WO2022214916A1 - 表示装置、表示装置の作製方法、表示モジュール、電子機器 - Google Patents

Abstract

表示品位、及び信頼性が高い表示装置を提供する。 第１の発光素子と、第１の発光素子と隣接して配置された第２の発光素子と、第１の保護層と、第２の保護層と、絶縁層と、を有する表示装置。第１の発光素子は、第１の画素電極と、第１のＥＬ層と、共通電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の画素電極と、第２のＥＬ層と、共通電極と、を有する。第１のＥＬ層は、第１の画素電極上に設けられ、第２のＥＬ層は、第２の画素電極上に設けられる。第１の保護層は、第１の画素電極の側面、第２の画素電極の側面、第１のＥＬ層の側面、及び第２のＥＬ層の側面と重なる領域を有する。絶縁層は、第１の保護層上に設けられ、第２の保護層は、絶縁層上に設けられる。共通電極は、第１のＥＬ層上、第２のＥＬ層上、及び第２の保護層上に設けられる。

Description

表示装置、表示装置の作製方法、表示モジュール、電子機器

　本発明の一態様は、表示装置、及びその作製方法に関する。本発明の一態様は、表示モジュール、及び電子機器に関する。

　なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法、を一例として挙げることができる。半導体装置は、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。

　近年、ディスプレイパネルの高精細化が求められている。高精細なディスプレイパネルが要求される機器としては、例えばスマートフォン、タブレット端末、及びノート型コンピュータ等がある。また、テレビジョン装置、及びモニタ装置等の据え置き型のディスプレイ装置においても、高解像度化に伴う高精細化が求められている。さらに、最も高精細度が要求される機器としては、例えば、仮想現実（ＶＲ：Ｖｉｒｔｕａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、又は拡張現実（ＡＲ：Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）向けの機器がある。

　また、ディスプレイパネルに適用可能な表示装置としては、代表的には液晶表示装置、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子又は発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子を備える発光装置、及び例えば電気泳動方式により表示を行う電子ペーパ等が挙げられる。

　例えば、有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を挟持したものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得ることができる。このような有機ＥＬ素子が適用された表示装置は、例えば液晶表示装置で必要であったバックライトが不要なため、薄型、軽量、高コントラストで且つ低消費電力な表示装置を実現できる。例えば、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の一例が、特許文献１に記載されている。

　特許文献２には、有機ＥＬ素子を用いた、ＶＲ向けの表示装置が開示されている。

特開２００２−３２４６７３号公報 国際公開第２０１８／０８７６２５号

　本発明の一態様は、表示品位の高い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、消費電力の低い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、高精細化が容易な表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、低価格な表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、高い表示品位と、高い精細度を兼ね備える表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、コントラストの高い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、新規な構成を有する表示装置を提供することを課題の一とする。

　本発明の一態様は、表示品位の高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、消費電力の低い表示装置の作製方法を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、高精細化が容易な表示装置の作製方法を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、コストが低い表示装置の作製方法を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、高い表示品位と、高い精細度を兼ね備える表示装置の作製方法を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、コントラストの高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、新規な構成を有する表示装置の作製方法を提供することを課題の一とする。

　なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項等の記載から抽出することが可能である。

　本発明の一態様は、第１の発光素子と、第１の発光素子と隣接して配置された第２の発光素子と、第１の保護層と、第２の保護層と、絶縁層と、を有し、第１の発光素子は、第１の画素電極と、第１のＥＬ層と、共通電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の画素電極と、第２のＥＬ層と、共通電極と、を有し、第１のＥＬ層は、第１の画素電極上に設けられ、第２のＥＬ層は、第２の画素電極上に設けられ、第１の保護層は、第１の画素電極の側面、第２の画素電極の側面、第１のＥＬ層の側面、及び第２のＥＬ層の側面と重なる領域を有し、絶縁層は、第１の保護層上に設けられ、第２の保護層は、絶縁層上に設けられ、共通電極は、第１のＥＬ層上、第２のＥＬ層上、及び第２の保護層上に設けられる表示装置である。

　又は、上記態様において、絶縁層は、第１のＥＬ層と第２のＥＬ層の間に設けられてもよい。

　又は、上記態様において、表示装置は、第３の保護層を有し、第３の保護層は、第１の保護層の側面及び下面と接する領域を有してもよい。

　又は、上記態様において、第１乃至第３の保護層は、無機材料を有してもよい。

　又は、上記態様において、第１の保護層は、絶縁層の側面、及び下面と接する領域を有し、第２の保護層は、絶縁層の上面と接する領域を有し、第１の保護層、及び第２の保護層は、窒化物を有してもよい。

　又は、上記態様において、第１の保護層、及び第２の保護層は、窒化シリコン、窒化アルミニウム、又は窒化ハフニウムのうち少なくとも１つを有してもよい。

　又は、上記態様において、絶縁層は、有機材料を有してもよい。

　又は、上記態様において、第１のＥＬ層、第２のＥＬ層、及び第２の保護層と、共通電極と、の間に共通層が設けられ、共通層は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、又は電子注入層の少なくとも一つを有してもよい。

　又は、上記態様において、第１のＥＬ層の側面と、第２のＥＬ層の側面との間隔は、１μｍ以下の領域を有してもよい。

　又は、上記態様において、第１のＥＬ層の側面と、第２のＥＬ層の側面との間隔は、１００ｎｍ以下の領域を有してもよい。

　本発明の一態様の表示装置と、コネクタ及び集積回路のうち少なくとも一方と、を有する表示モジュールも、本発明の一態様である。

　本発明の一態様の表示モジュールと、バッテリ、カメラ、スピーカ、及びマイクのうち少なくとも一つと、を有する電子機器も、本発明の一態様である。

　又は、本発明の一態様は、絶縁表面上に、第１の画素電極、及び第２の画素電極を形成し、第１の画素電極上、及び第２の画素電極上に、第１のＥＬ膜、及び第１の犠牲膜を順に形成し、第１の犠牲膜、及び第１のＥＬ膜を加工することにより、第１の画素電極と重なる領域を有する、第１の犠牲層及び第１のＥＬ層をそれぞれ形成し、少なくとも第１のＥＬ層の側面と、第１の犠牲層の側面及び上面と、を覆う、第１の保護膜を形成し、第１の保護膜を加工することにより、第１のＥＬ層の側面と重なる領域を有する第１の保護層を形成し、第１の犠牲層上、及び第２の画素電極上に、第２のＥＬ膜、及び第２の犠牲膜を順に形成し、第２の犠牲膜、及び第２のＥＬ膜を加工することにより、第２の画素電極と重なる領域を有する、第２の犠牲層及び第２のＥＬ層をそれぞれ形成し、少なくとも第１の犠牲層の上面と、第２の犠牲層の上面及び側面と、第１の保護層の側面と、第２のＥＬ層の側面と、を覆う、第２の保護膜を形成し、第２の保護膜上に、絶縁膜を形成し、絶縁膜を加工することにより、第１のＥＬ層と、第２のＥＬ層と、の間に絶縁層を形成し、第２の保護膜を加工することにより、第１の保護層と絶縁層の間、及び第２のＥＬ層と絶縁層の間に、第２の保護層を形成し、第１の犠牲層上、第２の犠牲層上、及び絶縁層上に、第３の保護膜を形成し、第３の保護膜を加工することにより、絶縁層上に第３の保護層を形成し、第１の犠牲層、及び第２の犠牲層を除去し、第１のＥＬ層上、及び第２のＥＬ層上、及び第３の保護層上に共通電極を形成する表示装置の作製方法である。

　又は、上記態様において、第１の保護膜の形成後に、第１の保護膜と接する領域を有するように第４の保護膜を形成し、第２の保護膜の形成後に、第２の保護膜と接する領域を有するように第５の保護膜を形成してもよい。

　又は、上記態様において、第１の保護膜、及び第２の保護膜は、ＡＬＤ法を用いて形成し、第３乃至第５の保護膜は、スパッタリング法、又はＣＶＤ法を用いて形成してもよい。

　又は、上記態様において、絶縁膜は、スピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法、又はペイント法を用いて形成してもよい。

　又は、上記態様において、絶縁膜を、フォトリソグラフィ法を用いて加工してもよい。

　又は、上記態様において、第１の保護膜、第２の保護膜、第４の保護膜、及び第５の保護膜は、ドライエッチング法を用いて加工してもよい。

　又は、上記態様において、共通電極を形成する前に、第１のＥＬ層上、及び第２のＥＬ層上、及び絶縁層上に、共通層として、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、又は電子注入層の少なくとも一つを形成してもよい。

　本発明の一態様によれば、表示品位の高い表示装置を提供できる。本発明の一態様によれば、信頼性の高い表示装置を提供できる。本発明の一態様によれば、消費電力の低い表示装置を提供できる。本発明の一態様によれば、高精細化が容易な表示装置を提供できる。本発明の一態様によれば、高い表示品位と、高い精細度を兼ね備える表示装置を提供できる。本発明の一態様によれば、低価格な表示装置を提供できる。本発明の一態様によれば、コントラストの高い表示装置を提供できる。本発明の一態様によれば、新規な構成を有する表示装置を提供できる。

　本発明の一態様によれば、表示品位の高い表示装置の作製方法を提供できる。本発明の一態様によれば、信頼性の高い表示装置の作製方法を提供できる。本発明の一態様によれば、消費電力の低い表示装置の作製方法を提供できる。本発明の一態様によれば、高精細化が容易な表示装置の作製方法を提供できる。本発明の一態様によれば、高い表示品位と、高い精細度を兼ね備える表示装置の作製方法を提供できる。本発明の一態様によれば、コストが低い表示装置の作製方法を提供できる。本発明の一態様によれば、コントラストの高い表示装置の作製方法を提供できる。本発明の一態様によれば、新規な構成を有する表示装置の作製方法を提供できる。

　なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項等の記載から抽出することが可能である。

図１は、表示装置の構成例を示す上面図である。
図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ１、図２Ｃ２、及び図２Ｄは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図３Ａ及び図３Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図４Ａ乃至図４Ｆは、画素の構成例を示す上面図である。
図５Ａ乃至図５Ｅは、画素の構成例を示す上面図である。
図６Ａ乃至図６Ｄは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図７Ａ１、図７Ａ２、図７Ｂ１、及び図７Ｂ２は、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図８Ａ乃至図８Ｃは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図９Ａ１、図９Ａ２、図９Ｂ１、及び図９Ｂ２は、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図１０Ａ乃至図１０Ｃは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図１１Ａ乃至図１１Ｃは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図１２Ａ、図１２Ｂ１、及び図１２Ｂ２は、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図１３Ａ及び図１３Ｂは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図１４Ａ、図１４Ｂ１、及び図１４Ｂ２は、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図１５Ａ、図１５Ｂ１、及び図１５Ｂ２は、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図１６Ａ及び図１６Ｂは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図１７Ａ乃至図１７Ｄは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１８Ａ乃至図１８Ｄは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１９Ａ乃至図１９Ｄは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図２０Ａ乃至図２０Ｄは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図２１は、表示装置の構成例を示す斜視図である。
図２２Ａは、表示装置の構成例を示す断面図である。図２２Ｂ及び図２２Ｃは、トランジスタの構成例を示す断面図である。
図２３は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図２４Ａ及び図２４Ｂは、表示モジュールの構成例を示す斜視図である。
図２５は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図２６は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図２７は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図２８は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図２９Ａ乃至図２９Ｆは、発光素子の構成例を示す図である。
図３０Ａ及び図３０Ｂは、電子機器の一例を示す図である。
図３１Ａ乃至図３１Ｄは、電子機器の一例を示す図である。
図３２Ａ乃至図３２Ｆは、電子機器の一例を示す図である。
図３３Ａ乃至図３３Ｆは、電子機器の一例を示す図である。
図３４Ａ乃至図３４Ｃは、実施例に係るサンプルの構成を示す断面図である。図３４Ｄは、ＥＬ層の構成を示す図である。
図３５Ａ乃至図３５Ｅは、実施例に係るサンプルの作製方法を示す断面図である。
図３６Ａ乃至図３６Ｄは、実施例に係るサンプルの作製方法を示す断面図である。
図３７Ａ乃至図３７Ｅは、実施例に係るサンプルの作製方法を示す断面図である。
図３８は、実施例に係るサンプルの輝度−電圧特性を示すグラフである。
図３９は、実施例に係るサンプルの電流効率−輝度特性を示すグラフである。
図４０は、実施例に係るサンプルの規格化輝度の経時変化を示すグラフである。

　以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

　なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

　なお、本明細書で説明する各図において、各構成要素の大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。

　なお、本明細書等における「第１」、及び「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。

　また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、場合によっては、又は、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」又は「絶縁層」という用語は、「導電膜」又は「絶縁膜」という用語に相互に交換することが可能な場合がある。

　なお、本明細書等において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられ、少なくとも発光性の物質を含む層（発光層ともいう）、又は発光層を含む積層体を示すものとする。

　本明細書等において、表示装置の一態様である表示パネルは表示面に例えば画像を表示（出力）する機能を有するものである。したがって表示パネルは出力装置の一態様である。

　また、本明細書等では、表示パネルの基板に、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）若しくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）等のコネクタが取り付けられたもの、又は基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式等によりＩＣが実装されたものを、表示パネルモジュール、表示モジュール、又は単に表示パネル等という場合がある。

（実施の形態１）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例、及び表示装置の作製方法例について説明する。

　本発明の一態様は、発光素子（発光デバイスともいう）を有する表示装置である。表示装置は、少なくとも異なる色の光を発する２つの発光素子を有する。発光素子は、それぞれ一対の電極と、その間にＥＬ層を有する。発光素子として、有機ＥＬ素子、又は無機ＥＬ素子等の電界発光素子を用いることができる。その他、発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いることができる。本発明の一態様の発光素子は、有機ＥＬ素子（有機電界発光素子）であることが好ましい。異なる色を発する２つ以上の発光素子は、それぞれ異なる材料を含むＥＬ層を有する。例えば、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、又は青色（Ｂ）の光を発する３種類の発光素子を有することで、フルカラーの表示装置を実現できる。

　ここで、異なる色の発光素子間でＥＬ層を作り分ける場合、メタルマスク等のシャドーマスクを用いた蒸着法によりＥＬ層を形成することが知られている。しかしながら、この方法では、メタルマスクの精度、メタルマスクと基板との位置ずれ、メタルマスクのたわみ、及び例えば蒸気の散乱による成膜される膜の輪郭の広がり等、様々な影響により、島状の有機膜の形状及び位置に設計からのずれが生じるため、高精細化、及び高開口率化が困難である。また、蒸着においてメタルマスクに付着した材料に起因するゴミが発生する場合がある。このようなゴミは、発光素子のパターン不良を引き起こす懸念がある。また、ゴミに起因したショートが生じる可能性がある。また、メタルマスクに付着した材料のクリーニングの工程を要する。そのため、例えばペンタイル配列等の特殊な画素配列方式を適用することにより、疑似的に精細度（画素密度ともいう）を高める対策が取られていた。

　本発明の一態様は、ＥＬ層をメタルマスク等のシャドーマスクを用いることなく、微細なパターンに加工する。これにより、これまで実現が困難であった高い精細度と、大きな開口率を有する表示装置を実現できる。さらに、ＥＬ層を作り分けることができるため、極めて鮮やかで、コントラストが高く、表示品位の高い表示装置を実現できる。

本明細書等において、メタルマスク、又はＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスという場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、又はＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスという場合がある。

　ここでは、簡単のために、２色の発光素子（第１の発光素子、及び第２の発光素子）を作り分ける場合について説明する。まず、基板上に、第１の画素電極、及び第２の画素電極を形成する。続いて、第１の画素電極上、及び第２の画素電極上に、第１のＥＬ膜、及び第１の犠牲膜を順に形成する。続いて、第１の犠牲膜上にレジストマスクを形成する。続いて、レジストマスクを用いて、第１の犠牲膜、及び第１のＥＬ膜を加工することにより、第１の画素電極と重なる領域を有する、第１の犠牲層及び第１のＥＬ層をそれぞれ形成する。なお、本明細書等において、犠牲膜をマスク膜といい、犠牲層をマスク層といってもよい。

　続いて、第１のＥＬ層の側面と、第１の犠牲層の側面及び上面と、第２の画素電極の側面及び上面と、を覆う、第１の保護膜を形成する。続いて、第１の保護膜を加工することにより、第１のＥＬ層の側面と重なる領域を有する第１の保護層を形成する。第１の保護膜は、ドライエッチング法等、異方性エッチングを用いて加工することができる。

　続いて、第１の犠牲層上、及び第２の画素電極上に、第２のＥＬ膜、及び第２の犠牲膜を順に形成する。続いて、第２の犠牲膜上にレジストマスクを形成する。続いて、レジストマスクを用いて、第２の犠牲膜、及び第２のＥＬ膜を加工することにより、第２の画素電極と重なる領域を有する、第２の犠牲層及び第２のＥＬ層をそれぞれ形成する。

　続いて、第１の犠牲層の上面及び側面と、第２の犠牲層の上面及び側面と、第１の保護層の側面と、第２のＥＬ層の側面と、を覆う、第２の保護膜を形成する。

　続いて、第２の保護膜上に絶縁膜を形成する。続いて、絶縁膜を加工することにより、第１のＥＬ層と第２のＥＬ層の間に絶縁層を形成する。絶縁膜は、感光性材料を用いることができ、例えば感光性の樹脂を用いることができる。この場合、フォトリソグラフィ法を用いて絶縁膜を加工し、絶縁層を第１のＥＬ層と第２のＥＬ層の間に形成することができる。

　続いて、第２の保護膜を加工することにより、第１の保護層と絶縁層の間、第２のＥＬ層と絶縁層の間、及び基板と絶縁層の間に、第２の保護層を形成する。第２の保護膜は、第１の保護膜と同様に、ドライエッチング法等、異方性エッチングを用いて加工することができる。

　続いて、第１の犠牲層上、第２の犠牲層上、及び絶縁層上に、第３の保護膜を形成する。続いて、第３の保護膜を加工することにより、絶縁層上に第３の保護層を形成する。

　続いて、第１の犠牲層、及び第２の犠牲層を除去する。最後に、第１のＥＬ層上、第２のＥＬ層上、及び第３の保護層上に共通電極を形成することで、二色の発光素子を作り分けることができる。具体的には、第１の画素電極、第１のＥＬ層、及び共通電極を有する第１の発光素子と、第２の画素電極、第２のＥＬ層、及び共通電極を有する第２の発光素子と、を作り分けることができる。

　さらに、第１の保護層の形成後に、第１のＥＬ膜の形成から第１の保護層の形成までの工程を繰り返すことで、３色以上の発光素子を作り分けることができ、３色、又は４色以上の発光素子を有する表示装置を実現できる。

　上述のように、本発明の一態様の表示装置では、第１のＥＬ層と第２のＥＬ層の間に絶縁層が設けられる。当該絶縁層により、第１の発光素子と、第２の発光素子と、の間の空隙を埋めることができる。よって、共通電極を設ける面の凹凸を小さくすることができるため、共通電極の切断（段切れ）を抑制できる。以上より、本発明の一態様の表示装置を、信頼性が高い表示装置とすることができる。

　ここで、第１のＥＬ層と第２のＥＬ層の間に設けられる絶縁層として、感光性樹脂等の有機絶縁材料を用いる場合、当該絶縁層に酸素、又は水等が含まれる場合がある。酸素、又は水等がＥＬ層に侵入すると、当該ＥＬ層を有する発光素子が劣化する場合がある。そこで、本発明の一態様の表示装置では、第１のＥＬ層と第２のＥＬ層の間に設けられる絶縁層を囲うように、酸素、及び水等に対するバリア性が高い保護層を設ける。これにより、ＥＬ層へ酸素、及び水等の不純物が侵入することを抑制できる。よって、本発明の一態様の表示装置を、信頼性が高い表示装置とすることができる。上述の例では、第１のＥＬ層と第２のＥＬ層の間に設けられる絶縁層の側面と下面を覆うように第２の保護層が設けられ、当該絶縁層の上面を覆うように第３の保護層が設けられる。これにより、第１のＥＬ層と第２のＥＬ層の間に設けられる絶縁層を、第２の保護層と第３の保護層により囲うことができる。酸素、及び水等に対するバリア性が高い保護層として、例えば無機絶縁材料を用いることができ、例えば無機窒化物膜を用いることができる。無機窒化物として、例えば窒化シリコン、窒化アルミニウム、及び窒化ハフニウムのうち少なくとも１つを用いることができる。

　上述の作製方法において、第１の保護膜、及び第２の保護膜は、２層以上の積層構造とすることができる。例えば、第１の保護膜、及び第２の保護膜は、被覆性の高い方法で１層目の膜を成膜し、被覆性の低い方法で２層目の膜を成膜することにより形成された、２層積層構造の膜とすることができる。例えば、第１の保護膜、及び第２の保護膜は、ＡＬＤ法で１層目の膜を成膜し、スパッタリング法、又は化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で２層目の膜を成膜することにより形成された、２層積層構造の膜とすることができる。これにより、第１の保護層、及び第２の保護層は、段差を被覆しつつ膜厚を厚くすることができるため、第１のＥＬ層、及び第２のＥＬ層への酸素、及び水等の不純物の侵入を好適に抑制できる。したがって、本発明の一態様の表示装置を、信頼性が高い表示装置とすることができる。

　また、前述のように、ＥＬ層に不純物を侵入させないことが、表示装置の信頼性の観点から好ましい。ここで、ＥＬ層の表面に不純物が付着していると、当該不純物がＥＬ層の内部へ侵入し、表示装置の信頼性が低下する場合がある。よって、第１のＥＬ層の形成後、且つ第１のＥＬ層を覆う第１の保護膜の形成前に、第１のＥＬ層の表面に付着している不純物を除去すると、表示装置の信頼性を高めることができ好ましい。同様に、第２のＥＬ層の形成後、且つ第２のＥＬ層を覆う第２の保護膜の形成前に、第２のＥＬ層の表面に付着している不純物を除去することが好ましい。例えば、第１のＥＬ層が形成されている基板を不活性ガス雰囲気下におくと、第１のＥＬ層の表面に付着している不純物を除去することができる。また、第２のＥＬ層が形成されている基板を不活性ガス雰囲気下におくと、第２のＥＬ層の表面に付着している不純物を除去することができる。不活性ガスとして、例えば１８族元素（代表的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、及びクリプトン等）、及び窒素の中から選ばれるいずれか一又は複数を用いることができる。

　また、ＥＬ層が例えば空気に触れると、空気中に含まれる酸素、及び水等の不純物が、ＥＬ層の内部に侵入する場合がある。ここで、第１のＥＬ層の形成後は、第１の保護膜が形成されるまで第１のＥＬ層の表面が露出する。よって、第１のＥＬ膜の加工から第１の保護膜の成膜までの工程は、同一の装置内で行うことが好ましい。これにより、第１のＥＬ膜を加工して第１のＥＬ層を形成した後、第１のＥＬ層を空気中に曝すことなく、第１のＥＬ層を覆う第１の保護膜を形成することができる。同様に、第２のＥＬ膜の加工と、第２の保護膜の成膜と、は同一の装置内で行うことが好ましい。以上により、空気中に含まれる不純物がＥＬ層の内部に侵入することを抑制し、表示装置の信頼性を高めることができる。なお、他の工程も同一の装置内で行うと、表示装置の作製工程において表示装置の構成要素が例えば空気に触れることを抑制でき、また表示装置の作製におけるスループットを高めることができるため好ましい。

　異なる色のＥＬ層が隣接する場合、隣接するＥＬ層の間隔について、例えばメタルマスクを用いた形成方法では１０μｍ未満にすることは困難であるが、上記方法によれば、３μｍ以下、２μｍ以下、又は、１μｍ以下にまで狭めることができる。例えばＬＳＩ向けの露光装置を用いることで、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、さらには５０ｎｍ以下にまで間隔を狭めることもできる。これにより、２つの発光素子間に存在しうる非発光領域の面積を大幅に縮小することができ、開口率を１００％に近づけることが可能となる。例えば、開口率は、５０％以上、６０％以上、７０％以上、８０％以上、さらには９０％以上であって、１００％未満を実現することもできる。

