３：絶縁層、２４５：導電層、２５１：導電層、２５２：導電層、２５４：絶縁層、２５５：絶縁層、２５６：プラグ、２６１：絶縁層、２６２：絶縁層、２６３：絶縁層、２６４：絶縁層、２６５：絶縁層、２７１：プラグ、２７４ａ：導電層、２７４ｂ：導電層、２７４：プラグ、２８０：表示モジュール、２８１：表示部、２８２：回路部、２８３ａ：画素回路、２８３：画素回路部、２８４ａ：画素、２８４：画素部、２８５：端子部、２８６：配線部、２９０：ＦＰＣ、２９１：基板、２９２：基板、３０１Ａ：基板、３０１Ｂ：基板、３０１：基板、３１０Ａ：トランジスタ、３１０Ｂ：トランジスタ、３１０：トランジスタ、３１１：導電層、３１２：低抵抗領域、３１３：絶縁層、３１４：絶縁層、３１５：素子分離層、３２０：トランジスタ、３２１：半導体層、３２３：絶縁層、３２４：導電層、３２５：導電層、３２６：絶縁層、３２７：導電層、３２８：絶縁層、３２９：絶縁層、３３１：基板、３３２：絶縁層、３３５：絶縁層、３３６：絶縁層、３４１：導電層、３４２：導電層、３４３：プラグ、３４４：絶縁層、３４５：絶縁層、３４６：絶縁層、３４７：バンプ、３４８：接着層、４０１：領域、７００Ａ：電子機器、７００Ｂ：電子機器、７２１：筐体、７２３：装着部、７２７：イヤフォン部、７５０：イヤフォン、７５１：表示パネル、７５３：光学部材、７５６：表示領域、７５７：フレーム、７５８：鼻パッド、７７２：下部電極、７８５：層、７８６ａ：ＥＬ層、７８６ｂ：ＥＬ層、７８６：ＥＬ層、７８８：上部電極、８００Ａ：電子機器、８００Ｂ：電子機器、８２０：表示部、８２１：筐体、８２２：通信部、８２３：装着部、８２４：制御部、８２５：撮像部、８２７：イヤフォン部、８３２：レンズ、２８００：パーソナルコンピュータ、２８０１：筐体、２８０２：筐体、２８０３：表示部、２８０４：キーボード、２８０５：ポインティングデバイス、２８０６：二次電池、２８０７：二次電池、４４１１：発光層、４４１２：発光層、４４１３：発光層、４４２０：層、４４２１：層、４４２２：層、４４３０：層、４４３１：層、４４３２：層、４４４０：電荷発生層、６５００：電子機器、６５０１：筐体、６５０２：表示部、６５０３：電源ボタン、６５０４：ボタン、６５０５：スピーカ、６５０６：マイク、６５０７：カメラ、６５０８：光源、６５１０：保護部材、６５１１：表示パネル、６５１２：光学部材、６５１３：タッチセンサパネル、６５１５：ＦＰＣ、６５１６：ＩＣ、６５１７：プリント基板、６５１８：バッテリ、７０００：表示部、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド、７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、９０００：筐体、９００１：表示部、９００２：カメラ、９００３：スピーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロフォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１０１：携帯情報端末、９１０２：携帯情報端末、９１０３：タブレット端末、９２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末

Claims (19)

1. 　第１の発光素子と、前記第１の発光素子と隣接する第２の発光素子と、を有し、
   　前記第１の発光素子は、第１の画素電極と、前記第１の画素電極上の第１のＥＬ層と、前記第１のＥＬ層上の共通電極と、を有し、
   　前記第２の発光素子は、第２の画素電極と、前記第２の画素電極上の第２のＥＬ層と、前記第２のＥＬ層上の前記共通電極と、を有し、
   　前記第１の画素電極の端部、及び前記第２の画素電極の端部は、テーパー形状を有し、
   　前記第１のＥＬ層は、前記第１の画素電極の端部を覆い、
   　前記第２のＥＬ層は、前記第２の画素電極の端部を覆い、
   　前記第１のＥＬ層は、厚さが１５０ｎｍ以下である領域を有する表示装置。
2. 　請求項１において、
   　前記第１の発光素子は、前記第１のＥＬ層と前記共通電極の間に、共通層を有し、
   　前記第２の発光素子は、前記第２のＥＬ層と前記共通電極の間に、前記共通層を有し、
   　前記第１の画素電極の上面と、前記共通層の下面と、の間の距離が１５０ｎｍ以下である領域を有する表示装置。
3. 　第１の発光素子と、前記第１の発光素子と隣接する第２の発光素子と、を有し、
   　前記第１の発光素子は、第１の画素電極と、前記第１の画素電極上の第１のＥＬ層と、前記第１のＥＬ層上の共通電極と、を有し、
   　前記第２の発光素子は、第２の画素電極と、前記第２の画素電極上の第２のＥＬ層と、前記第２のＥＬ層上の前記共通電極と、を有し、
   　前記第１の画素電極の端部、及び前記第２の画素電極の端部は、テーパー形状を有し、
   　前記第１のＥＬ層は、前記第１の画素電極の端部を覆い、
   　前記第２のＥＬ層は、前記第２の画素電極の端部を覆い、
   　前記第１のＥＬ層の厚さと、前記第２のＥＬ層の厚さと、の差が１００ｎｍ以下である領域を有する表示装置。
4. 　請求項３において、
   　前記第１の発光素子は、前記第１のＥＬ層と前記共通電極の間に、共通層を有し、
   　前記第２の発光素子は、前記第２のＥＬ層と前記共通電極の間に、前記共通層を有し、
   　前記第１の画素電極の上面と前記共通層の下面との間の距離と、前記第２の画素電極の上面と前記共通層の下面との間の距離と、の差が１００ｎｍ以下である領域を有する表示装置。
5. 　請求項２又は４において、
   　前記共通層は、キャリア注入層を有する表示装置。
6. 　請求項１乃至５のいずれか一項において、
   　前記第１のＥＬ層と前記第２のＥＬ層の間の領域に、絶縁層が設けられる表示装置。
7. 　請求項６において、
   　前記絶縁層は、有機材料を有する表示装置。
8. 　請求項１乃至７のいずれか一項において、
   　画素部と、接続部と、を有し、
   　前記画素部は、前記第１の発光素子と、前記第２の発光素子と、を有し、
   　前記接続部は、接続電極と、前記接続電極上に設けられ、前記接続電極と電気的に接続される前記共通電極と、を有し、
   　前記画素部と前記接続部の間の領域には、第３のＥＬ層が設けられ、
   　前記接続電極の端部と、前記第３のＥＬ層の端部と、が保護層により覆われる表示装置。
9. 　請求項１乃至８のいずれか一に記載の表示装置と、
   　コネクタ及び集積回路のうち少なくとも一方と、を有する表示モジュール。
10. 　請求項９に記載の表示モジュールと、
    　バッテリ、カメラ、スピーカ、及びマイクのうち少なくとも一つと、を有する電子機器。
11. 　第１の画素電極と、前記第１の画素電極と隣接する第２の画素電極と、を、端部にテーパー形状を有するように形成し、
    　前記第１及び第２の画素電極上に、第１のＥＬ膜を形成し、
    　前記第１のＥＬ膜上に、第１の犠牲膜を形成し、
    　前記第１のＥＬ膜、及び前記第１の犠牲膜を加工することにより、前記第１の画素電極の端部を覆う、厚さが１５０ｎｍ以下である領域を有する第１のＥＬ層と、前記第１のＥＬ層上の第１の犠牲層と、を形成し、
    　前記第１の犠牲層上、及び前記第２の画素電極上に、第２のＥＬ膜を形成し、
    　前記第２のＥＬ膜上に、第２の犠牲膜を形成し、
    　前記第２のＥＬ膜、及び前記第２の犠牲膜を加工することにより、前記第２の画素電極の端部を覆う第２のＥＬ層と、前記第２のＥＬ層上の第２の犠牲層と、を形成し、
    　前記第１の犠牲層の少なくとも一部と、前記第２の犠牲層の少なくとも一部と、を除去し、