　さらに、ＥＬ層自体のパターンについても、メタルマスクを用いた場合に比べて極めて小さくすることができる。また、例えばＥＬ層の作り分けにメタルマスクを用いた場合では、パターンの中央と端で厚さのばらつきが生じるため、パターン全体の面積に対して、発光領域として使用できる有効な面積は小さくなる。一方、上記作製方法では、均一な厚さに成膜した膜を加工することによりパターンを形成するため、パターン内で厚さを均一にでき、微細なパターンであっても、そのほぼ全域を発光領域として用いることができる。そのため、上記作製方法によれば、高い精細度と高い開口率を兼ね備えることができる。

　このように、上記作製方法によれば、微細な発光素子を集積した表示装置を実現することができるため、例えばペンタイル方式等の特殊な画素配列方式を適用して疑似的に精細度を高める必要が無い。よって、Ｒ、Ｇ、Ｂをそれぞれ一方向に配列させた、いわゆるストライプ配置で、且つ５００ｐｐｉ以上、１０００ｐｐｉ以上、又は２０００ｐｐｉ以上、さらには３０００ｐｐｉ以上、さらには５０００ｐｐｉ以上の精細度の表示装置を実現することができる。

　以下では、本発明の一態様の表示装置の、より具体的な構成例及び作製方法例について、図面を参照して説明する。

［構成例＿１］
　図１に、本発明の一態様の表示装置１００の上面図を示す。表示装置１００は、赤色を呈する発光素子１１０Ｒ、緑色を呈する発光素子１１０Ｇ、及び青色を呈する発光素子１１０Ｂをそれぞれ複数有する。図１では、各発光素子の区別を簡単にするため、各発光素子の発光領域内にＲ、Ｇ、Ｂの符号を付している。

　本明細書等において、例えば発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂをまとめて発光素子１１０と記載する場合がある。例えば、発光素子１１０という場合は、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂの一部又は全てを示す。他の要素においても同様の記載をする。

　発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂは、それぞれマトリクス状に配列している。図１に示す画素１０３には、一方向に同一の色の発光素子が配列する、いわゆるストライプ配列を示している。なお、発光素子の配列方法はこれに限られず、デルタ配列、又はジグザグ配列等の配列方法を適用してもよいし、ペンタイル配列を用いることもできる。

　発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂとしては、有機ＥＬ素子、又は無機ＥＬ素子等のＥＬ素子を用いることが好ましい。

　また図１には、接続電極１１１Ｃ、及び共通電極１１５を示しており、共通電極１１５は破線で示している。接続電極１１１Ｃには、共通電極１１５に供給するための電位（例えばアノード電位、又はカソード電位）が与えられる。接続電極１１１Ｃは、例えば発光素子１１０Ｒが配列する表示領域の外に設けられる。例えば、接続電極１１１Ｃは、表示領域の外周に沿って設けることができる。例えば、接続電極１１１Ｃは、表示領域の外周の一辺に沿って設けられていてもよいし、表示領域の外周の２辺以上に沿って設けられていてもよい。すなわち、表示領域の上面形状が長方形である場合には、接続電極１１１Ｃの上面形状は、帯状、Ｌ字状、コの字状（角括弧状）、又は枠状等とすることができる。

　図２Ａは、図１中の一点鎖線Ａ１−Ａ２に対応する断面図である。図２Ｂは、図１中の一点鎖線Ｂ１−Ｂ２に対応する断面図である。図２Ｃ１は、図１中の一点鎖線Ｃ１−Ｃ２に対応する断面図である。

　図２Ａには、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂの断面構成例を示している。また、図２Ｂには、発光素子１１０Ｇの断面構成例を示している。発光素子１１０は、トランジスタを含む層１０１上に設けられる。また、トランジスタを含む層１０１は、基板（図示せず）上に設けられる。

　トランジスタを含む層１０１には、例えば複数のトランジスタが設けられ、これらのトランジスタを覆うように絶縁層が設けられた積層構造を適用することができる。ここで、図２Ａ、及び図２Ｂ等に示すように、トランジスタを含む層１０１は、隣接する発光素子１１０の間に凹部を有してもよい。例えば、トランジスタを含む層１０１の最表面に位置する絶縁層に凹部が設けられてもよい。なお、トランジスタを含む層１０１は、隣接する発光素子１１０の間に凹部を有さない場合もある。

　トランジスタを含む層１０１には、例えば画素回路、走査線駆動回路（ゲートドライバ）、及び信号線駆動回路（ソースドライバ）等が構成されていることが好ましい。また、上記に加えて演算回路、又は記憶回路等が構成されていてもよい。

　発光素子１１０Ｒは、画素電極１１１Ｒと、画素電極１１１Ｒ上のＥＬ層１１２Ｒと、を有する。発光素子１１０Ｇは、画素電極１１１Ｇと、画素電極１１１Ｇ上のＥＬ層１１２Ｇと、を有する。発光素子１１０Ｂは、画素電極１１１Ｂと、画素電極１１１Ｂ上のＥＬ層１１２Ｂと、を有する。また、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂは、ＥＬ層１１２Ｒ上、ＥＬ層１１２Ｇ上、及びＥＬ層１１２Ｂ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。共通層１１４、及び共通電極１１５は、各発光素子１１０に共通な一続きの層として設けられる。

　ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂは、それぞれ発光層を有する。発光層は、発光物質を含む層である。発光層は、１種又は複数種の発光物質を有することができる。発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、又は赤色等の発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもできる。例えば、ＥＬ層１１２Ｒの発光層は、赤色を呈する発光物質を有することができる。また、ＥＬ層１１２Ｇの発光層は、緑色を呈する発光物質を有することができる。さらに、ＥＬ層１１２Ｂの発光層は、青色を呈する発光物質を有することができる。

　発光物質としては、蛍光材料、燐光材料、ＴＡＤＦ材料、及び量子ドット材料等が挙げられる。

　なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、又はコア型量子ドット材料等を用いることができる。また、１２族と１６族、１３族と１５族、又は１４族と１６族の元素グループを含む材料を用いてもよい。また、カドミウム、セレン、亜鉛、硫黄、リン、インジウム、テルル、鉛、ガリウム、ヒ素、又はアルミニウム等の元素を含む量子ドット材料を用いてもよい。

　蛍光材料としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、及びナフタレン誘導体等が挙げられる。

　燐光材料としては、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、又はピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、及び希土類金属錯体等が挙げられる。

　発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種又は複数種の有機化合物（ホスト材料、及びアシスト材料等）を有していてもよい。１種又は複数種の有機化合物としては、正孔輸送性材料及び電子輸送性材料の一方又は双方を用いることができる。また、１種又は複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、又はＴＡＤＦ材料を用いてもよい。

　発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。この構成により、発光素子の高効率、低電圧駆動、及び長寿命を同時に実現できる。

　ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂは、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、電子ブロック材料、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。

　発光素子には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光素子を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、又は塗布法等の方法で形成することができる。

　例えば、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち一つ以上を有していてもよい。

　ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂは、それぞれ、発光層と、発光層上のキャリア輸送層を有することが好ましい。これにより、表示装置１００の作製工程中に、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光素子の信頼性を高めることができる。よって、表示装置１００を信頼性が高い表示装置とすることができる。

　正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い材料を含む層である。正孔注入性の高い材料としては、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料等が挙げられる。

　正孔輸送層は、正孔注入層によって、陽極から注入された正孔を発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔の輸送性が電子の輸送性よりも高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、又はフラン誘導体等）、又は芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。

　電子輸送層は、電子注入層によって陰極から注入された電子を、発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。電子輸送性材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、又はチアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、又はその他含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料を用いることができる。なお、電子の輸送性が正孔の輸送性よりも高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。

　電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入性の高い材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い材料としては、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。

　電子注入層としては、例えば、リチウム、セシウム、イッテルビウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_ｘ、Ｘは任意数）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）、若しくは炭酸セシウム等のアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はこれらの化合物を用いることができる。また、電子注入層としては、２以上の積層構造としてもよい。当該積層構造としては、例えば、１層目にフッ化リチウムを用い、２層目にイッテルビウムを設ける構成とすることができる。

　又は、電子注入層としては、電子輸送性材料を用いてもよい。例えば、非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、及びピリダジン環）、及びトリアジン環のうち少なくとも一つを有する化合物を用いることができる。

　なお、非共有電子対を備える有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）が、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、又は逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。

　例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、又は２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移点（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。

　共通層１１４は例えば、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、又は電子注入層のうち、一以上を有する層とすることが好ましい。例えば、画素電極１１１をアノード、共通電極をカソードとする発光素子においては、共通層１１４として、電子注入層を有する構成、又は電子注入層と電子輸送層の２つを有する構成を用いることができる。また、画素電極１１１をカソード、共通電極をアノードとする発光素子においては、共通層１１４として、正孔注入層を有する構成、又は正孔注入層と正孔輸送層の２つを有する構成を用いることができる。ここで、例えば共通層１１４が電子注入層を有する場合は、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂは電子注入層を有さなくてもよい。例えば、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂは、正孔注入層と、正孔注入層上の正孔輸送層と、正孔輸送層上の発光層と、発光層上の電子輸送層と、を有する構成とすることができる。また、例えば共通層１１４が正孔注入層を有する場合は、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂは正孔注入層を有さなくてもよい。

　前述のように、共通層１１４は、各発光素子１１０に共通な一続きの層として設けられる。よって、共通層１１４は、例えばエッチングにより加工する必要が無い。したがって、表示装置１００が共通層１１４を有する構成とすることで、表示装置１００の作製工程を簡略化できるため、表示装置１００の作製コストを低減できる。よって、表示装置１００を、低価格な表示装置とすることができる。

　また、共通層１１４と共通電極１１５は、間にエッチング等の工程を挟まずに連続して形成することができる。よって、共通層１１４と共通電極１１５の界面を清浄な面とすることができる。これにより、表示装置１００を信頼性が高い表示装置とすることができる。なお、表示装置１００は共通層１１４を有さなくてもよい。この場合、例えば画素電極１１１をアノード、共通電極をカソードとする発光素子においては、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂは電子輸送層上に電子注入層が設けられる構成とすることができる。

　画素電極１１１と共通電極１１５のいずれか一方に可視光に対して透光性を有する導電層を用い、他方に反射性を有する導電層を用いる。画素電極１１１を透光性、共通電極１１５を反射性とすることで、下面射出型（ボトムエミッション型）の表示装置とすることができ、反対に画素電極１１１を反射性、共通電極１１５を透光性とすることで、上面射出型（トップエミッション型）の表示装置とすることができる。なお、画素電極１１１と共通電極１１５の双方を透光性とすることで、両面射出型（デュアルエミッション型）の表示装置とすることもできる。

　画素電極１１１を、可視光に対して反射性を有する導電層とする場合には、画素電極１１１として例えば銀、アルミニウム、チタン、タンタル、モリブデン、白金、金、窒化チタン、又は窒化タンタル等を用いることができる。また、画素電極１１１として合金を用いることができる。例えば、銀を含む合金を用いることができる。銀を含む合金として例えば、銀、パラジウム、及び銅を含む合金を用いることができる。また例えば、アルミニウムを含む合金を用いることができる。また、これらの材料を２層以上、積層して用いてもよい。

　また、画素電極１１１を、可視光に対して反射性を有する導電層上に、可視光に対して透光性を有する導電層を設ける積層構造とすることができる。可視光に対して透光性を有する導電性材料として、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、シリコンを含むインジウム錫酸化物、又はシリコンを含むインジウム亜鉛酸化物等の導電性酸化物を用いることができる。また、可視光に対して反射性を有する導電性材料の酸化物を可視光に対して透光性を有する導電性材料として用いてもよく、当該酸化物は、例えば可視光に対して反射性を有する導電性材料の表面を酸化することにより形成することができる。具体的には例えば、酸化チタンを用いてもよい。酸化チタンは例えば、チタンの表面を酸化することに形成することができる。

　画素電極１１１の表面に酸化物を設けることにより、ＥＬ層１１２の形成の際に、例えば画素電極１１１との酸化反応を抑制できる。

　また、画素電極１１１を、可視光に対して反射性を有する導電層上に、可視光に対して透光性を有する導電層を設ける積層構造とすることにより、可視光に対して透光性を有する導電層を光学調整層として機能させることができる。

　画素電極１１１が光学調整層を有することにより、光路長を調整することができる。発光素子１１０における光路長は例えば、光学調整層の厚さと、ＥＬ層１１２において発光性の化合物を含む層より下層に設けられる層の厚さとの和に対応する。

　発光素子１１０において、マイクロキャビティ構造（微小共振器構造）を用いて光路長を異ならせることにより、特定の波長の光を強めることができる。これにより、色純度が高められた表示装置を実現することができる。

　例えば、各発光素子１１０において、ＥＬ層１１２の厚さを異ならせることにより、マイクロキャビティ構造を実現することができる。例えば、最も波長の長い光を発する発光素子１１０ＲのＥＬ層１１２Ｒが最も厚く、最も波長の短い光を発する発光素子１１０ＢのＥＬ層１１２Ｂが最も薄い構成とすることができる。なお、これに限られず、各発光素子１１０が発する光の波長、発光素子１１０を構成する層の光学特性、及び発光素子１１０の電気特性等を考慮して、各ＥＬ層１１２の厚さを調整することができる。

　可視光に対して反射性を有する導電層には、反射率が高いアルミニウム、又は銀等を用いることが好ましい。特に、アルミニウムは、微細加工がしやすいため、高精細な表示装置を作製する際に好適である。

　可視光に対して透光性を有する導電層には、透明酸化物導電材料を用いることが好ましい。しかし、例えばインジウムを含む透明酸化物導電材料をアルミニウムに直接接して設けると、アルミニウムが後の工程で腐食する恐れがある。そのため、腐食が生じないように、例えばアルミニウムを、インジウムを含む透明酸化物導電膜と接しない層に用いることが好ましい。例えば、画素電極１１１は、アルミニウムを用いる層と、酸化チタンを用いる層と、シリコンを含むインジウム錫酸化物を用いる層と、の３層積層構造とすることができる。

　ここで、画素電極１１１の形成の際は、アルミニウム膜と酸化チタン膜とを連続成膜することが好ましい。アルミニウム膜を成膜した後、大気開放してから、酸化チタン膜を成膜する場合、大気開放によりアルミニウム膜が自然酸化する恐れがある。アルミニウム膜を成膜した後、大気開放することなく酸化チタン膜を成膜することで、アルミニウムの酸化を抑制できる。

　なお、アルミニウム膜を形成した後、酸化チタン膜を形成するまでに大気開放が必要な場合は、大気開放する前に、アルミニウム膜上に他の膜を形成することが好ましい。これにより、大気開放によりアルミニウム膜が酸化されることを抑制できる。当該他の膜の膜厚は極めて薄くすることができる。例えば、アルミニウム膜上にチタン膜を形成し、その後、大気開放してから、チタン膜上に酸化チタン膜を形成してもよい。

　又は、アルミニウム膜の表面が酸化している懸念がある場合、逆スパッタ処理により、アルミニウム膜の表面の酸化膜を除去してもよい。例えば、アルミニウム膜を形成し、大気開放した後、逆スパッタ処理によりアルミニウム膜の表面の酸化膜を除去し、その後、酸化チタン膜を形成してもよい。

　酸化チタン膜を形成する方法としては、チタンターゲットと酸素ガスとを用いた反応性スパッタリング法、及び酸化チタンターゲットと不活性ガス（例えばアルゴンガス）を用いたスパッタリング法等が挙げられる。ここで、酸素ガスを用いる場合、アルミニウム膜の表面が酸素ガスに曝されて酸化する恐れがある。したがって、アルミニウム膜上に接して形成される膜は、酸素ガスを用いずに形成することが好ましい。そのため、酸化チタン膜は、酸化チタンターゲットと不活性ガス（例えばアルゴンガス）とを用いたスパッタリング法を用いて形成することが好ましい。

　共通電極１１５は、可視光に対して透光性を有する導電層とすることができる。例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、及びガリウムを含む酸化亜鉛等の導電性酸化物、又はグラフェンを、共通電極１１５に用いることができる。又は、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、若しくはチタン等の金属材料、又は該金属材料を含む合金材料を共通電極１１５に用いることができる。又は、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等を共通電極１１５に用いてもよい。なお、金属材料、又は合金材料（又はそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすることが好ましい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金と、インジウムスズ酸化物との積層膜を共通電極１１５に用いると、共通電極１１５の導電性を高めることができるため好ましい。

　ここで、例えばＥＬ層１１２ＲとＥＬ層１１２Ｇの間には、ＥＬ層１１２Ｒの側面と重なる領域を有する保護層１３１と、ＥＬ層１１２Ｇの側面と重なる領域を有する保護層１３１と、が設けられる。他のＥＬ層１１２間にも同様に保護層１３１が設けられる。また、画素電極１１１の側面と重なる領域を有する保護層１３１を設けることができる。

　保護層１３１は、酸素、及び水等に対するバリア性が高い層とすることが好ましい。これにより、ＥＬ層１１２の側面から内部へ酸素、及び水等の不純物が侵入することを抑制できる。よって、発光素子１１０の劣化を抑制し、表示装置１００を信頼性が高い表示装置とすることができる。

　保護層１３１として、無機絶縁材料を用いることができ、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、及び酸化ハフニウム等の酸化物又は窒化物を含む層とすることができる。なお、保護層１３１は、ピンホールがない膜種、及び膜厚とすることが好ましい。

　なお、本明細書等において、酸化窒化物とは、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。

　図２Ａ、及び図２Ｂでは、ＥＬ層１１２の側面と重なる領域を有する保護層１３１の最上面が、ＥＬ層１１２の上面より上に位置する例を示しているが、本発明の一態様はこれに限られない。例えば、ＥＬ層１１２の側面と重なる領域を有する保護層１３１の最上面の高さが、ＥＬ層１１２の上面の高さと等しくてもよい。又は、ＥＬ層１１２の側面と重なる領域を有する保護層１３１の最上面が、ＥＬ層１１２の上面より下に位置してもよい。

　ここで、隣接するＥＬ層１１２の間隔を大きくすると、画素１０３の開口率が小さくなる場合がある。一方、隣接するＥＬ層１１２の間隔を小さくすると、ＥＬ層１１２の側面を被覆するように保護層１３１が形成されず、保護層１３１によるバリア効果が小さくなることにより、ＥＬ層１１２の側面から内部へ不純物が侵入しやすくなる場合がある。そこで、ＥＬ層１１２の側面と、隣接するＥＬ層１１２の側面との間隔は、３ｎｍ以上２００ｎｍ以下の領域を有することが好ましく、さらには３ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の領域を有することが好ましく、さらには５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の領域を有することが好ましく、さらには５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の領域を有することが好ましく、さらには１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の領域を有することが好ましく、さらには１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の領域を有することが好ましい。ＥＬ層１１２の側面と、隣接するＥＬ層１１２の側面との間隔を前述の範囲とすることで、表示装置１００を、高開口率且つ信頼性の高い表示装置とすることができる。

　隣接する発光素子１１０の間には、絶縁層１３２が設けられる。絶縁層１３２は、発光素子１１０が有するそれぞれのＥＬ層１１２の間に位置する。絶縁層１３２は例えば、それぞれが異なる色を呈する２つのＥＬ層１１２の間に設けられる。あるいは絶縁層１３２は例えば、同じ色を呈する２つのＥＬ層１１２の間に設けられる。あるいは絶縁層１３２が、異なる色を呈する２つのＥＬ層１１２の間に設けられ、同じ色を呈する２つのＥＬ層１１２の間には設けられない構成としてもよい。また、絶縁層１３２は、発光素子１１０が有するそれぞれの画素電極１１１の間に位置することができる。

　また、絶縁層１３２は、上面視において網目状（格子状、又はマトリクス状ということもできる）の形状を有するように、隣接画素間のＥＬ層１１２間に配置されている。

　異なる色を呈するＥＬ層１１２の間に絶縁層１３２を設けることにより、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂが、互いに接することを抑制できる。これにより、隣接する２つのＥＬ層１１２を介して電流が流れ、意図しない発光が生じることを抑制できる。よって、コントラストを高めることができ、表示装置１００を表示品位の高い表示装置とすることができる。また、それぞれの画素電極１１１の間に絶縁層１３２を設けることにより、画素電極１１１同士が接することを抑制できる。これにより、画素電極１１１同士が短絡することを抑制できる。よって、表示装置１００を信頼性が高い表示装置とすることができる。

　また、隣接する発光素子１１０間に絶縁層１３２を設けることで、ＥＬ層１１２が設けられる領域と、ＥＬ層１１２が設けられない領域と、に起因する段差を平坦化することができる。これにより、隣接する発光素子１１０間に絶縁層１３２が設けられず、例えば空隙が形成されている場合と比較して、共通電極１１５の被覆性を向上させることができる。よって、共通電極１１５に段切れが生じ、接続不良が発生することを抑制できる。また、段差によって共通電極１１５が局所的に薄膜化して電気抵抗が上昇することを抑制できる。以上より、表示装置１００を信頼性が高い表示装置とすることができる。

　なお、隣接する同色の発光素子１１０間において絶縁層１３２を設けずに、異なる色の発光素子１１０間においてのみ絶縁層１３２を形成する場合、上面視においてストライプ形状を有する絶縁層１３２とすることができる。絶縁層１３２をストライプ形状とすることで、絶縁層１３２を格子状の形状を有する場合と比較して、絶縁層１３２を形成するために必要なスペースが小さくなる。よって、表示装置１００の開口率を高めることができる。なお、絶縁層１３２をストライプ形状とする場合、隣接する同色のＥＬ層１１２は列方向に地続きになるように帯状に加工されていてもよい。

　絶縁層１３２には、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、絶縁層１３２として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を用いることができる。また、絶縁層１３２として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、又はネガ型の材料を用いることができる。

　絶縁層１３２として、感光性の樹脂を用いることにより、露光及び現像の工程のみで絶縁層１３２を作製することができる。よって、表示装置１００の作製工程を簡略化できるため、表示装置１００の作製コストを低減できる。したがって、表示装置１００を、低価格な表示装置とすることができる。

　絶縁層１３２として有機材料を用いる場合、絶縁層１３２に酸素、又は水等が含まれる場合がある。前述のように、酸素、又は水等がＥＬ層１１２に侵入すると、発光素子１１０が劣化する場合がある。ここで、表示装置１００では、保護層１３１と接するように絶縁層１３２が設けられる。例えば、絶縁層１３２の側面及び下面が保護層１３１と接するように、絶縁層１３２が設けられる。これにより、絶縁層１３２に含まれる酸素、又は水等がＥＬ層１１２に侵入することを抑制し、表示装置１００を信頼性が高い表示装置とすることができる。

　図２Ａに示すように、ＥＬ層１１２Ｒと絶縁層１３２の間に位置する保護層１３１の層数と、ＥＬ層１１２Ｇと絶縁層１３２の間に位置する保護層１３１の層数と、ＥＬ層１１２Ｂと絶縁層１３２の間に位置する保護層１３１の層数と、は互いに異ならせることができる。図２Ａ、及び図２Ｂでは、ＥＬ層１１２Ｒと絶縁層１３２の間に３層の保護層１３１が設けられ、ＥＬ層１１２Ｇと絶縁層１３２の間に２層の保護層１３１が設けられ、ＥＬ層１１２Ｂと絶縁層１３２の間に１層の保護層１３１が設けられる例を示している。また、図２Ａ、及び図２Ｂでは、画素電極１１１Ｒと絶縁層１３２の間に設けられる保護層１３１の数、画素電極１１１Ｇと絶縁層１３２の間に設けられる保護層１３１の数、及び画素電極１１１Ｂと絶縁層１３２の間に設けられる保護層１３１の数がいずれも３層である例を示している。なお、保護層１３１の層数は図２Ａ、及び図２Ｂに示す例に限られず、詳細は後述するが、例えば表示装置１００の作製方法により適宜異ならせることができる。また、画素電極１１１と、絶縁層１３２と接する保護層１３１と、の間に位置する保護層１３１がなくてもよい。

　絶縁層１３２上には、保護層１３３が設けられる。例えば、絶縁層１３２の上面と接する領域を有するように、保護層１３３が設けられる。保護層１３３は、例えば絶縁層１３２と共通層１１４の間に設けられる。前述のように、共通層１１４はＥＬ層１１２Ｒ上、ＥＬ層１１２Ｇ上、及びＥＬ層１１２Ｂ上に設けられ、共通電極１１５は共通層１１４上に設けられる。よって、共通層１１４、及び共通電極１１５は、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ上、ＥＬ層１１２Ｂ上、及び保護層１３３上に設けられる。

　保護層１３３は、ＥＬ層１１２と、絶縁層１３２と、の間に設けられる保護層１３１の上面と重なる領域を有するように設けることができる。なお、図２Ａ、及び図２Ｂでは、ＥＬ層１１２の端部と保護層１３３の端部が一致しているが、ＥＬ層１１２の端部と保護層１３３の端部は一致しなくてもよい。例えば、保護層１３３の端部が、ＥＬ層１１２と接する面に設けられる保護層１３１の端部と、絶縁層１３２と接する面に設けられる保護層１３１の端部と、の間に位置してもよい。

　保護層１３３は、酸素、及び水等に対するバリア性が高い層とすることが好ましい。これにより、例えば樹脂等の有機絶縁材料を有することができる絶縁層１３２に含まれる酸素、及び水等の不純物が、共通層１１４に侵入することを抑制できる。よって、表示装置１００を信頼性が高い表示装置とすることができる。

　以上より、表示装置１００では、絶縁層１３２が、酸素、及び水等に対するバリア性が高い層である、保護層１３１及び保護層１３３により囲われている。これにより、表示装置１００を信頼性が高い表示装置とすることができる。

　保護層１３３として、無機絶縁材料を用いることができ、例えば窒化物を用いることができる。具体的には、保護層１３３は、窒化シリコン、窒化アルミニウム、又は窒化ハフニウムのうち少なくとも１つを含むことができる。また、保護層１３３として酸化物、又は酸化窒化物を用いることができ、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、及び酸化窒化ハフニウム等の酸化物膜又は酸窒化物膜を用いることができる。また、保護層１３３は、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、パルスレーザ堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、又は原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて形成することができる。

　共通電極１１５上には、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂを覆って、保護層１２１が設けられる。保護層１２１は、上方から各発光素子１１０に水等の不純物が拡散することを防ぐ機能を有する。

　保護層１２１としては、例えば、少なくとも無機絶縁膜を含む単層構造又は積層構造とすることができる。無機絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、及び酸化ハフニウム膜等の酸化物膜又は窒化物膜が挙げられる。又は、保護層１２１としてインジウムガリウム酸化物、又はインジウムガリウム亜鉛酸化物等の半導体材料を用いてもよい。

　また、保護層１２１として、無機絶縁膜と、有機絶縁膜の積層膜を用いることもできる。例えば、一対の無機絶縁膜の間に、有機絶縁膜を挟んだ構成とすることが好ましい。さらに有機絶縁膜が平坦化膜として機能することが好ましい。これにより、有機絶縁膜の上面を平坦なものとすることができるため、その上の無機絶縁膜の被覆性が向上し、バリア性を高めることができる。また、保護層１２１の上面が平坦となるため、保護層１２１の上方に構造物（例えばカラーフィルタ、タッチセンサの電極、又はレンズアレイ等）を設ける場合に、下方の構造に起因する凹凸形状の影響を軽減できるため好ましい。

　図２Ｃ１に、図１に示す一点鎖線Ｃ１−Ｃ２に対応する断面を示す。一点鎖線Ｃ１−Ｃ２に示す断面においては、接続電極１１１Ｃと、共通電極１１５と、が電気的に接続する領域１３０が設けられる。なお、図２Ｃ１においては、接続電極１１１Ｃと共通電極１１５との間に共通層１１４が設けられる例を示すが、領域１３０において、共通層１１４を設けない構成としてもよい。図２Ｃ２には、領域１３０において共通層１１４を設けない場合の、図１に示す一点鎖線Ｃ１−Ｃ２に対応する断面を示す。領域１３０において共通層１１４を設けない構成とすることにより、接続電極１１１Ｃと共通電極１１５が接する構成とすることができ、接触抵抗をより低くすることができる。

　領域１３０において、接続電極１１１Ｃ上に共通電極１１５が設けられ、共通電極１１５を覆って保護層１２１が設けられる。また、接続電極１１１Ｃの上面と重ならない領域に保護層１３１、及び絶縁層１３２が設けられ、保護層１３１上、及び絶縁層１３２上に保護層１３３が設けられる。さらに、図２Ｃ１に示す例では、接続電極１１１Ｃ上、保護層１３３上、及びトランジスタを含む層１０１上に、共通層１１４が設けられる。なお、図２Ｃ１、及び図２Ｃ２では、接続電極１１１Ｃの両側に保護層１３１が３層ずつ設けられる例を示しているが、本発明の一態様はこれに限られず、詳細は後述するが、例えば表示装置１００の作製方法により適宜異ならせることができる。

　図２Ｄに、図２Ａにおいて一点鎖線で囲んだ領域の拡大図を示す。図２Ｄに示すように、絶縁層１３２は、凹形状とすることができる。

　また、保護層１３１は、２層積層構造とすることができ、例えば図２Ｄに示すように保護層１３１ａと保護層１３１ｂの２層積層構造とすることができる。この場合、例えばＥＬ層１１２の側面は、保護層１３１ａと接する領域を有することができる。また、絶縁層１３２の側面及び下面と接する領域を有する保護層１３１において、保護層１３１ｂが絶縁層１３２の側面及び下面と接する領域を有し、保護層１３１ａは保護層１３１ｂの側面及び下面と接する領域を有する。

　保護層１３１ａは、例えば被覆性の高い方法で成膜された膜を加工して形成された層とし、保護層１３１ｂは、例えば被覆性の低い方法で成膜された膜を加工して形成された層とすることができる。例えば、保護層１３１ａは、ＡＬＤ法で成膜された膜を加工して形成された層とすることができ、保護層１３１ｂは、スパッタリング法、又はＣＶＤ法で成膜された膜を加工して形成された層とすることができる。これにより、保護層１３１は、段差を被覆しつつ膜厚を厚くすることができる。よって、ＥＬ層１１２への酸素、及び水等の不純物の侵入を好適に抑制できる。したがって、表示装置１００を、信頼性が高い表示装置とすることができる。

　例えば、保護層１３１ａとして、無機酸化物又は無機窒化物を用いることができ、例えば酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化アルミニウム、又は酸化ハフニウム等のうち少なくとも１つを含むことができる。また、保護層１３１ｂとして、無機窒化物を用いることができ、例えば窒化シリコン、窒化アルミニウム、又は窒化ハフニウムのうち少なくとも１つを含むことができる。

　保護層１３１ａの膜厚は、例えば１ｎｍ以上６０ｎｍ以下とすることが好ましく、１ｎｍ以上４０ｎｍ以下とすることがより好ましく、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。また、保護層１３１ｂの膜厚は、例えば６０ｎｍ以上３００ｎｍ以下とすることが好ましく、６０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下とすることがより好ましく、８０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。なお、保護層１３１ａ、及び保護層１３１ｂは、ピンホールがない膜種、及び膜厚とすることが好ましい。

　図３Ａ、及び図３Ｂは、図２Ｄの構成の変形例を示す。図３Ａ、及び図３Ｂに示す構成は、例えば絶縁層１３２の形状が図２Ｄに示す構成と異なる。

　図３Ａに示す絶縁層１３２は、上面を平坦としている。図３Ｂに示す絶縁層１３２は、ＥＬ層１１２の上面と重なる領域を有する。図３Ｂに示す構成において、ＥＬ層１１２の上面と絶縁層１３２の間には犠牲層１４５が設けられる。例えば、ＥＬ層１１２の上面と保護層１３１の間に犠牲層１４５が設けられる。ここで、犠牲層１４５は、犠牲層１４５ａと犠牲層１４５ｂの２層積層構造とすることができる。図３Ｂでは、犠牲層１４５として、ＥＬ層１１２Ｒの上面と絶縁層１３２の間に設けられる犠牲層１４５Ｒ、及びＥＬ層１１２Ｇの上面と絶縁層１３２の間に設けられる犠牲層１４５Ｇを示している。犠牲層１４５の詳細については後述する。

　図３Ｂでは、保護層１３３の端部が犠牲層１４５の端部と一致しているが、保護層１３３の端部は犠牲層１４５の端部と一致しなくてもよい。例えば、保護層１３３が、ＥＬ層１１２の上面と接する領域を有してもよい。つまり、保護層１３３が犠牲層１４５の側面を覆う構成としてもよい。

［画素のレイアウト］
　次に、図１とは異なる画素レイアウトについて説明する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。副画素の配列としては、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、及びペンタイル配列等が挙げられる。

　また、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、及び正方形を含む）、又は五角形等の多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等が挙げられる。ここで、副画素の上面形状は、発光素子の発光領域の上面形状に相当する。

　図４Ａに示す画素１０３には、Ｓストライプ配列が適用されている。図４Ａに示す画素１０３は、副画素１０３ａ、副画素１０３ｂ、及び副画素１０３ｃの、３つの副画素から構成される。例えば、図５Ａに示すように、副画素１０３ａを青色の副画素Ｂとし、副画素１０３ｂを赤色の副画素Ｒとし、副画素１０３ｃを緑色の副画素Ｇとしてもよい。

　図４Ｂに示す画素１０３は、角が丸い略台形の上面形状を有する副画素１０３ａと、角が丸い略三角形の上面形状を有する副画素１０３ｂと、角が丸い略四角形、略六角形、又は略八角形の上面形状を有する副画素１０３ｃと、を有する。また、副画素１０３ａは、副画素１０３ｂよりも発光面積が広い。このように、各副画素の形状及びサイズはそれぞれ独立に決定することができる。例えば、信頼性の高い発光素子を有する副画素ほど、サイズを小さくすることができる。例えば、図５Ｂに示すように、副画素１０３ａを緑色の副画素Ｇとし、副画素１０３ｂを赤色の副画素Ｒとし、副画素１０３ｃを青色の副画素Ｂとしてもよい。

　図４Ｃに示す画素１２４ａ、及び画素１２４ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図４Ｃでは、副画素１０３ａ及び副画素１０３ｂを有する画素１２４ａと、副画素１０３ｂ及び副画素１０３ｃを有する画素１２４ｂと、が交互に配置されている例を示す。例えば、図５Ｃに示すように、副画素１０３ａを赤色の副画素Ｒとし、副画素１０３ｂを緑色の副画素Ｇとし、副画素１０３ｃを青色の副画素Ｂとしてもよい。

　図４Ｄ及び図４Ｅに示す画素１２４ａ、及び画素１２４ｂは、デルタ配列が適用されている。画素１２４ａは上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素１０３ａ、及び副画素１０３ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１０３ｃ）を有する。画素１２４ｂは上の行（１行目）に、１つの副画素（副画素１０３ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素１０３ａ、及び副画素１０３ｂ）を有する。例えば、図５Ｄに示すように、副画素１０３ａを赤色の副画素Ｒとし、副画素１０３ｂを緑色の副画素Ｇとし、副画素１０３ｃを青色の副画素Ｂとしてもよい。

　図４Ｄは、各副画素が、角が丸い略四角形の上面形状を有する例であり、図４Ｅは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。

　図４Ｆは、各色の副画素がジグザグに配置されている例である。具体的には、上面視において、列方向に並ぶ２つの副画素（例えば、副画素１０３ａと副画素１０３ｂ、又は、副画素１０３ｂと副画素１０３ｃ）の上辺の位置がずれている。例えば、図５Ｅに示すように、副画素１０３ａを赤色の副画素Ｒとし、副画素１０３ｂを緑色の副画素Ｇとし、副画素１０３ｃを青色の副画素Ｂとしてもよい。

　フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、副画素の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等になることがある。

　さらに、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、レジストマスクを用いてＥＬ層を島状に加工する。ＥＬ層上に形成したレジスト膜は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、ＥＬ層の材料の耐熱温度及びレジスト材料の硬化温度によっては、レジスト膜の硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジスト膜は、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、ＥＬ層の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等になることがある。例えば、上面形状が正方形のレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の上面形状のレジストマスクが形成され、ＥＬ層の上面形状が円形になることがある。

　なお、ＥＬ層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、例えばマスクパターン上の図形コーナー部に補正用のパターンを追加する。

［作製方法例］
　以下では、本発明の一態様の表示装置の作製方法の一例について、図面を参照して説明する。ここでは、上記構成例で示した表示装置１００を例に挙げて説明する。

　なお、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び導電膜等）は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ＰＬＤ法、又はＡＬＤ法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、又は熱ＣＶＤ法等がある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。さらに、ＡＬＤ法としては、ＰＥＡＬＤ法、又は熱ＡＬＤ法等がある。

　また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、又はナイフコート等の方法により形成することができる。

　また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、例えばフォトリソグラフィ法を用いることができる。それ以外に、ナノインプリント法、サンドブラスト法、又はリフトオフ法等により薄膜を加工してもよい。また、メタルマスク等の遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。

　フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。一つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、例えばエッチングにより当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう一つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。

　フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、又はこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、又はＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−Ｖｉｏｌｅｔ）光、又はＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線、又は電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビーム等のビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

　薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、又はサンドブラスト法等を用いることができる。

　表示装置１００を作製するには、まず、基板（図示せず）上にトランジスタを含む層１０１を形成する。前述のように、トランジスタを含む層１０１は、例えばトランジスタを覆うように絶縁層が設けられた積層構造を適用することができる。

　基板としては、少なくとも後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する基板を用いることができる。基板として、絶縁性基板を用いる場合には、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、又は有機樹脂基板等を用いることができる。また、シリコン又は炭化シリコン等を材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、又はＳＯＩ基板等の半導体基板を用いることができる。

　続いて、トランジスタを含む層１０１上に、画素電極１１１となる導電膜を成膜する。具体的には、例えばトランジスタを含む層１０１の絶縁表面上に、画素電極１１１となる導電膜を成膜する。続いて、導電膜の一部をエッチングして除去し、トランジスタを含む層１０１上に画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂ、及び接続電極１１１Ｃを形成する（図６Ａ）。

　画素電極として可視光に対して反射性を有する導電層を用いる場合、可視光の波長域全域での反射率ができるだけ高い材料（例えば銀又はアルミニウム等）を適用することが好ましい。これにより、発光素子の光取り出し効率を高められるだけでなく、色再現性を高めることができる。

　続いて、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂ上、及びトランジスタを含む層１０１上に、後にＥＬ層１１２ＲとなるＥＬ膜１１２Ｒｆを形成する。ここで、ＥＬ膜１１２Ｒｆは、接続電極１１１Ｃとは重ならないように設けることができる。例えば、接続電極１１１Ｃが含まれる領域をメタルマスクで遮蔽してＥＬ膜１１２Ｒｆを形成することにより、ＥＬ膜１１２Ｒｆを、接続電極１１１Ｃと重ならないように形成することができる。この際に用いるメタルマスクでは表示部の画素領域の遮蔽は行わなくてもよいため、高精細なマスクを用いる必要はない。

　ＥＬ膜１１２Ｒｆは、少なくとも発光性の化合物を含む膜を有する。このほかに、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、又は電子注入層として機能する膜のうち、一以上が積層された構成としてもよい。ＥＬ膜１１２Ｒｆは、例えば蒸着法、スパッタリング法、又はインクジェット法等により形成することができる。なおこれに限られず、上述した成膜方法を適宜用いることができる。

　続いて、ＥＬ膜１１２Ｒｆ上、接続電極１１１Ｃ上、及びトランジスタを含む層１０１上に犠牲膜１４４Ｒａを形成し、犠牲膜１４４Ｒａ上に犠牲膜１４４Ｒｂを形成する。つまり、ＥＬ膜１１２Ｒｆ上、接続電極１１１Ｃ上、及びトランジスタを含む層１０１上に、２層積層構造の犠牲膜を形成する。なお、犠牲膜は１層としてもよいし、３層以上の積層構造としてもよい。以降の工程において犠牲膜を形成する場合も、２層積層構造の犠牲膜を形成するものとするが、１層としてもよいし、３層以上の積層構造としてもよい。

　犠牲膜１４４Ｒａ及び犠牲膜１４４Ｒｂの形成には、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法、又は真空蒸着法を用いることができる。なお、ＥＬ層へのダメージが少ない形成方法が好ましく、ＥＬ膜１１２Ｒｆ上に直接形成する犠牲膜１４４Ｒａは、ＡＬＤ法、又は真空蒸着法を用いて形成すると好適である。

　犠牲膜１４４Ｒａとして、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、又は無機絶縁膜等の無機膜を好適に用いることができる。

　また、犠牲膜１４４Ｒａとして、酸化物膜を用いることができる。代表的には、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、及び酸化窒化ハフニウム等の酸化物膜又は酸窒化物膜を用いることができる。また、犠牲膜１４４Ｒａとして、例えば窒化物膜を用いることもできる。具体的には、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化ハフニウム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化ガリウム、又は窒化ゲルマニウム等の窒化物を用いることもできる。このような無機絶縁材料は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、又はＡＬＤ法等の成膜方法を用いて形成することができるが、ＥＬ膜１１２Ｒｆ上に直接形成する犠牲膜１４４Ｒａは、特にＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。

　また、犠牲膜１４４Ｒａとして、例えばニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、コバルト、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタル等の金属材料、又は該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウム又は銀等の低融点材料を用いることが好ましい。

　また、犠牲膜１４４Ｒａとして、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯとも表記する）等の金属酸化物を用いることができる。さらに、酸化インジウム、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物）、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、又はインジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）等を用いることができる。又は例えばシリコンを含むインジウムスズ酸化物を用いることもできる。

　なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種又は複数種）を用いた場合にも適用できる。特に、Ｍは、ガリウム、アルミニウム、及びイットリウムから選ばれた一種又は複数種とすることが好ましい。

　犠牲膜１４４Ｒｂとして、上記に挙げた犠牲膜１４４Ｒａとして用いることができる材料を用いることができる。例えば、上記に挙げた犠牲膜１４４Ｒａとして用いることができる材料から、犠牲膜１４４Ｒａとして一を選択し、犠牲膜１４４Ｒｂとして他の一を選択することができる。また、上記に挙げた犠牲膜１４４Ｒａとして用いることができる材料のうち、犠牲膜１４４Ｒａには一又は複数の材料を選択し、犠牲膜１４４Ｒｂには、犠牲膜１４４Ｒａとして選択された材料以外から選択された一又は複数の材料を用いることができる。

　具体的には、犠牲膜１４４Ｒａとして、ＡＬＤ法を用いて形成された酸化アルミニウムを用い、犠牲膜１４４Ｒｂとして、スパッタリング法を用いて形成された窒化シリコンを用いると好適である。なお、当該構成の場合、ＡＬＤ法、及びスパッタリング法で成膜する際の成膜温度としては、室温以上１２０℃以下、好ましくは室温以上１００℃以下とすることで、ＥＬ膜１１２Ｒｆに与える影響を低減することができるため好適である。また、犠牲膜１４４Ｒａと、犠牲膜１４４Ｒｂとの積層構造の場合、当該積層構造の応力が小さいほうが好ましい。具体的には、積層構造の応力が、−５００ＭＰａ以上＋５００ＭＰａ以下、より好ましくは、−２００ＭＰａ以上＋２００ＭＰａ以下とすると、膜剥がれ、及びピーリング等の工程トラブルを抑制できるため好適である。

　犠牲膜１４４Ｒａは、ＥＬ膜１１２Ｒｆ等の各ＥＬ膜のエッチング処理に対する耐性の高い膜、すなわちエッチングの選択比の大きい膜を用いることができる。また、犠牲膜１４４Ｒａは、各ＥＬ膜へのダメージの少ないウェットエッチング法により除去可能な膜を用いることが特に好ましい。

　また、犠牲膜１４４Ｒａとして、化学的に安定な溶媒に溶解しうる材料を用いてもよい。特に、水又はアルコールに溶解する材料を、犠牲膜１４４Ｒａに好適に用いることができる。犠牲膜１４４Ｒａを成膜する際には、水又はアルコール等の溶媒に溶解させた状態で、湿式の成膜方法で塗布した後に、溶媒を蒸発させるための加熱処理を行うことが好ましい。このとき、減圧雰囲気下での加熱処理を行うことで、低温且つ短時間で溶媒を除去できるため、ＥＬ膜１１２Ｒｆへの熱的なダメージを低減することができ、好ましい。

　犠牲膜１４４Ｒａの形成に用いることのできる湿式の成膜方法としては、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、又はナイフコート等がある。

　犠牲膜１４４Ｒａとしては、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、又はアルコール可溶性のポリアミド樹脂等の有機材料を用いることができる。

　犠牲膜１４４Ｒｂには、犠牲膜１４４Ｒａとのエッチング選択比の大きい膜を用いればよい。

　犠牲膜１４４Ｒａとして、ＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、及び酸化シリコン等の無機絶縁材料を用い、犠牲膜１４４Ｒｂとして、スパッタリング法により形成した、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、コバルト、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタル等の金属材料、又は該金属材料を含む合金材料を用いることが好ましい。特に、犠牲膜１４４Ｒｂとして、スパッタリング法により形成したタングステンを用いることが好ましい。また、犠牲膜１４４Ｒｂとして、スパッタリング法により形成したインジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯとも表記する）等の、インジウムを含む金属酸化物を用いてもよい。さらに、犠牲膜１４４Ｒｂとして、無機材料を用いてもよい。例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、又は酸化ハフニウム膜等の酸化物膜又は窒化物膜を用いることができる。

　また、犠牲膜１４４Ｒｂとして、例えばＥＬ膜１１２Ｒｆに用いることのできる有機膜を用いてもよい。例えば、ＥＬ膜１１２Ｒｆに用いる有機膜と同じ膜を、犠牲膜１４４Ｒｂとして用いることができる。このような有機膜を用いることで、ＥＬ膜１１２Ｒｆと成膜装置を共通に用いることができるため、好ましい。さらに、ＥＬ膜１１２Ｒｆをエッチングする際に、犠牲膜１４４Ｒｂを同時に除去できるため、工程を簡略化できる。

　続いて、犠牲膜１４４Ｒｂ上にレジストマスク１４３ａを形成する（図６Ｂ）。レジストマスク１４３ａは、ポジ型のレジスト材料、又はネガ型のレジスト材料等、感光性の樹脂を含むレジスト材料を用いることができる。

　続いて、犠牲膜１４４Ｒｂ及び犠牲膜１４４Ｒａの、レジストマスク１４３ａに覆われない一部をエッチングにより除去し、島状又は帯状の犠牲層１４５Ｒｂ及び犠牲層１４５Ｒａを形成する（図６Ｃ）。図６Ｃに示すように、犠牲層１４５Ｒｂ及び犠牲層１４５Ｒａは、例えば画素電極１１１Ｒ上と、接続電極１１１Ｃ上と、に形成することができる。

　ここで、レジストマスク１４３ａを用いて犠牲膜１４４Ｒｂの一部をエッチングにより除去し、犠牲層１４５Ｒｂを形成した後にレジストマスク１４３ａを除去し、その後に犠牲層１４５Ｒｂをハードマスクとして犠牲膜１４４Ｒａをエッチングすることが好ましい。この場合、犠牲膜１４４Ｒｂのエッチングには、犠牲膜１４４Ｒａとの選択比の高いエッチング条件を用いることが好ましい。ハードマスク形成のエッチングにはウェットエッチング法又はドライエッチング法を用いることができるが、ドライエッチング法を用いることで、パターンの縮小を抑制できる。