    　前記第１のＥＬ層上、及び前記第２のＥＬ層上に、共通電極を形成する表示装置の作製方法。
12. 　請求項１１において、
    　前記第１の犠牲層の少なくとも一部と、前記第２の犠牲層の少なくとも一部と、を除去した後、前記第１のＥＬ層上、及び前記第２のＥＬ層上に、共通層を形成し、
    　前記共通層上に、前記共通電極を形成し、
    　前記第１の画素電極の上面と、前記共通層の下面と、の間の距離が１５０ｎｍ以下である領域を有する表示装置の作製方法。
13. 　第１の画素電極と、前記第１の画素電極と隣接する第２の画素電極と、を、端部にテーパー形状を有するように形成し、
    　前記第１及び第２の画素電極上に、第１のＥＬ膜を形成し、
    　前記第１のＥＬ膜上に、第１の犠牲膜を形成し、
    　前記第１のＥＬ膜、及び前記第１の犠牲膜を加工することにより、前記第１の画素電極の端部を覆う第１のＥＬ層と、前記第１のＥＬ層上の第１の犠牲層と、を形成し、
    　前記第１の犠牲層上、及び前記第２の画素電極上に、第２のＥＬ膜を形成し、
    　前記第２のＥＬ膜上に、第２の犠牲膜を形成し、
    　前記第２のＥＬ膜、及び前記第２の犠牲膜を加工することにより、前記第２の画素電極の端部を覆う、前記第１のＥＬ層の厚さとの差が１００ｎｍ以下である領域を有する第２のＥＬ層と、前記第２のＥＬ層上の第２の犠牲層と、を形成し、
    　前記第１の犠牲層の少なくとも一部と、前記第２の犠牲層の少なくとも一部と、を除去し、
    　前記第１のＥＬ層上、及び前記第２のＥＬ層上に、共通電極を形成する表示装置の作製方法。
14. 　請求項１３において、
    　前記第１の犠牲層の少なくとも一部と、前記第２の犠牲層の少なくとも一部と、を除去した後、前記第１のＥＬ層上、及び前記第２のＥＬ層上に、共通層を形成し、
    　前記共通層上に、前記共通電極を形成し、
    　前記第１の画素電極の上面と前記共通層の下面との間の距離と、前記第２の画素電極の上面と前記共通層の下面との間の距離と、の差が１００ｎｍ以下である領域を有する表示装置の作製方法。
15. 　請求項１２又は１４において、
    　前記共通層は、キャリア注入層を有する表示装置の作製方法。
16. 　請求項１１乃至１５において、
    　前記第１及び第２の犠牲層の形成後、且つ前記第１及び第２の犠牲層の少なくとも一部を除去する前に、前記第１のＥＬ層と、前記第２のＥＬ層と、の間の領域に絶縁層を形成する表示装置の作製方法。
17. 　請求項１６において、
    　前記絶縁層は、スピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法、又はペイント法を用いて形成する表示装置の作製方法。
18. 　請求項１１乃至１７のいずれか一項において、
    　導電膜を形成し、
    　前記導電膜を加工することにより、前記第１の画素電極と、前記第２の画素電極と、接続電極と、を、端部にテーパー形状を有するように形成し、
    　前記第１のＥＬ膜を形成後、前記第１のＥＬ膜の端部を覆うように、前記第１の犠牲膜を形成し、
    　前記第１のＥＬ膜、及び前記第１の犠牲膜を加工することにより、前記第１及び第２の画素電極と、前記接続電極と、の間の領域に、第３のＥＬ層と、前記接続電極の端部及び前記第３のＥＬ層の端部を覆う第３の犠牲層と、を形成し、
    　前記第１の犠牲層の少なくとも一部と、前記第２の犠牲層の少なくとも一部と、の除去と並行して、前記第３の犠牲層のうち、前記接続電極と重なる領域の少なくとも一部を除去し、
    　前記接続電極上に、前記共通電極を形成する表示装置の作製方法。
19. 　請求項１８において、
    　前記共通電極は、前記第３のＥＬ層と電気的に接続されない表示装置の作製方法。

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