　犠牲膜１４４Ｒａと犠牲膜１４４Ｒｂの加工、及びレジストマスク１４３ａの除去は、ウェットエッチング法又はドライエッチング法により行うことができる。例えば、犠牲膜１４４Ｒａ、及び犠牲膜１４４Ｒｂは、フッ素を含むガス用いたドライエッチング法により加工することができる。また、レジストマスク１４３ａは、酸素を含むガス（酸素ガスともいう）を用いたドライエッチング法（プラズマアッシング法ともいう）により除去することができる。

　犠牲層１４５Ｒｂをハードマスクとして犠牲膜１４４Ｒａをエッチングする場合、ＥＬ膜１１２Ｒｆが犠牲膜１４４Ｒａに覆われた状態でレジストマスク１４３ａの除去を行うことができる。例えば、ＥＬ膜１１２Ｒｆが酸素に触れると、発光素子１１０Ｒの電気特性に悪影響を及ぼす場合がある。よって、プラズマアッシング等、酸素ガスを用いた方法でレジストマスク１４３ａを除去する場合には、犠牲層１４５Ｒｂをハードマスクとして犠牲膜１４４Ｒａをエッチングすることが好ましい。

　続いて、犠牲層１４５Ｒａに覆われないＥＬ膜１１２Ｒｆの一部をエッチングにより除去し、島状又は帯状のＥＬ層１１２Ｒを形成する（図６Ｄ）。

　ＥＬ膜１１２Ｒｆのエッチングに酸素ガスを用いたドライエッチング法を用いると、エッチング速度を高めることができる。そのため、エッチング速度を十分な速さに維持しつつ、低パワーの条件でのエッチングができるため、エッチングによるダメージを低減できる。さらに、例えばエッチング時に生じる反応生成物のＥＬ層１１２Ｒへの付着等の不具合を抑制できる。

　一方、酸素を主成分に含まないエッチングガスを用いたドライエッチング法によりＥＬ膜１１２Ｒｆをエッチングすると、ＥＬ膜１１２Ｒｆの変質を抑制し、表示装置１００を信頼性の高い表示装置とすることができる。酸素を主成分に含まないエッチングガスとしては、例えばＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、及び１８族元素が挙げられる。１８族として、例えばヘリウムを用いることができる。また、上記ガスと、酸素を含まない希釈ガスとの混合ガスをエッチングガスに用いることができる。なお、ＥＬ膜１１２Ｒｆのエッチングは上記に限られず、他のガスを用いたドライエッチング法により行ってもよいし、ウェットエッチング法により行ってもよい。

　ＥＬ膜１１２Ｒｆのエッチングを行ってＥＬ層１１２Ｒを形成した際に、ＥＬ層１１２Ｒの側面に不純物が付着していると、以降の工程において当該不純物がＥＬ層１１２Ｒの内部へ侵入する場合がある。これにより、表示装置１００の信頼性が低下する場合がある。よって、ＥＬ層１１２Ｒの形成後に、ＥＬ層１１２Ｒの表面に付着している不純物を除去すると、表示装置１００の信頼性を高めることができ好ましい。

　ＥＬ層１１２Ｒの表面に付着している不純物の除去は、例えばＥＬ層１１２Ｒの表面に不活性ガスを照射することで行うことができる。ここで、ＥＬ層１１２Ｒを形成した直後は、ＥＬ層１１２Ｒの表面が露出している。具体的には、ＥＬ層１１２Ｒの側面が露出している。よって、ＥＬ層１１２Ｒの形成後に、例えばＥＬ層１１２Ｒが形成されている基板を不活性ガス雰囲気下におくと、ＥＬ層１１２Ｒに付着している不純物を除去することができる。不活性ガスとして、例えば１８族元素（代表的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、及びクリプトン等）、及び窒素の中から選ばれるいずれか一又は複数を用いることができる。

　続いて、トランジスタを含む層１０１の上面と、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂの上面及び側面と、ＥＬ層１１２Ｒの側面と、犠牲層１４５Ｒａの側面と、犠牲層１４５Ｒｂの側面及び上面と、を覆うように、後に保護層１３１Ｒとなる保護膜１３１Ｒｆを形成する（図７Ａ１）。

　図７Ａ２に、図７Ａ１において一点鎖線で囲んだ領域の拡大図を示す。図７Ａ２に示すように、保護膜１３１Ｒｆは、後に保護層１３１Ｒａとなる保護膜１３１Ｒａｆと、後に保護層１３１Ｒｂとなる保護膜１３１Ｒｂｆと、の２層積層構造とすることができる。

　保護膜１３１Ｒａｆは、例えば被覆性の高い方法で成膜し、保護膜１３１Ｒｂｆは、例えば被覆性の低い方法で成膜することが好ましい。例えば、保護膜１３１ＲａｆはＡＬＤ法で成膜し、保護膜１３１Ｒｂｆはスパッタリング法、又はＣＶＤ法で成膜することができる。これにより、保護膜１３１Ｒｆは、段差を被覆しつつ膜厚を厚くすることができる。よって、ＥＬ層１１２Ｒへの酸素、及び水等の不純物の侵入を好適に抑制できる。したがって、表示装置１００を、信頼性が高い表示装置とすることができる。

　保護膜１３１Ｒｆとして、無機絶縁材料を用いることができる。例えば、保護膜１３１Ｒａｆとして、無機酸化物又は無機窒化物を用いることができ、例えば酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化アルミニウム、又は酸化ハフニウム等のうち少なくとも１つを含むことができる。また、保護膜１３１Ｒｂｆとして、無機窒化物を用いることができ、例えば窒化シリコン、窒化アルミニウム、又は窒化ハフニウムのうち少なくとも１つを含むことができる。

　保護膜１３１Ｒａｆは、例えば膜厚が１ｎｍ以上６０ｎｍ以下となるように成膜することが好ましく、１ｎｍ以上４０ｎｍ以下となるように成膜することがより好ましく、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下となるように成膜することがさらに好ましい。また、保護膜１３１Ｒｂｆは、例えば膜厚が６０ｎｍ以上３００ｎｍ以下となるように成膜することが好ましく、６０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下となるように成膜することがより好ましく、８０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下となるように成膜することがさらに好ましい。なお、保護膜１３１Ｒａｆ、及び保護膜１３１Ｒｂｆは、ピンホールがない膜種、及び膜厚とすることが好ましい。

　ここで、ＥＬ層１１２Ｒが空気等に触れると、空気中に含まれる酸素、及び水等の不純物が、ＥＬ層１１２Ｒの内部に侵入する場合がある。ＥＬ層１１２Ｒの形成後は、保護膜１３１Ｒｆが形成されるまで、ＥＬ層１１２Ｒの表面、具体的にはＥＬ層１１２Ｒの側面が露出する。よって、ＥＬ膜１１２Ｒｆのエッチングから保護膜１３１Ｒｆの成膜までの工程は、同一の装置内で行うことが好ましい。これにより、ＥＬ膜１１２ＲｆをエッチングしてＥＬ層１１２Ｒを形成した後、ＥＬ層１１２Ｒを空気中に曝すことなく、ＥＬ層１１２Ｒを覆う保護膜１３１Ｒｆを形成することができる。よって、空気中に含まれる不純物がＥＬ層１１２Ｒの内部に侵入することを抑制し、表示装置１００を信頼性が高い表示装置とすることができる。なお、他の工程も同一の装置内で行うと、表示装置１００の作製工程において表示装置の構成要素が例えば空気に触れることを抑制でき、また表示装置１００の作製におけるスループットを高めることができるため好ましい。

　続いて、保護膜１３１Ｒｆをエッチングすることで、保護層１３１Ｒを形成する（図７Ｂ１）。保護層１３１Ｒは、ＥＬ層１１２Ｒの側面と重なる領域を有するように形成される。また、保護層１３１Ｒは、画素電極１１１Ｒの側面、画素電極１１１Ｇの側面、画素電極１１１Ｂの側面、犠牲層１４５Ｒａの側面、及び犠牲層１４５Ｒｂの側面と重なる領域を有するように形成される。なお、保護膜１３１Ｒｆの膜厚が薄い場合等は、画素電極１１１Ｒの側面、画素電極１１１Ｇの側面、画素電極１１１Ｂの側面、犠牲層１４５Ｒａの側面、又は犠牲層１４５Ｒｂの側面等と重なる領域には保護層１３１Ｒが形成されない場合がある。

　ＥＬ層１１２Ｒの側面と重なる領域を有するように保護層１３１Ｒを形成することで、以降の工程において、ＥＬ層１１２Ｒの側面から内部へ酸素、及び水等の不純物が侵入することを抑制できる。よって、表示装置１００を、信頼性の高い表示装置とすることができる。

　保護膜１３１Ｒｆのエッチングは、異方性エッチングにより行うと、例えばフォトリソグラフィ法を用いたパターニングを行わなくても保護層１３１を好適に形成できるため好ましい。例えばフォトリソグラフィ法を用いたパターニングを行わずに保護層１３１を形成することにより、表示装置１００の作製工程を簡略化できるため、表示装置１００の作製コストを低くすることができる。よって、表示装置１００を、低価格な表示装置とすることができる。前述のように、異方性エッチングとして例えばドライエッチング法が挙げられる。保護膜１３１Ｒｆをドライエッチング法によりエッチングする場合、例えば、犠牲膜１４４Ｒａ、又は犠牲膜１４４Ｒｂをエッチングする際に用いることができるエッチングガスを用いて、保護膜１３１Ｒｆをエッチングすることができる。

　図７Ｂ２に、図７Ｂ１において一点鎖線で囲んだ領域の拡大図を示す。図７Ｂ２に示すように、保護層１３１Ｒは、保護層１３１Ｒａと保護層１３１Ｒｂの２層積層構造とすることができる。

　ところで、図６Ｃ乃至図６Ｄに示した工程において、酸素を含むガスを用いてＥＬ膜１１２Ｒｆのエッチングを行うと、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂの表面状態が変化する場合がある。例えば、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂの表面が親水性となる場合がある。例えば、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂの上表面が、インジウム錫酸化物を含む層である場合、酸素を含むガスを用いてＥＬ膜１１２Ｒｆのエッチングを行うことにより、当該インジウム錫酸化物を含む層が親水性となる場合がある。ここで、後の工程で画素電極１１１Ｇと接する領域を有するように形成されるＥＬ膜、及び画素電極１１１Ｂと接する領域を有するように形成されるＥＬ膜は、例えば疎水性である。親水面と疎水面の密着性は、親水面同士の密着性、及び疎水面同士の密着性より低い。以上より、画素電極１１１Ｇ及び画素電極１１１Ｂの表面が親水性であると、後の工程で形成されるＥＬ膜との密着性が低くなる場合がある。そのため、後の工程においてＥＬ膜が、画素電極１１１Ｇとの界面、又は画素電極１１１Ｂとの界面で剥がれる場合がある。また、酸素を含むガスを用いてＥＬ膜１１２Ｒｆのエッチングを行うと、上記の表面状態の変化に加え、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂの表面の仕事関数が変化する場合がある。

　そこで、画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面に対して疎水化処理を行うことで、後の工程で形成されるＥＬ膜の膜剥がれを抑制できる。よって、表示装置１００を信頼性の高い表示装置とすることができる。また、表示装置１００の作製における歩留まりを高め、表示装置１００を低価格な表示装置とすることができる。疎水化処理は、保護層１３１Ｒの形成後に行うことが好ましい。

　疎水化処理は、例えば画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂへのフッ素修飾により行うことができる。フッ素修飾は例えば、フッ素を含むガスによる処理又は加熱処理、又はフッ素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理等により行うことができる。フッ素を含むガスとして、例えばフッ素ガスを用いることができ、例えばフルオロカーボンガスを用いることができる。フルオロカーボンガスとして、例えば四フッ化炭素（ＣＦ_４）ガス、Ｃ_４Ｆ_６ガス、Ｃ_２Ｆ_６ガス、Ｃ_４Ｆ_８ガス、又はＣ_５Ｆ_８等の低級フッ化炭素ガスを用いることができる。また、フッ素を含むガスとして、例えばＳＦ_６ガス、ＮＦ_３ガス、又はＣＨＦ_３ガス等を用いることができる。また、これらのガスに、ヘリウムガス、アルゴンガス、又は水素ガス等を適宜添加することができる。

　また、画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面に対して、アルゴン等の１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行った後、シリル化剤を用いた処理を行うことで、画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面を疎水化することができる。シリル化剤として、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、又はトリメチルシリルイミダゾール（ＴＭＳＩ）等を用いることができる。さらに、画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面に対して、アルゴン等の１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行った後、シランカップリング剤を用いた処理を行うことでも、画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面を疎水化することができる。

　画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面に対して、アルゴン等の１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行うことにより、画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面に対してダメージを与えることができる。これにより、ＨＭＤＳ等のシリル化剤に含まれるメチル基が、画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面に結合しやすくなる。また、シランカップリング剤によるシランカップリングが発生しやすくなる。以上により、画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面に対して、アルゴン等の１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行った後、シリル化剤、又はシランカップリング剤を用いた処理を行うことで、画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面を疎水化することができる。

　シリル化剤、又はシランカップリング剤等を用いた処理は、例えばスピンコート法、又はディップ法等を用いてシリル化剤、又はシランカップリング剤等を塗布することにより行うことができる。また、シリル化剤、又はシランカップリング剤等を用いた処理は、例えば気相法を用いて、画素電極１１１Ｇ上、及び画素電極１１１Ｂ上等にシリル化剤を有する膜、又はシランカップリング剤を有する膜等を形成することにより行うことができる。気相法では、まず、シリル化剤を有する材料、又はシランカップリング剤を有する材料等を揮発させることにより、シリル化剤、又はシランカップリング剤等を雰囲気中に含ませる。続いて、当該雰囲気中に、画素電極１１１Ｇ上、及び画素電極１１１Ｂ等が形成されている基板をおく。これにより、画素電極１１１Ｇ上、及び画素電極１１１Ｂ上等に、シリル化剤、又はシランカップリング剤等を有する膜を形成することができ、画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面を疎水化することができる。

　続いて、犠牲層１４５Ｒｂ上、保護層１３１Ｒ上、画素電極１１１Ｇ上、画素電極１１１Ｂ上、及びトランジスタを含む層１０１上に、後にＥＬ層１１２ＧとなるＥＬ膜１１２Ｇｆを形成する。犠牲層１４５Ｒ、及び保護層１３１Ｒの形成後にＥＬ膜１１２Ｇｆを形成することにより、ＥＬ膜１１２ＧｆがＥＬ層１１２Ｒと接することを防ぐことができる。例えばＥＬ膜１１２Ｇｆの形成については、ＥＬ膜１１２Ｒｆの形成の記載を参照することができる。

　次に、ＥＬ膜１１２Ｇｆ上、犠牲層１４５Ｒｂ上、及びトランジスタを含む層１０１上に犠牲膜１４４Ｇａを形成し、犠牲膜１４４Ｇａ上に犠牲膜１４４Ｇｂを形成する。その後、犠牲膜１４４Ｇｂ上にレジストマスク１４３ｂを形成する（図８Ａ）。犠牲膜１４４Ｇａ、犠牲膜１４４Ｇｂ、及びレジストマスク１４３ｂの形成等については、犠牲膜１４４Ｒａ、犠牲膜１４４Ｒｂ、及びレジストマスク１４３ａの形成等の記載をそれぞれ参照することができる。

　続いて、犠牲膜１４４Ｇｂ及び犠牲膜１４４Ｇａの、レジストマスク１４３ｂに覆われない一部をエッチングにより除去し、島状又は帯状の犠牲層１４５Ｇｂ及び犠牲層１４５Ｇａを形成する。また、レジストマスク１４３ｂを除去する（図８Ｂ）。ここでは、犠牲層１４５Ｇｂ及び犠牲層１４５Ｇａは、画素電極１１１Ｇ上に形成することができる。犠牲層１４５Ｇｂ及び犠牲層１４５Ｇａの形成、及びレジストマスク１４３ｂの除去等については、犠牲層１４５Ｒｂ及び犠牲層１４５Ｒａの形成、及びレジストマスク１４３ａの除去等の記載を参照することができる。

　続いて、犠牲層１４５Ｇａに覆われないＥＬ膜１１２Ｇｆの一部をエッチングにより除去し、島状又は帯状のＥＬ層１１２Ｇを形成する（図８Ｃ）。例えばＥＬ層１１２Ｇの形成については、ＥＬ層１１２Ｒの形成の記載を参照することができる。また、ＥＬ層１１２Ｒと同様に、ＥＬ層１１２Ｇの表面に付着している不純物も除去することが好ましい。例えば、ＥＬ層１１２Ｇの形成後に、ＥＬ層１１２Ｇが形成されている基板を不活性ガス雰囲気下におくと、ＥＬ層１１２Ｇに付着している不純物を除去することができる。

　続いて、トランジスタを含む層１０１の上面と、画素電極１１１Ｂの上面と、ＥＬ層１１２Ｇの側面と、保護層１３１Ｒの側面と、犠牲層１４５Ｒｂの上面と、犠牲層１４５Ｇａの側面と、犠牲層１４５Ｇｂの側面及び上面と、を覆うように、後に保護層１３１Ｇとなる保護膜１３１Ｇｆを形成する（図９Ａ１）。例えば保護膜１３１Ｇｆの形成については、保護膜１３１Ｒｆの形成の記載を参照することができる。ここで、ＥＬ膜１１２Ｇｆのエッチングから保護膜１３１Ｇｆの成膜までの工程を同一の装置内で行うと、ＥＬ層１１２Ｇを空気中に曝すことなく、ＥＬ層１１２Ｇを覆う保護膜１３１Ｇｆを形成することができるため好ましい。

　図９Ａ２に、図９Ａ１において一点鎖線で囲んだ領域の拡大図を示す。図９Ａ２に示すように、保護膜１３１Ｇｆは、後に保護層１３１Ｇａとなる保護膜１３１Ｇａｆと、後に保護層１３１Ｇｂとなる保護膜１３１Ｇｂｆと、の２層積層構造とすることができる。保護膜１３１Ｇａｆ、及び保護膜１３１Ｇｂｆについては、保護膜１３１Ｒａｆ、及び保護膜１３１Ｒｂｆについての記載をそれぞれ参照することができる。

　続いて、保護膜１３１Ｇｆをエッチングすることで、保護層１３１Ｇを形成する（図９Ｂ１）。保護層１３１Ｇは、ＥＬ層１１２Ｇの側面と重なる領域を有するように形成される。また、保護層１３１Ｇは、保護層１３１Ｒの側面、犠牲層１４５Ｇａの側面、及び犠牲層１４５Ｇｂの側面と重なる領域を有するように形成される。なお、保護膜１３１Ｇｆの膜厚が薄い場合等は、保護層１３１Ｒの側面、犠牲層１４５Ｇａの側面、又は犠牲層１４５Ｇｂの側面等と重なる領域には保護層１３１Ｇが形成されない場合がある。例えば保護層１３１Ｇの形成については、保護層１３１Ｒの形成の記載を参照することができる。

　図９Ｂ２に、図９Ｂ１において一点鎖線で囲んだ領域の拡大図を示す。図９Ｂ２に示すように、保護層１３１Ｇは、保護層１３１Ｇａと保護層１３１Ｇｂの２層積層構造とすることができる。保護層１３１Ｇａ、及び保護層１３１Ｇｂについては、保護層１３１Ｒａ、及び保護層１３１Ｒｂについての記載をそれぞれ参照することができる。

　続いて、犠牲層１４５Ｒｂ上、犠牲層１４５Ｇｂ上、保護層１３１Ｒ上、保護層１３１Ｇ上、画素電極１１１Ｂ上、及びトランジスタを含む層１０１上に、後にＥＬ層１１２ＢとなるＥＬ膜１１２Ｂｆを形成する。犠牲層１４５Ｇ、及び保護層１３１Ｇの形成後にＥＬ膜１１２Ｂｆを形成することにより、ＥＬ膜１１２ＢｆがＥＬ層１１２Ｇと接することを防ぐことができる。例えばＥＬ膜１１２Ｂｆの形成については、ＥＬ膜１１２Ｒｆの形成の記載を参照することができる。

　次に、ＥＬ膜１１２Ｂｆ上、犠牲層１４５Ｒｂ上、及びトランジスタを含む層１０１上に犠牲膜１４４Ｂａを形成し、犠牲膜１４４Ｂａ上に犠牲膜１４４Ｂｂを形成する。その後、犠牲膜１４４Ｂｂ上にレジストマスク１４３ｃを形成する（図１０Ａ）。犠牲膜１４４Ｂａ、犠牲膜１４４Ｂｂ、及びレジストマスク１４３ｃの形成等については、犠牲膜１４４Ｒａ、犠牲膜１４４Ｒｂ、及びレジストマスク１４３ａの形成等の記載をそれぞれ参照することができる。

　続いて、犠牲膜１４４Ｂｂ及び犠牲膜１４４Ｂａの、レジストマスク１４３ｃに覆われない一部をエッチングにより除去し、島状又は帯状の犠牲層１４５Ｂｂ及び犠牲層１４５Ｂａを形成する。また、レジストマスク１４３ｃを除去する（図１０Ｂ）。ここでは、犠牲層１４５Ｂｂ及び犠牲層１４５Ｂａは、画素電極１１１Ｂ上に形成することができる。犠牲層１４５Ｂｂ及び犠牲層１４５Ｂａの形成、及びレジストマスク１４３ｃの除去等については、犠牲層１４５Ｒｂ及び犠牲層１４５Ｒａの形成、及びレジストマスク１４３ａの除去等の記載を参照することができる。

　続いて、犠牲層１４５Ｂａに覆われないＥＬ膜１１２Ｂｆの一部をエッチングにより除去し、島状又は帯状のＥＬ層１１２Ｂを形成する（図１０Ｃ）。例えばＥＬ層１１２Ｂの形成については、ＥＬ層１１２Ｒの形成の記載を参照することができる。また、ＥＬ層１１２Ｒ及びＥＬ層１１２Ｇと同様に、ＥＬ層１１２Ｂの表面に付着している不純物も除去することが好ましい。例えば、ＥＬ層１１２Ｂの形成後に、ＥＬ層１１２Ｂが形成されている基板を不活性ガス雰囲気下におくと、ＥＬ層１１２Ｂに付着している不純物を除去することができる。

　続いて、トランジスタを含む層１０１の上面と、ＥＬ層１１２Ｂの側面と、保護層１３１Ｇの側面と、犠牲層１４５Ｒｂの上面と、犠牲層１４５Ｇｂの上面と、犠牲層１４５Ｂａの側面と、犠牲層１４５Ｂｂの側面及び上面と、を覆うように、後に保護層１３１Ｂとなる保護膜１３１Ｂｆを形成する（図１１Ａ）。例えば保護膜１３１Ｂｆの形成については、保護膜１３１Ｒｆの形成の記載を参照することができる。ここで、ＥＬ膜１１２Ｂｆのエッチングから保護膜１３１Ｂｆの成膜までの工程を同一の装置内で行うと、ＥＬ層１１２Ｂを空気中に曝すことなく、ＥＬ層１１２Ｂを覆う保護膜１３１Ｂｆを形成するごとができるため好ましい。

　図１１Ｂに、図１１Ａに示す領域１６０ａの拡大図を示し、図１１Ｃに、図１１Ａに示す領域１６０ｂの拡大図を示す。領域１６０ａは、ＥＬ層１１２ＲとＥＬ層１１２Ｇの間の領域を含み、領域１６０ｂは、ＥＬ層１１２ＧとＥＬ層１１２Ｂの間の領域を含む。図１１Ｂ、及び図１１Ｃに示すように、保護膜１３１Ｂｆは、後に保護層１３１Ｂａとなる保護膜１３１Ｂａｆと、後に保護層１３１Ｂｂとなる保護膜１３１Ｂｂｆと、の２層積層構造とすることができる。保護膜１３１Ｂａｆ、及び保護膜１３１Ｂｂｆについては、保護膜１３１Ｒａｆ、及び保護膜１３１Ｒｂｆについての記載をそれぞれ参照することができる。

　続いて、保護膜１３１Ｂｆ上に、後に絶縁層１３２となる絶縁膜１３２ｆを形成する（図１２Ａ）。例えば、保護膜１３１Ｂｆ、具体的には保護膜１３１Ｂｂｆと接するように、絶縁膜１３２ｆを形成する。絶縁膜１３２ｆとして、有機材料を含む絶縁膜を適用することが好ましく、有機材料としては樹脂を用いることが好ましい。また、絶縁膜１３２ｆとして、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、又はネガ型の材料を用いることができる。

　絶縁膜１３２ｆとして感光性の樹脂を用いる場合、絶縁膜１３２ｆは、スピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法、又はペイント法等を用いて形成することができる。

　絶縁膜１３２ｆは、図１２Ａに示すように、被形成面の凹凸を反映した、なだらかな凹凸を有する場合がある。また、絶縁膜１３２ｆは、平坦化されている場合がある。

　続いて、絶縁層１３２を形成する（図１２Ｂ１）。ここで、絶縁膜１３２ｆとして感光性の樹脂を用いることにより、レジストマスク、又はハードマスク等のエッチングマスクを設けることなく、絶縁層１３２を形成することができる。また、感光性の樹脂は露光及び現像の工程のみで加工が可能であるため、例えばドライエッチング法を用いることなく絶縁層１３２が形成できる。よって、工程の簡略化が可能となる。また、絶縁膜１３２ｆのエッチングによるＥＬ層１１２のダメージを低減することができる。なお、さらに絶縁層１３２の上部の一部をエッチングし、表面の高さを調整してもよい。

　また、絶縁膜１３２ｆの上面に対し、略均一にエッチングを施すことにより、絶縁層１３２を形成してもよい。このように均一にエッチングして平坦化することをエッチバックともいう。

　絶縁層１３２の形成において、露光及び現像の工程と、エッチバック工程と、を組み合わせて用いてもよい。

　図１２Ｂ２に、図１２Ｂ１において一点鎖線で囲んだ領域の拡大図を示す。図１２Ｂ２に示すように、絶縁層１３２は、凹形状とすることができる。ここで、絶縁層１３２の上端部の高さは、例えば保護膜１３１Ｂｂｆの上面の高さ以下とすることができる。

　図１３Ａ、及び図１３Ｂに、図１２Ｂ２の構成の変形例を示す。図１３Ａ、及び図１３Ｂに示す構成は、例えば絶縁層１３２の形状が図１２Ｂ２に示す構成と異なる。

　図１３Ａに示す絶縁層１３２は、上面を平坦としている。図１３Ａに示す例では、絶縁層１３２の上端部の高さが保護膜１３１Ｂｂｆの上面の高さと等しい例を示している。

　図１３Ｂに示す絶縁層１３２は、保護膜１３１Ｂｆ、犠牲層１４５ｂ、及び犠牲層１４５ａを介してＥＬ層１１２の上面と重なる領域を有する。ここで、図１３Ｂに示す状態からさらに絶縁層１３２を加工することにより、絶縁層１３２を図１２Ｂ２、又は図１３Ａに示す形状とすることができる。

　続いて、保護膜１３１Ｂｆをエッチングすることで、保護層１３１Ｂを形成する（図１４Ａ）。保護層１３１Ｂは、ＥＬ層１１２Ｂの側面と重なる領域を有するように形成される。また、保護層１３１Ｂは、絶縁層１３２の側面と接する領域、及び絶縁層１３２の下面と接する領域を有するように形成される。例えば保護層１３１Ｂの形成については、保護層１３１Ｒの形成の記載を参照することができる。

　続いて、犠牲層１４５Ｒｂ、犠牲層１４５Ｇｂ、及び犠牲層１４５Ｂｂを、例えばエッチングを用いて除去する（図１４Ｂ１）。犠牲層１４５ｂのエッチングには、犠牲層１４５ａとの選択比が高い条件を用いることが好ましい。なお、犠牲層１４５ｂの除去を行わなくてもよい。

　図１４Ｂ２に、図１４Ｂ１において一点鎖線で囲んだ領域の拡大図を示す。図１４Ｂ２では、犠牲層１４５ｂの除去により保護層１３１の一部が除去され、ＥＬ層１１２の側面と接する領域を有する保護層１３１の最上面が犠牲層１４５ａの上面と一致する例を示しているが、本発明の一態様はこれに限られない。例えば、ＥＬ層１１２の側面と接する領域を有する保護層１３１の最上面が、犠牲層１４５ａの上面より高くてもよい。

　続いて、絶縁層１３２の上面と、犠牲層１４５Ｒａ、犠牲層１４５Ｇａ、及び犠牲層１４５Ｂａの上面と、を覆うように、後に保護層１３３となる保護膜１３３ｆを形成する（図１５Ａ）。保護膜１３３ｆは、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ＰＬＤ法、又はＡＬＤ法を用いて形成することができる。

　保護膜１３３ｆとして、無機絶縁材料を用いることができ、例えば窒化物を用いることができる。具体的には、保護膜１３３ｆは、窒化シリコン、窒化アルミニウム、又は窒化ハフニウムのうち少なくとも１つを含むことができる。また、保護膜１３３ｆとして酸化物、又は酸化窒化物を用いることができ、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、及び酸化窒化ハフニウム等の酸化物膜又は酸窒化物膜を用いることができる。

　続いて、保護膜１３３ｆを加工し、保護層１３３を形成する（図１５Ｂ１）。保護膜１３３ｆの加工は、例えばフォトリソグラフィ法を用いて行うことができる。具体的には、まず保護膜１３３ｆ上にレジストマスクを形成する。次に、保護膜１３３ｆの、レジストマスクに覆われない一部をエッチングにより除去する。以上により、保護層１３３を形成することができる。

　図１５Ｂ２に、図１５Ｂ１において一点鎖線で囲んだ領域の拡大図を示す。図１５Ｂ２では、保護層１３３の端部が犠牲層１４５ａの端部と一致しているが、保護層１３３の端部は犠牲層１４５ａの端部と一致しなくてもよい。例えば、保護層１３３が、犠牲層１４５ａと重なる領域を有してもよい。また、保護層１３３の端部が、犠牲層１４５ａの端部と、絶縁層１３２の端部と、の間に位置してもよい。

　続いて、犠牲層１４５Ｒａ、犠牲層１４５Ｇａ、及び犠牲層１４５Ｂａを、例えばエッチングを用いて除去する（図１６Ａ）。犠牲層１４５Ｒａ、犠牲層１４５Ｇａ、及び犠牲層１４５Ｂａは、ＥＬ層１１２にできるだけダメージを与えない方法で除去することが好ましく、例えばウェットエッチング法を用いることが好ましい。なお、犠牲層１４５Ｒａ、犠牲層１４５Ｇａ、及び犠牲層１４５Ｂａの除去に伴い、保護層１３３の上部の一部、及び保護層１３１の上部の一部がエッチングされる場合がある。

　続いて、真空ベーク処理を行い、ＥＬ層１１２Ｒの表面、ＥＬ層１１２Ｇの表面、及びＥＬ層１１２Ｂの表面に吸着している水等を除去する。真空ベークは、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂ等に含まれる有機化合物を変質させない温度範囲で行うことが好ましく、例えば７０℃以上１２０℃以下、より好ましくは８０℃以上１００℃以下で行うことができる。なお、ＥＬ層１１２Ｒの表面、ＥＬ層１１２Ｇの表面、及びＥＬ層１１２Ｂの表面等に吸着している水等が少なく、例えば表示装置１００の信頼性に与える影響が少ない場合は、真空ベーク処理を行わなくてもよい。

　続いて、ＥＬ層１１２上、保護層１３３上、及びトランジスタを含む層１０１上に、共通層１１４を形成する。前述のように、共通層１１４は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、又は電子注入層のうち少なくとも１つを有し、例えば電子注入層、又は正孔注入層を有する。共通層１１４は、例えば蒸着法、スパッタリング法、又はインクジェット法等により形成することができる。なお、接続電極１１１Ｃ上に共通層１１４を設けない構成とする場合には、共通層１１４の形成において、接続電極１１１Ｃ上を遮蔽するメタルマスクを用いればよい。この際に用いるメタルマスクでは表示部の画素領域の遮蔽は行わなくてもよいため、高精細なマスクを用いる必要がない。

　続いて、共通層１１４上に共通電極１１５を形成する。共通電極１１５は、例えばスパッタリング法、又は真空蒸着法等により形成することができる。以上の工程により、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂを作製することができる。

　続いて、共通電極１１５上に、保護層１２１を形成する（図１６Ｂ）。保護層１２１として無機絶縁膜を用いる場合、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、又はＡＬＤ法を用いて保護層１２１を形成することが好ましい。また、保護層１２１として有機絶縁膜を用いる場合、例えばインクジェット法を用いて保護層１２１を形成すると、所望のエリアに均一な膜を形成できるため好ましい。

　以上の工程により、表示装置１００を作製することができる。

　以上のように、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、メタルマスク等のシャドーマスクを用いず、例えばフォトリソグラフィ法とエッチング法を用いてＥＬ層を作り分ける。これにより、ＥＬ層のパターンを微細なパターンとすることができる。よって、本発明の一態様の表示装置の作製方法により、高精細度且つ高開口率の表示装置を作製することができる。また、高解像度な表示装置を作製すること、及び大型な表示装置を作製することができる。さらに、ＥＬ層を作り分けることができるため、極めて鮮やかで、コントラストが高く、表示品位の高い表示装置を作製することができる。

［構成例＿２］
　図２Ａ、図２Ｂ、及び図２Ｄ等に示す構成では、ＥＬ層１１２Ｒの側面が画素電極１１１Ｒの側面より内側に位置し、ＥＬ層１１２Ｇの側面が画素電極１１１Ｇの側面より内側に位置し、ＥＬ層１１２Ｂの側面が画素電極１１１Ｂの側面より内側に位置するが、本発明の一態様の表示装置の構成はこれに限らない。図１７Ａは、図１中の一点鎖線Ａ１−Ａ２に対応する断面図であり、図１７Ｂは、図１中の一点鎖線Ｂ１−Ｂ２に対応する断面図であり、図１７Ｃは、図１中の一点鎖線Ｃ１−Ｃ２に対応する断面図であり、図１７Ｄは、図１７Ａにおいて一点鎖線で囲んだ領域の拡大図である。図１７Ａ、図１７Ｂ、図１７Ｃ、及び図１７Ｄは、図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ１、及び図２Ｄに示す構成の変形例であり、画素電極１１１Ｒの側面とＥＬ層１１２Ｒの側面が一致し、画素電極１１１Ｇの側面とＥＬ層１１２Ｇの側面が一致し、画素電極１１１Ｂの側面とＥＬ層１１２Ｂの側面が一致する点が異なる。

　図１８Ａは、図１中の一点鎖線Ａ１−Ａ２に対応する断面図であり、図１８Ｂは、図１中の一点鎖線Ｂ１−Ｂ２に対応する断面図であり、図１８Ｃは、図１中の一点鎖線Ｃ１−Ｃ２に対応する断面図であり、図１８Ｄは、図１８Ａにおいて一点鎖線で囲んだ領域の拡大図である。図１８Ａ、図１８Ｂ、図１８Ｃ、及び図１８Ｄは、図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ１、及び図２Ｄに示す構成の変形例であり、ＥＬ層１１２Ｒの側面が画素電極１１１Ｒの側面より外側に位置し、ＥＬ層１１２Ｇの側面が画素電極１１１Ｇの側面より外側に位置し、ＥＬ層１１２Ｂの側面が画素電極１１１Ｂの側面より外側に位置する点が異なる。図１８Ａ、及び図１８Ｂ等に示す構成では、ＥＬ層１１２は画素電極１１１の側面を覆うように設けられる。

　図１９Ａは、図１中の一点鎖線Ａ１−Ａ２に対応する断面図であり、図１９Ｂは、図１中の一点鎖線Ｂ１−Ｂ２に対応する断面図であり、図１９Ｃは、図１中の一点鎖線Ｃ１−Ｃ２に対応する断面図であり、図１９Ｄは、図１９Ａにおいて一点鎖線で囲んだ領域の拡大図である。図１９Ａ、図１９Ｂ、図１９Ｃ、及び図１９Ｄは、図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ１、及び図２Ｄに示す構成の変形例であり、保護層１３３が設けられない点が異なる。図１９Ａ乃至図１９Ｄに示す構成では、例えば絶縁層１３２と共通層１１４が接する領域を有する構成とすることができる。

　保護層１３３を省略することにより、保護層１３３の形成工程を行わなくてよいため、表示装置１００の作製工程を簡略化できる。よって、表示装置１００の作製コストを低減できるため、表示装置１００を低価格な表示装置とすることができる。

　図２０Ａは、図１中の一点鎖線Ａ１−Ａ２に対応する断面図である。図２０Ｂは、図１中の一点鎖線Ｂ１−Ｂ２に対応する断面図である。図２０Ｃは、図１中の一点鎖線Ｃ１−Ｃ２に対応する断面図である。図２０Ｄは、図２０Ａにおいて一点鎖線で囲んだ領域の拡大図である。図２０Ａ、図２０Ｂ、図２０Ｃ、及び図２０Ｄは、図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ１、及び図２Ｄに示す構成の変形例であり、保護層１３３がＥＬ層１１２と重なる領域を有する点が異なる。

　図２０Ａ乃至図２０Ｄに示す構成において、ＥＬ層１１２Ｒの上面と保護層１３３の間には犠牲層１４５Ｒａが残存し、ＥＬ層１１２Ｇの上面と保護層１３３の間には犠牲層１４５Ｇａが残存し、ＥＬ層１１２Ｂの上面と保護層１３３の間には犠牲層１４５Ｂａが残存する。なお、表示装置１００の作製工程によっては、犠牲層１４５Ｒａと保護層１３３の間に犠牲層１４５Ｒｂが残存し、犠牲層１４５Ｇａと保護層１３３の間に犠牲層１４５Ｇｂが残存し、犠牲層１４５Ｂａと保護層１３３の間に犠牲層１４５Ｂｂが残存する場合がある。また、犠牲層１４５Ｒａ、犠牲層１４５Ｇａ、及び犠牲層１４５Ｂａが残存せず、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂが保護層１３３と接する領域を有する場合がある。さらに、図２０Ａ乃至図２０Ｄに示す構成において、保護層１３３の端部が犠牲層１４５ａの端部と一致しているが、保護層１３３の端部は犠牲層１４５ａの端部と一致しなくてもよい。例えば、保護層１３３が、ＥＬ層１１２の上面と接する領域を有してもよい。つまり、保護層１３３が犠牲層１４５ａの側面を覆う構成としてもよい。

　本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、又は図面等と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について説明する。

　本実施の形態の表示装置は、高解像度な表示装置又は大型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型若しくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用のモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機等の大型ゲーム機等の比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、スマートフォン、腕時計型端末、タブレット端末、携帯情報端末、及び音響再生装置の表示部に用いることができる。

［表示モジュール＿１］
　図２１に、表示装置１００Ａの斜視図を示し、図２２Ａに、表示装置１００Ａの断面図を示す。

　表示装置１００Ａは、基板４５２と基板４５１とが貼り合わされた構成を有する。図２１では、基板４５２を破線で明示している。

　表示装置１００Ａは、表示部４６２、回路４６４、及び配線４６５等を有する。図２１では表示装置１００ＡにＩＣ４７３及びＦＰＣ４７２が実装されている例を示している。そのため、図２１に示す構成は、表示装置１００Ａ、ＩＣ（集積回路）、及びＦＰＣを有する表示モジュールということもできる。なお、当該表示モジュールが有する表示装置は表示装置１００Ａに限られず、後述する表示装置１００Ｂであってもよい。

　回路４６４としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。

　配線４６５は、表示部４６２及び回路４６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ４７２を介して外部から、又はＩＣ４７３から配線４６５に入力される。

　図２１では、ＣＯＧ方式又はＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により、基板４５１にＩＣ４７３が設けられる例を示す。ＩＣ４７３は、例えば走査線駆動回路又は信号線駆動回路等を有するＩＣを適用できる。なお、表示装置１００Ａを有する表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、例えばＣＯＦ方式により、ＦＰＣに実装してもよい。

［表示装置１００Ａ］
　図２２Ａに、表示装置１００Ａの、ＦＰＣ４７２を含む領域の一部、回路４６４の一部、表示部４６２の一部、及び端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。

　図２２Ａに示す表示装置１００Ａは、基板４５１と基板４５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、赤色の光を発する発光素子１１０Ｒ、緑色の光を発する発光素子１１０Ｇ、及び青色の光を発する発光素子１１０Ｂ等を有する。ここで、表示装置１００Ａにおいて、基板４５１から絶縁層２１４までの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。

　発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂには、実施の形態１で例示した発光素子を適用することができる。

　ここで、表示装置の画素が、互いに異なる色を発する発光素子を有する副画素を３種類有する場合、当該３つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の副画素、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３色の副画素等が挙げられる。当該副画素を４つ有する場合、当該４つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、及びＲ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素等が挙げられる。

　保護層１２１と基板４５２は接着層４４２を介して接着されている。発光素子の封止には、固体封止構造又は中空封止構造等が適用できる。図２２Ａでは、基板４５２、接着層４４２、及び保護層１２１に囲まれた空間４４３が、不活性ガス（窒素又はアルゴン等）で充填されており、中空封止構造が適用されている。接着層４４２は、発光素子と重ねて設けられていてもよい。また、基板４５２、接着層４４２、及び保護層１２１に囲まれた空間４４３を、接着層４４２とは異なる樹脂で充填してもよい。なお、保護層１２１には、実施の形態１で例示した構成を適用することができる。

　トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂの上面が露出するように絶縁層２１４、絶縁層２１５、及び絶縁層２１３に設けられる開口部において、該開口部の底面及び側面に沿うように導電層４１８Ｒ、導電層４１８Ｇ、及び導電層４１８Ｂの一部が形成される。導電層４１８Ｒ、導電層４１８Ｇ、及び導電層４１８Ｂは、それぞれ、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続される。また、導電層４１８Ｒ、導電層４１８Ｇ、及び導電層４１８Ｂの別の一部は、絶縁層２１４上に設けられる。

　導電層４１８Ｒ、導電層４１８Ｇ、及び導電層４１８Ｂ上には、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂが設けられる。

　また図２２Ａに示すように、導電層４１８Ｒと画素電極１１１Ｒの間の一部、導電層４１８Ｇと画素電極１１１Ｇの間の一部、及び導電層４１８Ｂと画素電極１１１Ｂの間の一部には、絶縁層４１４が設けられてもよい。具体的には、絶縁層２１４、絶縁層２１５、及び絶縁層２１３に設けられる、導電層２２２ｂに達する開口部に絶縁層４１４を設けることができる。

　画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂには、実施の形態１で例示した画素電極を適用することができる。

　発光素子１１０Ｒと発光素子１１０Ｇの間であり、絶縁層２１４上の領域、及び発光素子１１０Ｇと発光素子１１０Ｂの間であり、絶縁層２１４上の領域にはそれぞれ、保護層１３１、絶縁層１３２、及び保護層１３３が設けられる。保護層１３１、絶縁層１３２、及び保護層１３３には、実施の形態１で例示した構成を適用することができる。

　表示装置１００Ａは、トップエミッション型の表示装置である。よって、発光素子１１０が発する光は、基板４５２側に射出される。基板４５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、いずれも基板４５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製することができる。

　基板４５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられる。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。

　トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素等の不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、表示装置の信頼性を高めることができる。

　絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、及び窒化アルミニウム膜等を用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

　ここで、有機絶縁膜は、無機絶縁膜に比べてバリア性が低いことが多い。そのため、有機絶縁膜は、表示装置１００Ａの端部近傍に開口を有することが好ましい。これにより、表示装置１００Ａの端部から有機絶縁膜を介して不純物が入り込むことを抑制できる。又は、有機絶縁膜の端部が表示装置１００Ａの端部よりも内側にくるように有機絶縁膜を形成し、表示装置１００Ａの端部に有機絶縁膜が露出しないようにしてもよい。

　平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁膜を用いることが好ましい。有機絶縁膜に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。

　図２２Ａに示す領域２２８では、絶縁層２１４、絶縁層２１４上の保護層１３１、保護層１３１上の絶縁層１３２、及び絶縁層１３２上の保護層１３３に、開口が形成されている。開口を覆うように保護層１２１が形成される。保護層１２１として無機層を用いることにより、絶縁層２１４に有機絶縁膜を用いる場合であっても、絶縁層２１４を介して外部から表示部４６２に不純物が入り込むことを抑制できる。したがって、表示装置１００Ａの信頼性を高めることができる。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソース及びドレインの一方として機能する導電層２２２ａ、ソース及びドレインの他方として機能する導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。絶縁層２１１は、導電層２２１と半導体層２３１との間に位置する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３１との間に位置する。

　本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、又は逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。又は、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。又は、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。

　トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、及び結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

　トランジスタの半導体層は、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタともいう）を用いることが好ましい。又は、トランジスタの半導体層は、シリコンを有していてもよい。シリコンとしては、アモルファスシリコン、及び結晶性のシリコン（低温ポリシリコン、及び単結晶シリコン等）等が挙げられる。

　半導体層は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種又は複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種又は複数種であることが好ましい。

　特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。又は、半導体層としては、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＺＯとも記す）を用いてもよい。又は、半導体層としては、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＧＺＯ）を用いてもよい。

　半導体層がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５又はその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。

　例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３又はその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を４としたとき、Ｇａの原子数比が１以上３以下であり、Ｚｎの原子数比が２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６又はその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を５としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１又はその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を１としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が０．１より大きく２以下である場合を含む。

　回路４６４が有するトランジスタと、表示部４６２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路４６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、表示部４６２が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。

　基板４５１の、基板４５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられる。接続部２０４では、配線４６５が導電層４６８、導電層４６１、及び接続層２４２を介してＦＰＣ４７２と電気的に接続される。導電層４６８として、導電層４１８と同一の導電膜を加工して得られた導電層を用いることができる。導電層４６１として、画素電極１１１と同一の導電膜を加工して得られた導電層、又は画素電極１１１と同一の導電膜と光学調整層と同一の導電膜の積層膜を加工して得られた導電層を用いることができる。接続部２０４の上面では、導電層４６１が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ４７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。なお、導電層４６８と導電層４６１の間の一部には、絶縁層４１４が設けられてもよい。具体的には、絶縁層２１４、絶縁層２１５、及び絶縁層２１３に設けられた開口部に、絶縁層４１４を設けることができる。

　基板４５２の基板４５１側の面には、遮光層４１７を設けることが好ましい。また、基板４５２の外側には各種光学部材を配置することができる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光拡散層（例えば拡散フィルム）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げられる。また、基板４５２の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、又は衝撃吸収層等を配置してもよい。

　発光素子１１０を覆う保護層１２１を設けることで、発光素子１１０に水等の不純物が入り込むことを抑制し、発光素子１１０の信頼性を高めることができる。

　表示装置１００Ａの端部近傍の領域２２８において、絶縁層２１４の開口を介して、絶縁層２１５と保護層１２１とが互いに接することが好ましい。特に、絶縁層２１５が有する無機絶縁膜と保護層１２１が有する無機絶縁膜とが互いに接することが好ましい。これにより、有機絶縁膜を介して外部から表示部４６２に不純物が入り込むことを抑制できる。したがって、表示装置１００Ａの信頼性を高めることができる。

　基板４５１及び基板４５２には、それぞれ、ガラス、石英、セラミック、サファイア、樹脂、金属、合金、又は半導体等を用いることができる。発光素子１１０からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。基板４５１及び基板４５２に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高めることができる。また、基板４５１又は基板４５２として偏光板を用いてもよい。

　基板４５１及び基板４５２としては、それぞれ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）若しくはポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、又はＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板４５１及び基板４５２の一方又は双方に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。

　なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい）ともいえる。

　光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。

　光学等方性が高いフィルムとしては、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）フィルム、及びアクリルフィルム等が挙げられる。

　また、基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水することで、表示パネルにしわが発生する等の形状変化が生じる恐れがある。そのため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルムを用いることがさらに好ましい。

　接着層４４２としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、又は嫌気型接着剤等の各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、及びＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、例えば接着シートを用いてもよい。

　接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、又は異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）等を用いることができる。

　トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、表示装置を構成する各種配線及び電極等の導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、及びタングステン等の金属、並びに、当該金属を主成分とする合金等が挙げられる。これらの材料を含む膜を単層で、又は積層構造として用いることができる。

　また、透光性を有する導電材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、若しくはガリウムを含む酸化亜鉛等の導電性酸化物、又はグラフェンを用いることができる。又は、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、及びチタン等の金属材料、又は、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。又は、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等を用いてもよい。なお、金属材料、又は、合金材料（又はそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすることが好ましい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜を用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線及び電極等の導電層、及び発光素子が有する導電層（画素電極又は共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。

　各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂又はエポキシ樹脂等の樹脂、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、又は酸化アルミニウム等の無機絶縁材料が挙げられる。

　図２２Ｂは、トランジスタ２０９の構成例を示す断面図であり、図２２Ｃは、トランジスタ２１０の構成例を示す断面図である。トランジスタ２０９、及びトランジスタ２１０は、例えば図２２Ａに示すトランジスタ２０１、及びトランジスタ２０５に適用することができる。

　トランジスタ２０９及びトランジスタ２１０は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５、ゲートとして機能する導電層２２３、並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１１は、導電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２２５は、導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。また、トランジスタ２０９、又はトランジスタ２１０を覆うように絶縁層２１８を設けてもよい。

　導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２１５及び絶縁層２２５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。

　図２２Ｂでは、絶縁層２２５が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。

　一方、図２２Ｃに示すトランジスタ２１０では、絶縁層２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁層２２５を加工することにより、図２２Ｃに示す構造を作製できる。図２２Ｃでは、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続される。

　また、発光素子を駆動する画素回路に含まれるトランジスタの全てに、チャネルが形成される半導体層にシリコンを有するトランジスタ（以下、Ｓｉトランジスタともいう）を用いてもよい。シリコンとしては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、及び非晶質シリコン等が挙げられる。特に、Ｓｉトランジスタとして、半導体層に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙ　Ｓｉｌｉｃｏｎ））を有するトランジスタ（以下、ＬＴＰＳトランジスタともいう）を好適に用いることができる。ＬＴＰＳトランジスタは、電界効果移動度が高く、周波数特性が良好である。

　ＬＴＰＳトランジスタ等のシリコンを用いたトランジスタを用いることで、高周波数で駆動する必要のある回路（例えばソースドライバ回路）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、表示装置に実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト、及び実装コストを削減することができる。

　また、画素回路に含まれるトランジスタの少なくとも一に、チャネルが形成される半導体に金属酸化物を有するトランジスタを用いることが好ましい。ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース−ドレイン間のリーク電流（以下、オフ電流ともいう）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、表示装置の消費電力を低減することができる。

　また、室温下における、チャネル幅１μｍあたりのＯＳトランジスタのオフ電流値は、１ａＡ（１×１０^−１８Ａ）以下、１ｚＡ（１×１０^−２１Ａ）以下、又は１ｙＡ（１×１０^−２４Ａ）以下とすることができる。なお、室温下における、チャネル幅１μｍあたりのＳｉトランジスタのオフ電流値は、１ｆＡ（１×１０^−１５Ａ）以上１ｐＡ（１×１０^−１２Ａ）以下である。したがって、ＯＳトランジスタのオフ電流は、Ｓｉトランジスタのオフ電流よりも１０桁程度低いともいえる。

　画素回路に含まれるトランジスタの一部に、ＬＴＰＳトランジスタを用い、他の一部にＯＳトランジスタを用いることで、消費電力が低く、駆動能力の高い表示装置を実現することができる。また、ＬＴＰＳトランジスタと、ＯＳトランジスタとを、組み合わせる構成をＬＴＰＯという場合がある。なお、より好適な例としては、配線間の導通、非導通を制御するためのスイッチとして機能するトランジスタにＯＳトランジスタを適用し、電流を制御するトランジスタにＬＴＰＳトランジスタを適用する構成が挙げられる。

　例えば、画素回路に設けられるトランジスタの一は、発光素子に流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能し、駆動トランジスタということができる。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は、発光素子の画素電極と電気的に接続される。当該駆動トランジスタには、ＬＴＰＳトランジスタを用いることが好ましい。これにより、画素回路において発光素子に流れる電流を大きくできる。

　一方、画素回路に設けられるトランジスタの他の一は、画素の選択、非選択を制御するためのスイッチとして機能し、選択トランジスタということができる。選択トランジスタのゲートはゲート線と電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は、ソース線（信号線）と電気的に接続される。選択トランジスタには、ＯＳトランジスタを適用することが好ましい。これにより、フレーム周波数を著しく小さく（例えば１ｆｐｓ以下）しても、画素の階調を維持することができるため、静止画を表示する際にドライバを停止することで、消費電力を低減することができる。

　このように本発明の一態様は、高い開口率と、高い精細度と、高い表示品位と、低い消費電力と、を兼ね備えた表示装置を実現することができる。

　なお、本発明の一態様の表示装置は、ＯＳトランジスタを有し、且つＭＭＬ（メタルマスクレス）構造の発光素子を有する構成である。当該構成とすることで、トランジスタに流れうるリーク電流、及び隣接する発光素子間に流れうるリーク電流（横リーク電流、又はサイドリーク電流等ともいう）を、極めて低くすることができる。また、上記構成とすることで、表示装置に画像を表示した場合に、観察者が画像のきれ、画像のするどさ、及び高いコントラスト比のいずれか一又は複数を観測できる。なお、トランジスタに流れうるリーク電流、及び発光素子間の横リーク電流が極めて低い構成とすることで、例えば黒表示時に生じうる光漏れが限りなく少ない表示（真黒表示ともいう）とすることができる。

［表示装置１００Ｂ］
　図２３は、表示装置１００Ｂの構成例を示す断面図である。表示装置１００Ｂは、ボトムエミッション型の表示装置である点が、表示装置１００Ａと主に相違する。なお、表示装置１００Ａと同様の部分については説明を省略する。

　表示装置１００Ｂにおいて、発光素子１１０が発する光は、基板４５１側に射出される。基板４５１には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。一方、基板４５２に用いる材料の透光性は問わない。

　基板４５１とトランジスタ２０１との間、及び基板４５１とトランジスタ２０５との間には、遮光層４１７を設けることが好ましい。図２３では、基板４５１上に遮光層４１７が設けられ、遮光層４１７を覆うように絶縁層２５３が設けられ、絶縁層２５３上にトランジスタ２０１、及びトランジスタ２０５等が設けられる例を示す。絶縁層２５３として、絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５に用いることができる材料と同様の材料を用いることができる。

　本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、又は図面等と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
　本実施の形態では、上記実施の形態とは異なる表示装置の構成例について説明する。

　本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、腕時計型、及びブレスレット型等の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイ等のＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器等、及び頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。

［表示モジュール＿２］
　図２４Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置１００Ｃと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示装置は表示装置１００Ｃに限られず、後述する表示装置１００Ｄ、表示装置１００Ｅ、又は表示装置１００Ｆであってもよい。

　表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。

　図２４Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられる。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続される。

　画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素１０３を有する。図２４Ｂの右側に、１つの画素１０３の拡大図を示している。画素１０３は、発光色が互いに異なる発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂを有する。複数の発光素子１１０は、図２４Ｂに示すようにストライプ配列で配置することが好ましい。ストライプ配列を用いることにより、本発明の一態様の発光素子を高密度に配列することができるため、高精細な表示装置を提供できる。また、デルタ配列、又はペンタイル配列等、様々な配列方法を適用することができる。

　画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。

　１つの画素回路２８３ａは、１つの画素１０３が有する３つの発光素子１１０の発光を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａは、１つの発光素子１１０の発光を制御する回路が３つ設けられる構成としてもよい。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光素子１１０につき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソース又はドレインの一方にはビデオ信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示装置が実現されている。

　回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、走査線駆動回路、及び信号線駆動回路の一方又は双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等のうち少なくとも一つを有していてもよい。

　ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号又は電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。

　表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方又は双方が積層された構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素１０３を極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、又は３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素１０３が配置されることが好ましい。

　このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ヘッドマウントディスプレイ等のＶＲ向け機器、又はメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計等の装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。

［表示装置１００Ｃ］
　図２５に示す表示装置１００Ｃは、基板３０１、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、発光素子１１０Ｂ、容量２４０、及びトランジスタ３１０を有する。

　トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板等の半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソース又はドレインとして機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられる。

　また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられる。

　また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられる。

　容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は容量２４０の誘電体として機能する。

　導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソース又はドレインの一方と電気的に接続される。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられる。

　容量２４０を覆って、絶縁層２５５が設けられ、絶縁層２５５上に発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂ等が設けられる。発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂ上には保護層１２１が設けられており、保護層１２１の上面には、樹脂層４１９によって基板４２０が貼り合わされている。

　基板３０１は、図２４Ａ及び図２４Ｂにおける基板２９１に相当し、基板４２０は、図２４Ａにおける基板２９２に相当する。また、基板３０１から絶縁層２５５までの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。

　発光素子１１０の画素電極１１１は、絶縁層２５５及び絶縁層２４３に埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソース又はドレインの一方と電気的に接続される。

［表示装置１００Ｄ］
　図２６に示す表示装置１００Ｄは、トランジスタの構成が異なる点で、表示装置１００Ｃと主に相違する。なお、表示装置１００Ｃと同様の部分については説明を省略することがある。

　トランジスタ３２０は、チャネルが形成される半導体層に、金属酸化物が適用されたトランジスタである。

　トランジスタ３２０は、半導体層３２１、絶縁層３２３、導電層３２４、一対の導電層３２５、絶縁層３２６、及び導電層３２７を有する。

　基板３３１は、図２４Ａ及び図２４Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３３１としては、絶縁性基板又は半導体基板を用いることができる。

　基板３３１上に、絶縁層３３２が設けられる。絶縁層３３２は、基板３３１から水又は水素等の不純物がトランジスタ３２０に拡散すること、及び半導体層３２１から絶縁層３３２側に酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３３２としては、例えば酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、又は窒化シリコン膜等の、酸化シリコン膜よりも水素又は酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。

　絶縁層３３２上に導電層３２７が設けられ、導電層３２７を覆って絶縁層３２６が設けられる。導電層３２７は、トランジスタ３２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層３２６の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層３２６の少なくとも半導体層３２１と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層３２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。

　半導体層３２１は、絶縁層３２６上に設けられる。半導体層３２１は、半導体特性を有する金属酸化物膜を有することが好ましい。

　一対の導電層３２５は、半導体層３２１上に接して設けられ、ソース電極及びドレイン電極として機能する。

　また、一対の導電層３２５の上面及び側面、並びに半導体層３２１の側面等を覆って絶縁層３２８が設けられ、絶縁層３２８上に絶縁層２６４が設けられる。絶縁層３２８は、半導体層３２１に絶縁層２６４等から水又は水素等の不純物が拡散すること、及び半導体層３２１から酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２８としては、上記絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　絶縁層３２８及び絶縁層２６４に、半導体層３２１に達する開口が設けられる。当該開口の内部において、絶縁層２６４、絶縁層３２８、及び導電層３２５の側面、並びに半導体層３２１の上面に接する絶縁層３２３と、導電層３２４とが埋め込まれている。導電層３２４は、第２のゲート電極として機能し、絶縁層３２３は第２のゲート絶縁層として機能する。

　導電層３２４の上面、絶縁層３２３の上面、及び絶縁層２６４の上面は、それぞれ高さが概略一致するように平坦化処理され、これらを覆って絶縁層３２９及び絶縁層２６５が設けられる。

　絶縁層２６４及び絶縁層２６５は、層間絶縁層として機能する。絶縁層３２９は、トランジスタ３２０に絶縁層２６５等から水又は水素等の不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２９としては、上記絶縁層３２８及び絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　一対の導電層３２５の一方と電気的に接続するプラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８に埋め込まれるように設けられる。ここで、プラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８のそれぞれの開口の側面、及び導電層３２５の上面の一部を覆う導電層２７４ａと、導電層２７４ａの上面に接する導電層２７４ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層２７４ａとして、水素及び酸素が拡散しにくい導電材料を用いることが好ましい。

　表示装置１００Ｄにおける、絶縁層２５４から基板４２０までの構成は、表示装置１００Ｃと同様である。表示装置１００Ｄにおいて、基板３３１から絶縁層２５５までの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。

［表示装置１００Ｅ］
　図２７に示す表示装置１００Ｅは、それぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トランジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。

　表示装置１００Ｅは、トランジスタ３１０Ｂ、容量２４０、及び各発光素子１１０が設けられた基板３０１Ｂと、トランジスタ３１０Ａが設けられた基板３０１Ａとが、貼り合された構成を有する。

　表示装置１００Ｅにおいて、基板３０１Ａは、図２４Ａ及び図２４Ｂにおける基板２９１に相当し、基板４２０は、図２４Ａにおける基板２９２に相当する。また、基板３０１Ａから絶縁層２５５までの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。

　表示装置１００Ｅには、基板３０１Ｂを貫通するプラグ３４３が設けられる。また、プラグ３４３は、基板３０１Ｂの裏面（基板３０１Ａ側の表面）に設けられる導電層３４２と電気的に接続される。一方、基板３０１Ａには、絶縁層２６１上に導電層３４１が設けられる。

　導電層３４１と、導電層３４２とが接合されることで、基板３０１Ａと基板３０１Ｂとが電気的に接続される。

　導電層３４１及び導電層３４２としては、同じ導電性材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、及びＷから選ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、又は窒化タングステン膜）等を用いることができる。特に、導電層３４１及び導電層３４２に、銅を用いることが好ましい。これにより、Ｃｕ−Ｃｕ（カッパー・カッパー）直接接合技術（Ｃｕ（銅）のパッド同士を接続することで電気的導通を図る技術）を適用することができる。なお、導電層３４１と導電層３４２とは、バンプを介して接合されてもよい。

［表示装置１００Ｆ］
　図２８に示す表示装置１００Ｆは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０とが積層された構成を有する。

　表示装置１００Ｆにおいて、基板３０１は、図２４Ａ及び図２４Ｂにおける基板２９１に相当し、基板４２０は、図２４Ａにおける基板２９２に相当する。また、基板３０１から絶縁層２５５までの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。

　トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に導電層２５１が設けられる。また導電層２５１を覆って絶縁層２６２が設けられ、絶縁層２６２上に導電層２５２が設けられる。導電層２５１及び導電層２５２は、それぞれ配線として機能する。また、導電層２５２を覆って絶縁層２６３及び絶縁層３３２が設けられ、絶縁層３３２上にトランジスタ３２０が設けられる。また、トランジスタ３２０を覆って絶縁層２６５が設けられ、絶縁層２６５上に容量２４０が設けられる。容量２４０とトランジスタ３２０とは、プラグ２７４により電気的に接続される。

　トランジスタ３２０は、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、又は当該画素回路を駆動するための駆動回路（走査線駆動回路、又は信号線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０及びトランジスタ３２０は、演算回路又は記憶回路等の各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。

　このような構成とすることで、発光素子の直下に画素回路だけでなく例えば駆動回路を形成することができるため、表示領域の周辺に駆動回路を設ける場合に比べて、表示装置を小型化することが可能となる。

　本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、又は図面等と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
　本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置に用いることができる発光素子について説明する。

＜発光素子の構成例＞
　図２９Ａに示すように、発光素子は、一対の電極（下部電極７７２、上部電極７８８）の間に、ＥＬ層７８６を有する。ＥＬ層７８６は、層４４２０、発光層４４１１、及び層４４３０等の複数の層で構成することができる。層４４２０は、例えば電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）及び電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）等を有することができる。発光層４４１１は、例えば発光性の化合物を有する。層４４３０は、例えば正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）及び正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）を有することができる。

　一対の電極間に設けられた層４４２０、発光層４４１１、及び層４４３０を有する構成は単一の発光ユニットとして機能することができ、本明細書等では図２９Ａの構成をシングル構造という。

　また、図２９Ｂは、図２９Ａに示す発光素子が有するＥＬ層７８６の変形例である。具体的には、図２９Ｂに示す発光素子は、下部電極７７２上の層４４３０−１と、層４４３０−１上の層４４３０−２と、層４４３０−２上の発光層４４１１と、発光層４４１１上の層４４２０−１と、層４４２０−１上の層４４２０−２と、層４４２０−２上の上部電極７８８と、を有する。例えば、下部電極７７２を陽極とし、上部電極７８８を陰極とした場合、層４４３０−１が正孔注入層として機能し、層４４３０−２が正孔輸送層として機能し、層４４２０−１が電子輸送層として機能し、層４４２０−２が電子注入層として機能する。又は、下部電極７７２を陰極とし、上部電極７８８を陽極とした場合、層４４３０−１が電子注入層として機能し、層４４３０−２が電子輸送層として機能し、層４４２０−１が正孔輸送層として機能し、層４４２０−２が正孔注入層として機能する。このような層構造とすることで、発光層４４１１に効率よくキャリアを注入し、発光層４４１１内におけるキャリアの再結合の効率を高めることが可能となる。

　なお、図２９Ｃ、及び図２９Ｄに示すように層４４２０と層４４３０との間に複数の発光層（発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３）が設けられる構成もシングル構造のバリエーションである。

　また、図２９Ｅ、及び図２９Ｆに示すように、複数の発光ユニット（ＥＬ層７８６ａ、ＥＬ層７８６ｂ）が中間層（電荷発生層）４４４０を介して直列に接続された構成を本明細書等ではタンデム構造という。なお、本明細書等においては、図２９Ｅ、及び図２９Ｆに示すような構成をタンデム構造いうが、これに限定されず、例えば、タンデム構造をスタック構造といってもよい。なお、タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光素子とすることができる。

　図２９Ｃ、及び図２９Ｄにおいて、発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３に、同じ色の光を発する発光物質、さらには同じ発光物質を用いてもよい。例えば、発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３に、青色の光を発する発光物質を用いてもよい。図２９Ｄに示す層７８５として、色変換層を設けてもよい。

　また、発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３に、それぞれ異なる色の光を発する発光物質を用いてもよい。発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３がそれぞれ発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図２９Ｄに示す層７８５として、カラーフィルタ（着色層ともいう）を設けてもよい。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。

　また、図２９Ｅ、及び図２９Ｆにおいて、発光層４４１１と、発光層４４１２とに、同じ色の光を発する発光物質、さらには同じ発光物質を用いてもよい。又は、発光層４４１１と、発光層４４１２とに、異なる色の光を発する発光物質を用いてもよい。発光層４４１１が発する光と、発光層４４１２が発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図２９Ｆには、さらに層７８５を設ける例を示している。層７８５としては、色変換層及びカラーフィルタ（着色層）の一方又は双方を用いることができる。

　なお、図２９Ｃ、図２９Ｄ、図２９Ｅ、及び図２９Ｆにおいても、図２９Ｂに示すように、層４４２０と、層４４３０とは、２層以上の層からなる積層構造としてもよい。

　発光素子ごとに、発光色（例えば青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び赤（Ｒ））を作り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造という場合がある。

　発光素子の発光色は、ＥＬ層７８６を構成する材料によって、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、黄又は白等とすることができる。また、発光素子にマイクロキャビティ構造を付与することにより色純度をさらに高めることができる。

　白色の光を発する発光素子は、発光層に２種類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるような発光物質を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることができる。また、発光層を３つ以上有する発光素子の場合も同様である。

　発光層には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、又はＯ（橙）等の発光を示す発光物質を２種類以上含むことが好ましい。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
　本実施の形態では、上記の実施の形態で説明したＯＳトランジスタに用いることができる金属酸化物について説明する。

　金属酸化物は、少なくともインジウム又は亜鉛を含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、又はスズ等が含まれていることが好ましい。また、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウム、コバルト等から選ばれた一種、又は複数種が含まれていてもよい。

　また、金属酸化物は、スパッタリング法、ＭＯＣＶＤ法等のＣＶＤ法、又はＡＬＤ法等により形成することができる。

＜結晶構造の分類＞
　酸化物半導体の結晶構造としては、アモルファス（ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓを含む）、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）、ＣＡＣ（ｃｌｏｕｄ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、単結晶（ｓｉｎｇｌｅ　ｃｒｙｓｔａｌ）、及び多結晶（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌ）等が挙げられる。

　なお、膜又は基板の結晶構造は、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）スペクトルを用いて評価することができる。例えば、ＧＩＸＤ（Ｇｒａｚｉｎｇ−Ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ　ＸＲＤ）測定で得られるＸＲＤスペクトルを用いて評価することができる。なお、ＧＩＸＤ法は、薄膜法又はＳｅｅｍａｎｎ−Ｂｏｈｌｉｎ法ともいう。

　例えば、石英ガラス基板では、ＸＲＤスペクトルのピークの形状がほぼ左右対称である。一方で、結晶構造を有するＩＧＺＯ膜では、ＸＲＤスペクトルのピークの形状が左右非対称である。ＸＲＤスペクトルのピークの形状が左右非対称であることは、膜中又は基板中の結晶の存在を明示している。別言すると、ＸＲＤスペクトルのピークの形状で左右対称でないと、膜又は基板は非晶質状態であるとは言えない。

　また、膜又は基板の結晶構造は、極微電子線回折法（ＮＢＥＤ：Ｎａｎｏ　Ｂｅａｍ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）によって観察される回折パターン（極微電子線回折パターンともいう）にて評価することができる。例えば、石英ガラス基板の回折パターンでは、ハローが観察され、石英ガラスは、非晶質状態であることが確認できる。また、室温成膜したＩＧＺＯ膜の回折パターンでは、ハローではなく、スポット状のパターンが観察される。そのため、室温成膜したＩＧＺＯ膜は、結晶状態でもなく、非晶質状態でもない、中間状態であり、非晶質状態であると結論することはできないと推定される。

＜＜酸化物半導体の構造＞＞
　なお、酸化物半導体は、構造に着目した場合、上記とは異なる分類となる場合がある。例えば、酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、上述のＣＡＡＣ−ＯＳ、及びｎｃ−ＯＳがある。また、非単結晶酸化物半導体には、多結晶酸化物半導体、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、及び非晶質酸化物半導体等が含まれる。

　ここで、上述のＣＡＡＣ−ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、及びａ−ｌｉｋｅ　ＯＳの詳細について、説明を行う。

［ＣＡＡＣ−ＯＳ］
　ＣＡＡＣ−ＯＳは、複数の結晶領域を有し、当該複数の結晶領域はｃ軸が特定の方向に配向している酸化物半導体である。なお、特定の方向とは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の厚さ方向、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面の法線方向、又はＣＡＡＣ−ＯＳ膜の表面の法線方向である。また、結晶領域とは、原子配列に周期性を有する領域である。なお、原子配列を格子配列とみなすと、結晶領域とは、格子配列の揃った領域でもある。さらに、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ａ−ｂ面方向において複数の結晶領域が連結する領域を有し、当該領域は歪みを有する場合がある。なお、歪みとは、複数の結晶領域が連結する領域において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列の向きが変化している箇所を指す。つまり、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向し、ａ−ｂ面方向には明らかな配向をしていない酸化物半導体である。

　なお、上記複数の結晶領域のそれぞれは、１つ又は複数の微小な結晶（最大径が１０ｎｍ未満である結晶）で構成される。結晶領域が１つの微小な結晶で構成されている場合、当該結晶領域の最大径は１０ｎｍ未満となる。また、結晶領域が多数の微小な結晶で構成されている場合、当該結晶領域の大きさは、数十ｎｍ程度となる場合がある。

　また、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、チタン等から選ばれた一種、又は複数種）において、ＣＡＡＣ−ＯＳは、インジウム（Ｉｎ）、及び酸素を有する層（以下、Ｉｎ層）と、元素Ｍ、亜鉛（Ｚｎ）、及び酸素を有する層（以下、（Ｍ，Ｚｎ）層）とが積層した、層状の結晶構造（層状構造ともいう）を有する傾向がある。なお、インジウムと元素Ｍは、互いに置換可能である。よって、（Ｍ，Ｚｎ）層にはインジウムが含まれる場合がある。また、Ｉｎ層には元素Ｍが含まれる場合がある。なお、Ｉｎ層にはＺｎが含まれる場合もある。当該層状構造は、例えば、高分解能ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）像において、格子像として観察される。

　ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、例えば、ＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、θ／２θスキャンを用いたＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ　ＸＲＤ測定では、ｃ軸配向を示すピークが２θ＝３１°又はその近傍に検出される。なお、ｃ軸配向を示すピークの位置（２θの値）は、ＣＡＡＣ−ＯＳを構成する金属元素の種類、及び組成等により変動する場合がある。

　また、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の電子線回折パターンにおいて、複数の輝点（スポット）が観測される。なお、あるスポットと別のスポットとは、試料を透過した入射電子線のスポット（ダイレクトスポットともいう）を対称中心として、点対称の位置に観測される。

　上記特定の方向から結晶領域を観察した場合、当該結晶領域内の格子配列は、六方格子を基本とするが、単位格子は正六角形とは限らず、非正六角形である場合がある。また、上記歪みにおいて、五角形、又は七角形等の格子配列を有する場合がある。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳにおいて、歪み近傍においても、明確な結晶粒界（グレインバウンダリー）を確認することはできない。即ち、格子配列の歪みによって、結晶粒界の形成が抑制されていることがわかる。これは、ＣＡＡＣ−ＯＳが、ａ−ｂ面方向において酸素原子の配列が稠密でないこと、及び金属原子が置換することで原子間の結合距離が変化すること等によって、歪みを許容することができるためと考えられる。

　なお、明確な結晶粒界が確認される結晶構造は、いわゆる多結晶（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌ）といわれる。結晶粒界は、再結合中心となり、キャリアが捕獲されトランジスタのオン電流の低下、及び電界効果移動度の低下等を引き起こす可能性が高い。よって、明確な結晶粒界が確認されないＣＡＡＣ−ＯＳは、トランジスタの半導体層に好適な結晶構造を有する結晶性の酸化物の一つである。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳを構成するには、Ｚｎを有する構成が好ましい。例えば、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、及びＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物は、Ｉｎ酸化物よりも結晶粒界の発生を抑制できるため好適である。

　ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶性が高く、明確な結晶粒界が確認されない酸化物半導体である。よって、ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。また、酸化物半導体の結晶性は不純物の混入、及び欠陥の生成等によって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ−ＯＳは不純物及び欠陥（酸素欠損等）の少ない酸化物半導体ともいえる。したがって、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は熱に強く、信頼性が高い。また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、製造工程における高い温度（所謂サーマルバジェット）に対しても安定である。したがって、ＯＳトランジスタにＣＡＡＣ−ＯＳを用いると、製造工程の自由度を広げることが可能となる。

［ｎｃ−ＯＳ］
　ｎｃ−ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。別言すると、ｎｃ−ＯＳは、微小な結晶を有する。なお、当該微小な結晶の大きさは、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下であることから、当該微小な結晶をナノ結晶ともいう。また、ｎｃ−ＯＳは、異なるナノ結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。したがって、ｎｃ−ＯＳは、分析方法によっては、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ又は非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合がある。例えば、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、θ／２θスキャンを用いたＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ　ＸＲＤ測定では、結晶性を示すピークが検出されない。また、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ナノ結晶よりも大きいプローブ径（例えば５０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子線回折（制限視野電子線回折ともいう。）を行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ナノ結晶の大きさと近いかナノ結晶より小さいプローブ径（例えば１ｎｍ以上３０ｎｍ以下）の電子線を用いる電子線回折（ナノビーム電子線回折ともいう。）を行うと、ダイレクトスポットを中心とするリング状の領域内に複数のスポットが観測される電子線回折パターンが取得される場合がある。

［ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ］
　ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、鬆又は低密度領域を有する。即ち、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳ及びＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、結晶性が低い。また、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳ及びＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、膜中の水素濃度が高い。

＜＜酸化物半導体の構成＞＞
　次に、上述のＣＡＣ−ＯＳの詳細について、説明を行う。なお、ＣＡＣ−ＯＳは材料構成に関する。

［ＣＡＣ−ＯＳ］
　ＣＡＣ−ＯＳとは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下、又はその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つ又は複数の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下、又はその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、又はパッチ状ともいう。

　さらに、ＣＡＣ−ＯＳとは、第１の領域と、第２の領域と、に材料が分離することでモザイク状となり、当該第１の領域が、膜中に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、当該第１の領域と、当該第２の領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物である。

　ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳを構成する金属元素に対するＩｎ、Ｇａ、及びＺｎの原子数比のそれぞれを、［Ｉｎ］、［Ｇａ］、及び［Ｚｎ］と表記する。例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳにおいて、第１の領域は、［Ｉｎ］が、ＣＡＣ−ＯＳ膜の組成における［Ｉｎ］よりも大きい領域である。また、第２の領域は、［Ｇａ］が、ＣＡＣ−ＯＳ膜の組成における［Ｇａ］よりも大きい領域である。又は、例えば、第１の領域は、［Ｉｎ］が、第２の領域における［Ｉｎ］よりも大きく、且つ、［Ｇａ］が、第２の領域における［Ｇａ］よりも小さい領域である。また、第２の領域は、［Ｇａ］が、第１の領域における［Ｇａ］よりも大きく、且つ、［Ｉｎ］が、第１の領域における［Ｉｎ］よりも小さい領域である。

　具体的には、上記第１の領域は、インジウム酸化物、又はインジウム亜鉛酸化物等が主成分である領域である。また、上記第２の領域は、ガリウム酸化物、又はガリウム亜鉛酸化物等が主成分である領域である。つまり、上記第１の領域を、Ｉｎを主成分とする領域と言い換えることができる。また、上記第２の領域を、Ｇａを主成分とする領域と言い換えることができる。

　なお、上記第１の領域と、上記第２の領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。

　また、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とする領域と、一部にＩｎを主成分とする領域とが、それぞれモザイク状であり、これらの領域がランダムに存在している構成をいう。よって、ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が不均一に分布した構造を有していると推測される。

　ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つ又は複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。

　また、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ　Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ　Ｘ−ｒａｙ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、Ｉｎを主成分とする領域（第１の領域）と、Ｇａを主成分とする領域（第２の領域）とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。

　ここで、第１の領域は、第２の領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、第１の領域を、キャリアが流れることにより、金属酸化物としての導電性が発現する。したがって、第１の領域が、金属酸化物中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。

　一方、第２の領域は、第１の領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、第２の領域が、金属酸化物中に分布することで、リーク電流を抑制できる。

　したがって、ＣＡＣ−ＯＳをトランジスタに用いる場合、第１の領域に起因する導電性と、第２の領域に起因する絶縁性とが、相補的に作用することにより、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳに付与することができる。つまり、ＣＡＣ−ＯＳとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。導電性の機能と絶縁性の機能とを分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。よって、ＣＡＣ−ＯＳをトランジスタに用いることで、高いオン電流（Ｉ_ｏｎ）、高い電界効果移動度（μ）、及び良好なスイッチング動作を実現することができる。

　また、ＣＡＣ−ＯＳを用いたトランジスタは、信頼性が高い。したがって、ＣＡＣ−ＯＳは、表示装置をはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。

　酸化物半導体は、多様な構造をとり、それぞれが異なる特性を有する。本発明の一態様の酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体、多結晶酸化物半導体、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ、ＣＡＣ−ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、ＣＡＡＣ−ＯＳのうち、二種以上を有していてもよい。

＜酸化物半導体を有するトランジスタ＞
　続いて、上記酸化物半導体をトランジスタに用いる場合について説明する。

　上記酸化物半導体をトランジスタに用いることで、高い電界効果移動度のトランジスタを実現することができる。また、信頼性の高いトランジスタを実現することができる。

　トランジスタには、キャリア濃度の低い酸化物半導体を用いることが好ましい。例えば、酸化物半導体のキャリア濃度は１×１０^１７ｃｍ^−３以下、好ましくは１×１０^１５ｃｍ^−３以下、さらに好ましくは１×１０^１３ｃｍ^−３以下、より好ましくは１×１０^１１ｃｍ^−３以下、さらに好ましくは１×１０^１０ｃｍ^−３未満であり、１×１０^−９ｃｍ^−３以上である。なお、酸化物半導体膜のキャリア濃度を低くする場合においては、酸化物半導体膜中の不純物濃度を低くし、欠陥準位密度を低くすればよい。本明細書等において、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低いことを高純度真性又は実質的に高純度真性と言う。なお、キャリア濃度の低い酸化物半導体を、高純度真性又は実質的に高純度真性な酸化物半導体という場合がある。

　また、高純度真性又は実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度も低くなる場合がある。

　また、酸化物半導体のトラップ準位に捕獲された電荷は、消失するまでに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、トラップ準位密度の高い酸化物半導体にチャネル形成領域が形成されるトランジスタは、電気特性が不安定となる場合がある。

　したがって、トランジスタの電気特性を安定にするためには、酸化物半導体中の不純物濃度を低減することが有効である。また、酸化物半導体中の不純物濃度を低減するためには、近接する膜中の不純物濃度も低減することが好ましい。不純物としては、水素、窒素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、鉄、ニッケル、又はシリコン等がある。

＜不純物＞
　ここで、酸化物半導体中における各不純物の影響について説明する。

　酸化物半導体において、第１４族元素の一つであるシリコン又は炭素が含まれると、酸化物半導体において欠陥準位が形成される。そのため、酸化物半導体におけるシリコン又は炭素の濃度と、酸化物半導体との界面近傍のシリコン又は炭素の濃度（二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　Ｉｏｎ　Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる濃度）を、２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。

　また、酸化物半導体にアルカリ金属又はアルカリ土類金属が含まれると、欠陥準位を形成し、キャリアを生成する場合がある。したがって、アルカリ金属又はアルカリ土類金属が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。そのため、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中のアルカリ金属又はアルカリ土類金属の濃度を、１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にする。

　また、酸化物半導体において、窒素が含まれると、キャリアである電子が生じ、キャリア濃度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物半導体を半導体に用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。又は、酸化物半導体において、窒素が含まれると、トラップ準位が形成される場合がある。この結果、トランジスタの電気特性が不安定となる場合がある。そのため、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中の窒素濃度を、５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、より好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、さらに好ましくは５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にする。

　また、酸化物半導体に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になるため、酸素欠損を形成する場合がある。該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合して、キャリアである電子を生成することがある。したがって、水素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。そのため、酸化物半導体中の水素はできる限り低減されていることが好ましい。具体的には、酸化物半導体において、ＳＩＭＳにより得られる水素濃度を、１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、より好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、さらに好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満にする。

　不純物が十分に低減された酸化物半導体をトランジスタのチャネル形成領域に用いることで、安定した電気特性を付与することができる。

　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態６）
　本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について説明する。

　本実施の形態の電子機器は、本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態様の表示装置は、高精細化、高解像度化、及び大型化のそれぞれが容易である。したがって、本発明の一態様の表示装置は、様々な電子機器の表示部に用いることができる。

　また、本発明の一態様の表示装置は、低いコストで作製できるため、電子機器の製造コストを低減することができる。

　電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型若しくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用のモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機等の大型ゲーム機等の比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、及び音響再生装置等が挙げられる。

　特に、本発明の一態様の表示装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器としては、例えば腕時計型又はブレスレット型等の情報端末機（ウェアラブル機器）、及びヘッドマウントディスプレイ等のＶＲ向け機器又はメガネ型のＡＲ向け機器等、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。また、ウェアラブル機器としては、ＳＲ向け機器、及びＭＲ向け機器も挙げられる。

　本発明の一態様の表示装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ２Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、又は８Ｋ４Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ２Ｋ、８Ｋ４Ｋ、又はそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示装置における画素密度（精細度）は、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度又は高い精細度を有する表示装置を用いることで、携帯型又は家庭用途等のパーソナルユースの電子機器において、臨場感及び奥行き感等をより高めることが可能となる。

　本実施の形態の電子機器は、家屋若しくはビルの内壁、若しくは外壁、又は、自動車の内装若しくは外装の曲面に沿って組み込むことができる。

　本実施の形態の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像及び情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及び二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。

　本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい、又は赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

　本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、及びテキスト画像等）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻等を表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、及び記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出す機能等を有することができる。

　図３０Ａに示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。

　電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。

　表示部６５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図３０Ｂは、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面図である。

　筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、及びバッテリ６５１８等が配置されている。

　保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。

　表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続される。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続される。

　表示パネル６５１１には本発明の一態様のフレキシブルディスプレイ（可撓性を有する表示装置）を適用することができる。そのため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。

　図３１Ａにテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。

　表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図３１Ａに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、及び別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。又は、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、例えば指で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キー又はタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

　なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデム等を備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士等）の情報通信を行うことも可能である。

　図３１Ｂに、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、及び外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。

　表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図３１Ｃ、及び図３１Ｄに、デジタルサイネージの一例を示す。

　図３１Ｃに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、及びマイクロフォン等を有することができる。

　図３１Ｄは、円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。

　図３１Ｃ、及び図３１Ｄにおいて、表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

　表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像又は動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報又は交通情報等の情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。

　また、図３１Ｃ、及び図３１Ｄに示すように、デジタルサイネージ７３００又はデジタルサイネージ７４００は、ユーザが所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。

　また、デジタルサイネージ７３００又はデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数のユーザが同時にゲームに参加し、楽しむことができる。

　図３２Ａは、ファインダー８１００を取り付けた状態のカメラ８０００の外観を示す図である。

　カメラ８０００は、筐体８００１、表示部８００２、操作ボタン８００３、及びシャッターボタン８００４等を有する。またカメラ８０００には、着脱可能なレンズ８００６が取り付けられている。なお、カメラ８０００は、レンズ８００６と筐体とが一体となっていてもよい。

　カメラ８０００は、シャッターボタン８００４を押す、又はタッチパネルとして機能する表示部８００２をタッチすることにより撮像することができる。

　筐体８００１は、電極を有するマウントを有し、ファインダー８１００のほか、例えばストロボ装置を接続することができる。

　ファインダー８１００は、筐体８１０１、表示部８１０２、及びボタン８１０３等を有する。

　筐体８１０１は、カメラ８０００のマウントと係合するマウントにより、カメラ８０００に取り付けられている。ファインダー８１００は例えばカメラ８０００から受信した映像を表示部８１０２に表示させることができる。

　ボタン８１０３は、例えば電源ボタンとしての機能を有する。

　カメラ８０００の表示部８００２、及びファインダー８１００の表示部８１０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。なお、ファインダーが内蔵されたカメラ８０００であってもよい。

　図３２Ｂは、ヘッドマウントディスプレイ８２００の外観を示す図である。

　ヘッドマウントディスプレイ８２００は、装着部８２０１、レンズ８２０２、本体８２０３、表示部８２０４、及びケーブル８２０５等を有している。また装着部８２０１には、バッテリ８２０６が内蔵されている。

　ケーブル８２０５は、バッテリ８２０６から本体８２０３に電力を供給する。本体８２０３は例えば無線受信機を備え、受信した映像情報を表示部８２０４に表示させることができる。また、本体８２０３はカメラを備え、使用者の眼球又はまぶたの動きの情報を入力手段として用いることができる。

　また、装着部８２０１には、使用者に触れる位置に、使用者の眼球の動きに伴って流れる電流を検知可能な複数の電極を設けることができる。これにより、ヘッドマウントディスプレイ８２００は、使用者の視線を認識する機能を有することができる。また、ヘッドマウントディスプレイ８２００は、上記電極に流れる電流により、使用者の脈拍をモニタする機能を有していてもよい。また、装着部８２０１には、温度センサ、圧力センサ、又は加速度センサ等の各種センサを設けてもよい。また、ヘッドマウントディスプレイ８２００は、使用者の生体情報を表示部８２０４に表示する機能、又は使用者の頭部の動きに合わせて表示部８２０４に表示する映像を変化させる機能等を有していてもよい。

　表示部８２０４に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図３２Ｃ乃至図３２Ｅは、ヘッドマウントディスプレイ８３００の外観を示す図である。ヘッドマウントディスプレイ８３００は、筐体８３０１と、表示部８３０２と、バンド状の固定具８３０４と、一対のレンズ８３０５と、を有する。

　使用者は、レンズ８３０５を通して、表示部８３０２の表示を視認することができる。なお、表示部８３０２を湾曲して配置させると、使用者が高い臨場感を感じることができるため好ましい。また、表示部８３０２の異なる領域に表示された別の画像を、レンズ８３０５を通して視認することで、例えば視差を用いた３次元表示を行うこともできる。なお、表示部８３０２を１つ設ける構成に限られず、表示部８３０２を２つ設け、使用者の片方の目につき１つの表示部を配置してもよい。

　表示部８３０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。本発明の一態様の表示装置は、極めて高い精細度を実現することも可能である。例えば、図３２Ｅのようにレンズ８３０５を用いて表示を拡大して視認される場合でも、使用者に画素が視認されにくい。つまり、表示部８３０２を用いて、使用者に現実感の高い映像を視認させることができる。

　図３２Ｆは、ゴーグル型のヘッドマウントディスプレイ８４００の外観を示す図である。ヘッドマウントディスプレイ８４００は、一対の筐体８４０１と、装着部８４０２と、緩衝部材８４０３と、を有する。一対の筐体８４０１内には、それぞれ、表示部８４０４及びレンズ８４０５が設けられる。一対の表示部８４０４に互いに異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うことができる。

　使用者は、レンズ８４０５を通して表示部８４０４を視認することができる。レンズ８４０５はピント調整機構を有し、使用者の視力に応じて位置を調整することができる。表示部８４０４は、正方形又は横長の長方形であることが好ましい。これにより、臨場感を高めることができる。

　装着部８４０２は、使用者の顔のサイズに応じて調整でき、且つ、ずれ落ちることのないよう、可塑性及び弾性を有することが好ましい。また、装着部８４０２の一部は、骨伝導イヤフォンとして機能する振動機構を有していることが好ましい。これにより、別途イヤフォン、又はスピーカ等の音響機器を必要とせず、装着しただけで映像と音声を楽しむことができる。なお、筐体８４０１内に、無線通信により音声データを出力する機能を有していてもよい。

　装着部８４０２と緩衝部材８４０３は、使用者の顔（額、又は頬等）に接触する部分である。緩衝部材８４０３が使用者の顔と密着することにより、光漏れを防ぐことができ、より没入感を高めることができる。緩衝部材８４０３は、使用者がヘッドマウントディスプレイ８４００を装着した際に使用者の顔に密着するよう、柔らかな素材を用いることが好ましい。例えばゴム、シリコーンゴム、ウレタン、又はスポンジ等の素材を用いることができる。また、例えばスポンジの表面を布、又は革（天然皮革又は合成皮革）等で覆ったものを用いると、使用者の顔と緩衝部材８４０３との間に隙間が生じにくく光漏れを好適に防ぐことができる。また、このような素材を用いると、肌触りが良いことに加え、例えば寒い季節に装着した際に、使用者に冷たさを感じさせないため好ましい。緩衝部材８４０３及び装着部８４０２等の、使用者の肌に触れる部材は、取り外し可能な構成とすると、クリーニング又は交換が容易となるため好ましい。

　図３３Ａ乃至図３３Ｆに示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい、又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。

　図３３Ａ乃至図３３Ｆに示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、及びテキスト画像等）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻等を表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、及び記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して処理する機能等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器に例えばカメラを設け、静止画又は動画を撮影し、記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、及び撮影した画像を表示部に表示する機能等を有していてもよい。

　表示部９００１に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図３３Ａ乃至図３３Ｆに示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。

　図３３Ａは、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１には、スピーカ９００３、接続端子９００６、及びセンサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示することができる。図３３Ａでは３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、又は電話等の着信の通知、電子メール、例えばＳＮＳの題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、又は電波強度等がある。又は、情報９０５１が表示されている位置には例えばアイコン９０５０を表示してもよい。

　図３３Ｂは、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、及び情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。

　図３３Ｃは、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００を、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信させることによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。

　図３３Ｄ乃至図３３Ｆは、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図３３Ｄは携帯情報端末９２０１を展開した状態、図３３Ｆは折り畳んだ状態、図３３Ｅは図３３Ｄと図３３Ｆの一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。

　本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、又は図面等と適宜組み合わせることができる。

　本実施例では、発光素子を有するサンプルを作製し、評価を行った結果について説明する。

　図３４Ａ、図３４Ｂ、及び図３４Ｃは、本実施例で作製したサンプルの構成を示す断面図である。図３４Ａに示すサンプル２００Ａは、絶縁層１０１ａと、絶縁層１０１ａ上の絶縁層１０１ｂと、絶縁層１０１ｂ上の発光素子１１０Ｒと、発光素子１１０Ｒ上の保護層１２１と、を有する。

　発光素子１１０Ｒは、絶縁層１０１ｂ上の画素電極１１１Ｒａと、画素電極１１１Ｒａ上、及び絶縁層１０１ｂ上の画素電極１１１Ｒｂと、画素電極１１１Ｒｂ上、及び絶縁層１０１ｂ上のＥＬ層１１２Ｒと、を有する。また、サンプル２００Ａは、ＥＬ層１１２Ｒの側面と接する領域を有する、絶縁層１０１ｂ上の保護層１３１Ｒａと、保護層１３１Ｒａ上の保護層１３１Ｒｂと、を有する。さらに、サンプル２００Ａは、ＥＬ層１１２Ｒ上、保護層１３１Ｒａ上、保護層１３１Ｒｂ上、及び絶縁層１０１ｂ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。また、共通電極１１５上に保護層１２１が設けられる。ここで、画素電極１１１Ｒａと、画素電極１１１Ｒｂと、により実施の形態１等に示す画素電極１１１Ｒが構成され、保護層１３１Ｒａと、保護層１３１Ｒｂと、により実施の形態１等に示す保護層１３１Ｒが構成されるとした。

　図３４Ｂに示すサンプル２００Ｂは、保護層１３１Ｒａ、及び保護層１３１Ｒｂを有さない点が、サンプル２００Ａと異なる。サンプル２００Ｂでは、ＥＬ層１１２Ｒの側面は共通層１１４と接する。

　図３４Ｃに示すサンプル２００Ｃは、絶縁層１０１ａと、絶縁層１０１ａ上の絶縁層１０１ｂと、絶縁層１０１ｂ上の画素電極１１１Ｒａと、画素電極１１１Ｒａ上の画素電極１１１Ｒｂと、画素電極１１１Ｒｂ上のＥＬ層１１２Ｒと、ＥＬ層１１２Ｒ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、共通電極１１５上の保護層１２１と、を有する。サンプル２００Ｃは、パターニングがされていない点がサンプル２００Ｂと異なる。

　図３４Ｄは、ＥＬ層１１２Ｒの構成を示す図である。ＥＬ層１１２は、正孔注入層１５１と、正孔注入層１５１上の正孔輸送層１５２と、正孔輸送層１５２上の発光層１５３と、発光層１５３上の正孔ブロック層１５４と、正孔ブロック層１５４上の電子輸送層１５５と、を有する。ここで、発光層１５３は、赤色の光を発する機能を有する。

　図３５Ａ乃至図３５Ｅ、及び図３６Ａ乃至図３６Ｄは、本実施例におけるサンプル２００Ａの作製方法の、各工程における断面図である。

　サンプル２００Ａの作製では、まず、基板（図示せず）上に、絶縁層１０１ａとして樹脂層を、スピンコート法を用いて形成した。次に、絶縁層１０１ｂとして窒化シリコン層を、ＣＶＤ法を用いて絶縁層１０１ａ上に形成した。

　続いて、後に画素電極１１１Ｒａとなる導電膜として銀とパラジウムと銅の合金膜を、膜厚１００ｎｍとなるようにスパッタリング法を用いて絶縁層１０１ｂ上に成膜した。その後、当該導電膜の一部をウェットエッチングにより除去し、画素電極１１１Ｒａを形成した。

　続いて、後に画素電極１１１Ｒｂとなる導電膜としてシリコンを含むインジウム錫酸化物膜を、膜厚１００ｎｍとなるようにスパッタリング法を用いて画素電極１１１Ｒａ上、及び絶縁層１０１ｂ上に成膜した。その後、当該導電膜の一部をウェットエッチングにより除去し、画素電極１１１Ｒｂを形成した。（図３５Ａ）。

　続いて、後にＥＬ層１１２ＲとなるＥＬ膜１１２Ｒｆを、蒸着法を用いて画素電極１１１Ｒｂ上、及び絶縁層１０１ｂ上に形成した。ここで、ＥＬ膜１１２Ｒｆの構成は図３４Ｄに示す通りとし、正孔注入層１５１の膜厚が１１．４ｎｍ、正孔輸送層１５２の膜厚が５７．５ｎｍ、発光層１５３の膜厚が７４．４ｎｍ、正孔ブロック層１５４の膜厚が１０ｎｍ、電子輸送層１５５の膜厚が１０ｎｍとなるようにＥＬ膜１１２Ｒｆを形成した。

続いて、後に犠牲層１４５Ｒａとなる犠牲膜１４４Ｒａとして酸化アルミニウム膜を、膜厚３０ｎｍとなるようにＡＬＤ法を用いてＥＬ膜１１２Ｒｆ上に成膜した。続いて、後に犠牲層１４５Ｒｂとなる犠牲膜１４４Ｒｂとしてインジウム錫酸化物膜を、膜厚５０ｎｍとなるようにスパッタリング法を用いて犠牲膜１４４Ｒａ上に成膜した。

　続いて、犠牲膜１４４Ｒｂ上にレジストを塗布し、露光及び現像を行うことにより、レジストマスク１４３を形成した（図３５Ｂ）。

　続いて、犠牲膜１４４Ｒｂ、犠牲膜１４４Ｒａ、及びＥＬ膜１１２Ｒｆの、レジストマスク１４３に覆われない部分をドライエッチングにより除去し、犠牲層１４５Ｒｂ、犠牲層１４５Ｒａ、及びＥＬ層１１２Ｒを形成した。また、レジストマスク１４３を除去した（図３５Ｃ）。

　続いて、後に保護層１３１Ｒａとなる保護膜１３１Ｒａｆとして酸化アルミニウム膜を、膜厚１５ｎｍとなるようにＡＬＤ法を用いて犠牲層１４５Ｒｂ上、及び絶縁層１０１ｂ上に形成した。その後、ＥＬ膜１１２ｆを、蒸着法を用いて保護膜１３１Ｒａｆ上に形成した（図３５Ｄ）。

　続いて、ＥＬ膜１１２ｆを、ドライエッチングにより除去した（図３５Ｅ）。その後、後に保護層１３１Ｒｂとなる保護膜１３１Ｒｂｆとして窒化シリコン膜を、膜厚９０ｎｍとなるようにスパッタリング法を用いて保護膜１３１Ｒａｆ上に形成した（図３６Ａ）。

　続いて、保護膜１３１Ｒｂｆをドライエッチングにより加工し、保護層１３１Ｒｂを形成した。（図３６Ｂ）。次に、保護膜１３１Ｒａｆをドライエッチングにより加工し、保護層１３１Ｒａを形成した。その後、犠牲層１４５Ｒｂ、及び犠牲層１４５Ｒａを、ウェットエッチングを用いて除去した（図３６Ｃ）。

　続いて、共通層１１４として、フッ化リチウム膜を膜厚１ｎｍとなるように蒸着法を用いてＥＬ層１１２Ｒ上、保護層１３１Ｒａ上、保護層１３１Ｒｂ上、及び絶縁層１０１ｂ上に形成した後、イッテルビウム膜を膜厚１ｎｍとなるように蒸着法を用いてフッ化リチウム膜上に形成した。つまり、共通層１１４を、フッ化リチウム膜と、イッテルビウム膜と、の積層構造とした。

　続いて、共通電極１１５として、銀とマグネシウムの比が１０：１の合金膜を、膜厚１５ｎｍとなるように蒸着法を用いて共通層１１４上に形成した。以上により、発光素子１１０Ｒを形成した。

　続いて、保護層１２１として、インジウムガリウム亜鉛酸化物膜を、膜厚７０ｎｍとなるようにスパッタリング法を用いて共通電極１１５上に形成した（図３６Ｄ）。以上示した方法で、サンプル２００Ａを形成した。

　図３７Ａ乃至図３７Ｅは、本実施例におけるサンプル２００Ｂの作製方法の、各工程における断面図である。

　サンプル２００Ｂの作製では、まず、サンプル２００Ａの作製における図３５Ａ、図３５Ｂ、及び図３５Ｃに示す工程と同様の工程を行った（図３７Ａ）。次に、ＥＬ膜１１２ｆを、蒸着法を用いて犠牲層１４５Ｒｂ上、及び絶縁層１０１ｂ上に形成した（図３７Ｂ）。つまり、サンプル２００Ａと異なり、保護膜１３１Ｒａｆの形成は行わなかった。

　続いて、ＥＬ膜１１２ｆを、ドライエッチングにより除去した（図３７Ｃ）。その後、犠牲層１４５Ｒｂ、及び犠牲層１４５Ｒａを除去した（図３７Ｄ）。つまり、サンプル２００Ａと異なり、保護膜１３１Ｒｂｆの形成は行わなかった。

　その後、サンプル２００Ａと同様に、共通層１１４、共通電極１１５、及び保護層１２１を形成した（図３７Ｅ）。以上示した方法で、サンプル２００Ｂを形成した。

　サンプル２００Ｃの作製では、まず、基板（図示せず）上に絶縁層１０１ａとして、スピンコート法を用いて樹脂層を形成した。次に、絶縁層１０１ｂとして、ＣＶＤ法を用いて窒化シリコン層を絶縁層１０１ａ上に形成した。

　続いて、画素電極１１１Ｒａとして銀とパラジウムと銅の合金膜を、膜厚１００ｎｍとなるようにスパッタリング法を用いて絶縁層１０１ｂ上に成膜した。その後、画素電極１１１Ｒｂとしてシリコンを含むインジウム錫酸化物膜を、膜厚１００ｎｍとなるようにスパッタリング法を用いて画素電極１１１Ｒａ上に成膜した。

　続いて、ＥＬ層１１２Ｒを、蒸着法を用いて画素電極１１１Ｒｂ上に形成した。ＥＬ層１１２Ｒの構成は図３４Ｄに示す通りとし、正孔注入層１５１、正孔輸送層１５２、発光層１５３、正孔ブロック層１５４、及び電子輸送層１５５の膜厚はサンプル２００Ａ、及びサンプル２００Ｂと同様とした。

　その後、サンプル２００Ａ、及びサンプル２００Ｂと同様に、共通層１１４、共通電極１１５、及び保護層１２１を形成した。以上示した方法で、サンプル２００Ｃを形成した。以上のように、サンプル２００Ｃの形成の際には、犠牲層の形成及びＥＬ膜のエッチング法によるパターニングは行わなかった。サンプル２００Ｃの作製は、真空一貫で行ったということができる。

　図３８は、サンプル２００Ａ、サンプル２００Ｂ、及びサンプル２００Ｃの輝度−電圧特性を示すグラフである。図３９は、サンプル２００Ａ、サンプル２００Ｂ、及びサンプル２００Ｃの電流効率−輝度特性を示すグラフである。また、サンプル２００Ａ、サンプル２００Ｂ、及びサンプル２００Ｃのそれぞれにおける、発光輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２付近である場合の、発光素子１１０Ｒの特性を表１に示す。

　図３８に示すように、サンプル２００Ｂは、サンプル２００Ａ、及びサンプル２００Ｃと比較して同じ輝度を得るために必要な電圧が高い結果となった。一方、サンプル２００Ａの輝度−電圧特性とサンプル２００Ｃの輝度−電圧特性はほとんど差がなかった。つまり、サンプル２００Ａは、ＥＬ膜１１２Ｒｆのドライエッチングによる加工を行ったにもかかわらず、真空一貫で作製したサンプル２００Ｃと、輝度−電圧特性が同等であったといえる。

　また、図３９に示すように、真空一貫で作製したサンプル２００Ｃに比べて、ＥＬ膜１１２Ｒｆのドライエッチングによる加工を行ったサンプル２００Ａ及びサンプル２００Ｂは、低輝度側において、電流効率が低くなった。しかし、サンプル２００Ａは、サンプル２００Ｂに比べて電流効率の低下が抑制されていることが確認された。

　ここで、サンプル２００Ａは、図３５Ｄ、及び図３５Ｅに示すＥＬ膜１１２ｆの成膜、及びドライエッチングによる除去を行う前に、図３５Ｃに示すように例えばＥＬ層１１２Ｒの側面を覆う保護膜１３１Ｒａｆを設ける点で、サンプル２００Ｂと異なる。保護膜１３１Ｒａｆを設けることで、ＥＬ膜１１２ｆの成膜、ドライエッチングによる除去を行うことによる、発光素子１１０Ｒの特性の低下を抑制できることが示唆された。

　図４０は、サンプル２００Ａ、サンプル２００Ｂ、及びサンプル２００Ｃの規格化輝度の経時変化を示すグラフである。図４０において、規格化輝度は、時間０、つまり輝度の測定開始時点における発光素子１１０Ｒの輝度を基準とした相対輝度を示す。図４０に示す規格化輝度は、発光素子１１０Ｒの真性輝度を７９００ｃｄ／ｍ^２とした定電流測定で、且つ室温で測定した。ここで、規格化輝度の経時変化を示すグラフを、信頼性曲線という。

　図４０に示すように、サンプル２００Ａの信頼性曲線の傾きと、サンプル２００Ｂの信頼性曲線の傾きと、サンプル２００Ｃの信頼性曲線の傾きと、に大きな差は見られなかった。よって、サンプル２００Ａの信頼性と、サンプル２００Ｂの信頼性と、サンプル２００Ｃの信頼性と、に大きな差がないことが確認された。

　以上のように、保護層１３１Ｒａ及び保護層１３１Ｒｂを設けることで、ＥＬ膜のドライエッチングによる加工を行っても、真空一貫で作製した発光素子と同等の駆動電圧及び信頼性を有し、保護層１３１Ｒａ及び保護層１３１Ｒｂを設けない場合より電流効率の低下が抑制された発光素子を作製することができた。

１００：表示装置、１００Ａ：表示装置、１００Ｂ：表示装置、１００Ｃ：表示装置、１００Ｄ：表示装置、１００Ｅ：表示装置、１００Ｆ：表示装置、１０１：層、１０１ａ：絶縁層、１０１ｂ：絶縁層、１０３：画素、１０３ａ：副画素、１０３ｂ：副画素、１０３ｃ：副画素、１１０：発光素子、１１０Ｂ：発光素子、１１０Ｇ：発光素子、１１０Ｒ：発光素子、１１１：画素電極、１１１Ｂ：画素電極、１１１Ｃ：接続電極、１１１Ｇ：画素電極、１１１Ｒ：画素電極、１１１Ｒａ：画素電極、１１１Ｒｂ：画素電極、１１２：ＥＬ層、１１２Ｂ：ＥＬ層、１１２Ｂｆ：ＥＬ膜、１１２ｆ：ＥＬ膜、１１２Ｇ：ＥＬ層、１１２Ｇｆ：ＥＬ膜、１１２Ｒ：ＥＬ層、１１２Ｒｆ：ＥＬ膜、１１４：共通層、１１５：共通電極、１２１：保護層、１２４ａ：画素、１２４ｂ：画素、１３０：領域、１３１：保護層、１３１ａ：保護層、１３１ｂ：保護層、１３１Ｂ：保護層、１３１Ｂａ：保護層、１３１Ｂａｆ：保護膜、１３１Ｂｂ：保護層、１３１Ｂｂｆ：保護膜、１３１Ｂｆ：保護膜、１３１Ｇ：保護層、１３１Ｇａ：保護層、１３１Ｇａｆ：保護膜、１３１Ｇｂ：保護層、１３１Ｇｂｆ：保護膜、１３１Ｇｆ：保護膜、１３１Ｒ：保護層、１３１Ｒａ：保護層、１３１Ｒａｆ：保護膜、１３１Ｒｂ：保護層、１３１Ｒｂｆ：保護膜、１３１Ｒｆ：保護膜、１３２：絶縁層、１３２ｆ：絶縁膜、１３３：保護層、１３３ｆ：保護膜、１４３：レジストマスク、１４３ａ：レジストマスク、１４３ｂ：レジストマスク、１４３ｃ：レジストマスク、１４４Ｂａ：犠牲膜、１４４Ｂｂ：犠牲膜、１４４Ｇａ：犠牲膜、１４４Ｇｂ：犠牲膜、１４４Ｒａ：犠牲膜、１４４Ｒｂ：犠牲膜、１４５：犠牲層、１４５ａ：犠牲層、１４５ｂ：犠牲層、１４５Ｂａ：犠牲層、１４５Ｂｂ：犠牲層、１４５Ｇ：犠牲層、１４５Ｇａ：犠牲層、１４５Ｇｂ：犠牲層、１４５Ｒ：犠牲層、１４５Ｒａ：犠牲層、１４５Ｒｂ：犠牲層、１５１：正孔注入層、１５２：正孔輸送層、１５３：発光層、１５４：正孔ブロック層、１５５：電子輸送層、１６０ａ：領域、１６０ｂ：領域、２００Ａ：サンプル、２００Ｂ：サンプル、２００Ｃ：サンプル、２０１：トランジスタ、２０４：接続部、２０５：トランジスタ、２０９：トランジスタ、２１０：トランジスタ、２１１：絶縁層、２１３：絶縁層、２１４：絶縁層、２１５：絶縁層、２１８：絶縁層、２２１：導電層、２２２ａ：導電層、２２２ｂ：導電層、２２３：導電層、２２５：絶縁層、２２８：領域、２３１：半導体層、２３１ｉ：チャネル形成領域、２３１ｎ：低抵抗領域、２４０：容量、２４１：導電層、２４２：接続層、２４３：絶縁層、２４５：導電層、２５１：導電層、２５２：導電層、２５３：絶縁層、２５４：絶縁層、２５５：絶縁層、２５６：プラグ、２６１：絶縁層、２６２：絶縁層、２６３：絶縁層、２６４：絶縁層、２６５：絶縁層、２７１：プラグ、２７４：プラグ、２７４ａ：導電層、２７４ｂ：導電層、２８０：表示モジュール、２８１：表示部、２８２：回路部、２８３：画素回路部、２８３ａ：画素回路、２８４：画素部、２８５：端子部、２８６：配線部、２９０：ＦＰＣ、２９１：基板、２９２：基板、３０１：基板、３０１Ａ：基板、３０１Ｂ：基板、３１０：トランジスタ、３１０Ａ：トランジスタ、３１０Ｂ：トランジスタ、３１１：導電層、３１２：低抵抗領域、３１３：絶縁層、３１４：絶縁層、３１５：素子分離層、３２０：トランジスタ、３２１：半導体層、３２３：絶縁層、３２４：導電層、３２５：導電層、３２６：絶縁層、３２７：導電層、３２８：絶縁層、３２９：絶縁層、３３１：基板、３３２：絶縁層、３４１：導電層、３４２：導電層、３４３：プラグ、４１４：絶縁層、４１７：遮光層、４１８：導電層、４１８Ｂ：導電層、４１８Ｇ：導電層、４１８Ｒ：導電層、４１９：樹脂層、４２０：基板、４４２：接着層、４４３：空間、４５１：基板、４５２：基板、４６１：導電層、４６２：表示部、４６４：回路、４６５：配線、４６８：導電層、４７２：ＦＰＣ、４７３：ＩＣ、７７２：下部電極、７８５：層、７８６：ＥＬ層、７８６ａ：ＥＬ層、７８６ｂ：ＥＬ層、７８８：上部電極、４４１１：発光層、４４１２：発光層、４４１３：発光層、４４２０：層、４４２０−１：層、４４２０−２：層、４４３０：層、４４３０−１：層、４４３０−２：層、６５００：電子機器、６５０１：筐体、６５０２：表示部、６５０３：電源ボタン、６５０４：ボタン、６５０５：スピーカ、６５０６：マイク、６５０７：カメラ、６５０８：光源、６５１０：保護部材、６５１１：表示パネル、６５１２：光学部材、６５１３：タッチセンサパネル、６５１５：ＦＰＣ、６５１６：ＩＣ、６５１７：プリント基板、６５１８：バッテリ、７０００：表示部、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド、７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、８０００：カメラ、８００１：筐体、８００２：表示部、８００３：操作ボタン、８００４：シャッターボタン、８００６：レンズ、８１００：ファインダー、８１０１：筐体、８１０２：表示部、８１０３：ボタン、８２００：ヘッドマウントディスプレイ、８２０１：装着部、８２０２：レンズ、８２０３：本体、８２０４：表示部、８２０５：ケーブル、８２０６：バッテリ、８３００：ヘッドマウントディスプレイ、８３０１：筐体、８３０２：表示部、８３０４：固定具、８３０５：レンズ、８４００：ヘッドマウントディスプレイ、８４０１：筐体、８４０２：装着部、８４０３：緩衝部材、８４０４：表示部、８４０５：レンズ、９０００：筐体、９００１：表示部、９００３：スピーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロフォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１０１：携帯情報端末、９１０２：携帯情報端末、９２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末

Claims (19)

1. 　第１の発光素子と、前記第１の発光素子と隣接して配置された第２の発光素子と、第１の保護層と、第２の保護層と、絶縁層と、を有し、
   　前記第１の発光素子は、第１の画素電極と、第１のＥＬ層と、共通電極と、を有し、
   　前記第２の発光素子は、第２の画素電極と、第２のＥＬ層と、前記共通電極と、を有し、
   　前記第１のＥＬ層は、前記第１の画素電極上に設けられ、
   　前記第２のＥＬ層は、前記第２の画素電極上に設けられ、
   　前記第１の保護層は、前記第１の画素電極の側面、前記第２の画素電極の側面、前記第１のＥＬ層の側面、及び前記第２のＥＬ層の側面と重なる領域を有し、
   　前記絶縁層は、前記第１の保護層上に設けられ、
   　前記第２の保護層は、前記絶縁層上に設けられ、
   　前記共通電極は、前記第１のＥＬ層上、前記第２のＥＬ層上、及び前記第２の保護層上に設けられる表示装置。
2. 　請求項１において、
   　前記絶縁層は、前記第１のＥＬ層と前記第２のＥＬ層の間に設けられる表示装置。
3. 　請求項１又は２において、
   　前記表示装置は、第３の保護層を有し、
   　前記第３の保護層は、前記第１の保護層の側面及び下面と接する領域を有する表示装置。
4. 　請求項３において、
   　前記第１乃至第３の保護層は、無機材料を有する表示装置。
5. 　請求項１乃至４のいずれか一項において、
   　前記第１の保護層は、前記絶縁層の側面、及び下面と接する領域を有し、
   　前記第２の保護層は、前記絶縁層の上面と接する領域を有し、
   　前記第１の保護層、及び前記第２の保護層は、窒化物を有する表示装置。
6. 　請求項１乃至５のいずれか一項において、
   　前記第１の保護層、及び前記第２の保護層は、窒化シリコン、窒化アルミニウム、又は窒化ハフニウムのうち少なくとも１つを有する表示装置。
7. 　請求項１乃至６のいずれか一項において、
   　前記絶縁層は、有機材料を有する表示装置。
8. 　請求項１乃至７のいずれか一項において、
   　前記第１のＥＬ層、前記第２のＥＬ層、及び前記第２の保護層と、前記共通電極と、の間に共通層が設けられ、
   　前記共通層は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、又は電子注入層の少なくとも一つを有する表示装置。
9. 　請求項１乃至８のいずれか一項において、
   　前記第１のＥＬ層の側面と、前記第２のＥＬ層の側面との間隔は、１μｍ以下の領域を有する表示装置。
10. 　請求項９において、
    　前記第１のＥＬ層の側面と、前記第２のＥＬ層の側面との間隔は、１００ｎｍ以下の領域を有する表示装置。
11. 　請求項１乃至１０のいずれか一に記載の表示装置と、
    　コネクタ及び集積回路のうち少なくとも一方と、を有する表示モジュール。
12. 　請求項１１に記載の表示モジュールと、
    　バッテリ、カメラ、スピーカ、及びマイクのうち少なくとも一つと、を有する電子機器。
13. 　絶縁表面上に、第１の画素電極、及び第２の画素電極を形成し、
    　前記第１の画素電極上、及び前記第２の画素電極上に、第１のＥＬ膜、及び第１の犠牲膜を順に形成し、
    　前記第１の犠牲膜、及び前記第１のＥＬ膜を加工することにより、前記第１の画素電極と重なる領域を有する、第１の犠牲層及び第１のＥＬ層をそれぞれ形成し、
    　少なくとも前記第１のＥＬ層の側面と、前記第１の犠牲層の側面及び上面と、を覆う、第１の保護膜を形成し、
    　前記第１の保護膜を加工することにより、前記第１のＥＬ層の側面と重なる領域を有する第１の保護層を形成し、
    　前記第１の犠牲層上、及び前記第２の画素電極上に、第２のＥＬ膜、及び第２の犠牲膜を順に形成し、
    　前記第２の犠牲膜、及び前記第２のＥＬ膜を加工することにより、前記第２の画素電極と重なる領域を有する、第２の犠牲層及び第２のＥＬ層をそれぞれ形成し、
    　少なくとも前記第１の犠牲層の上面と、前記第２の犠牲層の上面及び側面と、前記第１の保護層の側面と、前記第２のＥＬ層の側面と、を覆う、第２の保護膜を形成し、
    　前記第２の保護膜上に、絶縁膜を形成し、
    　前記絶縁膜を加工することにより、前記第１のＥＬ層と、前記第２のＥＬ層と、の間に絶縁層を形成し、
    　前記第２の保護膜を加工することにより、前記第１の保護層と前記絶縁層の間、及び前記第２のＥＬ層と前記絶縁層の間に、第２の保護層を形成し、
    　前記第１の犠牲層上、前記第２の犠牲層上、及び前記絶縁層上に、第３の保護膜を形成し、
    　前記第３の保護膜を加工することにより、前記絶縁層上に第３の保護層を形成し、
    　前記第１の犠牲層、及び前記第２の犠牲層を除去し、
    　前記第１のＥＬ層上、及び前記第２のＥＬ層上、及び前記第３の保護層上に共通電極を形成する表示装置の作製方法。
14. 　請求項１３において、
    　前記第１の保護膜の形成後に、前記第１の保護膜と接する領域を有するように第４の保護膜を形成し、
    　前記第２の保護膜の形成後に、前記第２の保護膜と接する領域を有するように第５の保護膜を形成する表示装置の作製方法。
15. 　請求項１４において、
    　前記第１の保護膜、及び前記第２の保護膜は、ＡＬＤ法を用いて形成し、
    　前記第３乃至第５の保護膜は、スパッタリング法、又はＣＶＤ法を用いて形成する表示装置の作製方法。
16. 　請求項１３乃至１５のいずれか一項において、
    　前記絶縁膜は、スピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法、又はペイント法を用いて形成する表示装置の作製方法。
17. 　請求項１３乃至１６のいずれか一項において、
    　前記絶縁膜を、フォトリソグラフィ法を用いて加工する表示装置の作製方法。
18. 　請求項１３乃至１７のいずれか一項において、
    　前記第１の保護膜、前記第２の保護膜、前記第４の保護膜、及び前記第５の保護膜は、ドライエッチング法を用いて加工する表示装置の作製方法。
19. 　請求項１３又は１８のいずれか一項において、
    　前記共通電極を形成する前に、前記第１のＥＬ層上、及び前記第２のＥＬ層上、及び前記絶縁層上に、共通層として、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、又は電子注入層の少なくとも一つを形成する表示装置の作製方法。

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